Bonded substrate for an integrated circuit containing a planar intrinsic gettering zone
Номер патента: US6825532B2
Опубликовано: 30-11-2004
Автор(ы): George V. Rouse, Jack H. Linn, Michael G. Shlepr, William H. Speece
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-11-2004
Автор(ы): George V. Rouse, Jack H. Linn, Michael G. Shlepr, William H. Speece
Принадлежит: INTERSIL AMERICAS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of making integrated circuits having a planarized dielectric
Номер патента: US5026666A. Автор: Graham W. Hills,Robert D. Huttemann,Kolawole R. Olasupo. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-25.