Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: US12068191B2
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Chen-Ming Lee, Fu-Kai Yang, Shao-Ming Koh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: US10153198B2. Автор: Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Low-resistance contact plugs and method forming same

Номер патента: KR102010133B1. Автор: 첸-밍 리,푸-카이 양,샤오-밍 고. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-08-12.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming the Same

Номер патента: US20190115249A1. Автор: Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming low-resistance contact plugs

Номер патента: TWI669783B. Автор: 李振銘,楊復凱,許劭銘. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-21.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming Same

Номер патента: US20200365450A1. Автор: Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US09960240B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117224A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117226A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Low Resistant Contact Method and Structure

Номер патента: US20200119152A1. Автор: Lin Yu-Ting,Wang Yu-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10032721B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10355094B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09984886B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Keun-Hwi Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11804438B2. Автор: Yong Kong Siew,Changhwa KIM,Wei Hsiung Tseng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240030140A1. Автор: Yong Kong Siew,Changhwa KIM,Wei Hsiung Tseng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12087833B2. Автор: Dae Yong Kim,Jeong Hyuk YIM,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Won Keun CHUNG,Hyo Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with a contact plug adjacent a gate structure

Номер патента: US12062660B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Hyun Lee,In-Keun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140035048A1. Автор: Myeongcheol Kim,Sanghyun Lee,Cheol Kim,Hak-sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240063276A1. Автор: Dae Yong Kim,Jeong Hyuk YIM,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Won Keun CHUNG,Hyo Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTANCE CONTACT

Номер патента: US20190157456A1. Автор: CHEN Chia-Cheng,LIU Su-Hao,Chen Kuo-Ju,Chen Liang-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-23.

FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTANCE CONTACT

Номер патента: US20200266299A1. Автор: CHEN Chia-Cheng,LIU Su-Hao,Chen Kuo-Ju,Chen Liang-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-20.

Formation method of semiconductor device with low resistance contact

Номер патента: US11049972B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200212195A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US12136570B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Slot contacts and method forming same

Номер патента: US20240290661A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semicondustor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US12119386B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US20240371956A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US20220285221A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Slot contacts and method forming same

Номер патента: US12009265B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device including 3d-stacked field-effect transistors having isolation structure between contact plugs

Номер патента: US20240282855A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including 3d-stacked field-effect transistors having isolation structure between contact plugs

Номер патента: EP4421862A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20200287042A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same

Номер патента: US09431492B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11444171B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11876121B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20230352408A1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Structure with Contact Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240250134A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Kuo-Nan Yang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure with self-aligned spacers and method of fabricating the same

Номер патента: US09691665B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Finfet device and method

Номер патента: US20240021619A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220376080A1. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210057538A1. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device with gate structure having dielectric layer on one side and contact plug on the other side

Номер патента: US09847398B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having fin-type active patterns with shared contact plugs

Номер патента: US11901422B2. Автор: Hyun Jin Kim,Deok Han Bae,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device including self-aligned contact and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210217749A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee,Sungwoo Kang,Youngmook Oh,Jeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device including self-aligned contact and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230097668A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee,Sungwoo Kang,Youngmook Oh,Jeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047306A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Gukhee Kim,Dongick Anthony LEE,Sangcheol Last Name not provide. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11302696B2. Автор: Hiroyuki Kutsukake,Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210066296A1. Автор: Hiroyuki Kutsukake,Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255472A1. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US11756829B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20240282633A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US12033894B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure useful for bulk transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09412788B2. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20230360972A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements

Номер патента: US12062614B2. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

FinFET low resistivity contact formation method

Номер патента: US09899521B2. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20210193576A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20190157203A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20190067198A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements

Номер патента: US11862567B2. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device with low resistivity contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20190097012A1. Автор: Huang-Yi Huang,Chih-Wei Chang,Chun-Wen NIEH,Ching-Hwanq Su,Kan-Ju LIN,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG,Kuan-Yu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20180068950A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type iv semiconductor elements

Номер патента: US20190157203A1. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

LOW RESISTANCE CONTACTS INCLUDING INTERMETALLIC ALLOY OF NICKEL, PLATINUM, TITANIUM, ALUMINUM AND TYPE IV SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20210193576A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Bruley John,Lee Kam-Leung,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180286958A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180294339A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043983A1. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698155B2. Автор: Sunil Shim,Wonseok Cho,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11910604B2. Автор: Jin Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220037359A1. Автор: Jin Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200161327A1. Автор: Jin Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10529846B2. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Methods for forming contact plugs with reduced corrosion

Номер патента: US12068197B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu-Sheng Wang,Chen-Yuan Kao,Chi-Cheng Hung,Yueh-Ching Pai,Liang-Yueh Ou Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Structure and method for mobility enhanced mosfets with unalloyed silicide

Номер патента: US20120149159A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Oleg Gluschenkov,Kern Rim,Judson R. Holt,Renee T. Mo,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Structure and method for mobility enhanced mosfets with unalloyed silicide

Номер патента: WO2008085686A3. Автор: Dureseti Chidambarrao,Oleg Gluschenkov,Kern Rim,Renee T Mo,Judson R Holt,Yaochang Liu. Владелец: Yaochang Liu. Дата публикации: 2008-08-28.

Ultra-Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20140264825A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing stable, low resistance contacts in integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4562640A. Автор: Dietrich Widmann,Reiner Sigusch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-01-07.

Forming low-resistance contact to silicon

Номер патента: US4502209A. Автор: Shyam P. Murarka,Moshe Eizenberg. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1985-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20220216107A1. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548259B2. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12062577B2. Автор: Dae Ik Kim,Jae Man Yoon,Hong Kyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure having contact plug and method of making the same

Номер патента: US20150228734A1. Автор: Chieh-Te Chen,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859393B2. Автор: Ki-yeon Park,Bon-young Koo,Gi-gwan PARK,Yong-Suk Tak,Hyun-seung KIM,Mi-seon Park,Tae-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09646877B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual silicide structure and methods thereof

Номер патента: US20240297083A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09455227B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Hsien Lin,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12057344B2. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device horizontally shifted contact plug pattern

Номер патента: US09524879B2. Автор: Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Young-Wook Park,Jin-Su Lee,Dong-Bok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Finfet device and method

Номер патента: US20210066500A1. Автор: Syun-Ming Jang,Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Kai-Hsuan LEE,Meng-Han Chou,I-Hsieh Wong,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US9613969B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20160351575A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device with contact plug

Номер патента: US20180158727A1. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Long-Jie HONG,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for forming contact plug

Номер патента: US20200075401A1. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Long-Jie HONG,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure with contact plug

Номер патента: US09887129B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Long-Jie HONG,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133511A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Self-aligned contact and method for forming the same

Номер патента: US20190305110A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Chien-Ting Chen,Sih-Han Chen,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200335588A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Cheng Lin,Wei-Jung Lin,Chang-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20230387221A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Cheng Lin,Wei-Jung Lin,Chang-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210367042A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Cheng Lin,Wei-Jung Lin,Chang-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367661A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Bottom-up formation of contact plugs

Номер патента: US12131949B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Bottom-up formation of contact plugs

Номер патента: US12125747B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Bottom-up formation of contact plugs

Номер патента: US20240371691A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411474A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11862694B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11515389B2. Автор: Hae Jung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085158A1. Автор: Hae Jung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming a contact plug by bottom-up metal growth

Номер патента: US20230386915A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated structure of semiconductor devices having shared contact plug and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030297A1. Автор: Chin-Chin Tsai,Han-Chung Tai,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09466730B2. Автор: Rahul Kumar,Manoj Kumar,shao-ming Yang,Shang-Hui Tu,Gene SHEU,Rudy Octavius Sihombing,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

High-reliability, low-resistance contacts for nanoscale transistors

Номер патента: US09685555B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTIVITY CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190097012A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,NIEH Chun-Wen,Su Ching-Hwanq,Huang Huang-Yi,Hung Min-Hsiu,CHAO Yi-Hsiang,YEH Kuan-Yu,LIN Kan-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

LOW RESISTANCE CONTACT FOR TRANSISTORS

Номер патента: US20200013868A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Li Baozhen,Wang Junli,Sheets,II John E.,Peterson Kirk D.,Spooner Terry A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

LOW RESISTANCE CONTACTS INCLUDING INTERMETALLIC ALLOY OF NICKEL, PLATINUM, TITANIUM, ALUMINUM AND TYPE IV SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20190067198A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Bruley John,Lee Kam-Leung,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117371A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

GRAPHENE LAYER FOR LOW RESISTANCE CONTACTS AND DAMASCENE INTERCONNECTS

Номер патента: US20220285221A1. Автор: Shen Tzer-Min,LIN Cheng-Ming,LIN HAN-YU,KHADERBAD Mrunal Abhijith,HUANG Jhih-Rong,Woon Wei-Yen,Chen Szu-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-08.

LOW RESISTANT CONTACT METHOD AND STRUCTURE

Номер патента: US20180151679A1. Автор: Lin Yu-Ting,Wang Yu-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

FinFet Low Resistivity Contact Formation Method

Номер патента: US20170170061A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Lin Chin-Hsiang,Sun Sey-Ping,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW RESISTIVITY CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20200335597A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,NIEH Chun-Wen,Su Ching-Hwanq,Huang Huang-Yi,Hung Min-Hsiu,CHAO Yi-Hsiang,YEH Kuan-Yu,LIN Kan-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Extended Side Contacts for Transistors and Methods Forming Same

Номер патента: US20230378182A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN,Ying-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Extended side contacts for transistors and methods forming same

Номер патента: US11837603B2. Автор: Chih-Teng Liao,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN,Ying-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240105849A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chun-An Lu,Hsiao-Han Liu,Chung-Yu Chiang,Da-Zhi Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125900B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Transistor structure with low resistance contact

Номер патента: US20240145555A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09966309B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09472448B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Recessed contacts at line end and methods forming same

Номер патента: US12107007B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160043197A1. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and metnod for forming same

Номер патента: US09666545B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including a contact plug with barrier materials

Номер патента: US9379199B2. Автор: Tatsuya Miyazaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Low resistance contacts without shorting

Номер патента: US20150145060A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yudi SETIAWAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Structure and method for forming integrated high density mim capacitor

Номер патента: US20240290823A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20200295048A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

FDSOI semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548317B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices including contact plugs

Номер патента: US20190131171A1. Автор: Sang Hyun Lee,Hwi Chan Jun,Heon Jong Shin,Min Chan Gwak,So Ra You,In Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180138311A1. Автор: Satoru Tokuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180342420A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200403094A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10224428B2. Автор: Satoru Tokuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09577085B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Oxide Removal for Contact Plugs

Номер патента: US20230395393A1. Автор: Chao-chun WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Integrated circuit devices including backside power rail and methods of forming the same

Номер патента: EP4273914A1. Автор: Kang-ill Seo,Gunho JO,Inchan HWANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory device having contact plugs with narrower and wider portions

Номер патента: US11764274B2. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110033994A1. Автор: Shinpei Iijima,Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061741A1. Автор: Hyung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150072513A1. Автор: Hyung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190051669A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Structure and method for forming integrated high density MIM capacitor

Номер патента: US12009386B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09614039B2. Автор: Toru Onishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20180218975A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE,Ho-Chien CHEN,Chun-Ting Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device including a contact plug

Номер патента: US20240145387A1. Автор: Jaemoon Lee,Rakhwan Kim,Jeongik KIM,Sungyu Choi,Chunghwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Interruption layer fill for low resistance contacts

Номер патента: WO2024228761A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tuerxun Ailihumaer,Sahil Jaykumar Patel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Interruption layer fill for low resistance contacts

Номер патента: US20240371771A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tuerxun Ailihumaer,Sahil Jaykumar Patel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US20150243565A1. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US9520327B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming low resistance contacts

Номер патента: US9165838B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Mei-Yun Wang,Chen-Ming Lee,Chun-Wen NIEH,Yan-Ming Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Nanowire transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240321993A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030326A1. Автор: Kyoungwoo Lee,Hagju CHO,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US09799747B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Improved low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: EP4085479A1. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe Lasse Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: US09607858B2. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe (lasse) Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Improved low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: SG11201505963SA. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Univ College Cork Nat Univ Ie. Дата публикации: 2015-08-28.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US20160268377A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for production of integrated circuit with low-resistance contacts

Номер патента: EP2230684B1. Автор: Franz Hofmann,Michael Specht,Richard Johannes Luyken,Wolfgang Rosner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-30.

Self-aligned silicone process for low resistivity contacts to thin film silicon-on-insulator mosfets

Номер патента: US20020031909A1. Автор: Guy Cohen,Ronnen Roy,Paul Solomon,Kevin Chan,Christian Lavoie,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: DE102016104446B4. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR THE FORMING SAME

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Wang Nan,YING Zhan. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with low resistance contacts

Номер патента: US20060017110A1. Автор: William Taylor,Olubunmi Adetutu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Intra-metal capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20180269201A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Shu-Hung Yu,Wen-Kai Lin,Hsin-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240014298A1. Автор: Masayuki Momose,Hiroyuki Miyashita,Kenji Kojima,Kazutoshi Sugimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Methods for forming low-resistance contacts through integrated process flow systems

Номер патента: US09947578B2. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Mei Chang,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sundar Ramamurthy,Pulkit Agarwal,Dien-Yeh Wu,Vikash Banthia,Wei V. Tang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Feiyue Ma,Chi-Chou Lin,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6881667B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Methods for Forming Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20240105444A1. Автор: Jiang Lu,Xianmin Tang,Shih Chung CHEN,Rongjun Wang,Liqi Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Shumao ZHANG,Jianqiu Guo,Wei Dou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for forming low resistivity contacts

Номер патента: WO2024072680A1. Автор: Jiang Lu,Xianmin Tang,Shih Chung CHEN,Rongjun Wang,Liqi Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Shumao ZHANG,Jianqiu Guo,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same

Номер патента: US5904565A. Автор: Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Low resistivity contacts and interconnects

Номер патента: US20230326790A1. Автор: Raihan M. Tarafdar,Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

METHOD AND APPARATUS FOR LOW RESISTANCE CONTACT INTERCONNECTION

Номер патента: US20210123139A1. Автор: Zhou Chunming,Hou Wenting,Kesapragada Sree Rangasai. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117225A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

LOW RESISTANCE CONTACTS WITHOUT SHORTING

Номер патента: US20150145060A1. Автор: ZHOU ZHIBIAO,SETIAWAN Yudi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-05-28.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6903010B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming low-resistance contacts with pre-ohmic regions of n and p types in integrated circuits

Номер патента: FR2641126A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-29.

Integrated circuits having low resistivity contacts and the formation thereof using an in situ plasma doping and clean

Номер патента: US6921708B1. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-26.

Manufacturing process of low resistance contacts at the transition between areas with different types of conductors

Номер патента: DE69419806T2. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-13.

Low resistance contact structure and fabrication thereof

Номер патента: CN101542710B. Автор: 黄洸汉,P·W·德哈文,S·V·德什潘德,A·马丹. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Low resistivity contacts and interconnects

Номер патента: KR20230027036A. Автор: 치우킨 스티븐 라이,라이한 엠. 타라프다,정-석 나. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Method of producing low resistance contacts between integrated circuit metal levels and structure produced thereby.

Номер патента: EP0892428A2. Автор: Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1999-01-20.

Method and apparatus for low resistance contact interconnection

Номер патента: WO2021086577A1. Автор: Wenting Hou,Chunming Zhou,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-06.

Method and apparatus for low resistance contact interconnection

Номер патента: EP4052285A4. Автор: Wenting Hou,Chunming Zhou,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type cdte, and method of preparation

Номер патента: CA1162283A. Автор: Yuan-Sheng Tyan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-02-14.

Low resistivity contact

Номер патента: WO2013039613A3. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

Low resistivity contact

Номер патента: EP2756529A2. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices Inc. Дата публикации: 2014-07-23.

Low resistivity contact

Номер патента: WO2013039613A4. Автор: Allen L. Gray,Robert Joseph Therrien,Jason D. Reed,Jaime A. RUMSEY. Владелец: Phononic Devices, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627387B2. Автор: Wonwoo Lee,Chan Ho Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Sunghee Han,Hyeonok JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190139885A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device including contact plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928152B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Bong-Hyun Kim,Taek-Soo Jeon,Won-Seok Yoo,Jae-hong Seo,Ho-kyun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711603B2. Автор: Tae-Wan Lim,Hojong KANG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20240339405A1. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical memory device having first contact plugs connected to plurality of staircase gate electrodes, respectively and second contact plugs extending through the staircase gate structure in the pad region

Номер патента: US12063781B2. Автор: Kohji Kanamori,Shin-Hwan Kang,Min-Yeong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595528B2. Автор: Masahiko Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for forming silicide layers

Номер патента: WO2008115542A1. Автор: Romain Coppard,Jérôme LOLIVIER. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-25.

Transistor and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060128106A1. Автор: Park Ho. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US8975173B2. Автор: Jong-Han Shin,Bo-Min Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Low-Resistance Contact Plugs and Method Forming Same

Номер патента: US20180294184A1. Автор: Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Non-volatile memory device having nanocrystal floating gate and method of fabricating same

Номер патента: US09899398B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor controlled rectifier and method to form same

Номер патента: US20240072038A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: WO2014070267A2. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Carbon nanotube devices with unzipped low-resistance contacts

Номер патента: US20140117312A1. Автор: Joshua T. Smith,George S. Tulevski,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8803324B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor device having contact plugs and method of forming the same

Номер патента: US09748243B2. Автор: Sungmin Kim,Changseop YOON,Chiwon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09520348B2. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Hongrae Kim,Yoosang Hwang,Sangyeon HAN,Byoungdeog Choi,JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Contact plug and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150061082A1. Автор: Chih-Ming Kao,Rong-Gen WU,Su-Chen Lin,Yi-Tsung Jan,Ting-Yu Kuo,Huan-Yu CHIEN,Peng-Fei Wu,You-Cheng Liau,Wen-Jen Chuang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices including contact plugs having silicide layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240145386A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220052055A1. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Composite contact plug structure and method of making same

Номер патента: US09735050B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601420B2. Автор: Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Hyun-Woo CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Contact plugs of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090184426A1. Автор: Yun Je Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices Having Contact Plugs in Insulation Layers

Номер патента: US20100210087A1. Автор: Tae-Young Chung,Ju-Yong Lee,Mi-Kyung Park,Joon-Ho Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Method for fabricating a semiconductor device having a trench exposing a sidewall of the contact plug aligned with the sidewall of the substrate

Номер патента: US11424249B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Metal interconnection structure of a semiconductor device having low resistance and method of fabricating the same

Номер патента: US7714440B2. Автор: In Cheol Ryu,Sung-gon Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030089922A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20040245650A1. Автор: Seung-Whan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140335690A1. Автор: Seong Wan RYU,Woo Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140295662A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130113111A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9040414B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-26.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices Having Contact Plugs in Insulation Layers

Номер патента: US20090104749A1. Автор: Tae-Young Chung,Ju-Yong Lee,Mi-Kyung Park,Joon-Ho Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Method for fabricating contact plug in semiconductor device

Номер патента: US20080003798A1. Автор: Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Contact plug structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220020639A1. Автор: An-Chi Liu,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device having storage node contact plug of DRAM (dynamic random access memory)

Номер патента: US6849889B2. Автор: Soon-Kyou Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-01.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: US20090068834A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating a contact with a post contact plug anneal

Номер патента: US6982226B1. Автор: Sailesh M. Merchant,Minseok Oh,Binh Nguyenphu. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230369127A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tun-Jen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit devices having improved contact plug structures therein

Номер патента: US11908798B2. Автор: WooJin Jang,Rakhwan Kim,Won Kyu HAN,Myeongsoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit devices having improved contact plug structures therein

Номер патента: US20240145388A1. Автор: WooJin Jang,Rakhwan Kim,Won Kyu HAN,Myeongsoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of forming a contact plug in a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220208605A1. Автор: Won Jun Yoon,Dong Woo Kim,Seok Kyu Choi,Woo Hoon SUN,Tae Sung HAN,Jin Wu PARK. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for forming a contact plug with improved contact metal sealing

Номер патента: US20230420297A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

A void-free contact plug

Номер патента: EP2137756A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Elsie D. Banks,Jeffrey W. Thomas. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-12-30.

Low resistance contact in a semiconductor device

Номер патента: US20070020905A1. Автор: Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of forming a low resistance contact by forming a contact hole within a recess

Номер патента: US5084416A. Автор: Hideto Ozaki,Shuichi Mayumi,Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

CONTACT VIA STRUCTURE INCLUDING A BARRIER METAL DISC FOR LOW RESISTANCE CONTACT AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200006131A1. Автор: Shimabukuro Seiji,KANEKO Tetsuya,Kamijo Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Device contact structure and method for fabricating same

Номер патента: KR100311842B1. Автор: 후루카와도시하루,알렌아키발드제이,오닐에드워드에프,헤이키마크씨,버헬스트로저에이,호락데이비드브이. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-10-18.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117181A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHODS FOR FORMING LOW-RESISTANCE CONTACTS THROUGH INTEGRATED PROCESS FLOW SYSTEMS

Номер патента: US20170148670A1. Автор: Chang Mei,Lei Yu,Fu Xinyu,Wu Kai,Xu Yi,Wu Dien-Yeh,LIN Chi-Chou,Agarwal Pulkit,Ramamurthy Sundar,Tang Wei V.,DAITO KAZUYA,Banthia Vikash,Ma Feiyue,JIAN Guoqiang,Bakke Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Ultra-Low Resistivity Contacts

Номер патента: US20150255332A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Bit line having low resistance contact and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960005798A. Автор: 박병률,박영욱,김영선. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-02-23.

Stable low resistance contact

Номер патента: JP2645345B2. Автор: パンカージ・ディクシット,ジャック・スリワ,リチャード・ケイ・クレイン,クレイグ・エス・サンダー,モハマッド・フォーナム. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-08-25.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR THE FORMING SAME

Номер патента: US20200411366A1. Автор: Hu Youcun,Shi Wei,TANG Xiamei. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US12057401B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20240363539A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20230369227A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High performance strained silicon finfets device and method for forming same

Номер патента: WO2005067677A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Qiqing C. Ouyang,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Kevin K. Chan,Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Anthony G. Domenicucci,Anda C. Mocuta,Silke H. Christiansen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor Device and Method for Forming Same

Номер патента: US20150318341A1. Автор: Yen-Ming Chen,Shyh-Wei Wang,Chun-yi Lee,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor Device and Method for Forming Same

Номер патента: US20180061930A1. Автор: Yen-Ming Chen,Shyh-Wei Wang,Chun-yi Lee,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US9799723B2. Автор: Yen-Ming Chen,Shyh-Wei Wang,Chun-yi Lee,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US9082696B2. Автор: Yen-Ming Chen,Shyh-Wei Wang,Chun-yi Lee,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US09799723B2. Автор: Yen-Ming Chen,Shyh-Wei Wang,Chun-yi Lee,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same

Номер патента: US09490325B2. Автор: Keith Doran Weeks. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-11-08.

CMOS STRUCTURE HAVING LOW RESISTANCE CONTACTS AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20150243660A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Apparatuses and methods involving use of low-resistance metal contacts

Номер патента: WO2023081381A1. Автор: Kirstin SCHAUBLE,Krishna C. Saraswat,Eric Pop,Aravindh KUMAR,Kathryn M. NEILSON. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY.. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device having multilayered storage node contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20020093035A1. Автор: Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735204B2. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Kosaku Saeki,Ryota SAKAIDA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Dual-port SRAM devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780097B2. Автор: Dong-Hun Lee,Hee-Bum Hong,Kyo-Wook Lee,Yong-rae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

A device and method for inhibiting oxidation of contact plugs in ferroelectric capacitor devices

Номер патента: EP1680807A1. Автор: Jingyu Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411465A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048156B2. Автор: Shin-Hwan Kang,Sun-Il Shim,Seung Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Capacitor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09711508B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having trench positioned in a substrate and aligned with a side wall of a bit line contact plug

Номер патента: US11882692B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076500A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Kosaku Saeki,Ryota SAKAIDA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

CARBON NANOTUBE DEVICES WITH UNZIPPED LOW-RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20140117312A1. Автор: Farmer Damon B.,Smith Joshua T.,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

LOW RESISTANCE CONTACT INTERLAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170040463A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Liu Wencong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

FinFET Low Resistivity Contact Formation Method

Номер патента: US20160190321A1. Автор: KO Chih-Hsin,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243824A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243825A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153812A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Wen-Kai Lin,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Doping free connection structures and methods

Номер патента: US20240145298A1. Автор: Chen-Jong Wang,Tzu-Hsuan Hsu,Kuan-Chieh Huang,Hung-Chang Chien,Shih-Min Huang,Tzu-Jui WANG,Jung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semi-conductor device with schottky barrier silicide contacts and method therefor

Номер патента: CA1169586A. Автор: King-Ning Tu,Richard D. Thompson,Boryeu Tsaur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Semiconductor devices, radio frequency devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20200135865A1. Автор: Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Low resistance contact semiconductor device structure

Номер патента: TW200735230A. Автор: Dureseti Chidambarrao,William K Henson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-09-16.

Low resistance contact structure of the highly integrated semiconductor device and its formation method

Номер патента: KR940022708A. Автор: 이상인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-21.

LOW RESISTANCE CONTACT FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160300925A1. Автор: Wacaser Brent A.,Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150364561A1. Автор: Duffy Ray,Shayesteh Maryam,Huet Karim. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Low resistance contact structure and manufacturing method of high integrated semiconductor device

Номер патента: KR960008558B1. Автор: Sang-Inn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-06-28.

Semiconductor device having contact plug and method of forming the same

Номер патента: US09620504B2. Автор: Hyerim Moon,Myounghun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119327A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and methods for manufacturing

Номер патента: US20240379754A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN,Chen Yen Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: EP2304779A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: US20120279855A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Electronic devices having semiconductor memory units and method for fabricating the same

Номер патента: US09805947B2. Автор: Jung-Hyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic devices comprising memory pillars and dummy pillars including an oxide material, and related systems and methods

Номер патента: US12041775B2. Автор: Christopher J. Larsen,Darwin A. Clampitt,Tom J. John,S M Istiaque Hossain,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Kye Hyun Baek. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20220102306A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US12094846B2. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240315051A1. Автор: Chien-Min Lee,Hiroki Noguchi,William Joseph Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853048B2. Автор: Jong Kyoung Park,Ki Jeong Kim,O Ik Kwon,Su Jee SUNWOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical memory devices having support structures to replace dummy channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12058859B2. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a dram contact plug

Номер патента: US20020110979A1. Автор: Chuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device having contact plug

Номер патента: US20240222268A1. Автор: Akira Kaneko,Hiroki Yamawaki,Takayoshi TASHIRO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including an electrically floated dummy contact plug and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09991126B2. Автор: Dong-Sik Park,Won-Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having contact plug

Номер патента: US20240145384A1. Автор: Akira Kaneko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Metal line of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080014734A1. Автор: Young Ok Hong,Dong Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520409B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12016171B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device including laser treatment for contact plug

Номер патента: US12009255B2. Автор: Jeong Do Ryu. Владелец: Rnr Lab Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8026547B2. Автор: Sang Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical memory stucture with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240357821A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570409B2. Автор: Je-min Park,Dae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570392B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090289326A1. Автор: Jong-Bum Park,Jong-Kook Park,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: WO1999059204A1. Автор: Kunal R. Parekh,Martin Ceredig Roberts. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1999-11-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290727A1. Автор: Dongjun Lee,Keunnam Kim,Seunghune YANG,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Wafer level chip scale packaging intermediate structure apparatus and method

Номер патента: US12051616B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014157A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8421234B2. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110006435A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991271B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Interconnection structure, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524903B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230345738A1. Автор: Chien-Min Lee,Hiroki Noguchi,William Joseph Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176358A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022665B2. Автор: Chien-Min Lee,Hiroki Noguchi,William Joseph Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12051619B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136566B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure having contact plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282515A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162149A1. Автор: Ji Seong Kim,Wan Sup SHIN,Yoon Ho KANG,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices including contact plugs

Номер патента: US20210327804A1. Автор: Kihyun Kim,Sangrok Lee,Youngho KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US09425098B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Structure with buried doped region and methods to form same

Номер патента: EP4372818A1. Автор: Jie Zeng,Souvick Mitra,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor memory device with contact plugs extending inside contact connection portions

Номер патента: US09831121B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

IC structure with recessed solder bump area and methods of forming same

Номер патента: US09472490B1. Автор: Timothy D. Sullivan,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014102A1. Автор: Nobuyuki Nakamura,Yutaka Nakae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8659111B2. Автор: Jae Young Kim,Mi Hyune You. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor Device including a High Density MIM Capacitor and Method

Номер патента: US20200176557A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Jin-Mu Yin,Hung-Chao Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210399009A1. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure having contact plug

Номер патента: US20230282516A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the semiconductor storage device

Номер патента: US20150155288A1. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device having contact plug

Номер патента: US20240162154A1. Автор: Keizo Kawakita,Keiichi Tsuchiya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for preparing contact plug structure

Номер патента: US20120270386A1. Автор: Chang Ming Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US20150228574A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09786558B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09418998B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160322302A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20230354607A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240021520A1. Автор: Seon Bae Kim,Seo Woo NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341251A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160172300A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240057334A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11837548B2. Автор: Seon Bae Kim,Seo Woo NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220262739A1. Автор: Seon Bae Kim,Seo Woo NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Vertical memory device and method of fabrication the same

Номер патента: US20200266212A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9484247B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225663A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Graphite-Based Interconnects And Methods Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230275024A1. Автор: Chih-Chien Chi,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640550B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484247B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472567B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431336B2. Автор: Yong Hyun Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008263A1. Автор: Zhiyuan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for forming contact plug

Номер патента: US6225214B1. Автор: Dahcheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09935070B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Structure with conductive plug and method of forming the same

Номер патента: US09576903B2. Автор: Shih-Chang Tsai,Ching-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating contact plug in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09548239B2. Автор: Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10886289B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3926681A3. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US11903220B2. Автор: Hwang Yeon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11832436B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11882694B2. Автор: Sung Soo Kim,Woon Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure with capacitor landing pad and method of making the same

Номер патента: US11765881B2. Автор: Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Hui-Ling Chuang,Kuei-Hsuan YU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240114681A1. Автор: Sung Soo Kim,Woon Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9287286B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189985A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240276731A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods and Systems for Low Resistance Contact Formation

Номер патента: US20140065799A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING IMPLANTED REGIONS FOR PROVIDING LOW-RESISTANCE CONTACT TO BURIED LAYERS AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20140329367A1. Автор: Sheppard Scott T.,Suvorov Alexander V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW RESISTANCE CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2513011A1. Автор: Robert Franklin Reihl,Kang-Lung Wang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-03-18.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: KR101344972B1. Автор: 스콧 티. 셰파드,알렉산더 브이. 수보로브. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-12-24.

Low resistance contact structure and formation method thereof

Номер патента: CN102270581A. Автор: 甯德雄,章贞. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Formation of low resistance contact

Номер патента: JPS61170050A. Автор: ハンス・ユルゲン・バウエル,マレアン・バベツト・フローリツヒ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-31.

Method for fabricating semiconductor device having improved step coverage and low resistivity contacts

Номер патента: US6221762B1. Автор: Jeong Soo Byun,Byung Hak Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-24.

EPROM cells, EPROM cell arrays including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09450107B1. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7439161B2. Автор: Seok Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-21.

Transistor cell for integrated circuits and method to form same

Номер патента: US20210159313A1. Автор: Stefan G. Block,Farid Labib,Herbert J. Preuthen. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09559168B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Low resistance contacts for minimizing the voltage required to electrically blow fuses

Номер патента: KR100413148B1. Автор: 나라얀찬드라섹하르,다니엘가브리엘. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2003-12-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831305B1. Автор: Chien-Wei Chiu,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having contact plugs

Номер патента: US09859387B2. Автор: Yang Xu,Kang Hun MOON,Bon Young Koo,Chul Sung Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Power Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200395443A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-17.

Finfets having step sided contact plugs and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220115537A1. Автор: Sung Min Kim,Sun Hom PAAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Finfets having step sided contact plugs and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230378356A1. Автор: Sung Min Kim,Sun Hom PAAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices including bit line contact plug and buried channel array transistor, methods of fabricating the same, and semiconductor modules, electronic circuit boards and electronic systems including the same

Номер патента: US20110241102A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20150048444A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-19.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US12125920B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US20240379873A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210226020A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Shih-Cheng Chen,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor struture and method of forming the same

Номер патента: US20110037113A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09947770B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09761696B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11925015B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Source/drain contact plugs for multi-channel field-effect transistors

Номер патента: EP4362102A1. Автор: Jinbum Kim,Gyeom KIM,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Power device with low parasitic transistor and method of making the same

Номер патента: US20120146138A1. Автор: Wei-Chieh Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240170546A1. Автор: Rakhwan Kim,Chunghwan Shin,Seongheum Choi,Yeji Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Charge trapping nonvolatile memory devices, methods of fabricating the same, and methods of operating the same

Номер патента: US09847343B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Devices including ultra-short gates and methods of forming same

Номер патента: US09530647B2. Автор: Zoltan Ring,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatuses including a semiconductor transistor and methods for forming same

Номер патента: US20240014289A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Varactor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20210175371A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Varactor structure and method for fabricating same

Номер патента: EP3832736A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: KR20210148902A. Автор: 유-펭 인,타이-옌 펭,안-셴 창,한-팅 차이,치앙 푸,청-테 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-12-08.

METHODS OF FORMING LOW RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20160035629A1. Автор: NIEH Chun-Wen,HSU Hung-Chang,WANG Mei-Yun,LIN Wei-Jung,LEE Chen-Ming,TSAI YAN-MING. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Techniques for achieving low resistance contacts to nonpolar and semipolar p-type (al,ga,i)n

Номер патента: WO2011056456A1. Автор: Shuji Nakamura,Arpan Chakraborty,Steven P. DenBaars,You-Da Lin. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2011-05-12.

Thin film based passive devices and methods of forming the same

Номер патента: US11942415B2. Автор: Chor Shu CHENG,Handoko Linewih,Tze Ho Simon Chan,Yudi SETIAWAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor devices including storage node landing pads separated from bit line contact plugs

Номер патента: US20110266602A1. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Structure with conductive feature for direct bonding and method of forming same

Номер патента: EP4449492A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Jeremy Alfred Theil,Guilian Gao,Gaius Gillman Fountain, Jr.,George Carlton Hudson,Paweł Mrózek. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Optimized contact plug process

Номер патента: US5534460A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chih-Yuan Lu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Schottky Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190081184A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Schottky Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20200152806A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: CA2238952A1. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: Flir Systems Trading Belgium. Дата публикации: 1997-06-05.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: KR19990071863A. Автор: 티모시 아슬리,그라함 존 프리스. Владелец: 더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스. Дата публикации: 1999-09-27.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: AU721907B2. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2000-07-20.

Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system

Номер патента: US20240071844A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Well contact cell with doped tap region separated from active region, and methods to form same

Номер патента: US10909298B1. Автор: Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09590039B2. Автор: Wei-Shan Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Method for forming contact plug layout

Номер патента: US20180260510A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Emily SH Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for forming contact plug layout

Номер патента: US10169521B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Emily SH Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Sram structure and method for manufacturing sram structure

Номер патента: US20190386012A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hung Hsieh,yu-min Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Vertical current controlled silicon on insulator (soi) device and method of forming same

Номер патента: EP2165364A2. Автор: Junjun Li,Souvick Mitra,Christopher Stephen Putnam,Mahmoud Mousa,Jr. Robert Gauthier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9673309B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230369252A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Transparent Contact And Method For The Production Thereof

Номер патента: US20070281494A1. Автор: Frank Dimroth. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with built-up low resistance contact and laterally conducting second contact

Номер патента: GB2095904B. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-27.

Low resistance contact for an integrated circuit

Номер патента: US20040036521A1. Автор: Raj Nair,Brent Stone,Radha Kanaparthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Low cost, reliable, low resistance contacts for silicon semiconductors - using a nickel conducting ink

Номер патента: FR2515675A1. Автор: Patrick Dubots,Dominique Couzin. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1983-05-06.

Semiconductor element and method for producing the same

Номер патента: US20020185647A1. Автор: Naoki Nakajo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor transistor device structure with back side gate contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169084A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

SOLAR CELL PASTES FOR LOW RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20140352778A1. Автор: Yang Yi,Shaikh Aziz,Kumar Umesh,Sridharan Srinvasan. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Method to make low resistance contact

Номер патента: TW200935625A. Автор: Chen-Fu Chu,Hao-Chun Cheng,Feng-Hsu Fan,Wen-Huang Liu,Chao-Chen Cheng,Jiunn-Yi Chu,Trung-Tri Doan. Владелец: Semi Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-16.

Solar cell pastes for low resistance contacts

Номер патента: CN104205242A. Автор: Y·杨,S·斯里德哈兰,U·库马尔,A·S·沙科赫. Владелец: Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: TW201010102A. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bulent M Basol. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

NAND-type semiconductor storage device and method for manufacturing same

Номер патента: US7423313B2. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

NAND-type semiconductor storage device and method for manufacturing same

Номер патента: US20070187745A1. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210288068A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337431A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor memory device having capacitor electrodes and a vertical contact plug

Номер патента: US11769721B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183863A1. Автор: Chia-Lan HSU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210175167A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20110006356A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Lu-Ping chiang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US09850126B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Yu-Jen Cheng,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor package and method of forming same

Номер патента: US11854927B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor package and method of forming same

Номер патента: US20220310467A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor package and method of forming same

Номер патента: US20230386955A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor Device and Method Forming Same

Номер патента: US20230395461A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device and Method Forming Same

Номер патента: US20230411307A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device and Method Forming Same

Номер патента: US20240063204A1. Автор: Chung-Shi Liu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Yi-Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US09728522B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US09570322B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614008B2. Автор: Ki-Seon Park,Kwan-Woo Do. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049600A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus

Номер патента: US11735608B2. Автор: Kosaku Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus

Номер патента: US20210217786A1. Автор: Kosaku Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Image sensor having dielectric layer which allows first impurity region of photodiode to be isolated from contact plug and second impurity region of the photodiode to contact the contact plug

Номер патента: US8258593B2. Автор: Ki-Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100103298A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9293497B2. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS Network and Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2016-03-22.

A very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2010039710A1. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS Sensors & Targeting Systems, Inc.. Дата публикации: 2010-04-08.

Very Small Pixel Pitch Focal Plane Array And Method For Manufacturng Thereof

Номер патента: US20100079631A1. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS Sensors and Targeting Systems Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20150333097A1. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS RSTA Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

CMOS image sensor unit and method for fabricating the same

Номер патента: US09391115B1. Автор: Ming-Wei Chen,Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Min-Hui Chen. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

High voltage device and method

Номер патента: US20020098632A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20130230963A1. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8431982B2. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8563390B2. Автор: Eun Young Lee,Yoonkyung Choi,Myoungsoo Kim,Sungil Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-22.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20160163757A1. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS Network and Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09929162B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09905758B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Very small pixel pitch focal plane array and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09425232B2. Автор: Pradip Mitra. Владелец: DRS Network and Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287265B2. Автор: Jong-Kook Park,HongSoo KIM,Won-Chul JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190081047A1. Автор: Shih-Fang Tzou,Ger-Pin Lin,Chia-Wei Wu,Li-Wei Feng,Chih-Chi Cheng,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Diode having Schottky junction and PN junction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230405A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Takashi Katsuno,Masayasu Ishiko,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20220216216A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Storage structure and method for forming same

Номер патента: EP3920223A1. Автор: Wenyong JIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Imaging device and method of driving imaging device

Номер патента: US20230353899A1. Автор: Masami Funabashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240032271A1. Автор: Yi-Chin Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus

Номер патента: US20230352501A1. Автор: Kosaku Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Capacitor Structure With An Extended Dielectric Layer And Method Of Forming A Capacitor Structure

Номер патента: US20180226469A1. Автор: Randy Yach,Rohan BRAITHWAITE. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Capacitor structure with an extended dielectric layer and method of forming a capacitor structure

Номер патента: WO2018148241A1. Автор: Rohan BRAITHWAITE,Randy L. Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device having contact plug connected to diffusion region

Номер патента: US20240304688A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Moeko Kawana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Stacked ferroelectric memory devices, methods of manufacturing the same, ferroelectric memory circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20070189056A1. Автор: Byoung-Jae Bae,Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Heung-jin Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Short-wave infrared focal plane arrays, and methods for utilization and manufacturing thereof

Номер патента: EP4165686A1. Автор: Uriel Levy. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device having offset cells and method to form same

Номер патента: US09496486B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230189503A1. Автор: Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Imaging device and method for manufacturing imaging device

Номер патента: US20240008297A1. Автор: Daisuke Wakabayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315032A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Electronic device including a semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US09588890B2. Автор: In-Hoe Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180122854A1. Автор: Hyung-Suk Lee,Do-Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230389286A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09910596B2. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09379350B2. Автор: Jae Bon Koo,Jeong Ik Lee,Hye Yong Chu,Chi-Sun Hwang,Hojun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4412424A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and method for measuring interface resistance in multiple interface contacts and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US6013952A. Автор: Kam-Kee Victer Chan. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035527B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: EP3985724A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Electronic devices having semiconductor memory units and method of fabricating the same

Номер патента: US09411734B2. Автор: Cha-deok Dong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US09502648B2. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Capacitor having metal electrode and method of fabricating the same

Номер патента: US20050230729A1. Автор: Seok-jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-20.

Cleaning liquid for lithography and method for forming wiring

Номер патента: US09920286B2. Автор: Tomoya Kumagai,Takahiro Eto. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US09412790B1. Автор: Natividad Vasquez,Steven Maxwell,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Electronic device including a semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20160013405A1. Автор: In-Hoe Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210408030A1. Автор: Hwang Yeon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20080048234A1. Автор: Takashi Nakabayashi,Hideyuki Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for measuring resistance value of contact plug and testing structure

Номер патента: US20230016770A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20200227626A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20210280774A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Connector structure and method of forming same

Номер патента: US09646943B1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Sheng-Yu Wu,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634160B2. Автор: Kyoungsoo Lee,Jiweon Jeong,Myungjun SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-25.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001744A1. Автор: Chan Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

A device and method for forming a contact to a top electrode in ferroelectric capacitor devices

Номер патента: WO2005031856A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Stefan Gernhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608040B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Microfluidic delivery member with filter and method of forming same

Номер патента: US09561657B2. Автор: Roberto Brioschi,Simon Dodd,Joe Scheffelin,Dave Hunt,Faiz Sherman,Dana Gruenbacher,Teck Khim NEO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Electronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190157349A1. Автор: Dong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150270482A1. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US9252361B2. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237331A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Hoouk Lee,Hoin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Expansion controlled structure for direct bonding and method of forming same

Номер патента: WO2023211789A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Laura Wills Mirkarimi,Bongsub LEE,Dominik Suwito,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8071456B2. Автор: Satoshi Iida,Masahiro Moniwa,Masamichi Matsuoka,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-06.

Expansion controlled structure for direct bonding and method of forming same

Номер патента: US20230343734A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Laura Wills Mirkarimi,Bongsub LEE,Dominik Suwito,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Iridium oxide nanowires and method for forming same

Номер патента: US7255745B2. Автор: Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Robert A. Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2007-08-14.

Mram structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200227473A1. Автор: Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313350A1. Автор: Kazuhiro Nojima,Kojiro Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09515250B2. Автор: Ga-Young Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09419013B1. Автор: Dong Sik Lee,Byung Jin Lee,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240021667A1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee,Shin-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated Circuit Devices Including a Capacitor and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20070207587A1. Автор: Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Jin-Yong Kim,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-06.

Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same

Номер патента: US20140239245A1. Автор: Andrea Gotti,Swapnil A. Lengade,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

System and method for manufacturing an integrated circuit anti-fuse in conjunction with a tungsten plug process

Номер патента: US20110221031A1. Автор: David Tucker,Sergei Drizlikh,Thomas James Moutinho,Ashish Kushwaha. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Silicon-on-insulator (soi) trench photodiode and method of forming same

Номер патента: EP1374318A2. Автор: Dennis Rogers,Dan Moy,Mark Ritter,Young Hoon Kwark,Jeffrey IBM UK Ltd Int. Prop Law WELSER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09882123B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09478734B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Capacitor electrode for a ferroelectric memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: EP1632990A2. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11917816B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US9660178B2. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172427A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210183949A1. Автор: Hwang-Yeon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157890A1. Автор: Hwang-Yeon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device having contact plugs extend in the stacking direction of the plurality of the first and second conductive layers

Номер патента: US11984394B2. Автор: Fumitaka Arai,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Infra-red light-emitting device and method for preparing the same

Номер патента: US20060043397A1. Автор: Tsun Yang,Shan Lan. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2006-03-02.

Luminescent particle, materials and products including same, and methods

Номер патента: EP3071667A1. Автор: Robert J. Nick. Владелец: QD Vision Inc. Дата публикации: 2016-09-28.

Storage unit for storing electrical energy having a low-resistance contacted energy store

Номер патента: US20140036411A1. Автор: Stefan Huehner,Adolf Dillmann,Reiner Holp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-06.

Floating stationary contact to create stable, low resistance contact joints

Номер патента: CA2865622A1. Автор: Frank T. Ehrenberger,Chad R. Mittelstadt,Jeff Kaufman. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

STORAGE UNIT FOR STORING ELECTRICAL ENERGY HAVING A LOW-RESISTANCE CONTACTED ENERGY STORE

Номер патента: US20140036411A1. Автор: Dillmann Adolf,Huehner Stefan,Holp Reiner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for generating uniform low-resistance contacts in a star point relay

Номер патента: DE102013215789A1. Автор: Christian Gunselmann. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2015-02-12.

Multi-Surface Contact Plug Assemblies, Systems and Methods

Номер патента: US20140273658A1. Автор: Aekins Robert A.. Владелец: ORTRONICS, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US20240260480A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11985906B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Modular multiple contact plug and/or modular multiple contact socket of plug connection devices for signal current systems, in particular for telecommunications and data communications

Номер патента: AU4475093A. Автор: Hans Reichle. Владелец: Reichle and De Massari AG. Дата публикации: 1994-03-03.

Electrical contact plug and plug housing

Номер патента: US09515404B2. Автор: Tanil Gezgin,Achim Hoefner. Владелец: Leoni Bordnetz Systeme GmbH. Дата публикации: 2016-12-06.

Heating apparatus for at least one housing section of a screw extruder and method for servicing a heating apparatus of this kind

Номер патента: US12057664B2. Автор: Dieter Helmig. Владелец: Coperion GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Heating apparatus for at least one housing section of a screw extruder and method for servicing a heating apparatus of this kind

Номер патента: US20210111522A1. Автор: Dieter Helmig. Владелец: Coperion GmbH. Дата публикации: 2021-04-15.

Fuel cell system glow plug and method of forming same

Номер патента: US12034189B2. Автор: Martin Perry,Vlad Kalika,Nicholas ARCELONA. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Connector device for a printed circuit board of a control device for a vehicle transmission, control system for a vehicle transmission and method for assembling a control system for a vehicle transmission

Номер патента: US09520659B2. Автор: Herbert Wallner,Josef Loibl,Roland Friedl. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-12-13.

Electrical plugs and sockets with snap lock engagement and moisture resistance

Номер патента: NZ525178A. Автор: Geoffrey Wharton. Владелец: Geoffrey Wharton. Дата публикации: 2003-10-31.

Modular multiple contact plug and/or modular multiple contact socket of plug connection devices for signal current systems, in particular for telecommunications and data communications

Номер патента: AU667732B2. Автор: Hans Reichle. Владелец: Reichle and De Massari AG. Дата публикации: 1996-04-04.

Contact plug for directly contacting a circuit board

Номер патента: US20140057491A1. Автор: Lars Berger,Michael Schoenfeld,Michael Fleig,Timo Gaiser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Latching system for establishing a latching connection between a printed circuit board and an edge-contact plug, printed circuit board, edge-contact plug and add-on part

Номер патента: US20240064909A1. Автор: Alexander Hansen. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-02-22.

Battery separator, battery including the separator, and method and system for forming same

Номер патента: EP4022112A1. Автор: William Winchin YEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-06.

Method for producing a contact plug, and contact plug

Номер патента: US11848510B2. Автор: Dennis FASSMANN,Maik Dahnke. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-19.

Reticulated electrode structure and method of making the same

Номер патента: US20230155107A1. Автор: Jonathan Jan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Contacting plug as well as contacting connection

Номер патента: US20110300737A1. Автор: Andreas Simmel,Michael Schoenfeld,Michael Fleig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

High frequency signal driver for a laser diode and method of forming same

Номер патента: US4813047A. Автор: Minoru Toda. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-03-14.

Vacuum assemblies and methods of formation

Номер патента: US20160211105A1. Автор: James E. Burke,Christopher Price,David Craig Smith,Derek Bullock. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Alumina-based sintered body for spark plug and method of manufacturing the same, and spark plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148653A1. Автор: Toshitaka Honda,Hirokazu Kurono,Hironori Uegaki,Makoto Kuribayashi. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Vacuum assemblies and methods of formation

Номер патента: US09831058B2. Автор: James E. Burke,Christopher Price,David Craig Smith,Derek Bullock. Владелец: Varex Imaging Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12102014B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Protective structure, socket, plug and method assuring a live wire and a neutral wire to be powered off simultaneously when overheating

Номер патента: US09697970B1. Автор: Hsiang-Yun I. Владелец: Green Idea Tech Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Systems and methods for facilitating device control, device protection, and power savings

Номер патента: US09477299B2. Автор: Geoffrey Thompson. Владелец: EchoStar UK Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Inspection device for article being inspected, spark plug inspection method, and method for manufacturing spark plug

Номер патента: US20140204198A1. Автор: Asako Fujita. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

“ curved surfaces, particularly reflectors, and methods of forming same “

Номер патента: WO2003051554A1. Автор: Keith John Orford,Thomas John Lowry Mccomb,Paula Mary Chadwick,John Louis Osborne,Stephen Mark Raner. Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2003-06-26.

Curved surfaces, particularly reflectors, and methods of forming same

Номер патента: AU2002361446A1. Автор: Keith John Orford,Thomas John Lowry Mccomb,Paula Mary Chadwick,John Louis Osborne,Stephen Mark Raner. Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2003-06-30.

Electronics system and method of forming same

Номер патента: US20180342344A1. Автор: Jeff Richter. Владелец: Schneider Electric Solar Inverters USA Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

System and Method for Enabling Waste Disposer to be Coupled to Alternative Electric Power Sources

Номер патента: US20240309623A1. Автор: Kelly T. Gamble,Jeffrey Ward,Nicholas J. Hirsch,Walter Bennage,Fei Qi,Grant Waldemer. Владелец: Insinkerator LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Graphene-based saturable absorber devices and methods

Номер патента: EP2419973A1. Автор: Kian Ping Loh,Han Zhang,Qiaoliang Bao,Ding Yuan Tang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2012-02-22.

Spark plug gasket and method of attaching the same

Номер патента: US09972978B2. Автор: Kevin J. Kowalski,Jeremy M. Bowman. Владелец: Federal Mogul Ignition Co. Дата публикации: 2018-05-15.

Electronics system and method of forming same

Номер патента: US09934899B2. Автор: Jeff Richter. Владелец: Schneider Electric Solar Inverters USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Electrical plug and socket assembly for a safety grounded tree

Номер патента: US09876287B1. Автор: Michael M. McRae. Владелец: National Tree Co. Дата публикации: 2018-01-23.

Inspection device for article being inspected, spark plug inspection method, and method for manufacturing spark plug

Номер патента: US09432635B2. Автор: Asako Fujita. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Spark plug and method of manufacturing same

Номер патента: US20070091542A1. Автор: Kenichiro Takada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

A modular board to board mezzanine connector system and method of making said connector system to a desired stack height

Номер патента: EP1494320B1. Автор: Lewis R. Johnson,Douglas M. Johnescu,Craig W. Clewell. Владелец: Fci Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

A modular mezzanine connector system and method of manufacturing

Номер патента: MY142558A. Автор: Douglas M Johnescu,Lewis R Johnson,Craig W Clewell. Владелец: Framatome Connectors Int. Дата публикации: 2010-12-15.

Optical cage assembly, optical module connector, and method for manufacturing optical cage assembly

Номер патента: US20230258890A1. Автор: Chaojun Deng,Chunrong Li,Xiaorui Liu,Xiaoyu Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus and method

Номер патента: GB2610597A. Автор: PRINCE Derek. Владелец: PRESTON TECHNICAL Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349513A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339135A1. Автор: Yong Jin Jeong,Sang Gu Yeo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306380A1. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

MRAM with magnetic material surrounding contact plug

Номер патента: US09589617B2. Автор: Ji-Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357803A1. Автор: DongMin Choi,Jay-Bok Choi,Hyo-Sub Kim,Junhyeok Ahn,Sangkyu SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Hearing protection assembly with ear plugs and its manufacturing method

Номер патента: RU2746154C1. Автор: Кеннет Ф. ТЕЕТЕРС,Джейкоб ЭЛИ,Роберт С. КОФФИН,Фэн ЦАЙ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2021-04-07.

Contact plug structure

Номер патента: US20090014834A1. Автор: Hsueh Yi Che. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12016176B2. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Water purification apparatus and method

Номер патента: US09981199B2. Автор: Kelly P. Rock,Bruce E. Nadeau, JR.. Владелец: Lytesyde LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory structure, semiconductor structure and method for mamufacturing same

Номер патента: US20240040768A1. Автор: Qinghua Han,Jeonggi KIM,Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for sharing files among multiple terminals

Номер патента: RU2595632C1. Автор: Тянь ЧЭНЬ,Сяо СЯО,Цзяньхуа ХУАН,Цянь ЦЗЯН,Син ЦЗЯНЬ. Владелец: Тэнцэнт Текнолоджи (Шеньчжэнь) Компани Лимитед. Дата публикации: 2016-08-27.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240260250A1. Автор: Jinseong Lee,Jihun Kim,Jihye Kwon,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

One-to-many data projection system and method

Номер патента: RU2412478C2. Автор: Рохит ГУПТА,Тодд Р. МАНИОН. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2011-02-20.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US11968823B2. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Cooling apparatus and method for forming such an apparatus

Номер патента: WO2002085089A1. Автор: Per Mattias Nyqvist,Håkan Ragnar BRÄNNMARK. Владелец: Emerson Energy Systems Ab. Дата публикации: 2002-10-24.

Remote start systems and methods for an enabled vehicle

Номер патента: WO2015067984A1. Автор: Arafat Hernández,Ruben Gozalo. Владелец: Q3SMART LTD.. Дата публикации: 2015-05-14.

Remote start systems and methods for an enabled vehicle

Номер патента: EP3066652A1. Автор: Arafat Hernández,Ruben Gozalo. Владелец: Q3SMART Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Smart switch control system and method for dealing with disconnection situation

Номер патента: US20170257899A1. Автор: Perng-Fei Yuh,Cheng-Hung PAN,Shiun-Shang Chan. Владелец: Luxul Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Lamination pack for skewed conductor bars and method of forming same

Номер патента: US09621012B2. Автор: John S. Agapiou,Michael D. Hanna. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Sound pickup apparatus and method for picking up sound

Номер патента: US09549255B2. Автор: Kazuhiro Katagiri. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Network node and method in node, which provides first unit with possibility of connection to or being connected to second unit in mode of self-organising network

Номер патента: RU2569323C1. Автор: Ким ЛАРАКВИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2015-11-20.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Universal plug and play based network system and method of controlling the same

Номер патента: US20140258482A9. Автор: Jun Seung Lee,Jong Sub Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Apparatus and method for transmitting synchronized the five senses with a/v data

Номер патента: EP1690378B1. Автор: Soo-In Lee,Suk-Hee Cho,Kug-Jin Yun,Chung-Hyun Ahn,Hoon-Jong Kang,Nam-Ho 610-801 Yeolmae Maeul Apt. 880 HUR. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-10-06.

Beverage dispensing activities systems and methods

Номер патента: US20180186618A1. Автор: Kai Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240276718A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Universal plug and play based network system and method of controlling the same

Номер патента: US20120144010A1. Автор: Jun Seung Lee,Jong Sub Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

Systems and methods of applying semantic features for machine learning of message categories

Номер патента: US12058092B1. Автор: Laszlo Lukacs. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Distributing session initiation protocol content to universal plug and play devices in a local network

Номер патента: EP2266280A1. Автор: Mark Hinds,James J. Morikuni,Elenita Caturan Hinds. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

Distributing session initiation protocol content to universal plug and play devices in a local network

Номер патента: WO2009123916A1. Автор: Mark Hinds,James J. Morikuni,Elenita Caturan Hinds. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-10-08.

Apparatus, system and method of docking a mobile device with wireless connector

Номер патента: US09538313B2. Автор: Eran Sudak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Data transmission system and method

Номер патента: RU2736141C1. Автор: Туомас КЯРККЯИНЕН,Микко САХЛБОМ. Владелец: Гурулоджик Микросистемс Ой. Дата публикации: 2020-11-11.

Mass for groove plug, groove plug and method of groove plug manufacture

Номер патента: RU2640029C2. Автор: Юрген ХУБЕР,Дитер ШИРМ,Бернхард КЛАУССНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-12-26.

User terminal apparatus and method of controlling same

Номер патента: RU2666279C2. Автор: Биеонг-йонг ДЗЕОН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-09-06.

Device and Method for Transferring Files from a Portable Storage Device

Номер патента: US20160301711A1. Автор: David Scarlatti,David Esteban-Campillo,Enrique Juan Casado Magana. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-10-13.

Device and method for transferring files from a portable storage device

Номер патента: US10063588B2. Автор: David Scarlatti,David Esteban-Campillo,Enrique Juan Casado Magana. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-08-28.

Electronic tool and methods with audio for meetings

Номер патента: EP4398524A2. Автор: Guy Coen,Yoav Nir,Filip Josephine Johan LOUWET,Koen BEEL. Владелец: BARCO NV. Дата публикации: 2024-07-10.

System and methods for access control based on a user identity

Номер патента: US20140337934A1. Автор: Patrick Toomey,Dean H. Vogler,Mahesh V. Tripunitara. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2014-11-13.

System, apparatus and method for generic electronic device power module and case formation

Номер патента: US20160197635A1. Автор: Ramin Rostami. Владелец: Advanced Wireless Innovations LLC. Дата публикации: 2016-07-07.

Press-fit sealed electronic component and method for producing the same

Номер патента: US20050153196A1. Автор: Yoshihide Nishiyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

System and method for file transfer in universal plug and play telephony service

Номер патента: US20130339492A1. Автор: Mayuresh Madhukar Patil,Je-Young Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

System and method for displaying document content using UPnP

Номер патента: US09912491B2. Автор: Ki-Chul Park,Tae-Hwan Hwang,Won-Sang Kwon,Yoon-Suk Choi,Ji-Hyeok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

System, apparatus and method for generic electronic device power module and case formation

Номер патента: US09716524B2. Автор: Ramin Rostami. Владелец: Advanced Wireless Innovations LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method for file transfer in universal plug and play telephony service

Номер патента: US09565242B2. Автор: Mayuresh Madhukar Patil,Je-Young Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074165A1. Автор: Dae Won Kim,Dong Goo Choi,Tae Kyun Kim,Yu Ri Kim,Jin Hwan Jeon,Ri Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Software enabled video and sensor interoperability system and method

Номер патента: WO2007117705A3. Автор: Sandeep Gulati,Vijay Daggumati,Robin S Hill,Dan Mandutianu,Tong Ha. Владелец: Tong Ha. Дата публикации: 2008-09-18.

Electric winder and method for controlling same

Номер патента: US20220048727A1. Автор: Xuetao QIAO,Gaofeng Wang,Jisheng NING. Владелец: Intradin Huzhou Precision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Signal input and output control apparatus and method

Номер патента: EP1067787A3. Автор: Hirokazu c/o Intellectual Property Dept Nagasawa,Yoshitsugu c/o Intellectual Pty Dept. Nomiyama,Masaaki c/o Intellectual Pty Dept. Kojima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

Apparatus and method for providing universal plug and play service based on Wi-Fi direct connection in portable terminal

Номер патента: US09883376B2. Автор: Se-Hee Han,Ho-Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Plug and play network configuration with enhanced scalability and reliability

Номер патента: EP1639751B1. Автор: Ylian Saint-Hilaire,Nelson Kidd,Bryan Roe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-01-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a low resistance contact of a semiconductor device

Номер патента: KR20000074281A. Автор: Gwang Jin Mun,Byeong Ryul Park,Myeong Beom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-15.

Conductive-resin-coated steel pipe and method of extrusion-forming same

Номер патента: CA2441008A1. Автор: Shuji Yoshino. Владелец: Yazaki Industrial Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2002-10-03.

Conductive-resin-coated steel pipe and method of extrusion-forming same

Номер патента: CA2441008C. Автор: Shuji Yoshino. Владелец: Yazaki Kako Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method forming same

Номер патента: CA3219265A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-07.

?-form zinc-phthalocyanine nanowires having enhanced water solubility and water dispersibility, composite of an ?-form zinc- phthalocyanine nanowire/phenothiazine, and method for preparing thereof

Номер патента: RU2602698C2. Автор: Хи Чеул ЧОЙ,Хай Кён МУН,Сан Хо ЛИ. Владелец: Похан Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи Индастри Академи Кооперейшн Корпс. Дата публикации: 2016-11-20.

Cutter head and method of forming same

Номер патента: US3868885A. Автор: Joseph D Menne,George N Sigulas. Владелец: Caterpillar Tractor Co. Дата публикации: 1975-03-04.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Genes and methods of providing resistance to late blight

Номер патента: RU2511423C2. Автор: Джонатан ДЖОНС,Саймон Джон ФОСТЕР,Чжаохуэй ЧУ,Тае-Хо ПАРК,ДЕР ВОССЕН Эдвин Андрис Герард ВАН,Мэтью Андре ПЕЛЬ,Ричард Герардус Франсискус ВИССЕР. Владелец: Плант Биосайенс Лимитед. Дата публикации: 2014-04-10.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Intellectual linguistic game, developing thought and speech, and method of its carrying out

Номер патента: RU2697774C1. Автор: Роман Юрьевич Максишко. Владелец: Роман Юрьевич Максишко. Дата публикации: 2019-08-19.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: WO2011146357A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: EP2026919A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: WO2007141573A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Limited. Дата публикации: 2007-12-13.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: EP2571826A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

A blindside waterproofed building foundation system and method of forming same

Номер патента: CA3065723A1. Автор: Pamela Hernandez,Steven Milano,Louis Ferri,Mason AVERILL. Владелец: Tremco LLC. Дата публикации: 2020-06-21.

System and method for fastening detection and/or ignition spark plugs and/or inspection window of boilers or the like

Номер патента: RU2676491C2. Автор: Рауль БЬЯНКИ,Джанлуиджи МАНИСКАЛЬКИ,Франко ПОЛЬВАРА. Владелец: Кастфутура С.П.А.. Дата публикации: 2018-12-29.

Systems and method of sealing pipelines using a gel plug

Номер патента: RU2697911C2. Автор: Самуэль ПЕРСТНЕВ,Александр ПЕРСТНЕВ,Реональд УХАНОВ,Питер ПАЗ,Борис АТАПОВ. Владелец: Кьюрапайп Систем Лтд.. Дата публикации: 2019-08-21.

Panel with concealed fastening and method of its manufacturing

Номер патента: RU2708750C1. Автор: Сергей Николаевич Прокопенко. Владелец: Сергей Николаевич Прокопенко. Дата публикации: 2019-12-11.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

Ball valve of composite materials and method for its manufacture

Номер патента: RU2628827C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Аркадий Витальевич Пашутов,Анатолий Николаевич Базарко. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2017-08-22.

Shut-off and launching device and method of its operation

Номер патента: RU2695389C1. Автор: Наталья Викторовна Хазова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пожтехника". Дата публикации: 2019-07-23.

Filling devices, systems and methods for loading of sealed containers with hazardous wastes

Номер патента: RU2567371C2. Автор: Сальваторе МОРИККА,Уолтер Гильермо БЕРМУДЕЗ,Аллан Грант МЮРРЕЙ. Владелец: Острейлиан Ньюклиар Сайенс Энд Текнолоджи Органайзейшн. Дата публикации: 2015-11-10.

Friction stir weld plugs and methods of using same

Номер патента: RU2676373C2. Автор: Майк П. МЭТЛЭК,Эми М. ХЭЛВИ,Рэнди А. КАРД. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-12-28.

Acrylic acid purification technique and method of production of (meth)acrylic acid ethers

Номер патента: RU2354644C2. Автор: Йосиро СУЗУКИ,Ясуси ОГАВА,Сухеи ЯДА,Кендзи ТАКАСАКИ,Ясуси ОГАВА (JP),Йосиро СУЗУКИ (JP),Сухеи ЯДА (JP),Кендзи ТАКАСАКИ (JP). Владелец: Мицубиси Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2009-05-10.

Gas-blowing plug, gas-blowing system, method for surveying a gas-blowing plug and method for blowing molten metal

Номер патента: RU2769101C1. Автор: Бернд Труммер,Кристиан МАНХАРТ,Матттеус ХАЙДЕР,Петер ПАХЕР. Владелец: Рефрактори Интеллектуал Проперти Гмбх & Ко. Кг. Дата публикации: 2022-03-28.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: EP4295006A1. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,William II DAVIS. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method of forming same

Номер патента: US20240151910A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Urinary catheter or plug and method for managing urinary incontinence

Номер патента: US11712327B2. Автор: James C. Block. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-01.

Drug delivery composition, method forming the same and method for treating inner ear disorders

Номер патента: US20220273799A1. Автор: Chih-Hung Wang,Cheng-ping Shih,Ai-Ho Liao. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2022-09-01.

Electrode assembly including inner and outer baskets and methods of forming same

Номер патента: EP3902493A1. Автор: Troy Tegg,Ted DALE,Rishi MANDA. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Tire carcass ply joining apparatus and method

Номер патента: US11731380B2. Автор: Robert Anthony Neubauer,Ryan Michael SCHMIDT. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2023-08-22.

Bottom hole assembly including a resttable plug and associated methods of use

Номер патента: US11719084B2. Автор: Sam Noam Schroit,Jeffrey Bruce Wensrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-08.

Urinary catheter or plug and method for managing urinary incontinence

Номер патента: US20230036376A1. Автор: James C. Block. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Urinary catheter or plug and method for managing urinary incontinence

Номер патента: US20220047368A1. Автор: James C. Block. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-17.

Drug delivery composition, method forming the same and method for treating inner ear disorders

Номер патента: US12090207B2. Автор: Chih-Hung Wang,Cheng-ping Shih,Ai-Ho Liao. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-09-17.

Coatings on particles of high energy materials and methods of forming same

Номер патента: US20240228401A1. Автор: Arrelaine Dameron,Ryon TRACY,Jessica BURGER,Chris GUMP,Andrew BROERMAN. Владелец: Forge Nano Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: US12116832B2. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,II William Davis. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Corrodible wellbore plugs and systems and methods including the same

Номер патента: US09790762B2. Автор: Randy C. Tolman,Timothy J. Hall. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2017-10-17.

Multi-spark and continuous spark ignition module, system, and method

Номер патента: US09765750B2. Автор: Tod Ferguson,Ed Browalski,Ron Paul. Владелец: Advanced Fuel And Ignition System Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Printbar and method of forming same

Номер патента: US09676192B2. Автор: Michael W. Cumbie,Chien-Hua Chen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Bi-cast turbine rotor disks and methods of forming same

Номер патента: US09457531B2. Автор: Milton Ortiz. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Internal combustion engine and method for controlling the internal combustion engine

Номер патента: RU2649412C1. Автор: Есихиро ОКАДА,Фумицугу ЦУРУ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-04-03.

Rapid wall building system and method

Номер патента: US20240254789A1. Автор: Gerard J. Kmita,Jeremy Masser,Daniel Scott Cannon,William J. SCHOFIELD. Владелец: Schofield Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Bone plug anchoring device and method for anchoring one or more tendons or other grafts using the bone plug anchoring device

Номер патента: US20010018613A1. Автор: Douglas Huene. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Connectorized nano-engineered optical fibers and methods of forming same

Номер патента: EP2147341A1. Автор: Terry L Cooke,Dennis M Knecht,Ming-Jun Li,Dana C Bookbinder,John B Johnson,Robert R Beshears. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2010-01-27.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Flow bypass device and method

Номер патента: US09500064B2. Автор: Raymond Hofman,William Sloane Muscroft,Bryan Fitzhugh. Владелец: Peak Completion Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Polarization-maintaining optical waveguide and method for forming same

Номер патента: US20030118264A1. Автор: Makoto Fujimaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Connectorized nano-engineered optical fibers and methods of forming same

Номер патента: WO2008137032A1. Автор: Terry L Cooke,Dennis M Knecht,Ming-Jun Li,Dana C Bookbinder,John B Johnson,Robert R Beshears. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Punctal plug and bioadhesives

Номер патента: US20240148553A1. Автор: Mark Silverberg,Noah Silverberg. Владелец: Ocular Therapeutix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Devices and Methods for Multi-directional Fluid Pumping

Номер патента: US20190388922A1. Автор: Melissa McGarry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-26.

Multi-stage flame acceleration device and method for gas-fuel engine

Номер патента: US20230027612A1. Автор: LEI Zhou,Qiang Gao,Jianxiong HUA,Zongkuan LIU,Haiqiao WEI,Gequn Shu. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-26.

Devices, systems, and methods for predicting the growth of urban landscape trees

Номер патента: US20240164259A1. Автор: Yuanqing He,JIN Wang,Min Chen,Guonian LV,Songshan YUE,Teng Zhong,Yongning WEN. Владелец: Nanjing Normal University. Дата публикации: 2024-05-23.

Punctal plug and bioadhesives

Номер патента: US20230020148A1. Автор: Mark Silverberg,Noah Silverberg. Владелец: Ocular Therapeutix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Punctal plug and bioadhesives

Номер патента: US20230172751A1. Автор: Mark Silverberg,Noah Silverberg. Владелец: Ocular Therapeutix Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

System and method for manufacturing protruding features on a substrate

Номер патента: US20230321756A1. Автор: Riley George Gankoski. Владелец: Ohio Gratings Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Filling container and method for storing hazardous waste material

Номер патента: US12094619B2. Автор: Salvatore Moricca,Walter Guillermo Bermudez,Allan Grant Murray. Владелец: Australian Nuclear Science and Technology Organization. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods of diverting fluids in a wellbore using destructible plugs

Номер патента: US09624750B2. Автор: Pavlin B. Entchev,John K. Montgomery,William A. Sorem,Zhihua Wang,David A. Baker,Larry Mercer,Dennis H. Petrie. Владелец: Rasgas Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method forming coatings based on pyrolytic silicon nitride which is boron

Номер патента: RU2168557C2. Автор: Артур Уиль м МУР,Артур Уильям Мур. Владелец: Адванст Керамикс Корпорейшн. Дата публикации: 2001-06-10.

Flow hydraulic control system for use with dual hydraulic drive, servo drive control system and method of keeping up standby flow control means for hydraulic drive

Номер патента: RU2330997C2. Автор: Кеннет Э. ХАРТ,Кеннет Э. ХАРТ (US). Владелец: ЭйчАр ТЕКСТРОН ИНК.. Дата публикации: 2008-08-10.

System and methods of projecting content from computer devices

Номер патента: RU2389067C2. Автор: Эндрю Дж. ФУЛЛЕР,Тодд Р. МАНИОН,Равипал С. СОИН,Рональд О. ЗИНК,Уилльям МАК. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-05-10.

Isolation and filtration object, system, and method

Номер патента: US12024974B2. Автор: Matthew Stone,Colin Andrew. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for porous plug removal and installation

Номер патента: EP4392196A1. Автор: Timothy Burgess,Jacobus Janse Van Rensburg,William G. Kendall,Cassidy O'CONNELL,Dale FERGUSON,Jeff Kemper. Владелец: JH Fletcher and Co. Дата публикации: 2024-07-03.

A system and method for ontology model process driven decision support system

Номер патента: MY187134A. Автор: May Fern KOH,Yew Choong CHEW,M Perumal Nagendran,Rahmat Rafizah,Thiam Ho Seck. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2021-09-03.

Bagging machine and method

Номер патента: EP3157820A1. Автор: Daniel J. Folger,Jeramy WILLIAMS. Владелец: Sharp Packaging Systems LLC. Дата публикации: 2017-04-26.

Connection systems and methods for establishing optical and electrical connections through a drape

Номер патента: US12059228B2. Автор: Chase Thompson,William Robert MCLAUGHLIN. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Foam substrate for growing plants wherein the foam substrate is configured as a plug, and method for manufacturing of such plug

Номер патента: WO2021066651A1. Автор: Martin TIETEMA,Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Marjolein VENHUIZEN. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Draining means, drain plug, drain coupling and method of coupling a drain plug and a drain coupling

Номер патента: WO1999058823A1. Автор: Poulus Van Santen,Dirk Cornelis De Weerd. Владелец: Dirk Cornelis De Weerd. Дата публикации: 1999-11-18.

Mobile system and method for separating water and paint

Номер патента: US20240254018A1. Автор: Robert Roman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

In-situ testing instrument and method for soil moisture in a hole

Номер патента: US20240345058A1. Автор: Weifeng Sun,Han Bao,Hengxing LAN,Langping LI,Yuming Wu,Mervyn LAN,Changgen YAN. Владелец: Institute of Geographic Sciences and Natural Resources of CAS. Дата публикации: 2024-10-17.

Connection Systems and Methods for Establishing Optical and Electrical Connections Through A Drape

Номер патента: US20240366330A1. Автор: Chase Thompson,William Robert MCLAUGHLIN. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for ignition coil multiplexing in a prechamber system

Номер патента: US20210246862A1. Автор: Chris Paul Glugla,Michael Damian Czekala. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Protein biomaterials and biocoacervates and methods of making and using thereof

Номер патента: US09999705B2. Автор: David B. Masters,Eric P. Berg. Владелец: Gel Del Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Partially removable releasable plug and method

Номер патента: US09714554B1. Автор: Robert B. Cook,Glenn M. Walls. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-25.

Ported parallel plate flow chamber and methods for use thereof

Номер патента: US09557320B2. Автор: Robert D. SHEPHERD,Kristina D. Rinker. Владелец: University of Calgary. Дата публикации: 2017-01-31.

Host device coupled to a USB peripheral and method of operating the same

Номер патента: US09514065B2. Автор: Almog Ben-Harosh. Владелец: MCE-SYS Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing cylindrical nanoimprinting mold and method for producing nanoimprinting reproduction mold

Номер патента: US09457493B2. Автор: Katsumi Hara,Makoto Ookawa,Kazuya Takanashi,Shinya SHAKAGOORI. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Improved cement plug and methods of use

Номер патента: CA3215974A1. Автор: Lyle Laun. Владелец: Canadian Casing Accessories Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Support system having shaped pile-anchor foundations and a method of forming same

Номер патента: EP4345214A2. Автор: Igor Simon Alexandroff. Владелец: Sharp Pulse Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Spark plug monitoring apparatus and method

Номер патента: GB2625734A. Автор: Moorcroft Adam,BROCKLEY Nick,Kalian Navin. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Wall and method for producing same

Номер патента: SI2452027T1. Автор: Ernst Gisin,Peter Curiger. Владелец: Stahlton Bauteile AG. Дата публикации: 2018-06-29.

Abrasive articles and methods of forming same

Номер патента: WO2024145085A1. Автор: Godofredo VELA,Tony M. LANDES. Владелец: SAINT-GOBAIN ABRASIFS. Дата публикации: 2024-07-04.

Spark ignition modifier module and method

Номер патента: WO2006110334A1. Автор: Howard E. Gagliano,Marion M. Satterfield. Владелец: Econo Plug Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-10-19.

Remote intelligent active drilling pressure control system and method

Номер патента: US12024961B2. Автор: Gao Li,DONG Xiao,Jun Jiang,Hongtao Li,Yijian Chen,Yongjie Li,Wenhe XIA. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for automated code generation using language neutral software code

Номер патента: WO2004066088A3. Автор: Waqar Sadiq. Владелец: Electronic Data Syst Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Disposable undergarment waistband and method of forming same

Номер патента: WO1998006368A1. Автор: John M. Tharpe. Владелец: Tharpe John M. Дата публикации: 1998-02-19.

Support system having shaped pile-anchor foundations and a method of forming same

Номер патента: EP4345214A3. Автор: Igor Simon Alexandroff. Владелец: Sharp Pulse Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Abrasive articles and methods of forming same

Номер патента: US20240217058A1. Автор: Godofredo VELA,Tony M. LANDES. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Improved cement plug and methods of use

Номер патента: WO2024077374A1. Автор: Lyle Laun. Владелец: Canadian Casing Accessories Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Cement plug and methods of use

Номер патента: US20240117705A1. Автор: Lyle Laun. Владелец: Canadian Casing Accessories Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Railway system with diagnostic system and method for operating same

Номер патента: AU2021266033B2. Автор: Karsten Blum,Witali Sauter. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-09-14.

Support system having shaped pile-anchor foundations and a method of forming same

Номер патента: CA3223093A1. Автор: Igor Alexandroff. Владелец: Sharp Pulse Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Improved system and method for semi-foam flexible sealant with density modifier

Номер патента: EP4388037A1. Автор: Sandra KOCUREK,Devin KOCUREK. Владелец: Polymer Adhesive Sealant Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Isolation Tool and Method

Номер патента: US20170198544A1. Автор: Nathan Moore,Alex DEMPSEY. Владелец: Crusader Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-13.

Apparatus and method for connecting a conduit to a hollow organ

Номер патента: EP1761202A2. Автор: Richard M. Beane,John W. Brown,James S. Gammie,Joseph L. Smith, Jr.,James A. Crunkleton. Владелец: Correx Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Non-removable structural threaded fastener with threads of lesser outer diameter than the shank and method of forming same (div. 1)

Номер патента: US20020015631A1. Автор: Todd Diamond,Edward Avetisian,John Duran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Film and methods of forming same

Номер патента: WO2014190077A1. Автор: Sean R. Kirkpatrick,Son CHAU. Владелец: EXOGENESIS CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Pressure activated completion tools and methods of use

Номер патента: US20190093464A1. Автор: Serhiy Arabsky,Vitaliy ARABSKY. Владелец: Interra Energy Services Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Combustible structural composites and methods of forming combustible structural composites

Номер патента: US20110281101A1. Автор: Ronald J. Heaps,W. David Swank,Michael A. Daniels,Eric D. Steffler. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2011-11-17.

Device and method for simulating gas intrusion and bullheading in wellbore under different inclinations

Номер патента: US20240240557A1. Автор: HAO LI,Zhiyuan WANG,Xuerui Wang,Xiaohui Sun,Baojiang Sun,Yonghai Gao,Bangtang Yin,Tianbao DING. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2024-07-18.

Fiber optic cable assembly for an equipment rack and method of using same

Номер патента: US20240310597A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner,Christopher Shawn Houser,Edward Joseph Carroll,Shane Blackburn Harmon,Jason Anthony Lewis. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fiber optic cable assembly for an equipment rack and method of using same

Номер патента: EP4431993A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner,Christopher Shawn Houser,Edward Joseph Carroll,Shane Blackburn Harmon,Jason Anthony Lewis. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Film and methods of forming same

Номер патента: US20160091787A1. Автор: Sean R. Kirkpatrick,Son T. CHAU. Владелец: Exogenesis Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

System and Method for Reducing Pipe Ovality

Номер патента: US20160101453A1. Автор: Mathieu Boisne,Laurent Frank PAUPY,Fabien ANNE,Eric Christopher KEITH. Владелец: Technip France SAS. Дата публикации: 2016-04-14.

System and method for providing iontophoresis at tympanic membrane

Номер патента: EP2968927A1. Автор: Mansour A. Saleki,Bernard H. Andreas,Rohit Girotra,Mahyar Z. Kermani,Nikhil D. Bhat. Владелец: Acclarent Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Modular fracture plug and method of construction thereof

Номер патента: WO2012087541A2. Автор: Gerald A. Greca,Michael J. Myers,Ute Rueger,Tom Swasey,Michael L. HASTINGS,Richard C. FLOYD. Владелец: FEDERAL-MOGUL CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-28.

Pre-operative electrode dispensing neurmonitoring gun systems and methods

Номер патента: US20220304609A1. Автор: Brian Bowman,Benjamin Arnold,Henry Warder,Ian Fried,Joseph Haddad,Payam Andalib. Владелец: Creative Neural Solutions LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Fluid flow control devices and related systems and methods

Номер патента: US12123519B2. Автор: Bradford B. Haines,Bruce J. Butler,Paul J. Parish. Владелец: Flowserve Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Reduced material container and method of forming same

Номер патента: US12128601B2. Автор: Mark Blystone,Corey Janes,Darrel LEE,Richard SIERADZKI. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Support system having shaped pile-anchor foundations and a method of forming same

Номер патента: US20240351667A1. Автор: Igor Simon Alexandroff. Владелец: Sharp Pulse Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Modified cement plug and methods of use

Номер патента: US12110756B2. Автор: Lyle Laun. Владелец: Canadian Casing Accessories Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Device and method for simulating gas intrusion and bullheading in wellbore under different inclinations

Номер патента: US12071849B2. Автор: HAO LI,Zhiyuan WANG,Xuerui Wang,Xiaohui Sun,Baojiang Sun,Yonghai Gao,Bangtang Yin,Tianbao DING. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2024-08-27.

Frac plug and method for manufacturing same, and method for sealing borehole

Номер патента: US12065902B2. Автор: Shinya Takahashi,Shinnosuke Yoshida. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Articles and armor materials incorporating fiber-free compositions and methods of forming same

Номер патента: US09850353B2. Автор: Himansu M. Gajiwala,John W. Ellertson. Владелец: Orbital ATK Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Biomineralization promoting materials and methods of forming same

Номер патента: US09808555B2. Автор: Esmaiel Jabbari. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2017-11-07.

Metal shell of glow plug for diesel engines and method of manufacturing the same

Номер патента: US09784234B2. Автор: Young Jin Cho,Byung Won Lee. Владелец: Woo Jin Ind Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Disengagable cam system for tissue puncture closure device and methods

Номер патента: US09763652B2. Автор: Russell D. Terwey. Владелец: Terumo Puerto Rico LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Wheel assembly for an agricultural implement and method of forming same

Номер патента: US09731562B2. Автор: Christopher Smith,Kevin McMichen,Marc Guske. Владелец: Carlstar Group LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Catalyst support structure, catalyst including the structure, reactor including a catalyst, and methods of forming same

Номер патента: US09643159B2. Автор: Alan W. Weimer,Staci A. Van Norman,Victoria J. Aston. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-05-09.

Pull tab and method of manufacturing a pull tab

Номер патента: US09498027B2. Автор: Te Chien CHEN. Владелец: Duraflex Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Plug-resistant burner tip and method

Номер патента: EP4150256A1. Автор: John Petersen,Darton J. ZINK,Rex K. ISAACS,Tim Kirk,Austin White. Владелец: Zeeco Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

A spouted pouch adapted to be filled with a flowable product and method of production thereof

Номер патента: NZ740898B2. Автор: Chad Mueller,David Bellmore,Jeroen Pieter Fiere,Christopher John Murray. Владелец: Sig S Ag. Дата публикации: 2024-01-30.

Single lumen microcatheter for executing plugs near distal terminus of lumen and method

Номер патента: US12029432B2. Автор: Daniel Ezra Walzman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective plug and method

Номер патента: WO2010135149A4. Автор: Stephen L. Crow,Richard Y. Xu. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-12.

Combustion control apparatus and method for spark-ignited internal combustion engine

Номер патента: US20020179038A1. Автор: Masahiko Yuya. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Smoking bowl apparatus and method

Номер патента: US20230128587A1. Автор: Ashley Y. Ogden. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-27.

Devices and methods for enhancing intranasal air and odorant delivery patterns

Номер патента: US20240024615A1. Автор: Kai Zhao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-01-25.

Selective plug and method

Номер патента: WO2010135149A2. Автор: Stephen L. Crow,Richard Y. Xu. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-11-25.

Smoking bowl apparatus and method

Номер патента: CA3179138A1. Автор: Ashley Ogden. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-22.

System and method for configurable deployment of transit agency content

Номер патента: US09892470B2. Автор: Bruce Payne,David Gavin,Matthew Carl GODDARD,Damian Bown. Владелец: Trapeze Software Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Cathode plate edge protector and methods of manufacture

Номер патента: US09863050B2. Автор: Scott Ringhand. Владелец: CLIM-A-TECH INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US09770052B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and methods of running casing in a dual gradient system

Номер патента: US09657548B2. Автор: Michael LoGiudice,Brent J. Lirette,Marcel Budde. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus and method for enabling rapid configuration and reconfiguration of a robotic assemblage

Номер патента: US09656389B2. Автор: Richard A. Skrinde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of treating a formation and method of temporarily isolating a first section of a wellbore from a second section of the wellbore

Номер патента: US09574415B2. Автор: Zhihui ZHANG,Zhiyue Xu,YingQing Xu. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Stretch valve balloon catheter and methods for producing and using same

Номер патента: EP3148626A1. Автор: Leonard Pinchuk,James Leone,Gary A. Kalser,Gregory L. Mayback. Владелец: Mayser LLC. Дата публикации: 2017-04-05.

Vascular closure devices and methods of use

Номер патента: US20160007977A1. Автор: Greg Walters. Владелец: Essential Medical Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Apparatus and method for inspecting flooded cavities in a floating offshore installation

Номер патента: EP3074305A1. Автор: Danny CONSTANTINIS. Владелец: EM & I MARITIME Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Annulus remediation system and method

Номер патента: US20240035354A1. Автор: Gary Mcwilliam. Владелец: HRG Well Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Aquaponics unit and method of manufacture

Номер патента: EP3735124A1. Автор: Aftab Alam,Ryan LEFERS,Mahmoud ABDUL-JAWAD,Haitham ANBAR. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-11-11.

Multiple function dual core flooding apparatus and methods

Номер патента: EP3497442A1. Автор: Sunil Kokal,Fawaz AL-OTAIBI,Xianmin Zhou,Ahmed A. EIDAN,Almohannad A. ALHASHBOUL. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-06-19.

Downhole plugging tool with ballistic plug and method of using same

Номер патента: US20240254849A1. Автор: Cameron Michael Bryant,James William Anthony. Владелец: Gr Energy Services Management Lp. Дата публикации: 2024-08-01.

Cement plug and bridge plug assembly and method

Номер патента: US11761299B2. Автор: Adam Anderson. Владелец: Innovex Downhole Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus and method for an earpiece device

Номер патента: CA3207412A1. Автор: David M. CHENAL. Владелец: JMJ Holdings LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Hybrid knee prosthesis and methods of use

Номер патента: EP4241739A1. Автор: Kenneth Pascale,Jordan KAYAL,Pramit Pattnaik,Michael James Dunbar. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Aluminium-magnesium alloys in low resistance contacts to¹silicon coated wtih si3 n4

Номер патента: IE812727L. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1982-05-26.

Manufacturing method for forming low resistance contact

Номер патента: TWI230436B. Автор: Ching-Yu Jang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-01.

Low resistance contacts to germanium

Номер патента: CA563590A. Автор: E. Mayer Simon. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1958-09-23.

Improvements in or relating to low resistance contacts to germanium

Номер патента: AU167282B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1954-06-17.

Improvements in or relating to low resistance contacts to germanium

Номер патента: AU2661554A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1954-06-17.

FLOATING STATIONARY CONTACT TO CREATE STABLE, LOW RESISTANCE CONTACT JOINTS

Номер патента: US20130248335A1. Автор: Mittelstadt Chad R.,Kaufman Jeff,Ehrenberger Frank T.. Владелец: Schneider Electric USA, Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of Manufacturing Low Resistivity Contacts on n-Type Germanium

Номер патента: US20120138928A1. Автор: Kittl Jorge,Martens Koen,Loo Roger. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

APPARATUS FOR ACHIEVING LOW RESISTANCE CONTACT TO A METAL BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120279855A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

LOW RESISTIVITY CONTACT

Номер патента: US20130069110A1. Автор: Therrien Robert Joseph,Reed Jason D.,Rumsey Jaime A.,Gray Allen L.. Владелец: Phononic Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Methods and Systems for Low Resistance Contact Formation

Номер патента: US20140065819A1. Автор: Chiang Tony P.,AHMED Khaled. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

CARBON NANOTUBE DEVICES WITH UNZIPPED LOW-RESISTANCE CONTACTS

Номер патента: US20140120714A1. Автор: Farmer Damon B.,Smith Joshua T.,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of revealing low-resistance contact system concrete poles turned on to group ground connection

Номер патента: RU2256929C1. Автор: Ю.А. Калинчук,Д.В. Санников,Ф.А. Калинчук. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Метакон-Томич". Дата публикации: 2005-07-20.

Low-resistance contact to silicon solar cell

Номер патента: RU2065227C1. Автор: Борис Александрович Александров,Вадим Григорьевич Рубчиц,Константин Владимирович Зиновьев,Вячеслав Валентинович Васильев. Владелец: Вячеслав Валентинович Васильев. Дата публикации: 1996-08-10.

Aluminum-magnesium alloys in low resistance contacts to silicon coated with si3n4

Номер патента: IE52714B1. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1988-02-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electric current supply device for anodes of magnesium cell and method for mounting it

Номер патента: RU2273684C1. Автор: Игорь Анатольевич Сизиков,Владимир Семенович Бабин,Владимир Александрович Костарев,Илья Станиславович Букин,Игорь Анатольевич Сизиков (RU),Владимир Семенович Бабин (RU),Владимир Александрович Костарев (RU),Иль Станиславович Букин (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация ВСМПО-АВИСМА. Дата публикации: 2006-04-10.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method forming digital model of relief and/or orthophotoplan and system for its implementation

Номер патента: RU2216711C1. Автор: А.И. Вислоцкий,Н.Н. Голобородько,Е.М. Медведев. Владелец: Степанов Владимир Иванович. Дата публикации: 2003-11-20.

HIGH SOLIDS CONTENT SLURRIES, SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000641A1. Автор: Chen Yiyan,Panga Mohan,Bedel Jean-Philippe. Владелец: SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PARTICULATE MATTER FILTER REGENERATION USING A CATALYTIC CONVERTER AS A COMBUSTOR

Номер патента: US20120000180A1. Автор: JR. Michael J.,Gonze Eugene V.,Paratore,Santoso Halim G.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH SOLIDS CONTENT SLURRY SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000651A1. Автор: Panga Mohan K.R.,Photos Peter J.,Drochon Bruno,Still John W.,Gadiyar Balkrishna,Patel Dinesh R.,Parlar Mehmet,Watson Graham M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus And Methods For Producing Oil and Plugging Blowouts

Номер патента: US20120000656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLE TRANSPORT COMPOSITIONS AND RELATED DEVICES AND METHODS (I)

Номер патента: US20120001127A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE ELASTOMER FIBERS AND PROCESSING AGENT AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004352A1. Автор: Arakawa Yasunobu,Ito Jun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FIXTURE FOR EVALUATING A METAL-TO-METAL SEAL BETWEEN TUBULAR COMPONENTS AND METHOD OF USE OF SAME

Номер патента: US20120000273A1. Автор: Slack Maurice. Владелец: NOETIC ENGINEERING 2008 INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR IMPROVING LIQUID REMOVAL FROM GAS, CONDENSATE & OIL WELLS WHEN USING A MULTI-CHANNEL SYSTEM

Номер патента: US20120000670A1. Автор: Kenworthy Michael W.,Ganelin Boris. Владелец: TECHNOLOGY COMMERCIALIZATION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20120002562A1. Автор: Kawade Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ASSEMBLY AND METHOD FOR DETECTING AND MEASURING THE FOULING RATEOF FLOW HOLES IN A SECONDARY CIRCUIT OF A PRESSURIZED WATER NUCLEAR REACTOR

Номер патента: US20120002775A1. Автор: . Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in tubular bodies and methods of forming same

Номер патента: MY144256A. Автор: Booth John Peter,Lovis Gordon David. Владелец: ITI Scotland Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

System of fuel and air mixture ignition, spark plug and method of fuel and air mixture ignition

Номер патента: RU2552712C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2015-06-10.

Modular multi-screw unmanned aerial vehicle with vertical take-off and landing and method of control thereof

Номер патента: RU2706765C1. Автор: Игорь Юрьевич Данилов,Илья Михайлович Афанасьев,Муса Музагитович Галимов,Александр Николаевич Липатов. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего образования "Университет Иннополис". Дата публикации: 2019-11-20.

Shut-off member for ball cock and method of manufacture of such member

Номер патента: RU2249745C2. Автор: Н.Д. Хохлачев,К.К. Волчанинов,Н.Д. Хохлачев (RU),К.К. Волчанинов (RU). Владелец: Хохлачев Николай Дмитриевич. Дата публикации: 2005-04-10.

APPARATUS AND METHODS FOR WIRELESS CHANNEL SOUNDING

Номер патента: US20120002735A1. Автор: McCoy James W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System of fuel and air mixture ignition, spark plug and method of fuel and air mixture ignition

Номер патента: RU2553971C2. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2015-06-20.

Internal combustion engine and method of internal combustion engine operation

Номер патента: RU2531473C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2014-10-20.

Vent plug and method

Номер патента: CA3108637A1. Автор: Brian Asik. Владелец: Custom Fabricating & Supplies. Дата публикации: 2022-01-23.

A diagnostic device and method of use

Номер патента: NZ791281A. Автор: Micheletti Samuele. Владелец: Electronics Boutique Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2022-08-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.