Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHODS FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SHAPED SOURCE AND DRAIN RECESSES AND RELATED DEVICES

METHODS FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SHAPED SOURCE AND DRAIN RECESSES AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20140353714A1
Опубликовано: 04-12-2014
Автор(ы): LATULIPE DOUGLAS, Loubet Nicolas, Reznicek Alexander
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Strained silicon mos device with box layer between the source and drain regions

Номер патента: WO2007102870A2. Автор: Mark Bohr,Sunit Tyagi,Giuseppe Curello,Hemant V. Deshpande. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with improved on-resistance

Номер патента: US20120217580A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09590074B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09825044B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09812368B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices

Номер патента: US7713853B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Ferrucio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-05-11.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11239344B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11935943B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09287373B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Double gate ferroelectric field effect transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11908936B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Double gate ferroelectric field effect transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230411522A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11804535B2. Автор: Jong Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11508848B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210083093A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10861976B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10522685B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100163983A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220384651A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A MOUNTED TRANSISTOR DEVICE HAVING A DEPTHING GRID ON PORTIONS OF LOW DOPED SOURCE AND DRAIN REGIONS.

Номер патента: FR2654257A1. Автор: Robertus Societe Civil Verhaar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-05-10.

Structure of and fabricating method for a thin film transistor

Номер патента: US5578838A. Автор: Seok W. Cho,Jong M. Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-26.

Fabricating method for a thin film transistor with a negatively sloped gate

Номер патента: US5766988A. Автор: Jong Moon Choi,Seok Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150102405A1. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9595590B2. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170141213A1. Автор: Jin Yeong SON,Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230132488A1. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for forming semiconductor fuses in a semiconductor device comprising metal gates

Номер патента: US8367504B2. Автор: Kai Frohberg,Ralf Richter,Jens Heinrich. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US9806085B1. Автор: Sanpo Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US20170162451A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Circuit and Method of Reducing Body Diode Reverse Recovery Time of Lateral Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20080042196A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

A semiconductor device having a gate structure, and methods for forming the gate structure and the semiconductor device

Номер патента: DE102005006899B4. Автор: Makoto Yoshida,Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Chul Lee,Jae-Man Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for fabricating finfets and semiconductor structure fabricated using the method

Номер патента: US20130207122A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

METHOD FOR FORMING A CONTACT ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150048431A1. Автор: GRIEB Michael,Suenner Thomas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming a contact on a semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: WO2013131690A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for manufacturing a high aspect ratio channel semiconductor device

Номер патента: EP3300117B1. Автор: M Bernardette Kunert,Mrs. Niamh Waldron,Mr. Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for fabricating high voltage transistor and the semiconductor device

Номер патента: TW201236081A. Автор: Sen Zhang,yan-jun Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104641A1. Автор: Yang Yun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100521384B1. Автор: 최시영,정인수,이병찬,이덕형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR20050014228A. Автор: 정석원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-02-07.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: TW200913069A. Автор: Cory Czarnik,Thai Cheng Chua,James P Cruse. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100521382B1. Автор: 최시영,정인수,이병찬,이덕형,허진화. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100487567B1. Автор: 최시영,손용훈,정인수,이병찬,이덕형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: TWI553734B. Автор: 蔡泰正,克魯斯詹姆士Ｐ,扎爾尼克可力. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20090035952A1. Автор: Cory Czarnik,Thai Cheng Chua,James P. Cruse. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230361172A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Process for making a high voltage npn bipolar device with improved ac performance

Номер патента: KR100603120B1. Автор: 존슨제프리,요셉알빈,라마찬드란비드햐. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Method of making a diffused lightly doped drain device with built in etch stop

Номер патента: US5518945A. Автор: John A. Bracchitta,Stephen A. Mongeon,Gabriel Hartstein,Anthony C. Speranza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

An electronic junction device with a reduced recovery time for applications subject to the current recirculation phenomenon and related manufacturing process

Номер патента: US20180061982A1. Автор: Marco Morelli,Riccardo Depetro,Marco SAMBI,Fabrizio Fausto Renzo Toia,Giuseppe Barillaro,Marco Marchesi,Lucanos Marsilio Strambini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-03-01.

Electronic junction device with a reduced recovery time for applications subject to the current recirculation phenomenon and related manufacturing process

Номер патента: US20190165170A1. Автор: Marco Morelli,Riccardo Depetro,Marco SAMBI,Fabrizio Fausto Renzo Toia,Giuseppe Barillaro,Marco Marchesi,Lucanos Marsilio Strambini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-05-30.

Electronic junction device with a reduced recovery time for applications subject to the current recirculation phenomenon and related manufacturing process

Номер патента: US10535767B2. Автор: Marco Morelli,Riccardo Depetro,Marco SAMBI,Fabrizio Fausto Renzo Toia,Giuseppe Barillaro,Marco Marchesi,Lucanos Marsilio Strambini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-01-14.

Electronic junction device with a reduced recovery time for applications subject to the current recirculation phenomenon and related manufacturing process

Номер патента: US10236378B2. Автор: Marco Morelli,Riccardo Depetro,Marco SAMBI,Fabrizio Fausto Renzo Toia,Giuseppe Barillaro,Marco Marchesi,Lucanos Marsilio Strambini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing compound semiconductor device with gate electrode forming before source electrode and drain electrode

Номер патента: US8569124B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4266350A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Katsunori Azuma,Kokichi Fujita,Tomohisa Hirayama,Katsuaki Masaki,Tatsuro SAWADA,Hayao KASAI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor structures and methods for multi-level band gap energy of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09634132B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222443A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09646919B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09379193B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger M. Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US20160276250A1. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with a recessed field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222442A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US10211094B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US9853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09484255B1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09425108B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices by performing nitridation process on exposed Fin ends

Номер патента: US09496133B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007119389A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-25.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20170125535A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Charge effect transistor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US5942790A. Автор: Kang Ho Park,Jeong Sook Ha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8629433B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Dielectrically isolated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170179227A1. Автор: Feng Ji,PING Wang,Changjun Zhang,Zuyin Chen. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for reducing contact resistance

Номер патента: US20240105464A1. Автор: Wensheng Xu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11942560B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Device using ambipolar transport in SB-MOSFET and method for operating the same

Номер патента: US20060131621A1. Автор: Seong Lee,Jae Shin,Moon Jang,Yark Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-22.

Spacer formation in a semiconductor structure

Номер патента: US5424572A. Автор: Alan G. Solheim. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Semiconductor device having an inter-layer insulating film disposed between two wiring layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US5075762A. Автор: Kazuo Tanaka,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Method for forming a contact of a semiconductor device with reduced step height, method for forming a semiconductor device

Номер патента: TWI466181B. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-21.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140042528A1. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE112016002106T5. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326991A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9076886B2. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190081152A1. Автор: Byoung Hoon Lee,Sang Jin HYUN,Hoon Joo NA,Hu Yong LEE,Chan Hyeong LEE,Min Woo Song,Sung In SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Transistor array and method for manufacturing same, and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240186319A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Transistor array and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240172411A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Transistor for a semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20010015467A1. Автор: Tae Huh,Joong Shin. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Switching device for a pixel electrode and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080268586A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Wen-Ching Tsai,Han-Tu Lin,Yeong-Shyang Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device structure having a channel layer with different roughness

Номер патента: US20230284435A1. Автор: Chung-Lin Huang,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: EP4016647B1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TW200515494A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-01.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TWI223338B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for manufacturing a contact for a semiconductor component and related structure

Номер патента: US9202758B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor device having recess gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20090321821A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for controlling transistor spacer width

Номер патента: US6133132A. Автор: Anthony J. Toprac,John R. Behnke,Matthew Purdy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

POWER MOSFET DEVICE WITH A GATE CONDUCTOR SURROUNDING SOURCE AND DRAIN PILLARS

Номер патента: US20140197475A1. Автор: TANG Ming,CHIAO Shih Ping. Владелец: PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

Power MOSFET device with a gate conductor surrounding source and drain pillars

Номер патента: US8816445B2. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Method of forming a doped region in a semiconductor substrate

Номер патента: US6013566A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Non-volatile memory semiconductor device has floating gate extending between the source and drain regions, and control gate situated above floating gate

Номер патента: FR2807208A1. Автор: Richard Fournel,Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Maryse Paoli,Pascal Ribot. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-10-05.

STRUCTURE AND METHOD FOR SiGe FIN FORMATION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186747A1. Автор: Doris Bruce B.,Yin Yunpeng,Tseng Chiahsun,Hong He. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Method for forming a trench on a semiconductor device

Номер патента: KR20000053417A. Автор: 하세가와히데카즈. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-08-25.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR101002047B1. Автор: 정석원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-12-17.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100414736B1. Автор: 이정엽,류창우,손용선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100557631B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100905165B1. Автор: 조석원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-29.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR101002045B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-12-17.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100557551B1. Автор: 이상돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices and related apparatus

Номер патента: CN110556425B. Автор: 郑光茗,陈奕寰,段孝勤,周建志,亚历山大·卡利尼斯基. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Method for manufacturing recess gate in a semiconductor device

Номер патента: US7875540B2. Автор: Heung-Jae Cho,Se-Aug Jang,Tae-Yoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for fabricating contact holes in a semiconductor body and a semiconductor structure

Номер патента: US7375029B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-20.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for making II-VI group compound semiconductor device

Номер патента: US6033929A. Автор: Masanori Murakami,Yasuo Koide,Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including snake open configured fill cells

Номер патента: US09768083B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells

Номер патента: US9865583B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20170186652A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US11466382B2. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for manufacturing rutile titanium dioxide layer and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210317596A1. Автор: Junwoo SON,Yunkyu PARK,Jinheon PARK. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor discharge protection device with diode and silicon controlled rectifier arrangements

Номер патента: US20210035970A1. Автор: Ming-Feng Hsieh,Zhihao Pan,Chih-Chun Lin. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Body of a Semiconductor Component

Номер патента: US20160254200A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

A transistor and a method for manufacturing the same, and a semiconductor device having the same

Номер патента: TWI416633B. Автор: Shinichi Yamate. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device with shared contact hole for gate electrode and drain region

Номер патента: EP2075831A3. Автор: Masahiko Renesas Technology Corp. Takeuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020192906A1. Автор: Sang-Ho Woo,Eui-Sik Kim,Kwang-seok Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing the growth of a semiconductor material

Номер патента: US09719187B2. Автор: Sylvain Paltrier. Владелец: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010046787A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for making or treating a semiconductor

Номер патента: GB2272995B. Автор: Byung Chul Ahn. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-02.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for manufacturing an underfill in a semiconductor chip package

Номер патента: GB201213365D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for selecting photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, cured film, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240361697A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA,Takuya KOMINE,Yu Aoki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-Enabled fill cells, with the first DOE including tip-to-side short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09929136B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09922968B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including tip-to-tip short configured fill cells, and the second DOE including chamfer short configured fill cells

Номер патента: US09871028B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including metal island open configured fill cells

Номер патента: US09786650B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells

Номер патента: US09786649B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including chamfer short configured fill cells, and the second DOE including corner short configured fill cells

Номер патента: US09773774B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for producing a structured wavelength conversion layer and optoelectronic device with a structured wavelength conversion layer

Номер патента: WO2023041582A1. Автор: David O'Brien,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method for manufacturing an interconnect structure for stacked semiconductor device

Номер патента: US20020074670A1. Автор: Tadatomo Suga. Владелец: Tadatomo Suga. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Bonding structure, photonic integrated circuit, and method for active alignment of optical axis of semiconductor optical device with optical axis of optical circuit on substrate

Номер патента: WO2024003442A1. Автор: Timo Aalto,Giovanni Delrosso,Mikko Harjanne,Jae-Wung Lee,Tomi HASSINEN. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057350A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020197817A1. Автор: Ki Shin,Cheol Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Method for forming a wiring layer a semiconductor device

Номер патента: US5843843A. Автор: Gil-heyun Choi,Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Method for forming multilevel interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5219792A. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-15.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Lead frame with radiator plate, method for manufacturing lead frame with radiator plate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270204A1. Автор: Tomohiro Kuroda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second does of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including tip-to-side short configure

Номер патента: US9748153B1. Автор: Markus Rauscher,Hideki Matsuhashi,Stephen Lam,Christopher Hess,Indranil De,Larg Weiland,Dennis Ciplickas,Tomasz Brozek,Jeremy Cheng,Simone Comensoli,Kelvin Doong,Hans Eisenmann,Timothy Fiscus,Jonathan HAIGH,John Kibarian,Sherry Lee,Marci Liao,Sheng-Che Lin,Kimon Michaels,Conor O'Sullivan,Vyacheslav Rovner,Andrzej Strojwas,Marcin Strojwas,Carl Taylor,Rakesh Vallishayee,Nobuharu Yokoyama. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming tungsten structures in a semiconductor

Номер патента: US4925524A. Автор: Christopher C. Beatty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Reverse profiling method for profiling modulated impurity density distribution of semiconductor device

Номер патента: US6242272B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Shigetaka Kumashiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for producing a package for a semiconductor device

Номер патента: US4710250A. Автор: Hidehiko Akasaki,Haruo Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230005752A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US11983475B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Al-ga-n template, method for preparing al-ga-n template, and semiconductor device comprising al-ga-n template

Номер патента: US20180323337A1. Автор: Peng Li,Jiangbo Wang,Wubin Zhang,Binzhong DONG,Haiping AI. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for forming conductive bumps on a semiconductor device

Номер патента: US5492863A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-02-20.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction

Номер патента: US3939047A. Автор: Hideo Tsunemitsu,Hiroshi Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Sawing device and method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: US11935764B2. Автор: Mark Hermans. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants

Номер патента: US5679585A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for forming electrical contacts in a semiconductor device

Номер патента: US5502006A. Автор: Yasuo Kasagi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for forming an interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5522520A. Автор: Hideaki Kawamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for forming complementary patterns in a semiconductor material while using a single masking step

Номер патента: US4956306A. Автор: William R. Richards, Jr.,Robert T. Fuller,Joseph C. Tsang. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-09-11.

Method for forming an interconnection in a semiconductor element

Номер патента: US6103618A. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for manufacturing a bump on a semiconductor chip

Номер патента: US5418186A. Автор: Jong-han Park,Chun-Geun Park,Seon-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-23.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Method for forming solder balls on a semiconductor substrate

Номер патента: CA2135508C. Автор: Robert J. Lyn,Anthony M. Aulicino. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Method for determining lead span and planarity of semiconductor devices

Номер патента: US6489173B1. Автор: Alvin P. Cyril. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: US11948803B2. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: WO2023025981A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20210343604A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20200176336A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor substrate crack mitigation systems and related methods

Номер патента: US20190333828A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110291182A1. Автор: Seung Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090057770A1. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for forming a metal contact on a surface of a semiconductor, and device with a metal contact

Номер патента: US9768356B2. Автор: Luca Redaelli,Sven Einfeldt,Michael Kneissl. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US11854832B2. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for processing a carrier

Номер патента: US09627196B2. Автор: Klemens Pruegl,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164103A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240155840A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN ORIENTATION NOTCH, A METHOD FOR DEPOSITING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20170117228A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Method for the epitaxial manufacture of a semiconductor device having a multi-layer structure

Номер патента: US4274890A. Автор: Jacques J. Varon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-06-23.

Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device

Номер патента: US10978305B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20150243509A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for forming gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR100574481B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for forming a pattern and a semiconductor device

Номер патента: US6767771B2. Автор: Ki-Bum Kim. Владелец: Ki-Bum Kim. Дата публикации: 2004-07-27.

Semiconductor component self-protecting against overvoltage, as well as method for manufacturing and switching such a semiconductor component

Номер патента: DE1169589B. Автор: Jakob Luescher,Dr Bogdan Zega. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1964-05-06.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for performing enrichment of an electrode of an electrochemical device with ionic species

Номер патента: US09876219B2. Автор: Steve Martin,Sylvain Poulet,Helene Porthault. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for tuning the laser frequency implemented in a rotating device with an optical waveguide

Номер патента: WO2024033666A1. Автор: Hrvoje BULJAN,Dario JUKIĆ. Владелец: University Of Zagreb, Faculty Of Science. Дата публикации: 2024-02-15.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09704862B2. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing display device, and transfer substrate for manufacturing display device

Номер патента: EP4012497A1. Автор: Sunghyun Moon,Jungsub KIM,Yongdae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: CA2402662A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

"fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity"

Номер патента: MY126104A. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: US20020173165A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device with a transistor having different source and drain lengths

Номер патента: US20090289308A1. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Method for fabricating thin insulating films, a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010046788A1. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same

Номер патента: US09761523B2. Автор: Chun-Lung HUANG,Jian-Hong Lin,Yu-Lun Chueh,Chien-Neng Liao,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Tsung-Cheng CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Fuse of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166801A1. Автор: Won Ho Shin,Hyung Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for measuring semiconductor device overlay using X-ray metrology

Номер патента: US09885962B2. Автор: Andrei V. Shchegrov,Andrei Veldman,Walter D. Mieher,Michael S. Bakeman. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for doping a semiconductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: WO2012063078A1. Автор: Jonathan Major,Kenneth Durose,Yuri Proskuryakov. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2012-05-18.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Fuse of a semiconductor device

Номер патента: US8324664B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09911676B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09905492B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for direct chip attach by solder bumps and an underfill layer

Номер патента: US20020062556A1. Автор: Peter Gruber,Michael Liehr,David Danovitch,Carlos Sambucetti,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for cleaning semiconductor wafers

Номер патента: US11752529B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Yinuo JIN,Zhaowei Jia,Xiaoyan Zhang,Xuejun Li,Fuping CHEN,Liangzhi Xie,Fufa Chen. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer

Номер патента: US20210336332A1. Автор: Anthony James LoBianco,Hoang Mong Nguyen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

A use of a semiconductor device, a method for controlling the state of a semiconductor switch and an electrical arrangement

Номер патента: AU6603700A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Per Skytt,Johan Hammersberg. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-04-10.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for doping a semi-conductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: GB201019039D0. Автор: . Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Light-emitting device with converted wavelength

Номер патента: RU2596179C2. Автор: Олег Борисович ЩЕКИН,Майкл Дэвид КАМРАС,ГРАНЕЛЬ Рафаэль Игнасио АЛЬДАС,Патрик Нолан ГРИЙО,Франк Майкл СТЕРАНКА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Substrate stripping method for semiconductor structure

Номер патента: US20230317873A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for measuring step difference in a semiconductor device and apparatus for performing the same

Номер патента: TW498473B. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Kye-Won Kim,Hyo-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Method for forming interconnection structure for a semiconductor device

Номер патента: GB9910078D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-30.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, printed wiring board, semiconductor package, and method for producing printed wiring board

Номер патента: US12103999B2. Автор: Akihiro Nakamura,Yoshikazu Suzuki,Yuji Takase,Shuji Nomoto,Shota Okade,Hayato SAWAMOTO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: TWI333675B. Автор: Seung Bum Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-21.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: TW384514B. Автор: Cheol Kyu Bok. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-03-11.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing a base of a semiconductor device

Номер патента: GB1555358A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-11-07.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: GB9613344D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

Method for monitoring defects of semiconductor device

Номер патента: US6038019A. Автор: Hwan-suk Chang,Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

Method for making integrated circuits

Номер патента: US5015600A. Автор: Frederick C. Livermore,John G. Hogeboom,Go S. Sunatori. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with supporter against which bonding wire is disposed and method for prparing the same

Номер патента: US20230395557A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for producing passive components on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040080919A1. Автор: Dag Behammer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

A cleaning composition for a substrate for a semiconductor device, a method for cleaning a substrate for a semiconductor device, a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, and a substrate for a semiconductor device

Номер патента: KR102460770B1. Автор: 도모히로 구사노,겐 하라다,야스히로 가와세. Владелец: 미쯔비시 케미컬 주식회사. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for fabrication semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US9978666B2. Автор: Ming-Tse Lin,Kuei-Sheng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20210351144A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Chien-Hao HSU,Wei-Hsiang TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11784111B2. Автор: HUNG-YI LIN,Wu Chou HSU,Chin-Cheng Kuo,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device with substrate for electrical connection

Номер патента: US20230369280A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with fixing feature on which bonding wire is disposed

Номер патента: US20240014165A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Wafer Level Package (WLP) and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200098705A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230043936A1. Автор: Yoo Sang Hwang,Tae Jin Park,Hui-jung Kim,Jun Soo Kim,Gyul GO,Gyung Hyun YOON,Eui Jun CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Primer, substrate equipped with primer layer, method for producing substrate equipped with primer layer, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230183415A1. Автор: Shingo Tanaka,Yoshitaka Takezawa,Ning Tang. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems And Methods For Improved Delamination Characteristics In A Semiconductor Package

Номер патента: US20180308713A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Systems and methods for improved delamination characteristics in a semiconductor package

Номер патента: WO2018200609A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220028800A1. Автор: Chun-Cheng Kuo,Chia-Chieh Hu,Yu-Hsiang CHAO,Yu-Hsing Lin,Jui-Tzu CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for controlling resistivity and crystallinity of low-resistance material through pvd

Номер патента: US20240355626A1. Автор: Takahiro Nakayama,Tomohiro Saitou,Do Hyun Oh,Chang Min SHIM,Hang KANG,Byeong Hwa JEONG. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Device and method for testing a concentrated photovoltaic module

Номер патента: US09859842B2. Автор: Philippe Gastaldo,Mathieu Guilhem. Владелец: Saint Augustin Canada Electric Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US5919336A. Автор: Shuzo Fujimura,Jun Kikuchi,Masao Iga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Via for Semiconductor Device Connection and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200243442A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US11894489B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20130037859A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-14.

Method for predicting defect in semiconductor device

Номер патента: US20220268830A1. Автор: Sungjin Kim,Sangwoon Lee,Chulwoo PARK,Taeyoon AN,Seunghyun Kim,Joohyun JEON,Wonki Roh,Seongjae Byeon,Hyoeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for making an integrated circuit having an embedded non-volatile memory

Номер патента: WO2007095404A2. Автор: Cheong M. Hong,Chi-Nan B. Li. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20160307861A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Via for semiconductor device connection and methods of forming the same

Номер патента: US11961800B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device having a saddle fin shaped gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110306178A1. Автор: Seung Joo Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device with a balun

Номер патента: US20110089543A1. Автор: Takeshi Fukuda,Hiroyuki Sakai,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2022233000A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090101994A1. Автор: Kyoung-Mi Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Multilayer wiring, method for placing dummy wiring in multilayer wiring, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110089569A1. Автор: Kazuhiko Asakawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: TW200504857A. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: US20050014386A1. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Systems and methods for air flow optimization in environment for semiconductor device

Номер патента: US12142507B2. Автор: Hsu-Shui Liu,Jiun-Rong Pai,Cheng-Lung Wu,Yang-Ann Chu,Yi-Fam SHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

METHOD FOR MAKING CONTACT WITH A SEMICONDUCTOR AND CONTACT ARRANGEMENT FOR A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140299998A1. Автор: Geinitz Eckart,Braun Gerhard,Sueske Erik. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor Device, Method for Fabricating a Semiconductor Device and Method for Reinforcing a Die in a Semiconductor Device

Номер патента: US20180218992A1. Автор: Edward Myers,Valerie Vivares. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for making contact with a semiconductor device

Номер патента: FR1304977A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1962-09-28.

Method for manufacturing a base of a semi-conductor device

Номер патента: US4192063A. Автор: Yoshio Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-03-11.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for manufacturing layered body, device for manufacturing layered body, layered body, and semiconductor device

Номер патента: EP4321657A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10930602B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784137B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170271332A1. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same and electric device

Номер патента: US8866312B2. Автор: Motoaki Tani,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220028801A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Ho ln LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180226411A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device having bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074145A1. Автор: Yi-Jen Lo,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US7309661B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Capacitor of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20100052097A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20100181627A1. Автор: Armin Willmeroth,Carolin Tolksdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160043030A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047372A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047368A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US20050245033A1. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140191414A1. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes

Номер патента: US20090239363A1. Автор: Wenya Fan,De-Ling Zhou,Roger Yu-Kwan Leung. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device surface treatment method

Номер патента: GB2276764A. Автор: Shuzo Fujimura,Jun Kikuchi,Masao Iga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-10-05.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20050202645A1. Автор: Gyu Kim,Hyo Yoon,Geun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20090121294A1. Автор: Masaya Ohtsuka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047361A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for calculating throughput in semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and computer program product

Номер патента: US20240213065A1. Автор: Shunsuke Kagaya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming interconnect bumps on a semiconductor die

Номер патента: TW419805B. Автор: Stuart E Greer,Robert A Munroe. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-01-21.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: TW515035B. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-21.

Method for controlling process conditions of a semiconductor fabricating equipments management system

Номер патента: TW368678B. Автор: Dae-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: TW200921767A. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-05-16.

System and method for testing of bonds of a semiconductor assembly

Номер патента: TW201215863A. Автор: Philip John King,Benjamin K Peecock. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-04-16.

A method for forming a contact on a semiconductor

Номер патента: GB8911307D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1989-07-05.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW504625B. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Method for Making Contact between a Semiconductor Material and a Contact Layer

Номер патента: US20150206750A1. Автор: Suenner Thomas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-07-23.

Method for manufacturing semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby

Номер патента: KR101413380B1. Автор: 장경호,조광제. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2014-06-30.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: CN115692212A. Автор: M·马佐拉. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor module and method for manufacturing same

Номер патента: US11749581B2. Автор: Yukihiro Kitamura,Fumihiko Momose,Yuhei Nishida,Takashi Ideno. Владелец: Dowa Metaltech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20180166297A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150264814A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Using a time invariant statistical process variable of a semiconductor chip as the chip identifier

Номер патента: US20060063286A1. Автор: Michael Frank,William Bidermann. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US20230386820A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047360A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for Producing Semiconductor Wafers and a System for Determining a Cut Position in a Semiconductor Ingot

Номер патента: US20070243695A1. Автор: Makoto Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for attaching clip for semiconductor package, and multi-clip attaching apparatus therefor

Номер патента: MY196834A. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Method for manufacturing a cell having pins and semiconductor device based on same

Номер патента: US20240296272A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Li-Chun Tien,Yen-Hung Lin,Lee-Chung Lu,Pin-Dai Sue,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for wire connection for laser programming of semiconductor device

Номер патента: KR970003920B1. Автор: Chang-Jae Lee,Won-Hyuk Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-22.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR PASSIVATING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20180108587A1. Автор: Jung Sung-Hoon,Tang Fu,Givens Michael Eugene,Xie Qi,Jiang Xiaoqiang,Calka Pauline. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems

Номер патента: US10410943B2. Автор: Sung-hoon Jung,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-09-10.

A semiconductor device and a manufacturing method for a metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100431810B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

METHOD FOR PRODUCING EXTERNAL PLOTS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2939566B1. Автор: Laurent Chabert,Sebastien Pruvost. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-03-11.

Method for joining an electrode of a semiconductor device with a contact piece

Номер патента: FR1305188A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1962-09-28.

Method for filling recessed features in a semiconductor device with a low resistivity metal

Номер патента: CN112805818A. Автор: 罗伯特·克拉克,尤凯鸿,大卫·奥梅亚拉,尼古拉斯·乔伊,焦纳兰詹·帕塔奈克,坎达巴拉·塔皮利,袴田隆宏,考利·瓦吉达,赫里特·勒斯因克. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for doping impurity material into a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP0316940B1. Автор: Moritaka C/O Fujitsu Limited Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

Ceramic heater with heater element and method for use thereof

Номер патента: US20020185487A1. Автор: Roger Lin,Ramesh Divakar,Morteza Zandi,Brian LaCourse,Ara Vartabedian,Jeffrey Kutsch. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing electrical connections in a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US9437527B2. Автор: Takeshi Yokoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

A method for passivating a surface of a semiconductor and related systems

Номер патента: TW201833374A. Автор: 湯福,琦 謝,麥可 尤金 吉凡斯,蔣曉強,寶琳 卡爾卡,鄭相鎬. Владелец: Ａｓｍ智慧財產控股公司. Дата публикации: 2018-09-16.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150262840A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Chip packaging structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230335507A1. Автор: Jin Yang,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for Manufacturing Contact Hole, Semiconductor Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20230043575A1. Автор: RAN Li,Xinru HAN,Leilei DUAN,Ching-Lun Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for low temperature thermal cleaning

Номер патента: WO2008117258A2. Автор: Jean-Marc Girard,Jun Sonobe,Takamitsu Shigemoto,Yudai Tadaki. Владелец: L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-10-02.

Fuse of a Semiconductor Device

Номер патента: US20110291230A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Susceptor For Holding A Semiconductor Wafer Having An Orientation Notch, A Method For Depositing A Layer On A Semiconductor Wafer, And Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180211923A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-26.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: KR101945025B1. Автор: 라인하르트 샤우어,크리스찬 하거. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2019-02-01.

Method for forming a layer and method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589040B1. Автор: 이승환,최한메,최대식,박기연,김영선,유차영,박영근,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Susceptor for holding a semiconductor wafer with orientation notch, method for depositing a layer on a semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: DE102015220924B4. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US9991208B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US11380621B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-07-05.

A welding bump and a method for forming the same, and a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: TWI469232B. Автор: Yoshihiko Yagi,Daisuke Sakurai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-01-11.

Method for forming submicroscopic patterns

Номер патента: US5593813A. Автор: Hyeong S. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-14.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US20230025264A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package

Номер патента: US4427992A. Автор: Kim Ritchie,James N. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-01-24.

Method for producing layered structures on a semiconductor substrate, semiconductor substrate and semiconductor components produced according to said method

Номер патента: EP0996967B1. Автор: Rolf Brendel. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2008-11-19.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: US20140175608A1. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for fabricating capacitor using metastable-polysilicon process

Номер патента: US20040266103A1. Автор: Jong-Min Lee,Min-Yong Lee,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11810840B2. Автор: Toshiyuki Okabe. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20210356870A1. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US11988970B2. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semicondcutor device

Номер патента: US20170030961A1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods for forming a fuse in a semiconductor device

Номер патента: US20040005776A1. Автор: Robert Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Method for improving the electrical characteristics of germanium semiconductor devices

Номер патента: US3227580A. Автор: Clarence G Thornton. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-01-04.

Emitting method for charged particle beam in manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPS57193030A. Автор: Yasuo Iida. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-27.

Multi-layer wiring structure, method for manufacturing multi-layer wiring structure, and semiconductor device

Номер патента: US20190088672A1. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for preventing Cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TWI272677B. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for planarizing non-level silicon dioxide in semiconductor devices

Номер патента: DE3162991D1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh,John S Lechaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-10.

Method for preventing cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TW200601457A. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TW200610062A. Автор: Woo-Kyung Sun,Won-chang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TWI294150B. Автор: Won Chang Lee,Woo Kyung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-01.

Method for Positioning a Semiconductor Chip on a Carrier and Method for Material-Fit Bonding of a Semiconductor Chip to a Carrier

Номер патента: US20170025373A1. Автор: Oeschler Niels. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

POLYMERS FOR HARD MASKS, HARD MASK COMPOSITIONS INCLUDING THE SAME, AND METHODS FOR FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A HARD MASK COMPOSITION

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Choi Jungsik,Yi Songse,KIM Boodeuk,Kim Myeong koo,CHOI Ahreum. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Composition for removing photoresist and method for forming a bump of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100581279B1. Автор: 전상문,전필권,박동진,도인회. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for producing semiconductor chips and method for producing a via in a semiconductor substrate

Номер патента: DE102012104304B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Khalil Hosseini. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-31.

a surface treatment method for a thin film of a semiconductor device and photolithography method thereof

Номер патента: KR100369776B1. Автор: 김경민,김학재,유왕희,변성수. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for forming metal layer for a semiconductor device

Номер патента: EP0273715B1. Автор: Minoru Hainesu Mizonokuchi 213 Inoue,Kouzi Fujitsu Dai 11 Nakahara Ryo Hashizume. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1994-07-13.

Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device

Номер патента: US5147822A. Автор: Shunpei Yamazaki,Shigenori Hayashi,Kazuo Urata,Itaru Koyama,Noriya Ishida,Mari Sasaki,Naoki Hirose,Mitsunori Tsuchiya,Shinji Imatou,Kouhei Wada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2855324B1. Автор: Atsushi Matsushita,Kasuaki Inukai. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-10.

A method for producing a film for a semiconductor device at a low temperature

Номер патента: DE69535661D1. Автор: Kenji Okada,Bunji Mizuno,Ichirou Nakayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Composition for an organic hard mask and method for forming a pattern on a semiconductor device using the same

Номер патента: US20060189150A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

A device for manipulating a semiconductor wafer in an epitaxy reactor and a method for manufacturing a wafer on a semiconductor having an epitaxy layer.

Номер патента: JP6794526B2. Автор: モース，パトリック,ヘヒト，ハネス. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-12-02.

Package for a semiconductor light emitting device and method for manufacturing a package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1624498B1. Автор: Howard C. c/o Lumileds Lighting US LLC Epstein. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2016-06-22.

Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271852A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

System for removing deposited material from within a semiconductor fabrication device

Номер патента: WO2003020449A1. Автор: Mitchell D. Bradley. Владелец: Bradley Mitchell D. Дата публикации: 2003-03-13.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIPS FROM A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20130178017A1. Автор: Hougron Patrick,Touzet Dominique,Jarry Vincent,Mendez José. Владелец: STMicroelectronics (Tours) SAS. Дата публикации: 2013-07-11.

METHODS FOR MAKING POROUS INSULATING FILMS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130207245A1. Автор: INOUE Naoya,TAGAMI Masayoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

METHODS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130260559A1. Автор: Yoon Kukhan,PARK Joon-Soo,KIM Cheolhong,NAM Seokwoo,KIM Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130260562A1. Автор: Park Jongchul,Yoon Kukhan,PARK Joon-Soo,KIM Cheolhong,NAM Seokwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR SWITCH AND METHOD FOR DETERMINING A CURRENT THROUGH A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20170010318A1. Автор: Butzmann Stefan,Feuerstack Peter,Sievert Holger. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Housing comprising a semiconductor body and a method for producing a housing with a semiconductor body

Номер патента: US20210104653A1. Автор: Martin Unterburger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-04-08.

METHOD FOR PRODUCING DOPING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20170236970A1. Автор: Hermle Martin,Reichel Christian,Benick Jan,Muller Ralph,Schrof Julian. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for Establishing Electrical Contact of a Semiconductor Layer and Semiconductor Component Having Electrical Contact

Номер патента: US20190229241A1. Автор: Holland Brendan,Behringer Martin Rudolf,Sommerfeld Jana,vom Dorp Sabine. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor Component with Integrated Crack Sensor and Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Component

Номер патента: US20140346509A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Method For Passivating A Surface Of A Semiconductor Material And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20190259905A1. Автор: FUCHS JENS-UWE,JOOSS WOLFGANG,PERNAU THOMAS,NGUYEN VIET XUAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: US20050277262A1. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for forming inlaid interconnects in a semiconductor device

Номер патента: US5578523A. Автор: Papu D. Maniar,Jeffrey L. Klein,Robert W. Fiordalice. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: TWI269382B. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for manufacturing isolation structures in a semiconductor device

Номер патента: TW200540986A. Автор: Chang-Sheng Tsao,Jung-Hui Kao,Yen-Ming Chen,Lin-June Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-16.

Method for forming the capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100243298B1. Автор: 유차영,박홍배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

A method for cleaning contact holes of a semiconductor device

Номер патента: KR100591162B1. Автор: 서병윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for forming metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100327580B1. Автор: 신강섭,김길호,박창욱. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-14.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100440072B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-14.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100696774B1. Автор: 이상도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-19.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444303B1. Автор: 김경민,신동우,박기선,조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for forming metal interconnections of a semiconductor device

Номер патента: KR101802435B1. Автор: 이경우,장우진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-29.

Method for forming multilevel interconnections in a semiconductor device

Номер патента: KR0178375B1. Автор: 마꼬또 세끼네,데쓰야 홈마. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR0172249B1. Автор: 황성보. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for shaping alignment key of a semiconductor device

Номер патента: KR100842494B1. Автор: 김명수. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for fabricating dmascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100641483B1. Автор: 백인혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100431811B1. Автор: 김경민,선호정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100426442B1. Автор: 김종수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-13.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100917057B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for forming bit-line of a semiconductor device

Номер патента: KR100519515B1. Автор: 김종환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-07.

Semiconductor body and a method for forming a transistor in a semiconductor body

Номер патента: KR100764270B1. Автор: 로타르 리쉬,게르하르트 엔데르스,디트리히 위드만,토마스 슐츠. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션. Дата публикации: 2007-10-05.

Method for an elements isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR960015595B1. Автор: 이찬종. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-11-18.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: KR101732936B1. Автор: 하현지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-05-08.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100682192B1. Автор: 김정호,선준협. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444305B1. Автор: 권순용,최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100338958B1. Автор: 강태웅. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

A method for a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR100520153B1. Автор: 황창연,유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

A method for forming a plug in a semiconductor device

Номер патента: CN1129853A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

Method for forming an isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20050056343A. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for forming dummy patterns in a semiconductor device

Номер патента: KR100230421B1. Автор: 김원철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for forming the metalization in a semiconductor device

Номер патента: KR100464393B1. Автор: 임현석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-02-28.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100363482B1. Автор: 홍성은,김명수,고차원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-30.

Method for generating doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component

Номер патента: DE102014215893A1. Автор: Ralph Müller,Jan Benick,Martin Hermle,Christian Reichel,Julian Schrof. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100209709B1. Автор: 이동원. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100523656B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100408726B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609535B1. Автор: 신중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

A method for forming a fuse of a semiconductor device

Номер патента: KR100359158B1. Автор: 안준권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

METHOD FOR FORMING CONTACT PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2764734B1. Автор: Un Yoon Bo,Kwon Jeong In,Seong Lee Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-08.

METHOD FOR PRODUCING METAL CONDUCTORS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2672429B1. Автор: Park Samsung Electroni Jong-Ho,Lee Samsung Electroni Deok-Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-14.

Method for manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6759293B2. Автор: Kwang-Jun Cho,Ki-Seon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for forming isolation layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100305077B1. Автор: 이창진,김수호,권오정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-01.

Prepreg, method for making the prepreg, substrate and semiconductor device

Номер патента: TW200726796A. Автор: Takayuki Baba,Takeshi Hosomi,Maroshi Yuasa,Kazuya Hamaya. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for mounting the housing of a semiconductor device

Номер патента: DE4135189B4. Автор: Jun Soo Ko. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for manufacturing a contact of a semiconductor device having an inclined surface

Номер патента: KR940016508A. Автор: 김진웅,김명선,설여송. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-23.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100359163B1. Автор: 안준권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming a microstructure in a semiconductor device

Номер патента: DE102007026372A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

METHOD FOR FORMING CONTACT PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2764734A1. Автор: Un Yoon Bo,Kwon Jeong In,Seong Lee Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-18.

Method for forming contact holes in a semiconductor device

Номер патента: US9761490B2. Автор: Yun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609531B1. Автор: 이상도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100346450B1. Автор: 권세한,김장엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-27.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: DE102014201584A1. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for forming metal layer of a semiconductor device

Номер патента: KR20010095589A. Автор: 손인수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-07.

Method for forming contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100953025B1. Автор: 정우영,김정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-14.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device using double patterning

Номер патента: US20080090418A1. Автор: Myeong-Cheol Kim,Kyung-yub Jeon,Hak-sun Lee,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for forming multilayered wiring in a semiconductor device

Номер патента: GB9711078D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-23.

System and method for improving mesa width in a semiconductor device

Номер патента: US20110037115A1. Автор: Unsoon Kim,Hiroyuki Kinoshita,Yider Wu,Kuo-Tung Chang,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100204017B1. Автор: 구영모,손기근. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: TW200417000A. Автор: Sang-Ho Woo,Dong-Su Park,Chang Rock Song,Cheol-Hwan Park,Tae-Hyeok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100641923B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-02.

A method for forming contact plugs in a semiconductor device

Номер патента: GB2326281B. Автор: Bo-Un Yoon,In-kwon Jeong,Won-Seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-12.

Method for forming a plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100376258B1. Автор: 정우석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer

Номер патента: US8772134B2. Автор: Vincent Jarry,Patrick Hougron,Dominique Touzet,Jose Mendez. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2014-07-08.

A method for a designing layout of a semiconductor device

Номер патента: KR100434959B1. Автор: 조규석,고복림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-09.

A method for forming a fuse of a semiconductor device

Номер патента: KR100955187B1. Автор: 나상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-29.

System and method for improving mesa width in a semiconductor device

Номер патента: TW200721371A. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Kuo-Tung Chang,Angela T Hui,Un-Soon Kim,Yi-Der Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Method for forming contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR0165501B1. Автор: 김형섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method for forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090298291A1. Автор: Jae Chang Jung,Sung Koo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device using a plasma processing

Номер патента: KR100269314B1. Автор: 조학주. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing fusible links in a semiconductor device

Номер патента: US6210995B1. Автор: Jeffrey Gambino,Thomas Rupp,Scott Halle,Axel C. Brintzinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444304B1. Автор: 길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for controlling dielectric isolation of a semiconductor device

Номер патента: US3886000A. Автор: Robert L Bratter,Arun K Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Method for producing a connection between a semiconductor component and semiconductor module resistant to high temperatures and temperature changes by means of a temperature impinging process

Номер патента: CN102396057B. Автор: M.科克,R.艾希尔. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2014-04-02.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609530B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

A method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100479812B1. Автор: 최봉호,최동구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020081752A1. Автор: NAM Kim,Seung Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for making inter-dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100353827B1. Автор: 김중헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-28.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100200307B1. Автор: 김현수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR970067859A. Автор: 이명범. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR101087783B1. Автор: 강춘수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for connecting conductive layers in a semiconductor device

Номер патента: DE19713501C2. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100756806B1. Автор: 박주온. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-10.

METHOD FOR FORMING MULTILEVEL INTERCONNECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2671664B1. Автор: Han-su Kim,Jang Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-27.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: GB201016929D0. Автор: . Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Systems and methods for achieving plasma stability with a drive circuit

Номер патента: WO2024158649A1. Автор: Neil Martin Paul Benjamin,Arthur H. Sato. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for forming a semiconductor light-emitting device and a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090001408A1. Автор: Atsushi Matsumura,Tomokazu Katsuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Systems and methods for integrated antenna arrangements

Номер патента: US20170187096A1. Автор: Aycan Erentok,Huan-Sheng Hwang,Thomas Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Complementarity split mask having alignment mark, method for forming alignment mark on the mask, semiconductor device formed by using the mask, and its forming method

Номер патента: TW200414302A. Автор: Shinichiro Nohdo,Keiko Amai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A3. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A Chan. Владелец: Jeffrey A Chan. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A2. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A. Chan. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for making a ridge waveguide semiconductor device

Номер патента: WO2001026193A1. Автор: Yi Qian,Hanh Lu. Владелец: Corning Lasertron, Inc.. Дата публикации: 2001-04-12.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A2. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A3. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-01.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: WO2021144562A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Licensing Limited. Дата публикации: 2021-07-22.

A method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: EP4090513A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for managing rechargeable power sources in a portable computing device with two or more usage modes

Номер патента: US09292067B2. Автор: Hee-Jun Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for making a case for a mobile device with a screen

Номер патента: US20230043945A1. Автор: James Gardner,Haim Geva. Владелец: Tech 21 Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US20150087288A1. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: US20130108094A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: EP2550811A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: US20240292342A1. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: EP4422289A2. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US09690560B2. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US09369823B2. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for detecting hysteresis characteristic of comparator and semiconductor device

Номер патента: US09425776B2. Автор: Yanfei Chen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Structures and methods for deriving stable physical unclonable functions from semiconductor devices

Номер патента: US11962709B1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Darren Anand,Dale Pontius. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for monitoring a radio frequency receiver and semiconductor device

Номер патента: US20240039686A1. Автор: Stefan Schmalzl,Andreas Schwarz,Thomas Josef BAUERNFEIND,Thomas Obermueller,Martin Louda,Furqan Farooq FAZILI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

System and method for optimizing energy obtained from renewable sources

Номер патента: EP4218110A1. Автор: Son H. Nguyen. Владелец: Solarlytics Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

System and method for optimizing energy obtained from renewable sources

Номер патента: WO2022067136A1. Автор: Son H. Nguyen. Владелец: Solarlytics, Inc.. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for determining the rotation angle of a rotor-stator device, with slip ring arrangement and computer tomograph

Номер патента: US09974513B2. Автор: Thilo Hannemann. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for charging the energy storage cells of an energy storage device, and rechargeable energy storage device

Номер патента: US09577441B2. Автор: Jochen Fassnacht,Erik Weissenborn,Martin Kessler,Peter Feuerstack. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for acoustically transparent display

Номер патента: WO2020126060A1. Автор: Ronny Van Belle,Daniel DE CASTER,José Ramón MENZINGER. Владелец: Barco N.V.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device including conductive network of protective film molecules and fine particles

Номер патента: US7626197B2. Автор: Shinichiro Kondo,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Method for performing adaptive input current control in an electronic device with aid of adaptor management, and associated apparatus

Номер патента: US09973075B2. Автор: Chia-Hsiang Lin,Nien-Hui Kung,Kuo-Chang Lo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Flexible printed circuit board, method for manufacturing the same, and capacitive touch display device

Номер патента: US09804705B2. Автор: Bin Ji,Xiuzhu TANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming a cylinder capacitor in the dram process

Номер патента: US5989954A. Автор: Jenn Ming Huang,Yu-Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064963A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

A method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: WO2023080920A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for streaming dynamic 5G AR/MR experience to 5G devices with updatable scenes

Номер патента: US12045940B2. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

A method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: EP4427199A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: US20240371103A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Composite structure, method for making a composite structure and heating device with composite structure

Номер патента: US20040099147A1. Автор: Stefan Hubert,Karen Thompson,Ted Wegert. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 2004-05-27.

System and method for optimizing energy obtained from renewable sources

Номер патента: CA3193440A1. Автор: Son H. Nguyen. Владелец: Solarlytics Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TW200820264A. Автор: Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TWI366831B. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

LIMITING CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND METHOD FOR LIMITING THE VOLTAGE ACROSS A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20140070877A1. Автор: Peuser Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20190131972A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-02.

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING NETLIST OBFUSCATION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210243041A1. Автор: SCHAT Jan-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20200252069A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

METHOD FOR GENERATING ELECTRIC ENERGY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: FR2963165A1. Автор: Thomas Skotnicki,Stephane Monfray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-01-27.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: KR102554565B1. Автор: 딘 간스. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2023-07-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210099160A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180167055A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING BIAS SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190172507A1. Автор: TSUKADA Shuichi,Asaki Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING CLOCK SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304532A1. Автор: YAMASHITA Akira,KURIHARA Kazuhiro,Kitagawa Katsuhiro,NAKAMURA Kohei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200336137A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: NL2034529B1. Автор: Hermans Mark. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-10-14.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A3. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for short-term operation of well using immersed pump device with electric drive

Номер патента: RU2293176C1. Автор: Николай Петрович Кузьмичев. Владелец: Николай Петрович Кузьмичев. Дата публикации: 2007-02-10.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for capturing carbon dioxide and nitrogen oxides in flue gas and conversion thereof to carbon source and nitrogen source needed for algae growth

Номер патента: AU2023202798A1. Автор: Cheng-Jen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for capturing carbon dioxide and nitrogen oxides in flue gas and conversion thereof to carbon source and nitrogen source needed for algae growth

Номер патента: AU2023202798B2. Автор: Cheng-Jen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for constructing computational process of testing electronic i/o devices with exchange diagnostics

Номер патента: RU2750109C1. Автор: Виктор Викторович Прудков. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2021-06-22.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A2. Автор: Dong Zhou,Marion C. Lineberry,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green. Владелец: NTT DOCOMO Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A3. Автор: Dong Zhou,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green,Marion C Lineberry. Владелец: Marion C Lineberry. Дата публикации: 2007-08-23.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09953578B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09761176B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09626911B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US20090035693A1. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for controlling a limited teleoperation, over a subset of degrees of freedom, of a master-slave robotic system for medical or surgical teleoperation and related robotic system

Номер патента: EP4294309A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Emanuele Ruffaldi. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: CA3030314C. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2024-02-20.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A2. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-08-30.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: US20240118681A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: EP4354231A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method for controlling an articulated end effector actuated by one or more actuation tendons of a surgical instrument of a robotic system for surgery, and related robotic system for surgery

Номер патента: AU2022349880A1. Автор: Giuseppe Maria Prisco,Massimiliano Simi,Matteo Tanzini,Matteo BAGHERI GHAVIFEKR,Antonio DI GUARDO. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for activating and using a trackpad at an electronic device with a touch-sensitive display and no force sensors

Номер патента: US11119653B2. Автор: Marcos Alonso Ruiz,Morgan H. Winer,Randal J. Marsden,Colin D. Munro. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Systems and methods for stimulating or blocking a nerve using an electrode device with a sutureless closure

Номер патента: US20230355965A1. Автор: Steven M. Goetz,Rebecca K. Gottlieb,David John Miller,Leonid M. Litvak,Kanthaiah Koka,Maneesh Shrivastav,ShaileshKumar V. Musley,Suryakiran Vadrevu. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for use in making a blister package lid

Номер патента: US11793717B1. Автор: David Neuman. Владелец: Automated Assembly Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170352315A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20160321998A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170069272A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and...

Номер патента: US20160189637A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for capturing carbon dioxide and nitrogen oxides in flue gas and conversion thereof to carbon source and nitrogen source needed for algae growth

Номер патента: EP4349457A1. Автор: Cheng-Jen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for capturing carbon dioxide and nitrogen oxides in flue gas and conversion thereof to carbon source and nitrogen source needed for algae growth

Номер патента: US20240216860A1. Автор: Cheng-Jen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Cartridge with power source and electrode pad being attachable to defibrillator and related method

Номер патента: EP1448265A1. Автор: Daniel J. Powers,James K. Russell. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-25.

Illumination device with different distances between light sources and lenslets

Номер патента: US20150159830A1. Автор: Dennis JOERGENSEN. Владелец: Martin Professional ApS. Дата публикации: 2015-06-11.

System and method for indicating data transfer method selection

Номер патента: US20190361578A1. Автор: John Jong-Suk Lee,Arun Victor JAGGA,Sebastien Forget,Adrian Bloy,Ryan Edmund Vekeman,Connie Maun-Fong Chan,Daniel Lam Tin Cheung. Владелец: Toronto Dominion Bank. Дата публикации: 2019-11-28.

Device and method for sorting bulk material

Номер патента: RU2660077C2. Автор: Зигмар ЛАМПЕ. Владелец: Сикора Аг. Дата публикации: 2018-07-04.

Semiconductor device resolution enhancement by etching multiple sides of a mask

Номер патента: US09658531B2. Автор: Guoxiang Ning,Paul Ackmann,Chunyu WONG,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Device and method for heavy oil products hydroconversion

Номер патента: RU2709813C1. Автор: Марио МОЛИНАРИ,Сузи БОНОМИ. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2019-12-23.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Peak powder, in particular for use in method for layer-wise manufacturing of three-dimensional object, as well as method for production thereof

Номер патента: RU2487141C2. Автор: Франк Мюллер,Андреас ПФИСТЕР,Мартин ЛОЙТЕРЕР. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2013-07-10.

Heat transfer element, method for forming the same and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US12111114B2. Автор: Po-Cheng Huang,Shin-Luh Tarng,Ian HU,Hung-Hsien Huang,Chien-Neng Liao,Jui-Cheng Yu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for optimizing element sizes in a semiconductor device

Номер патента: TW445511B. Автор: Joseph Norton,David Blaauw,Satyamurthy Pullela,Timothy J Edwards,Abhijit Dharchoudhury. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Inspection system and methods for inspecting an optical surface of a laser scanner

Номер патента: US12025565B2. Автор: Fei Cai,Richard Calawa. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for real-time traffic management

Номер патента: WO2024003914A1. Автор: Shlomi Dolev,Ehud Gudes,Hannah YAIR. Владелец: B.G. Negev Technologies And Applications Ltd ., At Ben Gurion University. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for producing silicon fine particles

Номер патента: US20130189177A1. Автор: Masato Yoshikawa,Shingo Ono,Shigeki Endo,Seiichi Sato,Osamu Shino,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

System, method and non-transitory computer readable medium for dynamically assessing degradation of semiconductor device

Номер патента: WO2024098237A1. Автор: Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

System and method for photopolymerizing electrophoretic gels

Номер патента: EP4392769A1. Автор: Nathan T. Allen,Paul Sydlowski,Kevin Wu,Anja Dedeo,Gerard LIBBY,Trisha BAILEY,Ryan Amara,Kelly Wolfe,Katelyn KAVANAUGH. Владелец: EMD Millipore Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

System And Method For Photopolymerizing Electrophoretic Gels

Номер патента: US20240309195A1. Автор: Nathan T. Allen,Paul Sydlowski,Kevin Wu,Anja Dedeo,Gerard LIBBY,Trisha BAILEY,Ryan Amara,Kelly Wolfe,Katelyn KAVANAUGH. Владелец: EMD Millipore Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

A method for controlling the stroke of a diesel free-piston gas generator

Номер патента: WO1997028362A1. Автор: Rolf Kvamsdal,Tor Arne Johansen,Olav Egeland,Magnar Jarle FØRDE. Владелец: Kvaerner Asa. Дата публикации: 1997-08-07.

Spherical forsterite particles, method for producing the same, and resin composition including spherical forsterite particles

Номер патента: US12129360B2. Автор: Shuhei Yamada,Masahiro Hida. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Operating method, related touch display device and related semiconductor device

Номер патента: EP3398040A1. Автор: Yifei ZHAN,Dayu ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for manufacturing an article on top of a base device

Номер патента: US20240017324A1. Автор: Per Viklund,Ville-Pekka MATILAINEN. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

1,4-benzodiazepone-2,5-diones and related compounds with therapeutic properties

Номер патента: US09849138B2. Автор: Gary D. Glick. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for plasma-cutting a workpiece by means of a plasma-cutting system and pulsating current

Номер патента: US09731375B2. Автор: Volker KRINK,Gerhard Irrgang,Jens Friedel,Jens Ollmann. Владелец: Kjellberg Finsterwalde Plasma Und Maschinen GMBH. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method for indicating data transfer method selection

Номер патента: US20190018552A1. Автор: John Jong-Suk Lee,Arun Victor JAGGA,Sebastien Forget,Adrian Bloy,Ryan Edmund Vekeman,Connie Maun-Fong Chan,Daniel Lam Tin Cheung. Владелец: Toronto Dominion Bank. Дата публикации: 2019-01-17.

A method for providing a perimetry processing tool and a perimetry device with such a tool

Номер патента: WO2022078568A1. Автор: Samuel WEINBACH,Jonas ANDRULIS. Владелец: Haag-Streit AG. Дата публикации: 2022-04-21.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: TW200530893A. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-16.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Methods for treating cognitive disorders using 1-benzyl-1-hydroxy-2,3-diamino-propyl amines, 3-benzyl-3-hydroxy-2-amino-propionic acid amides and related compounds

Номер патента: US20160051555A9. Автор: John E. Donello,Lauren M. Luhrs,Fabien J. Schwieghoffer. Владелец: Allergan Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Methods for treating cognitive disorders using 1-benzyl-1-hydroxy-2,3-diamino-propyl amines, 3-benzyl-3-hydroxy-2-amino-propionic acid amides and related compounds

Номер патента: US20150231140A1. Автор: John E. Donello,Lauren M. Luhrs,Fabien J. Schwieghoffer. Владелец: Allergan Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

DEVICES AND METHODS FOR DETECTING DETERIORATION OF THE CONDITION OF SEMICONDUCTOR DEVICES DUE TO EXPOSURE TO THEIR RADIATION

Номер патента: RU2018104580A. Автор: Адам Джозеф ВИТТКОП. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-09-05.

Method and device for electrically contacting components in a semiconductor wafer

Номер патента: US11796567B2. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20040238899A1. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: WO2005093761A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-10-06.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor

Номер патента: US6903423B2. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Spinal disk herniation repositioning and radiofrequency ablation (RFA) device and method for treating vertebral disc herniation

Номер патента: US09918786B2. Автор: Jinsheng Wang,Hongkui Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US09572484B2. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US09314154B2. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-04-19.

The method of desalination of sea water using a semiconductor thermoelectric cooling device with ultraviolet radiation with an artificial decrease in atmospheric pressure

Номер патента: RU2017136671A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Динара Пашаевна Шихахмедова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2019-04-17.

Method for analyzing the operation of a semiconductor device, method for analyzing a specific physical phenomenon and device for carrying out these methods

Номер патента: DE69033893T2. Автор: Mamoru Kurata,Shin Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for producing thin plate-like laminate having film-like resin layer

Номер патента: CA3134110A1. Автор: Naomi Goto,Takuzo Imaizumi,Naoki Shiba. Владелец: Futamura Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Flow device and flow method for an additive manufacturing device and an additive manufacturing device with such a flow device

Номер патента: US12115722B2. Автор: Alexander SCHILLING,Sebastian Mehl,Franz-Josef Kerl. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for regulating voltage characteristics of a latch circuit, method for regulating voltage characteristics of a semiconductor device, and regulator of voltage characteristics of a latch circuit

Номер патента: WO2010143707A1. Автор: 鈴木　誠,俊郎 平本,貴康 桜井. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2010-12-16.

Monitor system and method for semiconductor processes

Номер патента: US20150148933A1. Автор: Chih-Wei Huang,Feng-Ning Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Compositions and methods for detecting and treating high grade subtypes of uterine cancer

Номер патента: WO2022020359A1. Автор: Goutham Narla,Caitlin O'CONNOR. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2022-01-27.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US9547742B2. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A2. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US20160314238A1. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-27.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TWI294626B. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-11.

Method for detecting central position of pellet in semiconductor device

Номер патента: JPS57125307A. Автор: Takashi Kamiharashi. Владелец: Kaijo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-04.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TW200531074A. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for presenting on the same graph and analyzing data having different values received from various sources and a device thereof

Номер патента: WO2010047668A2. Автор: Arif Kusman. Владелец: Arif Kusman. Дата публикации: 2010-04-29.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20220035539A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

METHOD FOR MAKING SECURE A CONTROL ON A VISUALIZATION DEVICE WITH A TACTILE SURFACE, AND ASSOCIATED SYSTEM

Номер патента: US20140132555A1. Автор: Becouarn Loïc,Hourlier Sylvain,LE ROUX Yannick,ALAPETITE Alexandre,FOGH Rune,ANDERSEN Henning Boje. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group

Номер патента: US5377136A. Автор: Manabu Shibata,Akira Uragami,Yoji Nishio,Fumiaki Matsuzaki,Fumio Murabayashi,Shoichi Kotoku,Yoshitatsu Kojima. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Device and method for detecting the overheating of a semiconductor device

Номер патента: US20050133785A1. Автор: Thomas Huber,Herbert Benzinger,Norbert Wirth,Georg Eggers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-23.

A process for making brominating agents in flow

Номер патента: WO2018033507A3. Автор: Wim DERMAUT,Christian Stevens,Bart Cappuyns,Matthias Moens. Владелец: AGFA NV. Дата публикации: 2018-08-16.

A process for making brominating agents in flow

Номер патента: US20210017024A1. Автор: Wim DERMAUT,Christian Stevens,Bart Cappuyns,Matthias Moens. Владелец: AGFA NV. Дата публикации: 2021-01-21.

A process for making brominating agents in flow

Номер патента: WO2018033507A2. Автор: Wim DERMAUT,Christian Stevens,Bart Cappuyns,Matthias Moens. Владелец: AGFA NV. Дата публикации: 2018-02-22.

METHOD FOR PLACING OPERATIONAL CELLS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Priel Michael,Rozen Anton,BERKOVITZ ASHER. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-11-27.

METHODS FOR DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RISK VIA

Номер патента: US20160283634A1. Автор: KIM Byung-Moo,PAEK Seung Weon. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Method for improved die release of a semiconductor device from a wafer

Номер патента: US6544898B2. Автор: Nan Zhang,Bruce Polson,Howard P. Wilson. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Non-volatile memory circuit, a method for driving the same, and a semiconductor device using the memory circuit

Номер патента: US6847543B2. Автор: Kiyoyuki Morita,Kenji Toyoda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor memory device and method for reading data from such a semiconductor memory device

Номер патента: DE4206079C2. Автор: Mitsuru Sugita,Toyokatsu Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-08-03.

SEPARATION DEVICE WITH SEDIMENTABLE MATERIALS SEPARATOR, LIGHT MATERIAL SEPARATOR AND DRAINING SYSTEM

Номер патента: FR2383131A1. Автор: . Владелец: Passavant Werke Michelbacher Hutte. Дата публикации: 1978-10-06.

Method for improved die release of a semiconductor device from a wafer

Номер патента: TW531845B. Автор: Nan Zhang,Bruce Polson,Howard P Wilson. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-05-11.

Method for measuring the density of a semiconductor device layout

Номер патента: US10671794B1. Автор: Stefan Halama,Saravanan Padmanaban,Phanindra Bhagavatula. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Apparatus and a method for use in making a railway rail-fastening clip

Номер патента: CA1097896A. Автор: Peter E. Checkley. Владелец: Pandrol Ltd. Дата публикации: 1981-03-24.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for measurement of vehicle outer noise by bazhenov

Номер патента: RU2392603C1. Автор: Сергей Александрович Баженов. Владелец: Открытое акционерное общество "Автомобильный завод "Урал". Дата публикации: 2010-06-20.

Method for forming a pattern and a semiconductor device

Номер патента: AU2002219700A1. Автор: Ki-Bum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-24.

Semiconductor circuit and method for mitigating current variation in a semiconductor circuit

Номер патента: TW200935731A. Автор: Chih-Chien Hung,Sy-Chyuan Hwu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Method for stabilization of image, which is produced by optoelectronic device with mechanical scanning, and device which implements said method

Номер патента: RU2156548C1. Автор: Б.В. Грязев,Н.В. Петров,В.Н. Кукушкин,В.И. Жемеров. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2000-09-20.

System and method for testing for defects in a semiconductor memory

Номер патента: TW201225098A. Автор: Cheng-Chi Liu,Yin-Chin Huang,Yi-Fang Chang,Chu-Pang Huang,Min-Kuang Li,Chang-Chan Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

METHOD FOR MEASURING SERIAL RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR DIODE BASE

Номер патента: RU2013145530A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for diffusion of antimony into a semiconductor

Номер патента: CA868645A. Автор: L. Gittler Frank. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-04-13.

Manufacturing method for a node contact on a semiconductor chip

Номер патента: TW430976B. Автор: Szu-Min Lin,Chuan-Fu Wang,Chin-Hui Lee,Jung-Chao Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

Method for protecting the apparatus in a semiconductor chamber

Номер патента: TW446996B. Автор: Wen-Chin Tzeng,Chuen-Ji Pang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-07-21.

METHODS FOR STRESSING TRANSISTOR CHANNELS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20130001575A1. Автор: Forbes Leonard,Bhattacharyya Arup,Farrar Paul A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Troppmann Rainer,Noha Frank. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-24.

METHOD FOR MAKING A SOLID STATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120100656A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Apparatus and a method for use in making a railway rail-fastening clip

Номер патента: ZA784077B. Автор: P Checkley. Владелец: Pandrol Ltd. Дата публикации: 1979-07-25.

Method for forming silicide in removable spacer of semiconductor device

Номер патента: TW471041B. Автор: Jian-Ting Lin,Hua-Jou Tzeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for automatically improving technological structure parameters of semiconductor device based on physical constraint

Номер патента: CN118839646A. Автор: 陈静,张珺,杜炜,郭宇锋,姚清,姚佳飞,杨可萌. Владелец: Nanjing University Of Posts And Telecommunications Nantong Institute Co ltd. Дата публикации: 2024-10-25.

METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120083127A1. Автор: Clark Robert D.,Strang Eric J.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-04-05.

A resin composition for encapsulation, and a method for manufacturing a rearranged wafer, a semiconductor package, and a semiconductor package using the resin composition.

Номер патента: JP6915256B2. Автор: 智子 上田,浩司 太田,武史 中村,英俊 井上,井上　英俊,来 佐藤,裕司 竝木. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

A semiconductor integrated circuit device with an improved heat sink

Номер патента: DE3174596D1. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Osamu Sakuma,Norio - Honda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-06-12.

METHOD FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120208361A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR PRODUCING CONTACT OPENINGS IN A SEMICONDUCTOR BODY AND SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES ON A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: US20120315759A1. Автор: Hofer Heimo,Poelzl Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for making complementary type metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN102194749B. Автор: 赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for forming a laminated structure, a semiconductor device, and a crystalline oxide film

Номер патента: JP7078582B2. Автор: 武紀 渡部,洋 橋上,崇寛 坂爪. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR970077649A. Автор: 김현수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for making complementary type metal-oxide semiconductor device

Номер патента: CN102194749A. Автор: 赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.