Method of producing integrated semiconductor components on a semiconductor substrate
Номер патента: WO2003049160A2
Опубликовано: 12-06-2003
Автор(ы): Gareth Parry, Paul Nicholas Stavrinou, Timothy Simon Jones
Принадлежит: Epiic Limited
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-06-2003
Автор(ы): Gareth Parry, Paul Nicholas Stavrinou, Timothy Simon Jones
Принадлежит: Epiic Limited
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface
Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.