Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法

离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法

Номер патента: CN102412184B
Опубликовано: 12-03-2014
Автор(ы): 张文广, 徐强, 郑春生, 陈玉文
Принадлежит: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of making a shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20140120693A1. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming a shallow trench isolation struc

Номер патента: TWI353651B. Автор: Chien Chao Huang,Chih Hsin Ko,Chung Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-12-01.

Method and device for shallow trench isolation in a fin type field effect transistors

Номер патента: US20200135928A1. Автор: Min Gyu Sung,Johannes Van Meer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Minimizing transistor variations due to shallow trench isolation stress

Номер патента: US20090258468A1. Автор: Jong Shik Yoon,Andrew Tae Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Technique of reducing shallow trench isolation loss during fin formation in finFETs

Номер патента: US09646888B2. Автор: HAI Zhao,Lijuan Du. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method and structure for controlling stress in a transistor channel

Номер патента: US9006836B2. Автор: Haining S. Yang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Two-step shallow trench isolation (STI) process

Номер патента: US09502280B2. Автор: Chen-Ming Huang,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Miao-Cheng Liao,Hsiang-Hsiang Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369134A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chun-Hsiang FAN,Ta-Wei Lin,Chun-Liang Tai,Shih-Hsiang Chiu,Chieh-Chun CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Implantation for shallow trench isolation (sti) formation and for stress for transistor performance enhancement

Номер патента: SG158008A1. Автор: Zhang Fan,TEH Young Way,Liu Jinping,TAN Juan Boon,HSIA Liang Choo,Sheng Haifeng,SIEW YONG KONG,LIN WENHE,Vincent Ho,Johnny Widodo,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Methods of removing fins so as to form isolation structures on products that include FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09455198B1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Xusheng Wu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US7196395B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Yukihiro Kumagai,Katsuyuki Nakanishi,Michihiro Mishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09947541B2. Автор: Nicolas Posseme,Olivier POLLET,Maxime GARCIA-BARROS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective shallow trench isolation (sti) fill for stress engineering in semiconductor structures

Номер патента: US20190131452A1. Автор: Hong Yu,Xusheng Wu,Dongil CHOI,Xinyuan Dou,Ashish Kumar JHA,Edmund K. Banghart,Md Khaled HASSAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Deep trench and shallow trench combination device isolation structure and manufacturing method

Номер патента: KR970053454A. Автор: 안동호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

A method of fabricating a shallow trench isolation structure and method of planarizing the surface of a material layer in a semiconductor device

Номер патента: DE10008813B4. Автор: Joseph Wu,Sheng-Fen Chiu,Jhia-Shun Shiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a shallow trench isolation structure

Номер патента: KR101615814B1. Автор: 치아 이 추앙,타 시앙 궝,싱 쥐 리,밍-테 첸. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-04-26.

A method of making a shallow trench isolation in a semiconductor substrate

Номер патента: DE19821452B4. Автор: Ming-Sheng Kuo,Yi-Chun Chung-Li Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of making a shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US9184088B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20140154865A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming a shallow trench isolation by using PE-oxide and PE-nitride multi-layer

Номер патента: US6117740A. Автор: Wei-Ray Lin,Li-Yeat Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method of forming a shallow trench isolation structure

Номер патента: US6777336B2. Автор: Chih-Ta Wu,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of manufacturing semiconductor devices with trench isolation

Номер патента: US6403492B1. Автор: Darin A. Chan,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Method for Filling the Trenches of Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20160336217A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for filling the trenches of shallow trench isolation (STI) regions

Номер патента: US09558988B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20120178237A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Fabrication of reverse shallow trench isolation structures with super-steep retrograde wells

Номер патента: US20140124794A1. Автор: KIM Seung,Kim Sun,LEE YongMeng,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao,TONG Weihua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing memory device and method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: US09799755B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with tub-ties and shallow trench isolation

Номер патента: US6358824B1. Автор: Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Thi-Hong-Ha Vuong. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US20160190272A1. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180083044A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US20160126143A1. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20110175190A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US11908729B2. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20240105501A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20190198382A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: WO2019125867A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US09437595B2. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Semiconductor device manufacturing method to reduce process induced stress and crystalline defects

Номер патента: US6514885B1. Автор: Hideki Takada,Yoshinori Asahi,Robert W. Dutton,Hiroshi Ohtani,Kyeongjae Cho,Sinji Onga,Takako K. Okada. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US20120292704A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US20150221646A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Methods of enhancing surface topography on a substrate for inspection

Номер патента: US20180350614A1. Автор: Han-Wen LIAO,Chun-Chih Lin,Jun Xiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of etching a crystalline semiconductor material by ion implantation and then chemical etching based on hydrogen chloride

Номер патента: US09570340B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming horizontal gate all around structure

Номер патента: US09786757B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Huan-Chieh Su,Jui-Chien Huang,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure and method of latchup robustness with placement of through wafer via within CMOS circuitry

Номер патента: US09842838B2. Автор: David S. Collins,Steven H. Voldman,Phillip F. Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US09859402B2. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device with shallow trench isolation (STI) having edge profile

Номер патента: US09653343B1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Chang-Po Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Shallow trench isolation regions made from crystalline oxides

Номер патента: US09589827B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for shallow trench isolation fabrication and partial oxide layer removal

Номер патента: US6794270B2. Автор: Yi-Nan Chen,Chang Rong Wu,Pei-Ing Lee,Tzu En Ho,Hsien Wen Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of controlling well leakage for trench isolations of differing depths

Номер патента: WO2001093311A3. Автор: H Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of etching a shallow trench

Номер патента: US09842743B1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method for forming semiconductor structure with sub-fin structures

Номер патента: US09455176B2. Автор: Chien-Ting Lin,Po-Chao Tsao,Shih-Fang Tzou,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Shallow trench isolation structures and contact patterning

Номер патента: US10242918B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of manufacturing MOSFET

Номер патента: US09691878B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Shallow trench isolation structure with nitride pullback by implantation treatment

Номер патента: US20240006230A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Haowen Bu,Byron Joseph Palla,Douglas Harvey Newman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: WO2000024055A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-04-27.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: EP1127374A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-29.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: EP1127374B1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1176761A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: Jose Solo De Zaldivar. Дата публикации: 1984-10-23.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of forming semiconductor memory device having saddle portion

Номер патента: US11882683B2. Автор: Chien-Ming Lu,Fu-Che Lee,Chien-Cheng Tsai,Chiu-Fang Hsu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finFET

Номер патента: US09704994B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Chemical mechanical planarization polishing for shallow trench isolation

Номер патента: EP4413088A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Shallow trench isolation spacers

Номер патента: US20240030058A1. Автор: Chen Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Isolation structure, method of forming the isolation structure, semiconductor device having the isolation structure and method of manufacturing the semiconductor device having the isolation structure

Номер патента: KR100823703B1. Автор: 최종완,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of manufacturing semiconductor device having trench isolation

Номер патента: US6841400B2. Автор: Shigenobu Maeda,Takuji Matsumoto,Toshiaki Iwamatsu,Shigeto Maegawa,Yuuichi Hirano,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-11.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: GB0011692D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of forming gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190123162A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising an isolation structure

Номер патента: EP0041776B2. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-03-14.

Methods of forming gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190123162A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Materials suitable for shallow trench isolation

Номер патента: WO2005114707A3. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Ananth Naman. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming a thick strained silicon layer and semiconductor structures incorporating a thick strained silicon layer

Номер патента: EP1579485A2. Автор: Qi Xiang,Minh Van Ngo,Eric N. Paton,Paul R. Besser,HaiHong Wang,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Embedded source/drain structure for tall finFET and method of formation

Номер патента: US09818877B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072147A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Nanowire structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653546B2. Автор: Hsueh-Hao Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrical isolation structures for ultra-thin semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140061800A1. Автор: Shom Ponoth,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20170330791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20080303104A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09647060B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20210367033A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor transistor with precise geometries and related manufacture method thereof

Номер патента: US20240178320A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor transistor with precise geometries and related manufacture method thereof

Номер патента: EP4376095A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10446648B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Manufacture method of LTPS thin film transistor and LTPS thin film transistor

Номер патента: US09786789B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583568B2. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US20240243189A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160204197A1. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Switches with deep trench depletion and isolation structures

Номер патента: US09922973B1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Thai Doan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US09502292B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20140099773A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-04-10.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor isolation structure and method for making the semiconductor isolation structure

Номер патента: US20220293723A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chien-Hung Liu,Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH,Tung-Yang Lin,Shiang-Hung HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Ic structure including porous semiconductor layer in bulk substrate adjacent trench isolation

Номер патента: EP4210091A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

IC structure including porous semiconductor layer in bulk substrate adjacent trench isolation

Номер патента: US12119352B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Номер патента: US6040233A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-21.

METHOD OF FORMING A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20150014807A1. Автор: Lee Hsing-Jui,CHUANG Chia-Yi,Chen Ming-Te,Kung Ta-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Device with dual isolation structure

Номер патента: US20230117591A1. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Richard J. Rassel,Michel J. Abou-Khalil,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for forming a shallow trench with tapered profile and round corners for the application of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US5807789A. Автор: Chao-Cheng Chen,C. H. Yu,C. S. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230231033A1. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: WO1999031728A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367653A1. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11640981B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-02.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing independent depth-controlled shallow trench isolation

Номер патента: US09779957B2. Автор: Jeng-Ping Lin,Shian-Jyh Lin,Jen-Jui HUANG,Chin-Piao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Embedded source/drain structure for tall FinFET and method of formation

Номер патента: US10559690B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US09401367B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Separation gate power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386825A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of trimming a hard mask layer, method for fabricating a gate in a mos transistor, and a stack for fabricating a gate in a mos transistor

Номер патента: US20090206403A1. Автор: Min-Chieh Yang,Yi-Hsing Chen,Jiunn-Hsiung Liao,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20230299196A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230290853A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wei-Jin Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Sgt mosfet device and manufacturing method of contact holes of sgt mosfet device

Номер патента: US20230369461A1. Автор: Fei Peng,Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7687351B2. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

SOI substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US6875643B2. Автор: Masanori Akatsuka,Naoshi Adachi. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Manufacturing method for increasing product yield of memory devices suffering from source/drain junction leakage

Номер патента: US7618869B2. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09985021B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09824934B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US20230378183A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130221444A1. Автор: Hirofumi Igarashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US20180096989A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing shallow trench isolations

Номер патента: US11817344B2. Автор: Li He,Yi Wang,Liyuan LIU,Fulong Qiao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20220277986A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Formation of shallow junctions by diffusion from a dielectric doped by cluster or molecular ion beams

Номер патента: US20110312168A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Formation of shallow junctions by diffusion from a dielectric doped by cluster or molecular ion beams

Номер патента: WO2009023768A2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of fabricating shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040147135A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Hsiao-Kang Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films

Номер патента: US09412613B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Yongmei Chen,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Manufacturing method of semiconductor device shallow-trench isolation structure

Номер патента: CN104282612B. Автор: 赵猛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of manufacturing the shallow trench isolation structure

Номер патента: TW200845292A. Автор: Jiann-Jong Wang,Chi-Long Chung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-16.

Method of forming a shallow trench isolation structure

Номер патента: US5721173A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Integrated circuits and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20120119298A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kuan-Lun Cheng,Chih-Pin TSAO,Yi-Ming Sheu,Chun-Fu CHENG,Wen-Yuan Chen,Tsung-Hsing Yu,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of forming planarized shallow trench isolation

Номер патента: TW200529357A. Автор: Angela T Hui,Simon S Chan,Darin A Chan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of forming a shallow trench-deep trench isolation region for a BiCMOS/CMOS technology

Номер патента: US20050176214A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Ruey-Hsin Liu,Kuan-Lun Chang,Chih-Min Chiang,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

METHOD OF MAKING A SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) STRUCTURES

Номер патента: US20140120693A1. Автор: Fang Ziwei,WU Chii-Ming,TSAI Chun Hsiung,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming a shallow trench isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100564988B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

Method of forming a shallow trench isolation

Номер патента: US20020022340A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of Forming a Shallow Trench Isolation Embedded Polysilicon Resistor

Номер патента: US20110318897A1. Автор: Ying Li,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of fabricating semiconductor device having trench isolation structure

Номер патента: KR100389031B1. Автор: 허성회. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-25.

Method of fabricating semiconductor device having trench isolation structure

Номер патента: US20020190342A1. Автор: Sung-Hoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of forming a rounded-corner trench isolation structure

Номер патента: TW395013B. Автор: Ih-Chin Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

A method of forming a void free trench isolation

Номер патента: TW412834B. Автор: Chang-ki Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-21.

Method of forming insulation layer in trench isolation type semiconductor device

Номер патента: KR100568100B1. Автор: 박문한,홍수진,구주선,허진화,김홍근,홍은기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of forming a self-aligned trench isolation

Номер патента: US6265285B1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method of controlling well leakage for trench isolations of differing depths

Номер патента: AU2001255414A1. Автор: H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-12-11.

Method of manufacturing semiconductor device having trench element-isolating structure

Номер патента: US6825118B2. Автор: Takahiro Maruyama,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device having trench element-isolating structure

Номер патента: US20040097046A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Electrode Pick Up Structure In Shallow Trench Isolation Process

Номер патента: US20110156151A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: WO2019165107A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Deep trench isolation structure and method for improved product yield

Номер патента: US09997396B2. Автор: Dieter Dornisch,George E. Parker,Lawrence L. Au. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180144988A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190027410A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121704B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY

Номер патента: WO2006034355A3. Автор: Qizhi Liu,Peter J Geiss,Peter B Gray,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of collector formation in BiCMOS technology

Номер патента: US20060124964A1. Автор: Peter Gray,Qizhi Liu,Peter Geiss,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200194A1. Автор: Shuai ZHANG,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Deep trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US09768220B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096941A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu,Po-Wei Liu,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3896724A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Die size reduction and deep trench density increase using deep trench isolation after shallow trench isolation integration

Номер патента: US20240038579A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20150048476A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210098571A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices with backside isolation structures

Номер патента: US20210118988A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US20210050414A1. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Forming three dimensional isolation structures

Номер патента: US9111773B2. Автор: Marcello Mariani,Enzo Carollo,Sara Marelli,Luca Di Piazza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20240047519A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US11824087B2. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Trench isolation interfaces

Номер патента: US11031283B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US09466605B2. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437715B1. Автор: Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Hung-Kwei Liao,Ming-Feng Chang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119160A1. Автор: Chih-Hao Wang,Keng-Chu Lin,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021735A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Self aligned method for differential oxidation rate at shallow trench isolation edge

Номер патента: US6225188B1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Trench isolation implantation

Номер патента: US09514976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Shallow trench isolation (STI) for VLSI applications

Номер патента: EP1026734B1. Автор: Herbert Ho,Erwin Hammerl,Radhika Srinivasan,Bertrand Flietner,Gary Bronner,Farid Agahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-27.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US20170317161A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US09941348B2. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: US20120302039A1. Автор: Marwan H. Khater,Leathen Shi,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: US20100190324A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A8. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-29.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: WO2011057857A1. Автор: Leathen Shi,Jeng-Bang Yau,Robert Heath Dennard,Marwan Khater. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of manufacturing a trench structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US6107158A. Автор: Jie Zheng,Calvin Todd Gabriel,Suzanne Monsees. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Semiconductor devices structures including an isolation structure

Номер патента: US20130001737A1. Автор: Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide processes

Номер патента: US5982017A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide process

Номер патента: US5891771A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Narrow channel width effect modification in a shallow trench isolation device

Номер патента: US20100323494A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor integrated circuit device suppressing a junction leak and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020089035A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor device including protection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3693993A8. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-02.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Formation of thin spacer at corner of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US6080638A. Автор: Shwangming Jeng,Kong-Beng Thei,Chung-Te Lin,Yuan-Horng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Step-stacked nanowire cmos structure for low power logic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230335556A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of forming isolation trench with spacer formation

Номер патента: US20060094205A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Douglas Bonser,Asuka Nomura,Mark Kelling. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and structure for nitrogen-doped shallow-trench isolation dielectric

Номер патента: US09460957B2. Автор: Yun Chang,Shou-Wen Kuo,Chung-Han Lin,Yi-Chieh Wang,Shing Long Lee,Kuang-Jung Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of and apparatus for integrating flash EPROM and SRAM cells on a common substrate

Номер патента: US20030151111A1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for fabricating shallow rench isolation structure

Номер патента: US20020168834A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai,Chun-Lein Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Shallow trench isolation structure

Номер патента: US6958521B2. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Dual contact trench resistor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20120205776A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US20210303768A1. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Charge Storage Cell and Method of Manufacturing a Charge Storage Cell

Номер патента: US20190035830A1. Автор: Laurence Stark. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Shallow Trench Isolation for Integrated Circuits

Номер патента: US20200051851A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Shallow trench isolation for integrated circuits

Номер патента: US20190393078A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: SG172763A1. Автор: Peter I Porshnev,Martin A Hilkene,Majeed A Foad,Kartik Santhanam,Yen B Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Stop layer through ion implantation for etch stop

Номер патента: US09627263B1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Oxynitride shallow trench isolation and method of formation

Номер патента: US20020177270A1. Автор: Fen Jamin,Klaus Beyer,Patrick Varekamp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Shallow Trench Isolation Method for Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980074323A. Автор: 손정환,허기재. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

Shallow trench isolation

Номер патента: EP2321847A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Shallow trench isolation

Номер патента: WO2010019876A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

3DIC structure for high voltage device on a SOI substrate

Номер патента: US12136627B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Wen-Tuo Huang,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Trench isolation structures

Номер патента: US4656497A. Автор: Steven H. Rogers,Randall S. Mundt,Denise A. Kaya. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-04-07.

Method for forming trenches and trench isolation on a substrate

Номер патента: US20120190168A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device including deep trench isolation structure comprising dielectric structure and copper structure and method of making the same

Номер патента: US12046615B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Cheng-Hsien Chen,Yu-Lung Yeh,Bo-Chang Su,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Trench isolation structures and methods of making thereof

Номер патента: US20240014066A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang,Sivakami Subramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method of forming an STI feature while avoiding or reducing divot formation

Номер патента: US6689665B1. Автор: Syun-Ming Jang,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Method of selectively exposing the sidewalls of a trench and its use to the forming of a metal silicide substrate contact for dielectric filled deep trench isolated devices

Номер патента: US4549927A. Автор: James S. Makris,George R. Goth,Thomas A. Hansen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-10-29.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375879A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor Device Including Protection Structure and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20200258775A1. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Avoiding Field Oxide Gouging In Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20070262412A1. Автор: Yider Wu,Jusuke Ogura,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolation structure for a memory cell using a12o3 dielectric

Номер патента: SG154427A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-28.

Isolation structure for a memory cell using al2o3 dielectric

Номер патента: US20120083093A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677B1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: WO2006007462A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Materials with enhanced properties for shallow trench isolation/premetal dielectric applications

Номер патента: US20060008659A1. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Brian Daniels,Ananth Naman,Denis Endisch,Paul Apen,Arlene Suedmeyer,Deling Zhou. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor processing methods of forming transistors, semiconductor processing methods of forming dynamic random access memory circuitry, and related integrated circuitry

Номер патента: US20020072199A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508598B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of strip-shaped conductive structures and non-volatile memory cell

Номер патента: US09390931B1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313083A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with termination structure including field zones and method of manufacturing

Номер патента: US10541325B2. Автор: Roland Rupp,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius,Reinhold Schoerner,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-21.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09881997B2. Автор: Yasushi Niimura,Shunji Takenoiri,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having a gate electrode of polycrystal layer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5381032A. Автор: Yasuna Nakamura,Katsuhiko Tamura,Kenji Kusakabe,Tohru Koyama,Yoshiko Kokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-10.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing methods of thin film transistors and manufacturing methods of array substrates

Номер патента: US20180301481A1. Автор: Xiaolong CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of manufacturing solar cell and method of forming doping region

Номер патента: US09640707B2. Автор: Daeyong Lee,Jinsung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

METHODS OF DETERMINING RACETRACK LAYOUT FOR RADIO FREQUENCY ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20180365365A1. Автор: Zhang Guohao,Hoang Dinhphuoc Vu,Chen Howard E.,LoBianco Anthony James,Nguyen Hoang Mong,Read Matthew Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for precision oxidation control by ion implantation

Номер патента: US20240203743A1. Автор: Wei Zou,Supakit Charnvanichborikarn,Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Andrew Michael Waite,Cao-Minh Vincent Lu,Ana Cristina Gomez Herrero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240282579A1. Автор: Shih-Ping Lee,Mao-Teng Hsu,Kuo-Tung Peng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB1283133A. Автор: Toshio Abe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-07-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09799758B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09502546B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Sige hbt having deep pseudo buried layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130113021A1. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: SG178705A1. Автор: Fuse Genshu,Sugitani Michiro. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240128337A1. Автор: Kechuang Lin,Shenghou LIU,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Manufacturing method for transistor of electrostatic discharge protection device

Номер патента: US7192823B2. Автор: Jung-Cheng Kao. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Integrated high voltage diode and manufacturing method therefof

Номер патента: WO2007072304A3. Автор: Theodore J Letavic. Владелец: Theodore J Letavic. Дата публикации: 2007-10-18.

Fabrication method of fast recovery diode

Номер патента: US09837275B2. Автор: QUAN Wang,Wei Zhou,Deming Sun,Jieqiong DONG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure for improving static refresh and its method of manufacture

Номер патента: US20010023948A1. Автор: Mark Fischer,Richard Lane,Fawad Ahmed,Charles Dennison,Kunal Parekh,John Zahurak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20240282797A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Pixel device on deep trench isolation (DTI) structure for image sensor

Номер патента: US11996431B2. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2734060C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова,Артур Мишевич Багов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-12.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device for adjusting threshold thereof

Номер патента: US09443990B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Interference exposure apparatus, interference exposure method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130017495A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Katsuyoshi Kodera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF FORMING A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20150155352A1. Автор: Lee Hsing-Jui,CHUANG Chia-Yi,Chen Ming-Te,Kung Ta-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Exposure apparatus, control method of exposure apparatus, information processing apparatus, information processing method, and article manufacturing method

Номер патента: US20240126182A1. Автор: Jun Moizumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ion implantation apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09773712B2. Автор: Takayuki Ito,Toshihiko Iinuma,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Film manufacturing method

Номер патента: RU2346359C2. Автор: Хайнрих ВИЛЬД,Людвиг БРЕМ,Ахим ХАНЗЕН. Владелец: Леонхард Курц Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-10.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Process simulation method, semiconductor device manufacturing method, and process simulator

Номер патента: US20100178757A1. Автор: Takahisa Kanemura,Tomomi Kusaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Indium Phosphide Substrate Manufacturing Method and Epitaxial Wafer Manufacturing Method

Номер патента: US20130109156A1. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11545502B2. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210118897A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

METHODS OF FORMING AND PROGRAMMING MEMORY DEVICES WITH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20140169103A1. Автор: Forbes Leonard,El-Kareh Badih. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and methods of manufacturing

Номер патента: US20240038818A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN,Chen-Hsien Lin,Y.W. Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Superjunction ldmos and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130082326A1. Автор: Shushu TANG. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Structures for power transistor and methods of manufacture

Номер патента: US20120248534A1. Автор: Qin Huang,Yuming Bai. Владелец: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of soi mos device eliminating floating body effects

Номер патента: US20120115287A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-05-10.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140045313A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Kuo-Hsuan Lo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Transistor structure with gate isolation structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240120377A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing a pipe coupling component, method of manufacturing a casing structural member, and pipe coupling structure for a hollow part

Номер патента: WO2009104575A1. Автор: 大介 采野. Владелец: 昭和電工株式会社. Дата публикации: 2009-08-27.

Manufacture method of TFT substrate structure and TFT substrate structure

Номер патента: US09859436B2. Автор: Xing Ming,Zhiyuan Shen,Wenshuai Guo. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof

Номер патента: US09614036B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20180012964A1. Автор: Katsunori Ueno,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of array substrate and LCD panel

Номер патента: US09947754B1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with active fins separated by shallow and deep trench isolations and method for fabricating the same

Номер патента: US09627376B2. Автор: Tae-Joong Song,Jae-Ho Park,Kang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20170025429A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Gate-source structure and manufacturing method thereof, and asymmetric trench mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355925A1. Автор: Yanggang Ou,Jiamin LUO. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

FinFET LDMOS device and manufacturing methods

Номер патента: US09570606B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Ldmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200273989A1. Автор: MAO Li,Deyan CHEN,Dae-Sub Jung,Leong Tee Koh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US12080776B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US20240371958A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040166637A1. Автор: Hiroyasu Ito,Masatoshi Kato,Takafumi Arakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Sige hbt and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130113020A1. Автор: Jing Shi,Jun Hu,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Trench isolation for bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20150048478A1. Автор: Qizhi Liu,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device including electrostatic discharge (ESD) protection circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679889B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455318B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Sige hbt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130113022A1. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Umos-like gate-controlled thyristor structure for esd proection

Номер патента: SG139551A1. Автор: SONG JUN,Lo Keng Foo,Hua Guang Ping. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-29.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Silicon controlled rectifier ESD structures with trench isolation

Номер патента: US6872987B2. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140284625A1. Автор: Koichi Arai,Natsuki Yokoyama,Haruka Shimizu,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150236089A1. Автор: Koichi Arai,Natsuki Yokoyama,Haruka Shimizu,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210288253A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230108500A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183863A1. Автор: Chia-Lan HSU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical-channel type junction SiC power FET and method of manufacturing same

Номер патента: US09691908B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of making Schottky barrier diode by ion implantation and impurity diffusion

Номер патента: US4260431A. Автор: Leo R. Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-04-07.

Isolation structure for bond pad structure

Номер патента: US20240290740A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Shih-Pei Chou,Sin-Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Dual contact trench resistor and capacitor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20130292798A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing ESD protection structure

Номер патента: US20040058502A1. Автор: Jun Cai,Jun Song,Keng Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Device structure for high fill-factor spad pixel with cmos in-pixel circuits

Номер патента: EP4369406A1. Автор: Tze-Ching Fung,Yibing Michelle Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US09466629B2. Автор: SunWoo PARK,Heegeun JEONG,Junho Yoon,Chungho SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method for high capacitance capacitor structure

Номер патента: US8557673B1. Автор: Chung-Lin Huang,Shin-Bin Huang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Manufacturing method for high capacitance capacitor structure

Номер патента: US20130252397A1. Автор: Chung-Lin Huang,Shin-Bin Huang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Image sensors with voltage-biased trench isolation structures

Номер патента: US09584744B2. Автор: Victor Lenchenkov,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: US5913106A. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Structure for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: WO1998004925A2. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09711561B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09543350B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Device structure for high fill-factor spad pixel with cmos in-pixel circuits

Номер патента: US20240153983A1. Автор: Yibing Michelle Wang,Tze Ching FUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US12119364B2. Автор: Gang Chen,Chin Poh Pang. Владелец: Magvision Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09653666B2. Автор: Min Hsun Hsieh,Wei-Chih Peng,Victor Liu,Jhih-Jheng YANG,Hong-Yi LEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Image sensor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070243676A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Composite bsi structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021643A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Ming-Hsien Yang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Vibrator element, sensor unit, electronic apparatus, manufacturing method of vibrator element, and manufacturing method of sensor unit

Номер патента: US20150222244A1. Автор: Takayuki Kikuchi,Seiichiro Ogura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Vibrator element, sensor unit, electronic apparatus, manufacturing method of vibrator element, and manufacturing method of sensor unit

Номер патента: US20150221860A1. Автор: Takayuki Kikuchi,Seiichiro Ogura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Composite bsi structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371904A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Ming-Hsien Yang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Engineering the optical properties of an integrated computational element by ion implantation

Номер патента: US09905425B2. Автор: David L. Perkins,James M. Price,Aditya B. Nayak. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Calibration curve formation method, impurity concentration measurement method, and semiconductor wafer manufacturing method

Номер патента: US09541452B2. Автор: Kazuhiko Kashima,Satoko Nakagawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US9673250B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US11929382B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240153984A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240204033A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state imaging device, method of making said device and imaging system

Номер патента: RU2589519C2. Автор: Такаси МОРИЯМА,Масааки МИНОВА,Такеси ИТИКАВА,Масахиро ОГАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-07-10.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379713A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Min-Ying Tsai,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo,Ching I Li,Chiao-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Transducer, and manufacturing method of the transducer

Номер патента: US09564836B2. Автор: Seung-Mok Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379712A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Pinned photodiode fabricated with shallow trench isolation

Номер патента: US20060125035A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148969A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194263A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing Methods of Three-Dimensional Vertical Memory

Номер патента: US20210143215A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US09954022B2. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Color conversion assembly, display panel and manufacturing method of color conversion assembly

Номер патента: US12096674B2. Автор: Yan Wang. Владелец: Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09609251B2. Автор: Kenji Togo,Masatsugu Itahashi,Takehito Okabe,Ryuichi Mishima,Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of vertical channel transistor array

Номер патента: US09576963B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Micromechanical component and method of its manufacturing

Номер патента: RU2371378C2. Автор: Вольфрам ГАЙГЕР,Уве БРЕНГ. Владелец: Литеф ГмбХ. Дата публикации: 2009-10-27.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US12034025B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Photodiode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145605A1. Автор: Chun-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Image sensor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230299096A1. Автор: Junghyun Kim,Jonghoon Park,YunKi Lee,Junsik Lee,Gyeongjin Lee,Yoongi Joung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Trench isolation structure for scaled pixel region

Номер патента: US12062678B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US20240321924A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Trench isolation structure for scaled pixel region

Номер патента: US20240332332A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Etch block structure for deep trench isolation recess containment

Номер патента: US20240355860A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu,wei long Chen,Ming-En Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Deep trench isolation structures for cmos image sensor and methods thereof

Номер патента: US20240363660A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Image sensor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905600B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a package for embedding one or more electronic components

Номер патента: US09848500B2. Автор: Thomas Merkle,Stefan Koch,Joo-Young Choi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing a package for embedding one or more electronic components

Номер патента: US09398694B2. Автор: Thomas Merkle,Stefan Koch,Joo-Young Choi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Photoconverter manufacturing method

Номер патента: RU2730050C1. Автор: Андрей Александрович Лебедев,Татьяна Владимировна Николаева,Анастасия Александровна Наумова,Наргиза Тухтамышевна Вагапова,Марлен Борисович Каган,Борис Викторович Жалнин,Елена Владимировна Обручева,Сергей Константинович Шаров,Марина Александровна Генали,Сергей Вячеславович Пушко. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Квант". Дата публикации: 2020-08-14.

Semiconductor structure for photo-conducting antennas

Номер патента: RU2671286C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Петр Павлович Мальцев,Сергей Сергеевич Пушкарев,Иван Сергеевич Васильевский,Александр Николаевич Виниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Mosaic photodetector with limiting efficiency of image conversion: structures and methods of its manufacturing (versions)

Номер патента: RU2731460C1. Автор: Александр Иванович Козлов,Михаил Алексеевич Демьяненко,Виктор Николаевич Овсюк,Андрей Рудольфович Новоселов. Владелец: Андрей Рудольфович Новоселов. Дата публикации: 2020-09-03.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан"). Дата публикации: 2020-09-21.

Method of the three-dimensional multi-crystal module on flexible board manufacturing

Номер патента: RU2657092C1. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Анатолий Иванович Погалов,Евгений Юрьевич Чугунов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2018-06-08.

Multispectral light-sensitive device and method of making said device

Номер патента: RU2512074C1. Автор: Сяопин ХУ. Владелец: БОЛИ МЕДИА КОММУНИКЕЙШНЗ (ШЭНЬЧЖЭНЬ) КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor structure with isolation structure

Номер патента: US20230411421A1. Автор: Ya-Wen Wu,Ching-Heng Liu,Chang Yu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Buried photodiode for image sensor with shallow trench isolation technology

Номер патента: US20070045794A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Substrate for optical device, optical device package, manufacturing method of substrate for optical device, and manufacturing method of optical device package

Номер патента: US20190296195A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Manufacturing method for active matrix substrate, active matrix substrate and display apparatus

Номер патента: US20160336357A1. Автор: Masahiro Kato,Satoru Utsugi. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12074186B2. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Polishing platens and polishing platen manufacturing methods

Номер патента: US12076877B2. Автор: Steven M. Zuniga,Jay Gurusamy,Bum Jick KIM,Danielle LOI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask manufacturing apparatus and, manufacturing method of mask and, mask for lithography

Номер патента: US20180348651A1. Автор: In Ki Kim,Jun Suk RHO,Heon Yeong JEONG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2018-12-06.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20240371902A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Installation method of optical fiber composite electric power cable and cable structure for the same

Номер патента: KR100571604B1. Автор: 김종철,오덕진. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2006-04-17.

Battery pack manufacturing device and manufacturing method of battery pack

Номер патента: US12046706B2. Автор: Seok Won Jeung,Ju Hwan Baek,Hyeong Min Park,Geon Tae Park,Jung Ho Oh. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Wide tape out of amorphous alloy based on iron and method of its manufacturing

Номер патента: RU2569327C1. Автор: Цзянь ВАН,Пэй ЧЖАО,Цюань ЛИ,Шаосюн ЧЖОУ,Годун ЛЮ,Вэньчжи ЧЭНЬ,Лидун ДИН,Чжиин ЧЖАН. Владелец: Эдванст Текнолоджи Энд Матириалз Ко., Лтд. Дата публикации: 2015-11-20.

Manufacturing method for semi-finished part for electric contacts, semi-finished part and electric contact part

Номер патента: RU2501133C2. Автор: Андреас КРАУС,Хельмут ХАЙНЦЕЛЬ,Эвелин МАЛЕ-МЁСНЕР,Йоханн ВЕНЦ. Владелец: Додуко Гмбх. Дата публикации: 2013-12-10.

Anisotropic surface energy modulation by ion implantation

Номер патента: WO2014022180A1. Автор: Ludovic Godet,Tristan MA,Christopher Hatem. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09697989B2. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Battery and battery manufacturing method

Номер патента: RU2693575C1. Автор: Томотака ХАГИНО,Юта НЕМОТО,Томохиро ОНО,Еити НАРУСЕ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-03.

Cooling module and manufacturing method

Номер патента: RU2559214C2. Автор: БОРК Феликс ФОН,Бьерн ЭБЕРЛЕ. Владелец: Акасол Гмбх. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of manufacturing a multilayer transformer printed circuit board (PCB) for an electric car

Номер патента: US9805857B2. Автор: Chanboung JEONG. Владелец: Dodo Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of high purity manganese sulphate from the waste liquid of battery recycling process

Номер патента: US09954258B2. Автор: Young Jun Song. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2018-04-24.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Manufacturing method of thin band from magnetically soft alloy and band obtained by this method

Номер патента: RU2630737C2. Автор: Тьери ВЭКЕРЛЬ,Реми БАТОННЕ. Владелец: Аперам. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of ignitor manufacture and ignitor

Номер патента: RU2406196C2. Автор: Орельен ЖАНКОВИАК,Филипп БЛАНШАР,Франсуа КОЛЛАРДЭ. Владелец: Вибро Метер Франс. Дата публикации: 2010-12-10.

Manufacturing method of electrode plate, manufacturing method of secondary battery, electrode plate, and secondary battery

Номер патента: US20230042958A1. Автор: Kentaro Tsukamoto,Yoshifumi Magari. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method of high-pressure discharge lamp and sealed part structure for high-pressure discharge lamp

Номер патента: US20180019090A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Atsuji Nakagawa,Takashige Yamada. Владелец: Phoenix Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Particle aggregate manufacturing method, electrode plate manufacturing method, and particle aggregate

Номер патента: US11998888B2. Автор: Takenori Ikeda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Manufacturing method of spacer for electron-beam apparatus and manufacturing method of electron-beam apparatus

Номер патента: US20020123292A1. Автор: Nobuhiro Ito,Koji Yamazaki,Masahiro Fushimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060081453A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060180456A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Manufacturing method of dielectric waveguide radio-frequency device

Номер патента: US20240304977A1. Автор: Bin Lin,Hetian Hou,Haoji Wang,Tianyi Sui. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Display system with display adjustment mechanism for viewing aide and method of operation thereof

Номер патента: US09571822B2. Автор: LI Tao. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

System and method of controlling several electromechanical drives

Номер патента: RU2739380C2. Автор: Джимми М. КИАМБАО,Джеффри Чарльз КОФФМАН,Джеймс Л. ПЕК ДЖР.. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-12-23.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

Method of adjusting the light output of a projector system, and system for adjusting the light output of a projector system

Номер патента: US8355033B2. Автор: Carsten Deppe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2013-01-15.

Method of adjusting the light output of a projector system, and system for adjusting the light output of a projector system

Номер патента: CN101569183A. Автор: C·德佩. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-28.

Engine mounting system, method of installing an element on engine and a mounting structure for the mounting system

Номер патента: RU2682209C2. Автор: Джеймс Парсонз САЛЛИВАН,Бурак ГУЛЛАДЖ,Аллан КАМИНСКИ,Дан Д. КЕРБИ,Гханшиам М. ПАТЕЛ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-03-15.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of assembling body structure in vehicle and modular body structure for vehicle

Номер патента: RU2671214C2. Автор: Даррин Нил ВАГНЕР,Кристофер Джон МЭЙ,Винсент КИМЕНТО. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-10-30.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Output control method of radio communication module, manufacturing method of radio communication module and output control unit of radio communication module

Номер патента: US20240250703A1. Автор: Taku Uchida,Yuki SUTO. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integral frame structure from the layered polymer composite material, method of its manufacturing and tooling for the method implementation

Номер патента: RU2664043C2. Автор: Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Владимир Владимирович Агапов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Сергей Александрович Гордеев,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-08-14.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US20030232484A1. Автор: Chih-Wei Hung,Da Sung,Chien-Chih Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of the heating unit manufacturing intended for use with the liquid filled cartridge

Номер патента: RU2655184C2. Автор: Флавьен ДЮБЬЕФ,Мишель Торанс,Алексис Луве,Иван Дегумуа. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-05-24.

Betatron structure and betatron structure manufacturing method

Номер патента: RU2434369C2. Автор: Феликс К. ЧЕН,Джойс ВОНГ,Гари В. КОРРИС,Стефен С. БАЛКУНАС,Цзылу ЧЖОУ,Джеймс ХОГ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2011-11-20.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Current lead (versions), current lead section (versions), coupling for connection of current lead sections and manufacturing method of current lead section and coupling

Номер патента: RU2439764C1. Автор: Николай Даниелян,Фатыма Ферхатовна Яшина. Владелец: Фатыма Ферхатовна Яшина. Дата публикации: 2012-01-10.

Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit

Номер патента: RU2697508C1. Автор: Эдуард Владимирович Репницын. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing crystal element and crystal resonator manufactured thereby

Номер патента: US20100327987A1. Автор: Takehiro Takahashi. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Display device and manufacturing method

Номер патента: WO2013119009A1. Автор: Jong Won Lee,Chang Ho Cho,Sung Ki Min,Dong Hee Shim,Sang Yoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

Printed circuit nanofiber web manufacturing method, printed circuit nanofiber web manufactured thereby, and electronic device employing same

Номер патента: US20200137891A1. Автор: In Yong Seo. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Method of adjustment of axial clearance between rolling bearings and device for its implementation

Номер патента: RU2728499C1. Автор: Олег Юрьевич Федотов,Раис Султангалиевич Музафаров,Ильдар Алмасович Каримов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of manufacturing active mass components of negative electrodes for alkaline accumulators during their regenerative recycling

Номер патента: RU2344520C2. Автор: Виктор Петрович Дмитриенко,Юрий Юрьевич Холин,Виктор Иванович Песецкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кузбассэлемент". Дата публикации: 2009-01-20.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of adjusting or controlling damping force of adjustable shock absorbers in cars, particularly in industrial vehicles

Номер патента: RU2720858C2. Автор: Филипп ВАГНЕР,Ян ФЛЯЙШХАКЕР,Томас ИЛЛЕ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-05-13.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

Catalyst, method of its production (versions) and method of cleaning off-gases of nitrogen oxides

Номер патента: RU2480281C1. Автор: Александр Степанович Носков,Александра Степановна Иванова,Елена Марковна Славинская,Ирина Алексеевна Полухина,Виктор Анатольевич Чумаченко,Наталья Васильевна Карасюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2013-04-27.

Manufacturing method for data carrier with embedded coil structure uses rear equalisation structure for pushing coil structure into openings in overlying equalisation layer

Номер патента: DE10113476C1. Автор: Yahya Haghiri. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2003-04-17.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

Disc spring or wave spring manufacturing method for machine and equipment construction, involves exposing surface areas of disc spring or wave spring during stressing of spring, where surface areas are provided with stress in edge section

Номер патента: DE102006051683A1. Автор: Thomas Dr.-Ing. Muhr,Sven Roth,Bernfried Dr.-Ing. Hesselmann,Andreas Dr.-Ing. Rinsdorf. Владелец: MUHR UND BENDER KG. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for adjusting bearing pre-stressing of bearing arrangement, involves providing bearing arrangement unstressed in axial direction

Номер патента: DE102010009483A1. Автор: Juergen Wargalla. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2011-09-01.

A kind of preparation method of water proof air penetrating shoes and the Instep structure for shoes of the water proof air penetrating shoes

Номер патента: CN107048603A. Автор: 朱晓英. Владелец: HAINING XINLANDI SOCKS CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-18.

Method of transforming beams of accelerated charged particles and guide structure for realising said method

Номер патента: RU2462782C1. Автор: Мурадин Абубекирович Кумахов,Рамазан Исаевич Тегаев. Владелец: Мурадин Абубекирович Кумахов. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of producing high throughput tapered straight and cantilevered glass structures for nanodelivery and nanosensing

Номер патента: IL120181A0. Автор: . Владелец: Lieberman Klony. Дата публикации: 1997-07-13.

Method of fabricating nanoantennas array, nanoantennas array chip and a structure for lithography

Номер патента: KR101573724B1. Автор: 김인호,이경석,김원목,이택성,이욱성,정두석. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2015-12-02.

A method of waterproofing a shingle roof and a waterproof coating structure for a shingle roof prepared therefrom

Номер патента: KR102323152B1. Автор: 박준수. Владелец: (주)더우린. Дата публикации: 2021-11-10.

Method of producing ring-like member, backup ring, and seal structure for fuel injection valve

Номер патента: KR100976081B1. Автор: 야수후미 우오주미,에이지 모시주키. Владелец: 가부시기가이샤미스즈고우교오. Дата публикации: 2010-08-16.

Method for adjusting properties of a photonic circuit by post fabrication ion implantation, and adjusted waveguide and photonic circuit

Номер патента: US09766400B2. Автор: Badhise BEN BAKIR,Karim Hassan,Corrado Sciancalepore,Sylvie Menezo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of chemical heat treatment of parts from titanium-based alloy

Номер патента: RU2606352C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева,Раис Калимуллович Давлеткулов,Наиля Фёдоровна Измайлова,Евгения Вадимовна Бахтиарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-01-10.

Treatment method of metallic surfaces by means of carboxylation, application of this method for temporary protection against corrosion and manufacturing method of deformed and carboxylated sheet

Номер патента: RU2384653C1. Автор: Эрве ДЕРУЛЬ,Лидия РАШИЕЛЬ,Софи ЖАК,Николь ЖЕНЕТ,Жан СТЕЙНМЕТЦ,Эмманюэль РОККА. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2010-03-20.

Magnetic recording head and manufacturing method thereof, magnetic recording apparatus, and manufacturing method of magnetic recording medium

Номер патента: US12087334B2. Автор: Tetsuya Kaneko,Kento NISHIMURA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Scanner for two-dimensional optical scanning, manufacturing method thereof, and medical imaging apparatus using the same

Номер патента: US09835852B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Ki-Hun Jeong,Yeong-Hyeon SEO,Kyung Min HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-05.

Nanopin manufacturing method and nanometer sized tip array by utilizing the method

Номер патента: US20090252889A1. Автор: Liang-Chiun Chao,Chung-Chi Liau,Jun-Wei Lee. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2009-10-08.

High chromium ferritic steel with 0.5 atomic % hafnium, part of which is ion implanted

Номер патента: EP1737996A1. Автор: Roy Loughborough University FAULKNER. Владелец: Loughborough University Enterprises Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Method of ion nitriding of cutting tool made of alloyed steel

Номер патента: RU2634400C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Наиля Фёдоровна Измайлова,Наталья Сергеевна Бабенко. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2017-10-26.

Method of sliding bearing manufacturing

Номер патента: RU2741972C2. Автор: Владимир Васильевич Быков,Вениамин Семенович Найман,Виктор Юрьевич Прохоров,Никита Владиславович Синюков,Сергей Васильевич Тащилов. Владелец: Виктор Юрьевич Прохоров. Дата публикации: 2021-02-01.

Aircraft with intermittent braces and manufacturing method

Номер патента: RU2435701C1. Автор: Лоран ГОТИ,Филипп БЕРНАДЕТ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С). Дата публикации: 2011-12-10.

Manufacturing method of a perpendicular recording magnetic head

Номер патента: US20070186409A1. Автор: Tomohiro Okada,Kimitoshi Etoh,Kikuo Kusukawa,Hisashi Kimura. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-08-16.

Fluid control system and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024187280A1. Автор: Bobby Hack,Greg Plett. Владелец: 101252065 Saskatchewan Ltd.. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of chemical heat treatment of workpiece from alloyed steel

Номер патента: RU2627551C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева,Анастасия Юрьевна Кононова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-08-08.

Granule manufacturing method, granule, catalyst loading

Номер патента: RU2747993C2. Автор: Бёнквон ЧХВЭ,Чонкван КИМ,Чонсок ПЭ,Андреас ТИЛЬМАНН,Ларс ТОРКУЛЬ,Дидье БЕТОН,Робин КОЛЬВЕНБАХ. Владелец: Алантум Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-05-18.

Manufacturing method of the component with abradable coating

Номер патента: RU2646656C2. Автор: Лоран ФЕРРЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2018-03-06.

Sealing device manufacturing method (versions)

Номер патента: RU2256114C2. Автор: Джон В. КОСТИ,Джон М. ЛЕНЕР,Майкл А. МАКИСААК. Владелец: Сен Гобен Перформанс Плэстикс Корпорейшн. Дата публикации: 2005-07-10.

Manufacturing method of arched blade of clippers, blade of clippers, and clippers manufactured with this method

Номер патента: RU2381728C1. Автор: Дзеонг Сик ХАН,Гиоунг Хее КИМ. Владелец: Гиоунг Хее КИМ. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of manufacturing sterilised and calibrated medical device based on biosensor (versions)

Номер патента: RU2357759C2. Автор: Мария ТЕОДОРЧИК. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of stator component (versions)

Номер патента: RU2362886C2. Автор: Ян ЛУНДГРЕН,Матс ХАЛЛЬКВИСТ. Владелец: Вольво Аэро Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Manufacturing method of shoe for brake lining

Номер патента: RU2557124C2. Автор: Томас ЯНСЕР. Владелец: Рм Белагтрегер Гмбх. Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of knitted berets

Номер патента: RU2715878C1. Автор: Юлия Геннадиевна Фомина,Владимир Михайлович Апарин. Владелец: Владимир Михайлович Апарин. Дата публикации: 2020-03-03.

Manufacturing method of consumable electrode

Номер патента: RU2382826C1. Автор: Петр Семенович Альтман,Анатолий Егорович Гончаров. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2010-02-27.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Device for finding location of part inside body, measuring-warning device and measuring and representing module for device and method of generating signal on pressure in point of body

Номер патента: RU2297188C2. Автор: Тимотеус Йоан Мари ЛЕХНЕР,Тимотеус Йоан Мария ЛЕХНЕР. Владелец: МААС Андрианус Якобус Йоханнес. Дата публикации: 2007-04-20.

Paper with high extent of counterfeit protection and method of its manufacturing

Номер патента: RU2409473C2. Автор: Шилпан Правинчандра ПАТЕЛ. Владелец: Эрроу Коутид Продактс Лтд. Дата публикации: 2011-01-20.

Liquid-permeable device, refrigerator and method of manufacture of such device

Номер патента: RU2644593C1. Автор: Минь Ли,Эньвэй ДИН,Госинь ЮЙ,Вэйин ЧЖАН,Айминь ВАН,Юншэн СУНЬ,Жуйтао ТАО. Владелец: Циндао Хайер Джойнт Сток Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing color filter, color filter, image display device and electronic apparatus

Номер патента: US20090136653A1. Автор: Junichi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Monolithic fan cowl of an aircraft engine and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09677409B2. Автор: Luis Rubio García,Álvaro ORTIZ DEL CERRO,Joaquín Gallego Pleite,Sofía PONCE BORRERO. Владелец: EADS Construcciones Aeronauticas SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing methods of products from aluminium alloys of aa2000 series

Номер патента: RU2443798C2. Автор: Эндрю НОРМАН,Сунил КХОСЛА,СХОНЕВЕЛТ Хуго ВАН. Владелец: Алерис Алюминум Кобленц Гмбх. Дата публикации: 2012-02-27.

Nanocomposite electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2518150C2. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Laminated sheet and fixed laminated sheet and their manufacture method and method of use

Номер патента: RU2684368C2. Автор: Йосиаки Нецу. Владелец: Дай Ниппон Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-08.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Manufacturing method of combustible heat source with barrier

Номер патента: RU2632280C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2017-10-03.

Probe for scanning probe microscopy and method of its manufacturing (embodiments)

Номер патента: RU2660418C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Иван Сергеевич Мухин,Иван Сергеевич Синев,Антон Кириллович Самусев,Филипп Эдуардович Комиссаренко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-07-06.

Manufacturing method of rotors of ball gyroscopes

Номер патента: RU2713033C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Даниил Павлович Елисеев,Сергей Николаевич Федорович,Татьяна Георгиевна Леонова. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2020-02-03.

Manufacturing method of briquettes with direct usage of coal with wide particle distribution by dimensions, method and facility with usage of this method

Номер патента: RU2353660C2. Автор: Чанг-О КАНГ,Гьюн Донг ПАРК,Ху Гьюн ЛИ,Джин Чан БАЕ,Хо Сик АН,Нам Хван ХЕО,Чанг Ил СОН,Джин Хо РЬЮ. Владелец: Поско. Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of constructional element for aircraft industry, which includes differential cold hammering

Номер патента: RU2440438C2. Автор: Фабрис ЭЙМЕ,Армель ДАНИЕЛУ,Филипп ЛЕКЕ. Владелец: Алкан Реналю. Дата публикации: 2012-01-20.

Tubular part with threaded element on each end and method of its manufacture

Номер патента: RU2334076C2. Автор: Жан-Люк КУЛОН,Жан-Клод МИКМАНД,Жан-Люк КУЛОН (FR),Жан-Клод МИКМАНД (FR). Владелец: Валлурек Маннесманн Ойл Энд Гэс Франс. Дата публикации: 2008-09-20.

Gear transmission with arched engagement and manufacturing method of gear wheel with internal teeth of arched form

Номер патента: RU2700221C2. Автор: Евгений Николаевич Захаров. Владелец: Евгений Николаевич Захаров. Дата публикации: 2019-09-13.

Shoe insert for footwear and method of manufacturing it

Номер патента: RU2743545C1. Автор: Юрий Олегович Фомушкин. Владелец: Юрий Олегович Фомушкин. Дата публикации: 2021-02-19.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Multi-layered structures manufacturing method

Номер патента: RU2678814C1. Автор: Владимир Алексеевич Тарасов,Сергей Юрьевич Шачнев,Владимир Алексеевич Романенков,Андрей Федорович Колесниченко,Елена Ивановна Романенкова,Виктор Андреевич Яковенко,Марина Владимировна Лобова,Раиса Владимировна Боярская. Владелец: Закрытое акционерное общество "Завод экспериментального машиностроения Ракетно-космической корпорации "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2019-02-01.

Polymer end cap, method of its manufacture, method of protection of hollow cylindrical product and product with an installed cap

Номер патента: RU2659010C1. Автор: Денис Николаевич Сницарь,Дмитрий Викторович Чернусский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мехсервис". Дата публикации: 2018-06-26.

Multilayer composite products and their manufacturing methods

Номер патента: RU2752490C2. Автор: Джеймс БЁРНС,Том ОДУМ,Джей ВЕКСИ,Джин БРАЙЕР,Дерек БАСС. Владелец: Шо Индестриз Груп, Инк.. Дата публикации: 2021-07-28.

Method and device for control over manufacturing mode of pipe manufactured by electric welding by resistance method, and manufacturing method of such pipe

Номер патента: RU2682511C1. Автор: Такатоси ОКАБЕ,Тосифуми КОДАМА,Суити САТО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing supporting substrate and led display device

Номер патента: RU2591771C1. Автор: Ся ЛАНЬ. Владелец: Бейджин Глукс Криэйтив Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Bionic implants and their manufacturing methods

Номер патента: RU2747014C2. Автор: Артур Фрыдрыхевич. Владелец: Аф Практыка Стоматологична Артур Фрыдрыхевич. Дата публикации: 2021-04-23.

Closure device for container neck (versions) and manufacturing method of closure device (versions)

Номер патента: RU2701615C1. Автор: Александер Дональд Мейклем МАКФЕРСОН,Дэвид Конуэй РИЧАРДСОН. Владелец: Обрист Кложерс Свитселэнд Гмбх. Дата публикации: 2019-09-30.

Bimetallic current-conducting rail and method of its manufacturing

Номер патента: RU2714470C1. Автор: Игорь Венедиктович Данилов,Иосиф Сергеевич Гершман,Андрей Владимирович Сазанов. Владелец: Игорь Венедиктович Данилов. Дата публикации: 2020-02-17.

Heat exchanger and method of its manufacture, heat exchanger module, heat exchanger and heat source block

Номер патента: RU2642932C1. Автор: Ян Сюй,Цзин Ян,Мустафа К. ЯНИК. Владелец: Данфосс Майкро Ченл Хит Иксчейнджер (Цзясин) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-29.

Manufacturing method of photorefrective lights

Номер патента: RU2657323C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Игорь Касьянович Мешковский,Сергей Викторович Буреев,Марина Константиновна Цибиногина,Александр Валентинович Комаров,Егише Вавикович Тер-Нерсесянц. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-06-13.

Wear improvement in titanium alloys by ion implantation

Номер патента: US4568396A. Автор: Ronald G. Vardiman. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1986-02-04.

Manufacturing Method of Black Vinegar and Black Vinegar Manufactured by the Method

Номер патента: US20090047383A1. Автор: Yasushi Ogasawara,Hirofumi Akano,Yoshiaki Otsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Manufacturing method of refrigerant fabric and refrigerant fabric manufactured by the method

Номер патента: US20180100265A1. Автор: Seok Man GANG. Владелец: Sejong Tf Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing of forged aluminum wheel

Номер патента: US12115575B2. Автор: Sung Yoon,Gwan Muk KIM. Владелец: St Enter Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of organic zinc catalyst and manufacturing method of polyalkylene carbonate resin

Номер патента: US09751981B2. Автор: Seung Young Park,Hyun Ju Cho,Sung-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Pump-type cosmetic container having structure for discharging different kinds of contents and method for manufacturing the same

Номер патента: US09517482B2. Автор: Sung-Hwan Kim,Hak-Chan Kim,Shin-Bok Jung. Владелец: Yonwoo Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Manufacture method of samples for linking tribotechnical tests of "shaft-insert" type

Номер патента: RU2627397C1. Автор: Алексей Михайлович Мезрин,Борис Ярославович Сачек. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (ИПМех РАН). Дата публикации: 2017-08-08.

Steel product strengthening method by ion-plasma carbonitriding

Номер патента: RU2682986C1. Автор: Владимир Наумович Бержанский,Сергей Владимирович Томилин,Александр Николаевич Шапошников,Андрей Викторович Каравайников,Ольга Андреевна Томилина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского". Дата публикации: 2019-03-25.

Sound absorption material having excellent absorption characteristics and the method of its manufacture

Номер патента: RU2641875C2. Автор: Дзунг Воок ЛИ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК,Хио Сеок КИМ,До Хиун КИМ,Чи Хун КИМ. Владелец: Торэй Кемикал Корея Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Three-layer wall panel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2655489C1. Автор: Владимир Викторович Молодин,Владимир Викторович Уткин,Лилия Владимировна Ильина,Виктор Александрович Беккер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет (Сибстрин). Дата публикации: 2018-05-28.

Functional purpose floury confectionary product manufacturing method

Номер патента: RU2729462C1. Автор: Денис Александрович Бараненко,Артем Ильич Лепешкин,Оксана Владимировна Головинская,Вера Анатольевна Иванова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2020-08-06.

Elevator structure and method of elevator manufacturing

Номер патента: RU2538742C2. Автор: Марк Пикок,Чжичжун ЯНЬ. Владелец: Коне Корпорейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Manufacturing method of shaped composite materials, and composite washer

Номер патента: RU2395729C2. Автор: Мэтью А. КОРДИВАРИ,Василий ГОЦКО,Тимоти Дж. ХАГЭН,Фрэнк Дж. КАРПОВИЧ. Владелец: Сэнт-Гобэн Перформанс Пластикс Корпорейшн. Дата публикации: 2010-07-27.

Composite hollow shell manufacturing method

Номер патента: RU2740963C1. Автор: Василий Васильевич Саушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЭЛЕКТРОМАШ». Дата публикации: 2021-01-22.

Side material and method for its manufacture, and manufacturing method of plated element for heat exchanger

Номер патента: RU2456526C2. Автор: Хироси КУНИИ,Тосики УЕДА,Кендзи ТОКУДА,Ясухиро НИСИОКА,Дзицуто СИКАТА,Хидеаки ХАКУЯ. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2012-07-20.

Manufacturing method of forges from austenite steels stabilised with titanium

Номер патента: RU2373297C1. Автор: Андрей Геннадьевич Лебедев,Владимир Семенович Дуб,Леонид Яковлевич Левков,Дмитрий Александрович Шурыгин,Светлана Николаевна Баринова,Яков Маркович Васильев,Виталий Георгиевич Волков,Олег Степанович Коростин,Владимир Васильевич Чуев. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения" ОАО НПО "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2009-11-20.

Bioresorable biological matrix for substitution of bone tissue defects and method of its obtaining

Номер патента: RU2665962C1. Автор: Владимир Георгиевич Нестеренко,Алексей Владимирович Веремеев,Роман Николаевич Болгарин,Антон Геннадиевич КУТИХИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Матрифлекс". Дата публикации: 2018-09-05.

Pipe and pipe manufacturing method

Номер патента: RU2732395C2. Автор: Кристер ВИКМАН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-09-16.

Manufacturing method of piston pin and piston pin, manufactured by this method

Номер патента: RU2356680C1. Автор: Роберт ВЕЙСС,Стивен БЭНГЗ,Джеймс ИНГДЭЛ,Пол ФЕКТО. Владелец: Бургесс-Нортон Мфг. Ко.. Дата публикации: 2009-05-27.

Manufacturing method of detail from steel with coating, allowing ultrahigh durability after thermal treatment

Номер патента: RU2371519C2. Автор: Жак ДЕВРОК,Жан-Пьер ЛОРАН. Владелец: АРСЕЛОР Франс. Дата публикации: 2009-10-27.

Absorbing product manufacturing method

Номер патента: RU2692922C1. Автор: Хироми ХАГИТА. Владелец: ЮНИЧАРМ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-06-28.

High strength antifriction composite based on polyetheretherketone for medicine and method of its production

Номер патента: RU2729653C1. Автор: Сергей Викторович Панин,Людмила Александровна Корниенко,Владислав Олегович Алексенко,Дмитрий Геннадьевич Буслович,Дык Ань Нгуен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2020-08-11.

Candle, giving flame colour and method of making same

Номер патента: RU2591851C2. Автор: Синь ЛВ. Владелец: Цзяньдэ Цзясюань Артиклз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-20.

Uv curable polymer composition, sliding coupling and manufacturing method of sliding coupling

Номер патента: RU2586217C1. Автор: Тадахико КАРАКИ,Кунихиро МАЦУМОТО,Коитиро САГИЯМА. Владелец: Минебеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-06-10.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Manufacturing method of agglomerate for blast-furnace melting

Номер патента: RU2353674C1. Автор: Валерий Николаевич Логинов,Александр Станиславович Нестеров,Владимир Сергеевич Якушев,Вадим Иванович Большаков,Вениамин Павлович Невраев,Михаил Степанович Табаков,Михаил Андреевич Гуркин,Евгений Анатольевич Кашкаров,Валерий Юрьевич Кучин. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-04-27.

Electrochemical manufacture method of tungsten silicide powder

Номер патента: RU2629190C2. Автор: Хасби Билялович Кушхов,Марина Нургалиевна Адамокова,Рузана Мухамедовна Мамхегова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2017-08-25.

Manufacturing method of comb of lip screen and a comb manufactured by this method

Номер патента: RU2683372C1. Автор: Леонид Александрович Клаузер. Владелец: Леонид Александрович Клаузер. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of electrochemical energy converter, and electrochemical energy converter

Номер патента: RU2502158C2. Автор: Збигнев МАГОНСКИ,Барбара ДЖЮРДЖЯ. Владелец: АГХ Научно-технический университет. Дата публикации: 2013-12-20.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Soap manufacture method

Номер патента: RU2671820C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2018-11-07.

Sample for the reinforcing threads and polymer binder adhesion connection strength determining and its manufacturing method

Номер патента: RU2683106C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Юрий Валентинович Антипов,Павел Михайлович Хавалкин. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения" (АО "ЦНИИСМ"). Дата публикации: 2019-03-26.

Manufacturing method of metal rod reinforced with fibres, and obtained rod

Номер патента: RU2495286C1. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛЕАВИ,Жан-Мишель ФРАНШЭ,Жиль КЛЕН. Владелец: Мессье - Бюгатти - Довти. Дата публикации: 2013-10-10.

Shoe and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2370191C2. Автор: Айнер ТРУЭЛСЕН,Айнер ТРУЭЛСЕН (DK). Владелец: Экко Ско А/С. Дата публикации: 2009-10-20.

Manufacturing method of active mass of cathode of lithium current source

Номер патента: RU2424599C1. Автор: Константин Сергеевич Смирнов,Людмила Николаевна Смирнова,Иван Александрович Пуцылов,Владимир Александрович Жорин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)"). Дата публикации: 2011-07-20.

Treatment technique of tobacco extract solution for removing of magnesium ions, manufacturing method of tobacco recycling material and restored tobacco material

Номер патента: RU2342059C2. Автор: Хиромити МУТО,Кодзи ТОРИКАИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2008-12-27.

Refrigerating unit, and manufacturing method of refrigerating unit

Номер патента: RU2509269C2. Автор: Астрид КЛИНГСХИРН,Зандро КОН. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-03-10.

Manufacturing method of nanometre, monodisperse and stable metallic silver and products obtained from it

Номер патента: RU2430169C2. Автор: ПЕРЕС Рикардо БЕНАВИДЕС,РОХАС Хосе Гертрудис БОКАНЕГРА,МАРТИНЕС Хесус Мануэль МАРТИНЕС,Факундо РУИС,ДУРАН Алма Гвадалупе ВАСКЕС,КАСТАНЬОН Габриэль Алехандро МАРТИНЕС. Владелец: Сервисьос Административос Пеньолес С.А. Де К.В.. Дата публикации: 2011-09-27.

Printing material with protection against forgery with thermally transferred pattern, special foil for thermal transfer and manufacturing method of such material

Номер патента: RU2539342C1. Автор: Фэй ЧЭНЬ,Минфа ЧЭНЬ. Владелец: Ханьнань Ппк Нетворк Текнолоджи Ко. Лтд. Дата публикации: 2015-01-20.

Fuel assembly manufacturing method

Номер патента: RU2732730C1. Автор: Николай Михайлович Лебедев,Михаил Григорьевич Зарубин,Александр Владимирович Струков,Александр Николаевич Грот,Илья Владимирович Мокшин,Дмитрий Александрович Красильников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Александра-Плюс". Дата публикации: 2020-09-22.

Manufacturing method of textured electrical steel with high magnetic properties

Номер патента: RU2552792C2. Автор: Каньи ШЭНЬ,Вэйчжун ЦЗИНЬ,Гохуа ЯН,Хуаньдэ СУНЬ,Мэйхун Ю,Цзе ХУАНЬ,Дэцзян ХУ,Гоубао ЛИ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacture method of quantum dots printing ink and quantum dots printing ink manufactured with the manufacture method

Номер патента: US20180100079A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Systems and methods of on demand manufacturing of customized products

Номер патента: WO2011140568A3. Автор: Darrin G. HEGEMIER,Darryl R. Kuhn,Frank M. Tyneski,David M. Peace. Владелец: Skinit, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing panel, panel and furniture comprising panel

Номер патента: AU2021374545B2. Автор: Luhao Leng. Владелец: New Tec Integration Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of aircraft member

Номер патента: EP4071258A1. Автор: Hiroki Mori,Takayuki Takahashi,Yoshihito Kawamura,Michiaki Yamasaki,Minami Sasaki. Владелец: Kumamoto University NUC. Дата публикации: 2022-10-12.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Manufacturing method of tire having sensor container and tire manufactured by the same

Номер патента: US20230036044A1. Автор: Byung Lip Kim,Kwang Yong Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, manufacturing method of chemical liquid, and manufacturing method of chemical liquid storage body

Номер патента: US10884338B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Tire sensor installation structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170136832A1. Автор: Soon Hong So,Jeong Heon Kim. Владелец: Hankook Tire Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of semi-solid indirect squeeze casting for magnesium-based composite material

Номер патента: US20200206808A1. Автор: FENG Yan,Yuhong Zhao,Hua Hou,Liwen Chen,Ting Zhang,Jianquan LIANG,Muxi Li. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2020-07-02.

Manufacturing method for isothermal evaporation casting process

Номер патента: US20080093046A1. Автор: Che-Wei Hsu,Sheng-Long Lee,Jing-Chie Lin,Fu-Kai Hsu,Cheng-En Jiang,Ten-Fu Wu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of additive manufacturing for manufacturing molds an additive manufacturing system for manufacturing molds

Номер патента: EP4400243A1. Автор: Jose Antonio DIESTE MARCIAL,Alberto LAGUIA PEREZ,Iván MONZON CATALAN,Berta GONZALVO BAS,Pascual Gracia Aranega,Alejandro MARQUÉS PAOLA. Владелец: Fundacion AITIIP. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing double layer type transmission planetary gear carrier and planetary gear carrier manufactured by the same

Номер патента: US20200232553A1. Автор: Hyung-Sop Yoon,Young-Ji Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230273483A1. Автор: Jun Tanaka,Tomio Yaguchi,Toshiki Kaneko,Yuko Matsumoto,Hidehiro Sonoda,Shoichi Uchino,Noboru Kunimatsu,Chikae Matsui. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of lipid nanoparticle manufacture and compostions derived therefrom

Номер патента: EP4229208A1. Автор: Mikell Paige,Drew Weissman,Mohamad Gabriel ALAMEH,Suman Alishetty,Michael Daro BUSCHMANN,Manuel Carrasco. Владелец: George Mason Research Foundation Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Manufacturing method of space Kimchi with shelf stability under the severe environment

Номер патента: US20080057167A1. Автор: Jae-Hun Kim,Myung-Woo Byun,Ju-Woon Lee. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2008-03-06.

Manufacturing method, manufacturing apparatus, data processing method, data processing apparatus, data carrier

Номер патента: EP3221127A1. Автор: Hans Kimblad,Cornelia OLSÉRIUS,Ralf CARLSTRÖM,Bo ROSENQUIST. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-09-27.

Manufacturing method of optical devices

Номер патента: US20050170084A1. Автор: Kazumasa Adachi,Motoo Takada. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Manufacturing method of waterproof glove

Номер патента: US20240269950A1. Автор: Boung Wook Kim. Владелец: Bnh Inc Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of manufacturing articles utilizing foam particles

Номер патента: US20240253300A1. Автор: Denis Schiller,Krissy Yetman,Jay CONSTANTINOU,Harleigh Doremus,Luis FOLGAR,Brandon KVAMME. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Touch display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240302926A1. Автор: Chung-Chun Lee,Bo RAO,Liusong NI,Xiaoxi Sun. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Compositions for additive manufacturing and methods of additive manufacturing, particularly of nuclear reactor components

Номер патента: US20240308136A1. Автор: Bryan Blake WIGGINS,Benjamin D. Fisher,John R. SALASIN. Владелец: BWXT Advanced Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of manufacturing rust-preventing cover

Номер патента: US6053998A. Автор: Haruyuki Yamazaki,Makoto Nitta. Владелец: Nihon Sekiso Kogyo Ltd. Дата публикации: 2000-04-25.

Threaded member manufacturing method and thread machining device

Номер патента: EP4458500A1. Автор: LIANG Chen,Feng Zhang,BingBing Sun,Jianping Zhang,Xuejun Li,Peng ZHU,Long Wang,Jianguang Zhao,Yanzhang Liu,Guang Sun,Xiaobing Ran,Yibin PANG,Guobing XU,Zhensheng QIU. Владелец: Ling Ao Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of manufacture of long-length metal bars with nanocrystal structure for medical products (versions)

Номер патента: RU2562591C1. Автор: Александр Андреевич Бобров,Владимир Николаевич Чувильдеев,Михаил Юрьевич Грязнов,Анатолий Николаевич Сысоев,Сергей Викторович Шотин,Алексей Алексеевич Павлюков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE WITH THE STRESS OF ITS ISOLATION OXIDE BEING TUNED BY ION IMPLANTATION

Номер патента: US20120302038A1. Автор: . Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming a shallow trench isolation structure

Номер патента: TW200421523A. Автор: Cheng-Shun Chen,Cheng-Chen Hsueh,Shu-Ya Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-16.

Method of manufacturing the shallow trench isolation structure

Номер патента: TWI285409B. Автор: Chia-Ping Lai,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

Method of manufacturing a shallow trench isolation structure

Номер патента: TW395016B. Автор: Meng-Jin Tsai,Jeng-Jung Chen,De-Chiuan Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of manufacturing the shallow trench isolation structure

Номер патента: TW200701389A. Автор: Chia-Ping Lai,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-01.

Method of filling intervals and method of fabricating a shallow trench isolation

Номер патента: TWI226658B. Автор: Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen,Chien-Hung Lu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Method of filling intervals and method of fabricating a shallow trench isolation

Номер патента: TW200515487A. Автор: Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen,Chien-Hung Lu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-01.

Method of forming a shallow trench isolation structure

Номер патента: TWI284381B. Автор: Cheng-Shun Chen,Cheng-Chen Hsueh,Shu-Ya Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-21.

Method of forming a shallow trench isolation with round corners

Номер патента: TW353795B. Автор: Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-01.

The method of forming the shallow trench isolation (STI) in integrated circuit

Номер патента: TW405206B. Автор: Lu-Ming Liou,Sheng-Hau Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-11.

Improved method of forming the shallow trench isolation in IC

Номер патента: TW392289B. Автор: Meng-Jau Cheng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Method of monitoring the shallow trench etching process

Номер патента: TW388953B. Автор: Jau-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明 小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

The assay method of plunger displacement pump and volumetric efficiency thereof and the method for adjustment of ram travel

Номер патента: CN104454488B. Автор: 冯勇,惠建权,陶世春,聂长春,翟义龙,徐忠平,张明亚,周红光,阮家强. Владелец: China Tobacco Guizhou Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-29.

Construction method of horizontal restoring spring device for seismic isolation structure

Номер патента: JP5009431B1. Автор: 光生 宮崎. Владелец: 株式会社ダイナミックデザイン. Дата публикации: 2012-08-22.

Device for Adjusting of Tensile Stress of Thread

Номер патента: GEU1998337Y. Автор: George Jokharidze,Zurab Jokharidze,Manana Mkervalidze. Владелец: Zurab Jokharidze. Дата публикации: 1998-01-31.

Method of cultivating mesenchymal stem cells, isolated from bone marrow

Номер патента: RU2517112C2. Автор: Александр Борисович Смолянинов,Дмитрий Александрович Иволгин,Александра Андреевна Айзенштадт,Александрина Сергеевна Хрупина,Елена Александровна Котелевская. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью г. Санкт-Петербург "Покровский банк стволовых клеток". Дата публикации: 2014-05-27.

Method of controlling heat fluxes during static tests of aircraft structures for strength under conditions of elevated temperatures

Номер патента: SU147849A1. Автор: А.Н. Баранов,А.С. Сергеев,Л.Г. Зябрев,брев Л.Г. З. Владелец: брев Л.Г. З. Дата публикации: 1961-11-30.

The method of installation of metal shavings electrodes in reinforced concrete structures for the purpose of their electrical heating

Номер патента: SU72737A1. Автор: В.Х. Тугуши. Владелец: В.Х. Тугуши. Дата публикации: 1947-11-30.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR TRENCH AND FORMING DUAL TRENCHES, AND STRUCTURE FOR ISOLATING DEVICES

Номер патента: US20120168897A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of deposition of protective coatings on details made out of refractory alloys

Номер патента: RU2264480C2. Автор: А.Н. Падеров,Ю.Г. Векслер. Владелец: Векслер Юрий Генрихович. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Shallow trench isolation

Номер патента: MY141557A. Автор: Inki Kim,Naoto Inoue,Sang Yeon Kim,Hitomi Watanabe,Min Paek,Ramakrishnan Rajagopal,Chiew Sin Ping,Wan Gie Lee,Choong Shiau Chien,Charlie Tay,Chang Gi Lee,Ch Ng Toh Ghee. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2010-05-14.

Method of making igfet

Номер патента: RU2018992C1. Автор: Н.А. Довнар,В.Я. Красницкий,И.В. Смаль. Владелец: Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл". Дата публикации: 1994-08-30.

UZM-35 ZEOLITIC COMPOSITION, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES

Номер патента: US20120003147A1. Автор: . Владелец: UOP LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of pulse-periodic implantation of ions and plasma precipitation of coatings

Номер патента: RU2238999C1. Автор: А.И. Рябчиков,бчиков А.И. Р,бчиков И.А. Р,И.А. Рябчиков,И.Б. Степанов. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете". Дата публикации: 2004-10-27.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of treating objects with an ion source

Номер патента: RU2071992C1. Автор: . Владелец: Научно-производственное предприятие "Новатех". Дата публикации: 1997-01-20.

Semiconductor-on-insulator structure and method of making same

Номер патента: RU2581443C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-04-20.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing refractory coat

Номер патента: RU2441103C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Антон Владимирович Новиков,Марина Константиновна Смыслова,Андрей Александрович Быбин,Игорь Геннадиевич Петухов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственное предприятие "Турбинаспецсервис". Дата публикации: 2012-01-27.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf, and formation method of ice-resistant drilling facilities for development of shallow marine continental shelf

Номер патента: RU2478057C2. Автор: Борис Рудольфович Лившиц,Александр Александрович Алисейчик. Владелец: Публичное акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2013-03-27.

Heat-exchanger manufacturing method, heat exchanger heat exchange block manufacturing method (versions), manufacturing method of intermediate and/or upper heat exchange blocks of heat exchanger, and manufacturing method of lower heat exchange block of heat exchanger

Номер патента: RU2342239C2. Автор: Сергей Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов,Игорь Сергеевич Кузнецов,Андрей Владимирович Федосеев. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2008-12-27.

PLATE, HEAT EXCHANGER AND METHOD OF MANUFACTURING A HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120000637A1. Автор: NOËL-BARON Olivier,Vännman Erik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing bar of variable section from composite material

Номер патента: RU2339773C2. Автор: Лев Валентинович Фурсов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Композит-Сервис". Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of large-sized thick-walled composite polymeric parts by using rtm (resin transfer moulding) method (versions)

Номер патента: RU2376140C1. Автор: Александр Николаевич Козловский,Йордан Стоянов Яламов,Стефан Йорданов Яламов,Еленка Тончева Яламова. Владелец: Еленка Тончева Яламова. Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacture method of blood serum standard positive panel for quality control of immunoenzymometric test systems designed for detection of virus-specific antibodies to viral respiratory infections in biological liquids of bovine animals

Номер патента: RU2392331C2. Автор: Дмитрий Александрович Салов,Наталья Анатольевна Бондарева,Ирина Николаевна Матвеева,Иван Иванович Кочиш,Наталья Киреевна Еремец,Светлана Владимировна Кузнецова,Лариса Сергеевна Люлькова,Иван Александрович Бараковский,Екатерина Владимировна Рахманина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и технологический институт биологической промышленности РАСХН. Дата публикации: 2010-06-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2181787C2. Автор: В.В. Будилов,Р.М. Киреев,Р.Д. Агзамов. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2002-04-27.

Manufacturing method of heat-insulating ceramic material

Номер патента: RU2355665C1. Автор: Василий Михайлович Кнатько,Михаил Васильевич Кнатько,Елена Васильевна Щербакова,Сергей Анатольевич Бегоулев. Владелец: Сергей Анатольевич Бегоулев. Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of composite magnesium-silicate proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2476477C1. Автор: Виктор Георгиевич Пейчев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Форэс". Дата публикации: 2013-02-27.

Manufacturing method of reinforcement cage for reinforced-concrete members

Номер патента: RU2388876C2. Автор: Николай Алексеевич Ильин,Александр Петрович Шепелев,Павел Николаевич Славкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный архитектурно-строительный университет" (СГАСУ). Дата публикации: 2010-05-10.

MANUFACTURING METHOD OF BOTTLES, AND FAMILY OF BOTTLES OPERATING UNDER PRESSURE OF 100 TO 200 kgf/cm2

Номер патента: RU2480666C2. Автор: Сергей Алексеевич Федулов,Владимир Иванович Алексеенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РИФ" технологии". Дата публикации: 2013-04-27.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Floor covering manufacturing method

Номер патента: RU2380465C1. Автор: Анатолий Константинович Нуждин,Владимир Александрович Ильин,Лариса Вениаминовна Александрова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Таркетт" (ЗАО "Таркетт"). Дата публикации: 2010-01-27.

Manufacturing method of decorative ceramic products

Номер патента: RU2349561C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases of internal combustion engine, and application method of substrate onto honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases

Номер патента: RU2553004C1. Автор: Рудольф Юрьевич Соловьев,Елизавета Юрьевна Кудряшова,Ксения Сергеевна Поджарая. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский технологический институт ремонта и эксплуатации машинно-тракторного парка Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ГОСНИТИ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2015-06-10.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Manufacturing method of multi-layer ice cover for figure-skating

Номер патента: RU2364804C1. Автор: Борис Алексеевич Кузнецов,Галина Юрьевна Гончарова,Михаил Владимирович Загайнов,Надежда Николаевна Калуцких. Владелец: Михаил Владимирович Загайнов. Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of items in form of discs or rolls of gas-turbine engines from pelletised heat-resistant nickel alloys

Номер патента: RU2433204C1. Автор: Василий Иванович Еременко,Олег Хикметович Фаткуллин,Алексей Сергеевич Фурашов,Станислав Игоревич Фаткуллин,Анатолий Константинович Щукарев. Владелец: Олег Хикметович Фаткуллин. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of natural clayey suspension manufacturing for electrode material production

Номер патента: RU2337895C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Сергей Геннадьевич Ионов,Анатолий Николаевич Селезнев,Алексей Валерьевич Кепман,Василий Андреевич Крюковский,Иван Михайлович Афанасов,Владимир Анатольевич Морозов,Станислав Николаевич Саввин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Институт новых углеродных материалов и технологий" (ЗАО "ИНУМиТ"). Дата публикации: 2008-11-10.

Manufacturing method of ultra-wideband antenna system with controlled directivity pattern

Номер патента: RU2552232C2. Автор: Борис Иосифович Суховецкий,Светлана Борисовна Суховецкая. Владелец: Борис Иосифович Суховецкий. Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacturing method of ultralight gage sheets from high-strength titanium alloys

Номер патента: RU2381297C1. Автор: Александр Николаевич Козлов,Андрей Владимирович Зайцев,Виталий Анатольевич Михайлов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2010-02-10.

Manufacturing method of gear wheels and mandrel for realisation thereof

Номер патента: RU2376122C1. Автор: Ремир Борисович Марголит,Ольга Александровна Терехова,Евгений Васильевич Близняков. Владелец: Открытое акционерное общество "Станкон". Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of metal high pressure vessels

Номер патента: RU2343341C2. Автор: Владимир Александрович Воробьев,Вадим Юрьевич Травин,Виктор Иванович Трегубов,Николай Александрович Макаровец,Виктор Алексеевич Корольков,Валерий Владимирович Гаевский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2009-01-10.

Method of brick fuel manufacturing

Номер патента: RU2375414C1. Автор: Павел Иванович Шашмурин,Владимир Семёнович Загайнов,Михаил Иванович Стуков,Евгений Иосифович Андрейков,Яков Борисович Куколев,Михаил Юрьевич Посохов. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственное объединение "Восточный научно-исследовательский углехимический институт" (ЗАО "НПО "ВУХИН"). Дата публикации: 2009-12-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Manufacturing method of variable cross-section waveguide

Номер патента: RU2395139C1. Автор: Георгий Георгиевич Гаврилов,Елена Вячеславовна Каламзина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2010-07-20.

Screen vacuum heat insulation of cryogenic tank of rocket space upper stage and method of fabrication thereof

Номер патента: RU2384492C2. Автор: Евгений Николаевич Туманин,Михаил Викторович Рожков. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of structural decorative sheet panel (versions)

Номер патента: RU2580115C2. Автор: Александр Витольдович Малицкий. Владелец: Александр Витольдович Малицкий. Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of inner thermal protective coating of rocket engine housing

Номер патента: RU2415289C1. Автор: Владислав Закирович Каримов,Борис Анатольевич Нестеров,Марина Ефимовна Волк. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2011-03-27.

Method of manufacturing dial of bracket or wall or long-case analogue clock, manufacturing method of dial marker of bracket or wall or long-case analogue clock

Номер патента: RU2370803C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2009-10-20.

Hollow items manufacturing method

Номер патента: RU2469121C1. Автор: Анатолий Семенович Митин,Андрей Анатольевич Митин. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2012-12-10.

Chip resistor manufacturing method

Номер патента: RU2551905C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing of high reactivity metals and alloys ingots and vacuum-arc-refining furnace for manufacturing of reactivity metals and alloys ingots

Номер патента: RU2355791C2. Автор: Владислав Валентинович Тетюхин,Игорь Юрьевич Пузаков,Михаил Хаимович Спивак,Олег Германович Федотов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2009-05-20.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of ceramic molds by removed patterns

Номер патента: RU2360764C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Виктор Михайлович Вдовец,Владимир Андреевич Никишин,Владимир Викторович Шувалов,Владимир Анатольевич Полозов,Евгений Евгеньевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2009-07-10.

Fabrication of cardio implant from titanium nickelid-based alloy with surface layer modified by ion-plasma processing

Номер патента: RU2508130C1. Автор: Сергей Григорьевич Псахье,Людмила Леонидовна Мейснер,Александр Иванович Лотков,Станислав Николаевич Мейснер,Елена Георгиевна Бармина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2014-02-27.

Manufacturing method of plates from duplex titanium alloys

Номер патента: RU2378410C1. Автор: Игорь Васильевич Левин,Александр Николаевич Козлов,Алексей Сергеевич Шибанов,Мария Александровна Суслова. Владелец: Открытое акционерное общество "Корпорация ВСПМО-АВИСМА". Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Manufacturing method of internal and external ring gear on thin-walled cylindrical hollow products

Номер патента: RU2379150C2. Автор: Даниэль ДЕРИАЦ. Владелец: Эрнст Гроб Аг. Дата публикации: 2010-01-20.

Manufacturing method of functional surface

Номер патента: RU2353706C2. Автор: Василий Михайлович Фомин,Вадим Георгиевич Гиммельман,Евгений Борисович Кабанов,Владимир Федорович Косарев,Алексей Аркадьевич Парщиков,Анатолий Павлович Алхимов,Александр Павлович Мозгов,Сергей Максимович Бондаренко,Юрий Николаевич Артеменко,Генрих Станиславович Кучинский. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро специального машинострония" (ОАО КБСМ). Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Manufacturing method of composite glass-metal rod

Номер патента: RU2555982C1. Автор: Павел Александрович Никифоров,Екатерина Александровна Гридасова,Ольга Николаевна Любимова,Евгений Валерьевич Любимов. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дальневосточный Федеральный Университет" (Двфу). Дата публикации: 2015-07-10.

Manufacturing method of friction bearing

Номер патента: RU2382248C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Сергей Петрович Захарычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2010-02-20.

Orthopedic bedding and related manufacture method

Номер патента: RU2357638C2. Автор: Игорь Олегович Борисов. Владелец: Игорь Олегович Борисов. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of cold-rolled strip from low-carbon steel

Номер патента: RU2381844C1. Автор: Павел Николаевич Смирнов,Эдуард Михайлович Голубчик,Валерий Петрович Торохтий,Владимир Викторович Яшин. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2010-02-20.

Sliding bearing manufacturing method

Номер патента: RU2541606C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-20.

Manufacturing method of high-pressure cylinder from polymer composite materials, and high-pressure cylinder from polymer composite materials

Номер патента: RU2395749C1. Автор: Вячеслав Петрович Яиков. Владелец: Вячеслав Петрович Яиков. Дата публикации: 2010-07-27.

Manufacturing method of flexible relief printed-circuit boards for electronic and electrotechnical equipment

Номер патента: RU2496286C1. Автор: Юрий Дмитриевич Сасов,Вадим Александрович Усачев,Николай Александрович Голов,Наталья Валерьевна Кудрявцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2013-10-20.

Manufacturing method of large-sized items of variable cross-section from light alloys

Номер патента: RU2387507C2. Автор: Евгений Александрович Колкунов. Владелец: Евгений Александрович Колкунов. Дата публикации: 2010-04-27.

Chip resistor manufacturing method

Номер патента: RU2552630C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing corundum-based abrasive flour grain

Номер патента: RU2321542C2. Автор: Александр Васильевич Толчев,Дмитрий Георгиевич Клещев,Константин Борисович Голубев,Сергей Юрьевич Гуревич. Владелец: Александр Васильевич Толчев. Дата публикации: 2008-04-10.

Thin sheet manufacturing method

Номер патента: RU2522252C1. Автор: Александр Николаевич Козлов,Михаил Оттович Ледер,Александр Владимирович Берестов,Наталья Вячеславовна Шеремет. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of vacuum arc-extinguishing chambers (vec)

Номер патента: RU2532627C2. Автор: Герман Сергеевич Белкин,Людмила Николаевна Васецова,Вера Григорьевна Горохова,Юрий Геннадиевич Ромочкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вакуумные технологии". Дата публикации: 2014-11-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Manufacturing method of charge from ballistic solid propellant

Номер патента: RU2384555C2. Автор: Геннадий Васильевич Куценко,Наиль Гумерович Ибрагимов,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,Лидия Алексеевна Журавлева,Валентина Ивановна Вшивкова,Марат Наилевич Ибрагимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of electrodes for biological potentials removal

Номер патента: RU2342070C1. Автор: Любовь Валентиновна Лабутина,Дмитрий Николаевич Самсонов,Александр Иванович Панаков,Дмитрий Николаевич Самсонов (RU),Александр Иванович Панаков (RU),Любовь Валентиновна Лабутина (RU). Владелец: Александр Иванович Панаков. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing method of bushings cross-screw rolling mill

Номер патента: RU2378062C1. Автор: Николай Васильевич Пасечник,Владимир Иванович Котенок,Генрих Семенович Майзелис,Алексей Викторович Аникин,Михаил Евгеньевич Обухов,Михаил Григорьевич Морданов. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения им. академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of magnetic conductor of electromagnet of armour type of vibrating pump

Номер патента: RU2468489C2. Автор: Анатолий Сергеевич Поляков. Владелец: Анатолий Сергеевич Поляков. Дата публикации: 2012-11-27.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Manufacturing method of plate strips for main pipes on reversing mill

Номер патента: RU2490336C1. Автор: Сергей Михайлович Тихонов,Николай Борисович Скорохватов,Андрей Михайлович Корчагин,Сергей Владимирович Сосин,Геннадий Александрович Махов,Дмитрий Валерьевич Сабреев,Александр Васильевич Голованов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2013-08-20.

Manufacturing method of polymer high-voltage insulator

Номер патента: RU2395128C1. Автор: Виталий Васильевич Власов,Александр Васильевич Сухар,Геннадий Александрович Данилов,Василий Михайлович Сухар. Владелец: Закрытое Акционерное Общество - ЗАО "ФЕНИКС-88". Дата публикации: 2010-07-20.

Manufacturing method of sorbitised rolled wire made from high-carbon steel

Номер патента: RU2377316C1. Автор: Рафкат Спартакович Тахаутдинов,Юрий Алексеевич Бодяев,Олег Владимирович Федонин,Владимир Викторович Павлов,Олег Петрович Ширяев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Патентные услуги". Дата публикации: 2009-12-27.

Manufacturing method of preserves "daglan goyun eti" of special purpose (versions)

Номер патента: RU2341114C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-12-20.

Manufacturing method of nozzle of combustion chamber of liquid-propellant engine (lpe)

Номер патента: RU2465483C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Анатолий Михайлович Гордон,Олег Георгиевич Кудашов,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Юрий Владимирович Шаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2012-10-27.

Manufacturing method of pipes for process needs of oil wells

Номер патента: RU2464327C1. Автор: Наиль Мулахметович Абдуллин,Кирилл Алексеевич Иванов. Владелец: ООО "Компания ИжТехМаш". Дата публикации: 2012-10-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Manufacturing method of detonating fuse and method for obtaining hydrogen-containing paste based on hexogen or octogen for its implementation

Номер патента: RU2556651C1. Автор: Марат Растымович Хайрутдинов,Умар Хамидович Булатов,Дмитрий Владиленович Часовский,Сергей Анатольевич Уткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Детотекс" (ООО "Детотекс"). Дата публикации: 2015-07-10.

Manufacturing method of ceramic plate blocks for creep annealing furnace

Номер патента: RU2485426C1. Автор: Анатолий Алексеевич Гуляев,Людмила Алексеевна Каменских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЦЕНТР ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ТЕХНОЛОГИЙ". Дата публикации: 2013-06-20.

Microprofile of structure of vacuum integral microwave circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2404481C1. Автор: Виталий Яковлевич Подвигалкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2010-11-20.

Manufacturing method of cold-rolled titanium-bearing steel

Номер патента: RU2356948C1. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Клавдия Андреевна Лисичкина,Татьяна Михайловна Кочнева,Нина Ивановна Малова,Андрей Викторович Горбунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-05-27.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of high-temperature antifriction material

Номер патента: RU2542039C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Дмитрий Николаевич Кондрохин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-02-20.

Manufacturing method of ceramic proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2459852C1. Автор: Сергей Федорович Шмотьев,Брандау Торстен. Владелец: Брэйс ГмбХ. Дата публикации: 2012-08-27.

Manufacturing method of candies from low-alloy steel

Номер патента: RU2353441C2. Автор: Николай Борисович Скорохватов,Александр Иванович Трайно,Александр Анатольевич Немтинов,Геннадий Александрович Махов,Александр Васильевич Голованов,Илья Владимирович Пучковский. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of inclined pile with controlled widening

Номер патента: RU2522358C1. Автор: Михаил Александрович Самохвалов,Яков Александрович Пронозин,Юрий Владимирович Зазуля. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет" (ФГБОУ ВПО "ТюмГАСУ"). Дата публикации: 2014-07-10.

Method of commutator shrink ring manufacture for electric machine (versions)

Номер патента: RU2330361C1. Автор: Виктор Гаврилович Щербаков,Владимир Иванович Захаров,Юрий Михайлович Украинский,Александр Олегович Симонов,Виктор Гаврилович Щербаков (RU),Юрий Михайлович Украинский (RU),Владимир Иванович Захаров (RU),Александр Олегович Симонов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2008-07-27.

Manufacturing method of valve-inductor generator

Номер патента: RU2390905C1. Автор: Александр Дмитриевич Петрушин,Николай Сергеевич Теймуразов,Олег Андреевич Ворон,Николай Сергеевич Теймуразов (RU),Александр Дмитриевич Петрушин (RU),Олег Андреевич Ворон (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2010-05-27.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.