Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device .

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: KR100604429B1
Опубликовано: 25-07-2006
Автор(ы): 이시카와히사시
Принадлежит: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: CA2453695A1. Автор: Hisashi Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09455189B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09431088B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Managing Data Refresh in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230402085A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20190244961A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20170301676A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Managing data refresh in semiconductor devices

Номер патента: US12020741B2. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory system, semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09767873B2. Автор: Taesung Lee,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory information accumulation device and writing control method for it

Номер патента: TW200933363A. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory information accumulation device and its write-in control method

Номер патента: EP2180409A4. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof

Номер патента: TWI390402B. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and entry address write/read method for semiconductor device

Номер патента: WO2014141566A1. Автор: 秋山　豊,大塚　寛治,佐藤　陽一,藤井　文明,達也長澤,稔上井. Владелец: 長瀬産業株式会社. Дата публикации: 2014-09-18.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING AND CONTROLLING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180053539A1. Автор: OH TAE YOUNG,SHIN SEUNGJUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device and method of operating and controlling a semiconductor device

Номер патента: US10529393B2. Автор: Tae Young Oh,Seungjun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230168819A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method of sensing data of the semiconductor device

Номер патента: US8503220B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Hyung-Su Jeong,Ho-Jung Kim,Hyun-Sik Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor device and method of sensing data of the semiconductor device

Номер патента: KR101652785B1. Автор: 김호정,최현식,신재광,정형수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-09-01.

Apparatuses including one or more semiconductor devices and related systems

Номер патента: US20240224461A1. Автор: Michael G. Placke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device and system

Номер патента: US20230109388A1. Автор: Mitsuhiro Abe,Mitsuaki Honma,Akio SUGAHARA,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Ferroelectric memory device and manufacturing method thereof, fabricating method for semiconductor device

Номер патента: CN101248523B. Автор: 佐次田直也. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US12010829B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Combined semiconductor memory and logic device and memory test control circuit and memory test method therefor

Номер патента: DE19823583B4. Автор: Sang-Bong Park,Jong-Taek Kwak,Jong-Hak Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160232974A9. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130315001A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125106A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20180342299A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Non volatile memory device, method for manufacturing the same and for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR100646085B1. Автор: 정용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-14.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Devices and methods for dissipating heat in multiple semiconductor device modules

Номер патента: JP6889814B1. Автор: シャオペンク,シャムズユー．アリフィーン,シャムズユー．アリフィーン. Владелец: マイクロンテクノロジー，インク．. Дата публикации: 2021-06-18.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312532A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kei Shiraishi,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865312B2. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and prediction method for resource usage in semiconductor device

Номер патента: US20210063973A1. Автор: Jong-Lae Park,Young Tae Lee,Bum Gyu Park,Choong Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and prediction method for resource usage in semiconductor device

Номер патента: US11740597B2. Автор: Jong-Lae Park,Young Tae Lee,Bum Gyu Park,Choong Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20140156213A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09633747B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20180090210A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US09934860B1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of testing semiconductor memory device, test device, and computer readable recording medium for recording test program for semiconductor memory device

Номер патента: US09666304B2. Автор: Sea Eun Park,Sung Hee Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685321B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices and display driver integrated circuits including the semiconductor devices

Номер патента: US20200303303A1. Автор: Myoung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20220181079A1. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-09.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US11664160B2. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-30.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Remote operation instructing system, and mount type device

Номер патента: US20220148230A1. Автор: Masuo Oku,Osamu Kawamae. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Remote operation instructing system, and mount type device

Номер патента: US11915339B2. Автор: Masuo Oku,Osamu Kawamae. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Remote operation instructing system, and mount type device

Номер патента: US20240177363A1. Автор: Masuo Oku,Osamu Kawamae. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory card, access device and access method

Номер патента: JP4647492B2. Автор: 学井上,昭一辻田,雅浩中西,卓治前田,智紹泉,哲志笠原,和明田村,公則松野,信治井上,芳稔後藤,淳大原,誠越智,浩一堀内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

REMOTE OPERATION INSTRUCTING SYSTEM, AND MOUNT TYPE DEVICE

Номер патента: US20220148230A1. Автор: KAWAMAE Osamu,OKU Masuo. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Remote operation instruction system and mount-type device

Номер патента: WO2020178960A1. Автор: 川前　治,奥　万寿男. Владелец: マクセル株式会社. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Testing semiconductor devices based on warpage and associated methods

Номер патента: US20190333796A1. Автор: Di Wu,Libo Wang,James D. Huffaker,Kim M. Hartnett,Ajay Raghunathan,Linmiao Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREDICTION METHOD FOR RESOURCE USAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210063973A1. Автор: PARK Jong-lae,PARK Bum Gyu,LEE Young Tae,PARK Choong Hoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and prediction method for resource usage in semiconductor device

Номер патента: US20220413456A1. Автор: Jong-Lae Park,Young Tae Lee,Bum Gyu Park,Choong Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Specimen inspection device and method, and method for making a semiconductor device using such specimen inspection device and method

Номер патента: TW200506356A. Автор: Toshifumi Kimba,Mamoru Nakasuji,Tohru Satake. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of observing exposure condition for exposing semiconductor device and its apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: IL154504A0. Автор: . Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2003-09-17.

Method of observing exposure condition for exposing semiconductor device and its apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: IL154504A. Автор: . Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240194684A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and electronic terminal

Номер патента: US20240203320A1. Автор: ZHOU Zhang,Guowei Zha,Xialing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state image pick-up device and manufacturing method thereof, image-pickup apparatus, semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor substrate

Номер патента: US20140045291A1. Автор: Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Solid-state image pick-up device and manufacturing method thereof, image-pickup apparatus, semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor substrate

Номер патента: US20100201854A1. Автор: Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Methods of manufacturing wide band gap semiconductor device and semiconductor module, and wide band gap semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US9640619B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200212023A1. Автор: Chi-Han Chen,Chieh-Chen Fu,Chang-Yu Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device testing apparatus, semiconductor device testing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160306005A1. Автор: Teruyuki Ohashi,Ryosuke llJIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: US20120220062A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Akio Endo,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE FOR DRIVING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180067150A1. Автор: TSURUMARU Makoto. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANAGEMENT METHOD OF MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204040A1. Автор: SHIOBARA Eishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: Meinhold Dirk. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor devices and display driver integrated circuits including the semiconductor devices

Номер патента: US20200303303A1. Автор: Myoung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Hall sensor semiconductor device and method of operating the Hall sensor semiconductor device

Номер патента: DE102011017096A1. Автор: Georg Röhrer. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Semiconductor device and the electronic equipment for using the semiconductor device

Номер патента: CN108572684A. Автор: 角张秀幸. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Mask pattern for semiconductor device and forming method of mask pattern for semiconductor device

Номер патента: KR100879446B1. Автор: 김영미. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-01-20.

An inspection equipment for a flat-mount-type semiconductor device and method of inspecting the semiconductor device

Номер патента: KR100389227B1. Автор: 타니무라마사아키,세오히로아키,히가키오사무. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-06-27.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: DE102020132679B3. Автор: Markus Dienstbier. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device having a test pad

Номер патента: US6008061A. Автор: Kunihiro Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-28.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device, and alternator and power converter using the semiconductor device

Номер патента: US09831145B2. Автор: Shinichi Kurita,Mutsuhiro Mori,Junichi Sakano,Shigeru Sugayama,Tetsuya Ishimaru,Kohhei ONDA. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US09505953B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20140159778A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-12.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20150284603A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20160075922A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4009375A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-08.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240096937A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022117656A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Three-dimensional mounting semiconductor device and method of manufacturing three-dimensional mounting semiconductor device

Номер патента: US20140027895A1. Автор: Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device having a redistribution bonding interconnection, a method of manufacturing the semiconductor device, and a chip stack package including the semiconductor device

Номер патента: US20230230960A1. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20150184033A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20120042188A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US6677666B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11916149B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11837664B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20240088299A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE ARRAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140077150A1. Автор: HO Chia-Hua,LEE MING-DAOU,CHIU WEN-CHENG,HSU CHO-LUN. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-03-20.

EXHAUST DEVICE AND MOUNT TYPE VEHICLE

Номер патента: BRPI0812314A2. Автор: Osamu Takii,Hidehiro Nishimura. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Stacked semiconductor devices with topside and backside interconnect wiring

Номер патента: US20230352406A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and oxygen removal method thereof

Номер патента: US20220384215A1. Автор: Min Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device comprising successive approximation register analog to digital converter with variable sampling capacitor

Номер патента: US09722624B2. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Thomas Byung-Hak CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09875965B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device comprising analog to digital converters sharing reference capacitor and system on chip comprising the same

Номер патента: US09503117B2. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Byung-Hak Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09416004B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and photosensitive device

Номер патента: US20240047599A1. Автор: Zhiwei Tan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device having surface protective films on bond pad

Номер патента: US8390134B2. Автор: Yoshifumi Takata,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and process of production of same

Номер патента: US20020003285A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: US09382641B2. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

MEMORY DEVICES INCLUDING VOID SPACES BETWEEN TRANSISTOR FEATURES, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20220302317A1. Автор: Liu Haitao,LI HONG,Sills Scott E.,Tang Sanh D.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

3DIC interconnect devices and methods of forming same

Номер патента: US09455158B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating capacitor in a semiconductor device

Номер патента: TWI274381B. Автор: Wu-An Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20070190726A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A2. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O. Sungki. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335492A1. Автор: Akira Yamamoto,Yuki HATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170098576A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20180277429A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US9984924B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901343B2. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804459B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150235956A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device with capacitor contact surrounded by conductive ring and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11895823B2. Автор: Noriaki Ikeda. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device comprising analog to digital converters sharing reference capacitor and system on chip comprising the same

Номер патента: US20160269040A1. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Byung-Hak Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160056231A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361121A1. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and semiconductor structure

Номер патента: US20190189773A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11776848B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161219A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11799430B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches

Номер патента: US20230327661A1. Автор: Nigel Springett. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187484A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220344368A1. Автор: Sangmin Kang,Sunggil Kim,Jeeseung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US11742399B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20220406910A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200013683A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162350A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and logic device

Номер патента: US20240178228A1. Автор: Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11062962B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor device and semiconductor die

Номер патента: US20230154961A1. Автор: Fei Chen,Danqing WEI. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395541A1. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180211962A1. Автор: Won Chul Lee,Ye Ram KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187485A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing a contact structure used to electrically connect a semiconductor device

Номер патента: US20160104637A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20230343842A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, image sensor

Номер патента: US20240222401A1. Автор: Hajin LIM,TaekSoo JEON,Je-Hyung Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

METHODS OF MANUFACTURING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE, AND WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20160204086A1. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SOLID-STATE IMAGE PICK-UP DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, IMAGE-PICKUP APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20140357011A1. Автор: Iwabuchi Shin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Wafer table, apparatus for sawing wafer and attaching semiconductor device and apparaus for sawing wafer and sorting semiconductor device using the same

Номер патента: KR100476591B1. Автор: 김재홍,김희석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-18.

Semiconductor device equipped with semiconductor circuits composed of semiconductor elements and process for production thereof

Номер патента: US6822293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama,Etsuko Fujimoto,Atsuo Isobe,Kunihiko Fukuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Field-effect transistor and manufacture thereof, semiconductor device and manufacture thereof and logic circuit containing semiconductor device thereof and semiconductor substrate

Номер патента: JPH10270685A. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda,▲隆▼ 野口,光生曽根田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-10-09.

Field effect transistor and fabrication thereof, semiconductor device and fabrication thereof, logic circuit including the semiconductor device, and semiconductor substrate

Номер патента: US20040135210A1. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240030323A1. Автор: Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262790A1. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10283591B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8846488B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955483B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor Device and Method of Formation

Номер патента: US20200058751A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200212183A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180190783A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240038895A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180350759A1. Автор: Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093041A1. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-18.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180204911A1. Автор: Weili Zhao,Yiqi Wang,XiaoFang Yang,Jianxiang Cai,JingGuo Jia. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150214321A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10461165B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Semiconductor devices including conductive structures

Номер патента: US20230402376A1. Автор: Heonjong Shin,Doohyun Lee,Seon-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor package with semiconductor devices

Номер патента: US20240213109A1. Автор: Yeongkwon Ko,Unbyoung Kang,Chungsun Lee,Soyeon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, sensor device, and electronic device

Номер патента: US20240204011A1. Автор: ZHOU Zhang,Guowei Zha,Zhifu Li,Xialing Liu,Guanghui Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Wirebonded device packages for semiconductor devices having elongated electrodes

Номер патента: WO2006119485A2. Автор: Norman Glyn Connah. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-09.

TEMPORARY ADHESIVE FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE SUPPORT AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160075922A1. Автор: KOYAMA Ichiro,NAKAMURA Atsushi,IWAI Yu,FUJIMAKI Kazuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-03-17.

Temporary adhesive for production of semiconductor device, and adhesive support and production method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20150093879A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kazuhiro Fujimaki,Shiro Tan,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

QUATERNARY PHOSPHONIUM SALT, EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND INCLUDING THE QUATERNARY PHOSPHONIUM SALT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED WITH THE EPOXY RESIN COMPOSITION

Номер патента: US20140179827A1. Автор: HAN Seung,KIM Min Gyum,CHEON Hwan Sung. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor devices and methods and apparatus to produce such semiconductor devices

Номер патента: US20190139868A1. Автор: Peter Smeys,Benjamin Cook,Steven Alfred Kummerl,Barry Jon Male,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

TEMPORARY ADHESIVE FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE SUPPORT AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150184032A1. Автор: KOYAMA Ichiro,IWAI Yu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

TEMPORARY ADHESIVE FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE SUPPORT AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150184033A1. Автор: KOYAMA Ichiro,IWAI Yu,FUJIMAKI Kazuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor Device, and Alternator and Power Converter Using the Semiconductor Device

Номер патента: US20170263516A1. Автор: KURITA Shinichi,ISHIMARU Tetsuya,Sakano Junichi,MORI Mutsuhiro,ONDA Kohhei,SUGAYAMA Shigeru. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

GaN Substrate, Semiconductor Device and Method for Fabricating GaN Substrate and Semiconductor Device

Номер патента: US20140361311A1. Автор: Zhang Zhenghai,Zhang Zongmin,Cao Bocheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

TEMPORARY ADHESIVE FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ADHESIVE SUPPORT AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150284603A1. Автор: KOYAMA Ichiro,NAKAMURA Atsushi,IWAI Yu,FUJIMAKI Kazuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-10-08.

Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: WO2001047660A1. Автор: Takeshi Hosomi,Ryouichi Okada,Kensuke Nakamura,Toyosei Takahashi. Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and its manufacturing method, connector for connecting semiconductor device to substrate and method for connecting semiconductor device to substrate

Номер патента: JP2002009235A. Автор: Takakazu Fukumoto,孝和福元. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-11.

Complementary metal oxide semiconductor device, and method for forming a metal oxide semiconductor device and a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100797138B1. Автор: 토마스 엔. 호스키,데일 씨. 제이콥슨. Владелец: 세미이큅, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-22.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132A. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132B. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device-mounted structure

Номер патента: US6930388B2. Автор: Shigeharu Tsunoda,Akira Yajima,Asao Nishimura,Kosuke Inoue,Ichiro Anjo,Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Noriyuki Oroku,Madoka Minagawa,Kenji Ujiie,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US20220262964A1. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Lnstitute Of Advanced Industrial Science And Technology. Дата публикации: 2022-08-18.

Compound semi-conductor device and its manufacturing method and resin molded semiconductor device

Номер патента: CN108788473A. Автор: 水原秀树,松岛芳宏,大桥慎,大桥慎一. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Multiple-patterned semiconductor device channels

Номер патента: US9111935B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen,Douglas M Dewanz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: EP1252966B1. Автор: Takeshi Sumitomo Bakelite Company Ltd. HOSOMI,Ryouichi Sumitomo Bakelite Company Ltd. OKADA,Kensuke Sumitomo Bakelite Company Ltd. NAKAMURA,Toyosei Sumitomo Bakelite Company Ltd. TAKAHASHI. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: KR100945438B1. Автор: 이혜용,최영준. Владелец: 주식회사루미지엔테크. Дата публикации: 2010-03-05.

Quaternary phosphonium salt, epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and including the quaternary phosphonium salt, and semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition

Номер патента: US9428632B2. Автор: Seung Han,Min Gyum KIM,Hwan Sung CHEON. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for mounting a compound unit of an optical semiconductor device and a support substrate and an optical semiconductor device on a support substrate

Номер патента: KR19980069992A. Автор: 마츠쿠라히사오,쿠도우야스히코,호타하지메,히라카와아키오,스가하라마사키,우츠노미야지로,쿠로사와키요시. Владелец: 사와무라시코우. Дата публикации: 1998-10-26.

Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board and semiconductor device

Номер патента: US8552570B2. Автор: Shintaro Yamamichi,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita,Kouji Soejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150255396A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160314979A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Rahimo Munaf,Andenna Maxi,Nistor Iulian,Bellini Marco,Bauer Friedhelm. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140042645A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

THERMOSETTING RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061955A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

PATTERN STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING PATTERN STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140065820A1. Автор: SIM Jaehwang,MIN Jaeho,LEE Jaehan,KIM Keonsoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Mori Daisuke,Tanaka Ryo,Teranishi Hideaki,Ueno Katsunori,MATSUYAMA Hideaki,TAKASHIMA Shinya,EDO Masaharu,SUDA Hirotaka,INOUE Chizuru. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220045222A1. Автор: Holland Steffen,RITTER Hans-Martin,NOTERMANS Guido,Utzig Joachim,Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2022-02-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20180047652A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-02-15.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190074359A1. Автор: Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-03-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SUPPLY CONTROL METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140159778A1. Автор: HIRANO Ryo. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ANALOG/DIGITAL CONVERTER CIRCUIT INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150091003A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Method of Fabricating Semiconductor Device and Method of Cleaning Processing Chamber in Semiconductor Device

Номер патента: US20170107616A1. Автор: Kim Eun-Sung,CHOI Chul-Hwan,SHIM Bo-young,KIM Chung-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERNS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173029A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115312A1. Автор: Kyono Takashi,YANASHIMA Katsunori,Tokuyama Shinji,Katayama Koji,HAMAGUCHI TATSUSHI,SUMIYOSHI Kazuhide,Saga Nobuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115321A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,YANG Moon-seung,Mohammad Rakib Uddin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220181079A1. Автор: DIENSTBIER Markus. Владелец: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2022-06-09.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE, A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129928A1. Автор: ABOUDA Kamel,BESSE PATRICE,Bernon-Enjalbert Valerie,Givelin Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160133741A1. Автор: WATANABE Yukihiko,Onogi Atsushi,AOI Sachiko,SAKAKIBARA Jun,MATSUKI Hideo. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-12.

THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225075A1. Автор: ZHAN Zhi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210183995A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Takei Manabu,HARADA Shinsuke,KYOGOKU Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190165102A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

TEST STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR OBTAINING FABRICATING INFORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200161195A1. Автор: Hsu Shih-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto,FUKUDA Kenji,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,HARADA Shinsuke,Kojima Takahito. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212183A1. Автор: UTSUMI Makoto,ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-02.

Lateral Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Lateral Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140319610A1. Автор: Mauder Anton,Weis Rolf,Thyssen Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370665A1. Автор: Rahimo Munaf,Corvasce Chiara,VOBECKY Jan,Otani Yoichi. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-18.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200295129A1. Автор: Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-17.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Mahler Joachim,KOLMEDER Guenther. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Okawa Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338153A1. Автор: ENGELHARDT Manfred,Baumgartl Johannes,Muri Ingo,HELLMUND Oliver,Moder Iris. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,HARADA Shinsuke,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358444A1. Автор: TAWARA Takeshi,Miyazato Masaki,Ryo Mina,Miyajima Masaaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING AN INDUCTOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: AR095457A1. Автор: Hadjichristos Aristotele,Park Yunseo,Chen Xiaoming,Zhang Xiaonan,Nejati Babak,Kyu Song Young,David Lane Ryan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Semiconductor device and method for forming metal interconnection in semiconductor device

Номер патента: CN1096117C. Автор: 张玹珍,文永和,权赫晋. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-11.

Semiconductor device and method of fabricating pad in the semiconductor device

Номер патента: KR100683387B1. Автор: 이용근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and process for producing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR101212847B1. Автор: 신 하라다,마사토 츠모리. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-12-14.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: KR102491830B1. Автор: 요시타카 구라오카,소타 마에하라,미키야 이치무라. Владелец: 엔지케이 인슐레이터 엘티디. Дата публикации: 2023-01-25.

Method of resin sealing a semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and forming die for resin sealing the semiconductor device

Номер патента: KR20040087924A. Автор: 하마사키사토시. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2004-10-15.

Semiconductor device and method of forming contact plug in semiconductor device

Номер патента: KR100965030B1. Автор: 김은수,조휘원,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Silicon Carbide Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: CN105590962A. Автор: 松木英夫,榊原纯,青井佐智子,渡辺行彦,小野木淳士. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10418445B2. Автор: Takeshi Tawara,Masaaki Miyajima,Mina RYO,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

A pumping device and controlling method of etching apparatus for semiconductor device fabrication

Номер патента: KR100217502B1. Автор: 민병호,김흥태. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-01.

Semiconducting film, semiconductor device and method for manufacturing semiconducting film or semiconductor device

Номер патента: CN1389899A. Автор: 高山彻,秋元健吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-08.

Semiconductor device and method of forming patterns for the semiconductor device

Номер патента: US20100155906A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Young-Seop Rah. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Thin film for semiconductor device and manufacturing method of thin film for semiconductor device

Номер патента: EP0633605A2. Автор: Katsuyuki Musaka,Shinsuke C/O Applied Materials Japan Mizuno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-01-11.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: TWI545691B. Автор: 金建秀,沈載煌,李宰翰,閔在豪. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Side light emitting semiconductor device and method for manufacturing side light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4362125B2. Автор: 健中原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-11.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: CN102005471A. Автор: 仓冈义孝,角谷茂明,田中光浩,三好実人,市村干也,杉山智彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Compound semiconductor device and back copper processing method of compound semiconductor device

Номер патента: CN110767604A. Автор: 魏鸿基,郭佳衢,林科闯,庄秉翰,邱宗德. Владелец: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three. Дата публикации: 2020-02-07.

An optoelectronic semiconductor device and a method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2016146200A1. Автор: Boon Liang Yap,Kah Mun CHOOI,Lay Sin KHOO,Rodello Cadiz Sigalat. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor devices and the method for improving performance of semiconductor device

Номер патента: CN106847698B. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: US8410552B2. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Shigeaki Sumiya,Makoto Miyoshi,Tomohiko Sugiyama,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0487739A1. Автор: Koji KATO. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-06-03.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor devices and the method for improving performance of semiconductor device

Номер патента: CN106847698A. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device and portable electronic device provided with the semiconductor device

Номер патента: WO2005088703A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永知加雄池,永知加雄池,謙太朗関,川和人細,川和人細,結卓司桶,結卓司桶,川桂介吉,川桂介吉,村和弘池,村和弘池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Wide gap type semiconductor device and method for manufacturing wide gap type semiconductor device

Номер патента: JP6030806B1. Автор: 俊一中村,小笠原　淳,淳小笠原,良平大澤,雄介前山,昭彦渋川. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device

Номер патента: CN104134692A. Автор: A·毛德,N·西森,R·威斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor device and insulating film manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: KR100271941B1. Автор: 소지 고바야시,미쯔루 요시까와. Владелец: 윌리엄 비. 켐플러. Дата публикации: 2000-12-01.

Cleaning composition for the production of semiconductor devices and a method for the production of semiconductor devices by means of the same

Номер патента: DE19817486A1. Автор: Pil-kwon Jun,Gyu-Hwan Kwack,Sang-Moon Chon,Young-hwan Yun,Min-sang Yun,Joon-Ing Kil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-28.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: TWI639221B. Автор: 李明宰,梁炆承,李商文,李成訓,穆罕默德拉奇武丁,趙成豪. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-21.

Reverse conductive type semiconductor device, and manufacturing method for reverse conductive type semiconductor device

Номер патента: JP2022067730A. Автор: Koichi Nishi,康一西,Takahiro Nakatani,Shinya SONEDA,真也曽根田,貴洋中谷. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-09.

Semiconductor device and method of forming metal line of semiconductor device

Номер патента: US20080217789A1. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Thin film semiconductor device, organic light-emitting display device, and method of manufacturing the thin film semiconductor device

Номер патента: US9196737B2. Автор: Zhi-Feng ZHAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Multi-chip module including semiconductor devices and a wiring substrate for mounting the semiconductor devices

Номер патента: US6791178B2. Автор: Takao Terabayashi,Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-09-14.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US9755042B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Wide bandgap semiconductor device and the method for forming wide bandgap semiconductor device

Номер патента: CN110034173A. Автор: R.鲁普,H-J.舒尔策,J.卢茨. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-19.

Wiring structure in semiconductor device and method of fabricating wiring structure in semiconductor device

Номер патента: US20090020879A1. Автор: Ji-Yoon LEE,Hyuck-Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Surface mount type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060270118A1. Автор: Tetsuya Sato,Hiroyuki Okura,Takashi Imoto,Katsuhiko Oyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Electronic Package of Photo-sensing Semiconductor Device and Method of Packaging a Photo-sensing Semiconductor Device

Номер патента: KR100624068B1. Автор: 김덕훈,레체제이.에이치.존. Владелец: 옵토팩 주식회사. Дата публикации: 2006-09-18.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US9147625B2. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: TW201133711A. Автор: Keon-Soo Kim,Jae-Han Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-01.

Reverse conducting semiconductor device and method of manufacturing a reverse conducting semiconductor device

Номер патента: DE102021125993A1. Автор: Koichi Nishi,Takahiro Nakatani,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永知加雄池,謙太朗関,川和人細,結卓司桶,川桂介吉,村和弘池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Thermosetting resin sheet for electronic component sealing, resin sealing type semiconductor device, and manufacturing method of resin sealed type semiconductor device

Номер патента: TWI576407B. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-04-01.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: SG2013064712A. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-03-28.

Adhesive sheets for semiconductor device and face-mounting type semiconductor device

Номер патента: TWI222992B. Автор: Takao Yoshikawa,Hitoshi Takahira,Kazuhito Hosokawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4009375B1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: GB2502477B. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-17.

Double-side mounted type semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20220016337A. Автор: 이종구,김광건,김창덕,정우정. Владелец: (주)와이솔. Дата публикации: 2022-02-09.

Manufacturing method of three-dimensional mounting type semiconductor device

Номер патента: JP4289146B2. Автор: 員拓増田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Mounting method of surface mount type semiconductor package

Номер патента: JP2501177B2. Автор: 村上　　元,和平北村. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-05-29.

Surface mount type semiconductor device

Номер патента: JP2690248B2. Автор: 昌彦津守. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1997-12-10.

Surface mounting type semiconductor device

Номер патента: JPS5947750A. Автор: Tomio Yamada,富男山田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-17.

Method for manufacturing surface mount type semiconductor device

Номер патента: JP2934372B2. Автор: 友広鈴木. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1999-08-16.

Mounting structure of surface mount type semiconductor device

Номер патента: JP2943888B2. Автор: 浩吉田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-30.

Plane mounting type semiconductor device

Номер патента: JPS6469042A. Автор: Yuki Maeda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1989-03-15.

Surface mounting type semiconductor package, fabrication system and method thereof

Номер патента: KR101142150B1. Автор: 이훈용. Владелец: (주)와이솔. Дата публикации: 2012-05-10.

Surface-mounting type semiconductor package having an improved efficiency for heat dissipation

Номер патента: KR950013047B1. Автор: 준이찌 가사이,미찌오 소노,마사노리 요시모또,고우지 사이또,가즈히꼬 미또베. Владелец: 세끼사와 요시. Дата публикации: 1995-10-24.

Surface mount type semiconductor package and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030011063A1. Автор: Shigeru Yamada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09911752B2. Автор: Masahiro Fukuda,Takayuki Kashima,Takashi Hirotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842856B2. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893082B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478561B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190319043A1. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240324204A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09754961B2. Автор: Hiroyuki Yamasaki,Makoto Fujiwara,Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170243945A1. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09972635B2. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837434B2. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Satoshi Nagashima,Koichi Sakata,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09761601B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735167B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09553047B2. Автор: Yu-Min Hung,Tzung-Ting Han,Miao-Chih Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09530697B1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180226422A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357830A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960179B2. Автор: Kenta Yamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905510B2. Автор: Yosuke Komori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09865616B2. Автор: Shinya Takahashi,Takashi Shimizu,Ryota Katsumata,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837430B2. Автор: Toshihiko Iinuma,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09741733B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09735171B2. Автор: Junya Fujita,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627402B2. Автор: Masayuki Tanaka,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583506B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory information storage device and its defective part coping method

Номер патента: JP5057796B2. Автор: 俊生鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Enhancement mode limited mnos memory device

Номер патента: CA1049654A. Автор: James R. Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1979-02-27.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120049171A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor devices and preparation method, the test structure of semiconductor devices and method

Номер патента: CN105990357B. Автор: 邹陆军,李绍斌,张金霜. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025303A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Wood Andrew,Zelsacher Rudolf,Poelzl Martin,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Haeberlen Oliver,Born Mathias,Ropohl Jan,Hiller Uli,Roesch Maximilian,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Vertical type semiconductor device and method of manufacturing a vertical type semiconductor device

Номер патента: US20120028428A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SUPPLY CONTROL METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120042188A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD OF RED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077299A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF SENSING DATA OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120140545A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

Integrated Heterojunction Semiconductor Device and Method for Producing an Integrated Heterojunction Semiconductor Device

Номер патента: US20130168737A1. Автор: Prechtl Gerhard,Dippold Gebhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated Semiconductor Device and a Bridge Circuit with the Integrated Semiconductor Device

Номер патента: US20140015586A1. Автор: Hirler Franz,Meiser Andreas,Thiele Steffen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-16.

Wafer Alignment Device and Inspection Method for Inspection Equipment for Semiconductor Device Manufacturing

Номер патента: KR19980085521A. Автор: 박순종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Lead frame material for semiconductor device and method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2701495B2. Автор: 荘太郎土岐,直美中山. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 1998-01-21.

The encapsulating structure of semiconductor device and the packaging technology flow process of semiconductor device

Номер патента: CN103413795B. Автор: 张�浩,庞慰,陶金,张孟伦,张代化. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-28.

Photo semiconductor device and a semiconductor module having such photo semiconductor device

Номер патента: TW406439B. Автор: Tsutomu Ishikawa,Masashi Arai,Hiroshi Kobori,Hiroki Seyama. Владелец: Sekiguchi Satoru &. Дата публикации: 2000-09-21.

Socket for surface mounting type semiconductor device

Номер патента: JPH01198055A. Автор: Hideki Kunii,Tadao Nishiguchi,英樹國井,Sunao Awano,直粟野,直男西口. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1989-08-09.

Mounting structure of surface mount type semiconductor switch element

Номер патента: JP4269460B2. Автор: 宏清家,浩司佐伯. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Surface mount type semiconductor device, mounting method and surface mount type resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1065068A. Автор: Masanori Segawa,Masaji Ogata,正則瀬川,正次尾形,Hiroyuki Hozoji,宝蔵寺裕之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

System of functional testing cards of semiconductor memory

Номер патента: RU2524858C2. Автор: Денис Анатольевич Строганов,Григорий Владимирович Шишкин,Алескандр Владимирович Руткевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения". Дата публикации: 2014-08-10.

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты