Method of detecting bio-molecules using field effect transistor without fixing bio-molecules on the gate sensing surface .

Method of detecting bio-molecules using field effect transistor without fixing bio-molecules on the gate sensing surface

Номер патента: EP1843157A1
Опубликовано: 10-10-2007
Автор(ы): Jeo-Young Shim, Kyu-Sang Lee, Kyu-Tae Yoo, Won-Seok Chung, Yeon-Ja Cho
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of detecting bio-molecules using field effect transistor without fixing bio-molecules

Номер патента: KR100773550B1. Автор: 유규태,심저영,정원석,이규상,조연자. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of concentrating and detecting bio-molecules and cells and a means therefor

Номер патента: CA1254132A. Автор: Gunnar Sandstrom,Arne Tarnvik,Hans Wolf-Watz. Владелец: Symbicom AB. Дата публикации: 1989-05-16.

Liquid crystal display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10534216B2. Автор: Koichi Sugitani,Hoon Kang,Euisuk Jung,YongHoon Yang,Hyein KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Backlight module, display device and method of assembling display device

Номер патента: US11892730B2. Автор: Xiaohui Yang,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Backlight module, display device and method of assembling display device

Номер патента: US20240012288A1. Автор: Xiaohui Yang,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Display substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20200089046A1. Автор: Jian Gao,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Optical sensor of bio-molecules using thin-film interferometer

Номер патента: US09719936B2. Автор: Robert F. Zuk,Hong Tan,Yushan Tan,Ming Xia,Erhua Cao. Владелец: Access Medical Systems Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: RU2664695C2. Автор: Грегори Аллан КОУП,Николас Джон АГАРД. Владелец: Кодексис, Инк.. Дата публикации: 2018-08-21.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11719872B2. Автор: Younghoon Lee,Young Seo Choi,Seonggeun Won,Kwanhee Lee,Youngji KIM,Yiseul Um,Youngki Chai. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09842934B2. Автор: Sang-Hyun Bae,Ju-Yeon Kim,Yong-Woo Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Backplane, backlight source, display device and manufacturing method of backplane

Номер патента: US12057536B2. Автор: Ke Wang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US7012657B2. Автор: Masami Yamashita,Keiko Yamada,Takasuke Hayase,Shinichi Nakata,Akitoshi Maeda. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Array substrate assembly, method of manufacturing array substrate assembly, display panel and display apparatus

Номер патента: US10636783B2. Автор: Wei Zhang,Yezhou FANG,Yanshun HAO,Guangshuai Wang,Liwen Xin. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Array substrate assembly, method of manufacturing array substrate assembly, display panel and display apparatus

Номер патента: US20190131295A1. Автор: Wei Zhang,Yezhou FANG,Yanshun HAO,Guangshuai Wang,Liwen Xin. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Fabrication method of polycrystalline silicon TFT

Номер патента: US20040248422A1. Автор: Sang Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Error detecting apparatus for gate driver, display apparatus having the same and method of detecting error of gate driver

Номер патента: US09672087B2. Автор: Seung-Hwan Moon,Dong-won Park,Jong-jae Lee,Eui-dong HWANG,Bon-Sung KOO,Jun-Dal KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of detecting bio-molecules using the same field effect transistor

Номер патента: KR100773549B1. Автор: 유규태,심저영,정원석,이규상,조연자. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-07.

Device for measuring ac magnetization of materials and method for detecting bio-molecules

Номер патента: US20090164161A1. Автор: Herng-Er Horng,Hong-Chang Yang,Shieh-Yueh Yang,Rex Chin-Yih Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Device for measuring AC magnetization of materials and method for detecting bio-molecules

Номер патента: TW201031915A. Автор: Herng-Er Horng,Hong-Chang Yang,Shieh-Yueh Yang,Rex Chin-Yih Hong. Владелец: Rex Chin-Yih Hong. Дата публикации: 2010-09-01.

Device and measuring system for detecting bio molecule

Номер патента: KR101018090B1. Автор: 김창성,심지혜. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2011-02-25.

Method for active detection bio molecules

Номер патента: KR101532891B1. Автор: 윤완수. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-06-30.

Device for measuring ac magnetization of materials and method for detecting bio-molecules

Номер патента: EP2224236A1. Автор: Herng-Er Horng,Hong-Chang Yang,Shieh-Yueh Yang,Chin-Yih Rex Hong. Владелец: Chin-Yih Rex Hong. Дата публикации: 2010-09-01.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

OPTICAL SENSOR OF BIO-MOLECULES USING THIN-FILM INTERFEROMETER

Номер патента: US20150204795A1. Автор: Xia Ming,Tan Hong,ZUK Robert F.,TAN Yushan,CAO Erhua. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Image formation mean, image formation device and method of image formation

Номер патента: RU2642156C2. Автор: Руи ИСИЯМА. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-24.

Method of toxicological evaluation, method of toxicological screening and associated system

Номер патента: US09448226B2. Автор: Eric Leclerc,Laetitia Shintu,Regis Baudoin,Cecile Legallais,Pierre Toulhoat,Celine Brochot,Marc-Emmanuel Dumas. Владелец: Institut National De L'environment Industriel Et Des Risques. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: EP4414988A2. Автор: Nicholas John Agard,Gregory Allan Cope. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: CA2898777C. Автор: Nicholas John Agard,Gregory Allan Cope. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: KR102215219B1. Автор: 그레고리 앨런 코프,니콜라스 존 아가드. Владелец: 코덱시스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-02-16.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: EP2951579B1. Автор: Nicholas John Agard,Gregory Allan Cope. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method of diagnostics of postpartum endometritis using the rt-pcr

Номер патента: RU2643584C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Трофимов,Ольга Владимировна Бурменская,Андрей Евгеньевич Донников,Роман Георгиевич Шмаков,Галия Насибулаевна Каримова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма ДНК-Технология". Дата публикации: 2018-02-02.

Post-compression method of measuring soil gas concentration and emission

Номер патента: US5137830A. Автор: George H. Milly. Владелец: Quadrel Research Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Method of inspecting food and inspection apparatus implementing the same

Номер патента: EP2081014A1. Автор: Takayuki c/o Yokohama Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd Shimazu,Makoto c/o Yokohama Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd Katayama,Toshiaki c/o Yokohama Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd Okuno,Masato c/o Yokohama Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-07-22.

Method of manufacturing a field effect transducer

Номер патента: US20220384604A1. Автор: Mohamed AZIZE,Shekhar BAKSHI. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing a field effect transducer

Номер патента: US12031939B2. Автор: Mohamed AZIZE,Shekhar BAKSHI. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of determining optical thickness of atmosphere

Номер патента: RU2729171C1. Автор: Эмма Михайловна Зуйкова,Виктор Иванович Титов,Виктор Владимирович Баханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2020-08-04.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: WO2019097234A1. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of analyzing neurons, device for analyzing neurons, and computer program

Номер патента: US20230408494A1. Автор: Toru Ichihashi,Takahiko Yoshida,Moeka NOBUTA. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Multi-function CPTU-based fine identification method of shallow gas-bearing strata

Номер патента: GB2612877A. Автор: Wang Yong,Chen Cheng,YU SONG,Zhang Junjie,Wang Yehuan,Miao Jinqiang. Владелец: Wuhan Institute of Rock and Soil Mechanics of CAS. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09964853B2. Автор: Hugo Augustinus Joseph Cramer,Adrianus Franciscus Petrus Engelen,Peter Clement Paul Vanoppen,Paul Christiaan Hinnen,Eric Jos Anton Brouwer,Jan Hendrik Den Besten. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-05-08.

Apparatus and method for detecting bio molecule using inductance device

Номер патента: EP1602921A1. Автор: KIM Young-Il,Lee Sung-Hee,Jong-hwa Won,Kang Jung-Ho,Tae-Sik Park,Moon-Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-07.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2019066145A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-04.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190097067A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-03-28.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3460468A3. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-24.

Electrochemical test sensor and method of forming the same

Номер патента: US09829459B2. Автор: Boru Zhu,Herbert Henley, Jr.. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Device for investigation of thermal, thermal-oxidative and hydrolytic destruction of polymer materials and method of its implementation

Номер патента: RU2693738C1. Автор: Альберт Семенович Шабаев,Георгий Олегович Молоканов,Светлана Юрьевна Хаширова,Абдулах Касбулатович Микитаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods of making a molecular detection chip having a metal oxide silicon field effect transistor on sidewalls of a micro-fluid channel

Номер патента: US20070218610A1. Автор: Sun-Hee Kim,Yoon-kyoung Cho,Geun-bae Lim,Chin-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods of making a molecular detection chip having a metal oxide silicon field effect transistor on sidewalls of a micro-fluid channel

Номер патента: US7863140B2. Автор: Sun-Hee Kim,Yoon-kyoung Cho,Geun-bae Lim,Chin-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-04.

Ultrasonic inspection method of metal products defectiveness

Номер патента: RU2695950C1. Автор: Дмитрий Андреевич Седнев,Герман Алексеевич Филиппов,Виталий Васильевич Ларионов,Георгий Викторович Гаранин,Андрей Маркович Лидер,Ирина Олеговна Болотина,Вадим Юрьевич Жвырбля,Николай Иванович Ермошин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-07-29.

Method of experimental data receipt for determination of hydrocarbonate ions in mineral waters by potentiometric and acid-base titration methods

Номер патента: RU2631618C1. Автор: Альбина Васильевна Чернышева,Наталья Юрьевна Стожко,Екатерина Михайловна Подшивалова,Владимир Петрович Татауров,Галина Михайловна Белышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный экономический университет" (УрГЭУ). Дата публикации: 2017-09-25.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: EP3710821A1. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

A method of operating a pipetting system, a pipetting system, a tool and a computer-implemented method

Номер патента: EP4293362A1. Автор: Werner Hälg,Marianne ANGST-HELBLING,François UEBELHART. Владелец: TECAN TRADING AG. Дата публикации: 2023-12-20.

Manufacturing method of microneedle biosensor

Номер патента: US20230330403A1. Автор: Yue Cui. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of depositing reagent material in a test sensor

Номер патента: EP2225043A1. Автор: Boru Zhu,Herbert Henley, Jr.. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2010-09-08.

Optical sensor of bio-molecules using interferometer

Номер патента: US12055486B2. Автор: Hong Tan. Владелец: Access Medical Systems Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: US09684771B2. Автор: Nicholas John Agard,Gregory Allan Cope. Владелец: Codexis Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

OPTICAL SENSOR OF BIO-MOLECULES USING THIN-FILM INTERFEROMETER

Номер патента: US20140093432A1. Автор: Tan Hong,Xia Min,ZUK Robert F.,TAN Yushan,CAO Erhua. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

OPTICAL SENSOR OF BIO-MOLECULES USING INTERFEROMETER

Номер патента: US20190302016A1. Автор: Tan Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Methods, systems, and software for identifying bio-molecules using models of multiplicative form

Номер патента: KR20150113167A. Автор: 그레고리 앨런 코프,니콜라스 존 아가드. Владелец: 코덱시스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-10-07.

Optical sensor of bio-molecules using interferometer

Номер патента: WO2018071523A1. Автор: Hong Tan. Владелец: ACCESS MEDICAL SYSTEMS, LTD.. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: US20100284660A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: EP2064158A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2009-06-03.

Manufacturing method of micro-nano structure antireflective coating layer and display apparatus thereof

Номер патента: US10274645B2. Автор: Guowei Zha. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of manufacturing silicon optical member, silicon optical member, and light-emitting device

Номер патента: US20240255679A1. Автор: Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of micro-nano structure antireflective coating layer and display apparatus thereof

Номер патента: US20180143352A1. Автор: Guowei Zha. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Color filter and method of making the same

Номер патента: US09494719B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of producing LED lens array

Номер патента: US5301063A. Автор: Ryoichi Tohmon. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-04-05.

Manufacturing method of optical fiber

Номер патента: EP1340727A1. Автор: Koji c/o Fujikura Ltd. Azegami,Munehisa c/o Fujikura Ltd. Fujimaki. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2003-09-03.

Method of achieving improved radial alignment in an optical package

Номер патента: CA1295124C. Автор: Jan Lipson,Ralph Salvatore Moyer,Ghazi Mohamed Chaoui,Charles Robert Fegley,Thomas Stanley Stakelon. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-02-04.

Glasses-free 3d display mobile device, setting method of the same, and using method of the same

Номер патента: WO2015194749A1. Автор: Won-Jun Lee,Yoon-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-23.

Personal dosimeter on the base of radiation integrated circuit.

Номер патента: US20110260070A1. Автор: Volodymyr Polishchuk. Владелец: John Theologian Community Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of alignment of pins ac of ship base and device for its implementation

Номер патента: RU2635398C2. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Борис Олегович Качанов,Николай Алексеевич Туктарев,Сабина Курбановна Ахмедова. Владелец: Открытое акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (ОАО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2017-11-13.

Method of spacecraft interstellar navigation

Номер патента: RU2697866C1. Автор: Михаил Викторович Яковлев. Владелец: Михаил Викторович Яковлев. Дата публикации: 2019-08-21.

Method of measuring actual contact area of parts

Номер патента: RU2642915C1. Автор: Анна Александровна Сандуляк,Аркадий Арсеньевич Титов,Али Юсупович Албагачиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2018-01-29.

Charge generating devices and methods of making and use thereof

Номер патента: US20180372891A1. Автор: Lei Cao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of circuit breaker configuration in case of damages and their elimination in flexible adjustable dc substation

Номер патента: RU2718619C1. Автор: Ган ЛИ,Юй ЛУ,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Цзе ТЯНЬ,Чунсюэ ЦЗЯН,Шунькэ СУЙ. Владелец: ЭнАр ЭНЖИНИРИНГ КО., ЛТД. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of testing, wafer, and testing station

Номер патента: GB2599102A. Автор: PETERS Frank,YANG Hua,Dernaika Mohamad,Caro Ludovic,Perrott Alison. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Circuit structure, electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240361353A1. Автор: Kuang-Ming FAN,Ju-Li WANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Sensor calibration enclosures and methods of using sensor calibration enclosures to calibrate vehicle sensors

Номер патента: US20210131838A1. Автор: Todd Muck,Brian J. Pinkelman,Danil Prokhorov. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Navigation system with arrival time mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09945678B2. Автор: Gregory Stewart Aist,Shalu Grover,Aliasgar Mumtaz Husain,Casey Carter,Naveen Kumar Vandanapu. Владелец: Telenav Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Navigation system with data gathering mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09644988B2. Автор: Gregory Stewart Aist,Aliasgar Mumtaz Husain,Casey Carter,Jose Sebastian. Владелец: Telenav Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of measuring deviations of the arrangement of planes relative to the center of the outer spherical surface

Номер патента: RU2726285C1. Автор: Анатолий Павлович Архаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный технический университет". Дата публикации: 2020-07-10.

Method of controlling vehicle movement(embodiments)

Номер патента: RU2649840C1. Автор: Михаил Дмитриевич Косткин. Владелец: Михаил Дмитриевич Косткин. Дата публикации: 2018-04-04.

Method of measuring the length of an electrical wire object

Номер патента: RU2682565C1. Автор: Сергей Сергеевич Гарматюк,Юрий Владимирович Юханов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-03-19.

Method of navigation and positioning of underwater objects in deep-water channel at large distance and system for its implementation

Номер патента: RU2674404C1. Автор: Юрий Александрович Половинка,Алексей Олегович Максимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева Дальневосточного отделения Российской академии наук (ТОИ ДВО РАН). Дата публикации: 2018-12-07.

Tire sidewall crack inspection tool and method of use

Номер патента: US20150143886A1. Автор: Arthur Scott McClure,Dean Rotatori,John Chapdelaine. Владелец: Tread Gauge Ptr LLC. Дата публикации: 2015-05-28.

Force, deflection, resistance, and temperature testing system and method of use

Номер патента: US20230296663A1. Автор: Jack Lewis,Lynwood Adams,Njteh Keleshian. Владелец: Modus Test LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Triangulation method of measurement for deviations of object and determination of its spatial orientation

Номер патента: RU2610009C2. Автор: Владимир Генриевич Меледин,Дмитрий Викторович Куликов,Виталий Владиславович Рахманов,Сергей Владимирович Двойнишников,Юрий Александрович Аникин. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт оптико-электронных информационных технологий" (ОАО "ИОИТ"). Дата публикации: 2017-02-07.

Method of producing cavity structures

Номер патента: US5690841A. Автор: Hakan Elderstig. Владелец: Pharmacia Biotech Ab. Дата публикации: 1997-11-25.

Phototransistor apparatus and method of operating the phototransistor apparatus

Номер патента: US11885674B2. Автор: August Wallmeyer,Ralf Heinrich Schröder genannt BERGHEGGER,Claas Gerdes. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

A method of measurement on a machine tool and corresponding machine tool apparatus

Номер патента: EP2839242A1. Автор: Paul Moore,Michael WOOLDRIDGE,John Ould. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2015-02-25.

Pressure mapping apparatus and method of cleaning glass substrate by using the same

Номер патента: WO2019018663A1. Автор: Sung-Ha Park,Sangmo KIM,Jun-Uk PARK,Young-Choon SONG. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of manufacturing a porous pressure sensor and device therefor

Номер патента: US20230213402A1. Автор: Yen-Chih Chen. Владелец: Hermosa Optics Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Navigation system with mode mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US9618349B2. Автор: Xinan Cheng. Владелец: Telenav Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of manufacturing devices for static and dynamic body measurements

Номер патента: US20190310144A1. Автор: George L. Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of manufacturing devices for static and dynamic body measurements

Номер патента: USRE49996E1. Автор: George L. Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Navigation system with route displaying mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20180188067A1. Автор: Kok Wei Koh,Eric Wood,Herman Ho-Man So. Владелец: Telenav Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Amplified dual-gate bio field effect transistor

Номер патента: US09689835B2. Автор: Rashid Bashir,Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Field Effect Transistor-Based Bio Sensor

Номер патента: US20140175522A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Christopher P. D'Emic,Sufi Zafar,Ashish Jagtiani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: US20230008734A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-12.

Biosensor based on carbon nanotube-electric field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09880126B2. Автор: Sung-Wook Choi,Jae-ho Kim,Jae-Hyeok Lee,Gwang Hyeon Nam. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2018-01-30.

Biosensor electrode having three-dimensional structured sensing surfaces

Номер патента: US20200003727A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Gas detection systems and methods using graphene field effect transistors

Номер патента: WO2016205814A1. Автор: LIWEI Lin,Yumeng Liu. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of operating an electronic circuit for measurement of transistor variability and the like

Номер патента: US7764080B2. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-27.

Methods of Operating an Electronic Circuit for Measurement of Transistor Variability and the Like

Номер патента: US20080315907A1. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of measuring medium flow rate

Номер патента: RU2401991C2. Автор: Герд ШТАНГЕ. Владелец: Цилум Бетайлигунгсгезелльшафт Мбх & Ко. Патенте Ii Кг. Дата публикации: 2010-10-20.

Non-planar field effect transistor test structure and lateral dielectric breakdown testing method

Номер патента: US09453873B2. Автор: Fen Chen,Michael A. Shinosky,Roger A. Dufresne,Kevin Kolvenbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Method of viewing and target tracking (options) and radar location complex for its implementation (options)

Номер патента: RU2673877C2. Автор: Борис Григорьевич Беляев,Павел Васильевич Заболотный,Пётр Васильевич Стародымов. Владелец: Акционерное общество "Концерн воздушно-космической обороны "Алмаз-Антей". Дата публикации: 2018-12-03.

Modeling method of SPICE model series of SOI FET

Номер патента: US09953118B2. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Jiexin Luo,Qingqing Wu,Zhan Chai. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of protecting a gate driver circuit and display apparatus performing the method

Номер патента: US09570027B2. Автор: Jong-jae Lee,Bon-Sung KOO,Jun-Dal KIM,Yang-Uk NAM,Se-Young HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Control gate structures for field-effect transistors

Номер патента: US20210151573A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of detecting curved lane through path estimation using monocular vision camera

Номер патента: US20220207276A1. Автор: Eunsu LEE. Владелец: Carvi Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of modeling emergency situation

Номер патента: RU2646723C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of determining profile of mobile device user on mobile device itself and demographic profiling system

Номер патента: RU2647661C1. Автор: Александр Александрович Романенко,Джэбонг Ю,Константин Александрович Крыжановский,Любовь Владимировна ПОДОЙНИЦИНА,Дмитрий Валерьевич ПОЛУБОТЬКО,Алексей Юрьевич КАЗАНЦЕВ,Андрей Константинович Моисеенко,Мстислав Владимирович МАСЛЕННИКОВ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-03-16.

Method of making an aerosol delivery device and an aerosol delivery device

Номер патента: RU2709939C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-12-23.

System and method of deleting files and counteracting recovery thereof

Номер патента: RU2715288C1. Автор: Олег Владимирович Зайцев. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-02-26.

Method of preparing a layout and system for performing the same

Номер патента: US20150161325A1. Автор: Wei Min Chan,Chen-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of determining minimum criticality accident source term

Номер патента: GB2619579A. Автор: Yu Miao,Chen Tian,LIU Guoming,Yi Xuan,LI Yunlong,Shao Zeng,ZHANG Haoran,HU Xiaoli,Huo Xiaodong. Владелец: China Nuclear Power Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

System and method of accessing dynamic web content from a multifunction printer using standard protocols

Номер патента: US20060179413A1. Автор: Charles Gregory,Mark Eifler. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Magnetic recording medium and method of manufacturing same

Номер патента: US20020037436A1. Автор: Kiyomi Ejiri,Masahiko Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Adaptive atmospheric correction method of hyperspectral satellite based on prior ground object spectral matching

Номер патента: US12039775B1. Автор: Tao He,Jun Lu,Qianqian Jiang,Siqi Feng. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional (3d) modeling method of clothing

Номер патента: US20210166493A1. Автор: Dong Soo Han,Dong Wook YI. Владелец: Z Emotion Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of monitoring the performance of a software application

Номер патента: US09477573B2. Автор: Jonathan Michael Pitts,Rupert Lawrence Grantham Ogilvie,David John Page. Владелец: Actual Experience PLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming a pattern

Номер патента: US20210335721A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Silver halide emulsion and method of preparing the same

Номер патента: US20030068593A1. Автор: Masashi Shirata. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of selecting a treatment for an ms patient

Номер патента: US20230020958A1. Автор: Laura PICCIO,Yanjiao ZHOU. Владелец: Jackson Laboratory. Дата публикации: 2023-01-19.

Pattern transfer sheet, method of monitoring pattern transfer printing, and pattern transfer printing system

Номер патента: US12103276B2. Автор: Eyal Cohen,Amir Noy,Benny Naveh,Valery SORIN,Dor DROR. Владелец: Wuhan Dr Laser Technology Corp ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus and method of displaying medical image

Номер патента: US09891784B2. Автор: Jin-Yong Lee,Joo-Hyun Song. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch screen display user interface and method for improving touch interface utility on the same employing a rules-based masking system

Номер патента: US09733707B2. Автор: Hans Roth,Amit Nishikant Kawalkar. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of decomposing layout for generating patterns on photomasks

Номер патента: US09524362B2. Автор: Chin-Lung Lin,Kuei-Chun Hung,Harn-Jiunn Wang,Chih-Hsien Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nanoscopic tunnel and method of making same

Номер патента: WO2004036623A3. Автор: Bernhard Vogeli. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of short-term load forecasting via active deep multi-task learning, and an apparatus for the same

Номер патента: US20220207357A1. Автор: Xue Liu,Di Wu,Michael Jenkin,Gregory Lewis DUDEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of gripping a striking apparatus

Номер патента: US09858907B2. Автор: Daniel Paul Racine,II Thomas Richard Racine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of refreshing memory device

Номер патента: US09767882B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Seung-jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Aircraft and missile afterbody flow control device and method of controlling flow

Номер патента: US09637223B1. Автор: Mehul Patel,Troy Prince,Jack DiCocco,Tsun Ming Terry Ng. Владелец: Orbital Research Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Soft, absorbent sheets having high absorbency and high caliper, and methods of making soft, absorbent sheets

Номер патента: US09574306B2. Автор: Frank D. Harper,Hung Liang Chou,Daniel H. Sze,Steven R. Olson,Xiaolin Fan. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of detecting misprints, computing device, and storage medium

Номер патента: US20230092072A1. Автор: Cheng-Feng Wang,Li-Che Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of detecting and correcting error in mesh and apparatus for same

Номер патента: US20190074853A1. Автор: Il Kyu Park,Jin Sung Choi,Chang Joon Park,Kap Kee Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Electronic device and method of controlling the same

Номер патента: US09729697B2. Автор: Yoomee SONG,Miyoung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of making touch-sensitive device with electrodes having location pattern included therein

Номер патента: WO2012071267A1. Автор: Brock A. Hable,Billy L. Weaver. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of sound insulation

Номер патента: RU2659926C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-04.

Device and method of controlling flow of goods

Номер патента: RU2699576C1. Автор: Юрий Адольфович Занев. Владелец: Юрий Адольфович Занев. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of stereolithography of raw work pieces from ceramic or metal material using photothermal method

Номер патента: RU2739093C1. Автор: Кристофер ШАПЮ,Ричард ГЕНЬОН,Синди ШИК. Владелец: С.А.С 3ДСерам-Сэнто. Дата публикации: 2020-12-21.

Recording medium, device and method of decoding data

Номер патента: RU2404463C2. Автор: Канг Соо СЕО. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-11-20.

Automatic determination method of at least one parameter indicative of the degree or level of functionality of a lung

Номер патента: US20230298164A1. Автор: Luc Soler,Eric Noll,Pierre Diemunsch. Владелец: Visible Patient. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of predicting waiting days for a medical examination, apparatus for predicting waiting days for a medical examination, and computer program stored on recording medium for executing the method

Номер патента: US20230170082A1. Автор: Junghwan Moon,Keunhwa KIM,Choonbong SON,Byoungjun HWANG. Владелец: SAMSUNG LIFE PUBLIC WELFARE FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US5718990A. Автор: Hoon Huh. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Displaying method of reaction path diagram of compound

Номер патента: US6088629A. Автор: Fumio Tamura,Atsushi Tomonaga. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Nuclear fuel pebble and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2976389C. Автор: Peter PAPPANO,Martin Peter Van Staden. Владелец: X Energy LLC. Дата публикации: 2021-12-21.

Method of recording information on a recording medium having at least two magnetic layers

Номер патента: US5233578A. Автор: Koyo Hasegawa,Masakuni Yamamoto,Makoto Hiramatsu,Susumu Matsumura,Yasuyuki Miyaoka,Yutaka Ogasawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1993-08-03.

Nuclear fuel pebble and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2976389A1. Автор: Peter PAPPANO,Martin Peter Van Staden. Владелец: X Energy LLC. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of transferring from a plant for the production of packaging material to a filling machine, a method of providing a packaging material with information, as well as packaging material and the use thereof

Номер патента: US7337980B2. Автор: Bertil Schaedel. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2008-03-04.

Method of decomposing layout for generating patterns on photomasks

Номер патента: US20160314233A1. Автор: Chin-Lung Lin,Kuei-Chun Hung,Harn-Jiunn Wang,Chih-Hsien Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

System and method of testing memory device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US11735283B2. Автор: Po-Hsun Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

MRAM device structures and method of fabricating the same

Номер патента: US11856854B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Yu-Feng Yin,Min-Kun Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of monitoring the performance of a software application

Номер патента: EP2457164A1. Автор: Jonathan Michael Pitts,Rupert Lawrence Grantham Ogilvie,David John Page. Владелец: Page David John. Дата публикации: 2012-05-30.

Method of monitoring the performance of a software application

Номер патента: WO2011009892A1. Автор: Jonathan Michael Pitts,Rupert Lawrence Grantham Ogilvie,David John Page. Владелец: Queen Mary and Westfield College, University of London. Дата публикации: 2011-01-27.

Augmented reality system and method of generating augmented reality

Номер патента: US20220091664A1. Автор: Yuntae Kim,Jaehwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Augmented reality system and method of generating augmented reality

Номер патента: US11625092B2. Автор: Yuntae Kim,Jaehwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-11.

Method of providing virtual sound in electric vehicle

Номер патента: US11772554B2. Автор: Dong Chul Park,Ki Chang Kim,Jin Sung Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: US20120103934A1. Автор: Kazuto Yamanaka,Shogo Hiramatsu. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Data storage devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190088656A1. Автор: Kilho Lee,Seung Pil KO,Hyunchul SHIN,Hong Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of fabricating micro actuator having media stage

Номер патента: US20070137780A1. Автор: Hong-Sik Park,Seung-bum Hong,Jong-youp Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

System and method of testing memory device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20230187006A1. Автор: Po-Hsun Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Mram device structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240099149A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Yu-Feng Yin,Min-Kun Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: US20240193041A1. Автор: Sohyun Han,Jong-Sung Na,Seona CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Pattern transfer sheet, method of monitoring pattern transfer printing, and pattern transfer printing system

Номер патента: US20230019668A1. Автор: Eyal Cohen,Amir Noy,Benny Naveh,Valery SORIN,Dor DROR. Владелец: Wuhan DR Llaser Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4386556A1. Автор: Sohyun Han,Jong-Sung Na,Seona CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Lifting support device and method of controlling operation

Номер патента: US11953144B2. Автор: Jason Kerestes. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of fabricating organic memory device

Номер патента: US20090221113A1. Автор: Zing-Way Pei,Chia-Chieh Chang,Wen-Miao Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-09-03.

Augmented reality system, method of generating augmented reality and corresponding medium

Номер патента: EP3971689A1. Автор: Yuntae Kim,Jaehwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of fabricating organic memory device

Номер патента: US8105914B2. Автор: Zing-Way Pei,Chia-Chieh Chang,Wen-Miao Lo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-01-31.

Remote ssd debug via host/serial interface and method of executing the same

Номер патента: US20200013476A1. Автор: Andrei Konan,Sergei PENIAZ. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of testing memory module and memory module

Номер патента: US20060064611A1. Автор: Byung-se So,Seung-jin Seo,Hui-chong Shin,Seung-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

METHODS, SYSTEMS, AND SOFTWARE FOR IDENTIFYING BIO-MOLECULES USING MODELS OF MULTIPLICATIVE FORM

Номер патента: US20140221216A1. Автор: Cope Gregory Allan,Agard Nicholas John. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

METHODS, SYSTEMS, AND SOFTWARE FOR IDENTIFYING BIO-MOLECULES USING MODELS OF MULTIPLICATIVE FORM

Номер патента: US20170204405A1. Автор: Cope Gregory Allan,Agard Nicholas John. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US20150053981A1. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US8916442B2. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Dithiolane functionalized nucleoside amidites and supports for stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: US9969764B2. Автор: Alok Srivastava,Suresh C Srivastava,Praveen K. Shukla,Sant K SRIVASTAV,Santhosh K THATIKONDA. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Dithiolane functionalized nucleoside amidites and supports for stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: US20170037076A1. Автор: Alok Srivastava,Suresh C Srivastava,Praveen K. Shukla,Sant K SRIVASTAV,Santhosh K THATIKONDA. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Dithiolane functionalized nucleoside amidites and supports for stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: EP3060572A1. Автор: Alok Srivastava,Suresh C. Srivastava,Sant K. Srivastav,Praveen K. Shukla,Santhosh K. Thatikonda. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2016-08-31.

Dithiolane functionalized nucleoside amidites and supports for stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: CA2928190C. Автор: Alok Srivastava,Suresh C. Srivastava,Sant K. Srivastav,Praveen K. Shukla,Santhosh K. Thatikonda. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Dithiolane functionalized nucleoside amidites and supports for stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: WO2015061507A1. Автор: Alok Srivastava,Suresh C. Srivastava,Sant K. Srivastav,Praveen K. Shukla,Santhosh K. Thatikonda. Владелец: ChemGenes Corporation. Дата публикации: 2015-04-30.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US20180175850A1. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor including channel formed of 2D material

Номер патента: US12027588B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Field effect transistor

Номер патента: US20240194759A1. Автор: Manabu Yanagihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Approach to fabrication of an on-chip resistor with a field effect transistor

Номер патента: US09917082B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Organic Thin Film Transistor, Method of Fabricating the Same, and Gate Insulating Layer Used in the Same

Номер патента: US20100230662A1. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung--Hua Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-09-16.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Gate last vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20200357898A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Field effect transistor including channel formed of 2d material

Номер патента: US20230077783A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100267211A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4332076A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1982-06-01.

Manufacturing method of Fin field-effect transistor

Номер патента: US11495502B2. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Manufacturing method of fin field-effect transistor

Номер патента: US20210375696A1. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12080782B2. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230299182A1. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371984A1. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Power FET with integrated sensors and method of manufacturing

Номер патента: US09748376B2. Автор: David J Baldwin,Abidur Rahman,Simon John Molloy,Gary Eugene DAUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of producing silicon targets for magnetron sputtering

Номер патента: RU2631372C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2017-09-21.

Combined tool used in installation in pipeline of technical pipe string during construction of oil-and-gas well on shelf; method of conducting technological operations

Номер патента: RU2700864C1. Автор: Геннадий Львович Рыбаков,Владимир Анатольевич Калаев,Владимир Георгиевич Кисельников,Владимир Евгеньевич Михайлов,Борис Леонардович Амфилохиев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение по исследованию и проектированию энергетического оборудования им. И.И. Ползунова" (ОАО "НПО ЦКТИ"). Дата публикации: 2019-09-23.

Method of simulating dose reduction when collecting x-ray system data, computer system and x-ray system

Номер патента: RU2555122C2. Автор: Барт Пьер Антуан Йозеф ХОРНАРТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of regulation of train movement on running line

Номер патента: RU2652319C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик,Леонид Викторович Мухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет путей сообщения Императора Николая II" МГУПС (МИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Method of protecting computing network from unauthorized scanning and blocking network services

Номер патента: RU2648949C1. Автор: Алексей Юрьевич Оладько. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Информационные Технологии И Коммуникационные Системы". Дата публикации: 2018-03-28.

Method of multi-electrode arc welding with flux, welded connection and method of obtaining welded connection

Номер патента: RU2674501C1. Автор: Сёхэй КОДЗУКИ,Наоя ХАЯКАВА,Кендзи ОЙ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of management of coffee beans roasting and the apparatus for the use in the process of coffee beans roasting

Номер патента: RU2653762C1. Автор: Деклан Патрик КЕЛЛИ,Цзинвэй ТАНЬ,Яньянь ВАН,Цзюнь ШИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-14.

Method of repairing pipelines with internal anticorrosion coating

Номер патента: RU2708762C1. Автор: Сергей Семенович Михайлов. Владелец: Сергей Семенович Михайлов. Дата публикации: 2019-12-11.

Method of manufacturing paper resistant to moisture and pollution, and paper resistant to moisture and pollution

Номер патента: RU2681001C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Игорь Васильевич Павлов,Николай Васильевич Хомутинников,Елена Михайловна Федорова,Елена Владимировна Куркова,Геннадий Егорович Иванов,Олег Станиславович Бусырев,Игорь Олегович Говязин,Андрей Борисович Щепин,Валентина Владимировна Боброва. Владелец: Акционерное общество "ГОЗНАК". Дата публикации: 2019-03-01.

Method of making multilayer photocell chips

Номер патента: RU2492555C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Владимир Михайлович Лантратов,Анна Александровна Усикова,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of packaging used in device for supply and packing of shells, and device for supply and packing of shells

Номер патента: RU2736338C1. Автор: Масая СУГИУРА. Владелец: Дженерал Пэкер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-16.

Method of video assisted combined subxiphoid and transthoracic surgical approach to anterior mediastinum in patients with thymus tumors

Номер патента: RU2690614C1. Автор: Богдан Николаевич Котив,Илья Игоревич Дзидзава,Олег Владимирович Баринов,Иван Валерьевич Дмитроченко,Евгений Евгеньевич Фуфаев,Денис Александрович Ясюченя. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2019-06-04.

Dressing method of rod shape steel part

Номер патента: RU2683569C1. Автор: Владимир Константинович Колесов. Владелец: Акционерное общество "Сатурн - Инструментальный завод". Дата публикации: 2019-03-29.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Method of fabricating lateral MOS transistor

Номер патента: US6071781A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Method of making an igfet using solid phase diffusion to dope the gate, source and drain

Номер патента: US20010039094A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making grid of grooves on inner surface of cylindrical shell and device for its implementation

Номер патента: RU2654410C1. Автор: Юрий Анатольевич Иванов,Виктор Анатольевич Коротков,Виктор Иванович Трегубов,Сергей Николаевич Ларин,Владимир Денисович Кухарь,Олег Николаевич Митин,Сергей Сергеевич Яковлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2018-05-17.

Method of producing force acting in preset direction by facilitating interaction of moving electric charges

Номер патента: RU2668233C1. Автор: Владимир Викторович Фортов,Николай Владимирович Фортов. Владелец: Владимир Викторович Фортов. Дата публикации: 2018-09-27.

Thermoelectric semiconducting material, thermoelectric semiconducting element with application of thermoelectric semiconducting material, thermoelectric module with application of thermoelectric semiconducting element and method of their manufacturing

Номер патента: RU2326466C2. Автор: Тосинори ОТА,Хироки ЕСИЗАВА,Коуити ФУДЗИТА,Исао ИМАЙ,Цуеси ТОСО,Удзихиро НИСИИКЕ. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-06-10.

Method of producing solar cell

Номер патента: RU2636405C2. Автор: Такаси МУРАКАМИ,Хироюки ОЦУКА,Такенори ВАТАБЕ. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of processing organic wastes

Номер патента: RU2766454C1. Автор: Леонид Александрович Аминов,Владимир Кириллович Сафонов. Владелец: Владимир Кириллович Сафонов. Дата публикации: 2022-03-15.

Household device design, disbalance compensation device and method of disbalance compensation device fixation to clothes drum

Номер патента: RU2629147C1. Автор: Роберт КИССЛИНГ,Хольгер Райхнер,Том ВЕБЕР. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of making structural part of organic-matrix composite and part thus made

Номер патента: RU2497675C2. Автор: Ришар МАССОН,Патрис ДЮНЛЕАВИ. Владелец: Мессье-Бугатти-Даути. Дата публикации: 2013-11-10.

Method of making plurality of FETs having different threshold values

Номер патента: US6051455A. Автор: Tsutomu Imoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Contact formation for stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20200273755A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Heng Wu,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Thin-Film Transistor And Method Of Manufacturing The Same, Array Substrate, And Display Apparatus

Номер патента: US20190131143A1. Автор: Wei Li,Yang Zhang,Jun Liu,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Tongshang Su,Qinghe Wang,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10516027B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10680076B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US20200075739A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10269609B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-04-23.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating three-dimensional structure and method of manufacturing substrate with spacer

Номер патента: US20090244126A1. Автор: Kazuaki Okamori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Mold, method of producing the mold, and method of producing molded article using the mold

Номер патента: US7811501B2. Автор: Akira Morishige,Ken-Ichi Kobayashi,Tetsuaki Nishida. Владелец: Kitakyushu Foundation for Advancement of Industry Science and Technology. Дата публикации: 2010-10-12.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US09892952B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of early yield tea seedlings and application thereof in fast gardening

Номер патента: NL2028029B1. Автор: Wang Yu,SUN Guodong,ZHANG Xinfu,Qian Wenjun,Hu Jianhui,Shi Zhijiang. Владелец: Qingdao Laokuang Zunpu Tea Ind Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of continuous steel casting

Номер патента: RU2505377C1. Автор: Юидзи МИКИ,Ясуо КИСИМОТО,Сунити КАВАНАМИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-01-27.

System and method of indirect detection of tires insufficient pressure

Номер патента: RU2631722C1. Автор: Алессандро МОНТИ,Гильермо ПИТА-ГИЛ,Мариус ПИЦИЮ. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of production and use of hydrocarbon fuel

Номер патента: RU2606948C2. Автор: Анатолий Васильевич Сирота,Владимир Анатольевич Сирота,Николай Дмитриевич Чорномыз. Владелец: Николай Дмитриевич Чорномыз. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of struggling against ice on roads

Номер патента: RU2626729C1. Автор: Олег Владимирович Базарский,Евгения Евгеньевна Саврасова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2017-07-31.

Positioning device and method of forming contact

Номер патента: RU2732497C2. Автор: Александер ПАХЛЕР. Владелец: Шунк Транзит Системз Гмбх. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of sawn wood centrifugal drying under negative temperature

Номер патента: RU2633264C2. Автор: Илья Романович Шегельман,Павел Владимирович Будник,Артем Сергеевич Пяскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2017-10-11.

Method of geometric accuracy increasing of part produced by incremental formation

Номер патента: RU2576792C2. Автор: Фенг РЕН,Чжиюн Седрик СЯ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of making semiconductor devices having implanted sidewalls and devices made thereby

Номер патента: WO2011071973A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230354583A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230326972A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Uniaxially strained quantum well device and method of making same

Номер патента: EP2656390A2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Organic light emitting display and method of fabricating the same

Номер патента: US20110297949A1. Автор: Won-Kyu Lee,Joon-hoo Choi,Sang-ho Moon,Yong-Hwan Park,Kyu-Sik Cho,Tae-Hoon Yang,Yun-Gyu Lee,Bo-Kyung Choi,Min-Chul Shin,Byoung-Kwon Choo. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods of making semiconductor devices having implanted sidewalls and devices made thereby

Номер патента: EP2510539A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-10-17.

Methods of making semiconductor devices having implanted sidewalls and devices made thereby

Номер патента: WO2011071973A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of manufacturing flexible substrate and flexible substrate

Номер патента: US20190123289A1. Автор: Yun Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of antibacterial and antiviral surface treatment of flexible cover materials and cover materials obtained with this method

Номер патента: US20240225006A9. Автор: Luca BONALDO. Владелец: Gruppo Mastrotto Spa. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of antibacterial and antiviral surface treatment of flexible cover materials and cover materials obtained with this method

Номер патента: US20240130372A1. Автор: Luca BONALDO. Владелец: Gruppo Mastrotto Spa. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of forming a thin film

Номер патента: EP4256114A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Keita OTANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of rear surface treatment, analysis method of integrated circuit from rear surface side, and rear surface treatment apparatus

Номер патента: US20100193374A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

A method of manufacturing a stator for a slotless electric motor

Номер патента: GB2615991A. Автор: Bowman Liam,Collings Henry. Владелец: Eta Green Power Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Method of fabricating mask for forming wood grain patterns

Номер патента: US20090155482A1. Автор: Min Su Kim,Jong Seo Park. Владелец: Moltex Yangsan Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

White led chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035945A1. Автор: Yihui Wu,Shuguang Yao,Zhaoming Zeng,Guowei Xiao,Zhirong Jiang,Chuiming WAN. Владелец: Apt Electronics Co ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Preparation method of fish scale gelatin high antioxidant peptide

Номер патента: LU500630B1. Автор: LU Zhang,HUI Wang,Jun Liu,Jin-Lin Li,Xiao-mei SHA,zong-cai Tu. Владелец: Univ Jiangxi Normal. Дата публикации: 2022-03-07.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US12080582B2. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of assembling a carriage assembly

Номер патента: US20070180673A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Naoki Ishikawa,Hidehiko Kira,Takayoshi Matsumura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of evaluating aging level of a human through measuring vascular struggle in an aging human tissue

Номер патента: US20230371855A1. Автор: Chia-Hua KUO,Chang Yu WANG Michael. Владелец: Nuliv Science Usa Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method of managing a driver take-over from an autonomous vehicle based on monitored driver behavior

Номер патента: US12091059B2. Автор: Ke Liu,Omer Tsimhoni,Yi Guo Glaser,Ron Hecht. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US20240355663A1. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wireless ultrasound probe using wirelessly supplied power, ultrasound diagnosis apparatus wirelessly connected to wireless ultrasound probe, operating method of ultrasound diagnosis apparatus, and operating method of wireless ultrasound probe

Номер патента: US12081043B2. Автор: Gil-ju JIN,Mi-jeoung Ahn. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing solar battery cell

Номер патента: US09837575B2. Автор: Naoki Ishikawa,Takayuki Ogino,Yasuyuki Kano,Shogo Tasaka,Shinji Goda,Ryota Aono,Shinobu Gonsui,Futoshi Kato,Ryosuke Oku. Владелец: Panasonic Production Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preventing polysilicon from being contaminated with metals

Номер патента: US09828250B2. Автор: Reiji Yoshimura,Manabu Kondou. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor structure comprising plurality of through holes using metal hard mask

Номер патента: US09793204B2. Автор: Yu-Hung Lin,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices including a gate core and a fin active core and methods of fabricating the same

Номер патента: US09673300B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Seungseok HA,Keunhee Bai,Kyounghwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of substrate structure having embedded interconnection layers

Номер патента: US09653323B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Articles including bonded metal structures and methods of preparing the same

Номер патента: US09570430B2. Автор: Jens Oswald,Frank Kuechenmeister,Christian KLEWER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Configuration device, image displaying device, methods of their control and software

Номер патента: RU2460234C1. Автор: Масаси ЙОСИДА,Масаси ЙОСИДА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of sapropelic slime output

Номер патента: RU2137737C1. Автор: С.П. Алексеев,А.В. Лебедев,В.В. Чернявец,В.С. Аносов,А.Н. Добротворский. Владелец: Государственный научно-исследовательский навигационно-гидрографический институт. Дата публикации: 1999-09-20.

Method of compensating for loss of traction power of a rail vehicle

Номер патента: RU2723614C1. Автор: Вернер БРОЙЕР,Вольфганг РУЛЬКА,Ханс Юрген МЕРКЛЬ,Мартин ЦЕХ. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-06-16.

Image sensor for x-ray and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2014112705A1. Автор: Soon Ho Choi,Ki Joong KIM,Ji Ho Hur,Youn Duck NAM,Yong Ju Ham. Владелец: SILICON DISPLAY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of fabricating a MOS device using a stress-generating material

Номер патента: US9105651B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsung-Hung Chang,I-Fang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of forming vertical channel devices

Номер патента: US20180330988A1. Автор: Juergen Boemmels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Nanofibers and methods of forming nanofibers thereof

Номер патента: WO2023018373A3. Автор: Antonio Helio De Castro Neto,Valeria SPOLON MARANGONI,Mariana CALDEIRA FERRAZ DA COSTA,Ricardo KEITEL DONATO,Hui Li TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-04-20.

Inverted organic photovoltaic cell and method of manufacturing same

Номер патента: EP4290597A1. Автор: Kwang Hee Lee,Hong Kyu Kang,So Yeong Jeong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-12-13.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Display device and manufacturing method of display device

Номер патента: US20230422583A1. Автор: Daisuke Kato,Noriyuki Hirata,Hiraaki KOKAME. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Fabrication method of an elastomer with topographical structure formed by the breath figure technique

Номер патента: WO2022106290A1. Автор: Xi Wu,Aldo Ferrari,Raoul HOPF,Edoardo Mazza,Andreas Kourouklis. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-05-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Nanofibers and methods of forming nanofibers thereof

Номер патента: WO2023018373A2. Автор: Antonio Helio De Castro Neto,Valeria SPOLON MARANGONI,Mariana CALDEIRA FERRAZ DA COSTA,Ricardo KEITEL DONATO,Hui Li TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing of a formed product and use of the metod

Номер патента: EP2416904A1. Автор: Anders Nilsson. Владелец: Gestamp Hardtech AB. Дата публикации: 2012-02-15.

Method of filling a trench in a substrate

Номер патента: US20090137094A1. Автор: Ki-Sub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-28.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20150340239A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device

Номер патента: US12058899B2. Автор: Jun-Ho Choi,Jin-Koo Chung,Byoung-Hee PARK,Jeong-Woo MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of operating searcher in a mobile communication system

Номер патента: US20030125060A1. Автор: Jong Kim,In Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing a YIG oscillator

Номер патента: US20010024143A1. Автор: Shuji Nojima,Tomohiko Ezura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery each containing composite cathode active material, and method of preparing composite cathode active material

Номер патента: US20240258517A1. Автор: Sukgi HONG,Byungjin Choi,Dongwook Shin,Jinhwan Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20160314971A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20150096958A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of mounting electronic devices and partially shielded board for mounting electronic devices

Номер патента: US20240365523A1. Автор: Takashi Nakamura,Sei Uemura,Masateru Nishioka,Naoko UENO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing printed circuit board with embedded electronic components positioned by using solder paste

Номер патента: US09974186B2. Автор: Ming Yi YEH,Shun Yueh Hsu,Kun Chi Chen,Hung Min Chen. Владелец: Unitech Printed Circuit Board Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacture method of coil component, and coil component

Номер патента: US09972436B2. Автор: Shinji Yasuda,Kenji Nishiyama,Akinori Hamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Stack packages having with confined underfill fillet and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09966278B1. Автор: Taehoon Kim,Hyun Kyu RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of decorating a substrate

Номер патента: US09956814B2. Автор: Bruno Paul Louis Vermeulen. Владелец: UNILIN BV. Дата публикации: 2018-05-01.

Package structures and methods of forming the same

Номер патента: US09859267B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming multiple patterning spacer structures

Номер патента: US09741567B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653518B2. Автор: Yong Il Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming a semiconductor device package with warpage control

Номер патента: US20240379640A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Package structures and methods of forming the same

Номер патента: US09564416B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of phase change memory

Номер патента: US09472759B1. Автор: Shui-Chin Su. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Print element substrate, method of manufacturing the same, printhead and printing apparatus

Номер патента: US09451692B2. Автор: Keiichi Sasaki,Noriyuki Kurita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Device of blood pressure measurement, recording carrier, which records program of deduction of blood pressure values and method of deduction of blood pressure values

Номер патента: RU2454926C2. Автор: Юкия САВАНОИ,Кендзи ФУДЗИИ,Наоми МАЦУМУРА,Рейдзи ФУДЗИТА,Кенити ЯМАКОСИ,Масамити НОГАВА. Владелец: Омрон Хэлткэа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Fabricating method of transistor structure

Номер патента: US10825925B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of manufacturing non-volatile memory devices

Номер патента: US8765587B2. Автор: Seung Cheol Lee,Su Hyun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20080081422A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Structure and method of manufacturing a structure for guiding electromagnetic waves

Номер патента: US20200411942A1. Автор: Senad Bulja,Florian Pivit. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2020-12-31.

Communication system with feedback mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20130308692A1. Автор: Jungwon Lee,Inyup Kang,Junghyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Communication system with feedback mechanism and method of operation thereof

Номер патента: EP2845330A1. Автор: Jungwon Lee,Inyup Kang,Junghyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-11.

A system for and method of monitoring eye medication

Номер патента: EP4041053A1. Автор: Ian Flitcroft. Владелец: Ocuvation Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

A system for and method of monitoring eye medication

Номер патента: WO2021069750A1. Автор: Ian Flitcroft. Владелец: Ocuvation Limited. Дата публикации: 2021-04-15.

Mobile terminal and method of controlling the same

Номер патента: WO2018199489A1. Автор: Jihoon Kim,Sangki Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-11-01.

Exercise gel ball and method of use

Номер патента: US20040193081A1. Автор: Peter Sils. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of fabricating light-emitting diode display panel

Номер патента: US20210336076A1. Автор: Yang Sun. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Exercise gel ball and method of use

Номер патента: WO2004087032A2. Автор: Peter Sils. Владелец: Peter Sils. Дата публикации: 2004-10-14.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and pixel structure

Номер патента: US20120037908A1. Автор: Shine-Kai Tseng,Huang-Chun Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-16.

Gelatin coated sand core and method of making same

Номер патента: US20020026994A1. Автор: Richard Herreid,Brian Srsen. Владелец: Hormel Foods LLC. Дата публикации: 2002-03-07.

Amplification Plate Assembly and State Detection Method of Amplification Plate Assembly

Номер патента: US20240216919A1. Автор: LIANG Zhu,Ying Hu,Xiaolin Zheng,Yixian WANG,Guoyao HE,Jiebiao HE. Владелец: Shenzhen New Industries Biomedical Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Cinnamaldehyde derivative compounds and methods of use for cinnamaldehyde derivative compounds nicotine cessation

Номер патента: US20240115518A1. Автор: John P. Harrelson,Deepa A. Rao. Владелец: Pacific University. Дата публикации: 2024-04-11.

Gelatin coated sand core and method of making same

Номер патента: EP1483072A1. Автор: Richard M. Herreid,Brian J. Srsen. Владелец: Hormel Foods Corp. Дата публикации: 2004-12-08.

Gelatin coated sand core and method of making same

Номер патента: EP1483072A4. Автор: Richard M Herreid,Brian J Srsen. Владелец: Hormel Foods Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate and corresponding carrier

Номер патента: US20130029486A1. Автор: Sebastiano Ravesi,Corrado Accardi,Stella Loverso,Noemi Graziana Sparta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-01-31.

Cinnamaldehyde derivative compounds and methods of use for cinnamaldehyde derivative compounds nicotine cessation

Номер патента: US11865086B2. Автор: John P. Harrelson,Deepa A. Rao. Владелец: Pacific University. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09966308B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,II John E. Sheets,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Electronic part embedded substrate and method of producing an electronic part embedded substrate

Номер патента: US09768122B2. Автор: Koichi Tanaka,Toshio Kobayashi,Takashi Yanagisawa,Hajime Iizuka,Tadashi Arai,Hideaki Sakaguchi,Tsuyoshi Kobayashi,Yuji Kunimoto,Tetsuya Koyama,Takaharu Yamano,Kiyoaki IIDA,Tomoaki Mashima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Optical device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755092B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US09673253B2. Автор: Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Coated, antimicrobial, chemically strengthened glass and method of making

Номер патента: US09609873B2. Автор: Ying Wei,Wageesha Senaratne,David Lathrop Morse,Nicholas Francis Borrelli,Florence Christine Monique Verrier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Gallium nitride material and device deposition on graphene terminated wafer and method of forming the same

Номер патента: US09574287B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Can Bayram,Keith E. Fogel,John A. Ott,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Chip embedded substrate and method of producing the same

Номер патента: US09451702B2. Автор: Koichi Tanaka,Toshio Kobayashi,Takashi Yanagisawa,Hajime Iizuka,Tadashi Arai,Hideaki Sakaguchi,Tsuyoshi Kobayashi,Yuji Kunimoto,Tetsuya Koyama,Takaharu Yamano,Kiyoaki IIDA,Tomoaki Mashima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

METHOD OF MAXIMUM RECOVERY OF KINETIC ENERGY FROM turbulize air stream and convert it into ELECTRICITY ENERNIYU BY USING wind power machines with high MECHANICAL held on the basis of low-inertia PREDELNONAPORNOY JET WIND TURBINE AND low-inertia axis simultaneous multipolar generator of electrical current from the external excitation and the system of management of the external load to the generator BY LAW CHANGES AERODYNAMIC LOAD OF A WIND TURBINE

Номер патента: RU2004133421A. Автор: Павел Дмитриевич Алатин,Ирина Павловна Дигоран,Павел Дмитриевич Алатин (RU),Ирина Павловна Дигоран (RU). Владелец: Ирина Павловна Дигоран (RU). Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240006538A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Wen Cheng,Han-Ting Tsai,Po-Ting Lin,Ya-Ling Lee,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Power FET With Integrated Sensors And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20170179278A1. Автор: David J Baldwin,Abidur Rahman,Simon John Molloy,Gary Eugene DAUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of controlling injector driving circuit

Номер патента: US20200200114A1. Автор: Takahiro Yamada,Takuya Ino. Владелец: Nikki Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for manufacturing organic light-emitting device and method of manufacturing display unit

Номер патента: US20160181532A1. Автор: Toshio Fukuda,Jun Yamaguchi,Makoto Ando,Masanobu Tanaka,Tomoo Fukuda,Ryo Yasumatsu. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing light source device having a bonding layer with bumps and a bonding member

Номер патента: US12046705B2. Автор: Takashi Matsumoto,Naoki Harada,Yoshiyuki Kageyama,Fukutaro SAEGUSA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Food processor with cleaning accessory amd methods of using same

Номер патента: US12042773B2. Автор: Koen Aidan Ambrose. Владелец: Hamilton Beach Brands Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Lighting device and method of forming a lighting device

Номер патента: WO2022120185A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Capacitor pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230085698A1. Автор: Rajeev Ranjan,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Jung Kyu HAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Food Processor With Cleaning Accessory amd Methods of Using Same

Номер патента: US20240367124A1. Автор: Koen Aidan Ambrose. Владелец: Hamilton Beach Brands Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Laser printable dry-erase substrates and methods of their manufacture and use

Номер патента: US09849717B2. Автор: Ganesh Deka. Владелец: Neenah Paper Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09553140B2. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of manufacturing porous metal foam

Номер патента: US09518309B2. Автор: Do-Kyung Kim,Yun-Sung Kim,Dong-Seok Kim,Seok-Woo Jeon,Hee-Man Choe,Myoung-Geun CHOI,Hyun-Gyung JO,Hye-Ji PARK,Yoon-Sook NOH,Chang-Ui AHN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device having at least one insulated gate field effect transistor, and semiconductor device manufactured by using the method

Номер патента: CA934478A. Автор: Steinmaier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1973-09-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8962428B2. Автор: Lele CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Protective configuration against electrostatic discharges in semiconductor components controllable by field effect

Номер патента: US5672893A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-30.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20180337173A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20200126975A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Backplane module and method of manufacturing same

Номер патента: US20150271942A1. Автор: Patrick Wellington Mills,James Michael Mccormick,David Michael Geier. Владелец: Labinal LLC. Дата публикации: 2015-09-24.

Backplane module and method of manufacturing same

Номер патента: US09578771B2. Автор: Patrick Wellington Mills,James Michael Mccormick,David Michael Geier. Владелец: Labinal LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

METHOD OF FORMING STEP DOPING CHANNEL PROFILE FOR SUPER STEEP RETROGRADE WELL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150053981A1. Автор: Samavedam Srikanth,Kang Laegu,Qi Yi,Khanna Puneet,Ganz Michael P.,Vemula Sri Charan,Vakada Vara Govindeswara Reddy. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US20140197411A1. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of determining stress-strain state of rock mass by method of parallel wells

Номер патента: RU2699295C1. Автор: Василий Дмитриевич Барышников,Дмитрий Васильевич Барышников,Алексей Павлович Хмелинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А.Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-09-04.

Method of movement of tarno-piece goods in the storage

Номер патента: RU2681471C1. Автор: Андрей Иванович Бодренко. Владелец: Андрей Иванович Бодренко. Дата публикации: 2019-03-06.

Fragment-based system and method of compressing video

Номер патента: RU2506709C2. Автор: Стефен Г. ПЕРЛМАН,ДЕР ЛАН Роджер ВАН. Владелец: Ол2, Инк.. Дата публикации: 2014-02-10.

Novel transistor with ultra shallow tip and method of fabrication

Номер патента: EP1253632A2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Chan-Hong Chern,Leopoldo D. Yau,Paul A. Packan,Kevin R. Weldon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for selecting a method of surgical management of patients with meniere's disease

Номер патента: RU2741252C1. Автор: Елена Александровна Степанова,Валерий Михайлович Свистушкин,Светлана Вячеславовна Морозова,Дарима Буянтуевна БИДАНОВА,Иса Туктарович Мухамедов,Егине Гарегиновна Варосян. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Первый Московский государственный медицинский университет имени И.М. Сеченова Министерства здравоохранения Российской Федерации (Сеченовский университет) (ФГАОУ ВО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздрава России (Се. Дата публикации: 2021-01-22.

Method of making facade blocks

Номер патента: RU2658923C1. Автор: Николай Сергеевич Шкутов,Михаил Иванович Тимченко,Ростислав Олегович Красновский,Дмитрий Егорович Капустин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭКСС". Дата публикации: 2018-06-26.

Method of testing and conversion of fluid-saturated fracture reservoir bed (variants)

Номер патента: RU2657052C1. Автор: Иван Владимирович Горлов,Андрей Гелиевич Вахромеев,Владимир Мирославович Иванишин,Сергей Александрович Сверкунов,Рафаил Улфатович Сираев,Юрий Константинович Ланкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Земной коры Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-06-08.

Method of producing ammonia from its precursor for reducing nitrogen oxides in exhaust gases

Номер патента: RU2600356C2. Автор: Кристиан ГЕРХАРТ,Томас САТТЕЛЬМАЙЕР,Пламен ТОШЕВ. Владелец: Альцхем Аг. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of information and technical connection of information-controller computer with mobile robotic complex engine control unit

Номер патента: RU2635214C1. Автор: Владимир Вячеславович Громов,Сергей Михайлович Мосалёв,Игорь Семенович Рыбкин,Денис Игоревич Синицын,Дмитрий Альберович Фуфаев,Владимир Сергеевич Хапалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2017-11-09.

Method of manufacturing microelectronic unit

Номер патента: RU2645151C1. Автор: Валерий Николаевич Низов. Владелец: Акционерное общество "Авиаавтоматика" имени В.В. Тарасова". Дата публикации: 2018-02-16.

Method of the liquid oxygen and kerosene unprocessed residues gasification in the booster rocket tanks and the device for its implementation

Номер патента: RU2654235C1. Автор: Валерий Иванович Трушляков,Давид Борисович Лемперт. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-17.

Method of information transmission in communication system with noise signals

Номер патента: RU2635552C1. Автор: Анатолий Геннадиевич Голубев. Владелец: Акционерное общество "Акустический институт имени академика Н.Н. Андреева". Дата публикации: 2017-11-14.

Method of enriching soil with help of layer of superabsorbent during rape cultivation, mainly in sprinkling system

Номер патента: RU2732794C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-09-22.

Preventer with replaceable ring and method of its installation on support flange of wellhead fittings

Номер патента: RU2724695C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-06-25.

Permanent magnet and method of making said magnet

Номер патента: RU2453942C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ,Кюзо НАКАМУРА,Такео КАТОУ,Ацуси НАКАЦУКА,Итироу МУКАЕ,Масами ИТОУ,Реу ЙОСИИЗУМИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of manufacturing a chalcopyrite-based translucent thin-film solar module

Номер патента: RU2682836C1. Автор: Дмитрий Александрович Яковлев,Евгений Рашитович Закиров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Солартек". Дата публикации: 2019-03-21.

Method of developing two objects of different stratigraphic accessories

Номер патента: RU2652240C1. Автор: Владимир Николаевич Петров,Раис Салихович Хисамов,Илья Фанузович Галимов,Марс Талгатович Ханнанов,Ильдар Хамитович Кашапов,Рамиз Искендерович Шешдиров,Данил Сергеевич Данилов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-04-25.

Method of carrying out geophysical works through a drilling column in wells with open hole having complex trajectory

Номер патента: RU2677721C1. Автор: Винер Айратович Ахметзянов,Виталий Александрович Лысенков,Руслан Дамирович Хамидуллин,Марат Зайтунович Ибрагимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Титан Сервис". Дата публикации: 2019-01-21.

Mobile station, base station, method of uplink transfer and method of downlink transfer

Номер патента: RU2485717C2. Автор: Ёсихиса КИСИЯМА,Кэнъити ХИГУТИ,Мамору САВАХАСИ,Теруо КАВАМУРА. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of cultivation pluripotential stem cells

Номер патента: RU2375448C2. Автор: Кейити ФУКУДА,Тосихиро АКАИКЕ. Владелец: Асубио Фарма Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of an apparatus for varying the secondary cooling effect in the continuous casting of steel

Номер патента: CA1049738A. Автор: Andreas Zogg,Heinrich Marti,Oskar Hardegger. Владелец: Concast AG. Дата публикации: 1979-03-06.

Barrier stacks for printed and/or thin film electronics methods of manufacturing the same, and method of controlling a threshold voltage of a thin film transistor

Номер патента: WO2020086532A1. Автор: Aditi Chandra,Yoocharn Jeon,Raghav SREENIVASAN. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030034251A1. Автор: Chi-Hwa Tsang,Vinay Chikarmane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods of changing an appearance of an illumination apparatus string, cover apparatuses, uses of same, and kits and assemblies comprising same

Номер патента: WO2013123585A1. Автор: Steven Scott Kazemir. Владелец: Kazager L.E.D. Components Inc.. Дата публикации: 2013-08-29.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10770333B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-08.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10770332B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-08.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10707111B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-07.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US20180174881A1. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Manufacturing method of inductor and manufacturing method of electronic component

Номер патента: US20230253150A1. Автор: Tatsuo Mikami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming a master and a mold by promoting the solubility of a polymeric material

Номер патента: US20010030034A1. Автор: June-sang Siak,Mei Cai,Esin Gulari,Charles Manke. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2001-10-18.

Method of starting a gas turbine engine

Номер патента: GB2623750A. Автор: Louise Turner Caroline,S Wall Derek,F Douglas Peter,M Donnelly David. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods of manufacturing superconductor and phononic elements

Номер патента: US10439125B2. Автор: Milan ALLAN. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2019-10-08.

Methods of manufacturing superconductor and phononic elements

Номер патента: US20190019937A1. Автор: Milan ALLAN. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2019-01-17.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US20190198375A1. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US20190198376A1. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US20190198374A1. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of providing seedstocks of sphagnum

Номер патента: CA3175763A1. Автор: Neal WRIGHT. Владелец: Micropropagation Services EM Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Manufacturing method of an electronic apparatus

Номер патента: US20220328448A1. Автор: Ming-Chang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of preventing acute pain accompanying chemical pleurodesis following radical thoracoplastic operations of oncological nature

Номер патента: RU2712918C1. Автор: Светлана Николаевна Тихонова,Дмитрий Александрович Розенко,Игорь Николаевич Туркин,Александр Михайлович Скопинцев,Наталья Николаевна Попова,Андрей Владимирович Якушин,Михаил Владимирович Женило,Егор Андреевич Марыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-02-03.

Fabric for papermaking machine, designed for production of paper napkins and paper towels, and method of its manufacture

Номер патента: RU2526681C2. Автор: Йонас КАРЛССОН,Сабри МУРАД. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-08-27.

Light emitting diode having a thermal conductive substrate and method of fabricating the same

Номер патента: WO2007001124A1. Автор: Jae Ho Lee. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods of treating cancer patients with farnesyltransferase inhibitors

Номер патента: WO2019113269A1. Автор: Antonio Gualberto,Catherine Rose Scholz. Владелец: Kura Oncology, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of installing a level ball bearing floor

Номер патента: US5673780A. Автор: Jorgen S. Bildsoe. Владелец: International Automated Systems Inc. Дата публикации: 1997-10-07.

Method of producing aluminium in an electrolysis cell

Номер патента: CA2728021C. Автор: Sylvain Fardeau,Benoit Sulmont. Владелец: Rio Tinto Alcan International Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of pre-cooking bacon

Номер патента: CA1334263C. Автор: Paul Gerard Morin,Tommy Leo Hoes. Владелец: Oscar Mayer Foods Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Methods of forming capacitors including expanded contact holes

Номер патента: US5913126A. Автор: Hee-Seon Oh,Seung-Joon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Method of optimizing use of cooktop and cooktop with optimization

Номер патента: US9980320B2. Автор: Lindsay Eng. Владелец: BSH Home Appliances Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Closed-loop tubular lamp envelope and method of manufacture

Номер патента: CA2205707C. Автор: Gregory Zaslavsky,Joseph V. Lima,David C. Wentzel. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-01-10.

Method of designing agonists and antagonists to egf receptor family

Номер патента: CA2329132A1. Автор: Antony Wilks Burgess,Thomas Charles Elleman,Thomas Peter John Garrett,Robert Nicholas Jorissen,Meizhen Lou,Neil Moreton Mckern,Colin Wesley Ward,Vidanagamage Chandana Epa,Herbert Rudolf Treutlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-09.

A method of and apparatus for separating liquid from solids entrained therein

Номер патента: GB2073039A. Автор: . Владелец: FLAEKT Ltd. Дата публикации: 1981-10-14.

Light-emitting device with narrow dominant wavelength distribution and method of making the same

Номер патента: US8981411B2. Автор: Ru-Shi Liu,Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Yen-Wen Chen,Shu-Ting Hsu,Chih-Chiang Lu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of actuator rod manufacture

Номер патента: US4263707A. Автор: Arnold Cooke. Владелец: Bendix Westinghouse Ltd. Дата публикации: 1981-04-28.

Method of and apparatus for separating liquid from solids entrained therein

Номер патента: GB2073039B. Автор: . Владелец: FLAEKT Ltd. Дата публикации: 1984-02-08.

Manufacturing method of a packaging structure of electronic components

Номер патента: US20100285636A1. Автор: Huai-Te Chen. Владелец: ACSIP Tech Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of optimizing use of cooktop and cooktop with optimization

Номер патента: CA2853571C. Автор: Lindsay Eng. Владелец: BSH Home Appliances Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of producing surface-treated steel sheet

Номер патента: US10156021B2. Автор: Kunihiro Yoshimura,Naomi TAGUCHI,Satoko FUKUTOMI. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of decorating the grave of the deceased in the horizontal plane of burial place, a monolithic structure for arrangement and preservation of the bulk material on the burial place in the horizontal plane and a method for securing the monolithic structure on the burial place in the horizontal plane (versions)

Номер патента: RU2722640C1. Автор: Александр Васильевич Гущин. Владелец: Александр Васильевич Гущин. Дата публикации: 2020-06-02.

Method of producing multilayer wiring structure of integrated circuit

Номер патента: US3846166A. Автор: K Sato,T Mori,S Harada,A Saiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-11-05.

Method of producing wear resistant articles having super hard coat and articles made therefrom

Номер патента: CA2108423A1. Автор: Dong-Sil Park,Paul Joseph Diconza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-04-15.

Method of producing copper clad aluminum wire

Номер патента: US3854193A. Автор: T Yamaguchi,M Hiderita,T Takayama. Владелец: FUJIKAWA CABLE WORKS Ltd. Дата публикации: 1974-12-17.

Refrigeration system with direct expansion refrigeration mode and refrigerant pumping energy-efficiency mode and control method of refrigeration system

Номер патента: US11892216B2. Автор: Xuming Fang,Yunshui CHEN,Fengpo CHEN,Hongqiu YIN. Владелец: AIRSYS REFRIGERATION ENGINEERING TECHNOLOGY (BEIJING) Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Elastic Makeup Powder Derived From Natural Inorganic Particulates And Method Of Preparing Same

Номер патента: US20230143367A1. Автор: Sung Ho Lee,Yeong Gi KIM,Bou Kun CHOI. Владелец: Sunjin Beauty Science Co ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Ultrasound-enabled invasive medical device and method of manufacturing an ultrasound-enabled invasive medical device

Номер патента: US20210186618A1. Автор: Frederic Lanteri,Flavien Daloz,Edouard Da Cruz,Maxence Borot,Coraly Cuminatto,Giandonato Stallone,Alexandre Gilibert. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Production method of monocrystalline silicon

Номер патента: US20220162769A1. Автор: Toshirou Kotooka,Shinichi Kawazoe,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of laser ablation of a metal-ceramic substrate; corresponding substrate

Номер патента: EP3615259A1. Автор: Alexander Rogg,Bogdan LISCA. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-04.

Method of laser ablation of a metal-ceramic substrate; corresponding substrate

Номер патента: WO2018234457A1. Автор: Alexander Rogg,Bogdan LISCA. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2018-12-27.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20190074281A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047352A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming a multilayer substrate comprising a layer of silicon and a layer of diamond having an optically finished (or a dense) silicon-diamond interface

Номер патента: US11891691B2. Автор: Chao Liu,Wen-Qing Xu,Thomas E. Anderson,Giovanni Barbarossa,Elgin E. Eissler. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Ic structure with interface liner and methods of forming same

Номер патента: US20180033728A1. Автор: Xunyuan Zhang,Moosung M. CHAE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Metal structure having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047350A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and Methods of Time Zone Specific Scheduling of Streaming Content

Номер патента: US20200177940A1. Автор: Carey Ray Martell. Владелец: Martell Broadcasting Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression

Номер патента: EP3895207A1. Автор: Christopher James Kapusta,Stephen Daley Arthur,David Richard Esler,Liangchun YU,Nancy Cecelia Stoffel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-10-20.

Ultrasound diagnosis apparatus, ultrasound probe, operating method of ultrasound diagnosis apparatus, and operating method of ultrasound probe

Номер патента: US20140323861A1. Автор: Gil-ju JIN,Mi-jeoung Ahn. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor package having a molding layer including a molding cavity and method of fabricating the same

Номер патента: US10361177B2. Автор: Junwoo PARK,Seung Hwan Kim,Hyunki Kim,Yun-young Kim,Sangsoo Kim,Pyoungwan Kim,Sung-Kyu Park,Insup Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-23.

Manufacturing method of tandem organic light emitting diode device

Номер патента: US11271159B2. Автор: Ming Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

Etching method and method of manufacturing liquid discharge head substrate

Номер патента: US20160039206A1. Автор: Yuzuru Ishida,Takashi Usui,Toshiyasu Sakai,Hisanori Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030398A1. Автор: Sung Won Cho,Dae ho Song,Ki Beom Lee,Soo Chul Kim,So Young YEO,Eok Yi LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing wiring substrate

Номер патента: US9006103B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi,Junichi Nakamura,Kentaro Kaneko,Kotaro Kodani. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11749536B2. Автор: Byoungdeog Choi,Jangseop KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of metal deposition

Номер патента: WO2012042203A3. Автор: Michael Bromley,Colin Boxall. Владелец: UNIVERSITY OF LANCASTER. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of metal deposition

Номер патента: US20130217227A1. Автор: Michael Bromley,Colin Boxall. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of metal deposition

Номер патента: WO2012042203A2. Автор: Michael Bromley,Colin Boxall. Владелец: UNIVERSITY OF LANCASTER. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of calculating an exposure time for disinfecting a room using an ultraviolet disinfecting apparatus

Номер патента: WO2017216533A1. Автор: Adam Fudakowski. Владелец: Finsen Technologies Limited. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of producing semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: US20110281423A1. Автор: Tsuyoshi Nakano,Junya Hada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of sorting beef carcasses

Номер патента: US20240008498A1. Автор: Scott T. HOWARD,Chancie B. ROSE. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of fabricating thin, crystalline silicon film and thin film transistors

Номер патента: US11791159B2. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of reducing wire bond profile height in integrated circuits mounted to circuit boards

Номер патента: US20090081832A1. Автор: Kia Silverbrook,Kiangkai Tankongchumruskul,Laval Chung-Long-Shan. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery each containing composite cathode active material, and method of preparing composite cathode active material

Номер патента: US11955631B2. Автор: Sukgi HONG,Byungjin Choi,Dongwook Shin,Jinhwan Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Conductor including nano-patterned substrate and method of manufacturing the conductor

Номер патента: US10312100B2. Автор: Donggyu Kim,Seongjun JEONG,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO,Seunghwa RYU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-06-04.

Epitaxial wafer, method of manufacturing the epitaxial wafer, diode, and current rectifier

Номер патента: US20220254939A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of two-step annealing of ultra-thin silicon dioxide layers for uniform nitrogen profile

Номер патента: US20020197884A1. Автор: Douglas Grider,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of detaching display module and method of manufacturing display module

Номер патента: US20180108876A1. Автор: Min-Woo Lee,Gilhwan YEO,Seungjun Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of producing a component for a vehicle interior

Номер патента: EP4326567A1. Автор: Iris Wegner,Knut SCHNITZLER. Владелец: Yanfeng Automotive Safety Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming a gate insulating layer of a semiconductor device using deuterium gas

Номер патента: US20060134925A1. Автор: Sang-Hun Lee,Jung-Hwan Kim,Woong Lee,Hun-Hyeoung Leam,Jai-Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Device and method of transmitting and detecting electromagnetic signal propagating through cranial sutures

Номер патента: US20170042478A1. Автор: Yi Zheng,QI Wu,Hui Jiang,Eugene Edward Zheng,Jiahua Peng,Jiansong Zhou. Владелец: Chong Qing Born-Fuke Medical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240063070A1. Автор: Byungho Kim,Youngchan KO,Yongkoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US10672612B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Display apparatus having a light-emitting device and method of forming the same

Номер патента: US20240047611A1. Автор: Tae Gyu Lee,Jung Eun Lee,Hwan Keon LEE,Nam Kook Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method of loading and unloading containers

Номер патента: NZ616896A. Автор: Robert Trevor O’Keefe. Владелец: Robert Trevor O’Keefe. Дата публикации: 2015-08-28.

Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190172891A1. Автор: Jongmin Kim,Chulho Kim,Taejoon SONG,Kyu-Hwang Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of calculating an exposure time for disinfecting a room using an ultraviolet disinfecting apparatus

Номер патента: US20190160192A1. Автор: Adam Fudakowski. Владелец: Finsen Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of forming a thin film

Номер патента: US20230422633A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Keita OTANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Panel level semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4362071A2. Автор: David Gani. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Panel level semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145258A1. Автор: David Gani. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Production method of monocrystalline silicon based on an emissivity of a production apparatus

Номер патента: US11634833B2. Автор: Toshirou Kotooka,Shinichi Kawazoe,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Conductor including nano-patterned substrate and method of manufacturing the conductor

Номер патента: US20170117399A1. Автор: Donggyu Kim,Seongjun JEONG,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO,Seunghwa RYU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200227419A1. Автор: Inho Kim,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Inseak Hwang,Hyesung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Articles including bonded metal structures and methods of preparing the same

Номер патента: US20150333035A1. Автор: Jens Oswald,Frank Kuechenmeister,Christian KLEWER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Fabrication method of an elastomer with topographical structure formed by the breath figure technique

Номер патента: EP4247880A1. Автор: Xi Wu,Aldo Ferrari,Raoul HOPF,Edoardo Mazza,Andreas Kourouklis. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of patterning a thin-film photovoltaic layer stack

Номер патента: US12009445B2. Автор: Hongqing Shan,Bernd Sprecher,Shuping Lin,Raffael Reineker,Joachim Leopold Ludwig Müller,Kay Ogassa. Владелец: Nice Solar Energy GmbH. Дата публикации: 2024-06-11.

Manufacturing method of tandem organic light emitting diode device

Номер патента: US20210336140A1. Автор: Ming Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Mobile terminal and method of controlling the same

Номер патента: US20180309917A1. Автор: Jihoon Kim,Sangki Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of calculating an exposure time for disinfecting a room using an ultraviolet disinfecting apparatus

Номер патента: US20210145997A1. Автор: Adam Fudakowski. Владелец: Finsen Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of manufacturing printed circuit board having landless via hole

Номер патента: US20120060369A1. Автор: Mi Sun Hwang,Suk Won Lee,Chang Gun Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: WO2022055632A3. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240047211A1. Автор: Sangjin Kim,Hyunjae KANG,Yeojin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of controlling reducing agent feeding and exhaust system

Номер патента: EP3615775A1. Автор: Timo Alho,Markus LÖVHOLM,Daniel Nordberg. Владелец: WÄRTSILÄ FINLAND OY. Дата публикации: 2020-03-04.

Reduced-resistance finfets and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2007071555A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman,Haining Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Manufacturing method of semiconductor

Номер патента: US20240055297A1. Автор: Fu-Chiang Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

A method of treatment and agents useful for same

Номер патента: EP1113808A1. Автор: James David Moffatt,Thomas Mathew Cocks. Владелец: University of Melbourne. Дата публикации: 2001-07-11.

Epitaxial wafer, method of manufacturing epitaxial wafer, diode, and current rectifier

Номер патента: EP3977514A1. Автор: Guofu Zhou,Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20190311901A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of manufacturing a light-emitting element and method of manufacturing a display substrate using the same

Номер патента: US20090221209A1. Автор: Jin-Koo Chung,Chang-Woong Chu,Joo-Hyeon LEE,Jae-Kook Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-03.

Methods of forming a metal carbide or a metal carbide material, methods of forming an electronic device, and related electronic devices and systems

Номер патента: US20230304147A1. Автор: Jean-Sébastien M. Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Valve actuating device and method of making same

Номер патента: US9869211B2. Автор: James R. Sheren,Anthony L. Spoor,Luigi Lia,Philip Michael Kline. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Synergistic composition and method of selectively controlling weeds, especially in crops of sugar beet and fodder beet

Номер патента: CA1170854A. Автор: Marco Quadranti,Kurt Maag. Владелец: Ciba Geigy Investments Ltd. Дата публикации: 1984-07-17.

Downconverter layer transfer device and method of using a downconverter layer transfer device

Номер патента: WO2022120184A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Pre- ultraviolet radiation protective additives for textiles and methods of use

Номер патента: US20230357985A1. Автор: Abdennour Abbas,Andrew Gonzalez,John Wilfrid Brockgreitens. Владелец: Claros Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20160365477A1. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US10332974B2. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20160329374A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Coil component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160276090A1. Автор: ICHIRO Ogura,Sang-Moon Lee,Jin-gu Kim,Hong-Won Kim,Kwang-Jik LEE,Myung-Jae Yoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Positive electrode layer for all-solid secondary battery, all-solid secondary battery including the same, and method of preparing the same

Номер патента: US20220069310A1. Автор: Myoungki MIN,Kwangjong SUH. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD OF REGULATING NFATc2 ACTIVITY IN LYMPHOCYTES

Номер патента: US20120022130A1. Автор: Mary J. Laughlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of regulating nfatc2 activity in lymphocytes

Номер патента: US20160060623A1. Автор: Mary J. Laughlin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6319812B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshifumi Takata,Masatoshi Anma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220005957A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20150349045A1. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing an electronic device including a PNP bipolar transistor

Номер патента: US7888225B2. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of manufacturing an electronic device including a pnp bipolar transistor

Номер патента: US20090212393A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-08-27.

Downconverter layer transfer device and method of using a downconverter layer transfer device

Номер патента: EP4256625A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Pre- ultraviolet radiation protective additives for textiles and methods of use

Номер патента: WO2023215483A1. Автор: Abdennour Abbas,Andrew Gonzalez,John Wilfrid Brockgreitens. Владелец: Claros Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Coating comprising a rare earth monosilicate and a rare earth disilicate and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2023212814A1. Автор: Christian Moreau,Farzam ARHAMI. Владелец: VALORBEC, SOCIETE EN COMMANDITE. Дата публикации: 2023-11-09.

Structure and method of manufacturing a structure for guiding electromagnetic waves

Номер патента: EP3758137A1. Автор: Senad Bulja,Florian Pivit. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230051074A1. Автор: Min Woo Kim,Jin Woo Choi,Hae Yun CHOI,Sung Kook PARK,Sung Eun BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

A System For And Method Of Monitoring Eye Medication

Номер патента: US20240065545A1. Автор: Ian Flitcroft. Владелец: Ocuvation Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Organic light-emitting display device having encapsulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237702A1. Автор: Junggon Kim,Myungsoo Huh,Choelmin Jang,Sunghun Key. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Communication system with feedback mechanism and method of operation thereof

Номер патента: WO2013165164A1. Автор: Jungwon Lee,Inyup Kang,Junghyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-07.

Bush and method of manufacturing a bush

Номер патента: US20060174485A1. Автор: David Shore,Chris Bennett. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of installing a replacement door or window frame on an existing sub-frame

Номер патента: GB2109850A. Автор: Serge Mendez. Владелец: Technal SA. Дата публикации: 1983-06-08.

Method of manufacturing a mold body

Номер патента: US20230373133A1. Автор: Szymon Bak,Artur Kliszka,Piotr Momot,Antoni Woznicki. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2023-11-23.

Dithiolane based thiol modifier for labeling and stronger immobilization of bio-molecules on solid surfaces

Номер патента: US09441002B2. Автор: Alok Srivastava,Suresh C. Srivastava,Santhosh Kumar Thatikonda,Sant K. Srivastav,Praveen K. Shukla. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

DITHIOLANE FUNCTIONALIZED NUCLEOSIDE AMIDITES AND SUPPORTS FOR STRONGER IMMOBILIZATION OF BIO-MOLECULES ON SOLID SURFACES

Номер патента: US20170037076A1. Автор: Srivastava Alok,Shukla Praveen K.,SRIVASTAVA Suresh C,THATIKONDA Santhosh K,SRIVASTAV Sant K. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Dithiolane Based Thiol Modifier For Labeling and Stronger Immobilization of Bio-Molecules On Solid Surfaces

Номер патента: US20140142253A1. Автор: Alok Srivastava,Suresh C. Srivastava,Santhosh Kumar Thatikonda,Sant K. Srivastav,Praveen K. Shukla. Владелец: ChemGenes Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Device for extracting bio molecules using nano-filter

Номер патента: KR102554784B1. Автор: 김기범. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-07-12.

Method for extracting bio molecules using nano-filter

Номер патента: KR102554772B1. Автор: 김기범. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-07-12.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Trench-gate-type field effect transistor device and method of manufacturing

Номер патента: EP4447121A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Vinay Suresh,Hongyao LONG. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US20060281237A1. Автор: Akiyoshi Tamura,Yoshiharu Anda,Akiyoshi Kudo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Image forming device, image forming system and method of manufacturing image forming device

Номер патента: RU2638108C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Махито СИНОХАРА,Масацугу ИТАХАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-12-11.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating a diode protecting a gate electrode of a field effect transistor

Номер патента: US20030224576A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Gate cut on a vertical field effect transistor with a defined-width inorganic mask

Номер патента: US09882048B2. Автор: John R. Sporre,Brent A. Anderson,Sivananda K. Kanakasabapathy,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory using field-effect transistor as selective element

Номер патента: USRE45861E1. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-19.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09786784B1. Автор: Hyung Suk Lee,Hyun Seung Song,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2626075C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2017-07-21.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020171113A1. Автор: Takaaki Murakami,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of Manufacturing a Vertical Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20160064534A1. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing a vertical junction field effect transistor

Номер патента: US09666696B2. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09825138B2. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of and apparatus for biasing switches

Номер патента: US09667244B1. Автор: Bilal Tarik Cavus,Turusan Kolcuoglu,Yusuf Alperen Atesal. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-05-30.

Field-effect transistor, method of manufacturing the same, and radio-frequency device

Номер патента: US09659865B2. Автор: Hideki Tanaka,Daisaku Okamoto,Naoki Saka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistor devices with buried well protection regions

Номер патента: US09570585B2. Автор: LIN Cheng,Anant Agarwal,John Palmour,Vipindas Pala. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Forming symmetrical stress liners for strained CMOS vertical nanowire field-effect transistors

Номер патента: US09570552B1. Автор: Jinping Liu,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertically movable gate field effect transistor (VMGFET) on a silicon-on-insulator (SOI) wafer and method of forming a VMGFET

Номер патента: US09450066B2. Автор: Kang-Hee Lee,In-Hyouk Song,Byoung Hee You,Heung Seok Kang. Владелец: Texas State University. Дата публикации: 2016-09-20.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09406774B1. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for fabricating vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma,Steven J. c/o IBM United Kingdom Limited HOLMES. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Low-profile local interconnect and method of making the same

Номер патента: WO2013002851A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09947541B2. Автор: Nicolas Posseme,Olivier POLLET,Maxime GARCIA-BARROS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Annealed metal source drain overlapping the gate

Номер патента: US09647091B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A4. Автор: Toshiharu Furukawa,James M Leas,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Paul A Rabidoux,William H L Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A2. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046663B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of detecting and measuring contact alignment shift relative to gate structures in a semicondcutor device

Номер патента: US20140377888A1. Автор: YIN Long,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN,Feijue Liu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240363735A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Tunneling field effect transistor and methods of making such a transistor

Номер патента: US09793384B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09780191B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

3ds fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240379794A1. Автор: PENG Zhao,Huaxiang Yin,Zhenhua Wu,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-14.

Crystalline multiple-nanosheet strained channel FETs and methods of fabricating the same

Номер патента: US09570609B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: US09412598B2. Автор: Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Fin field effect transistor

Номер патента: US20160087079A1. Автор: Chu-Yun Fu,Hung-Ta Lin,Hung-Ming Chen,Shu-Tine Yang,Shin-Yeh HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Номер патента: WO2008134148A1. Автор: Weimin Zhang,Yujie Liu,Madhukar B. Vora,Ashok Kumar Kapoor,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Flip-chip field effect transistor layouts and structures

Номер патента: US20240266348A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Qianli MU,Basim Noori,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

P-type Field-Effect Transistor and Method of Production

Номер патента: US20110241076A1. Автор: Leon C. M. Van Den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-10-06.

Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006049677A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Allen. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

P-type field-effect transistor and method of production

Номер патента: WO2010055102A1. Автор: Leon C. M. Van Den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2010-05-20.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12125886B2. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240371946A1. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371644A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960244B2. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799742B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Self-aligned heterojunction field effect transistor

Номер патента: US09741871B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Fabricating method of trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09525037B2. Автор: Chun-Hong Peng,Yu-Hsi LAI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230062583A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of fabricating image sensor having reduced dark current

Номер патента: US7955888B2. Автор: Jong-Won Choi,Tae-Seok Oh,Hyoun-Min Beak,Su-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Field effect transistor (fet) having fingers with rippled edges

Номер патента: US20140054602A1. Автор: Joseph Herbert Johnson. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271494A1. Автор: Takahiro Nakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for Producing Multi-Gate in FIN Field-Effect Transistor

Номер патента: US20150228764A1. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for producing multi-gate in FIN field-effect transistor

Номер патента: US9362387B2. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Uniform interfacial layer on vertical fin sidewalls of vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20200259000A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Offset drain fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: EP1153438A2. Автор: William R. Richards, Jr.,Michael W. Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2001-11-14.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Preparation method of GaN field effect transistor based on diamond substrate

Номер патента: US12112944B2. Автор: Yuangang WANG,Hongyu Guo,Zhihong FENG,Xingchang FU,Xubo Song,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG,Shaobo Dun. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-10-08.

Uniform interfacial layer on vertical fin sidewalls of vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12132098B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997632B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for fabrication of a field-effect with reduced stray capacitance

Номер патента: US09911820B2. Автор: Yves Morand,Laurent Grenouillet,Frederic Boeuf,Louis HUTIN,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-06.

Wrap around gate field effect transistor (WAGFET)

Номер патента: US09882000B2. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09812551B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Tunneling nanotube field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735362B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

High density vertical nanowire stack for field effect transistor

Номер патента: US09543440B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

3D fin tunneling field effect transistor

Номер патента: US09508597B1. Автор: Xin Sun,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09419114B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Krishna Kumar Bhuwalka,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-16.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of non-marking single-molecular sequency of dna and device for its implementation

Номер патента: RU2679494C1. Автор: Алексей Олегович Мантуров,Михаил Александрович Гуторов,Владимир Иванович Башкиров,Эдуард Анатольевич Ильичев,Владимир Владимирович Колесов,Антон Владимирович Григорьев,Константин Валерьевич Крутовский. Владелец: Ооо "Гамма-Днк". Дата публикации: 2019-02-11.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Process of forming a field effect transistor without spacer mask edge defects

Номер патента: US5956590A. Автор: Shu-Jen Chen,Yong-Fen Hsieh,Joe Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor device with fin-type field effect transistor

Номер патента: US11824057B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242330A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory field-effect transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190378845A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US20170194428A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of fabricating organic field effect transistor

Номер патента: US20060128056A1. Автор: Seong Kim,Jung Lee,Tae Zyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-15.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Field effect transistor

Номер патента: US20170179270A1. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Graphene heterostructure field effect transistors

Номер патента: US9064964B2. Автор: Jeong-Sun Moon. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-06-23.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030025161A1. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240282641A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same as well as method of manufacturing the same

Номер патента: EP1282173A3. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-01-12.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US09997596B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Field effect transistor

Номер патента: US09972710B2. Автор: Masashi Tanimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Pillar formation for heat dissipation and isolation in vertical field effect transistors

Номер патента: US09748381B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530887B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical tunneling field-effect transistor cell with coaxially arranged gate contacts and drain contacts

Номер патента: US09466714B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Method of detecting data to be transmitted in visible light using sensor of standard camera

Номер патента: RU2557802C2. Автор: БРЮЭЙН Фредерик Ян ДЕ,Лоренцо ФЕРИ,Руд ВЛЮТТЕРС,Тим Корнел Вильхельмус ШЕНК. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-07-27.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Enhanced stress-retention silicon-on-insulator devices and methods of fabricating enhanced stress retention silicon-on-insulator devices

Номер патента: US7737498B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,William Robert Tonti,Kiran V. Chatty,Jed Hickory Rankin,Robert R. Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and method of forming groove

Номер патента: US8450782B2. Автор: Takehiko Nomura,Yoshihiro Sato,Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Nariaki Ikeda,Takuya Kokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-28.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powder pressure generator application

Номер патента: RU2532948C2. Автор: Сергей Николаевич Каляев,Сергей Анатольевич Семенов. Владелец: Ооо "Сгк "Регион". Дата публикации: 2014-11-20.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of improvement of flight safety in case of engine failure

Номер патента: RU2562673C1. Автор: Владимир Николаевич Попов,Сергей Александрович Попов,Александр Шекспирович Громов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of liquid processing of linen in washing machines with vertical drum

Номер патента: RU2465383C1. Автор: Сергей Анатольевич Кузнецов,Ярослав Алексеевич Лысенко,Демьян Юрьевич Григорьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-10-27.

Method of surgical management of trophic corneal ulcer

Номер патента: RU2421197C1. Автор: Александр Леонидович Онищенко,Наталья Николаевна Набиева. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2011-06-20.

Method of non-explosive rock destruction

Номер патента: RU2536528C1. Автор: Александр Федрович Галкин,Галина Владимировна Король. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-12-27.

Method of making silicon-on-insulator structures

Номер патента: RU2382437C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Ида Евгеньевна Тысченко,Нина Владимировна Дудченко. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of mercury identification by cathode-anode voltammetry

Номер патента: RU2533337C1. Автор: Елена Анатольевна Лейтес,Екатерина Алексеевна Романова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государтственный университет". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of producing ultra-hydrophobic coatings against icing of large areas

Номер патента: RU2525292C1. Автор: Павел Геннадьевич Филиппов,Сергей Михайлович Алдошин,Виктор Адольфович Бендерский,Ида Павловна Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2014-08-10.

Method of fluffing flax strips

Номер патента: RU2559004C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Юрий Федорович Лачуга,Геннадий Анатольевич Перов,Вячеслав Анатольевич Романов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИМЛ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of anti-silver spot thermal treatment of forged piece of steel

Номер патента: RU2384629C1. Автор: Анатолий Кондратьевич Онищенко. Владелец: Анатолий Кондратьевич Онищенко. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of producing cartridge belt and cartridge belt obtained using said method

Номер патента: RU2577944C1. Автор: Виктор Владимирович Зайцев. Владелец: Виктор Владимирович Зайцев. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of planting position determination in drop irrigation system

Номер патента: RU2368131C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Вячеслав Михайлович Ермаков. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт орошаемого овощеводства и бахчеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2009-09-27.

Waveguide uhf method of permittivity measurement based on critical wavelength in fluid media

Номер патента: RU2331871C2. Автор: Павел Александрович Федюнин. Владелец: Тамбовское высшее военное авиационное инженерное училище радиоэлектроники (военный институт). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of preparing thin-film nanocomposite coating on solid-state body

Номер патента: RU2324643C1. Автор: Владимир Владимирович Кислов,Евгений Сергеевич Солдатов,Сергей Павлович Губин,Артем Сергеевич Трифонов,Геннадий Борисович Хомутов,Анна Александровна Рахнянская,Андрей Николаевич Сергеев-Черенков,Дмитрий Иванович Черничко,Сергей Павлович Губин (RU),Евгений Сергеевич Солдатов (RU),Владимир Владимирович Кислов (RU),Геннадий Борисович Хомутов (RU),нска Анна Александровна Рахн (RU),Андрей Николаевич Сергеев-Черенков (RU),Артем Сергеевич Трифонов (RU),Дмитрий Иванович Черничко (RU). Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского Государственного университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-05-20.

Tamping method of railway track cross-ties

Номер патента: RU2534163C1. Автор: Николай Михайлович Балезин. Владелец: Николай Михайлович Балезин. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of determining approach of seismic event

Номер патента: RU2572465C2. Автор: Евгений Николаевич Черных,Анна Александровна Добрынина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт земной коры Сибирского отделения Российской академии наук ИЗК СО РАН. Дата публикации: 2016-01-10.

Method of setting thermal conditions of ceramic rocket cowlings

Номер патента: RU2451971C1. Автор: Василий Семенович Райлян. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" (ОАО "ОНПП "Технология"). Дата публикации: 2012-05-27.

Method of relief of working marginal rock mass and shaped charge for formation of initial fissures

Номер патента: RU2078927C1. Автор: А.В. Джигрин,Л.М. Гусельников,А.Н. Осипов,Ю.А. Семенов,С.Т. Кузнецов,С.А. Федористов,В.А. Гребенщиков. Владелец: Научно-исследовательский институт горной геомеханики и маркшейдерского дела. Дата публикации: 1997-05-10.

Method of determining concentration of combustible gases in oxygen-containing medium

Номер патента: RU2360236C1. Автор: Владимир Алексеевич Савельев,Евгений Евгеньевич Карпов,Евгений Федорович Карпов,Алексей Анатольевич Сучков,Дмитрий Николаевич Федоров,Андрей Александрович Даянов. Владелец: Владимир Алексеевич Савельев. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of production of pseudostereoscopic image

Номер патента: RU2017189C1. Автор: Э.Н. Меликов,А.И. Еременко. Владелец: Меликов Эдуард Николаевич. Дата публикации: 1994-07-30.

METHOD OF CULTURING Listeria monocytogenes ON NUTRIENT MEDIUM PREPARED ON BASIS LEAF LETTUCE (Lactuca sativa)

Номер патента: RU2562859C1. Автор: Любовь Степановна Бузолева,Юлия Сергеевна Голозубова,Вера Степановна Обухова,Ангелина Михайловна Кривошеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии имени Г.П. Сомова"(НИИ эпидемиологии и микробиологии имени Г.П.Сомова). Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of fine pattern of semiconductor and FIN body of fin type field effect transistor

Номер патента: CN102129982A. Автор: 张盛东,黄如,韩汝琦. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of production of the laminated material with the polyvinylchloride coating

Номер патента: RU2305633C1. Автор: Алексей Николаевич Парахин,Лариса Дмитриевна Порошина,Валентина Александровна Соловьева,Иван Игнатьевич Мокрецов,Раис Шеихович Ягфаров. Владелец: Федеральное казенное предприятие (ФКП) "Пермский пороховой завод". Дата публикации: 2007-09-10.

Method of creation of natural grass cover

Номер патента: RU2571849C2. Автор: Петр Алексеевич Ефимов,Артур Николаевич Хоменко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕФТ" (ООО фирма "ВЕФТ"). Дата публикации: 2015-12-20.

Identification mark and method of making said mark

Номер патента: RU2485588C1. Автор: Владимир Александрович Елохин,Владимир Абович Готлиб,Фёдор Львович Владимиров,Валерий Николаевич Соколов,Владимир Сергеевич Богатырев,Виктор Петрович Галкин,Адольф Станиславович Гирин,Дмитрий Федорович Владимиров,Валерий Иванович Николаев,Сергей Викторович Протопопов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научные приборы". Дата публикации: 2013-06-20.

Method of making articles from porous ceramic and fibre materials based on quartz glass

Номер патента: RU2514354C1. Автор: Феодосий Яковлевич Бородай,Самуил Михайлович Иткин,Леонид Федорович Катухин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Обнинский Внедренческий Центр "Перспективные технологии". Дата публикации: 2014-04-27.

Measuring method of contact difference of potentials

Номер патента: RU2532590C1. Автор: Степан Степанович Волков,Сергей Васильевич Николин,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-10.

Method of treating bovine digital dermatitis

Номер патента: RU2521242C2. Автор: Виктор Федорович Писаренко,Анатолий Михайлович Коваленко,Инна Леонидовна Левицкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородская государственная сельскохозяйственная академия имени В.Я. Горина". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of combined ion-plasma treatment of products out of aluminium alloys

Номер патента: RU2566232C1. Автор: Георгий Владимирович Ходаченко,Александр Александрович Писарев,Татьяна Владимировна Степанова,Евгений Владимирович Берлин,Василий Юрьевич Григорьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-10-20.

Method of production of composite stiffened panels

Номер патента: RU2579779C2. Автор: Валентин Иванович Сергиенко,Юрий Федорович Огнев,Олег Шамильевич Бердиев,Юрий Петрович Денисенко,Виталий Георгиевич Добржанский. Владелец: Публичное Акционерное общество "Арсеньевская авиационная компания "Прогресс" им. Н.И. Сазыкина (ПАО ААК "Прогресс"). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of gas combustion in burners of ignition furnaces of sinter machines and device for its implementation

Номер патента: RU2525960C2. Автор: Анатолий Александрович Винтовкин,Виктор Александрович Чистополов,Александр Викторович Чистополов,Валерий Васильевич Деньгуб. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт металлургической теплотехники" (ОАО "ВНИИМТ"). Дата публикации: 2014-08-20.

Evaluation method of activation energy of plastic deformation of surface layer, and portable sclerometer for its implementation

Номер патента: RU2475720C2. Автор: Родион Михайлович Богомолов,Елена Александровна Трофимова,Андрей Николаевич Журавлев,Владимир Васильевич Калашников,Дмитрий Анатольевич Деморецкий,Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Константин Петрович Якунин,Ольга Анатольевна Кобякина,Александр Анатольевич Чеботаев,Арсений Владимирович Утянкин,Тамара Александровна Шашкина,Роза Рустямовна Неяглова,Павел Викторович Рогожин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming cluster zones of irradiating grid of multi-beam hybrid mirror antenna

Номер патента: RU2578289C1. Автор: Борис Николаевич Ласкин,Анатолий Михайлович Сомов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие ордена трудового красного знамени научно-исследовательский институт радио (ФГУП НИИР). Дата публикации: 2016-03-27.

Method of determining qubit state

Номер патента: RU2538296C2. Автор: Илья Владимирович Зеленский,Ринат Абдулхаевич Ахмеджанов,Лев Анатольевич Гущин,Александр Григорьевич Литвак,Александр Анатольевич Бондарцев,Дмитрий Алексеевич Собгайда. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Improved vibration isolator with large lifting capacity (vbgu) and method of its assemblage

Номер патента: RU2540359C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин,Елена Федоровна Паровай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-02-10.

Installation and the method of reprocessing of the liquid slimes

Номер патента: RU2276107C2. Автор: Александр Борисович Курченко. Владелец: Специализированное профессиональное аварийно-спасательное формирование МЧС России Общество с ограниченной ответственностью "ПРИРОДА". Дата публикации: 2006-05-10.

Method of forming pilotage navigation information on multi-functional indicator for performing landing

Номер патента: RU2297596C1. Автор: Александр Иванович Костюк,Михаил Иванович Минеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Летно-исследовательский институт им. М.М. Громова". Дата публикации: 2007-04-20.

Method of purifying para-dioxanone

Номер патента: RU2513111C1. Автор: Александр Викторович Пестов,Юрий Григорьевич Ятлук,Виталий Алексеевич Кузнецов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Медин-Н". Дата публикации: 2014-04-20.

Device and method of surface cleaning

Номер патента: RU2552747C1. Автор: Алексей Евгеньевич Дружинин,Глеб Алексеевич Дружинин. Владелец: Алексей Евгеньевич Дружинин. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of selection for playing sports

Номер патента: RU2534615C1. Автор: Валерий Витальевич Роженцов,Андрей Валентинович Закамский,Михаил Михайлович Полевщиков,Николай Аркадьевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Марийский государственный университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of glasing ceramic articles

Номер патента: RU2415826C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2011-04-10.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of tumor photodynamic therapy

Номер патента: RU2119363C1. Автор: М.Т. Александров,В.Ф. Барыбин,О.А. Быченков,П.Ю. Поляков,Н.А. Ларионова,Д.А. Рогаткин. Владелец: Московский областной научно-исследовательский клинический институт. Дата публикации: 1998-09-27.

Method of evaluating immunosuppressive properties of human mesenchymal stromal cells

Номер патента: RU2539750C2. Автор: Всеволод Арсеньевич Ткачук,Юлия Геннадьевна Суздальцева,Юрий Петрович Рубцов,Кирилл Владимирович Горюнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Self-extinguishing match and method of manufacture

Номер патента: CA1080583A. Автор: Stanley J. Radkowski,John M. Lawrence,Raymond W. Dunham,Enever Naggar. Владелец: Diamond International Corp. Дата публикации: 1980-07-01.

Process for removal of pitch-containing water and method of coating belts for papermachine

Номер патента: CA1200054A. Автор: Pao C. Wang. Владелец: Lindsay Wire Weaving Co. Дата публикации: 1986-02-04.

Method of enhancement of electrical conductivity for conductive polymer by use of field effect control

Номер патента: TWI249747B. Автор: Jin-Ping Pan,Tzung-Shiung Wang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-02-21.

Tdcbc/pcka gene-inactivated microorganism and method of producing l-threonine using the same

Номер патента: MY136736A. Автор: Lee Jin Ho,KIM Dae Cheol,PARK Young Hoon,Cho Jae Yong,Lee Byoung Choon. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2008-11-28.

Method of inhibiting hydrostatic pressure at subterranean structural surfaces

Номер патента: CA1249135A. Автор: Joseph A. Cogliano. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 1989-01-24.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of detecting ionising radiation

Номер патента: RU2484554C1. Автор: Алексей Алексеевич КИБКАЛО,Сергей Григорьевич Лазарев,Владимир Александрович Елин. Владелец: Владимир Александрович Елин. Дата публикации: 2013-06-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making selective gas pickup on basis of system of oscillating carbon nano-pipes

Номер патента: RU2314252C1. Автор: Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РПСЛ". Дата публикации: 2008-01-10.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

CONTAINER ELECTRONIC SEAL DEVICE WHICH CAN BE SELECTIVELY LOCKED AND UNLOCKED USING EXTERNAL MEMORY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120001757A1. Автор: LEE Hye-Jin,Kim Hyun-Chul,JUNG Sea-Hee,LEE Hyun-Chel,KONG Jae-Hoon,SON Ho-Jun,KU Sang-Gun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MONITORING CAMERA AND METHOD OF TRACING SOUND SOURCE

Номер патента: US20120002047A1. Автор: Kim Sung Jin,AN Kwang Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20120002562A1. Автор: Kawade Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2546936C2. Автор: Владислав Павлович Смоленцев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Алексей Александрович Клименченков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of detecting bio-molecules using field effect transistor without fixing bio-molecules on the gate sensing surface

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты