Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Serial time-division-multiplexed bus with bidirectional synchronization/control word line

Serial time-division-multiplexed bus with bidirectional synchronization/control word line

Номер патента: US20150280904A1
Опубликовано: 01-10-2015
Автор(ы): Khosro Mohammad Rabii, Matthew David Sienko, Zhilong Tang
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Serial time-division-multiplexed bus with bidirectional synchronization/control word line

Номер патента: EP3123347A1. Автор: Khosro Mohammad Rabii,Zhilong Tang,Matthew David Sienko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-01.

Serial time-division-multiplexed bus with bidirectional synchronization/control word line

Номер патента: US09369272B2. Автор: Khosro Mohammad Rabii,Zhilong Tang,Matthew David Sienko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Interconnects using self-timed time-division multiplexed bus

Номер патента: EP2366154A1. Автор: Ting Zhou,Ephrem C. Wu,Tezaswi Raja,Robin J. Tang. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Interconnects using self-timed time-division multiplexed bus

Номер патента: EP2366154A4. Автор: Ting Zhou,Tezaswi Raja,Ephrem C Wu,Robin J Tang. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2016-08-10.

Interconnects using self-timed time-division multiplexed bus

Номер патента: TW201020798A. Автор: Ting Zhou,Tezaswi Raja,Ephrem C Wu,Robin J Tang. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

SERIAL TIME-DIVISION-MULTIPLEXED BUS WITH BIDIRECTIONAL SYNCHRONIZATION/CONTROL WORD LINE

Номер патента: US20150280904A1. Автор: Sienko Matthew David,Rabii Khosro Mohammad,Tang Zhilong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

Compression algorithms for transmitting messages over vehicle bus with preliminary presentation data

Номер патента: RU2709357C2. Автор: Энтони Марио Д'АМАТО,Джон Томас МАЛЛЕН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-17.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Hdmi extender with bidirectional power over twisted pair

Номер патента: US20170277642A1. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-28.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20170364458A1. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-21.

HDMI extender with bidirectional power over twisted pair

Номер патента: US9946663B2. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Schenzhen Hollyland Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

HDMI extender with bidirectional power over twisted pair

Номер патента: US9710038B1. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Schenzhen Hollyland Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20160299862A1. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Schenzhen Hollyland Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

HDMI extender with bidirectional power over twisted pair

Номер патента: US09798681B2. Автор: Dezhi Liu,O. Bradley Corbin. Владелец: Schenzhen Hollyland Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20190012275A1. Автор: Corbin O. Bradley,Liu Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20180232322A1. Автор: Corbin O. Bradley,Liu Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

HDMI EXTENDER WITH BIDIRECTIONAL POWER OVER TWISTED PAIR

Номер патента: US20170277642A1. Автор: Corbin O. Bradley,Liu Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20160299862A1. Автор: Corbin O. Bradley,Liu Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

HDMI Extender with Bidirectional Power Over Twisted Pair

Номер патента: US20170364458A1. Автор: Corbin O. Bradley,Liu Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Programmable word length and self-testing memory in a gate array with bidirectional symmetry

Номер патента: CA1242276A. Автор: Joseph L. Angleton,Jeffery L. Gutgsell. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Formatting electronic mail subject line with bidirectional text

Номер патента: US09817793B1. Автор: Tomer Mahlin,Amir Brandsdorfer,Ira Fishbein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

FORMATTING ELECTRONIC MAIL SUBJECT LINE WITH BIDIRECTIONAL TEXT

Номер патента: US20170308506A1. Автор: Mahlin Tomer,Brandsdorfer Amir,Fishbein Ira. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Data structure for data transmission on a time division multiplexed bus

Номер патента: EP1451697A1. Автор: Shiro Suzuki,Guillermo Lopez,Jesus Callejon Del Ires 155A22 PALOMINO ECHARTEA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Distributed time division multiplexing bus

Номер патента: WO1984002438A1. Автор: Bryan Scott Moffitt,Douglas Charles Smith,Dennis Bryan James. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1984-06-21.

Data structure for data transmission on a time division multiplexed bus

Номер патента: WO2003034244A1. Автор: Shiro Suzuki,Guillermo Lopez,Jesus Palomino Echartea. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-04-24.

SYNCHRONIZATION TIME-DIVISION MULTIPLEXING BUS COMMUNICATION METHOD ADOPTING SERIAL COMMUNICATION INTERFACE

Номер патента: US20150103845A1. Автор: Xu Qin,WU Zhe,Yan Jun,ZHENG Sheng,Yang Zhen,Liu Xi,Zhao Shen,LIN Qun,XI Honglei,Zhou Zhenyu,Chen Rongzhu,Dai Ruihai,Sun Yongxian. Владелец: JIANGSU XIDIANNANZI SMART ELECTRIC POWER EQUIPMENT CO., LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Data Transceiving System and Method in Time Division Multiplex Bus

Номер патента: KR100456976B1. Автор: 문인수. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Distributed time division multiplexing bus

Номер патента: AU2342584A. Автор: Bryan Scott Moffitt,Douglas Charles Smith,Dennis Bryan James. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-07-05.

Multiple access data communications controller for a time-division multiplex bus

Номер патента: CA1222079A. Автор: Greg M. Townsend. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-05-19.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: EP2780912A1. Автор: Deepak Raghu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-24.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: US20130128665A1. Автор: Nima Mokhlesi,Deepak Raghu,Lanlan Gu,Ashish Pal Singh Ghai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Uniaxial bidirectional synchronous control electromagnetic loaded dynamic shear test system and method

Номер патента: US11913915B2. Автор: Jun Wang,Kai Zhang,Tao Zhou,Jianbo Zhu,Heping XIE,Mingzhong Gao,Cunbao Li,Zhiyi LIAO. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Writing logically offset pages of data to N-level memory cells coupled to a common word line

Номер патента: US09905294B1. Автор: Alex Tang,Stephen Hanna,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Type-Based Message Bus with Message Type Hierarches for Non-Object Oriented Applications

Номер патента: US20200310996A1. Автор: Aaron T. Twohig,Fearghal O'Maolcatha. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: EP3014626A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-04.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: WO2014209778A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Data recovery method after word line-to-word line short circuit

Номер патента: US9785493B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Word line group read counters

Номер патента: US11934689B2. Автор: Harish Reddy Singidi,Gianni Stephen Alsasua,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Device for searching minimum value of placement intensity in complete matrix systems with bidirectional transmission of information

Номер патента: RU2634198C1. Автор: Дмитрий Борисович Борзов,Юлия Васильевна Соколова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2017-10-24.

Topology optimization with bidirectional mesh adaptation

Номер патента: EP4437446A1. Автор: Ramesh Subramanian,Jose L. Rodriguez,Tsz Ling Elaine Tang,Songtao Xia,Karl-Johan Nogenmyr. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-02.

Topology optimization with bidirectional mesh adaptation

Номер патента: WO2023133734A1. Автор: Ramesh Subramanian,Jose L. Rodriguez,Tsz Ling Elaine Tang,Songtao Xia,Karl-Johan Nogenmyr. Владелец: Siemens Energy Global GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2023-07-20.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Programmable write word line boost for low voltage memory operation

Номер патента: US20180226111A1. Автор: John J. Wuu,Russell Schreiber,Stephen Victor Kosonocky,Alexander W. Schaefer,David Hugh McIntyre,Ravi T. Jotwani,Samiul Haque Khan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Electronic device including memory arrays with variable resistance storage elements arranged on different sides of a word line driving unit

Номер патента: US9535834B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Cache memory device including word line driver circuit and method

Номер патента: US6738278B2. Автор: Jin Sung Kim,Kwang-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Word line driver for vector-by-matrix multiplication array

Номер патента: US20240095508A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran,Ahn Ly. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Modular memory architecture with more significant bit sub-array word line activation in single-cycle read-modify-write operation dependent on less significant bit sub-array data content

Номер патента: US20230135708A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Dynamic word line driver for cache

Номер патента: US6122710A. Автор: Manoj Kumar,Huy Van Pham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Read schemes with adjustment for neighboring word line sanitization

Номер патента: US20240143229A1. Автор: Ravi J. Kumar,Sujjatul Islam,Md Raquibuzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation with a modulated word line assertion

Номер патента: US20230280915A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-07.

Word line discharge skip for faster read time

Номер патента: US20200411100A1. Автор: Yosuke Kato,Norihiro Kamae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Word line cache mode

Номер патента: US10366733B1. Автор: Gregg D. Wolff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Smart Bus with AI Based Face Mask Detection System in Pandemic Situations Using Raspberry PI

Номер патента: AU2021103468A4. Автор: Kiran Kumar Chandriah,Mohana Krishna Irrinki,Leta Tesfaye Jule,Jayanthi Kannan M. K.,Shifa Manihar,Durga S.,Ananth Kumar T.,Samraj Lawrence T.,Vijendra Singh Thakur,Saravanan V.. Владелец: Jule Leta Tesfaye Dr. Дата публикации: 2021-08-12.

Digital interrupt management system with bidirectional selection lines

Номер патента: US11928065B2. Автор: Alessandra Maria Rizzo Piazza Roncoroni,Eyuel Zewdu TEFERI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-12.

A emergency bell-cctv integrated system with bidirectional call function in emergency bell with single network

Номер патента: KR101832446B1. Автор: 정재호. Владелец: 주식회사 포딕스시스템. Дата публикации: 2018-04-13.

Phase shifter with bidirectional amplification

Номер патента: WO2020226787A1. Автор: Lai Kan Leung,Xinmin Yu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-11-12.

Phase shifter with bidirectional amplification

Номер патента: EP3963718A1. Автор: Lai Kan Leung,Xinmin Yu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Power supply architecture with bidirectional battery idealization

Номер патента: GB2612487A. Автор: Akram Hasnain,PERRY Ivan,J King Eric. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Power supply architecture with bidirectional battery idealization

Номер патента: US11855471B2. Автор: Eric J. King,Hasnain Akram,Ivan Perry. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Power supply architecture with bidirectional battery idealization

Номер патента: US20240072559A1. Автор: Eric J. King,Hasnain Akram,Ivan Perry. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US12040008B2. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Setting channel voltages of adjustable resistance bit line structures using dummy word lines

Номер патента: US09455301B2. Автор: Perumal Ratnam,Tianhong Yan,Christopher Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US20230186969A1. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Double-sided dockable keyboard base with bidirectional wireless charging for 2in1 devices

Номер патента: JP6797932B2. Автор: ク，ジェフ,ソン，ガヴィン,ジェイ． ハムリン，クリストファー,バイ ワーン，イヴァン,ツァイ，シモン. Владелец: インテル コーポレイション. Дата публикации: 2020-12-09.

Real-time transportation network topology control-combined traffic flow control and dynamic route guidance system using in-vehicle navigator with bidirectional communication and parking guidance and reservation system using the same

Номер патента: US09734710B2. Автор: Chung Gu Kang. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11935594B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20210383869A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4162491A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Computer bus interface unit with bidirectional temporary storage memory

Номер патента: NZ245347A. Автор: Nader Amini,Sherwood Brannon,Bechara Fouad Boury,Terence Joseph Lohman,Richard Louis Horne. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1995-09-26.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: EP3332407A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: US09460805B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US20240055064A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: US20200202961A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US20230102668A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US12094550B2. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Dummy word line bias ramp rate during programming

Номер патента: US09887002B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Vertical non-volatile memory device including plural word line stacks

Номер патента: US09711188B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Shared global read and write word lines

Номер патента: US09455026B2. Автор: Ping Liu,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US09666800B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Integration of word line switches with word line contact via structures

Номер патента: US09595535B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Makoto Yoshida,Toru Miwa,Takuya Ariki,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: WO2024017077A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Compensation word line driver

Номер патента: US11869581B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20230207027A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US11848058B2. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Compensation Word Line Driver

Номер патента: US20220277789A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Word line driver circuit and memory

Номер патента: US12027232B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for controlling activation period of word line of volatile memory device and method thereof

Номер патента: US20070280019A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US09997239B1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US9984753B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with different word line hook up regions based on pass through signals

Номер патента: US11817150B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US11862281B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Tchnologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device detecting defect by measuring line resistance of word line

Номер патента: US11835579B2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US11830539B2. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: EP3711055A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: WO2020131167A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Fast search for leaky word line

Номер патента: WO2024035480A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory in which access to broken word line is inhibited

Номер патента: US6111799A. Автор: Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US11894073B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Periodic reduced word line bias which increases channel boosting

Номер патента: US20220068390A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20210193237A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20240062837A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou,Jianquan Ji. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US20210375329A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Word line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4002453A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Word line and power conductor within a metal layer of a memory cell

Номер патента: US20130182484A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20220139443A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20230014583A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: US20210265278A1. Автор: Owen W. Jungroth,Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: EP3869510A1. Автор: Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan,Owen Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US20090072341A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: WO2022221821A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Sram cell word line structure with reduced rc effects

Номер патента: US20230380129A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

SRAM cell word line structure with reduced RC effects

Номер патента: US11778802B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory structure with non-straight word line

Номер патента: US20200135241A1. Автор: Wei-Chih Wang,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US11894103B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: US20190147962A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: WO2019099105A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: WO2020131168A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Sub word line driver of a semiconductor memory device

Номер патента: US9543306B1. Автор: HAN Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20210098053A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20190311765A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: EP3807879A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method And Apparatus For Reducing Coupling Between Word Lines And Control Gate Lines In A Flash Memory System

Номер патента: US20190385679A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A8. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A1. Автор: Kaiman YUE,Guang Yan LUO,Xiaozhou QUIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Word line driver, word line driver array, and semiconductor structure

Номер патента: US20230143797A1. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Integrated circuit including cell array with word line assist cells

Номер патента: US20220139442A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-05.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: EP3669366A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: EP3711054A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Word line boost circuit and method

Номер патента: US7697349B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Structure for inspecting defects in word line array fabricated by SADP process and method thereof

Номер патента: US8748814B1. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: WO2022093320A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Method and apparatus for word line driver with decreased gate resistance

Номер патента: US20120037997A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,You-Cheng Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Word-line driver and storage apparatus

Номер патента: EP4322166A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A3. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A2. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-13.

Separate drain-side dummy word lines within a block to reduce program disturb

Номер патента: WO2018226280A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Word line ramping down scheme to purge residual electrons

Номер патента: WO2018004752A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Reducing Disturbs With Delayed Ramp Up Of Dummy Word Line After Pre-charge During Programming

Номер патента: US20190108883A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US20180322918A1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Semiconductor device having word line structure

Номер патента: US20230299161A1. Автор: Wei-Tong Chen,Cheng-Yan Ji. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US12002499B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: EP4055607A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Vertical nand device with shared word line steps

Номер патента: WO2015148307A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Compact memory cell with a shared conductive word line and methods of making such a memory cell

Номер патента: US20220037348A1. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory cell with asymmetric word line and erase gate for decoupled program erase performance

Номер патента: WO2019135905A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Flash devices with shared word lines

Номер патента: US7495294B2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Reducing disturbs with delayed ramp up of dummy word line after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669365A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Word line drive circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11830553B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Word line driver and memory device

Номер патента: US20230026502A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Word line structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273868A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Yung-Tai Hung,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang,Chi-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Selection method and device of uplink synchronization control word for communication terminal

Номер патента: CN102045831A. Автор: 徐波,熊晓竹. Владелец: ST Ericsson Semiconductor Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-04.

Sustainable on-demand micro space vertical cold chain temperature-controlled storage with bidirectional gravity held shelf placement and retrieval

Номер патента: US20240262640A1. Автор: Dana Krug. Владелец: Phononic Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Software compatible parallel interface with bidirectional handshaking for serial peripherals

Номер патента: US7533202B2. Автор: Thomas Newman. Владелец: Socket Mobile Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Microprocessor data exchange control - operates with bidirectional buses connected to multichannel counter by commutator switching

Номер патента: FR2480969A1. Автор: . Владелец: DSHKHUNIAN VALERY. Дата публикации: 1981-10-23.

Network device and method for outputting data to bus with data bus width at each cycle by generating end of packet and start of packet at different cycles

Номер патента: US09998575B2. Автор: Chi-Feng Lin,Wei-Jen Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Network device and method for outputting data to bus with data bus width at each cycle by generating end of packet and start of packet at different cycles

Номер патента: US09628396B2. Автор: Chi-Feng Lin,Wei-Jen Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Bidirectional wdm optical communication system with bidirectional add-drop multiplexing

Номер патента: WO2002030027A1. Автор: Gary L. Duerksen. Владелец: Seneca Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-04-11.

Methods of video encoding and/or decoding with bidirectional optical flow simplification on shift operations and related apparatus

Номер патента: US11936904B2. Автор: Ruoyang YU,Du LIU. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods of video encoding and/or decoding with bidirectional optical flow simplification on shift operations and related apparatus

Номер патента: EP4032300A1. Автор: Ruoyang YU,Du LIU. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-07-27.

Methods of video encoding and/or decoding with bidirectional optical flow simplification on shift operations and related apparatus

Номер патента: US20240187643A1. Автор: Ruoyang YU,Du LIU. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-06.

Dram with staggered word line transitions for hybrid-bonded photosensor arrays

Номер патента: US20200154073A1. Автор: Chia-Ming Chen,Jong-sik Na. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: US12045319B2. Автор: Alexander Gray,Francois Pierre Luus,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Nelson Riegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

AV over IP terminal with bidirectional video streaming

Номер патента: US12073808B2. Автор: David W Anderson,Wojciech Przeczkowski,Tom Doddridge. Владелец: Mimo Display LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for offset curves with bidirectional constraints

Номер патента: WO2009116968A1. Автор: Dick Baardse,Manoj Radhakrishnan. Владелец: Siemens Product Lifecycle Management Software Inc.. Дата публикации: 2009-09-24.

System and method for offset curves with bidirectional constraints

Номер патента: EP2272017A1. Автор: Dick Baardse,Manoj Radhakrishnan. Владелец: Siemens Product Lifecycle Management Software Inc. Дата публикации: 2011-01-12.

Pn sequence generator with bidirectional shift register and eulerian-graph feedback circuit

Номер патента: CA2238294C. Автор: Michio Shimada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

AV Over IP Terminal with Bidirectional Video Streaming

Номер патента: US20230410765A1. Автор: David W. Anderson,Wojciech Przeczkowski,Tom Doddridge. Владелец: Mimo Display LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Electrostatic slide clutch with bidirectional drive circuit

Номер патента: US20190339773A1. Автор: Siyuan Ma,James David Holbery,Sang Ho Yoon. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: US20210365817A1. Автор: Alexander Gray,Francois Pierre Luus,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Nelson Riegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Electrostatic slide clutch with bidirectional drive circuit

Номер патента: EP3769187A1. Автор: Siyuan Ma,James David Holbery,Sang Ho Yoon. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-27.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: AU2021269906A1. Автор: Alexander Gray,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Riegel,Francois LUUS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: GB2610976A. Автор: Gray Alexander,Barahona Francisco,Riegel Ryan,Makondo Ndivhuwo,Luus Francois,Aghmad Khan Naweed,Yunus Waya Ismail. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: CA3174755A1. Автор: Alexander Gray,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Riegel,Francois LUUS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: AU2021269906B2. Автор: Alexander Gray,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Riegel,Francois LUUS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

First-order logical neural networks with bidirectional inference

Номер патента: WO2021229321A1. Автор: Alexander Gray,Francisco Barahona,Ismail Yunus Akhalwaya,Ndivhuwo Makondo,Naweed Aghmad Khan,Ryan Riegel,Francois LUUS. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd.. Дата публикации: 2021-11-18.

Electrostatic slide clutch with bidirectional drive circuit

Номер патента: WO2019212775A1. Автор: Siyuan Ma,James David Holbery,Sang Ho Yoon. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Active pen with bidirectional communication

Номер патента: US09977519B2. Автор: Joseph Kurth Reynolds,Kirk Hargreaves,David Sobel,Jeff Lukanc. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Latency-based micro demand response with bidirectional curtailment margins

Номер патента: US09958894B2. Автор: Jorjeta Jetcheva,Wuhan Desmond CAI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

RECIPE SELECTION SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL CALENDAR INTERFACE

Номер патента: US20170116580A1. Автор: Kim Minkyong,Li Min,Salapura Valentina,PICKOVER Clifford A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

PASSIVE ENTRY/PASSIVE START ACCESS SYSTEMS WITH BIDIRECTIONAL TONE EXCHANGE

Номер патента: US20200119463A1. Автор: STITT Raymond Michael,TOKUNAGA Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

ANSWERING COMPLEX QUERIES IN KNOWLEDGE GRAPHS WITH BIDIRECTIONAL SEQUENCE ENCODERS

Номер патента: US20210173841A1. Автор: Niepert Mathias,Kotnis Bhushan,LAWRENCE Carolin. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

LATENCY-BASED MICRO DEMAND RESPONSE WITH BIDIRECTIONAL CURTAILMENT MARGINS

Номер патента: US20160187909A1. Автор: JETCHEVA Jorjeta,CAI Wuhan Desmond. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Active pen with bidirectional communication

Номер патента: US20160246390A1. Автор: Joseph Kurth Reynolds,Kirk Hargreaves,David Sobel,Jeff Lukanc. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

RECIPE SELECTION SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL CALENDAR INTERFACE

Номер патента: US20190244179A1. Автор: Kim Minkyong,Li Min,Salapura Valentina,PICKOVER Clifford A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

ELECTROSTATIC SLIDE CLUTCH WITH BIDIRECTIONAL DRIVE CIRCUIT

Номер патента: US20190339773A1. Автор: YOON Sang Ho,HOLBERY James David,MA SIYUAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

System for remote control of apparatus with bidirectional connection

Номер патента: EP1050864A1. Автор: Andre Surcouf. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 2000-11-08.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Programming Of Drain Side Word Line To Reduce Program Disturb And Charge Loss

Номер патента: US20160099058A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: EP3204948A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-16.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: WO2016057202A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-14.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Word line driver for semiconductor memories

Номер патента: WO2000026941A9. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Hyundai Electronics America. Дата публикации: 2000-09-28.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US9595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Word line booster circuit and method

Номер патента: US12131770B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Reducing hot electron injection type of read disturb in 3D non-volatile memory for edge word lines

Номер патента: US09905305B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US09595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Word line-dependent and temperature-dependent pass voltage during programming

Номер патента: US09583198B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan,Jingjian Ren. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Local word line driver

Номер патента: US09570133B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Word line dependent programming in a memory device

Номер патента: US09548124B1. Автор: Arash Hazeghi,Dana Lee,Gerrit Jan Hemink,Henry Chin,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Local word line driver

Номер патента: US09449666B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Calculation method of ultimate moment resistance and moment-rotation curve for steel beam to concrete-filled steel tube column connections with bidirectional bolts

Номер патента: US11821806B2. Автор: Yonghui AN,Jinping OU,Guojie ZHOU. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-11-21.

Goa circuit with bidirectional outputs and seamlessly-joined screen

Номер патента: US20220122559A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory program-verify with adaptive sense time based on distance from a word line driver

Номер патента: US20240194278A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Sense amp activation according to word line common point

Номер патента: US20150348614A1. Автор: Myung Gyoo WON,Heechoul Park,Thu Hanh NGUYEN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Boosting word lines

Номер патента: US20130258744A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20130215701A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Word Line Driver for Low Voltage Operation

Номер патента: US20210249059A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Half-turn word line return for plated-wire memory array

Номер патента: US3742469A. Автор: C Crosby. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US20230223084A1. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11721402B2. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11386969B1. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US20230046677A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Circuit configuration for deactivating word lines in a memory matrix

Номер патента: US20020027827A1. Автор: HELMUT Fischer,Joachim Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-07.

Circuit configuration for controlling the word lines of a memory matrix

Номер патента: US20020141278A1. Автор: Peter Weitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested

Номер патента: US20020194443A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

World line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: US20060227597A1. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Dram with word line compensation

Номер патента: US20080266987A1. Автор: Esin Terzioglu,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US12087356B2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid addressis requested

Номер патента: SG128429A1. Автор: Robert Lloyd Barry,Steven Michael Eustis,Peter Francis Croce. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-01-30.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A3. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Hsu Kai Yang. Дата публикации: 2007-01-11.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A2. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20120127806A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Apparatuses and methods for tracking word line accesses

Номер патента: US20240347100A1. Автор: YANG LU,Yuan He,Kang-Yong Kim,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Variable delay word line enable

Номер патента: US12119050B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Negative word line enabled pre-boosting strategy to improve nand program performance

Номер патента: US20240355401A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Word line precharging systems and methods

Номер патента: US12131765B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Word-line enable pulse generator, SRAM and method for adjusting word-line enable time of SRAM

Номер патента: US09786363B1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Single port SRAM memory cell driven by two word lines in asynchronous manner and memory employing the same

Номер патента: US09715922B1. Автор: Chi-Ray Huang,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-07-25.

Word line divider and storage device

Номер патента: US09697878B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Interleaved grouped word lines for three dimensional non-volatile storage

Номер патента: US09627009B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

NAND boosting using dynamic ramping of word line voltages

Номер патента: US09530506B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Word line driver circuit and resistance variable memory apparatus having the same

Номер патента: US09508411B2. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb

Номер патента: US09449700B2. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: US09443606B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device having main word lines and sub-word lines

Номер патента: US09418711B2. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Sram word-line coupling noise restriction

Номер патента: US20110157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line

Номер патента: US20070165445A1. Автор: Donald Plass,Yuen Chan,William Huott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US6501686B2. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-31.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US12131769B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Automatic word line leakage measurement circuitry

Номер патента: US09704542B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and a method for stepping up its word lines

Номер патента: US5875133A. Автор: Takashi Kumagai,Yasunobu Tokuda,Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11270746B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: US20240055051A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: WO2020101748A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

Word line fault detection

Номер патента: US20120327699A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Alexander B. Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Word line coupling for deep program-verify, erase-verify and read

Номер патента: WO2015065828A1. Автор: Jun Wan,Feng Pan,Bo Lei. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device including sub word line driving circuit

Номер патента: US11922992B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: EP3881321A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Process and temperature compensated word line underdrive scheme for sram

Номер патента: US20240071480A1. Автор: Ashish Kumar,Dipti ARYA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Electronic memory apparatus, and method for deactivating redundant bit lines or word lines

Номер патента: US20050243636A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-03.

Circuit and method for generating word line off voltage

Номер патента: US20090323438A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Word line block select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20090003118A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Word line driving circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20110158029A1. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-12-11.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage tolerant word-line driver

Номер патента: US09875783B2. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Word line voltage generator for programmable memory array

Номер патента: US09837168B1. Автор: John A. Fifield,Eric D. Hunt-Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US12142313B2. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor memory device of divided word line

Номер патента: US5282175A. Автор: Kenji Anami,Shuji Murakami,Koreaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Random access memory dual word line recovery circuitry

Номер патента: CA1177910A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Word-line discharging circuit in a static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4611303A. Автор: Kouichi Kitano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Semiconductor memory device having main word lines and sub word lines

Номер патента: US5764585A. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Array word line driver system

Номер патента: US4413191A. Автор: Russell J. Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Power consumption reducing circuit having word-line resetting ability regulating transistors

Номер патента: US5602784A. Автор: Makoto Kojima,Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Refresh scheme for redundant word lines

Номер патента: US6078543A. Автор: Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Word line driving circuit

Номер патента: US5557580A. Автор: Takashi Inui,Shunichi Sukegawa,Kiyoshi Nakai,Yukihide Suzuki,Shigeki Numaga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Variable delay word line enable

Номер патента: US20210043249A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Multiple location repair word line redundancy circuit

Номер патента: US5774471A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line voltage detection circuit for enchanced read operation

Номер патента: US20230079077A1. Автор: Saied Hemati,Binh Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US11875854B2. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US11894062B2. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system that differentiates voltages applied to word lines

Номер патента: US20180261275A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Word line voltage detection for selection of read voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018164744A1. Автор: Jun Wan,Idan Alrod,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam,Amul DESAI,Ken Cheah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Adaptive negative word line voltage

Номер патента: US20240071527A1. Автор: Yanjie Wang,Xiaoyu Che,Runchen Fang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Detecting Programmed Word Lines Based On NAND String Current

Номер патента: US20150124527A1. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-07.

Detecting programmed word lines based on nand string current

Номер патента: WO2015002901A1. Автор: Yingda Dong,Man L. Mui,Chirs AVILA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-01-08.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Selected word line dependent select gate diffusion region voltage during programnming

Номер патента: EP2831883A1. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink,Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-04.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: EP1421589A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: AU2002332457A1. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Word-line enable pulse generator, sram and method for adjusting word-line enable time of sram

Номер патента: US20180122459A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: WO2024039431A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Redundant random access memory device equipped with encoder coupled between programming circuits and redundant word line driving circuits

Номер патента: US5224073A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Method and apparatus for improving sram cell stabilty by using boosted word lines

Номер патента: US20080225611A1. Автор: Richard Q. Williams,Hussein I. Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor DRAM with non-linear word line discharge

Номер патента: US9214218B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-15.

Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair

Номер патента: US11984176B2. Автор: Yulong ZHAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US11972803B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device including booster circuit for tracking word line

Номер патента: US20230377638A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Sub-word line driver circuit

Номер патента: US20200350011A1. Автор: Tae H. Kim,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Dynamic word line boosting during programming of a memory device

Номер патента: US20240079063A1. Автор: Han-Ping Chen,Yanjie Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: EP4254414A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US20230317167A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Word line control circuit and semicondcutor apparatus including the same

Номер патента: US20220230667A1. Автор: Duck Hwa Hong,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Dynamic word line reconfiguration for NAND structure

Номер патента: US11990185B2. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Device and method for decoding an address word into word-line signals

Номер патента: US6873567B2. Автор: Juergen Pille,Christian Schweizer,Stefan Buettner,Jens Leenstra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device and word-line activation method

Номер патента: US20200294570A1. Автор: Jian-Sing Liou,Yi Heng LIU. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Debiasing scheme for partial block erase based on word line groups

Номер патента: US20240194270A1. Автор: Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Qun Su,Ryan Hrinya,Jose Nino N. Monje. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Reducing disturbs with delayed ramp up of selected word line voltage after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669362A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word line charge integration

Номер патента: US20240212736A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit memory having a sense amplifier activated based on word line potentials

Номер патента: US6181624B1. Автор: Helmut Schneider,Thoai-Thai Le,J{umlaut over (u)}rgen Lindolf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-30.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140313815A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

DRAM word line voltage control to insure full cell writeback level

Номер патента: US20020159301A1. Автор: William Tonti,Wayne Ellis,Mark Jacunski,Russell Houghton,Thomas Maffitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Dynamic random access memory with shaped word-line waveform

Номер патента: US20200185021A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20130121088A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory performing write operation in which a string transistor channel voltage is boosted before applying a program voltage to a word line

Номер патента: US09953708B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Electronic fuse semiconductor device for selecting failed redundancy word lines

Номер патента: US09401219B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Dynamic RAM having word line voltage intermittently boosted in synchronism with an external clock signal

Номер патента: US6115319A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazumasa Yanagisawa,Kenji Nishimoto,Yoshitaka Kinoshita. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Precharge-enabled self boosting word line driver for an embedded dram

Номер патента: CA2225355C. Автор: John Wu,Peter Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Method and apparatus for redundancy word line replacement in a semiconductor memory device

Номер патента: US5555212A. Автор: Kirihata Toshiaki,Kato Daisuke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Circuit configuration and method for automatic recognition and elimination of word line/bit line short circuits

Номер патента: US6125066A. Автор: Patrick Heyne,Dieter Härle,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor memory having different read and write word line voltage levels

Номер патента: US4953127A. Автор: Yasuhiko Rai,Yasuhiko Nagahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor storage device comprising a control circuit for changing a rate of increase of a voltage applied to non-selected word lines

Номер патента: US11901020B2. Автор: Naofumi ABIKO,Emiri TAKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US20240055043A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Word line driving circuit with high access efficiency

Номер патента: US11810643B2. Автор: Chia-Wei Ho,Min-Chia Wang,Chung-Ming Lin,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Word line activation in memory devices

Номер патента: US20120044765A1. Автор: Giovanni Santin,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Defective word line detection

Номер патента: US20130114342A1. Автор: Manabu Sakai,Toru Miwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

Boundary word line voltage shift

Номер патента: US20190304550A1. Автор: Zhenlei Shen,Pitamber Shukla,Philip Reusswig,Anubhav Khandelwal,Niles N. Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Word-line inter-cell interference detector in flash system

Номер патента: US20150371714A1. Автор: Seyhan Karakulak,Anthony Dwayne WEATHERS,Richard David Barndt. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116978A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US10734050B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Word-line driver for memory

Номер патента: US20140233321A1. Автор: Vikas RANA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2014-08-21.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A3. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A2. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Interleaved grouped word lines for three dimesional non-volatile storage

Номер патента: US20160027477A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor memory device which applies multiple voltages to the word line

Номер патента: US9792996B1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory apparatus capable of determining an application time of a program voltage applied to a selected word line

Номер патента: US8929150B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008833A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Boundary Word Line Search and Open Block Read Methods with Reduced Read Disturb

Номер патента: US20160240262A1. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Word Line Precharging Systems and Methods

Номер патента: US20240071454A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Word line layer dependent stress and screen voltage

Номер патента: US20240161849A1. Автор: Liang Li,CHAO Xu,Yidan Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20190259434A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack during programming

Номер патента: EP3685383A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US20020050448A1. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor memory device having hierarchical word line structure

Номер патента: US20020186611A1. Автор: Kengo Aritomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Non-volatile memory (nvm) with word line driver/decoder using a charge pump voltage

Номер патента: US20140269140A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: US20240249789A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A. Herrera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: WO2024158647A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A HERRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

MRAM word line power control scheme

Номер патента: US09672885B2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

RAM row decode circuitry that utilizes a precharge circuit that is deactivated by a feedback from an activated word line driver

Номер патента: US5400283A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Word line voltage supply circuit

Номер патента: US6078531A. Автор: Patrick Chuang,Hisanobu Tsukazaki,Yoshifumi Miyazima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit

Номер патента: US9025403B1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass,Gregory J. Fredeman,Kenneth J. Reyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Precharge-enable self boosting word line driver for an embedded DRAM

Номер патента: US6058050A. Автор: John Wu,Peter B. Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Enabling circuit for redundant word lines in a semiconductor memory array

Номер патента: US4538245A. Автор: George Perlegos,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-08-27.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Word-line pre-charging in power-on read operation to reduce programming voltage leakage

Номер патента: US20190066789A1. Автор: Manabu Sakai,Yen-Lung Li,Qui Vi Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US20220157366A1. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US11908539B2. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Techniques for erasing the memory cells of edge word lines

Номер патента: US11848059B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: EP4195208A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20230245695A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US20240161822A1. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US11915746B2. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US11900992B2. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140029329A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US20230386524A1. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: US20240112735A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage

Номер патента: WO2009058991A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Word line block/select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20110149664A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: EP3198602A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: WO2016048662A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Vacuum bus with radio-frequency coil for magnetic resonance imaging

Номер патента: RU2697361C2. Автор: Дэвид Грегори РИЗ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-08-13.

Reparir device and method capable of repairing fail cell by the unit section word line)

Номер патента: KR20080006113A. Автор: 이승민,박철성,유병욱,김영승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Duo-level word line driver

Номер патента: US20230343391A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Word-line deficiency detection method for semiconductor memory device

Номер патента: US20010009525A1. Автор: Yoshiharu Kato,Shinji Nagai,Satoru Kawamoto,Motoki Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Adapting word line pulse widths in memory systems

Номер патента: CA2709424C. Автор: Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

circuit for driving word line and driving method used the same

Номер патента: KR101559909B1. Автор: 박현호,변영용,야마다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Addressable word line pull-down circuit

Номер патента: US4168490A. Автор: Jonathan J. Stinehelfer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US20220310152A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11869576B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Word Line Delay Interlock Circuit for Write Operation

Номер патента: US20230335178A1. Автор: Atul Katoch,Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Mram word line power control scheme

Номер патента: WO2014039571A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: WO2003021602A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-03-13.

Sensing for nand memory based on word line position

Номер патента: WO2012044635A2. Автор: Haibo Li. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230186970A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Polysilicon gate bus with interspersed buffers for driving a row of pixels in an active matrix liquid crystal display

Номер патента: US5396261A. Автор: William A. Hastings, III. Владелец: WAH III Tech Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Optimal control strategy for a distributed low voltage system with bidirectional direct current converters

Номер патента: US20240270120A1. Автор: Jun-Mo Kang,Rashmi Prasad,Muhammad Hussain Alvi,Mohamed Ahmed Kamel Ahmed. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

SRAM Structures with Improved Write Word Line Placement

Номер патента: US20240314997A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Process for word line connections in 3D memory

Номер патента: US09825048B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20180331034A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20170287833A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Apparatuses including passing word lines comprising a band offset material, and related methods and systems

Номер патента: US20220246727A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

L-shaped stepped word line structure, method of manufacturing the same, and three-dimensional memory

Номер патента: US12107046B2. Автор: Gang Zhang,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Word line connection for memory device and method of making thereof

Номер патента: US09583539B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365537A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor memory device having word lines surrounded by memory layers and method of making the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317616A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: US20240032285A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

SRAM structures with improved write word line placement

Номер патента: US11997844B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: WO2024178724A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: US20240298443A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

3D nonvolatile memory device having common word line

Номер патента: US09515084B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical floating body storage transistors formed in bulk devices and having buried sense and word lines

Номер патента: US09484457B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated circuit devices having buried word lines therein

Номер патента: US11889681B2. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328970A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory with three dimensional stacked word line switches

Номер патента: US11943922B1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Sudarshan Narayanan,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li,Qinghua Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20140120665A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Stacked Bit Line Dual Word Line Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110241078A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20160365349A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Word line strap layout structure

Номер патента: US20040238863A1. Автор: Ken-Hui Chen,Chen-Chin Liu,Lan-Ting Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Integrated circuit devices having buried word lines therein and methods of forming the same

Номер патента: US20240114676A1. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US11869951B2. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Manufacturing method for buried word line structure, and semiconductor memory comprising buried word line structure

Номер патента: EP3958299A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Poly-silicon based word line for 3d memory

Номер патента: WO2022245639A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US20240088246A1. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: US20230371246A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: WO2023224816A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: WO2017171969A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing buried word line structure and semiconductor memory thereof

Номер патента: US11889678B2. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: WO2023224796A1. Автор: Koichi Ito,Takuya Mori,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US20190067293A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: US20230380151A1. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano,Takyua MORI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device including word line cut

Номер патента: US20200203366A1. Автор: JUNG Tae Sung,Young Woo Kim,Jung Hwan Lee,Joon Young Kwon,Ji Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for preparing memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389282A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: EP3440700A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US10217750B1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US20210193678A1. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Microelectronic devices including passing word line structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20210391337A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US12010849B2. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of making a keepered word-line structure for a thin memory package

Номер патента: US3606675A. Автор: David J Crimmins. Владелец: Thomas and Betts Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Method for manufacturing buried word line transistor, transistor and memory

Номер патента: US12041764B2. Автор: Yuchen Wang,Nan DENG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Split word line fabrication process

Номер патента: US20120052668A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Buried word line structure and method of forming the same

Номер патента: US20140159140A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming buried word line structure

Номер патента: US20140213035A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Word line with multi-layer cap structure

Номер патента: US09401275B2. Автор: Hirotada Tobita,Keita Akasaki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Two square memory cells having highly conductive word lines

Номер патента: CA1321834C. Автор: Donald M. Kenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11937420B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20230197570A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing memory device having word line surrounding gate structure

Номер патента: US20240023322A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacturing memory device having word lines with reduced leakage

Номер патента: US11832432B2. Автор: Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US11901267B2. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Double patterning method of manufacturing select gates and word lines

Номер патента: US20240081056A1. Автор: Zih-Song Wang,Yi-Yeh Chuang,Li-Ta Chen,Shun-Yu Gao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A3. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A2. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-21.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Control panel power bus with arc transfer for passive arc quenching

Номер патента: RU2704629C2. Автор: Тимоти ФАБЕР,Кэмерон ВУДСОН. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of forming FLASH cell array having reduced word line pitch

Номер патента: US20070087502A1. Автор: Chen Chung-Zen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: WO2017222605A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing semiconductor device with word lines

Номер патента: US20230397389A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043632A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Low resistivity dram buried word line stack

Номер патента: US20230141748A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Low resistivity DRAM buried word line stack

Номер патента: US12022650B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Bus interface for a two-wire bus with adjustable pull-up/pull-down resistance values

Номер патента: US20240291127A1. Автор: Thorsten LINDNER,Torsten Klinkow,Matthias Kahde. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Power conversion apparatus having a negative terminal of a power supply connected to one of connection nodes of a negative side bus with U-phase, V-phase and W-phase lower-arm switching elements except the end-side ones

Номер патента: US09543856B2. Автор: Tomotaka Suzuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Bus with cooled in-wheel electric engines

Номер патента: US20200298694A1. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2020-09-24.

Bus with cooled in-wheel electric engines

Номер патента: CA3076443A1. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2020-09-20.

Video semantic segmentation with bidirectional feature propagation and attention-based feature correction

Номер патента: US20230115081A1. Автор: Shuangquan Wang,Yuanxin Li,Razieh Kaviani Baghbaderani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: US20240321344A1. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: EP4436327A2. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Photovoltaic array systems, methods, and devices with bidirectional converter

Номер патента: WO2012075189A3. Автор: William Alexander,Paul Bundschuh. Владелец: IDEAL POWER CONVERTERS INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

3D NAND memory with decoder and local word line drivers

Номер патента: US09418743B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High brightness pump-signal combiner with bidirectionally tapered signal fiber

Номер патента: US20240250493A1. Автор: Ning Liu,Matthew KUTSURIS,Gongwen Zhu,Guan Sun. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Timing control circuit of memory device with tracking word line and tracking bit line

Номер патента: US20230352085A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Stackable symmetrical operation memory bit cell structure with bidirectional selectors

Номер патента: US20200312906A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

3d nand word line connection structure

Номер патента: US20200279810A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A4. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Polysilicon removal in word line contact region of memory devices

Номер патента: US12041771B2. Автор: Keng-Ying Liao,Yen-Jou Wu,Su-Yu Yeh,Chih-Ming Lee,Ping-Pang Hsieh,Yu-Liang Wang,Hsin-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Three dimensional non-volatile storage with connected word lines

Номер патента: US09646688B2. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

STACKABLE SYMMETRICAL OPERATION MEMORY BIT CELL STRUCTURE WITH BIDIRECTIONAL SELECTORS

Номер патента: US20200312906A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Gluschenkov Oleg,Sulehria Yasir. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Phase Shifter with Bidirectional Amplification

Номер патента: US20200350679A1. Автор: Leung Lai Kan,Yu Xinmin. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Preset-shape lined preforms with bidirectional reinforcement for composite structure

Номер патента: RU2504478C2. Автор: Дональд РОУЗ,Джонатан ГОЕРИНГ,Стив БИДЛ. Владелец: Олбани Энджиниэрд Композитс, Инк.. Дата публикации: 2014-01-20.

Cutting tool with bidirectional adjustment mechanism

Номер патента: RU2493942C2. Автор: Амир Сатран,Александр КОИФМАН,Александр БРОНШТЕЙН. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2013-09-27.

Electrically-actuated artificial muscle fiber with bidirectional linear strain and preparation method thereof

Номер патента: US12059802B2. Автор: YUAN Qi,Hengyi Li,Zhijun Ma,Yiming Liang,Ruixiang QU,Xiangling TIAN. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-08-13.

Drilling rig with bidirectional dual eccentric reamer

Номер патента: US9316056B1. Автор: Lee Morgan Smith. Владелец: Alaskan Energy Resources Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Clutch type reversible transmission bicycle with bidirectional input and one-way output

Номер патента: CA2728990C. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Cutting tool with bidirectional adjustment mechanism

Номер патента: RU2521535C2. Автор: Амир Сатран,Александр КОИФМАН,Александр БРОНШТЕЙН. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2014-06-27.

Mechanically operated downhole ball valve with bidirectional sealing

Номер патента: RU2528157C2. Автор: Х. БИЛЛ Клиффорд,Т. СЛОН Джеймс,ПАТТЕРСОН Ричард. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-09-10.

Electrically-actuated artificial muscle fiber with bidirectional linear strain and preparation method thereof

Номер патента: US20240198511A1. Автор: YUAN Qi,Hengyi Li,Zhijun Ma,Yiming Liang,Ruixiang QU,Xiangling TIAN. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-06-20.

Bus with a variable height warning signal

Номер патента: EP3738829A1. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2020-11-18.

Bus with a variable height warning signal

Номер патента: US20200361367A1. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2020-11-19.

Bus with a variable height warning signal

Номер патента: CA3080736A1. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2020-11-15.

Bus with airconditioning

Номер патента: WO1998008701A1. Автор: Ulf Bergman. Владелец: Scania Cv Aktiebolag (Publ). Дата публикации: 1998-03-05.

Bus with transversely positioned rear drive unit

Номер патента: WO1998008700A1. Автор: Sam Burman. Владелец: Scania Cv Aktiebolag (Publ). Дата публикации: 1998-03-05.

Low platform bus with steering modules

Номер патента: US11814115B2. Автор: Jorgen Hallundbaek. Владелец: Alpha EC Industries 2018 SARL. Дата публикации: 2023-11-14.

Bidirectional WDM optical communication system with bidirectional optical service channels

Номер патента: US20020081064A1. Автор: Yongzhang Leng,John Shanton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Symmetric route establishment with bidirectional links for wireless mesh networks

Номер патента: US10505836B2. Автор: Rongsheng Huang,Li-Chun Ko. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Wireless stereo headset with bidirectional diversity

Номер патента: US11956084B2. Автор: Jacobus Cornelis Haartsen,Aalbert Stek,Tjapko Uildriks. Владелец: Dopple IP BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Network communication system with bidirectional current modulation for transmitting data

Номер патента: US11722334B2. Автор: Marek Lewandowski. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2023-08-08.

Wireless Stereo Headset with Bidirectional Diversity

Номер патента: US20240267164A1. Автор: Jacobus Cornelis Haartsen,Aalbert Stek,Tjapko Uildriks. Владелец: Dopple IP BV. Дата публикации: 2024-08-08.

NETWORK COMMUNICATION SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL CURRENT MODULATION FOR TRANSMITTING DATA

Номер патента: US20220052873A1. Автор: Lewandowski Marek. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2022-02-17.

SYMMETRIC ROUTE ESTABLISHMENT WITH BIDIRECTIONAL LINKS FOR WIRELESS MESH NETWORKS

Номер патента: US20180309659A1. Автор: KO Li-Chun,Huang RongSheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Transceiver unit with bidirectional equalization

Номер патента: KR19980080067A. Автор: 레온 디 산토스 그레고리오 누네즈,파에즈 보랄로 호세 마뉴엘,퀴로스 자비어 카사지우스,루나 라파엘 버릴,듀란 알폰소 페르난데스. Владелец: 알까뗄 알스톰 꼼빠니 제네랄 델렉뜨리씨뜨. Дата публикации: 1998-11-25.

Fuel cell powered portable computing device with bidirectional communication link there between

Номер патента: EP2583339A1. Автор: David I. Simon,Gregory L. Tice,Vijay M. Iyer,Bradley L. Spare,Jean L. Lee,Michael D. Hillman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-04-24.

Fuel cell powered portable computing device with bidirectional communication link there between

Номер патента: WO2012005810A1. Автор: David I. Simon,Gregory L. Tice,Vijay M. Iyer,Bradley L. Spare,Jean L. Lee,Michael D. Hillman. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-12.

Optical equalizer with bidirectional reentry for intersymbol interference mitigation

Номер патента: WO2023147402A3. Автор: Peter Johannes Winzer. Владелец: Nubis Communications, Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Optical equalizer with bidirectional reentry for intersymbol interference mitigation

Номер патента: WO2023147402A2. Автор: Peter Johannes Winzer. Владелец: Nubis Communications, Inc.. Дата публикации: 2023-08-03.

Single stage switching power amplifier with bidirectional energy flow

Номер патента: US09793866B2. Автор: Xue Jian Chen. Владелец: Guangdong Redx Electrical Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Bidirectional optical data transmission system with bidirectional optical amplifier, as well as method for implemeting the data transmission

Номер патента: HUP9600175A2. Автор: Fausto Meli,Alessandro Cavaciuti. Владелец: Pirelli Cavi SpA. Дата публикации: 1996-11-28.

Fuel cell powered portable computing device with bidirectional communication link there between

Номер патента: EP2583339B1. Автор: David I. Simon,Gregory L. Tice,Vijay M. Iyer,Bradley L. Spare,Jean L. Lee,Michael D. Hillman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Digital unit cell with bidirectional ripple counter

Номер патента: US09674471B1. Автор: Christian M. BOEMLER. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-06.

MAP decoder with bidirectional sliding window architecture

Номер патента: TW200737743A. Автор: Ivan Jesus Fernandez-Corbaton,Pei Chen,Los Pinos Pont Jordi De. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-10-01.

Map decoder with bidirectional sliding window architecture

Номер патента: WO2007087645A1. Автор: Ivan Jesus Fernandez-Corbaton,Pei Chen,Jordi De Los Pinos Pont. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-08-02.

VEHICULAR MULTI-CAMERA VISION SYSTEM USING COAXIAL CABLES WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20200186750A1. Автор: Ziegenspeck Sven,Bader Pirmin. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

COAXIAL CABLE WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20140362209A1. Автор: Ziegenspeck Sven,Bader Pirmin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Coaxial cable with bidirectional data transmission

Номер патента: US10567705B2. Автор: Sven Ziegenspeck,Pirmin Bader. Владелец: MAGNA ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-18.

Vehicular multi-camera vision system using coaxial cables with bidirectional data transmission

Номер патента: US11025859B2. Автор: Sven Ziegenspeck,Pirmin Bader. Владелец: MAGNA ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-06-01.

Vehicular multi-camera vision system using coaxial cables with bidirectional data transmission

Номер патента: US11290679B2. Автор: Sven Ziegenspeck,Pirmin Bader. Владелец: MAGNA ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-29.

TELEPHONE SET WITH BIDIRECTIONAL INFRARED LINK BETWEEN HANDSET AND FIXED MODULE CONNECTED TO A TELEPHONE LINE

Номер патента: FR2538978B1. Автор: . Владелец: Grandmougin Michel. Дата публикации: 1985-05-31.

TELEPHONE SET WITH BIDIRECTIONAL INFRARED LINK BETWEEN HANDSET AND FIXED MODULE CONNECTED TO A TELEPHONE LINE

Номер патента: FR2538978A1. Автор: . Владелец: Grandmougin Michel. Дата публикации: 1984-07-06.

Bidirectional shift register and the display driving system with bidirectional shift register

Номер патента: CN107767806A. Автор: 林俊文,翁裕复,刘家麟. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Screwer test bench with bidirectional control

Номер патента: EP3286538A1. Автор: Roberto Boccellato,Carlo Giuseppe TINTI. Владелец: SCS CONCEPT ITALIA SRL. Дата публикации: 2018-02-28.

Screwer test bench with bidirectional control

Номер патента: US20180136070A1. Автор: Roberto Boccellato,Carlo Giuseppe TINTI. Владелец: SCS CONCEPT ITALIA SRL. Дата публикации: 2018-05-17.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability

Номер патента: US20060215440A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Apparatuses and methods for controlling word line discharge

Номер патента: US20230317139A1. Автор: Toshiyuki Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses and methods for controlling word line discharge

Номер патента: US11990175B2. Автор: Toshiyuki Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory having hierarchical bit line and/or word line architecture

Номер патента: TW419668B. Автор: Gerhard Mueller,Hing Wong,Toshiaki Kirihata. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-01-21.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2010-05-19.

Methods/circuits for programming flash memory devices using overlapping bit line setup and word line enable intervals

Номер патента: TWI314322B. Автор: Jin-Kook Kim,Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Method and apparatus for passive element memory array incorporating reversible polarity word line and bit line decoders

Номер патента: TW200814067A. Автор: Roy E Scheuerlein,Christopher J Petti,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-03-16.

Semiconductor memory with boosted word line

Номер патента: WO1986004726A1. Автор: Howard Clayton Kirsch,James Harold Stefany,Clinton Hays Holder, Jr.. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-08-14.

Photovoltaic Array Systems, Methods, and Devices with Bidirectional Converter

Номер патента: US20130314096A1. Автор: Alexander William C.,Bundschuh Paul. Владелец: IDEAL POWER CONVERTERS, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

DISTRIBUTION CABLE WITH BIDIRECTIONAL BREAKOUT LOCATIONS

Номер патента: US20160103290A1. Автор: Loeffelholz Todd,Gronvall Erik J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Screwer test bench with bidirectional control

Номер патента: US20180136070A1. Автор: Roberto Boccellato,Carlo Giuseppe TINTI. Владелец: SCS CONCEPT ITALIA SRL. Дата публикации: 2018-05-17.

REAL-TIME TRANSPORTATION NETWORK TOPOLOGY CONTROL-COMBINED TRAFFIC FLOW CONTROL AND DYNAMIC ROUTE GUIDANCE SYSTEM USING IN-VEHICLE NAVIGATOR WITH BIDIRECTIONAL COMMUNICATION AND PARKING GUIDANCE AND RESERVATION SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150219463A1. Автор: Kang Chung Gu. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2015-08-06.

HIGH-DENSITY 3D VERTICAL RERAM WITH BIDIRECTIONAL THRESHOLD-TYPE SELECTOR

Номер патента: US20180211703A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,Choi Won Ho,BEDAU Daniel,Song Seung-Hwan,Kumar Jay. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Collaborative Transcription With Bidirectional Automatic Speech Recognition

Номер патента: US20190318731A1. Автор: Jost Uwe Helmut,Deshmukh Neeraj. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

CALCULATION METHOD OF ULTIMATE MOMENT RESISTANCE AND MOMENT-ROTATION CURVE FOR STEEL BEAM TO CONCRETE-FILLED STEEL TUBE COLUMN CONNECTIONS WITH BIDIRECTIONAL BOLTS

Номер патента: US20200408626A1. Автор: AN Yonghui,ZHOU Guojie,OU Jinping. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Word line voltage generator for generating word line voltage changed selectively according to temperature, a flash memory device with the word line voltage generator and method for generating word line voltage by the same

Номер патента: KR100842996B1. Автор: 박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor memory device having energy-saving word line enable signal line arrangement structure and word line enable signal line arrangement method

Номер патента: JP4989077B2. Автор: 哲佑 朴,大熙 鄭,潤相 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-01.

Railway level crossing warning lamps control system - uses one relay with bidirectional switching contact and two other contacts

Номер патента: FR2371850A1. Автор: Roger Collin. Владелец: Jeumont Schneider SA. Дата публикации: 1978-06-16.

ACOUSTIC SENSOR DEVICE WITH BIDIRECTIONAL SENSOR

Номер патента: FR2611338B1. Автор: Michel Rocle. Владелец: Dassault Electronique SA. Дата публикации: 1989-04-21.

MANOMETER WITH BIDIRECTIONAL OR DISTINCTIVE MARKING APPOSE TO ITS GLASS

Номер патента: FR3044763B1. Автор: Michele Quatrone,Yann Blandin. Владелец: Air Liquide Sante International SA. Дата публикации: 2018-10-19.

Circuit design for power converter with bidirectional charging and discharging and including a self-inspection mode

Номер патента: US11757292B2. Автор: Tianyi Gao,Huawei Yang. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Configurable bias supply with bidirectional switch

Номер патента: EP4385055A1. Автор: Hien Minh Nguyen. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: CA2927763C. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Mobile power system with bidirectional AC-DC converter and related platforms and methods

Номер патента: US11855472B2. Автор: David Bateman,Alex Tiedtke. Владелец: Cohelios LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: WO2014210072A9. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Systems and methods for uninterruptible power supplies with bidirectional power converters

Номер патента: US20140368038A1. Автор: William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Connector assembly with bidirectional clamping structure

Номер патента: US09543699B1. Автор: Jun Wang,Chih-Wen Hu. Владелец: Amphenol LTW Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Superconducting analog-to-digital converter with bidirectional counter

Номер патента: US4646060A. Автор: Arnold H. Silver,Richard R. Phillips,Robert D. Sandell. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1987-02-24.

Linear solid-state lighting with bidirectional circuits

Номер патента: US11846396B2. Автор: Chungho Hsia. Владелец: Aleddra Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Current source inverter using bidirectional switches with bidirectional power flow capability

Номер патента: US20220294365A1. Автор: Thomas Merlin Jahns,Bulent Sarlioglu,Hang Dai,Renato Amorim Torres,Woongkul Lee. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-15.

Concave word line and convex interlayer dielectric for protecting a read/write layer

Номер патента: US09666799B2. Автор: CHENG Feng,Steven J. Radigan,Eiji Hayashi,Akira Nakada,Michiaki Sano,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Concave word line and convex interlayer dielectric for protecting a read/write layer

Номер патента: US09620712B2. Автор: Eiji Hayashi,Akira Nakada,Michiaki Sano,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Current source inverter using bidirectional switches with bidirectional power flow capability

Номер патента: US20220294365A1. Автор: Thomas Merlin Jahns,Bulent Sarlioglu,Hang Dai,Renato Amorim Torres,Woongkul Lee. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-15.

Galvanically isolated DC-DC converter with bidirectional data transmission

Номер патента: US9948193B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Pierpaolo Lombardo,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for uninterruptible power supplies with bidirectional power converters

Номер патента: US20150222147A1. Автор: William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Esd protection device with bidirectional diode string-triggering scr structure

Номер патента: US20200091138A1. Автор: Qiang Xu,Xiaofeng Gu,Hailian LIANG. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-19.

Motor with bidirectional terminals

Номер патента: EP4203255B1. Автор: Su Gil Jang,Ho Gun Lee,Young Ho Gee. Владелец: Keyang Electric Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Connector assembly with bidirectional clamping structure

Номер патента: EP3229319B1. Автор: Jun Wang,Chih-Wen Hu. Владелец: Amphenol LTW Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-13.

High efficiency AC-AC converter with bidirectional switch

Номер патента: US09692315B2. Автор: Nils Backman,Roberto Rojas. Владелец: ELTEK AS. Дата публикации: 2017-06-27.

IGBT with bidirectional conduction

Номер патента: US09431525B2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20140375287A1. Автор: Alexander William C.,Blanchard Richard A.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2014-12-25.

Integrated circuit with bidirectional pin

Номер патента: EP0651513A1. Автор: Marco Monti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-05-03.

Stairless three-dimensional memory device and method of making thereof by forming replacement word lines through memory openings

Номер патента: WO2024118177A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Koichi Matsuno,Takaaki IWAI,Naohiro Hosoda,Takayuki MAEKURA,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line

Номер патента: US09728552B1. Автор: Atsushi Fukumoto,Hajime Nagano,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

PHOTOVOLTAIC ARRAY SYSTEMS, METHODS, AND DEVICES WITH BIDIRECTIONAL CONVERTER

Номер патента: US20130114303A1. Автор: Alexander William C.,Bundschuh Paul. Владелец: IDEAL POWER CONVERTERS, INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150029769A1. Автор: Alexander William C.,Blanchard Richard A.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

POWER SUPPLY ARCHITECTURE WITH BIDIRECTIONAL BATTERY IDEALIZATION

Номер патента: US20220052540A1. Автор: King Eric J.,Akram Hasnain,PERRY Ivan. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-02-17.

SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150054552A1. Автор: Alexander William C.,Blanchard Richard A.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150061732A1. Автор: Alexander William C.,Blanchard Richard A.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Smart energy management systems for electric and hybrid electric vehicles with bidirectional connection, smart energy management system for an energy generator, method for managing energy in a smart energy management system and method for controlling the operation of an energy generator

Номер патента: US20170072804A1. Автор: Paulo Emílio Valadão DE MIRANDA,Edvaldo da Silva CARREIRA. Владелец: Tracel Veiculos Eletricos Ltda. Дата публикации: 2017-03-16.

SINGLE STAGE SWITCHING POWER AMPLIFIER WITH BIDIRECTIONAL ENERGY FLOW

Номер патента: US20140159809A1. Автор: Chen Xue Jian. Владелец: Guangdong Rui Ding Electrical Technology LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

ESD PROTECTION DEVICE WITH BIDIRECTIONAL DIODE STRING-TRIGGERING SCR STRUCTURE

Номер патента: US20200091138A1. Автор: Xu Qiang,GU Xiaofeng,LIANG Hailian. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Heat dissipation assembly with bidirectional airflow

Номер патента: US20140211419A1. Автор: Feng-Liang Liao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

DC UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY APPARATUS WITH BIDIRECTIONAL PROTECTION FUNCTION

Номер патента: US20210175740A1. Автор: Hsu Chia-Chang,CHEN Sheng-Jian,CHUANG Zong-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

INTEGRATED STRUCTURE WITH BIDIRECTIONAL VERTICAL ACTUATION

Номер патента: US20140264645A1. Автор: LIM Martin,Hung Li-Wen,LLOYD Stephen,DANEMAN Michael Julian. Владелец: InvenSense, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

MOBILE POWER SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL AC-DC CONVERTER AND RELATED PLATFORMS AND METHODS

Номер патента: US20200177008A1. Автор: Bateman David,TIEDTKE ALEX. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20180198372A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-07-12.

SYSTEMS AND METHODS FOR UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES WITH BIDIRECTIONAL POWER CONVERTERS

Номер патента: US20150214784A1. Автор: Alexander William C.. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-07-30.

SINGLE STAGE SWITCHING POWER AMPLIFIER WITH BIDIRECTIONAL ENERGY FLOW

Номер патента: US20160218686A1. Автор: Chen Xue Jian. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES WITH BIDIRECTIONAL POWER CONVERTERS

Номер патента: US20150222147A1. Автор: Alexander William C.. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES WITH BIDIRECTIONAL POWER CONVERTERS

Номер патента: US20140368038A1. Автор: Alexander William C.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20140376291A1. Автор: Alexander William C.,Blanchard Richard A.. Владелец: IDEAL POWER, INC.. Дата публикации: 2014-12-25.

NONLINEAR CONTROL ALGORITHM AND SYSTEM FOR A SINGLE-PHASE AC-AC CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL ISOLATED DC-DC CONVERTER

Номер патента: US20170294777A1. Автор: Teymour Ghasemabadi Hamid Reza,Esmalli Gholamreza. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

IGBT WITH BIDIRECTIONAL CONDUCTION

Номер патента: US20150364584A1. Автор: Zhang Qingchun,Ryu Sei-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20170358993A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2017-12-14.

Economical single-end cascade hybrid direct-current power transmission system with bidirectional flowing power flow

Номер патента: CN109586328B. Автор: 陈涛,赵科,陆超,朱小军,朱晟毅,李笑倩,魏应冬,徐瑞林,蒋望,李明睿,向红吉. Владелец: State Grid Hubei Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

INTEGRATED MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIDIRECTIONAL CONDUCTION AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2615656B1. Автор: Bantval Jayant Baliga,Deva Narayan Pattanayak. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-02-21.

FIBER OPTICAL AMPLIFIER WITH BIDIRECTIONAL PUMPING

Номер патента: FR2731524B1. Автор: Jose Chesnoy. Владелец: Alcatel Optronics France SA. Дата публикации: 1997-04-18.

INTEGRATED MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIDIRECTIONAL CONDUCTION AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2615656A1. Автор: Bantval Jayant Baliga,Deva Narayan Pattanayak. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-11-25.

TVS device with bidirectional large snapback SCR (selective catalytic reduction) characteristic and ultra-low capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108428699B. Автор: 赵志方,王允,张啸,苏海伟,苏亚兵,赵德益,吕海凤,霍田佳,蒋骞苑. Владелец: Shanghai Wei'an Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Production of delay times - is in systems with bidirectional rectifiers free of circular current switching

Номер патента: DE2107314B2. Автор: Alfons Dipl.-Ing. 1000 Berlin Schraeder. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-04-10.

Agricultural vehicle with bidirectional force exerting electric three-point hitch assemblies

Номер патента: US20190281755A1. Автор: Stephen Heckeroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-19.

Hydraulic positioner with bidirectional detenting action

Номер патента: US4099602A. Автор: John Kourbetsos. Владелец: PL Porter Co. Дата публикации: 1978-07-11.

Extractor socket with bidirectional driving capability and corresponding extraction set with intermediate sizes

Номер патента: EP4311628A2. Автор: Timothy T. Mckenzie,Zhihong Fu. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Extractor socket with bidirectional driving capability and corresponding extraction set with intermediate sizes

Номер патента: EP4311628A3. Автор: Timothy T. Mckenzie,Zhihong Fu. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Extractor socket with bidirectional driving capability and corresponding extraction set with intermediate sizes

Номер патента: US11554470B2. Автор: Timothy T. Mckenzie,Zhihong Fu. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Bidirectional different speed ratio driving device with bidirectional manpower input

Номер патента: US20100154585A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Tai-Her Yang. Дата публикации: 2010-06-24.

Solenoid-operated, two-way, two-position valve with bidirectional flow

Номер патента: US3738607A. Автор: M Peruglia. Владелец: Fiat SpA. Дата публикации: 1973-06-12.

Agricultural vehicle with bidirectional force exerting electric three-point hitch assemblies

Номер патента: US20220394913A9. Автор: Stephen Heckeroth. Владелец: Solectrac Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Inflatable vehicle air dam with bidirectional deploy/stow system

Номер патента: US20110260499A1. Автор: Yunjun Li,Peter T. Karlson,Theodore Adamczyk, JR.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-10-27.

Agricultural vehicle with bidirectional force exerting electric three-point hitch assemblies

Номер патента: US20210136991A1. Автор: Stephen Heckeroth. Владелец: Solectrac Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Rotary mower with cutting deck with bidirectional cutting blades

Номер патента: US11730083B2. Автор: Chris A. Wadzinski,Jason J. Henry. Владелец: Toro Co. Дата публикации: 2023-08-22.

Extractor socket with bidirectional driving capability and corresponding extraction set with intermediate sizes

Номер патента: EP3546126B1. Автор: Timothy T. Mckenzie,Zhihong Fu. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Rotary mower with cutting deck with bidirectional cutting blades

Номер патента: US12096720B2. Автор: Chris A. Wadzinski,Jason J. Henry. Владелец: Toro Co. Дата публикации: 2024-09-24.

Engine with bidirectional impeller

Номер патента: WO2022060338A3. Автор: Nevzat Ciftci. Владелец: Çiftçi Nevzat. Дата публикации: 2022-05-19.

Continuously variable single-tube shock absorber with bidirectional control valve

Номер патента: AU1457397A. Автор: Cornelis De Kock. Владелец: Koni BV. Дата публикации: 1997-09-10.

Shock absorber with bidirectional selective block, wheel group and motorcycle thereof

Номер патента: IL270479B2. Автор: . Владелец: Piaggio & C Spa. Дата публикации: 2023-04-01.

Shock absorber with bidirectional selective block, wheel group and motorcycle thereof

Номер патента: US11708125B2. Автор: Andrea Raffaelli. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2023-07-25.

Clutch control reversible transmission wheel system with bidirectional input and one-way output

Номер патента: TWM423173U. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Tai-Her Yang. Дата публикации: 2012-02-21.

Extractor socket with bidirectional driving capability and corresponding extraction set with intermediate sizes

Номер патента: EP4245464A2. Автор: Timothy T. Mckenzie,Zhihong Fu. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Transmission cable with bidirectional charge/discharge power bank

Номер патента: TWM440537U. Автор: ming-xiang Ye. Владелец: ming-xiang Ye. Дата публикации: 2012-11-01.

Engine with bidirectional impeller

Номер патента: WO2022060338A2. Автор: Nevzat Ciftci. Владелец: Çiftçi Nevzat. Дата публикации: 2022-03-24.

Rapid Fire Weapon with Bidirectional Interchangable Barrel

Номер патента: US20110023694A1. Автор: Leroy E. Haywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

Anterior lumbar interbody fusion device with bidirectional screws

Номер патента: US20240268973A1. Автор: Jorge Isaza,Chris Hapstack. Владелец: MIRUS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Retrograde torque limit gear train with bidirectional input and one-way output

Номер патента: TW201144146A. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Tai-Her Yang. Дата публикации: 2011-12-16.

Clutch control reversible transmission wheel system with bidirectional input and one-way output

Номер патента: TW201144144A. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Tai-Her Yang. Дата публикации: 2011-12-16.

Redundant electrically driven fuel and oil pumping system for gas turbine with bidirectional pump motor

Номер патента: EP4148253B1. Автор: Alan W. Smith. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Small cutting machine with bidirectional clamping structure

Номер патента: CN112355390A. Автор: 帅能文. Владелец: Hunan Jiren Residential Assembly Construction Co ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

HYBRID POWER SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL MACHINE AT FLYWHEEL

Номер патента: US20140053683A1. Автор: Cherney Mark,WEST SEAN. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

BISTABLE PITCH PROPELLER SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL PROPELLER ROTATION

Номер патента: US20180029693A1. Автор: Reichert Todd,Vander Lind Damon. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SMART EQUIPMENT WITH BIDIRECTIONAL DIAGNOSIS AND THERAPY DEVICE

Номер патента: US20180042813A1. Автор: Chiang Chih-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Electric actuator with bidirectional compliance

Номер патента: US20190055009A1. Автор: Zaffir A. Chaudhry,Adam J. Ditzler. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

SAWMILL SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL BANDSAW CAPABILITY USING OPPOSITELY DIRECTED SINGLE-SIDED BLADES

Номер патента: US20210086393A1. Автор: JOHNSON GEORGE WILLOUGHBY. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Extractor Socket with Bidirectional Driving Capability and Corresponding Extraction Set with Intermediate Sizes

Номер патента: US20220134520A1. Автор: Fu Zhihong,McKenzie Timothy T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Extractor Socket with Bidirectional Driving Capability and Corresponding Extraction Set with Intermediate Sizes

Номер патента: US20220134521A1. Автор: Fu Zhihong,McKenzie Timothy T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

AGRICULTURAL VEHICLE WITH BIDIRECTIONAL FORCE EXERTING ELECTRIC THREE-POINT HITCH ASSEMBLIES

Номер патента: US20210136991A1. Автор: Heckeroth Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

CONTROLLING ROBOTIC SURGICAL INSTRUMENTS WITH BIDIRECTIONAL COUPLING

Номер патента: US20180140366A1. Автор: KAPADIA Jaimeen. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Shock absorber with bidirectional selective block, wheel group and motorcycle thereof

Номер патента: US20200156732A1. Автор: RAFFAELLI Andrea. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

LIGHT-GUIDED HIGH BRAKE LAMP FOR VEHICLE WITH BIDIRECTIONAL LIGHT

Номер патента: US20180172236A1. Автор: MI Zhenxing,WU Anmin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

DISTRACTOR WITH BIDIRECTIONAL ROTATION CONTROL

Номер патента: US20160183989A1. Автор: Kubis Sascha,Biskup Christian,Straub Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

EXTRACTOR SOCKET WITH BIDIRECTIONAL DRIVING CAPABILITY AND CORRESPONDING EXTRACTION SET WITH INTERMEDIATE SIZES

Номер патента: US20190176310A1. Автор: Fu Zhihong,McKenzie Timothy T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

ARROW REST ASSEMBLY WITH BIDIRECTIONAL BIAS TORQUE

Номер патента: US20170191788A1. Автор: Eacker Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FILTER WITH BIDIRECTIONAL PLEATED MEDIA

Номер патента: US20160214053A1. Автор: Schwartz Scott W.. Владелец: CUMMINS FILTRATION IP, INC.. Дата публикации: 2016-07-28.

ANTERIOR LUMBAR INTERBODY FUSION DEVICE WITH BIDIRECTIONAL SCREWS

Номер патента: US20210251769A1. Автор: Hapstack Chris,Isaza Jorge. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

SCREW-TYPE LINEAR ACTUATOR INCLUDING A TORSION ROD WITH BIDIRECTIONAL STOP

Номер патента: US20150240922A1. Автор: GAINES LOUIE TIMOTHY,Parker Kim,Boyle Mark,Auer Pete. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-08-27.

DIVERTING CONVEYOR WITH BIDIRECTIONAL ASSIST ROLLER

Номер патента: US20140332343A1. Автор: Costanzo Mark,Myers David Herbert. Владелец: LAITRAM, L.L.C.. Дата публикации: 2014-11-13.

ROTARY MOWER WITH CUTTING DECK WITH BIDIRECTIONAL CUTTING BLADES

Номер патента: US20210274711A1. Автор: Wadzinski Chris A.,Henry Jason J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

DISTRACTOR WITH BIDIRECTIONAL RATCHET

Номер патента: US20180249992A1. Автор: Truckey Adam. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

METAL AIRTIGHT SEAL WITH BIDIRECTIONAL FACE, SELF-ENERGIZABLE BY PRESSURE

Номер патента: US20190264810A1. Автор: Andueza Alejandro. Владелец: FMC TECHNOLOGIES DO BRASIL LTDA. Дата публикации: 2019-08-29.

AGRICULTURAL VEHICLE WITH BIDIRECTIONAL FORCE EXERTING ELECTRIC THREE-POINT HITCH ASSEMBLIES

Номер патента: US20190281755A1. Автор: Heckeroth Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

BISTABLE PITCH PROPELLER SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL PROPELLER ROTATION

Номер патента: US20200385103A1. Автор: Reichert Todd,Vander Lind Damon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Implantable drug infusion device with bidirectional flow control safety valve and system using the same

Номер патента: KR101839806B1. Автор: 김종민,이철수. Владелец: 서강대학교산학협력단. Дата публикации: 2018-03-19.

Double crank shaft horizontal combustion motor with bidirectional piston cylinder

Номер патента: CN102011647A. Автор: 陈翔,苏雷虹. Владелец: DUJIANGYAN CITY DONGXIANG ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Floor scrubber with bidirectional water absorbing rake mechanism

Номер патента: CN106510561A. Автор: 李飞,王振亚,赵忠祥,蒋炎炎,鹿守光,尚长伟,张夫启. Владелец: Xuzhou Eall Environmental Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Fresh air device with bidirectional indoor virus killing and sterilization functions

Номер патента: CN212179139U. Автор: 郝洪波,姚俊新. Владелец: Hubei Weitian Environmental Engineering Co ltd. Дата публикации: 2020-12-18.

Baby supporting device with bidirectional use mode and operating method thereof

Номер патента: CN102030026B. Автор: 陈瑞斌. Владелец: Wonderland Nurserygoods Co Ltd Hong Kong. Дата публикации: 2012-10-31.

LEGO-TYPE BLOCK ASSEMBLY WITH Bidirectional Fastening Ribs

Номер патента: KR102019629B1. Автор: 박성이. Владелец: 박성이. Дата публикации: 2019-09-06.

Convenience improved medical device with bidirectional bending function

Номер патента: KR101923430B1. Автор: 박우철,송동진. Владелец: (주)비엠에이. Дата публикации: 2018-11-29.

Manual operation Electro-hydraulic valve unit with bidirectional clutch

Номер патента: KR20190001479A. Автор: 노창환. Владелец: (주)코사플러스. Дата публикации: 2019-01-04.

Deep sea valve executing mechanism with bidirectional pressure dynamic balance compensation device

Номер патента: CN104806811B. Автор: 刘少波,洪毅,郭宏,孙钦,闫嘉钰,马玉山,常占东,郑利军,刘太元. Владелец: Wuzhong Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-12.

Recombinant adenovirus expressing two transgenes with bidirectional promoters

Номер патента: JP6735288B2. Автор: ウンダーリヒ，カースティン,カスターズ，ジェローム，エイチ，エイチ，ヴイ，,ヴェリンガ，ジョルト,サンダース，バーバラ，ペトロネラ. Владелец: Janssen Vaccines and Prevention BV. Дата публикации: 2020-08-05.

The downward stop device of glove compartment with Bidirectional interlocking feature

Номер патента: CN108657079A. Автор: 弗兰克·秋奎·刘,雷·雷蒙德·吉利斯,托马斯·朱尼尔·勒基特,维贾伊·库马尔·赫格德,马修·詹姆逊·希基. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-10-16.

An apparatus for ventilation and sterilization with bidirectional fan

Номер патента: KR20130004293U. Автор: 윤의식. Владелец: 윤의식. Дата публикации: 2013-07-10.

Extractor Insert with Bidirectional Driving Capability and Corresponding Extractor Insert Set with Intermediate Sizes

Номер патента: US20230010693A1. Автор: Zhihong Fu,Jesse Higgins. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Lithium ion power battery with bidirectional current collectors

Номер патента: CN201877530U. Автор: 李敬,刘凤龙. Владелец: Tianjin Lishen Battery JSCL. Дата публикации: 2011-06-22.

FIBER PLACEMENT MACHINE WITH BIDIRECTIONAL APPLICATION HEAD

Номер патента: FR3043012A1. Автор: Alexander Hamlyn,Loic Gaillard. Владелец: Coriolis Composites SAS. Дата публикации: 2017-05-05.

FIBER PLACEMENT MACHINE WITH BIDIRECTIONAL APPLICATION HEAD

Номер патента: FR3043012B1. Автор: Alexander Hamlyn,Loic Gaillard. Владелец: Coriolis Composites SAS. Дата публикации: 2017-10-27.

Manual tool with bidirectional torque output

Номер патента: CN113334298A. Автор: 李跃明. Владелец: Hangzhou Great Star Tools Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Automatic water-replenishing pressure controller with bidirectional pressurization function

Номер патента: CN113294310A. Автор: 陈清,苏陈,魏松,肖淑霞,李德娟,王为正,章飞凡,占超,黄严堃,佘海强. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-08-24.

Air conditioner with bidirectional air guiding function and control method thereof

Номер патента: CN111023285B. Автор: 张方远,王敏燕. Владелец: Ningbo Aux Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

Respiratory calorimeter with bidirectional flow monitors

Номер патента: CA2126875A1. Автор: James R. Mault. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-07-08.

Elevator control system comprises a main control part and a frequency converter part with bidirectional connections running from the main part to the frequency converter part

Номер патента: DE102004026360A1. Автор: Frank Aatz. Владелец: ALOIS KASPAR GmbH. Дата публикации: 2006-01-05.

High speed serial time division multiplexing bux

Номер патента: CN200994146Y. Автор: 刘瑞宽. Владелец: CETC 50 Research Institute. Дата публикации: 2007-12-19.

Single-shaft bidirectional synchronous control electromagnetic loading dynamic shear test device

Номер патента: CN210893972U. Автор: 张凯,王俊,周韬,朱建波,谢和平,高明忠,李存宝,廖志毅. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

Ripper with bidirectional liquid energy accumulator

Номер патента: RU2505647C1. Автор: Юрий Александрович Геллер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Забайкальский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ЗабГУ"). Дата публикации: 2014-01-27.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Combined hydro-electric power system with bidirectional outlet

Номер патента: RU2599090C2. Автор: Цзай-Вэй ЛИАН,Вэй-Ли ВУ,Чиэнь-Чэн СУ,Вэй-Цзе ЧЭНЬ. Владелец: Эмтай Медикал Эквипмент, Инк.. Дата публикации: 2016-10-10.

Fault indicator with bidirectional indicator winding

Номер патента: CA1183212A. Автор: Edmund O. Schweitzer, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-02-26.

Connection of bus with cathode rod of aluminum electrolyzer

Номер патента: RU2290458C1. Автор: Юрий Николаевич Колосов,Александр Владимирович Попов,Александр Олегович Гусев,Алексей Геннадьевич Бурцев,Анатолий Павлович Спиридонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2006-12-27.

A kind of bidirectional helical reaction tube and the reactor with bidirectional helical reaction tube

Номер патента: CN206853680U. Автор: 陈延坤. Владелец: Shandong Connaught Pharmaceutical Fluid System Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Superconducting analog-to-digital converter with bidirectional counter and bidirectional counter

Номер патента: JP2590313B2. Автор: ランドルフ フイリツプス リチヤード,ダンラプ サンデル ロバート,ハーバート シルヴアー アーノルド. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-03-12.

Subtract stroke bidirectional speed limiting system with bidirectional speed limiter

Номер патента: CN105398906B. Автор: 李建军,孙红亮,杨叶飞,颜文波. Владелец: XJ Elevator Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Advertisement lamp box with bidirectional LED lamp

Номер патента: TWM489353U. Автор: jin-hui Li. Владелец: jin-hui Li. Дата публикации: 2014-11-01.

Simple fire escape ladder with bidirectional constant speed operation features

Номер патента: TWM255034U. Автор: Shiou-Yi Lin. Владелец: Shiou-Yi Lin. Дата публикации: 2005-01-11.

DEVICE FOR SEARCHING BOTTOM ASSESSMENT OF PLACEMENT IN MATRIX SYSTEMS WITH BIDIRECTIONAL INFORMATION TRANSFER

Номер патента: RU2009134208A. Автор: Дмитрий Борисович Борзов,Дмитрий Борисович Борзов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Курский государственный технический университет (R. Дата публикации: 2011-03-20.

Computer with bidirectional hard disk insertion function

Номер патента: TWM339630U. Автор: Tian-hua CENG. Владелец: Compucity Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Heat dissipation device with bidirectional flow channel and heat sink thereof

Номер патента: TWM341880U. Автор: Guo-Ren Lin,Jen-Shiang Lin,wen-rong Liu. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Direct current breaker topology with bidirectional blocking function

Номер патента: CN105281288A. Автор: 朱晋,刘单华,尹靖元,韦统振. Владелец: Institute of Electrical Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-01-27.

Manual tool with bidirectional torque output

Номер патента: CN211761124U. Автор: 李跃明. Владелец: Hangzhou Great Star Tools Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Rotary switch with bidirectional locking mechanism

Номер патента: CN210778378U. Автор: 李林,张翔,王玉红,张高峰,郑林洁,陈凯康,岳玉洁,伏宁娜,黄芹普,李成宾. Владелец: Zhengzhou Aerospace Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

A kind of hold-down support with bidirectional damping and girder falling

Номер патента: CN207419240U. Автор: 刘斌,王小飞,印涛,周刚,文望青,刘振标,夏正春,瞿国钊,王存国,史娣. Владелец: China Railway Siyuan Survey and Design Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METALLIZATION COMPRISING SELECT LINES, BIT LINES AND WORD LINES

Номер патента: US20120009767A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

INTERNAL ROCKER ARM TYPE EPICYCLE WHEEL SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL INPUT AND UNIDIRECTIONAL OUTPUT

Номер патента: US20120208665A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

Method And System For Encryption With Bidirectional Difference Propagation

Номер патента: US20120250856A1. Автор: . Владелец: Nagravision S.A.. Дата публикации: 2012-10-04.

Photovoltaic Array Systems, Methods, and Devices with Bidirectional Converter

Номер патента: US20120274138A1. Автор: Alexander William C.,Bundschuh Paul. Владелец: IDEAL POWER CONVERTERS, INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

CONTROL SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL SELECTION

Номер патента: US20120281147A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

VENA CAVA FILTER WITH BIDIRECTIONAL RETRIEVAL

Номер патента: US20130158591A1. Автор: Koehler Cleve. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2013-06-20.

CONTROL CIRCUIT OF FLYBACK POWER CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL COMMUNICAITON CHANNEL

Номер патента: US20140036550A1. Автор: CHEN Hung-Chi,Yang Ru-Shiuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Dynamic Lay Down Lip Seal With Bidirectional Pumping Feature

Номер патента: US20140110904A1. Автор: Berdichevsky Alexander. Владелец: FREUDENBERG-NOK GENERAL PARTNERSHIP. Дата публикации: 2014-04-24.

LASER BEAM CONTROL SYSTEM WITH BIDIRECTIONAL BEAM DIRECTOR

Номер патента: US20150069216A1. Автор: Hutchin Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Steel ball falling test device with bidirectional multiple test point

Номер патента: CN203298968U. Автор: 吴昊. Владелец: Wuxi Mingzhu Steel Ball Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Capsule enteroscopy system with bidirectional night vision camera

Номер патента: CN202408847U. Автор: 乔铁,黄万潮. Владелец: Guangzhou Baodan Medical Instrument Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Flow crossing type food material drying device with bidirectional flow conversion function

Номер патента: CN104534852A. Автор: 陈杰,赵刚,周毅,周智武,张世玉,吕云,尹顺峰,尹云坤,周剑兵,王开茂. Владелец: YUNNAN YITONG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

DEVICE FOR SEARCHING LOWER ASSESSMENT OF LOCATION IN FULL-COMMUNICATED MATRIX SYSTEMS WITH BIDIRECTIONAL INFORMATION TRANSMISSION

Номер патента: RU2008146258A. Автор: Дмитрий Борисович Борзов,Анатолий Леонидович Марухленко,Екатерина Олеговна Чеснокова,Муджиб Мохаммед Яхья Аль-Ашвал,Дмитрий Борисович Борзов (RU),Екатерина Олеговна Чеснокова (RU),Анатолий Леонидович Марухленко (RU),Муджиб Мохаммед Яхья Аль-Ашвал (YE). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет" (КурскГТУ). Дата публикации: 2010-05-27.

Charge control circuit with bidirectional reverse connection protection for storage batteries

Номер патента: CN201726176U. Автор: 胡海洋,胡旻宇. Владелец: HENGYANG ZHONGWEI TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Stop valve with bidirectional sealing structure

Номер патента: CN218152462U. Автор: 陈学连,余燕鑫,巴云峰. Владелец: Zhejiang Hippak Fluid Control Co ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Device for realizing high-frequency vibration by combining radial magnetization with bidirectional magnetic rebound

Номер патента: CN216290545U. Автор: 黄磊,唐琪,黎平,陈慧文,吕东佳,龚荣波,任曙彪. Владелец: Shenzhen Jiaai Motor Co ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Combined bolt with bidirectional closing positioning function

Номер патента: CN102080468B. Автор: 吴斐. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-07.

Air power vehicle with bidirectional-driven air compressor

Номер патента: CN216231658U. Автор: 王新民. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-08.

A kind of vertical mixing mixing apparatus with Bidirectional agitating apparatus

Номер патента: CN206334606U. Автор: 王孟,王光利. Владелец: Wenzhou Xinxing Equipment Installation Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

A kind of fire-fighting guiding lifesaving lighting line with bidirectional luminescence instruction

Номер патента: CN204272420U. Автор: 陈磊,郑岩,蒋赟,郭素文,周金水,耿树范,何帮襸. Владелец: Shanghai Keyan Phosphor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Cabinet with bidirectional buffering function

Номер патента: CN203207538U. Автор: 郑志源,翁守宣. Владелец: JINHUASHUN Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Power parallel machine flow equalization circuit with bidirectional adjustable output voltage

Номер патента: CN201813159U. Автор: 梁涛,韩玉杰,王庆元,张希俊,尚倩,焦海清. Владелец: SHENZHEN GUOYAO ELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.