Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor integrated circuit and test control method thereof

Semiconductor integrated circuit and test control method thereof

Номер патента: US9310430B2
Опубликовано: 12-04-2016
Автор(ы): Hong-Sok Choi
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Wafer-level programming and testing of electronic devices

Номер патента: EP3252487A1. Автор: Lianjun Liu,Philippe Bernard Roland Lance,Mark Edward Schlarmann. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-06.

Semiconductor integrated circuit verification method and test pattern preparation method

Номер патента: CN100351639C. Автор: 吉田贵辉,越智敬介. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Semiconductor integrated circuit and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329132A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US10001524B2. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20180275196A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20170074939A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20220068417A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Testable integrated circuit and test method

Номер патента: EP2191285A1. Автор: Laurent Souef,Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US20040143782A1. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Self-test circuit in integrated circuit, and data processing circuit

Номер патента: US09989590B2. Автор: Shigeru Uekusa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Loopback testing of integrated circuits

Номер патента: US12123908B1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09557379B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Computer-readable recording medium storing test pattern generation program, test pattern generation apparatus, and test pattern generation method

Номер патента: US20240019492A1. Автор: Daisuke Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor integrated circuit, a method for testing the semiconductor integrated circuit, and a semiconductor system

Номер патента: US20230096746A1. Автор: Jehyun PARK,Sungcheol PARK,Hyungil WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Test control point insertion and X-bounding for logic built-in self-test (LBIST) using observation circuitry

Номер патента: US09547043B2. Автор: Nisar Ahmed,Orman G. Shofner, JR.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090083712A1. Автор: Shuichi Kunie,Hiroki Machimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090228752A1. Автор: Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US8248099B2. Автор: Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US20100301893A1. Автор: Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and apparatus for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester

Номер патента: EP1275010A2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Ralph G. Whitten. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Parallel integrated circuit test apparatus and test method

Номер патента: US20030117162A1. Автор: Stephen Watts. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Testing method and testing apparatus

Номер патента: US20070091698A1. Автор: Takao Watanabe,Shigenobu Ishihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Testing methods of a semiconductor integrated incorporating a high-frequency receiving circuit and a demodulation circuit

Номер патента: US7693223B2. Автор: Shinya Kishigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit and test method of built-in analog circuit

Номер патента: US20020026609A1. Автор: Shuji Murakami,Brian Worobey. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Integrated circuit packages, integrated circuit, semiconductor device and testing methods thereof

Номер патента: TW200944813A. Автор: Hong-Ching Chen,Yuan-Chin Liu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

Integrated circuit test method and test apparatus

Номер патента: WO2007069098A1. Автор: Hendrikus P. E. Vranken. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-21.

Power electronic device on direct-current side of photovoltaic system, and test system and control method therefor

Номер патента: EP4199291A1. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Qiaodi Chen,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Power electronic device on direct-current side of photovoltaic system, and test system and control method therefor

Номер патента: AU2020462838A1. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Qiaodi Chen,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Power electronic device on direct-current side of photovoltaic system, and test system and control method therefor

Номер патента: US20230179146A1. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Qiaodi Chen,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Power electronic device on direct-current side of photovoltaic system, and test system and control method therefor

Номер патента: AU2020462838B2. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Qiaodi Chen,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit incorporating test configuration and test method for the same

Номер патента: US7702979B2. Автор: Masayuki Arai,Kazuhiko Iwasaki,Junichi Nishimoto,Satoshi Fukumoto,Takeshi Shoda. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit, design support apparatus, and test method

Номер патента: US20030229886A1. Автор: Kenichi Anzou,Tetsu Hasegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Packet based integrated circuit testing

Номер патента: US09702935B2. Автор: Lewis Nardini,Alan Hales,Sumant Kale. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20020101249A1. Автор: Hirotaka Shimoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor integrated circuit device having test control circuit in input/output area

Номер патента: US5509019A. Автор: Takeshi Yamamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Test controller for 3d stacked integrated circuits

Номер патента: WO2013116725A1. Автор: Sudipta Bhawmik. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit, method of testing semiconductor integrated circuit, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100205493A1. Автор: Kuninobu Fujii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

On-chip IR drop detectors for functional and test mode scenarios, circuits, processes and systems

Номер патента: US09823282B2. Автор: Prakash Narayanan,Sudhir Polarouthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for testing semiconductor integrated circuit and method for verifying design rules

Номер патента: US20090265593A1. Автор: Tomoko Nobekawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09966936B2. Автор: Min-Su Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and device of testing a semiconductor integrated circuit chip in which a voltage across the semiconductor integrated circuit chip is detected while an ultrasonic wave beam is projected thereon

Номер патента: US6084423A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Integrated circuit package structure and testing method using the same

Номер патента: US20180156865A1. Автор: Tsung-Te Chou,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated circuit package carrier and test device

Номер патента: US4843313A. Автор: R. Thomas Walton. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-06-27.

Integrated circuit testing device and testing method

Номер патента: CN111871865B. Автор: 陈戈. Владелец: Shaoxing Wangce Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Power electronic device on direct-current side of photovoltaic system, and test system and control method therefor

Номер патента: EP4199291A4. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Qiaodi Chen,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Photovoltaic system direct current side power electronic equipment and test system and control method thereof

Номер патента: CN111864802A. Автор: 杨宇,徐君,陈巧地,彭宇奇. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Integrated circuit capable of performing package burn-in test and method thereof

Номер патента: KR100674988B1. Автор: 경계현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Non-invasiv, low pin count test circuits and methods utilizing emulated stress conditions

Номер патента: US20090179660A1. Автор: John Laurence Melanson,Murari Kejariwal,Sherry Xiaohong Wu,Ammisetti V. Prasad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and test method for characteristics

Номер патента: US5004934A. Автор: Kouichi Furuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor memory device with stress circuit and method for supplying a stress voltage thereof

Номер патента: US5657282A. Автор: Kyu-Chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor integrated circuit and rotation detection device

Номер патента: US20200033400A1. Автор: Hideki Shimauchi,Akio Kamimurai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US10782330B2. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US20190049498A1. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor Integrated Circuit, Operating Method of Semiconductor Integrated Circuit, and Debug System

Номер патента: US20140070840A1. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit, operating method of semiconductor integrated circuit, and debug system

Номер патента: US8595562B2. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor integrated circuit, operating method of semiconductor integrated circuit, and debug system

Номер патента: US20110302456A1. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Partial discharge signal generator for underground online partial discharge diagnosis and test system and control method thereof

Номер патента: KR102521212B1. Автор: 김영호,김민기,박정민,김준희,김동휘,유흥렬. Владелец: 도우디지텍 주식회사. Дата публикации: 2023-04-17.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE STRUCTURE AND TESTING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20180156865A1. Автор: Tseng Huang-Wen,CHEN YANG-CHE,LIN CHEN-HUA,LIU CHWEN-MING,Chou Tsung-Te. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH FREQUENCY ATTENUATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT, CIRCUIT AND METHOD FOR ACCURATE REDUCTION OF THE AMPLITUDE OF AN INPUT SIGNAL

Номер патента: FR2647284A1. Автор: Stuart B Shacter. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1990-11-23.

POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE THEREOF AND POWER SUPPLY METHOD THEREOF

Номер патента: US20200036220A1. Автор: Wu Tsung-Han,Tsai Ming-Ting,Hsu Hsi-Ho,Chung Wei-Gen,Yu Chen-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Integrated circuit chip test and assembly package

Номер патента: US3984620A. Автор: David R. Robillard,Robert L. Michals. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-10-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of assembling and testing an electronics module

Номер патента: US20030049873A1. Автор: Benjamin Eldridge. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Display panel and test method thereof, display apparatus

Номер патента: US20240215422A1. Автор: Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit, circuit designing apparatus, and circuit designing method

Номер патента: US20210286926A1. Автор: Tetsu Hasegawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges for normal operation and performing of aging tests

Номер патента: US5493572A. Автор: Hitoshi Tanaka,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Multi-chip package, system and test method thereof

Номер патента: US09875994B2. Автор: Joon-Woo CHOI,Chang-Ki Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US11391773B2. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor system, and electric source voltage control method

Номер патента: US20180212691A1. Автор: Hideaki Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Vacuum gauge calibration apparatus capable of calibrating and testing without displacement and operating method thereof

Номер патента: TW200912267A. Автор: Jin-Tae Kim,Ju-young Yun,Seung-Soo Hong. Владелец: Korea Res Inst Of Standards. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006112048A1. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1864097A1. Автор: Takashi c/0 Intellectual Property Division INUKAI,Yukihiro c/0 Intellectual Property Division URAKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8000923B2. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor integrated circuit for generating row main signal and controlling method thereof

Номер патента: US20090316504A1. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor integrated circuit, display device provided with same, and control method

Номер патента: US20170127011A1. Автор: Masahiro Takeuchi,Takashi Akiyama,Yoshinori Okajima,Masaki Toyokura,Masayuki Taniyama. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Simulation circuit pattern evaluation method, manufacturing method of semiconductor integrated circuit, test substrate, and test substrate group

Номер патента: US20050075854A1. Автор: Hisashi Kaneko,Hiroyuki Toshima,Motoya Okazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal transmission line and wiring method thereof

Номер патента: US20060123372A1. Автор: Niichi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7394304B2. Автор: Masao Hamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060244509A1. Автор: Masao Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Display driving integrated circuit configured to perform adaptive frame operation and operation method thereof

Номер патента: US20240046885A1. Автор: Yunpyo Hong,Jihyun Ahn,Jong-Kon Bae,Donghwy KIM,Seongmin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Display driving integrated circuit configured to perform adaptive frame operation and operation method thereof

Номер патента: US11810519B2. Автор: Yunpyo Hong,Jihyun Ahn,Jong-Kon Bae,Donghwy KIM,Seongmin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Programmable integrated circuit, calculation system, bit string generating device, control method of programmable integrated circuit, and bit string generation method

Номер патента: US20190087523A1. Автор: Kazuki Inoue,Kohei Oikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuit, display device, electronic apparatus, and display control method

Номер патента: US09761180B2. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Display driving integrated circuit configured to perform adaptive frame operation and operation method thereof

Номер патента: US20220051631A1. Автор: Yunpyo Hong,Jihyun Ahn,Jong-Kon Bae,Donghwy KIM,Seongmin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Simulation circuit pattern evaluation method, manufacturing method of semiconductor integrated circuit, test substrate, and test substrate group

Номер патента: TW200514125A. Автор: Hisafumi Kaneko,Hiroyuki Toshima,Motoya Okazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Simulation circuit pattern evaluation method, manufacturing method of semiconductor integrated circuit, test substrate, and test substrate group

Номер патента: TWI256666B. Автор: Hisashi Kaneko,Hiroyuki Toshima,Motoya Okazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-11.

Integrated circuit and operation method and inspection method thereof

Номер патента: US12119073B2. Автор: Hung-Ming Lin,Hung-Ju Huang. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME, CONTROL METHOD FOR CIRCUIT

Номер патента: US20160275039A1. Автор: TOKUDA Yasunobu. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-22.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME, AND CONTROL METHOD

Номер патента: US20170127011A1. Автор: Akiyama Takashi,Takeuchi Masahiro,OKAJIMA Yoshinori,TANIYAMA Masayuki,TOYOKURA Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit and operation method and inspection method thereof

Номер патента: US20230377676A1. Автор: Hung-Ming Lin,Hung-Ju Huang. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit and display device and anti-interference method thereof

Номер патента: US20190236996A1. Автор: Chin-Hung Hsu,Hsi-Mao Yu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-08-01.

Radio frequency identification integrated circuit for reducing pin counts and rfid providing method thereof

Номер патента: US11900196B2. Автор: Li Sheng Lo,Hsin Chou Lee,Hsien-Yao Li. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Command controller for an integrated circuit memory device and test circuitry thereof

Номер патента: US6693846B2. Автор: Heiko Fibranz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-17.

Liquid crystal drive circuit and liquid crystal drive circuit control method

Номер патента: US09973192B2. Автор: Takashi Yamashita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Liquid crystal drive circuit and liquid crystal drive circuit control method

Номер патента: US09595965B2. Автор: Takashi Yamashita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

PROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUIT, CALCULATION SYSTEM, BIT STRING GENERATING DEVICE, CONTROL METHOD OF PROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUIT, AND BIT STRING GENERATION METHOD

Номер патента: US20190087523A1. Автор: Oikawa Kohei,INOUE Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Pumping power curcuit for integrated circuit memory device and pumping power charge control method thereof

Номер патента: KR100269296B1. Автор: 오승철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

TOUCH INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH SENSING DEVICE INCLUDING THE SAME AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104208A1. Автор: HYUNG Sangjoon,HWANG Seokhee,LEE JongOh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

DISPLAY DRIVING INTEGRATED CIRCUIT CONFIGURED TO PERFORM ADAPTIVE FRAME OPERATION AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220051631A1. Автор: Bae Jong-Kon,Hong Yunpyo,AHN Jihyun,Cheon Seongmin,KIM Donghwy. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

INTEGRATED CIRCUIT FOR CONVOLUTION CALCULATION IN DEEP NEURAL NETWORK AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20200090030A1. Автор: Tsai Yu-Pao,Tseng Wei-Hsiang,Chen Hong-Ching,Chen Tsung-Liang,YU Ching-Hao,Peng Chi-Wei,HUANG Shen-Jui,WEN Meng-Hsun,HOU Hsuan-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT FOR DRIVING DISPLAY PANEL AND FAN-OUT COMPENSATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180254004A1. Автор: Hsiao Chao-Chih. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-09-06.

INTEGRATED CIRCUIT FOR DRIVING DISPLAY PANEL AND FAN-OUT COMPENSATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180293955A1. Автор: Liu Yu-Shao. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-10-11.

COMPUTING DEVICE INCLUDING AN INTER-INTEGRATED CIRCUIT (I2C) COMMUNICATION MODULE AND A COMMUNICATION ERROR RECOVERY METHOD THEREOF

Номер патента: US20160357701A1. Автор: Kim Hyunseok,Lee Chul-Woo,Moon SungJin,HAN Gyucheol. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

INTEGRATED CIRCUIT, MOBILE DEVICE HAVING THE SAME, AND HACKING PREVENTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170357829A1. Автор: Kim Sangho,KIM Kwangho,PARK BEOMHEE. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Power management integrated circuit, mobile device having the same and clock adjusting method thereof

Номер патента: KR102320399B1. Автор: 김준석,신동석,김영덕,허정훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-03.

A kind of encryption method of single-chip microcomputer integrated circuit, circuit and device

Номер патента: CN104272312B. Автор: 韩性峰,郑玮琨. Владелец: SHENZHEN HIGFENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Synchronous DRAM semiconductor device having a data output buffer control circuit and a data output buffer control method thereof

Номер патента: KR100546277B1. Автор: 강영구,서동일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-06.

INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DISPLAY CONTROL METHOD

Номер патента: US20150077442A1. Автор: Ogawa Hideki. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Color Sequential Timing Controlling Circuit and both Color Sequential Display System and Method thereof

Номер патента: US20110063525A1. Автор: Hun-Wei Chen,Wen-Chih Tai,Shian-Jun Chiou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Shift register, gate driving circuit and display panel having the same, and method thereof

Номер патента: US20080001627A1. Автор: Joo-hyung Lee,Kee-han Uh,Man-Seung Cho,Sang-Jin Pak,Hyung-Guel Kim,Myung-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

Circuit and method for preventing recording error and method thereof

Номер патента: CN1312553A. Автор: 严佑植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-12.

Color sequential timing controlling circuit and both color sequential display system and method thereof

Номер патента: TW201110101A. Автор: Hun-Wei Chen,Wen-Chih Tai,Shian-Jun Chiou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Control method and control device of drive circuit and drive circuit

Номер патента: US11978418B2. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Data reading circuit and control method therefor

Номер патента: EP4210061A1. Автор: Yue Pan,Ziyue ZHANG,Mingen Bu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

TRANSMISSION POWER CONTROL CIRCUIT AND TRANSMISSION DEVICE, TRANSMISSION POWER CONTROL METHOD, PROGRAM

Номер патента: US20130237276A1. Автор: Itou Masatoshi. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2013-09-12.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor integrated device for acoustic applications with contamination protection element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9769554B2. Автор: Roberto Brioschi,Silvia Adorno,Kenneth Fonk. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit associated with clock generator, and associated control method

Номер патента: US09673795B2. Автор: Meng-Tse Weng,Jiunn-Yih Lee. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-mode power amplifying circuit, and multi-mode wireless transmission module and method thereof

Номер патента: US09484150B2. Автор: Ya-Wen Yang,Po-Chih Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Wireless charging circuit and system, electronic device, and control method

Номер патента: EP4246767A1. Автор: Tao Li,Zhiqiang Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Wireless Charging Circuit and System, Electronic Device, and Control Method

Номер патента: US20240006930A1. Автор: Tao Li,Zhiqiang Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US7082559B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device which has first chip and second chip accessed via the first chip and test method thereof

Номер патента: US20090167337A1. Автор: Yuji Tada,Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Kazunori Yamane,Manabu Kitabatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit and DMA control method of the same

Номер патента: US09323700B2. Автор: Masatoshi Tanabata. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Electronic apparatus including device configured to be shifted to power saving state and connected to pci device, and control method thereof

Номер патента: US20200250125A1. Автор: Toshio Yoshihara,Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Security circuit and security cancellation method

Номер патента: US20060196934A1. Автор: Takeaki Moto,Kosei Fujisaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09761299B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09536579B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor intergrated circuit and method for controlling semiconductor intergrated circuit

Номер патента: US20080201584A1. Автор: Masahiro Tatsumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit and data read method

Номер патента: US8605505B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Power supply semiconductor integrated circuit and power supply device

Номер патента: US20240302854A1. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit and an operating method thereof, a timing verifying method for a semiconductor integrated circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140132334A1. Автор: Hyoun Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor integrated circuit including command decoder for receiving control signals

Номер патента: US20030160645A1. Автор: Shinichi Yamada,Satoshi Eto,Satoru Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110242896A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Reference current source circuit and infrared signal processing circuit

Номер патента: US20080169861A1. Автор: Takahiro Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit and design method thereof

Номер патента: US20170293583A1. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor integrated circuit and testing method therefor

Номер патента: US20070189088A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Circuits and methods for matching device characteristics for analog and mixed-signal designs

Номер патента: US20050132314A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Charlie Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device and data-write method thereof

Номер патента: US20020145927A1. Автор: Kazumi Kojima,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010027546A1. Автор: Takehiko Hojo,Toshiyuki Kouchi,Yoshinori Sugisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit having latching means capable of scanning

Номер патента: US20040042332A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09727164B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09665448B2. Автор: Koichi Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09584106B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit having different operation modes and design method thereof

Номер патента: US10331602B2. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device and control method thereof

Номер патента: US20240212543A1. Автор: BO Wang,Fuqiang Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US9252750B2. Автор: Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor integrated circuit device and characteristic measurement method thereof

Номер патента: US20030168681A1. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor integrated circuit and operating method

Номер патента: US20020041529A1. Автор: Keisuke Fujiwara,Sachiko Edo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Integrated-circuit module and its manufacturing process

Номер патента: RU2165660C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-04-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of semiconductor integrated circuit, circuit design system, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US20210019462A1. Автор: Shintaro Fujiwara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160203859A1. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Array substrate and testing method thereof

Номер патента: US12062304B2. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060114052A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Testing method and semiconductor integrated circuit to which the same method is applied

Номер патента: US20140040686A1. Автор: Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742405B2. Автор: Hiroaki Fujimoto,Hisanori Fujisawa,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09601190B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit with data latch control

Номер патента: US09502084B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Motor drive control device and operation method thereof

Номер патента: US09496814B2. Автор: Minoru Kurosawa,Yuki Matsuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Liquid crystal panel, and testing circuit and testing method thereof

Номер патента: US09483969B2. Автор: Jinjie WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit operable and programmable at multiple voltage levels

Номер патента: US5615151A. Автор: Yasuhiro Nakamura,Takeshi Furuno,Akinori Matsuo. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Designing and operating of semiconductor integrated circuit by taking into account process variation

Номер патента: US20070226660A1. Автор: Toshio Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5214609A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Hiroto Nakai,Nobuaki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and control method

Номер патента: US11749358B2. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit deciding a power-supply voltage based on a delay test

Номер патента: US8598944B2. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090085626A1. Автор: Hiroyuki Nakajima,Shigeyuki Ueno. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US09472308B1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Contactless integrated-circuit card

Номер патента: RU2189633C2. Автор: Роберт РАЙНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-20.

Semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US5388054A. Автор: Takeji Tokumaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and its processing allocation method

Номер патента: EP1933463A1. Автор: Tatsuya c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. TETSUKAWA,Minoru c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. OKAMOTO,Shinichi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. MARUI. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Semiconductor integrated circuit with circuits for generating stable reference potential

Номер патента: US5223744A. Автор: Kenji Anami,Shigeki Ohbayashi,Atsushi Ohba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8914561B2. Автор: Masateru Nishimoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140013133A1. Автор: Masateru Nishimoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US20210295929A1. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US11302402B2. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Layout data generation equipment of semiconductor integrated circuit, data generation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080141196A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Kiminobu Suzuki,Shigeo Ohshima,Takamichi Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US9035695B2. Автор: Noriyuki Natsukawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20140077847A1. Автор: Noriyuki Natsukawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US6577543B2. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006781A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006780A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20120230105A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Masato Oda,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020118290A1. Автор: Norimitsu Baba,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Apparatus for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7920007B2. Автор: Chang Ki Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US20020008555A1. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9274583B2. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110153241A1. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitusmi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10496569B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190087365A1. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Apparatus and method for controlling refresh operation of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070291568A1. Автор: Jong Yeol Yang,Tae Woo Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200083235A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Standard cell library, method of using the same, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09830415B2. Автор: Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory integrated circuit with built-in redundancy

Номер патента: US09620203B2. Автор: Shinichi Yasuda,Koichiro ZAITSU,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit mountable on recording device and method of operating the same

Номер патента: US09501879B2. Автор: Yutaka Funabashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455022B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09437643B2. Автор: Takeshi Kawamura,Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09431065B2. Автор: Mutsuo Nishikawa,Kazuhiro Matsunami,Yuko Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit, radio frequency identification transponder, and non-cotact IC card

Номер патента: US20030183699A1. Автор: Shoichi Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of and apparatus for placing and routing elements of semiconductor integrated circuit having reduced delay time

Номер патента: US5917729A. Автор: Masayuki Naganuma,Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7643365B2. Автор: Yoshikazu Kurose,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor integrated circuit and layout apparatus in which guard-ring is interposed between input-output circuits

Номер патента: US6078085A. Автор: Hajime Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

On-chip termination apparatus in semiconductor integrated circuit, and method for controlling the same

Номер патента: US20030197525A1. Автор: Seong-Jin Jang,Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20100067292A1. Автор: Takeshi Honda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US20170309327A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US7782689B2. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same

Номер патента: US20160091943A1. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020017923A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110170362A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor integrated circuit and control method for the same

Номер патента: US20140049316A1. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP2200078A4. Автор: Yasuhide Sosogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same, which provides for dynamic control of the supply voltage

Номер патента: US10089258B2. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

Information processing system, semiconductor integrated circuit, and information processing method

Номер патента: US20190251049A1. Автор: Satoru Okamoto,Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020196053A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110161691A1. Автор: Takeshi Ishibashi,Takashi Shimada,Masahiro Tatsumi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Daisy-chain spi integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: EP4198756A1. Автор: Chi-Cheng Lin,Shan-Chieh Wen,Ming-Huai Weng,Guei-Lan Lin,Che-Hao Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Touch control apparatus and noise compensating circuit and method thereof

Номер патента: US09830018B2. Автор: Chang-Po Chao,Yi-Chuan Lu,chang-xian Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4980890A. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tadashi Saitoh,Takayoshi Taniai. Владелец: Fujitsu Microcomputer Systems Ltd. Дата публикации: 1990-12-25.

Semiconductor integrated circuit having post-package testing function for error detection and correction circuit

Номер патента: US5263031A. Автор: Makoto Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5270584A. Автор: Takahiro Hara,Yasuji Koshikawa,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor integrated circuit device operated with an applied voltage lower than required by its clock oscillator

Номер патента: US5126695A. Автор: Sachiyuki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-06-30.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20080303494A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor integrated circuit device including circuit block having hierarchical structure and method of designing the same

Номер патента: US20020070759A1. Автор: Hideki Yamauchi,Tatsushi Ohyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor integrated circuit, storage device, and error correction method

Номер патента: US11132254B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Kazuhiko Bando. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Magnetic integrated circuit for multiphase interleaved flyback converter and controlling method thereof

Номер патента: TW200910748A. Автор: Wei Chen,Zeng-Yi Lu,Ming-Hsien Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-03-01.

Semiconductor integrated device for acoustic applications with contamination protection element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160261941A1. Автор: Roberto Brioschi,Silvia Adorno,Kenneth Fonk. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods for testing integrated circuits of wafer and testing structures for integrated circuits

Номер патента: US20140367684A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Mark A. DiRocco,Michael T. Coster. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Step-up circuit and step-up circuit control method

Номер патента: US12040707B2. Автор: Jun Wang,Lei Shi,Yongbing GAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Voltage boosting/lowering circuit and voltage boosting/lowering circuit control method

Номер патента: US20140333275A1. Автор: Takeshi Uchiike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Wireless charging circuit and system, electronic device, and control method

Номер патента: EP4246767A4. Автор: Tao Li,Zhiqiang Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED VOLTAGE ACROSS GATE DIELECTRIC AND OPERATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20130162332A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2013-06-27.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING AIR GAPS AROUND INTERCONNECT STRUCTURES, AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20130221541A1. Автор: Chen Chih-Hao,CHEN Chii-Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-29.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170148869A1. Автор: Detalle Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Integrated circuit semiconductor device having uniform silicide juction and fabrication method thereof

Номер патента: KR100429886B1. Автор: 진교영,장세명,김현창,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-03.

Integrated circuit semiconductor device having uniform silicide juction and fabrication method thereof

Номер патента: KR20030088797A. Автор: 진교영,장세명,김현창,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuits with reduced voltage across gate dielectric and operating methods thereof

Номер патента: US9076858B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Integrated circuit having a channel of sidewall spacer and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970003840B1. Автор: 송윤협. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-22.

Integrated Circuit Semiconductor Device Including Stacked Level Transistors and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20090108318A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Dong-gun Park,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim,Kang-Uk Kim,Woun-Suck Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Switching power supply switching circuit, and charging current source and control method thereof

Номер патента: CN103248208A. Автор: 李磊. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Refrigerating output control device and test device and control method using the refrigerating output control device

Номер патента: CN102635990B. Автор: 徐月明. Владелец: HANGZHOU XUTEMP TEMPTECH CO Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Multi-path charging circuit and protocol control module and control method thereof

Номер патента: CN111628537A. Автор: 黄胜,朱罡,雷健,宁志华,夏原野,郭瑭瑭. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-04.

Control circuit and switching power supply and control method thereof

Номер патента: CN103066853A. Автор: 李晖,�龙昊,张军民. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

INTEGRATED CIRCUIT ASSOCIATED WITH CLOCK GENERATOR, AND ASSOCIATED CONTROL METHOD

Номер патента: US20170070218A1. Автор: Weng Meng-Tse,Lee Jiunn-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Circuits and Structures Including Tap Cells and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20170194319A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

MULTI-MODE POWER AMPLIFYING CIRCUIT, AND MULTI-MODE WIRELESS TRANSMISSION MODULE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140097698A1. Автор: Wang Po-Chih,YANG Ya-Wen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-04-10.

Circuits and Structures Including Tap Cells and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20170194319A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,jin-wei Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Power conversion circuit and control method therefor

Номер патента: EP4325708A1. Автор: Ken Chin,Liangyun Kang,Shanglin MO,Yuanjun Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Power conversion circuit and power conversion circuit control method

Номер патента: US20240055982A1. Автор: Ken Chin,Liangyun Kang,Shanglin MO,Yuanjun Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Charging control circuit and charging device and charge control method and charging method

Номер патента: CN103683357B. Автор: 江力,熊江,戴加良. Владелец: Juxin (zhuhai) Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

VOLTAGE BOOSTING/LOWERING CIRCUIT AND VOLTAGE BOOSTING/LOWERING CIRCUIT CONTROL METHOD

Номер патента: US20140333275A1. Автор: UCHIIKE Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Switching power source device, switching power source control circuit, and switching power source device control method

Номер патента: CN101677215A. Автор: 陈建,园部孝二. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Light-operated lamp control circuit and luminance threshold regulate and control method

Номер патента: CN108617064A. Автор: 吴聪. Владелец: Shenzhen All Wisdom Core Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Switched capacitor conversion circuit, and charging control system and control method

Номер патента: EP3691100A4. Автор: Cheng Yang,Qinghui HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Three-level control circuit, and power conversion device and control method therefor

Номер патента: WO2023098193A1. Автор: 王越天. Владелец: 上海安世博能源科技有限公司. Дата публикации: 2023-06-08.

Switching power source device, switching power source control circuit, and switching power source device control method

Номер патента: CN101677215B. Автор: 陈建,园部孝二. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-16.

Liquid discharge device, head unit, capacitive load driving circuit and capacitive load driving circuit control method

Номер патента: JP2016141070A. Автор: Masashi Sano,賢史 佐野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-08.

Digital phase synchronizing circuit and digital phase synchronizing circuit control method

Номер патента: WO2008126223A1. Автор: Yoshito Koyama,Koji Nakamuta. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US09602384B2. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Information processing apparatus capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US9825621B2. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US20180374840A1. Автор: Daisuke Nakagawa,Katsuhiko Fukasaku. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US09531977B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi,Fumihiko Tachibana,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Reset detection circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070210834A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090160544A1. Автор: Kenichi Osada,Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Operational comparator, differential output circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090153199A1. Автор: Shinichiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240333214A1. Автор: Kenichi Motoki,Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Voltage control of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09509301B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Chien-Ju Chao,King-Ho Tam. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100033235A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090127606A1. Автор: Koichi Kinoshita,Natsuki Kushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Post-silicon tuning in voltage control of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09564896B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chien-Ju Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6559718B2. Автор: Ryotaro Kudo,Jin Kiong Ang,Shin Chiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP4068358A2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09478543B2. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100155726A1. Автор: Hideo Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4935800A. Автор: Minoru Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US9899385B2. Автор: Takashi Yamazaki,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180302577A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20130076414A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US8373587B2. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US20110304359A1. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960116B2. Автор: Kazuaki Ohshima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Image forming apparatus, control method of image forming apparatus, and storage medium

Номер патента: US20190115827A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor integrated circuit and imaging device

Номер патента: US11350050B2. Автор: Naohiko Kimizuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220085008A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20190051692A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190378833A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit and method of operating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130194010A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170301717A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170221955A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11929362B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US20160211806A1. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit memory and preparation method therefor, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4068345A1. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US9000501B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Sram device and 3d semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20230337443A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Sang-Yeop BAECK,Dae Young Moon,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20200365642A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20160211300A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US10269856B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120223737A1. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8299815B2. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279082A1. Автор: Isao Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170077094A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160293583A1. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09997496B2. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit, image transmission apparatus and image transmission system

Номер патента: US09900604B2. Автор: Keiri NAKANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09859356B2. Автор: Tung-Hsing Lee,Ming-Da Tsai,Cheng-Chou Hung,Tao-Yi Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09847331B2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit, variable gain amplifier, and sensing system

Номер патента: US09831842B2. Автор: Masahide Kiritani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09728408B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor integrated circuit layout structure

Номер патента: US09673145B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit with nano gap

Номер патента: US09653349B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US09595523B2. Автор: Young-Chang Kim,Dong-Geon Kim,Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09570347B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09559681B2. Автор: Junichi Saito,Tomoyuki Sawataishi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09548302B2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit device having protective split at peripheral area of bonding pad and method of manufacturing same

Номер патента: US09536821B2. Автор: Takashi Moriyama,Katsuhiko Hotta,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US09531401B2. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09478430B2. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09455178B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit for communication

Номер патента: US20110053529A1. Автор: Kazuhisa Okada,Hiroaki Matsui,Ryoji Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6720214B2. Автор: Yoshiteru Ono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6140686A. Автор: Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Hiroyuki Mizuno,Masayuki Miyazaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Input circuit of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having input circuit

Номер патента: US5073726A. Автор: Shinichi Kikuchi,Hiroshi Iwahashi,Hideo Kato,Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Semiconductor integrated circuit, logic operation circuit, and flip flop

Номер патента: EP1170865A2. Автор: Yukiko Ito,Masayuki Koizumi,Naoyuki Kawabe,Masahiro Kanazawa,Kimiyoshi Usami,Toshiyuki Furusawa,Hidemasa 435 Creare-Toshiba-Motosumiyoshi Zama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-09.

Semiconductor integrated circuit that can turn off part of a write area without turning off a memory area and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10630915B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US11979164B2. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070286316A1. Автор: Shigekiyo Akutsu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA2250352A1. Автор: Norbert Stath,Hans-Ludwig Althaus,Werner Späth,Werner Kuhlmann. Владелец: Werner Kuhlmann. Дата публикации: 1997-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9991221B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit unit

Номер патента: US5412558A. Автор: Kenichi Onda,Hideki Miyazaki,Mutsuhiro Mori,Naoki Sakurai,Akihiko Kanouda,Hidetoshi Arakawa. Владелец: Hitachi Haramachi Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-05-02.

Semiconductor integrated circuit device, charge pump circuit, and electric appliance

Номер патента: US20070236972A1. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070146049A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Integrated circuit layout utilizing separated active circuit and wiring regions

Номер патента: CA1102009A. Автор: Algirdas J. Gruodis,John Balyoz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090095884A1. Автор: Toshio Mochizuki,Takanobu Ambo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor Integrated Circuit Having a Switched Charge Pump Unit and Operating Method Thereof

Номер патента: US20120189139A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Test board for integrated circuit package structure and testing method

Номер патента: TW508715B. Автор: Po-Jen Cheng,Chiu-Wen Lee,Heng-Yu Kung,Jin-Zhu Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2002-11-01.

Nano CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) integrated device with strain Si vertical clip-shaped channel and preparation method thereof

Номер патента: CN102723332A. Автор: 宋建军,王斌,王海栋,郝跃,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,李妤晨. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-10.

Integrated circuit with auto-selective mixed output voltage and manufacturing method thereof

Номер патента: TW314651B. Автор: Shinn-Kae Hwang,Shenq-Shyong Jou. Владелец: Hualon Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-09-01.

Interface circuit and method, pachinko gaming machine and operation method thereof, information processing apparatus and method, and information processing system

Номер патента: JP4332797B2. Автор: 勉 味岡,敬介 石橋,康之 大場. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Inverter circuit and voltage space vector pulse width modulation method thereof

Номер патента: CN102307018A. Автор: 朱永强,王文山,赵正奎. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-04.

Inverter circuit and voltage space vector pulse width modulation method thereof

Номер патента: CN102307018B. Автор: 朱永强,王文山,赵正奎. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-25.

VOLTAGE BOOSTING/LOWERING CIRCUIT AND VOLTAGE BOOSTING/LOWERING CIRCUIT CONTROL METHOD

Номер патента: US20120126769A1. Автор: UCHIIKE Takeshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Ice cream maker control circuit and ice cream soft durometer control method

Номер патента: CN104216446B. Автор: 高俊岭,刘富林. Владелец: GUANGDONG FUXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-09.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001097A1. Автор: . Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CLOCK DIVIDER CIRCUIT AND SYSTEM LSI HAVING SAME

Номер патента: US20120001664A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

REPLAY CONTROL METHOD AND REPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002944A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of comparative test for reliability of batches of integrated circuits

Номер патента: RU2546998C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Артем Александрович Клюкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.