Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Heat sink mounted semiconductor device, manufacturing method thereof, and heat sink for semiconductor device

Heat sink mounted semiconductor device, manufacturing method thereof, and heat sink for semiconductor device

Номер патента: JP2504913B2
Опубликовано: 05-06-1996
Автор(ы): 晴美 水梨, 有史 坂本
Принадлежит: Nippon Electric Co Ltd, Sumitomo Bakelite Co Ltd

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW504778B. Автор: Yukiji Akiyama,Junichi Arita,Masakuni Shibamoto,Tomoaki Shimoishi. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Power module package having insulator type heat sink attached to rear surface of lead frame and manufacturing method thereof

Номер патента: US6432750B2. Автор: Eun-Ho Lee,Gi-young Jeon,Eul-bin Im,Byeong Gon Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-08-13.

ZnO based semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: EP2093810A3. Автор: Hiroyuki Kato,Akio Ogawa,Hiroshi Kotani,Michihiro Sano,Naochika Horio,Tomofumi Yamamuro. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-16.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

TERMINAL LAND FRAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RESIN-ENCLOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP3916352B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Adhesive film for semiconductor, wiring board for mounting semiconductor, semiconductor device, and adhesive composition

Номер патента: JP2012004377A. Автор: 豊 郷,Teiichi Inada,禎一 稲田,哲郎 岩倉,Takeshi Morimoto,剛 森本,Yutaka Go,Tetsuo Iwakura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Thin semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW452903B. Автор: Tzung-Je Tsai,Jin-Chiuan Bai. Владелец: United Test Ct Inc. Дата публикации: 2001-09-01.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW326558B. Автор: Toshio Miyamoto,Kunihiro Tsubosaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-11.

Semiconductor device module and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2007335782A. Автор: Osamu Shiokawa,治 塩川,一彦 今村,Kazuhiko Imamura,英克 黒田,Hidekatsu Kuroda. Владелец: Fuji Electric FA Components and Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

The semiconductor device and the manufacture method thereof, the circuit board and the electronic machine

Номер патента: TW400629B. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3918803B2. Автор: 利秀 伊藤. Владелец: 株式会社トッパンＮｅｃサーキットソリューションズ. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US5926694A. Автор: Kenji Matsuda,Ippei Fujiyama,Yasuhide Chigawa. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090321896A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7919843B2. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Circuit board, semiconductor device, circuit board manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4832369B2. Автор: 信幸 林,佳彦 今中. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-07.

Organic semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: AU2003261715A1. Автор: Kenji Nakamura,Satoru Ohta. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Area array packages with overmolded pin-fin heat sinks

Номер патента: WO2005072248A2. Автор: Mysore P. Divakar,Thomas H. Templeton, Jr.. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-08-11.

Area array packages with overmolded pin-fin heat sinks

Номер патента: WO2005072248A3. Автор: Mysore P Divakar,Thomas H Templeton Jr. Владелец: Thomas H Templeton Jr. Дата публикации: 2005-11-17.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Lead frame, with support heat sink ring, method of making case for light-emitting diode with its use and case for light-emitting diode, made using this method

Номер патента: RU2355068C1. Автор: Чунг Хоон ЛИ,До Хиунг КИМ,Кеон Янг ЛИ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-05-10.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: US20200266124A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US7091603B2. Автор: Kuniaki Mamitsu,Yoshimi Nakase. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device package

Номер патента: US20070096343A1. Автор: Dong Kim,Jin Park,Young Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498522B. Автор: Ikuo Yoshida,Hiroshi Kikuchi,Toshihiko Sato,Tomo Shimizu,Hideko Ando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device package

Номер патента: US7629685B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Woo Park,Young Bok Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH0658924B2. Автор: カルロ・コネッティ・デ・マルティース. Владелец: エツセジ−エツセ ミクロエレツトロニカソチエタ ペル アノニマ. Дата публикации: 1994-08-03.

Connection terminal for semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: TW440974B. Автор: Tadashi Tomikawa,Shogo Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2001-06-16.

Packages for encapsulated semiconductor devices and method of making same

Номер патента: US20060131704A1. Автор: Patrick Carberry,Jeffery Gilbert,George Libricz,Ralph Moyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09396971B2. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices

Номер патента: US5130771A. Автор: Ricardo S. Sussmann,Robert D. Burnham. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1992-07-14.

Manufacturing method for a finished product of a heat sink composite having heat dissipation function

Номер патента: US20210094087A1. Автор: Shih Pao Chien. Владелец: Trusval Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450093B2. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Substrate material for mounting semiconductor device thereon and manufacturing method thereof

Номер патента: US5167697A. Автор: Yoshihiro Umeda,Takeshie Koumura,Jitsuo Matsumoto. Владелец: Nippon Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666574B1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Patterned structure of a semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09755048B2. Автор: I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Tong-Jyun Huang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09735123B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device, memory device, and driving method thereof

Номер патента: US09887010B2. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof

Номер патента: US12126327B2. Автор: Zhiguo Lai,Qinghua Yang,Hairui Liu. Владелец: Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240055501A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136199A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and associated manufacturing method

Номер патента: US20220231147A1. Автор: Nicolas Posseme,Fabrice Nemouchi,Louis HUTIN,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-21.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and its manufacturing method, memory and memory system

Номер патента: US20240164096A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09825133B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and test apparatus and method thereof

Номер патента: US11887901B2. Автор: Jae Won Kim,Wan Tae Kim,Jin A Kim,Yong Jun BAN,Soo Chul JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof

Номер патента: EP4325722A2. Автор: Zhiguo Lai,Qinghua Yang,Hairui Liu. Владелец: Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10319719B2. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device, semiconductor device package, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210021097A1. Автор: Shigeru Matsushita,Takuya Hashimoto,Sumio Uehara,Kazuhito Yumoto,Eiichiro OKAHISA,Katsuya NAKAZAWA,Suguru Kobayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof

Номер патента: EP4325722A3. Автор: Zhiguo Lai,Qinghua Yang,Hairui Liu. Владелец: Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170154882A1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170243865A1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210384107A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device, capacitor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230329002A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yuki Ito,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka,Tatsuya Onuki,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213368A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11948884B2. Автор: Chen Ying Chieh,Lin TZU HSIANG,Chen CHIH HAO,Wu WEI CHE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof

Номер патента: US20240120903A1. Автор: Zhiguo Lai,Qinghua Yang,Hairui Liu. Владелец: Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device layout structure manufacturing method

Номер патента: US20210296470A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7855383B2. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6806539B2. Автор: Hitoshi Aoki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20060194398A1. Автор: Amane Oishi,Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230008401A1. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170345925A1. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Yizhi Zeng,Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Power semiconductor devices and corresponding manufacturing methods

Номер патента: EP4238134A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11915989B2. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20220238405A1. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050093000A1. Автор: Satoshi Tanimoto,Hideyo Okushi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4117031A3. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20230402445A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Illumination apparatus with heat sinks

Номер патента: US20120300482A1. Автор: Sung-Hsiang Yang. Владелец: Foxsemicon Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Heat sink and fan arrangement

Номер патента: US6308773B2. Автор: Shih-jen Lin. Владелец: Global Win Technology Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-30.

Heat sink with integral self-locking clamp

Номер патента: EP1003215A3. Автор: Kevin D. Jackson,Michael R. Bell. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-04.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Heat sink

Номер патента: US20080122069A1. Автор: Yu-Sheng Chen. Владелец: Lotes Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Detecting Thermal Interface Material ('TIM') Between A Heat Sink And An Integrated Circuit

Номер патента: US20130301670A1. Автор: William M. Megarity,Gregory D. Sellman,Luke D. Remis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Detecting thermal interface material (‘TIM’) between a heat sink and an integrated circuit

Номер патента: US09435759B2. Автор: William M. Megarity,Gregory D. Sellman,Luke D. Remis. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Heat sink and method of removing heat from power electronics components

Номер патента: WO2003083941A2. Автор: John Makaran. Владелец: Siemens Vdo Automotive Inc.. Дата публикации: 2003-10-09.

Mounting bracket for semiconductor rectifiers to heat sinks

Номер патента: US3668477A. Автор: Lynn R Zellmer. Владелец: Udylite Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Heat dissipator for encased semiconductor device having a heat conductive tab extending therefrom

Номер патента: GB1324347A. Автор: . Владелец: Staver Co Inc. Дата публикации: 1973-07-25.

Computer system with heat sink having an integrated grounding tab

Номер патента: US5804875A. Автор: Ralph Remsburg,Erica Scholder. Владелец: Dell Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

CPU heat sink with fan fitting hole

Номер патента: US20030026075A1. Автор: Ming-Long Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Heat sink assembly and method

Номер патента: US6590771B2. Автор: George R. Anderson,George Hsieh,Jeffrey J. Sopko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-08.

CPU heat sink holding-down device

Номер патента: US5475564A. Автор: Ming D. Chiou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-12.

Multi-chip heat-sink cap assembly

Номер патента: US5981310A. Автор: Sushumna Iruvanti,Raed A. Sherif,Lester W. Herron,Subhash L. Shinde,David L. Edwards,David B. Goland,Giulio DiGiacomo,Stephen S. Drofitz, Jr.,Larry D. Gross,David J. Womac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US7365830B2. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US20070177126A1. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Heat sink assembly

Номер патента: US5343362A. Автор: Terry B. Solberg. Владелец: Zytec Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Clip module and heat-dissipation device having the same

Номер патента: US7522420B2. Автор: Kung-Jen Yan. Владелец: Ama Precision Inc. Дата публикации: 2009-04-21.

Clip module and heat-dissipation device having the same

Номер патента: US20080137305A1. Автор: Kung-Jen Yan. Владелец: Ama Precision Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Heat sink for encapsulated power semiconductor device - has finned high thermal conductivity base plate with cover, channels and deflector for coolant circulation

Номер патента: FR2500215A1. Автор: Jean-Claude Resneau,Brigitte Doligez,Jean-Pierre Simondin. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-08-20.

Fluid cooled heat sink assembly for pressure contacted semiconductor devices

Номер патента: US3551758A. Автор: Herbert E Ferree. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1970-12-29.

Manufacturing method of surface-treated Al plate for heat sink

Номер патента: JP4409356B2. Автор: 博之 山根,貴裕 林田,将人 上地. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-03.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device ...

Номер патента: TWI282136B. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2007-06-01.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11855023B2. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323862A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and its manufacturing method, a circuit board and an electronic device

Номер патента: US20030218260A1. Автор: Jun Taniguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: TWI562291B. Автор: Yung Sheng Liu,Yi Chen Liu,Yi Jen Lai,Chun Jen Chen,Li Guo Lee,Hsi Kuei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-11.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080174013A1. Автор: Jun Young Yang,You Ock Joo,Dong Pil Jung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Optoelectronic semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US8716743B2. Автор: Hsin-Hsiung Huang,Tz-Chiang YU,Jenn-Hwa Fu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Optoelectronic semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI603502B. Автор: 富振華,黃信雄,余子強. Владелец: 晶元光電股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200405515A. Автор: YAMASHITA Takeo,Yabuki Shinobu,Murata Tomosei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device having a plurality of adhesion area patterns and one or more non-adhesion area patterns

Номер патента: US8269353B2. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148311A1. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Lateral high-Q inductor for semiconductor devices

Номер патента: US20010043136A1. Автор: Jerome Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09991082B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09715987B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Current collector, manufacturing method and equipment thereof, and current collector preform

Номер патента: US20240079603A1. Автор: Feng Liu,Yujie Chen,Xiaoming Ge. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Micro-channel heat sink for led headlamp

Номер патента: EP2888528A2. Автор: Muhammed Aqil Hamid,Steve Barman,Charles F. SCHWEITZER. Владелец: Flex N Gate Advanced Product Development LLC. Дата публикации: 2015-07-01.

Graphite-based heat sinks and method and apparatus for the manufacture thereof

Номер патента: US20050167084A1. Автор: Prabjit Singh,Egidio Marotta,Richard Chu,Michael Ellsworth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Fixation of heat sink on SFP/XFP cage

Номер патента: US09681583B2. Автор: ZHEN LEI,Qinzhen BA,Zongxian Duan,Huihui YU. Владелец: Coriant Operations Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Heat sink board, manufacturing method thereof, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210118768A1. Автор: Yun hwa CHOI,Jeonghun Cho. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

External attached heat sink fold out

Номер патента: US20020114136A1. Автор: Marlon Cardenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Substrate for power module with heat sink, and power module

Номер патента: EP3745453A1. Автор: Sotaro Oi,Tomoya OOHIRAKI. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Heat sink and heat sink assembly

Номер патента: US10354941B2. Автор: Masato Watanabe,Taku Sasaki. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Thermal conductive member for a heat sink

Номер патента: US20240274488A1. Автор: Secundino Miguel Baldonado. Владелец: ESAB Group Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Thermal conductive member for a heat sink

Номер патента: WO2024167817A1. Автор: Secundino Miguel Baldonado. Владелец: THE ESAB GROUP, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Three-dimensional integrated circuit with integrated heat sinks

Номер патента: WO2005038910A2. Автор: Pavel I. Lazarev. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437461B2. Автор: Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing of a heat sink by wave soldering

Номер патента: US09615444B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Rosalba Cacciola,Giuseppe Luigi Malgioglio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-04.

Interleaved heat sink and fan assembly

Номер патента: US09409264B2. Автор: David B. Johnson,Phillip V. Mann,Don A. Gilliland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Packaging unit for direct cooling of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361000A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Ho Kyun Ahn,Hae Cheon Kim,Hyoung Soon Lee. Владелец: Chung Ang University Industry Academic Cooperaiton Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Adjustable heat sink fin spacing

Номер патента: US20190346215A1. Автор: Kamal K. Sikka,Paul F. Bodenweber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Power block based on top-side cool surface-mount discrete devices with double-sided heat sinking

Номер патента: EP4310903A1. Автор: Ke Zhu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Power block based on top-side cool surface-mount discrete devices with double-sided heat sinking

Номер патента: US20240030096A1. Автор: Ke Zhu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Heat sink for electronic component and associated manufacturing method

Номер патента: US20240183524A1. Автор: Jean-François BISSON,Laurent Vivet,Thibaut Menn,Renan Leon,Guillaume Bonvallat,Baptiste DECROUY. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Cured product production method, laminate production method, semiconductor device manufacturing method, and processing liquid

Номер патента: EP4398289A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Phase changing on-chip thermal heat sink

Номер патента: US09984954B2. Автор: Mattias E. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Phase changing on-chip thermal heat sink

Номер патента: US09911682B2. Автор: Mattias E. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Thin Heat Sink Using E-Bar Substrate

Номер патента: US20240021490A1. Автор: Jongtae Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Electronic devices with electromagnetic radiation interference shields and heat sinks

Номер патента: US5566052A. Автор: Richard P. Hughes. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1996-10-15.

Active device with heat sink and low mechanical stress

Номер патента: US11729945B2. Автор: Javier A. Valenzuela. Владелец: MIKROS TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

Fixation of heat sink on sfp/xfp cage

Номер патента: EP3050411A1. Автор: ZHEN LEI,Qinzhen BA,Zongxian Duan,Huihui YU. Владелец: Tellabs Operations Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure

Номер патента: CA1040747A. Автор: Robin H. Hodge. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-17.

Scalable and modular heat sink-heat pipe cooling system

Номер патента: US20020088609A1. Автор: Mohammad Tantoush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Heat sink and assembly method for heat sink

Номер патента: US20210125892A1. Автор: Naoki Sakakibara. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Monatomic Single-Entity Baseplate Structure Employing a Thermoplastic Polyimide Bondline Between a Silicon Substrate and a Metallic Heat Sink Having Mismatched Coefficients of Thermal

Номер патента: US20240063086A1. Автор: James B. Fraivillig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Arrangement for cooling power semiconductor devices of a converter

Номер патента: US11937412B2. Автор: Ben Diedrichs,Tommy RANDOW. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Adhesive film for use in semiconductor device manufacture, manufacturing method of said adhesive film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: SG11202002552PA. Автор: Keisuke Ohkubo,Masanori Natsukawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Fan bracket and heat dissipation apparatus incorporating the same

Номер патента: US20080174967A1. Автор: Ming-Kun Cao,Yuh-Ching Chang,Yong-Qiang Zhao. Владелец: Foxconn Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Riveting apparatus for thin heat sink fin and thin cover plate

Номер патента: US20210389059A1. Автор: Tsung-Hsien Huang. Владелец: Dong Guan Han Xu Hardware & Plastic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for the production of a heat sink composed of metal

Номер патента: US20240068757A1. Автор: Georg Siewert,Alexander Heitbrink. Владелец: ERWIN QUARDER SYSTEMTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

MANUFACTURING METHOD FOR JUNCTION, MANUFACTURING METHOD FOR SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, AND MANUFACTURING METHOD FOR HEAT SINK

Номер патента: US20180040533A1. Автор: Terasaki Nobuyuki,Nagatomo Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Manufacturing method for junction, manufacturing method for substrate for power module with heat sink, and manufacturing method for heat sink

Номер патента: US20180040533A1. Автор: Yoshiyuki Nagatomo,Nobuyuki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the device

Номер патента: US20240021483A1. Автор: Chen Li,Yongbo Liu,Huilong Zhu,Yongkui Zhang,Kunpeng JIA,Xiaogen YIN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691708B1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Substrate sheet material for a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a molding method using a substrate sheet material, a manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: TWI264782B. Автор: Toru Nishino,Noboru Hayasaka,Kouichi Meguro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113044B2. Автор: Chin-Li Kao,An-Hsuan HSU,Shan-Bo WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Composite heat sink material with gradient distribution of thermal expansion coefficients and preparation method thereof

Номер патента: CN112222381A. Автор: 史长明. Владелец: Chengdu Benzheng New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-15.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299462A1. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

MANUFACTURING METHOD FOR A FINISHED PRODUCT OF A HEAT SINK COMPOSITE HAVING HEAT DISSIPATION FUNCTION

Номер патента: US20210094087A1. Автор: CHIEN SHIH PAO. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices

Номер патента: EP0364155A2. Автор: Robert Danner Burnham,Ricardo Simon Sussmann. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1990-04-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and oxygen removal method thereof

Номер патента: US20220384215A1. Автор: Min Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device for compensating internal delay, methods thereof, and data processing system having the same

Номер патента: US09917172B2. Автор: Kwan Jae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device for compensating internal delay, methods thereof, and data processing system having the same

Номер патента: US09508819B2. Автор: Kwan Jae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170200644A1. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-13.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322282A1. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-03.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20200185503A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230063993A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11830929B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9984956B2. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-05-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

A semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20180331192A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US10566431B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230066077A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210175344A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device packages and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI376779B. Автор: Seokbong Kim,Yeonsun Yun,Yuyong Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2012-11-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI238441B. Автор: Katsuhiko Hieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW449818B. Автор: Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW447114B. Автор: Hiroshi Miki,Kazunari Torii,Yoshihisa Fujisaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-21.

Semiconductor device and the manufacture method thereof, circuit board and the electronic machine

Номер патента: TW404027B. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW478157B. Автор: Yukihiro Ushiku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI251254B. Автор: Akiyoshi Mutou. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-03-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11588025B2. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045179A1. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and inter-metal dielectric (IMD) structures

Номер патента: US09941214B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Aggregation of semiconductor devices and the method thereof

Номер патента: US09881907B2. Автор: Chun-Chang Chen,Hsu-Cheng Lin,Ching-Yi Chiu,Pei-Shan Fang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, electronic device including the same and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150162247A1. Автор: Myeongcheol Kim,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Geumjung Seong,Hak-sun Lee,Ji-Eun Han,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device manufacturing method including doping from a diffused layer

Номер патента: US10573752B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Device manufacture and packaging method thereof

Номер патента: US09966302B2. Автор: Chien-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Device manufacture and packaging method thereof

Номер патента: US09595492B2. Автор: Chien-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with bypass functionality and method thereof

Номер патента: US09589904B2. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor element, semiconductor device, semiconductor element manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: JP3801160B2. Автор: 貴幸 近藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof, and semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114446936A. Автор: 黄河,汪新学,王敬平,徐海瑛. Владелец: Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch. Дата публикации: 2022-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220376053A1. Автор: King Yuen Wong,Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof employing an etching transition layer

Номер патента: US11888052B2. Автор: YU Zhou,Qian Sun,Hui Yang,Shuai Su,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Meixin FENG,Hongwei Gao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

SOI lateral homogenization field high voltage power semiconductor device, manufacturing method and application thereof

Номер патента: US11888022B2. Автор: Bo Zhang,Ke Zhang,Ming Qiao,Ning Tang,Zhaoji Li,Nailong He,Wentong Zhang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-01-30.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100108979A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160336500A1. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11569419B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916113B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230103393A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11961944B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170223A1. Автор: Yang Wu,FAN YANG,Sheng Hu,Daohong YANG,Liliang GU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210376089A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140197A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240154002A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and its manufacturing method, electronic device and its manufacturing method

Номер патента: TWI275170B. Автор: Toshiaki Morita,Kenichi Yamamoto,Ryosuke Kimoto,Munehiro Yamada. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553060B2. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140162411A1. Автор: FURUTANI Toshiki,Komatsu Daiki,TAKAHASHI Nobuya,Kunieda Masatoshi,Fujita Naomi. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220149093A1. Автор: Kudoh Yoshiharu,Kataoka Toyotaka,KIMIZUKA Naohiko. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-12.

SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140284820A1. Автор: FURUTANI Toshiki,Komatsu Daiki,TAKAHASHI Nobuya,Kunieda Masatoshi,Fujita Naomi. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Trench power seminconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11049950B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210399097A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367645A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352544A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308954A1. Автор: Chia-Wei Huang,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322297A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10204986B1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901284B2. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8610175B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749723B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11869949B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411479A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150228682A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150380360A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9048355B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10903201B2. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190206853A1. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20190088502A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Ko-Po Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420558A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11942525B2. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088245A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088021A1. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024113076A1. Автор: Sichao LI,Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294881A1. Автор: Ying-Ru Shih,Hsien-Chin Chiu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4297096A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Ken Zhang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180138138A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378254A1. Автор: Jong Ho Park,Che-Ming Lin,Kwang Yeon JUN. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180323161A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

3d stacking semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308748A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143270A1. Автор: Kai Jen,Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230059600A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034052B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing mehtod thereof

Номер патента: US20190206854A1. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor Device with Multi-Layer Dielectric and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200168555A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901332B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230133883A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4138144A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210043742A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20170125599A1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3958329A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4383346A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Manufacturing method for semiconductor device carrier and manufacturing method for semiconductor package using the same

Номер патента: TW201209983A. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Fortaleza Jr. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Manufacturing method for semiconductor device carrier and manufacturing method for semiconductor package using the same

Номер патента: US20120058604A1. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Fortaleza, JR.. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Soi semiconductor device with body contact and method thereof

Номер патента: US20080254586A1. Автор: Dharmesh Jawarani,Byoung W. Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

LC element manufacturing method

Номер патента: US5846845A. Автор: Takeshi Ikeda,Akira Okamoto,Tsutomu Nakanishi. Владелец: TIF Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220262958A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor devices and preparation methods therefor

Номер патента: US20240040807A1. Автор: Eunseok Lee. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with l-shape conductive feature and methods of forming the same

Номер патента: EP3944295A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method therof

Номер патента: US20200075593A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140070287A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semicondcutor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190027452A1. Автор: Chen-Shien Chen,chao-yi Wang,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377965A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with epitaxial bridge feature and methods of forming the same

Номер патента: US11855225B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with S/D bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US11854896B2. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268314A1. Автор: Chin-Li Kao,An-Hsuan HSU,Shan-Bo WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230361177A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20230369223A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11830770B2. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134849B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180097068A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230411210A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US11721626B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: EP3944298A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220037535A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187484A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230403856A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411550A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor Device With Fish Bone Structure And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230387326A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with s/d bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240105517A1. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12002768B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210082756A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US11991872B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187485A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Self-Aligned Scheme for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098290A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device including air gap

Номер патента: US8071971B2. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US12027626B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

ARRAY SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING THE SAME, CONTROL METHOD THEREOF, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170299907A1. Автор: ZHAO Jian,LIU Jinliang,JIANG Xuebing. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8723254B2. Автор: Toshiaki Hikichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074685A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180061995A1. Автор: Hajime Kimura,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373435A1. Автор: Hajime Kimura,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device with improved electrostatic discharge or electro-over stress protection

Номер патента: US11450657B2. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20170287932A1. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069044A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Array substrate, semiconductor device containing the same, control method thereof, and fabrication method thereof

Номер патента: EP3380890B1. Автор: Jian Zhao,Jinliang LIU,Xuebing JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Post gate dielectric processing for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230411220A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Cheng Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof, and semiconductor wafer

Номер патента: TW200423315A. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110073934A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110291173A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and its manufacturing method thereof, mask for semiconductor manufacture, and optical proximity correction method

Номер патента: US20130249597A1. Автор: Yusaku Ono,Hironobu Taoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

DEVICE MANUFACTURE AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170148666A1. Автор: Liu Chien-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Device manufacture and packaging method thereof

Номер патента: US20160276266A1. Автор: Chien-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device including magnet

Номер патента: US8237164B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Toshiji Hamatani,Hideaki Kuwabara,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US5568352A. Автор: Cheol-Seong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-22.

Palladium-coated copper bonding wire, manufacturing method of palladium-coated copper bonding wire, wire bonding structure using the same, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220005781A1. Автор: Wei Chen,Hiroyuki Amano,Takeshi Kuwahara,Tsukasa Ichikawa,Osamu Matsuzawa,Yuki Antoku. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device, semiconductor device terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104332488A. Автор: 王根毅,钟圣荣,邓小社,周东飞. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor device, tape carrier, manufacturing method thereof, circuit board, electronic device, and tape carrier manufacturing apparatus

Номер патента: JP3536728B2. Автор: 伸晃 橋元. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-14.

Insulation gate type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200707745A. Автор: Tetsuya Okada,Makoto Oikawa,Kazunari Kushiyama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-02-16.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200931665A. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW461089B. Автор: Takashi Miyato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-21.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW200514259A. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2005-04-16.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Adhesive composition for producing semiconductor device, and adhesive sheet for producing semiconductor device

Номер патента: US20110190421A1. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW399336B. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW465077B. Автор: Tomohiro Saito,Toshihiko Iinuma,Junji Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TWI260783B. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-08-21.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498549B. Автор: Akira Asai,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor devices and the manufacturing method

Номер патента: TW552562B. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TWI604592B. Автор: Tsutomu Shirakawa,Kenya Sano,Takuma Suzuki,Hirofumi FUJISAWA. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2017-11-01.

Junction type field-effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55143076A. Автор: Tadahiko Tanaka,Takeshi Omukae. Владелец: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20160141241A1. Автор: Akira Nakajima,Yoshiaki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electric apparatus

Номер патента: WO2003079431A1. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328151B. Автор: Toru Tono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW540103B. Автор: Mitsuo Nissa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: TW200535982A. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: EP1693896B1. Автор: K. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. NAKAYAMA,Y. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. SUGAWARA,K. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. ASANO,H. c/o Central Research Institute TSUCHIDA,I. c/o Central Research Institute KAMATA,T. c/o Central Research Institute MIYANAGI,T. c/o Central Research Institute NAKAMURA. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW550767B. Автор: Kenichi Yamamoto,Junichi Arita,Kenji Ujiie. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-01.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW515036B. Автор: Shinichiro Kimura,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200529408A. Автор: Kazunari Suzuki,Toshihiro Shiotsuki,Hideyuki Suga,Kouichi Kanemoto. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328652B. Автор: Masayuki Yasuda,Michio Tanaka,Michio Nishimura,Katsuhiro Saitou,Takashi Hayakawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-21.

Method for positioning semiconductor devices and corresponding positioning apparatus

Номер патента: EP4439078A1. Автор: Giuliano FILPI,Fabrice Coste,Pedro Jr Santos PERALTA,Alex GRIMA,Moise AVOCI UGWIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09761483B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

PECVD protective layers for semiconductor devices

Номер патента: US09761439B2. Автор: Zoltan Ring,Daniel Namishia,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for protecting copper wire bonds on aluminum pads of a semiconductor device from corrosion

Номер патента: US09508622B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461164B2. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09379001B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Yongchul Oh,Yonggyu Choi,Kichul NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130200423A1. Автор: FU Jenn-Hwa,Huang Hsin-Hsiung,YU Tz-Chiang. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130240919A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: VERTICLE, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130256860A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

WAFER LEVEL PACKAGED GAN POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292689A1. Автор: Kim Dong-Young,Yoon Hyung Sup,Kim Hae Cheon,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,JU Chull Won,LEE Jong Min,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140035027A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160035739A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190043729A1. Автор: Hung Ching-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170047437A1. Автор: KAWAGUCHI Hiroshi,Miyamoto Hironobu,Nakayama Tatsuo,MASUMOTO Ichiro,MIYAKE Shinichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220068792A1. Автор: TZU HSIANG Lin,CHIH HAO Chen,WEI CHE Wu,YING CHIEH Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064654A1. Автор: Takashi Tonegawa,Eiji Kariyada,Takayasu Kazamatsuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180061964A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150076566A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180076206A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,YOSHITOMI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111536A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140206115A1. Автор: YU Tz Chiang,FU Jenn Hwa,HUANG Hsin Hsiung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170154882A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lee Chen-Yi,AL-SHYOUKH Mohammad,Huang Shih-Fen,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,HO DAH-CHUEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140239367A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160172419A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190164986A1. Автор: TSUDA Shibun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181301A1. Автор: Terada Takashi,HORI Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ULTRAHIGH VOLTAGE RESISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181351A1. Автор: KIM Young Bae,KIM Kwang Il. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor Device Package and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170186679A1. Автор: Do Won Chul,Kelly Michael G.,Hiner David Jon,Huemoeller Ronald Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180198001A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170207233A1. Автор: Shinohara Masaaki,MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160218108A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160225904A1. Автор: Chang Shih-Chieh,Liao Chin-I. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170221942A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210249275A1. Автор: Hung Ching-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150243843A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150249102A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243865A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lee Chen-Yi,AL-SHYOUKH Mohammad,Huang Shih-Fen,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,HO DAH-CHUEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170279005A1. Автор: Lee Rong Ren,LEE Shih Chang,CHEN Meng Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293427A1. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

PATTERNED STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160293726A1. Автор: Huang Rai-Min,Huang Tong-Jyun,Tseng I-Ming,Li Kuan-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180286881A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180308884A1. Автор: KAMINO Takeshi,GOTO Yotaro,TAKAHASHI Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325506A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190326161A1. Автор: Do Won Chul,Kelly Michael G.,Hiner David Jon,Huemoeller Ronald Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190348429A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW490718B. Автор: Hideaki Hirabayashi,Tetsuo Matsuda,Hisashi Kaneko,Hiroshi Toyoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Semiconductor device inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100250225B1. Автор: 이태복. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-04-01.

SiGe Semiconductor Device And The Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100877689B1. Автор: 김상훈,배현철,이상흥. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-01-09.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244812B1. Автор: 후미히코 사토. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-02-15.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR20150102695A. Автор: 다까시 데라다,신야 호리. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-09-07.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102417710B1. Автор: 김소정. Владелец: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100221622B1. Автор: 이욱하. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Semiconductor device array and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4235440B2. Автор: 浩克 宮田,朗 栗山,和彦 福谷,美紀 小川,央 大倉,オットー・アルブレヒト. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Epoxy Resin Compositions for Semiconductor Device Sealing and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR960026689A. Автор: 윤호규,윤제홍. Владелец: 유현식. Дата публикации: 1996-07-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960009995B1. Автор: 최정혁,권기호,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-07-25.

Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof

Номер патента: KR100642406B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor device, base and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6720747B2. Автор: 修司 塩路. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223915B1. Автор: 길경선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100235957B1. Автор: 전용주. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Comprise semiconductor device and the manufacture method thereof of resistor

Номер патента: CN102024822B. Автор: 金建秀,辛镇铉,朴允文,沈载煌. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-23.

Capacitor for Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100712355B1. Автор: 김수곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100227766B1. Автор: 도루 야마자끼. Владелец: 닛본덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-11-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244671B1. Автор: 고이치 엔도. Владелец: 사토 후미오. Дата публикации: 2000-02-15.

Composite material, process of its production, panel of semiconductor device emitting heat, semiconductor device ( variants ), dielectric panel and electrostatic absorbing facility

Номер патента: RU2198949C2. Автор: Казутака ОКАМОТО,Йасуо КОНДО,Теруйоси АБЕ,Йасухиса АОНО,Дзунйа КАНЕДА,Риуити САИТО,Йосихико КОИКЕ. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2003-02-20.

Layout structure, semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113921712A. Автор: 陈泽勇,张有志,沈安星. Владелец: Guangzhou Yuexin Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

The semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100679224B1. Автор: 김용진,최철종,이희덕. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-02-05.

There is semiconductor device and the manufacture method thereof of the end-to-end conductor structure of autoregistration

Номер патента: CN103839881B. Автор: 谢志宏,李佳颖. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

There is semiconductor device and the manufacture method thereof of oxygen diffusion impervious layer

Номер патента: CN102549755B. Автор: M·M·乔德哈里,J·K·谢弗. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-12-16.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223916B1. Автор: 이형주. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW564549B. Автор: Kazunari Torii,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto,Katsunori Obata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-01.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11659702B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US9349681B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Comprise semiconductor device and the manufacture method thereof of capacitor and Metal Contact

Номер патента: CN102646638B. Автор: 金俊基. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: CN102779768A. Автор: 堀部裕史,住友芳,新川秀之,高田泰纪. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

There is semiconductor device and the manufacture method thereof inlaying bit line

Номер патента: CN102969317B. Автор: 廉胜振,黄善焕,郭鲁正,朴昌宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-14.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR101894102B1. Автор: 가오리 스미또모,히데유끼 아라까와,히로시 호리베,야스끼 다까따. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-08-31.

High integrated semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR0147428B1. Автор: 노광명,황성민,고요환,박찬광. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-11-02.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2009509322A. Автор: べスリング ウィム. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7279790B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka,Hideki Kitada,Takayuki Ohba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-09.

A transistor of a semiconductor device, and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100545206B1. Автор: 김영록,손현준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: GB201202338D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-03-28.

Semiconductor device packages and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI569398B. Автор: 李瑜鏞,金錫奉. Владелец: 日月光半導體製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor device capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100238194B1. Автор: 김경훈,김성태,강성훈,고재홍. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-01-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215423A1. Автор: Kenji Kawai,Masaaki Shinohara,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Masashi Kitazawa,Takahiro Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11424155B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20010007357A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Naoaki Yamaguchi,Hongyong Zhang. Владелец: Hongyong Zhang. Дата публикации: 2001-07-12.

SOI-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ION MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2807211B1. Автор: Takuji Matsumoto,Toshiaki Iwamatsu,Yuuichi Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-17.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI229450B. Автор: Taiji Ema,Hideyuki Kojima,Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100220207B1. Автор: 나오키 마키타,타다요시 미야모토,쯔까사 시부야. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW586201B. Автор: Toshihiko Sato,Takahiro Naito,Takafumi Kikuchi,Yoshiyuki Kado,Hikaru Ikegami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: DE19727423B4. Автор: Jae Kap Ichon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Microwave semiconductor device and the manufacturing method thereof for improve heat discharge and electric property

Номер патента: US20020089068A1. Автор: Kazutaka Takagi,Seiichi Hirata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10121933B2. Автор: Shih Chang Lee,Meng Yang CHEN,Rong Ren Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110931548A. Автор: 刘永,冯浩,单建安. Владелец: Anjian Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2020-03-27.

Ferroelectric capacitors of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100224705B1. Автор: 김병희,박인선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Nanostructured semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102021102424A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

GaN composite semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200403868A. Автор: Shiro Sakai,Hisao Sato,Shinji Kitazawa,Tomoya Sugahara,Yoshihiko Muramoto. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-01.

Metal wiring substrate, semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200300991A. Автор: Seiichi Nakatani,Yasuhiro Sugaya,Satoru Yuhaku,Toshiyuki Asashi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-16.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP3392912A3. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: EP3985724A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW469649B. Автор: Osamu Kato,Yasuyuki Morishita,Morihisa Hirata. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-12-21.

Bonded semiconductor devices having programmable logic device and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11996389B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW466552B. Автор: Yoshihiro Uozumi,Tomohiro Saito,Katsuaki Natori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI240298B. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Structures and methods for dicing semiconductor devices

Номер патента: US20230290684A1. Автор: Raj K. Bansal,Youngik Kwon,Radhakrishna Kotti,Po Chih Yang,Venkateswarlu Bhavanasi,Wei Chang Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200350468A1. Автор: Min Ji Jin,Koh Eun LEE,Hui Seong KANG. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180040641A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kenichi SHIOHAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Package and packaging process of a semiconductor device

Номер патента: US09991232B2. Автор: Yu-Ming Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US09768149B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09691674B2. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR COMPENSATING INTERNAL DELAY, METHODS THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20170040433A1. Автор: SONG Kwan Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180081756A1. Автор: Yoneda Seiichi,Akasawa Fumika. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR COMPENSATING INTERNAL DELAY, METHODS THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME.

Номер патента: US20180175154A1. Автор: SONG Kwan Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY DEVICE, AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170213598A1. Автор: Asami Yoshinobu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR COMPENSATING INTERNAL DELAY, METHODS THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20150236113A1. Автор: SONG Kwan Jae. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Device For Polishing The Semiconductor Device Using Magnetic Field And Method Thereof

Номер патента: KR100564425B1. Автор: 김우현,홍정균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

Display device, semiconductor device, electronic appliance, and driving method thereof

Номер патента: TWI718832B. Автор: 木村肇,梅崎敦司. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-11.

Display device, semiconductor device, electronic appliance, and driving method thereof

Номер патента: TW202121694A. Автор: 木村肇,梅崎敦司. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device having plated contacts and method thereof

Номер патента: US5990547A. Автор: Laxminarayan Sharma,Burton J. Carpenter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Stacked wafer manufacturing method

Номер патента: US20110256667A1. Автор: Koichi Kondo,Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device package

Номер патента: US12009312B2. Автор: Chanyuan Liu,Kuo-Hsien Liao,Yu-Hsiang Sun. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120261A1. Автор: Koshun SAITO,Daichi NIWA,Yuki Seta. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255617A1. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230039359A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20040206984A1. Автор: Tsugihiro Matsuoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having fuse elements

Номер патента: US09984966B2. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09917204B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09899487B2. Автор: Young-Sin Kim,Yong-Kwan Kim,Chang-Hyun Cho,Augustin Jinwoo Hong,Myeong-Dong LEE,Hye-Young Kang,Byoung-Wook JANG,Dong-Sik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Power module semiconductor device

Номер патента: US09691673B2. Автор: Hirotaka Otake,Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US09659891B2. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09496149B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device including memory circuit and logic array

Номер патента: US09494644B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09478535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Yukinori Shima,Ami Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09293590B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Device Gate Spacer Structures and Methods Thereof

Номер патента: US20210050431A1. Автор: Liu Chun-Chang,Huang Kuo-Chang,Lu Fu-Peng,Huang Chen-Chiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND TEST APPARATUS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220093477A1. Автор: KIM Jae Won,KIM Jin A,BAN Yong Jun,KIM Wan Tae,JEON Soo Chul. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR CURRENT CONTROL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140175526A1. Автор: Hsieh Kuo Hung,Hsieh Meng Shien,Huang Yin Fu,Chung Miao Chun. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor Device with Bypass Functionality and Method Thereof

Номер патента: US20140225661A1. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE GATE SPACER STRUCTURES AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190157419A1. Автор: Liu Chun-Chang,Huang Kuo-Chang,Lu Fu-Peng,Huang Chen-Chiu. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

High data transfer smart card reader with heat sink

Номер патента: US09390299B1. Автор: William Michael Beals. Владелец: ECHOSTAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-07-12.

Manufacturing method of a heat conductive device for a light-emitting diode

Номер патента: US20120311849A1. Автор: Tsu Lee. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

High data transfer smart card reader with heat sink

Номер патента: CA2977516A1. Автор: William Michael Beals. Владелец: ECHOSTAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09935363B2. Автор: Teruyuki Fujii,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20210021097A1. Автор: Hashimoto Takuya,OKAHISA Eiichiro,Kobayashi Suguru,Matsushita Shigeru,Nakazawa Katsuya,Uehara Sumio,Yumoto Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20190305511A1. Автор: Hashimoto Takuya,OKAHISA Eiichiro,Kobayashi Suguru,Matsushita Shigeru,Nakazawa Katsuya,Uehara Sumio,Yumoto Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Optical semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20020139989A1. Автор: Takayuki Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Electrochemical device, manufacturing method of electrode thereof and processing apparatus for electrode of electrochemical device

Номер патента: US20080254353A1. Автор: Hideharu Takezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Light emitting device, manufacturing apparatus and method thereof, and image printing apparatus

Номер патента: US20070047004A1. Автор: Kazunori Sakurai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and internal voltage adjusting method thereof

Номер патента: US20180323703A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Bong-Hwa Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device, semiconductor system, and monitoring method thereof

Номер патента: US20140049310A1. Автор: Yong-suk Joo,Joo-Hwan Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device or printed wiring board design method and design support system that implements settings by using a semiconductor device model that expresses parasitic elements that occur when packaged

Номер патента: US20090327981A1. Автор: Satoshi Nakamura,Tsutomu Hara,Ken Iwakura,Mitsuaki Katagiri,Yukitoshi Hirose,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Heat sink for a linear motor

Номер патента: US09777972B2. Автор: André-Rafael Da Conceição Rosa. Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2017-10-03.

Heat sink

Номер патента: US12063757B2. Автор: Yong Joo Lee,Mi Sun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Conductive heat sink-welded pcb apparatus, conductive heat sink and welding method thereof

Номер патента: US20170171963A1. Автор: Xiaoming HOU. Владелец: Le Holdings Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Heat sink

Номер патента: US20230102931A1. Автор: Yong Joo Lee,Mi Sun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Safety and emc compliant internal power plane heat sink capacitor

Номер патента: US20240224411A1. Автор: John S. Werner,Kevin O'Connell,Samuel R. Connor,Yuanchen Hu,Piyush Kashyap. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integral molded heat sinks on dc-dc converters and power supplies

Номер патента: WO2006080971A2. Автор: John A. Maxwell,William T. Yeates. Владелец: Power-One, Inc.. Дата публикации: 2006-08-03.

Variable frequency drive heat sink assembly

Номер патента: EP2710868A1. Автор: Michael F. Taras,Suresh Duraisamy,Mark J. Perkovich,KeonWoo Lee,Xu Qiang Liao,Claus E. JORGENSEN,Arne F. HANSEN. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Variable frequency drive heat sink assembly

Номер патента: US09429151B2. Автор: Michael F. Taras,Suresh Duraisamy,Mark J. Perkovich,KeonWoo Lee,Xuqiang Liao,Claus E. JORGENSEN,Arne F. HANSEN. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Heat sink for a radiographic sensor device

Номер патента: US20030085359A1. Автор: George Dailey,James Caruba. Владелец: Siemens Medical Systems Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Heat Sink

Номер патента: US20230228501A1. Автор: Hsin-Tzu Kuo,Po-Shen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-20.

Liquid-cooled heat sink configured to facilitate drainage

Номер патента: US09743562B2. Автор: Robert K. Mullady,Donald W. Porter,David L. Edwards,Frank M. Desiano,Randy ZOODSMA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid-cooled heat sink configured to facilitate drainage

Номер патента: US09743561B2. Автор: Robert K. Mullady,Donald W. Porter,David L. Edwards,Frank M. Desiano,Randy ZOODSMA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid-cooled heat sink configured to facilitate drainage

Номер патента: US09420728B2. Автор: Robert K. Mullady,Donald W. Porter,David L. Edwards,Frank M. Desiano,Randy ZOODSMA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Automobile air heater utilizing PTC tablets adhesively fixed to tubular heat sinks

Номер патента: US5239163A. Автор: Arnoldus M. Brouwers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5218218A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Laminated structure, semiconductor device, laminated structure manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP2009272437A. Автор: 幸栄 鈴木,隆徳 田野,敦 小野寺,Yukie Suzuki,Atsushi Onodera,Takanori Tano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Active matrix type organic EL display, and manufacturing method and device thereof, and liquid crystal array and manufacturing method thereof, and manufacturing method and device of color filter substrate, and color filter device

Номер патента: TW200410591A. Автор: Yasuo Nishi,Kazuhiro Murata,Hiroshi Yokoyama,Toshio Tahira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2004-06-16.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Image forming device, manufacture and maintenance method thereof

Номер патента: JPH1026912A. Автор: Norihiko Kida,詔彦 木田,Sueo Ueno,末男 上野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US20190389368A1. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US10766405B2. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW517381B. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-11.

Organic semiconductor element comprising linear source electrode and linear drain electrode and manufacturing method thereof, fabric structure and nonwoven structure using organic semiconductor element, and semiconductor device using organic semiconductor element, fabric structure or nonwoven structure

Номер патента: KR101595290B1. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR960010073B1. Автор: 이수철,서상민. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-07-25.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111430355A. Автор: 马强,平延磊,李天慧. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Buffering circuit, semiconductor device having the same, and methods thereof

Номер патента: US20130285702A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140049310A1. Автор: CHO Joo-Hwan,JOO Yong-Suk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor Devices and Scrambled Data Transmission Methods Thereof

Номер патента: US20080183978A1. Автор: Keon-Han Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device, semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US20180166144A1. Автор: Young Bo Shim,Tae Kyun SHIN,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Receiver, connection method thereof, receiver assembly and heat pump system

Номер патента: US20220228785A1. Автор: Shuguang Zhang,Xi FENG,Jinxiang Wang,Guangyu SHEN,Xingye Zhou. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Receiver, connection method thereof, receiver assembly and heat pump system

Номер патента: US12013158B2. Автор: Shuguang Zhang,Xi FENG,Jinxiang Wang,Guangyu SHEN,Xingye Zhou. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Receiver, connection method thereof, receiver assembly and heat pump system

Номер патента: US20240263854A1. Автор: Shuguang Zhang,Xi FENG,Jinxiang Wang,Guangyu SHEN,Xingye Zhou. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Receiver, connection method thereof, receiver assembly and heat pump system

Номер патента: EP4033160A1. Автор: Shuguang Zhang,Xi FENG,Jinxiang Wang,Guangyu SHEN,Xingye Zhou. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Light fixture including heat sink for supporting lighting module

Номер патента: CA3240995A1. Автор: Dengke Cai. Владелец: HGCI Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Rotated heat sink structure for light emitting diode luminaire apparatus

Номер патента: WO2012028410A1. Автор: HAO LI,You Chen,Shang Ping Xiao,Yan Gang Cheng. Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-03-08.

LED lamp with a flexible heat sink

Номер патента: US09995473B2. Автор: James P. Elwell,Trent Quick,Baozhou Xu. Владелец: Putco Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

LED lamp with a flexible heat sink

Номер патента: US09909752B2. Автор: James P. Elwell,Trent Quick,Baozhou Xu. Владелец: Putco Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Heat-sink for high bay LED device, high bay LED device and methods of use thereof

Номер патента: US09581322B2. Автор: Chhiu-Tsu Lin. Владелец: Aeonovalite Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Compact high output led light source with heat sink

Номер патента: US20230250949A1. Автор: Henry V. Holec,Brian Hillstrom. Владелец: METROSPEC Tech LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Compact high output LED light source with heat sink

Номер патента: US12018829B2. Автор: Henry V. Holec,Brian Hillstrom. Владелец: METROSPEC Tech LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Lighting device comprising a heat sink structure

Номер патента: US09593838B2. Автор: Peter Johannes Martinus Bukkems,Arthur Robert Van Es. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-03-14.

Heat sink structure and flexible light-emitting device having heat sink structure

Номер патента: US20210199276A1. Автор: Sheng-Hua Yang,Pin-Chu Chen,Yi-Jing Huo. Владелец: Excellence Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Heat sink having variable thermal resistance

Номер патента: US10605429B2. Автор: Martin Ebner,Peter Mayer,Michael Brunner. Владелец: ZKW Group GmbH. Дата публикации: 2020-03-31.

Heat sink having variable thermal resistance

Номер патента: US20200072435A1. Автор: Martin Ebner,Peter Mayer,Michael Brunner. Владелец: ZKW Group GmbH. Дата публикации: 2020-03-05.

Thermal print head, thermal printer, and method of manufacturing heat sink

Номер патента: US20230182483A1. Автор: Kuniaki Nakamura,Kaoru Muraki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Light fixture including heat sink for supporting lighting module

Номер патента: WO2023133318A2. Автор: Dengke Cai. Владелец: Hgci, Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

Led lamp with a flexible heat sink

Номер патента: CA2909296C. Автор: James P. Elwell,Trent Quick. Владелец: Putco Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Liftable heat sink design with thermal interface material for pluggable optical modules

Номер патента: US11789220B1. Автор: Tri Nguyen,Hogan LEW,Srinivas S. Chebrolu. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Led lamp with improved heat sink

Номер патента: US20090196045A1. Автор: Chun-Jiang Shuai,Guang Yu,Cheng-Tien Lai. Владелец: Fuzhun Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Composite brake disks with an integrated heat sink, methods for manufacturing the same, and methods for producing encapsulated heat sink material

Номер патента: US20190162263A1. Автор: Susanne M. Opalka,Georgios S. Zafiris,Weina Li. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for creating a heat sink design

Номер патента: WO2024019907A1. Автор: James M. Lorenzo,David D. Steppan,Timothy J. Pike,Carson C. Miller,Emily E. Connor,Natalie FINNEGAN. Владелец: Covestro LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Recessed hardmask used to form hamr nft heat sink

Номер патента: US20190198046A1. Автор: Yongjun Zhao,Hui Brickner,Dongsung Hong,Anusha Natarajarathinam. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods for creating a heat sink design

Номер патента: EP4310716A1. Автор: Timothy Pike,David Steppan,Natalie FINNEGAN,Jim Lorenzo,Carson Miller,Emily CONNOR. Владелец: Covestro LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Lighting device comprising a heat sink structure

Номер патента: WO2014024147A1. Автор: Peter Johannes Martinus Bukkems,Arthur Robert Van Es. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Led filament arrangement with heat sink structure

Номер патента: US20220120426A1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2022-04-21.

Led filament arrangement with heat sink structure

Номер патента: EP3874196A1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2021-09-08.

Smooth heat sink or reflector layer for optical record carrier

Номер патента: EP1606809A1. Автор: Coen A. Verschuren,Hans W. Van Kesteren,Gavin N. Phillips. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-21.

Metal plated carbon nano fiber, manufacturing method thereof, and high efficiency heat sink

Номер патента: KR20190110382A. Автор: 이준희,박찬희,김철생,홍경민. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-09-30.

Negative photosensitive resin composition, cured film, cured film manufacturing method, semiconductor device, laminated body manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and polyimide precursor

Номер патента: TWI728137B. Автор: 吉田健太,岩井悠,渋谷明規. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Mask data correction method, photomask manufacturing method, computer program, optical image prediction method, resist pattern shape prediction method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW200540662A. Автор: Daisuke Kawamura,Kazuya Fukuhara,Shoji Mimotogi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-16.

And a wiring method for disposing a semiconductor device that can be reconstructed, a program thereof, and a wiring device

Номер патента: TWI576850B. Автор: Masayuki Satou. Владелец: Taiyo Yuden Kk. Дата публикации: 2017-04-01.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Carbon nanotube field emission device manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR20050087111A. Автор: 박승준. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-08-31.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, testing and manufacturing methods thereof

Номер патента: US7668027B2. Автор: Ritsuro Orihashi,Yoshiharu Ikeda,Masami Makuuchi,Koichiro Eguchi,Kengo Imagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200133727A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor system including semiconductor device for performing defective analysis

Номер патента: US12131791B2. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150070988A1. Автор: Park Jong Won. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND BURN-IN TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Suzuki Koji,TANIMURA Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180166144A1. Автор: Shim Young Bo,SHIN Tae Kyun,JEONG Hyeong Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave mesa diode manufacturing method

Номер патента: RU2280914C2. Автор: Аслан Султанович Ташилов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heat sink, heat dissipation unit, and server

Номер патента: CA3206696A1. Автор: Haifeng Guo,Fangyu Liu,Yuefeng WU,Shilei Yuan. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fluid cooled heat sink assembly for pressure contacted semiconductor devices

Номер патента: CA854895A. Автор: E. Ferree Herbert. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1970-10-27.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Heat-sink for cooling of semiconductor devices

Номер патента: SU1746555A1. Автор: Юрий Михайлович Детинов,Игорь Иосифович Зусмановский,Валентина Ивановна Златковская. Владелец: Конструкторское Бюро Электроприборостроения. Дата публикации: 1992-07-07.

Heat-sink for cooling power semiconductor device

Номер патента: SU1714724A1. Автор: Георгий Николаевич Шестоперов,Юрий Геннадьевич Вексин. Владелец: Саранское производственное объединение "Электровыпрямитель". Дата публикации: 1992-02-23.

Heat-sink for cooling of semiconductor devices

Номер патента: SU1691913A1. Автор: Татьяна Павловна Бакулина,Юрий Кириллович Клименко. Владелец: Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР. Дата публикации: 1991-11-15.

Heat-sink for cooling of semiconductor devices

Номер патента: RU1793570C. Автор: Юрий Михайлович Детинов,Валентина Ивановна Златковская. Владелец: Конструкторское Бюро "Электроприборостроения". Дата публикации: 1993-02-07.

Manufacturing method and product of heat-pipe type heat sink

Номер патента: TW200909760A. Автор: Guo-Ren Lin,Jian-Tsai Shiu,Jr-Hung Jeng. Владелец: Golden Sun News Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-01.

Heat sink fixing device of power semiconductor device

Номер патента: KR960003548U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-01-22.

Manufacturing method of substrate for power module with heat sink

Номер патента: JP2016072563A. Автор: 智哉 大開,宗太郎 大井,Sotaro Oi,Tomoya Ohiraki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-09.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200624032A. Автор: Jun-Young Yang,You-Ock Joo,Dong-Pil Jung. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3093906C. Автор: YU Zhou,Qian Sun,Hui Yang,Shuai Su,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao.,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Meixin FENG. Владелец: Jiangxi Yuhongjin Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120181708A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Circuit board, semiconductor device, circuit board manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5593897B2. Автор: 正芳 近藤. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

A semiconductor device testing system and tseting method thereof

Номер патента: TWI372432B. Автор: Mingtsong Lee. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device having capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: TWI263297B. Автор: Jung-Ching Chen,Ming-Tsung Tung,Chien-Ming Lin,Chin-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Semiconductor device having capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: TW200725797A. Автор: Jung-Ching Chen,Ming-Tsung Tung,Chien-Ming Lin,Chin-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW416125B. Автор: Hidenori Mochizuki. Владелец: Asahi Chemical Micro Syst. Дата публикации: 2000-12-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120119309A1. Автор: HORITA Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120286427A1. Автор: Horibe Hiroshi,Sumitomo Kaori,Arakawa Hideyuki,Takata Yasuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140001509A1. Автор: Lee Shih-Chang,Chen Cheng-Hong,Lin Yi-Hung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6562493B2. Автор: 覚史 久保田. Владелец: 大口マテリアル株式会社. Дата публикации: 2019-08-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: CN102347311B. Автор: 李明翰,眭晓林,余振华,李香寰,叶名世. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223918B1. Автор: 김종민. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI436451B. Автор: . Владелец: Csmc Technologies Fab 2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102693982A. Автор: 张海洋,胡敏达. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-09-26.

Super junction semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102412296A. Автор: 王邦麟. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI784266B. Автор: 蕭長泰. Владелец: 晶元光電股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-21.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102456715A. Автор: 肖胜安,邱慈云,刘继全,谢煊. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Semiconductor device fuse and manufacturing method thereof

Номер патента: TW583768B. Автор: Chao-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-04-11.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTED SUBSTRATE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007119A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

BUFFERING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120049888A1. Автор: . Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120175778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND THE SEPARATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20120313249A1. Автор: Hsu Chia-Liang,HSU TZU-CHIEH,Chen Shih-I,Lin Ching-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.