Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH INTERMEDIATE SWITCHING TRANSISTORS AND PROGRAMMING METHOD

NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH INTERMEDIATE SWITCHING TRANSISTORS AND PROGRAMMING METHOD

Номер патента: US20220036954A1
Опубликовано: 03-02-2022
Автор(ы): KO Kui-Han, LIM Bong-soon, PARK Il-Han, PARK Joo-Yong, PARK Joon-Young, PARK JUNE-HONG, YU Chang-Yeon
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile memory device with intermediate switching transistors and programming method

Номер патента: US11961564B2. Автор: Joon-Young Park,Il-han Park,Bong-Soon Lim,Chang-Yeon YU,Joo-Yong Park,June-Hong PARK,Kui-han Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Folding circuit and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704589B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US20210090657A1. Автор: Seongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Three-dimensional nonvolatile memory and method of performing read operation in the nonvolatile memory

Номер патента: US20200411097A1. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile memory device including multi-plane structure

Номер патента: US20170140824A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional nonvolatile memory and related read method designed to reduce read disturbance

Номер патента: US09799400B2. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional nonvolatile memory and related read method designed to reduce read disturbance

Номер патента: US09418749B2. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Nonvolatile memory device with improved reliability and operating speed

Номер патента: US09842654B2. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory devices relating to operation ranges

Номер патента: US09627083B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09543026B2. Автор: Il-han Park,Minsu Kim,Jung-ho Song,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US20240021252A1. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US11776638B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12033700B2. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240221844A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US10872672B2. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-22.

Non-volatile memory device implementing temperature compensation features

Номер патента: US12080358B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Woo Chul Jung,Bong-Kil Jung,Jong Min Baek,Min Ki JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230126012A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Woo Chul Jung,Bong-Kil Jung,Jong Min Baek,Min Ki JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory device having multi-level cell and method for its reading operation and program operation

Номер патента: KR100512181B1. Автор: 김동환,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-05.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US09627084B2. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Smart prologue for nonvolatile memory program operation

Номер патента: US12046303B2. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Sagar UPADHYAY,Bhaskar VENKATARAMAIAH,Pranav CHAVA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Smart prologue for nonvolatile memory program operation

Номер патента: US20240290405A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Sagar UPADHYAY,Bhaskar VENKATARAMAIAH,Pranav CHAVA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US09646672B1. Автор: Jae-il Kim,Youk-Hee Kim,Jun-Gi Choi,Jong-Sam Kim,Hee-Seong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09595331B1. Автор: SUNG Wook Jung,Jin HO KIM,Go-Hyun LEE,Ji Hui Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20220230687A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20210225451A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20170004886A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-05.

Nonvolatile memory device having connection unit for allowing precharging of bit lines in single step

Номер патента: US09653155B1. Автор: Ki-Chang Gwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile memory devices and methods of reading the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device for performing a partial read operation and a method of reading the same

Номер патента: US20190206500A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US8743602B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130083596A1. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20030017672A1. Автор: Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-23.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile Memory Device and Read Method Thereof

Номер патента: US20140254271A1. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US20160078955A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Byeong-ln Choe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of writing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US11862261B2. Автор: Heewon Lee,Chanha KIM,Kwangwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US7898865B2. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US20160027513A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US10418110B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09852796B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks

Номер патента: US09805807B2. Автор: Ji-Young Lee,Yoon-hee Choi,Mu-hui Park,Jiho Cho,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210233597A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae Woo Im,Myoung-Won Yoon,Jae-Hak Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Nonvolatile memory devices, systems and methods with switching charge pump architectures

Номер патента: US11705163B1. Автор: Hendrik Hartono,John Dinh,Shane Charles Hollmer,Stephen Trinh,Duong Vinh Hao,Nguyen Khac Hieu. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile memory device and program programming method thereof

Номер патента: KR102139323B1. Автор: 남상완,최윤희,이강빈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-29.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20220172783A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20230307057A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US12112806B2. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20200402584A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Nonvolatile memory devices and program verification methods using one verification voltage to verify memory cells having different target states

Номер патента: US09406393B2. Автор: Jung-ho Song,Ilhan Park,Ji-Suk Kim,Yang-Lo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device comprising page buffer and program verification operation method thereof

Номер патента: US09520201B2. Автор: Dongku Kang,Dae Yeal LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4184512A1. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240203499A1. Автор: ChiWeon Yoon,Dojeon Lee,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20120026798A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Daisuke Okada,Tetsuya Ishimaru,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180190363A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Controlled bit line discharge for channel erases in nonvolatile memory

Номер патента: US20090119447A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Jiani Zhang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-07.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200258583A1. Автор: Young Don CHOI,Byung Hoon Jeong,Seung Woo Yu,Jeong Don Ihm,Sang Lok Kim,Byung Kwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Nonvolatile memory device controlling common source line for improving read characteristic

Номер патента: US20060072358A1. Автор: Jin-Yub Lee,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US09672928B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Apparatus and method for programming and verifying data in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240177773A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US12073898B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240371457A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile memory system and programming method including a reprogram operation using a page buffer to reduce data load operations

Номер патента: US09466390B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Sihwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile memory system and sequential reading and programming methods thereof

Номер патента: US09851899B2. Автор: Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory system and sequential reading and programming methods thereof

Номер патента: US09666270B2. Автор: Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Operating method of a nonvolatile memory device

Номер патента: US09620219B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for providing multi-page read and write using SRAM and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09928911B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Operating method of a nonvolatile memory device

Номер патента: US09892792B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Storage device and program method thereof

Номер патента: US20240120019A1. Автор: Jae Hun JANG,Hyeonwu Kim,Hojun Jo,Jihwan Mun,Yoonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile memory system and programming method including reprogram operation

Номер патента: US20150039809A1. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Sihwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation

Номер патента: US20210072956A1. Автор: Hyuk-Jin Lee,Seonghwan Cho,Jin-O SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-03-11.

Nonvolatile memory device and driving method thereof

Номер патента: US09601208B2. Автор: Changhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395079A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multipage data

Номер патента: US11815982B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20240020187A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20230044730A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile memory device, storage device including the same, and method of testing nonvolatile memory device

Номер патента: US20240331774A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin,Gangmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device, memory system including the same, and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US09543032B2. Автор: Soo-Woong Lee,Sangchul Kang,Seokcheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Storage device and related programming method

Номер патента: US09466386B2. Автор: Jung-Soo Kim,Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong,Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory device, operation method of a nonvolatile memory device, and operation method of a controller

Номер патента: US20230410900A1. Автор: Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile memory and programming method thereof

Номер патента: US20200194076A1. Автор: Xiao Luo,Chunhui Chen,Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Methods of operating nonvolatile memory devices including variable verification voltages based on program/erase cycle information

Номер патента: US09842658B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device including multi-plane

Номер патента: US09589643B2. Автор: Younghwan RYU,Pansuk Kwak,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09564229B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09424931B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods to prevent program disturb in nonvolatile memory

Номер патента: WO2009036194A1. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Schiltron Corporation. Дата публикации: 2009-03-19.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: US20090290437A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-26.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: WO2009142824A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11798629B2. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and program method

Номер патента: US20150078093A1. Автор: Doohyun Kim,Changyeon Yu,Wookghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210065806A1. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device and related read method

Номер патента: US20140321209A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device and related read method using adjustable bit line connection signal

Номер патента: US09437313B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: EP4322164A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240046994A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Single-poly nonvolatile memory cells

Номер патента: US20170236829A1. Автор: Nam Yoon Kim,Kwang Il Choi,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11756613B2. Автор: Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Memory Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20130223157A1. Автор: Toshihiko Saito,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332970A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240096420A1. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11967367B2. Автор: Nari Lee,Gyu-Ha Park,Jeongyeol Kim,Daehan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Programming method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20140063966A1. Автор: Tae-gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile memory device and method of programming in a nonvolatile memory

Номер патента: US11881272B2. Автор: Sangwan Nam,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Nonvolatile memory device including a logic circuit to control word and bitline voltages

Номер патента: US11869594B2. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device including artificial neural network, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device including artificial neural network

Номер патента: US11763903B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220230695A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Nonvolatile memory

Номер патента: EP1244111A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2002-09-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND MEMORY BLOCK MANAGEMENT, ERASE AND PROGRAM METHOD THEREOF

Номер патента: JP6298249B2. Автор: 銀 珠 呉,銀 珠 呉,鍾 河 金,鍾 河 金,駿 鎮 孔,駿 鎮 孔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Non_volatile memory device and memory system having the same and memory management, erase and programming methods thereof

Номер патента: KR101975406B1. Автор: 공준진,김종하,오은주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-05-07.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20230215498A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods of operating nonvolatile memory devices, and memory systems including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09852795B2. Автор: Dong-ku Kang,Joon-Suc JANG,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device with multiple clocks

Номер патента: US12125544B2. Автор: Sang-Wan Nam,You-Se Kim,Kee Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4216218A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Three-dimensional nonvolatile memory and operating method of three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09412450B2. Автор: Kihyun Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Gilsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09899097B2. Автор: Youngmin Kim,Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory devices, storage devices including the same, and methods of operating the same

Номер патента: US20240363172A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Sensing circuits of nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20200111529A1. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220130467A1. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Wan Nam,Jae-Duk Yu,Jonghoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170345507A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory and erasing method thereof

Номер патента: US09552884B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory and erasing method thereof

Номер патента: US09449699B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20160343444A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Flash memory device, system and method with randomizing for suppressing error

Номер патента: WO2008078314B1. Автор: Eran Sharon,Eran Alrod. Владелец: Eran Alrod. Дата публикации: 2008-08-14.

Nonvolatile memory device for suppressing read disturbances

Номер патента: US20170294232A1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Electronic device including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US20130175593A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09595340B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method of erasing nonvolatile memory device

Номер патента: US09659662B2. Автор: Kihwan Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09665425B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09563503B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device and an erase method thereof

Номер патента: US09299446B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chang-seok Kang,Young-Suk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09627076B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory devices and methods of programming and reading nonvolatile memory devices

Номер патента: US09576669B2. Автор: Chang-Bum Kim,Gyo-Soo Choo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical Nonvolatile Memory Devices and Methods of Operating Same

Номер патента: US20120170375A1. Автор: Jungdal CHOI,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Erase method of nonvolatile memory device and storage device employing the same

Номер патента: US09478296B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Control circuit for nonvolatile memory device

Номер патента: RU2221286C2. Автор: Томас Цеттлер. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-01-10.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US09401215B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US20170032824A1. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile memory system and refresh method

Номер патента: US09460800B2. Автор: Jung-Been Im,Jang-Hwan Kim,Dong-Hyun Song,Change-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Space management for managing high capacity nonvolatile memory

Номер патента: EP1228510A4. Автор: Min Guo,Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Nonvolatile memory device supporting gidl erase operation

Номер патента: US20240145017A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Dae Sik Ham,Yong-Wan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Storage device and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US20140043900A1. Автор: Satoshi Sakamoto,Hitoshi Shimono,Akinori Kamizono,Kazutoshi Noda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US7869284B1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US20100322014A1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

2-transistor nonvolatile memory cell

Номер патента: SG141293A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsiang-Tai Lu,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device

Номер патента: US09728268B1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US09548121B2. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US20160372198A1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Logic embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09443594B2. Автор: Yongtae Kim,BoYoung Seo,Changmin Jeon,Teakwang Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method controlling read sequence of nonvolatile memory device and memory system performing same

Номер патента: US09431123B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20240194273A1. Автор: ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including nonvolatile memory configured to switch between a reference current reading system and a complementary reading system

Номер патента: US09824766B2. Автор: Takanobu Suzuki,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device with address re-mapping

Номер патента: US20210098072A1. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A2. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A3. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130151758A1. Автор: Jae-Won Cha,Sung-Hoon AHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor integrated circuit having two switch transistors formed between two diffusion-layer lines

Номер патента: US6894344B2. Автор: Masataka Kato,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Flash Memory Device and Program Method Thereof

Номер патента: US20110310668A1. Автор: Jin-Sung Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Nonvolatile memory device and method of programming/reading the same

Номер патента: US20060152977A1. Автор: Seok Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210005268A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Seung-Bum Kim,Su-Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory devices and storage devices including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09685211B2. Автор: Sunghoon Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Erase system and method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09431115B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile nand-type memory devices including charge storage layers connected to insulating layers

Номер патента: US20100128531A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Yoocheol Shin,Yongsik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for accessing a multilevel nonvolatile memory device of the flash nand type

Номер патента: US20070047299A1. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio,Angelo Bovino,Vincenzo Altieri,Mario De Matteis. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Nonvolatile memory devices and methods of driving the same

Номер патента: US20130051164A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device including sub common sources

Номер патента: US09837160B1. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Sang-Hyun Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated erase voltage path for multiple cell substrates in nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704580B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20110095356A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150243348A1. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Nonvolatile memory device, system including the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US12046274B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory having multiple narrow tips at floating gate

Номер патента: US11721731B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Zar Lwin Zin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Nand-type floating gate memory device with dual source side select transistors and programming method

Номер патента: EP1019914A1. Автор: Yu Sun,Shane Charles Hollmer,Chi Chang,Sameer Haddad,Shoichi Kawamura,Pau-Ling Chen,Michael Van Buskirk,Chung-You Hu,Bing Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Memory systems including nonvolatile memory devices and dynamic access methods thereof

Номер патента: US09646705B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US20240062790A1. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040233774A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Yoshinao Morikawa,Yoshifumi Yaoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US11837317B2. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor CMOS Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20200119023A1. Автор: David Liu,Ben Sheen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220319602A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Taein KIM,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US12027215B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Weighted read scrub for nonvolatile memory including memory holes

Номер патента: US09760307B2. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Steven T. Sprouse,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Operating method of nonvolatile memory and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09466387B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-01.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220173060A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A3. Автор: Peter W Lee. Владелец: Peter W Lee. Дата публикации: 2007-02-08.

Page buffer circuit of flash memory device with improved operation performance and control methods for read and program operations of the same

Номер патента: KR100680486B1. Автор: 김덕주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090296479A1. Автор: Kunisato Yamaoka,Kazuyo Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US20070028032A1. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US7818491B2. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Nonvolatile memory device, memory system, and programming method

Номер патента: US20230343401A1. Автор: Tianyu Wang,Xueqing Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Mixed signal neuromorphic computing with nonvolatile memory devices

Номер патента: US12106211B2. Автор: Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Mohammad Reza Mahmoodi,Mohammad Bavandpour. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory device and related programming method

Номер патента: US20120170374A1. Автор: Jae-Woo Park,Jung-no Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466704B2. Автор: Changseok Kang,Sung-Il Chang,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180958A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: US09418000B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Storage device with artificial intelligence and storage system including the same

Номер патента: US20210150321A1. Автор: Changkyu Seol,Jinsoo Lim,Hyejeong So,Hongrak Son,Pilsang Yoon,Hwaseok Oh,Jaehun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory controller, information processing system, and nonvolatile-memory defect determination method

Номер патента: US20190057753A1. Автор: Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20090285028A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency I/O interface

Номер патента: US11714579B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency I/O interface

Номер патента: US12112071B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device including page buffer and method for verifying program operation thereof

Номер патента: US09870833B2. Автор: Sang-Won Shim,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130044544A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of detecting a shift in the threshold voltage for a nonvolatile memory cell

Номер патента: US20100008151A1. Автор: Sangwon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-14.

Storage device having nonvolatile memory device and write method

Номер патента: US09715444B2. Автор: Joonho Lee,Sang-Wook Yoo,Intae Hwang,Jong-Nam Baek,Dong-hoon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory and storage device including same

Номер патента: US12002514B2. Автор: Sang-Won Park,Won-Taeck JUNG,Su Chang Jeon,Han-Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory device and method of programming and reading the same

Номер патента: US20100302856A1. Автор: Sung Hoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Nonvolatile memory apparatus and an operating method of a nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325975A1. Автор: Kwi Dong Kim,Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672924B2. Автор: Ohsuk Kwon,Kihwan Choi,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile memory device including two-dimensional material and apparatus including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20180358470A1. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Haeryong Kim,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Electron blocking layers for gate stacks of nonvolatile memory devices

Номер патента: EP2357662A3. Автор: Chao Liu,Jian Chen,J. Wallace Parce,Xiangfeng Duan,Francisco Leon,Karen Cruden,Madhuri Nallobolu,Sri Ranganathan. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memories having data input/output switches for reducing parasitic capacitance of bus channel

Номер патента: US09793000B2. Автор: Su-Jin Kim,Junghee Cho,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09633718B1. Автор: Makoto Mitani,Hironori Hayashida. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile Memory Devices Including Variable Resistive Elements

Номер патента: US20100061146A1. Автор: Hye-jin Kim,Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-11.

Dummy memory erase or program method protected against detection

Номер патента: US09478294B2. Автор: Marc Merandat. Владелец: Inside Secure SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Storage device including nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, operating method of storage device

Номер патента: US20190206508A1. Автор: Shin-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US20170010975A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US09792219B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

User device including a nonvolatile memory device and a data write method thereof

Номер патента: US11860774B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sung Won Jung,Sangkwon Moon,Seunguk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09893208B2. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09576672B2. Автор: Ju Seok Lee,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory with on-chip encoding for foggy-fine programming

Номер патента: US11914886B2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jack Frayer. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: WO2016105795A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile memory device, an operating method thereof, and a storage system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US10923195B2. Автор: Tae Hun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Nonvolatile memory with on-chip encoding for foggy-fine programming

Номер патента: US20220107751A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jack Frayer. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Read threshold calibration for nonvolatile memory with encoded foggy-fine programming

Номер патента: US20220230685A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Idan Alrod,Eran Sharon,Alexander Bazarsky,Jack Frayer,Tien-Chien Kuo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230221870A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory apparatus, operating method thereof, and data processing system having the same

Номер патента: US09489298B2. Автор: Ji Hyae Bae,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11742052B2. Автор: Hyungsoo KIM,Sang-Hyun Joo,Jaewoo Im,Won-Taeck JUNG,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Storage device including nonvolatile memory and memory controller and operating method of retiming circuit interfacing communication between nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09601171B2. Автор: Hyunjin Kim,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520409B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: US09489302B2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory device for performing duty correction operation, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09583162B1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of reading data from a nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, and method of operating a memory system

Номер патента: US09412471B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element

Номер патента: US20100142249A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Nonvolatile memory device having multiple read circuits and using variable resistive materials

Номер патента: US20140247646A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Chae-Hoon Kim,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory devices having variable resistive load portion

Номер патента: US09837150B2. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for performing fail test, block management, erasing and programming in a nonvolatile memory device

Номер патента: US8365026B2. Автор: Chae Kyu Jang,Jong Hyun Wang,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: WO2012106107A2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Nonvolatile memory device and related method for reducing access latency

Номер патента: US20140247645A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory device, memory system comprising nonvolatile memory device, and wear leveling method for nonvolatile memory device

Номер патента: US8495283B2. Автор: Ki Tae Park,Min Gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865312B2. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20120002480A1. Автор: In Suk YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor nonvolatile memory for performing read operations while performing write operations

Номер патента: US20030151951A1. Автор: Hajime Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Non-volatile memory device having adjustable read voltage, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US09606864B2. Автор: Seung-yeon Lee,Hee-Woong Kang,Jong-Nam Baek,San Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory apparatus for controlling a voltage level of enabling a local switch

Номер патента: US09437270B2. Автор: Seok Pyo Song,Jae Yun Yi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory and method with improved i/o interface

Номер патента: US20140185374A1. Автор: Venkatesh Prasad Ramachandra. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Nonvolatile memory devices having wide operation range

Номер патента: US20170243640A1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09773561B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09697903B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: US09543024B2. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Clamping Circuit and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20030214843A1. Автор: Dae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Loading data with error detection in a power on sequence of flash memory device

Номер патента: US20080291733A1. Автор: Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu,Chou-Ying Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09391088B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09905301B2. Автор: Ji-Sang LEE,Pil Seon YOO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of operating a nonvolatile memory device

Номер патента: US09679659B2. Автор: Jin-Kyu Kang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunil Shim,Euido Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile memory device and an erasing method thereof

Номер патента: US09558834B2. Автор: Dongseog EUN,Byeong-In Choe,Mincheol Park,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Sense amplifier and nonvolatile memory device

Номер патента: US20240161813A1. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US20100271883A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US7957199B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Flash memory devices that support incremental step-pulse programming using nonuniform verify time intervals

Номер патента: US20080137435A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Soo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device including nonvolatile memory

Номер патента: US20090316497A1. Автор: Kenichiro Kuroki,Andreas BANDT. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Nonvolatile memory device with reduced current consumption

Номер патента: US20110292735A1. Автор: Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20030231522A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: WO2013147818A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20110002177A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system having the same

Номер патента: US20160276033A1. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20090034334A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of erasing data stored in a nonvolatile memory

Номер патента: US20030043635A1. Автор: Kenichi Watanabe,Takuji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Nonvolatile memory module having backup function

Номер патента: US09824734B2. Автор: Youngjin Cho,Hyo-Deok Shin,Han-Ju Lee,Younggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and device for optimizing log likelihood ratio (LLR) used for nonvolatile memory device and for correcting errors in nonvolatile memory device

Номер патента: US09502137B2. Автор: Jin-Young Chun,Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

One-pass programming in a multi-level nonvolatile memory device with improved write amplification

Номер патента: US09811284B2. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09684552B2. Автор: Eun-Hye PARK,Jun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09576626B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory structure

Номер патента: US20060067118A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Jhyy-Cheng Liou,Chin-Hsi Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Method of programming/erasing the nonvolatile memory

Номер патента: US20110013459A1. Автор: Kai-Yuan Hsiao,Yun-Jen Ting. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Data storage device with nonvolatile memory

Номер патента: US09911502B2. Автор: Katsuya Murakami,Koichi Nagai,Isao Ozawa,Akira Tanimoto,Satoru Fukuchi,Shinji Honjo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and apparatus for using wear-out blocks in nonvolatile memory

Номер патента: US09430339B1. Автор: Jong-uk Song. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200379884A1. Автор: Bong-Kil Jung,Donghoon Jeong,Myung-Hoon Choi,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile memory, verify method therefor, and semiconductor device using the nonvolatile memory

Номер патента: US20040252567A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: EP2024976A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Pumping circuit for multiple nonvolatile memories

Номер патента: US20090225619A1. Автор: Chun-Yao Liao. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory cell and memory device thereof

Номер патента: US20240221822A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180268893A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20230389303A1. Автор: Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11362097B1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Memory device

Номер патента: US11972797B2. Автор: Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220181336A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Nonvolatile memory device and method of processing in memory (pim) using the same

Номер патента: US20210183446A1. Автор: Se-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20090154280A1. Автор: Tetsuya Murakami,Kenichi Imamiya,Nobuyoshi Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20240304269A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US09842645B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device including nonvolatile memory cell

Номер патента: US09336894B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US09865323B1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method for testing nonvolatile memory device using variable resistance material

Номер патента: US09443582B2. Автор: Ki-won Lim,Moon-Ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130091336A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US10290351B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device that stores data from completed write requests on a power abnormality

Номер патента: US09984746B2. Автор: Tatsunori Kanai,Yusuke Shirota,Tetsuro Kimura,Masaya Tarui,Shiyo Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system and random data read method thereof

Номер патента: US09400750B2. Автор: Jaehong Kim,Kijun Lee,Sejin Lim,Jungsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140331002A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09569109B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09496018B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US09460021B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20210217477A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile memory device having pad structure for high speed operation

Номер патента: US09899409B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09792052B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Driving method of nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US09659644B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09515083B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of operating nonvolatile memory device comprising resistance material

Номер патента: US09405615B2. Автор: Jung Sunwoo,Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210011633A1. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170020A1. Автор: Jeong Hwan Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: EP1410399A1. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: WO2000077791A1. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2000-12-21.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: EP1410399A4. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09755169B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory device storing a public key and a secret key, and an electronic device comprising the same

Номер патента: US20210367792A1. Автор: Dae Seok Byeon,Chan Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A3. Автор: Tanmay Kumar,S Brad Herner,Mark H Clark. Владелец: Mark H Clark. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A2. Автор: Tanmay Kumar,S. Brad Herner,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11709629B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Daeseok Byeon,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083004A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency i/o interface

Номер патента: US20220011974A1. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Nonvolatile memory apparatus and nonvolatile data storage medium

Номер патента: US8094482B2. Автор: Takeshi Takagi,Kazuhiko Shimakawa,Zhiqiang Wei,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory device and memory system with sensor

Номер патента: US20150055403A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09576612B2. Автор: In-Mo Kim,Ansoo Park,Jung-Seok HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices

Номер патента: US6081878A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: EP4332775A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory storage device and electronic device including nonvolatile memory

Номер патента: US20220050593A1. Автор: Jung Hoon Kim,Seong Hun Kim,Hong Kug Kim,Won Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Method and apparatus for virtually partitioning an integrated multilevel nonvolatile memory circuit

Номер патента: WO2004042582A1. Автор: Jack E. Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2004-05-21.

Memory device, control method for the memory device, and controller

Номер патента: US09996278B2. Автор: Tatsuya Zettsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit and memory device performing boot-up operation

Номер патента: US09934875B2. Автор: Jeong-Tae Hwang,Ja-Beom Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory module, memory system including nonvolatile memory module, and controlling method of nonvolatile memory module

Номер патента: US20150279475A1. Автор: Wonseok Lee,Youngkug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Write Operations with Full Sequence Programming for Defect Management in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20150012684A1. Автор: Jian Chen,Chris Nga Yee Avila,Seungpil Lee,Mrinal Kochar,Pao-Ling Koh,Alexander Kwok-Tung Mak,Gautam Ashok Dusija. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-08.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US12020758B2. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory sensing circuit including variable current source

Номер патента: US20220068341A1. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Nonvolatile memory edvice and operating method

Номер патента: US20210264974A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Data Storage Device and Method for Operating Nonvolatile Memory

Номер патента: US20180365143A1. Автор: Ying-Chun Hung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Nonvolatile memory with magnetoresistive element and transistor

Номер патента: US09805780B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shogo ITAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory cells, nonvolatile memory cell arrays including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09741729B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Display device with semiconductor memory cell

Номер патента: US09734901B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Yuji Iwaki,Yasuyuki Arai,Yasuko Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nonvolatile memory system, system including the same, and method of adaptively adjusting user storage region in the same

Номер патента: US09460006B2. Автор: MOON Sang Kwon,Sang Hoon Choi,Hyung Jin Im,Jeong Uk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Memory device, memory device controlling method, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20230004310A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Error correcting codes for increased storage capacity in multilevel memory devices

Номер патента: US20130191697A1. Автор: Giovanni Campardo,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Nonvolatile memory device and cross point array device including the same

Номер патента: US11729992B2. Автор: Sanghun Jeon,Youngin GOH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080038A1. Автор: Takashi Nakano,Nobuyoshi Awaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09823858B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

System and method for managing the operating parameter of a nonvolatile memory

Номер патента: US09626109B2. Автор: Daisuke Nakata,Hironori KATSURAYAMA,Takanobu Okuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US09524776B2. Автор: Koji Katayama,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20110317484A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20100046286A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A2. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A3. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Multi-channel nonvolatile memory power loss management

Номер патента: US20180356981A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Nonvolatile memory, IC card and data processing system

Номер патента: US20030202381A1. Автор: Minoru Kato,Yuki Matsuda,Kenya Otani,Takeo Kon. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20110280058A1. Автор: Yi-Chou Chen,Wei-Chih Chien,Feng-Ming Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory devices using variable resistive elements

Номер патента: US20090285009A1. Автор: Jong-Chul Park,Byung-Gil Choi,Ki-Sung Kim,Young-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device for computer

Номер патента: US20160267027A1. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Shoji Sawamura,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory device for computer

Номер патента: US20180307632A1. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Shoji Sawamura,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Memory device for computer

Номер патента: US20230078983A1. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Shoji Sawamura,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device and system

Номер патента: US11847209B2. Автор: Gi Jin Kang,Joong Chul Yoon,Jae Keun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US20170294227A1. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory cell and nonvolatile memory device comprising the same

Номер патента: US20210193207A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile Memory Devices and Related Methods and Systems

Номер патента: US20110157960A1. Автор: Shoichi Kawamura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory and its operation method thereof

Номер патента: US20180294406A1. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210005622A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20220246627A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Test method for nonvolatile memory device

Номер патента: US20090287972A1. Автор: Jin Yong Seong,Wan Seob LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110024713A1. Автор: Toshiro Hiraoka,Takayuki Tsukamoto,Shinya Aoki,Takahiro Hirai,Chikayoshi Kamata,Kohichi Kubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180122467A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

3d nand nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US20160056168A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Data input circuit of nonvolatile memory device

Номер патента: US8780645B2. Автор: Jong Tai Park,Won Sub SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile memory device and method of testing the same

Номер патента: US20090290435A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240274173A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Cheolhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory

Номер патента: US09904619B2. Автор: Hiroyuki Goto,Yasuhiro Nakamura,Fumio Hara,Hirofumi Shibuya,Shigemasa Shiota. Владелец: Emergence Memory Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09887006B1. Автор: Robert Strenz,Robert Allinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Charge trapping nonvolatile memory devices, methods of fabricating the same, and methods of operating the same

Номер патента: US09847343B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-phase programming schemes for nonvolatile memories

Номер патента: US09817751B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Shai Ojalvo,Stas Mouler. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of user system including the same

Номер патента: US09696911B2. Автор: Hyun-Ju Kim,Young Woo Jung,Jeonghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

3D NAND nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US09349745B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Memory device for computer

Номер патента: US20210141746A1. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Shoji Sawamura,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Pangea KK. Дата публикации: 2021-05-13.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US11823757B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Nonvolatile Memory Device Using A Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130200325A1. Автор: Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Nonvolatile Memory Device Using a Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130337606A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: US20230350832A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US11422889B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US20220121517A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240004580A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device including a resistive memory cell and electronic device including the same

Номер патента: US20210397366A1. Автор: Jung Hyuk Lee,Kang Ho Lee,Hye Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: EP3951784A1. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US20210064390A1. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory controller systems with nonvolatile memory for storing operating parameters

Номер патента: US12050787B2. Автор: Christopher Haywood,Shih-Ho Wu. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods and systems for detecting and correcting errors in nonvolatile memory

Номер патента: US09836349B2. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

3D cross-bar nonvolatile memory

Номер патента: US09660107B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Highly reliable nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379322B2. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-28.

Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein

Номер патента: US9000508B2. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Sunhil Shim,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile memory utilizing MIS memory transistors with bit mask function

Номер патента: US7460400B1. Автор: TAKASHI KIKUCHI. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and apparatus to read from a nonvolatile memory device

Номер патента: US20180004419A1. Автор: Sachin Thakur. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US8725959B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Nonvolatile memory programmable by a heat induced chemical reaction

Номер патента: US20050122798A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Rui-Chen Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Intercalated metal/dielectric structure for nonvolatile memory devices

Номер патента: US12137621B2. Автор: Chung-Te Lin,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20180047449A1. Автор: Sang-Wan Nam,Sang-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: WO2021137948A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US20100091552A1. Автор: Sang-beom Kang,Ho-Jung Kim,Young-Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US11984170B2. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20210202023A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US11990195B2. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device including banks operating in different operation modes, operation method of memory controller, and storage device comprising nonvolatile memory device and memory controller

Номер патента: US20200335163A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170030A1. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Programming verify for nonvolatile memory

Номер патента: US09646692B1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Hsin Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory

Номер патента: US09601176B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: EP2132635A1. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2009-12-16.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140011297A1. Автор: Soon Won Jung,Seung Youl Kang,Byoung Gon Yu,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Sung Min Yoon,Shin Hyuk Yang,Chun Won Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-09.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US11894053B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220020818A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20230154534A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US20200183784A1. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Variable resistance nonvolatile memory device

Номер патента: US20130114327A1. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Yuichiro Ikeda,Ken Kawai,Ryotaro Azuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Memory element, memory device, and semiconductor device

Номер патента: EP1866964A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Mikio Yukawa,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20210217473A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3944326A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-26.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3852144A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US20230342039A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US12013754B2. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Structures for novel three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US11925026B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for Novel Three-Dimensional Nonvolatile Memory

Номер патента: US20220392910A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods for novel three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US12010853B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Structures for Novel Three-Dimensional Nonvolatile Memory

Номер патента: US20220392913A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Photochromic nonvolatile memory and partial erasing method

Номер патента: EP1528573A1. Автор: Tsuyoshi Tsujioka. Владелец: Osaka Kyoiku University NUC. Дата публикации: 2005-05-04.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Disk drive having mulitple disk surfaces accessible by a read/write head and nonvolatile memory for continuous data transfer

Номер патента: US20100182716A1. Автор: Zvonimir Z. Bandic,Marco Sanvido. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2010-07-22.

Two-dimensional code with logo, two-dimensional code generation device with logo, two-dimensional code generation method with logo, and program

Номер патента: JP4874436B2. Автор: 陽一 東,秀明 岸,朋子 篠谷. Владелец: AT Communications Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Two-dimensional code with logo, two-dimensional code generation device with logo, two-dimensional code generation method with logo, and program

Номер патента: JPWO2011118540A1. Автор: 東　陽一,陽一 東,秀明 岸,朋子 篠谷. Владелец: AT Communications Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Imaging device with subject detection function, control method of imaging device, and program

Номер патента: JP2013034177A. Автор: 尚幸 中川原,Naoyuki Nakagawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Image forming device with a variety of sheet cassettes, image forming system and program product

Номер патента: DE602006001670D1. Автор: Hiromi Mori. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09760504B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09734095B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Electronic device including nonvolatile memory, display panel and display driver circuit, and operating method of electronic device

Номер патента: US20240021177A1. Автор: Sunyoung Kim,Joongmin Ra. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory

Номер патента: US09946610B2. Автор: Tadaaki Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US20190034638A1. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Nonvolatile memory package, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20240295989A1. Автор: Hyunjin KWON,ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile memory package, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: EP4425347A1. Автор: Hyunjin KWON,ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US09569622B2. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Program executing apparatus, image processing apparatus and program

Номер патента: SG186533A1. Автор: YAMAMOTO Hiroaki,KIKUTA Masayoshi,LIU Binhui,HATA Tadashi,KASAHARA Shunsuke,HAYASHI Terutake,KAWASHITA Masakazu,YAMASAKI Hideki,BANDO Yoshifumi,MURATA Yuji,IKEDA Shinho,SAKAMAKI Tadamasa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Data storage in nonvolatile memory

Номер патента: US20130031304A1. Автор: Kenneth Kay Smith,David G. Butler,Adam J. Snyder. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-01-31.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12111760B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Storage control device, storage control method and program

Номер патента: US09400742B2. Автор: Tomohiko Miyaki. Владелец: Suzuki Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Controller, control method, and program

Номер патента: US20180095513A1. Автор: Mizuki Mori,Takamasa Mioki. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system with nonvolatile memory

Номер патента: US09823852B2. Автор: Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller that loads a mapping table on a sub-bitmap and method of operating the memory controller

Номер патента: US09529705B2. Автор: Jinyeong Kim,Hyun-cheol Kim,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic apparatus having nonvolatile memory and program writing method for updating

Номер патента: US9665484B2. Автор: Akihiko Ikazaki. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory device and method of programming a nonvolatile memory

Номер патента: US20240241649A1. Автор: Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09507707B2. Автор: Hak Dae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods, devices and systems for high speed transactions with nonvolatile memory on a double data rate memory bus

Номер патента: US20240345972A1. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Morgan Andrew Whately,Clifford Zitlaw. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Operation method of memory controller and nonvolatile memory system including the memory controller

Номер патента: US09760503B2. Автор: Jisoo Kim,Seung-jae Lee,Sang-Jin Oh,Moonsang Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Virtual memory system, virtual memory controlling method, and program

Номер патента: US09514056B2. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Multi-level data protection for nonvolatile memory system

Номер патента: US09513830B2. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost,Kenneth Scianna,Lance W. Shelton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Storage device managing nonvolatile memory differently depending on tendency of interruption of power supply

Номер патента: US20170060426A1. Автор: Woonjae Chung,Bumhee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Secure and flexible boot firmware update for devices with a primary platform

Номер патента: US12050692B2. Автор: John A. Nix. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory mapping method of nonvolatile memory system and system for providing the memory mapping method

Номер патента: US09501424B2. Автор: Jung-Sik Choi,Oh-seong Kwon,Sun-Young Lim,Hwan-soo Han. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-11-22.

Storage device with a display device for indicating a state

Номер патента: US20180239684A1. Автор: Eun-Jin Yun,Gwangman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and system for controlling access to embedded nonvolatile memories

Номер патента: US09612977B2. Автор: Richard Wahler,Alan Berenbaum. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US09424442B2. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US9152560B2. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Nonvolatile memory system and operating method thereof

Номер патента: US09582439B2. Автор: Myung Hyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Image formation apparatus, control method of image formation apparatus, storage medium of storing computer-readable program, and program

Номер патента: US20050105122A1. Автор: Masahiko Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: US20240069751A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Nonvolatile memory module and operating method for the same

Номер патента: US20170277464A1. Автор: Hyunju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Electronic control unit, method, and program

Номер патента: US11947824B2. Автор: Taiki MIZUTANI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20230025642A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20220004325A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240078027A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Vehicle Electronic Control Device and Program Rewriting Method

Номер патента: US20240160414A1. Автор: Fuhito TORIUMI. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory apparatus and control method of nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US09804921B2. Автор: Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory card device, video game apparatus, and program providing medium technical field

Номер патента: US20020032058A1. Автор: Akihiro Sugimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: EP4273706A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Hardware anti-piracy via nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2009058691A1. Автор: William Michael Beals. Владелец: EchoStar Technologies L.L.C.. Дата публикации: 2009-05-07.

Nonvolatile memory capable of outputting data using wraparound scheme, computing system having the same, and read method thereof

Номер патента: US20200183619A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Method and apparatus for server platform architectures that enable serviceable nonvolatile memory modules

Номер патента: WO2015080717A1. Автор: Dimitrios Ziakas,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury,Murugasamy K. Nachimuthu,Russell J. Wunderlich,Thi Dang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

Memory devices and methods having multiple acknowledgements in response to a same instruction

Номер патента: US12056068B2. Автор: Paul Hill. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory devices and methods of controlling the same

Номер патента: US09483413B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: US20230359567A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: EP4276634A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

High speed nonvolatile memory device

Номер патента: WO2007145869A2. Автор: Ruston Panabaker. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2007-12-21.

Nonvolatile memory card adaptable to plural specifications

Номер патента: WO2006101057A1. Автор: Masaharu Adachi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2006-09-28.

Terminal device, and method and program for starting terminal device

Номер патента: US20120066454A1. Автор: Daisuke Fuji. Владелец: Access Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for controlling nonvolatile memory and storage medium storing program

Номер патента: US09952967B2. Автор: Minako Morio. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory control device, nonvolatile memory control method and computer readable storage medium

Номер патента: US09898211B2. Автор: Takashi Hasebe,Kosuke MASUMOTO. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240061785A1. Автор: Tomoya Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US20160147997A1. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-26.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069750A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage array controller with a nonvolatile memory as a cache memory and control method of the same

Номер патента: US7055001B2. Автор: Sumihiro Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Method for reading a data block of a nonvolatile memory of a control unit

Номер патента: US9390005B2. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ,Steffen LEIPOLD. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20180196744A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09946643B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Portable telephone and program for sending and receiving encrypted electronic mail

Номер патента: EP1830296A1. Автор: Tomo Sudo,Shuichiro Yoshida. Владелец: Aruze Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Dynamic nonvolatile memory update in a computer system

Номер патента: US5930504A. Автор: Douglas L. Gabel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Memory device and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US20230342294A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US20160188459A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070067A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for reading a data block of a nonvolatile memory of a control unit

Номер патента: US20150106552A1. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ,Steffen LEIPOLD. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of operating memory system including nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09870160B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Computing system including memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4276639A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Storage system including nonvolatile memory module and operating method of the nonvolatile memory module

Номер патента: US20210026567A1. Автор: Do-Han Kim,Seung-Woo Lim,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Computing system including memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230359566A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US11989160B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device with regions having separately programmable secure access features and related methods and systems

Номер патента: EP4005149A1. Автор: Steven Wilson,Cliff Zitlaw,Yoav Yogev,Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sandeep Krishnegowda. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-01.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069777A1. Автор: Gyeongmin Kim,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070066A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory card

Номер патента: US7483297B2. Автор: Makoto Mori,Atsushi Shikata,Seisuke Hirosawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for automatic correction of nonvolatile memory in information handling systems

Номер патента: US20180173587A1. Автор: Anand Prakash Joshi,Craig Lawrence Chaiken,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Single Gate Nonvolatile Memory Cell With Transistor and Capacitor

Номер патента: US20090256184A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with memory cell having a storage capacitor with a plurality of concentric storage electrodes formed in an insulating layer and fabrication method thereof

Номер патента: US6104055A. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Power device with low parasitic transistor and method of making the same

Номер патента: US20120146138A1. Автор: Wei-Chieh Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device

Номер патента: US20230033098A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui,Tai-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Device with semiconductors, comprising insulated-gate field-effect transistors and bipolar transistors and method of fabrication

Номер патента: FR2670324A1. Автор: ISHIGAKI Yoshiyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-06-12.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Dynamic random access memory device comprising memory cells having capacitor formed above cell transistor and peripheral circuit for improving shape and aspect ratio of contact hole in the peripheral circuit and producing method thereof

Номер патента: US5693970A. Автор: Shinichirou Ikemasu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Integrated circuit device with series-connected fin-type field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20110068414A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Dedicated nonvolatile memory

Номер патента: EP1345438A3. Автор: Raynold M. Kahn,Christopher P. Curren,Ronald P. Cocchi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory package, storage device having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240284683A1. Автор: Jungmin Seo,Manho Lee,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Bipolar Multistate Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130313509A1. Автор: Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Bipolar multistate nonvolatile memory

Номер патента: US8742392B2. Автор: Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220399371A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US12108606B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Nonvolatile memory device using two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583639B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device with tapered sidewall gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US7442986B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20220102306A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US12094846B2. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

3D nonvolatile memory device

Номер патента: US09419009B1. Автор: Sung Lae OH,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile Memory Device Including Dual Memory Layers

Номер патента: US20240268125A1. Автор: Yiming Huai,Zhiqiang Wei,Zihui Wang,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09595563B2. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Takumi Mikawa,Satoru Ito. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083000A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Three-Dimensional Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20140327067A1. Автор: Myoungbum Lee,Soodoo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10847721B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional nonvolatile memory devices including interposed floating gates

Номер патента: US09337351B2. Автор: Kihyun Kim,Jinho Kim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Driving system for turned and/or displaced doors or for entrance/exit device with improved position measurement

Номер патента: RU2429334C1. Автор: Дирк МЮЛЛЕР,Альфонс ХАРДИНГ,Клаус МЕЙЕРРОЗЕ. Владелец: Гебр. Боде Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-09-20.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US20180247975A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Deepak Kamalanathan,Juan Saenz,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Reconfigurable programmable logic device with P-channel non-volatile memory cells

Номер патента: US20080024164A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Nonvolatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324206A1. Автор: Seungmin Lee,Chadong Yeo,Taemok Gwon,Seulji Lee,Seungbeom KO,Byungik Yoo,Changjin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653562B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

3D nonvolatile memory device having common word line

Номер патента: US09515084B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US11469272B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09905574B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09825045B2. Автор: Jung-Hoon Kim,Sung-Kun Park,Nam-Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09793292B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Hyejin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Work function tailoring for nonvolatile memory applications

Номер патента: US8618525B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and method of manufacturing flat panel display device provided with the nonvolatile memory device

Номер патента: US8216900B2. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US8093124B2. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Nonvolatile memory device and manufacturing process thereof

Номер патента: US20100078616A1. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Akiyoshi Seko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US12108611B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09691776B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory devices having single-layered floating gates

Номер патента: US09634102B2. Автор: Tae Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09520404B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile memory devices having single-layered gates

Номер патента: US09472500B2. Автор: Jung Hoon Kim,Nam Yoon Kim,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical-type nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09431416B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Hun-Hyeong Lim,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20110207287A1. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083003A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120104340A1. Автор: Takashi Nakao,Atsushi Fukumoto,Yasuhito Yoshimizu,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20150207069A1. Автор: Kwang Hee CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20040157395A1. Автор: Seung Yoo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US20240357836A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09905568B2. Автор: Kyung-hyun Kim,Young-woo Park,Jong-won Kim,Yong-Hoon Son,Jae-Duk Lee,Chang-seok Kang,Byeong-Ju Kim,Phil-ouk Nam,Yeon-Sil Sohn,Jin-I LEE,Won-Bong Jung,Kwang-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Access transistor of a nonvolatile memory device and method for fabricating same

Номер патента: US09893076B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09768180B1. Автор: Tanmay Kumar,Yubao Li,Yangyin Chen,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09721967B2. Автор: Sangwoo Lee,SunWoo Lee,Changwon Lee,Jeonggil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Three-dimensional nonvolatile memory device

Номер патента: US09553106B1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jin HO KIM,Sang Hyun Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536891B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile memory device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09502332B2. Автор: Kyung-hyun Kim,Jong-heun Lim,Hyo-Jung Kim,Ji-Woon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09490371B2. Автор: Jaeho Choi,Young-Jin Noh,Ji-Hoon Choi,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Kwangmin Park,Bio Kim,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20170271585A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Masumi SAITOH,Harumi SEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09472756B2. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US11800719B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20210175252A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220278132A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Multiple nonvolatile memories

Номер патента: EP1345439A3. Автор: Christopher P. Curren,Ronald P. Cocchi,Raymond M. Kahn. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Controlling memory cell size in three dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09741768B1. Автор: Ashot Melik-Martirosian,Juan Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor nonvolatile memory element

Номер патента: US09613970B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US8877626B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee,Byung-Kwan You,Dong-Sik Lee,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-04.

Nonvolatile memory device with a doped region between a source and a drain and integration schemes

Номер патента: US11810982B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230005954A1. Автор: Hyun Min Cho,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile memory devices, methods of manufacturing nonvolatile memory device, and electronic systems including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230335520A1. Автор: Seo Jin Park,Eun-ji Kim,Yoon Jo HWANG,Jun Seok BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory devices with multiple layers having band gap relationships among the layers

Номер патента: US7973355B2. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of diffusing nitrogen into a tunnel layer of a nonvolatile memory

Номер патента: US11764291B2. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device

Номер патента: CA1211562A. Автор: John L. Janning. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-09-16.

Nonvolatile memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240040788A1. Автор: Kazuya Saito,Takeshi Masuda,Noriyuki Miyata,Kazumasa Horita,Shutaro Asanuma,Takehito Jinbo,Kyoko Sumita,Yuusuke Miyaguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Nonvolatile memory devices and methods for fabricating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090014781A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240114701A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Takeyuki Sone,Katsuhisa Aratani,Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: WO2018236432A1. Автор: Tomohiro Uno,Yusuke Yoshida,Takeki Ninomiya,Tomoyuki OBU,Toshihiro Iizuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods and apparatus for vertical bit line structures in three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09673304B1. Автор: Akio Nishida,Takashi Matsubara,Tetsuya Yamada,Akira Nakada,Manabu Hayashi,Michiaki Sano,Sung Tae Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Charge-trap nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080006872A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Jae-Sung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: US8148766B2. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: US20100013062A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Electroluminescent display device with integrated driving circuit using thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960030296A. Автор: 정준호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-08-17.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY, DATA PROCESSING APPARATUS, AND MICROCOMPUTER APPLICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002498A1. Автор: MATSUBARA Ken,Setogawa Jun,IWASE Takashi,Matsushita Toru,Mitani Hidenori,Yamada Fumiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGING CONTROL APPARATUS, IMAGING CONTROL METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002075A1. Автор: Shiga Akira,Yoshizumi Shingo,Kirisawa Tsukasa. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Transmitter, Transmission Method, Receiver, Reception Method, and Program

Номер патента: US20120002751A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGING APPARATUS, IMAGE EDITING METHOD AND PROGRAM

Номер патента: US20120002072A1. Автор: OGAWA Katsunori. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile memory matrix location

Номер патента: RU2302058C2. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,вцев Сергей Евгеньевич Кудр. Владелец: Институт микроэлектроники и информатики РАН. Дата публикации: 2007-06-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: RU2374704C1. Автор: Борис Аронович Гурович. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2009-11-27.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.