METHOD FOR PREVENTING THE CURVATURE OF SEMICONDUCTOR LAYERS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY .

METHOD FOR PREVENTING THE CURVATURE OF SEMICONDUCTOR LAYERS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY

Номер патента: FR2813144A1
Опубликовано: 22-02-2002
Автор(ы): Dong Ho Ahn, Geum Jong Bae, Ho Kyu Kang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of preventing semiconductor layers from bending and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US6881645B2. Автор: Ho-kyu Kang,Dong-ho Ahn,Geum-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-19.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: EP4362065A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145239A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for cleaning the through-hole of the interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: CN106356332B. Автор: 张哲诚,陈威廷,郑台新,萧伟印. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: EP4362066A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145631A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

METHOD FOR STABILIZING A BONDING INTERFACE LOCATED WITHIN A STRUCTURE COMPRISING A BOUNDED OXIDE LAYER AND STRUCTURE OBTAINED

Номер патента: FR2984007A1. Автор: Ionut Radu,Didier Landru,Carole David. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-06-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Structure For Crystallization, Method of Crystallization, Method of Forming Active layer of Semiconductor Amorphous silicon layer, And Manufacturing Method of Thin Film Transistor Using the Same

Номер патента: KR101336455B1. Автор: 이충희,김현재,정태훈. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-12-04.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for making a radio frequency silicon-on-insulator (rfsoi) wafer including a superlattice

Номер патента: US20240312781A1. Автор: Robert J. Stephenson,Nyles Wynn Cody,Robert Michael Vyne,Keith D. Weeks. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for making a radio frequency silicon-on-insulator (rfsoi) wafer including a superlattice

Номер патента: WO2024192097A1. Автор: Robert John Stephenson,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody,Robert Michael Vyne. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240250152A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for Forming Stacked Layers and Devices Formed Thereof

Номер патента: US20240243011A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for tuning porous bandgaps to reduce thermal donor effects

Номер патента: GB2625286A. Автор: Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859441B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for removing contaminant compounds respectively having benzene ring therein from surface of Si layer and method for producing semiconductor device including step for removing contaminant compounds

Номер патента: US20010044215A1. Автор: Masahiro Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

METHODS FOR FORMING A TRANSITION METAL NIOBIUM NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180158688A1. Автор: Alokozai Fred,Chen Jerry Peijun. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US09685456B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

METHOD FOR PRODUCING POLYAMID ACID FOR USE IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: DE2927864A1. Автор: Daisuke Makino,Yasuo Miyadera. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102002955B1. Автор: 이재연,송석표,김세동. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-07-24.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966469B2. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for cleaning the surface of an epitaxial layer in openings of semiconductor device

Номер патента: US09711394B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09773809B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods for utilization of disappearing silicon hard mask for fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US6689693B2. Автор: John H. Givens,Mark E. Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for Producing a Gate Cut Structure on an Array of Semiconductor Fins

Номер патента: US20200083090A1. Автор: Chan Boon Teik,Kim Ryan Ryoung Han,Altamirano Sanchez Efrain. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027517B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230020811A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Patterning multiple, dense features in a semiconductor device using a memorization layer

Номер патента: US20150303273A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing a buried semiconductor layer

Номер патента: US20060211189A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Structure and method for manufacturing inter-metal dielectric layer between metal lines of semiconductor device

Номер патента: KR100818437B1. Автор: 황종택. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for simultaneous polishing of front surface and back surface of semiconductor wafer

Номер патента: JP2004343126A. Автор: Markus Schnappauf,ヴェーバークリストフ,Christof Weber,Gunther H Kann,ハーカングンター,マルクス　シュナップアウフ. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for preventing excessive etching of edges of an insulator layer

Номер патента: US10249508B2. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for reducing etch rate loading while etching through a titanium nitride anti-reflective layer and an aluminum-based metallization layer

Номер патента: US5952244A. Автор: Susan C. Abraham,Peter H. Chen,Jerry Yang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Ferroelectric thick-layer structures based on lead perovskites and method for their production

Номер патента: EP1080053A1. Автор: Marija Kosec,Janez Holc,Silvo Drnovsek. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2001-03-07.

Method for manufacturing a semcoductor component and a semiconductor component, in particular a diaphragm sensor

Номер патента: US20080093694A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schafer,Thorsten Pannek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

A self-aligned method for forming deep trenches in shallow trenches for isolation of semiconductor devices

Номер патента: CA2385031A1. Автор: Carl BJÖRMANDER,Ted Johansson,Hans Norström. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-22.

III-V nitride semiconductor layer-bonded substrate and semiconductor device

Номер патента: TW200849678A. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR20140142929A. Автор: 김재헌,이민석,박찬식,김최동. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-15.

Transfer method of semiconductor thin film layer and preparation method of composite wafer

Номер патента: CN110491827B. Автор: 王智勇,兰天,代京京. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-02-12.

Silicon on insulator type mixed micro-technological structure manufacturing method for e.g. sensor, involves removing sacrificial layer to expose surface of mixed layer, and forming covering layer on surface by direct bonding

Номер патента: FR2906078A1. Автор: Hubert Moriceau,Marc Zussy,Marek Kostrzewa. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-03-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10593550B2. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20180342393A1. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220230920A1. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140295616A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20130161617A1. Автор: Kazuya Nishihori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Methods for filling high aspect ratio features on substrates

Номер патента: WO2013163081A1. Автор: Michael G. Ward,Igor Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Interlayer design for epitaxial growth of semiconductor layers

Номер патента: US20150187572A1. Автор: Erol Girt,Mariana Rodica Munteanu. Владелец: Zetta Research and Development LLC AQT Series . Дата публикации: 2015-07-02.

Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate comprising an oxygen-doped compound semiconductor layer

Номер патента: US20030012965A1. Автор: Ravindranath Droopad,Scott Massie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

GaN-HEMT device with sandwich structure and method for preparing the same

Номер патента: US12034067B2. Автор: Guoqiang Li,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US9224646B2. Автор: Chun-Tang Lin,Hung-Wen Liu,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

Номер патента: US20050205873A1. Автор: Yasuo Sato,Hironobu Narui,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for manufacturing semiconductor structure same

Номер патента: US20210384108A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for manufacturing the same, and wiring structure and semiconductor device

Номер патента: JPWO2007088908A1. Автор: 達也山中,恭志中川,将宏秋山,輝一小久保,洋平野辺,小久保　輝一,秋山　将宏. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20120138924A1. Автор: Kazuya Nishihori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure

Номер патента: TWI431040B. Автор: Yamanaka Tatsuya,NAKAGAWA Hisashi,NOBE Youhei,KOKUBO Terukazu,AKIYAMA Masahiro. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-03-21.

Method for manufacturing semiconductor component e.g. thin film transistor, involves forming semiconductor layer on intermediate layers arranged on support substrate, and removing portion of substrate to access semiconductor layer

Номер патента: DE102011089759A1. Автор: Stefan Glunz,Ralph Müller,Martin Hermle,Philipp LÖPER,Dr. Janz Stefan,Jan-Christoph Goldschmidt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for forming space between metal contact and metal line of semiconductor device

Номер патента: KR20030083440A. Автор: 홍성택,손상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-30.

Test system and method for reducing damage in seed layers in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: DE102009015718B4. Автор: Frank Feustel,Frank Koschinsky,Tobias Letz. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

System and method for monitoring operation failure of stacker for automatic manufacture of semiconductor

Номер патента: CN1155881C. Автор: ,李昌俊,徐庆镇. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Method of growing nitride semiconductor layer and fabrication nitride semiconductor device

Номер патента: KR102062381B1. Автор: 송재훈,정정환,최승규,김재헌,곽우철. Владелец: 서울바이오시스 주식회사. Дата публикации: 2020-01-03.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20160216605A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20190391485A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing cover film and insulating layer on surface of semiconductor element

Номер патента: CN110117418B. Автор: 吴耀明,陈忆明,林圣钦,陈彦翔. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Apparatus and method for generting physical unclonable function by modifiying photo mask of semiconductor process

Номер патента: KR102339943B1. Автор: 김동규,최병덕,지광현. Владелец: 주식회사 아이씨티케이 홀딩스. Дата публикации: 2021-12-17.

Manufacturing method of laminated wiring member, manufacturing method of semiconductor element, laminated wiring member, and semiconductor element

Номер патента: JP6002817B2. Автор: 近藤　浩史,浩史近藤,周介金澤. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-10-05.

Layered substrate made of semiconductor compound, its manufacturing method and semiconductor element

Номер патента: RU2753180C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102019375B1. Автор: 김정남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-09-09.

Method for Preparing Modified Porous Silica Films, Modified Porous Silica Films Prepared According to This Method and Semiconductor Devices Fabricated Using the Modified Porous Silica Films

Номер патента: US20090206453A1. Автор: Masami Murakami,Hidenori Miyoshi,Takeshi Kubota,Hirofumi Tanaka,Yoshito Kurano,Nobutoshi Fujii,Kazuo Kohmura,Shunsuke Oike. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR101994318B1. Автор: 신종한,정성웅,송석표. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-28.

Method For Producing Semiconductor Substrate

Номер патента: US20090305485A1. Автор: Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102067165B1. Автор: 문주영. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-02-11.

Method for producing modified porous silica film, modified porous silica film obtained by this production method, and semiconductor device comprising this modified porous silica film

Номер патента: JPWO2006088036A1. Автор: 秀典三好,博文田中,雅美村上,一夫高村,藤井　　宣年,田中　博文,義人蔵野,村上　雅美,高村　一夫,宣年藤井,武司窪田,俊輔大池,三好　秀典,大池　俊輔,窪田　武司,蔵野　義人. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402372A1. Автор: Tianlei Mu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20200303196A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10714350B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-14.

METHOD FOR APPLYING A DAM METAL TO THE SURFACE OF AN NPN TYPE SEMICONDUCTOR PELLET, AND NPN TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THIS METAL DAM

Номер патента: FR2549289B1. Автор: Walter Harry Jopke Jr,John Shouse Shier. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1987-04-30.

Photomask structure transferring method for use in semiconductor technology, involves applying photoresist layer on organic anti-reflection layer, and exposing, in section, photoresist layer by imaging device and photomask

Номер патента: DE102005018737A1. Автор: Mirko Vogt,Lothar Bauch,Patrick Klingbeil,Lars Voelkel,Joachim Herpe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-26.

Method For Producing Semiconductor Wafers Composed Of Silicon Having A Diameter Of At Least 450 mm, and Semiconductor Wafer Composed Of Silicon Having A Diameter of 450 mm

Номер патента: US20120315428A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Method For Producing Semiconductor Wafers Composed Of Silicon Having A Diameter Of At Least 450 mm, and Semiconductor Wafer Composed Of Silicon Having A Diameter of 450 mm

Номер патента: US20110175202A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for processing a semiconductor layer, method for processing a silicon substrate, and method for processing a silicon layer

Номер патента: US09941111B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Philipp Koch,Christian Maier,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Systems and methods for bonding semiconductor devices

Номер патента: US20240243006A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Scott LEFEVRE,Kevin Ryan,Ilseok Son,Panupong Jaipan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748141B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Device formation method for preventing pattern shift caused by glass layer reflow

Номер патента: US20020025647A1. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for preparing semiconductor layer

Номер патента: US20240213021A1. Автор: Yi-Chia CHOU,Chang-Hsun HUANG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11211463B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Masahiko Kuraguchi,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230326756A1. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Array substrate, method for producing the same and display apparatus

Номер патента: US20160233255A1. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Array substrate, method for producing the same and display apparatus

Номер патента: US09793304B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768281B2. Автор: Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Method for increasing the very-large-scale-integrated (vlsi) capacitor size on bulk silicon and silicon-on-insulator (soi) wafers and structure formed thereby

Номер патента: KR100361875B1. Автор: 슈루이스엘,왕리콩. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2002-11-22.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

A method for manufacturing a gradient heat-flux sensor

Номер патента: WO2019053318A1. Автор: Antti Immonen,Mikko KUISMA,Saku LEVIKARI. Владелец: Lappeenrannan-Lahden Teknillinen Yliopisto Lut. Дата публикации: 2019-03-21.

A method for manufacturing a gradient heat-flux sensor

Номер патента: EP3682208A1. Автор: Antti Immonen,Mikko KUISMA,Saku LEVIKARI. Владелец: Lappeenrannan Lahden Teknillinen Yliopisto LUT. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for manufacturing semiconductor chip with two sided sawing process of semiconductor wafer and an apparatus for manufacturing semiconductor chip by the method

Номер патента: KR101116301B1. Автор: 김재도. Владелец: (주) 엔지온. Дата публикации: 2012-03-20.

Resonator and Preparation Method for Resonator

Номер патента: US20230318557A1. Автор: Chengliang SUN,Yang Zou,Yao Cai,Dawdon CHEAM,Bowoon SOON,Zhipeng DING,Binghui LIN. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating semiconductor dice by separating a substrate from semiconductor structures using multiple laser pulses

Номер патента: US20130302926A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Feng-Hsu Fan,Hao-Chung Cheng. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Etching composition hydrogen fluoride useful for selectively etching oxide layer and for manufacturing semiconductor device comprises ammonium fluoride, non-ionic polymer surfactant and water

Номер патента: DE102004050358A1. Автор: Yong-Kyun Osan Ko,Sang-Mun Yongin Chon,In-Hoi Yongin Doh,Pil-Kwon Yongin Jun,Sang-Mi Suwon Lee,Kwang-Shin Yongin Lim,Myoung-Ok Suwon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Display device using semiconductor light emitting devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842764B2. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Growth substrate and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor body

Номер патента: US20240136176A1. Автор: Jelena Ristic. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Growth substrate and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor body

Номер патента: US20240234136A9. Автор: Jelena Ristic. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8283240B2. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120003820A1. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor element, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150091062A1. Автор: Takako Motai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device

Номер патента: US20200395385A1. Автор: Bo Yu,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120292593A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140353663A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: US20240363693A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793416B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Kengo Akimoto,Yasuo Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device capable of preventing an increase in the number of manufacturing steps relating to wiring and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11495543B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Metallizing process of semiconductor industry

Номер патента: US20010000496A1. Автор: Ting Wang,John Chu,Der-Tsyr Fan,Chon-Shin Jou. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859439B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09673284B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for Producing a Connecting Medium on an Assembly Partner, Method for Producing a Material-Fit Connection Between an Assembly Partner and a Metal Layer, and a System for Carrying out the Methods

Номер патента: US20160225735A1. Автор: Roland Speckels,Marco Marchitto,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140252299A1. Автор: Hye-Jung Choi,Jun-kyo Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09917199B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Cleaning Hydrogen Plasma Downstream Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device Using Such Device

Номер патента: KR960005764A. Автор: 기꾸찌 준,후지무라 수조. Владелец: 세끼사와 다다시. Дата публикации: 1996-02-23.

Slurry and polishing method for fixed abrasive polishing pad for polishing conductive structure of semiconductor device containing copper and tungsten

Номер патента: JP2004507899A. Автор: チョプラ、ディネッシュ,シンハ、ニシュアント. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Method For The Simultaneous Double-Side Grinding Of A Plurality Of Semiconductor Wafers, And Semiconductor Wafer Having Outstanding Flatness

Номер патента: US20080014839A1. Автор: Georg Pietsch,Michael Kerstan. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-01-17.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470B1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-04-20.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470A1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-07.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device having SOI substrate

Номер патента: US09899448B2. Автор: Yasuo Arai,Masao Okihara,Hiroki Kasai. Владелец: Inter University Research Institute Corp High Energy Accelerator Research Organization. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US20220037381A1. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US12040339B2. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220085021A1. Автор: Xinran Liu,Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR CREATING OPTICAL INSULATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014A1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2018-03-16.

METHOD FOR CREATING OPTICAL ISOLATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014B1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2020-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09755036B2. Автор: Tadayoshi Miyamoto,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120034744A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947797B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120149157A1. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20240213258A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332429A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130065364A1. Автор: Masatoshi Yasunaga,Hironori Matsushima,Kenya Hironaga,Soshi KURODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US7413925B2. Автор: Yoshimi Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method for polishing leads for semiconductor packages

Номер патента: US6726533B2. Автор: Takeyuki Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing glass substrate used for forming through-electrode of semiconductor device

Номер патента: JP2013144613A. Автор: Akio Koike,章夫小池,Motoji Ono,元司小野,Ryota Murakami,亮太村上,Shinya Kikukawa,信也菊川. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Chip package with electromagnetic interference shielding layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047375A1. Автор: Hong-Chi YU,Chun-Jung Lin,Ruei-Ting Gu. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming massive of ferromagnetic nanowires on stepped surface of semiconductor substances with buffer copper layer

Номер патента: RU2624836C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2017-07-07.

Verification method for device chips

Номер патента: US20230411181A1. Автор: Masaru Nakamura. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Electrode material for organic semiconductor device, method for forming electrode pattern, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20180233684A1. Автор: Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer of semiconductor material in a deposition apparatus

Номер патента: IL308678A. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-01.

METHOD OF BONDING TERMINAL OF SEMICONDUCTOR CHIP USING SOLDER BUMP AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME

Номер патента: US20200006281A1. Автор: CHOI Yun Hwa,CHOI SoonSeong. Владелец: JMJ Korea Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

The processing method of semiconductor wafer processing adhesive tape and semiconductor wafer

Номер патента: CN106104767B. Автор: 冈祥文,内山具朗. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

The manufacture method of semiconductor wafer processing adhesive tape and semiconductor wafer processing adhesive tape

Номер патента: CN104508798B. Автор: 青山真沙美,平泉敦嗣,丸山弘光,佐久间登. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Method for forming a gate electrode

Номер патента: US20120135594A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Extended bond pad for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240071990A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090140411A1. Автор: Koji Tomita,Chikao Ikenaga,Masachika Masuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of forming a silicide layer and manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100642386B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method for making FET gate oxides with different thicknesses using a thin silicon nitride layer and a single oxidation step

Номер патента: US6511887B1. Автор: Syun-Ming Jang,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-28.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US09728459B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094956B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230105626A1. Автор: Koji Ito,Atsushi Ogasawara,Ryota Murai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Manufacturing method of semiconductor device including barrier pattern

Номер патента: US09786682B1. Автор: Ki Hong Lee,Duk Eui LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming a narrow gap

Номер патента: US4053349A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1977-10-11.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220013626A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321858A1. Автор: Cheng-Yu Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US12113101B2. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9263544B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8815664B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for laying out storage node contact and storage node of semiconductor device, semiconductor device thereby

Номер патента: KR100745069B1. Автор: 양현조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Devices and methods for ultra thin photodiode arrays on bonded supports

Номер патента: WO2010053881A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix, Inc.. Дата публикации: 2010-05-14.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905657B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014759A1. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US7800144B2. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20220093532A1. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for making diodes for middle-wave ir range of spectrum

Номер патента: RU2647978C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова,Ольга Вениаминовна Иванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2018-03-21.

Laminated sheet and method of manufacturing semiconductor device using the laminated sheet

Номер патента: US20130149842A1. Автор: Koji Mizuno,Shumpei Tanaka,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Optoelectronic semiconductor device comprising a filling material and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024227522A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jochen BRENDT,Peter Deutscher,Joern KAMPMEIER,Thomas FILZ. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Laminated sheet and method of manufacturing semiconductor device using the laminated sheet

Номер патента: US8951843B2. Автор: Koji Mizuno,Shumpei Tanaka,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for analyzing an integrated circuit, apparatus and integrated circuit

Номер патента: EP1886159A2. Автор: Martijn Philips Intell. Prop. & Standards GOOSSENS,Frank Philips Intell. Prop. & Standards ZACHARIASSE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-13.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nanocrystalline layers based on low annealing point titanium dioxide for use in dye-sensitised solar cells and methods for production thereof

Номер патента: RU2569086C2. Автор: Наталья Владимировна Голубко,Дмитрий Юльевич Годовский,Дзаечол ЛИ,Мин-Чжон ЛИ,Юлианна Еремеевна Рогинская,Анастасия Евгеньевна Озимова. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2015-11-20.

Light-Emitting Chip and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20230028909A1. Автор: Zhongshan FENG. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for evaluating dependence of properties of semiconductor substrate on plane orientation and semiconductor device using the same

Номер патента: TW546720B. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Noboru Takeuchi,Takuji Tanigami,Tetsuo Endoh. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-08-11.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for preventing short-circuit caused by soldering pin of semiconductor component

Номер патента: TW200539358A. Автор: Ticky Tsai,Spring Liu. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device

Номер патента: US20060087024A1. Автор: Eiichi Hosomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing graphene light source, organic light-emitting device comprising graphene light source, and method for manufacturing organic light-emitting device

Номер патента: US20240224565A1. Автор: Youngduck Kim,Min Hyun CHO,Seokwon Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-04.

Continuous compositional grading for realization of low charge carrier barriers in electro-optical heterostructure semiconductor devices

Номер патента: US20240047603A1. Автор: Elad Mentovich,Attila Fülöp,Oren Steinberg,Isabelle Cestier,Anders Gösta Larsson,Moshe B. Oron. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20140124777A1. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Continuous compositional grading for realization of low charge carrier barriers in electro-optical heterostructure semiconductor devices

Номер патента: US12132137B2. Автор: Elad Mentovich,Attila Fülöp,Oren Steinberg,Isabelle Cestier,Anders Gösta Larsson,Moshe B. Oron. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

METHOD FOR PREVENTING AN ELECTRICAL FAILURE IN A STACK OF SEMICONDUCTOR LAYERS, THIN-SUBSTRATE CONCENTRATION PHOTOVOLTAIC CELL, AND SOLAR CELL ASSEMBLY

Номер патента: FR2983346B1. Автор: Chantal Arena,Bruno Ghyselen,Rainer Krause. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-12-09.

METHOD FOR PREVENTING AN ELECTRICAL FAILURE IN A STACK OF SEMICONDUCTOR LAYERS, THIN-SUBSTRATE CONCENTRATION PHOTOVOLTAIC CELL, AND SOLAR CELL ASSEMBLY

Номер патента: FR2983346A1. Автор: Chantal Arena,Bruno Ghyselen,Rainer Krause. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160284855A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Display panel, method for manufacturing the same and method for controlling the same

Номер патента: US20210226177A1. Автор: Yuanjie Xu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224495A1. Автор: Seung Hwan Kim,Gil Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234538A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136422A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing memory

Номер патента: US20040266104A1. Автор: Sung-Mu Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US11309392B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20210005726A1. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Laminated Sheet and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using the Laminated Sheet

Номер патента: US20150104649A1. Автор: Koji Mizuno,Shumpei Tanaka,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2993703A1. Автор: Sunyoung Kim,Youngho Choe,Choul Kim,Sungeun Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-03-09.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11901461B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin Film Transistor Comprising Oxide Semiconductor Layer and Silicon Semiconductor Layer and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20210202754A1. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and device for reconstructing a position of semiconductor devices on a wafer

Номер патента: US20230376850A1. Автор: Frank Schmidt,Andreas Steimer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US6703686B2. Автор: Takahiko Konishi,Masahiko Takeno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for cutting a wafer

Номер патента: US20040139601A1. Автор: Simon Shiau. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20140110756A1. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for allocating semiconductor package terminals, device for assisting allocation of semiconductor package terminals, semiconductor package, and program that executes method for allocating semiconductor package terminals

Номер патента: WO2012063284A1. Автор: 鈴木　啓介. Владелец: 富士通株式会社. Дата публикации: 2012-05-18.

Semiconductor device having trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069109A1. Автор: Shingo Sato,Wataru Saito,Shizue MATSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222222B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200417026A. Автор: Yee-Chia Yeo,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for producing optoelectronic devices

Номер патента: US12112968B2. Автор: Ralph Wagner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for obtaining pattern density of a predetermined material layer of semiconductor device, and method for simulation of chemical mechanical polishing using the same

Номер патента: KR100297732B1. Автор: 김유현,유광재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor tape, semiconductor tape device, tap tape, semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR100432867B1. Автор: 겐 무라카미,마모루 미타,노리오 오카베,야스하루 가메야마. Владелец: 히다치 덴센 가부시키 가이샤. Дата публикации: 2004-09-04.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR REMOVING HARD MASK OXIDE AND MAKING GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140162446A1. Автор: Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Lin Yi-An,CHANG Chun-Wei. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for forming selective hemispherical silicon grain charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR19990080850A. Автор: 오훈정,신승우,양홍선,우상호,한일근,전광석,문정언. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing a floating gate of a dual gate of semiconductor device

Номер патента: US20040224468A1. Автор: Sung-Bo Hwang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Packaging assembly for semiconductor device and method of making

Номер патента: US20240079344A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4378004A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-05.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: AU2022319811A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-02-15.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: WO2023006410A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-02.

A transistor, an electrical device, and a method for producing a transistor

Номер патента: EP4125135A1. Автор: Martin Olsson. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-02-01.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20060035473A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US7410911B2. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Daniel Gealy,Husam N. Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20040185677A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US6955996B2. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam N. Al-Shareef,Dave Chapek,Daniel F Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20050279283A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Voltage-Sustaining Layer Consisting of Semiconductor and Insulator Containing Conductive Particles for Semiconductor Device

Номер патента: US20130168729A1. Автор: Chen Xingbi. Владелец: University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kyoko Soga,Michihiro Sugo,Satoshi Asai,Kazunori Kondo,Hideto Kato,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023035104A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Method for doping semiconductor structures and the semiconductor device thereof

Номер патента: EP2311072A2. Автор: Matty Caymax,Roger Loo,Frederik Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960174B2. Автор: Masaaki Higuchi,Takuo Ohashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for controlling a processing device for a sequential processing of semiconductor wafers

Номер патента: US6684124B2. Автор: Sebastian Schmidt,Thomas Fischer,Thorsten Schedel,Karl Schumacher,Ralf Otto,Heiko Hommen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-27.

Method for forming capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230389266A1. Автор: Xiaoling Wang,Hai-Han Hung,Min-Hui Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONDUCTING SOFT TURN-OFF OF A DRIVING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20150070078A1. Автор: Jeong Kang Ho,Jeong Jee Hye,Lee Ki Jong. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device, device forming substrate, wiring connection testing method, and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20060175607A1. Автор: Yasuo Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device

Номер патента: US10199085B2. Автор: Takao Nomura,Kazuki Fukuoka,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

SEMICONDUCTOR LAYER, OSCILLATION ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200135494A1. Автор: Ashizawa Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing process of semiconductors provided with connecting conductors and semiconductors thus obtained

Номер патента: FR1496985A. Автор: . Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1967-10-06.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Oxide interface and a method for fabricating oxide thin films

Номер патента: US6902960B2. Автор: John W. Hartzell,Masahiro Adachi,Yoshi Ono,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Full-laser scribing method for flexible stainless steel substrate solar cell module

Номер патента: US20190237600A1. Автор: Wei Zhang,Ning Zhang,Zhe Sun,Xinping YU,Wanlei Dai,Yuandong Liu. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for producing wiring board, laminate and method for producing same

Номер патента: US20240057263A1. Автор: Masaki Yamaguchi,Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MICRO PROCESSOR, PROCESSOR, SYSTEM, DATA STORAGE SYSTEM AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140252299A1. Автор: CHOI Hye-Jung,SUH Jun-Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Method for Producing a Connecting Medium on an Assembly Partner, Method for Producing a Material-Fit Connection Between an Assembly Partner and a Metal Layer, and a System for Carrying out the Methods

Номер патента: US20160225735A1. Автор: Speckels Roland,Heuck Nicolas,Marchitto Marco. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102043727B1. Автор: 송석표,김세동,서홍주. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-12-02.

Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby

Номер патента: KR100678808B1. Автор: 이케무라가즈히로,도요다에이지,오카다다케시,요시카와게이스케,에토다쿠야,아키즈키신야,이시자카츠요시,우치다다카히로,도요타케이. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-02-05.

Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby

Номер патента: US20050154152A1. Автор: Eiji Toyoda,Shinya Akizuki,Takeshi Okada,Kazuhiro Ikemura,Takahiro Uchida,Keisuke Yoshikawa,Tsuyoshi Ishizaka,Takuya Eto,Kei Toyota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110101366A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Naoto Kusumoto,Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Kaori Ogita,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby

Номер патента: EP1538182A1. Автор: Eiji Toyoda,Shinya Akizuki,Takeshi Okada,Kazuhiro Ikemura,Takahiro Uchida,Keisuke Yoshikawa,Tsuyoshi Ishizaka,Takuya Eto,Kei Toyota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Multilayer resin sheet and method for producing the same, resin sheet laminate and method for producing the same, multilayer resin sheet cured product, multilayer resin sheet with metal foil, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012046814A1. Автор: 片木　秀行,秀行片木,直樹原,由高竹澤,竹澤　由高,原　直樹,謙介吉原,智雄西山,靖夫宮崎. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2014-02-24.

Display panel and method for manufacturing same, and electronic device

Номер патента: US20220130927A1. Автор: Wanmei QING,Chao Kong,Wenbiao Ding,De YUAN,Baiqiang WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing memory

Номер патента: US6858498B2. Автор: Sung-Mu Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-22.

MONITORING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PERFORMING DEEP N-TYPED WELL-CORRELATED (DNW-CORRELATED) ANTENNA RULE CHECK OF INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPLYING WITH DNW-CORRELATED ANTENNA RULE

Номер патента: US20160211187A1. Автор: Liao Hong,Yang Hui,Ku Chi-Fa,ZHANG Xing Hua,Li Ye Chao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

System and method for designing semiconductor package using computing system, apparatus for fabricating semiconductor package including the system, and semiconductor package designed by the method

Номер патента: US20140131867A1. Автор: Jae-hoon Jeong,Chan-seok Hwang,Won-Cheol LEE,Young-Hoe Cheon,Bo-Sun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for detecting the contact position between the object to be measured and the measuring pin and semiconductor test system using the method

Номер патента: KR19980087379A. Автор: 도루 아비꼬. Владелец: 가부시끼가이샤 아드반테스트. Дата публикации: 1998-12-05.

Passivation layer and process for semiconductor devices

Номер патента: US20010028100A1. Автор: Adele Schmitz,Julia Brown. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274699A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component, and an optoelectronic arrangement

Номер патента: US20230369550A1. Автор: Norwin von Malm,Matthias Goldbach,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190341397A1. Автор: Yusuke Kawano,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10411028B2. Автор: Yusuke Kawano,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831222B2. Автор: Eunah Lee,Hwankuk YUH,Sangwook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266445A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270312A1. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method for fabrication

Номер патента: US20200135803A1. Автор: Baohua Niu,Da-Shou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Dye-sensitized solar cell comprising ion layer and method for manufacturing

Номер патента: US20140109959A1. Автор: Young-Soo Kwon,Taiho Park,Jong Chul LIM,Sung Hae Park. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230069800A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Stressed semiconductor device and method for making

Номер патента: US20100244121A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko,Taras A. Kirichenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device having a decomposed aliphatic polycarbonate layer

Номер патента: US09985137B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Shuichi Karashima,Kiyoshi Nishioka. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor layered structure, method for producing semiconductor layered structure, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09887310B2. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240206173A1. Автор: Tatsunori Isogai,Shunsuke Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180350963A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301079A1. Автор: Hiroshi Fujita,Naomi Yanai,Tatsuhiko Koide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US12113035B2. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09793475B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US09768359B2. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230101385A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220302139A1. Автор: Tatsunori Isogai,Masaki NIGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230290854A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tatsuya Shiraishi,Kouta Tomita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343839A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074202B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094931B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20240321977A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: EP4462490A1. Автор: Jung Woon Jung,Chang Hee Lee,Do Hyung Kim,Sang Ho Jeon,Je Won YOO,Jin Young Choi,Dong Uk Kim,Jong Il Kim,Yong Seok Choi,Joo Hee Lee,Ran Kim,Jae Kwang Lee,Na Ri AHN,Sang Ho Oh,In Pyo Kim,Na Mi HONG,Yun Hyuk KO,Chan Woo JOO,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON,Jin Ho BYUN,Jong Hoon HA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186486A1. Автор: Hirotaka Mori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110227150A1. Автор: Katsumi HORITA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Power semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090127616A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Multilayer transformer pcb structure for electric car and method for manufacturing multilayer transformer pcb for the same

Номер патента: US20160284460A1. Автор: Chanboung JEONG. Владелец: Dodo Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for manufacturing conductive laminate

Номер патента: US20230249219A1. Автор: Yousuke Ito. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for producing a grain-orientated electric strip

Номер патента: US09905344B2. Автор: Christof Holzapfel,Heiner Schrapers,Carsten Schepers,Stefan Pahike. Владелец: THYSSENKRUPP ELECTRICAL STEEL GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Flexible variable capacitor and method for preparation thereof

Номер патента: EP4243042A1. Автор: XIANG Gao,Jun Chen,Shenghong Yao,Jiamin Zhao. Владелец: Zhi Neng Rong Dian Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Flexible variable capacitor and method for preparation thereof

Номер патента: US20230386754A1. Автор: XIANG Gao,Jun Chen,Shenghong Yao,Jiamin Zhao. Владелец: Zhi Neng Rong Dian Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for preparing perovskite electronic device

Номер патента: US20230020962A1. Автор: Jin Hyuk Choi,Sangmyeong Lee,Hyun Suk Jung,Gill Sang HAN,Oh Yeong Gong,Min Kyeong SEO,ChangHwun SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods for diminishing or preventing the deposition of a metal oxide on an electrode surface

Номер патента: WO2009148567A3. Автор: Monika Backhaus-Ricoult. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-28.

Methods for diminishing or preventing the deposition of a metal oxide on an electrode surface

Номер патента: WO2009148567A2. Автор: Monika Backhaus-Ricoult. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: US11231954B2. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: US20200167182A1. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: EP3687111A1. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2020-07-29.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semi-finished product for the production of a printed circuit board, method for producing a printed circuit board and printed circuit board

Номер патента: US09763337B2. Автор: Stefan JÄGER,Thomas Judge,Markus Leitgeb. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Display panel and method for manufacturing same, and electronic device

Номер патента: US12082445B2. Автор: Wanmei QING,Chao Kong,Wenbiao Ding,De YUAN,Baiqiang WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US12096673B2. Автор: Hongmei Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Signal transmission circuit, signal transmission method for synchronizing different delay characteristics, and data latch circuit of semiconductor device having the same

Номер патента: KR100335503B1. Автор: 김규현,이정배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Method for manufacturing laminate

Номер патента: EP4317532A1. Автор: Naoki Obata,Makiko Sato. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20240016023A1. Автор: Hongmei Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing laminate

Номер патента: US20240179848A1. Автор: Naoki Obata,Makiko Sato. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for synchronizing and preventing the oscillation of single- and multi-phase AC synchronous machines.

Номер патента: CH107077A. Автор: Michl Robert. Владелец: Michl Robert. Дата публикации: 1924-10-01.

METHOD FOR GENERATING NESTED CONTAINER WITH NO INTERSECTION AND FULL COVERAGE IN THE SAME LAYER AND READABLE STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20200167182A1. Автор: Cheng Gang,Wang Jinlin,Wang Lingfang,Deng Haojiang,Liao Yi,SHENG Yiqiang,YE Xiaozhou. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A MULTI-LAYER PRINTED WIRING WITH SEW-THROUGH TRACKS IN DIFFERENT LAYERS AND MULTI-LAYER PRINTED WIRES MADE BY THE METHOD

Номер патента: NL8403755A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: EP3687111A4. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for generating nested container with no intersection and full coverage in the same layer and readable storage medium

Номер патента: EP3687111B1. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Yi Liao,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2022-09-28.

Optical pressure-sensitive adhesive layer, method for producing optical pressure-sensitive adhesive layer, optical film with pressure-sensitive adhesive layer, and image display device

Номер патента: JP6725674B2. Автор: 雄祐外山,晶子杉野,智之木村,寛大小野. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Optical pressure-sensitive adhesive layer, method for producing optical pressure-sensitive adhesive layer, optical film with pressure-sensitive adhesive layer, and image display device

Номер патента: JPWO2018062287A1. Автор: 雄祐外山,晶子杉野,智之木村,寛大小野. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2019-06-24.

Gas barrier film, method for transferring gas barrier film, wavelength conversion film, retardation film with gas barrier layer, and organic el laminate

Номер патента: WO2017038141A1. Автор: 英二郎岩瀬. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2017-03-09.

Seed composition and method for reducing and preventing the release of genetically manipulated pollen

Номер патента: US20040237143A1. Автор: Peter Stamp,Boy Feil. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Seed composition and method for reducing and preventing the release of genetically manipulated pollen

Номер патента: WO2002006496A1. Автор: Peter Stamp,Boy Feil. Владелец: Boy Feil. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for treating and preventing the loss of bony tissue

Номер патента: RU2319483C2. Автор: Джон Дейвид АЛЛАРД,Роберт Фредерик КЛЕЙН,Гэри Аллен ПЕЛТЗ. Владелец: Дзе Говернмент Оф Дзе Юнайтед Стейтс. Дата публикации: 2008-03-20.

Chafe layer for a fluid conduit, fluid conduit, method for producing a fluid conduit and use of a polyurethane as a chafe layer and use of an ethylene copolymer as an additive

Номер патента: US20230235114A1. Автор: Marcus Leberfinger,Sanghoon Moon,Christoph Wehrmann,Jeongbeom PARK,Chansoo RA. Владелец: AFT Automotive GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

A method for attaching a fluoride-based polymer layer to a polyphenylene ether or polystyrene layer, and related articles

Номер патента: EP1084205A1. Автор: Herbert Shin-I Chao,John Raymond Krahn. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-03-21.

Adverse side-effects associated with administration of anti-hyaluronan agents and methods for ameliorating or preventing the side-effects

Номер патента: CA2806058C. Автор: Gregory Ian Frost,Harold Michael Shepard,Xiaoming Li,Curtis Thompson. Владелец: Halozyme Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for detachable fastening of two- and three-layered plates-cutters with super-hard layers and solid hard alloy substrate

Номер патента: RU2631756C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Сергей Александрович Ермаков,Лазарь Николаевич Федоров,Валерий Валерьевич Ткаченко,Артемий Никитович Шипков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Севера им. Н.В. Черского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for eliminating or preventing the brightening effects of anionic optical brighteners

Номер патента: US4098954A. Автор: Giuseppe Raspanti. Владелец: SANDOZ AG. Дата публикации: 1978-07-04.

Devices and methods for unwrapping or preventing the wrapping of elongated medical devices

Номер патента: WO2008051898B1. Автор: Caprio Fernando Di,Randall J Beyeris,Brady J Hatcher. Владелец: Via Biomedical Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for quantitative assessment of fractal dimension and curvature of pulmonary vessels

Номер патента: LU503386B1. Автор: Min Liu,Wenqing Xu,Anqi LIU,Mei Deng,Haoyu Yang. Владелец: China Japan Friendship Hospital. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for determining quality of dispersion of glass fibers in a thermoplastic resin preform layer and preform layer characterized thereby

Номер патента: US5436980A. Автор: Gregory P. Weeks,Akhileswar G. Vaidyanathan,Michael J. Merrill. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment layer by using same, and liquid crystal alignment layer and liquid crystal display device which use same

Номер патента: EP3611241A1. Автор: Hang Ah PARK,Hyeong Seuk YUN,Jung Ho Jo,Jun Young Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Display device and controlling method for curvature of the same

Номер патента: US20190279539A1. Автор: Ja Eun Lee,Gyouhyung KYUNG,Sungryul PARK,Songil LEE,Jihhyeon YI,Donghee Choi,Mu Gyeom Kim,Seung Bae Lee,Byeong Hwa CHOI,Kyung Hyun NAM. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240268117A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Ryosuke UMINO,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for trauma-free application and removal of light deactivated adhesive drapes

Номер патента: US12076217B2. Автор: Christopher Brian Locke,David Whyte. Владелец: Solventum Intellectual Properties Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for using a face strip for treating breathing conditions

Номер патента: WO2019084482A1. Автор: Nicholas MICHALAK,Andre MICHALAK. Владелец: Somnifix International LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods for using a face strip for treating breathing conditions

Номер патента: AU2018355548A1. Автор: Nicholas MICHALAK,Andre MICHALAK. Владелец: Somnifix Int LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Machine and method for obtaining a curved surface for a film structure

Номер патента: WO2022013196A1. Автор: Youval Katzman. Владелец: Shamir Optical Industry Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Machine and method for obtaining a curved surface for a film structure

Номер патента: US20230271393A1. Автор: Youval Katzman. Владелец: International Essilor. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for starting a hypervisor in a computer system at an early stage of loading the computer from an external hardware apparatus

Номер патента: RU2755771C1. Автор: Алексей Евгеньевич Фетищев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Кировский Региональный Центр Деловой Информации". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for counting of young fish in water flow

Номер патента: RU2300195C2. Автор: Эдуард Аркадьевич Артемьев,Антон Сергеевич Язенков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" (ФГОУ ВПО АГТУ). Дата публикации: 2007-06-10.

Methods for diagnosis and treatment of bloom's syndrome

Номер патента: US20020102550A1. Автор: Joanna Groden,Nathan Ellis,James German. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Methods for diagnosis and treatment of Bloom's syndrome

Номер патента: US6838240B2. Автор: Joanna Groden,Nathan Ellis,James German. Владелец: New York Blood Center Inc. Дата публикации: 2005-01-04.

Systems and Methods for Providing Field Views Including Enhanced Agricultural Maps Having a Data Layer and Image Data

Номер патента: US20240295954A1. Автор: Jason Stoller,Ryan Knuffman. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for separating the layers of multilayer plastics

Номер патента: EP3831566A1. Автор: Amalio Garrido Escudero,Alexandra MARTÍNEZ GRACIA,Pedro Antonio ESCUDERO MARÍN. Владелец: Repetco Innovations S L. Дата публикации: 2021-06-09.

Compositions and methods for treating lung injuries associated with sars-cov-2 infections

Номер патента: US20220202816A1. Автор: Dianqing Wu,Ho Yin Lo. Владелец: Qx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Compositions and methods for treating lung injuries associated with sars-cov-2 infections

Номер патента: US20210361650A1. Автор: Dianqing Wu,Ho Yin Lo. Владелец: Qx Therapeutics Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Smelting ladle and method for improving use efficiency thereof

Номер патента: US09989313B2. Автор: Hui Zhou,Zhiqiang Wang,Qing Zhao,Xianming Tian,Huasheng LIU,Xueqin HONG,Qinxue MA,Zhongxing LEI,Zhiming CAO,Bihui YI,Yuhan DIAO. Владелец: Wugang Refractory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Porous sheet and method for manufacturing the porous sheet

Номер патента: US20140235130A1. Автор: Sun Ok Kim,Jin Wook Na,Jun Hwan YOO,Jea Sik Ryoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Platelet compositions and methods for the delivery of therapeutic agents

Номер патента: EP3512554A1. Автор: Chao Wang,Zhen Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-07-24.

Method for manufacturing nanostructure and nanostructure

Номер патента: US20240191168A1. Автор: Jianfeng Gao,Junfeng Li,Jun Luo,Junjie Li,Na Zhou,Wenwu Wang,Enxu LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Luster coating composition, method for producing multi layered coating film therewith, and multi layered coating film

Номер патента: US09815990B2. Автор: Shinichi Fujiwara. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for treating cancer by administration of nucleic acids encoding FAP and cancer antigens

Номер патента: US09744224B2. Автор: Ying Zhang,Hildegund C. J. Ertl. Владелец: Wistar Institute of Anatomy and Biology. Дата публикации: 2017-08-29.

Machine and Method for Producing Inflatable Products

Номер патента: US20170106638A1. Автор: Vincent W.S. Lau. Владелец: Sun Pleasure Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for manufacturing touch panel

Номер патента: US20170246818A1. Автор: Shihpo Chou. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for making paddle board

Номер патента: US20240308626A1. Автор: Aifu Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing quantum dot color filter substrate

Номер патента: US09904097B2. Автор: Lanyan Li,Yuheng Liang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for switching memory resistance by near-infrared laser beam

Номер патента: US09859001B2. Автор: Jihoon Kim,YongWook LEE. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2018-01-02.

Machine and method for producing inflatable products

Номер патента: US09707745B2. Автор: Vincent W. S. Lau. Владелец: Sun Pleasure Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for evaluating a crystalline semiconductor substrate

Номер патента: US20040029390A1. Автор: Satoshi Suzuki,Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Method for manufacturing capacitive micromachined ultrasonic transducer and apparatus configured to obtain subject information using the capacitive micromachined ultrasonic transducer

Номер патента: US20130135971A1. Автор: Koichiro Nakanishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A3. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A2. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

Adenovirus ad36 e4orf1 protein for prevention and treatment of non-alcoholic fatty liver disease

Номер патента: CA2803787C. Автор: Nikhil Dhurandhar. Владелец: Louisiana State University and Agricultural and Mechanical College. Дата публикации: 2018-12-04.

Polarizing plate and method for manufacturing polarizing plate

Номер патента: US09864115B2. Автор: Makiko Kimura,Tomohiro Yamashita,Mie Nakata,Shunsuke Murayama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Devices, systems and methods for monitoring and preventing the spreading of contagious diseases

Номер патента: US20240127966A1. Автор: Lei Zhang,Peter Seitz,Edith Schmid,Yves Delley. Владелец: Epymetrics AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Devices, systems and methods for monitoring and preventing the spreading of contagious diseases

Номер патента: EP4295374A1. Автор: Lei Zhang,Peter Seitz,Edith Schmid,Yves Delley. Владелец: Epymetrics AG. Дата публикации: 2023-12-27.

A method for realizing security storage and algorithm storage by means of semiconductor memory device

Номер патента: AU2003284792A1. Автор: Feng Xiang,Guoshun Deng,Xiaohua Cheng. Владелец: Netac Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Measurement of the positions of centres of curvature of optical surfaces of a single or multi-lens optical system

Номер патента: US09863844B2. Автор: Eugen Dumitrescu,Aiko Ruprecht,Naoji Oya. Владелец: Trioptics GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Measurement of the positions of centres of curvature of optical surfaces of a single- or multi-lens optical system

Номер патента: US09766155B2. Автор: Eugen Dumitrescu,Aiko Ruprecht,Naoji Oya. Владелец: Trioptics GmbH. Дата публикации: 2017-09-19.

System and method for reducing dynamic range in images of patterned regions of semiconductor wafers

Номер патента: US09703207B1. Автор: Grace Chen,Daniel L. Cavan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for preventing or inhibiting metal deposition

Номер патента: US6131657A. Автор: Richard Keatch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-17.

Systems and methods for producing collagen 7 compositions

Номер патента: WO2020198556A3. Автор: Pierre-Alain Girod,Malini Viswanathan,David Calabrese,Valerie Le Fourn,John Gill,Alexandre Regamey,George ENRIQUEZ,Hang Yuan,Mark Desouza,Megan GOTTLIEB,Amie LUNDQUIST,Anna TCHOUDAKOVA,Rahul CHELIKANI,Thomas GAGLIARDI,Tatiana LAIVINS. Владелец: Phoenix Tissue Repair, Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

Systems and methods for producing collagen 7 compositions

Номер патента: EP3946596A2. Автор: Pierre-Alain Girod,Malini Viswanathan,David Calabrese,Valerie Le Fourn,John Gill,Alexandre Regamey,George ENRIQUEZ,Hang Yuan,Mark Desouza,Megan GOTTLIEB,Amie LUNDQUIST,Anna TCHOUDAKOVA,Rahul CHELIKANI,Thomas GAGLIARDI,Tatiana LAIVINS. Владелец: Phoenix Tissue Repair Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

METHODS FOR PRODUCING SYNTHESIS GAS AND OPERATION OF A GAS GENERATOR WITH A FIXED LAYER AND A DRY BOTTOM

Номер патента: RU2009106969A. Автор: Вернер Зигфрид ЭРНСТ,Вернер Зигфрид ЭРНСТ (ZA). Владелец: Лурги Клин Коул Текнолоджи (Проприетери) Лимитед (Za). Дата публикации: 2010-09-10.

Method utilizing a modulated light beam for determining characteristics such as the doping concentration profile of a specimen of semiconductor material

Номер патента: US6034535A. Автор: Peter L. Domenicali,Alan H. Field,Sergey Liberman,Charles M. Kohn,Glendon P. Marston. Владелец: Semitest Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Seed composition and method for reducing and preventing the release of genetically manipulated pollen

Номер патента: AU2001270414A1. Автор: Peter Stamp,Boy Feil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-30.

Systems and methods for trauma-free application and removal of light deactivated adhesive drapes

Номер патента: WO2019161321A1. Автор: Christopher Brian Locke,David Whyte. Владелец: KCI Licensing, Inc.. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for using a face strip for treating breathing conditions

Номер патента: US11931515B2. Автор: Nicholas MICHALAK,Andre MICHALAK. Владелец: Somnifix International LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Film covering method for preventing and controlling salt accumulation on salt water irrigated soil surface layer and rainfall salt damage

Номер патента: CN101601340B. Автор: 常青,王鲁海,孙旭伟,李生宇,雷加强,徐新文,范敬龙,靳正忠. Владелец: Xinjiang Institute of Ecology and Geography of CAS. Дата публикации: 2012-05-23.

Luster coating composition, method for producing multi layered coating film therewith, and multi layered coating film

Номер патента: CA2881370C. Автор: Shinichi Fujiwara. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for treatment and prevention of cystitis

Номер патента: RU2751649C1. Автор: Наталья Геннадиевна Галкина. Владелец: Наталья Геннадиевна Галкина. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for forming silicon nano-crystalline structures terminated with oxygen or nitrogen, and silicon nano-crystalline structures terminated with oxygen or nitrogen formed thereby

Номер патента: KR101018668B1. Автор: 요이치로 누마사와,유키노부 무라오. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-03-04.

Compositions and methods for treatment of herpes

Номер патента: US20060147989A1. Автор: Richard Rosenbloom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for operating an electrical precipitation system for the production of semiconductor rods consisting in particular of silicon

Номер патента: DE2116746A1. Автор: Hans 8031 Gröbenzel" Stut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-10-19.

Methods for administering corticosteroids

Номер патента: CA3120339A1. Автор: David A. Katz. Владелец: Sparrow Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Platelet compositions and methods for the delivery of therapeutic agents

Номер патента: US11730765B2. Автор: Chao Wang,Zhen Gu. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2023-08-22.

Ceramic tiles and method for manufacture of ceramic tiles

Номер патента: RU2749325C2. Автор: Бернар ТЬЕР,Кристин УОМЗЛИ-СКОТТ,Барт ВАН ДЕР СТОКТ. Владелец: Флоринг Индастриз Лимитед, Сарл. Дата публикации: 2021-06-08.

Compositions and methods for treating mdma-induced toxicity

Номер патента: WO2003077831A3. Автор: Weiping Peng,Rabi Simantov. Владелец: Rabi Simantov. Дата публикации: 2004-05-13.

Compositions and methods for treating mdma-induced toxicity

Номер патента: WO2003077831A2. Автор: Weiping Peng,Rabi Simantov. Владелец: Yeda Research and Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for inhibiting yeast activity

Номер патента: US20130259999A1. Автор: Saurabh Kumar,Eelco Anthonius Johannes Heintz. Владелец: Purac Biochem BV. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for treating alzheimer's disease

Номер патента: CA2311356C. Автор: Charles Larry Bisgaier,Mark Richard Emmerling. Владелец: Warner Lambert Co LLC. Дата публикации: 2004-07-13.

Method for applying a protective layer, component coated with a protective layer, and gas turbine comprising such a component

Номер патента: CA2837415C. Автор: Norbert Czech,Roland Herzog,Sharad Chandra. Владелец: MAN Diesel and Turbo SE. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of eliminating or preventing the brightening effect on fibrous materials of anionic optical brightening agents

Номер патента: CA1051144A. Автор: Giuseppe Raspanti. Владелец: SANDOZ AG. Дата публикации: 1979-03-20.

Method for treating septic tank effluent seepage beds and the like

Номер патента: US4021338A. Автор: John M. Harkin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1977-05-03.

Device and method for sensor-based measurement of chemical and/or physical properties of an adhesive layer and/or of a medium in contact with the adhesive layer, and method for producing a corresponding device and method for sensorbased measurement

Номер патента: WO2024033081A1. Автор: Henner Baitinger. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for providing field views including enhanced agricultural maps having a data layer and image data

Номер патента: CA3213508A1. Автор: Jason Stoller,Ryan Knuffman. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for fabricating exhaust gas decontamination reactor

Номер патента: US20140165380A1. Автор: Sheng-Shian Wu,Shang-Hsiao WONG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-06-19.

Systems and methods for providing field views including enhanced agricultural maps having a data layer and image data

Номер патента: EP4351305A1. Автор: Jason Stoller,Ryan Knuffman. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2024-04-17.

Systems and methods for providing field views including enhanced agricultural maps having a data layer and image data

Номер патента: AU2022288683A1. Автор: Jason Stoller,Ryan Knuffman. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Graded carbon-carbon composites with an integral ablative layer and methods for production thereof

Номер патента: US10399711B1. Автор: Suraj Prakash Rawal,William H. Willcockson,Wei SHIH. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

The method for reducing or preventing the inner film injury caused by the mechanical stimulus of endothelial cell

Номер патента: CN108348567A. Автор: J·M·西麦德,S·雅各布森. Владелец: Biological Gene Chesapeake Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

A kind of construction method for the device preventing the deformation of non-fragment orbit tunnel bottom

Номер патента: CN108316943B. Автор: 王磊,宋洋,陶伟明,余大龙. Владелец: China Railway Eryuan Engineering Group Co Ltd CREEC. Дата публикации: 2019-07-26.

Method for producing an elastomeric skin having a grained surface

Номер патента: CA2963169C. Автор: Yvan Vanluchene,Yvan De Clercq,Linda De Doncker. Владелец: RECTICEL AUTOMOBILSYSTEME GMBH. Дата публикации: 2023-06-20.

The method for treating and preventing the chronic graft versus host disease of allo-antibody driving

Номер патента: CN105939717B. Автор: 布鲁斯·R·布拉泽尔,赖安·弗林. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2019-09-13.

n-halogenated amino acids, n, n-dihalogenated amino acids and derivatives, stabilized pharmaceutical composition, method for controlling or preventing the growth of bacteria, microbes, spores, fungi or viruses or the proliferation of infections and the source of infections and use thereof compounds

Номер патента: BRPI0607302A2. Автор: LU Wang,Mansour Bassiri,Ramin Najafi,Behzad Krosrovi. Владелец: Novabay Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2009-08-25.

PHARMACEUTICAL ORAL SOLID PREPARATION FORM, METHOD FOR PRODUCING IT, METHOD FOR TREATING OR PREVENTING THE DIGESTIVE SYSTEM WITH ITS HELP, TEMPORARY TABLE, TABLET

Номер патента: RU2012123603A. Автор: РАНСАНИ Луис СОЛЕР,Пьерандреа ЭСПОСИТО,Анхель САНТАНАЧ-ДЕЛИСАУ. Владелец: Лабораториос Дель Др. Эстеве, С.А.. Дата публикации: 2013-12-20.

Release liner and method for producing the same

Номер патента: US20210245479A1. Автор: Chun-Che Tsao,Te-Chao Liao,Cheng-Hung Chen. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Welding method for a multilayer composite having a barrier layer

Номер патента: US11820082B2. Автор: Norman Scholz. Владелец: Herrmann Ultraschalltechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing capacitive micromachined ultrasonic transducer and apparatus configured to obtain subject information using the capacitive micromachined ultrasonic transducer

Номер патента: US9352960B2. Автор: Koichiro Nakanishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

A joint and a method for providing such joint

Номер патента: WO2023211336A1. Автор: Andreas Wallin,Goran Bernhardsson,Peter Wallin. Владелец: CLIMATE RECOVERY IND AB. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for Killing and Tracing Bacteria by Coating Same with Self-Assembled Gold Nanoshell Layer and Producing Photothermal Decomposition and Cold Light by means of Laser

Номер патента: US20160059033A1. Автор: Wen-Shuo Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for a low profile etchable euv absorber layer with embedded particles in a photolithography mask

Номер патента: US20160223896A1. Автор: Lei Sun,II Obert Reeves Wood. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for manufacturing capacitive micromachined ultrasonic transducer and apparatus configured to obtain subject information using the capacitive micromachined ultrasonic transducer

Номер патента: US20160243588A1. Автор: Koichiro Nakanishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Decoration film and method for manufacturing decorated article

Номер патента: US20140010993A1. Автор: Pin-Hau Chiu,Shu-Yin Cheng. Владелец: Etansi Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Adverse side-effects associated with administration of anti-hyaluronan agents and methods for ameliorating or preventing the side-effects

Номер патента: US20120020951A1. Автор: Harold Michael Shepard,Xiaoming Li,Gregory I. Frost,Curtis Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

METHODS FOR DELAYING OR PREVENTING THE ONSET OF TYPE 1 DIABETES

Номер патента: US20150141438A1. Автор: KENDALL Peggy L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

COSMETIC METHOD FOR REDUCING OR PREVENTING THE BUILD-UP OF FATTY TISSUE

Номер патента: US20190134387A1. Автор: Ubeda Maeso Alejandro,Hernandez Bule Maria Luisa. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING IMPACT OF A CATHETER ON CURVATURE OF A VESSEL

Номер патента: US20140276038A1. Автор: Burnett Joseph,Hattangadi Neil,Millett Bret,Huennekens Scott,Matthews K.. Владелец: VOLCANO CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

ADVERSE SIDE-EFFECTS ASSOCIATED WITH ADMINISTRATION OF AN ANTI-HYALURONAN AGENT AND METHODS FOR AMELIORATING OR PREVENTING THE SIDE-EFFECTS

Номер патента: US20160220690A1. Автор: Frost Gregory I.,Li Xiaoming,Thompson Curtis,Shepard Harold Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method for Reducing or Preventing the Degradation of an Antifouling Layer or an Optical Article

Номер патента: US20170227683A1. Автор: MAITRE Nicolas,HERVIEU Gregory,VALENTI Christophe,CALBA Pierre-Jean. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

SYSTEMS AND METHODS FOR ADAPTING ACTIVATION OF ALERTS ACCORDING TO CURVATURE OF A TARGET PATH

Номер патента: US20210291825A1. Автор: TAKAKI Ryo,Goriesky Joshua,Sherrit Nathaniel. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

Method for additive manufacturing of volumetric microscale nanoparticle structures

Номер патента: RU2723341C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Дмитрий Леонидович Сапрыкин,Алексей Анатольевич Ефимов,Кирилл Михайлович Хабаров,Дмитрий Николаевич Тужилин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2020-06-09.

Method for detecting and preventing the fuel leakage in lpi system

Номер патента: KR100897095B1. Автор: 사공헌. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for measuring bar-like workpieces radius of curvature of laser machining apparatus for machining bar-like workpieces

Номер патента: KR20140071532A. Автор: 신양재,송상윤,고명진,전성근. Владелец: 주식회사 한광. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for treating or preventing the pharmaceutical composition of C5 related disease and treating or preventing C5 related disease

Номер патента: CN110167961A. Автор: 三瓶全次郎,原谷健太,四宫贤治,米山洸一郎,柴原宪仁,坪井良德,福泽拓,卡特琳·博格曼,吉恩·艾瑞克·查罗因. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2019-08-23.

Adverse side-effects associated with administration of an anti-hyaluronan agent and methods for ameliorating or preventing the side-effects

Номер патента: WO2012012300A2. Автор: Gregory Ian Frost,Harold Michael Shepard,Xiaoming Li,Curtis Thompson. Владелец: Halozyme, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Adverse side-effects associated with administration of an anti-hyaluronan agent and methods for ameliorating or preventing the side-effects

Номер патента: US9878046B2. Автор: Harold Michael Shepard,Xiaoming Li,Gregory I. Frost,Curtis Thompson. Владелец: Halozyme Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Adverse side-effects associated with administration of an anti-hyaluronan agent and methods for ameliorating or preventing the side-effects

Номер патента: US10265410B2. Автор: Harold Michael Shepard,Xiaoming Li,Gregory I. Frost,Curtis Thompson. Владелец: Halozyme Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Cosmetic method for treating and preventing the signs of skin ageing

Номер патента: HU9802916A2. Автор: Dominique Castelli,Gerd Ries. Владелец: ROC. Дата публикации: 1999-03-29.

Method for reducing or preventing the establishment, growth or metastasis of cancer by administering indole peptidomimetics PAR-1 antagonist and optionally PAR-2 antagonists

Номер патента: US20020103138A1. Автор: Michael D'Andrea,Claudia Derian,Hal Woodrow. Владелец: Ortho McNeil Pharmaceutical Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

METHOD FOR DELAYING OR PREVENTING THE YELLOWING OF A SLAPE PROCESSABLE IN SOAP MIXERS.

Номер патента: CH650524A5. Автор: James Kaeser. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 1985-07-31.

Method for measuring bar-like workpieces radius of curvature of laser machining apparatus for machining bar-like workpieces

Номер патента: KR102016079B1. Автор: 신양재,송상윤,고명진,전성근. Владелец: 주식회사 에이치케이. Дата публикации: 2019-10-23.

Methods for treating or preventing the spread of cancer using semi-synthetic glycosaminoglycosan ethers

Номер патента: EP2528437A4. Автор: Glenn D Prestwich,Thomas P Kennedy. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2013-10-02.

Electromechanical support with electromechanical brake and method for permitting and preventing the movement of a closure element for a vehicle

Номер патента: EP3147441A1. Автор: Leonard Jube,Joseph Scheuring,Borys M. Shchokin. Владелец: Magna Closures Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Systems and methods for adapting activation of alerts according to curvature of a target path

Номер патента: WO2021187202A1. Автор: Ryo Takaki,Joshua Goriesky,Nathaniel Sherrit. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2021-09-23.

Positive photosensitive resin composition, display element thereof and method for forming patterns of display element thereof especially applied to the pixel define layer and column spacer for LCD or OLED with excellent sensitivity, transparency and improved adhesive force

Номер патента: TW201833078A. Автор: 尹赫敏,李相勳,呂泰勳,黃致容. Владелец: 南韓商東進世美肯股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-16.

METHOD FOR REDUCING OR PREVENTING THE DEGRADATION OF AN ANTIFOULING LAYER OF AN OPTICAL ARTICLE

Номер патента: FR3024673B1. Автор: Christophe Valenti,Gregory Hervieu,Nicolas Maitre,Pierre-Jean Calba. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2016-09-09.

Cosmetic method for treating and preventing the signs of skin ageing

Номер патента: CA2228750A1. Автор: Dominique Castelli,Gerd Ries. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Methods for reducing or preventing the degradation of rubber in domestic bleach processes

Номер патента: AU6382099A. Автор: Michael Eugene Burns,Gregory Scot Miracle,James Charles Theophile Roger Burckett-St. Laurent,Richard Timothy Hartshorn,Cynthia Marie Stark. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-02-01.

Chafe layer for a fluid conduit, fluid conduit, method for producing a fluid conduit and use of a polyurethane as a chafe layer and use of an ethylene copolymer as an additive

Номер патента: WO2021260130A1. Автор: Marcus Leberfinger,Sanghoon Moon,Christoph Wehrmann,Jeongbeom PARK,Chansoo RA. Владелец: AFT Automotive GmbH. Дата публикации: 2021-12-30.

METHOD FOR COATING THE BASIS OF FIRE-, WATER- AND FROST RESISTANCE BY THE BARRIER LAYER, AND ALSO THE LAYER OBTAINED BY THIS METHOD

Номер патента: RU2009100133A. Автор: Халльвар ЭЙДЕ,Руне ГОДЁЙ,Арильд СОСЕН,Халльвар ЭЙДЕ (NO),Руне ГОДЁЙ (NO),Арильд СОСЕН (NO). Владелец: Арильд СОСЕН (NO). Дата публикации: 2010-07-20.

Cosmetic method for treating and preventing the signs of skin ageing

Номер патента: HUP9802916A3. Автор: . Владелец: ROC SA. Дата публикации: 1999-08-30.

Method for Killing and Tracing Bacteria by Coating Same with Self-Assembled Gold Nanoshell Layer and Producing Photothermal Decomposition and Cold Light by means of Laser

Номер патента: US20160059033A1. Автор: Kuo Wen-Shuo. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Method for making an appliance for delivering a composition, the appliance having an elastic layer and a shielding layer

Номер патента: US20080103460A1. Автор: Kenneth B. Close,Jonathan K. Arendt,Gary V. Anderson. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for environmentally friendly repairing reinforced concrete structure using multiple waterproofing and corrosion protection layer, and compositions thereof

Номер патента: KR101309447B1. Автор: 이선영,권태환. Владелец: 주식회사 한진이엔지. Дата публикации: 2013-09-23.

Method for Making an Appliance for Delivering a Composition, the Appliance Having an Elastic Layer and a Shielding Layer

Номер патента: KR101444669B1. Автор: 케네드 비. 클로즈,조나단 케이. 아렌트,게리 브이. 앤더슨. Владелец: 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크.. Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD FOR VISUAL DISTINCTION OF A FIRST LAYER OF BLOOD GLASSES OF A SECOND LAYER AND DEVICE FOR IT.

Номер патента: ES2188474T3. Автор: Robert Walter Flower. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for manufacturing optical devices having compensation film for ips mode using anstistatic alignment layer and optical devices having compensation film for ips mode using thereof

Номер патента: KR100738320B1. Автор: 김용운,최성혁. Владелец: 주식회사 에이스 디지텍. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for making an appliance for delivering a composition, the appliance having an elastic layer and a shielding layer

Номер патента: WO2008053386A1. Автор: Kenneth B. Close,Jonathan K. Arendt,Gary V. Anderson. Владелец: KIMBERLY-CLARK WORLDWIDE, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Ceramic thermal barrier coating layer adhesion determining method for high-pressure gas turbine, involves searching image of unsticking zone between ceramic layer and substrate, and analyzing and displaying image at surface of ceramic layer

Номер патента: FR2926137A1. Автор: Sophie Barradas,Florent Didier Andre Bourlier,Vincent Guipont,Michel Christian Marcel Jeandin. Владелец: Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels. Дата публикации: 2009-07-10.

Method for making an appliance for delivering a composition, the appliance having an elastic layer and a shielding layer

Номер патента: EP2063919A1. Автор: Kenneth B. Close,Jonathan K. Arendt,Gary V. Anderson. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment layer by using same, and liquid crystal alignment layer and liquid crystal display device which use same

Номер патента: EP3611241A4. Автор: Hang Ah PARK,Hyeong Seuk YUN,Jung Ho Jo,Jun Young Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

SYSTEM AND METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR PACKAGE USING COMPUTING SYSTEM, APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SYSTEM, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE DESIGNED BY THE METHOD

Номер патента: US20140131867A1. Автор: Jeong Jae-Hoon,CHEON Young-Hoe,HWANG Chan-Seok,LEE Won-Cheol,HWANG Bo-Sun. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD FOR Fractionating RAW MATERIALS BY USING A CHROMATOGRAPHIC SYSTEM WITH A PSEU-MOVING LAYER AND A SERIAL CONNECTION OF ELEMENTS

Номер патента: RU2017119736A. Автор: Юрки Айраксинен,Кари Лайхо. Владелец: ДюПон НЬЮТРИШН БАЙОСАЙЕНСИЗ АпС. Дата публикации: 2018-12-07.

Method for manufacturing a motor vehicle lining having a coating that includes a ligneous layer and a back reinforcement layer

Номер патента: US9352483B2. Автор: Hugo Piccin,Nathalie Durand. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for installing insulation layer on load bearing surface comprising injecting liquid glue between layer and surface

Номер патента: FR2840931A1. Автор: Christian Schramm. Владелец: HARAS SOC IND DU. Дата публикации: 2003-12-19.

Method for determining quality of dispersion of glass fibers in a thermoplastic resin preform layer and a preform layer characterized thereby.

Номер патента: EP0676047A1. Автор: Gregory Paul Weeks,Barry Rubin,Akhileswar Ganesh Vaidyanathan,Michael James Merrill,Peter Allan Jansson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1995-10-11.

Method for performing laparoscopic longitudinal resection of stomach in morbid obesity

Номер патента: RU2759564C1. Автор: Станислав Петрович Мужиков. Владелец: Станислав Петрович Мужиков. Дата публикации: 2021-11-15.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

A structure for preventing rockfall, a rockfall prevention method, and a method for designing said structure

Номер патента: NZ608256A. Автор: Tomohiro Fujii,Toshimitsu Nomura. Владелец: MACCAFERRI SpA OFF. Дата публикации: 2014-11-28.

Method for preventing corrosion and covering material preventing corrosion

Номер патента: EP2220175A1. Автор: Juhani Mantyla,Timo Erkolahti. Владелец: NOELLA Oy. Дата публикации: 2010-08-25.

Supporting structure, prefabricated structure and method for installation of prefabricated structure

Номер патента: RU2032790C1. Автор: Виктор Дмитриевич Прохоренков,Алексей Викторович Прохоренков,Владимир Павлович Терещенко,Андрей Вячеславович Матвеев. Владелец: Андрей Вячеславович Матвеев. Дата публикации: 1995-04-10.

Method for making tooth-root of round drawing

Номер патента: RU2689254C1. Автор: Юрий Николаевич Жуков,Дарья Маратовна Биктимирова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (УрФУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Fodder product and feed additive, method for obtaining fodder product and method for preventing the development of urinary calculosis in animals of canine family

Номер патента: RU2255560C2. Автор: Абигейл Эмма СТИВЕНСОН,Бриджит Эстер Хэуп СМИТ,Питер Джон МАРКВЕЛ. Владелец: Марс Юкей Лимитед. Дата публикации: 2005-07-10.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing transformed plant cells containing recombinant human alkaline phosphatase and using transformed plant cells containing recombinant human alkaline phosphatase

Номер патента: RU2698397C2. Автор: Вениамин Абрамович Хазанов,Сергей Александрович Станкевич,Наталья Анатольевна Шмыкова,Роман Александрович Комахин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Инновационные Фармакологические Разработки" (Ооо "Ифар"). Дата публикации: 2019-08-26.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Fish fodder and method for smoltification and preventing desmoltification of salmonids and preventing and treating haemorrhagic smalt syndrome (hsc) in salmonids

Номер патента: RU2708168C2. Автор: Джим Роджер НОРДЛИ,Артур ЛЮНГЁЙ,Клаудио Ретамаль МАНСИЛЬА. Владелец: Еврофарма Ас. Дата публикации: 2019-12-04.

Method for manufacturing an optical unit for a collimator

Номер патента: EP4097529A1. Автор: Antti Mäkiranta. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2022-12-07.

System and method for creating a healthier patellofemoral joint by use of a sulcus angle threshold

Номер патента: SE2351216A1. Автор: Leif Ryd,Ingrid BRATT,Johan Julin. Владелец: Episurf Ip Man Ab. Дата публикации: 2024-07-14.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for preventing the development of pyoinflammatory complications in x-ray endoscopic operations in nephrolithiasis patients

Номер патента: RU2715737C1. Автор: Сергей Борисович Уренков,Алексей Алексеевич Подойницын,Валерий Викторович Дутов,Андрей Емельянович Иванов,Светлана Юрьевна Буймистр. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Московской области "Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского" (ГБУЗ МО МОНИКИ им. М.Ф. Владимирского). Дата публикации: 2020-03-03.

Method for preventing deactivation of unacceptable quantity of same rail vehicle components

Номер патента: RU2765395C1. Автор: Кристиан БЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2022-01-28.

Method for soundproofing equipment

Номер патента: RU2642039C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for preventing the formation of acidic effluents from mining dumps

Номер патента: RU2769496C1. Автор: Николай Георгиевич Максимович,Вадим Тарасович Хмурчик,Артем Дмитриевич Деменев,Алексей Михайлович Сединин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2022-04-01.

Method for preventing dangerous approach of vehicle with objects

Номер патента: RU2760293C1. Автор: Игорь Владимирович Догадкин. Владелец: Игорь Владимирович Догадкин. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for manufacturing a curved window system

Номер патента: WO2019143240A1. Автор: Martin Gerret VENHUIZEN. Владелец: Remko Mark B.V.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for preventing starvation of wintering bees families

Номер патента: RU2679054C2. Автор: Михаил Иванович Гулюкин,Анатолий Николаевич Сотников,Дмитрий Владиславович Володько,Виктория Васильевна Стаффорд,Михаил Александрович Лучко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии имени Я.Р. Коваленко. Дата публикации: 2019-02-05.

Method and management device to prevent the heating of the vehicle brake mechanism

Номер патента: RU2682434C1. Автор: Александр ВЕРТ,Фальк ХЕКЕР,Роберт ТАЙЛЬ,Матиас МАИР,Вернер КОХ. Владелец: Кнорр-Бремзе Зюстеме Фюр Нутцфарцойге Гмбх. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for prevention of postoperative ventral hernias after medial laparotomy

Номер патента: RU2716620C1. Автор: Сергей Викторович Вертянкин,Родион Владимирович Майоров,Яна Евгеньевна Ванжа. Владелец: Государственное учреждение здравоохранения "Областной клинический онкологический диспансер". Дата публикации: 2020-03-13.

Method for preventing development of reperfusion injury of lung tissue by non-invasive artificial pulmonary ventilation with continuous positive airway pressure in inoperable patients with chronic thromboembolic pulmonary hypertension after transluminal balloon angioplasty of pulmonary artery

Номер патента: RU2735054C1. Автор: Николай Михайлович Данилов,Ирина Евгеньевна Чазова,Александр Юрьевич Литвин,Юрий Владимирович Данилушкин,Юрий Георгиевич Матчин,Артем Сергеевич Аржанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр кардиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for preventing intraperitoneal postoperative complications of laparoscopic appendectomy in acute appendicitis

Номер патента: RU2732208C1. Автор: Виталий Анатольевич Петухов,Александр Вячеславович Сажин,Георгий Богданович Ивахов,Егор Андреевич Страдымов,Тарас Вячеславович Нечай,Надежда Юрьевна Мишакина,Павел Вадимович Мареев. Владелец: Егор Андреевич Страдымов. Дата публикации: 2020-09-14.

Method for preventing the divergence of the pharyngeal sutures after total glosssectomy with plasty of the defect with a pectoral musculocutaneous flap

Номер патента: RU2759323C1. Автор: Дмитрий Валентинович Сикорский,Сергей Олегович Подвязников. Владелец: Дмитрий Валентинович Сикорский. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for ultrasound diagnostics of metabolic phenotype of abdominal obesity

Номер патента: RU2751972C1. Автор: Евгений Павлович Кузнецов,Егор Евгеньевич Кузнецов,Игорь Александрович Манохин,Светлана Винеровна Комиссарова,Марат Барсегович Давтян. Владелец: Игорь Александрович Манохин. Дата публикации: 2021-07-21.

Gas-sensitive layer for determining formaldehyde in air, sensor with gas-sensitive layer and detector for determining formaldehyde

Номер патента: RU2723161C1. Автор: Александр Михайлович Гаськов,Марина Николаевна Румянцева,Алеся Андреевна Осипова,Абулкосим Фирузджонович Насриддинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-06-09.

Method for preventing longitudinal aircraft rolling-off beyond air strip and device for its implementation

Номер патента: RU2668008C2. Автор: Сергей Михайлович Мужичек,Михаил Анатольевич Киселев,Алексей Васильевич Сапожников. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем". Дата публикации: 2018-09-25.

Method for preventing the drift of agricultural implements

Номер патента: RU2758118C2. Автор: Чад ПЛАТНЕР. Владелец: Пресижн Плэнтинг Ллк. Дата публикации: 2021-10-26.

Method for prevention of using corticosteroids

Номер патента: RU2500408C2. Автор: Бернд ШТАЛЬ,Гюнтер БЕМ,Юрген ЙЕЛИНЕК. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2013-12-10.

Mirror element, lithography system, and method for providing a mirror element

Номер патента: WO2024099675A1. Автор: Michael Carl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030176006A1. Автор: Hiroshi Muto,Kazuhiko Kano,Junji Oohara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Chersy - g gudiyev's method for prevention of developing postoperative abdominal adhesion process

Номер патента: RU2477993C2. Автор: Черси Гарсолтович Гудиев. Владелец: Черси Гарсолтович Гудиев. Дата публикации: 2013-03-27.

Method for prevention of hidden endometritis in breeding pigs

Номер патента: RU2633489C1. Автор: Сергей Викторович Шабунин,Ольга Алексеевна Манжурина,Иван Тихонович Шапошников,Владимир Николаевич Коцарев,Юрий Николаевич Бригадиров,Игорь Александрович Болдырев,Юрий Николаевич Алехин,Евгений Владимирович Михайлов,Мария Сергеевна Филиппова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский ветеринарный институт патологии, фармакологии и терапии Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИВИПФиТ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2017-10-12.

Method for preventing and/or treating chronic traumatic encephalopathy-ii

Номер патента: RU2674653C2. Автор: Роберт ВИНК. Владелец: Юстрэлиз Фармасьютикалз Лимитед (Трейдинг Эз Пресшура Нейро). Дата публикации: 2018-12-12.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method for preventing animal intoxication accompanying acute poisoning with hydrogen sulphide-containing gas in experiment

Номер патента: RU2739256C1. Автор: Леся Ивановна Жарких,Екатерина Валерьевна Голубкина,Николай Николаевич Тризно. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Астраханский государственный медицинский университет» Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-12-22.

Method and device for preventing formation of thermal cumulative channel on metallic surface of cathode and fixing position of discharge channel at cathode

Номер патента: RU2677624C2. Автор: Борис Николаевич Швилкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-01-18.

Method for preventing the development of “false” myopic refraction after keratorefractive surgery for patients with hypermetropia

Номер патента: RU2747363C1. Автор: Сергей Викторович Балалин,Ольга Семеновна Кузнецова,Елена Геннадьевна Солодкова. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for preventing risk of parainfluenza-3 in calves

Номер патента: RU2764220C1. Автор: Наталья Юрьевна Басова,Аминет Кадыровна Схатум,Михаил Александрович Староселов,Валентина Васильевна Пачина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Краснодарский научный центр по зоотехнии и ветеринарии" ФГБНУ КНЦЗВ. Дата публикации: 2022-01-14.

Method for intensifying borehole operation by drilling side holes

Номер патента: RU2750805C1. Автор: Фанзат Завдатович Исмагилов,Руслан Фаргатович Хусаинов,Азат Абузарович Лутфуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-07-02.

Method for the realisation of prestressed shells with a controlled bistability

Номер патента: EP3810504A1. Автор: Stefano Vidoli,Matteo BRUNETTI. Владелец: Universita degli Studi di Roma La Sapienza. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for oil field excitation with the use of different scaling inhibitors

Номер патента: RU2307233C2. Автор: Брюно ЛАНГЛУА,Эмма ХИЛЛС,Сильви ТУЗЕ. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for prevention of reflux esophagitis development in patients after longitudinal stomach resection due to morbid obesity

Номер патента: RU2751417C1. Автор: Станислав Петрович Мужиков. Владелец: Станислав Петрович Мужиков. Дата публикации: 2021-07-13.

Cartridge installed with possibility of extraction into main unit of electrophotoraphic image device, method for assemblying drive transmission device for photosensitive drum and electrophotographic image forming device

Номер патента: RU2752744C1. Автор: Исао КОИСИ,Такуя КАВАКАМИ,Нориюки КОМАЦУ,Со СИРАКАТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-08-02.

Systems and methods for prevention of thermal reactions in electrolysers

Номер патента: RU2626517C2. Автор: Лерой Э. Д'АСТОЛФО,Уилльям Дж. СТЕЙНЕР,Эрик С. МОРЛЭНД,Роберт Л. КОЗАРЕК,Йимин РУАН. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2017-07-28.

Method for preventing the entry of tobacco scent from one apartment of an apartment building to another apartment of the apartment building through building structures separating the apartments

Номер патента: RU2771228C1. Автор: Александр Викторович Гаврилястый. Владелец: Александр Викторович Гаврилястый. Дата публикации: 2022-04-28.

Flexible catheter with attached central stand and method for making it

Номер патента: RU2519371C2. Автор: Дебби ГРЮНЕВАЛЬД,Ирма ХИЛЛ,Томас Вайно СЕЛКИ. Владелец: Байосенс Уэбстер, Инк.. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for preventing relapses of meningiomas

Номер патента: RU2756868C1. Автор: Игорь Викторович Балязин-Парфёнов,Сергей Сергеевич Тодоров,Виктор Александрович Балязин,Владислав Евгеньевич Хатюшин. Владелец: Игорь Викторович Балязин-Парфёнов. Дата публикации: 2021-10-06.

Means and method for prophylaxis of bone tissue metabolic disturbances with long-term use of glucocorticoids

Номер патента: RU2646499C2. Автор: Александр Евгеньевич Просенко,Светлана Николаевна Луканина,Андрей Валентинович Сахаров. Владелец: Некоммерческое партнерство "Новосибирский институт антиоксидантов". Дата публикации: 2018-03-05.

Injection mold for insert-molding a synthetic material around a filter material, filter for the filtration of fluids and method for producing such filter

Номер патента: EP1027200B1. Автор: Roland Beck. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-05-06.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

A method for determining a key point in an image of a fingerprint

Номер патента: SE1950074A1. Автор: Marcus ANDERSSON. Владелец: PRECISE BIOMETRICS AB. Дата публикации: 2020-07-24.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Injection mold for insert-molding a synthetic material around a filter material, filter for the filtration of fluids and method for producing such filter

Номер патента: EP1027200A1. Автор: Roland Beck. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2000-08-16.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for producing working reagent and for biological prevention or control

Номер патента: US20060159661A1. Автор: Rui-Zhi Huang,Shih-Pan-Yu Hsieh. Владелец: Yuen Foong Yu Paper Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Surgical method for removing extensive adenomas localized on fixed curvatures of large intestine

Номер патента: RU2246265C1. Автор: В.С. Якутин,А.А. Еременко,М.В. Зозул,М.В. Зозуля. Владелец: Зозуля Максим Валерьевич. Дата публикации: 2005-02-20.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERFERENCE METHOD FOR MEASURING THE RADIUS OF THE CURVATURE OF AN OPTICAL SURFACE

Номер патента: RU2004118177A. Автор: Игорь Георгиевич Половцев,Галина Владимировна Симонова,Игорь Георгиевич Половцев (RU),Галина Владимировна Симонова (RU). Владелец: Институт мониторинга климатических и экологичексих систем (RU). Дата публикации: 2006-01-10.

Method for depositing on titanium and its alloys zirconium -containing coating

Номер патента: RU2323278C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Кирилл Николаевич Килин,Тать на Петровна Ярова. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2008-04-27.

METHOD FOR MODIFICATION OF SURFACES OF METALS AND HETEROGENEOUS STRUCTURES OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: RU2011135110A. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2013-02-27.

Means and Method for Removing and Preventing the Formation of Scale in Boilers.

Номер патента: GB190500645A. Автор: Ignaz Klecan,Franz Laska. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-11-16.

APPARATUS AND METHODS FOR REAL-TIME THREE-DIMENSIONAL SEM IMAGING AND VIEWING OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20120223227A1. Автор: CHEN Chien-Huei,YANG Hedong,TADA Takuji,Lang Stephen,Neil Mark A.,MacDonald Paul D.,KUPPA Rajasekhar,ABBOTT Gordon,TEH Cho,SAIDIN Zain. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

Method for treating and preventing the relapses of uterine and adnexal inflammation in women of reproductive age

Номер патента: RU2304966C1. Автор: Тать на Ивановна Дергачева,Татьяна Ивановна Дергачева,Анна Вениаминовна Шурлыгина. Владелец: ГУ Научно-исследовательский институт клинической и экспериментальной лимфологии СО РАМН. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for separating composite member, separated member, separator, and manufacture of semiconductor base

Номер патента: JPH1145840A. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyobumi Sakaguchi,清文坂口,隆夫米原,和明近江,一隆柳田,Kazutaka Yanagida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-02-16.

Method for balancing gain errors of active optical fiber loop of semiconductor optical amplifier

Номер патента: CN102394470A. Автор: 韩芳,杨义,葛华勇,肖中银,许文凯. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-28.

Method for isolating water influx and absorption area, and also for shutoff of well layer, and device realizing said method

Номер патента: RU2227203C1. Автор: В.Ф. Комаров,А.С. Жарков,В.И. Марьяш,В.В. Кодолов,В.В. Сидоров,И.П. Королев,А.В. Курбатов,ш В.И. Марь. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 2004-04-20.

ARTICLES, COMPOSITIONS, AND METHODS FOR KILLING OR PREVENTING THE GROWTH OF MICROBES

Номер патента: US20120016289A1. Автор: Prestwich Glenn,Bommer Jerry C.,Testa Charles. Владелец: FRONTIER SCIENTIFIC. Дата публикации: 2012-01-19.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING THE SPREAD OF CANCER USING SEMI-SYNTHETIC GLYCOSAMINOGLYCOSAN ETHERS

Номер патента: US20130035307A1. Автор: KENNEDY Thomas P.,Prestwich Glenn D.. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Apparatus and method for detecting and preventing the onset of Sudden Infant Death Syndrome

Номер патента: GB0526478D0. Автор: . Владелец: CRADLE SAFE Ltd. Дата публикации: 2006-02-08.

Method for producing substrate with resin layer, method for producing substrate with conductive layer, substrate with resin layer, substrate with conductive layer and touch panel

Номер патента: JP2016097562A. Автор: 春仙玉田,Haruhisa Tamada,禎明加藤,賢沢辺,沢辺　賢,Sadaaki Kato,Shogo Kikuchi,庄吾菊地,Masaru Sawabe. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-30.

Method for treating and preventing the cases of cervical vertebral column segment osteochondrosis

Номер патента: RU2204374C2. Автор: Л.В. Усачева. Владелец: Усачева Людмила Васильевна. Дата публикации: 2003-05-20.

Method for reconditioning of cylindrical surfaces of large curvature of steel base members

Номер патента: RU2026370C1. Автор: Вячеслав Николаевич Бугаев,Валерий Николаевич Половинкин,Александр Иванович Семененко,Валентин Борисович Лянной,Александр Андреевич Гурмаза,Олег Иванович Матвиенко,Сергей Иванович Удод,Марат Натанович Бабот,Павел Иванович Загородских. Владелец: Институт проблем литья АН Украины. Дата публикации: 1995-01-09.

METHOD FOR PRODUCING RESIN POROUS MEMBRANE WITH ADHESIVE LAYER, RESIN POROUS MEMBRANE WITH ADHESIVE LAYER, AND FILTER MEMBER

Номер патента: US20120193285A1. Автор: Nagai Yozo,FURUUCHI Kouji,YAMAGUCHI Miho. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for producing foamed polyurethane elastomer with skin layer, foamed polyurethane elastomer with skin layer and cushioning material

Номер патента: JP6470094B2. Автор: 山崎　聡,聡山崎,宏金山,実渡邉,真梶浦. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2019-02-13.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2279736C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов,Валерий Моисеевич Иоффе (RU),Асхат Ибрагимович Максутов (RU). Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-07-10.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACCESSORIES FOR A BICYCLE AND THE LIKE, AND METHOD FOR ACCESSING ARTICLES FROM A MOVING BICYCLE AND THE LIKE

Номер патента: US20120000313A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Enterovirus Vaccines for Preventing or Treating Type 1 Diabetes (I)

Номер патента: US20120003238A1. Автор: Hyoty Heikki,Knip Mikael,Laitinen Olli,Tolonen Outi,Pulkki Minna,Oikarinen Sami,Honkanen Hanna-Riikka,Lecouturier Valerie,Almond Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

G PROTEIN-COUPLED RECEPTOR ANTAGONIST AND ITS USE FOR PREVENTING AND TREATING ALZHEIMER'S DISEASE

Номер патента: US20120004254A1. Автор: Pei Gang,Ni Yanxiang,Zhao Xiaohui. Владелец: Shanghai Institutes for Biological Sciences, Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

FEEDING APPARATUS AND METHOD FOR A PYROLYTIC REACTOR

Номер патента: US20120000761A1. Автор: Bronshtein Alexander P.,Skop Menachem L.,Weiss Moshe,Jakobowitch David Shalom. Владелец: T.D.E. RECOVERY TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for obtaining heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures

Номер патента: RU2390874C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К". Дата публикации: 2010-05-27.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR GENERATING ENERGY BY MEANS OF THERMAL CYCLES WITH HIGH PRESSURE AND MODERATE TEMPERATURE STEAM

Номер патента: US20120000202A1. Автор: Menéndez Salcedo José María,Angulo Aramburu Jerónimo. Владелец: SENER GRUPO DE INGENIERIA, S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING A SITE-SPECIFIC PHYSIOLOGICALLY ACTIVE POLYPEPTIDE CONJUGATE

Номер патента: US20120003712A1. Автор: . Владелец: HANMI HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preventing the progression of primary open-angle glaucoma

Номер патента: RU2705040C1. Автор: Андрей Павлович Момот,Светлана Ивановна Макогон,Александр Сергеевич Макогон. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-11-01.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method for preventing anthracycline cardiotoxicity in patients with breast cancer

Номер патента: RU2546399C1. Автор: Леонид Донович Школьник,Юрий Александрович Васюк,Евгений Леонидович Школьник,Валерий Валерьевич Несветов,Геннадий Валентинович Варлан,Андрей Валерьевич Пильщиков. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный медико-стоматологический университет имени А.И. Евдокимова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (МГМСУ имени А.И. Евдокимова Минздрава России). Дата публикации: 2015-04-10.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for prevention of pyoinflammatory complications following surgery in maxillofacial area

Номер патента: RU2593901C1. Автор: Ираклий Зурабович Китиашвили,Анатолий Петрович Ивченко,Лилия Амбарцумовна Малычлы,Алексей Александрович Нестеров. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО Астраханский ГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for prevention and therapy of andrology conditions in stud bulls

Номер патента: RU2479314C2. Автор: Булыт Нимбуевич Гомбоев,Иван Никитович Зюбин,Ромазан Закарьянович Сиразиев,Евгения Владимировна Матюхина. Владелец: ГНУ научно-исследовательский институт ветеринарии Восточной Сибири Россельхозакадемии. Дата публикации: 2013-04-20.

Method for preventing and treating fungal infection in patients with voice prostheses

Номер патента: RU2494726C2. Автор: Геннадий Алексеевич Бабкин,Елена Николаевна Новожилова,Алексей Дмитриевич Забережный,Олег Владимирович Коваленко,Татьяна Григорьевна Щербакова. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Производственная Торговая Компания "Лактив". Дата публикации: 2013-10-10.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

HOLDING DEVICES AND METHODS FOR USING THE SAME

Номер патента: US20120000571A1. Автор: Foscarota Valentino. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REDUCING VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS IN COMPOSITE RESIN PARTICLES, AND COMPOSITE RESIN PARTICLES

Номер патента: US20120003478A1. Автор: . Владелец: SEKISUI PLASTICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2139599C1. Автор: В.М. Иоффе,А.И. Максутов. Владелец: Максутов Асхат Ибрагимович. Дата публикации: 1999-10-10.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EARLY IMAGING OF ATHEROSCLEROSIS

Номер патента: US20120003151A1. Автор: . Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Treating S. Pneumoniae Infection

Номер патента: US20120003203A1. Автор: Mizrachi-Nebenzahl Yaffa,Dagan Ron. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Method for Performing a Coronary Blood Vessel Bypass

Номер патента: US20120004499A1. Автор: Ott Douglas E.. Владелец: Lexion Medical, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for prevention of abdominal adhesion formation following intra-abdominal operations

Номер патента: RU2540463C2. Автор: Сергей Эдуардович Восканян,Павел Сергеевич Кызласов,Константин Валентинович Котенко. Владелец: Константин Валентинович Котенко. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for preventing hip implant dislocation

Номер патента: RU2551621C1. Автор: Виктор Парфентьевич Волошин,Константин Васильевич Шевырев,Дмитрий Владимирович Мартыненко. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Московской области "Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского" (ГБУЗ МО МОНИКИ им. М.Ф. Владимирского). Дата публикации: 2015-05-27.

Method for preventing and reducing destruction of skeletal proteins of atrophied skeletal muscles caused by hypokinesia and/or discharge by gravity

Номер патента: RU2517259C1. Автор: Татьяна Леонидовна Немировская,Юлия Николаевна Ломоносова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Государственный научный центр Российской Федерации - Институт медико-биологических проблем Российской академии наук (ГНЦ РФ-ИМБП РАН). Дата публикации: 2014-05-27.

Method for preventing crosstie butt from cracking

Номер патента: RU2328373C2. Автор: Леонид Александрович Занегин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Иркутский научно-исследовательский институт лесной промышленности". Дата публикации: 2008-07-10.

Method for preventing variable immunodeficiency with predominant variance of b-cell count and functional activity in children of three years and more using drinking water with residual amount of hyperchlorination products

Номер патента: RU2568853C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Ольга Юрьевна Устинова,Константин Петрович Лужецкий,Ольга Анатольевна Маклакова,Юлия Анатольевна ИВАШОВА,Олег Владимирович Долгих. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for preventive fixation of proximal femoral bone with cement repair following radio-frequency ablation for metastatic lesions and threatening pathologic fracture

Номер патента: RU2553497C1. Автор: Игорь Алексеевич Воронкевич,Рашид Муртузалиевич Тихилов,Владимир Васильевич Долгополов,Илкин Мугадасович Микайлов,Петр Владимирович Григорьев,Филипп Юрьевич Засульский,Александр Николаевич Волоховский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Р.Р. Вредена" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "РНИИТО им. Р.Р. Вредена" Минздрава России). Дата публикации: 2015-06-20.

Antimicrobial agent for preventing implant-associated infection and method for using it

Номер патента: RU2535156C1. Автор: Рашид Муртузалиевич Тихилов,Георгий Иванович Нетылько,Владимир Александрович Конев,Светлана Анатольевна Божкова,Татьяна Яковлевна Богданова,Маргарита Викторовна Краснова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Р.Р. Вредена" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "РНИИТО им. Р.Р. Вредена" Минздрава России). Дата публикации: 2014-12-10.

Method for preventing lymphorrhea after radical mastectomy in patients with mammary cancer

Номер патента: RU2257176C1. Автор: В.И. Невожай,Е.Ф. Ткачева. Владелец: Владивостокский государственный медицинский университет. Дата публикации: 2005-07-27.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR STRIPPING A WAFER FROM A CARRIER

Номер патента: US20120000613A1. Автор: Thallner Erich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2328453C1. Автор: Борис Нутович Дрикер,Нина Владимировна Цирульникова,Иван Павлович Сикорский,Александр Борисович Тарантаев,Нина Владимировна Цирульникова (RU),Борис Нутович Дрикер (RU),Иван Павлович Сикорский (RU),Александр Борисович Тарантаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральский государственный лесотехнический университет (ГОУ ВПО УГЛТУ). Дата публикации: 2008-07-10.

Method for preventing suppuration of femoral stump in patients with gangrene-complicated ischemic foot form

Номер патента: RU2296515C1. Автор: Валентин Аркадьевич Дербенев,Александр Владимирович Гейниц,Михаил Петрович Толстых,Игорь Юрьевич Кулешев,Андрей Сергеевич Никитин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕТА-ГРАНД". Дата публикации: 2007-04-10.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Method for flap-type intestinal peritonization for preventing the development of postoperational adhesions in abdominal surgery

Номер патента: RU2275865C1. Автор: ров Ильдар Фанусович Суфи,Ильдар Фанусович Суфияров,Анвар Гини тович Хасанов,Анвар Гиниятович Хасанов,Ринат Закирович Латыпов,Алексей Михайлович Меньшиков,нов Салим Салихович Нигматз,Салим Салихович Нигматзянов,Азамат Вуатович Бадретдинов,Рустам Мидхатович Матигуллин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Федерального Агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО БГМУ РОСЗДРАВА). Дата публикации: 2006-05-10.

Method for preventing the development of nonthrombogenic complications in postoperational period

Номер патента: RU2268039C2. Автор: Александр Михайлович Мануйлов,Сергей Васильевич Синьков,Игорь Борисович Заболотских,Сергей Александрович Шапошников. Владелец: Российский центр функциональной хирургической гастроэнтерологии РФ. Дата публикации: 2006-01-20.

Method for prevention of contracture of capsular sac of crystalline lens following intracapsular implantation of intraocular lens

Номер патента: RU2539008C1. Автор: Олег Львович Фабрикантов,Инна Валерьевна Михина. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-01-10.

Method for segmental intestinal peritonization for preventing the development of postoperational adhesions in organs of abdominal cavity

Номер патента: RU2286722C2. Автор: ров Ильдар Фанусович Суфи,Ильдар Фанусович Суфияров,Анвар Гини тович Хасанов,Анвар Гиниятович Хасанов,Ибрагим Ханифович Ахметов,Ринат Эдуардович Шамсиев,Ринат Закирович Латыпов,нов Салим Салихович Нигматз,Салим Салихович Нигматзянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Федерального Агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО БГМУ РОСЗДРАВА). Дата публикации: 2006-11-10.

METHOD FOR PREVENTING THE CURVATURE OF SEMICONDUCTOR LAYERS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты