Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having dummy lines electrically connected with each other

Semiconductor device having dummy lines electrically connected with each other

Номер патента: US11636887B2
Опубликовано: 25-04-2023
Автор(ы): Byung In KANG, HAN Kyu Lee, Nak Kyu Park
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device

Номер патента: US09576613B2. Автор: Heonjong Shin,Kangwook Park,Jongmil Youn,Hyungsoon Jang,Steve Sunhom Paak,Sunil Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20230189510A1. Автор: Dong-wan Kim,Dong-Sik Park,Jihoon Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570409B2. Автор: Je-min Park,Dae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20190035768A1. Автор: Kazuo Yamaguchi,Naoki Ogawa,Toshitugu Ueda. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device having dummy cell region that are symmetrically disposed about peripheral region

Номер патента: US9472251B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146707A1. Автор: Yoshiro Riho. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225427A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12133381B2. Автор: Junhyoung Kim,Hyunjae Kim,Moorym CHOI,Taemok Gwon,Youngbum Woo,Jongin Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339135A1. Автор: Yong Jin Jeong,Sang Gu Yeo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device having penetrating electrodes each penetrating through substrate

Номер патента: US09411015B2. Автор: Naoki Ogawa,Manabu Ishimatsu,Hideyuki Yokou. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-08-09.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12080348B2. Автор: Chanho LEE,Taehyung Kim,Inhak LEE,Suk Youn,Sangyeop BAECK,Kyuwon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US8937346B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20150099354A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Display device, semiconductor device, and driving method thereof

Номер патента: US20230352491A1. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having floating body type transistor

Номер патента: US09543953B2. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12131781B2. Автор: Sujin Ahn,Kinam Kim,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09461067B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307467A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for driving a semiconductor device having a reading transistor coupled to an oxide semiconductor writing transistor

Номер патента: US09734914B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having fin-type active patterns and gate nodes

Номер патента: US09627390B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

E-fuse structure of semiconductor device

Номер патента: US20170256493A1. Автор: Hyun-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

E-fuse structure of semiconductor device

Номер патента: US20160056109A1. Автор: Hyun-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

E-fuse structure of semiconductor device

Номер патента: US09935049B2. Автор: Hyun-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

E-fuse structure of semiconductor device

Номер патента: US09666526B2. Автор: Hyun-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865604B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same

Номер патента: US09842842B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09478554B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20230298517A1. Автор: Takayuki Ikeda,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09922959B2. Автор: Seok-Cheol Yoon,Seok-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having E-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US09443860B1. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09443592B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and operating method of same

Номер патента: US20180151235A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09899101B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09570446B1. Автор: Sun Young Kim,Bora LEE,In Mo Kim,Hyo Seok Woo,Hoo Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234423A9. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200185528A1. Автор: Daigo Ito,Shunpei Yamazaki,Satoru Okamoto,Daisuke Matsubayashi,Hiroaki Honda,Ryota Hodo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US12096636B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a slit for aligning a connector and a hole for determining positional accuracy of the slit

Номер патента: US20180090182A1. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and memory element

Номер патента: US09786382B1. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180299706A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Tetsuya Iida,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110244605A1. Автор: Yuta YAMAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device including parallel configuration

Номер патента: US20240096800A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chih-Liang Chen,Chi-Yu Lu,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20120056646A1. Автор: Kazunori Watanabe,Makoto Yanagisawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Board-to-board connector capable of readily electrically connecting two parallel boards to each other

Номер патента: SG93876A1. Автор: Abe Hiroki,HIGUCHI Masao,Ibaraki Kazuaki,Matsuda Masakazu,Ishiyama Yoshiaki. Владелец: Japan Aviation Electron. Дата публикации: 2003-01-21.

Semiconductor Device and Method of Forming RDL Under Bump for Electrical Connection to Enclosed Bump

Номер патента: US20130134580A1. Автор: Xusheng Bao,Jian Zuo,Ma Phoo Pwint Hlaing. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor devices including a gate isolation structure and a gate capping layer including different materials from each other

Номер патента: US20210036121A1. Автор: Sangsu Kim,Kangmook Lim,Wooseok Park,Daekwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having dummy active fin patterns

Номер патента: US09929156B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having signal line and power supply line intersecting with each other

Номер патента: US09379053B2. Автор: Kazuhiko Matsuki,Yoshimi Terui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-06-28.

Probe device having cleaning mechanism for cleaning connection conductor

Номер патента: US09638719B2. Автор: Eiichi Shinohara,Munetoshi Nagasaka,Yoshiyasu Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and phase shift photomask having dummy gate patterns

Номер патента: US20060210889A1. Автор: Masashi Fujimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20100020840A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12046668B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method and phase shift photomask having dummy gate patterns

Номер патента: US20100255423A1. Автор: Masashi Fujimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20180331228A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20230268445A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20200111914A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device having defect detection circuit

Номер патента: US20240159823A1. Автор: Young Ock HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160007465A1. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20130032943A1. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09807881B2. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US12027534B2. Автор: Takanori Tsunashima. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220310667A1. Автор: Takanori Tsunashima. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device having dummy terminals

Номер патента: US09930784B2. Автор: Dong Sun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices having standard cells therein with improved integration and reliability

Номер патента: US11798933B2. Автор: Jintae Kim,Jaeha LEE,Dongyeon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Ultrafast optical switching device having a double-junction multiple quantum well structure

Номер патента: US5448080A. Автор: Tae-Hyung Zyung,Byueng-Su Yoo,Pyong-Woon Park,El-Hang Lee,Young-Wan Choi,Seon-Gyu Han,Jong-Tai Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Sensor device having inductors, analog and logic circuits for detecting power flowing through a powerline

Номер патента: US09875962B2. Автор: Hiroshi Oe,Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Kazunori Go,Takasuke Hashimoto,Noriko Yoshikawa,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09799290B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US09508709B2. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device, mask and semiconductor device

Номер патента: US20070134564A1. Автор: Seiichiro Shirai,Takahiro Machida,Shinroku Maejima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11790146B2. Автор: Jintae Kim,Seunghyun Yang,Jaeha LEE,Dongyeon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240265882A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electrical connection structure of touch controlled liquid crystal display device

Номер патента: US20140049702A1. Автор: Jun Ma,Zhongshou Huang,Jialing Li. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for generating test pulse signals

Номер патента: US12105144B2. Автор: Po-Lin Chen,Yueh-Shu Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09984014B2. Автор: Naoshi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Assist cuts disposed in dummy lines to improve metal signal cuts in active lines of a semiconductor structure

Номер патента: US09905552B1. Автор: Lei Yuan,Harry J. Levinson,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09868629B2. Автор: Eiji Hayashi,Wataru Kobayashi,Yasuhiro Yamashita,Nobukazu Oba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153174B2. Автор: Tomoko Ojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240230554A1. Автор: Sunggon Jung,Yujeong Sin,Daehyun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and system

Номер патента: US12094960B2. Автор: Hiroshi Miyata,Shigeki Sato,Toshiyuki Matsui,Soichi Yoshida,Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09917115B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Color sensor and electronic device having the same

Номер патента: US09804080B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09461178B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having fuse pattern

Номер патента: US09449918B2. Автор: Eun-Chul Ahn,Sang-Young Kim,Min-Ho Lee,Moon-Gi Cho,Joo-weon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240257751A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kouhei Toyotaka,Yuto Yakubo,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display device having first and second display areas

Номер патента: US11765952B2. Автор: Jinwoo Park,Sunghwan Kim,Junghoon SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having fuse array and method of making the same

Номер патента: US11626368B2. Автор: Po-Hsiang Huang,Shao-Yu Chou,Chih-hao Chen,Meng-Sheng CHANG,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240321205A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Susumu Kawashima,Yutaka Okazaki,Yuki Okamoto,Hidetomo Kobayashi,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12149237B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having antenna and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09559129B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Kyosuke Ito,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Protection structure for semiconductor device package

Номер патента: US10453805B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Yu-Fan Chang,Re-Ching Lin,Po-Wei Ting,Chih-Feng Chiang,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and method of analyzing same

Номер патента: US20020125473A1. Автор: Eiji Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Protection Structure for Semiconductor Device Package

Номер патента: US20170162518A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Yu-Fan Chang,Re-Ching Lin,Po-Wei Ting,Chih-Feng Chiang,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859294B2. Автор: Kwang Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773798B2. Автор: Kwang Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having device isolation layers

Номер патента: US20240290833A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device having drain side contact through buried oxide

Номер патента: US09431531B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251557A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210358949A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200365614A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12087849B2. Автор: Yuichi Harada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Norihiro Komiyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583423B2. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Device Package with Coupled Substrates

Номер патента: US20240203851A1. Автор: Guru Prasada Rao Amberkar,Mahesh A,Kuruba Anjaneyulu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device package with coupled substrates

Номер патента: WO2024129238A1. Автор: Guru Prasada Rao Amberkar,Mahesh A,Kuruba Anjaneyulu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220285337A1. Автор: Yasuhiro Suematsu,Maya INAGAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258264A1. Автор: Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Shinji Hiramitsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices having air spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847278B2. Автор: Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Semyeong Jang,Jaehyoung Choi,Kyung-Eun KIM,Yongkwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20190199195A1. Автор: Hironori Akiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576977B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device having an embedded source/drain

Номер патента: US20150079740A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20140091478A1. Автор: Kenichi Osada,Futoshi Furuta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of packaging semiconductor device

Номер патента: US4942140A. Автор: Mitsuyuki Takada,Hayato Takasago,Toru Kokogawa,Hideaki Ootsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-07-17.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258316A1. Автор: Kangyoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334681A1. Автор: Donghwa Shin,Ho-In Ryu,Sung-Jin Yeo,Myunghun JUNG,Kyuwon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4440276A1. Автор: Donghwa Shin,Ho-In Ryu,Sung-Jin Yeo,Myunghun JUNG,Kyuwon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US8169035B2. Автор: Yoshiharu Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288142A1. Автор: Shoko HANAGATA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12080712B2. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Packaging of a semiconductor device with a plurality of leads

Номер патента: US12046541B2. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304568A1. Автор: Juyoun Kim,Inyeal Lee,Younghoi Kim,Jaekang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347426A1. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of making a semiconductor device with changeable interconnection

Номер патента: US6069076A. Автор: Yasuji Takahashi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP4404710A1. Автор: Jinsu Lee,Yirang LIM,Junrak CHOI,Yaejin HONG,Jungwoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20200051989A1. Автор: Kojiro Shimizu,Hanae ISHIHARA,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11974436B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150371993A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device with through-mold via

Номер патента: US11869829B2. Автор: Sung Hwan Cho,Ho Choi,Jin Seong Kim,Kwang Ho Kim,Jae Dong Kim,Dong Joo Park,Dae Byoung Kang,Ki Wook Lee,Yeon Soo JUNG. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20230217661A1. Автор: Seungmin Lee,Junhyoung Kim,Joonsung Lim,Youngbum Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Surface emitting type device having a resistance to damage by static electricity

Номер патента: US7566909B2. Автор: Tomoko Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Photovoltaic semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5147468A. Автор: Mikio Deguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11805656B2. Автор: Kun Young Lee,Changhan Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Semiconductor device having high blocking voltage with peripheral circular groove

Номер патента: US4040084A. Автор: Yutaka Misawa,Masahiro Okamura,Tomoyuki Tanaka,Takuzo Ogawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-08-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020102769A1. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20170271297A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20120217616A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203844A1. Автор: Tatsuaki Tsukuda,Yoshihiro Masumura,Takamichi Hosokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices comprising metallizations composed of porous copper and associated production methods

Номер патента: US20190221533A1. Автор: Rudolf Berger,Werner Robl,Horst Theuss,Walter Hartner,Veronika Huber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US20160149031A1. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device, imaging device, and manufacturing apparatus

Номер патента: US11444005B2. Автор: Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US10818671B2. Автор: Sung-hee Han,Ji-Young Kim,Yoo-Sang Hwang,Ki-Seok Lee,Bomg-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Connector structure for housing of pressure-biased semiconductor device

Номер патента: US3559004A. Автор: Harry Rambeau,Fritz Kirschner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-01-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200194565A1. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210398946A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device with transistor in semiconductor subtrate and insulated contact plug extending trough the substrate

Номер патента: US9917129B2. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US10892342B2. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-12.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170373157A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device with transistor in semiconductor substrate and insulated contact plug extending through the substrate

Номер патента: US20180158862A1. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230307422A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200035801A1. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Heat exchange device having dual heat exchangers

Номер патента: US09618229B2. Автор: Yoshinobu Shiborino. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190371798A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2018150292A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230326964A1. Автор: Jung Hwan Chun,Kyu-hee Han,Jun Hyuk LIM,Jong Min Baek,Sang Shin Jang,Koung Min RYU,Bong Kwan Baek,Jung Hoo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253298A1. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140349474A1. Автор: Ki Soo Choi,Jeong Youl KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420455A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional semiconductor device including ferroelectric transistor

Номер патента: US20240032303A1. Автор: Minjun LEE,Youngji Noh,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210183771A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Photovoltaic device i.e. HET photovoltaic cell, for photovoltaic power station, has first conductors interrupted at interconnection zones, and second conductor electrically connecting first conductors with each other at zones

Номер патента: FR2964250A1. Автор: Armand Bettinelli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-02.

Electric household appliance e.g. waffle iron, includes electric connection boxes integrated with each other by hinge that articulates upper and lower heating sub-assemblies together

Номер патента: FR2864750A1. Автор: Pierre Bouvier. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2005-07-08.

Semiconductor devices including a gate isolation structure and a gate capping layer including different materials from each other

Номер патента: US20210036121A1. Автор: Sangsu Kim,Kangmook Lim,Wooseok Park,Daekwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor Device and Method of Forming RDL Under Bump for Electrical Connection to Enclosed Bump

Номер патента: US20130134580A1. Автор: Xusheng Bao,Jian Zuo,Ma Phoo Pwint Hlaing. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Winch i.e. hoisting winch, has axial maintaining unit maintaining flanges against drum and formed by frame with two supports of drum in rotation, where supports are connected with respect to each other by calibrated long spacer bars

Номер патента: FR2928637A1. Автор: Jean Louis Thuel,David Figoureux. Владелец: HUCHEZ TREUILS. Дата публикации: 2009-09-18.

Dual-mass flywheel for drive train of motor vehicle, has two inertial masses connected with respect to each other with elastic effect in rotation via spring unit that has coupling characteristic continuously varied by positioning unit

Номер патента: DE102007044474A1. Автор: Christian Dr. Benatzky,Gerd Dr. Schlager. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-03-19.

Electrical switching device having a vacuum bottle and a flexible electrical connection

Номер патента: EP1139358A1. Автор: Hervé Schneider Electric Industries SA Allard,Reynald Schneider Electric Ind. SA Marin-Pache,Thierry Schneider Electric Industries SA Milan. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2001-10-04.

Implantable medical device having flat electrolytic capacitor with cathode/case electrical connections

Номер патента: WO2002003408A2. Автор: William L. Johnson,Paul A. Pignato,Thomas P. Miltich,Mark D. Breyen,Kurt J. Casby. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Implantable medical device having flat electrolytic capacitor with cathode/case electrical connections

Номер патента: EP1299890A2. Автор: William L. Johnson,Paul A. Pignato,Thomas P. Miltich,Mark D. Breyen,Kurt J. Casby. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2003-04-09.

Three-way main stop valve for use in reservoir of toilet, has closing unit activated between open position in which ways are fluidically connected with respect to each other, and closed position in which one of ways is closed

Номер патента: FR2935458A1. Автор: Laurent Benessiano. Владелец: Laurent Benessiano. Дата публикации: 2010-03-05.

Stream generating device for use in oven, has water supply channel and condensate return channel that are connected with respect to each other and separated by common partition, where water supply channel extends along vertical direction

Номер патента: FR2958727A1. Автор: Sebastien Genevier. Владелец: FagorBrandt SAS. Дата публикации: 2011-10-14.

Parts e.g. inlet manifold, assembling device for forming e.g. vehicle body, has spacer unit forming abutment and stop resistance threshold limit which on exceeding allows parts to connect with respect to each other

Номер патента: FR2858387A1. Автор: Richard Komurian,Jean Paul Vaudry,Luc Schwab. Владелец: Mark IV Systemes Moteurs SAS. Дата публикации: 2005-02-04.

Hood maintaining device, has hood and scarf that are rolled around head and fixed in front of chin to enlarge vision field, where hook and scarf are connected with respect to each other, and tying system to tie scarf at chin

Номер патента: FR2909264A1. Автор: Frederic Vial,Manuel Altenburger,Nathalie Beaufils,Romain Celerier,Colin Rollot,Elodie Thomas,Adrien Vacherand. Владелец: LORRAINE INST NAT POLYTECH. Дата публикации: 2008-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180098420A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Kenichi Kuboyama,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09504154B2. Автор: Eiji Mochizuki,Shinji Tada,Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09449937B2. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09754920B2. Автор: Naoki Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconducter device

Номер патента: US20110187008A1. Автор: Hiroki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240784A1. Автор: Motoaki Saito. Владелец: Pezy Computing KK. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210151394A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with reliable connection between projective electrode and conductive wire of the substrate

Номер патента: US6344372B1. Автор: Takatoshi Suzuki,Rieka Ohuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device, apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425547A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304590A1. Автор: Masakazu Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200043847A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Teruhiro KUWAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09865717B2. Автор: Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160204252A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20180294220A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143181A1. Автор: Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Junghwan Shin,Keunho Lee,Sungwe Cho,Ki-Man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device, its manufacturing method, circuit board, and electronic unit

Номер патента: US20050110141A1. Автор: Hideo Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290738A1. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US10396029B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US10068849B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Multi-layer wiring board substrate and semiconductor device using the multi-layer wiring substrate

Номер патента: US20010054757A1. Автор: Takashi Kurihara,Shigeru Mizuno,Michio Horiuchi,Yuka Tamadate. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Multi-layer wiring substrate and semiconductor device using the multi-layer wiring substrate

Номер патента: EP1168441A3. Автор: Shigeru Mizuno,Michio Horiuchi,Yuka Tamadate,Takashi Kuirhara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432365A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20110012265A1. Автор: Hidenori Egawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having transistor and capacitor

Номер патента: US09793276B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device having dummy patterns and an upper insulating layer having cavities

Номер патента: US5652465A. Автор: Yukio Hosoda,Masaaki Ichikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-07-29.

Semiconductor device with a laser-connected terminal

Номер патента: US20210407955A1. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20120298997A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074658A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11462496B2. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09525023B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09391064B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with multiple channels

Номер патента: US7579657B2. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20140008728A1. Автор: Yoshitaka Kamo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US8809989B2. Автор: Yoshitaka Kamo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240306378A1. Автор: Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09847276B2. Автор: Taeseong Kim,Pil-Kyu Kang,Ho-Jin Lee,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jin Ho An,Jae-hwa Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,Taeyeong Kim,Seongmin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12027573B2. Автор: Chien-Hsien Song,Yu-Jui Chang,Kai-Chuan KAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190386097A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-12-19.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20210273045A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-09-02.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency RF applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US12057474B2. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058A. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190148354A1. Автор: Toshiki Matsubara,Masato Mikawa,Hiroshi Oshino,Nobutaka Ishizuka,Ryohei KOTANI. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: NL2020058B1. Автор: Mikawa Masato,KOTANI Ryohei,MATSUBARA Toshiki,ISHIZUKA Nobutaka,OSHINO Hiroshi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20160211355A1. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304716A1. Автор: Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363493A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09991217B2. Автор: Yasunari Umemoto,Daisuke TOKUDA,Hiroaki Tokuya,Tsunekazu SAIMEI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09589887B2. Автор: Tadashi Maeda,Shinichi Uchida,Shinpei Watanabe,Kazuo Henmi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09559195B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09508669B2. Автор: Yasunari Umemoto,Daisuke TOKUDA,Hiroaki Tokuya,Tsunekazu SAIMEI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and lead frame member

Номер патента: NL2025196B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-10-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085458A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085457A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089972A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223455A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having electric component built in circuit board

Номер патента: US12074113B2. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282763A1. Автор: Donghyun Kim,Hyungjune Kim,In-wook Oh,Byungyun KANG,Jaebong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20200013752A1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: EP4398290A1. Автор: Toshihiro Murayama,Masaki Hatano,Yoshihiro Makita,Atsushi TUKADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device having pads for bonding and probing

Номер патента: US20080012046A1. Автор: Tsukasa Ojiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device with two-dimensional electron gas

Номер патента: US09966441B2. Автор: Masahiko Yamamoto,Yoshiro Baba,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859297B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jong-hyun Park,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09716181B2. Автор: Yong-Hoon Son,Phil Ouk NAM,Yeon-Sil Sohn,Byeongju Kim,Kyunghyun Kim,JongHeun Lim,Kwangchul PARK,Jin-l Lee,Wonbong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having a gate cutting region and a cross-coupling pattern between gate structures

Номер патента: US09589899B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Yu-Sun Lee,Dae-Hee Weon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234267A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Yuta Kawamoto,Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device having electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190057960A1. Автор: Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230011401A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20090134519A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having multilevel interconnection

Номер патента: US20020003304A1. Автор: Hisashi Kaneko,Noriaki Matsunaga,Soichi Nadahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device without a break region

Номер патента: US20220165734A1. Автор: Min Su Kim,Dae Seong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220262952A1. Автор: Masataka Ino. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US20240371829A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US09950898B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Teruyuki Ohashi,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297232A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor module, semiconductor device, and electric power device

Номер патента: US09893643B1. Автор: Nobuhisa Honda,Yasuo Kotake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09711500B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having multiple magnetic shield members

Номер патента: US09490221B2. Автор: Tadashi Arai,Yukiharu Takeuchi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having multiple magnetic shield members

Номер патента: US09466784B2. Автор: Tadashi Arai. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device

Номер патента: US9397160B2. Автор: Hirokazu Kato,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi,Keisuke Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222255A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260917A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Yasuhiro Kawai,Hiroaki Katou,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075494A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240164118A1. Автор: Kazuaki TSUCHIYAMA,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and data storage system including a landing pad on an external side region of a bypass via

Номер патента: US12051664B2. Автор: Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307511A1. Автор: Kouta Tomita,Takafumi DEGUCHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20130127033A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US12080675B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Plastic-packaged semiconductor device including a plurality of chips

Номер патента: US20020000672A1. Автор: Ryuichiro Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20030178712A1. Автор: Yasutoshi Nakazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130130442A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240334673A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM,Hyun Geun Choi,In Cheol NAM,Bo Won YOO,Hong Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12062586B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weil Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US09978684B2. Автор: Changseop YOON,Boram IM,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929279B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US20240379610A1. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09721861B2. Автор: Tetsuo Yamashita,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo,Mituharu Tabata,Tomohiro Hieda,Masaomi MIYAZAWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices having a conductive layer stacking with an insulating layer and a spacer structure through the conductive layer

Номер патента: US12136586B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620681B2. Автор: Hwankuk YUH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09490263B2. Автор: RWIK Sengupta,Hyun-Jong Lee,ChulHong Park,Kwanyoung Chun,Yusun LEE,Sooyeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09443950B2. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20160284682A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Teruyuki Ohashi,Kazuto Takao,Ryosuke llJIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor devices including a lower semiconductor package, an upper semiconductor package on the lower semiconductor package, and a connection pattern between the lower semiconductor package and the upper semiconductor package

Номер патента: US12057366B2. Автор: Jang Woo Lee,Ji Hwang Kim,Jong Bo Shim,Yung Cheol KONG,Young Hoon HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230284449A1. Автор: Hyunmook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20070029673A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369253A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09876092B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09748229B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US09711498B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Teruyuki Ohashi,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09659901B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP

Номер патента: US09443797B2. Автор: Yaojian Lin,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sheila Marie L. Alvarez,Yang Kern Jonathan Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431403B2. Автор: Kenji Komeda. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09406603B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240234504A9. Автор: Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Kazuhiro Kawahara,Seiya SUGIMACHI,Okinori Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device having external electrodes exposed from encapsulation material

Номер патента: US20120319283A1. Автор: Toru Kanno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor devices having reflective symmetry

Номер патента: US11996406B2. Автор: Sungil Park,Junggun YOU,Sunggi HUR,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006359A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010010406A1. Автор: Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190273109A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150162288A1. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US20140183730A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240282829A1. Автор: Young Woo Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20160372418A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20200357784A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor devices

Номер патента: US11742411B2. Автор: Geum-Jong Bae,Myung-Gil Kang,Dong-il Bae,Ho-jun Kim,Chang-Woo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240244851A1. Автор: Hwan Kim,Seulji SONG,Hodae Kim,Kyudong Park. Владелец: Samsunig Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US8937390B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12080788B2. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290840A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140239441A1. Автор: Shoji Kobayashi,Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12107159B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Ryohei GEJO,Hiroki Nemoto,Akihiro Goryu,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09953966B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including semiconductor chips electrically connected via a metal plate

Номер патента: US09953902B2. Автор: Hiroshi Matsuyama,Shigeaki Hayase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09911778B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Super junction semiconductor device

Номер патента: US09865677B2. Автор: Ki Tae Kang,Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON,Dae Byung Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including a boundary of conductivity in a substrate

Номер патента: US09748240B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09640526B2. Автор: Koki Narita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570414B2. Автор: Masatoshi Fukuda,Satoshi Tsukiyama,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09537014B2. Автор: Kosei Noda,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material

Номер патента: US09508742B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device assembly with package interconnect extending into overlying spacer material, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09508686B2. Автор: Todd O. Bolken,Chan Yoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having polysilicon plugs with silicide crystallites

Номер патента: US09450062B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09443802B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09397088B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US11855165B2. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20220020859A1. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080400A1. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120122248A1. Автор: Tsuyoshi Hirayu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055332A1. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025320A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20220005946A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20230268441A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: US20210057555A1. Автор: Katsumi Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: US11183588B2. Автор: Katsumi Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406902A1. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device having metal oxide film

Номер патента: US8445942B2. Автор: Ryohei BABA,Shinichi Iwakami. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12040301B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20160079273A1. Автор: Tae Kyung Kim,Tae Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030110A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250085A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Wei-Chih Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20150084115A1. Автор: Tae Kyung Kim,Tae Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device having a pair of transistors that are directly coupled and capacitively coupled

Номер патента: US9142551B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: US20030214033A1. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Tetsu Toda,Shigeki Tsubaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: EP1353377A3. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Shigeki Tsubaki,Tetsu Tode. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Lead frame and semiconductor device having the same as well as method of resin-molding the same

Номер патента: US20030020148A1. Автор: Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274665A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190206887A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240290857A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Pixel and display device having the same

Номер патента: US12080749B2. Автор: Jong Chan Lee,Sung Jin Lee,Tae Hee Lee,Kyung Ah CHOI,Myeong Hun SONG,Sung Geun BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210167012A1. Автор: Koichi Ando,Shunji Kubo,Tetsuya Iida,Eiji Io,Hideyuki Tajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20190198462A1. Автор: Yoshiaki Sato,Yutaka Uematsu,Kazuyuki Nakagawa,Masayoshi Yagyu,Shuuichi Kariyazaki,Norio Chujo,Keita TSUCHIYA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US20020041033A1. Автор: Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230069800A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210119053A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4421858A1. Автор: Young Woo Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US12094974B2. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240339395A1. Автор: Daeun Kim,Rakhwan Kim,Jeongik KIM,Chunghwan Shin,Seongdong LIM,Byungchul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and wiring substrate

Номер патента: US20240321714A1. Автор: Shinichiro Sekijima,Misaki Hosaka. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of manufacturing semiconductor devices having buried contacts and related semiconductor devices

Номер патента: US09953981B2. Автор: Ji-Young Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09935030B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905529B2. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata,Tsuyoshi Kida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having fin-type patterns

Номер патента: US09871042B2. Автор: Dong Suk Shin,Ki Hwan Kim,Jung Gun YOU,Gi Gwan PARK,Hyun Yul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device comprising regions of different current drive capabilities

Номер патента: US09859238B2. Автор: Koji Yamamoto,Atsunobu Kawamoto,Shinsuke GODO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09741838B2. Автор: Masaki Okazaki,Yukie Nishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728478B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09679938B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09653557B2. Автор: Tomoko Matsudai,Bungo Tanaka,Keiko Kawamura,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12148683B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09553202B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Jiro Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09530792B2. Автор: Tae Kyung Kim,Tae Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508684B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having single layer substrate and method

Номер патента: US09431334B2. Автор: Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Hyung Il Jeon,Jae Min Bae,Tae Ki Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of manufacturing semiconductor devices having buried contacts and related semiconductor devices

Номер патента: US09419000B2. Автор: Ji-Young Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09406796B2. Автор: Katsushige Yamashita,Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09343467B2. Автор: Kenrou KIKUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240153854A1. Автор: Keita TSUCHIYA,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260686A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11784253B2. Автор: Kazuyuki Ito,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device having a channel plug

Номер патента: US20220336437A1. Автор: Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240243183A1. Автор: Kyungwook Park,Sangmin Kang,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Substrates of semiconductor devices having varying thicknesses of semiconductor layers

Номер патента: US20240063225A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Shafiullah Syed,Jianwei PENG,Man Gu,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: EP4404275A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130334611A1. Автор: Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Eiji Sugiyama,Kyosuke Ito,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230255031A1. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4225005A2. Автор: Boun Yoon,Kihoon JANG,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-09.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

D/A converter circuit, semiconductor device incorporating the D/A converter circuit, and manufacturing method of these

Номер патента: EP1469507A3. Автор: Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun c/o Koyama,Kazuhiko c/o Sharp Kabushiki Kaisha Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20020008318A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220285553A1. Автор: Kazuyuki Ito,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor quantum well structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US5848085A. Автор: Jun Nitta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and storage device

Номер патента: US20240298435A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290693A1. Автор: Bin Zhang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180012984A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170005185A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Pattern structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240266284A1. Автор: Alexander Schmidt,Kyungmi YEOM,Somin Cheon,Chulhae Park,Changuk Oh,Kyungtaek Cho,Eunsong Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312877A1. Автор: Keiji Wada,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12094826B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240355770A1. Автор: Mi-Na Choi,Heejung Hwang,Young-Deuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799741B2. Автор: Kai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780203B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09741640B2. Автор: Hiroki Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor layer, unit cells, source, and gate

Номер патента: US09691759B2. Автор: Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having conductive bumps of varying heights

Номер патента: US09679862B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589814B2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09543295B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Masayuki Sakakura,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of driving semiconductor device

Номер патента: US09503087B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with bump stop structure

Номер патента: US09379075B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US4937656A. Автор: Masanobu Kohara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case

Номер патента: US5646445A. Автор: Shinobu Takahama,Toshikazu Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11837657B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20140138810A1. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Adhesive composition and semiconductor device production method

Номер патента: US11795356B2. Автор: Keiko Ueno,Kazutaka Honda. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277498A1. Автор: Masato Sugita,Gen Watari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20220173056A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100323488A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240215253A1. Автор: Seonghun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee,Bosuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180342443A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152555A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10559523B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10062638B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240258391A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230320066A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungeun CHOI,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device having buried bias pads

Номер патента: US20220013542A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device having buried bias pads

Номер патента: EP3937242A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12080765B2. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device, particle, and semiconductor device

Номер патента: US20110201193A1. Автор: Fumihiro Bekku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304510A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321858A1. Автор: Cheng-Yu Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09960267B2. Автор: Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09917102B2. Автор: Katsuhisa Nagao,Noriaki Kawamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09871103B2. Автор: Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09853059B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09847300B2. Автор: Koji Saito,Tomishi Takahashi,Mamoru Otake,Nobutaka Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799607B2. Автор: Hyun-Seung Song,Hyeonuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09748164B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685462B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685442B2. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a positive temperature coefficient structure

Номер патента: US09660029B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method

Номер патента: US09659985B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Super junction semiconductor device having strip structures in a cell area

Номер патента: US09627471B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices having multiple gate structures and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09590103B2. Автор: Jin Wook Lee,Byeong Chan Lee,Kwan Heum Lee,Yoon Hae KIM,Jong Ki JUNG,Kwang Yong YANG,Myung II Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09536835B2. Автор: Hyun-Seung Song,Hyeonuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520297B2. Автор: Dong-Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter

Номер патента: US09490241B2. Автор: Masumi Nomura,Kosei Noda,Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09478531B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09466548B2. Автор: Taishi Sasaki,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09449970B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Moo-Gyu BAE,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Photogalvanic installation electric connection device

Номер патента: RU2704670C1. Автор: Рено ВИНЬЯЛЬ,Поль ВУТЕР,Лионель ФУРДРИНЬЕ,Уфтухиос ХИРАКИС,Андреа ТОРМА. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-10-30.

Hand-held device having an axis of rotation

Номер патента: RU2566694C2. Автор: Фанг ДОНГ,Флорина УИНТЕР. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuit memory devices having dummy memory cells therein for inhibiting memory failures

Номер патента: US5867434A. Автор: Sang-Seok Kang,Jin-Seok Lee,Chang-hag Oh,Jeon-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20090134430A1. Автор: Kazuhiko Itaya,Kazuhide Abe,Tadahiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230268255A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20120091571A1. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20150228565A1. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4231345A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device comprising multilayer interconnect structure with overlapping vias

Номер патента: US8405224B2. Автор: Kazuo Itoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20110089574A1. Автор: Kazuo Itoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device having circuit board interposed between two conductor layers

Номер патента: US20210193628A1. Автор: Akira Hirao,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: EP4376568A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230262960A1. Автор: Hyuk Kim,Yejeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Optical semiconductor device

Номер патента: US12046870B2. Автор: Atsushi Nakamura,Ryosuke Nakajima,Kouji Nakahara,Shigetaka Hamada,Ryu Washino,Shoko Yokokawa. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20020179978A1. Автор: Kimitoshi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9607962B2. Автор: Kentaro Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120077321A1. Автор: Yutaka Inaba,Takuya Futase,Shigenari Okada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12068235B2. Автор: Masaaki Matsuo,Yoshihisa Tsukamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device socket

Номер патента: US20070026699A1. Автор: Fumiaki Otsuji,Katunori Tahahashi. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device and massive data storage system including the same

Номер патента: US20230307353A1. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20120193722A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US20140175607A1. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US9147655B2. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor Device with Trench Structures

Номер патента: US20130320487A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device having a power cutoff transistor

Номер патента: US20090309170A1. Автор: Masakatsu Nakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148897A1. Автор: Kentaro Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20180270956A1. Автор: Daisuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US7151316B2. Автор: Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20030052394A1. Автор: Namiki Moriga,Yasuhito Suzuki,Akira Takaki,Hiroshi Horibe,Fumiaki Aga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060284283A1. Автор: Tetsuya Nakamura,Kazuyuki Sawada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor device having heat dissipation structure of curved profile and a manufacturing method thereof

Номер патента: US12094836B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Hsuan-Ning Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12087765B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices having enhanced key patterns therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20240313049A1. Автор: Byounghoon Kim,Myoungki JUNG,Hyunwoong KIM,Sungsik Park,Jonghwa Baek,Hyunju Song,KyungMin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4394864A3. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Mark Gajda,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Stacked semiconductor device with connection pad shield

Номер патента: US20240355765A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor device with connection pad disposed between connection pad shields

Номер патента: US20240355858A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997638B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09978723B2. Автор: Yoshitaka Tadaki,Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09972679B2. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Desaturable semiconductor device with transistor cells and auxiliary cells

Номер патента: US09899478B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09847282B2. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09805950B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device mounting method

Номер патента: US09793221B2. Автор: Takashi Kubota,Norio Kainuma,Hidehiko Kira,Takumi Masuyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780226B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09660356B1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660102B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09620593B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09613890B2. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US09570411B2. Автор: Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film semiconductor device

Номер патента: US09536907B2. Автор: Takashi Nakamura,Masahiro Tada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Circuit, semiconductor device, and clock tree

Номер патента: US09515661B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US5057880A. Автор: Kanetake Takasaki,Takashi Eshita,Toshikazu Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor device having contacting but electrically isolated regions of opposite conductivity types

Номер патента: US4547681A. Автор: Hideharu Egawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Semiconductor device and forming method therefor

Номер патента: EP4322182A1. Автор: Jie Bai,Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894373B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Chip stack, semiconductor devices having the same, and manufacturing methods for chip stack

Номер патента: WO2014034691A1. Автор: Masanori Yoshida. Владелец: PS4 Luxco S.a.r.l.. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230397437A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140218992A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated structure of semiconductor devices having shared contact plug and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030297A1. Автор: Chin-Chin Tsai,Han-Chung Tai,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20170221931A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Electrical connector with well electrical connection performance

Номер патента: US20110244732A1. Автор: Yu Zhu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240260250A1. Автор: Jinseong Lee,Jihun Kim,Jihye Kwon,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20070075331A1. Автор: Masahito Otsuki,Seiji Momota,Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: US7462911B2. Автор: Masahito Otsuki,Seiji Momota,Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240274657A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395343A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device having stacked field effect transistors

Номер патента: US20200168602A1. Автор: Masakazu Kojima,Yun Tae NAM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and massive data storage system including the same

Номер патента: US12057391B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140021489A1. Автор: Kenji Hamada,Tsuyoshi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180145128A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11742279B2. Автор: Koshun SAITO,Kota ISE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers

Номер патента: US5554864A. Автор: Kuniaki Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity

Номер патента: US20180374943A1. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Sheppard,Yueying Liu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device having wiring layer

Номер патента: US20040188835A1. Автор: Masahiro Owada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device having MOS source follower circuit

Номер патента: US5382819A. Автор: Atsushi Honjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP2899750A3. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060189070A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266347A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Yu-Hao Ho,Yeh-Jen Huang,Li-Yang Hong. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321963A1. Автор: Kazutoshi Nakamura,Daiki Yoshikawa,Shunta MURAI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313045A1. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yasunobu Saito,Takuya YASUTAKE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7145197B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432363A1. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yasunobu Saito,Takuya YASUTAKE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357803A1. Автор: DongMin Choi,Jay-Bok Choi,Hyo-Sub Kim,Junhyeok Ahn,Sangkyu SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Method of forming semiconductor device having segmented interconnect

Номер патента: US20240347546A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device for reducing self-inductance

Номер патента: US09991180B2. Автор: Hideki Tsukamoto,Mituharu Tabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09972612B2. Автор: Tomoo MORINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device including protective film over a substrate

Номер патента: US09972600B2. Автор: Hideko Mukaida,Yoichiro Kurita,Satoshi Tsukiyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09935143B2. Автор: Yukio Maehashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field plate trench semiconductor device with planar gate

Номер патента: US09818827B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09666722B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09660061B2. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device including magnetically coupled monolithic integrated coils

Номер патента: US09640602B2. Автор: Anton Mauder,Kevni Bueyuektas,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09627418B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09620588B2. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having a plurality of electric field relaxation layers and method for manufacturing same

Номер патента: US09536942B2. Автор: Kenji Hamada,Yuji Murakami,Akihiko Furukawa,Kohei Ebihara,Tsuyoshi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having semiconductor chip affixed to substrate via insulating resin adhesive film

Номер патента: US09524949B2. Автор: Daisuke Sato,Takashi Matsumura,Yasuhiro Suga,Kazunori Hamazaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502489B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09472617B2. Автор: Hyeon-Woo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09455240B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Kazunori Hasegawa,Michiaki Sugiyama,Takafumi Nishita,Jumpei Konno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices having a capacitor and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050073053A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor device having CMOS transistors

Номер патента: US5841185A. Автор: Akio Ishikawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080179687A1. Автор: Yoshihiro Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US3678346A. Автор: Jack M Hirshon,Philip D Warner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1972-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220310490A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US10128345B2. Автор: Takafumi Yamada,Ryoichi Kato,Akio Kitamura,Yoshitaka Nishimura,Kohei YAMAUCHI,Tatsuhiko ASAI,Hiromichi Gohara,Souichi Yoshida,Hajime MASUBUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080290477A1. Автор: Kazuo Hara,Hidetoshi Suzuki,Tomoyuki Sato,Hirofumi Yamaguchi,Shuichi Muramatsu,Motoki Yamazaki,Masaki Asari. Владелец: Kokusan Denki Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US11791316B2. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US20210305211A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: US20240055411A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11948864B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180166549A1. Автор: Takafumi Yamada,Ryoichi Kato,Akio Kitamura,Yoshitaka Nishimura,Kohei YAMAUCHI,Tatsuhiko ASAI,Hiromichi Gohara,Souichi Yoshida,Hajime MASUBUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030112A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Hiroto Sakai,Xiaopeng Wu,Yuta OKAWAUCHI,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices with redistribution structures configured for switchable routing

Номер патента: EP4128346A1. Автор: David R. Hembree,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US9147759B1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having a resistance element with a reduced area

Номер патента: US6166425A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US10700060B2. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186273A1. Автор: Takashi Matsuo,Hitoshi Ikei,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: WO2015026034A1. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit

Номер патента: RU2489769C1. Автор: Алексей Сергеевич Адонин,Александр Георгиевич Бабак,Евгений Михайлович Воробьевский,Юрий Владимирович Лилин. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод". Дата публикации: 2013-08-10.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL CONNECTION SYSTEM THAT ABSORBS MULTI-CONNECTOR POSITIONAL MATING TOLERENCE VARIATION

Номер патента: US20120003868A1. Автор: . Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001714A1. Автор: LEE Young Min,Kim Jong Hae,Park Geun Young,Seo Sang Joon,Shin Hwi Beom. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLARIZATION-TRACKING DEVICE HAVING A WAVEGUIDE-GRATING COUPLER

Номер патента: US20120002971A1. Автор: Doerr Christopher R.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Switches for use in connection with Selective Electric Signalling Apparatus.

Номер патента: GB190314375A. Автор: Charles Mark Jacobs,Arthur Harold Nicholson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-04-28.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING DEVICE HAVING CHARGING WIRE CLEANING MECHANISM

Номер патента: US20120002999A1. Автор: Itabashi Nao. Владелец: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.