Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHODS OF MANUFACTURING CAPACITORS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

METHODS OF MANUFACTURING CAPACITORS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160043163A1
Опубликовано: 11-02-2016
Автор(ы): AHN SE HYOUNG, AN CHANG MU, KIM Bong Hyun, Kim Hyun Jun, Kim Sun Ho, Park Young Geun, Seo Jong Bom
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing Metal- Insulator-Metal capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100965215B1. Автор: 박정호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-06-22.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of manufacturing capacitors

Номер патента: US09679960B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing capacitor

Номер патента: US6344400B1. Автор: Akie Yutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Method of manufacturing structure and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20230298907A1. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Multicomponent-alloy material layer, method of manufacturing the same and capacitor structure of semiconductor device

Номер патента: US20230343848A1. Автор: Chuan-Feng Shih,Hsuan-Ta Wu,Cheng-Hsien YEH,Bernard Hao-Chih Liu,Wen-Dung Hsu,Chung-Hung Hung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing supporting structures for stack capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20100233881A1. Автор: Chung-Chiang Min,Chang-Yao Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having said film and semiconductor device

Номер патента: EP1355348A3. Автор: Kiwamu c/o Sony Corporation Adachi,Satoshi c/o Sony Corporation Horiuchi,Tetsuya c/o CV Research Corporation Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth

Номер патента: US09666754B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Jun Youn KIM,Joo Sung KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing an assembly of conductors and a semiconductor device manufactured by means of such an assembly

Номер патента: US6340634B1. Автор: Johannes M. A. M. Van Kempen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-22.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: US5543359A. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US11581451B2. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-14.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of manufacturing NOR-type mask ROM device and semiconductor device including the same

Номер патента: US7364973B2. Автор: Hyun-Khe Yoo,Weon-Ho Park,Byoung-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-29.

Method of manufacturing NOR-type mask ROM device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20070275509A1. Автор: Hyun-Khe Yoo,Weon-Ho Park,Byoung-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of manufacturing an electric device e.g. a semiconductor device

Номер патента: US3695955A. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems,Reinier De Werdt. Владелец: PIETER JOHANNES WILHELMUS JOCH. Дата публикации: 1972-10-03.

Method of manufacturing an insulated gate type field effect semiconductor device

Номер патента: US4039358A. Автор: Motohiro Kitajima,Yoshihiko Nakagawa. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection and semiconductor device

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US12020938B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor devices having a capacitor and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050073053A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-07.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152638A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacture of coaxial capacitor for dram memory cell and cell manufactured thereby

Номер патента: US5550076A. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Manufacturing method of capacitor having cylindric storage node structure for semiconductor device

Номер патента: KR100486231B1. Автор: 김병철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

Metal-insulator-metal capacitor for use in semiconductor devices and manufacuring method therfor

Номер патента: EP2434529B1. Автор: Mihaela Ioana Popovici,Johan Swerts,Jorge Kittl,Sven Van Elshocht. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-02-12.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130193555A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20180175017A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20190348493A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US09929135B2. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced number of process steps for capacitor formation

Номер патента: US6762109B2. Автор: Naofumi Murata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240258426A1. Автор: Kyoung Hwa Jung. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing epoxy resin composition for semiconductor encapsulting

Номер патента: MY140225A. Автор: Tateo Yamada,Hideki Ebihara,Mitsuo Ishikawara,Kouji Taya,Rikiya Kobayashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09997633B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09876083B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Wei-Cheng Wang,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming finfet devices

Номер патента: US20240234534A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of forming low defect replacement fins for a FinFET semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US09614058B2. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method, apparatus, and computer program of searching for clustering faults in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20020053065A1. Автор: Yukihiro Ushiku,Kunihiro Mitsutake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of manufacturing a tape carrier device for semiconductor devices

Номер патента: DE4203114C2. Автор: Shin Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-21.

Semiconductor device comprising 3d channel region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319106A1. Автор: Yong-Keon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

System for designing integrated circuit using extracted model parameter and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US20200004911A1. Автор: Yo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing self-aligned contact hole for semiconductor device

Номер патента: KR960032616A. Автор: 다다시 후까세. Владелец: 닛뽕 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH

Номер патента: US20160351748A1. Автор: Park Young Hwan,Kim Mi Hyun,Kim Joo Sung,KANG Sam Mook,TAK Young Jo,KIM Jun Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Methods of manufacturing semiconductor substrates and substrates for semiconductor growth

Номер патента: KR102443030B1. Автор: 박영환,김주성,탁영조,강삼묵,김미현,김준연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-16.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and reflector for semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4572892B2. Автор: 信夫 小林,利彦 大山,英之 大澤,俊夫 尾形. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230017723A1. Автор: Ming-Shiang LIN,Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai,Wan-Lin Chiang,Hong-Ping Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Superjunction semiconductor device with different effective epitaxial layer thicknesses and method of manufacturing same

Номер патента: US20220285487A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Won Kook CHO. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024055294A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing a surface treated member for semiconductor liquid crystal manufacturing apparatus

Номер патента: TWI499694B. Автор: Koji Wada,Mamoru Hosokawa,Takayuki Tsubota,Jun Hisamoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2015-09-11.

Method of producing metal electrodes of diversing thiekness for semiconductor devices, especially for power semiconductor devices such as thyristors

Номер патента: EP0105189B1. Автор: Helmut Dr. Herberg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-12-30.

Method of producing metal electrodes of diversing thiekness for semiconductor devices, especially for power semiconductor devices such as thyristors

Номер патента: DE3368812D1. Автор: Helmut Dr Herberg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-02-05.

Micro-pattern forming method, capacitor and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20190157276A1. Автор: JAE-HEE KIM,SOON-MOK HA,Jong-Hyuk Kim,Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175043A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

METHOD OF FACILITATING STRAINING OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION, SEMICONDUCTOR PLATFORM OBTAINED BY THE METHOD, AND OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SEMICONDUCTOR PLATFORM

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Michel Jurgen,Lin Yiding,TAN Chuan Seng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Mask blank, method of manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200166833A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Mariko Uchida. Владелец: Hoya Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Isolation Layer and Method of manufacturing using the same, apparatus for a Semiconductor device having the Isolation Layer and Method of manufacturing using the same

Номер патента: KR100695868B1. Автор: 이윤성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-19.

Method of forming an oxide semiconductor device and method of manufacturing a display device including an oxide semiconductor device

Номер патента: KR102210672B1. Автор: 김현식,김현재,안병두,모연곤,임지훈,김연홍. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-02-04.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20150179813A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Junya Maruyama,Akihisa Shimomura,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120007078A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Junya Maruyama,Akihisa Shimomura,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB9426039D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-22.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB2285455B. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device

Номер патента: TWI223341B. Автор: Koichiro Inazawa,Tomoki Suemasa,Li-Hung Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200166833A1. Автор: Hashimoto Masahiro,Uchida Mariko. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Method of manufacturing a copper metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020031911A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods of fabricating metal silicate layer and methods for semiconductor device using the same

Номер патента: KR101584100B1. Автор: 김윤수,이종철,박기연,오세훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-13.

Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011058998A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,崇司 川守,一行 満倉,増子　崇. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-05-19.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Method of manufacturing a photo mask for manufacturing a semiconductor device 21678/01

Номер патента: CN1123420A. Автор: 黄儁. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

METAL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METAL WIRE AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Yoon Boun,KIM Do Yoon,TAKAI Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including semiconductor device

Номер патента: KR102201320B1. Автор: 이장원,황성우,박연상,김언정,심영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-01-11.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: KR100687531B1. Автор: 마츄키노부오,세이지로 우메모토,야수요시 효우도. Владелец: 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤. Дата публикации: 2007-02-27.

A METHOD OF MANUFACTURING A HIGH VOLTAGE GaN-AlN BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE

Номер патента: WO1997024752A2. Автор: Nikhil R. Tasker,Piotr M. Mensz,Babar A. Khan. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-10.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including semiconductor device

Номер патента: KR101813173B1. Автор: 김선국,진용완,최웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-29.

A METHOD OF MANUFACTURING A HIGH VOLTAGE GaN-AlN BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE

Номер патента: EP0812468B1. Автор: Nikhil R. Tasker,Piotr M. Mensz,Babar A. Khan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-11-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and camera module with semiconductor device

Номер патента: JP2009141198A. Автор: Shoichi Tanaka,彰一 田中,裕人 大崎,Hiroto Osaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device, method of manufacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: TW200504812A. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2005-02-01.

METHODS OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PROTECTIVE LAYER IN PLACE OF A LOW-RESISTIVITY HANDLE LAYER

Номер патента: US20170098587A1. Автор: Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

METHODS OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PROTECTIVE LAYER IN PLACE OF A LOW-RESISTIVITY HANDLE LAYER

Номер патента: US20160126111A1. Автор: Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing an ultra narrow contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100273140B1. Автор: 이화성,안병태,백종태. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2001-01-15.

Semiconductor reactor and method of forming coating layer on metallic substrate for semiconductor reactor

Номер патента: KR101877017B1. Автор: 최영준,한승희,도정만,유병용,윤진국. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2018-07-12.

Methods of manufacturing a printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer

Номер патента: US9530709B2. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Adhesive for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing said device

Номер патента: TW201726863A. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Keishi Ono,Kouichi CHABANA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding

Номер патента: US6943088B2. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-13.

Epitaxial growth substrate, method of manufacturing epitaxial growth substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20200211841A1. Автор: Hiroki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200211841A1. Автор: Hiraga Hiroki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2020-07-02.

PRE-MOLDED SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING PRE-MOLDED SUBSTRATE, AND HOLLOW TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Kimura Noriyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of manufacturing a thin film transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096743A. Автор: 이가원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of manufacturing an aluminum oxide film in a semiconductor device

Номер патента: US20010053615A1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacturing a channel stop implant in a semiconductor device

Номер патента: US6472279B1. Автор: Charles W. Pearce,Robert J. Griffin. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2002-10-29.

Method of manufacturing a gate electrode for an EEPROM semiconductor device

Номер патента: DE19518133C2. Автор: Byung Jin Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Group-III nitride semiconductor stack, method of manufacturing the same, and group-III nitride semiconductor device

Номер патента: US20040206966A1. Автор: Hideto Sugawara,Tsunenori Hiratsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITE SHEET

Номер патента: US20180138141A1. Автор: OKAMOTO Naoya,Horigome Katsuhiko,Ikeda Ryohei. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of Forming Electrostatic Discharge Devices

Номер патента: US20130122677A1. Автор: Kai Esmark. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-16.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: US6773977B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-08-10.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201130942A. Автор: Shigeki Katogi,Takashi Masuko,Takashi Kawamori,Shinjiro Fujii,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Forming method of the thin film and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: TW434958B. Автор: Toshikazu Ohnishi,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US7553683B2. Автор: Gerd O. Mueller,Paul S. Martin,Regina B. Mueller-Mach,Helena Ticha,Ladislav Tichy. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of cleaning fluorine-containing rubber molded article for semiconductor production apparatuses and cleaned molded article

Номер патента: EP1657002A3. Автор: Tsuyoshi Noguchi,Mitsuru Kishine,Masanori Hasegawa,Katsuhiko Higashino. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer

Номер патента: EP1285312A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon Park,Mi-Sun Park,Yoon-Gil Yim,Cheol-Woo Kang. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

Method of film formation, insulating film, and substrate for semiconductor

Номер патента: US20030059550A1. Автор: Kinji Yamada,Atsushi Shiota,Mutsuhiko Yoshioka,Michinori Nishikawa,Matthias Patz,Manabu Sekiguchi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20190295925A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chih-Hung Su,Kun-Ming Tsai,Cheng-Lung Yang,Wei-Je Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200043732A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230063261A1. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of forming FinFET devices

Номер патента: US11955528B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009296B2. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of Improving Package Creepage Distance

Номер патента: US20240105447A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of double photolithography process for forming patterns of the semiconductor device

Номер патента: CN102386190A. Автор: 金东贤,梁松里,权五益,郑丞弼,赵哄. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-21.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: EP4066317A4. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-01-10.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160013296A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150129934A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

METHOD OF FORMING THROUGH-HOLE IN SILICON SUBSTRATE, METHOD OF FORMING ELECTRICAL CONNECTION ELEMENT PENETRATING SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20160148858A1. Автор: LEE Jaegab,JEONG Daekyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

METHODS OF FORMING A CONTACT STRUCTURE FOR A VERTICAL CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170154994A1. Автор: Pawlak Bartlomiej Jan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140264488A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20150255295A1. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD OF FORMING CONDUCTIVE BUMPS FOR COOLING DEVICE CONNECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Chen Chun-Jen,Chou You-Hua,LAI Yi-Jen,KAO Perre. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150294912A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD OF FORMING OHMIC CONTACT FOR GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365705A1. Автор: LIU Shenghou,CAI WENBI,LIN GUANGYAO,HUI YEUK-WAH. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1049144A1. Автор: Yoshinao Taketomi,Yoshiko Mino,Mikihiko Nishitani,Keizaburo Kuramasu,Masashi Goto,Hiroshi Tsutsu,Hikaru Nishitani,Masumi Izuchi,Hiroshi Satani. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Methods of forming substantially self-aligned isolation regions on FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US9093302B2. Автор: Michael Wedlake,Ruilong Xie,Wenhui Wang,Vimal K. Kamineni,Abner F. Bello,Nicholas V. LiCausi,Jason R. Cantone. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method of forming an electrode on a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US6048783A. Автор: Hye-Young Kim,Kyo-Hoo Moon. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM ABOVE METAL GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120706A1. Автор: Chen Li,Liu Ding-I,Leu Po-Hsiung,Lin Jyh-Nan,Sun Chin-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of fluorinating filters used in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20190105613A1. Автор: Cesar M. Garza. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF DETERMINING GALVANIC CORROSION AND INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTION OF GALVANIC CORROSION

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Te-Liang,LEE YU CHING,HSIA JYH-WEEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHODS OF CURING A DIELECTRIC LAYER FOR MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307762A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,HWANG Yoon-Tae,Park Moon-Kyu,Yoon Ki-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming a inter metal insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100296330B1. Автор: 이정래,홍상기. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-08-07.

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH IN LIQUID PHASE OF SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE THUS REALIZED

Номер патента: FR2277432A1. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-01-30.

METHOD OF FORMING A PATTERN USED FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2499726A1. Автор: Yoshihiko Mizushima,Akira Yoshikawa,Akitsu Takeda,Osamu Ochi,Tomoko Hisaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-08-13.

Method of forming metal layer used in the fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090098733A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Hyun-Young Kim,Kwang-jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

A kind of method of different line width transistor gate height in improvement semiconductor devices

Номер патента: CN110444470A. Автор: 陈建勋,李昱廷,刘怡良,吴信德. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

The manufacture method of stacked grinding pad and manufacture method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN103945984B. Автор: 数野淳. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

SELECTIVE GAS ATTACK METHOD OF A SILICON NITRIDE LAYER FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2375339A1. Автор: Klaus Paschke. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1978-07-21.

Method of controlling gate oxide thickness in the fabrication of semiconductor devices.

Номер патента: EP0631308A3. Автор: Ara Philipossian,Brian S Doyle,Hamid R Soleimani. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-06-12.

Method of Forming Ion Implantation Region in Separation Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR100928097B1. Автор: 탁기덕. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-11-24.

Manufacturing method of semiconductor SAB capable of preventing electric leakage and semiconductor device

Номер патента: CN115602542A. Автор: 周黎林. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

The method of the method for laminate layer transfer and manufacture semiconductor devices

Номер патента: CN102867736B. Автор: 丸山纯矢,高山彻,大野由美子,后藤裕吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of forming a spin on glass film of a semiconductor device

Номер патента: GB2320808B. Автор: Sang Ho Jeon,Sang Ki Hong,Hyug Jin Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of removing sidewall spacers in the fabrication of a semiconductor device using an improved removal process

Номер патента: US20040087155A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of reducing focusing error of exposure process in a semiconductor device

Номер патента: TW408366B. Автор: Ho-Young Kang,Jung-Hyeon Lee,Jin-Seog Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-11.

FABRICATION METHOD OF A MIXED ALLOY LEAD FRAME FOR PACKAGING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130273697A1. Автор: Lu Jun,Feng Tao,Niu Zhi Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

DESCRIPTION NOVEL COMPUND, METHOD OF PRODUCING THE COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140051865A1. Автор: Takimiya Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20210028021A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING A MULTI-LEVEL INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028106A1. Автор: Machkaoutsan Vladimir,Briggs Basoene,Tokei Zsolt. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of Forming a Field-Effect Transistor (FET) or Other Semiconductor Device with Front-Side Source and Drain Contacts

Номер патента: US20180145170A1. Автор: Peterson Eric,Nayak Rajesh,Dix Greg,Shumate Jina. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A CAPPING LAYER STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190148224A1. Автор: ISHIKAWA Dai,Kobayashi Akiko,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF FORMING A HIGH QUALITY INTERFACIAL LAYER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ALD PROCESS

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Erben Elke,Triyoso Dina,Dilliway Gabriela,Agaiby Rimoon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Methods of forming isolated germanium-containing fins for a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150200128A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yilmaz Hamza,Xue Yan Xun,WILSON Peter,Lu Jun,Niu Zhiqiang,Lu Ming-Chen,Huo Yan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1. Автор: Cho Taeje,Chung Hyunsoo,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20190304790A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20200303531A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20180374941A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure

Номер патента: US10910262B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of and apparatus for controlling probe tip sanding in semiconductor device testing equipment

Номер патента: US20040051519A1. Автор: Kwang-Yung Cheong,Jun-Sung Kim,Byung-Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of forming a self-aligned silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508080B1. Автор: 김한성,김호식,우성오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-26.

Method of forming an element isolation oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100232883B1. Автор: 김영태,이주석,한우식,이창권,정광용,양예석,박인옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US10847371B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US11398382B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-07-26.

Method of forming a shallow trench isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100564988B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

Method of fabricating metal lines by dual damascene process and semiconductor device has the metal lines

Номер патента: KR100687434B1. Автор: 금동렬. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.

Method of forming a trench type isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100323868B1. Автор: 김선우,김한민. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method of forming a high density plasma film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356470B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device

Номер патента: KR0175430B1. Автор: 겐지 오까다,이찌로 나까야마,분지 미즈노. Владелец: 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Method of forming an element field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100237023B1. Автор: 이동호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming an inter-layer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR20010003789A. Автор: 이병주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: KR101170284B1. Автор: 아담 엘. 올슨. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-07-31.

Method of forming an inter-layer dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100363839B1. Автор: 김선우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Formation method of silicide layer using the Excimer laser for the semiconductor devices

Номер патента: KR20230016746A. Автор: 이승희,김준업. Владелец: 주식회사 지엔테크. Дата публикации: 2023-02-03.

Method of controlling gate dopant penetration and diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US6174807B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Joseph Rudolph Radosevich. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

Method of fabricating a fin field effect transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7316945B2. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

A method of arranging a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device mountable on a substrate

Номер патента: DE10101948B4. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: US6616854B2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: TW201942960A. Автор: 徐鵬富,派提 瑞薩能,摩拉她 巴拉 慕薩,華德 強森. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司. Дата публикации: 2019-11-01.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Mask Pattern for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101379341B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-04-02.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: WO2003052817A2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1. Автор: 真二郎 藤井,修一 森,一行 満倉. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,���Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: TW200903641A. Автор: Adam L Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: WO2008150722A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of forming a aluminum oxide thin film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356473B1. Автор: 김경민,유용식,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: GB0011692D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

A method of producing a zinc oxide-containing material and a semiconductor device with a zinc oxide-containing material

Номер патента: DE102008039183A1. Автор: Fritz Prof. Dr. Henneberger,Sergey Dr. Sadofev. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming dielectric with air gaps for use in semiconductor devices

Номер патента: US9876075B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20080296732A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of forming an element isolation insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR100197647B1. Автор: 이일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: CN101681811A. Автор: 亚当·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Method of forming a self-aligned contact pad for a semiconductor device

Номер патента: US6355547B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-12.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20100193917A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of controlling wafer bow in a type iii-v semiconductor device

Номер патента: EP3419046A2. Автор: Srinivasan Kannan,Seong Eun Park,Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Jianwei Wan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of forming a trench for use in manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040171211A1. Автор: Sang-rok Hah,Hong-seong Son,Sung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

A method of forming a metallic electrode and the metallic electrode semiconductor device

Номер патента: DE102008012678A1. Автор: Akihiro Kariya Niimi,Manabu Kariya Tomisaka,Hisatoshi Kariya Kojima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A4. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Method of forming buried isolation regions in semiconductor substrates and semiconductor devices with buried isolation regions

Номер патента: TWI374507B. Автор: Toshiharu Furukawa,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Charles W Koburger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-10-11.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-threshold voltage integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024226738A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tengzhou Ma,Pei Hsuan Lin,Hsin-Jung Yu,Debaditya Chatterjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-threshold voltage integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240363723A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tengzhou Ma,Pei Hsuan Lin,Hsin-Jung Yu,Debaditya Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Test apparatus for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240345156A1. Автор: Takuya Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010027028A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Heat dissipation for semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240266285A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Multilevel poly-si tiling for semiconductor circuit manufacture

Номер патента: EP1440468A2. Автор: Guido J. M. Dormans,Robertus D. J. Verhaar,Antonius M. P. J. Hendriks. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-28.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Coreless board for semiconductor package, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US09420709B2. Автор: Young Kwan Lee,Myung Sam Kang,Seung Yeop KOOK,Joo Hwan JUNG,Ju Hee Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing open frame diode for solar cells of space vehicles

Номер патента: RU2656126C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Владимир Анатольевич Харитонов,Андрей Андреевич Басовский,Павел Игоревич Дидык,Любовь Владимировна Анурова. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-05-31.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Molded product for semiconductor strip and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230127641A1. Автор: Junwoo PARK,Seunghwan Kim,Jungjoo KIM,Yongkwan LEE,Hyunggil Baek,Jongwan Kim,Taejun Jeon,Dongju Jang,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Directly cooled substrates for semiconductor modules and corresponding manufacturing methods

Номер патента: US09731370B2. Автор: Andre Uhlemann,Alexander Herbrandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240266414A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024167637A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of singulating semiconductor devices

Номер патента: US09887134B2. Автор: Kong-Beng Thei,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Patterning methods for semiconductor devices

Номер патента: US12074058B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Shing-Chyang Pan,Wei-Ren Wang,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus

Номер патента: US09978882B2. Автор: Koji Ito,Shinichi Nagase,Atsushi Ogasawara. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153174B2. Автор: Tomoko Ojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US7220649B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of inspecting surface and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061718A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Sung-Yoon Ryu,Gil-Woo SONG,Yun-Jung Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240363425A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653564B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09646982B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Mask for photolithography, method for fabricating the same and method for manufacturing semiconductor device using the mask

Номер патента: US09470972B2. Автор: Suk-joo Lee,Se-Jin Park,Jong-Doo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1360722A2. Автор: Thomas Weiss,Nicolaas J. A. Van Veen,Marc A. De Sambre. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-12.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP1792335A2. Автор: Steven T. Philips IP & Standards GmbH PEAKE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020081831A1. Автор: Tadashi Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US12087638B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US09974191B2. Автор: Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716011B2. Автор: Takayuki Sumida,Masaaki Minowa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Contact pad for semiconductor device

Номер патента: US09691686B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Tsung-Shu Lin,Cheng-chieh Hsieh,Chang-Chia HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of inspecting by-products and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09660186B2. Автор: Yongsun Ko,Wonjun Lee,Hoon Han,Jinhye Bae,Yoonsung HAN,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US09644265B2. Автор: Tetsuo Yamamoto,Takafumi Sasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09614050B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09530728B2. Автор: Yi-Nien Su,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing substrate with a multilayer reflective film, method of manufacturing a reflective mask blank, substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09507254B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09502502B2. Автор: Samuel C. Pan,Chao-Hsin Chien,Chen-Han CHOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09455200B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device using meander-shaped heating element

Номер патента: US09449849B2. Автор: Hitoshi Murata,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the device based on evaluation data of test transistors uniformly arranged on test wafer

Номер патента: US20060214164A1. Автор: Mikinori Oguni. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20140302662A1. Автор: Wei Zhou,Xu Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8912073B2. Автор: Wei Zhou,Xu Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Organic solvents having ozone dissolved therein for semiconductor processing utilizing sacrificial materials

Номер патента: WO2006025969A2. Автор: Steven Verhaverbeke. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-03-09.

Substrates for semiconductor devices

Номер патента: EP2936550A1. Автор: Wang Nang Wang,Timothy Mollart,Quanzhong Jiang,Christopher Rhys Bowen,Michael John Edwards,Duncan ALLSOPP. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020016059A1. Автор: Masakazu Okada,Hiroyuki Chibahara,Keiichi Higashitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200098679A1. Автор: Yoshiaki Sato,Junichi Arita,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus of automatically adjusting semiconductor pattern

Номер патента: US20020106818A1. Автор: Katsuya Suzuki,Masayuki Noguchi,Naoyasu Adachi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197012A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of manufacturing semiconductor device, and method of separating substrate

Номер патента: US20240297078A1. Автор: Takuro Okubo,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978645B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09935232B2. Автор: Susumu Yamamoto,Gen Toyota,Takamitsu Yoshida,Takamasa Tanaka,Kazumasa Tanida,Shouta Inoue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786520B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Chang-Chia HUANG,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09768031B2. Автор: Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of detecting focus shift in lithography process, method of analyzing error of transferred pattern using the same and method of manufacturing semiconductor device using the methods

Номер патента: US09570364B2. Автор: Suk-joo Lee,Yong-Jin Chun,Byoung-IL Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09536994B2. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: US09514935B2. Автор: Takaaki Noda,Takeo Hanashima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484257B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09472398B2. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing semiconductor device and wafer

Номер патента: US09410233B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xiaoying Meng,Junqing Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device using organic underlayer film forming composition for solvent development lithography process

Номер патента: US09384977B2. Автор: Yasunobu Someya,Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Keisuke Hashimoto,Tetsuya Shinjo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111083A1. Автор: Lu-Ming Lai,wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of manufacturing semiconductor device with bump interconnection

Номер патента: US12002783B2. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of manufacturing semiconductor devices, method sof performing extreme ultraviolet ray exposure, and methods of performing optical proximity correction

Номер патента: US20200064728A1. Автор: Ki-Soo Kim,No-Young Chung,Akio Misaka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US6828184B2. Автор: Ihl Hyun Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-07.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307361A1. Автор: Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Hiroaki ASHIDATE,Yasunori Iwashita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9190262B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Masahiro Kiyotoshi,Nobuhide Yamada,Takeshi Hizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Heating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110021039A1. Автор: Hitoshi Murata,Masaaki Ueno,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175194A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: PETARI Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20040014288A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090280610A1. Автор: Junji UMEZAKI. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8557705B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Masahiro Kiyotoshi,Nobuhide Yamada,Takeshi Hizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090181536A1. Автор: Makoto Tsutsue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210327849A1. Автор: Yi Liu,Yonghui Gao,Guohai ZHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device, method of cleaning interior of process chamber, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09895727B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Masayuki Asai,Kazuyuki Okuda,Masayoshi Minami,Yuji Urano. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor packages including heat spreaders and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847285B1. Автор: Jong Hoon Kim,Han Jun Bae,Ki Jun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09748099B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Atsuo Isobe,Aiko Shiga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09728473B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device array

Номер патента: US09633982B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570319B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536858B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09478548B2. Автор: Chan-Sic Yoon,Hyeon-Ok Jung,Ki-Seok Lee,Do-Yeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230292518A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Metrology apparatus and method based on diffraction using oblique illumination and method of manufacturing semiconductor device using the metrology method

Номер патента: US12002698B2. Автор: Myungjun Lee,Jaehwang Jung,Wookrae Kim,Jinseob KIM,Changhyeong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100123244A1. Автор: Kunihiro Takeda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180090502A1. Автор: Atsushi Moriya,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of simulating semiconductor manufacture with process functions according to user application

Номер патента: US5845105A. Автор: Kiyoshi Ishikawa,Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga,Kenichiro Sonoda,Norihiko Kotani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device using gas blowing agent

Номер патента: US20230087718A1. Автор: Hwail Jin,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4016590A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2529426A1. Автор: Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van Aerle,Christoph Wilhelm Sele,Eduard Jacobus Antonius Lassauw. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Adhesive sheet for temporary fixation and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11702571B2. Автор: Kwang Joo Lee,Sera Kim,Ji Ho HAN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230036107A1. Автор: Atsushi Yoshida,Yosuke Nakanishi,Shinichiro Katsuki,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having frame structures laterally surrounding backside metal structures

Номер патента: US20220085174A1. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Matteo Piccin,Guenter Denifl,Michael KNABL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding apparatus

Номер патента: EP3832702A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301080A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12080597B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity

Номер патента: US20030201506A1. Автор: Kenichi Ao,Hiroshi Muto,Yukihiro Takeuchi,Kazuhiko Kano,Minekazu Sakai,Tsuyoshi Fukada,Junji Oohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Dopant diffusion method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070293027A1. Автор: Takashi Suzuki,Takuya Konno,Ichiro Mizushima,Nobuaki Makino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080318411A1. Автор: Makoto Tsutsue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240363408A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09859258B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852256B2. Автор: Jae-Hwan Kim,Myung-Soo JANG,Jong-Wha Chong,Cheol-Jon JANG,Ji-Ho Song,Kyung-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09812556B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Qiqing C. Ouyang,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Pranita Kerber,Gen Tsutsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing semiconductor wafers and method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240379341A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US09758365B2. Автор: Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Hybrid exposure for semiconductor devices

Номер патента: US09543224B1. Автор: Thorsten Meyer,Robert L. Sankman,Gerald Ofner. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502560B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09461144B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices, methods of manufacturing thereof, and image sensor devices

Номер патента: US09391114B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Jeng-Shyan Lin,Chun-Ming Su,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of integration of components to plate-base

Номер патента: RU2327311C2. Автор: Ристо ТУОМИНЕН. Владелец: Имбера Электроникс Ой. Дата публикации: 2008-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210242309A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200192996A1. Автор: Jae-Myoung Lee,Myoung-ho KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of manufacturing semiconductor devices from multi-device semiconductor wafers

Номер патента: US12033855B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Soo Kyung Kim,Woo Jin Jung,Jang Hoon Kim,Young Kuk Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Apparatus for manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing the apparatus

Номер патента: US20230020305A1. Автор: Jeong Hoon NAM,Tae-Min Kim,Hwanyeol PARK,Dae Wee Kong,Se Jin KYUNG,Kyung Nam Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100167493A1. Автор: Keiji Sakamoto,Takashi Ogura,Masashige Moritoki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20140248721A1. Автор: Hideaki Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12051619B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047821A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20220216107A1. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Hybrid bonding structures, semiconductor devices having the same, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20220093549A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu,Byonggwon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190319109A1. Автор: Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060108689A1. Автор: Ki Yang,Jung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120122294A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Junichi Shiozawa,Ryu Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US6919281B2. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-19.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US20050233592A1. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US20040072449A1. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US8691686B2. Автор: Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190265585A1. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Composite abrasive, method of preparing same, polishing slurry including same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4273205A3. Автор: Eun Sung Lee,Junghoon Lee,Sang Soo Jee,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274668A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20130102161A1. Автор: Masayuki Asai. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20160244875A1. Автор: Masayoshi Minami,Ryota Sasajima,Shintaro Kogura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-25.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of making a non-polarizable electrode of an electrochemical capacitor

Номер патента: RU2744516C1. Автор: Владимир Михайлович Иванов,Владимир Александрович Архипенко,Елена Николаевна Ермакова,Надежда Викторовна Евсеева,Елена Павловна Жукалина,Анна Геннадьевна Воронина. Владелец: Акционерное общество "Энергия". Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing capacitor assembly package structure

Номер патента: US20230197354A1. Автор: Chieh Lin. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Ultrathin graphene piece, apparatus for preparing ultrathin graphene pieces, method for preparing ultrathin graphene pieces, capacitor, and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20180244526A1. Автор: QIAN Cheng,Jie Tang,Norio Shinya,Luchang Qin. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing and operating the optical modulator

Номер патента: RU2656271C2. Автор: Генри А. БЛАУВЕЛЬТ,Сяогуан ХЭ,Керри ВАХАЛА. Владелец: Эмкор Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-04.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

A compound for forming a layer on a substrate, a method of forming a layer on a substrate, and a semiconductor device

Номер патента: DE10332567A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk,Ute Dr. Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Local connection structure and method of bottom of self storage capacitor for DRAM

Номер патента: KR960019719A. Автор: 민 리앙 첸,난 흐시웅 차이. Владелец: 후 홍치우. Дата публикации: 1996-06-17.

Circuit board for semiconductor testing and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240264219A1. Автор: Shih-Ching Chen,Jun-Liang Lai. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20230400639A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US11796739B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

A method of correcting a mask pattern and a mask, a method of exposure, an apparatus therefor, and a photomask and semiconductor device using the same

Номер патента: DE19628874A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-02-27.

METHOD OF MODELING CONCENTRATION OF REDUCIBLE MOBILE IONIC DOPANT IN SEMICONDUCTOR DEVICE SIMULATOR

Номер патента: US20150192533A1. Автор: Venkataraman Karthik,Bajaj Mohit,Furkay Stephen S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: TW200739099A. Автор: Vivien Wong,Waikhuin Phoon,Wahyew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-16.

Method of measuring clock jitter, clock jitter measurement circuit, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190041456A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Jung-Ho Kim,Won-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD OF MEASURING CLOCK JITTER, CLOCK JITTER MEASUREMENT CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190346504A1. Автор: Kim Ji-Hyun,Kim Jung-ho,CHOO Kang-yeop,KIM Hyun-ik,KIM Tae-ik,KIM Woo-seok. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Electron Beam Depicting Pattern Design, Photomask, Methods of Electron Beam Depicting and Fabricating Photomask, and Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: KR101689770B1. Автор: 이상희,최진,이래원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-26.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉 笑喜,守男 細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Aluminum member for semiconductor manufacturing apparatuses, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240287700A1. Автор: Junji Nunomura. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US20240362396A1. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US12056431B2. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing mask blank, method of manufacturing transfer mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150293441A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Toshiharu Kikuchi,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a transfer mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09625807B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Toshiharu Kikuchi,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Reflective exposure mask, method of manufacturing reflective exposure mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110117479A1. Автор: Takashi Kamo,Osamu Suga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Apparatus for manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09415501B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Imprint method, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing template

Номер патента: US20240201600A1. Автор: Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing a semicondutor device

Номер патента: US20030104641A1. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device manufacturing method and mask manufacturing method

Номер патента: US20170024510A1. Автор: Suk-Ho Lee,So-Eun Shin,Ji-Soong Park,Jung-wook Shon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Probe sheet with contact tip on stacked multi-layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240230717A1. Автор: Tae Kyun Kim,Yong Ho Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacture of the thermoinsulating cylindrical vacuum boards and the board manufactured by the method

Номер патента: RU2295445C2. Автор: ГРЕГОРИО Пьераттилио ДИ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing of guide for toothpicks and method of manufacturing bearing surface for toothpicks

Номер патента: RU2465801C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of correcting euv overlay and method of manufacturing semiconductor device including the same

Номер патента: US20240176230A1. Автор: Dohyung Kim,Sanghwan Lee,Seongchul HONG,Hachul Shin,Jooon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and the installation of manufacture of the non-vulcanized tires

Номер патента: RU2302341C2. Автор: Штефан БАКОШ,Йозеф ЖЕМЛА,Ян ШЕДИК,Петер МИХАЛИК. Владелец: Матадор а.с.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of obtaining mixture of carboxylic acid/diol suitable for use during manufacture of polyester

Номер патента: RU2330014C2. Автор: Роберт ЛИН. Владелец: Истман Кемикал Компани. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of manufacturing the multi-tip probe, a multi-tip probe, and surface characteristic analysis apparatus

Номер патента: US20040074288A1. Автор: Tadashi Arai,Yoshiharu Shirakawabe,Hiroshi Takasashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080057441A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THROUGH ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND STACKED PACKAGE INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130154111A1. Автор: BYEON Sang Jin. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200729314A. Автор: Tu-Hao Yu,Te-Kan Liao,Yu-Chia Chen,Pai-Hsuan Sun. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DIE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20120181686A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: JP5040252B2. Автор: 敏央 野中. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5040247B2. Автор: 敏央 野中,浩一 藤丸. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2003261834A. Автор: 範行 大東,Noriyuki Daito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a buried stack capacitor for a one transistor RAM

Номер патента: TW498499B. Автор: Wen-Chiuan Jiang,Wen-Jeng Chen,Chiuan-Jung Wang,Guo-Chin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device having memory unit, method of writing to or reading from memory unit, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120044741A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DOUBLE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS FOR FORMING PATTERNS OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120049377A1. Автор: Kim Dong-hyun,CHUNG Seung-Pil,Yang Song-Yi,Kwon O-ik,Cho Hong. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of forming a metal interlayer insulating film of a semiconductor device

Номер патента: KR970003633A. Автор: 이정래,신동선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Removal method of fine particles generated in wet etching process of semiconductor device

Номер патента: KR970016835A. Автор: 김창욱,조영민,유정식,우용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Method of suppressing particle generation in interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970023836A. Автор: 최재광,유진산,강영묵. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-05-30.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI296829B. Автор: Yu Chia Chen,Tu Hao Yu,Pai Hsuan Sun,Te Kan Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

Method for Producing a Metal-Insulator-Metal Capacitor for Use in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120075767A1. Автор: . Владелец: IMEC. Дата публикации: 2012-03-29.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of treating fluoroplastic objects

Номер патента: RU2368981C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-09-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of the construction product made out of the foamed concrete and the formwork for the method realization

Номер патента: RU2302943C1. Автор: Михаил Юрьевич Слесарев,Елена Анатольевна Король,Валерий Иванович Теличенко. Владелец: Московский государственный строительный университет. Дата публикации: 2007-07-20.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of the volumetric structure made out of the composite materials and the volumetric structure produced by this method

Номер патента: RU2288842C2. Автор: Александр Викторович Евдокимов. Владелец: Александр Викторович Евдокимов. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of preparing uniformly alloyed silicon monocrystals

Номер патента: RU2076155C1. Автор: В.И. Волков,А.В. Наумов,А.В. Фомичев,З.А. Сальник,Ю.А. Микляев,О.С. Сальник. Владелец: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 1997-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.