INTEGRATED CIRCUIT WITH ION SENSITIVE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD.

INTEGRATED CIRCUIT WITH ION SENSITIVE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130334619A1
Опубликовано: 19-12-2013
Автор(ы): Juffermans Casper, Merz Matthias, Nackaerts Axel
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit with nanowire sensors comprising a shielding layer, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09423375B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691667B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with active area protection

Номер патента: US09419126B2. Автор: Xiaodong Yang,Yanxiang Liu,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094880B2. Автор: Min Cao,Shyue-Shyh Lin,Ali Keshavarzi,Chung-Cheng Wu,Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Hsiang-Jen TSENG,Ting Yu CHEN,Yung-Chin Hou,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit and method for preparing same, and power amplifier and electronic device

Номер патента: EP4411827A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN,Ruxue NI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated circuit, manufacturing method thereof, power amplifier, and electronic device

Номер патента: US20240297245A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN,Ruxue NI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuits with flash memory and methods for producing the same

Номер патента: US09780231B1. Автор: Ming Zhu,Danny Pak-Chum Shum,Xinshu CAI,Pinghui Li,Darin Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits with resistor structures formed from gate metal and methods for fabricating same

Номер патента: US09530770B2. Автор: Christian Schippel,Alexandru Romanescu,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Fringe capacitor, integrated circuit and manufacturing process for the fringe capacitor

Номер патента: US12113062B2. Автор: Michael Lueders,Naveen Tipirneni,Jungwoo Joh,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with programmable memory and methods for producing the same

Номер патента: US09876019B1. Автор: Xiong Zhang,Siow Lee Chwa,Yudi SETIAWAN,Yoke Leng Lim,Sunny Sadana. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuits with guard ring structures for nonplanar transistor devices

Номер патента: US09530835B1. Автор: Chin Hieang Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882055B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US09881841B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit with matching threshold voltages and method for making same

Номер патента: US09583480B2. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Guangyuan Zhao,Yanping Ma,Robert Strittmatter,Chunhua ZHOU,Seshadri Kolluri,Fang-Chang Liu,Ming-Kun Chiang,Jiali Cao,Agus Jauhar. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US09431408B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09425318B1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit having field effect transistors and manufacturing method

Номер патента: US20100230764A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US20160260803A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit having field effect transistors and manufacturing method

Номер патента: US20140120673A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Integrated circuit including a capacitive structure of the metal-insulator-metal type and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12021074B2. Автор: Pascal Fornara,Roberto Simola. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit including a capacitive structure of the metal-insulator-metal type and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240312977A1. Автор: Pascal Fornara,Roberto Simola. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-19.

INTEGRATED CIRCUIT IN SILICON-ON-INSULATION TECHNOLOGY COMPRISING A FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD.

Номер патента: FR2663464A1. Автор: Du Port De Poncharra Jean,Blanc Jean-Philippe,Bonaime Joelle,Truche Robert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1991-12-20.

INTEGRATED CIRCUIT IN SILICON-ON-INSULATION TECHNOLOGY COMPRISING A FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD.

Номер патента: FR2663464B1. Автор: Du Port De Poncharra Jean,Blanc Jean-Philippe,Bonaime Joelle,Truche Robert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1992-09-11.

Mems sensor and mems sensor manufacturing method

Номер патента: US20230382717A1. Автор: Martin Wilfried HELLER. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Integrated Circuit of Driving Device and Manufacture Method thereof

Номер патента: US20160005812A1. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor wafer, semiconductor IC chip and manufacturing method of the same

Номер патента: US09443808B2. Автор: Hisao Nakamura,Yasuhiro Kumagai,Yuichi Nakagomi. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuit with a power transistor and a driver circuit integrated in a common semiconductor body

Номер патента: US09893175B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit with multiple cells having different heights

Номер патента: US09478609B2. Автор: Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Ming-Jin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11929361B2. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with gaps

Номер патента: US09899527B2. Автор: Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuits with resistors

Номер патента: US20140367793A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material

Номер патента: US20240222526A1. Автор: William P. Taylor,Ravi Vig,Paul A. David,Andreas P. Friedrich,P. Karl Scheller. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Low-power, high-voltage integrated circuits

Номер патента: US20140002181A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-02.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor optoelectronic integrated circuit and methodology for making same employing gate-all-around epitaxial structures

Номер патента: WO2023192081A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Taylor Geoff W. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor optoelectronic integrated circuit and methodology for making same employing gate-all-around epitaxial structures

Номер патента: US20230317819A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050130389A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuit with multiple gallium nitride transistor sets

Номер патента: US20200195122A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,David C. Reusch. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuit including a passive component in an interconnection part, and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240178053A1. Автор: Houssein EL DIRANI,Marouane Mastari,Mohamed Ali Nsibi. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit with zero temperature coefficient capacitor

Номер патента: WO2012061126A2. Автор: Weidong Tian,Imran Kahn. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-05-10.

Integrated circuit with esd structure

Номер патента: US20110089532A1. Автор: Gerhard Prechtl,Andreas Peter Meiser,Nils Jensen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-04-21.

Integrated circuits with non-volatile memory and methods of producing the same

Номер патента: US09679905B1. Автор: Fan Zhang,Dong Wang,Danny Pak-Chum Shum,Huajun Liu,Juan Boon Tan,Laiqiang LUO,Yew Tuck Clament Chow. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Low-Power, High-Voltage Integrated Circuits

Номер патента: US20120038416A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-16.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

INTEGRATED CIRCUIT WITH DROWNED MACROCELLS IN A SEA OF PREDIFFUSED DOORS AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2595870B1. Автор: Joseph Borel,Jean Michard,Eric Zardi. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1988-10-14.

Semiconductor integrated circuit device with wiring structure effective for migration and mask misalignment and manufacturing method

Номер патента: KR960026409A. Автор: 도모미쯔 사다께. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-07-22.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A CAPACITIVE STRUCTURE OF THE METAL-INSULATOR-METAL TYPE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220139899A1. Автор: Fornara Pascal,SIMOLA Roberto. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2022-05-05.

Substrate processing apparatus, temperature sensor, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6579974B2. Автор: 英人山口,哲也小杉,晃弘大坂,徳信赤尾,純史梅川,基哉竹脇,山口　英人. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-25.

Image sensor and image sensor manufacturing method

Номер патента: CN109585467B. Автор: 山下雄一郎. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Image sensor and image sensor manufacturing method

Номер патента: CN106972035B. Автор: 刘乐群. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Image sensor and image sensor manufacturing method

Номер патента: KR101228368B1. Автор: 하만륜. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2013-02-01.

Infrared sensor and infrared sensor manufacturing method

Номер патента: EP4177962A4. Автор: Takashi Takenaga,Daisuke Fujisawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Infrared sensor and infrared sensor manufacturing method

Номер патента: WO2022003959A1. Автор: 隆志長永,大介藤澤. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated circuit with sensors and manufacturing method

Номер патента: US09606079B2. Автор: Matthias Merz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Optical proximity sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180164409A1. Автор: Ting-Yi Chen. Владелец: Dapa Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20140191348A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-10.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US09818905B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190189494A1. Автор: Nan-Chun Lin,Kuo-Ting Lin,Yong-Cheng Chuang,Hsing-Te Chung. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Pixel-level encapsulation structure of uncooled infrared detector, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4421871A1. Автор: Jie Shi,Jinhua Wang,Wenli CHEN,Jiwei Liu,Wenguang Zhao,Hanlin HU. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243057A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Light Sensing Integrated Circuit and Manufacturing Method of Sensing Integrated Circuit

Номер патента: US20150200215A1. Автор: Tzo-Hung Luo,Chin-Hung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721883B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Wen-Lung Lai,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Three dimensional integrated circuit structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583465B1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

LED package and manufacturing method

Номер патента: US09461027B2. Автор: Josef Andreas SCHUG. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-10-04.

Chip structure with moisture barrier along opening in edge thereof and manufacturing method of the chip structure

Номер патента: EP4400885A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Integrated Circuit Chip Design Flow Methodology Including Insertion of On-Chip or Scribe Line Wireless Process Monitoring and Feedback Circuitry

Номер патента: US20090239313A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Theodoros Anemikos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Crystal controlled oscillator and manufacturing method of crystal controlled oscillator

Номер патента: US20180248556A1. Автор: Hiroyasu Kunitomo. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (amr) sensors

Номер патента: US20180130849A1. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (amr) sensors

Номер патента: US20190157342A1. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors

Номер патента: US09893119B2. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Electronic high frequency device and manufacturing method

Номер патента: US09620854B2. Автор: Ralf Reuter. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Package having multiple chips integrated therein and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051673B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Radiation imaging apparatus and manufacturing method of same

Номер патента: US20220187481A1. Автор: Yoshito Sasaki,Masato Inoue,Takamasa Ishii,Masato Ofuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit and computer-implemented method of manufacturing the same

Номер патента: US09991249B2. Автор: Hyo-sig Won,Seong-Min Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Package having multiple chips integrated therein and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371826A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Wire-bonded integrated circuit package and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2005067041A1. Автор: Tian Siang Yip,How Mong Yeow,Bee Ngoh Kee. Владелец: Bee Ngoh Kee. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

X-ray detector and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2090901A3. Автор: Dae-ho Choo,Kwan-Wook Jung,Kyung-Sang GOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991290B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Circular display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954049B2. Автор: Il-Ho Park,Chung-Hyoun Gyoung,Woo-Bin Im,Kee-Yong OH. Владелец: Kolonauto Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576986B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

X-ray detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090202042A1. Автор: Dae-ho Choo,Kwan-Wook Jung,Kyung-Sang GOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-13.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186323A1. Автор: Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Hsiang-Hung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated circuit for a stable electrical connection and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170365503A1. Автор: Seung-Soo Ryu,Byoung Yong Kim,Jeong Ho Hwang,Seung-Hwa HA,Sang Hyeon SONG,Jeong Do Yang,Jung Yun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

3d-integrated optical sensor and method of producing a 3d-integrated optical sensor

Номер патента: US20190237500A1. Автор: Mario Manninger,Hubert Enichlmair,Martin Schrems,Thomas Bodner,Gregor Toschkoff. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US09941222B2. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Roel Daamen,Youri Victorovitch Ponomarev,Rene Theodora Hubertus Rongen. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

Номер патента: US09741655B2. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Architectures for an implantable stimulator device having a plurality of electrode driver integrated circuits with shorted electrode outputs

Номер патента: US09656081B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Göran MARNFELDT,Paul J. Griffith,Jess Shi,Robert Tong. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589915B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Tsung-Yuan Yu,Chen-Chih Hsieh,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Transducer, and manufacturing method of the transducer

Номер патента: US09564836B2. Автор: Seung-Mok Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Integrated optical sensor and method of producing an integrated optical sensor

Номер патента: US20180337291A1. Автор: Hubert Enichlmair. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243159A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Packaging of an integrated circuit with internal impedance matching

Номер патента: WO2004100263A3. Автор: Wayne Mack Struble,Richard John Giacchino,Norbert Andrew Schmitz. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Package having multiple chips integrated therein and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125821B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuits with conductive posts having rough sidewalls

Номер патента: US20240363570A1. Автор: Jose Daniel Carlos TORRES,Katleen Fajardo Timbol. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit with die edge assurance structure

Номер патента: US09741667B2. Автор: Liming Tsau,Rong Zeng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit package with active interposer

Номер патента: US09633872B2. Автор: Shuxian Chen,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit with inductive pickup loop

Номер патента: US20220367571A1. Автор: Alexander Schade,Sergey Miropolskiy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Monolithic integrated circuit with integrated interference suppression device

Номер патента: US20070013037A1. Автор: Harald Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Low power, temperature regulated circuit for precision integrated circuits

Номер патента: US09607913B1. Автор: William J. Britz. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Photoelectric transceiver assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240302611A1. Автор: Meng Wang,Wenqi Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit, package structure, and manufacturing method of package structure

Номер патента: US12132023B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728412B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728411B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Chip packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640475B1. Автор: Chih-An Yang,You-Wei Lin,zhi-zhong Zhuang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-05-02.

Optical sensor and electronic apparatus

Номер патента: US09600123B2. Автор: Takayuki Shimizu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit with elongated coupling

Номер патента: US09425141B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187415A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit with circuit elements having different supply voltages

Номер патента: US20020043670A1. Автор: Paul Zehnich. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for optical proximity correction, design and manufacturing of a reticle using variable shaped beam lithography

Номер патента: WO2010025032A3. Автор: Akira Fujimura,Lance Glasser. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit comprising an assembly of an electronic chip, an optical element and a substrate and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240168245A1. Автор: Romain Coffy,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Switching device, rewritable logic integrated circuit, and memory device

Номер патента: US20090034318A1. Автор: Noriyuki Iguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of using an integrated circuit

Номер патента: US20020080656A1. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321786A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tzu-Chun Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit with elongated coupling

Номер патента: US09806071B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with optical modulators and photodetectors and methods for producing the same

Номер патента: US09711662B1. Автор: Ramakanth Alapati,Juan Boon Tan,Benfu Lin,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit with well and substrate contacts

Номер патента: US09679915B2. Автор: Sang Hoo Dhong,Kuo-Feng Tseng,Cheng-Chung Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Ho-Chieh Hsieh,Ming-Zhang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US09633882B2. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Design, layout, and manufacturing techniques for multivariant integrated circuits

Номер патента: US09424383B2. Автор: Brian Kelleher. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated Circuit Shielding Film and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130193566A1. Автор: Chuan-Li Cheng,Hsueh-Tsu Chang. Владелец: Chenming Mold Industrial Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Transfer molding process for an integrated circuit and pre-formed release film for use in this process

Номер патента: EP1333480A3. Автор: Anthony M. Chiu,Harry Michael Siegel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Integrated circuit with micro-bumps and test bumps

Номер патента: WO2023235148A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Amer Christophe Gaetan CASSIER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US20170062553A1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuit with device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20110279936A1. Автор: Sergio Pernici,Pierangelo Confalonieri,Riccardo Martignone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-11-17.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09991332B2. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Dilution doped integrated circuit resistors

Номер патента: US09991120B2. Автор: Scott R. Summerfelt,Scott K. Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Sensor device, image sensor array and manufacturing method of sensor device

Номер патента: US09923013B1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kuo-Chin Huang,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit with printed bond connections

Номер патента: US09824948B2. Автор: Erick Merle Spory. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US09698139B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Volumetric integrated circuit and volumetric integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US09583410B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Thomas M. Shaw,Roy R. Yu,Bucknell C. Webb,Michael A. Gaynes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09520461B1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Active magnetic sensitive sensor of multi-element magnetic field transducer

Номер патента: RU2678958C1. Автор: Михаил Ильич Павлюк,Ренат Закирович Хафизов. Владелец: Акционерное общество "ПКК МИЛАНДР". Дата публикации: 2019-02-04.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: EP2283517A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Physical unclonable functions in integrated circuit chip packaging for security

Номер патента: CA3038545A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Integrated circuit with integrally formed micro-channel oscillating heat pipe

Номер патента: US11769709B2. Автор: Corey Wilson,Christopher D. Smoot,Joe Boswell. Владелец: Thermavant Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Manufacturing method of an electronic device package

Номер патента: US20020093120A1. Автор: Pierangelo Magni,Andrea Cigada. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-18.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-chip module including integrated circuit with receiver circuitry implementing transmit signal cancellation

Номер патента: US20240296139A1. Автор: Ramin Farjadrad. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit with modified metal features and method of fabrication therefor

Номер патента: US20040185652A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuits with an insultating layer and methods for producing such integrated circuits

Номер патента: US09443723B2. Автор: Christof Streck,Ronny Pfutzner,Andreia Ioana Popa. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20160043265A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-02-11.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US9188540B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-11-17.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit with topological semimetal interconnects

Номер патента: US20230030586A1. Автор: HyeukJin Han,Jeeyoung Cha. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-02.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: US20200152503A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-14.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: WO2009158551A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Limited. Дата публикации: 2009-12-30.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: EP2311113A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Packaging for fingerprint sensors and methods of manufacture

Номер патента: US09754852B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Bolognia,Robert Francis Darveaux,Brett Arnold Dunlap. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Array substrate, liquid crystal display panel and manufacture method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20180180924A1. Автор: Xinglong He,Shihpo Chou,Yao-Li Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10930599B2. Автор: Yi-Te Chen,Chun-Ting Liao,Ming-Hui Yang,Chen-Yuan Chen,Ho-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190096827A1. Автор: Yi-Te Chen,Chun-Ting Liao,Ming-Hui Yang,Chen-Yuan Chen,Ho-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20200365557A1. Автор: Ying-Ching Shih,Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrating control circuits with light emissive circuits with dissimilar wafer sizes

Номер патента: WO2021183603A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Integrating control circuits with light emissive circuits with dissimilar wafer sizes

Номер патента: EP4118688A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-18.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US20200365532A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Self-powered integrated circuit with photovoltaic cell

Номер патента: US20120126298A1. Автор: Yuanning Chen,Nagarajan Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8872220B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8410519B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS finFET sidewall channels

Номер патента: US9053966B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for hybrid flexible electronics with rigid integrated circuits

Номер патента: US09984962B2. Автор: Ujjwal Gupta,Umit Y. Ogras,Md Ali Muztoba. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuits with components on both sides of a selected substrate and methods of fabrication

Номер патента: US09947688B2. Автор: James S. Cable,Ronald Eugene Reedy,Anthony Mark Miscione. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Monolithic stacked integrated circuits with a redundant layer for repairing defects

Номер патента: US09847318B2. Автор: Chin-Her Chien,Kuan-Yu Lin,Ji-Jan Chen,Wei-Pin Changchien,Jung-Rung Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit with precision current source

Номер патента: US09608626B1. Автор: Gabriel E. Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Multiple depth vias in an integrated circuit

Номер патента: US09455312B2. Автор: Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan,Richard Allen Faust. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Optical transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: US11454773B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsing-Kuo Hsia,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Optical Transceiver and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230350142A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsing-Kuo Hsia,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230394216A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20210305112A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Methods and systems for designing integrated circuits

Номер патента: US20240242014A1. Автор: Taehyun Kim,Hyunjoong Kim,Jichull Jeong,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Integrated circuit with at least one bump

Номер патента: EP1563537B1. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-09.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Methods for fabricating integrated circuits with stressed semiconductor material

Номер патента: US20140017903A1. Автор: Abhijeet Paul,Abner Bello. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for fabricating an integrated circuit with undercut etching

Номер патента: US6524917B2. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of additively manufacturing an integrated circuit of an interconnect packaging structure

Номер патента: US12027477B2. Автор: Ioannis Papapolymerou,Premjeet Chahal,Michael Thomas CRATON,John D. ALBRECHT,Christopher OAKLEY. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit with micro circuits and post processing

Номер патента: US09940425B2. Автор: Lap Wai Chow,James Peter Baukus,Ronald Paul Cocchi,Bryan Jason Wang. Владелец: Inside Secure SA. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with copper hillock-detecting structures and methods for detecting copper hillocks using the same

Номер патента: US09881844B2. Автор: Gong Shun Qiang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US09865801B1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Transient electronic device with ion-exchanged glass treated interposer

Номер патента: US09780044B2. Автор: Gregory L. Whiting,Scott J. H. Limb. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit package with sensor and method of making

Номер патента: US09688530B2. Автор: Makoto Shibuya,Noboru Nakanishi,Luu Nguyen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits with overlay marks and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09646934B2. Автор: Lei Wang,Alex See,Shijie Wang,Yong Feng Fu,Siew Yong Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating and manufacturing micro—and nano-fabricated devices and systems securely

Номер патента: US09646878B2. Автор: Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

RFID integrated circuits with channels for reducing misalignment

Номер патента: US09633302B1. Автор: Harley K. Heinrich. Владелец: Impinj Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US09620456B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Nano deposition and ablation for the repair and fabrication of integrated circuits

Номер патента: US09583401B2. Автор: Eric A. Joseph,Jeffrey P. Gambino,Anthony C. Speranza,Shawn A. Adderly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit with micro circuits and post processing

Номер патента: US09542520B2. Автор: Lap Wai Chow,James Peter Baukus,Ronald Paul Cocchi,Bryan Jason Wang. Владелец: SYPHERMEDIA INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US09508588B2. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Offset integrated circuit packaging interconnects

Номер патента: US09478482B2. Автор: Leilei Zhang,Zuhair Bokharey. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating integrated circuits, integrated circuit component mask layout set, and component photomask set

Номер патента: US09443838B2. Автор: Ran-Hong Yan,Han-Chang Kang,Li-Ping Yang,Pi-Cheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Passivation for integrated circuit structures

Номер патента: US5010024A. Автор: Peter S. Gwozdz,Bert L. Allen,Thomas R. Bowers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Through silicon via structure for three-dimensional integrated circuit packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887912B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Bao Zhu,Qingqing Sun. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit with 3D partitioning

Номер патента: US11822475B2. Автор: Geert Van Der Plas,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit with electrical through-contact and method for producing electrical through-contact

Номер патента: US20140084428A1. Автор: Jörg ZAPF,Harry Hedler,Stefan Wirth,Markus Schieber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Integrated circuit with dummy boundary cells

Номер патента: US20240202420A1. Автор: Chih-Ming Chao,Wei-Yi Hu,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuits with optical signal propagation

Номер патента: WO2002003113A1. Автор: Charles W. Shanley. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-01-10.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: WO2002091469A3. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: Riccardo Groppo. Дата публикации: 2004-03-04.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: WO2002091469A2. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2002-11-14.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: EP1419529A2. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2004-05-19.

Image sensor and method of manufacturing an image sensor

Номер патента: WO2024006238A1. Автор: Stefano Guerrieri,Muhammad Maksudur RAHMAN,Ananth TAMMA. Владелец: ams Sensors USA Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220037310A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: EP3945578A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Stretchable sensor and laser based manufacturing method for the same

Номер патента: KR102354809B1. Автор: 김선국,원유찬,간들라 스리니바스,채혁주. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-01-21.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Arc fault detection using single current sensor and wideband analog frontend

Номер патента: EP3781955A1. Автор: Gary W. Scott,Andi Jakupi,Hynek Raisigel,Michel LAYOUR. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2021-02-24.

Electronic Device Having Antenna Tuning Circuits With Shared Control Interface Circuitry

Номер патента: US20190027809A1. Автор: Xu Han,Jing Zhu,LIANG Han,James G. Judkins,Thomas E. Biedka,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai,Victor C. Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: WO2005101442A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems S.L.. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: CA2563557A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09791482B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal foil having electrical resistance layer, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140015635A1. Автор: Toshio Kurosawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09721742B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Electronic Device Having Antenna Tuning Integrated Circuits With Sensors

Номер патента: US20170302326A1. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit and systems with tracking

Номер патента: WO2021141667A9. Автор: Vipul Jain,Jonathan P. Comeau,Shmuel Ravid,Hakan Coskun,Saeed Farsi,Zarion Jacobs. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Bidirectional photonic integrated circuit with suppressed reflection

Номер патента: US09739940B2. Автор: Jose Luis Rubio Guivernau,Eduardo Margallo Balbas,Juan Sancho Dura. Владелец: Medlumics SL. Дата публикации: 2017-08-22.

Rf reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20110014888A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Rf reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20100159867A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Infrared sensor and infrared sensor manufacturing method

Номер патента: US20110260062A1. Автор: Takanori Maeda,Kenjiro Fujimoto,Takahiro Kawano. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Integrated circuit design for a personal use wireless communication system utilizing reflection

Номер патента: US5751820A. Автор: Jon C. Taenzer. Владелец: GN Hearing Care Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Magnetic sensor and magnetic sensor manufacturing method

Номер патента: US11977135B2. Автор: Daizo Endo,Tatsunori SHINO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic sensor and magnetic sensor manufacturing method

Номер патента: US20220018911A1. Автор: Daizo Endo,Tatsunori SHINO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-01-20.

MICRO HEATER, MICRO SENSOR AND MICRO SENSOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170131252A1. Автор: Ahn Bum Mo,Park Seung Ho,Byun Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Mems sensor, and mems sensor manufacturing method

Номер патента: WO2009014118A1. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2009-01-29.

Acoustic sensor and acoustic sensor manufacturing method

Номер патента: JP6390423B2. Автор: 雄喜内田,隆笠井,幸志桃谷. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-09-19.

Wiring body, wiring substrate, touch sensor, and wiring body manufacturing method

Номер патента: EP3176682A1. Автор: Takeshi Shiojiri,Takaharu Hondo. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-06-07.

Ion sensor and ion sensor manufacturing method

Номер патента: US20240060930A1. Автор: Toshiki Wakamori,Shinichi Nakahigashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Vertically integrated micro-bolometer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240219239A1. Автор: Chao-Ta Huang,Yu-Wen Hsu,Lu-Pu Liao,Bo-Kai CHAO. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-04.

Temperature sensor and memory device having same

Номер патента: US12061125B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chung-Kuang Chen,Chia-Ching Li,Chia-Ming Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Eos protection circuit with fet-based trigger diodes

Номер патента: US20150085408A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Amplifying element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8107644B2. Автор: Eio ONODERA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-01-31.

AC Current Sensor And Wireless Charging Chip

Номер патента: US20240272207A1. Автор: Yi Shi,Xusheng Zhang,Hao Qiu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Integrated circuit (IC), adaptive power supply using IC characteristics and adaptive power supply method according to IC characteristics, electronic device including the same and manufacturing method of IC

Номер патента: US09513649B2. Автор: Tae-yong Son,Jae-Hee Han,Kang-young Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuits with programmable overdrive capabilities

Номер патента: US09444460B1. Автор: Christopher F. Lane. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20240219943A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit with low phase noise clock distribution network

Номер патента: US09531356B1. Автор: Peter L. Delos,Brandon R. Davis,Steven M. Fireman. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: US20090051399A1. Автор: Johannes Petrus Antonius Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-26.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Current sensing circuit with integrated resistor and switch matrix

Номер патента: US12040758B2. Автор: Mark Rutherford,Ryan Desrosiers,Jay Ackerman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US20150188541A1. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit

Номер патента: US20110133782A1. Автор: Ulrich Theus,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2011-06-09.

Integrated circuit having flexible reference

Номер патента: US09661248B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US09455708B2. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-27.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US20210367760A1. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US11711365B2. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated circuit with internal communication network

Номер патента: WO2006126142A3. Автор: Edwin Rijpkema,John Dielissen. Владелец: John Dielissen. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated circuit with internal communication network

Номер патента: EP1889419A2. Автор: Edwin Rijpkema,John Dielissen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-20.

Flexible adder circuits with fast carry chain circuitry

Номер патента: EP2113836A3. Автор: David Lewis,Jeffrey Christopher Chromczak. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-08-31.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor

Номер патента: US11743647B2. Автор: Mohammad Shajaan,Claus Furst,Jens Tingleff,Henrik Thomsen,Kristian Hansen. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Integrated circuit with continuously adaptive equalization circuitry

Номер патента: US09705708B1. Автор: Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage

Номер патента: US09672901B2. Автор: Daniel C. Murray,Brian J. Campbell,Sribalan Santhanam,Vincent R. von Kaenel,Gregory S. Scott. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits with improved register circuitry

Номер патента: US09660650B1. Автор: David Lewis,Valavan Manohararajah,Jeffrey Christopher Chromczak. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Input/output circuit with high voltage tolerance and associated apparatus

Номер патента: US09450583B2. Автор: Chih-Tien Chang,Yao-Zhong Zhang,Ju-Ming Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-20.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US09329608B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Integrated circuit with a differential amplifier

Номер патента: US20010028585A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoai-Thai Le,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Charge amplifier, force sensor, and robot

Номер патента: US11979124B2. Автор: Noriyuki Osumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Failsafe interface circuit with extended drain services

Номер патента: US20020070751A1. Автор: James Huffman,Keith Kunz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Modularized control circuit with signal-capturing function for fan motor and controlling method

Номер патента: US20130249455A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Lamp with integral voltage converter having phase-controlled dimming circuit with hysteresis control for reducing RMS load voltage

Номер патента: US20060082327A1. Автор: George Kendrick,Matthew Ballenger. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit

Номер патента: WO2007093598A1. Автор: Werner Elmer,Horst Jungert. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2007-08-23.

Voltage converter integrated circuit with an integrated bootstrap capacitor

Номер патента: US09917584B2. Автор: Jian Jiang,Yike Li,Changjiang Chen,Junyong Gong. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit voltage regulator with adaptive current bleeder circuit

Номер патента: US09917513B1. Автор: Ping-Chen Liu,Thien Le. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit adaptive voltage scaling with de-aging

Номер патента: US09484892B1. Автор: Nan Chen,Min Chen,Navid Toosizadeh,Shih-Hsin Jason Hu,Mohammad Reza Kakoee,Mohamed Waleed Allam,Jasmin Smaila Ibrahimovic,Sorin Adrian Dobre,Carlos Auyon. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Photorepeated integrated circuit with compensation of the propagation delays of signals, notably of clock signals

Номер патента: US09438218B2. Автор: Gregoire Chenebaux. Владелец: Pyxalis SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Terminal, method of terminal control, terminal manufacturing method and data medium

Номер патента: RU2713853C1. Автор: Чжуншен ЦЗЯН,Аньюй ЛЮ,Сун ЛИ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-07.

Integrated circuit with on-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266382A1. Автор: Valerio Bendotti,Gaudenzia BAGNATI,Stefano Castorina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Physical Unclonable Functions In Integrated Circuit Chip Packaging For Security

Номер патента: AU2019202239A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Power supply switching for reducing power consumption of integrated circuits

Номер патента: WO2009104130A2. Автор: Victor Zieren,Marcel Pelgrom,Hendricus J. M. Veendrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-27.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit with dynamically-adjustable buffer space for serial interface

Номер патента: US09680773B1. Автор: Boon Jin Ang,Tat Mun Lui,Zun Yang Tan,Chiang Wei Lee,Richard Jin Guan Saw,Want Sent Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Cmos i/o circuit with high-voltage input tolerance

Номер патента: WO1998056111A9. Автор: Peter J Lim. Владелец: Oak Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-08.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: WO2016196572A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit and receiver of a global positioning system (gps)

Номер патента: US20080061897A1. Автор: Meik Wilhelm Widmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Amplifier circuit with a first and a second output line

Номер патента: US20100182082A1. Автор: Stefan Koch. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits and transponder circuitry with improved ask demodulation

Номер патента: US09762282B1. Автор: Ernst Georg MUELLNER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: EP3304005A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Reconfigurable integrated circuit with on-chip configuration generation

Номер патента: EP3180860A1. Автор: Wayne Luk,Xinyu NIU. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-06-21.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits with optical flow computation circuitry

Номер патента: US09819841B1. Автор: Dmitry N. Denisenko. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetic sensor and an integrated circuit

Номер патента: US09696182B2. Автор: Yue Li,Bao Ting Liu,Li Sheng Liu,Chi Ping SUN,Fei Xin,Shing Hin Yeung,Shu Juan HUANG,En Hui Wang,Xiu Wen YANG,Yan Yun CUI,Guang Jie CAI,Chun Fai WONG,Hui Min Guo,Shu Zuo LOU,Xiao Ming Chen. Владелец: Johnson Electric SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit with distributed clock tampering detectors

Номер патента: US09506981B2. Автор: Fabrice Walter. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230320238A1. Автор: Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Event-driven integrated circuit having interface system

Номер патента: US20240107187A1. Автор: Sadique Ul Ameen Sheik,Ning Qiao,Tugba Demirci,Ole Juri RICHTER. Владелец: Chengdu Synsense Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated Circuit with Interpolation to Avoid Harmonic Interference

Номер патента: US20110022875A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated circuit with interpolation to avoid harmonic interference

Номер патента: US8266468B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: US11750992B2. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan Ramamurthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit with plural level shifters

Номер патента: US20080303550A1. Автор: Wen-Liang Liu,Chun-Hsiung Chen,Chun-Ku Lin. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit with an input multiplexer system

Номер патента: US20220166395A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Hanqing Xing,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US20080044020A1. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US9100684B2. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Compound semiconductor photonic integrated circuit with dielectric waveguide

Номер патента: US09880352B2. Автор: William Ring,Miroslaw Florjanczyk. Владелец: BB Photonics Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit with multi-bit clock gating cells

Номер патента: US09838013B2. Автор: Peidong Wang,Miaolin Tan,Zhe Ge,Huabin Du. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same

Номер патента: US09809448B2. Автор: Martin Lim,Fariborz Assaderaghi. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Power Supply Control Circuit with Optical Feedback

Номер патента: US20080265133A1. Автор: Paolo Menegoli,Carl K. Sawtell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Power management integrated circuit including detection circuit with capacitive element

Номер патента: US20210382508A1. Автор: Hyunseok Nam,Sangyoung Lee,Jeongwoon KONG,Junhyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Voltage conversion and integrated circuits with stacked voltage domains

Номер патента: EP2419832A1. Автор: Brian L. Ji,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Near zero power fully integrated digital conversion, sensors and sensing methods

Номер патента: US20210242877A1. Автор: HUI Wang,Patrick Mercier. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Superconducting integrated circuits with clock signals distributed via inductive coupling

Номер патента: EP3776856A1. Автор: Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Hydrogen sensor and hydrogen sensor manufacturing method

Номер патента: US12013384B2. Автор: Hyun Soo Kim,Hyun Sook Lee,Soo Min Lee,Woo Young Lee,Dong Gu Kim,Se Young Park,Jang Hyeon Lee,Jin Kyo Jeong,Tae Ho Jeong,Il Seon Yoo,Dae Sung Kwon,Hae Won Yoon. Владелец: Industry Academic Cooperation Fndn Yonsei Univ. Дата публикации: 2024-06-18.

Hydrogen sensor and hydrogen sensor manufacturing method

Номер патента: US20230130510A1. Автор: Hyun Soo Kim,Hyun Sook Lee,Soo Min Lee,Woo Young Lee,Dong Gu Kim,Se Young Park,Jang Hyeon Lee,Jin Kyo Jeong,Tae Ho Jeong,Il Seon Yoo,Dae Sung Kwon,Hae Won Yoon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-04-27.

Mems sensor and mems sensor manufacturing method

Номер патента: US20230166964A1. Автор: Nobuhisa Yamashita,Toma Fujita,Martin Wilfried HELLER. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

ELECTROCHEMICAL SENSOR AND COATING METHOD, MANUFACTURING METHOD AND APPLICABLE APPLICATIONS

Номер патента: RU2018126488A. Автор: ДИГГРОК Элейн АРМЕЛИН,ХОВЕ Хеорхина ФАБРЕГАТ,ПИКЕ Хорди ЛЬОРКА,ЛЬЯНСО Карлос АЛЕМАН. Владелец: Университат Политекника Де Каталунья. Дата публикации: 2020-01-23.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: US09989506B2. Автор: Yusuke Watanabe,Takao Murase,Masashi Yasui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Touch sensor and touch sensor manufacturing method

Номер патента: US20160162062A1. Автор: Ikuko Mori,Hisaya Takayama,Itsuo Furukawa. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Capacitance sensor and capacitance sensor manufacturing method

Номер патента: US20240201411A1. Автор: Mirza Saquib SARWAR,Ryusuke Ishizaki,Austin Weir,Fumiya HAMATSU,Kieran MORTON,John D W Madden. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Detection electrode of gas sensor, conductive paste manufacturing method, gas sensor, and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP2017096909A. Автор: Taku Okamoto,Osamu Nakasone,裕葵中山,Yuki Nakayama,拓岡本,Noriko Hirata,修中曽根,紀子平田. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

TEMPERATURE SENSOR AND TEMPERATURE SENSOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170016777A1. Автор: YOSHIHARA Takamasa,TAKEMURA Michiru. Владелец: SHIBAURA ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-01-19.

GAS SENSOR AND GAS SENSOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170059540A1. Автор: Watanabe Yusuke,MURASE Takao,YASUI Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Pressure sensor and pressure sensor manufacturing method

Номер патента: US20150082894A1. Автор: Michiko Hara,Yoshihiro Higashi,Hideaki Fukuzawa,Yoshihiko Fuji,Kazuaki Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

DENSITY SENSOR AND DENSITY SENSOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170082527A1. Автор: CHAUDOREILLE François,GRANIER Guillaume,JIMENEZ Lucia. Владелец: AVENISENSE. Дата публикации: 2017-03-23.

TOUCH SENSOR AND TOUCH SENSOR MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160162062A1. Автор: Mori Ikuko,FURUKAWA Itsuo,TAKAYAMA Hisaya. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP4634301B2. Автор: 久治西尾,敬中尾,和裕神前. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Magnetic sensor, and magnetic sensor manufacturing method

Номер патента: JP2021107790A. Автор: Akira Sakawaki,彰坂脇,Daizo Endo,大三遠藤,Yasunari Watanabe,坂脇　彰,Tatsunori SHINO,竜徳篠,翔利根川,Sho TONEGAWA,恭成渡邉. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Pressure sensor and pressure sensor manufacturing method

Номер патента: JP4511844B2. Автор: 敏之猿谷,暁之加藤. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Temperature sensor and temperature sensor manufacturing method

Номер патента: EP3115759A4. Автор: Takamasa Yoshihara,Michiru TAKEMURA. Владелец: Shibaura Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-29.

A density sensor and density sensor manufacturing method

Номер патента: WO2017050875A1. Автор: Francois Chaudoreille,Guillaume Granier,Lucia Jimenez. Владелец: AVENISENSE. Дата публикации: 2017-03-30.

Double-helix conductive textile, pressure sensor and pressure sensor manufacturing method

Номер патента: CN111364156A. Автор: 胡金莲,陈剑铭. Владелец: Shenzhen Qidi Huijia Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP3713148B2. Автор: 康司松尾,聡石川. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Mems sensor and mems sensor manufacture method

Номер патента: US20100162823A1. Автор: Atsuo Hattori. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Pressure sensor and pressure sensor manufacturing method

Номер патента: JPWO2011055734A1. Автор: 治彦西影,有真藤田. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Detection sensor and detection sensor manufacturing method

Номер патента: TWI649681B. Автор: 日向俊太,渡邊公彥. Владелец: 日商信越聚合物股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-01.

Integrated circuit with nanowire ChemFET-sensors, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09823218B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit with CO2 sensor, composition and manufacturing method of such an IC

Номер патента: US09683099B2. Автор: Rafael Sablong,Aurelie Humbert,Cornelis Bastiaansen,Dimitri Soccol,Jan KOLIJN,Dirk Gravesteijn,Bjorn Tuerlings. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20210239904A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20230358956A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Optical phased array chip using mems switch and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220229233A1. Автор: Hyo-Hoon Park,In Ki Kim,Jong-Bum You,Tae Joon SEOK,Hyeonho YOON,Nam-Hyun Kwon,Dong-Eun Yoo,Ju-Beom Lee,Geumbong Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-07-21.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US09965579B2. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: US09632049B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev,Matthias Merz. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Optical phased array chip using MEMS switch and manufacturing method thereof

Номер патента: US11640030B2. Автор: Hyo-Hoon Park,In Ki Kim,Jong-Bum You,Tae Joon SEOK,Hyeonho YOON,Nam-Hyun Kwon,Dong-Eun Yoo,Ju-Beom Lee,Geumbong Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-02.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Photonic semiconductor device, photonic semiconductor package using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118491A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Hsing-Kuo Hsia,Chih-Hao Yu,Shih-Peng Tai,Jui Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Electronic circuit with a regulated power supply circuit

Номер патента: EP2387742A1. Автор: Martin Wagner,Clemens Gerhardus Johannes De Haas,Henk Boezen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-11-23.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Low power circuits with small voltage swing transmission, voltage regeneration and wide bandwidth architecture

Номер патента: US20060039179A1. Автор: Stephen Kosonocky,Robert Dennard,Wing Luk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20230409284A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20190187956A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20180239585A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20200089471A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US11748060B2. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US09933997B2. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit with on-chip power profiling

Номер патента: US09696775B2. Автор: Thuyen Le,Tian Yan Pu,Lars MELZER,Chenbo Liu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8199605B2. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

CMUT-on-CMOS Ultrasonic Transducer by Bonding Active Wafers and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230302495A1. Автор: HUI Li,Feng Yin. Владелец: Zhejiang Xiansheng Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090296513A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and data processing system supporting attachment of a real address-agnostic accelerator

Номер патента: US20190332537A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Detecting a defect of an integrated circuit

Номер патента: US20030206293A1. Автор: Daniel Corum,Taylor Lowry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Integrated temperature sensor, method for producing an integrated temperature sensor and method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor

Номер патента: WO2018054596A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling,Zoran ZIVKOVIC,Casper Van Der Avoort. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Print head with shielding element and its manufacturing method

Номер патента: EP1306214A3. Автор: Simon Dodd,Frank Randolph Bryant,Paul I. Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-03-03.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Interweaved integrated circuit interconnects

Номер патента: US20020112220A1. Автор: Brian Miller. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-08-15.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Bit-corrector circuits for photonic circuits with cascaded photonic gates

Номер патента: US12032023B1. Автор: Bicky A. Marquez. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Stochastic analysis process optimization for integrated circuit design and manufacture

Номер патента: WO2006063359A3. Автор: Jun Li,Meiling Wang,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Anova Solutions Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Method and an integrated circuit for performing a test

Номер патента: US7650554B2. Автор: Dieter Wendel,Gottfried Goldrian,Otto Andreas Torreiter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Integrated circuit and data processing system having a configurable cache directory for an accelerator

Номер патента: US20190332549A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Curtis C. Wollbrink,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor

Номер патента: US20030213308A1. Автор: Koichi Kusuyama,Masao Tsukada. Владелец: Hitachi Unisia Automotive Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

A dual interface smart card with metal face layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240242055A1. Автор: Abhay GUPTE,Sushir Rao,Shrikanth N. DEVADIGA,Nishanth N. SHET,Nagabhushan S. BHAT,Sudhish S. RAO. Владелец: Mct Cards & Technology Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit with transition control circuitry for limiting scan test signal transitions during scan testing

Номер патента: US20130067290A1. Автор: Ramesh C. Tekumalla,Prakash Krishnamoorthy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Integrated circuit having adaptive uart serial interface

Номер патента: US20230229617A1. Автор: Dong Yeol RYU,Kwang Hyun RYOO,Yeon Hun CHOI. Владелец: Findeachip Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

System, method, and computer readable medium for designing a scalable clustered storage integrated circuit for multi-media processing

Номер патента: WO2010019883A3. Автор: Hsueh Ban Lan. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-05-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Integrated circuit with actuation circuit for actuating a driver circuit

Номер патента: US6351161B2. Автор: Ralf Schneider,Stephan Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-26.

Integrated circuits with universal serial bus 2.0 and embedded universal serial bus 2 connectivity

Номер патента: US20160162430A1. Автор: Chia-Jen Hsu,Derek Hing Sang Tam,Desheng MA,Preeti MULAGE. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US20240362396A1. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US12056431B2. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit with self-verification function, verification method and method for generating a BIST signature adjustment code

Номер патента: US09885754B2. Автор: Chun-Yi Kuo,Chi-Shun Weng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuits with universal serial bus 2.0 and embedded universal serial bus 2 connectivity

Номер патента: US09727514B2. Автор: Chia-Jen Hsu,Derek Hing Sang Tam,Desheng MA,Preeti MULAGE. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Image forming system, integrated circuit chip, and image forming apparatus

Номер патента: US09454717B2. Автор: Naoki Abe. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Liquid ejection head and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US20190344567A1. Автор: Yohei Nakamura,Toru Nakakubo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115218A3. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R Bhattagiri,Arvid S Sammuli. Владелец: Arvid S Sammuli. Дата публикации: 2007-11-22.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115196A2. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R. Bhattagiri,Arvid S. Sammuli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-10-11.

Fault coverage and simplified test pattern generation for integrated circuits

Номер патента: US6874112B1. Автор: Lawrence Stanton Schmitz. Владелец: Summit Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Technology migration for integrated circuits with radical design restrictions

Номер патента: US20060101357A1. Автор: Xin Yuan,Robert Allen,Robert Walker,Fook-Luen Heng,Jason Hibbeler,Kevin McCullen,Rani Narayan,Cam Endicott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Electronic device, integrated circuit, and input system

Номер патента: US20240281084A1. Автор: Noriyuki Kitahara,Yuhi Hatano. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Fingerprint sensor and method thereof

Номер патента: US09792481B2. Автор: Todd LIN. Владелец: Egis Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

High data rate integrated circuit with transmitter configuration

Номер патента: EP4354131A3. Автор: Keith G. Fife,Jungwook Yang. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit with electrical contact

Номер патента: EP1110175A1. Автор: Frits Van Der Wateren. Владелец: Chess Engineering BV. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated circuit

Номер патента: US7203883B2. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel von Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Ion sensitive sensor with multilayer construction in the sensor region

Номер патента: US8519447B2. Автор: Hendrik Zeun. Владелец: Endress and Hauser Conducta Gesellschaft fuer Mess und Regeltechnik mbH and Co KG. Дата публикации: 2013-08-27.

Fail-safe circuit for dynamic smartpower integrated circuits

Номер патента: US20030132976A1. Автор: William Hawkins,Yungran Choi,Christopher Morton,Juan Becerra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor die manufacture method to limit a voltage drop on a power plane thereof by noninvasively measuring voltages on a power plane

Номер патента: US20020073386A1. Автор: Stefan Rusu,Gary Woods,Dean Grannes,Travis Eiles,Steven Seidel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Integrated circuit with secure scan enable

Номер патента: US09927490B2. Автор: Wanggen Zhang,Pingli Hao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Automated layout for integrated circuits with nonstandard cells

Номер патента: US09852253B2. Автор: Rajit Manohar,Robert KARMAZIN,Carlos Tadeo Ortega OTERO. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-26.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: US09600207B2. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for provisioning decoupling capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US09465899B2. Автор: Savithri Sundareswaran,Benjamin S. Huang,Ravi K. Vaidyanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Radiation detector module including application specific integrated circuit with through-substrate vias

Номер патента: US20240230932A9. Автор: Michael Ayukawa,Krzysztof Iniewski. Владелец: Redlen Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US20170148481A1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Integrated circuit with reduced signaling interface

Номер патента: US11768238B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

A supervisory integrated circuit with data storage and retrieval of system parameters

Номер патента: WO1999041750A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-08-19.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Chip design method for designing integrated circuit chips with embedded memories

Номер патента: US20030221177A1. Автор: David Morgan,Viswanathan Lakshmanan,Michael Josephides,Tom O'Brien. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Current generating circuit, semiconductor integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: EP1288905A3. Автор: Toshiyuki Kasai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-07.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuits with built-in self test mechanism

Номер патента: US09728276B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shi-Wei Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US09666226B1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit with power network aware metal fill

Номер патента: US09552453B1. Автор: Rishabh Agarwal,Sumit Kumar Jha. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Malfunction prevention circuit for cog-form source driver integrated circuit and flat panel display controller employing the same

Номер патента: US20130300726A1. Автор: Yeong Joon Son,Myung Yu KIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20210240440A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US12056461B2. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Infrared sensor and imager with differential ferroelectric cells

Номер патента: US7038206B2. Автор: Zheng Chen,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Jolanta Celinska. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Enhanced control in scan tests of integrated circuits with partitioned scan chains

Номер патента: WO2011050292A2. Автор: Srivaths Ravi,Rubin A. Parekhji,Alan D. Hales,Srujan K. Nakidi,Rajesh K. Tiwari. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-04-28.

Integrated circuits with improved memory controllers

Номер патента: US09805775B1. Автор: Yu Ying Ong,Weizhong Xu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for optical coupling between a photonic integrated circuit and an external optical element

Номер патента: US09529154B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Geert Van Steenberge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Logic built in self test circuitry for use in an integrated circuit with scan chains

Номер патента: US20170192054A1. Автор: Cedric Lichtenau,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty,Satya R.S. Bhamidipati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20230251868A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20210182076A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuit with iddq test facilities and ic iddq test method

Номер патента: WO2008044183A3. Автор: Villagra Luis Elvira,Vazquez Josep Rius,Rinze I M Meijer. Владелец: Rinze I M Meijer. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Devices and methods for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030080362A1. Автор: Simon Dodd,Frank Bryant,Paul Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Tap interface select circuit with AUX1/02-TMS and TMS/RCK-RCK leads

Номер патента: US8375264B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

TAP domain selection circuit with selected TDI/TDO or TDO lead

Номер патента: US7793182B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

TAP interface select circuit with TMS/RCK or RCK lead

Номер патента: US8145962B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-27.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Addressable tap domain selection circuit with instruction and linking circuits

Номер патента: US09933483B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory integrated circuit with built-in redundancy

Номер патента: US09620203B2. Автор: Shinichi Yasuda,Koichiro ZAITSU,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Optical sensor and electronic device

Номер патента: US09618609B2. Автор: Takayuki Shimizu,Yasuyuki Shirasaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit with selectable power-on reset mode

Номер патента: US09612653B2. Автор: Jing Cui,Shayan Zhang,Wen Gu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for the characterization and monitoring of integrated circuits

Номер патента: US09568540B2. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09465906B2. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Display driver integrated circuit with multiple data paths

Номер патента: US09460685B2. Автор: Kyung-Sang Cho,Woo-Hyun Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuits with radioactive source material and radiation detection

Номер патента: US09454886B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of performing an operation on an integrated circuit

Номер патента: US5977784A. Автор: Deepak K. Pai. Владелец: General Dynamics Information Systems Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Integrated circuit with water presence arrangement and manufacturing method therefor

Номер патента: EP2336757A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev,Matthias Merz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-22.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US11789201B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Layout data generation equipment of semiconductor integrated circuit, data generation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080141196A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Kiminobu Suzuki,Shigeo Ohshima,Takamichi Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor package, integrated optical communication system and manufacturing method of integrated optical communication system

Номер патента: US20200271860A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Hierarchical design of integrated circuits with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140359547A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Technologies for coupling from photonic integrated circuits with an optical isolator

Номер патента: US20230204876A1. Автор: Boping Xie,Alexander Krichevsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor

Номер патента: EP1224504A1. Автор: Kannan Raj,Ronald D. Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: EP2681670A1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Current sensor and current sensor manufacturing method

Номер патента: AU2002343833A1. Автор: Radivoje Popovic,Koji Shibahara,Robert Racz,Yo Yamagata. Владелец: Sentron Aktiengeshellschaft. Дата публикации: 2003-05-12.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP6491061B2. Автор: 悠介渡邉,隆生村瀬,将司安居. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP4988442B2. Автор: 森　　茂樹,茂雄近藤,正樹水谷. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-01.

Gas sensor and gas sensor manufacturing method

Номер патента: JP4494283B2. Автор: 義昭黒木,正詞都築,昌明村瀬,昭夫森. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-30.

Oxygen sensor and sensor element manufacturing method

Номер патента: JP3756749B2. Автор: 浩磯村,尚勝渥美,宏二塩野,正峰高木. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-15.

CHEMICALLY SENSITIVE SENSOR WITH LIGHTLY DOPED DRAINS

Номер патента: US20120001235A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of mis integrated circuits

Номер патента: RU2099817C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1997-12-20.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of nano-electromechanical converter, and nano-electromechanical converter with autoelectronic emission

Номер патента: RU2484483C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев,Николай Анатольевич Бедро,Мария Николаевна Комарова,Игорь Владимирович Воронин. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Геофизика-НВ". Дата публикации: 2013-06-10.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.