Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming a power semiconductor device and power semiconductor device

Method of forming a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US8592894B2
Опубликовано: 26-11-2013
Автор(ы): Evgueniy Stafanov, Jean Michel Reynes, Yann Weber
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240072122A1. Автор: Dethard Peters,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for Forming a Semiconductor Device with an Integrated Poly-Diode

Номер патента: US20150056794A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, and related circuit, chip, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4404265A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230307528A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Seungchul Lee,Shu-Shu Tang. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620499B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170373196A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20240079472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123193A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Buried Channel/Body Zone and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187654A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

Номер патента: US20170256648A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240014137A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4148805A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11929426B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20230070266A1. Автор: Changhyun KIM,Keunwook SHIN,Seunggeol NAM,Dohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4181210A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device having diode-built-in IGBT and semiconductor device having diode-built-in DMOS

Номер патента: US9184158B2. Автор: Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Rf switch device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230040844A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jin Hyo Jung,Sang Gil Kim,Ki Hun Lee,Seung Ki KO,Tae Ryoong PARK,Kyong Rok KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332420A1. Автор: Shih-Chieh Chao,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Tzu-Wen Pan,Jih-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978746B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Dongho Cha,Seungseok HA,Keunhee Bai,Sunhom Steve Paak,Kyoung Hwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Methods of protecting semiconductor materials in the active region of a transistor device and the resulting transistor device

Номер патента: US20210399126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Vertical power semiconductor device including a field stop region having a plurality of impurity peaks

Номер патента: US11742384B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device and power conversion device using the same

Номер патента: EP1793423A3. Автор: Taiga Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Arai,Mutsuhiro Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09899423B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

Номер патента: US20030205769A1. Автор: Hirotomo Miura. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030296A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US11798999B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170047354A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20230343875A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11968820B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11830950B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US10650766B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11817507B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tsutomu Murakawa,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20240088303A1. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20220085073A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200321280A1. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20200193927A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210225310A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20230088827A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4152361A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230274935A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210233769A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Yujiro Sakurada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of manufacturing source/drain regions having a deep junction

Номер патента: EP1264337A1. Автор: David Donggang Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with spacer chamfering and methods of spacer chamfering

Номер патента: US09608087B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Power semiconductor module

Номер патента: US20150115428A1. Автор: Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120034744A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210226033A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11996466B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Vertical power semiconductor device comprising source or emitter pad

Номер патента: US20240347456A1. Автор: Carsten Schaeffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Devices and methods of forming higher tunability finfet varactor

Номер патента: US20150236133A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Cointegration of bulk and soi semiconductor devices

Номер патента: US20160204128A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A2. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A3. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

A method for forming a semiconductor structure, a method of forming a mask set for forming semiconductor devices, a resistor

Номер патента: TW200743161A. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Chun-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11923414B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of making semiconductor device comprising flash memory and resulting device

Номер патента: US11810967B2. Автор: Chien-Hung Lin,Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20160087085A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device including a lateral insulator

Номер патента: US20220052165A1. Автор: HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Rui Liu,Yunlong Liu,Fei Ma,Sunglyong Kim,Ya Ping Chen,Shengpin YANG,Zhi Peng Feng,Baoqiang NIU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230361114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352479A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Economical and environmentally friendly chemical mechanical polishing for III-V compound semiconductor device fabrication

Номер патента: US09601482B1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Power semiconductor device and power semiconductor module

Номер патента: US20230170334A1. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140091320A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20220310479A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240030189A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: US11830854B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160181441A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device, electronic apparatus, and preparation method for semiconductor device

Номер патента: EP4283667A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of making a semiconductor structure for high power semiconductor devices

Номер патента: US20060088978A1. Автор: Robert Howell,Rowland Clarke,Michael Aumer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20230395382A1. Автор: Tomoyasu Furukawa,Tsubasa Moritsuka. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US5486483A. Автор: Michael D. Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method to manufacture semiconductor device

Номер патента: US20190288095A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US10971415B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20200321258A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Manufacturing Method of Forming Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20240145551A1. Автор: Hung Shen Chu. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming a polycide electrode in a semiconductor device

Номер патента: US6630409B2. Автор: Hiroshi Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and image sensor including the semiconductor device

Номер патента: US20230143634A1. Автор: Won Seok Lee,Young Gu Jin,Jung Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power converter

Номер патента: US11777419B2. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of enabling seamless cobalt gap-fill

Номер патента: US09842769B2. Автор: Mathew Abraham,Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Avgerinos V. Gelatos,Sang-Ho Yu,Xinyu Fu,Bhushan N. ZOPE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Process of forming semiconductor device

Номер патента: US09960043B2. Автор: Yasuyo Kurachi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming silicide film

Номер патента: US5963829A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming integrated circuit devices having stacked gate electrodes

Номер патента: US7998810B2. Автор: Sang-Woo Lee,Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jin-ho Park,Chang-Won Lee,Eun-ji Jung,Jeong-gil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-16.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090280615A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Dong-kak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

High-performance semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110227144A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210013120A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US8592873B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Power semiconductor module, electronic device, and method for controlling power semiconductor module

Номер патента: US10756011B2. Автор: Kenichi Tanaka,Koichiro Fujita,Tomotoshi Satoh,Hiroyuki Komeda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of Manufacturing a Package Having a Power Semiconductor Chip

Номер патента: US20190198355A1. Автор: Ralf Otremba,Thomas Basler,Edward Fuergut,Christian Kasztelan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Power semiconductor module with vibration dampeners and power electronics system including the power semiconductor module

Номер патента: US20240266300A1. Автор: Michael Niendorf,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Organic el element, method of manufacturing organic el element, organic el panel, organic el display device and electronic apparatus

Номер патента: US20200136079A1. Автор: Kosuke MISHIMA. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620403B2. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of design and manufacture of a power electronics converter for an electrical power system, power electronics converter for an aircraft, and an aircraft

Номер патента: US20230387909A1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US8334759B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230367220A1. Автор: Yung-Yao Lee,Kuo-Hung Chao,Hsieh-Yu WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a heat-sinked power semiconductor

Номер патента: EP4315416A1. Автор: Charles G. Stuart,Cory J. Padfield,David Crecelius. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for manufacturing power semiconductor having electrode in package, package of power semiconductor

Номер патента: WO2024070026A1. Автор: Julien Morand. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2024-04-04.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods of forming stressed fin channel structures for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150041906A1. Автор: Robert J. Miller,Abhijeet Paul,William J. Taylor, Jr.,Abner Bello,Vimal K. Kamineni,Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220223554A1. Автор: Jens Hofrichter,Frank Fournel,Sylvain Maitrejean,Viorel Balan,Amandine JOUVE,Karl Rohracher,Manuel Kaschowitz,Bernhard Poelzl,Romain Crochemore. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: US20090068834A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device

Номер патента: WO2007046560B1. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Elias Dimitris Katsoulis. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of forming a via plug in a semiconductor device

Номер патента: USRE36475E. Автор: Kyeon K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of forming organic compound layer, process for producing organic el device, and organic el device

Номер патента: GB2439001A. Автор: Seiichi Tobisawa,Masaaki Murayama,Nobuhiko Takashima,Yousuke Takashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2007-12-12.

Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements

Номер патента: EP4270466A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of forming a wiring layer for a semiconductor device

Номер патента: US5633207A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming a polycide gate of a semiconductor device

Номер патента: US5908791A. Автор: Sang-jin Lee,Seok-hyun Han,Kyoung-bo Shim,Dae-sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-01.

Resist reflow measurement key and method of forming a fine pattern of a semiconductor device using the same

Номер патента: US20050089776A1. Автор: Gi-sung Yeo,Doo-Youl Lee,Han-ku Cho,Jung-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20140162427A1. Автор: Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Adhesive composition for producing semiconductor device, and adhesive sheet for producing semiconductor device

Номер патента: US20110190421A1. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: US5573978A. Автор: Gyeong S. Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Power Semiconductor Module Arrangements and Methods for Producing Power Semiconductor Module Arrangements

Номер патента: US20230343681A1. Автор: Andre Arens,Martin Goldammer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: US7235458B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming a barrier layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070117382A1. Автор: Sangwook Park,Kyeongmo Koo,Jaihyung Won,Hyeonill Um,Junhyuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor devices, methods of manufacturing the same, and electronic systems including the semiconductor devices

Номер патента: US20230066186A1. Автор: Sangsoo Lee,Hyungjoon Kim,Sangmin Kang,WooJin Jang,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240194266A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US8921999B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240179913A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for making the semiconductor device

Номер патента: US20220270980A1. Автор: Yi-Lii Huang,Chun-Wei Liao,Huei-Shan Wu,Yun-Jhen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240365543A1. Автор: Sungjun Kim,Minkyu KANG,Jongyoon Choi,Eunsuk Cho,Woongseop Lee,Taegon LEE,Hyungyu HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US9484336B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20150102474A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, method for installing heat dissipation member to semiconductor device, and a method for producing semiconductor device

Номер патента: US09711430B2. Автор: Tatsuo Nishizawa,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20140246743A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20190371831A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20200312891A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056066A1. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for selectively forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20230411305A1. Автор: Seonghwan Park,KyoungHee Park,Bom Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Sigulating Semiconductor Devices and Package Device Including the Semiconductor Devices

Номер патента: US20240222292A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Yi-Hsiu Chen,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: MY131962A. Автор: Yuji Okada,Kazuhiko Sakai,Kensho Sakano,Toshihiko Umezu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a monitor pattern, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6602725B2. Автор: Masanobu Iwasaki,Yuichi Sakai,Hiroyuki Chibahara,Kakutaro Suda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-05.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacturing conductive electrodes for a circuit element, and semiconductor device thus obtained

Номер патента: US4749442A. Автор: Stefan Barbu,Claude E. P. Chapron. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of processing dummy pattern based on boundary length and density of wiring pattern, semiconductor design apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20120199979A1. Автор: Keisuke Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of processing dummy pattern based on boundary length and density of wiring pattern, semiconductor design apparatus and semiconductor device

Номер патента: US8365127B2. Автор: Keisuke Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US11936305B2. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230006571A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240120268A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Seonghwan Park,KyoungHee Park,HunTaek LEE,Younghoon Jeon. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: WO2019050630A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method, semiconductor device mounting method, and pressing tool

Номер патента: US20100181667A1. Автор: Yuichiro Yamada,Kazuhiro Nobori,Yoshihiro Tomura,Teppei Iwase,Kentaro Kumazawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition

Номер патента: US20160111611A1. Автор: Naoko Yoshida,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Ryusuke Naito,Yuichi Fukamichi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device and a method for producing semiconductor device

Номер патента: US8778779B2. Автор: Mitsufumi Naoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device, display device, and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20010019128A1. Автор: Zhang Hongyong,Tamotsu Sakai,Yasushi Kubota,Ichiro Shiraki,Jun Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279760A1. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9455245B2. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US20240047366A1. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US11824009B2. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device, substrate, equipment board, method for producing semiconductor device, and semiconductor chip for communication

Номер патента: US20080290508A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Kenichi Shigenami,Shunichi Sukegawa,Takeo Sekino,Shinichi Toi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160322287A1. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: EP4373235A1. Автор: Dongyoung Kim,Iksoo Kim,Daihong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and ID generator configured as semiconductor device

Номер патента: US20050047227A1. Автор: Atsushi Noda,Kenichi Ohkubo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and resin binder for assembling semiconductor device

Номер патента: EP1449251A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-25.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185325A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: US20200402943A1. Автор: Michael Zitzlsperger,Matthias Goldbach,Matthias Hien,Ludwig PEYKER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for manufacturing semiconductor device and pre-clean apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20190164826A1. Автор: Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Jung-Tang WU,Szu-Hua Wu,Pao-Sheng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185264A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

A method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: EP4273908A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: US20230360929A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

method of forming a multi-layer in a semiconductor device and method of forming a capacitor and a gate dielectric layer using the same

Номер патента: KR100505056B1. Автор: 김경석,박영욱,최한메,임은택,강동조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150364326A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Thin profile battery bonding method, method of conductively interconnecting electronic components, battery powerable apparatus, radio frequency communication device, and electric circuit

Номер патента: US20020179239A1. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of reducing switching noise in a power distribution system by external coupled resistive terminators

Номер патента: US20040169571A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Tsun-hsu Chang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-09-02.

Method of reducing switching noise in a power distribution system by external coupled resistive terminators

Номер патента: US7102466B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Tsun-hsu Chang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2006-09-05.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High-brightness and high-power semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4243226A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of determining and/or setting an emission wavelength of a laser device and laser device

Номер патента: WO2020253960A1. Автор: Martin Schell,Norbert Keil,Magnus Happach,David De Felipe Mesquida. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Structure and Method of Forming a Joint Assembly

Номер патента: US20240282743A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Ying-Ju Chen,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-die structure and method of forming same

Номер патента: US09761566B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240071950A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240222240A1. Автор: Yoon Ju Kim,Yu Cheol PARK,Jeong Kwang SEO,Chan Yang CHOE. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Power semiconductor module

Номер патента: US20180090441A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit package pad and methods of forming

Номер патента: US09812337B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US09711399B2. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US12107051B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: US20210183651A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: US20200211843A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of forming tungsten structures

Номер патента: EP3903343A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,John Mark Meldrim,David Ross Economy,Brian BEATTY,Yongiun Jeff HU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US20170309554A1. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Decoupling MIM Capacitor Designs for Interposers and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155700A1. Автор: Chen-Jong Wang,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US09899248B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US09875892B2. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030057493A1. Автор: Atsuo Hirabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09812390B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US12027972B2. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US20230268828A1. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20180286774A1. Автор: Yuji Nishibe,Shinichi Miura,Yasuyuki Kageyama,Yasuhide Yagyu,Yasuyoshi Saito. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Modular multiple converter provided with reverse-conducting power semiconductor relays

Номер патента: RU2587683C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-06-20.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

A method of manufacturing silicon-on-insulator wafers

Номер патента: WO2013134010A2. Автор: Jeffrey L. Libbert,Guoqiang D. Zhang. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US11804785B2. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-31.

Power electronic arrangement with a multi-phase power semiconductor module

Номер патента: US20210336553A1. Автор: Jürgen Steger,Andreas Maul. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Power semiconductor module

Номер патента: EP3298626A1. Автор: Daniel Kearney,Slavo Kicin,Felix TRAUB,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-03-28.

Method of forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB9727080D0. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040241928A1. Автор: Takuya Maruyama,Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW444299B. Автор: Sung-Gyu Pyo,Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-07-01.

Method of forming a sog film in a semiconductor device

Номер патента: GB9610103D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Magnetic cell structures, and methods of fabrication

Номер патента: US09768377B2. Автор: Wei Chen,Sunil Murthy,Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor module

Номер патента: US7928587B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sasaki,Hirokazu Inoue,Akihiro Tamba,Shinji Hiramitsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Power electronics device and power electronics functional system

Номер патента: US20230124909A1. Автор: Andreas Humbert,Bao Ngoc An,Jens KROITZSCH. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-04-20.

Device and method for increasing the reliability of a power module

Номер патента: US11929346B2. Автор: Stefan Mollov,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Device and method for increasing the reliability of a power module

Номер патента: US20230141711A1. Автор: Stefan Mollov,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Device and method for increasing the reliability of a power module

Номер патента: WO2021200057A2. Автор: Stefan Mollov,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10796976B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11901255B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of manufacturing an isolation region of a semiconductor device with advanced planarization

Номер патента: US5851901A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11978700B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-07.

Structure and method of forming a joint assembly

Номер патента: US12009335B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Ying-Ju Chen,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module

Номер патента: US8228113B2. Автор: Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-24.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method and device for increasing the reliability of a power module

Номер патента: EP3890010A1. Автор: Stefan Mollov,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200111750A1. Автор: Stefan Beyer,Marius Aurel Bodea,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Power planning method, chip device, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20240243063A1. Автор: Cheng-chen HUANG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09646923B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device with high heat dissipation property using hexagonal boron nitride and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285244A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Youn Sub Noh,Seong Il Kim,Il Gyu CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with a thermal via

Номер патента: US20110275180A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang,Ming Yu Shih. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240332129A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024206837A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Module and method of manufacturing a module

Номер патента: US09691687B2. Автор: Ulrich Krumbein,Horst Theuss,Helmut Wietschorke,Daniel Kehrer,Stefan Martens,Tze Yang Hin,Beng-Keh See. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Power module and method for producing a power module

Номер патента: EP4214749A1. Автор: Thomas Gradinger,Niko PAVLICEK,Didier Cottet,Chunlei Liu,Felix TRAUB,Juergen Schuderer,Daniele Torresin,Fabian MOHN,Giovanni A. SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-26.

Methods of forming semiconductor device packages including a semiconductor device and a redistribution element, methods of forming redistribution elements and methods for packaging semiconductor devices

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Photoelectric conversion element, method of manufacturing the same, solid state image sensor, electronic device, and solar cell

Номер патента: US12114516B2. Автор: Yukio KANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of forming recessed oxide isolation

Номер патента: CA1065497A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1979-10-30.

Power semiconductor module arrangement and method for forming the same

Номер патента: US20230420334A1. Автор: Alexander Heinrich,Catharina Wille,Timo Bohnenberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US20160307797A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: EP3087584A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Forming multilayer interconnections for a semiconductor device by vapor phase growth process

Номер патента: US4670967A. Автор: Yoshikazu Hazuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Method of Forming Semiconductor Packages Having Through Package Vias

Номер патента: US20230378075A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US11837550B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a stack of packaged memory dice

Номер патента: US20040038450A1. Автор: Jerrold King,Jerry Brooks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of forming a metal bump on a semiconductor device

Номер патента: US7846831B2. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

METHOD OF FORMING A PLANAR SURFACE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140162455A1. Автор: Zagrebelny Andrey V.,Varghese Sony,Lu Jin,Carswell Andrew Dennis Watson,Huang Wayne Hai-Wei,Kondoju Siddartha,Ramakrishnan Suresh,Sakai Kozaburo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

PRIMER COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PRIMER LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Mahler Joachim,Lee Swee Kah,Goh Soon Lock,Tan Yik Yee,Krishnan Jagen,Tai Chew Theng,LIM Poh Cheng,TEH Peh Hean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US9153451B2. Автор: Jin Lu,Andrew Dennis Watson Carswell,Wayne Hai-Wei Huang,Siddartha Kondoju,Suresh Ramakrishnan,Kozaburo Sakai,Sony Varghese,Andrey V. Zagrebelny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method of forming a tungsten contact in a semiconductor device and equipment of forming a tungsten contact

Номер патента: KR100583637B1. Автор: 이상우,최길현,최경인,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming a photoresist layer

Номер патента: US20150243500A1. Автор: Chih-Chien Wang,Hung-Chang Hsieh,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Decoupling MIM Capacitor Designs for Interposers and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140235019A1. Автор: Chen-Jong Wang,Kuo-Chi Tu,Kuo-Chyuan Tzeng,Hsiang-Fan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058579A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming a gate contact in a semiconductor device

Номер патента: US20040043592A1. Автор: Jonathan Davis,Francis Goodwin,Michael Rennie. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: US20060088977A1. Автор: Young Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: GB9425300D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: HK1010423A1. Автор: Kyeong Keon Choi. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-06-17.

Semiconductor device and storage system

Номер патента: US20230007849A1. Автор: Yanwu WANG,Huifang Dai,Yade FANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US12074082B2. Автор: Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Tomohisa Yamane,Hisayuki Taki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US20160211206A1. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming silicide film having excellent thermal stability, semiconductor device and semiconductor memory device comprising silicide film formed by the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR100738066B1. Автор: 박윤창,최철종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Power converter including a power module allowing main current supply and cutoff

Номер патента: US9270195B2. Автор: Shinichi Fujino,Yusuke Takagi,Takuma Hakuto. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-02-23.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US9806013B2. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US8084840B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20070013392A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-18.

Power Semiconductor Devices Including Multiple Layer Metallization

Номер патента: US20240213196A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,Thomas Edgar Harrington, III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09875972B1. Автор: Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Shou-Zen Chang,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Chi-Ming Huang,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of passivating semiconductor devices and the passivated devices

Номер патента: US5880029A. Автор: Kurt Eisenbeiser,Jenn-Hwa Huang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor device including interlayer insulating film

Номер патента: US5132774A. Автор: Hideo Kotani,Shigeo Nagao,Atsuhiro Fujii,Masazumi Matsuura,Hideki Genjo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of forming a wiring structure in a semiconductor device

Номер патента: US7829458B2. Автор: Jae-Choel Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-09.

Radiation hardened semiconductor devices and packaging

Номер патента: US20230387079A1. Автор: Chong Leong Gan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method to Form a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20140061738A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Jiech-Fun Lu,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo,Chung Chien Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

A semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a circuit having the semiconductor device

Номер патента: TWI532182B. Автор: Takashi Takahama,Naoki Tega,Dai Hisamoto,Hiroyuki Okino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-01.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20230238309A1. Автор: Wu Wei,Yang Xiaorui. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device and manufacturing a flash memory cell using the same

Номер патента: KR100427537B1. Автор: 이승철,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of manufacturing a terminal of a power semiconductor component and electronic component with a terminal manufactured in this manner

Номер патента: EP1988569A2. Автор: Rainer Kreutzer,Martin Birner,Heinz Dr. Wöllmer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-11-05.

Magnetic element, manufacturing method of magnetic element, and power module

Номер патента: US20210005378A1. Автор: Yan Tong,Jinping Zhou,Pengkai Ji,Shouyu Hong,Xiaoni Xin,Qingdong Chen,Yiqing Ye,Ganyu ZHOU,Zhiheng FU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09620783B2. Автор: Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Zhonghe BI,Craig A. Bridges. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: US20210002310A1. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Borgardts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: US11905307B2. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Boergardts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-20.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: WO2019183716A1. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Borgardts. Владелец: Boergardts Markus. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of preventing leakage current in a power tool and power tool

Номер патента: EP3846276C0. Автор: Justin Clack. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2023-07-12.

Cooling fan variable-frequency control system for a power transformer

Номер патента: US09959966B2. Автор: Chia-Ching Lin,Ming-He Lin. Владелец: Fortune Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Magnetic element, manufacturing method of magnetic element, and power module

Номер патента: US12002615B2. Автор: Yan Tong,Jinping Zhou,Pengkai Ji,Shouyu Hong,Xiaoni Xin,Qingdong Chen,Yiqing Ye,Ganyu ZHOU,Zhiheng FU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Circuit protection devices and methods of monitoring protection devices in a power distribution system

Номер патента: US09748763B2. Автор: Marcelo Esteban Valdes,Michael Constantin Von Kannewurff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of switching operational modes of a power converter

Номер патента: US20230179101A1. Автор: Jun-Hao Huang,Hsin-Hung Lu,San-Yi Li,Hung-Ting Hsu. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of switching operational modes of a power converter

Номер патента: US12034374B2. Автор: Jun-Hao Huang,Hsin-Hung Lu,San-Yi Li,Hung-Ting Hsu. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of operating a controller for a power converter, and a corresponding controller

Номер патента: US09748838B2. Автор: Kin Wai Roy CHEW,Liter SIEK. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of switching on and off a power amplifier, related power amplifier circuit, system and computer program product

Номер патента: US20180152164A1. Автор: Salvatore Scaccianoce,Angelo Scuderi,Antonino Calcagno,Giorgio Maiellaro,Gesualdo Alessi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

System and method of producing direct audio from a power supply

Номер патента: EP1269624A4. Автор: Manuel D Rodriguez. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2004-10-06.

System and method of producing direct audio from a power supply

Номер патента: EP1269624A2. Автор: Manuel D. Rodriguez. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Apparatus for and method of a supply modulator for a power amplifier

Номер патента: US09602057B1. Автор: Seung Chul Lee,Yong Sik Youn,Thomas Byunghak Cho,Ji Seon Paek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus for and method of a supply modulator for a power amplifier

Номер патента: US20170187332A1. Автор: Seung Chul Lee,Yong Sik Youn,Thomas Byunghak Cho,Ji Seon Paek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-29.

Image forming system, method of controlling image forming apparatus by using messenger application of mobile device, and the mobile device for performing method

Номер патента: US09742937B2. Автор: Jeong-Jin Park,Hong-Rok Woo,Jae-Young Soh. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of operating a lamp having a power supply with rms voltage regulated output

Номер патента: WO2008039292A3. Автор: Matthew B Ballenger,George B Kendrick,Ernest C Weyhrauch. Владелец: Ernest C Weyhrauch. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of operating a lamp having a power supply with rms voltage regulated output

Номер патента: EP2067380A2. Автор: Matthew B. Ballenger,George B. Kendrick,Ernest C. Weyhrauch. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of supplying electric power to a power supply network by means of supply unit controlled by converters

Номер патента: RU2725761C1. Автор: Йоханнес БРОМБАХ. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2020-07-06.

Systems and Methods of Dynamic Reactive Support for a Power Transmission System

Номер патента: US20090212643A1. Автор: Bruce Edward English,John Paul Skliutas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-08-27.

A power electronics module and a method of detecting a fault in a power electronics module

Номер патента: GB2564700A. Автор: Jayampathi Gajanayake Chandana,Sathik Mohamed,Kumar Gupta Amit,Dharmasiri Gamini Jayasinghe Shantha. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2019-01-23.

Method of switching on and off a power amplifier, related power amplifier circuit, system and computer program product

Номер патента: US10312878B2. Автор: Salvatore Scaccianoce,Angelo Scuderi,Antonino Calcagno,Giorgio Maiellaro,Gesualdo Alessi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

System and method of constructing a plant on a power island

Номер патента: WO2023132821A1. Автор: Thorsten Steinhoff,Carolin Weber,Thomas Haupt. Владелец: Siemens Energy Global GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2023-07-13.

Power conversion system, and a method of power conversion using such a power conversion system

Номер патента: CA2118877C. Автор: Masahiro Watanabe,Masahiko Amano,Hiroo Konishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-02-25.

Method of synchronizing a generator with a power supply network

Номер патента: US20220294230A1. Автор: Georg Arnold,Simon SCHMIDT,Tobias TRIENDL,Andreas BIRGEL. Владелец: Innio Jenbacher GmbH and Co OG. Дата публикации: 2022-09-15.

A switched mode power supply charger device, kit, and methods of manufacturing and using such a power supply device

Номер патента: EP4297237A1. Автор: MARTIN Dietrich,Jan Christian Langsdorf,Jannik Loeper. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2023-12-27.

Switched mode power supply charger device, kit, and methods of manufacturing and using such a power supply device

Номер патента: US20230421065A1. Автор: MARTIN Dietrich,Jan Christian Langsdorf,Jannik Loeper. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

A switched mode power supply charger device, kit, and methods of manufacturing and using such a power supply device

Номер патента: WO2023248175A1. Автор: MARTIN Dietrich,Jan Christian Langsdorf,Jannik Loeper. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of synchronizing a generator with a power supply network

Номер патента: US11876379B2. Автор: Georg Arnold,Simon SCHMIDT,Tobias TRIENDL,Andreas BIRGEL. Владелец: Innio Jenbacher GmbH and Co OG. Дата публикации: 2024-01-16.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for operating a power converter in a soft-switching range and power converter adapted to said method

Номер патента: EP1894291B1. Автор: HAIMIN TAO,Machiel A. M. Hendrix,Jorge L. Duarte,Andrew Kotsopoulos. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-08-19.

Method of and apparatus for highlighting region to be highlighted in display device, and record medium storing highlight method

Номер патента: US20030179238A1. Автор: Ui-chol Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Image forming system, method of controlling image forming apparatus by using messenger application of mobile device, and the mobile device for performing method

Номер патента: US20160330336A1. Автор: Jeong-Jin Park,Hong-Rok Woo,Jae-Young Soh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of configuring a high-frequency radio module, associated multiband radio communication device and system

Номер патента: GB2514548A. Автор: Patrice Nezou,Francois Thoumy,Pascal Viger. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Methods of responding to an orientation or motion of a portable electronic device, and related devices

Номер патента: EP2820830A1. Автор: Andreas Thuröe. Владелец: SONY MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2015-01-07.

Semiconductor Device and Voltage Regulator Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20080197829A1. Автор: Kohji Yoshii,Toshihisa Nagata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Power supply system, electronic device, and electricity distribution method of electronic device

Номер патента: US09935467B2. Автор: Zhiji DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

System and method of message-based power management

Номер патента: EP1609047A1. Автор: Alon Naveh,Mohan Kumar,Andrew Martwick,Mickey Gutman,Gary Solomon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

System and method of message-based power management

Номер патента: WO2004095246A1. Автор: Alon Naveh,Mohan Kumar,Andrew Martwick,Mickey Gutman,Gary Solomon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-11-04.

Power electronics unit having an integrated current sensor for forming a module; and drive train

Номер патента: US20230199996A1. Автор: Linbo Tang,Marco BENDER,Matthias Kästle,Jan-Ulrich Biskup. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Switchable apparatus, well site and control method thereof, device, and storage medium

Номер патента: US12060784B2. Автор: Peng Zhang,Jianwei Wang,Liang LV,Yipeng WU,Rikui Zhang,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Zhuqing Mao. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for optimizing power loads in a power distribution unit

Номер патента: EP2494670A2. Автор: Michael Jansma. Владелец: American Power Conversion Corp. Дата публикации: 2012-09-05.

Electric vehicle noise sniffer and methods of mitigating packet flow interruptions by noise cancellation and avoidance of noise region envelopes

Номер патента: US20240243774A1. Автор: Willem Jager,Peter Mankowski,Muhammad Ikhlas,Lucas Malta Valle COELHO,Andrei Buin,Daniel HAILU. Владелец: ACCELERATED SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Electric vehicle noise sniffer and methods of mitigating packet flow interruptions

Номер патента: CA3217899A1. Автор: Willem Jager,Peter Mankowski,Muhammad Ikhlas,Lucas Malta Valle COELHO,Andrei Buin,Daniel HAILU. Владелец: ACCELERATED SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Apparatus and methods for reducing capacitive loading of a power amplifier supply control module

Номер патента: US20140203878A1. Автор: Russ Alan REISNER,Yu-Jui LIN,Andy Cheng Pang Wu,Daniel Lee Kaczman. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Detecting method for an operating state of a power supply and a detecting apparatus

Номер патента: US20220349951A1. Автор: Jinfa Zhang,Haibin Song,Daofei Xu,Yunfei Liu. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: US12133315B2. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

An emergency stop device for a power tool, an electrical power pack, a power tool, system and method

Номер патента: WO2016096494A1. Автор: Karl Johan Lars Elsmark,Carl Johan LARSSON,Niklas STAHRE. Владелец: ATLAS COPCO INDUSTRIAL TECHNIQUE AB. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase change structure, method of forming a phase change layer, phase change memory device and method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: TW201135999A. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-16.

Method of detecting a fault in a pulsed power distribution system

Номер патента: US20240159814A1. Автор: Masud Bolouri-Saransar,Ronald A. Nordin,Paul W. Wachtel. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of detecting a fault in a pulsed power distribution system

Номер патента: US11921146B2. Автор: Masud Bolouri-Saransar,Ronald A. Nordin,Paul W. Wachtel. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

System for remotely controlling electronic device and method of operating the same

Номер патента: US09998427B2. Автор: Taeho Kim,Hongkyun Kim,Shinhyun KIM,Hyomin Oh,Yongwan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

System and method for wireless power transfer using a power converter with a bypass mode

Номер патента: US09935470B2. Автор: Siamak Abedinpour,Rosario Pagano,Angel Maria Gomez Arguello,Christopher Joseph Daffron. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of combining parametric multichannel audio encoding with matrix multichannel encoding three-dimensional sound

Номер патента: RU2382418C2. Автор: Кристоф ФАЛЛЕР,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ,Ральф ШПЕРШНАЙДЕР,Карстен ЛИНЦМАЙЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердергунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of operating a power distribution system

Номер патента: EP3815209A1. Автор: William Martin. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2021-05-05.

Method of operating a power distribution system

Номер патента: US12040614B2. Автор: William Martin. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2024-07-16.

Imaging device, finder device, method of controlling imaging device, method of controlling finder device, control program for imaging device, and control program for finder device

Номер патента: US20200259983A1. Автор: Takashi Aoki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Power electronics unit having an integrated current sensor for forming a module; and drive train

Номер патента: US11839044B2. Автор: Linbo Tang,Marco BENDER,Matthias Kästle,Jan-Ulrich Biskup. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-12-05.

Power sourcing management method, device and system

Номер патента: EP3637675A1. Автор: Rui Hua,Yan Zhuang,Shiyong Fu,Jincan Cao,Fuguang Huang,Xueqi Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-15.

Semiconductor device and receiver

Номер патента: US20150103931A1. Автор: Toshiya Aramaki,Kiyoshi Yanagisawa,Osamu Inagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch

Номер патента: WO2012003581A1. Автор: Hanching Fuh,Lui Ram (Ray). Владелец: SIGE SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Power management system, power management method, electronic device and storage medium

Номер патента: AU2023222853A1. Автор: Minjie Pan. Владелец: Winone Elevator Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Inertial measurement device, method of operating inertial measurement device, imaging device, display device, and program

Номер патента: US20240328790A1. Автор: Tetsuro Sato,Kosei Yamashita,Masato KIMISHIMA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Power source equipment and power supply control method

Номер патента: US12113441B2. Автор: Chien Sheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Establishing a wireless communication between a fluid processing medical device and a medical accessory

Номер патента: US09913940B2. Автор: Thierry Court. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09876499B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of feeding back MU-CQI in a communication system, transmission point device, and user equipment

Номер патента: US09743304B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: US20220091177A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: WO2020179263A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and device for monitoring gate signal of power semiconductor

Номер патента: US12013428B2. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne,Julio Cezar BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Safety system for a powered system

Номер патента: WO2022192169A1. Автор: Morgan BEAM. Владелец: Gatekeyper, Llc. Дата публикации: 2022-09-15.

Power reception device, wearable device, and non-contact power feeding system

Номер патента: US11101699B2. Автор: Yoshinori TSURUDA,Sousuke Nakamura,Takahiro Miyaura. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Safety system for a powered system

Номер патента: CA3211287A1. Автор: Morgan BEAM. Владелец: Gatekeyper LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Safety system for a powered system

Номер патента: WO2022192169A8. Автор: Morgan BEAM. Владелец: Gatekeyper, Llc. Дата публикации: 2023-11-02.

Safety system for a powered system

Номер патента: WO2022192169A9. Автор: Morgan BEAM. Владелец: Gatekeyper, Llc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of determining whole-scene image by using multiple image-capturing devices

Номер патента: US09883115B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Wei-Chung Wang,Chi-Hung Huang. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2018-01-30.

Power save method, access point device, and station device

Номер патента: US09736776B2. Автор: Yunbo Li,Hufei Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Power module for operating an electric vehicle drive with improved temperature determination of the power semiconductors

Номер патента: US20210408939A1. Автор: Stefan Hain. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Snubber circuit, power semiconductor module, and induction heating power supply device

Номер патента: EP3850909A1. Автор: Takahiko Kanai. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Method of managing print jobs when error occurs in printing system and apparatus for performing the same

Номер патента: US20190163411A1. Автор: Chan Wook Kang,Hong Ju JIN. Владелец: Bixolon Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Charging device for wearable device and wearable device assembly

Номер патента: US20240250542A1. Автор: Yi Zhang,Bin Cai,Tieyi LIANG. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Charging device for wearable device and wearable device assembly

Номер патента: EP4335013A1. Автор: Yi Zhang,Bin Cai,Tieyi LIANG. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: EP3539288A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO Ltd. Дата публикации: 2019-09-18.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: US20180176520A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: WO2018110774A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Charging cable, power supply apparatus, terminal device, and communication system

Номер патента: EP4304100A1. Автор: Jialiang Zhang,Shangbo LIN,Hongguang Guo. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Charging device for wearable device and wearable device assembly

Номер патента: US20240356364A1. Автор: Yi Zhang,Bin Cai,Tieyi LIANG. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of determining operation mode for operating plurality of links with hub device and electronic device for performing the method

Номер патента: US20230300668A1. Автор: Sunghwan Kim,Hyunkee MIN,Kiyeong Jeong,Junsu CHOI,Junhak LIM,Hyeonu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Shake correction control device, operation method of shake correction control device, operation program of shake correction control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20210274099A1. Автор: Takashi Hashimoto,Tetsuya Fujikawa,Yi Pan,Masahiko Sugimoto,Tomonori Masuda,Yasunobu Kishine. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Automatic focus control device, operation method of automatic focus control device, operation program of automatic focus control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334052A1. Автор: Hideaki KOKUBUN. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20230247159A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

A method of switching on and off a power amplifier, related power amplifier circuit, system and computer program product

Номер патента: EP3327930B1. Автор: Salvatore Scaccianoce,Angelo Scuderi,Antonino Calcagno,Giorgio Maiellaro,Gesualdo Alessi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-29.

Control method, control device, and program

Номер патента: EP3238427A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20210112173A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20220124216A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Automatic focus control device, operation method of automatic focus control device, operation program of automatic focus control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334053A1. Автор: Hinako SUZUKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method of formatting data

Номер патента: US09667740B2. Автор: Suresh Pasumarthi,Anil Babu Ankisettipalli. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-05-30.

CURRENT DETECTOR CIRCUIT FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, IN PARTICULAR AN INTEGRATED POWER SEMICONDUCTOR SWITCH, SPECIFICALLY FOR USE IN MOTOR VEHICLES.

Номер патента: DE3685733D1. Автор: Aart Gerrit Korteling. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-07-23.

Mobile terminal, image display device and user interface provision method using the same

Номер патента: US09927942B2. Автор: Kwontae Lee,Youngkeun KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for optimizing power loads in a power distribution unit

Номер патента: WO2011059585A2. Автор: Michael Jansma. Владелец: AMERICAN POWER CONVERSION CORPORATION. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method of device identification for enrollment and registration of a connected endpoint device, and blockchain service

Номер патента: IL275294B1. Автор: . Владелец: Mocana Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method of device identification for enrollment and registration of a connected endpoint device, and blockchain service

Номер патента: IL275294B2. Автор: . Владелец: Mocana Corp. Дата публикации: 2024-09-01.

Stop drive control device, operation method of stop drive control device, operation program of stop drive control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334071A1. Автор: Masato Fujii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Switchable apparatus, well site and control method thereof, device, and storage medium

Номер патента: US20220220836A1. Автор: Peng Zhang,Jianwei Wang,Liang LV,Yipeng WU,Rikui Zhang,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Zhuqing Mao. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of maximizing power efficiency for power amplifier system and power amplifier system thereof

Номер патента: US20230268888A1. Автор: Chung-Cheng Wang,Tzu-Yun Wang,Kang-Ming Tien. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of detecting a fault in a pulsed power distribution system

Номер патента: EP4236208A3. Автор: Masud Bolouri-Saransar,Paul W. Wachtel,Ronald Nordin. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Switchable Apparatus, Well Site and Control Method Thereof, Device, and Storage Medium

Номер патента: US20230220757A1. Автор: Peng Zhang,Jianwei Wang,Liang LV,Yipeng WU,Rikui Zhang,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Zhuqing Mao. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Emergency stop device for a power tool, an electrical power pack, a power tool, system and method

Номер патента: US20170341197A1. Автор: Karl Johan Lars Elsmark,Carl Johan LARSSON,Niklas STAHRE. Владелец: ATLAS COPCO INDUSTRIAL TECHNIQUE AB. Дата публикации: 2017-11-30.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Electric vehicle noise sniffer and methods of mitigating packet flow interruptions

Номер патента: WO2022234482A1. Автор: Willem Jager,Peter Mankowski,Muhammad Ikhlas,Lucas Malta Valle COELHO,Andrei Buin,Daniel HAILU. Владелец: ACCELERATED SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Wearable electronic device and assembly method

Номер патента: EP4398048A2. Автор: Yongyi Kim,Heeyoung Kim,Donghoo JANG,Jonggwan JUNG,Seonho HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

System and method for wireless power transfer using a power converter with a bypass mode

Номер патента: WO2017075251A1. Автор: Siamak Abedinpour,Rosario Pagano,Angel Maria Gomez Arguello,Christopher Joseph Daffron. Владелец: Integrated Device Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of recycling gas emissions of a power unit

Номер патента: RU2743174C2. Автор: Алексей Сергеевич Архипов. Владелец: Алексей Сергеевич Архипов. Дата публикации: 2021-02-15.

Computing device and methods of detecting thermal hotspots in a power distribution system

Номер патента: US09638733B2. Автор: John James Dougherty. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-02.

A method of evaluating circuit protection of a power network

Номер патента: EP4241196A1. Автор: Martin Slabbert,Raj Naidoo,Ramesh Bansal. Владелец: University Of Sharjah. Дата публикации: 2023-09-13.

A method of evaluating circuit protection of a power network

Номер патента: WO2022096993A1. Автор: Martin Slabbert,Raj Naidoo,Ramesh Bansal. Владелец: University Of Sharjah. Дата публикации: 2022-05-12.

A method of evaluating circuit protection of a power network

Номер патента: US20230409794A1. Автор: Martin Slabbert,Raj Naidoo,Ramesh Bansal. Владелец: University Of Sharjah. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of design and manufacture of a power electronics converter for an aircraft

Номер патента: WO2023232647A1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: ROLLS-ROYCE DEUTSCHLAND LTD & CO KG. Дата публикации: 2023-12-07.

A method of sizing and/or operating a power-to-x-system

Номер патента: EP4375894A1. Автор: Alexander Maier,Maximilian Jarosch. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-05-29.

A test socket for and method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: EP4372388A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

Test socket for and a method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: US20240168055A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method of oxygen deficiency warning in a powered air purifying respirator

Номер патента: US20130174845A1. Автор: Swapnil Gopal Patil,Praveen Kumar Palacharla,Vinay Kumar Vinnakota. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

System and method of oxygen deficiency warning in a powered air purifying respirator

Номер патента: US09808656B2. Автор: Swapnil Gopal Patil,Praveen Kumar Palacharla,Vinay Kumar Vinnakota. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of detecting mechanical interference of a power closure member for a vehicle

Номер патента: US09650815B2. Автор: Markus Link,Gregory Alan Conner. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of synchronising at least one multimedia peripheral device of portable communication device and corresponding communication device

Номер патента: RU2402166C2. Автор: Миньх ЛЭ,Мюрьель ГОН,Мишель ГИЙБО,Миньх ЛЭ (FR),Мюрьель ГОН (FR),Мишель ГИЙБО (FR). Владелец: Т энд А МОБИЛ ФОНС ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2010-10-20.

Training method of brain activity state classification model, brain activity state classification method, device, and storage medium

Номер патента: US20240257943A1. Автор: Han Lu,Hongxing Liu,Buwei Yu,Tielin ZHANG. Владелец: Ruianxing Medical Technology Suzhou coLtd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of v-by-one (vbo) signal processing for saving hardware resources, device, and terminal thereof

Номер патента: US20210201845A1. Автор: Guangxing XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: EP2252585A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-11-24.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of preparing polymorphic form A of bazedoxifene acetate

Номер патента: US8183367B2. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US20160131925A1. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US9798215B2. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US09798215B2. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of using excess heat of a power oil transformer to heat nearby objects

Номер патента: RU2742670C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Анатолий Игоревич Сопов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4005972A1. Автор: Paolo Ferrari,Benedetto Vigna,Lorenzo Baldo,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi,Ilaria Gelmi,Laura Maria Castoldi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-01.

A method of locating a fault in a power transmission medium

Номер патента: GB2545646A. Автор: King Rosemary. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2017-06-28.

Apparatus and method of neutral start control of a power transmission

Номер патента: US5809441A. Автор: Kevin D. McKee. Владелец: Case LLC. Дата публикации: 1998-09-15.

System and method of oxygen deficiency warning in a powered air purifying respirator

Номер патента: EP2612693A3. Автор: Swapnil Gopal Patil,Praveen Kumar Palacharla,Vinay Kumar Vinnakota. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210096475A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Shinn-Sheng Yu,Kenji Yamazoe,Minfeng CHEN,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230333486A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Shinn-Sheng Yu,Kenji Yamazoe,Minfeng CHEN,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for checking the availability of a hydraulic fallback level in a power brake system with electronic slip control; electronic control device for a power brake system with electronic slip control, and power brake system with electronic slip control having an electronic control device

Номер патента: US20230192060A1. Автор: Martin Marquart,Florian Haag,Nikolas Loeffelmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20230400639A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US11796739B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US20170174507A1. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of rewriting data of memory device, memory controller controlling the memory device, and controlling method of the memory controller

Номер патента: US20200202953A1. Автор: Eun Chu Oh,Young-geun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of position planning for a recording system of a medical imaging device and medical imaging device

Номер патента: US20210038181A1. Автор: Christian Ullrich,Hans Schweizer,Hermann Georg MAYER,Veronika HEINRICH. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US20240194232A1. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of improving stability and communication efficiency of IrDA communication between host device and peripheral device

Номер патента: US20020032812A1. Автор: Hiroyasu Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of withdrawing fibers from a combing roller of a fiber separating device and device for performing said method

Номер патента: US3712042A. Автор: M Chrtek,C Doudlebsky,S Kabele. Владелец: Vyzkumny Ustav Bavlnarsky AS. Дата публикации: 1973-01-23.

Control method of electro-optical device, controller of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20120287174A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and program used in the semiconductor device

Номер патента: US20190087329A1. Автор: Takashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and startup control method for semiconductor device

Номер патента: US20240143465A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Takahiro Irita,Kyohei Yamaguchi,Kiyoshi Hayase,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of automatic pid controller tuning for controlling a diesel engine in electric sets and power plants

Номер патента: RU2653938C2. Автор: Юрий Евгеньевич Хрящев,Сергей Владимирович Овчинников,Дмитрий Андреевич Епанешников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Электротехнический завод ЭЛЗА". Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: EP4332784A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device and communication method in the semiconductor device

Номер патента: US20240078203A1. Автор: Jung Yang Bae. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and operation monitoring method for semiconductor device

Номер патента: US20090243627A1. Автор: Takayoshi Nakamura,Kanta Yamamoto,Shigetaka Asano,Tohru Yasuda,Kazufumi Komura,Katsumi Furukawa,Nobuyoshi Nakaya,Keiichi Fujimura,Hirohisa Nishiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

System of testing semiconductor devices, a method for testing semiconductor devices, and a method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20060226053A1. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

System of testing semiconductor devices, a method for testing semiconductor devices, and a method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20100068833A1. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US11942181B2. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Photomask layout for a semiconductor device and method of forming a photomask pattern using the photomask layout

Номер патента: US20080113278A1. Автор: Sang-Hee Lee,Ho-June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Chip design method, design device, computer device and storage medium

Номер патента: US20220067264A1. Автор: FENG Lin,Zengquan WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Measurement method of flatband voltage of power semiconductor module

Номер патента: WO2023181444A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

A powered watercraft and a method of implementing a dead mans switch on a powered watercraft

Номер патента: SE2251527A1. Автор: Aleksandar RODZEVSKI,Dimitrios Triantafillidis,Philip SVENINGSSON,Malmqvist Martin Pråme,Daniel Nordahl. Владелец: RIDE AWAKE AB. Дата публикации: 2024-06-22.

Method of manufacturing bottom chassis and method of manufacturing curved display device, and curved display device using the same

Номер патента: US20240192546A1. Автор: Yong Taek Kim,Hwanjin KIM. Владелец: Tovis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Torque control of a power-plant for launching a vehicle with a manual transmission

Номер патента: US09670857B2. Автор: Krishnendu Kar,Leon Cribbins,Thomas Weglarz. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Controlling the operation of a power plant

Номер патента: WO2022184519A1. Автор: Bert Gollnick,Malik Ali Zaib Khokhar,Xavier Vives Jaume. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy A/S. Дата публикации: 2022-09-09.

Controlling the operation of a power plant

Номер патента: US20240229768A9. Автор: Bert Gollnick,Malik Ali Zaib Khokhar,Xavier Vives Jaume. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including current compensator

Номер патента: US20140160864A1. Автор: Sam Kyu Won,Duck Ju Kim,Cheul Hee Koo,Won Kyung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Optical protective device (versions), method of manufacturing of the specified device and method of verification of the protected object containing the specified optical protective device

Номер патента: RU2725667C1. Автор: Антон Станиславович Сазонов,Владимир Маркович Козенков,Данила Александрович Кожевников,Андрей Валентинович Смирнов,Леонид Игоревич Смирнов,Александр Михайлович Сергиенко,Борис Рудольфович Шаталов,Тимур Октаевич ПАШАЕВ,Валерий Васильевич БАБЮК. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение "Криптен". Дата публикации: 2020-07-03.

Design structure for estimating and/or predicting power cycle length, method of estimating and/or predicting power cycle length and circuit thereof

Номер патента: US20090268541A1. Автор: Nitin Sharma,Kenneth J. Goodnow,Clarence R. Ogilvie,Sebastian T. Ventrone,Charles S. Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of manufacturing waveguide microwave devices and elements on 3d printer by method of fused deposition modelling of thread composite abs plastic

Номер патента: RU2642791C1. Автор: Виктор Иванович Классен,Борис Аркадьевич Левитан,Илья Александрович Просвиркин,Владимир Павлович Зотеев. Владелец: Акционерное общество "Радиокомпания "Вектор". Дата публикации: 2018-01-26.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Indicating levels relating to a power system

Номер патента: WO2009010730A1. Автор: Sophie Kate Orme. Владелец: Solar Century Holdings Limited. Дата публикации: 2009-01-22.

Ship (versions), roll reducing device, immersible body, stabilisation device and method of pitch reduction

Номер патента: RU2433937C2. Автор: Винсент Джордж МАККАРТИ,Кристофер Джон ДАНЛОП. Владелец: Сайпем ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Self-healing targets, methods of manufacturing self-healing targets, and methods of utilizing self-healing targets

Номер патента: US20230417517A1. Автор: Elijah David Lorence. Владелец: Infinite Defense LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of Generating Estimated Value of Local Inverse Speaking Rate (ISR) and Device and Method of Generating Predicted Value of Local ISR Accordingly

Номер патента: US20210035598A1. Автор: Chen-Yu Chiang,Guan-Ting Liou,Yih-Ru Wang,Sin-Horng Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of navigating an unmanned vehicle and system thereof

Номер патента: SG11201906986WA. Автор: Ofir COHEN,Dina Appelman. Владелец: Israel Aerospace Ind Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Dual-mode igniter and two-mode method of injection for ignition of rocket engine

Номер патента: RU2636357C2. Автор: КРА Жан-Люк ЛЕ,Сирил ВЕРПЛАНК. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2017-11-22.

Method of automatic zooming control, apparatus, electronic device, and computer readable storage medium applying the method

Номер патента: US20240230844A1. Автор: Chih-Liang CHANG. Владелец: Rayprus Technology Foshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern using the composition, process for manufacturing electronic device and electronic device

Номер патента: WO2013047911A1. Автор: Junichi Ito,Shinichi Sugiyama,Kaoru Iwato,Toshiaki Fukuhara,Akinori Shibuya,Tomoki Matsuda,Shohei Kataoka,Masahiro Yoshidome,Naohiro Tango,Yoko TOKUGAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Storage device, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US20210049096A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Turbine, power generation system and method of assembling the turbine

Номер патента: WO2015191220A1. Автор: Douglas Carl Hofer,Azam Mihir Thatte,Chiranjeev Singh Kalra. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of cleaning flue tubes in a power plant, method of operating a power plant and heat recovery unit

Номер патента: GB201608363D0. Автор: . Владелец: Enviropower Ltd. Дата публикации: 2016-06-29.

Device for device for distributed semantic processing and communication, and method of operating the same

Номер патента: WO2024165162A1. Автор: Abdellatif ZAIDI,Piotr KRASNOWSKI,Milad SEFIDGARAN. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method of network communication

Номер патента: US20050180423A1. Автор: Mao-Yuan Huang,Hsin-Tung Liao,Ming-Chen Weng. Владелец: Fine Appliance Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Luminance compensation method of display panel, luminance compensation apparatus, luminance compensation device, and storage medium

Номер патента: US20240274061A1. Автор: Yang Liu,Jingxiong Zhou,Zhiqiang Ge,Yinzeng LI. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Self-cleaning mixing devices and methods of using the same

Номер патента: EP2672816A2. Автор: Laurence G. Dammann,Johannes Gijsbertus Antonius Terlingen,Kimberly Anne Canale,Joshua Paul Siler. Владелец: Everris International BV. Дата публикации: 2013-12-18.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: EP1740630A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: CPH Innovations Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: WO2005082961A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: Cph Innovations Corp.. Дата публикации: 2005-09-09.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US20160109621A1. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of operating game machine

Номер патента: US20240165500A1. Автор: Ming-Shan Wei. Владелец: Paokai Electronic Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of monitoring and/or determining the condition of a force-measuring device, and force-measuring device

Номер патента: US20070119226A1. Автор: Jean-Maurice Tellenbach,Helmut Bäumel,Daniel Aepli. Владелец: Mettler Toledo Schweiz GmbH. Дата публикации: 2007-05-31.

Method Of Identifying A Vessel, A Vessel Identifying Device and A Floating Object and Land Installation Comprising A Vessel Identifying Device

Номер патента: US20240239452A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of identifying a vessel, a vessel identifying device and a floating object and land installation comprising a vessel identifying device

Номер патента: EP4403877A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-24.

Apparatus and method for enhancing security of data on a host computing device and a peripheral device

Номер патента: US09875354B1. Автор: Gita SRIVASTAVA,Piyush B. SRIVASTAVA. Владелец: GIGAVATION Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US09823389B2. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Generating a power model for an electronic device

Номер патента: US20130246829A1. Автор: Maria Lupetini. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of executing class classification processing using machine learning model, information processing device, and non-transitory computer-readable storage medium storing computer program

Номер патента: US20230169307A1. Автор: Shin Nishimura,Hikaru KURASAWA,Ryoki Watanabe,Tomomasa Usui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Crystalline form of hidamide, method of its production and use

Номер патента: RU2603138C1. Автор: Сяньпин ЛУ,Чжибинь ЛИ. Владелец: Шэньчжэнь Чипскрин Байосайенсиз, Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Electronic device for detecting error in field of protocol information unit and method of operating the same

Номер патента: US20240329877A1. Автор: Young Woo Lee,Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Young Kyu JEON,Won Kyoo Lee,Kyoung Ku Cho,Ji Wook KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of operating storage devices

Номер патента: US09928902B2. Автор: Sang-Won Hwang,Joon-Soo KWON,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Electronic device and content display method thereof

Номер патента: US09798371B2. Автор: Sang-Ho Kim,Jong-Bum Choi,Bo-seok MOON,Yang-Wook Kim,Seok-Weon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Devices and methods for curing nail gels

Номер патента: US09707537B2. Автор: Danny Lee Haile. Владелец: NAIL ALLIANCE LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Masturbation System and Method of Preparation for Use

Номер патента: US20240180775A1. Автор: Stanislav Kulyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of hydrogenation of phenol

Номер патента: WO2018057289A1. Автор: Alfred K. Schultz,Jose Antonio Trejo O'Reilly. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of driving liquid crystal display device during write period

Номер патента: US09659543B2. Автор: Fumiki Nakano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method, device, and computer program for verifying power supply monitoring

Номер патента: US20220082648A1. Автор: Olivier Tico,Domenico Desposito,Francesco d'Esposito. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Gate oxide deterioration estimation for power semiconductors

Номер патента: EP4249927A1. Автор: Nicolas Degrenne,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2023-09-27.

Cleaning device and steam control

Номер патента: EP4327715A3. Автор: Qinghe FAN,Guisheng NONG. Владелец: Anker Innovations Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Voltage generator, a method of generating a voltage and a power-up reset circuit

Номер патента: US09632521B2. Автор: Santiago Iriarte,Enrique Company BOSCH,Ramon Tortosa NAVAS. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming a hydrophilic surface coating on a medical device and a medical device prepared according to this method

Номер патента: US6387080B1. Автор: Carsten Bob Rodsten. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2002-05-14.

Display device and driving method thereof

Номер патента: US20220277683A1. Автор: Jong Man KIM,Jae Woo Ryu,Byeong Doo KANG,Yoon Sup KIM,Yoon Ju Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Controlling the operation of a power plant

Номер патента: EP4278085A1. Автор: Bert Gollnick,Malik Ali Zaib Khokhar,Xavier Vives Jaume. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Controlling the operation of a power plant

Номер патента: US20240133363A1. Автор: Bert Gollnick,Malik Ali Zaib Khokhar,Xavier Vives Jaume. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of controlling attempted penetration into premises with door locked by locking device and locking device proper

Номер патента: RU2361990C2. Автор: Борис Константинович Давыдов. Владелец: Борис Константинович Давыдов. Дата публикации: 2009-07-20.

Method of adaptation of lighting facilities of flying vehicles for night vision devices and device for realization of this method

Номер патента: RU2235666C2. Автор: Н.Ф. Кощавцев,И.А. Семенов,С.И. Кокшаров,Г.А. Падалко,В.В. Дудчак,Б.Н. Слюсарь,А.А. Калмычек,Б.И. Мельник,С.Л. Хаджинов,Т.В. Щедрина,С.А. Покотило. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Азовский оптико-механический завод". Дата публикации: 2004-09-10.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR MODULE HAVING LAYERED INSULATING SIDE WALLS

Номер патента: US20120001317A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of p-region formation

Номер патента: RU2534386C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: TW411580B. Автор: Bi-Lin Chen,Shiang-Yuan Jeng,Hau-Jie Liou. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

Cooling method of circulating water in cooling water pond

Номер патента: RU2541480C1. Автор: Александр Алексеевич Соловьев,Константин Владимирович Чекарев,Юрий Борисович Малых,Раис Искандрович Нигматулин. Владелец: Раис Искандрович Нигматулин. Дата публикации: 2015-02-20.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices such as transistors and diodes, and semiconductor devices manufactured by such methods

Номер патента: AU286756B2. Автор: Steinmeier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-09.

Method of manufacturing semiconductor devices using an electrolytic etching process and semiconductor device manufactured bythe method

Номер патента: AU3407468A. Автор: Leonardus Augustinus Herbertus Van Hoof Heu Arkus Joephus Antonius Van Duk. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-28.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices such as transistors and diodes, and semiconductor devices manufactured by such methods

Номер патента: AU4548464A. Автор: Steinmeier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-12-09.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A REDISTRIBUTION ELEMENT, METHODS OF FORMING REDISTRIBUTION ELEMENTS AND METHODS FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Corisis David J.,Kuan Lee Choon,Hui Chong Chin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Apparatus and Method of Delaying Inrush Current

Номер патента: NZ759556A. Автор: Jeremy Charles Gray. Владелец: Assembly Electronics Pty Ltd. Дата публикации: 2010-04-06.

Method of and system for driving a power transistor mos

Номер патента: PL313122A1. Автор: Jozef Skotniczny,Janusz Grzegorski,Aleksander Dziadecki. Владелец: Akad Gorniczo Hutnicza. Дата публикации: 1997-09-15.

A method of precharging a capacitor in a power distribution and protection system

Номер патента: GB202406324D0. Автор: . Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of admitting primary air into a power boiler

Номер патента: PL344924A1. Автор: Henryk Tymowski,Sebastian Pejm,Janusz Tchorz,Piotr Wiecek,Stanislaw Gruszka,Marek Bujny,Barbara Szendzielorz,Andrzej Dziubany,Wladyslaw PIKULA,Klemens Scierski,Janusz Zdeb,Jacek Ciesielski,Piotr Muszyński,Kazimierz Szynol. Владелец: Poludniowy Koncern Energetyczn. Дата публикации: 2002-07-01.

Semiconductor Device and Method of Forming a Fan-Out Structure with Integrated Passive Device and Discrete Component

Номер патента: US20120187572A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-07-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.