Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Enhancement mode iii-nitride semiconductor device with reduced electric field between the gate and the drain

Enhancement mode iii-nitride semiconductor device with reduced electric field between the gate and the drain

Номер патента: WO2009038809A1
Опубликовано: 26-03-2009
Автор(ы): Michael A. Briere
Принадлежит: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Enhancement mode III-nitride semiconductor device with reduced electric field between the gate and the drain

Номер патента: US7745849B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2010-06-29.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Patterned back-barrier for III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09559161B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Electric field management for a group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US09455342B2. Автор: Bin Lu,Tomas Palacios,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Enhancement mode Group III nitride-based transistor device

Номер патента: US11417758B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-16.

Enhancement Mode Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20210050439A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US20210399123A1. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

ENHANCEMENT-MODE III-NITRIDE DEVICES

Номер патента: US20170162684A1. Автор: Lal Rakesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12002858B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

III-Nitride Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150132933A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-05-14.

Enhancement-mode III-nitride devices

Номер патента: US09590060B2. Автор: Rakesh K. Lal. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Lattice polarity control in iii-nitride semiconductor heterostructures

Номер патента: WO2023154510A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-08-17.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09842905B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Yusuke Kinoshita,Yoshiharu Anda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

III-Nitride Semiconductor Device with Stepped Gate

Номер патента: US20140034959A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-02-06.

GaN DEVICE WITH UNIFORM ELECTRIC FIELD

Номер патента: US20240234521A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Robert Strittmatter,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

GaN DEVICE WITH UNIFORM ELECTRIC FIELD

Номер патента: WO2024151571A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Robert Strittmatter,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266429A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Masanao Ito,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11929429B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

III-Nitride Semiconductor Device with Reduced Electric Field Between Gate and Drain

Номер патента: US20150021619A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

III-nitride semiconductor device with reduced electric field between gate and drain

Номер патента: US9252257B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

III-nitride semiconductor device with reduced electric field between gate and drain

Номер патента: DE112008001039T5. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2010-03-04.

ENHANCEMENT-MODE III-NITRIDE DEVICES

Номер патента: US20150263112A1. Автор: Lal Rakesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Enhancement mode iii-nitride fet

Номер патента: US20080248634A1. Автор: Robert Beach. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-09.

Enhancement mode III-nitride transistors with single gate dielectric structure

Номер патента: EP2360728A2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-08-24.

Enhancement mode iii-nitride fet

Номер патента: KR20060110003A. Автор: 로버트 비치. Владелец: 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션. Дата публикации: 2006-10-23.

Enhancement mode III-nitride fet

Номер патента: CN101273458A. Автор: 罗伯特·比克. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-09-24.

Enhancement mode III-nitride FET

Номер патента: US20060060871A1. Автор: Robert Beach. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-03-23.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09917182B1. Автор: Akira Yoshioka,Junji Kataoka,Kazuo Saki,Tatsuya Shiraishi,Yasunobu Saito,Kohei Oasa,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

III-Nitride Semiconductor Device with Reduced Electric Field

Номер патента: US20150014701A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20200220079A1. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20180076311A1. Автор: Akira Yoshioka,Junji Kataoka,Kazuo Saki,Tatsuya Shiraishi,Yasunobu Saito,Kohei Oasa,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Field effect transistor containing a group III nitride semiconductor as main component

Номер патента: US8928038B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-06.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Enhancement mode III-nitride transistor

Номер патента: US09530877B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Enhancement mode iii-nitride devices having an al(1-x)sixo gate insulator

Номер патента: WO2017123999A1. Автор: XIANG Liu,Toshihide Kikkawa,Umesh Mishra,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,Mo Wu,David Michael RHODES,John Kirk GRITTERS. Владелец: TRANSPHORM INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

Vertical III-nitride semiconductor device with a vertically formed two dimensional electron gas

Номер патента: US09490357B2. Автор: Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Sameh G. Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Group III nitride semiconductor device which can be used as a power transistor

Номер патента: US09412858B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20230326846A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

III-nitride semiconductor device

Номер патента: US8860085B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device, electric circuit using the same and method of controlling electric circuit

Номер патента: US9293570B2. Автор: Akio Iwabuchi,Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Enhancement mode switching devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230387284A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20170278934A1. Автор: Hisashi Saito,Kentaro Ikeda,Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09773900B2. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Hemt device and semiconductor device

Номер патента: US20240234565A1. Автор: Jie Zhang,Qian Wang,Nien-Tze Yeh,Yutao Fang. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240266431A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11990542B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130873A1. Автор: Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi,Youngshin Eum. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device, power supply circuit, computer, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204916A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor and Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20140353804A1. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for heteroepitaxial growth of iii metal-face polarity iii-nitrides on substrates with diamond crystal structure and iii-nitride semiconductors

Номер патента: EP2842154A1. Автор: Alexandros Georgakilas,Kleopatra ARETOULI,Katerina TSAGARAKI. Владелец: FOUNDATION FOR RES AND Technology. Дата публикации: 2015-03-04.

THREE-TERMINAL BIDIRECTIONAL ENHANCEMENT MODE GaN SWITCH

Номер патента: US20240234513A9. Автор: Edward Lee,Jianjun Cao,Gordon Stecklein,Shengke ZHANG. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20150318372A1. Автор: Takashi Nakamura,Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Ryota Nakamura,Takuji Hosoi,Hirokazu Asahara,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20230352520A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20150171071A1. Автор: Manabu Yajima,Haruyoshi Yagi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-06-18.

THREE-TERMINAL BIDIRECTIONAL ENHANCEMENT MODE GaN SWITCH

Номер патента: WO2024086539A1. Автор: Edward Lee,Jianjun Cao,Gordon Stecklein,Shengke ZHANG. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

THREE-TERMINAL BIDIRECTIONAL ENHANCEMENT MODE GaN SWITCH

Номер патента: US20240136408A1. Автор: Edward Lee,Jianjun Cao,Gordon Stecklein,Shengke ZHANG. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: US8981471B2. Автор: Manabu Yajima,Haruyoshi Yagi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-03-17.

Enhancement mode III-nitride device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09425281B2. Автор: Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-23.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040227153A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080083933A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-10.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

III-Nitride Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110241019A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09450063B2. Автор: Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Geometry of MOS device with low on-resistance

Номер патента: US09466596B2. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09508822B2. Автор: Toru Oka,Takahiro Sonoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220384431A1. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12068316B2. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

ENHANCEMENT-MODE III-NITRIDE DEVICES

Номер патента: US20180315843A1. Автор: Lal Rakesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Enhancement-mode III-nitride devices

Номер патента: US9087718B2. Автор: Rakesh K. Lal. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180219089A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Epitaxial layers with discontinued aluminium content for III-nitride semiconductor

Номер патента: US11942521B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10103219B2. Автор: YUAN Li,Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090068811A1. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060197150A1. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7871867B2. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-18.

Enhancement Mode III-Nitride Switch

Номер патента: US20150155275A1. Автор: Zhang Jason,Bahramian Tony. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Enhancement Mode III-Nitride Transistors with Single Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20110121313A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-05-26.

Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator

Номер патента: US11322599B2. Автор: XIANG Liu,Toshihide Kikkawa,Umesh Mishra,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,Mo Wu,David Michael RHODES,John Kirk GRITTERS. Владелец: Transphorm Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240321884A1. Автор: Jongsu Kim,Sangmoon Lee,Junggil YANG,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with contracted isolation feature

Номер патента: US20210050269A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

With AL(1-X)SIXEnhancement mode III-nitride devices for O-gate insulators

Номер патента: CN108604597B. Автор: 刘翔,吉川俊英,乌梅什·米什拉,卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德,伍墨,大卫·迈克尔·罗兹,约翰·柯克·格里特尔斯,拉柯许·K·拉尔. Владелец: Chuangshifang Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US11791338B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20220149041A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20230369331A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

III-Nitride Based Semiconductor Device with Low Vulnerability to Dispersion and Backgating Effects

Номер патента: US20170263700A1. Автор: Yoganand Saripalli,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-09-14.

Compound semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9337326B2. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20230399770A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: US20210351288A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: EP3953973A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: WO2020209971A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220238510A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11894364B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US9478653B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, power supply circuit, and computer

Номер патента: US20190189758A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with increased isolation breakdown voltage

Номер патента: US12046629B2. Автор: Yon Sup PANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9537053B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee. Владелец: BBSA Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having multiple wells

Номер патента: US20230378296A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having multiple wells and method of making

Номер патента: US11769812B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240347635A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20230207625A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09865591B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masashi Hayashi,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09654001B2. Автор: Tatsuo Morita,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Enhancement Mode III-Nitride Transistor

Номер патента: US20150333165A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US20230178541A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20190296008A1. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20210202731A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043643A1. Автор: Tatsuo Morita,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343781A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Wilman Tsai,Chia-Wen Chang,Hong-Nien Lin,Ling_Yen YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11404326B2. Автор: Keon Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210358815A1. Автор: Keon Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09666664B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Naohiro Tsurumi,Ryo KAJITANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123151A1. Автор: YUAN Li. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Enhancement mosfet and semiconductor device

Номер патента: US20240290784A1. Автор: Takeshi Ishida,Naoki Izumi,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Combined Gate and Source Trench Formation and Related Structure

Номер патента: US20170200799A1. Автор: Ling Ma,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Nanosheet device with source/drain contacts comprising a silicide mask and manufacturing method using the silicide mask

Номер патента: EP4358150A1. Автор: Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Heung Seok RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Transistor Device with Gate Resistor

Номер патента: US20190267487A1. Автор: Cesar Augusto Braz,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09524966B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: WO2016108998A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: EP3216047A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263157A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210134971A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi-On CHUI,Bi-Fen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220336617A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi-On CHUI,Bi-Fen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Enhancement-Mode GaN MOSFET with Low Leakage Current and Improved Reliability

Номер патента: US20140094005A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09761668B2. Автор: Daisuke Ichikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09818861B2. Автор: Chien-Hsien Song,Chung-Ren Lao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20200083370A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US11522081B2. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20210083107A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: EP3621117A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20210134797A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20240355818A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401122A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240096890A1. Автор: Yuji Matsumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250162A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09711637B2. Автор: Hirokazu Kato,Tomoaki Uno,Nobuyuki Shirai,Kazuyuki Umezu,Hideo Numabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20160181354A1. Автор: Yoshiyuki Sato,Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20230317724A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US11705452B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: EP1917683A2. Автор: Ling Ma,Russell Turner,Adam I. Amali. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-07.

Power semiconductor device with interconnected gate trenches

Номер патента: US20070040215A1. Автор: Ling Ma,Russell Turner,Adam Amali. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20230378367A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234503A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Younggwon Kim,Hyumin Yoo,Beomjim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222456A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123021A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355889A1. Автор: Junya FUKUNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335635A1. Автор: Atsushi Sakai,Katsumi Eikyu,Yotaro Goto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20030132486A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Tsung-Hsuan Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20210066480A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12034045B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240096965A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11038049B2. Автор: Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200168713A1. Автор: Po-Yu Chen,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210083097A1. Автор: Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134970A1. Автор: Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a conductive field plate and a first well

Номер патента: US11527624B2. Автор: Po-Yu Chen,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230352550A1. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US11069580B2. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US20210013110A1. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US11825660B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11961890B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170338336A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Insulated gate type semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526B1. Автор: Hidefumi TAKAYA,Kimimori HAMADA,Kyosuke MIYAGI,Yasushi OKURA,Akira KUROYANAGI,Norihito TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

Insulated gate semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1815526A1. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Kyosuke TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA MIYAGI,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-08-08.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Electronic device using group III nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US09685327B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Electronic device and epitaxial multilayer wafer of group III nitride semiconductor having specified dislocation density, oxygen/electron concentration, and active layer thickness

Номер патента: US09466481B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US20160293415A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Номер патента: US20150014818A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09711612B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Enhancement Mode III-Nitride Transistors with Single Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20130292694A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4447120A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347596A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09741846B2. Автор: Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Atsushi Kasahara,Hiroshi KAMEOKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-stack semiconductor device with zebra nanosheet structure

Номер патента: US20230101171A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321891A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150037969A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20160351708A1. Автор: Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Atsushi Kasahara,Hiroshi KAMEOKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352485A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Switching semiconductor devices and fabrication process

Номер патента: US20120205668A1. Автор: Atsuo Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Gate structure with desired profile for semiconductor devices

Номер патента: US20190288084A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Ricky Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Gate Structure with Desired Profile for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200373401A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Chih Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12021084B2. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US20240332418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Device Structure with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20240379859A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US09735233B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

CMOS integrated circuit with reduced susceptibility to PMOS punchthrough

Номер патента: US4943537A. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: Dallas Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-07-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230269931A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

CMOS integrated circuit with reduced susceptibility to PMOS punchthrough

Номер патента: US5688722A. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: Dallas Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4148807A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295140A1. Автор: Hiroshi Kono,Masaru Furukawa,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09472497B2. Автор: Takeshi Kawasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Forming enhancement mode iii-nitride devices

Номер патента: US20160190298A1. Автор: Umesh Mishra,Ilan Ben-Yaacov,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,Mo Wu. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

ENHANCEMENT MODE III-NITRIDE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150318374A1. Автор: Decoutere Stefaan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Forming enhancement mode III-nitride devices

Номер патента: US9318593B2. Автор: Umesh Mishra,Ilan Ben-Yaacov,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,Mo Wu. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Enhancement mode iii-nitride device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP2013123047A. Автор: Decoutere Stefaan,ステファーン・デカウテレ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-20.

Forming enhancement mode III-nitride devices

Номер патента: US9935190B2. Автор: Umesh Mishra,Ilan Ben-Yaacov,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,Mo Wu. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12051745B2. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20230268432A1. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092171A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US7521306B2. Автор: Hirotoshi Kubo,Hiroaki Saito,Masanao Kitagawa,Masahito Onda,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350778A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11837642B2. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP3846223A3. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350777A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12142668B2. Автор: Yen-Ting Chen,Shih-Hao Lin,Chien-Chih Lin,Tsung-Hung Lee,Wen-Kai Lin,Szu-Chi Yang,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120413A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230048424A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20160300908A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20170330935A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220130677A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074028B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240363352A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128836A1. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422484A1. Автор: Shosuke Fujii,Keiko Sakuma,Tatsuki Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device including metal gate electrode and semiconductor device

Номер патента: US20090321842A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200294861A1. Автор: Junya Fujita,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072143A1. Автор: Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device including a buried channel array transistor structure

Номер патента: US12021127B2. Автор: Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130181271A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu,Kazuto Mori. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12034054B2. Автор: Chun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321984A1. Автор: Chun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Devices with strained isolation features

Номер патента: US11837662B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20160181438A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device with hollow chambers

Номер патента: WO2024153319A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09847429B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371988A1. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204450A1. Автор: Tomohiko Moriya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170062447A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170317094A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9735166B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10056396B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210066467A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of making semiconductor device comprising flash memory and resulting device

Номер патента: US11810967B2. Автор: Chien-Hung Lin,Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device with capping structure and method of forming the same

Номер патента: US20180166545A1. Автор: Chung-Ming Wang,Fang-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128362A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230411495A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices having dual spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050087802A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180130805A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160343714A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150340453A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20050012144A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100237413A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US7768065B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190097043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA,Yasushi Takaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148247A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230122103A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20110079842A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20050242393A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20080073714A1. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US7317224B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321689A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Jongmin Shin,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435853A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Jongmin Shin,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US11908891B2. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220336647A1. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240113228A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230087935A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

High voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335638A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220059703A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220209009A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335637A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Sonos memory device with reduced short-channel effects

Номер патента: WO2007072396A3. Автор: Francois Neuilly,Schaijk Robertus T F Van,Duuren Michiel Van. Владелец: Duuren Michiel Van. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200402980A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343787A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09397153B2. Автор: Yasumasa Yamane,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4398308A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09653612B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20220005946A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20230268441A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US12094974B2. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: MY193292A. Автор: Tetsuya Hayashi,Yasuaki Hayami,Ryota Tanaka,Wei Ni. Владелец: Nissan Motor. Дата публикации: 2022-10-03.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09893168B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile

Номер патента: US09419129B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09917102B2. Автор: Katsuhisa Nagao,Noriaki Kawamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030304A1. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804530B2. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP3979329A3. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230018480A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230420552A1. Автор: Sungkeun Lim,Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Yuyeong Jo. Владелец: Samsung Ro Yeongtong Gu. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230378263A1. Автор: Nam Gyu Cho,Byoung Hoon Lee,Chan Hyeong LEE,Jin Kyu JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210028181A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216343A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268446A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220376054A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088221A1. Автор: Kaname MITSUZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4307388A1. Автор: Sungkeun Lim,Jinyeong Joe,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210391466A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119484A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230361190A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device structure with channel and method for forming the same

Номер патента: US20240063263A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huang-Siang LAN,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, memory circuit, method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160322422A1. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11908868B2. Автор: Katsuhisa Nagao,Noriaki Kawamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162221A1. Автор: Hiroyoshi Kudou,Hideki Niwayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

A semiconductor device for extracting a signal used to monitor potential of a high voltage island at a low voltage island and method of manufacturing the same

Номер патента: US5200638A. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Masanori Fukunaga,Kazumasa Satsuma,Takeshi Kida,Masao Yoshizawa,Tomohide Terashima,Gourab Majumdar. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Номер патента: US10460955B2. Автор: Michael A. Derenge. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2019-10-29.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Micro-LED array device based on III-nitride semiconductors and method for fabricating same

Номер патента: US11721674B2. Автор: Tao Tao,Xuan Wang,Bin Liu,Rong Zhang,Ting Zhi,Feifan XU. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of manufacturing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: US20240266168A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US8563437B2. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-22.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US20120052691A1. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20070105258A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for producing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: EP4379775A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US09780180B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210091226A1. Автор: Takashi Okada,Toshiki Kaneko,Michiaki Sakamoto,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20160087060A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187558A1. Автор: Takashi Okada,Toshiki Kaneko,Michiaki Sakamoto,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190295849A1. Автор: Chih-Wei Lin,Jie-Ning Yang,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Dien-Yang Lu,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Asymmetrical n-channel transistor having LDD implant only in the drain region

Номер патента: US5930592A. Автор: Jon D. Cheek,Daniel Kadosh,Brad T. Moore. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210083099A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and related method of fabrication

Номер патента: US20120037995A1. Автор: Yongdon Kim,Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7952148B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110101468A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871059B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09870991B1. Автор: Do Youn Kim,Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US20140291777A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US10374055B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100123204A1. Автор: Eun Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240097038A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Tzu-Feng Chang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387135A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20160099358A1. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for manufacturing semiconductor device using polymer

Номер патента: US7622376B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Semiconductor Device Made by Using a Laser Anneal to Incorporate Stress into a Channel Region

Номер патента: US20090065880A1. Автор: Manoj Mehrotra,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertically structured group III nitride semiconductor LED chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502603B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor, Seed Substrate and Group III Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20180097142A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP3712925A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200075810A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for growing iii-nitride semiconductor layer

Номер патента: WO2016028079A1. Автор: 조인성,김두수,노민수,황성민,임원택,신선혜. Владелец: 주식회사 소프트에피. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160056233A1. Автор: Shigeaki Shimizu,Akira Mitsuiki,Tomoo Nakayama,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having recess filled with insulating material provided between source/drain impurity region and gate insulator

Номер патента: US9589954B2. Автор: Shigeaki Shimizu,Akira Mitsuiki,Tomoo Nakayama,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US11791387B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20230387226A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20050012178A1. Автор: Akinao Kitahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20120298997A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09525023B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12074111B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200251575A1. Автор: Jin Yeong SON,Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11171222B2. Автор: Jin Yeong SON,Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282833A1. Автор: Wonsok Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349509A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377965A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210082756A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with gate structure having dielectric layer on one side and contact plug on the other side

Номер патента: US09847398B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12080712B2. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including first and second or drain electrodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US8785990B2. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Nanosheet IC device with single diffusion break

Номер патента: US11791199B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of forming a semiconductor device with a gate structure having a dielectric protection layer

Номер патента: US11749753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20210119010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220270971A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device having gate isolation layer

Номер патента: US11929367B2. Автор: Hyo Jin Kim,Seung Seok HA,Kyoung Mi Park,Hyun Seung Song,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413530A1. Автор: Akifumi Gawase,Shuntaro YAMASHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230268277A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having gate isolation layer

Номер патента: US20240186321A1. Автор: Hyo Jin Kim,Seung Seok HA,Kyoung Mi Park,Hyun Seung Song,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP4261892A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335581A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and memory

Номер патента: US20240006175A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Floating gate device with oxygen scavenging element

Номер патента: US20130001668A1. Автор: Martin M. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Floating gate device with oxygen scavenging element

Номер патента: US20130005132A1. Автор: Martin M. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device, inverter circuit, drive, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220045175A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200051864A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11728219B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11031293B2. Автор: Tsan-Chun Wang,Chun-Feng Nieh,Chiao-Ting TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20190006242A1. Автор: Tsan-Chun Wang,Chiao-Ting TAI,Chung-Feng Nieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240153989A1. Автор: Koichi Nishi,Tetsuya Nitta. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: US20220028752A1. Автор: Jiing-Feng Yang,Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: US20240021494A1. Автор: Jiing-Feng Yang,Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11955543B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Protection circuit of semiconductor device

Номер патента: US09972992B2. Автор: Kazuhiro Oyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having a drain-gate isolation portion

Номер патента: US8513766B2. Автор: Mitsuo Kojima,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor device with U-shaped active portion

Номер патента: US09754978B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

High-performance semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110227144A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363687A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666574B1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

ENHANCEMENT MODE III-NITRIDE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130153923A1. Автор: Decoutere Stefaan. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2013-06-20.

FORMING ENHANCEMENT MODE III-NITRIDE DEVICES

Номер патента: US20160020313A1. Автор: Lal Rakesh K.,Mishra Umesh,Ben-Yaacov Ilan,Wu Mo,Neufeld Carl Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

ENHANCEMENT-MODE III-NITRIDE DEVICES

Номер патента: US20140264431A1. Автор: Lal Rakesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080211029A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070069326A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device with nanowires in different regions at different heights

Номер патента: US09583583B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955516B2. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204047A1. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092543A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170154882A1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and operation method of semiconductor device

Номер патента: US11849584B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US10032890B2. Автор: Bo-Un Yoon,Ho-Young Kim,Ja-Eung Koo,Jun-Hwan YIM,Yeon-Tack RYU,Joo-cheol Han,No-Ul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US9773667B2. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Osamu Oda,Hiroki Kondo. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2017-09-26.

Transferring large-area group III-Nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates

Номер патента: AU2021280231B2. Автор: Karl D. Hobart,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-07-25.

Transferring large-area group iii-nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates

Номер патента: EP4158685A1. Автор: Karl D. Hobart,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device package with isolated semiconductor die and electric field curtailment

Номер патента: US20230245957A1. Автор: Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Transferring large-area group III-Nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates

Номер патента: AU2021280231A1. Автор: Karl D. Hobart,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-01-05.

Transferring large-area group iii-nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates

Номер патента: WO2021242658A1. Автор: Karl D. Hobart,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2021-12-02.

Transferring large-area group III-nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates

Номер патента: US12020985B2. Автор: Karl D. Hobart,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170222012A1. Автор: Long Hao,Wei Li,Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20220359302A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US11901237B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20240213097A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110124173A1. Автор: YAMADA Satoru,Sung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

III-nitride optoelectronic semiconductor device containing Lattice mismatched III-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6072189A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Group-III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6153894A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09899495B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09722048B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09502526B2. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US20170278951A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074224B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954112B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570484B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437744B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186406A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20040135200A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Hiroaki Hazama,Hirohisa Iizuka,Norihisa Arai,Akira Goda,Naoki Koido,Tohru Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Partial, self-biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09825169B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608057B2. Автор: Takeyoshi Nishimura,Masanori Inoue,Yasushi Niimura,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12040364B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Chun-I Wu,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

FET with FUSI gate and reduced source/drain contact resistance

Номер патента: US8664721B2. Автор: Zhen Zhang,Paul Solomon,Tak H. Ning,Christian Lavoie,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250181A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High voltage LDMOS device with an increased voltage at source (high side) and a fabricating method thereof

Номер патента: US09543432B2. Автор: Wei Yue,Junjun Xing,Wenqing Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09472679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150037934A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09871137B2. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09450064B1. Автор: Byung Jin Cho,Hyun Jun Ahn,Jung Min Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4009375A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-08.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022117656A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685338B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425268B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate-all-around device with protective dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US11948989B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150263111A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09666668B2. Автор: Yu-Chu Lin,Shih-Lu HSU,Jyun-Guan JHOU,Ping-Pang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices with improved local matching and end resistance of diffusion resistors

Номер патента: WO2010138308A1. Автор: Andreas Kurz,James F. Buller,Kaveri MATHUR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10439034B2. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190165119A1. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09449904B2. Автор: Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating semiconductor device having dual work function gate structure

Номер патента: US9577052B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011055644A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kenichi Okazaki,Seiji Yasumoto,Yoshiaki Oikawa,Tetsuhiro Tanaka,Shun Mashiro. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20190165183A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11756994B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keisuke Takemoto,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472682B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device comprising various thin-film transistors

Номер патента: US11929437B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230246080A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Chun-I Wu,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230352594A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-Chi WEN,Yen-Sheng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09553200B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09478664B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Contact Structure For Semiconductor Device

Номер патента: US20230386912A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Hsu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160300921A1. Автор: Byung Jin Cho,Hyun Jun Ahn,Jung Min Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20230132080A1. Автор: Daehee Lee,Seungil CHAI,Kyunghee SHIN,Moonhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device having a bandgap wider than that of silicon

Номер патента: US09911846B2. Автор: Makoto Utsumi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20130270656A1. Автор: HAO Zhang,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20180026131A1. Автор: Tohru Oka,Tsutomu INA,Junichiro Kurosaki,Junya NISHll. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of making an soi semiconductor device having enhanced, self-aligned dielectric regions in the bulk silicon substrate

Номер патента: EP1509950A2. Автор: Derick J. Wristers,Andy C. Wei,Mark B. Fuselier. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US10236373B2. Автор: Tohru Oka,Junya Nishii,Tsutomu INA,Junichiro Kurosaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11942553B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210104632A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US20160163815A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Gate-all-around devices with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210233911A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09711656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20120056646A1. Автор: Kazunori Watanabe,Makoto Yanagisawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Enhancement-Mode Field Effect Transistor

Номер патента: US20200312992A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120064677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Koji Dairiki,Ryo Arasawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09705001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Enhancement-mode field effect transistor

Номер патента: EP3690953A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-08-05.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power module

Номер патента: US09536948B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014142333A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038898A1. Автор: Takahiro Iguchi,Masami Jintyou,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230422482A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240113225A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Wu-Wei Tsai,Yan-Yi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US10199367B2. Автор: Markus Schmitt,Joachim Weyers,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170271319A1. Автор: Markus Schmitt,Joachim Weyers,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230413510A1. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060180861A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shigeto Maegawa,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190229191A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240098981A1. Автор: Atsuko Sakata,Daichi NISHIKAWA,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090127623A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shigeto Maegawa,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20190097059A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Hajime Imai,Kengo Hara,Tohru Daitoh,Setsuji NISHIMIYA,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178325A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240215253A1. Автор: Seonghun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee,Bosuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11276774B2. Автор: Toshiyuki Oshima,Hisashi Yoshida,Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153388A1. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor device including a high voltage P-channel transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9129841B2. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Sic-based electronic device with fuse element for shortcirctuits protection, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4328967A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Alfio Russo,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09748273B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kensuke Yoshizumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having vertical transistor, manufacturing method thereof, and data processing system

Номер патента: US8174068B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7507622B2. Автор: Masahiro Hayashi,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including empty spaces and methods of forming the same

Номер патента: US09391138B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20230369344A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, an electronic device and an electronic apparatus

Номер патента: US20110018074A1. Автор: Masayasu Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240260270A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Janggn Yun,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US12058866B2. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US20240357825A1. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09455200B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108491A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including support structure, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20220336489A1. Автор: Dongseong Kim,Kangmin KIM,Junhyoung Kim,Byungkwan You,Kiyoon KANG,Seugmin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230180478A1. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Hyojoon RYU,Seogoo KANG,Jesuk MOON,Junghoon Jun,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050136603A1. Автор: Katsuhiko Iizuka,Kazuo Okada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20210006042A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Enhancement Mode III-Nitride Device

Номер патента: US20140030858A1. Автор: Beach Robert. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060278937A1. Автор: Toshihide Nabatame,Akira Toriumi,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor Device Including a Channel Stop Zone

Номер патента: US20120012902A1. Автор: Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Jfet device with improved off-state leakage current and method of fabrication

Номер патента: WO2008137304A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US20230130975A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Quantum dot devices with diodes for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20190252536A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and fabrication method of same

Номер патента: US7642604B2. Автор: Takashi Yamauchi,Junji Koga,Yoshinori Tsuchiya,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor device including dam structure having air gap and electronic system including the same

Номер патента: US20220384479A1. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG,Byoungtaek KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having E-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US09443860B1. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09466484B1. Автор: Shih-Ming Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,I-Lun Hung,Lan-Ping Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device including a field effect transistor and a passive capacitor having reduced leakage current and an improved capacitance per unit area

Номер патента: EP1535332A1. Автор: Karsten Wieczorek,Thomas Feudel,Gert Burbach. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

III-V semiconductor device with integrated power transistor and start-up circuit

Номер патента: US11955488B2. Автор: Florin Udrea,Loizos Efthymiou. Владелец: Cambridge Gan Devices Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system

Номер патента: US20240071844A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with single step height

Номер патента: US20220122992A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Arrangement for enhancing the arc blow and/or extinction between the contacts of circuit breakers and the like

Номер патента: CA1222787A. Автор: Franco Pardini,Francesco Devizzi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20100237437A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device with single step height

Номер патента: US11683928B2. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317741A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Charge sensing device with readout of signal by detecting a change of capacitance of combined gate and quantum capacitance compared to a reference capacitance

Номер патента: US20220014699A1. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Frank KOPPENS,Stijn Goossens. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming through silicon via in N+ epitaxy wafers with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09748114B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Subramanian S. Iyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Charge sensing device with gate voltage selected to operate around the charge neutrality point and tune the quantum capacitance

Номер патента: US11892473B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Frank KOPPENS,Stijn Goossens. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2024-02-06.

Device with gate-to-drain via and related methods

Номер патента: US20240120273A1. Автор: Jin Cai,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for reducing electrical noise in a thermally controlled chuck

Номер патента: WO2005055291A9. Автор: Sanjiv Patel,James Perlin,Douglas E Hudson,Chin Chien Tee,Kenneth M Cole Sr. Владелец: Kenneth M Cole Sr. Дата публикации: 2005-11-17.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09911635B2. Автор: Makoto Hirano. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of attaching components to printed cirucuit board with reduced accumulated tolerances

Номер патента: US09865479B2. Автор: LI Sun,Wei-Shun Wang,Ashish Alawani,Lea-Teng Lee. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: US09634158B2. Автор: Takuya Sano,Shoji Kobayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion

Номер патента: US20080029857A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Yoshikazu Takada,Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device, memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363159A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US7342307B2. Автор: Takeshi Otani,Toshiyuki Hata,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Evaluation method for semiconductor devices

Номер патента: US5850149A. Автор: Yukari Imai,Toshiharu Katayama,Naoko Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices including vertical cell strings that are commonly connected

Номер патента: US09431420B2. Автор: Sung-Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20190148587A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20200220534A1. Автор: Masahiro Koyama,Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Compression bonded semiconductor device

Номер патента: EP1065729A4. Автор: Futoshi Tokunoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4383981A1. Автор: Jaeho Kim,Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device with bumps and display device module incorporating the same

Номер патента: US09385096B2. Автор: Hisao Nakamura,Shinya Suzuki,Yuichi Nakagomi. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12002511B2. Автор: Jinwoo Park,Geunwon LIM,Ilgyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods and apparatuses with reduced defects in interconnecting bumps between a semiconductor die and a substrate (a package substrate or another die)

Номер патента: EP4167278A2. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Rahul N. Manepalli,Steve Cho,Amram Eitan,Hongxia Feng,Leonel Arana,Changhua Liu,Jung Kyu HAN,Kyle MC ELHINNY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Methods and apparatuses with reduced defects in interconnecting bumps between a semiconductor die and a substrate (a package substrate or another die)

Номер патента: EP4167278A3. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Rahul N. Manepalli,Steve Cho,Amram Eitan,Hongxia Feng,Leonel Arana,Changhua Liu,Jung Kyu HAN,Kyle MC ELHINNY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Bond pad for low k dielectric materials and method for manufacture for semiconductor devices

Номер патента: US20120034771A1. Автор: Xian J. Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Electric field ferromagnetic resonance excitation method and magnetic function element employing same

Номер патента: US09460769B2. Автор: Yoshishige Suzuki,Takayuki Nozaki. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining status of a fuse element

Номер патента: US11749364B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer

Номер патента: US20170236974A1. Автор: Marco Rossetti,Nicolas Pierre Grandjean,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20040173885A1. Автор: Motonobu Nishimura,Katsuhiko Shishido,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: WO2018149883A1. Автор: Jochen Kraft,Franz Schrank,Anderson Singulani,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230268638A1. Автор: Cheng-Yu Ho,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130208747A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Takashi Kyono,Kunihiko Tasai,Katsunori Yanashima,Yohei Enya,Noriyuki Futagawa,Tetsuya Kumano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9231375B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Takashi Kyono,Kunihiko Tasai,Katsunori Yanashima,Yohei Enya,Noriyuki Futagawa,Tetsuya Kumano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Constant electric field-based active anti-interference method and control device

Номер патента: EP4376312A1. Автор: Jiansheng Feng. Владелец: Nanjing Turbine Power Control Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Optical semiconductor device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier

Номер патента: US09601905B2. Автор: Hirokazu Itoh,Junji Yoshida,Yuichiro Irie,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry

Номер патента: US09567666B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,R. Glenn Stinson. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Overvoltage protection device with movable contact comprising selective disconnection facility

Номер патента: RU2446502C2. Автор: Эрик ДОМЕЖАН. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2012-03-27.

Electric switching device with electromagnetic drive

Номер патента: RU2749091C1. Автор: Виктор Николаевич Петров,Геннадий Петрович Свинцов,Юрий Михайлович Зайцев,Николай Николаевич Сорокин,Николай Николаевич Николаев,Евгений Григорьевич Егоров,Николай Юрьевич Зайцев,Денис Семенович Сазанов,Валентин Юрьевич Котик,Наталия Юрьевна Луия. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный университет имени Ильи Николаевича Ульянова". Дата публикации: 2021-06-04.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Card edge connector with reduced height

Номер патента: US20240072468A1. Автор: Xiaodong Hu,Kui YANG. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Group-III nitride semiconductor device and group-III nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW531908B. Автор: Chiaki Sasaoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-11.

Circuit for correcting phase deviations between the line deflection drive signals and the line synchronising signals in a television receiver

Номер патента: CA1152634A. Автор: Alain Decraemer,Jean-Michel Pernot. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-08-23.

A pump driven by a synchronous electric motor and including a device for transmitting motion between the rotor of the motor and the working part

Номер патента: EP1801954A3. Автор: Elio Marioni. Владелец: Askoll Holding SRL. Дата публикации: 2008-12-03.

Adapter for converting between the network configuration protocol (NETCONF) and the technical report 069 (TR-069) protocol

Номер патента: US11968282B2. Автор: Shanthakumar RAMAKRISHNAN,Devaraj SAMBANDAN,Ravi Setti,Sharath Chandra Chikka Kempegowda. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Group III nitride semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20090106959A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

III-nitride semiconductor device fabrication

Номер патента: US8168000B2. Автор: Robert Beach,Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-05-01.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds

Номер патента: US8980002B2. Автор: Lu Chen,Hidehiro Kojiri,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Discrete power switching devices with reduced common source inductance

Номер патента: US09991880B2. Автор: Chingchi Chen,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Discrete power switching devices with reduced common source inductance

Номер патента: US20170353177A1. Автор: Chingchi Chen,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of forming semiconductor device with sidewall access gate

Номер патента: WO2003100834A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Franciscus P Widdershoven,Nicole A H F Wils. Владелец: Nicole A H F Wils. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device with improved variable gain amplification

Номер патента: US09979364B2. Автор: Hideki Kato,Masato Osawa,Yasunari Harada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device, switching power supply device, dc/dc converter, vehicle, and motor drive device

Номер патента: US20240291481A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for wireless connection, method for actively verifying whether candidate peer is mesh gate, and method for determining primary mesh gate

Номер патента: US20200305228A1. Автор: Chia-Feng Hung,Shun-Yin Chiu,Yu-Yen Ting. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for wireless connection, method for actively verifying whether candidate peer is mesh gate, and method for determining primary mesh gate

Номер патента: US11109446B2. Автор: Chia-Feng Hung,Shun-Yin Chiu,Yu-Yen Ting. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device including memory with reduced current consumption

Номер патента: US20030039160A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Portable radiofrequency hyperthermia device with flexible treatment electrode for electric field capacitive coupled energy transfer

Номер патента: US09675813B2. Автор: Olivér SZÁSZ,Nora Iluri,Andras Szász. Владелец: ONCOTHERM KFT. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for testing semiconductor devices which measures internal potential distribution, internal electric field, and internal doping profile

Номер патента: US5945833A. Автор: Samson Kh. Mil'shtein,Joel M. Therrien. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 1999-08-31.

Method for screening compounds capable of inhibiting binding between the transcription factor of STAT1 and the transcription factor of USF1

Номер патента: US6379894B1. Автор: Bernard Mach. Владелец: Novimmune SA. Дата публикации: 2002-04-30.

Apparatus and method for monitoring the degree of integration between the functions of the heart and the lungs, and the therapeutic success of resuscitative interventions

Номер патента: US12097328B2. Автор: Awni Ayoubi,Nathan Ayoubi,Ian Brodkin,Fouad Halwani,Arthur Willms. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-24.

Group-III nitride semiconductor nanoparticles and production method thereof

Номер патента: US11767469B2. Автор: Takayuki Omori,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Device allowing a safety connection between the pedal of a bicycle and the shoe worn by the cyclist

Номер патента: US4298210A. Автор: Jacques Lotteau,Jacques Bruker,Charles Freche. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-11-03.

Caster with conductors between the tire of its wheel and the carrier of its wheel frame

Номер патента: US5184373A. Автор: Hans-Willi Lange. Владелец: ALBERT SCHULTE SOHNE GmbH AND Co. Дата публикации: 1993-02-09.

Abutment interface between the head of a nipple and the bridge of a wheel rim and spoked bicycle wheel

Номер патента: US11807035B2. Автор: Mario Meggiolan. Владелец: Campagnolo SRL. Дата публикации: 2023-11-07.

Pre-paid identification data intermediating system and a method for putting the intermediating server between the point of sales terminal and the issuing server

Номер патента: MY152405A. Автор: Ryoo Chang Wan,Kang Jun Young. Владелец: Galaxia Comm. Дата публикации: 2014-09-30.

Display device with dummy lines for reducing a number of channels of a gate driver integrated circuit

Номер патента: US09443463B2. Автор: Man Gyu Park,Seung Cheol Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09990894B2. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09552761B2. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Odour trap element for installation in a drain, in particular in the drain of a waterless urinal

Номер патента: AU2024204266A1. Автор: Magdalena Schachinger. Владелец: Uridan Waterless Solutions Gmbh. Дата публикации: 2024-07-11.

Valve and the system of throttling of the lower cover of the coking drum

Номер патента: RU2300549C2. Автор: Рубен Ф. ЛАХ,Гари ЛАРСЕН. Владелец: Кертисс-Райт Флоу Контрол Корпорейшн. Дата публикации: 2007-06-10.

Exit gas cleaning device with two honeycomb bodies for creation of electric potential

Номер патента: RU2496012C1. Автор: Ян ХОДГЗОН,Кристиан ФОРСМАНН. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2013-10-20.

Improvements in or relating to Lifts and the like.

Номер патента: GB191316550A. Автор: . Владелец: DRUMMOND BONE. Дата публикации: 1914-06-11.

Electro-optic electric field sensor and method of fabrication

Номер патента: US11815747B1. Автор: Payam Rabiei,Seyfollah Toroghi. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device with single ended main I/O line

Номер патента: US09824725B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with single ended main I/O line

Номер патента: US09679614B1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US10957267B2. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335073A1. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Hydraulic type braking device with a time of operation

Номер патента: RU2710313C1. Автор: Цзюи-Лунг ЧАН. Владелец: Гинда Нью-Тек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-12-25.

Improvements in locks for lift gates and banding chains

Номер патента: GB641364A. Автор: . Владелец: STANLEY HOWCROFT. Дата публикации: 1950-08-09.

Roller Press Capable of Applying Electric Field

Номер патента: US20210146373A1. Автор: Jingwei Zhang. Владелец: HENAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device, control method for semiconductor device and control program

Номер патента: US20240296901A1. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Display with reduced color mixing

Номер патента: US09829740B2. Автор: Yuan Chen,Zhibing Ge,Shang-Chih Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Device with jet printing head, fluid medium ejection device and related method

Номер патента: RU2567710C2. Автор: Адам Л. ГОЗИЛ,БРОКЛИН Эндрю Л. ВАН,Дэрил И. АНДЕРСОН. Владелец: Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.. Дата публикации: 2015-11-10.

Massage device with a variable shape, method for producing same, and method for deforming a massage device with a variable shape

Номер патента: AU2021396555A9. Автор: Alex Dumler,Alexander Anderton. Владелец: EIS GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in or connected with Means or Apparatus for Counter-acting or Cushioning Vibration Between the Under Carriage or Wheels and the Body or Upper Frame of Vehicles.

Номер патента: GB189907757A. Автор: Henry Nevill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC FIELD DRIVING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001889A1. Автор: Kimura Hajime. Владелец: Semiconductors Energy Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPORTATION OF MICROMETER-SIZED OBJECT AND EXTRACTION OF MECHANICAL WORK BY CONSTANT ELECTRIC FIELD

Номер патента: US20120001517A1. Автор: Yoshikawa Kenichi,Takinoue Masahiro,Atsumi Yu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to Machinery for Operating upon Preparing and Delivering Cards, Paper and the like for Indexes, Records, and similar purposes

Номер патента: GB190101875A. Автор: Alfred George Brookes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-06-22.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

M X N WSS WITH REDUCED OPTICS SIZE

Номер патента: US20120002917A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Medical Device with Retractable Needle and Moveable Plunger Seal

Номер патента: US20120004621A1. Автор: Shaw Thomas J.,Zhu Ni. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATION MATERIAL COMPOSITION FOR DC POWER CABLE AND THE DC POWER CABLE USING THE SAME

Номер патента: US20120000694A1. Автор: . Владелец: LS Cable & System Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Brakes for Bicycles and the like Road Vehicles

Номер патента: GB190019259A. Автор: William James,Alonzo Hemsworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-09-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.