• Главная
  • MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US20220171566A1. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory controller, memory module, and memory system and operation methods thereof

Номер патента: US20180129418A1. Автор: Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20220129180A1. Автор: Jung Ae Kim,Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory system, memory controller, and method of operating memory controller

Номер патента: US20210124642A1. Автор: Min Hwan MOON,Se joong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory system, memory module, and operation method of memory system

Номер патента: US20200142772A1. Автор: Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Scrub rate control for a memory device

Номер патента: US20240028242A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Scrub rate control for a memory device

Номер патента: US20220129185A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Scrub rate control for a memory device

Номер патента: WO2020247149A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09928006B2. Автор: Dong-ku Kang,Chul-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: US11132142B2. Автор: Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon,Myung Ho Bae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device, server device, and memory control method

Номер патента: US9952924B2. Автор: Yuichiro HANAFUSA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US11775221B2. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20160041874A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US09996416B2. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US09448882B2. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Systems and Methods for Enhanced Data Recovery in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150089330A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20170004038A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system, memory module, and methods of operating the same

Номер патента: US09753651B2. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20240153576A1. Автор: Seong Chan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory system, memory controller and method for operating memory controller

Номер патента: US20200394074A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory controller and method of operating the memory controller

Номер патента: US20200379679A1. Автор: Young Chan Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11829645B2. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220156014A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Storage controller, storage device, storage system and method of operating the storage controller

Номер патента: US09846542B2. Автор: Jung-Min Seo,Ju-Pyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: WO2020086237A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device for emulating dynamic Random access memory (DRAM)

Номер патента: US09921782B2. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20180046389A1. Автор: Taek-Sang Song,Sang-Jin Byeon,Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US11995320B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200027510A1. Автор: Min Su Kim,Sang Hwan Kim,Kyeong Min CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device, operating method thereof, system, and storage medium

Номер патента: WO2024050689A1. Автор: Li Xiang,Ying Cui,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device, operating method thereof, system, and storage medium

Номер патента: US20240079056A1. Автор: Li Xiang,Ying Cui,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THEM, AND METHOD FOR OPERATING THEM

Номер патента: US20190265900A1. Автор: KIM Jee-Yul. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US20230297244A1. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US11809272B2. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129445A1. Автор: Soong-Sun SHIN,Young-Mi YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US20170228186A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND MEMORY SYSTEM HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20220083253A1. Автор: KWON Jae Kwan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Memory system, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210303464A1. Автор: Joung Young LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory devices that support selective setting data update and methods of operating same

Номер патента: US20240231697A1. Автор: KeeHo JUNG,Suchang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Controller and method for operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US20190266082A1. Автор: Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Apparatus and method for sharing data between a host and a memory system

Номер патента: US20240118809A1. Автор: Ji Hoon SEOK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus and method for controlling and storing map data in a memory system

Номер патента: US20220075553A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210334009A1. Автор: In Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Storage devices managing duplicated data based on the number of operations

Номер патента: US20180232144A1. Автор: Shiva PAHWA,Alex MOHANDAS. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-16.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US20230376246A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-node storage system and queue control method of multi-node storage system

Номер патента: US20200174673A1. Автор: Atsushi Sato,Hajime Ikeda,Takafumi Maruyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Storage system and data management method of storage system

Номер патента: US11073997B2. Автор: Yuki Kuroda,Kozue Fujii,Yoshio SONOKAWA,Hirokazu Ogasawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-07-27.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory system having sleep mode and wake up mode and operation method thereof

Номер патента: US9804860B2. Автор: Kwang-su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240184487A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: EP4379561A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory system including a sub-controller and operating method of the sub-controller

Номер патента: US11901027B2. Автор: Jong Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory system including a sub-controller and operating method of the sub-controller

Номер патента: US20240212779A1. Автор: Jong Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Configuring a host interface of a memory device based on mode of operation

Номер патента: US20210249054A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Configuring a host interface of a memory device based on mode of operation

Номер патента: US11894097B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Configuring a host interface of a memory device based on mode of operation

Номер патента: EP4100841A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Configuring a host interface of a memory device based on mode of operation

Номер патента: US20240127870A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system compensating for performance deterioration of a memory device

Номер патента: US11923014B2. Автор: Ji Hoon HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: US20200258565A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Quad-data-rate (qdr) host interface in a memory system

Номер патента: US20230112159A1. Автор: Lei Luo,John Eble. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US11960888B2. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Adaptive memory device power saving setting in an information handling system

Номер патента: US11880575B2. Автор: Wenhua Li,Ghim Teck Toh,Vinoth John Paul Nedunchezhian. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-23.

Combining sets of memory blocks in a memory device

Номер патента: US11853556B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20190250856A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system with nonvolatile memory

Номер патента: US09823852B2. Автор: Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11775190B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11941272B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Techniques for managed NAND translation with embedded memory systems

Номер патента: US12001727B2. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

STACKED MEMORY DEVICE PERFORMING FUNCTION-IN-MEMORY (FIM) OPERATION AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210263671A1. Автор: SOHN KYOMIN,O SEONGIL. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Memory system and operation thereof

Номер патента: US20240126450A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240143192A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Securing a memory device

Номер патента: US12105643B2. Автор: Theodore F. Emerson,David F. Heinrich,Sukhamoy Som,Don A. Dykes. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method for processing and arbitrating submission and completion queues

Номер патента: US20180321945A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

System and method for processing and arbitrating submission and completion queues

Номер патента: WO2018175065A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

System and method for processing and arbitrating submission and completion queues

Номер патента: WO2018175064A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

Data Processing Method for Memory Device, Apparatus, and System

Номер патента: US20220404973A1. Автор: Xiaoming Zhu,Yigang ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory controller and memory system

Номер патента: US11983436B2. Автор: Jongin Lee,Jaegeun PARK,Sangmuk Hwang,Youngsuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Data processing method for memory device, apparatus, and system

Номер патента: EP4092518A1. Автор: Xiaoming Zhu,Yigang ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Computing system and operating method thereof

Номер патента: US20210278978A1. Автор: Gun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Verified key replacement in secure memory devices

Номер патента: US20230393762A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Improved memory device performance based on storage traffic pattern detection

Номер патента: WO2022020315A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Nicola Colella. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory device active command tracking

Номер патента: US20240192891A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US10922016B2. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20210141569A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus and method for operating garbage collection using host idle

Номер патента: US12066934B2. Автор: Se-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US20230367491A1. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US20230315295A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method for accelerating mapreduce operation

Номер патента: US09753783B2. Автор: Jin Cheol Kim. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and method for operating garbage collection using host idle

Номер патента: US20230107988A1. Автор: Se-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Address verification at a memory device

Номер патента: US20240126447A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200334119A1. Автор: Min Soo LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US10996872B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Hybrid memory drives, computer system, and related method for operating a multi-mode hybrid drive

Номер патента: EP4231157A2. Автор: Thomas L. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Hybrid memory drives, computer system, and related method for operating a multi-mode hybrid drive

Номер патента: EP4231157A3. Автор: Thomas L. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system

Номер патента: US09941901B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US12046675B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US11769832B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile memory device, memory system incorporating same, and method of operating same

Номер патента: US20110051514A1. Автор: Sangyong Yoon,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Apparatus and method for checking an operation status of a memory device in a memory system

Номер патента: US11815985B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US09665430B2. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system, memory controller and operating method of memory system

Номер патента: US11960359B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US09575832B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system, memory module and method to backup and restore system using command address latency

Номер патента: US09471517B1. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory controller and method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US20120331205A1. Автор: Kui-Yon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Circuits for and methods of controlling the operation of a hybrid memory system

Номер патента: US09711194B2. Автор: Ling Liu,Kornelis A. Vissers,Michaela Blott. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system, control device, and method

Номер патента: US20240095192A1. Автор: Goichi Ootomo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory control circuit for controlling memory device that operates in self-refresh mode, and method of controlling the same

Номер патента: US9761301B2. Автор: Junnosuke Kataoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and timing control method of the same

Номер патента: US20050010741A1. Автор: Jung-Bae Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190138392A1. Автор: Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatuses and methods for memory testing and repair

Номер патента: US20150380109A1. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Programming a memory device in response to its program history

Номер патента: US09959931B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

A semiconductor memory device with on-chip error correction circuit and a method of correcting an error

Номер патента: TW422976B. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-02-21.

Secured digital systems and a method and software product for operating the same

Номер патента: WO2003036480A3. Автор: James Brian Tower,Sean David Chumura. Владелец: Secured Data Systems Llc. Дата публикации: 2004-07-15.

Secured digital systems and a method and software product for operating the same

Номер патента: WO2003036480A2. Автор: James Brian Tower,Sean David Chumura. Владелец: Secured Data Systems, Llc. Дата публикации: 2003-05-01.

Systems and methods for performing actions in response to user gestures in captured images

Номер патента: US09953216B2. Автор: Raziel Alvarez. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems and methods for interactive learning

Номер патента: WO2024047671A1. Автор: Navin Agarwal,Sumantra MITRA,Nishad INGLE,Nilam PATEL,Pravin THAKUR. Владелец: Glenmark Life Sciences Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

System and Method for Simultaneously Storing and Reading Data from a Memory System

Номер патента: US20150339227A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Simultaneously Storing and Read Data From A Memory System

Номер патента: US20150106584A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Mass storage device memory encryption methods, systems, and apparatus

Номер патента: EP2583212A2. Автор: Harm Braams. Владелец: Vasco Data Security International Gmbh. Дата публикации: 2013-04-24.

Malicious attack detection system and an associated method of use

Номер патента: EP2036060A2. Автор: Hojae Lee,Prudhvi Nadh NOONEY,Indra Gunawan Harijono,Uooyeol Yoon. Владелец: Connect Technologies Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Mass storage device memory encryption methods, systems, and apparatus

Номер патента: US09910996B2. Автор: Harm Braams. Владелец: Vasco Data Security Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Higher education data model systems and networks, and methods of organizing and operating the same

Номер патента: US20160371805A1. Автор: James Brian Knotts,John Laird Kopcke. Владелец: Ellucian Co LP. Дата публикации: 2016-12-22.

Mass storage device memory encryption methods, systems, and apparatus

Номер патента: WO2011159918A2. Автор: Harm Braams. Владелец: Vasco Data Security International Gmbh. Дата публикации: 2011-12-22.

Projection system and wireless charging method of projection system

Номер патента: US20210044134A1. Автор: Hui-Chung Hung. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Projection system and wireless charging method of projection system

Номер патента: US11750017B2. Автор: Hui-Chung Hung. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Storage device, memory access control system, and memory access control method

Номер патента: US20210026787A1. Автор: Masahiko Motoyama,Kentaro Umesawa,Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US11953988B2. Автор: Aaron P. Boehm,Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: EP3973399A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: WO2020236403A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Systems and methods for accessing a data storage device

Номер патента: WO1997005617A3. Автор: Richard A Hussong,Michael J Yetsko. Владелец: Michael J Yetsko. Дата публикации: 1997-05-01.

System and method for direct write to MLC memory

Номер патента: US09530491B1. Автор: Dinesh Agarwal,Prasun Ratn,Sagar Uttarwar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: US09489302B2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20220228925A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US11988563B2. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of operation of a memory controller

Номер патента: US6304937B1. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Optical interconnect in high-speed memory systems

Номер патента: US09697883B2. Автор: Brent Keeth,Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Architecture-based power management for a memory device

Номер патента: US11740678B2. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Mode-dependent heating of a memory device

Номер патента: EP3871221A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Mode-dependent heating of a memory device

Номер патента: US20220122653A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Mode-dependent heating of a memory device

Номер патента: US20200126612A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Mode-dependent heating of a memory device

Номер патента: WO2020086239A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Mode-dependent heating of a memory device

Номер патента: US11848044B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory controller, memory system, and information processing system

Номер патента: US20180174652A1. Автор: Haruhiko Terada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Managing information protection schemes in memory systems

Номер патента: US11797385B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Delay elements for command timing in a memory device

Номер патента: US20240320169A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method for direct write to mlc memory

Номер патента: WO2017087059A2. Автор: Dinesh Agarwal,Sagar Uttarwar,Prasun RATIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-26.

3D vertical nand memory device including multiple select lines and control lines having different vertical spacing

Номер патента: US11785787B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and memory system

Номер патента: US20190221262A1. Автор: Tetsuo Endoh,Yitao Ma. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

System and method for optimizing system power and performance with high power memory modules

Номер патента: US20210263574A1. Автор: Stuart Allen Berke,Hasnain Shabbir. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Systems and methods for address fault detection

Номер патента: US11928021B2. Автор: Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210377080A1. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Changsik YOO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-02.

Systems and methods for address fault detection

Номер патента: US20230315564A1. Автор: Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and memory system

Номер патента: US20150149852A1. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

System and method for targeted efficient logging of memory failures

Номер патента: US20210133019A1. Автор: Amit Shah,Mark Dykstra,Yuwei Cai. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-05-06.

Apparatus and methods for providing data integrity

Номер патента: EP2715550A2. Автор: Joseph M. Jeddeloh,Terry M. Cronin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Integrated circuit memory devices having multi-port cache arrays therein and methods of operating same

Номер патента: TW531749B. Автор: Mario Au,Li-Yuan Chen. Владелец: Integrated Device Tech. Дата публикации: 2003-05-11.

System having one or more memory devices

Номер патента: WO2008101246A8. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Steven Przybylski. Дата публикации: 2009-05-28.

Memory device wear leveling

Номер патента: US20230343402A1. Автор: Rainer Frank Bonitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Decoding circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20200143861A1. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory device wear leveling

Номер патента: US12009038B2. Автор: Rainer Frank Bonitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

An optical interconnect in high-speed memory systems

Номер патента: EP1423793A1. Автор: Brent Keeth,R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

An optical interconnect in high-speed memory systems

Номер патента: EP1423793B1. Автор: Brent Keeth,R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

An optical interconnect in high-speed memory systems

Номер патента: WO2003021455A1. Автор: Brent Keeth,R. Jacob Baker. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2003-03-13.

Memory devices and systems with security capabilities

Номер патента: US20190050297A1. Автор: Antonino Mondello,Lance W. Dover,Fabio Indelicato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Methods and devices for layered performance matching in memory systems using C-AMAT ratios

Номер патента: US09846646B1. Автор: Xian-He Sun,Yu-Hang Liu. Владелец: C-Memory LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for prediction of operational safety of metallurgical vessels

Номер патента: EP4242768A1. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

System and computer implemented method of personal monitoring

Номер патента: US09467521B2. Автор: David S. Owens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method for prediction of operational safety of metallurgical vessels

Номер патента: US20230289625A1. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Classified display system and classified display method of centralized market activity

Номер патента: US20240233217A1. Автор: Chih-Hung Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Wireless intercom system and group pairing method of wireless intercom system

Номер патента: EP3869839A1. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA Tech Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

An interactive real time system and real time method of use thereof in conveyance industry segments

Номер патента: AU2018309617A1. Автор: Vince Coletti,Alexis DaCosta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-13.

Logistics device, logistics control system, and theft prevention method of the same

Номер патента: US11995963B2. Автор: Hang Seok Choi,Byung Kang Park. Владелец: HYUNSUNG CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Wireless intercom system and group pairing method of wireless intercom system

Номер патента: US11943394B2. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same

Номер патента: US09542343B2. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system workload allocation

Номер патента: WO2022150122A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-14.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11080198B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200285581A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

System and method for conserving memory power using dynamic memory I/O resizing

Номер патента: US09430434B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Computer-implemented systems and methods of automated physiological monitoring, prognosis, and triage

Номер патента: US09883801B2. Автор: Kurt Stump,Chilezie Nnadi,Alexander Martini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

System for increasing throughput for memory device

Номер патента: WO2009084943A2. Автор: Yusri Bin Mohamad Yusof Mohd. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2009-07-09.

Structurally-Embedded Construction, Design, and Maintenance Record Data Management System and Related Method

Номер патента: US20140330788A1. Автор: Taeho Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

A transaction system and method of operating same

Номер патента: WO2017081620A3. Автор: Daniel Jacobus Buys. Владелец: Cloudone Technology Proprietary Limited. Дата публикации: 2017-07-06.

Apparatus, system, and method for managing industrial software configurations

Номер патента: WO2012135568A1. Автор: Timothy Aaron STORER,Michael Wayne OGDEN. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory module and method having on-board data search capabilities and processor-based system using such memory modules

Номер патента: US20050050237A1. Автор: Joseph Jeddeloh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

System and method for indexing source code

Номер патента: US20240184549A1. Автор: Zdenek Tronicek. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-06-06.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of entropy distribution on a parallel computer

Номер патента: US20140040335A1. Автор: Andrew T. Tauferner,Todd A. Inglett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Apparatus, memory device, and method reducing clock training time

Номер патента: US11923042B2. Автор: Sangwoo Kim,YoungHoon SON,Joungyeal Kim,Chulung Kim,Seongheon Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory devices with common source line voltage compensation and methods of operating the same

Номер патента: US8446769B2. Автор: BoGeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Memory device for storing plurality of data bits and method of operating the same

Номер патента: US20240304225A1. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Kyu Nam LIM,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory system and method of determining a failure in the memory system

Номер патента: US09412453B2. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory device for performing a partial read operation and a method of reading the same

Номер патента: US20190206500A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Page buffer circuit, method of operating a semiconductor memory device and semiconductor memory system

Номер патента: US20230402104A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: EP4123648A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-25.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20190333587A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20230345725A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US11943930B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US11723206B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US6535457B1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-18.

Semiconductor memory device including a plurality of memory blocks and method of manufacturing the same

Номер патента: US11839081B2. Автор: Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device including a plurality of memory blocks and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107769A1. Автор: Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Thin film magnetic memory device capable of stably writing/reading data and method of fabricating the same

Номер патента: US20040052107A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: US20090213659A1. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system including the same

Номер патента: US20220190131A1. Автор: Dae Seok Byeon,Kyung Min Ko,Myung Hun LEE,Pan Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device having a delay locked loop (DLL) and method for driving the same

Номер патента: US7710817B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150117108A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Distributed ledger appliance and methods of use

Номер патента: US12081672B2. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method for direct transfer of electronic parking meter data

Номер патента: US09536235B2. Автор: Steven A. Jones,Gavin Jones,Matthew H. Anastacio. Владелец: DUNCAN PARKING TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Real-time cargo condition management system and method based on remote real-time vehicle OBD monitoring

Номер патента: US09886799B2. Автор: Sung Bok Kwak. Владелец: TrueLite Trace Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Distributed ledger appliance and methods of use

Номер патента: EP4032054A1. Автор: Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

System and method of estimating vital signs of user using artificial intelligence

Номер патента: US20230293113A1. Автор: Nikhil Sehgal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

System and method of leveraging gpu resources to increase performance of an interact-able content browsing service

Номер патента: US20170039985A1. Автор: Jung Chang Kuo. Владелец: Ubitus Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

System and method of leveraging GPU resources to increase performance of an interact-able content browsing service

Номер патента: US09483996B2. Автор: Jung Chang Kuo,Wei Hao Peng. Владелец: Ubitus Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: WO2023023845A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2023-03-02.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: EP4392758A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2024-07-03.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: CA3129291A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2023-02-25.

Spatio-temporal intelligent digital memory systems and methods

Номер патента: US20240104362A1. Автор: Swarup Bhunia,Prabuddha CHAKRABORTY. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and device for locating contact through-hole (ct) positions in memory device

Номер патента: US20240177295A1. Автор: Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

MEMORY DEVICE AND MANAGED MEMORY SYSTEM WITH WIRELESS DEBUG COMMUNICATION PORT AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200204991A1. Автор: Parry Jonathan S.,STRONG ROBERT W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Control system and a control method of intelligent toilets

Номер патента: US20240344311A1. Автор: Rui Liu,GuangQi Xu. Владелец: Zhejiang Ikahe Sanitary Ware Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Liquid level sensing device and methods of making an operating the same

Номер патента: US5050431A. Автор: Charles W. McDonald. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1991-09-24.

Satellite navigation system and attitude determination method of object using the same

Номер патента: WO2003017018A1. Автор: Sangjeong LEE,Chansik Park,Seokbo Son,Byungyeun Kim. Владелец: Navicom Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-02-27.

Storage device and method of operating the storage device

Номер патента: US12112799B2. Автор: Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory device, system and method of operating the same

Номер патента: US20230024971A1. Автор: Kang Li,Xing Zhou,Wei Huang,Chan Wang,Cong Luo,Xueqing Huang,Fengxiang Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09536605B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory block locking apparatus and methods

Номер патента: WO2006081105A1. Автор: Ebrahim Abedifard,Dean Nobunaga. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-08-03.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210065828A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Apparatuses and methods for performing multiple memory operations

Номер патента: US09685234B2. Автор: Corrado Villa,Daniele Balluchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory device performing erase operation and method of operating the same

Номер патента: US20240185927A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180190358A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory controller, information processing system, and nonvolatile-memory defect determination method

Номер патента: US20190057753A1. Автор: Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20080186775A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20100135084A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US8174900B2. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09449673B2. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device sideband systems and methods

Номер патента: US20230317193A1. Автор: Joshua E. Alzheimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11081188B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Multi-step pre-read for write operations in memory devices

Номер патента: US12106803B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF OPERATING THE SAME AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150063047A1. Автор: CHOI Se Kyoung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile memory device method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: KR101596827B1. Автор: 김무성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: CN104425032A. Автор: 崔世卿. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Variable resistance memory device and related method of operation

Номер патента: US20110228585A1. Автор: Ho Jung Kim,Deok-kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: EP4070313A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device including dual control circuits

Номер патента: US12080341B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200388339A1. Автор: SEONG Jin Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device, method of operating the same, and memory system

Номер патента: CN116486873A. Автор: 李政宏,李哲安,谢豪泰,陈建源. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Operational modes for reduced power consumption in a memory system

Номер патента: US11804271B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and its early-warning system and method

Номер патента: EP2306462A4. Автор: Saiwen Lu. Владелец: Netac Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Charge trap memory devices

Номер патента: US20210242230A1. Автор: Robert Katz,Darren L. Anand,Toshiaki Kirihata,Dan Moy,Norman W. Robson,Faraz Khan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Using non-segregated cells as drain-side select gates for sub-blocks in a memory device

Номер патента: US12080351B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING READ VOLTAGE OF THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150029796A1. Автор: Jeong Jae-Yong,CHOI MYUNG-HOON,PARK KI-TAE. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor memory device with flash write mode of operation

Номер патента: US5003510A. Автор: Sachiko Kamisaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-03-26.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory device with data validity check

Номер патента: EP3043350A3. Автор: Jeffrey Todd BORING. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated resistor network and method for fabricating the same

Номер патента: US12136922B2. Автор: OREN Shlomo. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09779812B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device having improved program and erase operations and method of operating the same

Номер патента: CN111402944B. Автор: 李相宪,李丙仁,沈根守,朴熙中,卓在日. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Apparatuses and methods for performing multiple memory operations

Номер патента: EP3140833A1. Автор: Corrado Villa,Daniele Balluchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Conductor-insulator-junction (cij) optical memory device and a memory system dependent thereon

Номер патента: CA1032651A. Автор: Richard A. Gudmundsen. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1978-06-06.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device system-on-chip including the same and method of operating the same

Номер патента: US20190164596A1. Автор: Jae-Seung Choi,Sang-Yeop BAECK,In-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY MODULE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING MEMORY MODULE

Номер патента: US20150302913A1. Автор: SONG Choung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF POWER RAILS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190027206A1. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,CHO SEOK-JIN,HA KYUNG-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Memory device for controlling voltage of bit line and method of operating the same

Номер патента: US11501836B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Reading and writing method of memory device and memory device

Номер патента: US11862229B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230143397A1. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

MEMORY DEVICE FOR SUPPORTING COMMAND BUS TRAINING MODE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20220059148A1. Автор: Kim Young-Hun,Oh Tae-Young,HA KYUNG-SOO,KIM Si-hong. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

MEMORY DEVICE FOR SUPPORTING COMMAND BUS TRAINING MODE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190156872A1. Автор: Kim Young-Hun,Oh Tae-Young,HA KYUNG-SOO,KIM Si-hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

MEMORY DEVICE FOR SUPPORTING COMMAND BUS TRAINING MODE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200302981A1. Автор: Kim Young-Hun,Oh Tae-Young,HA KYUNG-SOO,KIM Si-hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device including system block for system data and method of operating the same

Номер патента: US11315638B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory Devices Having an Embedded Resistance Memory with Metal-Oxygen Compound

Номер патента: US20100301330A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory device manufacturing method with memory element having a metal-oxygen compound

Номер патента: US20130260528A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210065773A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Built-in system and method for testing integrated circuit timing parameters

Номер патента: US7622908B2. Автор: Jongtae Kwak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-24.

Memory system having programmable control parameters

Номер патента: US5801985A. Автор: Michael S. Briner,Darrell D. Rinerson,Christophe J. Chevallier,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

System and method for read speed improvement in 3t dram

Номер патента: US20220139440A1. Автор: Yih Wang,Yi-Hsun CHIU,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20230197120A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US12033716B2. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and memory system

Номер патента: US20180277177A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and memory system using it and method of controlling swing width thereof

Номер патента: KR100755369B1. Автор: 최정환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-04.

Memory device including three-dimensional racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20240079040A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Device Comprising an Electrically Floating Body Transistor and Methods of Operating

Номер патента: US20210083110A1. Автор: Widjaja Yuniarto,Han Jin-Woo,Maheshwari Dinesh. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device, non-volatile memory system, and program method of the same

Номер патента: KR20130107733A. Автор: 박정훈,남상완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210012841A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240057325A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Data input circuit for eliminating idle cycles in a memory device

Номер патента: US5917772A. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

Processors for programming multilevel-cell NAND memory devices

Номер патента: US8693251B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Memory device

Номер патента: US20230207000A1. Автор: Noboru Shibata,Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

MEMORY DEVICE, METHOD OF PERFORMING READ OR WRITE OPERATION AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130148429A1. Автор: PARK Chul-woo,HWANG Hong-sun,Kim Chan-kyung,Lee Yun-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

Thin film electric motors and method of manufacture

Номер патента: WO1997044879A1. Автор: Gilbert D. Springer,Mark F. Springer. Владелец: Thin Spin Holdings, Llc. Дата публикации: 1997-11-27.

Systems and methods for collecting and disseminating structure information from mounted smart lights

Номер патента: US20240168492A1. Автор: Umesh Hosamani,Nisha Jalaja. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Method, system, and device for monitoring operations of a system asset

Номер патента: US09958863B2. Автор: Scott Terrell Williams. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

System and methods of determining acceleration of a shaft

Номер патента: CA3051342A1. Автор: Gabriel Meunier,Michael Conciatori. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

System and method of determining a geographical location of one or more computing devices

Номер патента: WO2023228191A1. Автор: Dror ELBAZ,Tal LAVI. Владелец: Eye-Net Mobile Ltd.. Дата публикации: 2023-11-30.

Postal kiosk system and method for providing electronic post office box services

Номер патента: US20100106293A1. Автор: Richard W. Heiden,Ralph A. Rapillo. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Systems and methods for determining the cleanliness of a surface

Номер патента: US09839712B2. Автор: G. Marco Bommarito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-12-12.

System and method of controlling marine vessels

Номер патента: US12030598B2. Автор: Amir Eyal,Ofer Sela,Lawrence NATAN,Yaron Shlomo CARMON,Yehonatan OFIR. Владелец: Aqua Marina Yachts 1995 Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Systems and methods for modeling and displaying sweetener synergy

Номер патента: US20240185945A1. Автор: Xiaoqun Mo,Chia-Hua April HSU. Владелец: Wm Wrigley Jr Co. Дата публикации: 2024-06-06.

Systems and methods for modeling and displaying sweetener synergy

Номер патента: WO2024107878A9. Автор: Xiaoqun Mo,Chia-Hua April HSU. Владелец: WM. WRIGLEY JR. COMPANY. Дата публикации: 2024-07-18.

A gaming system and method of gaming

Номер патента: AU2024205620A1. Автор: Hung Ngoc Nguyen. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Fault alarm system and method for transmitting fault messages

Номер патента: MY140764A. Автор: Claus-Markus Pfeffer. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2010-01-15.

Display assembly having multiple displays and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: WO2015108681A1. Автор: Xiaodong Xun. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Sports-wagering kiosk and method of using and operating the same

Номер патента: US09875608B1. Автор: Sandra Drozd,Ronald Tabat,Sean Cronan. Владелец: American Wagering Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus comprising a quantum well device and method of operating the apparatus

Номер патента: US5023878A. Автор: Kurt Berthold,Anthony F. J. Levi. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-11.

Non-invasive systems and methods for detecting mental impairment

Номер патента: US20200029880A1. Автор: Daniel Sobek,Antonio H. LARA,Husam Katnani. Владелец: HI LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

A gaming system and method of gaming

Номер патента: AU2024204619A1. Автор: Antoon Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US20180308318A1. Автор: Antoon Christiaan Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2018-10-25.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US20190295379A1. Автор: Antoon Christiaan Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US20120126884A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US09553193B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: EP2036122A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory device having integrated support and contact structures and method of making thereof

Номер патента: US09853038B1. Автор: Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

3D and flash memory device having metal silicide source/drain pillars and method of fabricating the same

Номер патента: US12127405B2. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory device with a columnar memory opening arrangement and method of making thereof

Номер патента: US11849578B2. Автор: Tatsuya Inoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Igniter, igniter with adjustable wick, and method of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20230220996A1. Автор: Yuzo Ochiai. Владелец: Tokai Seiki Co HK Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Control device and methods of making and operating the same

Номер патента: US5477108A. Автор: Brian J. Kadwell. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1995-12-19.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US11903190B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US20220189981A1. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US20220189986A1. Автор: Takeki Ninomiya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: WO2023224946A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: US20230380165A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Handheld surgical instrument, surgical tool system, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2017164818A1. Автор: Wei Tech ANG,Zenan WANG. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Mobility management system and mobility management method of a base station

Номер патента: US20240323782A1. Автор: Jie Deng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

An improved mechanical turbine system and an associated method of working thereof

Номер патента: WO2022208510A1. Автор: Rishi Gupta. Владелец: Rishi Gupta. Дата публикации: 2022-10-06.

Full safe hydro-mechanical lock system and the operation method of this system

Номер патента: WO2021242210A1. Автор: Birol Ozer. Владелец: Özkoç Hidrolik Makina San Ve Tic A.Ş. Дата публикации: 2021-12-02.

Full safe hydro-mechanical lock system and the operation method of this system

Номер патента: EP4157622A1. Автор: Birol Ozer. Владелец: Ozkoc Hidrolik Makina San Ve Tic AS. Дата публикации: 2023-04-05.

Energy Conversion Device and Methods of Manufacturing and Operating the Same

Номер патента: EP2566037A3. Автор: Jong-oh Kwon,Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-08.

Energy conversion device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20130049646A1. Автор: Jong-oh Kwon,Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: US20230209842A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: WO2023124816A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Wireless intercommunication system and group pairing method of intercommunication system

Номер патента: US11889573B2. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4371385A1. Автор: Elijah B Garner,Cary S Hubner,Kelby J Krueger. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-22.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4257379A1. Автор: Mark D Klein,Benjamin C Potter,Eric A Keen,Lee A Johnson. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-10-11.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4371386A1. Автор: Elijah B Garner,Cary S Hubner,Kelby J Krueger. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-22.

Memory, substrate structure of the memory, and method for preparing the substrate structure of the memory

Номер патента: US20210366725A1. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory, substrate structure of the memory, and method for preparing the substrate structure of the memory

Номер патента: US12014932B2. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Power conduit, charging device, and method of charging a power storage device

Номер патента: US09475399B2. Автор: Edward Clark Fontana,Robert John Minor. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Double gated 4f2 dram chc cell and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150093869A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Double gated 4F2 dram CHC cell and methods of fabricating the same

Номер патента: US09472461B2. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20130237031A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20110266610A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional memory device having multi-layer diffusion barrier stack and method of making thereof

Номер патента: US09748174B1. Автор: Fumitaka Amano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

System and method for control of operational aspects of a snow plow blade and/or spreader

Номер патента: US20210156098A1. Автор: James Patrick Godwin, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

Valve and a method of operating a valve

Номер патента: US09822904B2. Автор: Claus Thybo,Daniel Jilderos,Anders Engelbrektsson. Владелец: IMI HYDRONIC ENGINEERING INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Three-dimensional memory device including coaxial double contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240381644A1. Автор: Ryo MIZUTSU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

System and method for storage of operational parameters on components

Номер патента: US20040078454A1. Автор: Michel Nguyen,Seth Abrahams,Brian Osterhout. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324189A1. Автор: Sena CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210313330A1. Автор: Takashi Sasaki,Shinobu Terada,Toshiyasu Fujimoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Roof attachment systems and methods

Номер патента: US20210115686A1. Автор: Todd MEINHOLD,Cody Jenkins. Владелец: Taaaza Llc. Дата публикации: 2021-04-22.

System and method for controlling electric bicycle, and electric bicycle having the same

Номер патента: EP4450377A1. Автор: Hanbyul Chung. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Flat panel contactors and methods

Номер патента: US09541302B2. Автор: C. Glen Wensley,Amitava Sengupta,Gareth P. Taylor,Paul A. Peterson,Timothy D. Price. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Electric motor systems and methods

Номер патента: US09484784B2. Автор: Michael Salerno,Ronald David Wallin,Trevor Hardway. Владелец: Henry Research and Development LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Tungsten digitlines and methods of forming and operating the same

Номер патента: EP2186130A1. Автор: Jaydeb Goswami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Structurally-embedded construction, design, and maintenance record data management system and related method

Номер патента: US09445522B2. Автор: Taeho Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-13.

A system and a method for performing operations

Номер патента: US20240223368A1. Автор: Ian Nigel Harvey,Lauren Van SOMERAN. Владелец: nCipher Security Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods to reduce fouling of seawater systems

Номер патента: US20200198734A1. Автор: Eric Christopher Mills,Ryan Patrick Mills. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

A system and a method for performing operations

Номер патента: EP4342126A1. Автор: Ian Nigel Harvey,Laurence Van SOMEREN. Владелец: nCipher Security Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Thin battery separators and methods

Номер патента: US20240194956A1. Автор: Xiaomin Zhang,Paul M. Halmo,Lie Shi,Zhengming Zhang,Paul D. VIDO,Daniel R. ALEXANDER,Jill V. Watson. Владелец: Celgard LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin battery separators and methods

Номер патента: US09666847B2. Автор: Xiaomin Zhang,Paul M. Halmo,Lie Shi,Zhengming Zhang,Paul D. VIDO,Daniel R. ALEXANDER,Jill V. Watson. Владелец: Celgard LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Reusable Pinata System and Its Associated Method of Operation

Номер патента: US20190329146A1. Автор: Steven Menow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-31.

Suspension system tank filling systems and methods

Номер патента: EP4415991A1. Автор: Peter Boon,Bert VANDERSMISSEN,Nandish CALCHAND,Stein Slootmaekers. Владелец: Driv Automotive Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Compression garment and method of forming the same

Номер патента: US09962313B2. Автор: Jimmy D. Laferney,Ronald G. Scott. Владелец: Ronald G Scott LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20130270623A1. Автор: Tatsuya Kato,Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Device and method for managing connections in wireless communication system

Номер патента: US20210160946A1. Автор: Jisoo SONG,Jeongyeob OAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US11952086B2. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US20220135184A1. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US20210024174A1. Автор: Daniel P Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Human Powered Catamaran-Styled Watercraft and Methods

Номер патента: US20240083549A1. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: US8441058B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

HYBRID POWER DRIVE SYSTEM AND A DRIVE METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120004073A1. Автор: Zhang Xinxin,TANG Xiaohua,LUO Fei,Xiao Zhigao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory device for an array of conductive lines and methods of making the same

Номер патента: TW200839954A. Автор: Dirk Caspary,Stefano Parascandola. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-01.

System and method for treating haemorrhagic fluid for autotransfusion

Номер патента: AU2018398377B2. Автор: Francis Gadrat,Stephane Chollet,Sylvain Picot,Patricia Forest-Villegas. Владелец: I Sep SAS. Дата публикации: 2024-09-26.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM COMPRISING SAME, AND METHOD OF PROGRAMMING SAME

Номер патента: US20120127791A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

Radio method of objects detection

Номер патента: RU2348980C2. Автор: Евгений Юрьевич Андрианов. Владелец: Евгений Юрьевич Андрианов. Дата публикации: 2009-03-10.

Student engagement information system and method thereof

Номер патента: PH12019000361A1. Автор: Adrian J Furca. Владелец: Guimaras State College. Дата публикации: 2021-03-29.