Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • VHF etch barrier for semiconductor integrated microsystem

VHF etch barrier for semiconductor integrated microsystem

Номер патента: US09449867B2
Опубликовано: 20-09-2016
Автор(ы): Chun-Ren Cheng, Chun-Wen Cheng, Han-Chin Chiu, Kai-Chih Liang, Tzu-Heng Wu, Wei-Cheng Shen, Yi Heng Tsai, Yi-Hsien Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Isolation structures for semiconductor integrated circuit substrates and methods of forming the same

Номер патента: EP1958249A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9202761B2. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130230964A1. Автор: Akira Imai,Toshiaki Iwamatsu,Akihiro Nakae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US20160380054A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US10128335B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US09947744B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US09455317B1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US20170221991A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US9502523B1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US20160380083A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US11824107B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: EP3678191A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20240047566A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20200219997A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Dummy gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US09627475B2. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Via for semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20200411412A1. Автор: Eric Jeffery WOOLSEY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods for etch barrier deposition and devices made according to the same

Номер патента: US20230215762A1. Автор: Rao R. Tummala,Madhavan Swaminathan,Mohanalingam Kathaperumal,Pratik Nimbalkar. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications

Номер патента: US20080121527A1. Автор: XUAN Lin,Vincent Paneccasio,Richard Hurtubise,John Commander,Kshama Jirage. Владелец: Enthone Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Stress-relief layer for semiconductor applications

Номер патента: US20050093159A1. Автор: Pak Leung,Erdem Kaltalioglu,Hans-Joachim Barth,Gerald Friese,Mark Hoinkis. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US6455446B2. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US20010046786A1. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Dicing structures for semiconductor substrates and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09859223B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20110143523A1. Автор: Hitoshi Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor integrated device and manufacturing method for the same

Номер патента: US8372704B2. Автор: Hitoshi Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor integrated circuitry

Номер патента: US10992261B2. Автор: Bernd Hans GERMANN,Vamshi Krishna MANTHENA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09728408B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit with nano gap

Номер патента: US09653349B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09455178B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US11942455B2. Автор: Jong Sik Paek,Jungbae Lee,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: EP4293087A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Tiered-Profile Contact for Semiconductor

Номер патента: US20200090995A1. Автор: Kangguo Cheng,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230407135A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: EP4371156A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170330813A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Substrate for semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, semiconductor device and method of fabrication thereof, and circuit board, together with electronic equipment

Номер патента: US20040227259A1. Автор: Toshinori Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Crack Stops for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110244658A1. Автор: Michael Beck,Erdem Kaltalioglu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of fabricating semiconductor device including an etch barrier pattern

Номер патента: US09735059B2. Автор: Donghyun Kim,Heedon Jeong,Jae Yup Chung,Heesoo Kang,Sanghyuk Hong,Soohun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Hybrid bonding systems and methods for semiconductor wafers

Номер патента: US09748198B2. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Packaging process tools and systems, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09543185B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP4068358A2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170077094A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09997496B2. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit layout structure

Номер патента: US09673145B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatuses, systems, and methods for die attach coatings for semiconductor packages

Номер патента: US09659898B1. Автор: Walid Meliane,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,John M. Beall. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US09595523B2. Автор: Young-Chang Kim,Dong-Geon Kim,Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09559681B2. Автор: Junichi Saito,Tomoyuki Sawataishi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09548302B2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: EP4241309A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: WO2022098421A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same

Номер патента: US20230411196A1. Автор: Jae Won Shin. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Packaging bag for semiconductor wafer and method of packaging semiconductor wafer using the packaging bag

Номер патента: EP1318078A1. Автор: Kohei Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. TOYAMA,Tsubasa Fujimori PlaChemical Co. Ltd. SHIMIZU. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-11.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Molding apparatus for semiconductor package fabrication and method of molding semiconductor package using the same

Номер патента: NL2017744B1. Автор: CHEON Seung-jin,Park Jong-Woo,CHUN HYUN-SUK,CHOI Kwang-Won,Baick In-Hak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-20.

Temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, lead frame with temporary protective film, encapsulation molded body with temporary protective film, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220319873A1. Автор: Tomohiro Nagoya. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1591465A1. Автор: Takuji Okeyui,Kazuhiro Ikemura,Kazuhito Hosokawa,Keisuke Yoshikawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Waste gas treatment apparatus for semiconductor and display processes

Номер патента: EP4393568A1. Автор: Dong Soo Kim,Chul hwan Kim,Yeo Jin Kim,Hyun Kyung KIM,Kang Sik Shin. Владелец: Mat Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Waste gas treatment apparatus for semiconductor and display processes

Номер патента: US20240213047A1. Автор: Dong Soo Kim,Chul hwan Kim,Yeo Jin Kim,Hyun Kyung KIM,Kang Sik Shin. Владелец: Mat Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Automatic teaching apparatus for semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240312821A1. Автор: Takashi Minami,Jung-Ho Yun,Hiroki Sanemasa,Yonggu Kang,Mid Uem RYU,Daisuke HIGASHITARUMIZU. Владелец: Yaskawa Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications

Номер патента: US09484406B1. Автор: Bingxi Wood,Naomi Yoshida,Shiyu Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Device, apparatus, and method for semiconductor transfer

Номер патента: US11862502B2. Автор: Cheng-Ming Liu,Chien-Hung Lin,Li-Wei Kung,Ying-Chi Wang,Qiyuan Wei. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20020142153A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20030087088A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, and process for producing semiconductor device

Номер патента: US20140037923A1. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of making an electromagnetic interference shield for semiconductor chip packages

Номер патента: US09691711B2. Автор: John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Adel A. Elsherbini,Nitin Ashok Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Composition having suppressed alumina damage and production method for semiconductor substrate using same

Номер патента: US20210002591A1. Автор: Kenji Yamada,Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Takahiro Kikunaga. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Device for contact photolithography for semiconductor plates with a base cut

Номер патента: RU2691159C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-06-11.

Method of fabricating an exposure mask for semiconductor manufacture

Номер патента: US20030044694A1. Автор: Sang Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Analysis apparatus for semiconductor LSI circuit electrostatic discharge by calculating inter-pad voltage between pads

Номер патента: US7340699B2. Автор: Sachio Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Gas saver for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2008020715A1. Автор: Jong-Ha Park. Владелец: Jong-Ha Park. Дата публикации: 2008-02-21.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Resin composition for semiconductor sealing, underfill material, mold resin, and semiconductor package

Номер патента: US20240055308A1. Автор: Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Mounting arrangements for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20230307586A1. Автор: David N. Randolph,Timothy Ling,Ryan MOHN,David PEOPLES,Wooh Jae Kim. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Laser assisted bonding for semiconductor die interconnections

Номер патента: US09627348B2. Автор: Ju Hoon Yoon,Min Ho Kim,Choon Heung Lee,Chan Ha Hwang,Dong Su Ryu,Yang Gyoo Jung,Choong Hoe Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

P+ or N+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US11769668B2. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-09-26.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors

Номер патента: US09953945B2. Автор: Kwang Joo Lee,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface

Номер патента: US09478454B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga,Toshimasa Sugimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Crystallization processing for semiconductor applications

Номер патента: SG10201407955QA. Автор: Stephan Moffat. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Film for semiconductor back surface and its use

Номер патента: US09768050B2. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US20150213915A1. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US9490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Component for semiconductor package and manufacturing method of component for semiconductor package

Номер патента: US20090121341A1. Автор: Kiyoshi Oi,Teruaki Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282474A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Dynamic dispatching method for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US12131928B2. Автор: Li Li,Peng Yi,Jie Chen,Yiguang Hong,Min Meng,Kuo-Yi Lin,Qingyun YU,Jinlong LEI,Xiouxian LI. Владелец: TONG JI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor packaging device and manufacturing method for semiconductor packaging device

Номер патента: US20240347484A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US09490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Device for supplying liquid for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4401114A1. Автор: Hideaki Iino. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Pump backstream prevention structure for semiconductor fabrication equipment

Номер патента: US12027392B2. Автор: Tae Wha Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: US20190080989A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: WO2018127845A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Substrate for semiconductor elements and semiconductor device

Номер патента: US20190088578A1. Автор: Junichi Nakamura,Koji Watanabe,Kentaro Kaneko,Tsukasa NAKANISHI,Harunobu Sato. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Ceramic sintered body for semiconductor production equipment and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240212990A1. Автор: Manami Sugiyama. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2024-06-27.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: US20240347336A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Gas flow substrate supports, processing chambers, and related methods and apparatus, for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240363390A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gas flow substrate supports, processing chambers, and related methods and apparatus, for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024226125A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: WO2024220286A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for semiconductor wafer treatment and semiconductor wafer treatment

Номер патента: US09966266B2. Автор: Yu-Ying Lin,Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Neng-Hui Yang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Sensor for semiconductor device manufacturing process control

Номер патента: US5293216A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100151628A1. Автор: Yoshimasa Kushima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11862591B2. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20230048311A1. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US11955345B2. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for processing semiconductor containing transition metal, method for producing semiconductor containing transition metal, and processing liquid for semiconductors

Номер патента: US20240055272A1. Автор: Yuki Kikkawa,Takayuki Negishi,Tomoaki Sato,Kohei Saito,Hiroto YARIMIZU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240178170A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204908A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: EP4135020A3. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Multi-layer solder seal band for semiconductor substrates and process thereof.

Номер патента: MY120319A. Автор: Sushumna Iruvanti,Frank Louis Pompeo,Mark Gerard Courtney,William Edward Sablinski,Armando Salvatore Cammarano,Jeffrey Thomas Coffin,David Linn Edwards,Stephen S Drofitz Jr,Michael Joseph Ellsworth Jr,Lewis Sigmund Goldmann,Hilton T Toy,Raed A Sherif. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-10-31.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230298861A1. Автор: Seiya Inoue,Tomoki Nagae,Tatsuya Kuno,Yusuke Ogiso,Takuya YOTO. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated device having an electrostatic breakdown protection circuit

Номер патента: US20020179971A1. Автор: Kenji Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006781A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006780A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230148306A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Vacuum pumping valve for semiconductor equipment and vacuum control system thereof

Номер патента: US20220165576A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Zaifeng TANG,Kaiqu Ang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Tray for semiconductors

Номер патента: WO2003008303A1. Автор: James Nigg,Joy Duban-Hu. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Tape for semiconductor package and cutting method thereof

Номер патента: US20080185171A1. Автор: PENG Wang,Hangbin Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12087610B2. Автор: Seiya Inoue,Tatsuya Kuno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Valve for semiconductor manufacturing device

Номер патента: US12117101B2. Автор: Hajime Horiguchi. Владелец: Kitz SCT Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Multilayer substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US09788416B2. Автор: Padam Jain,Dilan Seneviratne,Wei-Lun Kane Jen,Chi-Mon CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Clock distribution networks and conductive lines in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20050051887A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

P+ or n+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US20230170219A1. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-06-01.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20180374816A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Takumi Ohkabe. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150175800A1. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Substrate with cut semiconductor pieces having measurement test structures for semiconductor metrology

Номер патента: US11978679B2. Автор: Chen Dror. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Cleaning apparatus for semiconductor wafer and method of cleaning semiconductor wafer

Номер патента: US20230033913A1. Автор: Michihiko Tomita,Kazuhiro Ohkubo,Yuki NAKAO,Kaito NODA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230044728A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20220285315A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210376158A1. Автор: Jae-Hyung Park,Edward Robert Van Brunt,Edward Lloyd Hutchins. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

High temperature ultra-fast annealed soft mask for semiconductor devices

Номер патента: US20190259616A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Ekmini Anuja De Silva,Indira Seshadri,Mona Ebrish. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing

Номер патента: EP3919578A1. Автор: Shunpei Tanaka,Hiroki Kono,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220199430A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor

Номер патента: US09427830B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Shinichi Terashima. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Processing method for semiconductor wafers

Номер патента: US5035750A. Автор: Takeki Hata,Masuo Tada,Takaaki Fukumoto,Toshiaki Ohmori. Владелец: Taiyo Sanso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20080042258A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155114A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Materials for semiconductor package mount applications and methods of using the same

Номер патента: US20240107682A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Chih-Chiang Tsao,Jen-Jui Yu,Hsuan-Ting Kuo,Chao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290745A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240297142A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Polishing composition for semiconductor processing and method of polishing a substrate

Номер патента: US20240218251A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Yongsoo Choi,Kangsik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Hollow resin particles used in resin composition for semiconductor member

Номер патента: EP4265650A1. Автор: Ryosuke Harada,Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US11942336B2. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Hollow resin particles used in resin composition for semiconductor member

Номер патента: US20240059810A1. Автор: Ryosuke Harada,Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20240186153A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corlporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Package with improved heat transfer structure for semiconductor device

Номер патента: US5528456A. Автор: Nobuaki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance

Номер патента: US20050145996A1. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Leeshawn Luo,Mike Chang. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of forming a dielectric collar for semiconductor wires

Номер патента: WO2021069310A1. Автор: Wei Sin Tan,Pierre Tchoulfian,Pamela Rueda Fonseca. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4361301A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100155726A1. Автор: Hideo Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290744A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09437643B2. Автор: Takeshi Kawamura,Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: EP4318598A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20240186404A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor integrated circuit capacitor

Номер патента: WO1983004343A1. Автор: Joshua Alspector,Eliezer Kinsbron,Marek Andre Sternheim. Владелец: Western Electric Company, Inc.. Дата публикации: 1983-12-08.

Adhesive sheet for semiconductor connecting substrate, adhesive-backed tape for TAB, adhesive-backed tape for wire bonding connection, semiconductor connecting substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP1447843A3. Автор: Yoshio Ando,Taku Hatano,Shoji Kigoshi,Yukitsuna Konishi,Yasushi Sawamura. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2004-12-01.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Layout method and layout apparatus for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090093099A1. Автор: Naohiro Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: EP4285128A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US5805605A. Автор: Myung-Ho Bae,Cheol-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-08.

Package for semiconductor

Номер патента: US20240347434A1. Автор: Young Ho Kim,Jong Heon Kim,Bo Mi Lee,Yun Mook PARK,Hyung Jin Shin,Young Mo Lee,Kyu Shik KIM. Владелец: Nepes Laweh Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Smart window for semiconductor processing tool

Номер патента: US09612207B2. Автор: Xinxin He,Cameron Paul Simoes. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12142553B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Connection board, and multi-layer wiring board, substrate for semiconductor package and semiconductor package using connection board, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008141A1. Автор: Fumio Inoue,Shigeharu Arike,Akishi Nakaso,Tetsuya Enomoto,Norio Moriike,Hidehiro Nakamura,Kousuke Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Mounting devices for semiconductor packages

Номер патента: US20200286810A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Torbjorn Hallberg,Jose Antonio Castillo. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12074121B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20130062790A1. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US20180286804A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim,Jia Yan Go. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20090281225A1. Автор: Toshimichi Suzuki,Mitsuaki Fusumada,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Remote access gateway for semiconductor processing equipment

Номер патента: WO2010048379A2. Автор: Ronald Vern Schauer. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Quartz member for semiconductor manufacturing equipment and method for metal analysis in quartz member

Номер патента: EP1261761A1. Автор: Yoshinori Tokyo Electron Limited MARUMO,Kaname Tokyo Electron Limited SUZUKI,Teruyuki Tokyo Electron Limited HAYASHI,Takashi Tokyo Electron Tohoku Limited TANAHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20110272828A1. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Single-Source Precursor for Semiconductor Nanocrystals

Номер патента: US20130082216A1. Автор: Narendra Kumar,Manzoor Koyakutty,Aditya Verma,Sampat Raj Vedera,Thundyil Raman Narayana Kutty. Владелец: Director General Defence Research & Development Organisation. Дата публикации: 2013-04-04.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US8421249B2. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor testing

Номер патента: US09963622B2. Автор: Gosuke Nakajima,Tomoya TSUKUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Adhesive composition for semiconductor and adhesive film including the same

Номер патента: US09957425B2. Автор: Jun Woo Lee,Sung Min Kim,Jae Won Choi,In Hwan Kim,Su Mi Lim,Baek Soung Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US09340700B2. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for semiconductor self-aligned patterning

Номер патента: US09318412B2. Автор: An Hsiung Liu,Ya Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Phase module for semiconductor power converter

Номер патента: RU2701870C1. Автор: Штефан БОЙГК,Юрген БЕМЕР,Рюдигер КЛЕФФЕЛЬ,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2019-10-02.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Housing for semiconductor microwave device

Номер патента: RU2579544C1. Автор: Леонид Викторович Ляпин,Михаил Владимирович Лебедев,Светлана Сергеевна Белышева,Ирина Куртовна Немогай,Сергей Степанович Семенюк,Татьяна Семеновна Суслова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: US11798827B2. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella,Kara L. Sherman. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: EP4323782A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US11581451B2. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-14.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: WO2022260912A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-12-15.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: WO2022235493A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: US20220390505A1. Автор: David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella,John Charles Robinson. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9991221B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Test fixture for semiconductor packages and test method of using the same

Номер патента: US20030190826A1. Автор: Huan-Ping Su,Soon-Aik Lu. Владелец: UTAC Taiwan Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Process for production of epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device

Номер патента: MY131999A. Автор: Kazuo Noda,Kenji Takayama,Noriyuki Takasaki. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2007-09-28.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection, adhesive film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package using the same

Номер патента: US20210292618A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20210305037A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20200258733A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20180025897A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W SCHUELER,Bruce H NEWCOME. Владелец: Revera Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20190385831A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20180330935A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20240087869A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006112048A1. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1864097A1. Автор: Takashi c/0 Intellectual Property Division INUKAI,Yukihiro c/0 Intellectual Property Division URAKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290743A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US20230245934A1. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060114052A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20190173215A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US10224655B2. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Voltage-sustaining layer for semiconductors

Номер патента: US20230108349A1. Автор: Haimeng HUANG,Xinghao TONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-04-06.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US12094790B2. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09859356B2. Автор: Tung-Hsing Lee,Ming-Da Tsai,Cheng-Chou Hung,Tao-Yi Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Systems and methods for semiconductor line scribe line centering

Номер патента: US09514999B2. Автор: Erik L. Hedberg,Aurelius L. GRANINGER,Kevin K. Dezfulian,Jeanne P. Bickford,Troy J. Perry. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09431065B2. Автор: Mutsuo Nishikawa,Kazuhiro Matsunami,Yuko Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing

Номер патента: US20030008139A1. Автор: Kazuyoshi Ebe,Koichi Nagamoto. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Hermetically tight glass-metal housing for semiconductor components and method for producing same

Номер патента: US4940855A. Автор: Ewald Schmidt,Guenther Waitl,Rolf Birkmann. Владелец: Electrovac AG. Дата публикации: 1990-07-10.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6720214B2. Автор: Yoshiteru Ono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal wiring construction for suppressing clock skew

Номер патента: US5532500A. Автор: Hitoshi Okamura,Shin-ichi Ohkawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: EP4322715A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Management system, method, and computer program for semiconductor fabrication apparatus

Номер патента: SG11201910106XA. Автор: Takahiro Matsuda,Tsutomu Shinohara,Ryutaro TANNO. Владелец: Fujikin Kk. Дата публикации: 2019-11-28.

Packages and Packaging Methods for Semiconductor Devices, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20180337163A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Resin composition for bonding semiconductors, adhesive film for semiconductor using the same, dicing die bonding film, and method for dicing semiconductor wafer

Номер патента: US11879075B2. Автор: Byung Ju Choi,Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Wanjung KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20190371719A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20230260884A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Resin composition for bonding semiconductors, adhesive film for semiconductor using the same, dicing die bonding film, and method for dicing semiconductor wafer

Номер патента: US20210009867A1. Автор: Byung Ju Choi,Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Wanjung KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20110021665A1. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US8124695B2. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: MY158651A. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-31.

Wide trench termination structure for semiconductor device

Номер патента: US20130249043A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-09-26.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US20240055341A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor

Номер патента: US20190078002A1. Автор: Saori Ueda,Yasuyuki Yamada. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor

Номер патента: US20190088573A1. Автор: Saori Ueda,Yasuyuki Yamada. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Epoxy resin composition for semiconductor device encapsulating film, semiconductor device encapsulating film and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20210363379A1. Автор: Seung Woo Hong,Jin Min Cheon,Young Joon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Test handler for semiconductor device

Номер патента: WO2008054186A1. Автор: Hong-Jun You,Won-Jin Jang,Woon-Joung Yoon. Владелец: Jt Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8000923B2. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Sputter source for semiconductor process chambers

Номер патента: US09620339B2. Автор: Prashanth Kothnur,Tza-Jing Gung,Anantha K. Subramani,Hanbing Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Gain medium structure for semiconductor optical amplifier with high saturation power

Номер патента: EP4016764A1. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Removable showerhead faceplate for semiconductor processing tools

Номер патента: US20230279547A1. Автор: Eric H. Lenz,Bin Luo,Manjesh SHANKARNARAYANA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9274583B2. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110153241A1. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitusmi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Etcher for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20030111179A1. Автор: Sung-Hui Huang,Mon-Long Fang,Jeng-Yin Lin,Ting-Wang Chou,Chi-How Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Connect structure for semiconductor processing equipment

Номер патента: US12040163B2. Автор: Hung-Chih Wang,Sheng-Yuan Lin,Ming-Sze CHEN,Yuan-Hsin CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Local skew detecting circuit for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090015307A1. Автор: Hong-Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8248169B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200287531A1. Автор: Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Noise absorbing circuit suitable for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US5151615A. Автор: Noboru Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-29.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Protection circuit for semiconductor switching element and power conversion device

Номер патента: RU2641479C2. Автор: Хироми САКО. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-17.

Method for generating control pulses with low jitter level for semiconductor switching devices

Номер патента: RU2752761C1. Автор: Михаил Викторович Моисеев,Андрей Сергеевич Руцкой,Виктор Петрович Зыков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАРАМЕРУС". Дата публикации: 2021-08-02.

Driving device for semiconductor elements

Номер патента: US20180175849A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US8373587B2. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120223737A1. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Protection device for lines in a projection printing installation for semiconductor lithography

Номер патента: US12038695B2. Автор: Tobias Hegele. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8299815B2. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US20110304359A1. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: WO2020055731A1. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20120230105A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Masato Oda,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Apparatus for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7920007B2. Автор: Chang Ki Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279082A1. Автор: Isao Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10496569B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090160544A1. Автор: Kenichi Osada,Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit, display device provided with same, and control method

Номер патента: US20170127011A1. Автор: Masahiro Takeuchi,Takashi Akiyama,Yoshinori Okajima,Masaki Toyokura,Masayuki Taniyama. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated device, and method of designing the same

Номер патента: US20020079929A1. Автор: Kazuo Aoki,Chizuru Inoshita,Toshinori Inoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09966936B2. Автор: Min-Su Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit, image transmission apparatus and image transmission system

Номер патента: US09900604B2. Автор: Keiri NAKANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit, variable gain amplifier, and sensing system

Номер патента: US09831842B2. Автор: Masahide Kiritani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09665448B2. Автор: Koichi Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US09602384B2. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09584106B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US09531977B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi,Fumihiko Tachibana,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit mountable on recording device and method of operating the same

Номер патента: US09501879B2. Автор: Yutaka Funabashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuit-switching current and mode of operation for semiconductor power switch

Номер патента: RU2576578C2. Автор: Свен ГЕДИГА,Карстен ХАНДТ,Райнер ЗОММЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-03-10.

Method and device of testing a semiconductor integrated circuit chip in which a voltage across the semiconductor integrated circuit chip is detected while an ultrasonic wave beam is projected thereon

Номер патента: US6084423A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US8792533B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor integrated circuit and an operating method thereof, a timing verifying method for a semiconductor integrated circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140132334A1. Автор: Hyoun Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Buffer device for semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20040218449A1. Автор: Jian Zhang,Hong Wong,Wee How. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160203859A1. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for producing copolymer for semiconductor lithography containing reduced amount of metal impurities, and method for purifying polymerization initiator for production of copolymer

Номер патента: US09546133B2. Автор: Youji Suzuki. Владелец: Maruzen Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Ni-BASED CORROSION-RESISTANT ALLOY POWDER FOR ADDITIVE MANUFACTURING, AND METHOD FOR PRODUCING ADDITIVE MANUFACTURING PRODUCT OR MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICES USING THE POWDER

Номер патента: US20200206816A1. Автор: Katsuo Sugahara,Yuzo Daigo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240175126A1. Автор: Shu-Kwan LAU,Mukhles SOWWAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Treatment device for semiconductor manufacturing exhaust gas

Номер патента: US20240082782A1. Автор: Hiroshi Imamura. Владелец: Kanken Techno Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024118117A1. Автор: Shu-Kwan LAU,Mukhles SOWWAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor integrated circuit simulation apparatus and simulation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120245915A1. Автор: Atsushi Kageshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US20100199248A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of wiring semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5872719A. Автор: Yoshiaki Miyazaki,Naoki Kato,Katsuyoshi Suzuki,Hiromitsu Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-16.

Fuse circuit for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6838926B2. Автор: Eun-Han Kim,Chang-Whan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-04.

Functional verification system for semiconductor integrated circuit, and functional verification method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130031520A1. Автор: Yoji Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20230047762A1. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Calibration unit for semiconductor integrated circuit tester

Номер патента: US6329811B1. Автор: Jeffrey S. McMullin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Test circuit for semiconductor integrated logic circuit using tristate buffers allowing control circuit for tristate to be tested

Номер патента: US6028443A. Автор: Hideharu Ozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Test socket assemblies cooled with gaseous fluid for semiconductor integrated circuits

Номер патента: WO2024035675A1. Автор: Jiachun Zhou,Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner,Siang Huei SOH. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Real-time remote control system for semiconductor automation equipment

Номер патента: US09785265B2. Автор: Gi Beom Park,Myoung Soo Yu. Владелец: Baron System Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Machine learning based automatic routing method and apparatus for semiconductor equipment

Номер патента: US20220398371A1. Автор: Tae Hwa LIM. Владелец: Rc Tech Co ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Unified material-to-systems simulation and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: WO2021158296A1. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Unified material-to-systems simulation, design, and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: US11763052B2. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Multi-die interface for semiconductor testing and method of manufacturing same

Номер патента: US09933479B2. Автор: Hai Dau,Christine BUI,Lim Hooi Weng,Kothandan Shanmugam. Владелец: Spire Manufacturing Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Projection exposure apparatus for semiconductor lithography

Номер патента: US20210080841A1. Автор: Stefan Xalter,Bernhard Gellrich,Jens Kugler,Stefan Hembacher,Mark Feygin. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-03-18.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Redundancy managing method and apparatus for semiconductor memories

Номер патента: US12046319B2. Автор: Jong Sun Park,Kwan Ho BAE,Jun Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Projection exposure apparatus for semiconductor lithography

Номер патента: WO2021052940A1. Автор: Stefan Xalter,Bernhard Gellrich,Jens Kugler,Stefan Hembacher,Mark Feygin. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-03-25.

Device and method for measuring substrates for semiconductor lithography

Номер патента: WO2021099242A1. Автор: Ulrich Matejka,Dirk Seidel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-05-27.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Aluminum member for semiconductor manufacturing apparatuses, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240287700A1. Автор: Junji Nunomura. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems, apparatus, and methods for monitoring plate temperature for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240337537A1. Автор: TAO Sheng,Ashur J. Atanos,Zhepeng Cong,NIMROD SMITH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems, apparatus, and methods for monitoring plate temperature for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024215376A1. Автор: TAO Sheng,Ashur J. Atanos,Zhepeng Cong,NIMROD SMITH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of and apparatus for placing and routing elements of semiconductor integrated circuit having reduced delay time

Номер патента: US5917729A. Автор: Masayuki Naganuma,Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor integrated circuit operable and programmable at multiple voltage levels

Номер патента: US5615151A. Автор: Yasuhiro Nakamura,Takeshi Furuno,Akinori Matsuo. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Designing and operating of semiconductor integrated circuit by taking into account process variation

Номер патента: US20070226660A1. Автор: Toshio Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US20040240289A1. Автор: Kenichiro Sugio. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US20050162968A1. Автор: Kenichiro Sugio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Plate assemblies, process kits, and processing chambers for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240254624A1. Автор: Ala Moradian,Manjunath Subbanna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Plate assemblies, process kits, and processing chambers for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024158601A1. Автор: Ala Moradian,Manjunath Subbanna. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US6577543B2. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Gas injector used for semiconductor equipment

Номер патента: US10731253B2. Автор: Tsan-Hua Huang,Chia-Ying Lin,Kian-Poh Wong. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Physical verification workflow for semiconductor circuit designs

Номер патента: EP4217819A1. Автор: Nikolay GRUDANOV,Valery BOBOVSKY,Igor LOPANENKO,Yuri LEVSKY,Alexander GRUDANOV. Владелец: Silvaco Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020118290A1. Автор: Norimitsu Baba,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090083712A1. Автор: Shuichi Kunie,Hiroki Machimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Method for measuring photomasks for semiconductor lithography

Номер патента: US20240280912A1. Автор: Carsten Schmidt,Susanne Toepfer,Steffen Steinert. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090228752A1. Автор: Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US20020008555A1. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Gas injector used for semiconductor equipment

Номер патента: US20180202044A1. Автор: Tsan-Hua Huang,Chia-Ying Lin,Kian-Poh Wong. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit for generating row main signal and controlling method thereof

Номер патента: US20090316504A1. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Power supply semiconductor integrated circuit and power supply device

Номер патента: US20240302854A1. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for maintaining a projection exposure apparatus, service module and arrangement for semiconductor lithography

Номер патента: EP4154063A1. Автор: Jens Kugler,Marwene Nefzi,Dirk Ehm,Benjahman Julius Modeste. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Standard cell library, method of using the same, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09830415B2. Автор: Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09557379B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit with data latch control

Номер патента: US09502084B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455022B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Optical system for semiconductor lithography

Номер патента: US09383544B2. Автор: Frank Melzer,Damian Fiolka,Stefan Xalter,Yim-Bun Patrick Kwan. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor integrated circuit and DMA control method of the same

Номер патента: US09323700B2. Автор: Masatoshi Tanabata. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4980890A. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tadashi Saitoh,Takayoshi Taniai. Владелец: Fujitsu Microcomputer Systems Ltd. Дата публикации: 1990-12-25.

Semiconductor integrated circuit for generating an internal power source voltage with reduced potential changes

Номер патента: US5592421A. Автор: Tetsuya Kaneko,Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030007409A1. Автор: Hitoshi Ishikuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Deterioration detecting system and method for semiconductor process kits

Номер патента: US20220034814A1. Автор: Feng-Min Shen,Chyuan-Ruey LIN,Hung-Chia SU. Владелец: Top Technology Platform Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040013015A1. Автор: Akinori Shibayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor integrated circuit and operating method

Номер патента: US20020041529A1. Автор: Keisuke Fujiwara,Sachiko Edo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of correcting layout for semiconductor process using machine learning, method of manufacturing semiconductor device using the same, and layout correction system performing the same

Номер патента: US20240143886A1. Автор: Jungmin Kim,Kyeonghwan Kang,Hungbae AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit and design method thereof

Номер патента: US20170293583A1. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070247962A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit having different operation modes and design method thereof

Номер патента: US10331602B2. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030031075A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Номер патента: US20210292616A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Номер патента: US11993731B2. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6490219B2. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020051400A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of semiconductor integrated circuit, circuit design system, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US20210019462A1. Автор: Shintaro Fujiwara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit and data read method

Номер патента: US8605505B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of treating quartz equipment for semiconductor production

Номер патента: RU2386188C1. Автор: Лидия Федоровна Морозова,Наталья Владимировна Снегирева,Елена Борисовна Двойникова,Эллеонора Николаевна Лисина,Алла Александровна Карасева,Юрий Иванович Гринев,Наталья Тимофеевна Гордеева. Владелец: Наталья Тимофеевна Гордеева. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Pressurized air-chamber testing device for semiconductor elements and a method thereof

Номер патента: MY151795A. Автор: Moey Huey Chyan. Владелец: Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-07-14.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Substrate heating device for semiconductor structure manufacturing plant

Номер патента: RU2468468C2. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков,Сергей Петрович Светлов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2012-11-27.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Apparatus for carrying plural printed circuit boards for semiconductor module

Номер патента: IE980193A1. Автор: Kwang Su Yu,Chan Han Seong,Chun Lee Dong,O Kyun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-22.

Fluid cooling system for semiconductor devices

Номер патента: RU2548239C1. Автор: Алексей Павлович Левцев,Андрей Николаевич Макеев,Сергей Николаевич Макеев,Сергей Иванович Храмов,Ярослав Александрович Нарватов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственынй университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.