Integrated circuit device including interconnection structure.

Integrated circuit device including interconnection structure

Номер патента: US20240071924A1
Опубликовано: 29-02-2024
Автор(ы): Jeonghoon Ahn, Jungil Park, Yunki Choi
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Interconnect structure having tungsten contact copper wiring

Номер патента: US09761526B2. Автор: Anthony K. Stamper,Baozhen Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit barrierless microfluidic channel

Номер патента: US09373561B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Joyeeta Nag,Vincent J. McGahay,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Subtractively patterned interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US12027458B2. Автор: Ramanan Chebiam,Noriyuki Sato,James M. Blackwell,Kevin Lin,Hui Jae Yoo,Matthew Metz,Manish Chandhok,Tristan TRONIC,Michael Christenson,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld,Elijah Karpov,Carl Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Subtractively patterned interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US20240304543A1. Автор: Ramanan Chebiam,Noriyuki Sato,James M. Blackwell,Kevin Lin,Hui Jae Yoo,Matthew Metz,Manish Chandhok,Tristan TRONIC,Michael Christenson,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld,Elijah Karpov,Carl Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US12125746B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20230307292A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240203883A1. Автор: Seungyong YOO,Eunji JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices including metal lines spaced apart from metal vias, and related fabrication methods

Номер патента: US20230352405A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit barrierless microfluidic channel

Номер патента: US09502325B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Joyeeta Nag,Vincent J. McGahay,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit barrierless microfluidic channel

Номер патента: US09385062B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Joyeeta Nag,Vincent J. McGahay,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Cavity in metal interconnect structure

Номер патента: US11984351B2. Автор: Chung-Te Lin,Li-Shyue Lai,Katherine H. Chiang,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit devices including metal lines spaced apart from metal vias, and related fabrication methods

Номер патента: EP4276901A1. Автор: Kangill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US12048257B2. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Hybrid bonding technology for stacking integrated circuits

Номер патента: US20240355784A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,I-Nan Chen,Yung-Lung Lin,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Shih-Han Huang,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power gating for three dimensional integrated circuits (3DIC)

Номер патента: US09799639B2. Автор: Po-Hsiang Huang,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Chou-Kun LIN,Yi-Chuin Tsai,Chien-Ju Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for placing stressors on interconnects within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US09455220B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit devices including via structures having a narrow upper portion, and related fabrication methods

Номер патента: US20230352400A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device including interconnection structure

Номер патента: US20240014068A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Boun Yoon,Seokjun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit structures with contoured interconnects

Номер патента: US20230317597A1. Автор: Jiho KANG,Ebubekir Dogan,Ramanan Ehamparam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20240222269A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US12033935B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US11942420B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20210272895A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20220302026A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20220302027A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Reliability improvement of metal-interconnect structure by capping spacers

Номер патента: WO2007074111A1. Автор: Joaquin Torres,Vincent Arnal,Laurent Gosset,Mohamed Aimadeddine. Владелец: St Microelectronics Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2007-07-05.

Integrated circuit including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer, semiconductor device including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12062641B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114475B2. Автор: Huijung Kim,Sunghee Han,Inwoo Kim,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09601606B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140145350A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit device and integrated circuit layout

Номер патента: US20240363615A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240363558A1. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240030189A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaged semiconductor devices including backside power rails and methods of forming the same

Номер патента: US11830854B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Packaged Semiconductor Devices Including Backside Power Rails and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210358891A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418311A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321873A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435848A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240332174A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Cheng-Yu Lin,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243057A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258205A1. Автор: Seungyong YOO,Hoyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4407669A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20190304900A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20230197605A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230245939A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US09972603B2. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Interconnect Structures for Substrate

Номер патента: US20150206799A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Mold chase for integrated circuit package assembly and associated techniques and configurations

Номер патента: US09899362B2. Автор: Bogdan M. Simion. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Monolithic stacked integrated circuits with a redundant layer for repairing defects

Номер патента: US09847318B2. Автор: Chin-Her Chien,Kuan-Yu Lin,Ji-Jan Chen,Wei-Pin Changchien,Jung-Rung Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region

Номер патента: EP3545547A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region

Номер патента: WO2018098360A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-05-31.

Metallization barrier structures for bonded integrated circuit interfaces

Номер патента: US20210098387A1. Автор: Ramanan Chebiam,Mauro Kobrinsky,Richard Vreeland,Jeffery Bielefeld,Carl Naylor,Brennen Mueller,William Brezinski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230275080A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068306B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: EP4451318A2. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20220302108A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit device including a power supply line and method of forming the same

Номер патента: US20240088141A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Vertical interconnect structures with integrated circuits

Номер патента: US12068284B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Mahmut Sinangil,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Integrated circuit device including a power supply line and method of forming the same

Номер патента: US12113066B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Vertical interconnect structures with integrated circuits

Номер патента: US20240363594A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Mahmut Sinangil,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for fabricating integrated circuits including back-end-of-the-line interconnect structures

Номер патента: US09553017B2. Автор: Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Graphene interconnect structure, electronic device including graphene interconnect structure, and method of preparing graphene interconnect structure

Номер патента: US20230114933A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Baekwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US09461017B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Wafer backside interconnect structure connected to TSVs

Номер патента: US09978708B2. Автор: Shau-Lin Shue,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Wafer backside interconnect structure connected to TSVs

Номер патента: US09716074B2. Автор: Shau-Lin Shue,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Wafer backside interconnect structure connected to TSVs

Номер патента: US09449875B2. Автор: Shau-Lin Shue,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of fabricating integrated circuit device

Номер патента: US20200105540A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240355622A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

3D integrated circuit device

Номер патента: US09954080B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING BACK-END-OF-THE-LINE INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20160218034A1. Автор: Zhang Xunyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230230884A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same

Номер патента: US09431492B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230207662A1. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Jung-Hwan Chun,Ji -ye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: EP2524392A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: WO2011087991A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias

Номер патента: US20110169140A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device including multi-dimension through silicon via structures for backside alignment and thermal dissipation

Номер патента: US20240145435A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical interconnect structures in three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240243105A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Hidehiro Fujiwara,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnect structure for stacked device and method

Номер патента: US20160276383A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: EP4310902A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim,Kyujin KIM,Chulkwon Park,Gyunghyun YOON,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240032280A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim,Kyujin KIM,Chulkwon Park,Gyunghyun YOON,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US12113108B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Kihyun Hwang,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US10825729B2. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US20190326172A1. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09953985B2. Автор: Seon-Ju Kim,Hye-won Kim,Hyun-Gi Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11302680B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-12.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US11024615B2. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Display driver integrated circuit device

Номер патента: US20210272940A1. Автор: Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355879A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Hybrid Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210134776A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Hybrid integrated circuit package

Номер патента: US12068297B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid integrated circuit packages

Номер патента: US20240363610A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device and electronic system including same

Номер патента: US20220181284A1. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922979B2. Автор: Jong-Mil Youn,Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong,Je-Min YOO,Jong-Shik Yoon,Kyu-man CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304704A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Taeho Cha,Hakjong Lee,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Heterogeneous integrated circuits and devices thereof with a surrogate substrate and transferred semiconductor devices

Номер патента: US09524872B1. Автор: Andrew T. Hunter,Peter D. Brewer,Yakov Royter. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Interconnect structure of semiconductor integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110260333A1. Автор: Yoichi Matsumura,Kazuhiko Fujimoto,Takako Ohashi,Chie Kabuo,Tadafumi Kadota,Hirofumi Miyashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Interconnect structure of semiconductor integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US8487423B2. Автор: Yoichi Matsumura,Kazuhiko Fujimoto,Takako Ohashi,Chie Kabuo,Tadafumi Kadota,Hirofumi Miyashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Multi-chip integrated circuit

Номер патента: US09627261B1. Автор: Venkatesan Murali,Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit device including polycrystalline semiconductor film and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576969B2. Автор: Han-mei Choi,Bong-Jin Kuh,Joong-Han SHIN,Dmitry MIKULIK,Wanit MANOROTKUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuits including a MIMCAP device and methods of forming the same for long and controllable reliability lifetime

Номер патента: US09583557B2. Автор: Lili Cheng,Robert Fox,Jeasung Park,Dina H. Triyoso,David Paul Brunco,Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20140027861A1. Автор: Ho Suk Maeng,Ho Seok HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Integrated circuits and semiconductor device including standard cell

Номер патента: US20200321355A1. Автор: Hyelim Kim,Jinwoo Jeong,Jiwook KWON,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Microelectronic devices including embedded bridge interconnect structures

Номер патента: US11901334B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING EMBEDDED BRIDGE INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20210050327A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310482A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240249999A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Build-up package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09355994B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of producing integrated circuit devices

Номер патента: US6117707A. Автор: Peirre Badehi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Stacked display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US12094405B2. Автор: Changju Lee,Kyoungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240128194A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20200211922A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chien Ling Hwang,Pei-Hsuan Lee,Yu-Chia Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20240371726A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Chien Ling Hwang,Pei-Hsuan Lee,Yu-Chia Lai,Shu-Rong Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09831877B2. Автор: Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20170093401A1. Автор: Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A2. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A3. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258187A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240096960A1. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit device structures and double-sided electrical testing

Номер патента: US20240194533A1. Автор: Paul Fischer,Kevin O'Brien,Patrick Morrow,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Bruce Block,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and device for removing integrated circuits

Номер патента: US09987836B2. Автор: Wei Wang,LONG Yan,Jun Zhang,Yong Sun,Daocheng Zhu,Zhiyu QIAN,Xianzhen TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20230387057A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11817410B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20220375890A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240282720A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods and apparatus for producing integrated circuit devices

Номер патента: CA2144323C. Автор: Pierre Badehi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2005-06-28.

DRIVE INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190157231A1. Автор: KIM Dong Wook,CHOI Yong Nam,LEE Dong Geon,OH Myeong Woo,HAN Jae Sup,JO Eun Ji. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Driving integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20190181111A1. Автор: Byoungyong Kim,Jeongho HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit device substrates having packaged inductors thereon

Номер патента: US09478599B1. Автор: Viresh Piyush Patel,Robert A. Gubser,Ajay Kumar Ghai. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240047338A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Architecture and packaging for integrated circuits

Номер патента: US20230075607A1. Автор: Jie Xue,D. Brice Achkir,Mark Charles Nowell. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Integrated circuit (IC) with reconstituted die interposer for improved connectivity, and related methods of fabrication

Номер патента: US11769732B2. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11848246B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20230378015A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND COMPUTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150033050A1. Автор: QADAN Amjad,PANCHAL Neil. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

INTEGRATED CIRCUIT, AND MOTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190244880A1. Автор: SUN Chiping,WANG Qiubao,WANG Enhui,JIANG Haibo,YEUNG Shinghin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Nmos device, production method thereof, and integrated circuit

Номер патента: EP4141913A1. Автор: Fengjie Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US09847389B2. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Nmos device, production method thereof, and integrated circuit

Номер патента: US20230065242A1. Автор: Fengjie Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US20140054704A1. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-27.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device and electronic device including the same

Номер патента: EP4181190A1. Автор: Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Wonsik Yu,Dokyung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US12087766B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US11961832B2. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230290768A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220085007A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240332196A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Photomask including focus metrology mark, substrate target including focus monitor pattern, metrology method for lithography process, and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09557655B2. Автор: Young-Sik Park,Yong-Chul Kim,Kwang-sub Yoon,Ji-myung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit interconnect with embedded die

Номер патента: US20230080278A1. Автор: Santosh Tripathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit package, method of fabricating the same, and wearable device including integrated circuit package

Номер патента: US09978693B2. Автор: Young-Hoon Kim,In-Ku Kang,Hee-Yeol KIM,Chan-Hee Jeong,Soo-Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: WO2024226151A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US09406102B2. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabric Die to Fabric Die Interconnect for Modularized Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20240312909A1. Автор: Chee Seng Leong,Chee Hak Teh,Hee Kong Phoon,Lai Guan Tang,Han Wooi Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090200A1. Автор: Jungmin Park,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US09443843B2. Автор: Sheng-Yuan Lee,Yin-Ku CHANG. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Active matrix using hybrid integrated circuit and bipolar transistor

Номер патента: US09472607B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: EP2283515A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: WO2009148855A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321726A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaeyoung Park,Hyunjae KANG,Sutae Kim,Yubo Qian,Gyeongseop Kim,Jeonwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20170271255A1. Автор: Hiroki Okamoto,Kiyoshi Okuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210389273A1. Автор: Ching-Hui Lin,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen,Yu-Jie Huang,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240213249A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Inchan HWANG,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US11764154B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230036522A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Integrated circuit device, semiconductor substrate, and test system including the integrated circuit device

Номер патента: US11747393B2. Автор: Donghee Kim,Daehyun KWON,Sungoh Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same

Номер патента: EP4372814A1. Автор: Jong Tae Hwang. Владелец: Wellang Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Flexibly-wrapped integrated circuit die

Номер патента: US09515049B2. Автор: Peter Baumgärtner,Sven Albers,Hans-Joachim Barth,Michael Skinner,Harald Gossner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuit device with an improved interconnection line

Номер патента: US4816895A. Автор: Takamaro Kikkawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-03-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271049A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated electronic device including an interposer structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09673172B2. Автор: Yaniv Maydar,Yohai JOSEPH. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit, and motor device including the same

Номер патента: US20210210417A1. Автор: Chiping Sun,Shinghin Yeung,Qiubao Wang,Enhui WANG,Haibo Jiang. Владелец: Johnson Electric International AG. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

INTEGRATED CIRCUIT, AND MOTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210210417A1. Автор: SUN Chiping,WANG Qiubao,WANG Enhui,JIANG Haibo,YEUNG Shinghin. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: KR20230096300A. Автор: 이경민,이창주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-06-30.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated Circuit Structure and Method

Номер патента: US20230369254A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structure and method

Номер патента: US11764171B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607938B2. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728412B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728411B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20200243429A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230053190A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210233835A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of forming an integrated circuit device

Номер патента: US20010036686A1. Автор: Joseph M. Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Integrated circuit dies with thermally conducting solder perimeter

Номер патента: US20240282658A1. Автор: Keiji Matsumoto,John Knickerbocker,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit chip packaging

Номер патента: US09713258B2. Автор: Young Hoon Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

An integrated electronic device including an interposer structure and a method for fabricating the same

Номер патента: WO2014087397A1. Автор: Yaniv Maydar,Yohai JOSEPH. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US09627337B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Electronic assembly and electronic system with impedance matched interconnect structures

Номер патента: EP4170712A2. Автор: Gerald Weis. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Communication between integrated circuit (1c) dies in wafer- level fan-out package

Номер патента: EP4222864A1. Автор: Parag Upadhyaya,Chi Fung Poon,Asma Laraba. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Double-sided laminate package with 3d interconnection structure

Номер патента: WO2024107542A1. Автор: Yuan Wei. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US09881892B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

Circuit device and method of manufacturing a circuit device for controlling a transmission of a vehicle

Номер патента: US09472486B2. Автор: Thomas Maier. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-10-18.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Interconnected integrated circuit (ic) chip structure and packaging and method of forming same

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Wolfgang Sauter,David B. Stone,Nicholas A. Polomoff,Mark W. Kuemerle,Jawahar P. Nayak,Eric W. Tremble,Seungman Choi,Eric S. Parent. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated circuit chip cooling device

Номер патента: US09615443B2. Автор: Philippe Coronel,Stephane Monfray,Sandrine Lhostis,Christophe Maitre,Olga Kokshagina. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-04.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP, MOBILE DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE MOBILE DEVICE

Номер патента: US20130215569A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170093401A1. Автор: SEO Jae-woo,LEE Dal-hee. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180115156A1. Автор: NARITA Koki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Integrated circuit chip, mobile device including the same and operation method of the mobile device

Номер патента: KR101896018B1. Автор: 오승민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-09-06.

Drive integrated circuits and display devices including them

Номер патента: KR100529567B1. Автор: 박성희,장규정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-08.

Stacked display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20230206830A1. Автор: Changju Lee,Kyoungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Solid-state imaging device including a sensor substrate and a logic substrate

Номер патента: US10978505B2. Автор: Hidenori Sato,Koji Iizuka,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING WORD LINE INTERCONNECTING STRUCTURES

Номер патента: US20140306279A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,LEE Jaeduk. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Intergrated circuit devices including an interfacial dipole layer

Номер патента: US09620612B2. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US09564509B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit device, method, and system

Номер патента: US12027525B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893064B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US09530945B2. Автор: Avner Badehi. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321961A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Yujin Jeon,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321885A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Sujin JUNG,Ingyu Jang,Yongjun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device having an interfacial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786761B2. Автор: Dong-Soo Lee,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Taek-Soo Jeon,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus, method and nontransitory computer readable medium for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20170018469A1. Автор: Hiroyuki Yazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Integrated circuit device including gate line

Номер патента: US20210408232A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

High performance integrated radio frequency circuit devices

Номер патента: US20010048340A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304623A1. Автор: Jiwon Park,Minseok Jo,Hanyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859392B2. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853029B2. Автор: Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit devices including stress proximity effects and methods of fabricating the same

Номер патента: US09490177B2. Автор: Chang-Woo Oh,Myung-Gil Kang,Young-Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US11109486B2. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-08-31.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071874A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Integrated circuit devices with source/drain regions including multiple segments

Номер патента: US09443852B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Bok-Young LEE,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit layout and method for manufacturing integrated circuit device using the integrated circuit layout

Номер патента: US20240370619A1. Автор: Hyung Keun Park,Bong Keun KIM,Hee JEONG,Myung Soo NOH,Yun Kyoung SONG,Da Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US09709524B2. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: US20240363605A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09761514B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09420707B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US12132049B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Hybrid RF integrated circuit device

Номер патента: US12003220B2. Автор: Lei Zhao,Abdulrhman M. S. Ahmed,Greg Durnan. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Chip-on-film (COF) package, COF package array including the same, and display device including the same

Номер патента: US09691814B2. Автор: Dong-Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Packaged integrated circuit device

Номер патента: US6008541A. Автор: Sang Wook Park,Hyung Gil Baig. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Multi level radio frequency (RF) integrated circuit components including passive devices

Номер патента: US12074123B2. Автор: Richard Wilson,Madhu Chidurala. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: US20240345229A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: EP4447472A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit device and repair method thereof

Номер патента: US09508717B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US12015191B2. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: EP3921870A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: WO2020163739A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

RF integrated circuit device

Номер патента: EP1939940A3. Автор: Yujen Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Integrated circuit devices including stacked transistors

Номер патента: US20220344481A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Photoresist composition including photosensitive polymer and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240302742A1. Автор: Songse YI,Yoonhyun Kwak,Sung Hwan Park,Juhyeon Park,Sungwon Choi,Jeong Ho MUN,Hogeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12107122B2. Автор: SunKi Min,Donghyun Roh,Chaeho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240332131A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4439645A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Номер патента: US12051697B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device including guard rings

Номер патента: US12068365B2. Автор: Hyungjong LEE,Seulki HONG,Jeonglim Kim,Myungsoo Noh,Sunghwan BAE,Moongi CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240322039A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220076732A1. Автор: Youngkyu Lee,Taesung Kang,Sungho Jang,Kyoungmin Kim,Ilgweon KIM,Seokjae Lee,Joon HAN,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device including guard rings

Номер патента: US20240371927A1. Автор: Hyungjong LEE,Seulki HONG,Jeonglim Kim,Myungsoo Noh,Sunghwan BAE,Moongi CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321991A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device assembly

Номер патента: US09913361B2. Автор: Mark K. Hoffmeyer,Jason R. Eagle,David Barron,Roger D. Hamilton,Christopher W. Mann,Matthew T. Richardson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240282773A1. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321956A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Woosuk CHOI,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240321886A1. Автор: Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Seunghun LEE,Myungil KANG,Kyowook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4451319A2. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240355878A1. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods, apparatus, and system for using filler cells in design of integrated circuit devices

Номер патента: US09547741B2. Автор: Uwe Paul Schroeder,Sushama Davar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20170178717A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20220301618A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20180158512A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20190244659A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US9959924B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US09959924B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: EP4421875A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240274664A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US10311943B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230261003A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10256237B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung-Hun Lee,Jeong-Yun Lee,Myung-Il Kang,Sun-Wook Kim,Sun-Ghil Lee,Jung-han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Pressure sensor assembly for use in implantable medical device including a substrate having via that extends through substrate along via axis between first major surface and second major surface of substrate

Номер патента: US11725995B2. Автор: David A. Ruben,Andrew J. Ries,Chetan Patel,Andreas Fenner. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-08-15.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Stacked integrated circuit device

Номер патента: US20240274686A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Inchan HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos field-effect transistors

Номер патента: WO2000067325A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars Henrik Mucke,Lars G. Jansson. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Pixel unit with a driver ic, a light-emitting device including such pixel units and a method for making the light-emitting device

Номер патента: US20220059605A1. Автор: Meng-Chih WU,Chun-Chung Lin,Chien-Kuo Tien. Владелец: Naviance Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method and apparatus for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester

Номер патента: EP1275010A2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Ralph G. Whitten. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit

Номер патента: US09841460B2. Автор: Ki Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods and devices for stressing an integrated circuit

Номер патента: US09618567B2. Автор: Sebastien Morand,Florian Moliere,Alexandre Douin,Gerard Salvaterra,Christian Binois,Daniel Peyre. Владелец: EUROPEAN AERONAUTIC DEFENCE AND SPACE COMPANY EADS FRANCE. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit resistor with passive breakdown protection circuit

Номер патента: US20200312946A1. Автор: Lokesh Kumar Gupta,Basant BOTHRA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Intergrated circuit devices

Номер патента: US20240322048A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee,Minhee Cho,Daweon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Optical integrated circuit package

Номер патента: US09939596B2. Автор: Ho-Chul Ji,In-sung Joe,Keun-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: US09589612B1. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit devices with angled transistors formed based on angled wafers

Номер патента: EP4239679A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Integrated circuit system employing diffused source/drain extensions

Номер патента: SG172678A1. Автор: TEO Lee Wee,Han Jin-Ping,Liu Jin Ping,Lai Chung Woh,Oleg Gluschenkov,Anita Madan,Henry K Utomo,Rainer Loesing,Choi Hyung-Yoon. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Photosensitive semiconductor device including heterojunction photodiode

Номер патента: US12080734B2. Автор: Xiaohong Jiang,Ching Hwa Tey,Zhaoyao Zhan,Qianwei Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Radio frequency integrated circuit and communication device including the integrated circuit

Номер патента: US20220352921A1. Автор: Sang Wook Han,Hyung Gi Kim,Jung Woo Kim,Jae Min Kim,Ho Rang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09960768B2. Автор: Min-Ho Park,Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit and storage device including the same

Номер патента: US09748956B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Power management integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: US12061514B2. Автор: Younghoon Lee,Younghun Kim,Min Sang Park,Kyungrae Kim,Junhyun Bae,Junchul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20150244366A1. Автор: Min-Ho Park,Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-27.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160285452A1. Автор: Min-Ho Park,Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Power management integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US11900858B2. Автор: Jung Min Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Protection circuit module and aerosol generating device including the same

Номер патента: EP4243641A1. Автор: Seungwon Lee,Sungwook Yoon,Daenam HAN,Seoksu JANG,Yonghwan Kim. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING CHARGING CIRCUIT AND FLASH DRIVER, METHODS OF OPERATING THE INTEGRATED CIRCUITS, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200241390A1. Автор: KIM Dong-Joon,Lee Chang-Geun,Kwon Min-kyu,Cho Sang-uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRIC DEVICE INCLUDING THEREOF FOR TRANSMITTING A PLURALITY OF SIGNALS EACH HAVING DIFFERENT TRANSMISSION SPEED

Номер патента: US20140002168A1. Автор: Yanagishima Daiki,Ishikawa Toshiyuki. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

GATE DRIVE INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170193891A1. Автор: PARK Joonkyu,KWON Sunyoung,Lee Shinwoo. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

INTEGRATED CIRCUIT AND STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160204782A1. Автор: LEE JANGWOO,Kim Hyunjin,IHM Jeongdon,NA Daehoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150244366A1. Автор: SEO Jae-woo,LEE Dal-hee,PARK Min-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

DISPLAY DRIVING INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160260409A1. Автор: Kim Jaeyeon,LIN Chiahsin,LIAO Chih-Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-08.

INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160285452A1. Автор: SEO Jae-woo,LEE Dal-hee,PARK Min-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Gate drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: KR102433746B1. Автор: 박준규,권순영,이신우. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-08-17.

Display driving integrated circuit and display device including the same

Номер патента: KR102333485B1. Автор: 김재윤,치아신 린,즈-양 랴오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-01.

Integrated circuit heat sink device including through hole to facilitate communication

Номер патента: US6713792B2. Автор: Leendert J. van der Windt. Владелец: Anaren Microwave Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Integrated circuit and storage device including integrated circuit

Номер патента: US09897650B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,ChaeHoon KIM,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Source drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US09734786B2. Автор: Tae-Gon Kim,Jung-Hoon Kim,Kyong-Tae Park,Dong-Yoon So,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: US12032399B2. Автор: Insuk KIM,Jungmoon Kim,Jeongpyo KIM,Yeonjeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: US20240345611A1. Автор: Insuk KIM,Jungmoon Kim,Jeongpyo KIM,Yeonjeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20230178137A1. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US12068022B2. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US12100472B2. Автор: Jun Seok Noh,No Geun JOO,Byeong Yong GO,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of operating display driver integrated circuit, power management integrated circuit and electronic device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20230326425A1. Автор: Sangmin Lee,Wonseok Kim,Woonyoung Lee,Kyounghwan KWON,Seonmee LEE,Wangsuk Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US11837191B2. Автор: Jun Yong Park,Ho Seok HAN,Hyun Gu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Source drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20160086563A1. Автор: Tae-Gon Kim,Jung-Hoon Kim,Kyong-Tae Park,Dong-Yoon So,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20240046977A1. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US11823730B2. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20230420011A1. Автор: Jun Seok Noh,No Geun JOO,Byeong Yong GO,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20240079041A1. Автор: Jun Seok Noh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US09573367B2. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuits with interconnect selection circuitry

Номер патента: US8854080B1. Автор: Irfan Rahim,Michael D. Hutton. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Programmable logic array integrated circuit devices

Номер патента: US20030016053A1. Автор: Christopher Lane,Kerry Veenstra,Joseph Huang,David Mendel,Richard Cliff,Srinivas Reddy,David Jefferson,Bruce Pedersen,Craig Lytle,Francis Heile,Rina Raman,Robert Noel Bielby,L. Cope. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20240348435A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Reference clock architecture for integrated circuit device

Номер патента: US09979403B1. Автор: Weiqi Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Reference clock architecture for integrated circuit device

Номер патента: US09479181B1. Автор: Weiqi Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit device and method of performing cut-through forwarding of packet data

Номер патента: US09450894B2. Автор: Graham Edmiston. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Configuring programmable integrated circuit device resources as processing elements

Номер патента: US09553590B1. Автор: David Lewis,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Transceiver integrated circuit device and method of operation thereof

Номер патента: US09515906B2. Автор: Hee Jun Lee,Sang Hyun Jang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20240219943A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240324183A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4436329A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device that includes a secure element and a wireless component for transmitting protected data over short range wireless point-to-point communications

Номер патента: US10359957B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Charger integrated circuit for charging battery device and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US12034321B2. Автор: Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Jung-Wook HEO,Sang-Bin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20180342987A1. Автор: Naoki ITABASHI,Taizo Tatsumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Power safety circuit, integrated circuit device and safety critical system

Номер патента: US09620992B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device with field programmable optical array

Номер патента: US09608728B1. Автор: Jon Long,Sergey Yuryevich Shumarayev,Weiqi Ding,Mike Peng Li,Joel Martinez. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit device that includes a protected memory component for transmitting protected data over a communication interface

Номер патента: US11829776B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device

Номер патента: WO2009134199A1. Автор: Peter Lindberg,Christian Braun,Andrei Kaikkonen,Stefen LÖFGREN. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2009-11-05.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device with tamper detection input and having real time clock calendar logging thereof

Номер патента: US09602895B2. Автор: Michael Simmons,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Charger integrated circuit including switching converter and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US20240235368A1. Автор: Sungwoo Moon,Sungwoo Lee,Daewoong CHO,Jungwook HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a CMOS device including molecular storage elements in a via level

Номер патента: US8445378B2. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Cmos device including molecular storage elements in a via level

Номер патента: US20110024912A1. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Integrated circuit device with protection against malicious attacks

Номер патента: EP4179446A1. Автор: Pascal Aubry,Sylvain PELISSIER. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit device, signal processing system, electronic device and method for configuring a signal processing operating mode

Номер патента: US09462556B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit capable of controlling impedance and electronic device including the same

Номер патента: WO2020055072A1. Автор: Cheolho LEE,Seungjoon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09634667B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Bruce E. Byrkett,Hans Van Antwerpen,Mark E. Hastings,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Power harvesting for integrated circuits

Номер патента: US11937507B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20050001638A1. Автор: Charles Miller,John Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: WO2002005606A3. Автор: Charles A Miller,John M Long. Владелец: John M Long. Дата публикации: 2002-04-18.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: WO2002005606A2. Автор: Charles A. Miller,John M. Long. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2002-01-17.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Monolithic integrated circuit switch device with output current balancing for parallel-connection

Номер патента: US09467136B1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20090179659A1. Автор: Charles A. Miller,John Matthew Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20030169061A1. Автор: Charles Miller,John Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9484870B2. Автор: Shigeo Imai,Yosuke Ogawa,Shinji Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Charger integrated circuit for charging series battery device and electronic device including same

Номер патента: EP4178058A1. Автор: Sungwoo Lee,Hyoungseok OH,Yonghwan Cho,Daewoong CHO,Jungwook HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Integrated circuit for driving adaptable power to display and display device including the same

Номер патента: US09905194B2. Автор: Jaeyeon Kim,Chiahsin Lin,Chih-Yang Liao. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09484870B2. Автор: Shigeo Imai,Yosuke Ogawa,Shinji Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuit device, physical quantity measurement device, electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US11897539B2. Автор: Hideo Haneda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Multi-port integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09489326B1. Автор: Dinesh Maheshwari,Anuj Chakrapani. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit chip testing interface with reduced signal wires

Номер патента: US20230366929A1. Автор: Amitava Majumdar,Albert Shih-Huai Lin,Niravkumar Patel,Jane Wang SOWARDS. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

High performance backlight device using photonic integrated circuits

Номер патента: US20230194925A1. Автор: Wanli Chi,James Ronald Bonar,Zhimin Shi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit chip testing interface with reduced signal wires

Номер патента: US11860228B2. Автор: Amitava Majumdar,Albert Shih-Huai Lin,Niravkumar Patel,Jane Wang SOWARDS. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

INTEGRATED CIRCUIT AND STORAGE DEVICE INCLUDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160216319A1. Автор: LEE JANGWOO,Kim Hyunjin,KIM CHAEHOON,IHM Jeongdon,NA Daehoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

TOUCH INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH SENSING DEVICE INCLUDING THE SAME AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104208A1. Автор: HYUNG Sangjoon,HWANG Seokhee,LEE JongOh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

SOURCE DRIVE INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160086563A1. Автор: Park Kyong-Tae,Kim Tae-Gon,Kim Jung-Hoon,So Dong-Yoon,KANG Seong-Yeun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180122305A1. Автор: AN Changho,KIM Byungil. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

POWER MANAGEMENT INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220276694A1. Автор: Kim Kyungrae,Kim Younghun,LEE Younghoon,PARK Min Sang,Bae Junhyun,Shin Junchul. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20190139510A1. Автор: Jun Yong Park,Ho Seok HAN,Hyun Gu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160155421A1. Автор: Park Hyun-Sang,KIM Choong-Bin,HAN Dong-Heon,KWON Kyoung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

DATA INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200184918A1. Автор: BAN Young-IL,Kim Sooyeon,SON SUNKYU,KIM Wontae. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Display driving integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20210264860A1. Автор: Jeeyeon EOM,Soonchan Kwon,Kyungjik MIN,Yeongshin JANG,Jeonghoon CHOI,Siwoo Kim,Jaeyoun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

DATA INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160267871A1. Автор: BAN Young-IL,Kim Sooyeon,SON SUNKYU,KIM Wontae. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210358449A1. Автор: HAN Ho Seok,PARK Jun Yong,KIM Hyun Gu. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200357358A1. Автор: HAN Ho Seok,PARK Jun Yong,KIM Hyun Gu. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Display driving integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US11244632B2. Автор: Jeeyeon EOM,Soonchan Kwon,Kyungjik MIN,Yeongshin JANG,Jeonghoon CHOI,Siwoo Kim,Jaeyoun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: CN115220524A. Автор: 金仁锡,金贞杓,金正文,李莲正. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-21.

Gate drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: KR20160069024A. Автор: 이철원,도오성. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2016-06-16.

Driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US10424254B2. Автор: Changho AN,Byungil Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: KR20190052186A. Автор: 박준용,김현구,한호석. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-05-16.

Power management integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US20230215340A1. Автор: Jung Min Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Neuron learning type integrated circuit device using a plurality of synapses, a soma, transistors, a zener diode, and condensers

Номер патента: US09501739B2. Автор: Hiroshi Nomura,Yasuo Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and system for extending the lifetime of multi-core integrated circuit devices

Номер патента: US09488998B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Rinze Ida Mechtildis Peter Meijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuit testing architecture

Номер патента: US09506980B2. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,Abram M. Detofsky,Brett D. Grossman,Ronald K. Minemier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Reconfigurable integrated circuit device

Номер патента: US09552328B2. Автор: Takashi Hanai,Hayato Higuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Optical integrated circuit device and optical system including the same

Номер патента: US20240201524A1. Автор: Jung Jin Ju,Hyeon Hwang,Hansuek Lee,Kiwon MOON,Min-Kyo Seo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Micro-electromechanical integrated circuit device for fluid ejection

Номер патента: US20050270326A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US09969355B2. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit device, electronic apparatus, and control method for electrooptic panel

Номер патента: US09947256B2. Автор: Toshimichi Yamada,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit device and method for reducing SRAM leakage

Номер патента: US09778983B2. Автор: Ajay Kapoor,Nur Engin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: US09990248B2. Автор: Junho Park,Yanghyo Kim,Dokyung Kim,Sooyoung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory devices including processing-in-memory architecture configured to provide accumulation dispatching and hybrid partitioning

Номер патента: US20230343373A1. Автор: Kevin Skadron,Marzieh Lenjani. Владелец: University of Virginia UVA. Дата публикации: 2023-10-26.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

System and apparatus for trusted and secure test ports of integrated circuit devices

Номер патента: US09810736B2. Автор: Rodrick Cottrell,Dee C. Neuenschwander. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device including decoder for a program pulse and related methods

Номер патента: US09613696B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Maintaining stress in a layout design of an integrated circuit having fin-type field-effect transistor devices

Номер патента: US09483592B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Display control device and method, semiconductor integrated circuit device, and display device

Номер патента: US09734791B2. Автор: Katsumi Okina,Chisato Higuchi,Atsushi Obinata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit device for receiving differential and single-ended signals

Номер патента: US20090033364A1. Автор: Claudio Andreotti,Maurizio Skerlj. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110242896A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Automatic generation of sub-cells for an analog integrated circuit

Номер патента: US12118287B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Techniques for compiling and generating a performance analysis for an integrated circuit design

Номер патента: US09489480B1. Автор: Benjamin Gamsa,Gordon Raymond Chiu,Paul Mark Leventis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US20080122527A1. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit test device and integrated circuit test equipment

Номер патента: US09726720B2. Автор: Yun-Meng Yeh. Владелец: Cheng Yun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US09666226B1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Control block size reduction through IP migration in an integrated circuit device

Номер патента: US09619610B1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit for electrostatic discharge testing

Номер патента: US5159369A. Автор: Yoshinori Hashimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit devices for driving conductors to target voltage levels

Номер патента: US20210134368A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US20170148481A1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Optical fiber mounts for printed circuit boards and integrated circuit device packages

Номер патента: US20240345324A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Benjamin DUONG,Marcel SAID,Soham Agarwal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method for dynamic thermal management of integrated circuit

Номер патента: US09817454B2. Автор: Wei-Ting Wang,Yingshiuan Pan,Kang-Chih Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US09804223B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, apparatus, and system for energy efficiency and energy conservation by mitigating performance variations between integrated circuit devices

Номер патента: US09753516B2. Автор: Efraim Rotem,Avinash N. Ananthakrishnan,Doron Rajwan,Ryan D. Wells,Gary A. Andrew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for making an integrated circuit having optical data communication

Номер патента: US09703128B2. Автор: Hui Chen,Danliang Jin,Christopher A. Wiklof,Bing Li,Baoquan Chen,Diyun Huang,Raluca Dinu,Eric Miller,Guomin Yu. Владелец: Brphotonics Produtos Optoeletronicos Ltda. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and apparatus for testing a multi-die integrated circuit device

Номер патента: US20200103464A1. Автор: Michael Fridburg,Erez Menahem,Peter Brokhman. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Placing integrated circuit devices using perturbation

Номер патента: US09638747B2. Автор: Christopher R. Schroeder,Paul J. Diglio,Nader N. Abazarnia,Morten S. Jensen,Rene J. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic equipment having integrated circuit device and temperature sensor

Номер патента: US5477417A. Автор: Akimitsu Ohmori,Morishige Kinjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Target system, debugging system, integrated circuit device, microcomputer and electronic apparatus

Номер патента: US20060190787A1. Автор: Makoto Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Electronic device including a plurality of power management integrated circuits and method of operating the same

Номер патента: US12105661B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Younghoon Lee,Jeehye LEE,Minshik SEOK,Jaekyu Jang,Siyoung Ok,Sangjoo Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Drive integrated circuit package and display device including the same

Номер патента: US09679507B2. Автор: Byung Hyuk Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device including circuit block having hierarchical structure and method of designing the same

Номер патента: US20020070759A1. Автор: Hideki Yamauchi,Tatsushi Ohyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.