Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

磁阻效应元件

Номер патента: CN107408625B
Опубликовано: 08-09-2020
Автор(ы): 佐佐木智生
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US12096699B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetization rotational element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20240130247A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10580974B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Magnetoresistive effect element containing two non-magnetic layers with different crystal structures

Номер патента: US20230009284A1. Автор: Seiji Mitani,Katsuyuki Nakada,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210193913A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetoresistance effect element including a crystallized co heusler alloy layer

Номер патента: US11621392B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220013140A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210151667A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillation element

Номер патента: US20190006074A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillation element

Номер патента: US20190392972A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Toru Iwabuchi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-19.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A3. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043682A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element, magnetic recording element, and high-frequency device

Номер патента: US20240112695A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20220238136A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043226A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220006007A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetoresistance effect element containing Heusler alloy with additive element

Номер патента: US11967348B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetoresistance effect element and Heusler alloy

Номер патента: US11769523B2. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20240062777A1. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US9853207B2. Автор: Kazumasa Nishimura,Takuya Seino,Toshikazu IRISAWA,Saki Shibuichi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10446740B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190378974A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230225222A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200035913A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11871681B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180026181A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210328136A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190221735A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09966922B2. Автор: Tetsuya Shibata,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US09583123B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4435807A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240266099A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240339255A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12040115B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetoresistance effect element and method of producing the same

Номер патента: US20080081219A1. Автор: Mitsuru Otagiri,Kouji Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210020216A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230292625A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

In-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230168319A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230144429A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US10614866B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US20190108865A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Magneto-resistance effect element provided with current limiting layer including magnetic material

Номер патента: US20090303640A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa,Tomohito Mizuno,Takahiko Machita,Tsuyoshi Ichiki,Toshiyuki AYUKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head

Номер патента: US5726837A. Автор: Mikio Suzuki,Toshio Kobayashi,Naoki Koyama,Masaaki Futamoto,Noboru Shimizu,Yoshibumi Matsuda,Kazuo Shiiki,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,Isamu Yuito,Hisashi Takano,Ryoichi Nakatani,Eijin Moriwaki,Fumio Kugiya,Yoshinori Miyamura,Kyo Akagi,Takeshi Nakao,Hirotsugu Fukuoka,Takayuki Munemoto,Tokuho Takagaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-10.

Tunneling junction magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110141606A1. Автор: Tatsumi Hirano,Koichi Nishioka,Koji Sakamoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-06-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5738929A. Автор: Atsushi Maeda,Satoru Oikawa,Minoru Kume. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5716719A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Spin current magnetization reversal-type magnetoresistive effect element and method for producing spin current magnetization reversal-type magnetoresistive effect element

Номер патента: US20180351084A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Tunneling junction magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8284526B2. Автор: Tatsumi Hirano,Koichi Nishioka,Koji Sakamoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-10-09.

Magnetoresistance effect film and method of forming same

Номер патента: US6808740B2. Автор: Masaharu Oshima,Hiroyuki Akinaga,Masaki Mizuguchi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-10-26.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200035911A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-30.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180351082A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, magnetization reversal method, and spin current magnetization reversal element

Номер патента: CN108292702B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-28.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN108292703B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: EP3382767A4. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20210184106A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, magnetization reversal method, and spin current magnetization reversal element

Номер патента: WO2017090733A1. Автор: 智生 佐々木. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190157546A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200152862A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20170170392A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-06-15.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200161539A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: EP3279959A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

Ferromagnetic tunnel junction, magnetoresistive effect element and spintronics device in which said ferromagnetic tunnel junction is used, and method of manufacturing ferromagnetic tunnel junction

Номер патента: EP3413363A4. Автор: Seiji Mitani,Kouichiro Inomata,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2019-11-13.

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGENTIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20200328344A1. Автор: SAITO Masamichi,KOIKE Fumihito. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Ferromagnetic multilayer film, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing ferromagnetic multilayer film

Номер патента: US10884078B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing tunnel magnetoresistive effect element and sputtering apparatus

Номер патента: US20160276583A1. Автор: Yuichi Otani,Takuya Seino. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658B1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Magnetoresistive effect element having magnetoresistive layer and underlying metal layer

Номер патента: KR100220106B1. Автор: 가즈히코 하야시,마사후미 나카다,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,준-이찌 후지카타. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-09-01.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US10971293B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190206602A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US11521776B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Magnetoresistance effect element magnetic memory element magnetic memory device, and their manufacturing method

Номер патента: EP1580821A2. Автор: Kazuhiro c/o Sony Corporation OHBA,Kazuhiko c/o Sony Corporation Hayashi,Hiroshi C/O Sony Corporation Kano,Kazuhiro c/o SONY CORPORATION BESSHO,Tetsuya c/o Sony Corporation MIZUGUCHI,Yutaka c/o Sony Corporation HIGO,Masanori c/o Sony Corporation HOSOMI,Tetsuya C/O Sony Corporation Yamamoto,Hiroaki C/O Sony Corporation Narisawa,Takeyuki c/o Sony Corporation SONE,Keitaro c/o Sony Corporation ENDO,Shinya c/o Sony Corporation KUBO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-28.

Tunnel magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190333819A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATION ELEMENT

Номер патента: US20190006074A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATION ELEMENT

Номер патента: US20190392972A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory element, magnetic memory device, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2003036734A1. Автор: 和彦 林,政功 細見,博司 鹿野,豊 肥後,和宏 別所,哲也 山元,浩亮 成沢,和博 大場,徹也 水口,威之 曽根,敬太郎 遠藤,真也 窪,大場　和博,曽根　威之,林　和彦,細見　政功,別所　和宏,肥後　豊,水口　徹也,鹿野　博司,山元　哲也,成沢　浩亮,遠藤　敬太郎,窪　真也. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same

Номер патента: US5841611A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yousuke N Irie. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

STACKED STRUCTURE, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20190094315A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-28.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180108834A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-04-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210193913A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-24.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190333819A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20080006860A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-01-10.

Magnetoresistive effect element, a magnetic head, and a magnetic reproducing apparatus therewith

Номер патента: US7221547B2. Автор: Masashige Sato,Kazuo Kobayashi,Hitoshi Kanai,Hideyuki Kikuchi,Yiqun Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US10871528B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200006642A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210028355A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-28.

STACKED STRUCTURE, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20210165058A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220278272A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190148627A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190221735A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190378974A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-12.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100989792B1. Автор: 호소미마사노리,오바가즈히로,베스호가즈히로,가노히로시,미즈구치데츠야,야마모토데츠야. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-10-29.

Magnetoresistive effect element with nonmagnetic spacer layer including an aluminum alloy

Номер патента: US10937451B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus

Номер патента: US20070188945A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, and magnetic disk apparatus

Номер патента: US8917485B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji,Yoshinari Kurosaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190304491A1. Автор: Degawa Naomichi,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

Tunnel magnetoresistance effect device, and a portable personal device

Номер патента: US20080144233A1. Автор: Yoshiaki Saito,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Tunnel magnetoresistance effect device, and a portable personal device

Номер патента: US7692902B2. Автор: Yoshiaki Saito,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Magnetoresistance effect device and magnetic head, memory and amplification device provided therewith

Номер патента: DE69533636T2. Автор: Hiroshi Tsuzuki-gun Sakakima,Yousuke Kadoma-shi Irie,Mitsuo Katano-Shi Satomi,Yasuhiro Ogura-cho Kawawake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Magnetoresistance effect device, magnetic head, magnetic recording system, and magnetic random access memory

Номер патента: KR100841280B1. Автор: 유타카 시미즈,아라타 조고. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-06-25.

Magnetoresistance effect device, magnetic head, magnetic recording system, and magnetic random access memory

Номер патента: CN101047228A. Автор: 清水丰,城后新. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230386511A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetoresistive effect element and crystallization method of ferromagnetic layer

Номер патента: US20210265562A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180068680A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Magnetoresistive effect element, thin-film magnetic head with magnetoresistive effect read head element, and magnetic disk drive apparatus with thin-film magnetic head

Номер патента: US20100177447A1. Автор: Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL-TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL-TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220006006A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-01-06.

Spin-orbit torque type magnetization rotational element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210151665A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, magnetoresistive effect element manufacturing method, and magnetoresistive effect element manufacturing apparatus

Номер патента: JPWO2015045212A1. Автор: 正人 品田,太一 廣見. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, magnetoresistive effect element manufacturing method, and magnetoresistive effect element manufacturing apparatus

Номер патента: JP6068662B2. Автор: 正人 品田,太一 廣見. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: DE69233139T2. Автор: Yoshiaki 1-1 Shibaura 1-chome Saito,Koichiro 1-1 Shibaura 1-chome Inomata,Reiko 1-1 Shibaura 1-chome Kondoh,Yuichi 1-1 Shibaura 1-chome Ohsawa,Susumu 1-1 Shibaura 1-chome Hashimoto,Hitoshi 1-1 Shibaura 1-chome Iwasaki,Junichi 1-1 Shibaura 1-chome Akiyama,Toshihiko 1-1 Shibaura 1-chome Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3575672B2. Автор: 潤一 藤方,正文 中田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: US20030062981A1. Автор: Masanori Hosomi,Eiji Makino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658B1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Magnetoresistive effect element having magnetoresistance layer and lower metal layer

Номер патента: KR970060078A. Автор: 가즈히코 하야시,마사후미 나카다,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,준-이찌 후지카타. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-08-12.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200278403A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor element, magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200098979A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSING ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC DEVICE

Номер патента: US20190074043A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,YOSHINARI Jiro,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200160900A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200278403A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20180308535A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180350417A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: KR100361245B1. Автор: 사카키마히로시,히로타에이찌,가와와케야스히로,사토미미츠오,스기타야스나리. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-01-24.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus

Номер патента: WO2001099206A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Yasunari Sugita. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-12-27.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: US20020006529A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems

Номер патента: US20040257186A1. Автор: Kazuo Shiiki,Hideo Kaiju. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-12-23.

FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM

Номер патента: US20200191887A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetic thin film and magnetoresistance effect element

Номер патента: US20080180860A1. Автор: Migaku Takahashi,Masakiyo Tsunoda,Kojiro Komagaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Spin current magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US10374151B2. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Ferromagnetic multilayer film, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing ferromagnetic multilayer film

Номер патента: CN109196675B. Автор: 佐佐木智生,田中美知. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100912154B1. Автор: 히또시 이와사끼,히로미 유아사,히데아끼 후꾸자와,요시히꼬 후지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-08-14.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic head assembly and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: JP2014157649A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Shuichi Murakami,仁志 岩崎,Susumu Hashimoto,進 橋本,雅幸 高岸,修一 村上,洋介 礒脇,直基 長谷,Naoki Hase,Yosuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Magnetoresistive effect element with an oscillation layer

Номер патента: US9112140B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Naoki Hase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7463456B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: WO2003085750A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-10-16.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210020216A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180026181A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-01-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20200027476A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200035913A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-30.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200057122A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

SPIN CURRENT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190067563A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,IWABUCHI Toru. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC DEVICE

Номер патента: US20190108865A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,YOSHINARI Jiro,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-04-11.

FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM

Номер патента: US20190154767A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20200388302A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20070202249A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US7700982B2. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US7897201B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: EP0624868B1. Автор: Hidefumi Nec Corporation Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-22.

Magnetoresistive effect element, a magnetic head, and a magnetic reproducing apparatus therewith

Номер патента: US20040070889A1. Автор: Masashige Sato,Kazuo Kobayashi,Hitoshi Kanai,Hideyuki Kikuchi,Yiqun Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100922247B1. Автор: 히또시 이와사끼,히로미 유아사,히데아끼 후꾸자와,요시히꼬 후지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-10-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: KR100196581B1. Автор: 가즈히꼬 하야시,히데후미 야마모또,구니히꼬 이시하라,준이찌 후지까타. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3198265B2. Автор: 直也 長谷川,彰宏 牧野,英治 梅津. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: EP1494295B1. Автор: Masanori Sony Corporation HOSOMI,Tetsuya Sony Corporation MIZUGUCHI,Kazuhiro Sony Corporation OHBA,Kazuhiro Sony Corporation Bessho,Tetsuya Sony Corporation YAMAMOTO,Hiroshi Sony Corporation KANO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN110660907B. Автор: 佐佐木智生,市川心人,中田胜之. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Ferromagnetic tunnel junction and magnetoresistive effect element using the same

Номер патента: JPWO2010134435A1. Автор: 浩一郎 猪俣,裕章 介川,猪俣　浩一郎,ワン ウェンホン. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-11-08.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7218483B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040262654A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Magnetic thin film and magnetoresistance effect element

Номер патента: CN101252037A. Автор: 高桥研,角田匡清,驹垣幸次郎. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2008-08-27.

CPP structure magnetoresistive effect element and head slider

Номер патента: JPWO2004088763A1. Автор: 弘敬 大島. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Ferromagnetic multilayer film, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing ferromagnetic multilayer film

Номер патента: WO2018159624A1. Автор: 智生 佐々木,田中　美知. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2018-09-07.

CPP type magnetoresistive effect element and magnetic disk drive

Номер патента: JP4400681B2. Автор: 幸司 島沢,芳弘 土屋,勤 長. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-01-20.

Exchange coupled film, and magnetoresistance effect element and magnetism detection device using same

Номер патента: WO2018030224A1. Автор: 文人 小池,正路 齋藤,広明 遠藤. Владелец: アルプス電気株式会社. Дата публикации: 2018-02-15.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20050162905A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190178956A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0498344B2. Автор: Hiroshi Sakakima,Toshio Takada,Mitsuo Satomi,Teruya Shinjo. Владелец: Zaidan Hojin Seisan Kaihatsu Kenkyusho. Дата публикации: 1999-07-07.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic storage device and magnetic memory

Номер патента: KR100890323B1. Автор: 아라따 조고,히로따까 오시마,게이이찌 나가사까. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-03-26.

CPP structure magnetoresistive effect element and head slider

Номер патента: JP4316508B2. Автор: 弘敬 大島. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Multilayer which shows magnetoresistive effect and magnetoresistive element using the same

Номер патента: EP0490327B1. Автор: Yuzuru Hosoe,Masahiro Kitada,Ryoichi Nakatani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-12-28.

Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US20020167766A1. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

A magnetoresistive effect film

Номер патента: KR100273828B1. Автор: 후지카타쥰이치,하야시가즈히코,야마모토히데후미,이시하라구니히코. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-12-15.

Magnetic element, magnetic memory device, magnetoresistance effect head, and magnetic storage system

Номер патента: US6365286B1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Shinichi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Operating method for a magnetic field sensor based on the tunnel magnetoresistance effect and associated arrangement for carrying out this method

Номер патента: DE102007009175B4. Автор: Manfred Dr. Rührig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-02-12.

Magnetoresistive effect thin film and its manufacturing method

Номер патента: KR960011854A. Автор: 가즈히코 하야시,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,쥰이치 후지카다. Владелец: 닛폰 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-04-20.

Magnetoresistance effect film and device

Номер патента: US6781800B2. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-24.

Magnetoresistive effect multilayer film

Номер патента: JPH10117025A. Автор: Shigeo Fujii,Shin Noguchi,重男 藤井,Noriaki Nakayama,伸 野口,則昭 中山. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1998-05-06.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH1098220A. Автор: Atsushi Maeda,篤志 前田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100304770B1. Автор: 마사후미 나까다,준이찌 후지까따. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-11-02.

Magnetoresistance effect film and device

Номер патента: US20030169543A1. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: Masafumi Nakada. Дата публикации: 2003-09-11.

Magnetoresistance effect device, and method for producing the same

Номер патента: EP1134815A3. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-31.

Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element

Номер патента: US09558767B2. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-01-31.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190074433A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Shoji Ikeda,Kenchi Ito,Masaaki Niwa,Tetsuo Endoh,Kyota Watanabe,Mathias BERSWEILER. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200052194A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210305498A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20120068285A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Yutaka Hashimoto,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Taro Nagahama,Masaru Tokou,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190363244A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210028354A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US20220077387A1. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230025589A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording array

Номер патента: US20210249590A1. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

In-plane magnetized film, in-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, magnetoresistance effect element, and sputtering target

Номер патента: US20230187109A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetoresistance effect element and method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect sensor, magnetoresistance detection system and magnetic storage system using this magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3114683B2. Автор: 一彦 林. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12048251B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetoresistance effect multilayer film, magnetoresistance effect element, and method of manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3514863B2. Автор: 輝也 新庄,悟 荒木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-03-31.

Magnetoresistive effect device with first and second magnetoresistive effect elements having opposite current flows relative to the ordering of the layers of the elements

Номер патента: US10074688B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US11776604B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US20220343959A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US09653677B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Magnetic multilayered film, magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US5958611A. Автор: Satoru Araki,Kiyoshi Noguchi,Masashi Sano,Taro Oike,Manabu Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method for manufacturing exchange coupling film, method for manufacturing magnetoresistive effect element using exchange coupling film, and method for manufacturing thin film magnetic head using magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3694440B2. Автор: 直也 長谷川,洋介 井出,正路 斎藤,健一 田中. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US12089502B2. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same

Номер патента: KR100397094B1. Автор: 가즈히꼬 하야시. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-18.

Exchange coupling membrane, magnetoresistive element using this exchange membrane and thin film magnetic head using magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100275983B1. Автор: 나오야 하세가와,아끼히로 마끼노,마사미찌 사또,가즈야 오오미나또,유따까 야마모또. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-01-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US09941468B2. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Tetsuro Anekawa,Chaoling Zhang. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: MY120928A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-30.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20230292623A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11765981B1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US11728082B2. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20210304940A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11744163B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11380841B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Magnetoresistance effect film, a method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect device

Номер патента: US5989690A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Masafumi Nakada,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10957846B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: MY132959A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: EP1122749A2. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-08.

Magnetoresistance effect film, a method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect device

Номер патента: KR100192192B1. Автор: 준이찌 후지가따,가즈히꼬 하야시,히데후미 야마모또,구니히꼬 이시하라,마사후미 나까다. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: KR100327860B1. Автор: 사카키마히로시,히로타에이찌,가와와케야스히로,사토미미츠오,스기타야스나리. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-03-09.

Stacked structure, magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillator

Номер патента: US11422211B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Magnetic thin film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same

Номер патента: JP4582488B2. Автор: 浩一郎 猪俣,展規 手束. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2010-11-17.

Layered structure having FePt system magnetic layer and magnetoresistive effect element using the same

Номер патента: US20100214696A1. Автор: Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5243316A. Автор: Hiroshi Sakakima,Toshio Takada,Mitsuo Satomi,Teruya Shinjo. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1993-09-07.

Magnetoresistive-effect element

Номер патента: US20010021089A1. Автор: Teiichi Miyauchi,Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Minoru Ikarashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: US5658658A. Автор: Hidefumi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-19.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording and reproducing device

Номер патента: JP2011228545A. Автор: Shuichi Murakami,Michiko Hara,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji,英明 福澤,裕美 湯浅,慶彦 藤,修一 村上,昭彦 竹尾,通子 原,Akihiko Takeo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: EP0624868A2. Автор: Hidefumi Nec Corporation Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

Magnetoresistance effect element, magnetic head and magnetic recording and/or reproducing system

Номер патента: US7561383B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Hiroaki Yoda,Tomohiko Nagata,Yuuzo Kamiguchi,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Method for forming magnetoresistive effect element

Номер патента: JP5706707B2. Автор: ▲丹▼ ▲赴▼,▲恵▼娟 王,民 李,承▲埼▼ 韓,敏 鄭,明輝 余. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2015-04-22.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic storage device and magnetic memory device

Номер патента: CN1921167A. Автор: 长坂惠一,大岛弘敬,城后新. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP2690623B2. Автор: 博 榊間,輝也 新庄,利夫 高田,三男 里見. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 1997-12-10.

Spin tunnel magnetoresistive effect film and element, magnetoresistive sensor using same, magnetic apparatus, and method for manufacturing same

Номер патента: US7160572B2. Автор: Junichi Fujikata,Shigeru Mori,Tsutomu Ishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof

Номер патента: US6083632A. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head

Номер патента: US5390061A. Автор: Mikio Suzuki,Toshio Kobayashi,Naoki Koyama,Masaaki Futamoto,Noboru Shimizu,Yoshibumi Matsuda,Kazuo Shiiki,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,Isamu Yuito,Hisashi Takano,Ryoichi Nakatani,Eijin Moriwaki,Fumio Kugiya,Yoshinori Miyamura,Kyo Akagi,Takeshi Nakao,Hirotsugu Fukuoka,Takayuki Munemoto,Tokuho Takagaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

Magnetoresistive effect film

Номер патента: KR980012656A. Автор: 아쯔시 마에다,사또루 오이까와. Владелец: 다까노 야스아끼. Дата публикации: 1998-04-30.

Manufacturing method of magnetoresistive effect sensor

Номер патента: US7086141B2. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tetsuro Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: KR960011855A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Magneto-resistive effect element

Номер патента: US20140293683A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Yutaka Majima,Shinya Kano,Ali Javey,Kuniharu Takei. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2014-10-02.

Variable-frequency magnetoresistive effect element and oscillator, detector, and filter using the same

Номер патента: US20180102475A1. Автор: Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240334839A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035635B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230210016A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US6937447B2. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US09689902B2. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20150221327A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20160027457A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5432661A. Автор: Yasuhiro Kawawake,Teruya Shinjo,Toshio Takada, deceased. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1995-07-11.

CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080239585A1. Автор: Satoru Okamoto,Kouji Okazaki,Masahiro Ousugi,Katsuro Watababe. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-10-02.

CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7944651B2. Автор: Satoru Okamoto,Katsuro Watanabe,Kouji Okazaki,Masahiro Ousugi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-05-17.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US11024727B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US10707335B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11927649B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Shogo YONEMURA,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Magneto-impedance effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1076243A3. Автор: Ryou c/o Alps Electric Co. Ltd Nakabayashi,Yutaka c/o Alps Electric Co. Ltd Naito,Takashi c/o Alps Electric Co. Ltd Hatanai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Method for producing magneto-resistive effect element, magnetic sensor, rotation-angle detection device

Номер патента: US09488702B2. Автор: Hiroyuki Hoshiya,Kenichi Meguro,Yasunori Abe,Keizou Katou. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element

Номер патента: KR100376028B1. Автор: 사카키마히로시,히라모토마사요시,수기타야수나리,사토미미쯔오,카와와케야수히로,마쯔카와노조무. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-15.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180068680A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-08.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: EP3279957A4. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-05.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180068681A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-08.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190221230A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200219532A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-09.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210383828A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element

Номер патента: EP1033764B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Masayoshi Hiramoto,Nozomu Matsukawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Spin-orbit torque type magnetization rotation element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and method of manufacturing spin-orbit torque type magnetization rotation element

Номер патента: US20190206603A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US11522124B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11756600B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetoresistive effect element, magnetoresistive effect type head, memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3834700B2. Автор: 博 榊間,三男 里見,雅弘 上田,信治 長町. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US10439130B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, BUILT-IN MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190180900A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect storage element

Номер патента: JP3589346B2. Автор: 望 松川,博 榊間,明弘 小田川,雅祥 平本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190131517A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190074124A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Spin current magnetization rotational element, method of manufacturing the same, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190051816A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190148629A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190074123A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Spin current magnetization rotational magnetic element, spin current magnetization rotational magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200075073A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US10644228B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200235290A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190287706A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND HIGH-FREQUENCY MAGNETIC ELEMENT

Номер патента: US20190074123A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ISHITANI Yugo,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND HIGH-FREQUENCY MAGNETIC ELEMENT

Номер патента: US20190074124A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ISHITANI Yugo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATION ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATION ELEMENT

Номер патента: US20190206603A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200136017A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,ASHIDA Takuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-30.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200235290A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-23.

Spin current magnetization rotational magnetic element, spin current magnetization rotational magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200075073A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20200083439A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190088711A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190131517A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-02.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168383A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru,SHIOKAWA Yohei,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-05-28.

Spin current magnetized rotation element, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190267540A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20190288185A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190348329A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200395533A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-12-17.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11056641B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210383851A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic apparatus

Номер патента: WO2020158323A1. Автор: 苅屋田　英嗣. Владелец: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社. Дата публикации: 2020-08-06.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190051816A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-14.

ELECTRIC-CURRENT-GENERATED MAGNETIC FIELD ASSIST TYPE SPIN-CURRENT-INDUCED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND HIGH-FREQUENCY FILTER

Номер патента: US20180123026A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200136023A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TSUMITA Atsushi,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-30.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190287706A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20190333966A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: EP0883196B1. Автор: Satoru Araki,Kiyoshi Noguchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-07-28.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect magnetic head

Номер патента: DE69825219T2. Автор: Satoru Chiba-shi Araki,Kiyoshi Saku-shi Noguchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210028354A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-28.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200052194A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190074433A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Ito Kenchi,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,BERSWEILER Mathias,WATANABE Kyota,NIWA Masaaki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-07.

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND SPUTTERING APPARATUS

Номер патента: US20160276583A1. Автор: Seino Takuya,OTANI Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetic multilayer film, magnetoresistive effect element, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3411626B2. Автор: 悟 荒木,大助 宮内,義和 成宮. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-06-03.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US6831314B2. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190036016A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180175286A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Ito Kenchi,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,BERSWEILER Mathias,WATANABE Kyota,NIWA Masaaki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RECORDING ARRAY

Номер патента: US20210249590A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-08-12.

Spin current magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190244651A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

DATA WRITING METHOD, INSPECTION METHOD, SPIN DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190333560A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190333966A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190363244A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-11-28.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8048492B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040001372A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100991674B1. Автор: 호소미마사노리,가노히로시,히고유타카,오바가주히로,소네다케유키,베소가주히로,야마모토데추야,미주구치데추야. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-11-04.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic recording/reproducing apparatus, and magnetic memory

Номер патента: CN101404320A. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: US20140024140A1. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D. DJAYAPRAWIRA. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

SPIN CURRENT ASSISTED MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200082861A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

SPIN CURRENT ASSISTED MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190147929A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

Element having magnetoresistive effect

Номер патента: EP0620572B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-15.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: EP0925585A4. Автор: Arthur V Pohm,Brenda A Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-11-24.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: WO1998010423A1. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics, Incorporated. Дата публикации: 1998-03-12.

Magnetoresistive effect device, process for fabricating the same, and magnetic head produced using the same

Номер патента: EP0814519B1. Автор: Tohru Kira,Haruhiko Deguchi,Takaya Nakabayashi,Tomohisa Komoda,Noboru Fujita,Kazuhiro Uneyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US6730949B2. Автор: Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Magnetoresistance effect sensor

Номер патента: KR100262282B1. Автор: 유조 가미구치,가즈히로 사이토,히데아키 후쿠자와,히토시 이와사키,마사시 사하시,아키코 사이토. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2000-10-02.

Negative resistance element using magnetoresistance effect

Номер патента: JP4682367B2. Автор: 章雄 福島,佳紀 永峰,大樹 前原,新治 湯浅,均 久保田,義茂 鈴木. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Spin-current assist type magnetoresistance effect device

Номер патента: WO2017208880A1. Автор: 智生 佐々木,亨 及川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: EP0925585A1. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-06-30.

Element with magnetoresistive effect, its manufacturing process and magnetic head made from it

Номер патента: DE69727261T2. Автор: Haruhiko Tenri-shi Deguchi,Takaya Ayama-gun Nakabayashi,Tomohisa Naga-gun Komoda,Tohru Tenri-shi Kira,Noboru Kashiba-shi Fujita,Kazuhiro Sendai-shi Uneyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MAGNETIC RECORDING ARRAY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210167278A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,ISHITANI Yugo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head

Номер патента: US20010036046A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head

Номер патента: US20050105221A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US11081641B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-08-03.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180123024A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200044142A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method of magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20160197268A1. Автор: Junichi Ito,Yuichi Ohsawa,Eiji Kitagawa,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ARRAY, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND WRITE METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190386207A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and manufacturing method of magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040042129A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone,Kazuhiro Beesho. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW200306677A. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co. Дата публикации: 2003-11-16.

Exchange coupling film magnetoresistance effect device magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: US6245450B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-12.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US5874886A. Автор: Satoru Araki,Daisuke Miyauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Magnetoresistance effect film, magnetoresistance effect head and solid state memory

Номер патента: EP1513167B1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US6074743A. Автор: Satoru Araki,Daisuke Miyauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: EP0917161B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: EP0917161A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-05-19.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW591813B. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US10756262B2. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US20190267542A1. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190267542A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190319183A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIC MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC NEURON ELEMENT

Номер патента: US20190035446A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230200259A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035639B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190057732A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-21.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20180337326A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-22.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210265560A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-08-26.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistive effect element, magnetic memory and oscillator

Номер патента: JP7052448B2. Автор: 陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN109545954B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US11114609B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN111129285A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平,积田淳史. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-08.

Spin current magnetization rotation element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: JP6607302B2. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-20.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN108886061B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190148629A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180159026A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200176043A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

Spin-orbit torque magnetization rotating element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190355401A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: US6221518B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-04-24.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: KR100307777B1. Автор: 사토루 아라키,기요시 노구치. Владелец: 사토 히로시. Дата публикации: 2001-10-19.

Manufacturing method of spin valve magnetoresistance effect type head and spin valve magnetoresistance effect type head manufactured by the manufacturing method

Номер патента: KR100287464B1. Автор: 히토시 까나이,껜이찌 아오시마,껜이찌로 야마다,미쓰마사 오까다,에이지 시미즈,준이찌 까네. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2001-05-02.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: US6391431B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita,Yoshihiro Tsuchiya,Masashi Sano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220077386A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090670A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

CPP-TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DISK DEVICE USING SIDE SHIELD LAYERS

Номер патента: US20140293474A1. Автор: YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi,Machita Takahiko,Ota Minoru,HAMAMOTO Kenta. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2014-10-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170222135A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Zhang Chaoling,Anekawa Tetsuro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME

Номер патента: US20140340961A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Kurosaki Yosuke,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100954507B1. Автор: 히고유타카. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-04-27.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH1041562A. Автор: 淳史 松園,Satoshi Sasaki,智 佐々木,Junji Matsuzono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-02-13.

CPP structure magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4184668B2. Автор: 恵一 長坂,厚志 田中,豊 清水,弘敬 大島,喜彦 瀬山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC MEMORY, AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2860645B1. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-27.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: CN111480240A. Автор: 盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-31.

Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: WO2008099626A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2008-08-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130094284A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140085971A1. Автор: Nagamine Makoto,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,YAMAKAWA Koji,Ikeno Daisuke,NATORI Katsuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200006640A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD, OPERATION METHOD, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180019388A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-18.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210074910A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Sato Hideo,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180083186A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090673A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Murakami Shuichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200090719A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,NISHIOKA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20150109853A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190103552A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,TANAKA Yoshitomo,Ota Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200106004A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS

Номер патента: US20140204487A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,HASE NAOKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-07-24.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20190214549A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20170324030A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,ISHIKAWA Shinya. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-09.

Tunnel magnetoresistance effect element

Номер патента: US6335081B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita,Koji Shimazawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Sputtering target, antiferromagnetic film and magnetoresistive effect element formed using the same

Номер патента: KR19990077377A. Автор: 가즈히로 사이토,히로미 후케,히토시 이와사키,마사시 사하시,다카시 야마노베,나오미 후지오카,다카시 이시가미,노부오 가츠이,다카시 와타나베. Владелец: 도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-10-25.

Magnetoresistance effect element having a nonmagnetic intermediate layer having a two-dimensional fluctuation of resistance

Номер патента: US20050128650A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Takeo Sakakubo,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US9577182B2. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Shoji Ikeda,Shinya Ishikawa,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: CN1106635C. Автор: 福泽英明,岩崎仁志,福家广美,齐藤和浩,佐桥政司,上口裕三. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-23.

Magnetic memory device with a nonmagnet between two ferromagnets of a magnetoresistive effect element

Номер патента: US10937947B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Magnetoresistance effect element, method of manufacturing the same, magnetic storage and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200522403A. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-01.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2016117664A1. Автор: 哲郎 遠藤,正二 池田,大野　英男,俊輔 深見,佐藤　英夫,松倉　文▲礼▼,慎也 石川. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2016-07-28.

Magnetoresistance effect element comprising a nano-contact portion not more than a fermi length, method of manufacturing same and magnetic head utilizing same

Номер патента: US7522389B2. Автор: Rachid Sbiaa,Isamu Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US9196823B2. Автор: Koji Ueda,Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC MEMORY, AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2860645A1. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-08.

Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same

Номер патента: US9153306B2. Автор: Hideo Ohno,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Yosuke Kurosaki,Katsuya Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-10-06.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20060203538A1. Автор: Keiji Koga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3253696B2. Автор: 仁志 岩崎,裕三 上口,厚仁 澤邊,政司 佐橋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-02-04.

Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit

Номер патента: WO2019155957A1. Автор: 哲郎 遠藤,大野　英男,俊輔 深見,アレクサンダー クレンコフ,ウィリアム アンドリュー ボーダーズ. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2019-08-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20050094322A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiroshi Tomita,Hideaki Fukuzawa,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Katsuhiko Koi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit

Номер патента: US20210119114A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Aleksandr Kurenkov,William Andrew Borders. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME

Номер патента: US20130107616A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Yamamoto Hiroyuki,Ito Kenchi,Takahashi Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130141966A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5549978A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Atsuhito Sawabe,Yuichi Ohsawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Reiko Kondoh,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: CN101409326A. Автор: 相川尚德,中山昌彦,池川纯夫,甲斐正,与田博明,岸达也,药师寺启,汤浅新治,永瀬俊彦,天野实. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Spin-valve magnetoresistance effect head, composite magnetic head comprising the same, and magnetoresistance recorded medium drive

Номер патента: EP1193692B1. Автор: Hitoshi Fujitsu Limited Kanai,Kenji Fujitsu Limited Noma,Junichi Fujitsu Limited Kane,Kenichi Fujitsu Limited AOSHIMA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-18.

Method for manufacturing magnetoresistive effect structure and method for manufacturing magnetoresistive head

Номер патента: JP4658304B2. Автор: シャオ ロンフ,ジュ トン ツォ,ミン タイ,ツワン ワン フイ,ツ ハン チン,ミン チン マオ,カン ワン ポ. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2011-03-23.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

MAGNETIC MEMORY WITH SPIN DEVICE ELEMENT EXHIBITING MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: US20160260771A1. Автор: FUKUZAWA Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: US5949707A. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: US5966322A. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Magnetoresistance effect type memory, and method and device for reproducing information from the memory

Номер патента: US6480411B1. Автор: Akio Koganei. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2002-11-12.

Magnetoresistance effect film and method for making the same

Номер патента: KR100321956B1. Автор: 마사후미 나까다,준이찌 후지까따. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-03-08.

Magnetoresistance effect device and mram

Номер патента: KR101234441B1. Автор: 나오키 와타나베,신지 야마가타,모토노부 나가이,데이비드 디 자야프비라,고지 쓰네카와,히로키 마에하라,신지 유아사. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-18.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: TW201515293A. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2015-04-16.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: TWI390780B. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2013-03-21.

Element with magnetoresistive effect

Номер патента: DE69411617T2. Автор: Hiroshi Sakakima,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-12.

Spin-valve type magnetoresistance effect device, thin film magnetic head having the same, and method of manufacturing them

Номер патента: KR100379981B1. Автор: 하세가와나오야,고이께후미히또,이데요스께. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-11.

Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus

Номер патента: US20010043448A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for forming photoresist pattern and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head

Номер патента: US20020055264A1. Автор: Noriyuki Ito,Koichi Terunuma,Satoshi Tsukiyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: JPH11120526A. Автор: Kaoru Toki,Haruo Urai,薫 土岐,治雄 浦井,啓示 大橋,Keiji Ohashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-30.

Element with magnetoresistive effect, its manufacturing process and magnetic head made from it

Номер патента: DE69727261D1. Автор: Tohru Kira,Haruhiko Deguchi,Takaya Nakabayashi,Tomohisa Komoda,Noboru Fujita,Kazuhiro Uneyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: EP2166581A3. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: EP1973178A3. Автор: Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira,Naoki c/o Canon Anelva Corporation Watanabe. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240008370A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US11793088B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11944018B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Switch element, memory element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20070037414A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Takashi Yamauchi,Yoshihiko Nakano,Junji Koga,Seiichi Suenaga,Chika Tanaka,Atsuhiro Kinoshita,Yuichi Motoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US20040169963A1. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US20030104249A1. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US20050042478A1. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180040815A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-02-08.

VARIABLE-FREQUENCY MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND OSCILLATOR, DETECTOR, AND FILTER USING THE SAME

Номер патента: US20180102475A1. Автор: SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-04-12.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190137576A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

Magnetoresistance effect device, and magnetoresistaance effect type head, memory device, and amplifying device using the same

Номер патента: US6256222B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Thin-layer structure of a magnetic field-sensitive sensor with a magnetic layer system showing an increased magnetoresistive effect

Номер патента: DE19720197C2. Автор: Hugo van den Berg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US12035638B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetoresistive-effect device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030103298A1. Автор: Kiyoshi Sato,Kenji Honda,Yoshihiko Kakihara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070013015A1. Автор: Tadashi Kai,Masahiko Nakayama,Yoshihisa Iwata,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US8750029B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Magnetoresistance effect device having crystal grain boundary and method of manufacturing the same

Номер патента: US7298644B2. Автор: Toshihiko Nagase,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Magneto-resistance effect element, thin-film magnetic head, and method for manufacturing magneto-resistance effect element

Номер патента: US20070279809A1. Автор: Kazuki Sato,Takayasu Kanaya,Takahiko Machita,Daisuke Myiauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Magneto-resistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7547934B2. Автор: Yoshiaki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Magnetoresistive effect element, magnetoresistive effect type magnetic sensor, and magnetoresistive effect type magnetic head

Номер патента: JP3849460B2. Автор: 政功 細見,淳史 松園. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT UNIT AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT DEVICE

Номер патента: US20190204396A1. Автор: Inoue Jin,Ogomi Tomokazu,Yamaguchi Yoshinori,SHIMOHATA Kenji,Imamura Tetsuji,DAIMON Takashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20160027457A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US12120890B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: DE69229322D1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Yuichi Ohsawa,Reiko Kondoh,Toshihiko Ohta,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-08.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: US5304975A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Yuichi Ohsawa,Reiko Kondoh,Susumu Hashimoto,Toshihiko Ohto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: EP0539213A1. Автор: Yoshiaki c/o Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Saito,Susumu c/o Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Hashimoto,Koichiro c/o Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Inomata,Hitoshi c/o Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Iwasaki,Reiko c/o Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Kondoh,Junichi C/O Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Akiyama,Yuichi C/O Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Ohsawa,Toshihiko C/O Int.Prop.Div. K.K. Toshiba Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-04-28.

Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device

Номер патента: US20110051295A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US10607898B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200098979A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20230354621A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210318394A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ICHIKAWA Shinto,YONEMURA Shogo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-10-14.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190279907A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20150301089A1. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0506433B2. Автор: Yoshiaki c/o Intellectual Property Div. Saito,Shino c/o Intellectual Property Div. Okuno,Koichiro C/O Intellectual Property Div. Inomata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Magnetoresistive effect element in cpp-type structure and magnetic disk device

Номер патента: US20110007421A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect element in which same is used, and magnetic detection device

Номер патента: WO2020137558A1. Автор: 文人 小池,正路 齋藤. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2020-07-02.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20210050266A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-02-18.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20220301935A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT FILM USING THE EXCHANGE COUPLING FILM, AND MAGNETIC DETECTOR USING THE EXCHANGE COUPLING FILM

Номер патента: US20200161538A1. Автор: SAITO Masamichi,Endo Hiroaki,KOIKE Fumihito. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20200194311A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200251268A1. Автор: NAKADA Katsuyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20190305214A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20180342668A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5585196A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Keiichiro Yusu,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-17.

Magnetic multilayer and magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0504473A1. Автор: Satoru C/O Tdk Corporation Araki,Kiyomi C/O Tdk Corporation Yasui,Yoshikazu C/O Tdk Corportation Narumiya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1992-09-23.

Exchange coupling film, and magnetoresistance effect element and magnetic detection device using same

Номер патента: CN113016086A. Автор: 斋藤正路,小池文人. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor

Номер патента: WO2004025745A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Hideaki Nishiwaki,Nobukazu Hayashi. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2004-03-25.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory and built-in type memory

Номер патента: CN110024149A. Автор: 佐佐木智生,唐振尧. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Exchange coupled film, and magnetoresistance effect element and magnetism detection device using same

Номер патента: WO2019064994A1. Автор: 文人 小池,正路 齋藤,広明 遠藤. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2019-04-04.

Spin-injection magnetoresistance effect element

Номер патента: US7860351B2. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: EP3511993A4. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190305215A1. Автор: Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: FR2648942A1. Автор: Gerard Creuzet,Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-12-28.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10756257B2. Автор: Naomichi Degawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: FR2648942B1. Автор: Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-08-11.

Self-pinned spin valve magnetoresistance effect film and magnetic sensor using the same, and rotation angle detection device

Номер патента: WO2010029684A1. Автор: 阿部泰典,白崎文雄,小野友樹. Владелец: 日立金属株式会社. Дата публикации: 2010-03-18.

Magnetoresistive effect transducer

Номер патента: EP0406060B1. Автор: Gerard Creuzet,Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-05-10.

Component having a magnetoresistive effect

Номер патента: FR2701167A1. Автор: Takada Toshio,Shinjo Teruya,Kawawake Yasuhiro. Владелец: Zaidan Hojin Seisan Kaihatsu Kenkyusho. Дата публикации: 1994-08-05.

Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element

Номер патента: US09589583B1. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method thereof, and position detection apparatus

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Naoki Ohta,Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US20110256642A1. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Hall-effect element with integrated offset control and method for operating hall-effect element to reduce null offset

Номер патента: CA2405149A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Mark R. Plagens,Walter T. Matzen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US8465990B2. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Magnetoresistive Effect Element Having Bias Layer With Internal Stress Controlled

Номер патента: US20080239582A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Takayasu Kanaya,Katsuki Kurihara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Magnetoresistive element, magnetoresistive effect sensor, magnetoresistive detection system and magnetoresistive system using same

Номер патента: KR19980087043A. Автор: 가즈히꼬 하야시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-12-05.

Magnetoresistance effect type read-head and method of producing the same

Номер патента: US20080186640A1. Автор: Masato Matsubara,Masanori Akie. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Magneto-resistive effect element with recessed antiferromagnetic layer

Номер патента: US09478238B1. Автор: Takayasu Kanaya,Satoshi Miura,Naomichi Degawa,Kenzo Makino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Magneto-resistive effect element with recessed antiferromagnetic layer

Номер патента: US20160293188A1. Автор: Takayasu Kanaya,Satoshi Miura,Naomichi Degawa,Kenzo Makino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistive random access memory using the same

Номер патента: CN102176510B. Автор: 吉川将寿,北川英二,甲斐正,与田博明,岸达也,永濑俊彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistive random access memory using the same

Номер патента: CN101308901A. Автор: 吉川将寿,北川英二,甲斐正,与田博明,岸达也,永濑俊彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-19.

Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, semiconductor element, magnetic recording array, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US11770978B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, semiconductor element, magnetic recording array, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230389442A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Manufacture method and manufacturing system of magnetoresistive effect element

Номер патента: TWI557959B. Автор: Masayoshi Ikeda,Kiyotaka Sakamoto,Marie Hayashi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-11-11.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Spin-orbit torque type magnetization rotational element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11925123B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US6768152B2. Автор: Yutaka Higo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070019463A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5315282A. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1994-05-24.

Magnetoresistance effect element with improved antiferromagnetic layer

Номер патента: US5552949A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Atsuhito Sawabe,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN107887502B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US7227771B2. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Magnetoresistance effect element and MRAM

Номер патента: US7936627B2. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1398790A3. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-12.

Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US8154913B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Methods of manufacturing magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: JP2014140077A. Автор: Hiroaki Honjo,弘明 本庄. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7218484B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masashi Sahashi,Susumu Hashimoto,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same

Номер патента: KR101858308B1. Автор: 히데오 오노,가쯔야 미우라,히로유끼 야마모또,쇼지 이께다,요스께 구로사끼. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2018-05-15.

Tunnel magnetoresistance effect element, and magnetic memory cell and magnetic random access memory employing same

Номер патента: WO2011096312A1. Автор: 路彦 山ノ内,宏昌 高橋. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2011-08-11.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS58166527A. Автор: Nobuyuki Hayama,信幸 羽山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-01.

Magnetic memory device employing giant magnetoresistance effect

Номер патента: US6775183B2. Автор: Carsten Heide. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2004-08-10.

Recording and reproducing device for magnetoresistance effect head

Номер патента: KR940009953A. Автор: 무네가쓰 후꾸야마,야스오 사사끼,가즈오 구리하라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Memory cell array has stacked layer magnetoresistive effect layer memory elements

Номер патента: DE19744095A1. Автор: Lothar Dr Risch,Siegfried Dipl Phys D Schwarzl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-15.

Magnetoresistive effect memory, memory array, and memory system

Номер патента: JP2023074096A. Автор: Yutaka Higo,政功 細見,豊 肥後,Masakatsu Hosomi,塁 阪井,Rui Sakai,啓三 平賀,Keizo HIRAGA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-05-29.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS62184616A. Автор: Masahiro Kitada,Yoshihisa Kamo,北田　正弘,加茂　善久. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-08-13.

Magnetoresistance effect device, read head and drive having the same

Номер патента: KR100800017B1. Автор: 나가사카게이이치,세야마요시히코,시미즈유타카,다나카아츠시,오시마히로다카. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-01-31.

Magnetoresistance effect head in which a magnetoresistance effect element and a soft magnetic film form a single magnetic circuit

Номер патента: US5894384A. Автор: Tomomi Funayama,Kohichi Tateyama,Tadahiko Kobayashi,Hiromi Sakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-13.

Magneto-resistive effect element having spacer layer including main spacer layer containing gallium oxide and nonmagnetic layer

Номер патента: US20120164484A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1209261A. Автор: Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Soda Yutaka,Suyama Hideo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-08-05.

Magnetoresistance effect type head and information reproducing device

Номер патента: US20020012208A1. Автор: Naoki Mukouyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US6721147B2. Автор: Junichi Ito,Kenji Noma,Kenichi Aoshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1182905A. Автор: Tetsuo Sekiya,Hideo Suyama,Yutaka Soda,Shigeyoshi Imakoshi,Hiroyuki Uchida,Junkichi Sugita,Hiroshi Takino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US4679107A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1220858A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Thin film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head

Номер патента: US5872691A. Автор: Yasuo Sasaki,Tetsuo Sekiya,Yutaka Soda,Munekatsu Fukuyama,Koji Fukumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Magnetoresistance effect film and spin valve reproducing head

Номер патента: EP1369882A1. Автор: Kenji c/o Fujitsu Limited Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-10.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US7489482B2. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-02-10.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US20050141143A1. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-06-30.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1248222A. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetoresistance effect head having a pair of protrusions, steps or depressions between the detecting and nondetecting areas for improved off-track characteristics

Номер патента: US6118621A. Автор: Hiroaki Yoda,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1281132C. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Norio Saito,Hiroshi Takino,Kenichiro Tsunewaki,Nobuhiro Terada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US20170270954A1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US09767834B1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetoresistive effect element unit and magnetoresistive effect element device

Номер патента: WO2018139233A1. Автор: 智和 尾込,賢司 下畑,甚 井上,徹治 今村,善紀 山口,貴史 大門. Владелец: 北陸電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-08-02.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect device

Номер патента: CN114175290A. Автор: 早川纯,深谷直人. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP2924749A1. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Position detecting device using magnetoresistive effect element

Номер патента: JPWO2008114615A1. Автор: 努 竹谷,貴史 野口. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic head and magnetic recording and/or reproducing system

Номер патента: US20080158737A1. Автор: Hiroaki Yoda,Tomohiko Nagata,Yuuzo Kamiguchi,Hiromi Yuasa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetoresistive effect element and method of fabrication therefor

Номер патента: DE602007010852D1. Автор: Futoyoshi Kou. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Tunnel magnetoresistance effect film and magnetic device

Номер патента: US20080180857A1. Автор: Migaku Takahashi,Masakiyo Tsunoda,Kojiro Komagaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Lay out with a magnetoresistive effect and its usesuse thereof

Номер патента: EP2011172A1. Автор: Joachim Wecker,Gotthard Rieger,Roland Weiss,Wiebke Sarfert,Günter Schmid,Manfred Rührig,Ralph PÄTZODL. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-01-07.

Magneto-resistance effect element

Номер патента: US5702834A. Автор: Hiroshi Sakakima,Hiroshi Takeuchi,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-30.

Magnetoresistance effect element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190259937A1. Автор: Seiji Mitani,Katsuyuki Nakada,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Magnetoresistance effect element sensor and an electronic circuit therefor

Номер патента: US5585719A. Автор: Mieko Kawamoto,Shigemi Kurashima,Shigeo Tanji,Nobuyoshi Shimizu,Hiroshi Kajitani,Michiko Endo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190148046A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181333A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200075845A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Tadashi Kai,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US10505105B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181334A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element, manufacturing method of tunnel magnetoresistive effect element and tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060023333A1. Автор: Norio Takahashi,Tatsushi Shimizu,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Pak Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element, manufacturing method of tunnel magnetoresistive effect element and tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US7417442B2. Автор: Norio Takahashi,Tatsushi Shimizu,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Pak Kin Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

Magnetoresistive effect sensor, method for manufacturing a magnetoresistive effect sensor, magnetoresistive detection system, and magnetoresistive recording system

Номер патента: US20020008016A1. Автор: Kazuhiko Hayashi,Junichi Fujikata,Masafumi Nakada,Nobuyuki Ishiwata,Kiyokazu Nagahara,Shigeru Mori,Kunihiko Ishihara,Keishi Ohashi,Eizo Fukami,Hiroaki Honjo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Spin valve magnetoresistive effect type element assessment method and a spin valve magnetoresistive effect type element assessment device

Номер патента: US6400519B2. Автор: Naoki Mukoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-06-04.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: CN100343901C. Автор: 猿木俊司,清野浩,稻毛健治,蜂须贺望. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-17.

CPP structure magnetoresistive effect element and magnetic disk drive

Номер патента: JP4471020B2. Автор: 大助 宮内,貴彦 町田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-06-02.

Cpp-type magnetoresistance effect element having characteristic free layers

Номер патента: US20090059442A1. Автор: Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US7227772B2. Автор: Hiroshi Kiyono,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Shunji Saruki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Examination method for CPP-type magnetoresistance effect element having two free layers

Номер патента: US7615996B1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kiyoshi Noguchi,Takahiko Machita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device

Номер патента: US8179642B2. Автор: Daisuke Miyauchi,Yoshihiro Tsuchiya,Takahiko Machita,Keita Kawamori. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic head assembly, and magnetic recording / reproducing apparatus

Номер патента: JP5701924B2. Автор: 昌輝 門,岩崎　仁志,仁志 岩崎,進 橋本,雅幸 高岸,修一 村上,洋介 礒脇,村上　修一,高岸　雅幸,橋本　進,直基 長谷,門　昌輝. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Examination method for cpp-type magnetoresistance effect element having two free layers

Номер патента: CN101807406B. Автор: 野口洁,宫内大助,町田贵彦. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

A dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor

Номер патента: GB201516399D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-10-28.

Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer

Номер патента: US5657190A. Автор: Satoru Araki,Osamu Shinoura,Yuuichi Sato,Yuuji Honda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US7064936B2. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Magnetic transducer using magnetoresistance effect

Номер патента: EP0152000B1. Автор: Masahiro Kitada,Naoki Sato,Yoshihisa Kamo,Tooru Takeura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-12-06.

A dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor

Номер патента: GB201501239D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-03-11.

Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer and method for preventing an output reduction of the multilayer

Номер патента: US5798896A. Автор: Satoru Araki,Osamu Shinoura,Yuuichi Sato,Yuuji Honda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20030193759A1. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Giant magnetoresistance effect type magnetic head and magnetic recording / reproducing apparatus using the same

Номер патента: JP2860233B2. Автор: 裕之 星屋,勝也 光岡,宏 福井,盛明 府山,弘継 福岡,又洋 小室. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-24.

Method and apparatus for enhanced dual spin valve giant magnetoresistance effects having second spin valve self-pinned composite layer

Номер патента: US7038889B2. Автор: Hardayal Singh Gill,Mustafa Pinarbasi,James Mac Freitag. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Magnetic transducer using magnetoresistance effect

Номер патента: EP0152000A3. Автор: Masahiro Kitada,Naoki Sato,Yoshihisa Kamo,Tooru Takeura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-06-18.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09906199B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237663A1. Автор: Shinji Hara,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09948267B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09762182B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of making magnetoresistive effect element and multichamber device for making magnetoresistive effect element

Номер патента: RU2390883C1. Автор: Манабу ИКЕМОТО,Томоаки ОСАДА,Наоаки ЙОКОКАВА. Владелец: Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-27.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US20160005957A1. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Process for producing magnetoresistive effect element

Номер патента: US09640754B2. Автор: Takashi Nakagawa,Yukito Nakagawa,Yoshimitsu Kodaira,Motozo Kurita. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetoresistive effect element, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20230180628A1. Автор: Yo Sato,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US09773973B2. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10490734B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US20200274511A1. Автор: Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Magnetoresistive effect element having an underlayer and a side wall layer that contain scandium

Номер патента: US09508926B2. Автор: Minoru Amano,Hiroaki Maekawa,Eiji Kitagawa,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284732A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237662A1. Автор: Shinji Hara,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Shigeto Fukatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20240074326A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220278271A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180138237A1. Автор: Junichi Ito,Satoshi Seto,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US11666006B2. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Elijah Sangeun Im,Eden Soeun Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-06.

Radiant artificial lunar lights having effective elements for growing plants

Номер патента: US20220232781A1. Автор: Jeom Doo Kim,Tae In Kim,Sangeun IM,Soeun IM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-28.

Electrocaloric effect element, heat transfer device, semiconductor manufacturing device, and electrocaloric effect element control method

Номер патента: US20230135523A1. Автор: Koji Akiyama,Hiroyuki Nagai,Mitsuaki Iwashita,Hirokazu Ueda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Yoke type magnetic transducer head utilizing a magnetoresistance effect

Номер патента: EP0204902B1. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-10-09.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A2. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: RAMOT AT TEL AVIV UNIVERSITY LTD.. Дата публикации: 2004-07-22.

Identification of effective elements in complex systems

Номер патента: WO2004061548A3. Автор: Eytan Ruppin,Alon Keinan,Isaac Meilijson. Владелец: Isaac Meilijson. Дата публикации: 2005-10-13.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US11892651B2. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-06.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US20210223559A1. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Magnetoresistance effect element and memory element

Номер патента: JP3207094B2. Автор: 康博 川分,博 榊間,雄 上野山,庸介 入江. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-09-10.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

CONTROL METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND CONTROL DEVICE FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160329086A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Kanai Shun. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-10.

CPP type magnetoresistive effect element, CPP type magnetic read head, method for forming CPP type magnetoresistive effect element, and method for manufacturing CPP type magnetic read head

Номер патента: JP4371983B2. Автор: 幸一 照沼,介威 張,幼鳳 鄭,克▲強▼ 朱. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-11-25.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20150221327A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,SHIROTORI Satoshi,Isowaki Yousuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Magnetoresistive effect element and magnetoresistive effect sensor

Номер патента: KR100258165B1. Автор: 가즈히꼬 하야시,마사후미 나까다. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-06-01.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190206431A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetoresistive effect element, thin film magnetic head provided with the element, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4244988B2. Автор: 一樹 佐藤,貴保 金谷. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Magnetoresistive effect element, thin-film magnetic head with the element and manufacturing method of the head

Номер патента: US20070127165A1. Автор: Kazuki Sato,Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method for pattern, manufacturing method for magnetoresistant effect film using patterning, and magnetoresistant effect film and magnetic applied device manufactured by the same

Номер патента: KR100790474B1. Автор: 홍종일. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-01-02.

Magnetoresistive effect multi-layered structure and thin-film magnetic head with the magnetoresistive effect multi-layered structure

Номер патента: US6400535B1. Автор: Koji Shimazawa,Manabu Ohta,Tetsuro Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Magnetoresistance Effect Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20140205862A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20140300996A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,Murakami Shuichi,Isowaki Yousuke,HASHIMOTO Susumu,HASE NAOKI,Kado Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-10-09.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method

Номер патента: KR100278873B1. Автор: 요시히꼬 가끼하라. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of manufacturing magnetoresistive effect element, magnetic head, head suspension assembly, and magnetic disk device

Номер патента: JP2005019497A. Автор: 健朗 加々美,貴保 金谷,Takayasu Kanetani,Takero Kagami. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4202958B2. Автор: 瀬 博 史 森,村 志 保 中,茂 羽根田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20140233135A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,Murakami Shuichi,Isowaki Yousuke,HASHIMOTO Susumu,HASE NAOKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-21.

CPP-TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DISK DEVICE

Номер патента: US20140268405A1. Автор: Miura Satoshi,YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi,MAKINO Kenzo,Yanagisawa Takumi,Machita Takahiko,Kawasaki Shohei,Ota Minoru,HAMAMOTO Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20030080088A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta,Tetsuya Kuwashima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4136261B2. Автор: 均 岸,親義 鎌田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Thin film magnetic head provided with magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2002025019A. Автор: Noriyuki Ito,範之 伊藤,幸一 照沼,Koichi Terunuma,Fumihiro Hiromatsu,史洋 廣松. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-01-25.

Magnetoresistance effect element having layer containing Zn at the interface between magnetic layer and non-magnetic intermediate layer

Номер патента: US20100232073A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100637105B1. Автор: 노마겐지,고마가끼고우지로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-10-23.

Thin film magnetic head provided with tunneling magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2004234755A. Автор: 俊司 猿木,望 蜂須賀,Kenji Inage,健治 稲毛,Shunji Sarugi,Nozomi Hachisuga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Lapping sensor used in fabrication of magnetic head with magnetoresistive effect element and lapping control method using the sensor

Номер патента: US6623330B2. Автор: Osamu Fukuroi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Logic-in-memory circuit using magnetoresistance effect element

Номер патента: JP4631090B2. Автор: 啓明 木村,貴弘 羽生. Владелец: 株式会社 東北テクノアーチ. Дата публикации: 2011-02-16.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: SG71063A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Haruyuki Morita,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito,Taro Oike,Hiroaki Kawashima,Koichi Terunuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS57186224A. Автор: Shinji Horibata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Magnetoresistance effect type magnetic head and its manufacture

Номер патента: JPS57179933A. Автор: Hiroshi Yoneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1982-11-05.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: EP0892391A3. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuro Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-27.

DUAL CAPPING LAYER UTILIZED IN A MAGNETORESISTIVE EFFECT SENSOR

Номер патента: US20150213816A1. Автор: OKAWA Norihiro,Komagaki Koujiro. Владелец: HGST NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2015-07-30.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20170345449A1. Автор: YAMANE Takekazu,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing magnetoresistive effect magnetic head

Номер патента: JP2002025020A. Автор: Akio Takada,昭夫 高田,Katsunori Sasaki,勝記 佐々木,Toshihiko Shimizui,敏彦 清水井,Yasuki Matsuki,康記 松木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-25.

Magnetoresistance effect type magnetic head device

Номер патента: JPS6157012A. Автор: Hideo Suyama,英夫 陶山,Shigemi Imakoshi,Yutaka Hayata,Yasuhiro Iida,Munekatsu Fukuyama,宗克 福山,裕 早田,康博 飯田,今越　茂美. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-03-22.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS61296522A. Автор: Nobuyuki Hayama,信幸 羽山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-27.

Magnetoresistance effect head and its manufacture

Номер патента: JPS6157027A. Автор: Mitsuo Sato,Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Masanobu Hanazono,雅信 華園,Akira Kumagai,昭 熊谷,成重　真治,佐藤　満雄,光岡　勝也. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-22.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS6139916A. Автор: Nobumasa Kaminaka,Kazuo Nakamura,Kiyoshi Sasaki,Hiroshi Yoda,清志 佐々木,和夫 中村,紙中　伸征,養田　広. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-26.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS55129923A. Автор: Kunio Hata,Susumu Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-10-08.

Tray for transporting magnetoresistance effect head for magnetic disk

Номер патента: WO2001078069A1. Автор: Shigeru Tanaka,Mitsuo Sato,Koichi Sagisaka,Tomohiro Kaniwa,Michiaki Sakatoku. Владелец: Yukadenshi Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-10-18.

Tray for transporting magnetoresistance effect head for magnetic disk

Номер патента: KR100646150B1. Автор: 다나까시게루,사기사까고이찌,가니와도모히로,사또미쯔오,사까또꾸미찌아끼. Владелец: 유까덴시 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-11-14.

Magnetoresistive effect magnetic head and its manufacturing method

Номер патента: KR980004395A. Автор: 가즈노리 오누마,아끼라 무라까미. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1998-03-30.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS5911522A. Автор: Noboru Nomura,Nobumasa Kaminaka,Hiroshi Yoda,登 野村,Terumi Yanagi,紙中　伸征,養田　広,柳　照美. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-21.

Spin valve magnetoresistance effect magnetic head and magnetic disk device

Номер патента: KR100284779B1. Автор: 히토시 가나이. Владелец: 후지쯔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-03-15.

Magnetoresistance effect type thin film magnetic head and its production

Номер патента: JPS63113913A. Автор: Takao Maruyama,Kazuhiko Yamada,一彦 山田,丸山　隆男. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-18.

Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect

Номер патента: EP0421489A2. Автор: Shigeyoshi C/O Sony Corporation Imakoshi,Hideo C/O Sony Corporation Suyama,Yutaka C/O Sony Corporation Soda,Munekatsu C/O Sony Corporation Fukuyama,Yasuhiro C/O Sony Corporation Iida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-04-10.

Magnetic head of magnetoresistance effect type with high resistance to external stress

Номер патента: US20080074803A1. Автор: Naoki Koyama,Satoshi Shigematsu,Koichi Nishioka,Yukimasa Okada,Shuichi Kojima,Kouji Okazaki,Azusa Hori. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-03-27.

Magnetoresistance effect type magnetic converter

Номер патента: JPS6192413A. Автор: Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,英男 田辺,Tetsuo Kobayashi,哲夫 小林,Naoki Sato,Kazuhiro Shigemata,Masao Katsumata,Yoshihisa Kamo,直喜 佐藤,北田　正弘,加茂　善久,茂俣　和弘,勝亦　正雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-05-10.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: US20010024345A1. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuo Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: Narumi Shun-Ichi. Дата публикации: 2001-09-27.

Magnetoresistive effect head with diode in parallel

Номер патента: US6507466B1. Автор: Kazuhiko Hayashi,Keishi Ohashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head with anti-ferromagnetic layer for magnetic domain control

Номер патента: US7692901B2. Автор: Takeo Kagami. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head

Номер патента: US6870713B2. Автор: Koji Shimazawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Magnetoresistance effect type head

Номер патента: JPS6132215A. Автор: Katsuyuki Tanaka,Seiji Kishimoto,Yoshitsugu Miura,義從 三浦,清治 岸本,克之 田中. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-02-14.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: SG68063A1. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuro Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Method and apparatus for preventing ESD and EOS damage in manufacturing magnetoresistive effect read heads

Номер патента: US6914758B2. Автор: Song Sheng Xue,Patrick Joseph Ryan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2005-07-05.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6337813A. Автор: Yoshiro Amano,Shunichi Fujita,天野　芳郎,俊一 藤田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-02-18.

Magnetic transducer head device using the magnetoresistance effect.

Номер патента: DE3588065D1. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-12-07.

Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect

Номер патента: EP0421489B1. Автор: Shigeyoshi C/O Sony Corporation Imakoshi,Hideo C/O Sony Corporation Suyama,Yutaka C/O Sony Corporation Soda,Munekatsu C/O Sony Corporation Fukuyama,Yasuhiro C/O Sony Corporation Iida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-15.

Magnetoresistive effect type of head and information-reproducing system

Номер патента: US20020044399A1. Автор: Hitoshi Kanai,Kenji Noma,Kenichi Aochima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Magnetic read head with magnetoresistive effect

Номер патента: JP3169233B2. Автор: ジヤン−マルク・クートウリエ,テイエリー・バレ. Владелец: トムソン−セーエスエフ. Дата публикации: 2001-05-21.

Magnetoresistance effect type complex head and method for manufacturing the same

Номер патента: US6392851B1. Автор: Nobuyuki Ishiwata,Tsutomu Ishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Spin bulb magnetoresistance effect head and compound magnetic head using it and magnetic recording medium drive unit

Номер патента: EP1193693A1. Автор: Kenichi c/o Fujitsu Limited Aoshima,Kenji c/o Fujitsu Limited Noma,Junichi c/o Fujitsu Limited Kane,Hitoshi c/o Fujitsu Limited Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-03.

Spin valve magnetic head with magnetoresistive effect and system

Номер патента: DE69617334D1. Автор: Hitoshi Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

MAGNETIC HEAD OPERATING BY MAGNETORESISTANCE EFFECT

Номер патента: BE827434A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-10-01.

Magnetoresistance-effect thin film head

Номер патента: EP0459404A3. Автор: Takuji Shibata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-01-15.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: US6507465B1. Автор: Yoshiaki Kawato,Kazuhiro Nakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-14.

Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect

Номер патента: DE3372680D1. Автор: Hideo Suyama,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-08-27.

Magnetoresistance effect magnetic head

Номер патента: KR970029357A. Автор: 노리오 사이또,다꾸지 시바따,고지 후꾸모또,유따가 소다. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1997-06-26.

Magnetic head of magnetoresistance effect type

Номер патента: JPS60151816A. Автор: Yoshihisa Kamo,加茂　喜久. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-08-09.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head and method for fabricating same

Номер патента: US20090046395A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroki Maehara,David D. DJAYAPRAWIRA. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor memory device using magnetoresistive effect

Номер патента: TWI275091B. Автор: Azuma Tomoteru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS57186223A. Автор: Takeshi Sawada,Hiroichi Goto,Yasushi Toda. Владелец: Canon Electronics Inc. Дата публикации: 1982-11-16.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: KR970063046A. Автор: 가즈히로 나까모또,요시아끼 가와또. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1997-09-12.

Magnetoresistance effect type thin film head

Номер патента: JPS61294624A. Автор: Hitoshi Nakamura,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,英男 田辺,昇 清水,Masao Katsumata,Toru Takeura,斉 中村,北田　正弘,勝亦　正雄,竹浦　亨. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-25.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: EP0221540A3. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Norio Saito,Hiroshi Takino,Kenichiro Tsunewaki,Nobuhiro Terada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-03-27.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS58100216A. Автор: Masamichi Yamada,Masakatsu Saito,雅通 山田,Katsuyuki Tanaka,Yoshihiko Noro,Isao Oshima,Nobuo Arai,信夫 新井,Nobuhiro Tokujiyuku,克之 田中,良彦 野呂,大島　勲,徳宿　伸弘,斉藤　正勝. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-06-14.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS61122911A. Автор: Yoshiaki Shimizu,Takeo Kondo,Takao Yamano,Hiroyuki Okuda,Masaru Doi,良昭 清水,勝 土井,裕之 奥田,山野　孝雄,近藤　健雄. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-10.

Magnetoresistive effect head and magnetic disk device having same

Номер патента: KR19980079274A. Автор: 깐다꼬끼,타까하시미노루,기우찌까쓰미,꼬시가와타까오. Владелец: 세끼자와다다시. Дата публикации: 1998-11-25.

Magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100203612B1. Автор: 노부유끼 이시와다,기요까즈 나가하라. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6177114A. Автор: Hitoshi Takagi,Atsushi Sawai,均 高木,Kazumasa Hosono,Kazuhiko Amemori,和真 細野,和彦 雨森,沢井　厚. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-04-19.

Magnetoresistance effect type head

Номер патента: US6567247B1. Автор: Satoru Araki,Yoshihiro Tsuchiya,Masashi Sano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Magneto-resistance effect element bar exposure method, magneto-resistance effect element bar formation method and magneto-resistance effect element bar

Номер патента: US20040160704A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Noriaki Kasahara,Hitoshi Hatate,Tsuneo Kagotani,Teruyo Kagotani. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Magneto-resistance effect element bar exposure method

Номер патента: US7192676B2. Автор: Tetsuya Kuwashima,Noriaki Kasahara,Hitoshi Hatate,Tsuneo Kagotani, deceased. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20020101328A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20040169006A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09595916B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5500633A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Magnetoresistive effect element including a Heusler alloy layer with a crystal region and an amorphous region

Номер патента: US11730063B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11805706B2. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230337549A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing electrostrictive effect element

Номер патента: GB2252869A. Автор: Junichi Watanabe,Kiyomi Tanaka,Yoshiyuki Watanabe,Kazuo Kazama,Takahiro Someji,Shigeru Jyoumura,Katsuhiko Kojyou. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1992-08-19.

Electrocaloric effect element

Номер патента: EP4053471A1. Автор: Sakyo Hirose. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Magnetic sensor using magnetoresistance effect element, and current sensor

Номер патента: WO2021149726A1. Автор: 井出　洋介. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetic sensor with bridge circuit including magnetoresistance effect elements

Номер патента: CN101988956B. Автор: 平林启,猿木俊司. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Electrical assembly for measuring a current intensity of a direct-current circuit by means of the anisotropic magnetoresistive effect

Номер патента: US20180045793A1. Автор: Zoltan HERICS,Csaba NAGYNEMEDI. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-15.

Multi-range current sensing device based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN106526283A. Автор: 张波,胡军,王善祥,曾嵘,余占清,常文治,欧阳勇,何金良,毕建刚,庄池杰,赵根. Владелец: China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI. Дата публикации: 2017-03-22.

Magnetoresistance effect type weak magnetic field sensor

Номер патента: JP3295152B2. Автор: アラン、シュール,ステファン、ティク. Владелец: タレス. Дата публикации: 2002-06-24.

Magnetoresistance-effect magnetic sensor

Номер патента: WO1992002826A1. Автор: Koutarou Kobayashi,Noritaka Ishiyama. Владелец: Fmc Co., Ltd.. Дата публикации: 1992-02-20.

A kind of giant magnetoresistance effect magneto-dependent sensor and preparation method

Номер патента: CN108872889A. Автор: 杨俊�,黄东亚,王跃平,白师豪. Владелец: 725th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2018-11-23.

High-sensitivity micro-displacement detection device based on tunnel magnetoresistance effect

Номер патента: CN112344840B. Автор: 张瑞,金丽,李孟委,辛晨光,易进. Владелец: Nantong Institute Of Intelligent Optics North China University. Дата публикации: 2022-02-08.

Device and method for measuring magnetic induction intensity based on colossal magnetoresistive effect

Номер патента: AU2011344940A1. Автор: Jie Zheng,XIN Wang,Yusheng Li,Jiangyi Wang,Ming ZHUANG,Ciyuan Zhuo. Владелец: Fujian Shuikou Power Generation Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Magnetic sensor with magnetoresistive effect

Номер патента: DE69430107D1. Автор: Thierry Valet,Jean-Marc Coutellier,Nicolas Blanchard. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2002-04-18.

Electrical assembly for measuring a current intensity of a direct-current circuit by means of the anisotropic magnetoresistive effect

Номер патента: WO2016139028A1. Автор: Zoltan HERICS,Csaba NAGYNEMEDI. Владелец: MAGNA Powertrain GmbH & Co KG. Дата публикации: 2016-09-09.

Sensor of weak magnetic fields, with magnetoresistive effect

Номер патента: US5313186A. Автор: Alain Schuhl,Stephane Tyc. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-05-17.

LOW MAGNETIC FIELD SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT.

Номер патента: FR2685489B1. Автор: Schuhl Alain,Tyc Stephane. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-08-05.

Giant magnetoresistance effect-based micro current sensor device and application method thereof

Номер патента: CN112649646A. Автор: 陈元,石泉,卢启付,邓威,冉旺,汤龙华,肖磊石,徐闻婕. Владелец: China Southern Power Grid Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Electrical assembly for measuring a current intensity of a direct-current circuit by means of the anisotropic magnetoresistive effect

Номер патента: EP3265832A1. Автор: Zoltan HERICS,Csaba NAGYNEMEDI. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-10.

Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210384414A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Angle switch device with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060255796A1. Автор: Shigeru Shoji. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Substrate processing apparatus, etching method of metal film, and manufacturing method of magnetoresistive effect element

Номер патента: US09685299B2. Автор: Yukito Nakagawa. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200266336A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200335691A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SANUKI Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-10-22.

Ferromagnetic laminated film, spin current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2019167929A1. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2019-09-06.

Ferromagnetic laminated film, spin-current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN111512456A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-07.

Ferromagnetic layered film, spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: JPWO2019167929A1. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200127193A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190148046A1. Автор: SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

Spin-orbit torque magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210013398A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200075845A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190181334A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Position detecting device using magnetoresistive effect element

Номер патента: JPWO2008139930A1. Автор: 努 竹谷,貴史 野口. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: WO2021186693A1. Автор: 勝之 中田. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2021-09-23.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: KR101255474B1. Автор: 히로마사 다까하시,준 하야까와. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2013-04-16.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200127193A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190181333A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180254409A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190259937A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,HONO Kazuhiro,Mitani Seiji,ICHIKAWA Shinto,OHKUBO Tadakatsu,SUKEGAWA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND POSITION DETECTION APPARATUS

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Kanaya Takayasu,Ohta Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Spin-orbit torque type magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: JP6690805B1. Автор: 陽平 塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: WO2010067520A1. Автор: 早川純,高橋宏昌. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2010-06-17.

Spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2019230351A1. Автор: 陽平 塩川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of measuring temperature of tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US20090207884A1. Автор: Yosuke Antoku,Eric Leung,Luke CHUNG,Man Tse. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Circuit selected joint magnetoresistive junction tunneling-giant magnetoresistive effects memory cells

Номер патента: US20020171100A1. Автор: Arthur Pohm. Владелец: NVE Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Magnetoresistance effect material, method of manufacturing the same, and magnetoresistance element

Номер патента: JP2807398B2. Автор: 和明 深道,教行 潟岡,島田　　寛,英樹 竹田. Владелец: WAI KEI KEI KK. Дата публикации: 1998-10-08.

Circuit selected joint magnetoresistive junction tunneling-giant magnetoresistive effects memory cells

Номер патента: US6674664B2. Автор: Arthur V. Pohm. Владелец: NVE Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200058802A1. Автор: HARA Shinji,ITO Kuniyasu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190180901A1. Автор: Roppongi Tetsuya,Kaizu Akimasa,Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190228894A1. Автор: Kaizu Akimasa,HARA Shinji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180277749A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

A kind of differential type single shaft mems accelerometer based on anisotropic-magnetoresistance effect

Номер патента: CN106443069B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-04-09.

A kind of uniaxial mems accelerometer based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN106338618B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of uniaxial mems accelerometer based on anisotropic-magnetoresistance effect

Номер патента: CN106706959B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-02-05.

Anisotropic-magnetoresistance-effect-based differential single-shaft MEMS accelerometer

Номер патента: CN106443069A. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-02-22.

Micromechanical gyroscope based on tunnel magnetoresistive effect

Номер патента: CN104567848A. Автор: 王莉,刘俊,石云波,李孟委,刘双红,李锡广. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2015-04-29.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US10439592B2. Автор: Naomichi Degawa,Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Displacement / speed sensor using the magnetoresistance effect.

Номер патента: DE69011022D1. Автор: Steven Beringhause,Edward M Gonsalves,Douglas B Strott,Stephen B Offiler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-09-01.

A kind of differential type single shaft mems accelerometer based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN106501547B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-04-09.

Displacement / speed sensor using the magnetoresistance effect.

Номер патента: DE69011022T2. Автор: Steven Beringhause,Edward M Gonsalves,Douglas B Strott,Stephen B Offiler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-11-10.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160380189A1. Автор: ITO Junichi,Kamata Chikayoshi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori,Tamaoki Naoki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-12-29.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140087483A1. Автор: ITO Junichi,Kamata Chikayoshi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori,Tamaoki Naoki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-27.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140284736A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Masaru Toko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND FILM FORMATION METHOD FOR SAID MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210399208A1. Автор: Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,NISHIOKA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect element using the film

Номер патента: JPH1032357A. Автор: Atsushi Kamijo,敦 上條,Taku Kondo,近藤　　卓. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGENTORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20130288397A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,Hashimoto Yutaka,Tokou Masaru,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,Yoda Hiroaki,Yakushiji Kay,Yuasa Shinji,Kubota Hitoshi,Nagahama Taro,Fukushima Akio,Ando Koji,Nagamine Makato. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and reservoir element

Номер патента: US11832531B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetization rotation element, magnetoresistive effect element, magnetic recording array, high frequency device, and manufacturing method of magnetization rotation element

Номер патента: JP7168123B2. Автор: 優剛 石谷. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Spin-orbit torque magnetization rotation element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: WO2020110296A1. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川,優剛 石谷. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2020-06-04.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, magnetic memory, and storage cell element

Номер патента: CN113330582A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Magnetization rotational element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20230180629A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Minoru Sanuki,Kosuke HAMANAKA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200083430A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SANUKI Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, INTEGRATED DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20190157343A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200266336A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-20.

FERROMAGNETIC LAMINATED FILM, SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200321518A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180351083A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

Magnetoresistance elements exhibiting thermally stable giant magnetoresistance effect

Номер патента: US5840420A. Автор: Syed A. Hossain,Martin R. Parker. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 1998-11-24.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220059757A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, STORAGE ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220077387A1. Автор: KARIYADA Eiji. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SPIN-CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190319183A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-17.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180351085A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190237662A1. Автор: HARA Shinji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190237663A1. Автор: HARA Shinji,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME

Номер патента: US20130175645A1. Автор: KARIYADA Eiji,Sugibayashi Tadahiko,Mori Kaoru,Ohshima Norikazu,Fukami Shunsuke,Suzuki Tetsuhiro,Tanigawa Hironobu,Miura Sadahiko,Ishiwata Nobuyuki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2013-07-11.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Nakayama Masahiko,KISHI Tatsuya,FUKATSU Shigeto,MURAYAMA Akiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140077319A1. Автор: Yakushiji Kay,Kubota Hitoshi,NOMA Kenji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210005808A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Shinya Ishikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-01-07.

SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210184105A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TSUMITA Atsushi,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160240772A1. Автор: NISHIMURA Kazumasa,Seino Takuya,OTANI Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, ETCHING METHOD OF METAL FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140353142A1. Автор: NAKAGAWA Yukito. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20170279039A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-09-28.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180294404A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160380187A1. Автор: NISHIMURA Kazumasa,Seino Takuya,IRISAWA Toshikazu,Shibuichi Saki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2022190346A1. Автор: 智生 佐々木,優剛 石谷. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2022-09-15.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130187248A1. Автор: KARIYADA Eiji,Suemitsu Katsumi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

PROCESS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND DEVICE PRODUCING METHOD

Номер патента: US20160005957A1. Автор: KODAIRA Yoshimitsu,TAKEUCHI Isao,NAKAMURA Mihoko. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-07.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160013397A1. Автор: KITAGAWA Eiji,AMANO Minoru,Yakabe Megumi,Maekawa Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Magnetoresistance effect element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190019942A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160043305A1. Автор: KITAGAWA Eiji,NOMA Kenji,Ochiai Takao. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090676A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090677A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210159396A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-05-27.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220278271A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180138237A1. Автор: ITO Junichi,SETO Satoshi,Kamata Chikayoshi,Yakabe Megumi,Kashiwada Saori. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-05-17.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220285608A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-08.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210184103A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190173000A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-06.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Nagamine Makoto,Nishiyama Katsuya,YAMAKAWA Koji,Ikeno Daisuke,NATORI Katsuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284732A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Hashimoto Yutaka,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Ueda Koji,Watanabe Daisuke,Nakayama Masahiko,EEH Youngmin,SAWADA Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160233416A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke,ISHIKAWA Shinya. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-11.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190273203A1. Автор: UEMURA Tetsuya,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

PROCESS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20150311432A1. Автор: Nakagawa Takashi,KODAIRA Yoshimitsu,NAKAGAWA Yukito,KURITA Motozo. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-29.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180309048A1. Автор: KITAGAWA Eiji,NOMA Kenji,Ochiai Takao. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-10-25.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, method for manufacturing tunnel barrier layer, and insulating layer

Номер патента: US20200303630A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200350490A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190355898A1. Автор: NAKADA Katsuyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-11-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3207477B2. Автор: 輝也 新庄,英文 山本,俊彦 阿武,利夫 高田. Владелец: 財団法人生産開発科学研究所. Дата публикации: 2001-09-10.

Magnetoresistance effect element, manufacture thereof and magnetic head manufactured thereby

Номер патента: JPH104012A. Автор: Haruhiko Deguchi,Tomohisa Komoda,Noboru Fujita,Kazuhiro Uneyama,Toru Kira,昇 藤田,治彦 出口,智久 薦田,Keiya Nakabayashi,敬哉 中林,徹 吉良,和弘 釆山. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Exchange coupling film and method for production thereof, magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2001102215A. Автор: Hideyasu Nagai,Kazuto Kamei,Masanori Ueno,一人 亀井,Tatsuo Sawazaki,立雄 沢崎,秀康 永井,昌紀 上野,Fuminori Higami,文範 樋上. Владелец: Read Rite Corp. Дата публикации: 2001-04-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3171453B2. Автор: 好昭 斉藤,浩一郎 猪俣,志保 奥野,圭一郎 柚須,進 橋本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

Method for manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: KR101721020B1. Автор: 다카시 나카가와,유키토 나카가와,요시미츠 고다이라,모토조 구리타. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-29.

Exchange coupled film, manufacture thereof and magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH10256038A. Автор: Haruhiko Deguchi,Tomohisa Komoda,Toru Kira,治彦 出口,智久 薦田,Keiya Nakabayashi,敬哉 中林,徹 吉良,正司 道嶋,Masaji Doujima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-09-25.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330589A. Автор: Akio Kawasaki,明朗 川崎. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330588A. Автор: Akihiro Maesaka,明弘 前坂. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: KR20150090125A. Автор: 가즈마사 니시무라,유이치 오타니,다쿠야 세이노,히로키 오쿠야마,유타 무로오카,요시미츠 시마네. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-08-05.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP2637360B2. Автор: 仁志 岩崎,裕三 上口,厚仁 澤邊,政司 佐橋,進 橋本,裕一 大沢,玲子 近藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-08-06.

Magnetic laminated film, and magnetoresistive effect element

Номер патента: WO2022265058A1. Автор: 哲郎 遠藤,正二 池田,好昭 齋藤. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2022-12-22.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9070866B2. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, method for manufacturing tunnel barrier layer, and insulating layer

Номер патента: US20200303630A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140138347A1. Автор: NAKAMURA Mihoko,Toyosato Tomohiko,Kimura Kazuhiro,Ikeda Masayoshi. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180040666A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-02-08.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20190044500A1. Автор: YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20190081606A1. Автор: YAMANE Takekazu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-14.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180159492A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190181332A1. Автор: Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20180315535A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-01.

Layer system with increased magnetoresistive effect and use thereof

Номер патента: DE10140043B4. Автор: Hans Dr. Boeve. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-03-23.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: JP6455806B2. Автор: 健司 鈴木,鈴木　健司,鈴木　英治,英治 鈴木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JP6511531B2. Автор: 健司 鈴木,哲也 柴田,鈴木　健司,柴田　哲也,健量 山根,順一郎 占部,淳 志村. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-15.

Method for manufacturing magnetoresistance effect film

Номер патента: JPH10270776A. Автор: Atsushi Maeda,Toshio Tanuma,Minoru Kume,篤志 前田,Takuji Umemoto,卓史 梅本,俊雄 田沼,実 久米. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-09.

Exchange combination film, manufacture thereof, and magnetoresistive effect device

Номер патента: JPH1126232A. Автор: Haruhiko Deguchi,Tomohisa Komoda,Toru Kira,治彦 出口,智久 薦田,Keiya Nakabayashi,敬哉 中林,徹 吉良,正司 道嶋,Masaji Doujima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-01-29.

Magnetic film for magnetoresistive effect and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3481270B2. Автор: 智 池田,孝 小松,久三 中村,忠烈 白,康司 高橋. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2003-12-22.

A kind of ferromagnetic material and preparation method thereof with huge Negative magnetoresistance effect

Номер патента: CN110459377A. Автор: 韩伟,靳常青,邓正. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2019-11-15.

Huge magnetoresistance effect film

Номер патента: JP2001308414A. Автор: Osamu Shinoura,治 篠浦,Mitsuteru Inoue,光輝 井上,壽崇 藤井,Toshitaka Fujii. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-02.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH11340542A. Автор: Tetsuya Yamamoto,哲也 山本. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-10.

Magnetoresistance effect device and high-frequency device

Номер патента: US10608309B2. Автор: Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20170244377A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-08-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20200274511A1. Автор: YAMANE Takekazu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180309046A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-10-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20160322937A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-11-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20180316077A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190252749A1. Автор: HARA Shinji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-15.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190245254A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-08.

Current flow direction responsive fuse comprising a peltier effect element in series with fuse element

Номер патента: CA1080772A. Автор: Burkhard Deter. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1980-07-01.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US12066172B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Stage light fixture having light effect elements server

Номер патента: US20240219009A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US20210164629A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Stage light having effect element made of ceramic material

Номер патента: US11255502B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Equipment for exchange of optic-effect elements

Номер патента: EP2156092A2. Автор: Pavel Jurik. Владелец: Robe Show Lighting sro. Дата публикации: 2010-02-24.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2024154050A1. Автор: Takahiro Ishikawa,Kouji INUKAI,Masamitsu Hayashi,Ryosuke AKASHI,Koutarou Kubo,Yuuta TOGA,Itti RITTAPORN,Shinji TSUNEYUKI. Владелец: THE UNIVERSITY OF TOKYO. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20120139019A1. Автор: Yoshihisa Iba. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Manufacturing method for magnetoresistance effect element, oxidation processing device, and substrate processing system

Номер патента: US20230371391A1. Автор: Kanto Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing tunnel barrier layer

Номер патента: US12063873B2. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5462795A. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo,Toshihiko Anno. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0538871A1. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo,Toshihiko Anno. Владелец: Zaidan Hojin Seisan Kaihatsu Kenkyusho. Дата публикации: 1993-04-28.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN107887505B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Magnetic random access memory having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110180861A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Composite magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS61241993A. Автор: Hitoshi Nakamura,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,英男 田辺,昇 清水,斉 中村,北田　正弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS6464383A. Автор: Hitoshi Nakamura,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-10.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2023026481A1. Автор: 智生 佐々木,振尭 唐. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2023-03-02.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20150109062A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20150109063A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20160277000A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effects film

Номер патента: US5917400A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Ferromagnetic magnetoresistance effect alloy film

Номер патента: JPS6064484A. Автор: Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Akira Kumagai,昭 熊谷,成重　真治,光岡　勝也. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-13.

Magnetoresistance effect type element of shunt type

Номер патента: JPS6370584A. Автор: Kenji Hinode,憲治 日野出,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,昇 清水,北田　正弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-30.

Molecular electronic device with organic magnetoresistance effect and application thereof

Номер патента: CN112885958B. Автор: 王冬,胡文平,丁帅帅,于曦. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-29.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: JP6405864B2. Автор: 健司 鈴木,鈴木　健司,鈴木　英治,英治 鈴木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-10-17.

Device based on coexistence of negative resistance and unsaturated magnetoresistance effects of local impact ionization

Номер патента: CN112331769B. Автор: 何�雄,夏正才. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-09-27.

Magnetic sensor, Hall element, magnetoresistive effect element, method for producing Hall element, method for producing magnetoresistive effect element

Номер патента: JP5073429B2. Автор: 光浩 田中,実人 三好. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20120068285A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,Hashimoto Yutaka,Tokou Masaru,Kai Tadashi,Nagamine Makoto,Nagase Toshihiko,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,Yoda Hiroaki,Yakushiji Kay,Yuasa Shinji,Kubota Hitoshi,Nagahama Taro,Fukushima Akio,Ando Koji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130069182A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,AMANO Minoru,KATO Yushi,ITO Junichi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect-type head

Номер патента: JPH1041135A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,康博 川分,Mitsuo Satomi,博 榊間,三男 里見. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-13.

Spin orbit torque type magnetization rotation element, spin orbit torque type magnetoresistance effect element, and manufacturing method of spin orbit torque type magnetization rotation element

Номер патента: JP2019121782A. Автор: 智生 佐々木,陽平 塩川,Tomoo Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT WITH A LAYER CONTAINING AN OXIDE AS A PRINCIPAL COMPONENT AND CONTAINING A MAGNETIC TRANSITION METAL ELEMENT WHICH DOES NOT BOND TO OXYGEN

Номер патента: US20120009440A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,Tomita Hiroshi,FUKUZAWA Hideaki,Fuke Hiromi,SAHASHI Masashi,KOI Katsuhiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-12.

TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND SPIN MOS FIELD-EFFECT

Номер патента: US20120273856A1. Автор: Saito Yoshiaki,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Magnetization rotation element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2023095186A1. Автор: 陽平 塩川,優剛 石谷,幸祐 濱中. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2023-06-01.

Spin orbit torque type magnetization rotating element, spin orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: JP6533356B1. Автор: 陽平 塩川,勝之 中田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-19.

Magnetoresistance effect element using ferromagnetic tunnel effect film and manufacture thereof

Номер патента: JPH1093159A. Автор: 勉 三塚,Tsutomu Mitsuzuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

METHOD FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, ROTATION-ANGLE DETECTION DEVICE

Номер патента: US20120112741A1. Автор: Hoshiya Hiroyuki,Abe Yasunori,Meguro Kenichi,KATOU Keizou. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

Magnetoresistance effect element of ferromagnetic thin film

Номер патента: JPS6391580A. Автор: Yoshiaki Fukuda,福田　良明. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-22.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3277898B2. Автор: 大祐 高井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-22.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4110132B2. Автор: 昌彦 中山,達也 岸,嘉晃 福住,正 甲斐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Manufacture of ferromagnetic magnetoresistance effect element with yoke

Номер патента: JPS59195888A. Автор: Toshio Yamagata,山形　敏男. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-07.

Magnetoresistive effect element and memory using the same

Номер патента: JP2003258209A. Автор: Katsuhiko Hayashi,克彦 林. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-09-12.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120068284A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120243305A1. Автор: Nishiyama Katsuya,Nakayama Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20120281463A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-11-08.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL USING SAME, AND RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130028013A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Yamamoto Hiroyuki,Ito Kenchi,Takahashi Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3337732B2. Автор: 治 篠浦,潔 野口,裕二 本田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3532607B2. Автор: 好昭 斉藤,浩一郎 猪俣,義則 高橋,志保 奥野,圭一郎 柚須. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-31.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP3943773B2. Автор: 井 克 彦 鴻,家 ひろみ 福,澤 英 明 福,崎 仁 志 岩. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic reproduction device

Номер патента: JP2006319343A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Hiroaki Yoda,Tomohiko Nagata,Hiromi Yuasa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui,井 克 彦 鴻,崎 仁 志 岩,口 裕 三 上,浅 裕 美 湯,田 友 彦 永,田 博 明 與,川 将 寿 吉,橋 政 司 佐,岸 雅 幸 高. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-24.

Device and method for evaluating magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH11339232A. Автор: Akio Takada,昭夫 高田,Mikiya Kurosu,実喜也 黒須. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-10.

Manufacture of magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS6292109A. Автор: Kazumasa Hosono,Kazuhiko Amemori,和真 細野,和彦 雨森. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-04-27.

Method for forming magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4962010B2. Автор: 芳弘 土屋,友人 水野,晋治 原. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic sensor

Номер патента: JPH1187800A. Автор: Hideji Momotake,秀治 百武. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Exchange coupling film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same

Номер патента: JP4130451B2. Автор: 仁志 岩崎,政司 佐橋,ひろみ 福家,和浩 齋藤,高志 渡辺,直美 藤岡,隆 石上,尚 山野辺,信雄 勝井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Magnetoresistance-effect element and its manufacture

Номер патента: JPH1032358A. Автор: 連也 川野,Masaya Kawano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: CN101064114A. Автор: 齐藤好昭,杉山英行,井口智明. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Magnetoresistive effect element and manufacture thereof

Номер патента: JPH10163544A. Автор: Toshio Tanuma,Minoru Kume,俊雄 田沼,実 久米. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP3737920B2. Автор: 直也 長谷川,大悟 青木,芳彦 柿原,賢治 本田. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP2749066B2. Автор: 和弘 茂俣,喜久 加茂. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH11251658A. Автор: 英樹 竹田,Noriaki Kazama,典昭 風間,徹也 勝見,Hideki Takeda,Tetsuya Katsumi. Владелец: YKK Corp. Дата публикации: 1999-09-17.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP2806549B2. Автор: 富彦 辰巳. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-30.

Magnetic thin film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same

Номер патента: JP4061590B2. Автор: 浩一郎 猪俣,展規 手束. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2008-03-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS625125A. Автор: Yoshimi Kikuchi,Kiyoshi Wakai,Yukinobu Yumita,行宣 弓田,Masamichi Hayakawa,正通 早川,良巳 菊池,若井　清志. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 1987-01-12.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JPH11298063A. Автор: Tatsuya Fukami,達也 深見,Yoshinobu Maeda,喜信 前田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-29.

Perpendicular magnetization type magnetoresistance element and magnetoresistance effect type magnetic head using the same

Номер патента: JP2814741B2. Автор: 治雄 浦井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Underground displacement three-dimensional measurement method and device based on Hall effect and magnetoresistive effect

Номер патента: CN103063122B. Автор: 李青,李雄,周振,童仁园,施阁. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2015-05-06.

A kind of New Resonance giant magnetoresistance effect magnetic-sensitive elements

Номер патента: CN102854479B. Автор: 王三胜,褚向华. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-11-18.

OSCILLATING CIRCUIT WITH GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT JUNCTIONS

Номер патента: US20120154065A1. Автор: . Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-06-21.

Ferromagnetic Tunnel Junction Structure and Magnetoresistive Effect Device and Spintronics Device Utilizing Same

Номер патента: US20130221461A1. Автор: Shirai Masafumi,Miura Yoshio,HONO Kazuhiro,Mitani Seiji,ABE Kazutaka,OHKUBO Tadakatsu,SUKEGAWA Hiroaki,Niizeki Tomohiko,INOMATA Kouichiro,Muramoto Shingo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2013-08-29.

Magnetoresistance effect type thin film magnetic head

Номер патента: JPS55101129A. Автор: Noboru Nomura,Kenji Kanai,Nobumasa Kaminaka,Kidai Nochi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-01.

Magnetoelectric encoder based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN210922654U. Автор: 刘威,杨君宜,周围. Владелец: Chongqing Doyo Jono Industrial Co ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Reproducer using magnetoresistance effect type head

Номер патента: JPS53139513A. Автор: Satoshi KUNII. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPH1186231A. Автор: Tsutomu Aoyama,Toshitake Sato,Izumi Nomura,勉 青山,勇武 佐藤,いづみ 野村. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetic recording and reproducing device and magnetoresistive effect magnetic head to be used for the same

Номер патента: JPH11259824A. Автор: Kazuhiro Nakamoto,Hiroyuki Hoshiya,裕之 星屋,Yoshio Suzuki,Katsuro Watanabe,克朗 渡辺,Toshihiro Okada,智弘 岡田,良夫 鈴木,一広 中本. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-09-24.

Multitrack magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6212913A. Автор: Naoki Sato,Kazuhiro Shigemata,Masao Katsumata,Yoshihisa Kamo,直喜 佐藤,加茂　善久,茂俣　和弘,勝亦　正雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-01-21.

Giant magnetoresistive effect-based micro mechanical gyro

Номер патента: CN102706338A. Автор: 刘俊,刘泽文,李孟委,杜康. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2012-10-03.

Magnetoresistance effect type head and manufacture of the head

Номер патента: JPH11238210A. Автор: 茂 庄司,Shigeru Shoji. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Material for forming magnetoresistance effect film

Номер патента: JPS63142689A. Автор: Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Masanobu Hanazono,雅信 華園,Hideyo Kodama,Akira Kumagai,Masahiko Sakakibara,Akira Yoshinari,明 吉成,英世 児玉,Norihisa Fujii,正彦 榊原,昭 熊谷,成重　真治,光岡　勝也,藤井　則久. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1988-06-15.

GdN film with large magnetoresistance effect, and preparation method thereof

Номер патента: CN103088293A. Автор: 米文博,段秀峰,白海力. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-08.

Memory device using giant magnetoresistance effect

Номер патента: JP4095200B2. Автор: 昭雄 小金井,直樹 西村. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Magnetoresistance effect device and its manufacture

Номер патента: JPH01152677A. Автор: 精二 真下,Seiji Mashita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-06-15.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: JPH1049829A. Автор: Kaoru Toki,薫 土岐. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

Novel stress sensor based on magnetoresistance effect

Номер патента: CN102692287A. Автор: 朱洁,张丽娟,许小勇,胡经国,苏垣昌. Владелец: Yangzhou University. Дата публикации: 2012-09-26.

Experimental facility of giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN201590184U. Автор: 吴建伟,袁航,张开骁,黄德文,巩江峰,于丛珊. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2010-09-22.

Fe-C film material with room temperature positive giant magnetoresistive effect and prepared via PLD process

Номер патента: CN1421941A. Автор: 章晓中,薛庆忠,朱丹丹. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-06-04.

Magnetoresistive effect head and magnetic memory system using the same

Номер патента: JPH11120520A. Автор: Takashi Kawabe,Katsuya Mitsuoka,勝也 光岡,Katsumi Sato,Tetsuo Kobayashi,哲夫 小林,克己 佐藤,隆 川辺,Masayoshi Kagawa,昌慶 香川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-04-30.

Mini magnetic field measurement device based on magnetoresistive effect and magnetic field superposition

Номер патента: CN202351418U. Автор: 李晓天,翁锦深,蒋一奇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-25.

Magnetoresistance effect head and magnetic memory apparatus

Номер патента: JPH1186237A. Автор: Hiroaki Yoda,Takeo Sakakubo,Hideaki Fukuzawa,Susumu Hashimoto,進 橋本,Yuichi Osawa,裕一 大沢,英明 福澤,博明 與田,将寿 吉川,Masahisa Yoshikawa,武男 坂久保,Kei Sakota,圭 迫田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: JPH10116403A. Автор: Reiko Arai,礼子 荒井,Katsuro Watanabe,克朗 渡辺. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-06.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPH11273031A. Автор: Teruyuki Inaguma,輝往 稲熊. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-10-08.

Production of magnetoresistance effect magnetic head

Номер патента: JPH1021510A. Автор: Mizuki Togashi,みづき 冨樫. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-23.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH10150232A. Автор: Yuzo Kamiguchi,裕三 上口,Masashi Sahashi,政司 佐橋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Memory gate using spin-transition magnetoresistive effect

Номер патента: RU2066484C1. Автор: С.И. Касаткин,А.М. Муравьев,Н.П. Васильева. Владелец: Институт проблем управления РАН. Дата публикации: 1996-09-10.

Based on the displacement measuring device of giant magnetoresistance effect and the measuring method of Young modulus

Номер патента: CN103353274B. Автор: 梁志强,庄明伟,韩立铭. Владелец: Shandong Jiaotong University. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetoresistance effect thin film magnetic head

Номер патента: JPH1166519A. Автор: Akira Yoshida,Tetsuo Kobayashi,哲夫 小林,Hiroji Kawakami,寛児 川上,Harunobu Saito,治信 斉藤,Masayoshi Kagawa,昌慶 香川,亮 吉田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Magnetoresistance effect type head

Номер патента: JPH1186225A. Автор: Mitsuro Mita,充郎 見田,治起 山根,Haruki Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetoresistive effect type magnetic head

Номер патента: JPH1083518A. Автор: Hitoshi Sato,仁 佐藤,Takuya Takenaka,拓也 武中. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Method for preparing spin valve capable of improving giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN100340697C. Автор: 王磊,周仕明,杨德政. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-10-03.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS5339110A. Автор: Kaoru Toki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-04-10.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPH1079106A. Автор: Yoshiaki Satou,善顕 佐藤. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1998-03-24.

Manufacture of spin valve magnetoresistive effect head

Номер патента: JPH11250420A. Автор: 茂 庄司,Kokichi Aiso,Shigeru Shoji,功吉 相曽. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-09-17.

Micro acceleration transducer based on silicon substrate giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN102854339A. Автор: 王莉,刘俊,崔敏,李孟委,李锡广,郑伦贵. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2013-01-02.

Spin valve type magnetoresistance effect film and magnetic head having the same

Номер патента: JPH10294217A. Автор: Akihiko Nomura,昭彦 野村. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1998-11-04.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.