Semiconductor device
Номер патента: US10128345B2
Опубликовано: 13-11-2018
Автор(ы): Akio Kitamura, Hajime MASUBUCHI, Hiromichi Gohara, Kohei YAMAUCHI, Ryoichi Kato, Souichi Yoshida, Takafumi Yamada, Tatsuhiko ASAI, Yoshitaka Nishimura
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-11-2018
Автор(ы): Akio Kitamura, Hajime MASUBUCHI, Hiromichi Gohara, Kohei YAMAUCHI, Ryoichi Kato, Souichi Yoshida, Takafumi Yamada, Tatsuhiko ASAI, Yoshitaka Nishimura
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.