Word line decoder for dual-port cache memory .

Word line decoder for dual-port cache memory

Номер патента: US6198684B1
Опубликовано: 06-03-2001
Автор(ы): Kevin X. Zhang, Mandar S. Joshi, Thomas D. Fletcher
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

6T bitcell for dual port SRAM memories with single-ended read and single-ended write and optimized bitcells for multiport memories

Номер патента: US09496029B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and apparatus for dual port memory devices having hidden refresh and double bandwidth

Номер патента: US20050226079A1. Автор: Yiming Zhu,Qingming Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Programmable control block for dual port sram application

Номер патента: US20120263000A1. Автор: Catherine Chingi Chang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Data inversion for dual-port memory

Номер патента: US20140022852A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Kuei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Write disturbance mitigation circuit for dual port SRAM

Номер патента: TW201604867A. Автор: 莊景德,盧建宇,鄭銘慶,杜明賢. Владелец: 智原科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-01.

Programmable control block for dual port SRAM application

Номер патента: US8588015B2. Автор: Catherine Chingi Chang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Shared global read and write word lines

Номер патента: US09455026B2. Автор: Ping Liu,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: TW200832441A. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A3. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Jentsung Lin. Дата публикации: 2008-08-07.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit memory having a sense amplifier activated based on word line potentials

Номер патента: US6181624B1. Автор: Helmut Schneider,Thoai-Thai Le,J{umlaut over (u)}rgen Lindolf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Decoder for a memory address bus

Номер патента: US4961172A. Автор: Yoram Cedar,Alexander Shubat. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1990-10-02.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230186970A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US9595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Word line driver for semiconductor memories

Номер патента: WO2000026941A9. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Hyundai Electronics America. Дата публикации: 2000-09-28.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US09595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20130215701A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Word Line Driver for Low Voltage Operation

Номер патента: US20210249059A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Word line driver circuit and resistance variable memory apparatus having the same

Номер патента: US09508411B2. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device having main word lines and sub-word lines

Номер патента: US09418711B2. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Variable delay word line enable

Номер патента: US12119050B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US6501686B2. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-31.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Sram word-line coupling noise restriction

Номер патента: US20110157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US12087356B2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11270746B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: WO2024017077A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device including sub word line driving circuit

Номер патента: US11922992B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Process and temperature compensated word line underdrive scheme for sram

Номер патента: US20240071480A1. Автор: Ashish Kumar,Dipti ARYA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Compensation word line driver

Номер патента: US11869581B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Compensation Word Line Driver

Номер патента: US20220277789A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Word line block select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20090003118A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-12-11.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and a method for stepping up its word lines

Номер патента: US5875133A. Автор: Takashi Kumagai,Yasunobu Tokuda,Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Semiconductor memory device of divided word line

Номер патента: US5282175A. Автор: Kenji Anami,Shuji Murakami,Koreaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Word line voltage detection circuit for enchanced read operation

Номер патента: US20230079077A1. Автор: Saied Hemati,Binh Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device detecting defect by measuring line resistance of word line

Номер патента: US11835579B2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory in which access to broken word line is inhibited

Номер патента: US6111799A. Автор: Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Word line control circuit and semicondcutor apparatus including the same

Номер патента: US20220230667A1. Автор: Duck Hwa Hong,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Device and method for decoding an address word into word-line signals

Номер патента: US6873567B2. Автор: Juergen Pille,Christian Schweizer,Stefan Buettner,Jens Leenstra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line

Номер патента: US20070165445A1. Автор: Donald Plass,Yuen Chan,William Huott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor memory device having main word lines and sub word lines

Номер патента: US5764585A. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: WO2022221821A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US11894103B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A3. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A2. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Variable delay word line enable

Номер патента: US20210043249A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor memory device having hierarchical word line structure

Номер патента: US20020186611A1. Автор: Kengo Aritomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140313815A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Word line activation in memory devices

Номер патента: US20120044765A1. Автор: Giovanni Santin,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Memory structure with non-straight word line

Номер патента: US20200135241A1. Автор: Wei-Chih Wang,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US10734050B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008833A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20190259434A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US20020050448A1. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116978A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

RAM row decode circuitry that utilizes a precharge circuit that is deactivated by a feedback from an activated word line driver

Номер патента: US5400283A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical nand device with shared word line steps

Номер патента: WO2015148307A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Word line block/select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20110149664A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140029329A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: US20030031048A1. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: EP1274094A3. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Embedded cache memory in image sensors

Номер патента: US20090219426A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Cache memory device including word line driver circuit and method

Номер патента: US6738278B2. Автор: Jin Sung Kim,Kwang-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20200020391A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20200020392A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20190108875A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20180137910A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Cell Structure for Dual-Port SRAM

Номер патента: US20190147928A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20170186483A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

PSEUDO-DIFFERENTIAL READ SCHEME FOR DUAL PORT RAM

Номер патента: US20150235681A1. Автор: Guo Jing,Chen Gang,Wang Yiqi,Lin Hwong-Kwo. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-20.

BOOST SYSTEM FOR DUAL-PORT SRAM

Номер патента: US20150248928A1. Автор: LEE Cheng Hung,HUANG Mu-Jen,WU Ching-Wei,YANG XiuLi,WAN He-Zhou,BU MING-EN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-09-03.

Cell structure for dual port SRAM

Номер патента: KR101161506B1. Автор: 존-즈하이 리아우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2012-06-29.

Cell structure for dual-port SRAM

Номер патента: USRE47207E1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Serial data input device for dual port memory device.

Номер патента: KR940024597A. Автор: 정형섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-11-18.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: TW201737252A. Автор: 賽爾普特辛格,陳蓉萱,陳炎輝,維那希加德,大元應. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-16.

Cell structure for dual port SRAM

Номер патента: TW201110326A. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-03-16.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US10157666B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Cell structure for dual-port SRAM

Номер патента: US8675397B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Cell structure for dual port sram

Номер патента: US20110026289A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Decoders For Analog Neural Memory In Deep Learning Artificial Neural Network

Номер патента: US20190286976A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11935594B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20210383869A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4162491A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Integration of word line switches with word line contact via structures

Номер патента: US09595535B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Makoto Yoshida,Toru Miwa,Takuya Ariki,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and word-line activation method

Номер патента: US20200294570A1. Автор: Jian-Sing Liou,Yi Heng LIU. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Writing logically offset pages of data to N-level memory cells coupled to a common word line

Номер патента: US09905294B1. Автор: Alex Tang,Stephen Hanna,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Word line booster circuit and method

Номер патента: US12131770B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Decoders for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP3766178A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-20.

Decoders for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4303772A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Decoders for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4303772A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Local word line driver

Номер патента: US09570133B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Programming Of Drain Side Word Line To Reduce Program Disturb And Charge Loss

Номер патента: US20160099058A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: EP3204948A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-16.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: WO2016057202A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-14.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Reducing hot electron injection type of read disturb in 3D non-volatile memory for edge word lines

Номер патента: US09905305B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Word line-dependent and temperature-dependent pass voltage during programming

Номер патента: US09583198B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan,Jingjian Ren. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: US09460805B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Local word line driver

Номер патента: US09449666B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory program-verify with adaptive sense time based on distance from a word line driver

Номер патента: US20240194278A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US20240055064A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: EP3332407A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US20230102668A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11721402B2. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11386969B1. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested

Номер патента: US20020194443A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid addressis requested

Номер патента: SG128429A1. Автор: Robert Lloyd Barry,Steven Michael Eustis,Peter Francis Croce. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-01-30.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US12094550B2. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Dummy word line bias ramp rate during programming

Номер патента: US09887002B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Word line dependent programming in a memory device

Номер патента: US09548124B1. Автор: Arash Hazeghi,Dana Lee,Gerrit Jan Hemink,Henry Chin,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US20230046677A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Boosting word lines

Номер патента: US20130258744A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Half-turn word line return for plated-wire memory array

Номер патента: US3742469A. Автор: C Crosby. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US20230223084A1. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20120127806A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Apparatuses and methods for tracking word line accesses

Номер патента: US20240347100A1. Автор: YANG LU,Yuan He,Kang-Yong Kim,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Negative word line enabled pre-boosting strategy to improve nand program performance

Номер патента: US20240355401A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

NAND boosting using dynamic ramping of word line voltages

Номер патента: US09530506B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: US20200202961A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Circuit configuration for controlling the word lines of a memory matrix

Номер патента: US20020141278A1. Автор: Peter Weitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A3. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Hsu Kai Yang. Дата публикации: 2007-01-11.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A2. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Word line precharging systems and methods

Номер патента: US12131765B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Word-line enable pulse generator, SRAM and method for adjusting word-line enable time of SRAM

Номер патента: US09786363B1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Single port SRAM memory cell driven by two word lines in asynchronous manner and memory employing the same

Номер патента: US09715922B1. Автор: Chi-Ray Huang,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-07-25.

Word line divider and storage device

Номер патента: US09697878B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb

Номер патента: US09449700B2. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Sense amp activation according to word line common point

Номер патента: US20150348614A1. Автор: Myung Gyoo WON,Heechoul Park,Thu Hanh NGUYEN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

World line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: US20060227597A1. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical non-volatile memory device including plural word line stacks

Номер патента: US09711188B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Interleaved grouped word lines for three dimensional non-volatile storage

Номер патента: US09627009B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: WO2020101748A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: EP3881321A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Integrated circuit memory devices having main and section row decoders for providing improved burst mode operation

Номер патента: US5859802A. Автор: Jin-ho Lee,Hee-Chul Pack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Programmable write word line boost for low voltage memory operation

Номер патента: US20180226111A1. Автор: John J. Wuu,Russell Schreiber,Stephen Victor Kosonocky,Alexander W. Schaefer,David Hugh McIntyre,Ravi T. Jotwani,Samiul Haque Khan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Electronic device including memory arrays with variable resistance storage elements arranged on different sides of a word line driving unit

Номер патента: US9535834B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Circuit configuration for deactivating word lines in a memory matrix

Номер патента: US20020027827A1. Автор: HELMUT Fischer,Joachim Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-07.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US12131769B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Automatic word line leakage measurement circuitry

Номер патента: US09704542B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US09666800B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Local row decoder for sector-erase fowler-nordheim tunneling based flash memory

Номер патента: US5886923A. Автор: Hsi-Hsien Hung. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: US20240055051A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20230207027A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: WO2024039431A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US11848058B2. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Sub-word line driver circuit

Номер патента: US20200350011A1. Автор: Tae H. Kim,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Word line coupling for deep program-verify, erase-verify and read

Номер патента: WO2015065828A1. Автор: Jun Wan,Feng Pan,Bo Lei. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-05-07.

Dynamic word line reconfiguration for NAND structure

Номер патента: US11990185B2. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Multiple location repair word line redundancy circuit

Номер патента: US5774471A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US11875854B2. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair

Номер патента: US11984176B2. Автор: Yulong ZHAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line fault detection

Номер патента: US20120327699A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Alexander B. Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Dynamic word line boosting during programming of a memory device

Номер патента: US20240079063A1. Автор: Han-Ping Chen,Yanjie Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20240062837A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou,Jianquan Ji. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Word line driver circuit and memory

Номер патента: US12027232B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Circuit and method for generating word line off voltage

Номер патента: US20090323438A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: EP2780912A1. Автор: Deepak Raghu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-24.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: US20130128665A1. Автор: Nima Mokhlesi,Deepak Raghu,Lanlan Gu,Ashish Pal Singh Ghai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

Word line driving circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20110158029A1. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Apparatus for controlling activation period of word line of volatile memory device and method thereof

Номер патента: US20070280019A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US09997239B1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

High voltage tolerant word-line driver

Номер патента: US09875783B2. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US12142313B2. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: US09443606B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Word-line discharging circuit in a static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4611303A. Автор: Kouichi Kitano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Power consumption reducing circuit having word-line resetting ability regulating transistors

Номер патента: US5602784A. Автор: Makoto Kojima,Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

Word line driving circuit

Номер патента: US5557580A. Автор: Takashi Inui,Shunichi Sukegawa,Kiyoshi Nakai,Yukihide Suzuki,Shigeki Numaga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US11894062B2. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line voltage detection for selection of read voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018164744A1. Автор: Jun Wan,Idan Alrod,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam,Amul DESAI,Ken Cheah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US11862281B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Tchnologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Adaptive negative word line voltage

Номер патента: US20240071527A1. Автор: Yanjie Wang,Xiaoyu Che,Runchen Fang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Detecting Programmed Word Lines Based On NAND String Current

Номер патента: US20150124527A1. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-07.

Detecting programmed word lines based on nand string current

Номер патента: WO2015002901A1. Автор: Yingda Dong,Man L. Mui,Chirs AVILA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-01-08.

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: EP3711055A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: WO2020131167A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Word-line enable pulse generator, sram and method for adjusting word-line enable time of sram

Номер патента: US20180122459A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Fast search for leaky word line

Номер патента: WO2024035480A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US11894073B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation with a modulated word line assertion

Номер патента: US20230280915A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: EP4254414A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US20230317167A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US20210375329A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Word line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4002453A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20220139443A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20230014583A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: US20210265278A1. Автор: Owen W. Jungroth,Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: EP3869510A1. Автор: Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan,Owen Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Reducing disturbs with delayed ramp up of selected word line voltage after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669362A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Electronic memory apparatus, and method for deactivating redundant bit lines or word lines

Номер патента: US20050243636A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-03.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Dram with word line compensation

Номер патента: US20080266987A1. Автор: Esin Terzioglu,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Random access memory dual word line recovery circuitry

Номер патента: CA1177910A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory system that differentiates voltages applied to word lines

Номер патента: US20180261275A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with different word line hook up regions based on pass through signals

Номер патента: US11817150B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US11830539B2. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Method and apparatus for improving sram cell stabilty by using boosted word lines

Номер патента: US20080225611A1. Автор: Richard Q. Williams,Hussein I. Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US11972803B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device including booster circuit for tracking word line

Номер патента: US20230377638A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Periodic reduced word line bias which increases channel boosting

Номер патента: US20220068390A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20210193237A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Debiasing scheme for partial block erase based on word line groups

Номер патента: US20240194270A1. Автор: Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Qun Su,Ryan Hrinya,Jose Nino N. Monje. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Word line charge integration

Номер патента: US20240212736A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US9984753B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Array word line driver system

Номер патента: US4413191A. Автор: Russell J. Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Enabling circuit for redundant word lines in a semiconductor memory array

Номер патента: US4538245A. Автор: George Perlegos,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-08-27.

Refresh scheme for redundant word lines

Номер патента: US6078543A. Автор: Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Word line driver for vector-by-matrix multiplication array

Номер патента: US20240095508A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran,Ahn Ly. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Boundary word line voltage shift

Номер патента: US20190304550A1. Автор: Zhenlei Shen,Pitamber Shukla,Philip Reusswig,Anubhav Khandelwal,Niles N. Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Word line group read counters

Номер патента: US11934689B2. Автор: Harish Reddy Singidi,Gianni Stephen Alsasua,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Redundant random access memory device equipped with encoder coupled between programming circuits and redundant word line driving circuits

Номер патента: US5224073A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor DRAM with non-linear word line discharge

Номер патента: US9214218B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor memory device which applies multiple voltages to the word line

Номер патента: US9792996B1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Boundary Word Line Search and Open Block Read Methods with Reduced Read Disturb

Номер патента: US20160240262A1. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Word Line Precharging Systems and Methods

Номер патента: US20240071454A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: EP3711054A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Modular memory architecture with more significant bit sub-array word line activation in single-cycle read-modify-write operation dependent on less significant bit sub-array data content

Номер патента: US20230135708A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-04.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Vertical gate stacked nand and row decoder for erase operation

Номер патента: US20160049202A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

DRAM word line voltage control to insure full cell writeback level

Номер патента: US20020159301A1. Автор: William Tonti,Wayne Ellis,Mark Jacunski,Russell Houghton,Thomas Maffitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20130121088A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory performing write operation in which a string transistor channel voltage is boosted before applying a program voltage to a word line

Номер патента: US09953708B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical gate stacked NAND and row decoder for erase operation

Номер патента: US09595336B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Dynamic RAM having word line voltage intermittently boosted in synchronism with an external clock signal

Номер патента: US6115319A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazumasa Yanagisawa,Kenji Nishimoto,Yoshitaka Kinoshita. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Data recovery method after word line-to-word line short circuit

Номер патента: US9785493B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and apparatus for redundancy word line replacement in a semiconductor memory device

Номер патента: US5555212A. Автор: Kirihata Toshiaki,Kato Daisuke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor memory having different read and write word line voltage levels

Номер патента: US4953127A. Автор: Yasuhiko Rai,Yasuhiko Nagahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Word line driving circuit with high access efficiency

Номер патента: US11810643B2. Автор: Chia-Wei Ho,Min-Chia Wang,Chung-Ming Lin,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Selected word line dependent select gate diffusion region voltage during programnming

Номер патента: EP2831883A1. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink,Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-04.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: WO2020131168A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: EP1421589A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: AU2002332457A1. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Interleaved grouped word lines for three dimesional non-volatile storage

Номер патента: US20160027477A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Nonvolatile memory apparatus capable of determining an application time of a program voltage applied to a selected word line

Номер патента: US8929150B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Word line driver, word line driver array, and semiconductor structure

Номер патента: US20230143797A1. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Word line discharge skip for faster read time

Номер патента: US20200411100A1. Автор: Yosuke Kato,Norihiro Kamae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: EP3014626A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-04.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: WO2014209778A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic random access memory with shaped word-line waveform

Номер патента: US20200185021A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Electronic fuse semiconductor device for selecting failed redundancy word lines

Номер патента: US09401219B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Precharge-enabled self boosting word line driver for an embedded dram

Номер патента: CA2225355C. Автор: John Wu,Peter Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US20090072341A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor storage device comprising a control circuit for changing a rate of increase of a voltage applied to non-selected word lines

Номер патента: US11901020B2. Автор: Naofumi ABIKO,Emiri TAKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US20240055043A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Defective word line detection

Номер патента: US20130114342A1. Автор: Manabu Sakai,Toru Miwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

Sram cell word line structure with reduced rc effects

Номер патента: US20230380129A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: US20190147962A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Word-line inter-cell interference detector in flash system

Номер патента: US20150371714A1. Автор: Seyhan Karakulak,Anthony Dwayne WEATHERS,Richard David Barndt. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: WO2019099105A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Word-line driver for memory

Номер патента: US20140233321A1. Автор: Vikas RANA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2014-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20210098053A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20190311765A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit including cell array with word line assist cells

Номер патента: US20220139442A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-05.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: EP3669366A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Word line layer dependent stress and screen voltage

Номер патента: US20240161849A1. Автор: Liang Li,CHAO Xu,Yidan Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Word line and power conductor within a metal layer of a memory cell

Номер патента: US20130182484A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack during programming

Номер патента: EP3685383A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Word line voltage generator for programmable memory array

Номер патента: US09837168B1. Автор: John A. Fifield,Eric D. Hunt-Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

SRAM cell word line structure with reduced RC effects

Номер патента: US11778802B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Sub word line driver of a semiconductor memory device

Номер патента: US9543306B1. Автор: HAN Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Word line boost circuit and method

Номер патента: US7697349B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Word line voltage supply circuit

Номер патента: US6078531A. Автор: Patrick Chuang,Hisanobu Tsukazaki,Yoshifumi Miyazima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit

Номер патента: US9025403B1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass,Gregory J. Fredeman,Kenneth J. Reyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: WO2022093320A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US20220157366A1. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US11908539B2. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Techniques for erasing the memory cells of edge word lines

Номер патента: US11848059B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Word-line driver and storage apparatus

Номер патента: EP4322166A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A3. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A2. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-13.

Word line ramping down scheme to purge residual electrons

Номер патента: WO2018004752A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20230245695A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US11900992B2. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US20180322918A1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: EP3807879A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method And Apparatus For Reducing Coupling Between Word Lines And Control Gate Lines In A Flash Memory System

Номер патента: US20190385679A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A8. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A1. Автор: Kaiman YUE,Guang Yan LUO,Xiaozhou QUIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Semiconductor device having word line structure

Номер патента: US20230299161A1. Автор: Wei-Tong Chen,Cheng-Yan Ji. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: EP4055607A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US20230386524A1. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: US20240112735A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: EP3198602A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: WO2016048662A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Word-line pre-charging in power-on read operation to reduce programming voltage leakage

Номер патента: US20190066789A1. Автор: Manabu Sakai,Yen-Lung Li,Qui Vi Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US12002499B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-volatile memory (nvm) with word line driver/decoder using a charge pump voltage

Номер патента: US20140269140A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: US20240249789A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A. Herrera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: WO2024158647A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A HERRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

MRAM word line power control scheme

Номер патента: US09672885B2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Reparir device and method capable of repairing fail cell by the unit section word line)

Номер патента: KR20080006113A. Автор: 이승민,박철성,유병욱,김영승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Dynamic word line driver for cache

Номер патента: US6122710A. Автор: Manoj Kumar,Huy Van Pham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Flash devices with shared word lines

Номер патента: US7495294B2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Duo-level word line driver

Номер патента: US20230343391A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Method and apparatus for word line driver with decreased gate resistance

Номер патента: US20120037997A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,You-Cheng Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Separate drain-side dummy word lines within a block to reduce program disturb

Номер патента: WO2018226280A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: EP4195208A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Reducing Disturbs With Delayed Ramp Up Of Dummy Word Line After Pre-charge During Programming

Номер патента: US20190108883A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Reducing disturbs with delayed ramp up of dummy word line after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669365A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word-line deficiency detection method for semiconductor memory device

Номер патента: US20010009525A1. Автор: Yoshiharu Kato,Shinji Nagai,Satoru Kawamoto,Motoki Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line cache mode

Номер патента: US10366733B1. Автор: Gregg D. Wolff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Compact memory cell with a shared conductive word line and methods of making such a memory cell

Номер патента: US20220037348A1. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory cell with asymmetric word line and erase gate for decoupled program erase performance

Номер патента: WO2019135905A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Circuit configuration and method for automatic recognition and elimination of word line/bit line short circuits

Номер патента: US6125066A. Автор: Patrick Heyne,Dieter Härle,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Precharge-enable self boosting word line driver for an embedded DRAM

Номер патента: US6058050A. Автор: John Wu,Peter B. Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US20240161822A1. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US11915746B2. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage

Номер патента: WO2009058991A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

Test of ram address decoder for resistive open defects

Номер патента: EP1629506A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Adapting word line pulse widths in memory systems

Номер патента: CA2709424C. Автор: Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

circuit for driving word line and driving method used the same

Номер патента: KR101559909B1. Автор: 박현호,변영용,야마다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Addressable word line pull-down circuit

Номер патента: US4168490A. Автор: Jonathan J. Stinehelfer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US20220310152A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11869576B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Word Line Delay Interlock Circuit for Write Operation

Номер патента: US20230335178A1. Автор: Atul Katoch,Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Mram word line power control scheme

Номер патента: WO2014039571A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Word line drive circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11830553B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: WO2003021602A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-03-13.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Sensing for nand memory based on word line position

Номер патента: WO2012044635A2. Автор: Haibo Li. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line driver and memory device

Номер патента: US20230026502A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Word line structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273868A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Yung-Tai Hung,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang,Chi-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Low power microprocessor cache memory and method of operation

Номер патента: WO2006128079A2. Автор: Muhammad Ahmed,Sujat Jamil,Ajay Anant Ingle,Baker Mohammad,Paul Bassett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2006-11-30.

Integrated circuit and method for cleaning valid bits in cache memory of the integrated circuit

Номер патента: US20240070085A1. Автор: Yung-Chi LAN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of testing cache memory

Номер патента: US20030046620A1. Автор: Ching-Jer Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Cache memory diagnostic writeback

Номер патента: US09911508B2. Автор: Rodney E. Hooker,Douglas R. Reed,Jason Chen,Stephan Gaskins. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Cache memory staged reopen

Номер патента: US09830272B2. Автор: Larisa Novakovsky,Joseph Nuzman,Iris Sorani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Streaming stress testing of cache memory

Номер патента: US09798667B2. Автор: Shakti Kapoor. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Cache memory management system and method

Номер патента: US09672180B1. Автор: Sharad Mehrotra,Abbas Morshed,Jon Livesey. Владелец: Sanmina Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with multi-bank DRAM and cache memory

Номер патента: US20050111284A1. Автор: Satoru Akiyama,Takao Watanabe,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Low power microprocessor cache memory and method of operation

Номер патента: WO2006128079A3. Автор: Muhammad Ahmed,Sujat Jamil,Ajay Anant Ingle,Baker Mohammad,Paul Bassett. Владелец: Paul Bassett. Дата публикации: 2007-02-08.

Read cache memory with DRAM class promotion

Номер патента: US09710173B2. Автор: Eugene Feng,Mathew Arcoleo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Easily cascadable and testable cache memory

Номер патента: US4884270A. Автор: Edison H. Chiu,Roland H. Pang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-28.

High-speed partitioned set associative cache memory

Номер патента: US4945512A. Автор: Clarence W. DeKarske,Aaron C. Peterson. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1990-07-31.

System and method for dual-port communication and power delivery

Номер патента: US20240259231A1. Автор: Wuguang Liu,Stewart Merkel. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dual port cache with interleaved read accesses during alternate half-cycles and simultaneous writing

Номер патента: US4493033A. Автор: Michael L. Ziegler,Michael B. Druke. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1985-01-08.

System and method for dual-port communication and power delivery

Номер патента: US12003346B2. Автор: Wuguang Liu,Stewart Merkel. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for dual porting a single port serial ata disk drive

Номер патента: WO2003091887A1. Автор: William E. Lynn. Владелец: Adaptec, Inc.. Дата публикации: 2003-11-06.

Method and apparatus for dual porting a single port serial ata disk drive

Номер патента: AU2003228567A1. Автор: William E. Lynn. Владелец: Adaptec Inc. Дата публикации: 2003-11-10.

Fibre channel port by-pass selector section for dual ported disk drives

Номер патента: US6567890B1. Автор: Christopher J. Mulvey,Thomas Earl Linnell,William R. Tuccio. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Collision detection for dual port RAM operations on a microcontroller

Номер патента: TW544583B. Автор: Michael S Pyska,Theodor J Dippenaar,Stephanus P Duvenhage. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Systems and methods for dual-ported cryptoprocessor for host system and management controller shared cryptoprocessor resources

Номер патента: US20180053004A1. Автор: Mukund P. Khatri,Johan Rahardjo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-02-22.

SYSTEMS AND METHODS FOR DUAL-PORTED CRYPTOPROCESSOR FOR HOST SYSTEM AND MANAGEMENT CONTROLLER SHARED CRYPTOPROCESSOR RESOURCES

Номер патента: US20180053004A1. Автор: Khatri Mukund P.,Rahardjo Johan. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2018-02-22.

Scan Cell for Dual Port Memory Applications

Номер патента: US20180156866A1. Автор: Chong Yew Keong,Mclaurin Teresa Louise,Frederick Frank David,Slobodnik Richard,Jani Kartikey. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SYSTEM AND METHOD FOR DUAL-PORT COMMUNICATION AND POWER DELIVERY

Номер патента: US20210218595A1. Автор: Liu Wuguang,Merkel Stewart. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Access controlling apparatus and method for dual port memory

Номер патента: KR100775345B1. Автор: 김현일. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2007-11-12.

Buffer RAM Controller for Dual Port Support and VME Interface

Номер патента: KR950020205A. Автор: 최성훈,박윤옥,안희일,조호길,성동주. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1995-07-24.

A fast, dual ported cache controller for data processors in a packet switched cache coherent multiprocessor system

Номер патента: EP0735487B1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Zahir Ebrahim,Kevin Normoyle,William C. Van Loo. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-10-31.

Decoders for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US12099921B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Cache-memory management unit system

Номер патента: CA1283220C. Автор: Howard Gene Sachs,Walter H. Hollingsworth,James Y. Cho. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 1991-04-16.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Read schemes with adjustment for neighboring word line sanitization

Номер патента: US20240143229A1. Автор: Ravi J. Kumar,Sujjatul Islam,Md Raquibuzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Structure for inspecting defects in word line array fabricated by SADP process and method thereof

Номер патента: US8748814B1. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Parallel processor having decoder for selecting switch from the group of switches and concurrently inputting MIMD instructions while performing SIMD operation

Номер патента: US5535410A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Takao Watanabe,Tetsuya Nakagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-09.

Map updating system and map updating program using dynamic cache memory

Номер патента: RU2458392C2. Автор: Масахиро ТАКАХАСИ,Мицухиро НИМУРА,Тацуми САКАМОТО,Тойодзи ХИЙОКАВА,Хиройоси МАСУДА,Томофуми СИБАТА,Казуюки ХИРАКАВА,Ацуси ЯМАЗАКИ,Масахиро ХЯКУСАВА. Владелец: Аисин Ав Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-08-10.

Coordination of cache memory operations

Номер патента: GB2587512A. Автор: Steinmacher-Burow Burkhard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-31.

Integrated circuits (ic) employing subsystem shared cache memory for facilitating extension of low-power island (lpi) memory and related methods

Номер патента: EP4377765A1. Автор: Girish Bhat,Vipul Gandhi,George PATSILARAS,Subbarao Palacharla,Jeffrey Shabel,Isaac BERK,Kedar Bhole,Sparsh SINGHAI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Cache memory architecture having reduced tag memory size and method of operation thereof

Номер патента: US20100088457A1. Автор: Alex Rabinovitch,Assaf Rachlevski,Alex Shinkar,Allen B. Goodrich. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-08.

Multi-way cache memory access

Номер патента: US20220066942A1. Автор: Waleed Younis,Ramon Zuniga,Jagadish RONGALI,Bassam S. Kamand. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Low area cache memory

Номер патента: EP3977294A1. Автор: Bassam S Kamand,Waleed Younis,Ramon Zuniga,Jagadish RONGALI. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Multi-way cache memory access

Номер патента: US20210286732A1. Автор: Waleed Younis,Ramon Zuniga,Jagadish RONGALI,Bassam S. Kamand. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Multi-way cache memory access

Номер патента: US11544199B2. Автор: Waleed Younis,Ramon Zuniga,Jagadish RONGALI,Bassam S. Kamand. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Embedded dram cache memory and method having reduced latency

Номер патента: US20070168616A1. Автор: Joseph Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Cache memory having enhanced performance and security features

Номер патента: US09864703B2. Автор: Ruby B. Lee,Zhenghong Wang. Владелец: TELEPUTERS LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Cache memory

Номер патента: US09632951B2. Автор: Chun-Hung Lai,Ing-Jer Huang,Yun-Chung YANG. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-04-25.

Opportunistic storage of non-write-boosted data in write booster cache memory

Номер патента: US20240201888A1. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Cache memory apparatus

Номер патента: US20110289276A1. Автор: Daniel Shane O'sullivan. Владелец: Mmagix Technology Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

M cache memory and method of using same

Номер патента: EP3964968A1. Автор: Bassam S Kamand. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Cache memory apparatus

Номер патента: US20160210155A1. Автор: Daniel Shane O'sullivan. Владелец: Mmagix Technology Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods for reducing cache memory pollution during parity calculations of raid data

Номер патента: US20110213925A1. Автор: Douglas Ledford. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Cache memory apparatus

Номер патента: US20130311723A1. Автор: Daniel Shane O'sullivan. Владелец: Mmagix Technology Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Cache memory, cache memory system, and method program for using the cache memory

Номер патента: US20110153950A1. Автор: Takashi Miyazaki,Kazuhisa Ishizaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Cache Memory Having Enhanced Performance And Security Features

Номер патента: US20140095797A1. Автор: Ruby B. Lee,Zhenghong Wang. Владелец: TELEPUTERS LLC. Дата публикации: 2014-04-03.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20240281329A1. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Data processing apparatus with a cache memory and method of using such an apparatus

Номер патента: US20020049889A1. Автор: Jan Hoogerbrugge,Paul Stravers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method and system for optimizing prefetching of cache memory lines

Номер патента: WO2012135429A3. Автор: Jeff Wiedemeier,Leigang Kou,Mike Filippo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-12-27.

Method and system for optimizing prefetching of cache memory lines

Номер патента: WO2012135429A2. Автор: Jeff Wiedemeier,Leigang Kou,Mike Filippo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-10-04.

Cache memory having enhanced performance and security features

Номер патента: US9110816B2. Автор: Ruby B. Lee,Zhenghong Wang. Владелец: TELEPUTERS LLC. Дата публикации: 2015-08-18.

Cache memory system

Номер патента: EP1231539A3. Автор: Hiroshi c/o Fujitsu Limited Okano,Fumihiko c/o Fujitsu Limited Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Cache memory budgeted by ways based on memory access type

Номер патента: US09910785B2. Автор: Colin Eddy,Rodney E. Hooker,Douglas R. Reed,John Michael Greer. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Cache memory bypass in a multi-core processor (MCP)

Номер патента: US09886389B2. Автор: Daeik Kim,Moon J. Kim,Karl J. Duvalsaint,Dan P. Dumarot,Eugene B. Risi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Data managment for cache memory

Номер патента: US09798672B1. Автор: John Gregory Favor,Kjeld Svendsen. Владелец: MACOM Connectivity Solutions LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Cache memory apparatus

Номер патента: US09715391B2. Автор: Daniel Shane O'sullivan. Владелец: Mmagix Technology Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory access control device, cache memory and semiconductor device

Номер патента: US09684602B2. Автор: Seiji Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Fully associative cache memory budgeted by memory access type

Номер патента: US09652400B2. Автор: Colin Eddy,Rodney E. Hooker,Douglas R. Reed,John Michael Greer,Albert J. Loper. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Temporary cache memory eviction

Номер патента: US09542318B2. Автор: Alex Goldberg. Владелец: INFINIDAT LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Compressing data for storage in cache memories in a hierarchy of cache memories

Номер патента: EP3903193A1. Автор: Matthew Tomei,Philip BEDOUKIAN,Shomit Das. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method and system for managing a cache memory

Номер патента: US20230176982A1. Автор: Thomas HISCOCK,Mustapha EL MAJIHI,Amine JAAMOUM,Billal IGHILAHRIZ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and device for protecting against fault attack(s) an electronic device using a cache memory

Номер патента: EP2877957A1. Автор: Laurent Gauteron,Karine Villegas. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-06-03.

Cache memory and method of operating the same

Номер патента: US8151087B2. Автор: Sang Woo Park,Jung Keun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-04-03.

Method and system for filling cache memory for cache memory initialization

Номер патента: US20080104322A1. Автор: Craig A. VanZante. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-05-01.

Memory control device and cache memory controlling method

Номер патента: US20110161549A1. Автор: Akinori Hashimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Critical-word-first ordering of cache memory fills to accelerate cache memory accesses, and related processor-based systems and methods

Номер патента: WO2014138029A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Merging data in an L2 cache memory

Номер патента: US8539158B2. Автор: Gary E. Strait,Robert J. Sonnelitter, III,Deanna Postles Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Tag array access reduction in a cache memory

Номер патента: US20040243764A1. Автор: William Miller. Владелец: VIA Cyrix Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Prefetch management in cache memory

Номер патента: WO1999023564A1. Автор: Eino Jacobs. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-05-14.

Virtually-tagged data cache memory that uses translation context to make entries allocated during execution under one translation context inaccessible during execution under another translation context

Номер патента: US20220067143A1. Автор: John G. Favor,Srivatsan Srinivasan. Владелец: Ventana Micro Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Storage system with cache memory

Номер патента: EP1507204A3. Автор: Shuji Hitachi Ltd. Intel. Prop. Group Nakamura,Kentaro Hitachi Ltd. Intel. Prop. Group Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-12-27.

Multi-bank cache memory

Номер патента: EP2810172A1. Автор: JIAN Liang,Chun Yu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

Caching memory contents into cache partitions baesed on memory locations

Номер патента: US20030093622A1. Автор: Carl Love,Donald DeSota,Russell Clapp,Adrian Moga. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Debug trace of cache memory requests

Номер патента: US11740993B2. Автор: Sandeep Gupta,Andrew J. Beaumont-Smith,Matthias Knoth,Krishna C. Potnuru. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Merging data in an l2 cache memory

Номер патента: US20110258394A1. Автор: Gary E. Strait,Robert J. Sonnelitter, III,Deanna P. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Cache memory system and method of a computer

Номер патента: US6173365B1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Cache memory

Номер патента: WO2000045269A1. Автор: Michael David May,Hendrik Lambertus Muller. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2000-08-03.

Cache memory device, processor, and processing method

Номер патента: US20100332758A1. Автор: Hiroyuki Kojima,Naoya Ishimura,Akihiro Waku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Multiple copy scoping bits for cache memory

Номер патента: EP4388425A1. Автор: Gregory Alexander,Craig Walters,Ram Sai Manoj Bamdhamravuri,Timothy Bronson,Chunggeon Rhee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Cache memory that supports tagless addressing

Номер патента: US12124382B2. Автор: Hongzhong Zheng,Trung A. Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods and apparatus to manage cache memory in multi-cache environments

Номер патента: US09952999B2. Автор: Robert Joseph Woodruff,Shiow-wen Cheng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Counter-based victim selection in a cache memory

Номер патента: US09940239B1. Автор: Jeffrey A. Stuecheli,Ram Raghavan,Bernard C. Drerup,Sahil Sabharwal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Cache memory budgeted by chunks based on memory access type

Номер патента: US09898411B2. Автор: Colin Eddy,Rodney E. Hooker,Douglas R. Reed,John Michael Greer. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Dynamic management of virtual memory blocks exempted from cache memory access

Номер патента: US09836405B2. Автор: Michael Karl Gschwind,Dan F. Greiner,Christian Jacobi,Chung-Lung Kevin Shum,Anthony Saporito,Jonathan D. Bradbury,Younes Manton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Cache memory sharing in a multi-core processor (MCP)

Номер патента: US09824008B2. Автор: Daeik Kim,Moon J. Kim,Karl J. Duvalsaint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Cache memory system and processor system

Номер патента: US09740613B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Counter-based victim selection in a cache memory

Номер патента: US09727489B1. Автор: Guy L. Guthrie,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,Bernard C. Drerup. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Counter-based victim selection in a cache memory

Номер патента: US09727488B1. Автор: Guy L. Guthrie,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,Bernard C. Drerup. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Providing shared cache memory allocation control in shared cache memory systems

Номер патента: US09678875B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Backup-power-free cache memory system

Номер патента: US09632932B1. Автор: Pantas Sutardja,Abhijeet P. Gole. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for secure loading data in a cache memory

Номер патента: US09563769B2. Автор: Patrick Servet,Didier Hunacek,Marco Macchetti. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2017-02-07.

Cache memory for hybrid disk drives

Номер патента: US09535611B2. Автор: Avraham Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Dynamic management of a processor state with transient cache memory

Номер патента: US09495306B1. Автор: Michael Karl Gschwind,Dan F. Greiner,Christian Jacobi,Chung-Lung Kevin Shum,Anthony Saporito,Jonathan D. Bradbury,Joran S. C. Siu,Younes Manton,Timothy J. Siegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Hard disk drive with optional cache memory

Номер патента: US09424197B2. Автор: Avraham Meir,Yoram Zylberberg. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for optimizing the usage of cache memories

Номер патента: US09418016B2. Автор: Simon C. Steely, Jr.,Joel S. Emer,William C. Hasenplaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Systems and methods for accessing cache memory

Номер патента: US09384131B2. Автор: Christian Habermann,Christian Jacobi,Sascha Junghans,Hans-Werner Tast,Martin Recktenwald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Cache memory

Номер патента: US20030142537A1. Автор: William Barnes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Cache memory

Номер патента: US6813179B2. Автор: William Bryan Barnes. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2004-11-02.

Method, apparatus and system for dynamically controlling an addressing mode for a cache memory

Номер патента: US20150120998A1. Автор: Wei Zhou,Zhihong Wang,Zhaojuan Bian,Kebing Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Cache memory error detection circuits for detecting bit flips in valid indicators in cache memory following invalidate operations, and related methods and processor-based systems

Номер патента: WO2015160493A1. Автор: Brian Michael Stempel,Thomas Philip Speier,John Sumner Ingalls. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-22.

System and method for increasing the snoop bandwidth to cache tags in a cache memory sybsystem

Номер патента: US20040073740A1. Автор: Robert Cypher. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Cache memory with write through, no allocate mode

Номер патента: WO2014004269A2. Автор: Lucian Codrescu,Manojkumar Pyla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-03.

Cache memory device and data cache method

Номер патента: US20230169004A1. Автор: Jianbin Wang,Junjie Zhang,Mengchen Yang,Jing Qiao. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Cache memory error detection circuits for detecting bit flips in valid indicators in cache memory following invalidate operations, and related methods and processor-based systems

Номер патента: EP3132351A1. Автор: Brian Michael Stempel,Thomas Philip Speier,John Sumner Ingalls. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Cache memory

Номер патента: WO2002023347A1. Автор: William Bryan Barnes. Владелец: STMICROELECTRONICS LIMITED. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of optimization of cache memory management and corresponding apparatus

Номер патента: US20130198314A1. Автор: Thierry Quere,Renaud Rigal,Florent Fresnaye. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of optimization of cache memory management and corresponding apparatus

Номер патента: EP2572284A1. Автор: Thierry Quere,Renaud Rigal,Florent Fresnaye. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-03-27.

Method of optimization of cache memory management and corresponding apparatus

Номер патента: WO2011144576A1. Автор: Thierry Quere,Renaud Rigal,Florent Fresnaye. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2011-11-24.

Multi-channel cache memory

Номер патента: US09892047B2. Автор: Kimmo Kuusilinna,Jari Nikara,Eero Aho. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method, apparatus and system for dynamically controlling an addressing mode for a cache memory

Номер патента: US09836400B2. Автор: Wei Zhou,Zhihong Wang,Zhaojuan Bian,Kebing Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Cache memory control program, processor incorporating cache memory, and cache memory control method

Номер патента: US09734075B2. Автор: Masatoshi Fujii,Hisashi HINOHARA,Yasuhiro YUBA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Cache memory and cache memory control unit

Номер патента: US09535841B2. Автор: Hiroshi Yoshikawa,Hiroaki Sakaguchi,Masaaki Ishii,Taichi Hirao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Cache memory with unified tag and sliced data

Номер патента: US09514051B2. Автор: Jiin Lai,Bo Zhao,Zhongmin Chen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and method for determining a sector division ratio of a shared cache memory

Номер патента: US09477601B2. Автор: Lei Zhang,Tsuyoshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Processing device and method of sharing storage between cache memory, local data storage and register files

Номер патента: EP4396674A1. Автор: Maxim V. KAZAKOV. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Processor-based system for allocating cache lines to a higher-level cache memory

Номер патента: US20240202131A1. Автор: Ramkumar Srinivasan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Cache management using multiple cache memories and favored volumes with multiple residency time multipliers

Номер патента: US20220179802A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Kevin J. Ash,Beth A. Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Caching and deduplication of data blocks in cache memory

Номер патента: US20160162414A1. Автор: Manoj Nayak. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Storage array controller with a nonvolatile memory as a cache memory and control method of the same

Номер патента: US7055001B2. Автор: Sumihiro Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20180150398A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Processor-based system for allocating cache lines to a higher-level cache memory

Номер патента: US20240248851A1. Автор: Ramkumar Srinivasan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Disk device having cache memory

Номер патента: US6934801B2. Автор: Toshikazu Takai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Data storage system with physical storage and cache memory

Номер патента: US20190042442A1. Автор: Gordon D. Hutchison,Ben SASSON,Miles Mulholland,Lee J. Sanders,William J. Scales. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for managing a cache memory of an electronic processor

Номер патента: US11003593B2. Автор: Olivier Savry,Thomas HISCOCK,Mustapha EL MAJIHI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-05-11.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and device for accessing a cache memory

Номер патента: US20180074957A1. Автор: Chieh-Jen Cheng,Chuan-Hua Chang. Владелец: Andes Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Cache Memory System and Method for Accessing Cache Line

Номер патента: US20170262372A1. Автор: Jing Xia,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Cache memory supporting data operations with parametrized latency and throughput

Номер патента: US20240273021A1. Автор: Dongwook Lee,Robert Groza, Jr.,Ahmed ABDELSALAM,Ezzeldin Hamed,Vishalkumar Shantilal GONDALIYA,Anshuman Verma. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Processor-based system for allocating cache lines to a higher-level cache memory

Номер патента: US12093184B2. Автор: Ramkumar Srinivasan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

A cache memory supporting data operations with parametrized latency and throughput

Номер патента: WO2024173151A1. Автор: Dongwook Lee,Ahmed ABDELSALAM,Ezzeldin Hamed,Robert Groza,Vishalkumar Shantilal GONDALIYA,Anshuman Verma. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for controlling cache line storage in cache memory

Номер патента: US12124373B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Cache memory with decoupled control paths

Номер патента: US12066936B1. Автор: Eitan Joshua,Ehud Eliaz,Yori Teichman,Ofer Eizenberg. Владелец: Habana Labs Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Counter-based victim selection in a cache memory

Номер патента: US09940246B1. Автор: Jeffrey A. Stuecheli,Ram Raghavan,Bernard C. Drerup,Sahil Sabharwal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Managing method for cache memory of solid state drive

Номер патента: US09928177B2. Автор: Sin-Yu Lin. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Storage controller cache memory operations that forego region locking

Номер патента: US09910798B2. Автор: Timothy E. Hoglund,Sridhar Rao Veerla,Horia Cristian Simionescu,Gowrisankar Radhakrishnan,Panthini Pandit. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Caching and deduplication of data blocks in cache memory

Номер патента: US09830274B2. Автор: Manoj Nayak. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Cache memory system and operating method for the same

Номер патента: US09830264B2. Автор: Kwon-taek Kwon,Jeong-Soo Park,Jeong-ae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatuses and methods for pre-fetching and write-back for a segmented cache memory

Номер патента: US09612972B2. Автор: David Roberts,J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method for effective use of cache memory in distributed file system

Номер патента: RU2170454C2. Автор: Томас Джордж КЭНТРЕЛЛ,Себнем ДЖАДЖИ,Амаль Ахмед ШАХИН,Ричард Байрон УОРД. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2001-07-10.

CRT update apparatus and method for variable size cache memory using tags and address boundary determination

Номер патента: US6092151A. Автор: Heon-chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Using Predictions of Outcomes of Cache Memory Access Requests for Contolling Whether A Request Generator Sends Memory Access Requests To A Memory In Parallel With Cache Memory Access Requests

Номер патента: US20200257623A1. Автор: Yasuko ECKERT,Steven E. Raasch,Matthew R. Poremba,Jieming YIN,Doug Hunt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method and apparatus for adjusting cache memory and computer device

Номер патента: US20240012754A1. Автор: Sheng Wang,Shangzhi CAI. Владелец: Shanghai Bilibili Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Storage device cache memory management

Номер патента: EP1454238A1. Автор: Claude Chapel,Jean-Charles Guillemot,Jean Le Roux. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-09-08.

Storage device cache memory management

Номер патента: WO2003054706A1. Автор: Claude Chapel,Jean-Charles Guillemot,Jean Le Roux. Владелец: Thomson Licensing Sa. Дата публикации: 2003-07-03.

Self-aware, peer-to-peer cache transfers between local, shared cache memories in a multi-processor system

Номер патента: EP3475832A1. Автор: Thuong Quang Truong,Eric Francis Robinson,Hien Minh Le,Brad HEROLD,Robert Bell, Jr.. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

Storage control apparatus, storage system and method of controlling a cache memory

Номер патента: US20180276141A1. Автор: Jun Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method and apparatus for controlling cache memory

Номер патента: US20150095545A1. Автор: Do-Hyung Kim,Si-Hwa Lee,Won-chang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Flush control apparatus, flush control method and cache memory apparatus

Номер патента: US20140223102A1. Автор: Yasuo Ishii,Yohei Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Cache memory architecture and management

Номер патента: US20230023314A1. Автор: RONG Yu,Mark Halstead,Peng Wu,Michael Scharland,Benjamin Yoder,Kaustubh Sahasrabudhe. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Index generation for cache memories

Номер патента: US20120166756A1. Автор: Shailender Chaudhry,Paul Caprioli,Martin Karlsson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Device and method for prefetching content to a cache memory

Номер патента: EP3332329A1. Автор: Tomas Henriksson,Andreas KUTNAR,Darren Barnard. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-13.

Asystem and method for managing cache memory

Номер патента: US20210096992A1. Автор: Rishav Das,Sourav Mudi. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods and apparatus for controlling a cache memory

Номер патента: EP1518178A1. Автор: Hidetaka Sony Computer Ent. America Inc. MAGOSHI. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2005-03-30.

Methods and apparatus for controlling a cache memory

Номер патента: WO2004003753A1. Автор: Hidetaka Magoshi. Владелец: SONY COMPUTER ENTERTAINMENT INC.. Дата публикации: 2004-01-08.

Cache memory, cache memory control unit, and method of controlling the cache memory

Номер патента: US20140289473A1. Автор: Taichi Hirao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Cache memory, cache memory control unit, and method of controlling the cache memory

Номер патента: US9336148B2. Автор: Taichi Hirao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Cache memory, cache memory control unit, and method of controlling the cache memory

Номер патента: US20160217075A1. Автор: Taichi Hirao. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Cache memory system and method of operating the same

Номер патента: US20160118024A1. Автор: Heejun SHIM,Kwontaek Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-28.

Cache memory control method and cache memory control device

Номер патента: US20090235028A1. Автор: Keisuke Kaneko. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Dynamic power management of cache memory in a multi-core processing system

Номер патента: WO2012134431A4. Автор: Christopher John SHANNON. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-12-27.

Flush control apparatus, flush control method and cache memory apparatus

Номер патента: US9304917B2. Автор: Yasuo Ishii,Yohei Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Using Error Correction Code (ECC) Bits for Retaining Victim Cache Lines in a Cache Block in a Cache Memory

Номер патента: US20230022320A1. Автор: Marko Scrbak,Jagadish KOTRA. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Systems and methods for random fill caching and prefetching for secure cache memories

Номер патента: US12079127B2. Автор: Ruby B. Lee,Fangfei LIU. Владелец: Coresecure Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for controlling cache memory

Номер патента: US09875178B2. Автор: Do-Hyung Kim,Si-Hwa Lee,Won-chang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Cache memory with fault tolerance

Номер патента: US09830218B2. Автор: Young-Su Kwon,Jin-Ho HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Cache memory system for a pixel shader and method of operating the same

Номер патента: US09773476B2. Автор: Heejun SHIM,Kwontaek Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and apparatus for managing cache memory in communication system

Номер патента: US09767033B2. Автор: Yong-Seok Park,Sang-Jun Moon,Jiangwei XU,Jung-Hwan Lim,Chul-ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Texture cache memory system of non-blocking for texture mapping pipeline and operation method of texture cache memory

Номер патента: US09727474B2. Автор: Youngsik Kim,Seok Yoon Jung,Sang Oak Woo,Woo Chan Park,Kwon Taek Kwon,Duk Ki Hong,Young Duke Seo. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-08.

Electronic device with cache memory and method of operating the same

Номер патента: US09684604B2. Автор: Seungjin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Least recently used mechanism for cache line eviction from a cache memory

Номер патента: US09563575B2. Автор: Prashant Jain,Gerard R. Williams, III,Brian P. Lilly,Mahnaz Sadoughi-Yarandi,Perumal R. Subramonium,Hari S. Kannan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system including a main memory and a cache memory

Номер патента: CA1186804A. Автор: Wing N. Toy,Benjamin Zee,Lee E. Gallaher. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method of controlling cache memory in multiprocessor system and the multiprocessor system

Номер патента: CA2287716C. Автор: Shigeyuki Aino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-02-08.

Transparent cache memory

Номер патента: US4872138A. Автор: Franco Ciacci. Владелец: Bull HN Information Systems Italia SpA. Дата публикации: 1989-10-03.

Cache memory data compression and decompression

Номер патента: US9292449B2. Автор: Alaa R. Alameldeen,Niranjan L. Cooray,Jayesh Gaur,Steven D. Pudar,Manuel A. Aguilar Arreola,Margareth E. Marrugo,Chinnakrishnan Ballapuram. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Cache memory utilizing address translation table

Номер патента: US5590300A. Автор: Marvin Lautzenheiser. Владелец: Zitel Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Data processor with variable types of cache memories

Номер патента: US5848432A. Автор: Koji Saito,Toshihiko Kurihara,Takashi Hotta,Hideo Sawamoto,Kotaro Shimamura,Shigeya Tanaka,Akiyoshi Osumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-12-08.

Cache memory for independent parallel accessing by a plurality of processors

Номер патента: US5287480A. Автор: Alfons-Josef Wahr. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-02-15.

Scheme for insuring data consistency between a plurality of cache memories and the main memory in a multi-processor computer system

Номер патента: CA1325289C. Автор: Scott Arnold,Tryggve Fossum,Ricky C. Hetherington,Michael E. Flynn,David J. Webb, Jr.,Stephen J. Delahunt. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Multi-processor system with cache memories

Номер патента: CA1320284C. Автор: Robert D. Becker,Martin J. Schwartz. Владелец: Wang Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-07-13.

Variable size cache memory support within an integrated circuit

Номер патента: GB2433613A. Автор: Andrew Christopher Rose,Nicolas Chaussade,Vladimir Vasekin,Florent Begon. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Cache memory system with variable block-size mechanism

Номер патента: US6349364B1. Автор: Koji Inoue,Koji Kai,Kazuaki Murakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-19.

Cache memory architecture and associated microprocessor design

Номер патента: US20040181634A1. Автор: Michael Taylor,Tom Riordan,John Kinsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Cache memory system for multiple processors with collectively arranged cache tag memories

Номер патента: US5634027A. Автор: Mitsuo Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Flexible and low power cache memory architecture

Номер патента: US20230148253A1. Автор: Daniel Martin Cermak,Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for operating a cache memory, cache memory and processing unit

Номер патента: US20230061562A1. Автор: Dirk Ziegenbein,Falk Rehm,Arne Hamann,Michael Pressler,Dakshina Narahari Dasari. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20230013270A1. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Clean engine for write-back cache memory

Номер патента: US11860781B1. Автор: Guy Nakibly,Moshe Raz,Gal Avisar. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Cache memory and methods for managing data of an application processor including the cache memory

Номер патента: US20140149669A1. Автор: Junwhan AHN,Kiyoung CHOI,Sungyeum KIM,Hyeokman KWON,Youngjun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-29.

Apparatus and method for consolidating memory access prediction information to prefetch cache memory data

Номер патента: US9971695B2. Автор: Tomoyuki WATAHIKI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Filtering insertion of evicted cache entries predicted as dead-on-arrival (doa) into a last level cache (llc) memory of a cache memory system

Номер патента: WO2019022923A1. Автор: Shivam Priyadarshi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-31.

Reducing or avoiding buffering of evicted cache data from an uncompressed cache memory in a compression memory system when stalled write operations occur

Номер патента: EP3577566A1. Автор: Christopher Porter,Christopher Edward Koob,Richard Senior,Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,Raghuveer RAGHAVENDRA,Anand Janakiraman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Cache memory controller in a raid interface

Номер патента: WO1998000776A1. Автор: Bret S. Weber. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Integrated circuits (IC) employing subsystem shared cache memory for facilitating extension of low-power island (LPI) memory and related methods

Номер патента: US11803472B2. Автор: Girish Bhat,Vipul Gandhi,George PATSILARAS,Subbarao Palacharla,Jeffrey Shabel,Isaac BERK,Kedar Bhole,Sparsh SINGHAI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Coordination of cache memory operations

Номер патента: WO2019193455A1. Автор: Burkhard Steinmacher-Burow. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2019-10-10.

Power-conserving cache memory usage

Номер патента: EP3602310A1. Автор: Christopher J. Phoenix. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-02-05.

Power-Conserving Cache Memory Usage

Номер патента: US20200348746A1. Автор: Christopher J. Phoenix. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-05.

Power-conserving cache memory usage

Номер патента: WO2019108280A1. Автор: Christopher J. Phoenix. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated circuits (ic) employing subsystem shared cache memory for facilitating extension of low-power island (lpi) memory and related methods

Номер патента: WO2023009920A1. Автор: Girish Bhat,Vipul Gandhi,George PATSILARAS,Subbarao Palacharla,Jeffrey Shabel,Isaac BERK,Kedar Bhole,Sparsh SINGHAI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-02-02.

Cache memory

Номер патента: US20090077318A1. Автор: Takao Yamamoto,Tetsuya Tanaka,Keisuke Kaneko,Hazuki Okabayashi,Ryuta Nakanishi,Masaitsu Nakajima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for operating a cache memory, cache memory and processing unit

Номер патента: US11977759B2. Автор: Dirk Ziegenbein,Falk Rehm,Arne Hamann,Michael Pressler,Dakshina Narahari Dasari. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US12001282B2. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Temporary cache memory eviction

Номер патента: US20160217074A1. Автор: Alex Goldberg. Владелец: INFINIDAT LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Cache memory budgeted by ways based on memory access type

Номер патента: US20170315921A1. Автор: Colin Eddy,Rodney E. Hooker,Douglas R. Reed,John Michael Greer. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Reducing or avoiding buffering of evicted cache data from an uncompressed cache memory in a compression memory system when stalled write operations occur

Номер патента: WO2018144184A1. Автор: Christopher Porter,Christopher Edward Koob,Richard Senior,Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,Raghuveer RAGHAVENDRA,Anand Janakiraman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-09.

Data processing circuit with a cache memory and apparatus containing such a circuit

Номер патента: EP1275046A1. Автор: Martijn J. L. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method and apparatus for designing cache memory structure based on artificial intelligence

Номер патента: US20240220413A1. Автор: Do Hyeon Kim,Sang Hyup Lee,Min Jung Cho,Eui Young CHUNG,Seong Jae EOM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-04.

Cache memory control circuit and cache memory control method

Номер патента: US20060026361A1. Автор: Hiroyuki Kojima,Koken Shimizuno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Efficient cache memory having an expiration timer

Номер патента: US20180373631A1. Автор: Eiji Tosaka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Disk drive and method of controlling cache memory therein

Номер патента: US20070005884A1. Автор: Hiroaki Inoue,Manabu Nishikawa,Yukie Hiratsuka. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-01-04.

Computer cache memory windowing

Номер патента: WO1999034295A1. Автор: Klaus H. Schug. Владелец: Mcmz Technology Innovations Llc. Дата публикации: 1999-07-08.

Cache memory eviction policy for combining write transactions

Номер патента: EP1459185A2. Автор: Robert George,Kenneth Creta,Robert Blakenship. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Cache memory eviction policy for combining write transactions

Номер патента: WO2003058631A2. Автор: Robert George,Kenneth Creta,Robert Blakenship. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-07-17.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20200065248A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US10977178B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Disk drive and method of controlling cache memory therein

Номер патента: US7624228B2. Автор: Hiroaki Inoue,Manabu Nishikawa,Yukie Hiratsuka. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-11-24.

Cache memory management

Номер патента: US11762770B2. Автор: John Creed,John Krasner. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Physically-tagged data cache memory that uses translation context to reduce likelihood that entries allocated during execution under one translation context are accessible during execution under another translation context

Номер патента: US20230244778A1. Автор: John G. Favor,Srivatsan Srinivasan. Владелец: Ventana Micro Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Reduction of evictions in cache memory management directories

Номер патента: US20150370709A1. Автор: Thibaut Palper-Sollier. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2015-12-24.

Dynamic optimization of cache memory

Номер патента: US8176251B2. Автор: Yasuhiro Endo,Naveen Bali,Naresh Patel. Владелец: Network Appliance Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Cache memory, system, and method of storing data

Номер патента: US7287123B2. Автор: Shirou Yoshioka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-23.

Cache memory

Номер патента: US20020181265A1. Автор: William Barnes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Promoting Prefetched Data from a Cache Memory to Registers in a Processor

Номер патента: US20220261350A1. Автор: John Kalamatianos,Jagadish KOTRA. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Cache memory observation device and method of analyzing processor

Номер патента: US7698496B2. Автор: Genichiro Matsuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Physically-tagged data cache memory that uses translation context to reduce likelihood that entries allocated during execution under one translation context are accessible during execution under another translation context

Номер патента: US12118076B2. Автор: John G. Favor,Srivatsan Srinivasan. Владелец: Ventana Micro Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Cache memory device and method for implementing cache scheduling using same

Номер патента: US20240354252A1. Автор: Do Hun Kim,Keebum Shin,Kwangsun Lee. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-mode set associative cache memory dynamically configurable to selectively select one or a plurality of its sets depending upon the mode

Номер патента: US09798668B2. Автор: Douglas R. Reed. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Reduction of evictions in cache memory management directories

Номер патента: US09645927B2. Автор: Thibaut Palfer-Sollier. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Method, apparatus and system for optimizing cache memory transaction handling in a processor

Номер патента: US09606925B2. Автор: Min Huang,Yen-Cheng Liu,Bahaa Fahim,Vedaraman Geetha,Jeffrey D. Chamberlain. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

System and a method for data processing with management of a cache consistency in a network of processors with cache memories

Номер патента: US09542317B2. Автор: Christian Bernard,Eric Guthmuller,Huy Nam Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Use of cache memory and another type of memory in distributed memory system

Номер патента: RU2643642C2. Автор: Томас Дж. БАРНС. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Cache memory organization utilizing miss information holding registers to prevent lockup from cache misses

Номер патента: US4370710A. Автор: David Kroft. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1983-01-25.

Two stage cache memory system and method

Номер патента: US6038641A. Автор: Saied Zangenehpour. Владелец: Packard Bell NEC Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

Method and apparatus for determining a desirable directory/data block ratio in a cache memory

Номер патента: US5802600A. Автор: Kevin Frank Smith,Kelly Carpenter,Gary Malcolm King. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Apparatus for determining relative position of a cache memory in a cache memory array

Номер патента: US5175833A. Автор: Eran Yarkoni,Zvi Netzer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-12-29.

Apparatus for associating cache memories with processors within a multiprocessor data processing system

Номер патента: US6532519B2. Автор: Ravi Kumar Arimilli,Sanjeev Ghai,James Stephen Fields, Jr.,Jody Bern Joyner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Quadruple word, multiplexed, paged mode and cache memory

Номер патента: CA2016683A1. Автор: Mark Taylor,Randy M. Bonella,Joseph P. Miller,Roy E. Thoma, Iii,Bill Skelton. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1990-11-19.

Storage controller having additional cache memory and a means for recovering from failure and reconfiguring a control unit thereof in response thereto

Номер патента: US5437022A. Автор: Brent C. Beardsley,Susan K. Candelaria,Bradley S. Powers,Mark A. Reid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Predictive historical cache memory

Номер патента: CA2057389C. Автор: William R. Crick,Walter Johann Jager,Michael Lewis Takefman,Randal Keith Mullin. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1995-12-12.

Method and apparatus to control cache memory in multiprocessor system utilizing a shared memory

Номер патента: US5737568A. Автор: Shigeki Shibayama,Kazumasa Hamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Data processing device for maintaining coherency of data stored in main memory, external cache memory and internal cache memory

Номер патента: US5455925A. Автор: Takeshi Kitahara,Masato Mitsuhashi,Atsushi Fujihira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Cache memory unit including a replacement address register and address update circuitry for reduced cache overhead

Номер патента: US5535350A. Автор: Kouji Maemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Data processing device equipped with cache memory and a storage unit for storing data between a main storage or CPU cache memory

Номер патента: US5828860A. Автор: Atsuhiro Suga,Hitoshi Miyaoku,Koichi Sasamori,Kazuhide Yoshino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Method for selectively transferring data instructions to a cache memory

Номер патента: US5226138A. Автор: J. Herschel Shermis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1993-07-06.

Data processing system which selectively bypasses a cache memory in fetching information based upon bit information of an instruction

Номер патента: US4937738A. Автор: Takeshi Aimoto,Atsushi Hasegawa,Tadahiko Nishimukai,Kunio Uchiyama. Владелец: Hitachi Microcomputer System Ltd. Дата публикации: 1990-06-26.

Cache memory location selection mechanism

Номер патента: CA1121515A. Автор: Charles P. Ryan. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Architecture and method for controlling a cache memory

Номер патента: US5920891A. Автор: Scott Swanstrom,Michael Wisor,Andy Steinbach. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Cache memory device and information processing system

Номер патента: US20010034808A1. Автор: Atsushi Nakajima,Masabumi Shibata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-10-25.

Block access system using cache memory

Номер патента: US4853848A. Автор: Takeshi Kitahara,Masato Mitsuhashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Apparatus and method for providing a cache memory unit with a write operation utilizing two system clock cycles

Номер патента: CA1277044C. Автор: Robert E. Stewart,James B. Keller,Barry J. Flahive. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Disk drive system and method for controlling a cache memory

Номер патента: US20030212855A1. Автор: Shinji Fujiwara,Akihiko Sakaguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Stride-based prefetcher circuits for prefetching next stride(s) into cache memory based on identified cache access stride patterns, and related processor-based systems and methods

Номер патента: US20240061783A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Storage device managing a multi-tier cache memory and operating method thereof

Номер патента: US11768625B2. Автор: Kyung Soo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Processor that mitigates side channel attacks by preventing cache memory state from being affected by a missing load operation by inhibiting or canceling a fill request of the load operation if an older load generates a need for an architectural exception

Номер патента: US11907369B2. Автор: John G. Favor,Srivatsan Srinivasan. Владелец: Ventana Micro Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Номер патента: US20240088246A1. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328970A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device having word lines surrounded by memory layers and method of making the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317616A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

SRAM structures with improved write word line placement

Номер патента: US11997844B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US11869951B2. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Номер патента: US20190067293A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Номер патента: US10217750B1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: WO2023224796A1. Автор: Koichi Ito,Takuya Mori,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: US20230380151A1. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano,Takyua MORI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Image processing apparatus having function for performing sync processing to transfer and store data of cache memory to non-volatile memory in accordance with predetermined condition

Номер патента: US8237974B2. Автор: Hiroshi Ishii. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-08-07.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of filling cache memory and commands output to execute and device for filling cache memory and commands output to execute

Номер патента: RU2592465C2. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Константин Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-07-20.

Multiprocessor system with cache memory

Номер патента: CA1113574A. Автор: Angus Mclagan. Владелец: General Automation Inc. Дата публикации: 1981-12-01.

Method of copying data in cache memory and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2504000C1. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Наталья Владимировна Николина,Михаил Евгеньевич Барских. Владелец: Открытое акционерное общество "КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "КОРУНД-М" (ОАО КБ "КОРУНД-М"). Дата публикации: 2014-01-10.

Word line decoder for dual-port cache memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты