Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: JP5163920B2
Опубликовано: 13-03-2013
Автор(ы): 喜之 山本, 貴一 目黒, 貴浩 今井
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Номер патента: WO2004073024A3. Автор: Eric Chason,Clyde L Briant. Владелец: Univ Brown. Дата публикации: 2004-12-29.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: WO2023085055A1. Автор: 仁 野口,洋 橋上,省三 白井. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2023-05-19.

A kind of method and growth structure of growth single-crystal diamond

Номер патента: CN108360065A. Автор: 侯洵,常晓慧,王宏兴,王艳丰,卜忍安,张景文,邵国庆,魏孔庭. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-03.

Diamond single crystal substrate

Номер патента: EP1591565A1. Автор: Kiichi Itami Works Meguro,Yoshiyuki Itami Works Yamamoto,Takahiro Itami Works Imai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for producing group III nitride single crystal

Номер патента: US9234299B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: EP3548651A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-09.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20210115590A1. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: MY194193A. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Tech Ltd. Дата публикации: 2022-11-19.

Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US11060204B2. Автор: Daniel James Twitchen,Harpreet Kaur Dhillon,Rizwan Uddin Ahmad Khan. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Single crystal diamond and diamond tool

Номер патента: US09963801B2. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Toshiya Takahashi,Yuichiro Seki. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: WO2023280842A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Newland. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2023-01-12.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots

Номер патента: US20240003047A1. Автор: Woo Tae Kim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for preparing large-scale two-dimensional single crystal stack having interlayer rotation angle

Номер патента: US20240183064A1. Автор: Can Liu,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

GaxIn1-xN (0 ≦ x ≦ 1) crystal manufacturing method, GaxIn1-xN (0 ≦ x ≦ 1) crystal substrate, GaN crystal manufacturing method, GaN crystal substrate and product

Номер патента: JPWO2007023722A1. Автор: 英章 中幡,伸介 藤原,龍 弘田,拓司 岡久,智喜 上村,藤原　伸介. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Group III nitride crystal substrate having a diameter of 4 inches or more and a curved c-plane with a radius of curvature of 15 m or more

Номер патента: US11718927B2. Автор: Takashi Sato,Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Akishige Murakami,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US20160102418A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Manufacturing method of laminated body having aluminum nitride single crystal layer, laminated body manufactured by the manufacturing method, manufacturing method of aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP4707755B2. Автор: 徹 永島,和哉 高田,明 箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Single crystal and method of producing the same

Номер патента: US6153165A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Gallium nitride crystal growth method, gallium nitride crystal substrate, epi-wafer manufacturing method, and epi-wafer

Номер патента: CN101353819A. Автор: 藤田俊介. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Gallium nitride crystal growth method, gallium nitride crystal substrate, epi-wafer manufacturing method, and epi-wafer

Номер патента: TW200908098A. Автор: Shunsuke Fujita. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2009-02-16.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR102492237B1. Автор: 김우태. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR20220072195A. Автор: 김우태. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2022-06-02.

Method and device for producing a single crystal of silicon, which single crystal is doped with n-type dopant

Номер патента: US12104274B2. Автор: Georg Raming,Wolfgang Staudacher. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and apparatus for pulling a single crystal by the fz method

Номер патента: US20200141025A1. Автор: Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and Apparatus For Producing A Single Crystal

Номер патента: US20130160698A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Johann Landrichinger,Georg Raming,Josef Lobmeyer,Gundars Ratnieks,Alfred Holzinger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739C. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials AS. Дата публикации: 2015-05-26.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: CA2688739A1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Globalwafers A/S. Дата публикации: 2008-10-23.

Method and device for producing a single crystal of silicon, which single crystal is doped with n-type dopant

Номер патента: US20230332323A1. Автор: Georg Raming,Wolfgang Staudacher. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for simulating the shape of the solid-liquid interface between a single crystal and a molten liquid, and the distribution of point defects of the single crystal

Номер патента: US20010042504A1. Автор: Naoki Ono,Kounosuke Kitamura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Process for producing laminate comprising al-based group iii nitride single crystal layer, laminate produced by the process, process for producing al-based group iii nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: EP2243866A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2010-10-27.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

III-nitride single-crystal ingot, III-nitride single-crystal substrate, method of manufacturing III-nitride single-crystal ingot, and method of manufacturing III-nitride single-crystal substrate

Номер патента: US8845992B2. Автор: Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Single crystal sic and a method of producing the same

Номер патента: CA2263352C. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Modification of the colour of a single crystal CVD diamond

Номер патента: GB2409675B. Автор: Daniel James Twitchen,Philip Maurice Martineau,Geoffrey Alan Scarsbrook. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Single crystal diamond movable structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2540877A4. Автор: Yasuo Koide,Meiyong Liao,Shunichi Hishida. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2015-11-25.

Single crystal diamond movable structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2540877A1. Автор: Yasuo Koide,Meiyong Liao,Shunichi Hishida. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2013-01-02.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Heat treatment method and heat treatment device for single crystal sapphire

Номер патента: US09988741B2. Автор: Sung Hwan Moon,Hee Choon Lee,Yi Sik Choi,Gye Won Jang,Bok Kee Na. Владелец: Sapphire Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: EP1587971A4. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack,J Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: EP1587971A2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: AU2003303485A1. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack,J Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Superstrong single crystals of cvd-diamond and their three-dimensional growth

Номер патента: RU2389833C2. Автор: Расселл Дж. ХЕМЛИ,Хо-кванг МАО,Чжи-Шию ЯНЬ,Расселл Дж. ХЕМЛИ (US),Хо-кванг МАО (US),Чжи-Шию ЯНЬ (US). Владелец: Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor substrate, and semiconductor substrate manufacturing apparatus

Номер патента: US20240312779A1. Автор: Akihiro Hashimoto,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING LARGE, SINGLE-CRYSTALS OF ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20150079329A1. Автор: Smart Joseph A.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.,Rojo Juan Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING LARGE, SINGLE-CRYSTALS OF ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20170159207A1. Автор: Smart Joseph A.,Bondokov Robert T.,Morgan Kenneth E.,Schowalter Leo,Slack Glen A.,Rojo Juan Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Method and device for growing a single crystal

Номер патента: WO2018197378A1. Автор: Alexander Gschwandtner. Владелец: EEPLASMA GmbH. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US09970127B2. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20060005763A1. Автор: Leo Schowalter,Glen Slack,J. Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method and apparatus for processing a single crystal blank

Номер патента: US20240018690A1. Автор: Manuel Kruse. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and apparatus for forming long single crystals with good uniformity

Номер патента: US20060021566A1. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2006-02-02.

Mgb2 single crystal and its production method, and superconductive material containing mgb2 single crystal

Номер патента: US20030146417A1. Автор: Ayako Yamamoto,Setsuko Tajima,Lee Romonovich. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-08-07.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: MY133687A. Автор: Friedrich Nemetz. Владелец: Wacker Siltronic Halbleitermat. Дата публикации: 2007-11-30.

Single crystal mixed metal oxide nanosheet material compositions, methods and applications

Номер патента: WO2012170627A2. Автор: Mahmut Aksit,Richard D. Robinson. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-13.

Diamond single crystals, a process of manufacturing and tools for using same

Номер патента: US4544540A. Автор: Kazuo Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-01.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240279843A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

LARGE DIAMETER, HIGH QUALITY SiC SINGLE CRYSTALS, METHOD AND APPARATUS

Номер патента: EP2852699A1. Автор: Ping Wu,Xueping Xu,Thomas E. Anderson,Avinash K. Gupta,Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method and apparatus for pulling single crystal

Номер патента: US12084785B2. Автор: Shingo Narimatsu. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09738989B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor single crystal manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: US8187383B2. Автор: Eiichi Kawasaki,Shinichi Kawazoe,Toshimichi Kubota,Tsuneaki Tomonaga. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor Single Crystal Manufacturing Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20090120352A1. Автор: Eiichi Kawasaki,Shinichi Kawazoe,Toshimichi Kubota,Tsuneaki Tomonaga. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Thin plate-shaped single-crystal production equipment and thin plate-shaped single-crystal production method

Номер патента: US11939696B2. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Single-crystal metal film by solid-state crystal growth of seed crystals, large-area single-layer or multilayer graphene with adjusted orientation angle using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230340693A1. Автор: Ho Bum Park,Ji Soo ROH,Jun Kyu JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-26.

Single crystal furnace charging system and charging method

Номер патента: EP4324960A1. Автор: Peng Xiang,YIN Tang,Bo Xiong,Ziyang Ou. Владелец: Sichuan Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method, and single crystal ingot

Номер патента: US20040211359A1. Автор: Shigeo Morimoto,Tadayuki Hanamoto,Yutaka Shiraishi,Takuji Okumura,Takehiro Komatsu,Jyunsuke Tomioka. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method, and single crystal ingot

Номер патента: EP2251462A2. Автор: Shigeo Morimoto,Yutaka Shiraishi,Takuji Okumura,Takehiro Komatsu,Jyunsuke Tomioka,Tadayuki Hanamot. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-17.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method, and single crystal ingot

Номер патента: US7918934B2. Автор: Shigeo Morimoto,Tadayuki Hanamoto,Yutaka Shiraishi,Takuji Okumura,Takehiro Komatsu,Jyunsuke Tomioka. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Method for clonal-growth of single-crystal metal

Номер патента: US20220136134A1. Автор: Zhibin Zhang,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Muhong Wu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Method and apparatus for fabricating a single-crystal semiconductor

Номер патента: TW328973B. Автор: Yoshinobu Hiraishi. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 1998-04-01.

Inspection method and fabricating method for silicon single crystal

Номер патента: TW201239144A. Автор: Daisuke Yamashita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Single crystal made of silicon, semiconductor wafer obtained from the single crystal, and method and apparatus for manufacturing the single crystal

Номер патента: JP4808922B2. Автор: フォン アモン ヴィルフリート,シュミット ヘルベルト,ヴェーバー マーティン,ヴィルブリス ヤニス,ゲルフガト ユーリ,ゴルブノフ レオニード. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-11-02.

Method for manufacturing single crystal using a graphite component having 30 ppb or less nickel

Номер патента: US9738988B2. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method, apparatus, and computer-readable storage medium for growing single crystal by using czochralski technique

Номер патента: US20220389610A1. Автор: QIAO LI,Zhengyuan Wang,Feifei DOU. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20240003046A1. Автор: Nobuaki Mitamura,Kiyotaka Takano,Keisuke Mihara,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and device for producing silicon single crystals and silicon single crystal ingot

Номер патента: DE112008000893B4. Автор: Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masahiro Irokawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Manufacturing method and manufacturing system for silicon single crystal

Номер патента: KR101911946B1. Автор: 토시아키 스도,타다히로 사토,에리코 키타하라,켄 키타하라. Владелец: 가부시키가이샤 섬코. Дата публикации: 2018-10-25.

Single Crystal Si nanoribbons and the manufacturing method of the same

Номер патента: KR100978031B1. Автор: 최헌진,박태언,성한규,정한나. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-08-26.

Single Crystal Semiconductor Manufacturing Apparatus and Manufacturing Method

Номер патента: US20090133617A1. Автор: Junsuke Tomioka,Yutaka Shiraishi,Tetsuhrio Iida. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

METHOD AND APPARATUS FOR PULLING A SINGLE CRYSTAL BY THE FZ METHOD

Номер патента: US20200141025A1. Автор: SCHROECK Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD AND APPARATUS FOR PULLING A SINGLE CRYSTAL BY THE FZ METHOD

Номер патента: US20200149183A1. Автор: SCHROECK Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200165742A1. Автор: Hayashi Mitsuaki,YOKOYAMA Ryusuke,SUGIMURA Wataru. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD AND APPARATUS FOR PULLING A SINGLE CRYSTAL BY THE FZ METHOD

Номер патента: US20190352795A1. Автор: SCHROECK Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-21.

Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: CN109196144B. Автор: 杉村涉,横山龙介,林三照. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-04-02.

Method and apparatus for growing silicon single crystal

Номер патента: JP2874722B2. Автор: 浩利 山岸,雅規 木村. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-24.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: JP5485136B2. Автор: ペル、バーベンガールド,アンネ、ニールセン,タイス、レス、ラルセン,ヤン、エイビング、ペーターセン,レイフ、イェンセン. Владелец: トップシル・セミコンダクター・マテリアルズ・アクティーゼルスカブ. Дата публикации: 2014-05-07.

Method and device for producing a single crystal from semiconductor material

Номер патента: DE10204178A1. Автор: Wilfried von Ammon. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-09-04.

Thin single crystal flake silver powder synthesized by chemical method and preparation method thereof

Номер патента: CN110899722B. Автор: 李亮,周湘辉,张汉生,沈昕. Владелец: WUXI JINRISE MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Thin single crystal flake silver powder synthesized by chemical method and preparation method thereof

Номер патента: CN110899722A. Автор: 李亮,周湘辉,张汉生,沈昕. Владелец: WUXI JINRISE MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals

Номер патента: EP0350305A2. Автор: Yoshinobu Shima,Hiroshi Kamio,Akira Kazama. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-01-10.

Method and device for pulling a single crystal

Номер патента: DE19781967T1. Автор: Hideki Fujiwara. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 1999-09-09.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: EP2142686A1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials AS. Дата публикации: 2010-01-13.

Method and apparatus for producing a single crystal of silicon

Номер патента: DE10339792B4. Автор: Martin Weber,Herbert Schmidt,Dr. Ammon Wilfried von,Dr. Virbulis Janis,Dr. Wetzel Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-02-27.

Method and plant for pulling a single crystal by the fz method

Номер патента: TW201831740A. Автор: 湯瑪士 施洛克. Владелец: 德商世創電子材料公司. Дата публикации: 2018-09-01.

Selective epitaxial growth method and film forming apparatus

Номер патента: US09797067B2. Автор: Daisuke Suzuki,Satoshi Onodera,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2465980A2. Автор: Kazukuni Hara,Yuuichirou Tokuda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Methods and systems for thin film deposition processes

Номер патента: US09879357B2. Автор: Indranil De. Владелец: Tivra Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing III-N single crystals, and III-N single crystal

Номер патента: US09896779B2. Автор: Eberhard Richter,Frank Habel,Marit Gründer,Frank Brunner,Markus Weyers. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Ga2O3-based single crystal substrate

Номер патента: US12104276B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Silver thiogallate single crystal layers epitaxially grown from potassium chloride-silver thiogallate solution

Номер патента: WO1985005135A1. Автор: Anthony L. Gentile,Sanat R. Sashital,Robert L. Joyce. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-11-21.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US20220098756A1. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for producing lithium tantalate single crystal substrate

Номер патента: US11814748B2. Автор: Koji KATO,Jun Abe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Heat Treatment Method of ZnTe Single Crystal Substrate and ZnTe Single Crystal Substrate

Номер патента: US20090042002A1. Автор: Kenji Sato,Takayuki Shimizu,Toshiaki Asahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Heat treatment method of znte single crystal substrate and znte single crystal substrate

Номер патента: US20110236297A1. Автор: Kenji Sato,Takayuki Shimizu,Toshiaki Asahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

GaN single crystal substrate and method of producing same

Номер патента: US6413627B1. Автор: Tatsuya Nishimoto,Naoki Matsumoto,Kensaku Motoki,Takuji Okahisa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-07-02.

Apparatus for producing SiC single crystal by solution growth method, and method for producing SiC single crystal by using the production apparatus and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09783911B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Koji Moriguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-Coated Single Crystal, And Production Apparatus And Process Therefor

Номер патента: US20080008438A1. Автор: Tsuguo Fukuda,Akira Yoshikawa,Yuji Kagamitani. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US20230399769A1. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus for producing monocrystalline AIN

Номер патента: AU2003303485A2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Gallium oxide single crystal particle and method for producing the same

Номер патента: US20230122462A1. Автор: Hiroyuki Shibata,Jun Yoshikawa,Miho Maeda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Single crystal SiC and a method of producing the same

Номер патента: US6143267A. Автор: Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal using dopant coated with a carbon-based material

Номер патента: US11846038B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Haruka MATSUBARA,Kei DOIOKA,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for preparing single-crystal wollastonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503143B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

APPARATUS FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY USING THE PRODUCTION APPARATUS AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS

Номер патента: US20150191848A1. Автор: Okada Nobuhiro,Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-07-09.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: KR100827970B1. Автор: 히로무 시오미,히로유키 기노시타. Владелец: 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-05-08.

Method and apparatus for growing potassium lead chloride crystals

Номер патента: US7964158B1. Автор: Steven R. Bowman,Nicholas J. Condon,Shawn P. O'Connor. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2011-06-21.

Halogenated perovskite single crystal, preparation method and application of halogenated perovskite single crystal in preparation of X-ray detector

Номер патента: CN111647944A. Автор: 李维俊,杨柏,魏浩桐. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2020-09-11.

Method for processing a lithium tantalate crystal substrate

Номер патента: US20190326871A1. Автор: Fei Lin,Mingxin Chen,Mingzhang Liu,Kehong Wu. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

The manufacturing method and manufacturing device of SiC single crystal

Номер патента: CN106958039B. Автор: 楠一彦,关和明,大黑宽典,加渡干尚. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

The manufacture method and manufacture device of SiC single crystal

Номер патента: CN106958039A. Автор: 楠一彦,关和明,大黑宽典,楠彦,加渡干尚. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE

Номер патента: US20150267321A1. Автор: Moon Sung Hwan,Lee Hee Choon,Choi Yi Sik,Jang Gye Won,Na Bok Kee. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD AND SETUP FOR GROWING BULK SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20200378030A1. Автор: Guguschev Christo,Brutzam Mario,Schlom Darrell,Paik Hanjong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method and apparatus for preparing emerald single crystal by flux melting method using natural beryl

Номер патента: KR960037873A. Автор: 김무경,최의석,안영필,안수상,서청교. Владелец: 송은용. Дата публикации: 1996-11-19.

Method and device for producing compound single crystal with high dissociation pressure

Номер патента: JPS6011299A. Автор: Shoichi Ozawa,Takashi Kijima,Katsumi Azuma,Yuzo Kashiyanagi,小沢　章一,我妻　勝美,木島　孝,柏柳　雄三. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-21.

METHOD AND CONSTRUCTION FOR GROWING VOLUME SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE102020114524A1. Автор: Darrell Schlom,Christo Guguschev,Mario Brützam,Hanjong Paik. Владелец: Center for Technology Licensing at Cornell University. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and apparatus for producing SiC single crystal film

Номер патента: JP5304792B2. Автор: 亮 服部,一人 亀井,将斉 矢代,一彦 楠. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

Method and device for growing a single crystal

Номер патента: DE19609862C2. Автор: Hiroshi Okada,Yoshihiko Sakashita,Katsuhiro Uehara,Seiichiro Ohmoto,Takao Kawanaka. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL, FREE OF ANY CONSTRAINT, OF A FERROELECTRIC COMPOUND WITH A CRYSTALLINE STRUCTURE

Номер патента: FR2526449B1. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-07-05.

Method and device for producing connecting single crystals

Номер патента: DE19580737T1. Автор: Hiroshi Okada,Kazuhiro Uehara,Takao Fujikawa,Yoshihiko Sakashita,Kazuya Suzuki,Takao Kawanaka,Seiichiro Oomoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1996-10-31.

Method and apparatus for preparing compound single crystals

Номер патента: KR100246712B1. Автор: 가즈야 스즈키,히로시 오카다,다카오 후지카와,가즈히로 우에하라,요시히코 사카시타,다카오 가와나카,세이이치로 오오모토. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2000-03-15.

Method and apparatus for producing SiC single crystal film

Номер патента: JPWO2010024390A1. Автор: 亮 服部,服部　亮,一人 亀井,将斉 矢代,一彦 楠,楠　一彦,亀井　一人,矢代　将斉. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Method and apparatus for manufacturing SiC single crystal film

Номер патента: CN102197168A. Автор: 服部亮,楠一彦,龟井一人,矢代将齐. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Method and apparatus for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6558394B2. Автор: 一彦 楠,楠　一彦,豊 岸田,寛典 大黒,幹尚 加渡,和明 関,雅喜 土井,友大 佐藤,岸田　豊. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-08-14.

Method and apparatus for manufacturing sic single crystal film

Номер патента: KR20110057186A. Автор: 가즈히코 구스노키,가즈히토 가메이,노부요시 야시로,료 핫토리. Владелец: 수미도모 메탈 인더스트리즈, 리미티드. Дата публикации: 2011-05-31.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Silicon Single Crystal Substrate and Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20130161793A1. Автор: Katsuhiko Nakai,Masamichi Ohkubo,Hikaru Sakamoto. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Method and Apparatus for Single Crystal Growth, and Single Crystal

Номер патента: US20240247403A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG,Chenguang Sun. Владелец: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of sorting silicon single crystal substrate and silicon single crystal substrate

Номер патента: EP3790040A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Manufacturing method of silicon single crystal having low-resistivity electrical characteristics

Номер патента: US09758899B2. Автор: Tomohiro Fukuda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicone single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: MY179465A. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-11-06.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09816199B2. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of hydrogen-doped silicon single crystal

Номер патента: US20070028832A1. Автор: Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Process for producing single crystal-like silver films

Номер патента: WO2023249493A1. Автор: Kaiying Wang,Kim Robert Gustavsen. Владелец: University of South-Eastern Norway. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: AU2022205729A9. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Equipment and Thin Plate-Shaped Single-Crystal Production Method

Номер патента: US20240352614A1. Автор: Isamu Shindo. Владелец: Crystal Systems Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Single crystal production method

Номер патента: US20030089301A1. Автор: Wataru Ohashi,Teruyuki Tamaki,Yutaka Kishida,Seiki Takebayashi. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-05-15.

Crystal Puller and Method for Pulling Single-Crystal Silicon Ingot, and Single-Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240271317A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20240263342A1. Автор: Hirotaka Takahashi,Suguru Matsumoto,Kosei Sugawara,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Single crystal of silicon with <100> orientation, which is doped with n-type dopant, and method for producing such a single crystal

Номер патента: US20200270764A1. Автор: Jochen Friedrich,Georg Raming,Alfred Miller,Matthias Daniel,Ludwig STOCKMEIER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling

Номер патента: US20030024469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Janis Virbulis,Manfred Grundner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Heat shield structure for single crystal production furnace and single crystal production furnace

Номер патента: US20220002898A1. Автор: ZHAN Li,Tao Wei,XING Wei,Yun Liu,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Si ingot single crystal

Номер патента: US20230304185A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Heat leakage prevention device and single crystal furnace system

Номер патента: US20240247401A1. Автор: Xiaodong Li,Lei AN. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20130276693A1. Автор: Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Apparatus for manufacturing a single crystal by the Czochralski method comprising a cooling cylinder with an auxiliary cooling cylinder fitted inside the cooling cylinder

Номер патента: US12071704B2. Автор: Atsushi Okai,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20070256625A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Apparatus for pulling single crystal by CZ method

Номер патента: US20090173272A1. Автор: Shigeo Morimoto,Shigeki Kawashima,Hiroshi Inagaki,Kentaro Nakamura,Tadayuki Hanamoto,Toshirou Kotooka,Yoshinobu Hiraishi,Toshiaki Saishoji,Hiroshi Monden,Kengo Hayashi,Daisuke Ebi,Makoto Kamogawa,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Denshi Kinzouku KK. Дата публикации: 2009-07-09.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US12116693B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230234169A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

CRYSTAL PRODUCING APPARATUS, SiC SINGLE CRYSTAL PRODUCING METHOD, AND SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150167197A1. Автор: Kazuaki Seki,Can Zhu,Toru Ujihara,Mitsuya Nagaoka,Shunta HARADA. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2015-06-18.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Diamond uv sensor element and manufacturing method thereof, uv sensor device, diamond single crystal processing method

Номер патента: EP2246896A1. Автор: Yasuo Koide,Meiyong Liao,Jose Alvarez,Jean-Paul Kleider. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2010-11-03.

Diamond uv sensor element and manufacturing method thereof, uv sensor device, diamond single crystal processing method

Номер патента: EP2246896B1. Автор: Yasuo Koide,Meiyong Liao,Jose Alvarez,Jean-Paul Kleider. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-08-09.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US10937857B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-02.

Method and apparatus for preparing single crystal cladding

Номер патента: EP4361114A1. Автор: Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

High-resistivity single crystal zinc oxide wafer based radiation detector and preparation method and use thereof

Номер патента: US20190115489A1. Автор: Xu Ji,Feng Huang,Kun YAN,Mei DONG. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-04-18.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Ferroelectric thin film manufacturing method, ferroelectric element manufacturing method, surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20040238866A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US20210134941A1. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Apparatus for preparing a single crystal comprising a volatilization chamber and a plurality of crystal pieces fixed by combined fixtures located in a solid connection chamber

Номер патента: US12098478B2. Автор: Yang Wang,Jian Jiang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

n-type SiC single crystal substrate and its manufacturing method, and SiC epitaxial wafer

Номер патента: JP6757955B2. Автор: 智久 加藤,数馬 江藤,裕政 周防. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-09-23.

Single crystal manufacturing method, magnetic field generator, and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20230407523A1. Автор: Naoki Matsushima,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor single-crystal lift device

Номер патента: US5868836A. Автор: Shigeki Nakamura,Koichi Shimomura,Teruhiko Uchiyama. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Method for polishing single-crystal diamond

Номер патента: US20220241927A1. Автор: Jing Lu,Ping Xiao,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Cleaning Method and Laminate of Aluminum Nitride Single-Crystal Substrate

Номер патента: US20170260650A1. Автор: Ariyuki Masao. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Cleaning Method and Laminate of Aluminum Nitride Single-Crystal Substrate

Номер патента: US20200347514A1. Автор: Ariyuki Masao. Владелец: TOKUYAMA CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: WO2016039116A1. Автор: 正男 有行. Владелец: 株式会社トクヤマ. Дата публикации: 2016-03-17.

Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: CN106605291A. Автор: 有行正男. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: EP3193356B1. Автор: Masao Ariyuki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Single crystal pulling apparatus

Номер патента: US6139633A. Автор: Kiyofumi Nishiura. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Single crystal of porous compound, method for assessing quality of single crystal, method for preparing solution including compound to be analyzed, method for producing crystal structure analysis sample, and method for determining molecular structure of compound to be analyzed

Номер патента: US20180245239A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma,Yuya Doumoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-08-30.

Nitride crystal substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190382920A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Nitride crystal substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220154367A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Nitride crystal substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US11377756B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Method of making a single crystals Ga*N article

Номер патента: US5679152A. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of making single crystal gallium nitride

Номер патента: WO1995020695A1. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1995-08-03.

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: RU2010130676A. Автор: Кейго ХОСИКАВА,Тихиро МИЯГАВА,Таити НАКАМУРА,Кейго ХОСИКАВА (JP),Тихиро МИЯГАВА (JP),Таити НАКАМУРА (JP). Владелец: Фудзикоси Мэшинери Корп. (Jp). Дата публикации: 2012-01-27.

Method and apparatus for forming long single crystals with good uniformity

Номер патента: TW200606285A. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of manufacturing semiconductor single crystals

Номер патента: US3767473A. Автор: B Lambert,M Ayel,J Besselere. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1973-10-23.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US20170002480A1. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

PREPARATION METHOD FOR GROWING GERMANIUM SULFIDE (GeS2) SINGLE-CRYSTAL THIN FILM ON SiO2 SUBSTRATE

Номер патента: US20240120431A1. Автор: SHENG Chen,Guoqiang Li,Wenliang Wang,Jixing CHAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor single crystal pulling apparatus

Номер патента: US20020073919A1. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi,Souroku Kawanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Quartz glass crucible, manufacturing method therefor, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240011183A1. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus and method of growing single crystal of semiconductor

Номер патента: US6497761B2. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-24.

Silicon single crystal wafer for IGBT and manufacturing method of silicon single crystal wafer for IGBT

Номер патента: JPWO2009025336A1. Автор: 学 西元,繁 梅野,宝来　正隆,正隆 宝来,渉 杉村,梅野　繁. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

High radiation detection performance from photoactive semiconductor single crystals

Номер патента: US11749771B2. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Yihui He. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-09-05.

High radiation detection performance from photoactive semiconductor single crystals

Номер патента: US20200381573A1. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Yihui He. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2020-12-03.

MANUFACTURING APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL, JIG FOR USE IN THE MANUFACTURING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130305981A1. Автор: Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: US20210032772A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-04.

Single-crystal particle film and preparation method of substrate-free flexible solar cell employing single-crystal particle film

Номер патента: CN105161555B. Автор: 张军,邵乐喜,莫德云,廖峻. Владелец: Lingnan Normal University. Дата публикации: 2017-01-18.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: EP3775333A2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-17.

MPCVD method single crystal diamond manufacturing apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114540790B. Автор: 李凯,李森淼. Владелец: Xuzhou Jinglan New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

A method of manufacturing a single crystal layer made of LNO and a substrate for epitaxial growth of a single crystal layer made of LNO

Номер патента: KR20200136431A. Автор: 브루노 기셀른. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2020-12-07.

Silicone container for single crystal silicon pulling and its manufacturing method

Номер патента: TWI486314B. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shinetsu Quartz Prod. Дата публикации: 2015-06-01.

Method and apparatus for growing semiconductor single crystal capable of high speed pulling and cooling tube for the same

Номер патента: KR100958522B1. Автор: 이상훈,김상희,이재은,오현정. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-05-19.

Silicone container for single crystal silicon pulling and its manufacturing method

Номер патента: TWI486313B. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shinetsu Quartz Prod. Дата публикации: 2015-06-01.

Silicone container for single crystal silicon pulling and its manufacturing method

Номер патента: TWI509117B. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shinetsu Quartz Prod. Дата публикации: 2015-11-21.

Method and Apparatus For Producing A Single Crystal

Номер патента: US20130160698A1. Автор: Raming Georg,Lobmeyer Josef,ALTMANNSHOFER Ludwig,RATNIEKS Gundars,Landrichinger Johann,Holzinger Alfred. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US20140061666A1. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method and equipment for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR930001895B1. Автор: 히로시 가미오,겐지 아라끼,요시노부 시마,아끼라 가자마,마꼬도 스즈끼,시게다께 호리에,야스미쓰 나까하마. Владелец: 야마시로 요시나리. Дата публикации: 1993-03-19.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US8545629B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Method and apparatus for producing oxide single crystal

Номер патента: JP3759807B2. Автор: 美能留 今枝,竜生 川口,承生 福田,清史 島村. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Method and device for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JPS60191095A. Автор: Koji Ogawa,浩二 小川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-09-28.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US8123859B2. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,J. Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals

Номер патента: EP0340941A1. Автор: Makoto Suzuki,Kenji Araki,Yasumitsu Nakahama,Yoshinobu Shima,Hiroshi Kamio,Akira Kazama,Shigetake Horie. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1989-11-08.

Method and device for producing a single crystal

Номер патента: DE19756613A1. Автор: Wilfried Von Dr Ammon,Erich Dr Tomzig,Janis Dr Virbulis. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1999-07-01.

Method and devices for pulling a single crystal

Номер патента: DE19780252T1. Автор: Teruo Izumi. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-04-02.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: US9447521B2. Автор: Juan Carlos Rojo,Leo Schowalter,Glen A. Slack,Robert T. Bondokov,Kenneth E. Morgan,Joseph A. Smart. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for growing sapphire single crystals

Номер патента: US9790618B2. Автор: Jun Tae Ahn. Владелец: CRISTECH CO Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Diamond substrate manufacturing method, diamond substrate, and diamond composite substrate

Номер патента: JPWO2015199180A1. Автор: 夏生 辰巳,良樹 西林,喜之 山本,西林　良樹,拓司 岡久. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09903048B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

SiC single crystal and production method thereof

Номер патента: US09856582B2. Автор: Takeshi Suzuki,Yoshiyuki Yonezawa,Mina RYO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Indium phosphide single-crystal body and indium phosphide single-crystal substrate

Номер патента: US12091773B2. Автор: Katsushi Hashio,Takuya Yanagisawa,Kazuaki KONOIKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Joined body of piezoelectric single-crystal substrate and support substrate

Номер патента: US20210066577A1. Автор: Tomoyoshi Tai,Ryosuke Hattori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

BETA-Ga2O3 SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170152610A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

8-inch n-type SiC single crystal substrate

Номер патента: US12084789B2. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120070366A1. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: RESEARCH AND DEVELOPEMENT CENTER SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of manufacturing potassium niobate single crystal thin film, surface acoustic wave element, frequency filter, frequency oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20050076829A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

A fabrication process for flexible single-crystal perovskite devices

Номер патента: US20230250548A1. Автор: Sheng Xu,Yimu CHEN,Yusheng LEI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Die for efg-based single crystal growth, efg-based single crystal growth method, and efg single crystal

Номер патента: US20210017668A1. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Production method and growth arrangement for producing bulk sic single crystal

Номер патента: US20200263318A1. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Arnd-Dietrich Weber. Владелец: Si Crystal GmbH. Дата публикации: 2020-08-20.

SiC single crystal manufacturing apparatus and SiC single crystal manufacturing method

Номер патента: US11306412B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-19.

Graded tip cuprous oxide single crystal material and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240263338A1. Автор: Jun Chen,Huan WANG,Jinhan LI,Haixia Li,Zhenhua YAN,Fangyi CHENG. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2024-08-08.

Ga2O3 SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160017512A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Ga2o3-based single crystal substrate, and production method therefor

Номер патента: US20190062942A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Stripping Method and Stripping Device for Silicon Carbide Single Crystal Wafers

Номер патента: US20230076324A1. Автор: Rong Wang,Deren Yang,Wenhao Geng,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Sic single crystal substrate

Номер патента: EP4286571A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392285A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Inp single crystal substrate

Номер патента: US20020179002A1. Автор: Koji Iwasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240141544A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

METHOD FOR CULTIVATING BETA-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, AND BETA-Ga2O3-SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160115621A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

8-inch sic single crystal substrate

Номер патента: EP4286563A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

8-inch SiC single crystal substrate

Номер патента: US11859313B2. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

8-INCH SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392293A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Superconductor incorporating therein superconductivity epitaxial thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030207767A1. Автор: Jun Ho Kim,Sang Hyeob Kim,Gun Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-11-06.

Gallium arsenide single crystal substrate and method for producing gallium arsenide single crystal substrate

Номер патента: US11891720B2. Автор: Fumitake Nakanishi,Koji Uematsu,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20170233892A1. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Indium phosphide single crystal and indium phosphide single crystal substrate

Номер патента: US11926923B2. Автор: Katsushi Hashio,Takuya Yanagisawa,Kazuaki KOUNOIKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Gallium arsenide single crystal, and gallium arsenide single crystal substrate

Номер патента: EP3835465A1. Автор: Yukio Ishikawa,Hidetoshi Takayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-06-16.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392288A1. Автор: Koji Kamei,Takuya Yamaguchi,Naoki Oyanagi. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Sic single crystal substrate

Номер патента: EP4286572A1. Автор: Koji Kamei,Takuya Yamaguchi,Naoki Oyanagi. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

8-inch n-type sic single crystal substrate

Номер патента: EP4286564A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

8-INCH N-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392287A1. Автор: Tomohiro Shonai. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20160230309A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Aln bulk single crystal, semiconductor device using the same and method for producing the same

Номер патента: CA2719826C. Автор: Shunro Nagata,Albrecht Winnacker,Boris M Epelbaum,Matthias Bickermann,Octavian Filip,Paul Heimann. Владелец: Crystal N GmbH. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for producing n-type sic single crystal

Номер патента: US20150299896A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A1. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-05-11.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение &#34;Национальный исследовательский центр &#34;Курчатовский институт&#34;. Дата публикации: 2021-05-05.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Production method for a low-dislocation bulk aln single crystal and low-dislocation monocrystalline aln substrate

Номер патента: US20100255305A1. Автор: Thomas Straubinger,Ralph-Uwe Barz. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US09970124B2. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Surface acoustic wave filter using novel peizoelectric single crystal substrate

Номер патента: US20020185933A1. Автор: Hyeong-Joon Kim,Jin-Yong Kim,Sang-Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

SiC single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US11761113B2. Автор: Kotaro Ishita. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semi-insulating bulk zinc oxide single crystal

Номер патента: US20040055526A1. Автор: William Nemeth,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Process and apparatus for producing an oxide single crystal

Номер патента: US20020007780A1. Автор: Minoru Imaeda,Katsuhiro Imai,Toshihisa Yokoyama,Ken-Ichi Noda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of producing sic single crystal

Номер патента: US20110315073A1. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Process for producing a planar body of an oxide single crystal

Номер патента: US20010020436A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of producing SiC single crystal

Номер патента: US9080254B2. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Sic single-crystal growth apparatus

Номер патента: US20240295047A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: SEC Carbon Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Substrate for forming a single crystal layer and method of preparing a single crystal layer using the substrate

Номер патента: US20160273127A1. Автор: Noriyuki Yoshimoto,Naotoshi Suganuma,Ryosuke Kamiya. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US20070012238A1. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2007-01-18.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal

Номер патента: US7410540B2. Автор: Stefan Eichler,Thomas Bünger,Ulrich Kretzer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Device having a foil-lined crucible for the sublimation growth of an SiC single crystal

Номер патента: US20020096108A1. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-07-25.

Barium titanate single crystal and preparation method thereof

Номер патента: US20080200327A1. Автор: Wei-Hsing Tuan,Yung-Ching Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Single crystal growing apparatus

Номер патента: US20070131162A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Shinichi Ikeda,Yoshiyuki Yoshida,Shigeo Hara,Toru Nagasawa,Naoki Shirakawa,Ichirou Nagai,Norio Umeyama,Ryusuke Iwasaki,Hiroshi Eisaki. Владелец: NATIONAL INST OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2007-06-14.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040B1. Автор: Ryuichi NIKKO MATERIALS CO. LTD. HIRANO,Hiroshi Nikko Materials Co. Ltd. MAEDA,Tetsuya Nikko Materials Co. Ltd. YAMAMOTO,Akira Nikko Materials Co. Ltd. HICHIWA,Yoshiaki Hirohata Furnace Co. Ltd. KUBOTA. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Reduction of carbon inclusions in sublimation grown SiC single crystals

Номер патента: US20080115719A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Apparatus for producing SiC single crystals and method of producing SiC single crystals using said production apparatus

Номер патента: US09896778B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of producing semiconductor single crystal

Номер патента: US09797068B2. Автор: Takashi Sakurada,Tomohiro Kawase,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Growth Method and Apparatus for Preparing High-Yield Crystals

Номер патента: US20210355599A1. Автор: Shujie Wang,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-11-18.

SiC single crystal growth crucible, SiC single crystal manufacturing method, and SiC single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US11946156B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: US20240068129A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: EP1178135A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-06.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Electrostatic charge controlling process for piezoelectric oxide single crystal and apparatus for electrostatic charge controlling process

Номер патента: EP1741809A4. Автор: Kazutoshi Hotta,Kazuya Kanno,Ietaka Sahashi,Takeji Sasamata,Daisaku Miyagawa,Masato Kurachi. Владелец: Yamaju Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-17.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: US20010048266A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416B2. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for Preparing Barium Titanate Single Crystals

Номер патента: CA2079936A1. Автор: Osamu Nakao,Kazuhiko Tomomatsu,Haruo Tominaga,Akihito Kurosaka,Shoji Ajimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-09.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US20020144648A1. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2002-10-10.

Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus

Номер патента: US6720509B2. Автор: Yonghong Wang,Fengyi Zhang,Ping Song,Hailing Tu,Jiayu Qian. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2004-04-13.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A9. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus, method, and process for directional solidification by liquid metal spraying enhanced cooling (LMSC)

Номер патента: US12110607B2. Автор: Xia Li,JIANG Wang,Xiaoxin Zhang,Zhongming Ren,Xingfu Ren,Zhenqiang ZHANG,Tingsheng Tu,Baojun Wang. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-08.

Single crystal production apparatus

Номер патента: US09982366B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Single-crystal spinel plate

Номер патента: RU2335582C2. Автор: Милэн КОКТА,Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ,Ханг ОНГ,Роберт СИНК. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2008-10-10.

Sic single crystal and method of its production

Номер патента: RU2160329C1. Автор: Китий ТАНИНО,Китийя ТАНИНО. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. Дата публикации: 2000-12-10.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTALS AND ELECTRICALLY CONDUCTING BULK ß-GA2O3 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2023144000A1. Автор: Thomas Schröder,Zbigniew GALAZKA,Matthias Bickermann,Walter Häckl,Steffen Ganschow. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Crystal manufacturing method, crystal manufacturing apparatus and single crystal

Номер патента: US11846037B2. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Katsumi Kawasaki,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

High-purity tellurium dioxide single crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: US8480996B2. Автор: Yong Zhu,Zengwei Ge,Guoging Wu,Xueji Yin,Linyao Tang,Hanbin Zhao,Lizhen Gu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide substrate

Номер патента: US20170121844A1. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Quality prediction method for conductive gallium oxide on the basis of deep learning and edge-defined film-fed growth method, and preparation method and system

Номер патента: EP4047608A1. Автор: Qinglin SAI,Hongji QI,Duanyang Chen. Владелец: Hangzhou Fujia Gallium Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-24.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Feed rod for growing magnetic single crystal, magnetic single crystal, and method of producing a magnetic single crystal

Номер патента: US20030041797A1. Автор: Mikio Geho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210180207A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210054524A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Diamond substrate and diamond substrate manufacturing method

Номер патента: US20160237592A1. Автор: Koji Koyama,SeongWoo Kim,Hideo Aida,Kenjiro Ikejiri. Владелец: Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Substrate Manufacturing Method

Номер патента: US20190279867A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hideki Suzuki,Yohei Yamada,Junichi Ikeno. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2019-09-12.

Substrate Manufacturing Method

Номер патента: US20180315657A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hideki Suzuki,Yohei Yamada,Junichi Ikeno. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2018-11-01.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Ga2o3-based single crystal substrate and method of manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: US20240011192A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Group III nitride single crystal substrate and method for production thereof

Номер патента: US12116697B2. Автор: Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Indium Phosphide Substrate Manufacturing Method and Epitaxial Wafer Manufacturing Method

Номер патента: US20130109156A1. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Manufacturing method of large-outer-diameter quartz crucible for czochralski (cz) single crystal

Номер патента: US20240262734A1. Автор: ZHEN Wang,Ye Wang,Man Chen,Li Ma,Zhiqiang Zhang,Zonghui LI,XingWang SUN. Владелец: Jinzhou Youxin Quartz Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of large-outer-diameter quartz crucible for Czochralski (CZ) single crystal

Номер патента: US12060294B1. Автор: ZHEN Wang,Ye Wang,Man Chen,Li Ma,Zhiqiang Zhang,Zonghui LI,XingWang SUN. Владелец: Jinzhou Youxin Quartz Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

N-type conductive aluminum nitride semiconductor crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2677414C. Автор: Hiroyuki Yanagi,Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-12-18.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Ga2o3-based single crystal substrate and method for manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: EP4317547A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon single crystal substrate for vapor deposition, vapor deposition substrate, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4137617A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Ti: SAPPHIRE CRYSTAL FIBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND WIDE BAND LIGHT SOURCE USING THE SAME

Номер патента: US20140072010A1. Автор: Sheng-Lung Huang,Kuang-Yu Hsu,Dong-Yo Jheng,Yi-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-03-13.

Ti: SAPPHIRE CRYSTAL FIBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND WIDE BAND LIGHT SOURCE USING THE SAME

Номер патента: US20140060420A1. Автор: Sheng-Lung Huang,Kuang-Yu Hsu,Dong-Yo Jheng,Yi-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for producing aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US10822718B2. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroyuki Yanagi,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190252504A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them

Номер патента: US09896781B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of making a sapphire component including machining a sapphire single crystal

Номер патента: US09963800B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon single crystal substrate and silicon epitaxial wafer for solid-state image sensor and solid-state image sensor

Номер патента: US11824070B2. Автор: Takao Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

ScAIMgO4 single crystal substrate and method for producing the same

Номер патента: US10767277B2. Автор: Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki,Takehiro Asahi,Naoto YANAGITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Method for washing aluminum nitride single crystal substrate, method for producing aluminum nitride single crystal layered body, and method for producing aluminum nitride single crystal substrate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US20230227997A1. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroshi Furuya. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Group III nitride single crystal substrate

Номер патента: US11767612B2. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of producing a single crystal gan substrate and single crystal gan substrate

Номер патента: CA2352132C. Автор: Hitoshi Kasai,Kensaku Motoki,Takuji Okahisa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of cleaning a group III-nitride single crystal substrate comprising cleaning a nitrogen-polar face with a detergent including a fluoroorganic compound

Номер патента: US11859312B2. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of cleaning group iii nitride single crystal substrate, and method of producing the same

Номер патента: US20230313413A1. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Silicon single crystal substrate for vapor phase growth, vapor phase growth substrate and methods for producing them

Номер патента: US20230235481A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Single crystal ternary positive electrode material, fabrication method therefor, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4397792A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Group iii nitride crystal production method and group iii nitride crystal

Номер патента: US20140035103A1. Автор: Kenji Fujito,Hajime Matsumoto,Satoru Nagao,Kunitada SUZAKI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Quality prediction method, preparation method and system of high resistance gallium oxide based on deep learning and Czochralski method

Номер патента: US12031230B2. Автор: Qinglin SAI,Hongji QI,Duanyang Chen. Владелец: Hangzhou Fujia Gallium Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230054939A1. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US12129570B2. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of preparation of single-crystal films

Номер патента: GB1384745A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1975-02-19.

Method for producing group 13 element nitride crystal layer, and seed crystal substrate

Номер патента: US20230215969A9. Автор: Masahiro Sakai,Takashi Yoshino,Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Takanao Shimodaira,Yoshitaka Kuraoka,Hirokazu Nakanishi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Production method for turbine component, repairing method, and turbine component

Номер патента: EP4260966A1. Автор: Hiroshi Harada,Toru Tanaka,Akihiro Sakamoto,Kyoko Kawagishi,Tadaharu Yokokawa,Toshio Osada,Yutaka Koizumi,Yoshiaki Sakai,Rie Sumiya,Hideshi Nakano,Makoto Osawa,Takehisa Hino,Kazuhiro Kitayama. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

ß-Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20150380501A1. Автор: Makoto Watanabe,Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui,Yu Yamaoka. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Sapphire single crystal substrate for semiconductor devices

Номер патента: US4292373A. Автор: Mitsuhiro Kimura,Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-09-29.

Laminate of aluminum nitride single-crystal substrate

Номер патента: US11952677B2. Автор: Masao Ariyuki. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Sic single crystal and method for producing same

Номер патента: US20170009374A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Magnetostrictive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180233654A1. Автор: Katsuya Imai. Владелец: Nippon Koshuha Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20160315020A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US9406528B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US20140191370A1. Автор: Woo Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Magnetostrictive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991438B2. Автор: Katsuya Imai. Владелец: Nippon Koshuha Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Film forming method and film forming apparatus

Номер патента: US09966256B2. Автор: Daisuke Suzuki,Kazuya Takahashi,Satoshi Takagi,Hiroki Murakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: US09917022B2. Автор: Woo Young Sim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Gaas single crystal substrate and epitaxial wafer using the same

Номер патента: CA2275088A1. Автор: Ryusuke Nakai,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Shell mold casting chamber, casting furnace, and single-crystal, small-crystal, and non-crystal casting method

Номер патента: RU2746111C1. Автор: Джингчен Чжао. Владелец: Джингчен Чжао. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for producing semiconductive single crystal

Номер патента: US4983249A. Автор: Tsunemasa Taguchi,Hirokuni Nanba. Владелец: Production Engineering Assoc. Дата публикации: 1991-01-08.

AlN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20230392290A1. Автор: Hirohisa Ogawa,Hiroharu KOBAYASHI,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Sapphire single crystal substrate consisting essentially of Ga2 O.sub.3

Номер патента: US4333989A. Автор: Jun-ichi Nishizawa,Kitsuhiro Kimura. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1982-06-08.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Manufacturing method of single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230381894A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects

Номер патента: EP2943974A1. Автор: Woo-Young Sim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2015-11-18.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon epitaxial wafer production method and silicon epitaxial wafer

Номер патента: US12119375B2. Автор: Masayuki Ishibashi,Midori Yoshida,Daisuke Maruoka. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

SiC EPITAXIAL WAFER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, LARGE PIT DEFECT DETECTION METHOD, AND DEFECT IDENTIFICATION METHOD

Номер патента: US20190187068A1. Автор: LING Guo,Koji Kamei. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-20.

Fabrication process for single-crystallization anti-evaporation X-ray tube anode target

Номер патента: GB2617028A. Автор: Zhu Huichong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor Layer Separation from Single Crystal Silicon Substrate by Infrared Irradiation of Porous Silicon Separation Layer

Номер патента: US20170372966A1. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Stephen Daniel Miller. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Single crystal pulling apparatus and droppage preventing device

Номер патента: US6077347A. Автор: Kazuhiro Mimura,Hiroshi Yoshinada,Naritoshi Ohtsukasa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20160155808A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Group iii nitride single crystal substrate

Номер патента: US20230407521A1. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: US20210098578A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-04-01.

Single crystal diamond and semiconductor element using same

Номер патента: EP3730677A1. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Shinya OHMAGARI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-10-28.

Single crystal multi-element positive electrode material, preparation method therefor, and lithium ion battery

Номер патента: US11955635B1. Автор: Shanshan Li,Yanbin Chen,Yafei Liu,Yiseng HU,Shunlin SONG. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Diamond substrate manufacturing method

Номер патента: US20240001490A1. Автор: Naoki Murazawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20190218685A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-07-18.

Single-crystal diamond material, single-crystal diamond chip, and perforated tool

Номер патента: US20170241042A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US11678580B2. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-06-13.

Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09777403B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hiroshi Tsuge,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

SiC single crystal, SiC wafer, and semiconductor device

Номер патента: US9166008B2. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

Sic single crystal, sic wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140027787A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Ternary single crystal positive electrode material, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20230299264A1. Автор: Changdong LI,Feilong Li,Dingshan Ruan,Shuai Han,Wenzhu Ma,Quele WANG,Qingcheng FANG. Владелец: Hunan Brunp Vehicles Recycling Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Positive electrode for lithium secondary battery, manufacturing method thereof, and lithium secondary battery

Номер патента: US09935313B2. Автор: Nobuhiro Inoue,Junpei Momo,Kuniharu Nomoto,Takuya Miwa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Sintered body from alpha-alumina for producing sapphire single crystal

Номер патента: RU2579596C2. Автор: Хиротака ОЗАКИ,Синдзи ФУДЗИВАРА. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method and equipment of single silicon crystal

Номер патента: US5087321A. Автор: Makoto Suzuki,Kenji Araki,Yoshinobu Shima,Hiroshi Kamio,Akira Kazama,Shigetake Horie. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1992-02-11.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

A phosphorus doped silicon single crystal

Номер патента: EP3414367A1. Автор: Theis Leth SVEIGAARD,Martin GRÆSVÆNGE,Christian Gammeltoft HINDRICHSEN,Sune Bo DUUN,Anders LEI. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-19.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nickel cobalt lithium manganese oxide high-nickel single-crystal positive electrode material and preparation method therefor

Номер патента: EP4439721A1. Автор: Wei Li,Jun Xie,Yang Shi,Yujun CHEN,Xiaoyan Zhou,Kaihua Xu,Shiguo XU,Dechong LIU,Ningjing LIAO. Владелец: GEM Wuxi Energy Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Si-Doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-Doped GaAs single crystal wafer produced from Si-Doped GaAs single crystal ingot

Номер патента: US20110059294A1. Автор: Yoshikazu Oshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Single-crystal diamond and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240229295A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing barium titanium oxide single-crystal piece using containerless processing

Номер патента: US7544245B2. Автор: Takehiko Ishikawa,Shinichi Yoda,Kentei Yono,Paul-Francois Paradis. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2009-06-09.

Heater In Hot-Zone of Single Crystal Pulling Apparatus and Single Crystal Pulling Apparatus

Номер патента: US20230349066A1. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for preparing high-nickel, high-zinc and high-water single-crystal diopside under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503141B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Process for producing amorphous material containing single crystal or polycrystal and material produced

Номер патента: US20010019014A1. Автор: Yoshinori Kubota,Natsuya Nishimura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Process and technical arrangement to produce in series single crystal penetrator rods of an alloy of 40wt% tungsten-40wt% titanium-20wt% osmium to replace depleted uranium which causes after use hazardous environmental problems

Номер патента: US20110189325A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus

Номер патента: US09834858B2. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Hiraku Ogino. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing zinc oxide single crystal

Номер патента: US09816198B2. Автор: Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Crucible for growing sapphire single crystal, and method for producing crucible for growing sapphire single crystal

Номер патента: US09803291B2. Автор: Makoto Watanabe,Masahiro Katoh. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Device for growing of protein single crystals

Номер патента: RU2040595C1. Автор: В.Н. Кузнецов,Г.А. Простова,О.В. Митичкин,В.Я. Другов. Владелец: Головное конструкторское бюро научно-производственного объединения &#34;Энергия&#34; им.акад.С.П.Королева. Дата публикации: 1995-07-25.

Nonlinearly optical crystal of strontium berillatoborate, method of growing of nonlinarly optical single crystals of strontium berillatoborate and nonlinearly optical device

Номер патента: RU2112089C1. Автор: Cn],Чен Чуангтиан,Ву Байчанг,Ванг Ебин,Зенг Венронг,Ю. Линхуа,Зоу Кун. Владелец: Фуджиан Инститьют оф Рисерч он те Стракчер оф Мэтер, Чайниз Акэдеми оф Сайенсиз. Дата публикации: 1998-05-27.

Method and apparatus for predicting crystal quality of single-crystal semiconductor

Номер патента: GB2279586A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer

Номер патента: US11932967B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Quartz glass crucible, manufacturing method thereof, and manufacturing method of silicon single crystal using quartz glass crucible

Номер патента: US20190145019A1. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,Takahiro Abe,Kouta HASEBE. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

High-resistance type gallium oxide quality prediction method and preparation method and system based on deep learning and edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: EP4050333A1. Автор: Qinglin SAI,Hongji QI,Duanyang Chen. Владелец: Hangzhou Fujia Gallium Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Single crystal production apparatus and single crystal production method

Номер патента: US20190177874A1. Автор: Shin Akutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-13.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: US12012668B2. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Single crystal growth crucible and single crystal production device

Номер патента: US20200407872A1. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141150A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

METHOD AND INGOT FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: JP2011084469A. Автор: 直樹 松本,Naoki Matsumoto,健作 元木,Kensaku Motoki,Takuji Okahisa,拓司 岡久. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Gradient single-crystal positive electrode material, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4273964A1. Автор: Di Cheng,Yanping Wang,Jing Huang,Xiaojing Li,Jinsuo Li,Danfeng CHEN,Yunjun XU,Gaofeng ZUO,Wanchao WEN,Zhengzhong YIN. Владелец: Henan Kelong New Energy Co ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Gradient Single-Crystal Positive Electrode Material, And Preparation Method Therefor and UseThereof

Номер патента: US20240117520A1. Автор: Di Cheng,Yanping Wang,Jing Huang,Xiaojing Li,Jinsuo Li,Danfeng CHEN,Yunjun XU,Gaofeng ZUO,Wanchao WEN,Zhengzhong YIN. Владелец: Henan Kelong New Energy Co ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

High transmittance single crystal YAP scintillators

Номер патента: US09958555B2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-05-01.

Optical medium based on crystal of halide rubidium-yttrium rby2cl7, containing monovalent bismuth impurity ions, capable of broadband photoluminescence in near ir-range, and its manufacturing method

Номер патента: RU2618276C1. Автор: Алексей Николаевич Романов,Владимир Николаевич Корчак,Елена Валерьевна Хаула,Дарья Николаевна Втюрина,Зухра Тимуровна Фаттахова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук (ИХФ РАН). Дата публикации: 2017-05-03.

Graphene composite film modified by single crystal sapphire whiskers as well as preparation method and application thereof

Номер патента: AU2018214101A1. Автор: Shishan Ji,Qing Ma,Jianjun Chen,Yan Liu,Renchen Liu,Ting Kuang. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-27.

Graphene composite film modified by single crystal sapphire whiskers as well as preparation method and application thereof

Номер патента: US20200052324A1. Автор: ZHEN Wang,SHANG Gao,Shishan Ji,Qing Ma,Yan Liu,Renchen Liu. Владелец: Haibin Institute Of Technology Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and apparatus for forming non-single-crystal layer

Номер патента: US4640845A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Method of manufacturing glass substrate, glass substrate manufactured by the method, and magnetic recording medium using the glass substrate

Номер патента: SG150455A1. Автор: Minazawa Hiroshi. Владелец: Fuji Elec Device Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-30.

Single crystal Cubic Boron Nitride and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101533654B1. Автор: 이경록,박병섭. Владелец: 일진다이아몬드(주). Дата публикации: 2015-07-06.

High-compaction single crystal ternary positive electrode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN109516509B. Автор: 罗钢,訚硕,管剑,罗标. Владелец: Zhongwei New Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

Composite coating agent for ultra-high nickel single crystal ternary positive electrode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112194196A. Автор: 毛秦钟,王鑫,吕玉辰,吴海军,邱永华,王寅峰,张中彩,吉同棕,钱志挺. Владелец: Zhejiang Meidu Haichuang Lithium Electricity Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

High heat, high strength Single crystal Cubic Boron Nitride and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101685000B1. Автор: 이윤형,이경록,박병섭,박기표. Владелец: 일진다이아몬드(주). Дата публикации: 2016-12-13.

GRAPHENE COMPOSITE FILM MODIFIED BY SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE WHISKERS AS WELL AS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: US20200052324A1. Автор: Ma Qing,Liu Yan,Wang Zhen,GAO Shang,JI Shishan,LIU Renchen. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR960019528A. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR0174594B1. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트주식회사. Дата публикации: 1999-04-01.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US12092593B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder and applicator therefor

Номер патента: US11874238B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Single-crystal x-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US20240027373A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Single-crystal x-ray structure analysis apparatus and method, and sample holder unit therefor

Номер патента: US11802844B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Shank and diamond scriber assembled therewith

Номер патента: US20090183617A1. Автор: Norihiko Ito,Kenzo Inoue. Владелец: Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Methods for growing carbon nanotubes on single crystal substrates

Номер патента: WO2007047949A3. Автор: Zhifeng Ren,Dezhi Wang,Guangyong Xiong,Baoqing Zeng. Владелец: Baoqing Zeng. Дата публикации: 2009-04-30.

Deposition mask and manufacturing method of organic electronic device

Номер патента: US20220364217A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Takahiro Yajima,Yutaka Setomoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Microstructure substrates, manufacturing methods, and display devices

Номер патента: US20190086586A1. Автор: Yong Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Single crystal shape memory alloy devices and methods

Номер патента: WO2005108635A3. Автор: . Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2007-01-18.

A method of welding single crystals

Номер патента: CA2423146C. Автор: Jürgen Betz. Владелец: Sulzer Markets and Technology AG. Дата публикации: 2006-05-30.

Method and apparatus of evaluating quality of wafer or single crystal ingot

Номер патента: US12118706B2. Автор: Hyun Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for recovering and purifying argon gas from silicon single crystal manufacturing apparatus and apparatus for recovering and purifying argon gas

Номер патента: US09890044B2. Автор: Hideaki Matsushima,Wataru Yajima,Ichiro Onozawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Nanocrystal film-coated substrate, manufacturing method of same, and manufacturing method of barium zirconate titanate nanocrystal

Номер патента: US10438744B2. Автор: Kazumi Kato,Ken-ichi MIMURA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-08.

Manufacturing method for cell-unit glass substrates

Номер патента: US20240140857A1. Автор: Sung Soo Park,Jeong Won Oh. Владелец: JOONGWOO M-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Polyimide substrate, manufacturing method thereof, and display substrate having same

Номер патента: US11926704B2. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US20230117560A1. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use

Номер патента: RU2661137C2. Автор: Адам ЛЕВЕРА,Рафаль ЮРЧАКОВСКИ,Юстина ПИВОВАР,Барбара ГРАЛЕЦ. Владелец: Университет Варшавски. Дата публикации: 2018-07-11.

Glove formation composition by dipping method, gloves manufacturing method and gloves

Номер патента: RU2699273C1. Автор: Норихидэ ЭНОМОТО,Тайчи ОГАВА. Владелец: Мидори Анзэн Со., Лтд.. Дата публикации: 2019-09-04.

Cocoa butter equivalents manufactured by fermentative intromolecular interesterification method and cocoa butter equivalents manufacture method

Номер патента: RU2480993C2. Автор: Цзи-Хюнь КАН,Сан-Бум ЛИ,Сан-Хун СУН,Ки-Тик ЛИ. Владелец: СиДжей ЧХЕИЛДЖЕДАН КОРП.. Дата публикации: 2013-05-10.

Encapsulated additive, an encapsulated additive manufacturing method and an operating fluid characterized by variable viscosity

Номер патента: RU2723068C2. Автор: Масатоси ХОММА,Казуюки НОДА,Хирокацу СИНАНО,Дайсукэ САВАМОТО,Кэнсаку АКИМОТО. Владелец: Адэка Корпорейшн. Дата публикации: 2020-06-08.

Laminate, film forming method, and film forming apparatus

Номер патента: US12074078B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Antenna module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339747A1. Автор: Makoto Kawai,Shoji Akiyama,Minoru Kawahara,Tetsuya Suemitsu,Yuji Tobisaka,Issei WATANABE,Hirokazu FUKIDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-10.

Antenna module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4456331A1. Автор: Makoto Kawai,Shoji Akiyama,Minoru Kawahara,Tetsuya Suemitsu,Yuji Tobisaka,Issei WATANABE,Hirokazu FUKIDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-30.

Laminate, film forming method, and film forming apparatus

Номер патента: US20240363468A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of briquettes with direct usage of coal with wide particle distribution by dimensions, method and facility with usage of this method

Номер патента: RU2353660C2. Автор: Чанг-О КАНГ,Гьюн Донг ПАРК,Ху Гьюн ЛИ,Джин Чан БАЕ,Хо Сик АН,Нам Хван ХЕО,Чанг Ил СОН,Джин Хо РЬЮ. Владелец: Поско. Дата публикации: 2009-04-27.

Small-sized nuclear cells with alkali metals atoms vapors manufacturing method

Номер патента: RU2677154C1. Автор: Владимир Леонидович Величанский,Алексей Борисович Егоров,Рафаил Ионович Фишман,Дмитрий Сергеевич Чучелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Атомикс&#34;. Дата публикации: 2019-01-15.

Alunite-type compound particles, manufacturing method and application

Номер патента: RU2392224C2. Автор: Син Дун ВАН,Акира ОКАДА,Такатоси САТО. Владелец: Киова Кемикал Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-06-20.

Method and plant for manufacturing of hot-rolled strip with duplex structure

Номер патента: RU2346061C2. Автор: Кристиан БИЛЬГЕН,Вольфганг ХЕННИГ,Карл-Эрнст ХЕНСГЕР,Тилльманн БЕХЕР. Владелец: Асериа Компакта Де Бискайа С.А.. Дата публикации: 2009-02-10.

Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element

Номер патента: US09875904B2. Автор: Yoshiko Fujioto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Pvd-layer manufacturing method and coated cutting tool

Номер патента: RU2730312C2. Автор: Ларс ЙОНСОН,Марта САРАЙВА. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-08-21.

Imidazole compound, a metal surface treatment liquid, a metal surface processing method and a laminate manufacturing method

Номер патента: RU2692774C2. Автор: Такафуми ИМОТО,Тацуро ИСИКАВА,Кунихиро НОДА,Ясухиде ОХУТИ,Хироки ТИСАКА,Дай СИОТА,Юкицугу МАЕДА,Коухей ФУДЗИТА,Ясуюки АКАИ. Владелец: Дайсел Корпорэйшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Crystal form of pyridone derivative, and preparation method and use thereof

Номер патента: AU2019444375A1. Автор: Li Chen,Qing Shao,Libin GAN. Владелец: Jiangxi Caishi Pharmaceutical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Dimming substrate, manufacturing method thereof, dimming structure and dimming module

Номер патента: US11828965B2. Автор: Peng Liang,JING Yu,Chunlei Wang,Juan Chen,Changyin Wang. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Dimming substrate, manufacturing method thereof, dimming structure and dimming module

Номер патента: US20220229217A1. Автор: Peng Liang,JING Yu,Chunlei Wang,Juan Chen,Changyin Wang. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Cured product production method, laminate production method, semiconductor device manufacturing method, and processing liquid

Номер патента: EP4398289A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Pattern of a flim layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof

Номер патента: US20190062925A1. Автор: Jihoon Lee,Soondong LEE,Xiaodi Huo,Guote Wu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Epoxy resin laminate reinforced by means of carbon-basalt hybrid fibers and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240343869A1. Автор: Weifu SUN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2024-10-17.

Selective sonication-assisted deposition method of inorganic particles and CHA zeolite membranes grown from seeded layers on substrates using the method and plate-like Si-CHA zeolite particles used for seed layer formation and manufacturing method of the same

Номер патента: US09981852B2. Автор: Jungkyu Choi,Eunjoo Kim,Wanxi CAI. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of sintered powder part manufacturing from the magnesium fluoride, neutrons moderator manufacturing method and the neutrons moderator

Номер патента: RU2655356C2. Автор: Хидака ФУРУЯ,Масару НАКАМУРА,Кацуто САНАДА,Ёсинори СУГАВАРА,Хидэаки УСУИ,Синити ТАКЭИ. Владелец: Синтер Лэнд Инкорпорейшн, Лтд.. Дата публикации: 2018-05-25.

Electric sheet steel with aligned grain structure and its manufacturing method

Номер патента: RU2605725C2. Автор: Сатоси АРАИ,Хидеюки ХАМАМУРА,Кодзи ХИРАНО,Хирофуми ИМАИ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2016-12-27.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Dispersion production method and ceramic sintered body production method

Номер патента: EP4112259A1. Автор: Hideki Yamamoto,Kouhei Suzuki,Mikio Ishihara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230370043A1. Автор: Masayuki Tanno,Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Single crystal substrate manufacturing method and internal modified layer forming single crystal member

Номер патента: JP6004338B2. Автор: 秀樹 鈴木,国司　洋介,鈴木　秀樹,利香 松尾,順一 池野,洋介 国司. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2016-10-05.

Single crystal substrate manufacturing method and internal modified layer forming single crystal member

Номер патента: JPWO2012108052A1. Автор: 秀樹 鈴木,国司　洋介,鈴木　秀樹,利香 松尾,順一 池野,洋介 国司. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2014-07-03.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Microstructures and single-mask, single-crystal process for fabrication thereof

Номер патента: CA2154357C. Автор: Noel C. MacDonald,Kevin A. Shaw,Z. Lisa Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Manufacturing method for epitaxial substrate, epitaxial substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240145628A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20160248395A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Single-crystal piezoelectric fiber composite and magnetoelectric laminate composite including the same

Номер патента: US09735341B2. Автор: Dong-Soo Park,Jungho Ryu,Woon-Ha Yoon. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Surface acoustic wave resonator, its manufacturing method, and radio circuit

Номер патента: US11569794B2. Автор: Hiroaki Yokota,Kazuhito KISHIDA,Shoji KAKIO,Kengo Ogawa. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Surface acoustic wave resonator, its manufacturing method, and radio circuit

Номер патента: US20220069796A1. Автор: Hiroaki Yokota,Kazuhito KISHIDA,Shoji KAKIO,Kengo Ogawa. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and media for improving ferroelectric domain stability in an information storage device

Номер патента: WO2009011960A1. Автор: Qing Ma,Li-Peng Wang,Byong Man Kim,Valluri Ramana Rao. Владелец: Nanochip, Inc.. Дата публикации: 2009-01-22.

Single crystal u-mos gates using microwave crystal regrowth

Номер патента: US20130023096A1. Автор: Robert J. Purtell,Steve Sapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060124971A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20040164298A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Method and device for heat-treating single-crystal silicon wafer, single-crystal silicon wafer, and process for producing single-crystal silicon wafer

Номер патента: EP0889510A4. Автор: Masakazu Sano,Naoshi Adachi,Takehiro Hisatomi. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2006-01-11.

Microphone device with single crystal piezoelectric film and method of forming the same

Номер патента: US11785852B2. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Joan Josep GINER DE HARO. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Single crystal metal oxide plasma chamber component

Номер патента: US20220392753A1. Автор: LEI Liu,LIN Xu,John Daugherty,Satish Srinivasan,Eric A. Pape,David Joseph WETZEL,Robin Koshy,Pankaj HAZARIKA,John Michael Kerns,Douglas DETERT,Nash W. ANDERSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Single crystal metal oxide plasma chamber component

Номер патента: WO2021091695A1. Автор: LEI Liu,LIN Xu,John Daugherty,Satish Srinivasan,Eric A. Pape,David Joseph WETZEL,Robin Koshy,Pankaj HAZARIKA,John Michael Kerns,Douglas DETERT,Nash W. ANDERSON. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-14.

Large current-readout ferroelectric single-crystal thin film memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: US10403348B2. Автор: Anquan Jiang,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-03.

Large current-readout ferroelectric single-crystal thin film memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: USRE49620E1. Автор: Anquan Jiang,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-22.

Thin film transistor substrate manufacturing method, thin film transistor substrate manufactured by the method, and display device

Номер патента: JPWO2012124281A1. Автор: 明博 織田,広志 松木薗. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Metallized ceramic substrate manufacturing method, metallized ceramic substrate manufactured by the method, and package

Номер патента: JP4699225B2. Автор: 修 谷田部,泰幸 山本,昌克 前田. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE MANUFACTURED USING THE METHOD

Номер патента: US20190267315A1. Автор: Yoon Dong Jin,KANG Sung Il,BAE In Seob. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacturing semiconductor package substrate and semiconductor package substrate manufactured using the method, and method of manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured using the method

Номер патента: US10910299B2. Автор: Sung Il Kang,In Seob BAE,Dong Jin Yoon. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

A kind of manufacturing method and application of thin film single crystal piezoelectric material composite substrate

Номер патента: CN110085736A. Автор: 林志东,谢祥政,林彩文,王信棋. Владелец: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three. Дата публикации: 2019-08-02.

Solar cell module having high-performance single-crystal silicon thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101424716B1. Автор: 이석호,송승헌,임철현,백수웅,한창준. Владелец: 재단법인 녹색에너지연구원. Дата публикации: 2014-08-04.

Integrated circuit device with single crystal silicon on silicide and manufacturing method

Номер патента: US8093661B2. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Single crystal X-ray structure analysis device and method, and sample holder used for the same

Номер патента: CN113056669A. Автор: 佐藤孝. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Gallium doped single crystal silicon solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101399297A. Автор: 李剑. Владелец: Wuxi Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

SINGLE CRYSTAL MIXED METAL OXIDE NANOSHEET MATERIAL COMPOSITIONS, METHODS AND APPLICATIONS

Номер патента: US20140093778A1. Автор: Robinson Richard D.,Askit Mahmut. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-03.

Manufacturing method of optical semiconductor device, thermoelectric conversion element, semiconductor crystal substrate, and manufacturing method of infrared detection device

Номер патента: JP6794840B2. Автор: 奥村　滋一,滋一 奥村,秀一 苫米地. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Method and apparatus for forming non-single crystal semiconductor thin film

Номер патента: JP3683999B2. Автор: 正太郎 岡部,明 酒井,勇蔵 幸田,直 芳里,孝博 矢島. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-08-17.

Method of manufacturing substrate for stretchable device, the substrate manufactured by the method, and electronic device having the stretchable substrate

Номер патента: KR101715501B1. Автор: 이내응,이한별,배찬울. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-03-13.

METHOD OF TEXTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE METHOD, AND SOLAR CELL INCLUDING THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200343404A1. Автор: KIM Won Mok,Lee Doh Kwon,JEONG Jeung Hyun,PARK Jong Keuk,KIM In Ho,Lee Taek Sung,JEONG Doo Seok,LEE Hyeon Seung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for texturing of semiconductor substrate, semiconductor substrate manufactured by the method and solar cell comprising the same

Номер патента: KR20160146126A. Автор: 김인호,최준희,이경석,김원목,이택성,송종한,이욱성,김준곤,정두석. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2016-12-21.

Method for texturing of semiconductor substrate, semiconductor substrate manufactured by the method and device comprising the same

Номер патента: KR101773951B1. Автор: 김주영,김인호,최경진,이경석,김원목,이택성,이도권,이욱성,정두석,천시은. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing electron beam device, method for manufacturing image forming apparatus, electron beam device and image forming apparatus manufactured those manufacturing methods, method and apparatus for manufacturing electron source, and apparatus for manufacturing image forming apparatus

Номер патента: US6802753B1. Автор: Keisuke Yamamoto,Tamaki Kobayashi,Akira Hayama,Yoichi Ando,Satoshi Mogi,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Package for compressed flexible products and its manufacturing method (METHOD AND PACKAGE FOR COMPRESSED FLEXIBLE ARTICLES)

Номер патента: KR960701782A. Автор: 리차드 바우어 라이너,칼 페르디난트 하우박스 클라우스. Владелец: 제이코버스 코넬리스 레이서. Дата публикации: 1996-03-28.

Additive manufacturing method, method and equipment for preparing gradient thin film material

Номер патента: CN107433330B. Автор: 李达,王松,杨先锋. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2020-01-17.

Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby

Номер патента: US20020192470A1. Автор: Hitoshi Hashimoto,Toshihiko Abe,Shu-Ichi Takeda. Владелец: Applied Diamond Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Composite substrate and manufacturing method therefor, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240234514A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Номер патента: US09768057B2. Автор: Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Francois Boedt,Nadia Ben Mohamed,Carole David,Isabelle Guerin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Photovoltaic device and manufacturing method of photovoltaic device

Номер патента: US20060219292A1. Автор: Toshiaki Baba,Akira Terakawa,Toshio Asaumi,Yasufumi Tsunomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20240241064A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko,Yoshinobu Nakura,Kazunobu Asakawa. Владелец: YGK Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Calibration sample, electron beam adjustment method and electron beam apparatus using same

Номер патента: US20210131801A1. Автор: Yoshinori Nakayama,Yasunari Sohda,Yusuke Abe,Hiroya Ohta,Kaori BIZEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Color filter substrate manufacturing method, display device manufacturing method, color filter substrate, and display device

Номер патента: US20140091343A1. Автор: Takayuki Nakano,Hirokazu Yoshioka,Yutaka Miyajima,Keita Katayose. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

SOI substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US6875643B2. Автор: Masanori Akatsuka,Naoshi Adachi. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09793411B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220005841A1. Автор: Jinyang ZHAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Patterned substrate manufacturing method, and electric-optical device manufacturing method

Номер патента: US20100124620A1. Автор: Naoyuki Toyoda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Display substrate, manufacturing method and driving method thereof, and display device

Номер патента: US09859339B2. Автор: Hongda Sun,Meili Wang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Laser radiation modulation method and device for its implementation

Номер патента: RU2699947C1. Автор: Наталья Федоровна Науменко,Анатолий Алексеевич Павлюк,Владимир Яковлевич Молчанов,Константин Борисович Юшков,Никита Геннадьевич Захаров,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский технологический университет &#34;МИСиС&#34;. Дата публикации: 2019-09-11.

Crystallization apparatus, crystallization method, and phase shifter

Номер патента: US7505204B2. Автор: Yukio Taniguchi,Yoshinobu Kimura,Mikihiko Nishitani,Hirotaka Yamaguchi,Susumu Tsujikawa,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Optical waveguide substrate manufacturing method

Номер патента: US20090230086A1. Автор: Takashi Yoshino. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Display substrate, manufacturing method and display device

Номер патента: US20240237367A1. Автор: Changhan HSIEH. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Crystallization apparatus, crystallization method, and phase shifter

Номер патента: US20060065185A1. Автор: Yukio Taniguchi,Yoshinobu Kimura,Mikihiko Nishitani,Hirotaka Yamaguchi,Susumu Tsujikawa,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Crystallization apparatus, crystallization method, and phase shifter

Номер патента: US20080019002A1. Автор: Yukio Taniguchi,Yoshinobu Kimura,Mikihiko Nishitani,Hirotaka Yamaguchi,Susumu Tsujikawa,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240315100A1. Автор: Hongjun Zhou,Cong Liu,Lili Du. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Positive electrode material and preparation method and use therefor, lithium-ion battery positive electrode pole piece, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4145566A1. Автор: Xuequan Zhang,Wenhui Li,Yanbin Chen,Yafei Liu. Владелец: BEIJING EASPRING MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2017063568A1. Автор: Weilin LAI,Yucheng CHAN,Jianbang Huang. Владелец: ORDOS YUANSHENG OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-20.

Touch display substrate, manufacturing method, and display device

Номер патента: US20240256075A1. Автор: Wei Wang,Yi Zhang,Shun Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Flexible substrate, manufacturing method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US20210143234A1. Автор: Chao Kong,Zhaowei YU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Liquid ejection head and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090207212A1. Автор: Yoshinao Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Display substrate, manufacturing method, and display device

Номер патента: EP4050661A1. Автор: Xin Zhang,LU Bai,Pengfei Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Manufacturing method of optical device, optical device, manufacturing method of faraday rotator, and optical communication system

Номер патента: US20030174397A1. Автор: Tamotsu Sugawara,Atsushi Ohido. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20220343859A1. Автор: Xin Zhang,LU Bai,Pengfei Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11763752B2. Автор: Xin Zhang,LU Bai,Pengfei Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Process for forming contact area between polycrystalline silicon and single-crystal silicon and semiconductor structures including such contact area

Номер патента: GB1470264A. Автор: . Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-04-14.

Method and apparatus for measuring bowing of single-crystal substrate

Номер патента: US20140379282A1. Автор: Katsuhiko Inaba,Shintaro Kobayashi,Toru Mitsunaga. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Methods for fabrication of localized membranes on single crystal substrate surfaces

Номер патента: WO2005067412A3. Автор: Tomoyuki Izuhara,Richard M Osgood Jr. Владелец: Richard M Osgood Jr. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods for fabrication of localized membranes on single crystal substrate surfaces

Номер патента: WO2005067412A2. Автор: Tomoyuki Izuhara,Richard M. Osgood, Jr.. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170301541A1. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-19.

Liquid crystal device and manufacturing method

Номер патента: EP1360549A2. Автор: John Fijol. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-11-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09899216B2. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate

Номер патента: EP4270450A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko,Yoshinobu Nakura,Kazunobu Asakawa. Владелец: YGK Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Methods and systems for fabrication of infrared transparent window wafer with integrated anti-reflection grating structures

Номер патента: WO2024123832A1. Автор: Thomas Schimert. Владелец: DRS Network & Imaging Systems, LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species

Номер патента: EP2002463A2. Автор: Francois J. Henley,Philip James Ong,James Andrew Sullivan,Sien Giok Kang,Harry Robert Kirk,David Jacy. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2008-12-17.

Three-dimensional structural body composed of silicon fine wire, its manufacturing method, and device using same

Номер патента: EP1510806A4. Автор: Hideki Kawakatsu,Dai Kobayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-03-19.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Manufacturing method of substrate

Номер патента: US20240009773A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Electrophotographic image forming method and apparatus

Номер патента: US20020150831A1. Автор: Tatsuyuki Aoike,Masaharu Miura,Junichiro Hashizume,Toshiyuki Ehara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Radiation detection element, radiation detection apparatus, x-ray ct apparatus, and manufacturing method of radiation detection element

Номер патента: US20240304744A1. Автор: Takanori Yamashita,Tatsuya Ryoki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Single crystal film bulk acoustic wave resonator, and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240305268A1. Автор: Guoqiang Li. Владелец: Heyuan Aifo Light Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136907B2. Автор: Masayuki Tanno,Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including an epitaxial layer on a lattice-mismatched single crystal substrate

Номер патента: CA1272527A. Автор: Sergey Luryi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Method of manufacturing single-crystal film

Номер патента: CA1203148A. Автор: Masao Tamura,Masanobu Miyao,Hideo Sunami,Takashi Tokuyama,Makoto Ohkura,Nobuyoshi Natsuaki,Naotsugu Yoshihiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-04-15.

Silicon carbide single-crystal substrate

Номер патента: US20150162409A1. Автор: Keiji Ishibashi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20180033802A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20170243889A1. Автор: Xiaopeng CUI,Ruirui Wang,Linlin Wang,Huabin Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Back-channel-etched tft substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157431A1. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate

Номер патента: US6163099A. Автор: Michio Kadota,Makoto Kumatoriya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Piezoelectric transducer, ultrasonic probe, and piezoelectric transducer manufacturing method

Номер патента: US09972766B2. Автор: Yohachi Yamashita,Noriko Yamamoto,Kazuhiro Itsumi,Yasuharu Hosono. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Electronic device, liquid ejecting head, and manufacturing method of liquid ejecting head

Номер патента: US20200307208A1. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Photovoltaic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110104849A1. Автор: Akira Terakawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240184159A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Flexible display substrate, manufacturing method thereof, and flexible display device

Номер патента: US20200212324A1. Автор: Yuanzheng GUO,Pinfan WANG,Ming Che HSIEH. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Array substrate manufacturing method

Номер патента: US09825069B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of wafer

Номер патента: US20230398640A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20200273933A1. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Yongqian Li,Cuili Gai,Yicheng Lin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Domain controlled piezoelectric single crystal and fabrication method therefor

Номер патента: SG115497A1. Автор: Ogawa Toshio,Matsushita Mitsuyoshi,Tachi Yoshihito. Владелец: Kawatetsu Mining. Дата публикации: 2005-10-28.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20190086591A1. Автор: Chao Liu,Min Li,Huaqing Liu,Xiongzhou WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Single Crystal Silicon Membrane with a Suspension Layer, Method for Fabricating the Same, and a Micro-Heater

Номер патента: US20130062738A1. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Ceramic substrate manufacturing method

Номер патента: US12108540B2. Автор: Ji Hyung Lee,Kyung Whan Woo. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Array substrate, manufacturing method therefor and display panel

Номер патента: US12057452B2. Автор: Yong Zhang,En-Tsung Cho,Fengyun Yang,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

OLED substrate, manufacturing method thereof, OLED display panel and electronic equipment

Номер патента: US09966423B2. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09761615B2. Автор: Xiaohui Jiang,Changjiang Yan,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

OLED array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09728749B2. Автор: Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Device for producing large-sized castings with directional and single-crystal structure

Номер патента: RU2754215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Елена Михайловна Висик,Максим Георгиевич Мин,Евгений Викторович Колядов,Владимир Сергеевич Тартанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов&#34; (ФГУП &#34;ВИАМ&#34;). Дата публикации: 2021-08-30.

Single crystal thin film

Номер патента: US4876144A. Автор: Kazumasa Takagi,Toshio Kobayashi,Takanobu Takayama,Kenzo Susa,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-10-24.

Method of forming a single-crystal nanowire finFET

Номер патента: US9871102B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Pad conditioner with pyramids of single-crystal diamond

Номер патента: US20240198481A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Array substrate, manufacturing method thereof, and short circuit repair method

Номер патента: US20230369138A1. Автор: Peijian Yan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Single crystal silicon membrane with a suspension layer, method for fabricating the same, and a micro-heater

Номер патента: US8895448B2. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2014-11-25.

Array substrate manufactured by reduced times of patterning processes manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US09991295B2. Автор: Chunping Long,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Structured food product with low content of saturated and unsaturated trans-isomeric fats, product manufacture method and method for preparation of fat phase for product

Номер патента: RU2463798C2. Автор: Бернар КЛЕНЕВЕРК. Владелец: Фуджи Ойл Юроп. Дата публикации: 2012-10-20.

Paper pallet of deep extract, method and device (versions) for manufacture of such pallet and product packaging with such pallet

Номер патента: RU2631038C2. Автор: Яри РЯСЯНЕН,Оути КЮЛЛИЯЙНЕН,Ниило ПЕЙХЕНЕН,Мари ХИЛЬТУНЕН. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2017-09-15.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Turbine blades and manufacture methods

Номер патента: EP3047103A1. Автор: Alan D. Cetel,John J. Marcin Jr.,Dilip M. Shah,Steven J. Bullied. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-07-27.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210202624A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Turbine Blades and Manufacture Methods

Номер патента: US20160222801A1. Автор: Alan D. Cetel,Dilip M. Shah,Steven J. Bullied,John J. Marcin. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Array substrate, manufacturing method for the same and display panel

Номер патента: US20190019817A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020001927A1. Автор: Yasuaki Kawai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Optical waveguide composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: NL2030672B1. Автор: Liu Di,ZHANG Baoying. Владелец: Xian Gaoqiang Insulation Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-04.

Laminated sheet and fixed laminated sheet and their manufacture method and method of use

Номер патента: RU2684368C2. Автор: Йосиаки Нецу. Владелец: Дай Ниппон Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-08.

Single-crystal turbine blade, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2498082C2. Автор: Рено МАРТЕ,Стефани Доминик РОЖЕ,Патрик Жозеф Мари ЖИРАР,Жан-Клод Марсель Огюст АННИ,Ольвье Шарль Анри МАССИ,Филипп Жан-Пьер ПАБЬОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Corrugated web manufacturing method and device

Номер патента: RU2711280C2. Автор: Стефано ЦАППОЛИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт физических измерений&#34;. Дата публикации: 2022-04-14.

Bakery products manufacture method and vacuum bakery oven for method implementation

Номер патента: RU2530144C2. Автор: Адольф ЦЕРМАК. Владелец: Адольф ЦЕРМАК. Дата публикации: 2014-10-10.

Led lamp manufacturing method

Номер патента: RU2434314C1. Автор: Игорь Валерьевич Ворошилов,Александр Павлович Богданов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Тегас&#34;. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of Fixing Polarization-Reversed Region Formed in Ferroelectric Single Crystal and Optical Element Using the Same

Номер патента: US20090231703A1. Автор: Kenji Kitamura,Xiaoyan Liu,Kazuya Terabe,Shunji Takekawa,Shunichi Hishita. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-17.

Substrate manufacturing apparatus, substrate manufacturing method, ball-mounted substrate, and electronic component-mounted substrate

Номер патента: US20100200284A1. Автор: Kazuhiko Seki,Makoto Shimizu,Hideo Matsubayashi. Владелец: Hioki Denki KK. Дата публикации: 2010-08-12.

Wire electric discharge machining method, semiconductor wafer manufacturing method, and solar battery cell manufacturing method

Номер патента: US20090212026A1. Автор: Takeshi Sakata,Yoichiro Nishimoto,Shigeru Matsuno,Takaaki Iwata,Teiji Takahashi,Yoshihito Imai,Tomoko Sendai,Tatsushi Sato,Takeyuki Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Method and pressure jetting machine for processing a semiconductor wafer

Номер патента: WO2000059026A1. Автор: Yun-Biao Xin,Henry F. Erk,Ichiro Yoshimura,Ralph V. Vogelgesang,Stephen W. Hensiek. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2000-10-05.

Manufacturing method of micro-led display device

Номер патента: US20210407975A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234135A1. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Manufacturing method and device for producing seamless metal pipe

Номер патента: RU2593812C1. Автор: Акихито ЯМАНЕ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Counterfeit-proof paper, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: RU2315832C2. Автор: Тео Бурхард,Михаэль БЁМ,Хорст РАЙГЛЬ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2008-01-27.

Steel pipe deformability estimation method and steel pipe manufacturing method

Номер патента: RU2726168C1. Автор: Сатоси ИГИ,Хисакадзу ТАДЗИКА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-07-09.

Compressor manufacturing method and compressor

Номер патента: RU2403449C2. Автор: Мие АРАИ,Хироюки ЯМАДЗИ,Мицухико КИСИКАВА,Сатоси ЯМАМОТО,Микио КАДЗИВАРА,Такаси ХИРОУТИ. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-11-10.

Method and device for control over manufacturing mode of pipe manufactured by electric welding by resistance method, and manufacturing method of such pipe

Номер патента: RU2682511C1. Автор: Такатоси ОКАБЕ,Тосифуми КОДАМА,Суити САТО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-03-19.

Armored helmet from polymer composites manufacturing method and armored helmet from polymer composites

Номер патента: RU2661593C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Илья Сергеевич Гавриков,Елена Дмитриевна Кормакова,Любовь Валентиновна Зайцева,Алексей Сергеевич Крайнов. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Центр высокопрочных материалов &#34;Армированные композиты&#34; (ЗАО ЦВМ &#34;Армированные композиты&#34;). Дата публикации: 2018-07-17.

Printing material with protection against forgery with thermally transferred pattern, special foil for thermal transfer and manufacturing method of such material

Номер патента: RU2539342C1. Автор: Фэй ЧЭНЬ,Минфа ЧЭНЬ. Владелец: Ханьнань Ппк Нетворк Текнолоджи Ко. Лтд. Дата публикации: 2015-01-20.

Coupling mechanism for fluid medium pipelines, its manufacturing method, and fuel cell system including coupling mechanism for fluid medium pipelines

Номер патента: RU2404391C1. Автор: Тору НАКАКУБО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-11-20.

Multilayered part manufacturing method and device

Номер патента: RU2675522C1. Автор: Гюнтер ВОЛЬФСБЕРГЕР. Владелец: Магна Штайр Фарцойгтехник Аг Унд Ко Кг. Дата публикации: 2018-12-19.

Blade, vane manufacturing method and turbojet engine containing such blade

Номер патента: RU2730201C2. Автор: Фредерик Жан-Бернар ПУЗАДУ,Доминик РОЛЭН,Жилль Пьер-Мари НОТАРЬЯННИ,Жереми ГИВАРШ,Тибо РЮФ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2020-08-19.

Method and device for colour modulation

Номер патента: GB1270812A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-04-19.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20210043658A1. Автор: Zhenli Song. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240206267A1. Автор: QI Liu,Bo Zhang,FAN He,Mengmeng Du,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Tft-lcd array substrate, manufacturing method of the same and tft-lcd

Номер патента: US20120099043A1. Автор: Yang Sun,Jing LV,Yinglong Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Process recipe, method and system for generating same, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20230221702A1. Автор: Shaowen QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US12032258B2. Автор: Wei He,Zhiwei Song,Xiaofang TAN,Jiwang Yuan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20220293709A1. Автор: Chao Wang,Jun Cheng,Liangchen YAN,Tongshang Su,Qinghe Wang,Yongchao HUANG,Zhiwen LUO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2020042521A1. Автор: Guoqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240234428A9. Автор: Lanlan Li,Zhixiong JIANG,MingJiue YU. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20180210292A1. Автор: Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Sensing Substrate, Manufacturing Method therefor and Electronic Apparatus

Номер патента: US20240044730A1. Автор: Yue Li,Yi Zhou,Yifan Wu,Yuelei Xiao,Feng Qu,Xue CAO,Lin GONG,Xuechao Song,Wenbo CHANG,Baijun Zhou,Kidong HAN. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20180083050A1. Автор: Cuili Gai,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display

Номер патента: US20210389636A1. Автор: Yongzhi SONG,Honghui Wang,Xiangqian Ding,Mingxuan Liu,Zumou Wu,Hongming QU,Xiangmeng ZHANG,Honggang LIANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Color filter substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20160004113A1. Автор: Lei Guo,Yong Jun Yoon,Zhizhong TU,Dasheng Hui. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20240172480A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Dacheng Zhang,Chao JIAO,Maoning ZHANG. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Substrate manufacturing method for realizing three-dimensional packaging

Номер патента: US20220189789A1. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Substrate manufacturing method for realizing three-dimensional packaging

Номер патента: US11961743B2. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof and touch display panel

Номер патента: US20170235396A1. Автор: Qiang Gong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20210167332A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US11378846B2. Автор: TING Li,Bo Shi,Yuanjie Xu,Wenhua Song. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Corner rounding method of opc pattern based on deep learning, and opc method and mask manufacturing method including the corner rounding method

Номер патента: US20230280646A1. Автор: Kyungsoo Kim,Hyeok Lee,Jaewon Yang,Sangchul Yeo,Sooryong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Organic light emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20190013336A1. Автор: Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate

Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Optical film, color filter substrate, manufacturing methods thereof, and display devices

Номер патента: US20200285100A1. Автор: Qing Zhang,Jun Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Array substrate, manufacturing method thereof and touch display device

Номер патента: US20180203541A1. Автор: Wei Wang,Chong Liu,Haisheng ZHAO,Xiongtian HUANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US10886495B2. Автор: NA Li,Xing Fan,Xiaobo Du,Haidong WU,Yansong Li,Guanyin WEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Display substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12058880B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20230306903A1. Автор: Hongwei Ma,Bo Zhang,Rong Wang,Xiaoqing SHU,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Hole connecting layer manufacturing method, circuit board manufacturing method and circuit board

Номер патента: US20200315031A1. Автор: Bei Chen,Sen Wu,Zeyang LIAN,Yanguo Li. Владелец: Yixing Silicon Valley Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Display substrate, manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US20240272493A1. Автор: Yuan Tong,Wei Wu,HAO Zhang,XIANG Liu,QI Chen,Bo Huang,Yujie Gao,Jinli LI,Yiyi Zhang,Yichen Zhou,Dang ZHANG,Junfeng Dai,Taohe ZHU. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20110155791A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20220392926A1. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170186651A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Single-crystal ternary positive electrode material, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: EP4421919A1. Автор: Changdong LI,Yong Cai,Dingshan Ruan,Weijian Liu,Qinglin Zhu. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12075667B2. Автор: Yao Huang,Yuanjie Xu,Yue Long,Benlian WANG,Lili Du. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Display baseplate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12041828B2. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Display Apparatus

Номер патента: US20240297173A1. Автор: Shuo Li,Hui Lu,Yipeng CHEN,Ling Shi,Fei Fang,Xuewei Tian,Shuai XIE. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Ray detection substrate, manufacturing method thereof and ray detection device

Номер патента: US20180254301A1. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Ray detection substrate, manufacturing method thereof and ray detection device

Номер патента: US10553638B2. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Display Device

Номер патента: US20240276818A1. Автор: Yu Wang,Ning Liu,Bin Zhou,Liangchen YAN,Can Yuan,Dacheng Zhang,Xinxin Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate, manufacturing method thereof, and applied display panel thereof

Номер патента: US20190011753A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20210327966A1. Автор: MING Yang,Han Yue,MINGHUA XUAN,CAN Wang,Xiaochuan Chen,Ning Cong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Display substrate, manufacturing method thereof and flexible display device

Номер патента: US20150303388A1. Автор: KAZUYOSHI Nagayama,Yunfei Li,Ling Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US11937464B2. Автор: Ying Zheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20190189640A1. Автор: Wei Wang,Peng Huang,Yanxin Wang,Shuquan YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20190326546A1. Автор: NA Li,Xing Fan,Xiaobo Du,Haidong WU,Yansong Li,Guanyin WEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240231160A1. Автор: JING Yu. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Sensing substrate, manufacturing method thereof, and sensor

Номер патента: US20210132419A1. Автор: Fan-Ching Chien,Kun-Yu Lai. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-05-06.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240274609A1. Автор: Dong Wang,Min Wang,Zhe Wang,Liangliang Pan,Shaobo LI,Gang Hua,Liguang DENG,Xinyu Chen,Jinghao Liu,Jiahao Bai,Jintang Hu,Shaokai Su,Zixi QI,Zhining LIN,Pengqu ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240258342A1. Автор: Kuhuang Lai,Huaipei WANG. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240258336A1. Автор: WU Wang,Zhiyong Li,Xiaolin Wang,Zhifu Dong,Pengcheng Fu,Hongtao WENG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240258326A1. Автор: Bin Lin,Liangliang LI,Xiaolong Chen,Zengrong LI,Wanxia FU,Zhouyu CHEN,Zengjie LIN. Владелец: Ltd Boe Technology Group Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240213260A1. Автор: SHAN Li,Qiang Wang,Bin Zhao,Lanlan Li,Juncheng Xiao,MingJiue YU. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Array substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel

Номер патента: US20220317490A1. Автор: Haijun Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20240315098A1. Автор: Bo Zhang,Rong Wang,Yulong WEI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Wiring substrate, manufacturing method thereof, light-emitting substrate, and display device

Номер патента: US20240322099A1. Автор: Jie Wang,Huan LIU,Zouming Xu,Xintao Wu,Zhi Jin,Ningyu Luo,Tingwei Han,Leiming Ding. Владелец: Hefei BOE Ruisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light detection substrate, manufacturing method thereof and light detection apparatus

Номер патента: US12080731B2. Автор: FAN LI,Jiangbo Chen,Da Li,Shuo Zhang,Kui Liang,Fanli Meng,Zeyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Tft substrate manufacture method

Номер патента: US20180233598A1. Автор: Macai Lu,Jiangbo Yao,Shijian Qin. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Display Substrate, Manufacturing Method Thereof and Display Device

Номер патента: US20240306428A1. Автор: YONG ZHOU,Feng Bai,Hexiong Li,Sa Liu,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US12082472B2. Автор: Liangfen Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

display substrate,manufacturing method therefor,and display device

Номер патента: GB2627598A. Автор: Li Meng,Qu Yi,LIU Biao,Xu Peng,CHENG Tianyi,SHANG Tinghua,CHEN Jiaxing,LONG Yixuan,Niu Zuoji. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Perovskite silicon-based laminated solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4432810A1. Автор: Xin Dong,Lei DING,Bo He,Yongcai He,Yonglei Wang. Владелец: Xian Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US20170062269A1. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Display substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4443476A1. Автор: Hongjun Zhou,Zhenli ZHOU,Fengli JI,Chengjie Qin,Yanwei LU,Zhuoran YAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Array substrate, manufacturing method thereof, and panel

Номер патента: US12111552B2. Автор: Haijun Wang,Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

OLED display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12114534B2. Автор: Yan Wu,Jin Yang,QI Liu,Jianqiang Wang,Liangliang LIU,Liman PENG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Array substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4447633A1. Автор: ZHUO Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Wire harness manufacturing method and wire harness

Номер патента: US20240339249A1. Автор: Chao Wang,Yun Miao. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Flexible array substrate, manufacturing method thereof, flexible display device

Номер патента: US20210013242A1. Автор: Tao Gao,Yuanzheng GUO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Low noise cable core and manufacturing method thereof and low noise cable using the same

Номер патента: US20240347230A1. Автор: Yang Zhou,Wen-Cheng Wu,Shi-Wen Huang. Владелец: Dongguan Ching Tai Electric Wire & Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Insulated circuit substrate manufacturing method

Номер патента: US12133338B2. Автор: Yoshiaki Sakaniwa,Toyo Ohashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20240363644A1. Автор: Yan Yan,Xiao Wang,Weitao CHEN,Yu Ma,Qi SANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12113073B2. Автор: Xu Huang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Display Device

Номер патента: US20240363641A1. Автор: WEI Liu,Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20140159009A1. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Displaying substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12133417B2. Автор: Yang Zhang,Bin Zhou,Qinghe Wang,Yongchao HUANG,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Display substrate, display apparatus, and display substrate manufacture method

Номер патента: US12063839B2. Автор: Zhao Li,Paoming TSAI,Shuang DU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US11901354B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Single-crystal X-ray structure analysis apparatus, and method therefor

Номер патента: US12105034B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Rigaku Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Organic light-emitting display substrate, manufacturing method therefor, and organic light-emitting display device

Номер патента: US09960218B2. Автор: Dongfang Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic Light-emitting display substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09947731B2. Автор: Zhiqiang Jiao,Chinlung Liao,Wenjun HOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US09947691B2. Автор: Lin Lin,Xuebing JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09933671B2. Автор: WEI Xue,Ping Song,Hongmin Li,Zhifu Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09917198B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09910327B2. Автор: Feng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09905594B2. Автор: Zhenfei Cai,Xinjie Zhang,Chuanwen Luo. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09905470B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09885928B2. Автор: Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09847382B2. Автор: Qing Dai,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09835921B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Wenlin Zhang,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Zhixing Zhang,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09766520B2. Автор: Wei Feng,Haipeng Yang,Xiaoye MA,Xuebing JIANG,Guangyan TIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Display Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Display Apparatus

Номер патента: US20240381713A1. Автор: Chengchung YANG,Yucheng CHAN,Yunpeng Zhang,Yangzhong JING. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Display Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Display Device

Номер патента: US20240381715A1. Автор: Ming Hu,Zhiliang Jiang,Ziyang YU,Mengqi WANG,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество &#34;ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ&#34;. Дата публикации: 2021-06-02.

Capacitive measuring transducer, capacitive measuring transducer manufacturing method and system

Номер патента: RU2658150C2. Автор: Альберто БАУЭР. Владелец: Грин Сиз Венчез, эЛТиДи. Дата публикации: 2018-06-19.

Metal plate with a variable thickness manufacturing method, pressed part manufacturing method and the processing machine

Номер патента: RU2682194C1. Автор: Томоаки ИХАРА,Сатоси ЯМАДЗАКИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-03-15.

Composite nonwoven material manufacturing method and machine for its implementation

Номер патента: RU2331724C2. Автор: Патрик ЖЕМБАР,Патрик ЖЕМБАР (FR). Владелец: Альстром Корпорейшн. Дата публикации: 2008-08-20.

Camouflage manufacturing method and the camouflage

Номер патента: RU2661816C1. Автор: Илья Сергеевич Гавриков,Ирина Агзамовна Курмашова,Сергей Юрьевич Журавлев,Светлана Вячеславовна Стефанцова,Кирилл Владиславович Куликовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие &#34;Армоком-Центр&#34; (ООО НПП &#34;Армоком-Центр&#34;). Дата публикации: 2018-07-19.

Bevel friction-ring gear, assembly method and manufacturing method for bevel friction-ring gear

Номер патента: RU2529087C2. Автор: Ульрих Рос,Христоф ДРЕГЕР,Вернер БРАНДВИТТЕ. Владелец: Ульрих Рос. Дата публикации: 2014-09-27.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Mixing device and method and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2736040C2. Автор: Йохен ЮНГ,Бернд КАСТНЕР,Сэмми АЙХЕ,Флориан КИКИЛЛУС,Николь РОН. Владелец: Экато Рюр- Унд Миштехник Гмбх. Дата публикации: 2020-11-11.

Workpiece for the multilayer hollow products manufacturing by the materials pressure shaping, multilayer hollow products manufacturing method and manufactured by the said method product

Номер патента: RU2674798C2. Автор: Юрий Павлович Катрич,Евгений Александрович Каменев,Максим Владиславович Гусев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ФБТ&#34; (ООО &#34;ФБТ&#34;). Дата публикации: 2018-12-13.

Antenna, manufacturing method, driving method, and antenna system

Номер патента: US20240235020A1. Автор: Yang Zheng,Jia Fang,Hai Yu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Fuse manufacturing method and fuse

Номер патента: US20180122606A1. Автор: Mitsuru Ando,Yoshinobu Miyata. Владелец: Pacific Engineering Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Aluminium chassis having heat insulating foam filled in hollow portion, its manufacturing method and apparatus, and method for controlling the apparatus

Номер патента: EP1045788A2. Автор: Kyu Tae Yoon. Владелец: Mipo Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-25.

Near-field exposure method and apparatus, near-field exposure mask, and device manufacturing method

Номер патента: WO2005015311A2. Автор: Natsuhiko Mizutani. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-02-17.

Method and apparatus for applying coating solution, and method for manufacturing coated product

Номер патента: US20130243957A1. Автор: Toshitsugu Hosokawa,Satoru Yamamoto,Keiichi Okamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: EP2798680A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: Microfine Materials Technologie Pte Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Cost-effective single crystal multi-stake actuator and method of manufacture

Номер патента: WO2013100860A1. Автор: Yuexue Xia,Dian-Hua LIN,Huilin Nelly Goh. Владелец: MICROFINE MATERIALS TECHNOLOGIES PTE LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Microcrystal structure analysis device, microcrystal structure analysis method, and x-ray shield device

Номер патента: US20150010132A1. Автор: Fumiko Kimura,Tsunehisa Kimura,Chiaki Tsuboi. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

An n type GaP single crystal substrate and its manufacturing method

Номер патента: TW578316B. Автор: Atsushi Yoshinaga. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2004-03-01.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of germanium single crystals growing by otf method

Номер патента: RU2330127C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: ООО Научно-Производственное Предприятие &#34;ОТФ-Техно&#34;. Дата публикации: 2008-07-27.

Mgb2 single crystal and its production method, and superconductive material containing mgb2 single crystal

Номер патента: AU2002258206A1. Автор: Ayako Yamamoto,Setsuko Tajima,Sergey Romanovich Lee. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for geowing of refractory single crystals

Номер патента: RU2056463C1. Автор: Михаил Иванович Мусатов. Владелец: Михаил Иванович Мусатов. Дата публикации: 1996-03-20.

Silicon single crystal manufacturing method and quartz crucible for silicon single crystal manufacturing after modification treatment

Номер патента: JP6759020B2. Автор: 淳 中尾,寿樹 佐藤,佐藤　寿樹,尚 松村,中尾　淳. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Thin film semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, and thin film single crystal semiconductor solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR19980033377A. Автор: 야마우찌가즈시,마쯔시따다께시,나까고에미야꼬,웨스트워터조나단,구스노끼미사오. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-07-25.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for fluoride single crystal

Номер патента: JP2002316897A. Автор: Ikuo Kitamura,郁夫 北村. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor single crystal rod manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: JP6269397B2. Автор: 英樹 重野,慶一 中澤. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-31.

Step bunch single crystal sapphire tilted substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4278996B2. Автор: 護 吉本,敦子 竹内,浩司 小山,敏郎 古滝,和彦 砂川,洋一 矢口,輝夫 黒岩. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Silicon Carbide Single Crystal Ingot Manufacturing Equipment and Manufacturing Method

Номер патента: JP6861555B2. Автор: 信也 佐藤,佐藤　信也,藤本　辰雄,辰雄 藤本,勝野　正和,正和 勝野,弘志 柘植,正史 中林,昌史 牛尾. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-04-21.

Single crystal silicon thermal sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201248129A. Автор: zhong-nan Chen. Владелец: Univ Nat Kaohsiung Applied Sci. Дата публикации: 2012-12-01.

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20120174857A1. Автор: . Владелец: CRISTECH CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method and device for pulling up single crystal

Номер патента: JPH01126293A. Автор: Takeshi Nomura,Shigeki Sato,佐藤　　茂樹,克彦 五十嵐,Katsuhiko Igarashi,武史 野村. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1989-05-18.

Method and apparatus for producing oxide single crystal

Номер патента: JP3792768B2. Автор: 克宏 今井,美能留 今枝,昭彦 本多. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Method and apparatus for growing silicon single crystal

Номер патента: JPH085736B2. Автор: 道夫 喜田,健彰 佐平,治郎 梶原. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1996-01-24.

Method and apparatus for producing artificial single crystals

Номер патента: SU50391A1. Автор: В.И. Егоров,В.В. Шаховцев. Владелец: В.В. Шаховцев. Дата публикации: 1936-11-30.

Method and apparatus for continuously growing single crystal product

Номер патента: JP2966317B2. Автор: 美能留 今枝,和明 山口,昭彦 本多,伸征 古久根,昭治 十川. Владелец: NIPPON GAISHI KK. Дата публикации: 1999-10-25.

Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP2003212691A. Автор: Masahiro Sakurada,Tomohiko Ota,友彦 太田,Nobuaki Mitamura,伸晃 三田村,泉 布施川,昌弘 櫻田,Izumi Fusegawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Method and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material

Номер патента: DK177587B1. Автор: Wilfried von Ammon. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-11-04.

Method and apparatus for preparation of single crystal

Номер патента: JPS56114894A. Автор: Shintaro Miyazawa,Susumu Kondo,Yasutaka Suemune. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1981-09-09.

Method and apparatus for producing oxide single crystal

Номер патента: JP4548952B2. Автор: 克宏 今井,美能留 今枝,昭彦 本多. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

High precision temperature control method and control system in germanium single crystal growth

Номер патента: CN101392405B. Автор: 张红勇. Владелец: XI&#39;AN TECHNOLOGY UNIVERSITY CRYSTAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Production method and control device for developing single crystal bar in square column body

Номер патента: CN101092736B. Автор: 马明涛. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Method and apparatus for pulling-down single crystal

Номер патента: JP2010241663A. Автор: Kazushige Toda,Akira Onodera,一重 遠田,晃 小野寺. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method and apparatus for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6414161B2. Автор: 良太 末若,善博 大城. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride

Номер патента: TW200301323A. Автор: Leo J Schowalter,Glen A Slack,J Carlos Rojo. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

Reaction cell of high-pressure gang-die apparatus for growth of asymmetrically zonal diamond single crystals

Номер патента: RU2176690C1. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо &#34;Маин&#34;. Дата публикации: 2001-12-10.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mixture for growing corundum single crystals of violet gamma

Номер патента: RU2049832C1. Автор: Тамара Александровна Дербенева,Людмила Николаевна Райская. Владелец: Людмила Николаевна Райская. Дата публикации: 1995-12-10.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Исток&#34; имени А.И. Шокина&#34; (АО &#34;НПП &#34;Исток&#34; им. Шокина&#34;). Дата публикации: 2015-12-10.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Концерн Энергомера&#34;. Дата публикации: 2009-03-27.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья&#34; (ФГУП &#34;ВНИИСИМС&#34;). Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности &#34;Гиредмет&#34;. Дата публикации: 2008-06-27.

Facility for single crystals growing by method of axial heat current nearby solid-melt interface

Номер патента: RU2357021C1. Автор: Михаил Александрович Гоник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Центр теплофизических исследований &#34;ТЕРМО&#34;. Дата публикации: 2009-05-27.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение &#34;Национальный исследовательский центр &#34;Курчатовский институт&#34;. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of growing star-shaped single crystals of refractory oxides by verneuil method

Номер патента: RU2124077C1. Автор: В.П. Герасимов,Фахраддин Халыгверди оглы Гусейнов,Д.М. Левин. Владелец: Левин Даниил Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество &#34;Подольский химико-металлургический завод&#34;. Дата публикации: 1997-04-20.

Crystal growing method and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2320791C1. Автор: Павел Владиславович Смирнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Серафим&#34;. Дата публикации: 2008-03-27.

ALLOY BASED ON INTERMETALLIDE Ni3Al WITH SINGLE-CRYSTAL STRUCTURE AND PRODUCT MADE FROM IT

Номер патента: RU2516215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Юрий Александрович Бондаренко,Ольга Анатольевна Базылева,Александр Валерьевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов&#34; (ФГУП &#34;ВИАМ&#34;). Дата публикации: 2014-05-20.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский государственный университет&#34; (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method of production of oriented single-crystal blanks from alloys with peritectic transformation

Номер патента: RU2084561C1. Автор: Е.В. Сидоров,М.В. Пикунов. Владелец: Научно-Производственное Объединение &#34;Магнетон&#34;. Дата публикации: 1997-07-20.

Extruded soft capsule, method to prepare capsule-filling solution, capsule manufacture method and method to raise density of agar coating

Номер патента: RU2405542C2. Автор: Валерий Геннадьевич Макаров,Ольга Николаевна Пожарицкая,Александр Николаевич Шиков,Дмитрий Валентинович Демченко. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Санкт-Петербургский институт фармации&#34;. Дата публикации: 2010-12-10.

Sliding bearing assembly sleeve manufacturing method and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2306197C2. Автор: Никита Михайлович Мишустин,Василий Николаевич Чижов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Алтайский государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2007-09-20.

Manufacturing method of rotor of electrostatic gyroscope

Номер патента: RU2498224C1. Автор: Борис Ефимович Ландау,Вадим Павлович Вейко,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Александр Яковлевич Буцык,Вячеслав Алексеевич Валетов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Концерн &#34;Центральный научно-исследовательский институт &#34;Электроприбор&#34;. Дата публикации: 2013-11-10.

CRUCIBLE FOR GROWTH OF VOLUME SINGLE CRYSTAL OF ALUMINIUM NITRIDE (AlN)

Номер патента: RU2389832C1. Автор: Билал Аругович Билалов,Магомед Ахмедович Гитикчиев,Гаджимет Керимович Сафаралиев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Аккорд&#34;. Дата публикации: 2010-05-20.

Thermopile manufacturing method

Номер патента: RU2248070C1. Автор: Н.В. Шалаев,О.А. Новосельцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Термоклатер&#34;. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Food product manufacture method and natural honey based food product

Номер патента: RU2558492C2. Автор: Вадим Эрикович Зайнуллин. Владелец: Вадим Эрикович Зайнуллин. Дата публикации: 2015-08-10.

Anode holder and its manufacture method

Номер патента: RU2325470C2. Автор: Василий Петрович Галенко,Георгий Михайлович Шеленков,Виктор Александрович Дядечко,Сергей Анатольевич Когулько,Валерий Сергеевич Наталич,Виктор Эдуардович Трояновский,Анатолий Александрович Коропченко,Сергей Анатольевич Когулько (UA),Георгий Михайлович Шеленков (UA),Валерий Сергеевич Наталич (UA),новский Виктор Эдуардович Тро (UA),Василий Петрович Галенко (UA),дечко Виктор Александрович Д (UA),Анатолий Александрович Коропченко (UA). Владелец: Открытое Акционерное Общество &#34;Сумское Машиностроительное Научно-Производственное Объединение Им. М.В. Фрунзе&#34;. Дата публикации: 2008-05-27.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма &#34;ФОМОС&#34;. Дата публикации: 1998-04-10.

Manufacturing method of laminated clad wire rod

Номер патента: RU2547364C1. Автор: Игорь Викторович Ситников,Алексей Владимирович Карелин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ЗМИ-Профит&#34;. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of cutting silicon single crystals

Номер патента: RU2155131C2. Автор: Л.В. Худобин,О.Г. Крупенников. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-27.

Device for production of single-crystal ingots

Номер патента: RU2080209C1. Автор: Е.Н. Каблов,А.Г. Братухин,Р.Е. Шалин,В.Н. Толораия,Н.Г. Орехов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Лабфер&#34;. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-03.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

Electric contact wire manufacturing method and electric contact wire

Номер патента: RU2540944C1. Автор: Иосиф Сергеевич Гершман,Евгений Иосифович Гершман. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Национальный исследовательский технологический университет &#34;МИСиС&#34;. Дата публикации: 2015-02-10.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение &#34;ЛУЧ&#34; (ФГУП &#34;НИИ НПО &#34;ЛУЧ&#34;). Дата публикации: 2015-05-10.

Production of single-crystal cylindrical washers from refractory compounds

Номер патента: RU2561511C1. Автор: Валерий Иванович Выбыванец,Сергей Анатольевич Конарев,Дмитрий Яковлевич Кравецкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение &#34;ЛУЧ&#34; (ФГУП &#34;НИИ НПО &#34;ЛУЧ&#34;). Дата публикации: 2015-08-27.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.