Bipolar transistor device with an emitter having two types of emitter regions .

Bipolar transistor device with an emitter having two types of emitter regions

Номер патента: US9741571B2
Опубликовано: 22-08-2017
Автор(ы): Antonio Vellei, Christian Jaeger, Franz-Josef Niedernostheide, Hans-Joachim Schulze, Roman Baburske
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160380072A1. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09583587B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Xuan Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Insulated Gate Bipolar Transistor Having First and Second Field Stop Zone Portions and Manufacturing Method

Номер патента: US20190165151A1. Автор: Wolfgang Roesner,Christoph Weiss,Christian Philipp Sandow,Oana Julia Spulber,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Insulated gate bipolar transistor and preparation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20230015515A1. Автор: Hui Zhu,Baowei Huang,Xiuguang XIAO. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230290828A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Daniel Schlögl,Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistors having partially-depleted intrinsic base

Номер патента: US20140357043A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Lateral bipolar transistors having partially-depleted intrinsic base

Номер патента: US20140353726A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for making high-frequency bipolar transistor

Номер патента: US5940711A. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 1999-08-17.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Bipolar transistor device fabrication methods

Номер патента: US09893164B2. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Bipolar transistor and manufacturing method

Номер патента: US11798937B2. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for fabricating anode shorted field stop insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09478646B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Xiaotian Zhang,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US09450069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Bipolar transistor

Номер патента: US12125894B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Bipolar transistor

Номер патента: US11837647B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220190140A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Lateral heterojunction bipolar transistor with emitter and/or collector regrown from substrate and method

Номер патента: US11990535B2. Автор: Haiting Wang,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process

Номер патента: US4381953A. Автор: Cheng T. Horng,Allen P. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-05-03.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Bipolar transistor

Номер патента: US09761701B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar Transistor

Номер патента: US20170179264A1. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US09871125B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-16.

High power insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09548374B2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Bipolar transistor with side wall base contacts

Номер патента: US5001533A. Автор: Toshio Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-19.

Method of forming a biCMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09831135B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming a BICMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09595480B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Lateral pnp bipolar transistor formed with multiple epitaxial layers

Номер патента: US20150069464A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Ion implantation to increase emitter energy gap in bipolar transistors

Номер патента: CA1224280A. Автор: Kranti Anand,Robert J. Strain. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with a gate electrode positioned in a semiconductor substrate

Номер патента: US10319831B2. Автор: Toru Onishi,Tomoharu IKEDA,Shuhei Oki,Rahman MD. TASBIR. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Low-temperature epitaxial method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor (IGBT)

Номер патента: US09520479B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming a bipolar transistor

Номер патента: US8263469B2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar,Patrick Martin McGuiness. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-11.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and method therefor

Номер патента: US10892361B2. Автор: Zihao M. Gao,Christopher Paul Dragon,Walter Sherrard Wright. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and method therefor

Номер патента: US20200152787A1. Автор: Zihao M. Gao,Christopher Paul Dragon,Walter Sherrard Wright. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and method therefor

Номер патента: US20190181262A1. Автор: Zihao M. Gao,Christopher Paul Dragon,Walter Sherrard Wright. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US9312369B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-12.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200035793A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

P-n junction based devices with single species impurity for p-type and n-type doping

Номер патента: US20200161436A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10615261B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

P-N junction based devices with single species impurity for P-type and N-type doping

Номер патента: US10777645B2. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: US12142672B2. Автор: Hiroki Sugiyama,Hideaki Matsuzaki,Minoru Ida,Takuya Hoshi,Yuta Shiratori,Yuki Yoshiya. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Double-epitaxy heterojunction bipolar transistors for high speed performance

Номер патента: US5648666A. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Liem Thanh Tran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having a wide band gap emitter/collector which are epitaxially grown

Номер патента: US09437718B1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau,Joonah Yoon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US09647065B2. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20200312957A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US20150108542A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor wafer, method of producing semiconductor wafer, and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09761686B2. Автор: Naohiro Nishikawa,Tsuyoshi Nakano,Sadanori Yamanaka. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US11728381B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Electrostatic discharge (esd) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US20230335593A1. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US12027587B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Reverse conduction insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufacturing method

Номер патента: US09666682B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing a reverse blocking insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8501549B2. Автор: Masaaki Ogino. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Bipolar transistor has intrinsic base region with an electronically conductive silicide layer in close contact with base layer

Номер патента: DE102004054806A1. Автор: Bernhard LÖFFLER,Hubert Dr. Enichlmair. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2006-05-24.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: WO2006109221A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers,Raymond J E Hueting. Владелец: Raymond J E Hueting. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods for forming high gain tunable bipolar transistors

Номер патента: US20120264270A1. Автор: XIN Lin,Daniel J. Blomberg,Jiang-Kai Zou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-18.

Use of oblique implantation in forming emitter of bipolar transistor

Номер патента: WO1997024766A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1997-07-10.

Bipolar transistors

Номер патента: US12107124B2. Автор: John J. Pekarik,Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180108762A1. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-04-19.

Parasitic pnp bipolar transistor in a silicon-germanium bicmos process

Номер патента: US20120061793A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device with a toroidal-like junction

Номер патента: WO2005038867A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Logic SOI structure, process and application for vertical bipolar transistor

Номер патента: US6790722B1. Автор: Russell J. Houghton,Wilbur D. Pricer,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni,William R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

Bipolar transistors

Номер патента: GB2322965A. Автор: Hideki Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-09.

High fT and fmax Bipolar Transistor and Method of Making Same

Номер патента: US20040262713A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A3. Автор: Qizhi Liu,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-05-12.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing IC comprising a bipolar transistor and IC

Номер патента: US09431524B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration

Номер патента: US4178190A. Автор: Murray A. Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11843034B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of reducing the base resistance of bipolar transistors

Номер патента: GB2419230A. Автор: Jun Fu. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of manufacturing a bipolar transistor and bipolar transistor

Номер патента: US20120132999A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-31.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230395706A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Bipolar transistor

Номер патента: EP2497113A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053927A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Vertical bipolar transistors

Номер патента: US11855197B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Bipolar transistors

Номер патента: US12009412B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Bipolar transistors

Номер патента: EP4203068A1. Автор: John J. Pekarik,Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-28.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A3. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-06-30.

Heterojunction bipolar transistors with stress material for improved mobility

Номер патента: US11876123B2. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with a toroidal-like junction

Номер патента: US20070087557A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device with a toroidal-like junction

Номер патента: US20070075400A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

SOI lateral bipolar transistors having surrounding extrinsic base portions

Номер патента: US09502504B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit including a bipolar transistor and methods of making the same

Номер патента: US20120235280A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Chun-Tsung Kuo,Wei-Tung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

III-V, SiGe, or Ge base lateral bipolar transistor and CMOS hybrid technology

Номер патента: US09496184B2. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Bipolar transistor with segmented emitter contacts

Номер патента: US20210028300A1. Автор: HIROSHI Yasuda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Bipolar transistor with segmented emitter contacts

Номер патента: US11923442B2. Автор: HIROSHI Yasuda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Bipolar Transistor Including Lateral Suppression Diode

Номер патента: US20160260711A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Bipolar transistor including lateral suppression diode

Номер патента: US20160126234A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Bipolar transistor including lateral suppression diode

Номер патента: US10177140B2. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Methods of manufacturing a transistor device

Номер патента: WO2020074930A1. Автор: David Summerland. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Heterojunction bipolar transistor with a thickened extrinsic base

Номер патента: US20180240897A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20160049493A1. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of making an oxide isolated, lateral bipolar transistor

Номер патента: US5070030A. Автор: Kyusaku Nishioka,Tatsuhiko Ikeda,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Isolation scheme for bipolar transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140117493A1. Автор: Peng Cheng,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Robert K. Leidy,Peter B. Gray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20150200284A1. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09608084B2. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Lateral bipolar transistor and FET

Номер патента: US5574306A. Автор: Sheng-Hsing Yang,Ying-Tzung Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Adjustable bipolar transistors formed using a CMOS process

Номер патента: US7927955B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Bernhard H. Grote. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-19.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11810969B2. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240021713A1. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09640631B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Gregory Avenier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-02.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20110034001A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Erwin Hijzen,Sebastien Nuttinck,Guillaume L. R. Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-10.

Bipolar transistor with inclined epitaxial layer

Номер патента: US6730981B2. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Methods for producing bipolar transistors with improved stability

Номер патента: US09466687B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Parasitic Vertical PNP Bipolar Transistor in BICMOS Process

Номер патента: US20110156202A1. Автор: Jun Hu,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Bipolar transistor formed using selective and non-selective epitaxy for base integration in a BiCMOS process

Номер патента: US7462923B1. Автор: Greg D. U'ren. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-12-09.

Hetero-junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194561A1. Автор: Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Bipolar transistor

Номер патента: US8330223B2. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200119171A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Angled implant to improve high current operation of bipolar transistors

Номер патента: US20020006707A1. Автор: Michael Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US5268314A. Автор: George W. Conner. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Fabrication of radio-frequency devices with amplifier voltage limiting features

Номер патента: US20170373052A1. Автор: Michael Joseph McPartlin,Anthony Francis Quaglietta. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with 3d isolation

Номер патента: US20230369475A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Polysilicon-collector-on-insulator polysilicon-emitter bipolar transistor

Номер патента: US5256896A. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Lateral bipolar junction transistor device and method of making such a device

Номер патента: US20210273061A1. Автор: Haiting Wang,Tung-Hsing Lee,Zhenyu Hu,Tamilmani Ethirajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

SOI lateral bipolar transistor with edge-strapped base contact and method of fabricating same

Номер патента: US5298786A. Автор: Yuan Taur,Denny D. Tang,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20210098574A1. Автор: Edward John Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-01.

A bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: EP3813126A2. Автор: Edward Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-28.

A bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: EP3813126A3. Автор: Edward Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-07-21.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5477066A. Автор: Masahiko Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20190237566A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20220130983A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20210234026A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200335611A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20180248023A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

A transistor device

Номер патента: EP4070384A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

A transistor device

Номер патента: WO2022123261A4. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Reverse conducting lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20240222478A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Siyu Chen. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20200091327A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Yuma Kagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical type insulated gate bipolar transistor having a planar gate structure

Номер патента: US5925899A. Автор: Hideki Nakamura,Tadaharu Minato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20200243673A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09953971B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09634129B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US11949004B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20210202726A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09722040B2. Автор: Munaf Rahimo,Maxi ANDENNA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Insulated gate bipolar transistor device having a fin structure

Номер патента: US09978837B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09443926B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and related methods

Номер патента: US20170221881A1. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20220384626A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US10170606B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US10658499B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and method for producing a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2024141213A1. Автор: Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Boni Boksteen. Владелец: Hitachi Energy Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and method for producing a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4394883A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

VTS insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482322A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor device having lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20130168730A1. Автор: Shigeki Takahashi,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Deep trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482325A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region

Номер патента: US09543421B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-23.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384334A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Insulated gate bipolar transistor comprising negative temperature coefficient thermistor

Номер патента: US09825023B2. Автор: Wolfgang Scholz,Thomas Basler,Joachim Mahler,Stephan Voss,Erich Griebl,Peter Tuerkes,Philipp Seng,Daniel PEDONE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5289019A. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Bipolar Semiconductor Device with Sub-Cathode Enhancement Regions

Номер патента: US20170271487A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100032713A1. Автор: Hideaki Kawahara,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230207672A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US6072199A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing laterally insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09865702B2. Автор: FENG Lin,Feng Huang,Guipeng Sun,Bing Zhao,Lixiang LIU,Guangtao Han,Longjie ZHAO,Huatang LIN,Liangliang PING,Fengying CHEN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having an insulated gate bipolar transistor arrangement and a method for forming such a semiconductor device

Номер патента: US09515066B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

SiC devices with high blocking voltage terminated by a negative bevel

Номер патента: US9349797B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Michael John O'Loughlin,Anant K. Agarwal,Albert Augustus Burk, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20180158937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20190333991A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-31.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20200350402A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20180269285A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Power device with trenched gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120256230A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079402A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20150024570A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: WO2011008359A2. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-01-20.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20110278570A1. Автор: Ramana Murty Malladi,James Albert Slinkman,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A M Hurkx,Raymond J Duffy. Владелец: Raymond J Duffy. Дата публикации: 2007-09-27.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023B1. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-02.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-25.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: EP1527482A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa 402 ICHINOHE. Владелец: Nanoteco Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

A bipolar transistor with reduced emitter to base capacitance

Номер патента: US20020197808A1. Автор: Klaus Schuegraf. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-26.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US12068402B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210272877A1. Автор: Kuo-Chun Huang,Wen-Pin Lu,Chi-Chun Lin,Chao-Hung Chen,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within In-insulator layer cavities and method

Номер патента: US11894450B2. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical bipolar transistor with a monocrystalline extrinsic base and method therefor

Номер патента: EP4379807A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-05.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4647958A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1987-03-03.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20230387208A1. Автор: Pascal Chevalier,Thomas Zimmer,Sebastien Fregonese. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20130087799A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-04-11.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20140162426A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-06-12.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: WO2004017415A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa Ichinohe. Владелец: Nanoteco Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (RF) performance

Номер патента: US09502510B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

A transistor device and a method of operating thereof

Номер патента: EP4430672A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Method for manufacturing bipolar transistor

Номер патента: US7442617B2. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Heterojunction bipolar transistor with marker layer

Номер патента: US20210091214A1. Автор: Herbert Ho,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt,Viorel Ontalus,Claude Ortolland. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Bipolar transistor in which impurities are introduced from emitter electrode material to form emitter region

Номер патента: US20010042900A1. Автор: Hiroshi Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Bipolar transistor having an emitter region formed of silicon carbide

Номер патента: US6049098A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: EP1497868A4. Автор: Kyushik Hong,Richard S Burton,Noureddine Matine,Debora L Green,Charles F Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: WO2003085743B1. Автор: Kyushik Hong,Richard S Burton,Noureddine Matine,Debora L Green,Charles F Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Structure and method for an emitter ballast resistor in an hbt

Номер патента: EP1497868A1. Автор: Richard S. Burton,Kyushik Hong,Noureddine Matine,Debora L. Green,Charles F. Krumm. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Bipolar transistor with a particular base and collector regions

Номер патента: US5374846A. Автор: Hisashi Takemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Annular bipolar transistors

Номер патента: US11804542B2. Автор: Judson R. Holt,Jagar Singh,Arkadiusz Malinowski,Alexander M. Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Low-loss bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040026764A1. Автор: Koji Nakano,Fumihiko Hirose,Yutaka Souda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Heterojunction bipolar transistor and fabrication method of the same

Номер патента: US20070215979A1. Автор: Shigetaka Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Heterojunction bipolar transistor and fabrication method of the same

Номер патента: US7859030B2. Автор: Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Bipolar transistor having an improved epitaxial base region

Номер патента: US5789800A. Автор: Hiroshi Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: CA1290079C. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia Lavelle Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with elevated extrinsic base and methods to form same

Номер патента: US20220336646A1. Автор: Judson R. Holt,Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11837460B2. Автор: Alexander Martin,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11967635B2. Автор: Randy L. Wolf,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240363741A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a bipolar transistor having an emitter overhang

Номер патента: US5286661A. Автор: John W. Steele,Edouard D. De Frèsart. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Twin current bipolar device with hi-lo base profile

Номер патента: US20010010963A1. Автор: Chiou-Shian Peng,Jun-Lin Tsai,Kuo-Chio Liu,Ruey-Hsing Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12074211B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Twin current bipolar device with hi-lo base profile

Номер патента: US6747336B2. Автор: Chiou-Shian Peng,Jun-Lin Tsai,Kuo-Chio Liu,Ruey-Hsing Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-08.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US4957875A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (rf) performance

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Polysilicon sidewall spacer lateral bipolar transistor on SOI

Номер патента: US20060060941A1. Автор: Wai Ng,Koji Kanekiyo,I-Shan Sun. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20170365687A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US9947760B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-17.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20210210626A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11791404B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11164962B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20100133586A1. Автор: Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,Byoung-Gue Min,Seong-II Kim,Hyung-Sup Yoon,Eun-Soo Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-03.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bipolar transistor for use in linear amplifiers

Номер патента: WO1996010844A1. Автор: Pablo E. D'Anna,William H. Mccalpin,Rickey C. Wong. Владелец: Spectrian, Inc.. Дата публикации: 1996-04-11.

Bipolar transistor structure

Номер патента: AU2034201A. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-06-12.

Bipolar transistor structure

Номер патента: US20010016421A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20170018606A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20160204234A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Bipolar transistor structure

Номер патента: EP1238424A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-11.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140370683A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140367745A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030183846A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Bipolar transistor and method with recessed base electrode

Номер патента: US20120199881A1. Автор: Vishal P. Trivedi,Jay P. John,James A. Kirchgessner. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-08-09.

Bipolar transistor and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20030075737A1. Автор: Seiji Yaegashi,Takeshi Kawasaki,Hiroshi Yano,Kenji Kotani,Masaki Yanagisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Insulated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240250159A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Yuanlin Yuan,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Side-etching method of making bipolar transistor

Номер патента: CA1241458A. Автор: Tetsushi Sakai,Yoshiji Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Insulated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240250137A1. Автор: WEI Liu,Rui Wang,Yuanlin Yuan,Minzhi Lin. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Lateral bipolar junction transistor device and method of making such a device

Номер патента: US20220199810A1. Автор: Haiting Wang,Ali Razavieh,Arkadiusz Malinowski,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

HV complementary bipolar transistors with lateral collectors on SOI with resurf regions under buried oxide

Номер патента: US09640611B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240030320A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12040388B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Lateral bipolar transistor with thermal conductor underneath the base

Номер патента: EP4243056A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240297242A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060030113A1. Автор: Akiyoshi Tamura,Keiichi Murayama,Kenichi Miyajima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Soi lateral bipolar transistors having surrounding extrinsic base portions

Номер патента: US20150179778A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Base silicide on monocrystalline base structures in bipolar transistors

Номер патента: EP4290581A1. Автор: Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220020868A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Low Parasitic Ccb Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20220157939A1. Автор: Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-05-19.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device with bipolar junction transistor cells

Номер патента: US09508711B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Bipolar transistor having a self emitter contact aligned

Номер патента: US5548141A. Автор: Han-Tzong Yuan,Donald L. Plumton,Jau-Yuann Yang,Francis J. Morris. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-08-20.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with monocrystalline extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4310914A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20080230808A1. Автор: Shigetaka Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Bipolar transistors with multilayer collectors

Номер патента: US11990536B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240030308A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Repeater emitter for lateral bipolar transistor

Номер патента: WO2022231884A1. Автор: Aravind Appaswamy,Jofin VADAKKEPARASSERIL. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for forming an isolated, low resistance epitaxial subcollector for bipolar transistors

Номер патента: US5286997A. Автор: Darrell Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor

Номер патента: US11916135B2. Автор: Viorel Ontalus,Justin C. Long,Robert K. BAIOCCO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Compound semiconductor heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210020764A1. Автор: Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-21.

Bipolar transistors having controllable temperature coefficient of current gain

Номер патента: US20060202307A1. Автор: Ashok Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1878045A2. Автор: Joost Melai,Vijayaraghavan Madakasira. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-16.

Hetero-Junction Bipolar Transistor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230307518A1. Автор: Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Low parasitic Ccb heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US11658210B2. Автор: Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-05-23.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: EP4300590A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP4276911A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP4280286A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: EP1468450A1. Автор: Timothy Jonathan Qinetiq Limited PHILLIPS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: AU2002367213A1. Автор: Timothy Jonathan Phillips. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

A high performance bipolar transistor

Номер патента: WO2002075805A1. Автор: Klaus F. Schuegraf,Peter J. Zampardi,Peter Asbeck,Paul Kempf. Владелец: CONEXANT SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor-on-insulator lateral heterojunction bipolar transistor having epitaxially grown intrinsic base and deposited extrinsic base

Номер патента: US09887278B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Hetero-junction bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US11798995B2. Автор: Minoru Ida,Takuya Hoshi,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20070232008A1. Автор: Yutaka Hirose,Satoshi Nakazawa,Tsuyoshi Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Manufucturing method of packaging structure for bipolar transistor with constricted bumps

Номер патента: US20230307400A1. Автор: Ryoichi Kato,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: EP2438611A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: WO2010141237A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-12-09.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: EP3586372A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: WO2018156242A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-30.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Manufacturing approach for collector and a buried layer of bipolar transistor

Номер патента: US8420495B2. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Bipolar-transistor

Номер патента: EP1611616A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-04.

Bipolar-transistor

Номер патента: WO2004090989A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance

Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method making the same

Номер патента: US20050085035A1. Автор: Norio Hayafuji,Rui-Huang Cheng,Chih-Chiang Shen,Chang-Jung Chu,Yong-Yin Chen,Chin-Kun Peng. Владелец: Procomp Informatics Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Sic devices with high blocking voltage terminated by a negative bevel

Номер патента: WO2013119548A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Michael John O'Loughlin,Anant Kumar Agarwal,Jr. Albert Augustus BURK. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor-on-insulator lateral heterojunction bipolar transistor having epitaxially grown intrinsic base and deposited extrinsic base

Номер патента: US20170092749A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9859405B1. Автор: Masahiro Shibata,Shigeru Yoshida,Yasunari Umemoto,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180097092A1. Автор: Masahiro Shibata,Shigeru Yoshida,Yasunari Umemoto,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US10355114B2. Автор: Masahiro Shibata,Shigeru Yoshida,Yasunari Umemoto,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Fluorine implant under isolation dielectric structures to improve bipolar transistor performance and matching

Номер патента: US8609501B2. Автор: Weidong Tian,Ming-Yeh Chuang,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Bipolar Transistoren mit isoliertem Gate (insulated-gate bipolar transistors (IGBTS)) mit Graben-Gate

Номер патента: DE202018003504U1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-25.

Semiconductor device with a monocrystalline extrinsic base and method therefor

Номер патента: US20240178304A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Process of producing heterojunction bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US5494836A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Method for producing bipolar transistor having reduced base-collector capacitance

Номер патента: US5445976A. Автор: Timothy S. Henderson,Darrell G. Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Method of forming the silicon germanium base of a bipolar transistor

Номер патента: US6753234B1. Автор: Abdalla Aly Naem. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Bipolar transistor having base contact layer in contact with lower surface of base layer

Номер патента: US6037616A. Автор: Yasushi Amamiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology

Номер патента: KR20010104342A. Автор: 레타빅데오도르,페트루젤로존,반즈볼요하네스. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2001-11-24.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150035011A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Base for a npn bipolar transistor

Номер патента: US20100129975A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-05-27.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of making bipolar transistor with integrated base contact and field plate

Номер патента: US20040036145A1. Автор: Sheldon Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor system functioning as thyristor in on-state, and as bipolar transistor in transient state or with overcurrent

Номер патента: US20060006459A1. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Bipolar transistor, semiconductor device having bipolar transistors

Номер патента: US5847440A. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200203510A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Process for fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US4338138A. Автор: Cheng T. Horng,Richard R. Konian,Robert O. Schwenker,Hans S. Rupprecht,Joseph R. Cavaliere. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-06.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for fabricating a bipolar transistor having self aligned base and emitter

Номер патента: US4824794A. Автор: Motoshu Miyajima,Akira Tabata,Kazushi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Transistor device

Номер патента: US20130009212A1. Автор: Takeshi Meguro,Yoshihiko Moriya,Jiro Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Trench bipolar transistor

Номер патента: US4929996A. Автор: Louis N. Hutter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Bipolar transistor with floating guard region under extrinsic base

Номер патента: US5221856A. Автор: Ronald Dekker,Martinus C. A. M. Koolen,Henricus G. R. Maas. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1993-06-22.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: WO2000016404A8. Автор: Armand Pruijmboom,Reinhard Brock,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-05-18.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: EP1048078A1. Автор: Armand Pruijmboom,David M. Szmyd,Reinhard Brock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Parasitic lateral bipolar transistor with improved ideality and leakage currents

Номер патента: US9741713B1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Bipolar transistor on high-resistivity substrate

Номер патента: US09761700B2. Автор: Michael Joseph McPartlin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for making high gain bipolar transistors in CMOS process

Номер патента: US20020084494A1. Автор: Chi-Cheong Shen,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structure with active elements of bipolar transistor formed in slots

Номер патента: US4733287A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Bipolar transistor, BiCMOS device, and method for fabricating thereof

Номер патента: US20070287234A1. Автор: JIN Kang,Seung Lee,Kyoung Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-12-13.

Bipolar transistors

Номер патента: GB2129214A. Автор: Leslie William Kennedy. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1984-05-10.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Process for fabricating a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US4698127A. Автор: Hiroshi Goto,Osamu Hideshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-10-06.

Insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: EP2684216A2. Автор: Jun Saito,Satoru Machida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-01-15.

Insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09425271B2. Автор: Jun Saito,Satoru Machida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Insulated Gate Bipolar Transistor Including Emitter Short Regions

Номер патента: US20140291724A1. Автор: Stephan Voss,Alexander Breymesser,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-02.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in DARC layer

Номер патента: US09812445B2. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2020230456A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo,Shuji Yoneda,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Application of super lattice films on insulator to lateral bipolar transistors

Номер патента: US09773894B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1237538A. Автор: Yoji Kato,Kou Togashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20120061726A1. Автор: Shigeki Takahashi,Akio Nakagawa,Norihito Tokura,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Bipolar junction transistor device having base epitaxy region on etched opening in darc layer

Номер патента: US20170309618A9. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Bipolar junction transistor device and method of making the same

Номер патента: US20150357448A1. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Bipolar junction transistor device and method of making the same

Номер патента: US20150162322A1. Автор: Patrick B. Shea,Sandro J. DI GIACOMO,Michael Rennie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Application of super lattice films on insulator to lateral bipolar transistors

Номер патента: US20160322481A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Lateral islolated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20040251498A1. Автор: Rene Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus Johannes Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-16.

Lateral isolated gate bipolar transistor device

Номер патента: EP1442482A1. Автор: Rene P. Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus J. M. Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-04.

Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter

Номер патента: US09698237B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2342753A1. Автор: Vladimir Tsukanov,Kyoung-Wook Seok. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-07-13.

Integrated circuit structure with diode over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240063212A1. Автор: Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bipolar transistor with base drive circuit protection

Номер патента: US6603186B2. Автор: Tetsuya Hayashi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-05.

Transistor device

Номер патента: WO2003036727A3. Автор: Philip Rutter,Steven T Peake. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-06-10.

Transistor device

Номер патента: EP1451878A2. Автор: Philip Rutter,Steven T. Peake. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-01.

Insulated gate bipolar transistor amplifier circuit

Номер патента: US09608097B2. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2017-03-28.

Lateral trench-gate bipolar transistors

Номер патента: US5227653A. Автор: Johnny K. O. Sin. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Semiconductor device with contact groove arrangements providing improved performance

Номер патента: US09786771B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reverse-conducting insulated gate bipolar transistor, igbt

Номер патента: WO2023117261A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Boni Kofi Boksteen. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-06-29.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US20030155631A1. Автор: Matthias Stecher,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-21.

Insulated gate bipolar transistor, power module, and household electric appliance

Номер патента: EP4024473A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Subcollector for bipolar transistors

Номер патента: WO1987002510A1. Автор: Raymond Edward Oakley. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1987-04-23.

Transistor having an emitter region with a silicide spaced apart from a base contact

Номер патента: US11791405B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Field-effect bipolar transistor

Номер патента: WO2020037241A1. Автор: Xiaoguang Liu,Mohamadali Malakoutian,Omeed Momeni,Mohammad-Hadi SOHRABI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertical fin type bipolar junction transistor (bjt) device with a self-aligned base contact

Номер патента: US20200119170A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Sungjae Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

Номер патента: DE102015121514B4. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Insulated Gate Bipolar Transistor, Power Module, and Living Appliance

Номер патента: US20220238705A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12119395B2. Автор: Yan Gu,Jing Zhu,Long Zhang,Sen Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Jinli GONG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09905680B2. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Passivated germanium-on-insulator lateral bipolar transistors

Номер патента: US09852938B1. Автор: Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Conductivity-enhanced combined lateral mos/bipolar transistor

Номер патента: CA1230429A. Автор: Barry M. Singer,Rajsekhar Jayaraman. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-12-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US4985743A. Автор: Hiroyasu Ito,Norihito Tokura,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3881360A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS,Florin Udrea,Umamaheswara VEMULAPATI,Marina Antoniou,Neophytos LOPHITIS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier structure

Номер патента: US09553179B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Alexander Philippou,Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias

Номер патента: US5448104A. Автор: Kevin J. Yallup. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1995-09-05.

Trench bipolar transistor

Номер патента: EP1417716A1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Raymond J. E. Hueting,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US10115811B2. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Vertical channel semiconductor device with a reduced saturation voltage

Номер патента: US20180122926A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device with improved short circuit capability

Номер патента: US09583604B2. Автор: Tetsuya Nitta,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Trench gate super junction IGBT (insulated Gate Bipolar transistor) with high-resistance p-top region

Номер патента: CN112951900B. Автор: 马瑶,黄铭敏,李芸. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current

Номер патента: US5519245A. Автор: Norihito Tokura,Naoto Okabe,Naohito Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Shorted anode lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5773852A. Автор: Byeong-Hoon Lee,Min-Koo Han,Moo-Sup Lim,Yearn-Ik Choi,Jung-Eon Park,Won-Oh Lee. Владелец: Korea Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching

Номер патента: WO2000035022A1. Автор: Michael Joseph Schutten,Ahmed Elasser. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2000-06-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140151750A1. Автор: Renata A. Camillo-Castillo,Jeffrey B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9536961B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20150263144A1. Автор: Tsuneo Ogura,Shinichiro Misu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

Номер патента: WO2020013924A1. Автор: Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9520487B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20160172453A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for fabricating a heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US09911889B2. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2018-03-06.

Heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US09793430B1. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-10-17.

Bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417715A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Joost Melai,Jan W. Slotboom,Hendrik G. A. Huizing,Freerk Van Rijs,Igor Lyuboshenko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Bipolar transistor

Номер патента: US20030116824A1. Автор: Tae Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20200335612A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189565A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Akira Yoshioka,Tetsuro Nozu,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US11848192B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US20170323994A1. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-09.

Bipolar transistor

Номер патента: US7397108B2. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-08.

Bipolar transistor

Номер патента: US20050205967A1. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5485025A. Автор: Hin F. Chau,Hua Q. Tserng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Gain recovery in a bipolar transistor

Номер патента: WO2011064202A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Kai Di Feng,Zhijian Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160240634A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5986324A. Автор: Michael G. Adlerstein,Mark P. Zaitlin,Kamal Tabatabaie-Alavi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of manufacturing bipolar transistor with self-aligned external base and emitter regions

Номер патента: US4871685A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-10-03.

Bipolar transistor circuit and usage method of bipolar transistor

Номер патента: US20030089965A1. Автор: Masaji Haneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160233323A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Bipolar transistor

Номер патента: US9985120B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Bipolar transistor

Номер патента: US9978856B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Segmented npn vertical bipolar transistor

Номер патента: EP3120386A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman,Md. Iqbal MAHMUD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-25.

Silicon-on-insulator device with floating collector

Номер патента: WO1996013862A1. Автор: Torkel Bengt Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1996-05-09.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance

Номер патента: US20150102389A1. Автор: Jing Zhang,Brian G. Moser,Robert Saxer. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20230317836A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical high-blocking iii-v bipolar transistor

Номер патента: US20220005942A1. Автор: Daniel Fuhrmann,Gregor Keller,Clemens WAECHTER. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2022-01-06.

Bipolar transistor with an n-type base and method of production

Номер патента: WO2010046449A1. Автор: Leon C. M. Van Den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2010-04-29.

Heterojunction bipolar transistor having low electron and hole concentrations in the emitter-base junction region

Номер патента: US5508536A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Toshiaki Kinosada,John K. Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Heterojunction bipolar transistor capable of restraining the conductivity modulation of the ballast layer

Номер патента: US20020088993A1. Автор: John Twynam,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Bipolar transistor having sinker diffusion under a trench

Номер патента: EP3017477A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Bipolar transistor and process of fabrication thereof

Номер патента: US4823174A. Автор: Yasuhiro Hosono,Tadatsugu Itoh,Hideaki Kohzu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-04-18.

Bipolar junction transistor devices

Номер патента: US20120025352A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shuo-Lun Tu,Shih-Chin Lien,Wei-Hsun Hsu,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Latch-up free power mos-bipolar transistor

Номер патента: CA2286699C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer

Номер патента: CA1299771C. Автор: Tadao Ishibashi,Yoshiki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Method of manufacturing an electronic device including a PNP bipolar transistor

Номер патента: US7888225B2. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of manufacturing an electronic device including a pnp bipolar transistor

Номер патента: US20090212393A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-08-27.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Layout structure of heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20160247797A1. Автор: Shinichiro Takatani,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Hsiu-Chen Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Bipolar transistor

Номер патента: US20200203508A1. Автор: Shinnosuke Takahashi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Heterojunction bipolar transistor architecture

Номер патента: US09741834B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Layout structure of heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US9356127B2. Автор: Shinichiro Takatani,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Hsiu-Chen Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: EP1831931A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2007-09-12.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: WO2006064290A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Collector of a bipolar transistor compatible with MOS technology

Номер патента: US5298779A. Автор: Alain Nouailhat,Daniel Bois. Владелец: Centre National dEtudes des Telecommunications CNET. Дата публикации: 1994-03-29.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bipolar transistor

Номер патента: US20210175328A1. Автор: Timothy S. Henderson,Leonard Hayden,Peter J. Zampardi,Adrian Hutchinson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Bipolar transistor

Номер патента: US20040075108A1. Автор: Kazuhiro Arai,Yasuyuki Toyoda,Yorito Ota,Shinichi Sonetaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Sidewall contact bipolar transistor with controlled lateral spread of selectively grown epitaxial layer

Номер патента: US5166767A. Автор: Ashok K. Kapoor,J. Frank Ciacchella. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Sidewall contact bipolar transistor with controlled lateral spread of selectively grown epitaxial layer

Номер патента: CA1312679C. Автор: Ashok K. Kapoor,J. Frank Ciacchella. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-01-12.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Bipolar transistor with particular base structure

Номер патента: US5508537A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device including bipolar transistor with improved current concentration characteristics

Номер патента: US5719432A. Автор: Katsu Honna,Hiroshi Kariyazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming an isolation structure and a bipolar transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US5648281A. Автор: Hamza Yilmaz,Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Jun Wei Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Silicon carbide: germanium (sic:ge) heterojunction bipolar transistor; a new semiconductor transistor for high-speed, high-power applications

Номер патента: US20020076890A1. Автор: Michael Mazzola,Jeffrey Casady,Stephen Saddow. Владелец: Mississippi State University. Дата публикации: 2002-06-20.

Dc/dc converter using bipolar transistor, method of manufacturing the same and dc power supply module using the same

Номер патента: EP1559187A1. Автор: Koji Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Nakano,Osamu c/o Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Kawabata,Jun Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Utsumi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Electrically programmable fuse over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240074167A1. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1053380A. Автор: Heiner H. Herbst. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-04-24.

Collector layer structure for a double hetero-junction bipolar transistor for power amplification applications

Номер патента: US20070001195A1. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen,David Caruth. Владелец: Xindium Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

Номер патента: EP1209750A3. Автор: William E. Stanchina,Thomas Hasenberg. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: US09787298B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: US5399509A. Автор: Ali A. Iranmanesh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Bipolarer Transistor

Номер патента: DE112014004821T5. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Double implanted planar mos device with v-groove and process of manufacture thereof

Номер патента: US4084175A. Автор: Paul Hsiung Ouyang. Владелец: Research Corp. Дата публикации: 1978-04-11.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Monolithically integrated lateral bipolar device with self-aligned doped regions

Номер патента: WO2023161389A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for fabrication of bipolar device having high ratio of emitter to base area

Номер патента: US5733791A. Автор: Ali Akbar Iranmanesh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4794440A. Автор: Federico Capasso,Pierre M. Petroff,Roger J. Malik,Arthur C. Gossard,John R. Hayes. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-12-27.

Gate modulated bipolar transistor

Номер патента: US3979769A. Автор: Bantval Jayant Baliga,Douglas E. Houston,Surinder Krishna. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1976-09-07.

Cadmium sulfide layers for indium phosphide-based heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6049099A. Автор: Andrew Davis,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo,Helen M. Dauplaise. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2000-04-11.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20230307527A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing the same, and power amplifier using the same

Номер патента: US20070164316A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Chushiro Kusano,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Insulated gate bipolar transistor fault protection system

Номер патента: US7817392B2. Автор: Bum-Seok Suh,Dae-woong Chung,Jun-bae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US11929427B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: US20020117657A1. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: EP3350914A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-07-25.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20210249521A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4631568A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-12-23.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20190312126A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Direct growth of lateral III-V bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US11916130B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Bipolar transistor

Номер патента: US09570546B2. Автор: Dirk Klaassen,Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Ponky Ivo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching

Номер патента: US4309812A. Автор: Cheng T. Horng,Robert O. Schwenker,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Method of forming a bipolar transistor

Номер патента: US5320972A. Автор: Ian W. Wylie. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Horizontal current bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US20230395666A1. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2023-12-07.

Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US5063168A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Semiconductor device including an insulated gate bipolar transistor and a circuit configured to control the insulated gate bipolar transistor provided on the same semiconductor substrate

Номер патента: US09893055B2. Автор: Kenichi Ishii,Hiroshi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US4974046A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3756861A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-09-04.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3856578A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-12-24.

Method of converting a metal oxide semiconductor transistor into a bipolar transistor

Номер патента: US20020192917A1. Автор: Ian Wylie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Bipolar transistor and semiconductor

Номер патента: US20240321975A1. Автор: Satoshi Goto,Koji Inoue,Kenji Sasaki,Masao Kondo,Shinnosuke Takahashi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09691886B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09647099B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Bipolar transistors

Номер патента: US20230178638A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

A novel transistor device

Номер патента: US20240021712A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor-on-insulator (soi) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US20160300934A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor-on-insulator (soi) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US20160300935A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Bipolar transistor

Номер патента: US11710776B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220059672A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-02-24.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Bipolar transistor, semiconductor device, and bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09627503B2. Автор: Kenji Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of manufacturing a transistor device

Номер патента: US20210343582A1. Автор: David Summerland. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

A method for concurrent fabrication of a double polysilicon bipolar transistor and a base polysilicon resistor

Номер патента: WO2003017340A3. Автор: Richard Dondero,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-06-10.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor

Номер патента: US4318751A. Автор: Cheng T. Horng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-09.

Method of fabricating lateral bipolar transistors

Номер патента: US5360750A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for producing a planar spacer, an associated bipolar transistor and an associated bicmos circuit arrangement

Номер патента: US20070161176A1. Автор: Armin Tilke,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Asymmetrical lateral heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20210091212A1. Автор: Alexander Martin,George R. Mulfinger,Jagar Singh,Ryan Sporer,Judson Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Fabrication of semiconductor structure having two levels of buried regions

Номер патента: US5899714A. Автор: Richard B. Merrill,Kevin E. Brehmer,Douglas R. Farrenkopf,Samar Saha,Kamesh Gadepally,Philip J. Cacharelis. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with multiple HBTs having different emitter ballast resistances

Номер патента: US09905678B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Oblique implantation in forming base of bipolar transistor

Номер патента: US5899723A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Bipolar transistor with a reduced collector series resistance

Номер патента: US5877539A. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR20010070331A. Автор: 펭-위 후앙. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-07-25.

LOW PARASITIC Ccb HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210167187A1. Автор: Liesbeth Witters,Yves MOLS,Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-03.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: WO2019125688A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Magnetic-field and magnetic-field gradient sensors based on lateral SOI bipolar transistors

Номер патента: US09614148B1. Автор: Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Devices with an embedded zener diode

Номер патента: WO2017176457A1. Автор: Maxim Klebanov,Chung C. Kuo. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2017-10-12.

Devices with an embedded zener diode

Номер патента: US09929141B2. Автор: Maxim Klebanov,Chung C. Kuo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11164963B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20200251579A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20190088768A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11978786B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20220029004A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Bipolar transistor construction method

Номер патента: GB1443836A. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1976-07-28.

Bipolar transistor

Номер патента: US5084751A. Автор: Hitoshi Iwata,Kenichi Kinoshita,Yasuo Imaeda,Koichi Jinkai. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a bipolar transistor having a decreased collector-base capacitance

Номер патента: US5376564A. Автор: Hiroshi Hirabayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of producing hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030096470A1. Автор: Masanobu Nogome. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CA1309191C. Автор: Hiroyuki Miwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Methods for fabricating self-aligned bipolar transistors having polysilicon base contacts with polysilicon or metal emitter contacts

Номер патента: CA1118534A. Автор: Tak H. Ning,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-16.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: US20200328293A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Polysilicon bipolar transistor and method of manufacturing it

Номер патента: US20050106829A1. Автор: Uwe Rudolph,Armin Tilke,Martin Seck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for fabricating base-emitter self-aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20040159911A1. Автор: Gilbert Essilfie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Through-substrate via power gating and delivery bipolar transistor

Номер патента: US10224410B2. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Gerald K. Bartley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

High current mos device with avalanche protection and method of operation

Номер патента: WO2005112134A3. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka. Владелец: Vishnu K Khemka. Дата публикации: 2006-07-27.

Through-substrate via power gating and delivery bipolar transistor

Номер патента: US20180350941A1. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Gerald K. Bartley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09876092B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09659901B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Shigeru Yoshida,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Quasi self-aligned single polysilicon bipolar active device with intentional emitter window undercut

Номер патента: US20040248357A1. Автор: Daniel Hahn,Steven Leibiger,Laurence Szendrei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US11942531B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409B1. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409A3. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A1. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A4. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-07-23.

Bidirectional, high-speed power MOSFET devices with deep level recombination centers in base region

Номер патента: US4656493A. Автор: Michael S. Adler,Peter V. Gray. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-04-07.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Bipolar transistor that can be fabricated in cmos

Номер патента: WO2001050537A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2001-07-12.

Vertical bipolar transistor device

Номер патента: US20220037537A1. Автор: Che-Hao Chuang,Chih-Ting Yeh,Sung-Chih Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Fabrication of bipolar transistors using selective doping to improve performance characteristics

Номер патента: US5698459A. Автор: Constantin Bulucea,Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Voltage-controlled switching device with resistive path

Номер патента: EP3975261A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication method of self-aligned heterojunction bipolar transistor using temporary emitter electrode and polyimide sidewall film

Номер патента: KR960026917A. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 조백제. Дата публикации: 1996-07-22.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Method for improving low temperature current gain of bipolar transistors

Номер патента: US5185276A. Автор: Tze-Chiang Chen,John D. Cressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Fabrication methods of insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20200083348A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Power device including lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876093B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-16.

Power device having lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11646364B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-05-09.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180233576A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10505012B2. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Combined method for fabricating oxide-isolated vertical bipolar transistors and complementary oxide-isolated lateral bipolar transistors and the resulting structures

Номер патента: US3993513A. Автор: David O'Brien. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTORS AND MOS DEVICES WITH COMPLEMENTARY SYMMETRY WITH POLYCRYSTALLINE CONTROL ELECTRODES

Номер патента: FR2476911A1. Автор: Leo R Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-08-28.

Fabrication of complementary bipolar transistors with cmos devices with polysilicon gates

Номер патента: GB2071910A. Автор: . Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-09-23.

Method of fabricating hetero-junction bipolar transistor (hbt) and structure thereof

Номер патента: US20090173970A1. Автор: Thomas N. Adam,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of making a bipolar transistor with polycrystalline contacts

Номер патента: US4709469A. Автор: Tadashi Hirao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-12-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200373417A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190115457A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of manufacturing field effect transistors and lateral bipolar transistors on the same substrate

Номер патента: US4891328A. Автор: Yvon Gris. Владелец: Etude et la Fabrication de Circuits Integres Speciaux. Дата публикации: 1990-01-02.

Method of manufacturing super self-alignment technology bipolar transistor

Номер патента: US4975381A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Bipolar transistor having a collector well with a particular concentration

Номер патента: US5528066A. Автор: Peter C. Hunt. Владелец: Phoenix VLSI Consultants Ltd. Дата публикации: 1996-06-18.

Method of making high voltage PNP bipolar transistor in CMOS

Номер патента: US5328859A. Автор: Mohamad M. Mojaradi,Tuan A. Vo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Self-aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size and improved electrical characteristics

Номер патента: US5061986A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

MAGNETOELECTRIC BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: RU210255U1. Автор: Сергей Николаевич Иванов,Геннадий Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Леонтьев,Дмитрий Александрович Петров,Мирза Имамович Бичурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2022-04-04.

Semiconductor magneto-transistor device

Номер патента: US4369406A. Автор: Michael T. Elliott,Sidney I. Soclof. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1983-01-18.

Method of manufacture of high speed, high power bipolar transistor

Номер патента: US4416708A. Автор: Alexander Lidow,Edgar Abdoulin. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1983-11-22.

Quasi-symmetrical bipolar transistor structure

Номер патента: CA1161964A. Автор: Denny D. Tang,Arnold Reisman,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Stacked soi lateral bipolar transistor rf power amplifier and driver

Номер патента: US20180061853A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Alberto Valdes Garcia,Tak H. Ning,Jean-Olivier Plouchart,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Bipolar transistor having collector electrode penetrating emitter and base regions

Номер патента: US5345102A. Автор: Naoya Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Method for making a bipolar transistor and capacitors using doped polycrystalline silicon or metal silicide

Номер патента: US4732872A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Well isolation bipolar transistor

Номер патента: US6114743A. Автор: Yvon Gris. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Homojunction semiconductor devices with low barrier tunnel oxide contacts

Номер патента: US20010010389A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-02.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Bipolar transistor stabilization structure

Номер патента: US4236164A. Автор: Henry Y. S. Tang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-11-25.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: CA2927763C. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: WO2014210072A9. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US3895977A. Автор: Thomas J Sanders. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1975-07-22.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Process for fabricating a moderate-depth diffused emitter bipolar transistor in a BICMOS device without using an additional mask

Номер патента: US5780329A. Автор: Todd A. Randazzo,John J. Seliskar. Владелец: Symbios Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Complementary bipolar transistors

Номер патента: US6005283A. Автор: Jong-Hwan Kim,Suk-Kyun Lee,Tae-Hoon Kwon,Cheol-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method of manufacturing high performance bipolar transistors in a bicmos process

Номер патента: WO1996004678A1. Автор: Johan A. Darmawan. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-02-15.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device with a BiCMOS circuit

Номер патента: US5970332A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with BICMOS circuit

Номер патента: US5824560A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20030067012A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Integrated circuit arrangement with npn and pnp bipolar transistors and corresponding production method

Номер патента: US20090305477A1. Автор: Thomas Hüttner,Martin Seck,Thomas Bottner,Stefan Draxl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Power amplifier modules including bipolar transistor with grading and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09520835B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a bipolar transistor by using only two mask layers

Номер патента: US5972766A. Автор: Shuuji Kishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20040046183A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

BIMOS transistor devices having bipolar and MOS transistors formed in substrate thereof and process for the fabrication of the same

Номер патента: US5166082A. Автор: Takaharu Nakamura,Tatsuya Kimura,Toshikazu Kuroda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-11-24.

Method of making a saturation-limited bipolar transistor device

Номер патента: US4446611A. Автор: David L. Bergeron,Parsotam T. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

A method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: GB2174244B. Автор: Roger Leslie Baker,Peter Fred Blomley,Peter Denis Scovell. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1989-07-05.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Method for the integration of two bipolar transistors in a semiconductor body, semiconductor arrangement in a semiconductor body, and cascode circuit

Номер патента: US20060199348A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-09-07.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20190312088A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20220020816A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11152430B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-10-19.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11818901B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Fabrication of MOS devices and complementary bipolar transistor devices in a monolithic substrate

Номер патента: US3865649A. Автор: James D Beasom. Владелец: Harris Intertype Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

Method to reduce collector resistance of a bipolar transistor and integration into a standard cmos flow

Номер патента: US20100065920A1. Автор: Ranbir Singh,Xiaojun Yuan,Alan S. Chen,Mark Dyson,Nace M. Rossi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of manufacturing a high speed bipolar transistor in a CMOS process

Номер патента: US5766990A. Автор: Monir El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of manufacturing vertical complementary bipolar transistors each with epitaxial base zones

Номер патента: US3959039A. Автор: Bernard Roger,Maurice Bonis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-25.

Semiconductor device with an upper surface of a substrate at different levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917083B2. Автор: Satoshi Kura,Keiji Sakamoto,Taichi Iwasaki,Mitsuo Nissa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US5811871A. Автор: Takashi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Composite jfet-bipolar transistor structure

Номер патента: US4095252A. Автор: Sam S. Ochi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US20010034103A1. Автор: Yvon Gris,Thierry Schwartzmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Process for doping two levels of a double poly bipolar transistor after formation of second poly layer

Номер патента: US5776814A. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-07-07.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Self aligned method for making bipolar transistor having minimum base to emitter contact spacing

Номер патента: US4252582A. Автор: Harsaran S. Bhatia,Narasipur G. Anantha,James L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-02-24.

Semiconductor devices including field effect and bipolar transistors

Номер патента: GB1396896A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-06-11.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Polycrystalline thin film bipolar transistors

Номер патента: US20080308903A1. Автор: S. Brad Herner,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device with additional carrier injecting junction adjacent emitter region

Номер патента: US3968511A. Автор: Tadaharu Tsuyuki,Hajime Yagi,Yoshihiro Miyazawa,Kotaro Koma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1976-07-06.

Bipolar transistor as protective element for integrated circuits

Номер патента: US5148250A. Автор: Josef Winnerl,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-15.

Light ranging device with electronically scanned emitter array and synchronized sensor array

Номер патента: EP3649483A1. Автор: Angus Pacala,Mark Frichtl. Владелец: Ouster Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap

Номер патента: US09577134B2. Автор: Timothy Weidman. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

BicMOS device having a bipolar transistor and a MOS triggering transistor

Номер патента: US5578856A. Автор: Howard C. Kirsch,Ravi Subrahmanyan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles

Номер патента: US9559246B2. Автор: David D. Smith,Taeseok Kim,Ann Waldhauer,Michael Morse,Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles

Номер патента: US09559246B2. Автор: David D. Smith,Taeseok Kim,Ann Waldhauer,Michael Morse,Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: WO2005078489A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: EP1716440A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865A. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-15.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US11699633B1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US20230245946A1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-03.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US09588170B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Devices with zener triggered esd protection

Номер патента: US20120326206A1. Автор: Changsoo Hong,James D. Whitfield. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-12-27.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865B1. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-23.

Light ranging device with electronically scanned emitter array and synchronized sensor array

Номер патента: AU2018297291B2. Автор: Angus Pacala,Mark Frichtl. Владелец: Ouster Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Solar cell emitter region fabrication using etch resistant film

Номер патента: WO2014099321A1. Автор: Peter J. Cousins,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles

Номер патента: US20140295609A1. Автор: David D. Smith,Taeseok Kim,Ann Waldhauer,Michael Morse,Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-02.

Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles

Номер патента: WO2014098981A1. Автор: David D. Smith,Taeseok Kim,Ann Waldhauer,Michael Morse,Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Esd device with fast response and high transient current

Номер патента: US20190043854A1. Автор: James P. Di Sarro,Aravind C. Appaswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Esd device with fast response and high transient current

Номер патента: US20210091068A1. Автор: James P. Di Sarro,Aravind C. Appaswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array

Номер патента: US09577168B2. Автор: Zhang Xin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Bipolar Transistor Circuit with Free Collector Terminals

Номер патента: KR970024161A. Автор: 이상오. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Graduated multiple collector structure for inverted vertical bipolar transistors

Номер патента: US4084174A. Автор: Richard E. Crippen,Hemraj K. Hingarh,Peter W. J. Verhofstadt. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-04-11.

Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response

Номер патента: CA2815764A1. Автор: Jihun Oh,Howard M. Branz,Hao-Chih Yuan. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2012-09-13.

Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (igbt)

Номер патента: US20150340355A1. Автор: Bin Zhang,Hock Tiong Kwa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Light emitting and lasing transistor devices and methods

Номер патента: WO2010087948A8. Автор: Han Wui Then,Milton Feng,Nick Holonyak, Jr.,Gabriel Walter. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2010-09-30.

Plug connector with two types of locking devices

Номер патента: US09583875B2. Автор: Sebastian Griepenstroh. Владелец: Harting Electric GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-02-28.

Optimizing a layout of an emitter array

Номер патента: US20230094127A1. Автор: Ajit Vijay Barve,Benjamin Kesler,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09664729B2. Автор: Randall C. Gray,Ibrahim S. Kandah,Thierry Sicard,John M. Pigott,Philipe J. Perruchoud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Schottky emitter having extended life

Номер патента: EP1123558A1. Автор: Gregory A. Schwind,David S. Jun,James B. McGinn,Gerald G. Magera,Sander G. Den Hartog. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2001-08-16.

Field-emission device with improved beams-convergence

Номер патента: US09666401B2. Автор: So Ra Park,Yoon Ho Song,Jin Woo Jeong,Jae Woo Kim,Min Sik Shin. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-30.

Inverse-mode bipolar transistor radio-frequency switches and methods of using same

Номер патента: US20110248771A1. Автор: John D. Cressler,Anuj Madan. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Absorbent core having two or more types of superabsorbent

Номер патента: US20060069367A1. Автор: John Litvay,Andrew Waksmundzki,Frank Glaug. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Driving circuit for an emitter-switching configuration of transistors

Номер патента: US20080180158A1. Автор: Rosario Scollo,Massimo Nania. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-07-31.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09748948B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09571091B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor integrated circuit device with a plurality of logic circuits having active pull-down functions

Номер патента: US5283480A. Автор: Toshio Yamada,Atsushi Shimizu,Masato Hamamoto,Mitsuo Usami,Tatsuya Kimura,Tohru Kobayashi,Noboru Shiozawa,Hiromasa Katoh,Kazuyoshi Satoh,Kaoru Koyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-01.

Driven circuit of an emitter switching configuration to control the saturation level of a power transistor when used with highly variable collector currents

Номер патента: US7449935B2. Автор: Rosario Scollo,Giovanni Vitale,Simone Buonomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-11-11.

Driven circuit of an emitter switching configuration to control the saturation level of a power transistor when used with highly variable collector currents

Номер патента: US20050194623A1. Автор: Rosario Scollo,Giovanni Vitale,Simone Buonomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-09-08.

Switching method for current phase rectifier with insulated gate bipolar transistor (igbt) of reverse conductance

Номер патента: RU2559760C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-10.

Class AB inverting driver for PNP bipolar transistor LDO regulator

Номер патента: US09632519B2. Автор: Amitkumar P. Patel,Anthony K. Bonte. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

High-speed ECL synchronous logic circuit with an input logic circuit

Номер патента: US4560888A. Автор: Yoshio Oida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-24.

Power conversion device including bidirectional switch having reverse-blocking insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09496801B2. Автор: Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Bipolar transistor switch

Номер патента: CA1101942A. Автор: Herbert A. Schneider. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-05-26.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters

Номер патента: US20230369963A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters by at least using three switches

Номер патента: US20240006999A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Gunn-effekt-halbleiterbauelement wie ein hetero-bipolar-transistor (hbt) zur frequenzvariablen schwingungserzeugung

Номер патента: WO2003019692A1. Автор: Matthias Rudolph,Peter Heymann. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2003-03-06.

Power switch control by adjusting the base current of a bipolar transistor

Номер патента: US09537396B2. Автор: Horst Knoedgen. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors

Номер патента: US20050225395A1. Автор: Haitao Zhang,Huai Gao,Guann-Pyng Li,Huinan Guan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-10-13.

Smart transfer switch devices, systems, and methods using double-base bipolar transistors

Номер патента: US09899868B2. Автор: William C. Alexander,John W. Merritt,Paul A. Bundschuh. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Controller for power bipolar transistor

Номер патента: US5818284A. Автор: Yoshinori Murakami,Kazuhiko Tani,Yasuhiko Kitajima,Kazuma Ohkura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Circuit for providing a base operating voltage for a bipolar transistor and amplifier circuit

Номер патента: US7190220B2. Автор: Johann-Peter Forstner,Stephan Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-13.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Wideband IF amplifier with complementary GaAs FET-bipolar transistor combination

Номер патента: US4464636A. Автор: Pierre Dobrovolny. Владелец: ZENITH ELECTRONICS LLC. Дата публикации: 1984-08-07.

Display panel and display device with narrow bezel

Номер патента: US20180267641A1. Автор: Huijun Jin,Wantong Shao. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Function executing device with two types of wireless communication interfaces

Номер патента: US09858022B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Takanobu Suzuki,Hirotaka Asakura,Munehisa Matsuda. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and circuit for reducing collector-emitter voltage overshoot in an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09819339B2. Автор: Sui Pung Cheung,Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Function executing device with two types of wireless communication interfaces

Номер патента: US09781299B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Takanobu Suzuki,Hirotaka Asakura,Munehisa Matsuda. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for testing a clamp function for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09720030B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Differential amplifier with bipolar transistors which is compatible with standard complimentary MOS (CMOS) technology

Номер патента: US4580106A. Автор: Eric A. Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1986-04-01.

Semiconductor circuit for driving the base of a bipolar transistor

Номер патента: US4948994A. Автор: Takahiro Nagano,Atsuo Watanabe,Takashi Akioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-08-14.

Three-dimensional memory device with multiple types of support pillar structures and method of forming the same

Номер патента: US12096632B2. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Highly integrated, high-speed memory with bipolar transistors

Номер патента: CA1182218A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Puf method using and circuit having an array of bipolar transistors

Номер патента: US20150028847A1. Автор: Viet Nguyen,Tony Vanhoucke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-01-29.

Insulated gate bipolar transistor heat dissipation structure of motor controller

Номер патента: CA2843751A1. Автор: Yong Zhao,Yonghua WU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Amplifier circuit with bipolar transistors

Номер патента: US4845441A. Автор: Burkhard Dick. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Write suppression in bipolar transistor memory cells

Номер патента: US3801965A. Автор: G Keller,U Olderdissen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-04-02.

Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: US11811331B2. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

High-power-gain, bipolar transistor amplifier

Номер патента: US20070007626A1. Автор: Zhenqiang Ma,Ningyue Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of genetic indel-typing of strains of brucella melitensis

Номер патента: RU2732425C1. Автор: Александр Николаевич Куличенко,Дмитрий Григорьевич Пономаренко,Диана Владимировна Русанова,Анна Андреевна Хачатурова,Татьяна Васильевна Бердникова,Сергей Владимирович Писаренко,Ирина Владимировна Кузнецова,Николай Андреевич Шапаков,Елена Борисовна Жилченко,Дмитрий Анатольевич Ковалев,Сергей Олегович Водопьянов,Алексей Сергеевич Водопьянов,Андрей Михайлович Жиров,Диана Васильевна Ульшина,Ольга Викторовна Бобрышева,Юлия Владимировна Сирица,Анна Юрьевна Евченко. Владелец: Федеральное казённое учреждение здравоохранения "Ставропольский научно-исследовательский противочумный институт" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2020-09-16.

Air / fuel ratio sensor over a wide range with an electrochemical cell and method for detecting two types of air / fuel ratios using this sensor

Номер патента: DE69736050D1. Автор: Takuya Saito,Koichi Takahashi,Takao Kojima,Mitsunori Ooi. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of determining tactics for treating patients with an orbit inferior wall defect

Номер патента: RU2661004C1. Автор: Дмитрий Викторович Давыдов,Сергей Константинович Терновой,Наталья Сергеевна Серова,Ольга Юрьевна Павлова. Владелец: Ольга Юрьевна Павлова. Дата публикации: 2018-07-11.

Method for providing a single preloaded software image with an ability to support multiple hardware configurations and multiple types of computer systems

Номер патента: US6944867B2. Автор: Howard Jeffrey Locker,James Peter Ward,Daryl Carvis Cromer,Randall Scott Springfield,Richard Wayne Cheston,Jeffrey Mark Estroff,James Anthony Hunt,Joshua Neil Novak,Arnold Stephen Weksler. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2005-09-13.

Absorbent core having two or more types of superabsorbent

Номер патента: CA2579708A1. Автор: John Litvay,Andrew Waksmundzki,Frank Glaug. Владелец: Tyco Healthcare Retail Services AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Disk brake, especially with an electromotive adjusting device, and method for controlling said type of disk brake

Номер патента: US7866447B2. Автор: Johann Baumgartner,Wolfgang Pahle,Markus Stoehr,Andreas Leinung. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof

Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20120212208A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Bipolar transistor adjustable shunt regulator circuit

Номер патента: US09448575B2. Автор: Isaac Terasuth Ko,Tony Yuan Yen Mai. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20100207597A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device with power consumption reducing arrangement

Номер патента: US5373474A. Автор: Shuichi Miyaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-12-13.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4024064A1. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12019115B2. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Current sensors using bipolar transistors

Номер патента: EP3311159A1. Автор: Vladimir Aparin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Sanitizer with an ion generator and ion electrode assembly

Номер патента: US20160367712A1. Автор: Michael E. ROBERT. Владелец: DM TEC LLC. Дата публикации: 2016-12-22.

Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement

Номер патента: US09575113B2. Автор: Michael Mankel,Carlos Castro-Serrato. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Bipolar transistor memory with capacitive storage

Номер патента: US3876992A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-08.

Air intake device with drop plug of unmanned aerial vehicle with air-jet engine

Номер патента: RU2739449C1. Автор: Юрий Николаевич Левченко,Владимир Данилович Матрусов,Валерий Анатольевич Щеглов,Елтуган Кимашевич Сыздыков,Павел Агдреевич Агнистиков. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2020-12-24.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Control circuit of blind-mating display having two type-C interfaces, control device thereof, and control method thereof

Номер патента: US12130764B2. Автор: Jingsheng Chen,Liping HE,Longhua Dai,Honghai Li,Mingliang Sun,Wenqing Xiao. Владелец: Shenzhen Xinlongpeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Anti-theft device with cable attachment

Номер патента: AU2021200780B2. Автор: Chan Chor MAN,Brent Ewing. Владелец: Fasteners for Retail Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Bipolar-transistor type semiconductor memory device having redundancy configuration

Номер патента: US4796233A. Автор: Isao Fukushi,Tomoharu Awaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Hetero-junction bipolar transistor (HBT) power device with high heat-dissipation efficiency

Номер патента: TWI237330B. Автор: Yu-Chi Wang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Hetero-junction bipolar transistor (HBT) power device with high heat-dissipation efficiency

Номер патента: TW200616092A. Автор: Yu-Chi Wang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-epitaxial structure of bipolar transistor

Номер патента: RU2368036C1. Автор: Михаил Иванович Лукасевич,Юлия Владимировна Петрова. Владелец: Юлия Владимировна Петрова. Дата публикации: 2009-09-20.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integral cell for radiation detector based on bipolar transistor with cellular base

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

Номер патента: RU2487467C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-07-10.

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Номер патента: RU2462813C1. Автор: Александр Леонидович Стемпковский,Юрий Федорович Адамов,Наталья Михайловна Горшкова,Александр Леонидович Стемпковский (RU),Юрий Федорович Адамов (RU),Наталья Михайловна Горшкова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Integrated circuit having complementary bipolar transistors

Номер патента: CA1075369A. Автор: Jean-Michel Decrouen,Jean-Pierre H. Biet,Wolfgang F. J. Edlinger,Michel De Brebisson. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-04-08.

Mosfet-gated bipolar transistors and thyristors with both turn-on and turn-off capability having single- polarity gate input signal

Номер патента: CA1206274A. Автор: Michael S. Adler. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-17.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Bipolar transistor device with an emitter having two types of emitter regions

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты