• Главная
  • One-time programable cell circuit, semiconductor integrated circuit including the same, and data judging method thereof

One-time programable cell circuit, semiconductor integrated circuit including the same, and data judging method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

One-time programming cell

Номер патента: US09773792B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

One-time programming cell

Номер патента: US20170323895A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

One-time programming cell

Номер патента: US20170278855A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Program control circuit for antifuse-type one time programming memory cell array

Номер патента: US11881274B2. Автор: Po-Ping Wang,Chia-Fu Chang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Program control circuit for antifuse-type one time programming memory cell array

Номер патента: EP4181141A1. Автор: Po-Ping Wang,Chia-Fu Chang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

One-time programming device and a semiconductor device

Номер патента: US09761595B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Bit cell structure for one-time-programming

Номер патента: US12133377B2. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical fuse memory in one-time program memory cells

Номер патента: US11800703B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Vertical fuse memory in one-time program memory cells

Номер патента: US11818882B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Bit cell structure for one-time-programming

Номер патента: US20220328504A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20130027095A1. Автор: Yeon-Uk Kim,Jung-Taek You. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Apparatus and method thereof for multiple-time programming using one-time programming device

Номер патента: US20050232039A1. Автор: Jerry Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-10-20.

One-time programming cell

Номер патента: US20170278855A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

ONE-TIME PROGRAMMING CELL

Номер патента: US20170323895A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

CODE GENERATING APPARATUS AND ONE TIME PROGRAMMING BLOCK

Номер патента: US20170053708A1. Автор: Yang Ching-Sung,Hsu Ching-Hsiang,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

CODE GENERATING APPARATUS AND ONE TIME PROGRAMMING BLOCK

Номер патента: US20190096496A1. Автор: Yang Ching-Sung,Hsu Ching-Hsiang,Wong Wei-Zhe. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

CODE GENERATING APPARATUS AND ONE TIME PROGRAMMING BLOCK

Номер патента: US20190096497A1. Автор: Yang Ching-Sung,Hsu Ching-Hsiang,Wong Wei-Zhe. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

VERTICAL FUSE MEMORY IN ONE-TIME PROGRAM MEMORY CELLS

Номер патента: US20210183872A1. Автор: LIN Chung-Te,Lai Sheng-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

VERTICAL FUSE MEMORY IN ONE-TIME PROGRAM MEMORY CELLS

Номер патента: US20220375949A1. Автор: LIN Chung-Te,Lai Sheng-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Circuits and methods for hardening volatile memory circuits through one time programming

Номер патента: US8611138B1. Автор: Charles Y. Chu,Jeffrey Xiaoqi Tung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

One-Time Programable Memory of Electrical Fuse Type With High Reliability For PMICs

Номер патента: KR101403500B1. Автор: 김영희,장지혜. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-06-11.

One time programming bit cell

Номер патента: US8482952B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Wei-Li Liao,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

One time programming memory cell using MOS device

Номер патента: US20070109852A1. Автор: Pei-Chun Liao,Yung-Sheng Tsai,Chin-Yuan Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Electrical fuse cell, one-time programming memory device and integrated circuit

Номер патента: TWI311810B. Автор: Hung-jen Liao,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-01.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20140185356A1. Автор: CHA Jin-Youp. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20140085012A. Автор: 차진엽. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-07.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMING MEMORY CELL AND ARRAY STRUCTURE WITH SAME

Номер патента: US20170148801A1. Автор: Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe,Ho Ping-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Vertical fuse memory in one-time program memory cells

Номер патента: US20240023327A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

One-time program cell array circuit and memory device including the same

Номер патента: KR102031088B1. Автор: 김윤철,황정태,윤현수,김관언. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-10-15.

Apparatus and method configured to use one-time programming device for multiple-time programming

Номер патента: JP4381343B2. Автор: 世斌 徐. Владелец: 聯詠科技股▲分▼有限公司. Дата публикации: 2009-12-09.

System and method for one-time programmed memory

Номер патента: EP1354359A1. Автор: Henry Chen,Akira Ito,Vincent Chen,Liming Tsau,Surya Battacharya,Jay Shiau. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-10-22.

Semiconductor memory integrated circuit and layout method of the same

Номер патента: TW200541051A. Автор: Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-16.

Memory cell with non-destructive one-time programming

Номер патента: WO2003069630A3. Автор: Alexandre Malherbe,Luc Wuidart,Michel Bardouillet. Владелец: St Microelectronics Sa. Дата публикации: 2004-05-06.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: US20170053925A1. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Antifuse-type one time programming memory with forksheet transistors

Номер патента: EP4435866A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Antifuse-type one time programming memory with forksheet transistors

Номер патента: US20240324191A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: US09634015B2. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Code generating apparatus and one time programming block

Номер патента: US10181357B2. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of forming a one-time-programming (OTP) bit

Номер патента: US10910078B1. Автор: Yu Chou Ke. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Fuse-type one time programming memory cell

Номер патента: US20230047939A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US7716545B2. Автор: Masaaki Shimooka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20120269012A1. Автор: Ga-Young Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Self-Detecting and Data Rewriting System and Application Method Thereof

Номер патента: US20240152469A1. Автор: Chien-Liang Kuo. Владелец: Yahalala Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US9691969B2. Автор: Harry Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US20170092845A1. Автор: Harry Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Three dimensional integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US9214926B2. Автор: Tsugio Takahashi. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US7673200B2. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

ONE TIME PROGRAMMING MEMORY CELL, ARRAY STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160013193A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and one time programming control method thereof

Номер патента: KR100558486B1. Автор: 민병준,전병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

One time programming memory cell, array structure and operating method thereof

Номер патента: US9431111B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

One-time programming in reprogrammable memory

Номер патента: US09823860B2. Автор: Marc Vauclair,Philippe Teuwen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: US09799662B2. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

오티피[OTP(One Time Programable)] 인크립션(Encryption) 회로

Номер патента: KR980011494A. Автор: 오명규. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

ONE-TIME-PROGRAMMING (OTP) MEMORY CELL WITH FLOATING GATE SHIELDING

Номер патента: US20170221910A1. Автор: Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung,Chen Hung-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

The memory element of anti-fuse type one-time programming and its array structure of correlation

Номер патента: CN106469726A. Автор: 翁伟哲,吴孟益,何秉隆. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Systems and Methods for Providing Security for One-Time Program Data

Номер патента: KR102036159B1. Автор: 세승 윤,애닐 코타,바드리 쿠벤드란. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-10-24.

One-time programming in Reprogrammable memory

Номер патента: CN104916321B. Автор: 马克·沃克莱尔,菲利普·特温. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-01-29.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: EP3133605B1. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: EP3133607B1. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-19.

Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same

Номер патента: EP3133608B1. Автор: Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170092845A1. Автор: Chiang Tien-Wei,Chuang Harry Hak-Lay. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20160141005A1. Автор: LEE Sang-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor integrated circuit devices and modules with the same

Номер патента: KR100454123B1. Автор: 장성진,전영현,강창만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR101899084B1. Автор: 김용주,장재민,최해랑,권대한. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: KR100940849B1. Автор: 김경남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-09.

Clock Receiver in Semiconductor Integrated Circuit and Method of Controlling the Same

Номер патента: KR101033467B1. Автор: 이현우,김기한,윤원주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-09.

Semiconductor integrated circuit and IC card using the same

Номер патента: EP0587445B1. Автор: Atsuo C/O Mitsubishi Denki K.K. Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor system with the same

Номер патента: TW201832346A. Автор: 李太龍. Владелец: 韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2018-09-01.

Semiconductor Integrated Circuits and Circuit Devices Using the Same

Номер патента: KR100286859B1. Автор: 마사아키 오노. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2001-04-16.

Semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: CN1467749A. Автор: 山内宽行,ɽ�ڿ���. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: CN100580635C. Автор: 下冈正明. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US8542044B2. Автор: Yong-Ju Kim,Dae-Han Kwon,Hae-Rang Choi,Jae-Min Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: KR100930416B1. Автор: 김경남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-12-08.

Clock delay adjustment circuit for semiconductor integrated circuit and control method of the same

Номер патента: US20110242914A1. Автор: Yusuke Ito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor integrated circuit and method of operating the same

Номер патента: CN101206917A. Автор: 金真怜,宋基焕,朴德夏. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-25.

Integrated circuit and apparatuses including the same

Номер патента: US20130322177A1. Автор: Ji-Sung Kim,Eui-Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

INTEGRATED CIRCUIT AND APPARATUSES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130322177A1. Автор: KIM Eui-Seung,KIM Ji-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Integrated circuit and method for operating the same

Номер патента: US20130335115A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140111254A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140111255A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

Integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US20150109844A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURES, INTEGRATED CIRCUITS, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190304521A1. Автор: Tahmasebi Taiebeh,SEET CHIM SENG. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Multi functional integrated circuit and source driver having the same

Номер патента: KR100927790B1. Автор: 마사토 니시무라. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-11-20.

Gate driving integrated circuit and display device using the same

Номер патента: KR101395997B1. Автор: 윤중선. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2014-05-28.

Integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: KR101957814B1. Автор: 송청기. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-03-14.

Multi-functional integrated circuit and source driver having the same

Номер патента: CN101727808B. Автор: 西村雅人. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Integrated circuits and methods for forming the same

Номер патента: CN102136477B. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Integrated circuit chip and system having the same

Номер патента: US8786326B2. Автор: Seung-Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-22.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US20090100305A1. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US20130130450A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Low Leakage Capacitor for Analog Floating-Gate Integrated Circuits

Номер патента: US20120241829A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US8558296B2. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Clock generating circuit, semiconductor device including the same, and data processing system

Номер патента: US20150214962A1. Автор: Kazutaka Miyano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-07-30.

Clock generating circuit, semiconductor device including the same, and data processing system

Номер патента: US09438251B2. Автор: Kazutaka Miyano. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Voltage generation circuits, semiconductor devices including the same, and methods of generating voltages

Номер патента: US20180091120A1. Автор: Byung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Non-volatile memory device, method for operating the same and data storage device including the same

Номер патента: US20190103165A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Low voltage detection circuit, nonvolatile memory apparatus including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09761317B2. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Electronic device and data-management method thereof

Номер патента: US09443604B2. Автор: Li-Shuo HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Display panel and method for driving the same, and display apparatus

Номер патента: US20240135857A1. Автор: Ming Fang,Min Huang,Jiancai Huang,Yuhao ZHONG. Владелец: Xiamen Tianma Optoelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data processing circuit, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160350316A1. Автор: Kyoung Lae Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory module, memory system including the same and operation method thereof

Номер патента: US09627095B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150262599A1. Автор: KUROSAWA Minoru,ITAGAKI Kichiya,KOYAMA Hideho. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: CN104916296A. Автор: 黑泽稔,小山秀穗,板垣吉弥. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Secure one-time programming undo system

Номер патента: US20240086083A1. Автор: Austin Patrick Bolen,Jonathan Jay Kellen,Gregory Martin Allen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-14.

Suspension board with circuit and producing method thereof

Номер патента: US20120175151A1. Автор: Masaki Mizutani. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Suspension board with circuit and producing method thereof

Номер патента: US8525037B2. Автор: Masaki Mizutani. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Driving integrated circuit, display device including the same, and method of measuring bonding resistance

Номер патента: US9772514B2. Автор: Jong-Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20100007368A1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit and control method for the same

Номер патента: US20140049316A1. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US7872490B2. Автор: Hideaki Konishi,Masayasu Fukunaga. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20100213970A1. Автор: Hideaki Konishi,Masayasu Fukunaga. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20020101249A1. Автор: Hirotaka Shimoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: US09990248B2. Автор: Junho Park,Yanghyo Kim,Dokyung Kim,Sooyoung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US8508249B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Clock and data recovery system and operating method thereof

Номер патента: EP4213437A1. Автор: Gaurav Malhotra. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Sanghoon Baek,Jaewoo SEO,Seungman Lim,Jisu YU,Hyeongyu You,Hakchul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Display driving method, display driver integrated circuit, and electronic device comprising the same

Номер патента: US09997131B2. Автор: Dong Hui Kim,Young Hee Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US09690316B2. Автор: Gun-Hee YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Multi-threshold integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20240055431A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Jaehee Cho,Jisu YU,Geonwoo Nam,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240143888A1. Автор: Yu-Jung Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230385518A1. Автор: John Lin,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20180188795A1. Автор: Chih-Yuan Yang,Chia-Fen Lin,Wen-Hsia Kung. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960193B2. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional integrated circuit and testing method for the same

Номер патента: US20130135004A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takashi Morimoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160315099A1. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: US09983617B2. Автор: Chan Woo Park,Je Kook Kim,Min Shik SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Waveplate for optical integrated circuits and methods for manufacturing the same

Номер патента: US6795600B1. Автор: Anthony J. Ticknor. Владелец: Lightwave Microsystems Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Data driving integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US11854463B2. Автор: Jung Bae YUN,Jae Uk Jeon,Man Jeong Ko,Byung Seob Song. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Antifuse-type one time programming memory cell with gate-all-around transistor

Номер патента: US20230371249A1. Автор: Chun-Hung Lin,Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

One-time programming (otp) key revocation from a two-dimensional key storage structure of a system on a chip (soc)

Номер патента: US20230318819A1. Автор: Zengli Duan,Dengxue Yan. Владелец: Fortinet Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Virtual one-time programming (otp) to avoid dead chip during otp device programming

Номер патента: US20230315919A1. Автор: Zengli Duan,Dengxue Yan. Владелец: Fortinet Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Personal electronic device and data theft prevention system and method thereof

Номер патента: US09424434B2. Автор: Kuan-Ju Huang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

ONE-TIME PROGRAMMING IN REPROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150261458A1. Автор: Vauclair Marc,Teuwen Philippe. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2015-09-17.

Systems and Methods to Provide Security to One Time Program Data

Номер патента: US20170300251A1. Автор: Yoon Sei Seung,Kota Anil,Kubendran Bhadri. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Virtual secure on-chip one time programming

Номер патента: WO2008071572A1. Автор: Christian Gehrmann,Lennart Wegelid,Martin Svenningsson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: US20150234661A1. Автор: Tsutomu Yamada,Nobuyasu Kanekawa,Hiromichi Yamada,Kesami Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Crypto device, integrated circuit and computing device having the same, and writing method thereof

Номер патента: US11886624B2. Автор: Ingoo Heo,Youngwook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20130263077A1. Автор: BAEK Sang-hoon,SEO Jae-woo. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGINING THE SAME

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Nozuyama Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20130328583A1. Автор: Wada Hiroki,Maeda Yoichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: US20150106635A1. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT (IC), METHOD OF OPERATING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150154734A1. Автор: Kang Won Sik,Woo Jae Hyuck,BAE Jong Kon,KIM Yang Hyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor Integrated Circuit and Method for Operating the Same

Номер патента: US20150205314A1. Автор: Hayashi Kentaro,Hayashi Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150234661A1. Автор: YAMADA Hiromichi,HAGIWARA Kesami,Kanekawa Nobuyasu,Yamada Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME, CONTROL METHOD FOR CIRCUIT

Номер патента: US20160275039A1. Автор: TOKUDA Yasunobu. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-22.

TESTING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20160282409A1. Автор: NAKAMURA Hiroyuki. Владелец: MegaChips Corporation. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US8055965B2. Автор: Naoki Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US7349506B2. Автор: Yasushi Shizuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-25.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US6498515B2. Автор: Nobufusa Iwanishi,Yoshiyuki Kawakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

A semiconductor integrated device and a method for manufacturing the same

Номер патента: DE3278183D1. Автор: Takehide Shirato,Kouichi Fujita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-04-07.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: KR970010006B1. Автор: Masaharu Taniguchi,Akira Kitaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-20.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and apparatus for doing the same

Номер патента: US20060236283A1. Автор: Kohei Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same

Номер патента: EP2897273B1. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-25.

PERSONAL ELECTRONIC DEVICE AND DATA THEFT PREVENTION SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150205972A1. Автор: Huang Kuan-Ju. Владелец: WISTRON CORP.. Дата публикации: 2015-07-23.

INPUT AND OUTPUT RECORDING DEVICE AND METHOD, CPU AND DATA READ AND WRITE OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180239686A1. Автор: Liu Leibo,WEI Shaojun,LUO Ao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

DRIVING INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MEASURING BONDING RESISTANCE

Номер патента: US20150198641A1. Автор: Moon Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A2. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Layout design method and integrated circuit device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290770A1. Автор: Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12095464B2. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A3. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20130135004A1. Автор: Hashimoto Takashi,Morimoto Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140062583A1. Автор: LEE Hyun-Chul,WANG Jong-Hyun,JANG Chae-Kyu,NAM Jong-Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200019671A1. Автор: LIN John,WANG Chung-Hsing,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200021292A1. Автор: Lai Chih-Ming,PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Chuang Cheng-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Baek Sanghoon,YOU HYEONGYU,YU JISU,Seo Jaewoo,Lim Seungman,Jung Hakchul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-24.

INTEGRATED CIRCUIT AND ROUTING DESIGN OF THE SAME

Номер патента: US20160055290A1. Автор: WENG Lichiu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210083668A1. Автор: Lai Chih-Ming,PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Chuang Cheng-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

INTEGRATED CIRCUIT AND SYSTEM OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200097630A1. Автор: CHANG Yu-Jung,Hsu Chin-Chang,Yang Wen-Ju,LEE Hsien-Hsin Sean. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

DISPLAY DRIVING METHOD, DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160133223A1. Автор: Kim Dong Hui,HA Young Hee. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200134123A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHANG Yu-Jung,CHIANG Ting-Wei,Wang Pochun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20170153657A1. Автор: Gun-Hee YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180188795A1. Автор: YANG CHIH-YUAN,Kung Wen-Hsia,LIN Chia-Fen. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

MULTI-FUNCTIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND SOURCE DRIVER HAVING THE SAME

Номер патента: US20140285481A1. Автор: Nishimura Masato. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150228218A1. Автор: Shim Jung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

INVERTED INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210279397A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHANG Yu-Jung,CHIANG Ting-Wei,Wang Pochun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

DISPLAY DRIVING METHOD, DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20180268774A1. Автор: Kim Dong Hui,HA Young Hee. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Circuit and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20190279975A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,LIN Chung-Te,CHIANG Ting-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160299188A1. Автор: Park Junho,Kim Yanghyo,WOO SOOYOUNG,KIM DOKYUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Adjustable Integrated Circuits and Methods for Designing the Same

Номер патента: US20190286772A1. Автор: Singh Gajendra Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160315099A1. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

DISPLAY DRIVING INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170308226A1. Автор: KIM Tae Sung,BAE Jong Kon,HAN Dong Kyoon,YOO Dae Hyun,Jung Louis Hyunsuk. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150323591A1. Автор: Hashimoto Takashi,Morimoto Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

INTEGRATED CIRCUIT AND COMPUTING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160327975A1. Автор: PARK Chan Woo,KIM Je Kook,SEOK Min Shik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Integrated Circuit and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20180337167A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,LIN Chung-Te,CHIANG Ting-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20200365111A1. Автор: HAN Ho Seok,PARK Jun Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20230009894A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Wang Xiaodong,Tung Yu-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME.

Номер патента: FR2874105B1. Автор: Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-14.

Fingerprint display apparatus and integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: CN113869095A. Автор: 施博盛. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-31.

LCOS integrated circuit and electronic device using the same

Номер патента: US20070146293A1. Автор: Cheng-Chi Yen,Yao-Jen Tsai,Hon-Yuan Leo,Wei-Hsiao Chen. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Photon integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3306802B2. Автор: コーレン ウジール. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-24.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: KR102327339B1. Автор: 박찬우,김제국,석민식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-16.

Integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20170062926A. Автор: 윤건희. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-06-08.

Composable system-in-package integrated circuits and process of composing the same

Номер патента: US7491579B2. Автор: Gary S. Delp,George Wayne Nation. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-02-17.

Fingerprint pixel unit, fingerprint display apparatus, and integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: CN113869096A. Автор: 施博盛. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-31.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME.

Номер патента: FR2874105A1. Автор: Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-10.

Integrated circuit and configuration method of the same

Номер патента: TW201813037A. Автор: 陳勝雄,陳俊臣,張豐願,張鈞皓,黃博祥. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220254769A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Display driver integrated circuit and display system having the same

Номер патента: KR20200133062A. Автор: 박준용,한호석. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-26.

Operational amplifier, integrated circuit, and method for operating the same

Номер патента: US11353909B2. Автор: Yutaka Saeki. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: KR20150003026A. Автор: 우재혁,배종곤,우수영,강원식,김양효. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-01-08.

PORTABLE DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: DE60017401D1. Автор: Philippe Patrice,Isabelle Limousin,Olivier Brunet,Henri Boccia. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2005-02-17.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210406508A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210407453A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20240185814A1. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355808A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Clock and data recovery device and training method thereof

Номер патента: US20210258137A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Kwanseo PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit and system of controlling the same

Номер патента: US20120062314A1. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240347536A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Chun-Yi Cheng,Ching-Wang YAO. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240339530A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Chun-Yi Cheng,Ching-Wang YAO. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210273105A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200395482A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11024741B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Integrated circuit and method for fabricating the same having a replacement gate structure

Номер патента: US09666690B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240268107A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Shao-Tung PENG,Chung-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon-on-sapphire integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US4751554A. Автор: George L. Schnable,Kenneth M. Schlesier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US11081439B2. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Integrated circuits and methods of forming the same with multi-level electrical connection

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Huang Liu,San Leong Liew. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11894463B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Radio frequency integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20210375946A1. Автор: Yu-an HUANG,Horng-Chih Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230163214A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US20200168539A1. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated Circuit And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20200343256A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Jung-Ho Chang,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Control circuits, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same

Номер патента: US20150163869A1. Автор: Ching Sheng Yu,Chih Liang Wang,Kuang Hui Chen. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332034A1. Автор: Shenggao Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09893159B2. Автор: Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit layout, integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US11817402B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20220246548A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098475A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190393230A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200083233A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated-circuit devices and circuitry comprising the same

Номер патента: EP3742482A1. Автор: Prabir Kumar DATTA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071957A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: US11990473B2. Автор: Dongsoo Lee,Jaeyeol Song,Seungha Oh,Rakhwan Kim,Minjung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated-circuit devices and circuitry comprising the same

Номер патента: US20200373234A1. Автор: Prabir Kumar DATTA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210151432A1. Автор: Dongsoo Lee,Jaeyeol Song,Seungha Oh,Rakhwan Kim,Minjung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Standard cells, integrated circuits including the same and design methods thereof

Номер патента: US20240339454A1. Автор: Hyunchul Hwang,Dae Seong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus for management of a battery, vehicle system having the same and method thereof

Номер патента: US12095298B2. Автор: Seung Beom Yoon,Joon Keun Yoon. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Display panel and electroluminescent display device including the same and pixel driving circuit

Номер патента: US20240071307A1. Автор: Sunghun Kim,Dongho Choi,Booheung LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Image forming apparatus, image forming system including the same, and printing method thereof

Номер патента: US20100073699A1. Автор: Woo-ri Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Obstacle recognition device, vehicle system including the same, and method thereof

Номер патента: US11740352B2. Автор: Kyu Jin Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatus for controlling on/off of a vehicle state notification service, a system including the same, and a method thereof

Номер патента: US20220201445A1. Автор: Yong Sik CHO. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Gate signal masking circuit, gate driver including the same and display apparatus including the same

Номер патента: US20240355269A1. Автор: Kyungho Kim,Gichang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Driving circuit, display device including the same, and method of driving the same

Номер патента: US20240355280A1. Автор: Ha Yong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display apparatus, multi display system including the same, and control method thereof

Номер патента: US09811303B2. Автор: Hyun-mook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus For Controlling A Flight, System Having The Same And Method Thereof

Номер патента: US20240177615A1. Автор: Jong Pil Kim,Yoon Cheol Jeon,Jin Soo Jang,Hyun Ki Cho. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vehicle controller, system including the same, and method thereof

Номер патента: US20200255013A1. Автор: Seong Sook Ryu,Byoung Joon Lee,Jin Kwon Kim,Sam Yong Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Vehicle diagnostic communication apparatus, system including the same and method thereof

Номер патента: US11282308B2. Автор: Ho Jin Jung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Backlight unit, display apparatus including the same and control method thereof

Номер патента: US20110090263A1. Автор: Sung-Soo Kim,Yong-Jai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Board charger controller for vehicle, system including the same, and method thereof

Номер патента: US12103419B2. Автор: Sang Kyu Lee,Jin Gyu Lim,Seung Myun Chung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

System on chip, display system including the same, and method of operating the display system

Номер патента: US9979984B2. Автор: Hyuk Jae Jang,Sung Jei Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Backlight assembly, liquid crystal display apparatus having the same and method thereof

Номер патента: US20070279943A1. Автор: Dong-Jin Seo,Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Driving circuit, display device including the same, and method of driving the same

Номер патента: US20240355247A1. Автор: Ha Yong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Optical member, display device including the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US09829607B2. Автор: Sun Hwa Lee,Gwang Hei Choi,Jeong Taek Oh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

One-chip touch panel driving device, touch panel device including the same, and driving method thereof

Номер патента: US20170315670A1. Автор: Jonghee Hwang,Junseok Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Image forming apparatus, printing system including the same and control method thereof

Номер патента: US20080174800A1. Автор: Hyun Chul Kim,Jong Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

One-chip touch panel driving device, touch panel device including the same, and driving method thereof

Номер патента: US10180758B2. Автор: Jonghee Hwang,Junseok Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Apparatus for controlling parking of a vehicle, a system having the same, and a method thereof

Номер патента: US20210009110A1. Автор: Yong Joon Lee,Sun Woo JEONG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Array substrate, display panel having the same and a method thereof

Номер патента: US20080218653A1. Автор: Young-Bae Jung,Dong-Hwan Kim,Jin-Tak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Application processor and data processing system including the same

Номер патента: US09977749B2. Автор: Sik Kim,Kook Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09425318B1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Buffer circuit, semiconductor integrated circuit, and system including the buffer circuit

Номер патента: US09831859B2. Автор: Ji Hwan Kim,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

ONE-TIME PROGRAMABLE MEMORY DEVICE HAVING ENHANCED PROGRAM EFFICIENCY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190267389A1. Автор: Choi Kwang Il. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

One-time programable memory device having enhanced program efficiency and method for fabricating the same

Номер патента: US11114450B2. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2021-09-07.

INTERPOSERS FOR INTEGRATED CIRCUITS WITH ONE-TIME PROGRAMMING AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160343719A1. Автор: Liu Wei,Jiang Yi,Shum Danny,TAN Juan Boon. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device having ROM capable of one-time programming and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4642344B2. Автор: 明 壽 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-02.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160254382A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMING MEMORY CELL AND ARRAY STRUCTURE WITH SAME

Номер патента: US20170053925A1. Автор: Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe,Ho Ping-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMING MEMORY CELL AND ARRAY STRUCTURE WITH SAME

Номер патента: US20170053926A1. Автор: Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

One-Time Programming Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20140231895A1. Автор: Rothleitner Hubert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-21.

One time programming non-volatile memory cell

Номер патента: US9502426B1. Автор: Chun-Hung Lin,Ping-Yu KUO,Kuan-Hsun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and method for reprogramming by using one-time programming element

Номер патента: TWI293757B. Автор: Jerry Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-21.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

BUFFER CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND SYSTEM INCLUDING THE BUFFER CIRCUIT

Номер патента: US20170111034A1. Автор: KU Young Jun,KIM Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit and test system of the same

Номер патента: TW200537117A. Автор: Hideki Naganuma,Tomoo Koba. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20140145675A1. Автор: Kazuya Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Interconnection structure of semiconductor integrated circuit and method for making the same

Номер патента: TW201101448A. Автор: Kuo-Hui Su,Yu-Shan Chiu,Wen-Ping Liang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-01.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Image forming apparatus, control method for the same, storage medium, and data processing apparatus

Номер патента: US20170353619A1. Автор: Nobuaki Fukasawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated circuit and converter having the same

Номер патента: US20240171067A1. Автор: Xueliang Chang,Zhongwang Yang,Mingjie Shan. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US09640423B2. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Shishir Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130102146A1. Автор: BYEON Sang-Jin,CHOI Jun-Gi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130119452A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-16.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20140049316A1. Автор: OKANO Hiroshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140145504A1. Автор: Kayama Masanori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140145675A1. Автор: Shimizu Kazuya. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140152372A1. Автор: LEE HOI JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20160079804A1. Автор: Kazuya Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM WITH THE SAME

Номер патента: US20140175667A1. Автор: LEE Tae-Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140176093A1. Автор: Tateno Koji,Kondo Daisuke,NOMIYAMA TAKAHIRO. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160104714A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160133569A1. Автор: Kim Jung-Han,Song Tae-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150194436A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-09.

Transistor-type protection device, semiconductor integrated circuit, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140332846A1. Автор: Tsutomu Imoto,Kouzou Mawatari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190355808A1. Автор: TOYODA Yoshiaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor integrated circuits and method of making the same

Номер патента: US3423255A. Автор: Benjamin D Joyce. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-01-21.

Capacitor of semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: KR100270964B1. Автор: 이기영,홍석우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Insulated gate type field effect semiconductor integrated circuit device and preparation of the same

Номер патента: JPS5861672A. Автор: Shigeru Takahashi,盛 高橋. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-12.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100421241C. Автор: 上田直人,野野山茂. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and production of the same

Номер патента: JPS5447493A. Автор: Kenji Kaneko,Kaoru Niino,Takanori Nishimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-04-14.

Wiring structure of semiconductor integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: KR970053559A. Автор: 전영권. Владелец: Lg 반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2495379A1. Автор: Akira Muramatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-04.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102296062B1. Автор: 김정한,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor integrated circuit and layout method for the same

Номер патента: CN101552261A. Автор: 伊藤智和. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-07.

Semiconductor integrated circuit and fabricating method for the same

Номер патента: TWI524421B. Автор: 吳憲昌,李香寰,葉菁馥,彭兆賢. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: TWI556352B. Автор: 王永智,高祥倫,林天祿,莊正吉. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3374912B2. Автор: 泰弘 安東. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-10.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US7205191B2. Автор: Tsuguo Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-17.

Contact structure in semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020074540A1. Автор: Hiroaki Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2708764B2. Автор: 敏幸 大古田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-04.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US9343950B2. Автор: Masanori Kayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Delay locked loop in semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20110119976A. Автор: 신동석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1815723A. Автор: 上田直人,野野山茂. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: JPS59161127A. Автор: Akira Mizuno,Hiroshi Hososaka,明 水野,細坂 啓. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-09-11.

Structure of a semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US6995055B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-07.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040241915A1. Автор: Osamu Yanaga,Kimikatsu Shoji,Hirofumi Tadokoro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3144967B2. Автор: 靖彦 佐々木,和男 矢野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-03-12.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2004311595A. Автор: 雅博 瀬上,Masahiro Segami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: CN103855760A. Автор: 鹿山正规. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: IT993367B. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-09-30.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3569112B2. Автор: 博 望月,宏行 金谷,修 日高,久美 奥和田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3003632B2. Автор: 久満 鈴木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-31.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI224854B. Автор: Ryota Yamamoto,Masayuki Furumiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Semiconductor integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: FR1472688A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-03-10.

Diode structure in semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US3335341A. Автор: Lin Hung Chang. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-08.

Semiconductor Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101025761B1. Автор: 양정환,마에다시게노부. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-04-04.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20030209760A1. Автор: Shinya Maruyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: KR20140068768A. Автор: 마사노리 가야마. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-06-09.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3007023B2. Автор: 俊也 石尾,宏之 中西. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-02-07.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040089911A1. Автор: Fumihiro Kimura,Takeya Fujino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Structures for semiconductor integrated circuits and methods of making the same

Номер патента: CA946983A. Автор: Bernard T. Murphy,Mitchell G. Stickler. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-05-07.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: TW200849555A. Автор: Atsushi Kamo,Makoto Utsuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: TW200834766A. Автор: Cheng-Tang Huang,Jung-Bang Chyi. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-08-16.

CLOCK AND DATA RECOVERY DEVICE AND TRAINING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210258137A1. Автор: Jeong Deog-Kyoon,PARK Kwanseo. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

IMAGE FORMING APPARATUS, CONTROL METHOD FOR THE SAME, STORAGE MEDIUM, AND DATA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170353619A1. Автор: FUKASAWA Nobuaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Fast-locked clock and data recovery circuit and the method thereof

Номер патента: US20080084955A1. Автор: Wei-Zen Chen,Chin-Yuan Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Finfet integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US20150179644A1. Автор: Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Transistor cell for integrated circuits and method to form same

Номер патента: US20210159313A1. Автор: Stefan G. Block,Farid Labib,Herbert J. Preuthen. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US11751401B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: TW200945526A. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-01.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT CHIP, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING A DRIVER INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20150091163A1. Автор: Kim Dong-wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Hybrid integrated circuit device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: JP4593075B2. Автор: 富男 山田,伸治 森山. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TW200610030A. Автор: Muhammad I Chaudhry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Intelligent power integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TW441110B. Автор: Chang-Sub Song,Hyeong-Woo Jang,Sin-Kook Jang. Владелец: Fairchild Kr Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-06-16.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230307309A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TWI324390B. Автор: Jack H Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200807573A. Автор: Yi Ding. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240332187A1. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US20130056858A1. Автор: Meng-Jia Lin,Chin-Sheng Yang,Tian-You DING. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130176053A1. Автор: Nirschl Thomas,Gammel Berndt,Dirscherl Gerd,Rueping Stefan,Schlazer Philip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210005526A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049397A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lien Wai-Yi,Chen Cheng-Long,SHIEH Ming-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049480A1. Автор: Chang Chia-Hao,Lien Wai-Yi,SHIEH Ming-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057426A1. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069587A1. Автор: KAMPHUIS Tonny,van Gemert Leonardus Antonius Elisabeth,Beelen-Hendrikx Caroline Catharina Maria. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

BITLINE STRUCTURE FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220102357A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200083233A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES INCLUDING VERTICALLY INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210090969A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150097246A1. Автор: Xie Ruilong,Balasubramanian Pranatharthi Haran. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210098475A1. Автор: Liu Chien Hung,SHU Cheng-Bo,Wu Yun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF FORMING THE SAME WITH MULTI-LEVEL ELECTRICAL CONNECTION

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Liu Huang,Liew San Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

CONTROL CIRCUITS, INTEGRATED CIRCUITS AND ILLUMINATING APPARATUSES HAVING THE SAME

Номер патента: US20150163869A1. Автор: Yu Ching Sheng,Wang Chih Liang,Chen Kuang Hui. Владелец: GROUPS TECH CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150171082A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF FORMING THE SAME WITH EFFECTIVE DUMMY GATE CAP REMOVAL

Номер патента: US20160172251A1. Автор: Hempel Klaus,Triyoso Dina. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210225855A1. Автор: LIN Yu-Chu,JEN Chi-Chung,LIU Yi-Ling,WANG Cheng-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-22.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160218171A1. Автор: CHANG Kuo-Ching,WANG Hung-Sen,LIOU Ho-Chun,Yang Shih-Chi,HUNG Wei-Sho. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Low resistivity interconnects for integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200235055A1. Автор: Harsono S. Simka,Ganesh Hegde. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200235063A1. Автор: CHEN Chun-Hung,Lin Ming-Tse. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-07-23.

THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20150270830A1. Автор: TAKAHASHI TSUGIO. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-24.

Integrated Circuit And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20200343256A1. Автор: Tsai Yao-Ting,LIAO Hsiu-Han,CHUANG Che-Fu,CHANG Jung-Ho. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-10-29.

INTEGRATED-CIRCUIT DEVICES AND CIRCUITRY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200373234A1. Автор: DATTA Prabir Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200395482A1. Автор: SONG Seungmin,Yang Junggil,JEONG Soojin,SUH BONGSEOK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190393230A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20200411453A1. Автор: LU Shih-Lien Linus. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: KR100430924B1. Автор: 만프레트 엥겔하르트. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2004-05-12.

Flat type capacitor for integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100486303B1. Автор: 원석준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-29.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: CN108878471B. Автор: 陆宇,刘少鹏. Владелец: CETHIK Group Ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

STRUCTURE OF TRANSISTORS IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2498812A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-07-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3046293A1. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-30.

Integrated circuit and medical device using the same

Номер патента: EP2554194A4. Автор: Takashi Morita,Takeharu Iwata,Yoshihisa Sugawara. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Monolithic microwave integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1237190A2. Автор: Dong-sik Shim,Sang-Goog Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-04.

3d integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284992A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11664291B2. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20200113492A. Автор: 배근희,전용호,강세구,명성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-10-07.

Improvements in or relating to input protection for MOS integrated circuits

Номер патента: GB2090701A. Автор: . Владелец: ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-07-14.

Stacked structure of integrated circuits and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060175694A1. Автор: Chung Hsin,Jayvee Huang. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Flat-type capacitor for integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070077722A1. Автор: Seok-jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-05.

Integrated circuit and method of using the same

Номер патента: JP5565456B2. Автор: 智康 伊藤. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

High density integrated circuit packages and method for the same

Номер патента: TW561602B. Автор: Moriss Kung,Kun-Yao Ho. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Resin composition and hybrid integrated circuit board making use of the same

Номер патента: EP1923426A4. Автор: Kenji Miyata,Hidenori Ishikura. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2009-07-22.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: TWI364793B. Автор: Lu Chen Hwan,yu lin Ma,P C Chen. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-21.

LIN bus network, integrated circuit, and communication method using the same

Номер патента: JP5153652B2. Автор: シカール、ティエリ. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Flat capacitor for integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4629970B2. Автор: ▲せき▼ 俊 元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-09.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three dimensional integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US7385283B2. Автор: Weng-Jin Wu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-10.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: TWI716497B. Автор: 吳偉成,陳姿妤. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-21.

Interconnection in integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: JPS63169045A. Автор: ロバート、エドウィン、ジョーンズ、ジュニア. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1988-07-13.

Nitride semiconductor based optical integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102258441B1. Автор: 성준호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-05-31.

Integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: US8143714B2. Автор: Ingo Wennemuth,Minka Gospodinova-Daltcheva,Hayri Burak Goekgoez. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-03-27.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: TWI509778B. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-21.

VERY SMALL SEMICONDUCTOR DEVICE, ESPECIALLY TRANSISTOR FOR INTEGRATED CIRCUITS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2446540A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-08-08.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: TW201715707A. Автор: 朱文定,張至揚. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US8022552B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Memory integrated circuit and methods for manufacturing the same

Номер патента: CN1147697A. Автор: 李禹奉,具永谋,洪兴基. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-16.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI778594B. Автор: 林建宏,謝明宏,張新君,王明義,盧胤龍. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-21.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TW202213666A. Автор: 林建宏,謝明宏,張新君,王明義,盧胤龍. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-01.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US20100267204A1. Автор: Lu-Chen Hwan,Yu-Lin Ma,P.C. Chen. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for forming a memory integrated circuit

Номер патента: US6617211B1. Автор: Takayuki Niuya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Memory integrated circuit and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW303515B. Автор: Koo Young-Mo,LEE Woo-Bong,Hong Heung-Gee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-21.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20230326856A1. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363176A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US12009304B2. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: WO2014004797A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-01-03.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TWI249787B. Автор: Chun-Chieh Huang,Jin-Ho Kim,Kuei-Chang Tsai,Barbara Haselden,Chia Shun Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-21.

Sulfur-carbon composite and preparing method thereof

Номер патента: US20170179471A1. Автор: Yo-Seop KIM,Hae-Min YOO. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Water softening apparatus, dishwasher having the same and control method thereof

Номер патента: US20150068565A1. Автор: Sang Hoon Lee,Seung Ah Joo,Jeong Myeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

System on chip, autonomous driving system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240270278A1. Автор: Seungcheol Lee,Seunghan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09881941B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Water softening apparatus, dishwasher having the same and control method thereof

Номер патента: US09861253B2. Автор: Sang Hoon Lee,Seung Ah Joo,Jeong Myeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Fuel cell system control apparatus, system including the same, and method thereof

Номер патента: US20230420713A1. Автор: Jae Gwang Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor package, amplification circuit including the same, and method of forming transistor

Номер патента: US09853605B2. Автор: Kazumi Shiikuma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Case for electronic device, electronic device using the same, and notification method thereof

Номер патента: US09906257B2. Автор: Seungmin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Base station and data retransmission method thereof

Номер патента: US20210067272A1. Автор: LIN Cheng,Fei Zhou,Xujing Zhang. Владелец: SerNet (Suzhou) Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Scanner, image forming apparatus including the same, and image processing method thereof

Номер патента: US20100073721A1. Автор: Hyung-soo Ohk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Adhesive mixture, adhesive, film including the same, and preparation method thereof

Номер патента: WO2014101190A1. Автор: Guoliang Zhang. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-07-03.

User equipment, base station, and data transmission methods thereof

Номер патента: US9788359B2. Автор: Shiann-Tsong Sheu,Chiu-Wen Chen. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

User equipment, base station, and data transmission methods thereof

Номер патента: US20160191228A1. Автор: Shiann-Tsong Sheu,Chiu-Wen Chen. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2016-06-30.

Broadcast signal receiving apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US09906250B2. Автор: Chang-hyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

User equipment, base station, and data transmission methods thereof

Номер патента: US09788359B2. Автор: Shiann-Tsong Sheu,Chiu-Wen Chen. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2017-10-10.

ONE-TIME PROGRAM CELL ARRAY CIRCUIT AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140082438A1. Автор: Hwang Jeongtae,Kim Youncheul,YOON Hyunsu,Kim Kwanweon. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

One Time Programming Memory and Method of Storage and Manufacture of the Same

Номер патента: US20120140543A1. Автор: . Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-06-07.

ONE TIME PROGRAMMING BIT CELL

Номер патента: US20120212993A1. Автор: LIN Sung-Chieh,HSU Kuoyuan (Peter),LIAO Wei-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

OTP (One Time Programming) device and manufacture method

Номер патента: CN101877329B. Автор: 胡晓明,蔡明祥,苗彬彬. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

OTP (One Time Programming) device and manufacture method

Номер патента: CN101877329A. Автор: 胡晓明,蔡明祥,苗彬彬. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SYSTEM OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120062314A1. Автор: HATORI Fumitoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120194265A1. Автор: YAMAMOTO Akio,IGARASHI Yutaka,KATSUBE Yusaku,TSUIJI Kosuke. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120196555A1. Автор: IGARASHI Yutaka,KATSUBE Yusaku. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Nozuyama Yasuyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120269012A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

CONDUCTIVE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120309186A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20130027095A1. Автор: KIM Yeon-Uk,You Jung-Taek. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20130099838A1. Автор: KWON Dae-Han,Kim Yong-Ju,Choi Hae-Rang,JANG Jae-Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130321033A1. Автор: KIM Dong-kyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3797474B2. Автор: 憲二 大空,政司 米丸. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-19.

Semiconductor integrated circuits and method of making the same

Номер патента: CA859947A. Автор: D. Joyce Benjamin. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1970-12-29.

Al-Cu covered connect structure of integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: TW561583B. Автор: Shang-Yung Hou,Shin-Pu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-11-11.

Method for forming capacitors in integrated circuit and structure formed by the same

Номер патента: TW425710B. Автор: Jen-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Method for physical design verification of an integrated circuit and the apparatus using the same

Номер патента: TW201122878A. Автор: Chiu-Yu Ku. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Apparatus for testing integrate circuit and method for making the same

Номер патента: TW200626905A. Автор: Ga-Lane Chen. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120051491A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120140870A1. Автор: LEE Ji-Wang,KANG Shin-Deok. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT AND IC MODULE OF THE SAME

Номер патента: US20120305659A1. Автор: Miwa Yohichi,Minami Aya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120306532A1. Автор: Itoh Tomoyasu. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20130099833A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130292744A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130299922A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Integrated circuit comparison method

Номер патента: CA1309511C. Автор: Vinod Kumar Agarwal,Benoit Nadeau-Dostie,Philip Stanley Wilcox. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1992-10-27.

Integrated circuit, circuit board including the integrated circuit, and image forming apparatus

Номер патента: JP5297760B2. Автор: 陽 島田. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001097A1. Автор: . Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROM CELL CIRCUIT FOR FINFET DEVICES

Номер патента: US20120001232A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECTOR DEVICE ARRANGEMENT WITH VISUAL DISPLAY ARRANGEMENT AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002552A1. Автор: Shaw Robert,Fung Randy,Liu Xiaochun,Matityahu Eldad,Carpio Dennis,Hui Siuman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE PROGRAMMED PIXEL CIRCUIT, DISPLAY SYSTEM AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001888A1. Автор: Chaji Gholamreza,Nathan Arokia,Servati Peyman. Владелец: Ignis Innovation Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR DECODING DATA FOR PROVIDING BROWSABLE SLIDE SHOW, AND DATA STORAGE MEDIUM THEREFOR

Номер патента: US20120002942A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC DISK DRIVE AND REFRESH METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002315A1. Автор: Inoue Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001997A1. Автор: TAKADA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEREOSCOPIC IMAGE DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002123A1. Автор: KANG Dongwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH-TUNABLE SPECTROMETER AND WAVELENGTH TUNING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002198A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SECONDARY BATTERY AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003512A1. Автор: SATO Yutaka,Tsunaki Takuro,Kohno Ryuji,HIRANO Fujio,Koseki Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR DRIVING AND SUPPORTING CRADLE AND MR SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000016A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Laser Beam Irradiation Apparatus and Substrate Sealing Apparatus Including the Same

Номер патента: US20120000611A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM OF A VEHICLE WITH ELECTRIC PROPULSION AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001480A1. Автор: Favaretto Fabrizio,STEFANI Giovanni. Владелец: FERRARI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHORETIC DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001958A1. Автор: Hsieh Yao-Jen,Hung Chi-Mao,Liu Chun-Ting,Tseng Hsu-Ping,Hsu Ying Hua. Владелец: SIPIX TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MULTILAYER BODY, POLARIZATION PLATE USING SAME, AND IMAGE DISPLAY

Номер патента: US20120002397A1. Автор: . Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001091A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001093A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

LUMINESCENT GLASS ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF AND LUMINESCING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001535A1. Автор: . Владелец: OCEAN'S KING LIGHTING SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE USING SEDIMENTATION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003765A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.