METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, IN PARTICULAR MOS TRANSISTORS OR MOS / BIPOLAR TRANSISTORS
Номер патента: FR2735906B1
Опубликовано: 05-09-1997
Автор(ы): Philippe Gayet
Принадлежит: SGS Thomson Microelectronics SA
Опубликовано: 05-09-1997
Автор(ы): Philippe Gayet
Принадлежит: SGS Thomson Microelectronics SA
Method for forming word line of semiconductor device
Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.