Magnetoresistance effect device.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1
Опубликовано: 29-03-2018
Автор(ы): Tomoyuki Sasaki
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10490734B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20180090672A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Magnetoresistive effect element having an underlayer and a side wall layer that contain scandium

Номер патента: US09508926B2. Автор: Minoru Amano,Hiroaki Maekawa,Eiji Kitagawa,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Shigeto Fukatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20240074326A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180138237A1. Автор: Junichi Ito,Satoshi Seto,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Process for producing magnetoresistive effect element

Номер патента: US09640754B2. Автор: Takashi Nakagawa,Yukito Nakagawa,Yoshimitsu Kodaira,Motozo Kurita. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetoresistive effect element, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20230180628A1. Автор: Yo Sato,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284732A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220278271A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetoresistive effect element including a Heusler alloy layer with a crystal region and an amorphous region

Номер патента: US11730063B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230337549A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetoresistance effect element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190019942A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: KR101721020B1. Автор: 다카시 나카가와,유키토 나카가와,요시미츠 고다이라,모토조 구리타. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-29.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7266012B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11805706B2. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20120139019A1. Автор: Yoshihisa Iba. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20140284736A1. Автор: Tatsuya Kishi,Akiyuki Murayama,Masaru Toko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistance effect device having crystal grain boundary and method of manufacturing the same

Номер патента: US7298644B2. Автор: Toshihiko Nagase,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070013015A1. Автор: Tadashi Kai,Masahiko Nakayama,Yoshihisa Iwata,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, method for manufacturing tunnel barrier layer, and insulating layer

Номер патента: US20200303630A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9070866B2. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20020101328A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Magnetoresistance effect element and method for producing same

Номер патента: US20040169006A1. Автор: Michiko Hara,Yuichi Ohsawa,Susumu Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5500633A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US8750029B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2022190346A1. Автор: 智生佐々木,優剛石谷. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2022-09-15.

Spin-orbit torque magnetization rotation element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: WO2020110296A1. Автор: 智生佐々木,陽平塩川,優剛石谷. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic laminated film, and magnetoresistive effect element

Номер патента: WO2022265058A1. Автор: 哲郎遠藤,正二池田,好昭齋藤. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2022-12-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20070019463A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2023026481A1. Автор: 智生佐々木,振尭唐. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2023-03-02.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11380841B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10957846B2. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor stack for hall effect device

Номер патента: US11522125B2. Автор: Lucian Barbut,Kuan-Ting HO. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor stack for hall effect device

Номер патента: US20210257544A1. Автор: Lucian Barbut,Kuan-Ting HO. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of making a Hall effect device

Номер патента: US4398342A. Автор: Gillies D. Pitt,Peter D. Greene,Edward J. Thrush,David H. Whysall. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1983-08-16.

Hall effect devices integrated with junction transistors

Номер патента: US20230403949A1. Автор: Xinfu Liu,Wensheng Deng,Jason Kin Wei Wong,Qianqian Meng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Communication system including a plurality of semiconductive circuit arrangements using gunn effect devices

Номер патента: US3593046A. Автор: Carl Peter Sandbank,David Lane Thomas. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1971-07-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210005808A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Shinya Ishikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-01-07.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, magnetic memory, and storage cell element

Номер патента: CN113330582A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: WO2021186693A1. Автор: 勝之中田. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2021-09-23.

Magnetization rotational element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20230180629A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Minoru Sanuki,Kosuke HAMANAKA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Magnetoresistive effect element unit and magnetoresistive effect element device

Номер патента: WO2018139233A1. Автор: 智和尾込,賢司下畑,甚井上,徹治今村,善紀山口,貴史大門. Владелец: 北陸電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-08-02.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing tunnel barrier layer

Номер патента: US12063873B2. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN107887505B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US12035638B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistive effect memory, memory array, and memory system

Номер патента: JP2023074096A. Автор: Yutaka Higo,政功細見,豊肥後,Masakatsu Hosomi,塁阪井,Rui Sakai,啓三平賀,Keizo HIRAGA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-05-29.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US20200274511A1. Автор: Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200075845A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US10505105B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181334A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for doping an active Hall effect region of a Hall effect device and Hall effect device having a doped active Hall effect region

Номер патента: US09741925B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for doping an active hall effect region of a hall effect device

Номер патента: US09978930B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for doping an active hall effect region of a hall effect device and hall effect device having a doped active hall effect region

Номер патента: US20170317271A1. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-02.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2024154050A1. Автор: Takahiro Ishikawa,Kouji INUKAI,Masamitsu Hayashi,Ryosuke AKASHI,Koutarou Kubo,Yuuta TOGA,Itti RITTAPORN,Shinji TSUNEYUKI. Владелец: THE UNIVERSITY OF TOKYO. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN107887502B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of making magnetoresistive effect element and multichamber device for making magnetoresistive effect element

Номер патента: RU2390883C1. Автор: Манабу ИКЕМОТО,Томоаки ОСАДА,Наоаки ЙОКОКАВА. Владелец: Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-27.

Hall effect device

Номер патента: IE43560B1. Автор: . Владелец: ITT. Дата публикации: 1981-03-25.

Hall-effect device with current and hall-voltage connections

Номер патента: US5646527A. Автор: Ramesh G. Mani,Klaus Von Klitzing. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-07-08.

Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210384414A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistance effect element with improved antiferromagnetic layer

Номер патента: US5552949A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Atsuhito Sawabe,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS58166527A. Автор: Nobuyuki Hayama,信幸羽山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-01.

Ferromagnetic magnetoresistance effect alloy film

Номер патента: JPS6064484A. Автор: Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Akira Kumagai,昭熊谷,成重　真治,光岡　勝也. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-13.

Magnetoresistance effect type element of shunt type

Номер патента: JPS6370584A. Автор: Kenji Hinode,憲治日野出,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,昇清水,北田　正弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-30.

Ferromagnetic laminated film, spin-current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN111512456A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-07.

Composite magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS61241993A. Автор: Hitoshi Nakamura,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,英男田辺,昇清水,斉中村,北田　正弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPS6464383A. Автор: Hitoshi Nakamura,Noboru Shimizu,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-10.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistive effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210167279A1. Автор: Shuichi Murakami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method of magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20160197268A1. Автор: Junichi Ito,Yuichi Ohsawa,Eiji Kitagawa,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada,Megumi Yakabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Magnetic film, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20220052111A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US9577182B2. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Shoji Ikeda,Shinya Ishikawa,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-21.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US10756262B2. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US20190267542A1. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Spin-orbit torque type magnetization rotational element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11925123B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US10756257B2. Автор: Naomichi Degawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US09847374B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Magnetization rotation element, magnetoresistive effect element, magnetic recording array, high frequency device, and manufacturing method of magnetization rotation element

Номер патента: JP7168123B2. Автор: 優剛石谷. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Ferromagnetic laminated film, spin current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2019167929A1. Автор: 智生佐々木,陽平塩川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2019-09-06.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US9196823B2. Автор: Koji Ueda,Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Ferromagnetic layered film, spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: JPWO2019167929A1. Автор: 智生佐々木,陽平塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Magnetic memory with spin device element exhibiting magnetoresistive effect

Номер патента: US20180083066A1. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5315282A. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1994-05-24.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09966922B2. Автор: Tetsuya Shibata,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09906199B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237663A1. Автор: Shinji Hara,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetoresistive effect device

Номер патента: US09948267B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistive effect device with first and second magnetoresistive effect elements having opposite current flows relative to the ordering of the layers of the elements

Номер патента: US10074688B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US12096699B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US7227771B2. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Magnetic memory device employing giant magnetoresistance effect

Номер патента: US6775183B2. Автор: Carsten Heide. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2004-08-10.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1398790A3. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-12.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US11776604B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190148046A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetic recording array and magnetoresistance effect unit

Номер патента: US20220343959A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module

Номер патента: US20190237662A1. Автор: Shinji Hara,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Variable-frequency magnetoresistive effect element and oscillator, detector, and filter using the same

Номер патента: US20180102475A1. Автор: Tatsuo Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US09689902B2. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetoresistance effect element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190259937A1. Автор: Seiji Mitani,Katsuyuki Nakada,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US09653677B2. Автор: Katsumi Suemitsu,Eiji Kariyada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US09583123B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US20160005957A1. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Process for producing magnetoresistive effect element and device producing method

Номер патента: US09773973B2. Автор: Isao Takeuchi,Yoshimitsu Kodaira,Mihoko Nakamura. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetization rotational element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20240130247A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillation element

Номер патента: US20190006074A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillation element

Номер патента: US20190392972A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210305498A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210151667A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US09941468B2. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Tetsuro Anekawa,Chaoling Zhang. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190074433A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Shoji Ikeda,Kenchi Ito,Masaaki Niwa,Tetsuo Endoh,Kyota Watanabe,Mathias BERSWEILER. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210193913A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220013140A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200052194A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Toru Iwabuchi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-04-19.

Magnetoresistance effect element including a crystallized co heusler alloy layer

Номер патента: US11621392B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230386511A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10580974B2. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210020216A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Magnetoresistance effect element and method of producing the same

Номер патента: US20080081219A1. Автор: Mitsuru Otagiri,Kouji Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: US20120068285A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Makoto Nagamine,Katsuya Nishiyama,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Yutaka Hashimoto,Shinji Yuasa,Eiji Kitagawa,Taro Nagahama,Masaru Tokou,Kay Yakushiji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Spin current magnetization rotation magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190363244A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20230292623A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11765981B1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043682A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Tadashi Kai,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US20220077387A1. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US9853207B2. Автор: Kazumasa Nishimura,Takuya Seino,Toshikazu IRISAWA,Saki Shibuichi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US11024727B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US10707335B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20190181333A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Magnetoresistive effect element and crystallization method of ferromagnetic layer

Номер патента: US20210265562A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US10446740B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190378974A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording array

Номер патента: US20210249590A1. Автор: Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Magnetoresistance effect element containing Heusler alloy with additive element

Номер патента: US11967348B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20220238136A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

In-plane magnetized film, in-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, magnetoresistance effect element, and sputtering target

Номер патента: US20230187109A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230225222A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200035913A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20220006007A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180068680A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetoresistive effect element containing two non-magnetic layers with different crystal structures

Номер патента: US20230009284A1. Автор: Seiji Mitani,Katsuyuki Nakada,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US11744163B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US10614866B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11871681B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20210043226A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20180026181A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210028354A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210328136A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190221735A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and magnetic device

Номер патента: US20190108865A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Jiro Yoshinari,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230025589A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Tunable homojunction field effect device-based artificial synapse circuit and implementation method thereof

Номер патента: US20230196084A1. Автор: CHEN Pan,Pengfei Wang,Shijun Liang,Feng Miao,Chenyu Wang. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

Structure and method for effective device width adjustment in finFET devices using gate workfunction shift

Номер патента: US09418903B2. Автор: Carl Radens,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09865727B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09496386B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

An electronic device comprising a trench gate field effect device

Номер патента: WO2000057478A2. Автор: Holger Schligtenhorst,Raymond J. E. Hueting,Adam R. Brown,Mark A. Gajda,Stephen W. Hodgskiss. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-09-28.

An electronic device comprising a trench gate field effect device

Номер патента: EP1145323A2. Автор: Holger Schligtenhorst,Raymond J. E. Hueting,Adam R. Brown,Mark A. Gajda,Stephen W. Hodgskiss. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Magneto-resistive effect device, magnetic head gimbal assembly, magnetic recording/reproduction device, strain sensor, pressure sensor, blood pressure sensor, and structural health monitoring sensor

Номер патента: US09435868B2. Автор: Michiko Hara,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji,Devin GIDDINGS. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Hall effect device with trench about a micron or greater in depth

Номер патента: US20230413687A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Hall effect device

Номер патента: US09935259B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Hall effect device

Номер патента: US09520551B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-13.

Field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09401352B2. Автор: Maryam Shojaei Baghini,Harald Gossner,Ramgopal Rao,Mayank Shrivastava. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-26.

Hybrid hall effect device and method of operation

Номер патента: US5652445A. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-07-29.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: EP2973720A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: WO2014160453A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device having a vertical insulated gate field effect device and a breakdown region remote from the gate

Номер патента: US5656843A. Автор: Andrew L. Goodyear,Keith M. Hutchings. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US20170133510A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Enhancement mode field effect device and the method of production thereof

Номер патента: US20130237021A1. Автор: Gustaaf Borghs,Marianne Germain,Joff Derluyn,Steven Boeykens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-09-12.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20170062606A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-02.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20140145245A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20150340454A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: EP2923381A1. Автор: Robert Kuo-Chang Yang,Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-09-30.

Processes using a masking layer for producing field effect devices having oxide isolation

Номер патента: US3698966A. Автор: Ronald E Harris. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: WO2015050615A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3826073A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Insulated gate field effect device with a smoothly curved depletion boundary in the vicinity of the channel-free zone

Номер патента: US5248893A. Автор: Shinichi Sakamoto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Method of fabricating semiconductor thin film and a Hall-effect device

Номер патента: US5385864A. Автор: Tetuo Kawasaki,Tetuhiro Koretika,Kitabatake,Takasi Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Insulated-gate field-effect devices

Номер патента: GB2156580A. Автор: Dr David James Coe. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-09.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US11817502B2. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20210118873A1. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20200035823A1. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20200035824A1. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Hall effect device

Номер патента: US20180047893A1. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-15.

Hall effect device

Номер патента: US20160056369A1. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Hall effect device

Номер патента: US20170062704A1. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Hall effect device

Номер патента: US9818934B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09762182B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, semiconductor element, magnetic recording array, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US11770978B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12048251B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic multilayered film, magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US5958611A. Автор: Satoru Araki,Kiyoshi Noguchi,Masashi Sano,Taro Oike,Manabu Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Magnetic memory device including magnetoresistance effect element

Номер патента: US12029136B2. Автор: Tadaomi Daibou,Yuichi Ito,Shogo ITAI,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, semiconductor element, magnetic recording array, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230389442A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Yugo ISHITANI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head

Номер патента: US5726837A. Автор: Mikio Suzuki,Toshio Kobayashi,Naoki Koyama,Masaaki Futamoto,Noboru Shimizu,Yoshibumi Matsuda,Kazuo Shiiki,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,Isamu Yuito,Hisashi Takano,Ryoichi Nakatani,Eijin Moriwaki,Fumio Kugiya,Yoshinori Miyamura,Kyo Akagi,Takeshi Nakao,Hirotsugu Fukuoka,Takayuki Munemoto,Tokuho Takagaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-10.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic device

Номер патента: US12089502B2. Автор: Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240339255A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240266099A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12040115B1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Kazuumi INUBUSHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4435807A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Magnetoresistance effect film and method of forming same

Номер патента: US6808740B2. Автор: Masaharu Oshima,Hiroyuki Akinaga,Masaki Mizuguchi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-10-26.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20090244960A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Magnetoresistance effect element, magnetic recording element, and high-frequency device

Номер патента: US20240112695A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A3. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: MY120928A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-30.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP4236664A2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Manufacture method and manufacturing system of magnetoresistive effect element

Номер патента: TWI557959B. Автор: Masayoshi Ikeda,Kiyotaka Sakamoto,Marie Hayashi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-11-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5716719A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Magnetoresistance effect element and Heusler alloy

Номер патента: US11769523B2. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: US20240062777A1. Автор: Tetsuya Uemura,Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

In-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20230168319A1. Автор: Tomonari KAMADA,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230144429A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5738929A. Автор: Atsushi Maeda,Satoru Oikawa,Minoru Kume. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US11728082B2. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20210304940A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230292625A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US6768152B2. Автор: Yutaka Higo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20050254287A1. Автор: Thierry Valet. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same

Номер патента: KR101858308B1. Автор: 히데오 오노,가쯔야 미우라,히로유끼 야마모또,쇼지 이께다,요스께 구로사끼. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-effect device for evaluating and/or monitoring process parameter

Номер патента: RU2321116C2. Автор: Роберт ШМИДТ,Армин РУПП,Ира ХЕНКЕЛЬ. Владелец: Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг. Дата публикации: 2008-03-27.

CPP magneto-resistive effect device utilizing an anti-oxidizing layer as part of the spacer layer in a thin-film magnetic head usable in a head gimbal assembly in a hard disk system

Номер патента: US7885042B2. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP2924749A1. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Memory cell array has stacked layer magnetoresistive effect layer memory elements

Номер патента: DE19744095A1. Автор: Lothar Dr Risch,Siegfried Dipl Phys D Schwarzl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-15.

Magnetoresistive-effect device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030103298A1. Автор: Kiyoshi Sato,Kenji Honda,Yoshihiko Kakihara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: US09595916B2. Автор: Eiji Suzuki,Tsuyoshi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080239585A1. Автор: Satoru Okamoto,Kouji Okazaki,Masahiro Ousugi,Katsuro Watababe. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-10-02.

CPP-type magnetoresistive effect head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7944651B2. Автор: Satoru Okamoto,Katsuro Watanabe,Kouji Okazaki,Masahiro Ousugi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-05-17.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US11793088B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240008370A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Magnetoresistive effect element, manufacturing method thereof, and position detection apparatus

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Naoki Ohta,Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11944018B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20240334839A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20150221327A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20160027457A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yousuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5432661A. Автор: Yasuhiro Kawawake,Teruya Shinjo,Toshio Takada, deceased. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1995-07-11.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035635B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US6937447B2. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-30.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230210016A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US11927649B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Shogo YONEMURA,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of configuring lighting effect patterns for interactive lighting effect devices

Номер патента: US09913344B2. Автор: Chih-Ming Chang,Ying-Ko Lu,Wen-Chih Wang,Ta-Jen Lin,Ta-Wei Huang. Владелец: Lumic Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7274376B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-09-25.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7184060B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040257474A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040196300A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7289129B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040196406A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

User-actuated lighting effect device

Номер патента: US09462654B2. Автор: Michael John Ahern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Tunable homojunction field effect device-based unit circuit and multi-functional logic circuit

Номер патента: US20230198520A1. Автор: CHEN Pan,Shijun Liang,Feng Miao. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

Line circuit controlled by a hall effect device

Номер патента: CA1141875A. Автор: Hendrik Van Husen. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-02-22.

Subscriber line circuits using hall effect devices

Номер патента: CA1090495A. Автор: Donald A. Weir,Anthony W. Sweet. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1980-11-25.

User-Actuated Lighting Effect Device

Номер патента: US20170234518A1. Автор: Michael John Ahern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-17.

Apparatus having an input and an output and having an effect device with volume-regulated audio signals from an audio file

Номер патента: US11877129B2. Автор: Gunnar Kron. Владелец: Kroton GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Two-phase brushless direct-current motor having single hall effect device

Номер патента: US6005320A. Автор: Byung Kyu Kim,Joon Kim. Владелец: Amotron Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-21.

Shaft position sensor employing a wiegand-effect device

Номер патента: US5057727A. Автор: Donald W. Jones. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-10-15.

Special effect device for electronically accomplishing a gradual scene shift

Номер патента: US4218711A. Автор: Kazuo Kashigi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US09564152B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element

Номер патента: KR100376028B1. Автор: 사카키마히로시,히라모토마사요시,수기타야수나리,사토미미쯔오,카와와케야수히로,마쯔카와노조무. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-15.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190148046A1. Автор: SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190237662A1. Автор: HARA Shinji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190237663A1. Автор: HARA Shinji,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: KR100361245B1. Автор: 사카키마히로시,히로타에이찌,가와와케야스히로,사토미미츠오,스기타야스나리. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-01-24.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: US20020006529A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL-TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL-TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220006006A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-01-06.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT UNIT AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT DEVICE

Номер патента: US20190204396A1. Автор: Inoue Jin,Ogomi Tomokazu,Yamaguchi Yoshinori,SHIMOHATA Kenji,Imamura Tetsuji,DAIMON Takashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US11081641B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-08-03.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US11522124B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180123024A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

Spin current magnetization reversal-type magnetoresistive effect element and method for producing spin current magnetization reversal-type magnetoresistive effect element

Номер патента: US20180351084A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160380189A1. Автор: ITO Junichi,Kamata Chikayoshi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori,Tamaoki Naoki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: DE69233139T2. Автор: Yoshiaki 1-1 Shibaura 1-chome Saito,Koichiro 1-1 Shibaura 1-chome Inomata,Reiko 1-1 Shibaura 1-chome Kondoh,Yuichi 1-1 Shibaura 1-chome Ohsawa,Susumu 1-1 Shibaura 1-chome Hashimoto,Hitoshi 1-1 Shibaura 1-chome Iwasaki,Junichi 1-1 Shibaura 1-chome Akiyama,Toshihiko 1-1 Shibaura 1-chome Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, magnetoresistive effect element manufacturing method, and magnetoresistive effect element manufacturing apparatus

Номер патента: JPWO2015045212A1. Автор: 正人品田,太一廣見. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, magnetoresistive effect element manufacturing method, and magnetoresistive effect element manufacturing apparatus

Номер патента: JP6068662B2. Автор: 正人品田,太一廣見. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Magnetoresistive effect element, magnetoresistive effect type head, memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3834700B2. Автор: 博榊間,三男里見,雅弘上田,信治長町. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and method for producing spin-orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US10439130B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING APPARATUS OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140087483A1. Автор: ITO Junichi,Kamata Chikayoshi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori,Tamaoki Naoki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-27.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200044142A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MAGNETIC RECORDING ARRAY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210167278A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,ISHITANI Yugo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, BUILT-IN MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190180900A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ARRAY, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND WRITE METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND FILM FORMATION METHOD FOR SAID MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210399208A1. Автор: Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,NISHIOKA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190386207A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: EP0883196B1. Автор: Satoru Araki,Kiyoshi Noguchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-07-28.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect storage element

Номер патента: JP3589346B2. Автор: 望松川,博榊間,明弘小田川,雅祥平本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect magnetic head

Номер патента: DE69825219T2. Автор: Satoru Chiba-shi Araki,Kiyoshi Saku-shi Noguchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Circuit selected joint magnetoresistive junction tunneling-giant magnetoresistive effects memory cells

Номер патента: US20020171100A1. Автор: Arthur Pohm. Владелец: NVE Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Magnetoresistive effect element having magnetoresistive layer and underlying metal layer

Номер патента: KR100220106B1. Автор: 가즈히코 하야시,마사후미 나카다,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,준-이찌 후지카타. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-09-01.

Magnetoresistance effect material, method of manufacturing the same, and magnetoresistance element

Номер патента: JP2807398B2. Автор: 和明深道,教行潟岡,島田　　寛,英樹竹田. Владелец: WAI KEI KEI KK. Дата публикации: 1998-10-08.

Multilayer which shows magnetoresistive effect and magnetoresistive element using the same

Номер патента: EP0490327B1. Автор: Yuzuru Hosoe,Masahiro Kitada,Ryoichi Nakatani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-12-28.

Circuit selected joint magnetoresistive junction tunneling-giant magnetoresistive effects memory cells

Номер патента: US6674664B2. Автор: Arthur V. Pohm. Владелец: NVE Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US10439592B2. Автор: Naomichi Degawa,Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20190081606A1. Автор: YAMANE Takekazu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20200274511A1. Автор: YAMANE Takekazu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGENTIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20200328344A1. Автор: SAITO Masamichi,KOIKE Fumihito. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Tunnel magnetoresistance effect device, and a portable personal device

Номер патента: US20080144233A1. Автор: Yoshiaki Saito,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Tunnel magnetoresistance effect device, and a portable personal device

Номер патента: US7692902B2. Автор: Yoshiaki Saito,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Magnetoresistance effect device and magnetic head, memory and amplification device provided therewith

Номер патента: DE69533636T2. Автор: Hiroshi Tsuzuki-gun Sakakima,Yousuke Kadoma-shi Irie,Mitsuo Katano-Shi Satomi,Yasuhiro Ogura-cho Kawawake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of manufacturing tunnel magnetoresistive effect element and sputtering apparatus

Номер патента: US20160276583A1. Автор: Yuichi Otani,Takuya Seino. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Spin-orbit torque type magnetization rotational element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210151665A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11756600B2. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180277749A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190304491A1. Автор: Degawa Naomichi,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190305215A1. Автор: Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US12120890B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate processing apparatus, etching method of metal film, and manufacturing method of magnetoresistive effect element

Номер патента: US09685299B2. Автор: Yukito Nakagawa. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: US20140024140A1. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D. DJAYAPRAWIRA. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180040666A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-02-08.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200058802A1. Автор: HARA Shinji,ITO Kuniyasu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

SPIN CURRENT ASSISTED MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200082861A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

SPIN CURRENT ASSISTED MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190147929A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180159492A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190180901A1. Автор: Roppongi Tetsuya,Kaizu Akimasa,Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190181332A1. Автор: Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190228894A1. Автор: Kaizu Akimasa,HARA Shinji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20170244377A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-08-24.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20180309046A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-10-25.

Magnetoresistive effect device, process for fabricating the same, and magnetic head produced using the same

Номер патента: EP0814519B1. Автор: Tohru Kira,Haruhiko Deguchi,Takaya Nakabayashi,Tomohisa Komoda,Noboru Fujita,Kazuhiro Uneyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US6730949B2. Автор: Yoshiaki Saito,Kentaro Nakajima,Masayuki Sagoi,Tatsuya Kishi,Minoru Amano,Shigeki Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Spin-current assist type magnetoresistance effect device

Номер патента: WO2017208880A1. Автор: 智生佐々木,亨及川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Spin-orbit torque type magnetization rotation element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and method of manufacturing spin-orbit torque type magnetization rotation element

Номер патента: US20190206603A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190131517A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGENTORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20130288397A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,Hashimoto Yutaka,Tokou Masaru,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,Yoda Hiroaki,Yakushiji Kay,Yuasa Shinji,Kubota Hitoshi,Nagahama Taro,Fukushima Akio,Ando Koji,Nagamine Makato. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200052194A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-13.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190057732A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180068680A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-08.

SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200136017A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,ASHIDA Takuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-30.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190181334A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM

Номер патента: US20200191887A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200235290A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-23.

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND SPUTTERING APPARATUS

Номер патента: US20160276583A1. Автор: Seino Takuya,OTANI Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20180337326A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-22.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200343442A1. Автор: Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0506433B2. Автор: Yoshiaki c/o Intellectual Property Div. Saito,Shino c/o Intellectual Property Div. Okuno,Koichiro C/O Intellectual Property Div. Inomata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100954507B1. Автор: 히고유타카. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-04-27.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: EP3279957A4. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-05.

Spin current magnetization rotational element, method of manufacturing the same, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190051816A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130094284A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME

Номер патента: US20130175645A1. Автор: KARIYADA Eiji,Sugibayashi Tadahiko,Mori Kaoru,Ohshima Norikazu,Fukami Shunsuke,Suzuki Tetsuhiro,Tanigawa Hironobu,Miura Sadahiko,Ishiwata Nobuyuki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2013-07-11.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130187248A1. Автор: KARIYADA Eiji,Suemitsu Katsumi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140070343A1. Автор: Nakayama Masahiko,KISHI Tatsuya,FUKATSU Shigeto,MURAYAMA Akiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140077319A1. Автор: Yakushiji Kay,Kubota Hitoshi,NOMA Kenji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-20.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140085971A1. Автор: Nagamine Makoto,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,YAMAKAWA Koji,Ikeno Daisuke,NATORI Katsuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

PROCESS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND DEVICE PRODUCING METHOD

Номер патента: US20160005957A1. Автор: KODAIRA Yoshimitsu,TAKEUCHI Isao,NAKAMURA Mihoko. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-07.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATION ELEMENT

Номер патента: US20190006074A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200006640A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200006642A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160013397A1. Автор: KITAGAWA Eiji,AMANO Minoru,Yakabe Megumi,Maekawa Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Spin-orbit torque magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20210013398A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD, OPERATION METHOD, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180019388A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180026181A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-01-25.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210028354A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-28.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210028355A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-28.

EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, EXCHANGE BIAS UTILIZATION TYPE MAGNETIC MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC NEURON ELEMENT

Номер патента: US20190035446A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200035911A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-30.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200035913A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-30.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160043305A1. Автор: KITAGAWA Eiji,NOMA Kenji,Ochiai Takao. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180040815A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-02-08.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220059757A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190051816A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220077386A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200057122A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180068681A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-08.

SPIN CURRENT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190067563A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSING ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC DEVICE

Номер патента: US20190074043A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,YOSHINARI Jiro,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND HIGH-FREQUENCY MAGNETIC ELEMENT

Номер патента: US20190074123A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ISHITANI Yugo,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND HIGH-FREQUENCY MAGNETIC ELEMENT

Номер патента: US20190074124A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ISHITANI Yugo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190074433A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Ito Kenchi,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,BERSWEILER Mathias,WATANABE Kyota,NIWA Masaaki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-07.

Spin current magnetization rotational magnetic element, spin current magnetization rotational magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200075073A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200075845A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180083186A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200083430A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SANUKI Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20200083439A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090670A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090673A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090676A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180090677A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190088711A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190088861A1. Автор: Murakami Shuichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200090719A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,NISHIOKA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

VARIABLE-FREQUENCY MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND OSCILLATOR, DETECTOR, AND FILTER USING THE SAME

Номер патента: US20180102475A1. Автор: SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-04-12.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180108390A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,IWABUCHI Toru. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180108834A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-04-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC DEVICE

Номер патента: US20190108865A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,YOSHINARI Jiro,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-04-11.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS

Номер патента: US20140204487A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,HASE NAOKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-07-24.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220278271A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20220278272A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190131517A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-02.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180138237A1. Автор: ITO Junichi,SETO Satoshi,Kamata Chikayoshi,Yakabe Megumi,Kashiwada Saori. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-05-17.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20220285608A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-08.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200136023A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TSUMITA Atsushi,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-30.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190148627A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190148629A1. Автор: KOMURA Eiji,SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SUDA Keita. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-16.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210184103A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210184105A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TSUMITA Atsushi,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIZATION ROTATION METHOD, AND SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT

Номер патента: US20210184106A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-17.

FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM

Номер патента: US20190154767A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180159026A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20220301935A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, INTEGRATED DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20190157343A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190157546A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20200152862A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210193913A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-24.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200160900A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT FILM USING THE EXCHANGE COUPLING FILM, AND MAGNETIC DETECTOR USING THE EXCHANGE COUPLING FILM

Номер патента: US20200161538A1. Автор: SAITO Masamichi,Endo Hiroaki,KOIKE Fumihito. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200161539A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180175286A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Ito Kenchi,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Honjo Hiroaki,BERSWEILER Mathias,WATANABE Kyota,NIWA Masaaki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-21.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190173000A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-06.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200168383A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,OIKAWA Tohru,SHIOKAWA Yohei,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-05-28.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140284592A1. Автор: Nagamine Makoto,Nishiyama Katsuya,YAMAKAWA Koji,Ikeno Daisuke,NATORI Katsuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140284735A1. Автор: Hashimoto Yutaka,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Ueda Koji,Watanabe Daisuke,Nakayama Masahiko,EEH Youngmin,SAWADA Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

CPP-TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DISK DEVICE USING SIDE SHIELD LAYERS

Номер патента: US20140293474A1. Автор: YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi,Machita Takahiko,Ota Minoru,HAMAMOTO Kenta. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2014-10-02.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20200194311A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATION ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATION ELEMENT

Номер патента: US20190206603A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170222135A1. Автор: Ohno Hideo,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,Zhang Chaoling,Anekawa Tetsuro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20190214549A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RECORDING ARRAY

Номер патента: US20210249590A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-08-12.

Magnetoresistive Effect Element

Номер патента: US20200212295A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20160233416A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke,ISHIKAWA Shinya. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-11.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190221230A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200219532A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-07-09.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160240772A1. Автор: NISHIMURA Kazumasa,Seino Takuya,OTANI Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210265560A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-08-26.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME

Номер патента: US20140340961A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Kurosaki Yosuke,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

MAGNETIC MEMORY WITH SPIN DEVICE ELEMENT EXHIBITING MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: US20160260771A1. Автор: FUKUZAWA Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Spin current magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190244651A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180254409A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20210318394A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,ICHIKAWA Shinto,YONEMURA Shogo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-10-14.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20170279039A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-09-28.

Spin current magnetized rotation element, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190267540A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190267542A1. Автор: KOMURA Eiji,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200266336A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-20.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190273203A1. Автор: UEMURA Tetsuya,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190279907A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20150301089A1. Автор: Hiroaki Tsujimoto. Владелец: Sirc Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200278403A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20180294404A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20190288185A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

PROCESS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20150311432A1. Автор: Nakagawa Takashi,KODAIRA Yoshimitsu,NAKAGAWA Yukito,KURITA Motozo. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-29.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20180308535A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180309048A1. Автор: KITAGAWA Eiji,NOMA Kenji,Ochiai Takao. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-10-25.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20190305214A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

FERROMAGNETIC LAMINATED FILM, SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200321518A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190325903A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tatsuo Shibata,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

DATA WRITING METHOD, INSPECTION METHOD, SPIN DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190333560A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190333819A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20180342668A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-29.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200335691A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,SANUKI Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-10-22.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180350417A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US20180351082A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180351083A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20180351085A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-12-06.

Spin-current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190348329A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Tomomi Kawano,Minoru Sanuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

SPIN-ORBIT-TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200350490A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

Spin-orbit torque magnetization rotating element, spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190355401A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190355898A1. Автор: NAKADA Katsuyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-11-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160380187A1. Автор: NISHIMURA Kazumasa,Seino Takuya,IRISAWA Toshikazu,Shibuichi Saki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190363244A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-11-28.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190378974A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-12.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20200388302A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-12-10.

SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETIZATION ROTATING ELEMENT, SPIN-ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200395533A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-12-17.

Magnetic multilayer and magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0504473A1. Автор: Satoru C/O Tdk Corporation Araki,Kiyomi C/O Tdk Corporation Yasui,Yoshikazu C/O Tdk Corportation Narumiya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1992-09-23.

Element having magnetoresistive effect

Номер патента: EP0620572B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-15.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: EP0925585A4. Автор: Arthur V Pohm,Brenda A Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-11-24.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: WO1998010423A1. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics, Incorporated. Дата публикации: 1998-03-12.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20080006860A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-01-10.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8048492B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Magnetic multilayer film, magnetoresistive effect element, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3411626B2. Автор: 悟荒木,大助宮内,義和成宮. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-06-03.

Magnetoresistance effect type memory, and method and device for reproducing information from the memory

Номер патента: US6480411B1. Автор: Akio Koganei. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2002-11-12.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US6831314B2. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Magnetic element, magnetic memory device, magnetoresistance effect head, and magnetic storage system

Номер патента: US6365286B1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Shinichi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Magnetoresistive effect element, a magnetic head, and a magnetic reproducing apparatus therewith

Номер патента: US7221547B2. Автор: Masashige Sato,Kazuo Kobayashi,Hitoshi Kanai,Hideyuki Kikuchi,Yiqun Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Thin-layer structure of a magnetic field-sensitive sensor with a magnetic layer system showing an increased magnetoresistive effect

Номер патента: DE19720197C2. Автор: Hugo van den Berg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100989792B1. Автор: 호소미마사노리,오바가즈히로,베스호가즈히로,가노히로시,미즈구치데츠야,야마모토데츠야. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-10-29.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: KR100991674B1. Автор: 호소미마사노리,가노히로시,히고유타카,오바가주히로,소네다케유키,베소가주히로,야마모토데추야,미주구치데추야. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2010-11-04.

Magnetoresistance effect sensor

Номер патента: KR100262282B1. Автор: 유조 가미구치,가즈히로 사이토,히데아키 후쿠자와,히토시 이와사키,마사시 사하시,아키코 사이토. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2000-10-02.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, magnetization reversal method, and spin current magnetization reversal element

Номер патента: CN108292702B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-01-28.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN108292703B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN107408625B. Автор: 佐佐木智生. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US11114609B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Spin current magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: US10374151B2. Автор: Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US11056641B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: WO2010067520A1. Автор: 早川純,高橋宏昌. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2010-06-17.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US10971293B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Spin-orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: CN111480240A. Автор: 盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-31.

Magnetic memory device with a nonmagnet between two ferromagnets of a magnetoresistive effect element

Номер патента: US10937947B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Ferromagnetic multilayer film, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing ferromagnetic multilayer film

Номер патента: US10884078B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Negative resistance element using magnetoresistance effect

Номер патента: JP4682367B2. Автор: 章雄福島,佳紀永峰,大樹前原,新治湯浅,均久保田,義茂鈴木. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Magnetoresistive effect element with nonmagnetic spacer layer including an aluminum alloy

Номер патента: US10937451B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: WO2016117664A1. Автор: 哲郎遠藤,正二池田,大野　英男,俊輔深見,佐藤　英夫,松倉　文▲礼▼,慎也石川. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2016-07-28.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US10607898B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Spin-orbit torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2019230351A1. Автор: 陽平塩川. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2019-12-05.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: EP3382767A4. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same

Номер патента: US9153306B2. Автор: Hideo Ohno,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Yosuke Kurosaki,Katsuya Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-10-06.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US10871528B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Yoshitomo Tanaka,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Spin-orbit torque magnetization rotational element, spin-orbit torque magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210383851A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit

Номер патента: WO2019155957A1. Автор: 哲郎遠藤,大野　英男,俊輔深見,アレクサンダークレンコフ,ウィリアムアンドリューボーダーズ. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2019-08-15.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method

Номер патента: US11521776B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Spin current magnetization rotating element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN108886061B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-11-16.

Magnetoresistive effect element with an oscillation layer

Номер патента: US9112140B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Naoki Hase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Magnetoresistance effect element, storage element, and electronic apparatus

Номер патента: WO2020158323A1. Автор: 苅屋田　英嗣. Владелец: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社. Дата публикации: 2020-08-06.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210383828A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit

Номер патента: US20210119114A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Aleksandr Kurenkov,William Andrew Borders. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-04-22.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory, magnetization reversal method, and spin current magnetization reversal element

Номер патента: WO2017090733A1. Автор: 智生佐々木. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same

Номер патента: KR101255474B1. Автор: 히로마사 다까하시,준 하야까와. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2013-04-16.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200278403A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190074123A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yugo ISHITANI,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Tunnel magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20190333819A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20230200259A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming photoresist pattern and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head

Номер патента: US20020055264A1. Автор: Noriyuki Ito,Koichi Terunuma,Satoshi Tsukiyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US10644228B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Ferromagnetic tunnel junction, magnetoresistive effect element and spintronics device in which said ferromagnetic tunnel junction is used, and method of manufacturing ferromagnetic tunnel junction

Номер патента: EP3413363A4. Автор: Seiji Mitani,Kouichiro Inomata,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2019-11-13.

Tunnel magnetoresistive effect element, magnetic memory, and built-in memory

Номер патента: US20190333966A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yoshitomo Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US20190319183A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190287706A1. Автор: Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20190148629A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20200235290A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Eiji Komura,Yohei SHIOKAWA,Keita SUDA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Spin-current magnetization rotational element and spin orbit torque type magnetoresistance effect element

Номер патента: US12035639B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME

Номер патента: US20130107616A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Yamamoto Hiroyuki,Ito Kenchi,Takahashi Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20130141966A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210020216A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH-FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20200027476A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190036016A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20210050266A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANG Zhenyao. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-02-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, STORAGE ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220077387A1. Автор: KARIYADA Eiji. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140138347A1. Автор: NAKAMURA Mihoko,Toyosato Tomohiko,Kimura Kazuhiro,Ikeda Masayoshi. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20210074910A1. Автор: Ikeda Shoji,Saito Yoshiaki,Sato Hideo,Endoh Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: US20210098040A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20150109853A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-23.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200098979A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190103552A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei,TANAKA Yoshitomo,Ota Minoru. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200106004A1. Автор: KOMURA Eiji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

ELECTRIC-CURRENT-GENERATED MAGNETIC FIELD ASSIST TYPE SPIN-CURRENT-INDUCED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND HIGH-FREQUENCY FILTER

Номер патента: US20180123026A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210159396A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,ICHIKAWA Shinto. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: US20200127193A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190137576A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20170170392A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-06-15.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190178956A1. Автор: SASAKI Tomoyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190181333A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

SPIN CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20200176043A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190206602A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190221735A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,SHIBATA Tatsuo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190259937A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,HONO Kazuhiro,Mitani Seiji,ICHIKAWA Shinto,OHKUBO Tadakatsu,SUKEGAWA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190287706A1. Автор: SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20170324030A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Matsukura Fumihiro,Fukami Shunsuke,Endoh Tetsuo,ISHIKAWA Shinya. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-09.

SPIN-CURRENT MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT AND SPIN ORBIT TORQUE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20190319183A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-17.

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND BUILT-IN MEMORY

Номер патента: US20190333966A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,TANAKA Yoshitomo. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATION ELEMENT

Номер патента: US20190392972A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0498344B2. Автор: Hiroshi Sakakima,Toshio Takada,Mitsuo Satomi,Teruya Shinjo. Владелец: Zaidan Hojin Seisan Kaihatsu Kenkyusho. Дата публикации: 1999-07-07.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: EP0925585A1. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-06-30.

Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100304770B1. Автор: 마사후미 나까다,준이찌 후지까따. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-11-02.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: EP0624868B1. Автор: Hidefumi Nec Corporation Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040001372A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3207477B2. Автор: 輝也新庄,英文山本,俊彦阿武,利夫高田. Владелец: 財団法人生産開発科学研究所. Дата публикации: 2001-09-10.

Element with magnetoresistive effect, its manufacturing process and magnetic head made from it

Номер патента: DE69727261T2. Автор: Haruhiko Tenri-shi Deguchi,Takaya Ayama-gun Nakabayashi,Tomohisa Naga-gun Komoda,Tohru Tenri-shi Kira,Noboru Kashiba-shi Fujita,Kazuhiro Sendai-shi Uneyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic storage device and magnetic memory

Номер патента: KR100890323B1. Автор: 아라따 조고,히로따까 오시마,게이이찌 나가사까. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-03-26.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: KR100196581B1. Автор: 가즈히꼬 하야시,히데후미 야마모또,구니히꼬 이시하라,준이찌 후지까타. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Exchange coupling film magnetoresistance effect device magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: US6245450B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-12.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: EP0917161B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device

Номер патента: EP0917161A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-05-19.

Magnetoresistance effect element and method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect sensor, magnetoresistance detection system and magnetic storage system using this magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3114683B2. Автор: 一彦林. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-04.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same

Номер патента: US5841611A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yousuke N Irie. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Magnetoresistance effect film, magnetoresistance effect head and solid state memory

Номер патента: EP1513167B1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Magnetoresistance effect multilayer film, magnetoresistance effect element, and method of manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3514863B2. Автор: 輝也新庄,悟荒木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-03-31.

Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head

Номер патента: US20010036046A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Magnetoresistive effect element, magnetoresistive effect type magnetic sensor, and magnetoresistive effect type magnetic head

Номер патента: JP3849460B2. Автор: 政功細見,淳史松園. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head

Номер патента: US20050105221A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element

Номер патента: EP1033764B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Masayoshi Hiramoto,Nozomu Matsukawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Magnetoresistance effect film, a method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect device

Номер патента: US5989690A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Masafumi Nakada,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: EP1122749A2. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-08.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: MY132959A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita,Eiichi Hirota. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus

Номер патента: WO2001099206A1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Yasunari Sugita. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-12-27.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

Номер патента: US20190252749A1. Автор: HARA Shinji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-15.

Magnetoresistance effect film, a method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect device

Номер патента: KR100192192B1. Автор: 준이찌 후지가따,가즈히꼬 하야시,히데후미 야마모또,구니히꼬 이시하라,마사후미 나까다. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film

Номер патента: KR100327860B1. Автор: 사카키마히로시,히로타에이찌,가와와케야스히로,사토미미츠오,스기타야스나리. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-03-09.

Magnetoresistance elements exhibiting thermally stable giant magnetoresistance effect

Номер патента: US5840420A. Автор: Syed A. Hossain,Martin R. Parker. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 1998-11-24.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: US6221518B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-04-24.

Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same

Номер патента: KR100397094B1. Автор: 가즈히꼬 하야시. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-18.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: KR100307777B1. Автор: 사토루 아라키,기요시 노구치. Владелец: 사토 히로시. Дата публикации: 2001-10-19.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect element using the film

Номер патента: JPH1032357A. Автор: Atsushi Kamijo,敦上條,Taku Kondo,近藤　　卓. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and manufacturing method of magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040042129A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone,Kazuhiro Beesho. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: US20030062981A1. Автор: Masanori Hosomi,Eiji Makino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Manufacturing method of spin valve magnetoresistance effect type head and spin valve magnetoresistance effect type head manufactured by the manufacturing method

Номер патента: KR100287464B1. Автор: 히토시 까나이,껜이찌 아오시마,껜이찌로 야마다,미쓰마사 오까다,에이지 시미즈,준이찌 까네. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2001-05-02.

Method for manufacturing exchange coupling film, method for manufacturing magnetoresistive effect element using exchange coupling film, and method for manufacturing thin film magnetic head using magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3694440B2. Автор: 直也長谷川,洋介井出,正路斎藤,健一田中. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-14.

Magnetoresistive effect element, thin-film magnetic head with magnetoresistive effect read head element, and magnetic disk drive apparatus with thin-film magnetic head

Номер патента: US20100177447A1. Автор: Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head

Номер патента: US6391431B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita,Yoshihiro Tsuchiya,Masashi Sano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3575672B2. Автор: 潤一藤方,正文中田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems

Номер патента: US20040257186A1. Автор: Kazuo Shiiki,Hideo Kaiju. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-12-23.

Tunneling junction magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110141606A1. Автор: Tatsumi Hirano,Koichi Nishioka,Koji Sakamoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2011-06-16.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US5874886A. Автор: Satoru Araki,Daisuke Miyauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Spin-valve magnetoresistance effect head, composite magnetic head comprising the same, and magnetoresistance recorded medium drive

Номер патента: EP1193692B1. Автор: Hitoshi Fujitsu Limited Kanai,Kenji Fujitsu Limited Noma,Junichi Fujitsu Limited Kane,Kenichi Fujitsu Limited AOSHIMA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-18.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device

Номер патента: US6074743A. Автор: Satoru Araki,Daisuke Miyauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Exchange coupling membrane, magnetoresistive element using this exchange membrane and thin film magnetic head using magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100275983B1. Автор: 나오야 하세가와,아끼히로 마끼노,마사미찌 사또,가즈야 오오미나또,유따까 야마모또. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for manufacturing magnetoresistive effect structure and method for manufacturing magnetoresistive head

Номер патента: JP4658304B2. Автор: シャオロンフ,ジュトンツォ,ミンタイ,ツワンワンフイ,ツハンチン,ミンチンマオ,カンワンポ. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド. Дата публикации: 2011-03-23.

Spin tunnel magnetoresistive effect film and element, magnetoresistive sensor using same, magnetic apparatus, and method for manufacturing same

Номер патента: US7160572B2. Автор: Junichi Fujikata,Shigeru Mori,Tsutomu Ishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US20020167766A1. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Magnetoresistive effect element having magnetoresistance layer and lower metal layer

Номер патента: KR970060078A. Автор: 가즈히코 하야시,마사후미 나카다,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,준-이찌 후지카타. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-08-12.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20190044500A1. Автор: YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20180315535A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-01.

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE

Номер патента: US20180316077A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2018-11-01.

Magnetoresistance effect device and high-frequency device

Номер патента: US10608309B2. Автор: Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW200306677A. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co. Дата публикации: 2003-11-16.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3772658B1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Magnetoresistance effect element and heusler alloy

Номер патента: EP3786658B1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Spin-valve type magnetoresistance effect device, thin film magnetic head having the same, and method of manufacturing them

Номер патента: KR100379981B1. Автор: 하세가와나오야,고이께후미히또,이데요스께. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-11.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory having the same

Номер патента: TW591813B. Автор: Yoshiaki Saito,Katsuya Nishiyama,Minoru Amano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190245254A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JP6511531B2. Автор: 健司鈴木,哲也柴田,鈴木　健司,柴田　哲也,健量山根,順一郎占部,淳志村. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-15.

Magnetoresistance effect device and mram

Номер патента: KR101234441B1. Автор: 나오키 와타나베,신지 야마가타,모토노부 나가이,데이비드 디 자야프비라,고지 쓰네카와,히로키 마에하라,신지 유아사. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-02-18.

Magnetoresistance effect device, magnetic head, magnetic recording system, and magnetic random access memory

Номер патента: CN101047228A. Автор: 清水丰,城后新. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: TW201515293A. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2015-04-16.

Exchange combination film, manufacture thereof, and magnetoresistive effect device

Номер патента: JPH1126232A. Автор: Haruhiko Deguchi,Tomohisa Komoda,Toru Kira,治彦出口,智久薦田,Keiya Nakabayashi,敬哉中林,徹吉良,正司道嶋,Masaji Doujima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-01-29.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: TWI390780B. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2013-03-21.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: EP1973178A3. Автор: Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira,Naoki c/o Canon Anelva Corporation Watanabe. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus

Номер патента: US20010043448A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH11340542A. Автор: Tetsuya Yamamoto,哲也山本. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-10.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH1098220A. Автор: Atsushi Maeda,篤志前田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Magnetoresistance effect device, magnetic head, magnetic recording system, and magnetic random access memory

Номер патента: KR100841280B1. Автор: 유타카 시미즈,아라타 조고. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-06-25.

Magnetoresistance effect device, and method for producing the same

Номер патента: EP1134815A3. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Mitsuo Satomi,Yasunari Sugita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-31.

Magnetoresistance effect device and method of production of the same

Номер патента: EP2166581A3. Автор: Naoki Watanabe,Koji Tsunekawa,Shinji Yuasa,Shinji Yamagata,Motonobu Nagai,Hiroki Maehara,David D Djayaprawira. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Tunneling junction magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8284526B2. Автор: Tatsumi Hirano,Koichi Nishioka,Koji Sakamoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-10-09.

STACKED STRUCTURE, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20190094315A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-03-28.

CPP structure magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4184668B2. Автор: 恵一長坂,厚志田中,豊清水,弘敬大島,喜彦瀬山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Exchange coupling film, magnetoresistance effect element in which same is used, and magnetic detection device

Номер патента: WO2020137558A1. Автор: 文人小池,正路齋藤. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetic thin film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same

Номер патента: JP4582488B2. Автор: 浩一郎猪俣,展規手束. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2010-11-17.

Layered structure having FePt system magnetic layer and magnetoresistive effect element using the same

Номер патента: US20100214696A1. Автор: Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: WO2003085750A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-10-16.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, ETCHING METHOD OF METAL FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20140353142A1. Автор: NAKAGAWA Yukito. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20200251268A1. Автор: NAKADA Katsuyuki. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: US5949707A. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof

Номер патента: US6083632A. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5585196A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Keiichiro Yusu,Yoshinori Takahashi,Shiho Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-17.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5243316A. Автор: Hiroshi Sakakima,Toshio Takada,Mitsuo Satomi,Teruya Shinjo. Владелец: Seisan Kaihatsu Kagaku Kenkyusho. Дата публикации: 1993-09-07.

Magnetoresistive-effect element

Номер патента: US20010021089A1. Автор: Teiichi Miyauchi,Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Minoru Ikarashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Giant magnetoresistive effect memory cell

Номер патента: US5966322A. Автор: Arthur V. Pohm,Brenda A. Everitt. Владелец: Nonvolatile Electronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Tunnel magnetoresistance effect element

Номер патента: US6335081B1. Автор: Satoru Araki,Haruyuki Morita,Koji Shimazawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US20070202249A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US7700982B2. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: US7897201B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

A magnetoresistive effect film

Номер патента: KR100273828B1. Автор: 후지카타쥰이치,하야시가즈히코,야마모토히데후미,이시하라구니히코. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-12-15.

Magnetic thin film and magnetoresistance effect element

Номер патента: US20080180860A1. Автор: Migaku Takahashi,Masakiyo Tsunoda,Kojiro Komagaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Magnetoresistance effect film and method for making the same

Номер патента: KR100321956B1. Автор: 마사후미 나까다,준이찌 후지까따. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-03-08.

Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head

Номер патента: US5390061A. Автор: Mikio Suzuki,Toshio Kobayashi,Naoki Koyama,Masaaki Futamoto,Noboru Shimizu,Yoshibumi Matsuda,Kazuo Shiiki,Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,Isamu Yuito,Hisashi Takano,Ryoichi Nakatani,Eijin Moriwaki,Fumio Kugiya,Yoshinori Miyamura,Kyo Akagi,Takeshi Nakao,Hirotsugu Fukuoka,Takayuki Munemoto,Tokuho Takagaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: US5658658A. Автор: Hidefumi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-19.

Layer system with increased magnetoresistive effect and use thereof

Номер патента: DE10140043B4. Автор: Hans Dr. Boeve. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-03-23.

Operating method for a magnetic field sensor based on the tunnel magnetoresistance effect and associated arrangement for carrying out this method

Номер патента: DE102007009175B4. Автор: Manfred Dr. Rührig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-02-12.

Magnetoresistive effect oscillator

Номер патента: JP6455806B2. Автор: 健司鈴木,鈴木　健司,鈴木　英治,英治鈴木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100922247B1. Автор: 히또시 이와사끼,히로미 유아사,히데아끼 후꾸자와,요시히꼬 후지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-10-15.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH1041562A. Автор: 淳史松園,Satoshi Sasaki,智佐々木,Junji Matsuzono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-02-13.

Magnetoresistance effect element, manufacture thereof and magnetic head manufactured thereby

Номер патента: JPH104012A. Автор: Haruhiko Deguchi,Tomohisa Komoda,Noboru Fujita,Kazuhiro Uneyama,Toru Kira,昇藤田,治彦出口,智久薦田,Keiya Nakabayashi,敬哉中林,徹吉良,和弘釆山. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Exchange coupling film and method for production thereof, magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2001102215A. Автор: Hideyasu Nagai,Kazuto Kamei,Masanori Ueno,一人亀井,Tatsuo Sawazaki,立雄沢崎,秀康永井,昌紀上野,Fuminori Higami,文範樋上. Владелец: Read Rite Corp. Дата публикации: 2001-04-13.

Magnetoresistive effect film

Номер патента: KR980012656A. Автор: 아쯔시 마에다,사또루 오이까와. Владелец: 다까노 야스아끼. Дата публикации: 1998-04-30.

Exchange coupling film, and magnetoresistance effect element and magnetic detection device using same

Номер патента: CN113016086A. Автор: 斋藤正路,小池文人. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistive effect element, magnetic memory and oscillator

Номер патента: JP7052448B2. Автор: 陽平塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3171453B2. Автор: 好昭斉藤,浩一郎猪俣,志保奥野,圭一郎柚須,進橋本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

Magnetoresistive effect thin film and its manufacturing method

Номер патента: KR960011854A. Автор: 가즈히코 하야시,히데후미 야마모토,구니히코 이시하라,쥰이치 후지카다. Владелец: 닛폰 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-04-20.

Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN109545954B. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC MEMORY, AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2860645B1. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-27.

Magnetoresistance effect element and magnetic recording and reproducing device

Номер патента: JP2011228545A. Автор: Shuichi Murakami,Michiko Hara,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji,英明福澤,裕美湯浅,慶彦藤,修一村上,昭彦竹尾,通子原,Akihiko Takeo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Ferromagnetic multilayer film, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing ferromagnetic multilayer film

Номер патента: CN109196675B. Автор: 佐佐木智生,田中美知. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Magnetoresistance effect element having a nonmagnetic intermediate layer having a two-dimensional fluctuation of resistance

Номер патента: US20050128650A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Takeo Sakakubo,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3198265B2. Автор: 直也長谷川,彰宏牧野,英治梅津. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-13.

Magnetoresistance effect element and magnetic memory device

Номер патента: EP1494295B1. Автор: Masanori Sony Corporation HOSOMI,Tetsuya Sony Corporation MIZUGUCHI,Kazuhiro Sony Corporation OHBA,Kazuhiro Sony Corporation Bessho,Tetsuya Sony Corporation YAMAMOTO,Hiroshi Sony Corporation KANO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Spin-orbit torque type magnetization rotating element, spin-orbit torque type magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: CN111129285A. Автор: 佐佐木智生,盐川阳平,积田淳史. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-08.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: CN1106635C. Автор: 福泽英明,岩崎仁志,福家广美,齐藤和浩,佐桥政司,上口裕三. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-23.

Method for manufacturing magnetoresistance effect film

Номер патента: JPH10270776A. Автор: Atsushi Maeda,Toshio Tanuma,Minoru Kume,篤志前田,Takuji Umemoto,卓史梅本,俊雄田沼,実久米. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-09.

Magnetoresistance effect film and device

Номер патента: US6781800B2. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-24.

Stacked structure, magnetoresistive effect element, magnetic head, sensor, high frequency filter, and oscillator

Номер патента: US11422211B2. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Exchange coupled film, and magnetoresistance effect element and magnetism detection device using same

Номер патента: WO2019064994A1. Автор: 文人小池,正路齋藤,広明遠藤. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2019-04-04.

Magnetoresistive effect multilayer film

Номер патента: JPH10117025A. Автор: Shigeo Fujii,Shin Noguchi,重男藤井,Noriaki Nakayama,伸野口,則昭中山. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1998-05-06.

Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same

Номер патента: EP0624868A2. Автор: Hidefumi Nec Corporation Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

Magnetic film for magnetoresistive effect and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3481270B2. Автор: 智池田,孝小松,久三中村,忠烈白,康司高橋. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2003-12-22.

Method for manufacturing magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100912154B1. Автор: 히또시 이와사끼,히로미 유아사,히데아끼 후꾸자와,요시히꼬 후지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-08-14.

Element with magnetoresistive effect

Номер патента: DE69411617T2. Автор: Hiroshi Sakakima,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-12.

Manufacturing method of magnetoresistive effect sensor

Номер патента: US7086141B2. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tetsuro Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: CN110660907B. Автор: 佐佐木智生,市川心人,中田胜之. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Ferromagnetic tunnel junction and magnetoresistive effect element using the same

Номер патента: JPWO2010134435A1. Автор: 浩一郎猪俣,裕章介川,猪俣　浩一郎,ワンウェンホン. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-11-08.

Magnetoresistance effect element, magnetic head and magnetic recording and/or reproducing system

Номер патента: US7561383B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Hiroaki Yoda,Tomohiko Nagata,Yuuzo Kamiguchi,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Method for forming magnetoresistive effect element

Номер патента: JP5706707B2. Автор: ▲丹▼ ▲赴▼,▲恵▼娟王,民李,承▲埼▼ 韓,敏鄭,明輝余. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド. Дата публикации: 2015-04-22.

A kind of ferromagnetic material and preparation method thereof with huge Negative magnetoresistance effect

Номер патента: CN110459377A. Автор: 韩伟,靳常青,邓正. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2019-11-15.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: KR960011855A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Huge magnetoresistance effect film

Номер патента: JP2001308414A. Автор: Osamu Shinoura,治篠浦,Mitsuteru Inoue,光輝井上,壽崇藤井,Toshitaka Fujii. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-02.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus

Номер патента: US20070188945A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7218483B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20040262654A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Magnetic thin film and magnetoresistance effect element

Номер патента: CN101252037A. Автор: 高桥研,角田匡清,驹垣幸次郎. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2008-08-27.

Magnetoresistance effect element, its manufacture and magnetic recording regenerative device

Номер патента: JPH11330588A. Автор: Akihiro Maesaka,明弘前坂. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetoresistance effect element comprising a nano-contact portion not more than a fermi length, method of manufacturing same and magnetic head utilizing same

Номер патента: US7522389B2. Автор: Rachid Sbiaa,Isamu Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic storage device and magnetic memory device

Номер патента: CN1921167A. Автор: 长坂惠一,大岛弘敬,城后新. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-28.

Magnetoresistance effect element magnetic memory element magnetic memory device, and their manufacturing method

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC MEMORY, AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2860645A1. Автор: Kojiro Yagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-08.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US20060203538A1. Автор: Keiji Koga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

CPP type magnetoresistive effect element and magnetic disk drive

Номер патента: JP4400681B2. Автор: 幸司島沢,芳弘土屋,勤長. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-01-20.

Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic head assembly and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: JP2014157649A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Shuichi Murakami,仁志岩崎,Susumu Hashimoto,進橋本,雅幸高岸,修一村上,洋介礒脇,直基長谷,Naoki Hase,Yosuke Isowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Self-pinned spin valve magnetoresistance effect film and magnetic sensor using the same, and rotation angle detection device

Номер патента: WO2010029684A1. Автор: 阿部泰典,白崎文雄,小野友樹. Владелец: 日立金属株式会社. Дата публикации: 2010-03-18.

Spin current magnetization rotation element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory

Номер патента: JP6607302B2. Автор: 智生佐々木,陽平塩川. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-11-20.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3253696B2. Автор: 仁志岩崎,裕三上口,厚仁澤邊,政司佐橋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-02-04.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

Номер патента: US20050162905A1. Автор: Hiroshi Kano,Tetsuya Mizuguchi,Masanori Hosomi,Kazuhiro Ohba,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Switch element, memory element and magnetoresistive effect element

Номер патента: US20070037414A1. Автор: Hideyuki Sugiyama,Takashi Yamauchi,Yoshihiko Nakano,Junji Koga,Seiichi Suenaga,Chika Tanaka,Atsuhiro Kinoshita,Yuichi Motoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: WO2008099626A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2008-08-21.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory element, magnetic memory device, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2003036734A1. Автор: 和彦林,政功細見,博司鹿野,豊肥後,和宏別所,哲也山元,浩亮成沢,和博大場,徹也水口,威之曽根,敬太郎遠藤,真也窪,大場　和博,曽根　威之,林　和彦,細見　政功,別所　和宏,肥後　豊,水口　徹也,鹿野　博司,山元　哲也,成沢　浩亮,遠藤　敬太郎,窪　真也. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7463456B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiromi Yuasa,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic recording/reproducing apparatus, and magnetic memory

Номер патента: CN101404320A. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,岩崎仁志. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

STACKED STRUCTURE, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, SENSOR, HIGH FREQUENCY FILTER, AND OSCILLATOR

Номер патента: US20210165058A1. Автор: NAKADA Katsuyuki,INUBUSHI Kazuumi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20160322937A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-11-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5549978A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Atsuhito Sawabe,Yuichi Ohsawa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Reiko Kondoh,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Magnetoresistance effect film and device

Номер патента: US20030169543A1. Автор: Junichi Fujikata,Masafumi Nakada. Владелец: Masafumi Nakada. Дата публикации: 2003-09-11.

Magnetoresistive effect element, a magnetic head, and a magnetic reproducing apparatus therewith

Номер патента: US20040070889A1. Автор: Masashige Sato,Kazuo Kobayashi,Hitoshi Kanai,Hideyuki Kikuchi,Yiqun Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect device

Номер патента: CN114175290A. Автор: 早川纯,深谷直人. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic recording and reproducing device, and method for manufacturing magnetoresistance effect element

Magnetoresistance effect device, and magnetoresistaance effect type head, memory device, and amplifying device using the same

Номер патента: US6256222B1. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,Yousuke Irie,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-03.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: DE69229322D1. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Yuichi Ohsawa,Reiko Kondoh,Toshihiko Ohta,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-08.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Номер патента: US5304975A. Автор: Koichiro Inomata,Yoshiaki Saito,Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Yuichi Ohsawa,Reiko Kondoh,Susumu Hashimoto,Toshihiko Ohto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor

Magnetoresistance effect element and magnetoresistive random access memory using the same

Номер патента: CN102176510B. Автор: 吉川将寿,北川英二,甲斐正,与田博明,岸达也,永濑俊彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistive random access memory using the same

Номер патента: CN101308901A. Автор: 吉川将寿,北川英二,甲斐正,与田博明,岸达也,永濑俊彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-19.

Manufacturing method for magnetoresistance effect element, oxidation processing device, and substrate processing system

Номер патента: US20230371391A1. Автор: Kanto Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20160277000A1. Автор: YAMANE Takekazu,Shimura Atsushi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effect device, read head and drive having the same

Номер патента: KR100800017B1. Автор: 나가사카게이이치,세야마요시히코,시미즈유타카,다나카아츠시,오시마히로다카. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-01-31.

Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device

Номер патента: US20110051295A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20150109062A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

MAGNETORESISTIVE EFFECT OSCILLATOR

Номер патента: US20150109063A1. Автор: Suzuki Eiji,SUZUKI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Magnetoresistance effects film

Номер патента: US5917400A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: US5462795A. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo,Toshihiko Anno. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: FR2648942A1. Автор: Gerard Creuzet,Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-12-28.

Magnetoresistive effect element in cpp-type structure and magnetic disk device

Номер патента: US20110007421A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Magnetoresistance effect element and MRAM

Номер патента: US7936627B2. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: EP0538871A1. Автор: Toshio Takada,Hidefumi Yamamoto,Teruya Shinjo,Toshihiko Anno. Владелец: Zaidan Hojin Seisan Kaihatsu Kenkyusho. Дата публикации: 1993-04-28.

Magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US8154913B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Tetsuhiro Suzuki,Norikazu Ohshima,Kiyokazu Nagahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Magnetoresistance effect element, its manufacturing method, magnetic reproducing element and magnetic memory

Номер патента: US20050042478A1. Автор: Yuichi Ohsawa,Shiho Okuno,Yuzo Kamiguchi,Shigeru Haneda,Tatsuya Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Methods of manufacturing magnetoresistance effect element and magnetic random access memory

Номер патента: JP2014140077A. Автор: Hiroaki Honjo,弘明本庄. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US7218484B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masashi Sahashi,Susumu Hashimoto,Katsuhiko Koui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Recording and reproducing device for magnetoresistance effect head

Номер патента: KR940009953A. Автор: 무네가쓰 후꾸야마,야스오 사사끼,가즈오 구리하라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT

Номер патента: FR2648942B1. Автор: Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-08-11.

Magnetoresistive effect transducer

Номер патента: EP0406060B1. Автор: Gerard Creuzet,Alain Friederich. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-05-10.

Position detecting device using magnetoresistive effect element

Номер патента: JPWO2008114615A1. Автор: 努竹谷,貴史野口. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Magnetoresistance effect type head and information reproducing device

Номер патента: US20020012208A1. Автор: Naoki Mukouyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Magnetoresistance effect head in which a magnetoresistance effect element and a soft magnetic film form a single magnetic circuit

Номер патента: US5894384A. Автор: Tomomi Funayama,Kohichi Tateyama,Tadahiko Kobayashi,Hiromi Sakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-13.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1209261A. Автор: Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Soda Yutaka,Suyama Hideo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-08-05.

Magnetoresistance effect element sensor and an electronic circuit therefor

Номер патента: US5585719A. Автор: Mieko Kawamoto,Shigemi Kurashima,Shigeo Tanji,Nobuyoshi Shimizu,Hiroshi Kajitani,Michiko Endo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus

Номер патента: US6721147B2. Автор: Junichi Ito,Kenji Noma,Kenichi Aoshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Magnetoresistive element, magnetoresistive effect sensor, magnetoresistive detection system and magnetoresistive system using same

Номер патента: KR19980087043A. Автор: 가즈히꼬 하야시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-12-05.

Thin film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head

Номер патента: US5872691A. Автор: Yasuo Sasaki,Tetsuo Sekiya,Yutaka Soda,Munekatsu Fukuyama,Koji Fukumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Magnetoresistance effect film and spin valve reproducing head

Номер патента: EP1369882A1. Автор: Kenji c/o Fujitsu Limited Noma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-10.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1182905A. Автор: Tetsuo Sekiya,Hideo Suyama,Yutaka Soda,Shigeyoshi Imakoshi,Hiroyuki Uchida,Junkichi Sugita,Hiroshi Takino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US7489482B2. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-02-10.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US20050141143A1. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1248222A. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: US4679107A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Magnetoresistance effect type read-head and method of producing the same

Номер патента: US20080186640A1. Автор: Masato Matsubara,Masanori Akie. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1220858A. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Magnetoresistance effect head having a pair of protrusions, steps or depressions between the detecting and nondetecting areas for improved off-track characteristics

Номер патента: US6118621A. Автор: Hiroaki Yoda,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

Номер патента: CA1281132C. Автор: Hideo Suyama,Shigeyoshi Imakoshi,Norio Saito,Hiroshi Takino,Kenichiro Tsunewaki,Nobuhiro Terada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Acoustic shock wave-effect device

Номер патента: RU2741729C1. Автор: Алексей Алексеевич Новиков,Александр Викторович Никитин,Александра Рустамовна Путинцева,Дмитрий Анатольевич Негров,Юрий Васильевич Долгов. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро автоматика". Дата публикации: 2021-01-28.

Aerodynamically Effective Device for a Motor Vehicle

Номер патента: US20120326468A1. Автор: Stephan Mueller,Horst Dietewich,Armin Hutterer. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of repairing the deterioration of magneto-resistive effect device

Номер патента: US20090168255A1. Автор: Yoshikazu Sawada,Yosuke Antoku,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

An effects device for a musical instrument and a method for producing the effects

Номер патента: WO2018025147A1. Автор: Ilja Krumins,Martins Melkis,Kristaps Kalva. Владелец: KALVA Kristaps. Дата публикации: 2018-02-08.

Magneto-resistive effect device, thin-film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk system

Номер патента: US20080117554A1. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Shinji Hara,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Presentation effect device for use in gaming machine and gaming machine

Номер патента: US09672682B2. Автор: Takashi Izawa,Kenta Kitamura,Kou Kobayashi,Masumi Sakamoto. Владелец: Aruze Gaming America Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Cost-effective device interface for data input and output

Номер патента: US09965436B2. Автор: Chih-Chun Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and arrangements of three-contact hall-effect devices and related methods

Номер патента: US09766303B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Nano-fluidic field effective device to control DNA transport through the same

Номер патента: US09651518B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Stefan Harrer,Binquan Luan,Hongbo Peng,Stanislav Polonsky,Stephen Rossnagel,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns,Gustavo Stolovitzky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Electronic effects device and method

Номер патента: US20200357380A1. Автор: Ilja Krumins,Martins Melkis,Kristaps Kalva. Владелец: Gamechanger Audio SIA. Дата публикации: 2020-11-12.

Aerodynamically effective device for a motor vehicle

Номер патента: US09604678B2. Автор: Patrick Moll,Georg Strobl,Horst Dietewich,Karl-Josef Huber. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Temperature Compensated Hall Effect Device

Номер патента: CA2195116A1. Автор: Charles E. Ward. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-08-10.

Hall-effect device driver with temperature-dependent sensitivity compensation

Номер патента: CA2119331C. Автор: Toru Tanabe,Kazuhide Seki,Masaaki Hatsumi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Digital control of analogue music effects devices

Номер патента: GB2456307A. Автор: James Pattinson. Владелец: DOGWASP LLP. Дата публикации: 2009-07-15.

Temperature compensated Hall effect device

Номер патента: US5686827A. Автор: Charles E. Ward. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

Interchangeable sound effect device

Номер патента: US5648753A. Автор: Frank A. Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-07-15.

Temperature compensated hall effect device

Номер патента: CA2195116C. Автор: Charles E. Ward. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Hall effect devices

Номер патента: GB2098340A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1982-11-17.

Railway wheel sensor employing hall effect devices

Номер патента: CA2613747A1. Автор: Glen Appleby,Kostas Papazoglou,Stephen W. Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for evaluating the deterioration of magneto-resistive effect device

Номер патента: US20090080491A1. Автор: Naoki Ohta,Yosuke Antoku,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Programmable motion-sensitive sound effects device

Номер патента: US6150947A. Автор: James Michael Shima. Владелец: Shima; James Michael. Дата публикации: 2000-11-21.

Magnetic Physiological Effect Device

Номер патента: GB2368287A. Автор: Philip John Manison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-01.

Improvements in ground effect devices

Номер патента: GB1269840A. Автор: . Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1972-04-06.

Hall effect device test circuit

Номер патента: CA1204161A. Автор: William J. Daley,Hendrik W. Van Husen. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

Effects device for a musical instrument and a method for producing the effects

Номер патента: US10643594B2. Автор: Ilja Krumins,Martins Melkis,Kristaps Kalva. Владелец: Gamechanger Audio SIA. Дата публикации: 2020-05-05.

User-Actuated Lighting Effect Device

Номер патента: US20190353334A1. Автор: Michael John Ahern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-21.

Magneto-resistive effect device of the cpp structure and magnetic disk system

Номер патента: US20090109577A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic freepoint sensor utilizing spaced hall effect devices

Номер патента: CA1287387C. Автор: William L. Trevillion. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1991-08-06.

Exhaust tailpipe flame effect device

Номер патента: US20070291470A1. Автор: Dion Thomson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Effect device

Номер патента: US20110054886A1. Автор: Takahiro Ae. Владелец: Roland Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Flame effect device

Номер патента: US20230400164A1. Автор: Paul Christopher BAIRD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-14.

Flame effect device

Номер патента: US11920748B2. Автор: Paul Christopher BAIRD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-05.

A flame effect device

Номер патента: EP4290126A1. Автор: Paul Christopher BAIRD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-13.

Loop switcher, controllers therefor and methods for controlling an arrayof audio effect devices

Номер патента: CA3086528C. Автор: Luke Stewart Robertson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-24.

A flame effect device

Номер патента: GB2619530A. Автор: Christopher Baird Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-13.

Special effect device

Номер патента: WO2020226358A2. Автор: Hyun Soo Kim,Hyeong Min Kim. Владелец: CJ 4DPLEX CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetoresistive effect sensor, method for manufacturing a magnetoresistive effect sensor, magnetoresistive detection system, and magnetoresistive recording system

Номер патента: US20020008016A1. Автор: Kazuhiko Hayashi,Junichi Fujikata,Masafumi Nakada,Nobuyuki Ishiwata,Kiyokazu Nagahara,Shigeru Mori,Kunihiko Ishihara,Keishi Ohashi,Eizo Fukami,Hiroaki Honjo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element, manufacturing method of tunnel magnetoresistive effect element and tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060023333A1. Автор: Norio Takahashi,Tatsushi Shimizu,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Pak Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element, manufacturing method of tunnel magnetoresistive effect element and tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US7417442B2. Автор: Norio Takahashi,Tatsushi Shimizu,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Pak Kin Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

Magnetoresistive Effect Element Having Bias Layer With Internal Stress Controlled

Номер патента: US20080239582A1. Автор: Tetsuya Kuwashima,Takayasu Kanaya,Katsuki Kurihara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Manufacturing method for pattern, manufacturing method for magnetoresistant effect film using patterning, and magnetoresistant effect film and magnetic applied device manufactured by the same

Номер патента: KR100790474B1. Автор: 홍종일. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-01-02.

CONTROL METHOD FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND CONTROL DEVICE FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20160329086A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Sato Hideo,Yamanouchi Michihiko,Matsukura Fumihiro,Kanai Shun. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetoresistive effect element and magnetoresistive effect sensor

Номер патента: KR100258165B1. Автор: 가즈히꼬 하야시,마사후미 나까다. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-06-01.

CPP type magnetoresistive effect element, CPP type magnetic read head, method for forming CPP type magnetoresistive effect element, and method for manufacturing CPP type magnetic read head

Номер патента: JP4371983B2. Автор: 幸一照沼,介威張,幼鳳鄭,克▲強▼ 朱. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-11-25.

Magnetoresistive effect multi-layered structure and thin-film magnetic head with the magnetoresistive effect multi-layered structure

Номер патента: US6400535B1. Автор: Koji Shimazawa,Manabu Ohta,Tetsuro Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20150221327A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,SHIROTORI Satoshi,Isowaki Yousuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Spin valve magnetoresistive effect type element assessment method and a spin valve magnetoresistive effect type element assessment device

Номер патента: US6400519B2. Автор: Naoki Mukoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-06-04.

A dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor

Номер патента: GB201516399D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-10-28.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: SG71063A1. Автор: Hitoshi Iwasaki,Haruyuki Morita,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Hiromi Fuke,Kazuhiro Saito,Taro Oike,Hiroaki Kawashima,Koichi Terunuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US7064936B2. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS57186224A. Автор: Shinji Horibata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Magnetoresistance effect type magnetic head and its manufacture

Номер патента: JPS57179933A. Автор: Hiroshi Yoneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1982-11-05.

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE

Номер патента: US20170345449A1. Автор: YAMANE Takekazu,SUZUKI Tsuyoshi,URABE Junichiro,SHIBATA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: US20030193759A1. Автор: Kazuhiko Hayashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Magnetoresistance Effect Element and Magnetic Memory

Номер патента: US20140205862A1. Автор: Ohno Hideo,Ikeda Shoji,Miura Katsuya,Matsukura Fumihiro,Endoh Masaki,Kanai Shun,Yamamoto Hiroyuki. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: CN100343901C. Автор: 猿木俊司,清野浩,稻毛健治,蜂须贺望. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-17.

CPP structure magnetoresistive effect element and magnetic disk drive

Номер патента: JP4471020B2. Автор: 大助宮内,貴彦町田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-06-02.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: EP0892391A3. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuro Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-27.

Method of manufacturing magnetoresistive effect element, magnetic head, head suspension assembly, and magnetic disk device

Номер патента: JP2005019497A. Автор: 健朗加々美,貴保金谷,Takayasu Kanetani,Takero Kagami. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Position detecting device using magnetoresistive effect element

Номер патента: JPWO2008139930A1. Автор: 努竹谷,貴史野口. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Electrical assembly for measuring a current intensity of a direct-current circuit by means of the anisotropic magnetoresistive effect

Номер патента: US20180045793A1. Автор: Zoltan HERICS,Csaba NAGYNEMEDI. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-15.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20140233135A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,Murakami Shuichi,Isowaki Yousuke,HASHIMOTO Susumu,HASE NAOKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-21.

CPP-TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DISK DEVICE

Номер патента: US20140268405A1. Автор: Miura Satoshi,YAMANE Takekazu,Degawa Naomichi,MAKINO Kenzo,Yanagisawa Takumi,Machita Takahiko,Kawasaki Shohei,Ota Minoru,HAMAMOTO Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

DUAL CAPPING LAYER UTILIZED IN A MAGNETORESISTIVE EFFECT SENSOR

Номер патента: US20150213816A1. Автор: OKAWA Norihiro,Komagaki Koujiro. Владелец: HGST NETHERLANDS B.V.. Дата публикации: 2015-07-30.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20140300996A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,TAKAGISHI Masayuki,Murakami Shuichi,Isowaki Yousuke,HASHIMOTO Susumu,HASE NAOKI,Kado Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-10-09.

SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETIZATION ROTATIONAL ELEMENT, SPIN-ORBIT-TORQUE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20190206431A1. Автор: SASAKI Tomoyuki,SHIOKAWA Yohei. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND POSITION DETECTION APPARATUS

Номер патента: US20190285435A1. Автор: Kanaya Takayasu,Ohta Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20030080088A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta,Tetsuya Kuwashima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Magnetoresistance effect element and memory element

Номер патента: JP3207094B2. Автор: 康博川分,博榊間,雄上野山,庸介入江. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-09-10.

Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer

Номер патента: US5657190A. Автор: Satoru Araki,Osamu Shinoura,Yuuichi Sato,Yuuji Honda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Yoke type magnetic transducer head utilizing a magnetoresistance effect

Номер патента: EP0204902B1. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-10-09.

Magnetoresistive effect element and manufacturing method

Номер патента: KR100278873B1. Автор: 요시히꼬 가끼하라. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for manufacturing magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4136261B2. Автор: 均岸,親義鎌田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for manufacturing magnetoresistive effect magnetic head

Номер патента: JP2002025020A. Автор: Akio Takada,昭夫高田,Katsunori Sasaki,勝記佐々木,Toshihiko Shimizui,敏彦清水井,Yasuki Matsuki,康記松木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-25.

Magnetoresistance effect type magnetic head device

Номер патента: JPS6157012A. Автор: Hideo Suyama,英夫陶山,Shigemi Imakoshi,Yutaka Hayata,Yasuhiro Iida,Munekatsu Fukuyama,宗克福山,裕早田,康博飯田,今越　茂美. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-03-22.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS61296522A. Автор: Nobuyuki Hayama,信幸羽山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-27.

Thin film magnetic head provided with magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2002025019A. Автор: Noriyuki Ito,範之伊藤,幸一照沼,Koichi Terunuma,Fumihiro Hiromatsu,史洋廣松. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-01-25.

A kind of differential type single shaft mems accelerometer based on anisotropic-magnetoresistance effect

Номер патента: CN106443069B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-04-09.

Magnetoresistive effect element, thin film magnetic head provided with the element, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4244988B2. Автор: 一樹佐藤,貴保金谷. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Magnetoresistance effect head and its manufacture

Номер патента: JPS6157027A. Автор: Mitsuo Sato,Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Masanobu Hanazono,雅信華園,Akira Kumagai,昭熊谷,成重　真治,佐藤　満雄,光岡　勝也. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-22.

A kind of uniaxial mems accelerometer based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN106338618B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-01-29.

Multi-range current sensing device based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN106526283A. Автор: 张波,胡军,王善祥,曾嵘,余占清,常文治,欧阳勇,何金良,毕建刚,庄池杰,赵根. Владелец: China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI. Дата публикации: 2017-03-22.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS6139916A. Автор: Nobumasa Kaminaka,Kazuo Nakamura,Kiyoshi Sasaki,Hiroshi Yoda,清志佐々木,和夫中村,紙中　伸征,養田　広. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-26.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS55129923A. Автор: Kunio Hata,Susumu Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-10-08.

Tray for transporting magnetoresistance effect head for magnetic disk

Номер патента: WO2001078069A1. Автор: Shigeru Tanaka,Mitsuo Sato,Koichi Sagisaka,Tomohiro Kaniwa,Michiaki Sakatoku. Владелец: Yukadenshi Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-10-18.

Tray for transporting magnetoresistance effect head for magnetic disk

Номер патента: KR100646150B1. Автор: 다나까시게루,사기사까고이찌,가니와도모히로,사또미쯔오,사까또꾸미찌아끼. Владелец: 유까덴시 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-11-14.

Magnetoresistive effect magnetic head and its manufacturing method

Номер патента: KR980004395A. Автор: 가즈노리 오누마,아끼라 무라까미. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1998-03-30.

Magnetoresistance effect head

Номер патента: JPS5911522A. Автор: Noboru Nomura,Nobumasa Kaminaka,Hiroshi Yoda,登野村,Terumi Yanagi,紙中　伸征,養田　広,柳　照美. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-21.

Spin valve magnetoresistance effect magnetic head and magnetic disk device

Номер патента: KR100284779B1. Автор: 히토시 가나이. Владелец: 후지쯔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-03-15.

A kind of uniaxial mems accelerometer based on anisotropic-magnetoresistance effect

Номер патента: CN106706959B. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-02-05.

Anisotropic-magnetoresistance-effect-based differential single-shaft MEMS accelerometer

Номер патента: CN106443069A. Автор: 张超,王超,赵华,刘敏,黄秀峰,郑胜,谭超,罗志会,潘礼庆,杨先卫,朴红光,鲁广铎,许云丽. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-02-22.

Micromechanical gyroscope based on tunnel magnetoresistive effect

Номер патента: CN104567848A. Автор: 王莉,刘俊,石云波,李孟委,刘双红,李锡广. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2015-04-29.

Magnetoresistance effect type weak magnetic field sensor

Номер патента: JP3295152B2. Автор: アラン、シュール,ステファン、ティク. Владелец: タレス. Дата публикации: 2002-06-24.

Magnetoresistance effect type thin film magnetic head and its production

Номер патента: JPS63113913A. Автор: Takao Maruyama,Kazuhiko Yamada,一彦山田,丸山　隆男. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-18.

Magnetoresistance effect element having layer containing Zn at the interface between magnetic layer and non-magnetic intermediate layer

Номер патента: US20100232073A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect

Номер патента: EP0421489A2. Автор: Shigeyoshi C/O Sony Corporation Imakoshi,Hideo C/O Sony Corporation Suyama,Yutaka C/O Sony Corporation Soda,Munekatsu C/O Sony Corporation Fukuyama,Yasuhiro C/O Sony Corporation Iida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-04-10.

Magnetic head of magnetoresistance effect type with high resistance to external stress

Номер патента: US20080074803A1. Автор: Naoki Koyama,Satoshi Shigematsu,Koichi Nishioka,Yukimasa Okada,Shuichi Kojima,Kouji Okazaki,Azusa Hori. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-03-27.

Magnetoresistance effect type magnetic converter

Номер патента: JPS6192413A. Автор: Masahiro Kitada,Hideo Tanabe,英男田辺,Tetsuo Kobayashi,哲夫小林,Naoki Sato,Kazuhiro Shigemata,Masao Katsumata,Yoshihisa Kamo,直喜佐藤,北田　正弘,加茂　善久,茂俣　和弘,勝亦　正雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-05-10.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: US20010024345A1. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuo Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: Narumi Shun-Ichi. Дата публикации: 2001-09-27.

Cpp-type magnetoresistance effect element having characteristic free layers

Номер патента: US20090059442A1. Автор: Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Magnetoresistive effect head with diode in parallel

Номер патента: US6507466B1. Автор: Kazuhiko Hayashi,Keishi Ohashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Method and apparatus for testing tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US7227772B2. Автор: Hiroshi Kiyono,Kenji Inage,Nozomu Hachisuka,Shunji Saruki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head with anti-ferromagnetic layer for magnetic domain control

Номер патента: US7692901B2. Автор: Takeo Kagami. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Magnetoresistance-effect magnetic sensor

Номер патента: WO1992002826A1. Автор: Koutarou Kobayashi,Noritaka Ishiyama. Владелец: Fmc Co., Ltd.. Дата публикации: 1992-02-20.

Magnetic sensor using magnetoresistance effect element, and current sensor

Номер патента: WO2021149726A1. Автор: 井出　洋介. Владелец: アルプスアルパイン株式会社. Дата публикации: 2021-07-29.

Examination method for CPP-type magnetoresistance effect element having two free layers

Номер патента: US7615996B1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kiyoshi Noguchi,Takahiko Machita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head

Номер патента: US6870713B2. Автор: Koji Shimazawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: KR100637105B1. Автор: 노마겐지,고마가끼고우지로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-10-23.

Thin film magnetic head provided with tunneling magnetoresistive effect element

Номер патента: JP2004234755A. Автор: 俊司猿木,望蜂須賀,Kenji Inage,健治稲毛,Shunji Sarugi,Nozomi Hachisuga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Magnetoresistance effect type head

Номер патента: JPS6132215A. Автор: Katsuyuki Tanaka,Seiji Kishimoto,Yoshitsugu Miura,義從三浦,清治岸本,克之田中. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-02-14.

A kind of giant magnetoresistance effect magneto-dependent sensor and preparation method

Номер патента: CN108872889A. Автор: 杨俊�,黄东亚,王跃平,白师豪. Владелец: 725th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2018-11-23.

Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head

Номер патента: SG68063A1. Автор: Hiroshi Fukui,Kazue Kudo,Moriaki Fuyama,Katsumi Hoshino,Katsuro Watanabe,Shun-Ichi Narumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Method and apparatus for preventing ESD and EOS damage in manufacturing magnetoresistive effect read heads

Номер патента: US6914758B2. Автор: Song Sheng Xue,Patrick Joseph Ryan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2005-07-05.

Lapping sensor used in fabrication of magnetic head with magnetoresistive effect element and lapping control method using the sensor

Номер патента: US6623330B2. Автор: Osamu Fukuroi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Displacement / speed sensor using the magnetoresistance effect.

Номер патента: DE69011022D1. Автор: Steven Beringhause,Edward M Gonsalves,Douglas B Strott,Stephen B Offiler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-09-01.

Logic-in-memory circuit using magnetoresistance effect element

Номер патента: JP4631090B2. Автор: 啓明木村,貴弘羽生. Владелец: 株式会社東北テクノアーチ. Дата публикации: 2011-02-16.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6337813A. Автор: Yoshiro Amano,Shunichi Fujita,天野　芳郎,俊一藤田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-02-18.

Examination method for cpp-type magnetoresistance effect element having two free layers

Номер патента: CN101807406B. Автор: 野口洁,宫内大助,町田贵彦. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Magnetic transducer head device using the magnetoresistance effect.

Номер патента: DE3588065D1. Автор: Hideo Suyama,Yutaka Soda,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Munekatsu Fukuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-12-07.

Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect

Номер патента: EP0421489B1. Автор: Shigeyoshi C/O Sony Corporation Imakoshi,Hideo C/O Sony Corporation Suyama,Yutaka C/O Sony Corporation Soda,Munekatsu C/O Sony Corporation Fukuyama,Yasuhiro C/O Sony Corporation Iida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-15.

Magnetoresistive effect type of head and information-reproducing system

Номер патента: US20020044399A1. Автор: Hitoshi Kanai,Kenji Noma,Kenichi Aochima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Magnetic read head with magnetoresistive effect

Номер патента: JP3169233B2. Автор: ジヤン−マルク・クートウリエ,テイエリー・バレ. Владелец: トムソン−セーエスエフ. Дата публикации: 2001-05-21.

Magnetoresistance effect type complex head and method for manufacturing the same

Номер патента: US6392851B1. Автор: Nobuyuki Ishiwata,Tsutomu Ishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Spin bulb magnetoresistance effect head and compound magnetic head using it and magnetic recording medium drive unit

Номер патента: EP1193693A1. Автор: Kenichi c/o Fujitsu Limited Aoshima,Kenji c/o Fujitsu Limited Noma,Junichi c/o Fujitsu Limited Kane,Hitoshi c/o Fujitsu Limited Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-03.

Tunnel magnetoresistance effect film and magnetic device

Номер патента: US20080180857A1. Автор: Migaku Takahashi,Masakiyo Tsunoda,Kojiro Komagaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Spin valve magnetic head with magnetoresistive effect and system

Номер патента: DE69617334D1. Автор: Hitoshi Kanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Method of measuring temperature of tunnel magnetoresistive effect element

Номер патента: US20090207884A1. Автор: Yosuke Antoku,Eric Leung,Luke CHUNG,Man Tse. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

MAGNETIC HEAD OPERATING BY MAGNETORESISTANCE EFFECT

Номер патента: BE827434A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-10-01.

Magnetic sensor with bridge circuit including magnetoresistance effect elements

Номер патента: CN101988956B. Автор: 平林启,猿木俊司. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

High-sensitivity micro-displacement detection device based on tunnel magnetoresistance effect

Номер патента: CN112344840B. Автор: 张瑞,金丽,李孟委,辛晨光,易进. Владелец: Nantong Institute Of Intelligent Optics North China University. Дата публикации: 2022-02-08.

Magnetic transducer using magnetoresistance effect

Номер патента: EP0152000B1. Автор: Masahiro Kitada,Naoki Sato,Yoshihisa Kamo,Tooru Takeura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-12-06.

Device and method for measuring magnetic induction intensity based on colossal magnetoresistive effect

Номер патента: AU2011344940A1. Автор: Jie Zheng,XIN Wang,Yusheng Li,Jiangyi Wang,Ming ZHUANG,Ciyuan Zhuo. Владелец: Fujian Shuikou Power Generation Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Magnetoresistance-effect thin film head

Номер патента: EP0459404A3. Автор: Takuji Shibata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-01-15.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: US6507465B1. Автор: Yoshiaki Kawato,Kazuhiro Nakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-14.

Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device

Номер патента: US8179642B2. Автор: Daisuke Miyauchi,Yoshihiro Tsuchiya,Takahiko Machita,Keita Kawamori. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect

Номер патента: DE3372680D1. Автор: Hideo Suyama,Yasuhiro Iida,Shigeyoshi Imakoshi,Yutaka Souda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-08-27.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4202958B2. Автор: 瀬博史森,村志保中,茂羽根田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Magnetic sensor with magnetoresistive effect

Номер патента: DE69430107D1. Автор: Thierry Valet,Jean-Marc Coutellier,Nicolas Blanchard. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2002-04-18.

Magnetoresistance effect magnetic head

Номер патента: KR970029357A. Автор: 노리오 사이또,다꾸지 시바따,고지 후꾸모또,유따가 소다. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1997-06-26.

Magnetic head of magnetoresistance effect type

Номер патента: JPS60151816A. Автор: Yoshihisa Kamo,加茂　喜久. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-08-09.

Electrical assembly for measuring a current intensity of a direct-current circuit by means of the anisotropic magnetoresistive effect

Номер патента: WO2016139028A1. Автор: Zoltan HERICS,Csaba NAGYNEMEDI. Владелец: MAGNA Powertrain GmbH & Co KG. Дата публикации: 2016-09-09.

Magnetoresistive effect thin-film magnetic head and method for fabricating same

Номер патента: US20090046395A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroki Maehara,David D. DJAYAPRAWIRA. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor memory device using magnetoresistive effect

Номер патента: TWI275091B. Автор: Azuma Tomoteru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

A dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor

Номер патента: GB201501239D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2015-03-11.

Angle switch device with magnetoresistive effect element

Номер патента: US20060255796A1. Автор: Shigeru Shoji. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Sensor of weak magnetic fields, with magnetoresistive effect

Номер патента: US5313186A. Автор: Alain Schuhl,Stephane Tyc. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-05-17.

Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer and method for preventing an output reduction of the multilayer

Номер патента: US5798896A. Автор: Satoru Araki,Osamu Shinoura,Yuuichi Sato,Yuuji Honda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

LOW MAGNETIC FIELD SENSOR WITH MAGNETORESISTIVE EFFECT.

Номер патента: FR2685489B1. Автор: Schuhl Alain,Tyc Stephane. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-08-05.

An optical effect device

Номер патента: MTP4435B. Автор: Ivan JOLIC Karlo. Владелец: CCL SECURE PTY LTD. Дата публикации: 2021-08-12.

Continuous effect device for air preparation in air renewal systems

Номер патента: RU2367870C1. Автор: Александр Михайлович Гавриленков,Елена Александровна Рудыка,Константин Викторович Харченков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2009-09-20.

Impact-effect device

Номер патента: RU2354828C2. Автор: Пётр Яковлевич Фадеев,Владимир Яковлевич Фадеев. Владелец: Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН. Дата публикации: 2009-05-10.

Ring trip detector with hall effect devices

Номер патента: CA1060128A. Автор: Ryszard Kitajewski,Anthony W. Sweet,Michael P. Dyer. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1979-08-07.

Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect-type head

Номер патента: JPH1041135A. Автор: Hiroshi Sakakima,Yasuhiro Kawawake,康博川分,Mitsuo Satomi,博榊間,三男里見. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-13.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT

Номер патента: US20120068285A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,Hashimoto Yutaka,Tokou Masaru,Kai Tadashi,Nagamine Makoto,Nagase Toshihiko,Nishiyama Katsuya,Ueda Koji,Yoda Hiroaki,Yakushiji Kay,Yuasa Shinji,Kubota Hitoshi,Nagahama Taro,Fukushima Akio,Ando Koji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130069182A1. Автор: KITAGAWA Eiji,Daibou Tadaomi,AMANO Minoru,KATO Yushi,ITO Junichi,Ohsawa Yuichi,Kashiwada Saori. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Magnetic sensor, Hall element, magnetoresistive effect element, method for producing Hall element, method for producing magnetoresistive effect element

Номер патента: JP5073429B2. Автор: 光浩田中,実人三好. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

Perpendicular magnetization type magnetoresistance element and magnetoresistance effect type magnetic head using the same

Номер патента: JP2814741B2. Автор: 治雄浦井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Ferromagnetic Tunnel Junction Structure and Magnetoresistive Effect Device and Spintronics Device Utilizing Same

Номер патента: US20130221461A1. Автор: Shirai Masafumi,Miura Yoshio,HONO Kazuhiro,Mitani Seiji,ABE Kazutaka,OHKUBO Tadakatsu,SUKEGAWA Hiroaki,Niizeki Tomohiko,INOMATA Kouichiro,Muramoto Shingo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2013-08-29.

Magnetoresistance effect device and its manufacture

Номер патента: JPH01152677A. Автор: 精二真下,Seiji Mashita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-06-15.

Magnetoresistance effect device

Номер патента: JPH10150232A. Автор: Yuzo Kamiguchi,裕三上口,Masashi Sahashi,政司佐橋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND SPIN MOS FIELD-EFFECT

Номер патента: US20120273856A1. Автор: Saito Yoshiaki,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Underground displacement three-dimensional measurement method and device based on Hall effect and magnetoresistive effect

Номер патента: CN103063122B. Автор: 李青,李雄,周振,童仁园,施阁. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2015-05-06.

Magnetoresistance effect element using ferromagnetic tunnel effect film and manufacture thereof

Номер патента: JPH1093159A. Автор: 勉三塚,Tsutomu Mitsuzuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

A kind of New Resonance giant magnetoresistance effect magnetic-sensitive elements

Номер патента: CN102854479B. Автор: 王三胜,褚向华. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-11-18.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT WITH A LAYER CONTAINING AN OXIDE AS A PRINCIPAL COMPONENT AND CONTAINING A MAGNETIC TRANSITION METAL ELEMENT WHICH DOES NOT BOND TO OXYGEN

Номер патента: US20120009440A1. Автор: IWASAKI Hitoshi,Tomita Hiroshi,FUKUZAWA Hideaki,Fuke Hiromi,SAHASHI Masashi,KOI Katsuhiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-12.

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120068284A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, ROTATION-ANGLE DETECTION DEVICE

Номер патента: US20120112741A1. Автор: Hoshiya Hiroyuki,Abe Yasunori,Meguro Kenichi,KATOU Keizou. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

OSCILLATING CIRCUIT WITH GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT JUNCTIONS

Номер патента: US20120154065A1. Автор: . Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-06-21.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

Номер патента: US20120243305A1. Автор: Nishiyama Katsuya,Nakayama Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3337732B2. Автор: 治篠浦,潔野口,裕二本田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-10-21.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3532607B2. Автор: 好昭斉藤,浩一郎猪俣,義則高橋,志保奥野,圭一郎柚須. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-31.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP3943773B2. Автор: 井克彦鴻,家ひろみ福,澤英明福,崎仁志岩. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Magnetoresistance effect type thin film magnetic head

Номер патента: JPS55101129A. Автор: Noboru Nomura,Kenji Kanai,Nobumasa Kaminaka,Kidai Nochi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic reproduction device

Номер патента: JP2006319343A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Hiroaki Yoda,Tomohiko Nagata,Hiromi Yuasa,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi,Masatoshi Yoshikawa,Katsuhiko Koui,井克彦鴻,崎仁志岩,口裕三上,浅裕美湯,田友彦永,田博明與,川将寿吉,橋政司佐,岸雅幸高. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-24.

Spin orbit torque type magnetization rotation element, spin orbit torque type magnetoresistance effect element, and manufacturing method of spin orbit torque type magnetization rotation element

Номер патента: JP2019121782A. Автор: 智生佐々木,陽平塩川,Tomoo Sasaki,Yohei SHIOKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-07-22.

Device and method for evaluating magnetoresistance effect element

Номер патента: JPH11339232A. Автор: Akio Takada,昭夫高田,Mikiya Kurosu,実喜也黒須. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-10.

Magnetoelectric encoder based on giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN210922654U. Автор: 刘威,杨君宜,周围. Владелец: Chongqing Doyo Jono Industrial Co ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Reproducer using magnetoresistance effect type head

Номер патента: JPS53139513A. Автор: Satoshi KUNII. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPH1186231A. Автор: Tsutomu Aoyama,Toshitake Sato,Izumi Nomura,勉青山,勇武佐藤,いづみ野村. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetic recording and reproducing device and magnetoresistive effect magnetic head to be used for the same

Номер патента: JPH11259824A. Автор: Kazuhiro Nakamoto,Hiroyuki Hoshiya,裕之星屋,Yoshio Suzuki,Katsuro Watanabe,克朗渡辺,Toshihiro Okada,智弘岡田,良夫鈴木,一広中本. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-09-24.

Method for forming magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4962010B2. Автор: 芳弘土屋,友人水野,晋治原. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Magnetoresistance effect element of ferromagnetic thin film

Номер патента: JPS6391580A. Автор: Yoshiaki Fukuda,福田　良明. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-22.

Magnetoresistive effect element and magnetic sensor

Номер патента: JPH1187800A. Автор: Hideji Momotake,秀治百武. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Multitrack magnetoresistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6212913A. Автор: Naoki Sato,Kazuhiro Shigemata,Masao Katsumata,Yoshihisa Kamo,直喜佐藤,加茂　善久,茂俣　和弘,勝亦　正雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-01-21.

Giant magnetoresistive effect-based micro mechanical gyro

Номер патента: CN102706338A. Автор: 刘俊,刘泽文,李孟委,杜康. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2012-10-03.

Magnetoresistance effect type head and manufacture of the head

Номер патента: JPH11238210A. Автор: 茂庄司,Shigeru Shoji. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Magnetoresistance effect element

Номер патента: JP3277898B2. Автор: 大祐高井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-22.

Material for forming magnetoresistance effect film

Номер патента: JPS63142689A. Автор: Katsuya Mitsuoka,Shinji Narushige,Masanobu Hanazono,雅信華園,Hideyo Kodama,Akira Kumagai,Masahiko Sakakibara,Akira Yoshinari,明吉成,英世児玉,Norihisa Fujii,正彦榊原,昭熊谷,成重　真治,光岡　勝也,藤井　則久. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1988-06-15.

Magnetoresistive effect element

Номер патента: JP4110132B2. Автор: 昌彦中山,達也岸,嘉晃福住,正甲斐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Magnetization rotation element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory

Номер патента: WO2023095186A1. Автор: 陽平塩川,優剛石谷,幸祐濱中. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2023-06-01.

Exchange coupling film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same

Номер патента: JP4130451B2. Автор: 仁志岩崎,政司佐橋,ひろみ福家,和浩齋藤,高志渡辺,直美藤岡,隆石上,尚山野辺,信雄勝井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

GdN film with large magnetoresistance effect, and preparation method thereof

Номер патента: CN103088293A. Автор: 米文博,段秀峰,白海力. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-08.

Memory device using giant magnetoresistance effect

Номер патента: JP4095200B2. Автор: 昭雄小金井,直樹西村. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Manufacture of ferromagnetic magnetoresistance effect element with yoke

Номер патента: JPS59195888A. Автор: Toshio Yamagata,山形　敏男. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-07.

Magnetoresistive effect head

Номер патента: JPH1049829A. Автор: Kaoru Toki,薫土岐. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

Novel stress sensor based on magnetoresistance effect

Номер патента: CN102692287A. Автор: 朱洁,张丽娟,许小勇,胡经国,苏垣昌. Владелец: Yangzhou University. Дата публикации: 2012-09-26.

Magnetoresistive effect element and memory using the same

Номер патента: JP2003258209A. Автор: Katsuhiko Hayashi,克彦林. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-09-12.

Experimental facility of giant magnetoresistance effect

Номер патента: CN201590184U. Автор: 吴建伟,袁航,张开骁,黄德文,巩江峰,于丛珊. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2010-09-22.

Fe-C film material with room temperature positive giant magnetoresistive effect and prepared via PLD process

Номер патента: CN1421941A. Автор: 章晓中,薛庆忠,朱丹丹. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-06-04.

Magnetoresistive effect head and magnetic memory system using the same

Номер патента: JPH11120520A. Автор: Takashi Kawabe,Katsuya Mitsuoka,勝也光岡,Katsumi Sato,Tetsuo Kobayashi,哲夫小林,克己佐藤,隆川辺,Masayoshi Kagawa,昌慶香川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-04-30.

Mini magnetic field measurement device based on magnetoresistive effect and magnetic field superposition

Номер патента: CN202351418U. Автор: 李晓天,翁锦深,蒋一奇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-25.

Magnetoresistive effect element and magnetic memory

Номер патента: CN101064114A. Автор: 齐藤好昭,杉山英行,井口智明. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Magnetoresistance effect head and magnetic memory apparatus

Номер патента: JPH1186237A. Автор: Hiroaki Yoda,Takeo Sakakubo,Hideaki Fukuzawa,Susumu Hashimoto,進橋本,Yuichi Osawa,裕一大沢,英明福澤,博明與田,将寿吉川,Masahisa Yoshikawa,武男坂久保,Kei Sakota,圭迫田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Magnetoresistive effect element and manufacture thereof

Номер патента: JPH10163544A. Автор: Toshio Tanuma,Minoru Kume,俊雄田沼,実久米. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Spin orbit torque type magnetization rotating element, spin orbit torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

Номер патента: JP6533356B1. Автор: 陽平塩川,勝之中田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-06-19.

Magnetoresistance effect device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты