Composition for cleaning semiconductor substrate, method for cleaning semiconductor substrate, and method for producing semiconductor substrate
Номер патента: US20240117277A1
Опубликовано: 11-04-2024
Автор(ы): Tomoyuki Adaniya, Toshiyuki Oie
Принадлежит: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-04-2024
Автор(ы): Tomoyuki Adaniya, Toshiyuki Oie
Принадлежит: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Composition for forming electroconductive film such as electrode or wiring, method for forming electroconductive film such as electrode or wiring, and method for producing electron emitting device, electron source and image forming apparatus
Номер патента: US20020012868A1. Автор: Masahiro Terada,Tsuyoshi Furuse,Shosei Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.