Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Reducing tip-to-tip distance between end portions of metal lines formed in an interconnect layer of an integrated circuit (ic)

Reducing tip-to-tip distance between end portions of metal lines formed in an interconnect layer of an integrated circuit (ic)

Номер патента: WO2018136155A1
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Jeffrey Junhao XU
Принадлежит: QUALCOMM INCORPORATED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Reducing tip-to-tip distance between end portions of metal lines formed in an interconnect layer of an integrated circuit (IC)

Номер патента: US10504840B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Reducing tip-to-tip distance between end portions of metal lines formed in an interconnect layer of an integrated circuit (ic)

Номер патента: US20190189554A1. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Reducing tip-to-tip distance between end portions of metal lines formed in an interconnect layer of an integrated circuit (ic)

Номер патента: US20180204794A1. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

REDUCING TIP-TO-TIP DISTANCE BETWEEN END PORTIONS OF METAL LINES FORMED IN AN INTERCONNECT LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT (IC)

Номер патента: US20190189554A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

REDUCING TIP-TO-TIP DISTANCE BETWEEN END PORTIONS OF METAL LINES FORMED IN AN INTERCONNECT LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT (IC)

Номер патента: US20180204794A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US9812399B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-07.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20180025990A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-25.

Prevention of premature breakdown of interline porous dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20170098615A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Jean-Philippe Escales. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-06.

Metallization lines on integrated circuit products

Номер патента: US11791263B2. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Geng Han. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Metallization lines on integrated circuit products

Номер патента: US20190006232A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Geng Han. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Metallization lines on integrated circuit products

Номер патента: US20230395502A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann,Geng Han. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Two step implant to control tip-to-tip distance between trenches

Номер патента: WO2024123520A1. Автор: Huixiong Dai,John Hautala. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Two step implant to control tip-to-tip distance between trenches

Номер патента: US20240194541A1. Автор: Huixiong Dai,John Hautala. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating integrated circuit device

Номер патента: US11894267B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Fa-Shen JIANG,Tzu-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US12048257B2. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240162088A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Fa-Shen JIANG,Tzu-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: WO2022246351A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-24.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: EP4342002A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: US11973019B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG146528A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-30.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Interconnect structure with misaligned metal lines coupled using different interconnect layer

Номер патента: US20170133320A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Interconnect structure with misaligned metal lines coupled using different interconnect layer

Номер патента: US20160190065A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: WO2022182382A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US11600566B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same

Номер патента: US20170236780A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG165342A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit with metal stop ring outside the scribe seal

Номер патента: US12009319B2. Автор: Qiao CHEN,Christopher Daniel Manack,Patrick Francis Thompson,Michael Todd Wyant,Matthew John Sherbin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10276505B2. Автор: Woo-Jin Lee,Young-Bae Kim,Sung-Jin Kang,Sang-hoon Ahn,Eui-bok LEE,Su-Hyun Bark,Hyeok-Sang Oh,Hoon-Seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-30.

Integrated circuit (ic) die comprising galvanic isolation capacitor

Номер патента: US20230369198A1. Автор: Elizabeth Stewart,Jeffrey Alan West,Byron Williams,Pijush Kanti Ghosh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240203883A1. Автор: Seungyong YOO,Eunji JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Interconnect structures for integrated circuits and their formation

Номер патента: US20160042995A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Reduced height m1 metal lines for local on-chip routing

Номер патента: WO2015138543A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-17.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region

Номер патента: EP3545548A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Reduced height m1 metal lines for local on-chip routing

Номер патента: US20150262930A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Metallization Process for an Integrated Circuit

Номер патента: US20230197514A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US5656543A. Автор: Henry Wei-Ming Chung. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Methods of making integrated circuits including air gaps around interconnect structures

Номер патента: US9147602B2. Автор: Chih-hao Chen,Chii-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US20180040567A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Integrated circuits (ics) employing multi-pattern metallization to optimize metal interconnect spacing for improved performance and related fabrication methods

Номер патента: US20230335489A1. Автор: Bed Raj Kandel,Katherine ZHANG,Thomas Hua-Min Williams. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuits employing multi-pattern metallization to optimize metal interconnect spacing and related fabrication method

Номер патента: WO2023201140A1. Автор: Bed Raj Kandel,Katherine ZHANG,Thomas Hua-Min Williams. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20180047705A1. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240312836A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yi-Hsiu Chen,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243057A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20210343587A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US11688633B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Process for fabricating an interconnect for contact holes

Номер патента: US20020006720A1. Автор: Jens Hähn,Sven Schmidbauer,Axel Bürke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-01-17.

Device, method and system to provide an interconnect between channel structures

Номер патента: US20240006415A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20230307292A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuits having signal lines formed with double patterning

Номер патента: US12100655B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Ching-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230245939A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US20030098467A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit and interconnect, and method of fabricating same

Номер патента: WO2012047458A3. Автор: Eric J. White,Zhong-Xiang He,Daniel S. Vanslette,Matthew D. Moon,David A. DeMuynck,Daniel R. Miga. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US6806121B2. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-19.

Pattern recessed by anisotropic reactive ion etching and dense multilayer metallization integrated circuits produced thereby

Номер патента: CA1220562A. Автор: Andrew L. Wu. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Interconnect structure having different dimensions for connected circuit blocks in an integrated circuit

Номер патента: EP4270473A1. Автор: Kang-ill Seo,Eunsung KIM,Hyoeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of creating aligned vias in ultra-high density integrated circuits

Номер патента: US20190096756A1. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit assembly with faraday cage

Номер патента: EP3245670A1. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2017-11-22.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for connecting a buried interconnect rail and a semiconductor fin in an integrated circuit chip

Номер патента: US20200203210A1. Автор: Anshul Gupta,Dmitry Yakimets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Structure to enable higher current density in integrated circuit resistor

Номер патента: US20190139861A1. Автор: Archana Venugopal,Dhishan Kande. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Three-dimensional (3d) integrated circuit device having a backside power delivery network

Номер патента: US20220020735A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Edge metal for interconnect layers

Номер патента: US5977638A. Автор: Sam Geha,Ting-Pwu Yen,T. J. Rodgers,Chris Petti. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuits with buried interconnect conductors

Номер патента: US11854902B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: WO2015200317A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-12-30.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: EP3158575A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit having a hidden shared contact

Номер патента: US20190027439A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-01-24.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit having a hidden shared contact

Номер патента: US10763213B2. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240290720A1. Автор: Kyungsuk Oh,Jaechoon Kim,Seunggeol Ryu,Keungbeum Kim,Eonsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Ic package with metal interconnect structure implemented between metal layers of die and interposer

Номер патента: US20150187690A1. Автор: Brian Young. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-02.

Deep trench via for three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US12100705B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Mauro J. Kobrinsky,Mark Bohr,Rishabh Mehandru,Marni NABORS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming and electrically connecting a vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor extending between interconnect layers in an integrated circuit

Номер патента: US6251740B1. Автор: Gregory A. Johnson,Kunal N. Taravade. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20120168953A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Creating an aligned via and metal line in an integrated circuit including forming an oversized via mask

Номер патента: US20200118868A1. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Creating an aligned via and metal line in an integrated circuit including forming an oversized via mask

Номер патента: US11081387B2. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for making an interconnect layout and a semiconductor device including an interconnect layout

Номер патента: GB2364598A. Автор: Sudhanshu Misra,Vivek Saxena,Donald Thomas Cwynar,Dennis Okumu Ouma,John Michael Sharpe. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US11569206B2. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-31.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US11049846B2. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-29.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US11133272B1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US20210343661A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20200294970A1. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20160056106A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuits having signal lines formed with double patterning

Номер патента: US20230378060A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Ching-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20210296287A1. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: EP4139961A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: WO2021216250A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-28.

TECHNIQUES FOR REDUCING TIP TO TIP SHORTING AND CRITICAL DIMENSION VARIATION DURING NANOSCALE PATTERNING

Номер патента: US20210005445A1. Автор: Zhang Qintao,Prasad Rajesh,Shim Kyu-Ha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: WO2009158551A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Limited. Дата публикации: 2009-12-30.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: EP2311113A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Integrated circuit structure with flourescent material, and related methods

Номер патента: US20220375871A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Metal interconnect processing for an integrated circuit metal stack

Номер патента: US20190074193A1. Автор: ABBAS Ali,Young-Joon Park,Qi-Zhong Hong,Dhishan Kande,Kyle McPherson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Integrated circuit device having a copper interconnect

Номер патента: US20140124932A1. Автор: Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Chamfered corner crackstop for an integrated circuit chip

Номер патента: US20130099391A1. Автор: David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Compositions for improving interconnect metallization performance in integrated circuits

Номер патента: US20020030275A1. Автор: Samit S. Sengupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Integrated circuit having a semiconductor arrangement

Номер патента: US20080179669A1. Автор: Uwe Hoeckele,Hubert Maier,Thomas Detzel,Stefan Woehlert,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Integrated circuit structure with fluorescent material, and related methods

Номер патента: US11901304B2. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Metal line of semiconductor device without production of high resistance compound due to metal diffusion and method for forming the same

Номер патента: US20110053370A1. Автор: Dong Ha JUNG,Seung Jin Yeom,Jeong Tae Kim,Baek Mann Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US20210110000A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US11748550B2. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including a local interconnection between an interconnection layer and an adjoining impurity region

Номер патента: US5621232A. Автор: Takio Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-15.

Method for forming metal lines

Номер патента: US20040266172A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US10825729B2. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for producing an integrated circuit, integrated circuit, x-ray detector and x-ray device

Номер патента: US20190326172A1. Автор: Michael HOSEMANN,Kay Viehweger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US11948874B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor-on-insulator integrated circuit with interconnect below the insulator

Номер патента: US8748245B1. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Chris BRINDLE. Владелец: IO Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

System and method for integrated circuit (ic) nanometer range interconnect fabrication

Номер патента: US20230326840A1. Автор: Ahmad Byagowi,Sandeep Rekhi,Pradip Sairam Pichumani. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

System and method for integrated circuit (ic) nanometer range interconnect fabrication

Номер патента: WO2023183395A1. Автор: Ahmad Byagowi,Sandeep Rekhi,Pradip Sairam Pichumani. Владелец: Meta Platforms, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US20160035644A1. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device having interconnection layer with multiply layered sidewall insulation film

Номер патента: US6703715B2. Автор: Yuji Yokoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-09.

Method of fabricating interconnect layers on an integrated circuit chip using seed-grown conductors

Номер патента: CA1269285A. Автор: Jean-Marie Gutierrez. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1990-05-22.

Method for forming interconnect for integrated circuits

Номер патента: US5200880A. Автор: Kuei-Wu Huang. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Integrated circuit and fabrication method thereof

Номер патента: US20220157886A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Jun-Yao CHEN,sheng-wen Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Metal-Oxide-Metal (MOM) Capacitors for Integrated Circuit Monitoring

Номер патента: US20230352398A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Metal-oxide-metal (mom) capacitors for integrated circuit monitoring

Номер патента: WO2022086595A1. Автор: Yaojian Leng,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for reducing tip-to-tip spacing between lines

Номер патента: TW201044439A. Автор: Wai-Kin Li,Haining S Yang,Matthew E Colburn. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: EP2283517A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-16.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: US20120126408A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for fabricating an integrated circuit with undercut etching

Номер патента: US6524917B2. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20020182808A1. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level

Номер патента: US6486056B2. Автор: Nicholas F. Pasch,Rajat Rakkhit. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement, method of using, and system for using

Номер патента: US20230367949A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Dual damascene process for forming vias and interconnects in an integrated circuit structure

Номер патента: WO2019067382A1. Автор: Bomy Chen,Andrew Taylor,Justin Hiroki Sato,Bonnie Hamlin,Brian Hennes. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-04.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030203613A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US6974968B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-13.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030100159A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit (ic) device with multi-pitch pattern fabricated through cross-linkable block copolymer

Номер патента: US20240194483A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Eungnak Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US20150123213A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Method for forming deep conductive feedthroughs and an interconnect layer that includes feedthroughs formed in accordance with the method

Номер патента: WO1994017548A1. Автор: Jerald F. Pinter. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Method for Forming an Interconnect Structure

Номер патента: US20240036470A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US20170278720A1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

A method for forming an interconnect structure

Номер патента: EP4312252A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-31.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230394216A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of improving the planarizaton of an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US5913142A. Автор: Ming-lun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuits including multi-layer conducting lines

Номер патента: US20210202373A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device connection process

Номер патента: US4392298A. Автор: Robert A. Barker,Edith C. Ong. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US9455236B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20180233409A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20190371666A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Three dimensional integrated circuit with lateral connection layer

Номер патента: US11901351B2. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit (ic) device with multi-die integration

Номер патента: US20200075566A1. Автор: Stephen L. Morein. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Three dimensional integrated circuit with lateral connection layer

Номер патента: WO2023060004A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corporation. Дата публикации: 2023-04-13.

Three dimensional integrated circuit with lateral connection layer

Номер патента: US20230215857A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Stacked ic structure with orthogonal interconnect layers

Номер патента: US20240234320A1. Автор: Ilyas Mohammed,Javier A. Delacruz,Steven L. Teig. Владелец: Adeia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Wafer level fan-out application specific integrated circuit bridge memory stack

Номер патента: WO2020226692A1. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Wafer level fan-out application specific integrated circuit bridge memory stack

Номер патента: US20200357743A1. Автор: Nam Hoon Kim,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Stacked IC structure with orthogonal interconnect layers

Номер патента: US11881454B2. Автор: Ilyas Mohammed,Javier A. Delacruz,Steven L. Teig. Владелец: Adeia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING DIRECTLY COUPLED METAL LINES BETWEEN VERTICALLY-ADJACENT INTERCONNECT LAYERS FOR REDUCED COUPLING RESISTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20240203866A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits (ics) employing directly coupled metal lines between vertically-adjacent interconnect layers for reduced coupling resistance, and related methods

Номер патента: EP4402720A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Power delivery network having super vias in an integrated circuit

Номер патента: US20240096801A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for packaging an integrated circuit (IC) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (RDL)

Номер патента: US11929300B2. Автор: Deep C. Dumka,Christo Bojkov,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit (ic) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (rdl)

Номер патента: US20230207415A1. Автор: Deep C. Dumka,Christo Bojkov,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING DIRECTLY COUPLED METAL LINES BETWEEN VERTICALLY-ADJACENT INTERCONNECT LAYERS FOR REDUCED COUPLING RESISTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: WO2023044204A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated circuits (ICs) employing directly coupled metal lines between vertically-adjacent interconnect layers for reduced coupling resistance, and related methods

Номер патента: US11942414B2. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20200185304A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Yuan Sheng Chiu,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated circuit packages having mechanical brace standoffs

Номер патента: US12080623B2. Автор: Tsung-Shu Lin,Yuan Sheng Chiu,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Complementary silicon-insulator-semiconductor field effect transis tor integrated circuit and a method for its manufacture

Номер патента: GB1363581A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1974-08-14.

Backside isolation for integrated circuit

Номер патента: EP3391416A1. Автор: Paul B. Fischer,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit (IC) structure protection scheme

Номер патента: US12068257B1. Автор: Yun Wu,Myongseob Kim,Henley Liu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190385945A1. Автор: Chika Ito,Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240213770A1. Автор: Hidetoshi Tanaka,Yuko Nagai. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: EP4327361A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: WO2022226465A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-27.

Integrated circuit (ic) die comprising galvanic isolation capacitor

Номер патента: WO2023219929A1. Автор: Elizabeth Stewart,Jeffrey Alan West,Byron Williams,Pijush Kanti Ghosh. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and system of forming integrated circuit

Номер патента: US20200051863A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Yi-Kan Cheng,Ka Fai CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated circuit interconnect lines having reduced line resistance

Номер патента: US20080105968A1. Автор: Suketu A. Parikh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

System and method for protecting an integrated circuit (ic) device

Номер патента: EP4216274A3. Автор: Jean-Luc Danger,Sylvain Guilley,Thibault PORTEBOEUF. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit containing a decoy structure

Номер патента: US12051656B2. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit containing a decoy structure

Номер патента: US20200402928A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240282720A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit interconnect with embedded die

Номер патента: US20230080278A1. Автор: Santosh Tripathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and apparatus for an improved integrated circuit package

Номер патента: US20180269135A1. Автор: Makoto Shibuya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integration of a programmable device and a processing system in an integrated circuit package

Номер патента: EP4254214A2. Автор: Stephen M. Trimberger,Sundararajarao Mohan,Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Tapering discrete interconnection for an integrated circuit (ic)

Номер патента: US20190252309A1. Автор: Kumar Lalgudi,Jaskirat Bindra. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Tapering discrete interconnection for an integrated circuit (ic)

Номер патента: US20190096799A1. Автор: Kumar Lalgudi,Jaskirat Bindra. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Tapering discrete interconnection for an integrated circuit (ic)

Номер патента: US20200357735A1. Автор: Kumar Lalgudi,Jaskirat Bindra. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: NL2029033A. Автор: Radosavljevic Marko,Choi Beomseok,KOIRALA Pratik,TALUKDAR Tushar,GOMES Wilfred,Wui Then Han,S Chau Robert,A Elsherbini Adel,M Swan Johanna,K Thomas Nicole,B Fischer Paul. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: EP4218054A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Nicole K. Thomas,Wilfred Gomes,Pratik KOIRALA,Tushar TALUKDAR,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Integration of a programmable device and a processing system in an integrated circuit package

Номер патента: EP4254214A3. Автор: Stephen M. Trimberger,Sundararajarao Mohan,Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Selectable decoupling capacitors for integrated circuit and methods of use

Номер патента: US20020119583A1. Автор: Krishna Seshan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated circuit design using through silicon vias

Номер патента: EP2724371A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Integrated circuit design using through silicon vias

Номер патента: WO2013002844A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Coupled loop and void structure integrated in a redistribution layer of a chip package

Номер патента: US20230335510A1. Автор: Hong Shi,Young Soo Lee,Po-Wei CHIU,Li-Sheng WENG,Tzu-No CHEN. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of incorporating interconnect systems into an integrated circuit process flow

Номер патента: US20050125751A1. Автор: Charles Miller,John Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2005-06-09.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuits having a continuous active area and methods for fabricating same

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Frank Johnson,Olivier Menut,Marc Tarabbia,Gregory A. Northrop. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-12-12.

A semiconductor device including an integrated circuit housed in an array package having signal terminals arranged about centrally located power supply terminals

Номер патента: WO2001086721A2. Автор: Anthony Andric. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit having structural support for a flip-chip interconnect pad and method therefor

Номер патента: WO2006076083A2. Автор: Kevin J. Hess,Scott K. Pozder,Edward O. Travis,Pak K. Leung,Jie-Hua Zhao,David G. Wontor,Brett P. Wilkerson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-07-20.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US20170062553A1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: EP2283515A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: WO2009148855A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Finger metal oxide metal capacitor formed in a plurality of metal layers

Номер патента: US9711448B2. Автор: Shafiq M. Jamal,Shingo Hatanaka,Hung Sheng Lin. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit (IC) with reconstituted die interposer for improved connectivity, and related methods of fabrication

Номер патента: US11769732B2. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit die stacked with backer die including capacitors and thermal vias

Номер патента: US11699629B2. Автор: Anthony Chiu,Bror Peterson,Andrew Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Multi-branch terminal for integrated circuit (IC) package

Номер патента: US10971436B2. Автор: Chii Shang Hong,Edmund Sales Cabatbat,Thomas Stoek,Chiew Li Tai. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit (ic) package including an inductive device formed in a conductive routing region

Номер патента: WO2024177651A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Julius Kovats. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230385518A1. Автор: John Lin,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Integrated circuit bump integrated with tcoil

Номер патента: US20240203871A1. Автор: Xiaohua Kong,Hongmei Liao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US20160240479A1. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Integrated circuit bump integrated with tcoil

Номер патента: WO2024129314A1. Автор: Xiaohua Kong,Hongmei Liao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Apparatus and method to prevent integrated circuit from entering latch-up mode

Номер патента: US20200135856A1. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Shunhua T. Chang,Mujahid Muhammad,Mickey H. Yu,Xiangxiang LU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Hybrid integrated circuit architecture

Номер патента: US20210233857A1. Автор: Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated circuit interconnection bus structure

Номер патента: GB2122809A. Автор: Dennis John Rogers. Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1984-01-18.

Integrated circuit with guard ring

Номер патента: US20190103354A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Integrated circuit inductor with doped substrate

Номер патента: WO2010088099A3. Автор: Shuxian Chen,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-10-28.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and apparatus for applying body bias to integrated circuit die

Номер патента: US20050139999A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,James Tschanz,Victor Zia,Badarinath Kommandur. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Metal shield for integrated circuits

Номер патента: US20130234303A1. Автор: Roger Carroll,Greg Nelson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-09-12.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and methods of forming same

Номер патента: US11940659B2. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Interconnect circuit for data transmission in an integrated circuit

Номер патента: US6853679B1. Автор: Masayuki Mizuno. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2005-02-08.

Backside stacked die in an integrated circuit (ic) package

Номер патента: WO2017015542A1. Автор: Fernando Chen,Hazel Caballero. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-26.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: EP3341968A1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-04.

Integrated circuit package with serpentine conductor and method of making

Номер патента: US12068232B2. Автор: Michael Wang,Liming Tsau,Cheng Lee,Reza Sharifi,Joon Yeob Lee,Junfei Zhu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit and non-volatile memory device

Номер патента: US20240145530A1. Автор: Yongjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

System and method for manufacturing an integrated circuit anti-fuse in conjunction with a tungsten plug process

Номер патента: US20110221031A1. Автор: David Tucker,Sergei Drizlikh,Thomas James Moutinho,Ashish Kushwaha. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Air-Core Transformer Package with Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shielding of Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230290736A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Reduction of interfacial stress caused by differential thermal expansion between an integrated circuit package and a printed circuit board

Номер патента: GB2356084A. Автор: Walter J Dauksher,Pedro F Engel. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-05-09.

Integrated circuit devices and methods and apparatuses for designing integrated circuit devices

Номер патента: US8881086B2. Автор: Kenneth S. McElvain. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-11-04.

Integrated circuit having structural support for a flip-chip interconnect pad and method therefor

Номер патента: WO2006076083A3. Автор: Kevin J Hess,Jie-Hua Zhao,David G Wontor,Scott K Pozder,Edward O Travis,Pak K Leung,Brett P Wilkerson. Владелец: Brett P Wilkerson. Дата публикации: 2007-06-28.

Integrated circuit with cells having metal layer configured based on directions from which intercell metal interconnects connects to the metal layer

Номер патента: US20210125917A1. Автор: Mamta Bansal,Vincent Xavier LE BARS. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Techniques for facilitating identification updates in an integrated circuit

Номер патента: US20060220013A1. Автор: Steven Bachman,Lynn Edwards. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-10-05.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: EP2529325A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: WO2021178078A4. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,David Fraser Rae,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated circuit with shielding structures

Номер патента: WO2018053137A1. Автор: Jing Jing,Parag Upadhyaya,Xin X. Wu,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Electrically programmable interlevel fusible link for integrated circuits

Номер патента: US6333524B1. Автор: Chuen-Der Lien,David J. Pilling,Anita M. Hansen. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-25.

Integrated circuit die having a split solder pad

Номер патента: US20180053699A1. Автор: Christoph Kuratli,Yves Dupraz. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-02-22.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Integrated circuit with an improved inductor structure and method of fabrication

Номер патента: US5717243A. Автор: Rex Everett Lowther. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-02-10.

Integrated circuit with inductor having horizontal magnetic flux lines

Номер патента: US7384801B2. Автор: Derryl D. J. Allman,Hemanshu D. Bhatt,Jan Fure. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2008-06-10.

Integrated circuit with low-loss primary conductor strapped by lossy secondary conductor

Номер патента: US20030202331A1. Автор: Darryl Jessie,Charles Persico. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Bypass capacitor circuit and method of providing a bypass capacitance for an integrated circuit die

Номер патента: EP2507833A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Fleshel. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: US20240153847A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: WO2024102593A2. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit (ic) with reconstituted die interposer for improved connectivity, and related methods of fabrication

Номер патента: WO2022060511A1. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit with capacitor in different layer than transmission line

Номер патента: US20190173148A1. Автор: Kimberly Dawn EILERT. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20240243012A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Interconnected integrated circuit (ic) chip structure and packaging and method of forming same

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Wolfgang Sauter,David B. Stone,Nicholas A. Polomoff,Mark W. Kuemerle,Jawahar P. Nayak,Eric W. Tremble,Seungman Choi,Eric S. Parent. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method and System for Improved Noise Isolation in an Electrostatic Discharge Protection Scheme

Номер патента: US20210398920A1. Автор: Michael A. Stockinger,Radu Mircea Secareanu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US10818632B1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

System for shielding integrated circuits

Номер патента: EP1747584A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

System for shielding integrated circuits

Номер патента: IL179178A0. Автор: . Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for shielding integrated circuits

Номер патента: IL179178A. Автор: . Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2011-01-31.

Connected Plane Stiffener Within Integrated Circuit Chip Carrier

Номер патента: US20200035593A1. Автор: Krishna R. Tunga,Anson J. Call,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Healing of micro-cracks in an on-chip dielectric

Номер патента: US20050023565A1. Автор: Steven Towle,Anna George. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Integrated circuit and seal ring

Номер патента: US20140077341A1. Автор: Bing-Jye Kuo,hong-wen Lin,Yu-Jie Ji. Владелец: Via Telecom Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Conformal shield for blocking light in an integrated circuit package

Номер патента: WO2021076284A1. Автор: John Pavelka,David Patten. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20230335440A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

First-level integration of second-level thermal interface material for integrated circuit assemblies

Номер патента: US11881438B2. Автор: Elah Bozorg-Grayeli,Aravindha Antoniswamy,Kyle Arrington,Sergio CHAN ARGUEDAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Power module integrated circuit package

Номер патента: US20230378022A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Woochan Kim,Vivek Kishorechand Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US11967528B2. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Backside interconnection interface die for integrated circuits package

Номер патента: US12051679B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated circuit (IC) package with integrated inductor having core magnetic field (B field) extending parallel to substrate

Номер патента: US11723222B2. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuits (ICs) with multi-row columnar die interconnects and IC packages including high density die-to-die (D2D) interconnects

Номер патента: US11791272B2. Автор: Rong Zhou,William M. ADERHOLDT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuits (ics) with multi-row columnar die interconnects and ic packages including high density die-to-die (d2d) interconnects

Номер патента: EP4302329A2. Автор: Rong Zhou,William M. ADERHOLDT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Integrated circuits (ics) with multi-row columnar die interconnects and ic packages including high density die-to-die (d2d) interconnects

Номер патента: WO2022187776A2. Автор: Rong Zhou,William M. ADERHOLDT. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-09.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: EP3732713A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Hybrid integrated circuit architecture

Номер патента: WO2022203690A1. Автор: Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated circuit having a distributed network of landing pads

Номер патента: WO2008061127A1. Автор: James F. Salzman. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-05-22.

Multi-chip integrated circuit module

Номер патента: US5432677A. Автор: David Walter,Larry J. Mowatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-07-11.

Integrated circuit (ic) package with integrated inductor having core magnetic field (b field) extending parallel to die substrate

Номер патента: WO2021206760A1. Автор: Yaojian Leng,Bomy Chen,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

Production of metal oxynitride layers, used as a dielectric in an electronic component of a semiconductor device, comprises depositing a metal compound on a substrate and reacting with nitrogen oxide and/or dinitrogen monoxide

Номер патента: DE10357756A1. Автор: Thomas Hecht,Uwe Schroeder,Stefan Jakschik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-14.

Integrated circuit chip package that does not utilize a leadframe

Номер патента: US20230245992A1. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit (ic) module comprising an integrated circuit (ic) package and an interposer with embedded passive components

Номер патента: WO2017040714A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-09.

Inorganic seal for encapsulation of an organic layer and method for making the same

Номер патента: MY115683A. Автор: John Edward Cronin,Barbara Jean Luther. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-30.

Integrated circuit with integrally formed micro-channel oscillating heat pipe

Номер патента: US11769709B2. Автор: Corey Wilson,Christopher D. Smoot,Joe Boswell. Владелец: Thermavant Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatuses and methods for coupling a waveguide structure to an integrated circuit package

Номер патента: EP3739684A1. Автор: Antonius Johannes Matheus De Graauw,Hendrikus Jozef Kamphuis,Sander Jacobus Geluk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-18.

Integrated circuit (ic) package including an inductive device formed in a conductive routing region

Номер патента: US20240282723A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Julius Kovats. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit and wireless IC tag

Номер патента: US20060192276A1. Автор: Takeshi Kamiya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Integrated circuit package with wire bond

Номер патента: US20240162121A1. Автор: Hsiang Ming Hsiao,Stanley Chou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: EP2721638A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: WO2012173683A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Low crosstalk substrate for mixed-signal integrated circuits

Номер патента: WO2005059961A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2005-06-30.

Assembly of an integrated circuit in a chip scale ball grid array

Номер патента: US20240113062A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structure having reduced cross-talk and method of making same

Номер патента: US5689134A. Автор: Nicholas F. Pasch,Aldona M. Butkus. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Inversely alternate stacked structure of integrated circuit modules

Номер патента: US7795720B1. Автор: Hong-Chi YU. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method and apparatus for encoding information in an ic package

Номер патента: EP1240668A1. Автор: John W. Horigan,Larry L. Moresco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-09-18.

Method and apparatus for encoding information in an ic package

Номер патента: WO2001047016A9. Автор: Larry L Moresco,John W Horigan. Владелец: John W Horigan. Дата публикации: 2002-08-15.

Gettering layer formation in a substrate and integrated circuit comprising the substrate

Номер патента: WO2018164759A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-13.

Gettering layer formation in a substrate and integrated circuit comprising the substrate

Номер патента: EP3593375A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-15.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

A system for providing an integrated circuit with a unique identification

Номер патента: EP1203329A1. Автор: Keith Lofstrom. Владелец: ICID LLC. Дата публикации: 2002-05-08.

Integrated circuit (IC) package employing added metal for embedded metal traces in ETS-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: US12100645B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Device for determining the mask version utilized for each metal layer of an integrated circuit

Номер патента: US20040143805A1. Автор: Arnaud Deleule. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of manufacturing an interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US20230361064A1. Автор: Sylvie Del Medico,Marion CROISY. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit packaging system with formed interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280408A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US20170162495A1. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150001705A1. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Transfer molding process for an integrated circuit and pre-formed release film for use in this process

Номер патента: EP1333480A3. Автор: Anthony M. Chiu,Harry Michael Siegel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Method and apparatus for package-to-board impedance matching for high speed integrated circuits

Номер патента: US20090085155A1. Автор: Todd A. Cannon,Nanju Na,Mark J. Bailey,Haitian Hu,Katsuyuki Yonehara,Deborah E. Zwitter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Leadframe in packages of integrated circuits

Номер патента: US20200235044A1. Автор: Hyoung Il Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: WO2009094376A3. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20090184375A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20110133287A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit chip with a vertical connector

Номер патента: US11854947B2. Автор: Steven Kummerl,Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Dual Die Integrated Circuit System in an Integrated Circuit Package with two Separate Supply Domains

Номер патента: US20240088112A1. Автор: Ingo Freund,Paolo Marozzi. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Integrated circuit (ic) package including a capacitor formed in a conductive routing region

Номер патента: US20240282740A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Julius Kovats. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A3. Автор: Wayne G Renken,Mei H Sun. Владелец: Sensarray Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A9. Автор: Wayne G Renken,Mei H Sun. Владелец: Sensarray Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool

Номер патента: WO2000068979A2. Автор: Mei H. Sun,Wayne G. Renken. Владелец: Sensarray Corporation. Дата публикации: 2000-11-16.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: WO2023194698A1. Автор: David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Process for Precision Placement of Integrated Circuit Overcoat Material

Номер патента: US20100072610A1. Автор: Rex W. Pirkle,Sean M. Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Process for precision placement of integrated circuit overcoat material

Номер патента: US7884449B2. Автор: Rex W Pirkle,Sean M Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package with warpage control using cavity formed in laminated substrate below the integrated circuit die

Номер патента: EP4135022A3. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Multisided integrated circuit assembly

Номер патента: US20240112966A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Operating an integrated circuit

Номер патента: EP2080075A2. Автор: Leonardus C.H. Ruijs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-22.

Operating an integrated circuit

Номер патента: WO2008020387A2. Автор: Leonardus C. H. Ruijs. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated circuit nanotube-based substrate

Номер патента: EP1810329A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-25.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: WO2013016341A3. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Minimizing The Number Of External Terminals Required When Compensation Is To Be Provided For Signal Drop In Bond Wire Of A Package In Which An Integrated Circuit Is Provided

Номер патента: US20090072892A1. Автор: Venkataraman Srinivasan,Ravindra Karnad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Fin doping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: EP4064334A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Patrick Keys,Cory Weber,Seahee Hwangbo,Leonard C. Pipes,Jack YAUNG,Tzu-Min Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Self-planarized gold interconnect layer

Номер патента: US4970573A. Автор: Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black,George E. Mraz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-11-13.

Process for etching trenches in an integrated optical device

Номер патента: US20120228260A1. Автор: Pietro Montanini,Marta Mottura,Ilaria Gelmi,Giovanna Germani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-09-13.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US12046654B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Packaging an integrated circuit die using compression molding

Номер патента: WO2009111109A1. Автор: Jianwen Xu. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-09-11.

Integrated circuit

Номер патента: US20140218102A1. Автор: Wing-Kai Tang,Chia-Lun Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-08-07.

Multi version library cell handling and integrated circuit structures fabricated therefrom

Номер патента: US12067338B2. Автор: Mark T. Bohr,Barbara A. Chappell,Ranjith Kumar,Andrew W. Yeoh,Quan Shi,Sourav Chakravarty,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Use of bimetals in a heat sink to benefit heat transfer from high temperature integrated circuit components on a circuit board

Номер патента: US20220384301A1. Автор: Jerome Henry,Mahesh Daisy,Madeline Marie Roemer. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068418B2. Автор: Yongkyu Lee,Kyongsik Yeom,Youngcheon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Dummy fin cell placement in an integrated circuit layout

Номер патента: US20180137232A1. Автор: Bao-Ru Young,Yu-Jung Chang,Tung-Heng Hsieh,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Design of a heat dissipation structure for an integrated circuit (ic) chip

Номер патента: EP2789009A1. Автор: Seshasayee S. Ankireddi,David W. Copeland. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-10-15.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit package including an integrated shunt resistor

Номер патента: WO2024086214A1. Автор: Gerald Steele. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

Номер патента: US20210270889A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11994553B2. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride structures and methods associated therewith

Номер патента: EP3235008A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus and method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: EP2412002A2. Автор: Willem-Jan A. De Wijs,Marcus J. Van De Sande. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-02-01.

Chip support of a leadframe for an integrated circuit package

Номер патента: US20060138678A1. Автор: Mohamad B. Yazid,Pauline Min Low. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Chip support of a lead frame for an integrated circuit package

Номер патента: EP1658636A1. Автор: Mohamad B. Wagiman Yazid,Pauline Low Min Wee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-24.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US11935894B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: US20170170085A1. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Multiple indium implant methods and devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20100164003A1. Автор: Manoj Mehrotra,Puneet Kohli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082844A1. Автор: Dongwoo Kim,Byoungdeog Choi,Hyukwoo KWON,Seongmin CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: EP3143643A1. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-22.

Integrated circuit on flexible substrate manufacturing process

Номер патента: US11990484B2. Автор: Richard Price,Neil Davies,Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Systems and methods for charging a cleaning solution used for cleaning integrated circuit substrates

Номер патента: EP1774578A1. Автор: Suraj Puri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-18.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20220384456A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Method and device for handling integrated circuit die

Номер патента: US20050120551A1. Автор: Daoqiang Lu,Christopher Rumer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20240276697A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200273853A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200066705A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20220028852A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20200273852A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Interlayer dielectric for passivation of an elevated integrated circuit sensor structure

Номер патента: US6051867A. Автор: Min Cao,Frederick A. Perner,Jeremy A. Theil,Gary W. Ray. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-04-18.

Integrated circuit including silicon wafer with annealed glass paste

Номер патента: EP1760780A2. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2007-03-07.

Interdigitated leads-over-chip lead frame for supporting an integrated circuit die

Номер патента: US6052289A. Автор: Jerry M. Brooks,Aaron Schoenfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrated-circuit chip interconnection system

Номер патента: US5007841A. Автор: Robert Smolley. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1991-04-16.

Backside integrated voltage regulator for integrated circuits

Номер патента: US11830855B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Backside Integrated Voltage Regulator For Integrated Circuits

Номер патента: US20230402430A1. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Номер патента: EP2842161A1. Автор: LIANG Cheng,Zhongping Bao,James D. BURRELL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: US20060063292A1. Автор: Leslie Landsberger. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: EP1626926A2. Автор: Leslie M. Landsberger,Oleg Grudin. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Barrier for liquid metal thermal interface material in an electronic device

Номер патента: US20240250054A1. Автор: Amit Kulkarni,David Haley,Yunseok Kim,Malcolm GUTENBURG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Through-silicon via (tsv) test circuit, tsv test method and integrated circuits (ic) chip

Номер патента: US20210074680A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Power switch circuit, IC structure of power switch circuit, and method of forming IC structure

Номер патента: US11855619B2. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Loading mechanisms for integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US7510418B1. Автор: Hong Xie,Ioan Sauciuc,Ward Scott. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20150169817A1. Автор: Xu Zhang,Jong Kim,James Spehar. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-06-18.

Operating an integrated circuit

Номер патента: US20100066432A1. Автор: Leonardus C.H. Ruijs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-03-18.

Thermal Management in Integrated Circuit Using Phononic Bandgap Structure

Номер патента: US20190122947A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: WO2016099494A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Operating an integrated circuit

Номер патента: EP2080075B1. Автор: Leonardus C.H. Ruijs. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2011-05-04.

Power switch circuit, ic structure of power switch circuit, and method of forming ic structure

Номер патента: US20240056074A1. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit die having reduced defect group iii-nitride layer and methods associated therewith

Номер патента: EP3234996A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for providing mechanical planarization of a sequential build up substrate for an integrated circuit package

Номер патента: US20030141595A1. Автор: Anthony Chiu,Harry Siegel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-07-31.

Providing high precision resistance in an integrated circuit using a thin film resistor of controlled dimension

Номер патента: US7005361B2. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach,Siang Ping Kwok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Providing high precision resistance in an integrated circuit using a thin film resistor of controlled dimension

Номер патента: EP1411548A3. Автор: Eric W. Beach,Siang Ping Kwok,Philipp Steinmann (Nmi). Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: WO2021173197A1. Автор: Paul Fest. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Thin film resistor (TFR) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: US11990257B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and apparatus for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester

Номер патента: EP1275010A2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Ralph G. Whitten. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Programmable capacitor for an integrated circuit

Номер патента: US6686213B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

System to minimize the temperature coefficient of resistance of passive resistors in an integrated circuit process flow

Номер патента: US20010000122A1. Автор: Greg Baldwin,Alwin Tsao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

High-value integrated circuit resistor

Номер патента: WO2001011686A1. Автор: Lanny L. Lewyn. Владелец: Lewyn Consulting, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Metal bond pad for integrated circuits allowing improved probing ability of small pads

Номер патента: US20060022225A1. Автор: Vincent Chen,Liming Tsau,Tzu Huang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Electrostatic discharge protection device and integrated circuit using same

Номер патента: US9472951B2. Автор: Chih-Nan Cheng,Ching-Jung Kuo. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901A2. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-09.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: WO2001095377A3. Автор: Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M Graettinger,Steven D Cummings. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: US20030199141A1. Автор: Steven Cummings,Cem Basceri,Thomas Graettinger,Mark Visokay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Methods for forming integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901B1. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-23.

Method and System For Innovative Substrate/Package Design For A High Performance Integrated Circuit Chipset

Номер патента: US20110310569A1. Автор: Edmund Law. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Integrated circuit (ic) structure with high impedance semiconductor material between substrate and transistor

Номер патента: US20220181452A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Anupam DUTTA,Venkata N.R. Vanukuru,Michel Abou-Khalil,Satyasuresh V. Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A3. Автор: Lei Li,Edgardo R Hortaleza. Владелец: Edgardo R Hortaleza. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

System and computer program product for integrated circuit design

Номер патента: US11775725B2. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Structure for decreasing minimum feature size in an integrated circuit

Номер патента: US20110115042A1. Автор: Lee James Jacobson,André Paul Labonté. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

System and method for coupling internal circuitry of an integrated circuit to the integrated circuit's package pins

Номер патента: WO2005096379A2. Автор: Robert A. Greene. Владелец: Microtune (Texas), L.P.. Дата публикации: 2005-10-13.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Managed integrated circuit power supply distribution

Номер патента: US20190348361A1. Автор: II John E. Sheets,Kirk D. Peterson,Jeffrey D. Brown,Anthony G. Aipperspach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Determining intra-die wirebond pad placement locations in integrated circuit

Номер патента: US8448118B2. Автор: Haruo Itoh,Richard S. Graf,Wai Ling Chung-Maloney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A2. Автор: Lei Li,Edgardo R. Hortaleza. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-10-13.

System and method for coupling internal circuitry of an integrated circuit to the integrated circuit's package pins

Номер патента: WO2005096379A3. Автор: Robert A Greene. Владелец: Microtune Texas LP. Дата публикации: 2005-12-01.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using tfr cap layer(s) as an etch stop and/or hardmask

Номер патента: WO2021173200A1. Автор: Paul Fest,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Cascaded sensing circuits for detecting and monitoring cracks in an integrated circuit

Номер патента: US20210356514A1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Nicholas A. Polomoff,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Cascaded sensing circuits for detecting and monitoring cracks in an integrated circuit

Номер патента: US20220057445A1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Nicholas A. Polomoff,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using tfr cap layer(s) as an etch stop and/or hardmask

Номер патента: US20210272725A1. Автор: Paul Fest,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory

Номер патента: US20170147726A1. Автор: Frederick G. Anderson,Nicholas T. Schmidt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method, apparatus, and system with integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20240213220A1. Автор: Chisung BAE,Yeunhee HUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit integration of t-coils at interfaces to communication links

Номер патента: US20240235188A9. Автор: Patrick Isakanian,Darius VALAEE,Srivatsan Thiruvengadam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

System and computer program product for integrated circuit design

Номер патента: US20220075922A1. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Measuring internal signals of an integrated circuit

Номер патента: US10459030B2. Автор: Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Manish Parmar,Kushal D MURTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Integrated circuit design for signal integrity, avoiding well proximity effects

Номер патента: US20050210431A1. Автор: Ronald Rose,Michael Sitko,Karen Bard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Technique for improving negative potential immunity of an integrated circuit

Номер патента: US20070096776A1. Автор: Mark GOSE,John Grawcock. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: WO2023048869A1. Автор: Nitin Deshpande,Xiaoqian Li,Srinivas PIETAMBARAM,Omkar Karhade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Analog floating-gate capacitor with improved data retention in a silicided integrated circuit

Номер патента: US20140295631A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Analog Floating-Gate Capacitor with Improved Data Retention in a Silicided Integrated Circuit

Номер патента: US20140001526A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: EP4406022A1. Автор: Nitin Deshpande,Xiaoqian Li,Srinivas PIETAMBARAM,Omkar Karhade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Method and apparatus for the replacement of non-operational metal lines in DRAMS

Номер патента: US20010002112A1. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-31.

Integrated circuit chip package module

Номер патента: US20100181664A1. Автор: Chen-Hsiang Lin,Fang-Ta Tai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Method and circuit for lowering standby current in an integrated circuit

Номер патента: US20020021163A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Integrated circuit with low-stress under-bump metallurgy

Номер патента: EP1750305A3. Автор: Frank Stepniak,William D. Higdon. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Biasing device for low parasitic capacitance in integrated circuit applications

Номер патента: US20060237820A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor die employing repurposed seed layer for forming additional signal paths to back end-of-line (BEOL) structure, and related integrated circuit (IC) packages and fabrication methods

Номер патента: US11817406B2. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Jinying Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs

Номер патента: US20020082740A1. Автор: Salman Akram,Michael Hess,Alan Wood,Warren Farnworth,David Hembree,John Jacobson,James Wark,Derek Gochnour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

System and method for de-latch of an integrated circuit

Номер патента: US8472276B1. Автор: Bruce Barbara,Morgan Whately. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Configuration of a multi-die integrated circuit

Номер патента: WO2012003095A1. Автор: Steven Young,Weiguang Lu,Brian C. Gaide,Eric E. Edwards,Joe Eddie Ii Leyba,Paul-Hugo Lemarche. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Configuration of a multi-die integrated circuit

Номер патента: EP2586129A1. Автор: Steven Young,Weiguang Lu,Brian C. Gaide,Eric E. Edwards,Joe Eddie Ii Leyba,Paul-Hugo Lemarche. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Method and System for the Modular Design and Layout of Integrated Circuits

Номер патента: US20150379182A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: ACTIVE-SEMI Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US20090230550A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2009-09-17.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US9141748B2. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US8225264B2. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2012-07-17.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US8122417B2. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US8122415B2. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method and system for the modular design and layout of integrated circuits

Номер патента: US8196079B2. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

System for clocking an integrated circuit

Номер патента: WO2013026040A8. Автор: Tim Sippel. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Measuring internal signals of an integrated circuit

Номер патента: WO2017139807A1. Автор: Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Kushal D. Murthy,Manish Parmar. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Method and apparatus for performing metalization in an integrated circuit process

Номер патента: US20080135974A1. Автор: Che Choi C. Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Solid state image pickup device and manufacturing method thereof and semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7427789B2. Автор: Masafumi Muramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-23.

Integrated circuit die package stiffeners of metal alloys having exceptionally high cte

Номер патента: US20220285288A1. Автор: John Harper,Malavarayan Sankarasubramanian,Patrick Nardi,Bamidele Daniel Falola,Valery Ouvarov-Bancalero,Ravi Siddappa,James Mertens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit packages and structures with sidewall wetting barrier for conductive pillars such as copper pillar bumps

Номер патента: WO2022182461A3. Автор: WEI Hu,Zhe Guan,Lily Zhao,Dongming He,Wen YIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-12-08.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Gate driver integrated circuit

Номер патента: US20200195248A1. Автор: Weicheng YANG,Xuhong YAO. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: US20190302051A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2019-10-03.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: EP3458851A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2019-03-27.

Packaging for integrated circuits

Номер патента: US10634642B2. Автор: Zahid Ansari. Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

Improvements in or relating to packaging for integrated circuits

Номер патента: WO2017199009A1. Автор: Zahid Ansari. Владелец: Dnae Group Holding Limited. Дата публикации: 2017-11-23.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: US20230299135A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: EP4421875A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240274664A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method and integrated circuit having a light path to a pixilated element

Номер патента: WO2009113004A2. Автор: Benoit Bataillou,Viet Nguyen Hoang,Radu Surdeanu. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-09-17.

Layout design of integrated circuit, especially datapath circuitry, using function cells formed with fixed basic cell and configurable interconnect networks

Номер патента: US6031982A. Автор: Ho D. Truong,DongWon Park,Hyungsuk Yang,Seokkyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-29.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: EP3893396A1. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-13.

Integrated circuits including standard cells and methods of manufacturing the integrated circuits

Номер патента: US20200050728A1. Автор: Jin-Tae Kim,Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Jin-young Lim,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Partial gate cut structures in an integrated circuit

Номер патента: EP4246564A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh MORARKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Hybrid three-dimensional integrated circuit reconfigurable thermal aware and dynamic power gating interconnect architecture

Номер патента: WO2017075464A1. Автор: Chunchen Liu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-04.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Methods for measuring a magnetic core layer profile in an integrated circuit

Номер патента: US20230026359A1. Автор: W.C. Chen,T.C. Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Anti-tamper bond wire shield for an integrated circuit

Номер патента: US5861662A. Автор: Brant Candelore. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

Method of wire bonding an integrated circuit to an ultraflexible substrate

Номер патента: US5708419A. Автор: Michael Holloway,Anthony F. Piccoli,Mark R. Isaacson. Владелец: Checkpoint Systems Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Attaching an integrated circuit to at least one electrical conductor on a flexible substrate and rfid tag comprising the substrate

Номер патента: NZ328217A. Автор: Michael Holloway,Anthony F Piccoli,Mark R Isaacson. Владелец: Checkpoint Systems Inc. Дата публикации: 1998-03-25.

Method of manufacture of an integrated circuit package

Номер патента: GB201001707D0. Автор: . Владелец: THALES HOLDINGS UK PLC. Дата публикации: 2010-03-17.

Real-time, in-situ reliability monitoring in an integrated circuit

Номер патента: US11774490B1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Electrostatic discharge protection device and integrated circuit using same

Номер патента: US20150049404A1. Автор: Chih-Nan Cheng,Ching-Jung Kuo. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Photonic integrated circuit packaging architecture

Номер патента: EP4327147A1. Автор: Xiaoqian Li,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Tarek A. Ibrahim,Ravindranath Vithal MAHAJAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for Integrated Circuit Manufacturing

Номер патента: US20170004242A1. Автор: Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng,Chien-Fu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit design

Номер патента: US20170076033A1. Автор: Robert John Harrison,Ramnath Bommu Sabbiah SWAMY. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Latch-up testing structure for integrated circuit

Номер патента: EP4067917A1. Автор: Qi'an Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Integrated circuit chip

Номер патента: US11749319B2. Автор: Ji Hwan Kim,Chang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Energy harvesting in integrated circuit packages

Номер патента: US20130134544A1. Автор: Henry L. Sanchez. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Resistor in an integrated circuit

Номер патента: US20090127658A1. Автор: Christine Anceau. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2009-05-21.

Automated system for extracting design and layout information from an integrated circuit

Номер патента: US5086477A. Автор: Kenneth K. Yu,C. Neil Berglund. Владелец: Northwest Technology Corp. Дата публикации: 1992-02-04.

Integrated circuit package in package system

Номер патента: US20110248411A1. Автор: Heap Hoe Kuan,Seng Guan Chow,Dioscoro A. Merilo,Tsz Yin HO,Antonio B. Dimaano, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Measuring Internal Signals of an Integrated Circuit

Номер патента: US20170234926A1. Автор: Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Kushal D. Murthy,Manish Parmar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Three-dimensional (3d) integrated circuit with passive elements formed by hybrid bonding

Номер патента: US20210398957A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method, system and computer program product for integrated circuit design

Номер патента: US20230401370A1. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Measuring Internal Signals of an Integrated Circuit

Номер патента: US20180038913A1. Автор: Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Manish Parmar,Kushal D MURTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Method and apparatus for the continuous generation of metal vapor

Номер патента: US4129835A. Автор: John W. Daiber,John W. Raymonda. Владелец: Calspan Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Ground connector in an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: US11821916B2. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath,Fadzhirul Ridhzwan Azry Bin SULAIMAN. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2023-11-21.

Board-to-board electrical connector with reinforced end portions

Номер патента: US11611169B2. Автор: Keisuke Nakamura. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Ultra-broadband interface for integrated circuits

Номер патента: WO2024165670A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Antenna assembly for integrated circuit package

Номер патента: US20220416428A1. Автор: Shuhei Yamada,Zhen Zhou,Tolga Acikalin,Kenneth Foust,Renzhi Liu,Jason Mix,Tae Young Yang,Johanny ESCOBAR PELAEZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated circuit for vehicle

Номер патента: US5283712A. Автор: Yuichi Itoh,Masaaki Shimizu,Osamu Michihira,Seiji Hirano,Nagahisa Fujita,Tomoji Izumi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 1994-02-01.

Integrated circuit arrangement supporting aggregated transducers

Номер патента: GB2621206A. Автор: Weber Daniel,Eklund Jon,Ian Bothwell Andrew,J Hatfield Robert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Radially shrinkable sleeve for enclosing a connection or a terminal of an electrical cable

Номер патента: CA2031262C. Автор: Juergen Friedrich,Raymond Krabs,Manfred Viebranz. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2001-07-03.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US20240214817A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-27.

Blockchain Foundry Built into Integrated Circuit

Номер патента: US20230412361A1. Автор: Ronald R. Marquardt,Lyle W. Paczkowski,Ivo Rook. Владелец: Sprint Communications Co LP. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit power rail multiplexing

Номер патента: WO2017019160A1. Автор: Ramaprasath Vilangudipitchai,Lipeng Cao,Dorav KUMAR,Divjyot Bhan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-02.

Method and apparatus for controlling a servo motor using a stepper motor controller integrated circuit

Номер патента: US5936371A. Автор: Mark Joseph Edwards,John Phillip Bolash. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: EP3170261A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: EP2968914A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: WO2014143206A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromdulation Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

Method, system and device providing enhanced quality factor resonant lc tank in an integrated circuits

Номер патента: US20210399684A1. Автор: Gireesh Rajendran. Владелец: Steradian Semiconductors Pvt Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: WO2016010808A1. Автор: James Karp. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Integrated circuit for energy harvesting with synchronization means

Номер патента: US20200321910A1. Автор: Julien DE VOS,Geoffroy GOSSET,Cédric HOCQUET. Владелец: E Peas SA. Дата публикации: 2020-10-08.

Programmable stream switches and functional safety circuits in integrated circuits

Номер патента: US20240195418A1. Автор: Karl Henrik Goran Bilski. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Reducing noise associated with local reference-potential fluctuations in mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20080094266A1. Автор: Arthur Lukoff. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: US20090167357A1. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Integrated circuit protections against removal and oracle-guided attacks

Номер патента: US12039091B2. Автор: Krishnendu Chakrabarty,Jonti TALUKDAR. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2024-07-16.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: WO2009088695A2. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030219946A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Voltage conversion and integrated circuits with stacked voltage domains

Номер патента: EP2419832A1. Автор: Brian L. Ji,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Reducing noise associated with local reference-potential fluctuations in mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US7391348B2. Автор: Arthur Lukoff. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-06-24.

Integrated circuit for controlling switchable current paths

Номер патента: US20240283237A1. Автор: Michael Robinson,Ross C. MORGAN,Neil WHYTE,Graham G. MACKAY. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Repairable io in an integrated circuit

Номер патента: WO2011109413A2. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Integrated circuit carrier socket

Номер патента: US20040061216A1. Автор: David Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method of attaching an integrated circuit assembly to a printed wiring board

Номер патента: US20070259480A1. Автор: Lance Sundstrom. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Method and apparatus for securing access to an integrated circuit

Номер патента: US20160149697A1. Автор: Jason Doege. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit physically unclonable function

Номер патента: US10103733B1. Автор: Ryan Helinski,Thomas M. Gurrieri,Lyndon G. Pierson,Jason R. Hamlet,Todd M. Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2018-10-16.

Device, system and method to deliver power with phase circuits of an integrated circuit die

Номер патента: US20230421040A1. Автор: Tamir Salus,Christopher SCHAEF,Shunjiang Xu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Using linked-lists to create feature rich finite-state machines in integrated circuits

Номер патента: US20180314221A1. Автор: Navdeep Singh Dhanjal,Shengbing Zhou. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US11956638B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-09.

Adaptive voltage adjustment based on temperature value in an integrated circuit

Номер патента: WO2014039527A1. Автор: Toshinari Takayanagi. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Fuse-trimmed tank circuit for an integrated voltage-controlled oscillator

Номер патента: EP1243068A1. Автор: Robert Cox,Gwilym Luff. Владелец: Micro Linear Corp. Дата публикации: 2002-09-25.

Integrated circuit for optimizing automated zoom in motion area of image

Номер патента: WO2024149733A1. Автор: Geoffroy GOSSET,Thomas HAINE,Loïc HENNETON. Владелец: E-Peas. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Circuit and method for an integrated level shifting latch

Номер патента: US20020024374A1. Автор: Kevin Ovens,Thomas Shinham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Integrated circuit with low power mode management

Номер патента: US20230238872A1. Автор: Kazunobu Shin,Raghavendra Santhanagopal,Rejitha Nair,Venkateswar Kowkutla,Charles Gerlach,John Apostol,Venkateswara Pothireddy,Siva Kothamasu,Rajagopal Kollengode Ananthanarayanan,Ravi Teja Reddy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

System and method for controlling at-speed testing of integrated circuits

Номер патента: EP4428551A1. Автор: Chandan GUPTA,Shikhar Makkar,Saumya Pandey. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-11.

System and method for controlling at-speed testing of integrated circuits

Номер патента: US20240295602A1. Автор: Chandan GUPTA,Shikhar Makkar,Saumya Pandey. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Resetting integrated circuits

Номер патента: US12088301B2. Автор: Leonid Minz,Yoav Weinberg,Leon Zlotnik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit socket

Номер патента: US4616895A. Автор: Tsutomu Yoshizaki,Toshimasa Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-10-14.

Parametric tuning of an intergrated circuit after fabrication

Номер патента: US6140856A. Автор: Sathyanandan Rajivan,Raoul B. Salem. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Layout technique for matched resistors on an integrated circuit substrate

Номер патента: US6958654B2. Автор: David A. Sobel. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Layout technique for matched resistors on an integrated circuit substrate

Номер патента: US7157973B2. Автор: David A. Sobel. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-01-02.

Global system interconnect for an integrated circuit

Номер патента: WO2024144853A1. Автор: Ahmad R. Ansari,John O'Dwyer. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Global system interconnect for an integrated circuit

Номер патента: US20240223513A1. Автор: Ahmad R. Ansari,John O'Dwyer. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: WO2016196572A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: EP3304005A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US20230251310A1. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Programmable chopping architecture to reduce offset in an analog front end

Номер патента: US20230055860A1. Автор: Rajiv Singh,Erhan Hancioglu,Eashwar Thiagarajan,Harold Kutz,Eric Mann,Vaibhav Ramamoorthy,Amsby Richardson, Jr.. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240120888A1. Автор: Takahiro Kitahara,Shintaro Matai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit and method for processing synchronized network frames using a hardware synchronization circuit

Номер патента: US20170366331A1. Автор: Hubertus Gerardus Hendrikus Vermeulen,Nicola Concer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-21.

Supply voltage control based at least in part on power state of integrated circuit

Номер патента: US20120299621A1. Автор: Son H. Lam,II Joseph T. DiBene,Henry W. Koertzen,Steven D. Patzer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Blockchain foundry built into integrated circuit

Номер патента: US11791983B1. Автор: Ronald R. Marquardt,Lyle W. Paczkowski,Ivo Rook. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit for energy harvesting with synchronization means

Номер патента: EP3500904A1. Автор: Julien DE VOS,Geoffroy GOSSET,Cédric HOCQUET. Владелец: E Peas SA. Дата публикации: 2019-06-26.

Integrated circuit layout extraction using parallelized tile image processing

Номер патента: US20230298159A1. Автор: Adam G. Kimura,Adam R. Waite,James E. Schaffranek. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated Circuit with Interpolation to Avoid Harmonic Interference

Номер патента: US20110022875A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated circuit with interpolation to avoid harmonic interference

Номер патента: US8266468B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Bioinformatics Systems, Apparatuses, and Methods Executed on an Integrated Circuit Processing Platform

Номер патента: US20240170102A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Device and method for automated output of an image motion area

Номер патента: EP4401418A1. Автор: Geoffroy GOSSET,Thomas HAINE,Loïc HENNETON. Владелец: E Peas. Дата публикации: 2024-07-17.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Circuit for the generation of a scanning clock in an operational analysis device of the serial type for an integrated circuit

Номер патента: USRE36123E. Автор: Flavio Scarra,Maurizio Gaibotti,Giampiero Trupia. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-02.

Power sequencing in an active silicon interposer

Номер патента: US20210036702A1. Автор: Shuai Jiang,Mikhail Popovich,Gregory Sizikov,Houle Gan,Chee Yee Chung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Distributing power to an integrated circuit

Номер патента: US20100244564A1. Автор: Mikael Rien,Fabrice Blanc,Nidhir Kumar. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit carrier and assembly

Номер патента: CA1206276A. Автор: David W. Currier. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1986-06-17.

Method for mounting an integrated circuit device onto a printed circuit board

Номер патента: US5915749A. Автор: Donald D. Baldwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Systems and methods for packaging an acoustic device in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US11855608B2. Автор: Chee Kong Lee,Huan En Ku,Joo Shan Yam. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuit for obtaining enhanced privileges for a network-based resource and performing actions in accordance therewith

Номер патента: EP4252132A1. Автор: Yotam Livny,Orr Srour. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit structures having off-axis in-hole capacitor and methods of forming

Номер патента: US20150195914A1. Автор: Janak G. Patel,Peter Slota, Jr.,David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Integrated Circuitry for Generating a Clock Signal in an Implantable Medical Device

Номер патента: US20140266375A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and apparatus for transmitting data in an integrated circuit

Номер патента: US20070147430A1. Автор: Brian Connolly,Todd Leonard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Method and apparatus for estimating resistance and capacitance of metal interconnects

Номер патента: EP2232282A1. Автор: Yang Du,David Bang,Jayakannan Jayapalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Erasing memory protection-configuration region only if protected region is in an erased state

Номер патента: GB2503583A. Автор: Lasse Olsen,Frank Berntsen,Ola Marvik,Joel David Stapleton. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2014-01-01.

An air-conditioner for use in an automobile

Номер патента: EP1308328A3. Автор: Sunao Hitachi Ltd. Intel.Prop.Group Funakoshi,Hidenori Hitachi Ltd. Intel.Prop.Gr. Yokoyama,Masao Hitachi Ltd. Intel.Prop.Group Imanari,Masatsugu Hitachi Ltd. Intel.Prop.Gr. Chikano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-19.

Method of electrochemical obtaining of metal boride powders (variants)

Номер патента: RU2661164C1. Автор: Виктор Алексеевич Костылев,Леопольд Игоревич Леонтьев,Вячеслав Львович Лисин,Софья Александровна Петрова,Александр Владимирович Вараксин. Владелец: Виктор Алексеевич Костылев. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for manufacture of cellular member of metal sheets having at least partially multilayer structure

Номер патента: RU2156657C2. Автор: Маус Вольфганг,Вирес Людвиг. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2000-09-27.

Process for forming layered structure of metal sheet and polyester

Номер патента: US5736086A. Автор: Richard L. McConnell,Allan S. Jones,James W. Mercer, Jr.. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 1998-04-07.

Polymer coating of metal alloy substrates

Номер патента: WO2020023050A1. Автор: Kuan-Ting Wu,Chi-Hao Chang,Ya-Ting Yeh. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-01-30.

Scribing method and dividing method wherein the scribing method forms a scribe line for easily and satisfactorily dividing an end portion from a substrate along a scribe line formed on a substrate

Номер патента: TW202120238A. Автор: 今出崇昭. Владелец: 日商三星鑽石工業股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-01.

Electrostatic coating of metal powder on metal strip

Номер патента: US3575138A. Автор: Lowell W Austin,James N Baker. Владелец: National Steel Corp. Дата публикации: 1971-04-20.

Apparatus and method for separating discs of metal from a stack of discs

Номер патента: EP2680988A1. Автор: William Woulds. Владелец: CROWN PACKAGING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2014-01-08.

METHOD FOR MANAGING PORTION OF ANIMATION DATA AND ITS ATTRIBUTIVE INFORMATION FOR USE IN AN INTERACTIVE DISK

Номер патента: RU2005125410A. Автор: Пюн Чин КИМ,Александр ЛИМОНОВ,Ву Сон ЮН,Чи Ен Ю,Александр ЛИМОНОВ (KR),Пюн Чин КИМ (KR),Ву Сон ЮН (KR),Чи Ен Ю (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк. (Kr). Дата публикации: 2006-06-27.

Production of metals from pulverulent materials by flash smelting in an electrically heated furnace

Номер патента: US3365185A. Автор: Elvander Hans Ivar,Sundstrom Erik Olof Albin. Владелец: Boliden Ab. Дата публикации: 1968-01-23.

Process for removal of metal ions from water

Номер патента: US5211852A. Автор: David M. Smith,Richard H. Van De Walle,Mark T. Wajer. Владелец: Martin Marietta Magnesia Specialties LLC. Дата публикации: 1993-05-18.

Watertight joint for use with male thread sectioning of pipe, has section that covers lateral surfaces and inner peripheral surface of metallic ring, and protruding sections formed in inner periphery of covering section

Номер патента: FR2860056A1. Автор: Akira Kuribayashi. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2005-03-25.

Arc welding of metal component onto matrix with brazed zone containing copper and phosphorus using intermediate layer of copper-tin alloy, for production of heat exchangers

Номер патента: FR2843059A1. Автор: Marc Wagner,Christian Bonnet,Jean Marie Fortain. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2004-02-06.

Apparatus for thermally treating a layer of material

Номер патента: US4358993A. Автор: Rolf Lehmann,Werner Spillmann, deceased,heir by Emilie Spillmann,heir by Irene Scheffre nee Spillmann,heir by Rolf Spillmann. Владелец: Escher Wyss AG. Дата публикации: 1982-11-16.

System and method for providing an automated response to a user in an interactive messaging environment

Номер патента: WO2020136680A1. Автор: Ankush SABHARWAL. Владелец: Sabharwal Ankush. Дата публикации: 2020-07-02.

System and method for providing an automated response to a user in an interactive messaging environment

Номер патента: GB2594025A. Автор: Sabharwal Ankush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-13.

Apparatus and method for casting a stucco slurry layer of defined width onto a liner for production of gypsum plasterboards

Номер патента: US11919197B2. Автор: Alexander Hartmann,Stergios KARAKOUSSIS,Georgi PARASKOV. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-03-05.

Apparatus and method for casting a stucco slurry layer of defined width onto a liner for production of gypsum plasterboards

Номер патента: CA3116743A1. Автор: Alexander Hartmann,Stergios KARAKOUSSIS,Georgi PARASKOV. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2020-06-25.

Defect detection system for cavity in integrated circuit

Номер патента: US20240280632A1. Автор: Zhuojie Wu,Yunyao JIANG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

In line test circuit and method for determining interconnnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100297793A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A3. Автор: Andrew Marshall,Makarand R Kulkarni. Владелец: Makarand R Kulkarni. Дата публикации: 2008-07-24.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A2. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit (IC) having IC floorplan silhouette-like power supply net, and sea of supply (SoS) electronic design automation (EDA) tool for designing same

Номер патента: US7346884B1. Автор: Anatoli Shindler,Yuri Miroshnik,Svetlana Yurin. Владелец: Silicon Design Systems Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Provisioning a reference voltage based on an evaluation of a pseudo-precision resistor of an IC die

Номер патента: US12066959B2. Автор: Mingming Xu,Dror Lazar,Vijayalakshmi Ramachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Voltage control of integrated circuits

Номер патента: US20010049588A1. Автор: Andrew Van Brocklin,James Bausch,Chadwick Stryker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Voltage control of integrated circuits

Номер патента: US20020029121A1. Автор: James Bausch,Andrew Brocklin,Chadwick Stryker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Integrated circuit design method applied to a plurality of library cells and integrated circuit design system thereof

Номер патента: US8046728B2. Автор: Chien-Cheng Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated circuit automatic test system and integrated circuit automatic test method storing test data in scan chains

Номер патента: US20180038911A1. Автор: Kuen-Jong Lee,Ping-Hao Tang. Владелец: Natioanl Cheng Kung University. Дата публикации: 2018-02-08.

Integrated circuit design method applied to a plurality of library cells and integrated circuit design system thereof

Номер патента: US20090249274A1. Автор: Chien-Cheng Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Exhaustive diagnosis of bridging defects in an integrated circuit

Номер патента: EP2035979A2. Автор: Douglas C. HEABERLIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Exhaustive diagnosis of bridging defects in an integrated circuit

Номер патента: WO2007147000A3. Автор: Douglas C Heaberlin. Владелец: Douglas C Heaberlin. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory systems having controllers embedded in packages of integrated circuit memory

Номер патента: EP4400979A2. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Gurpreet Anand,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Memory systems having controllers embedded in packages of integrated circuit memory

Номер патента: EP4400979A3. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Gurpreet Anand,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Activity smoothener circuit controlling rates of change of localized processing activity in an integrated circuit (ic), and related methods

Номер патента: US20240310891A1. Автор: Xiaoling Xu,Derek E. Gladding,Smitha L. Rapaka. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for Generating Placement and Routing for an Integrated Circuit (IC)

Номер патента: US20240232497A1. Автор: Thierry BESSON,Pierre-Emmanuel Gaillardon. Владелец: Rapidsilicon Us Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: US20190139592A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: EP2926342A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

Integrated circuit current transducer

Номер патента: EP4375678A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: LEM INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-05-29.

Interconnect delay driven placement and routing of an integrated circuit design

Номер патента: WO2000062207A1. Автор: So-Zen Yao,C. K. Cheng. Владелец: MENTOR GRAPHICS CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-19.

Interconnect delay driven placement and routing of an integrated circuit design

Номер патента: EP1173817A1. Автор: So-Zen Yao,C. K. Cheng. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2002-01-23.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: EP4070198A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: WO2021110529A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: ULTRASOC TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of testing an integrated circuit and an integrated circuit test apparatus

Номер патента: US20050099202A1. Автор: Theodore Houston,Bryan Sheffield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Integrated circuit tester probe contact liner

Номер патента: US20200209308A1. Автор: Charles L. Arvin,Brian M. ERWIN,David M. Audette,Grant Wagner,Dennis R. Conti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and apparatus for making an integrated circuit using polarization properties of light

Номер патента: US20020068227A1. Автор: Ruoping Wang,Warren Grobman,James Clingan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Detecting a defect of an integrated circuit

Номер патента: US20030206293A1. Автор: Daniel Corum,Taylor Lowry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: WO2022093412A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: EP4232936A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method and end cell library for avoiding substrate noise in an integrated circuit

Номер патента: US20070157145A1. Автор: XIANG Song,Chih-Ju Hung,Kai Lai,Hsiao-Hui Wu,Fredrick Jen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Identifying and mitigating electromigration failures in signal nets of an integrated circuit chip design

Номер патента: US20150205906A1. Автор: Brian Worth,Jason Chung,Paul S. Zuchowski,Leon J. Sigal,Amol A. Joshi,William J. Livingstone,John E. Barwin, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

An interconnect-aware methodology for integrated circuit design

Номер патента: WO2003075189A2. Автор: Amir Alon,David Goren,Michael Zelikson,Rachel Gordin,Betty Livshitz,Anatoly Sherman. Владелец: Ibm (Schweiz). Дата публикации: 2003-09-12.

System and method for measuring fault coverage in an integrated circuit

Номер патента: US20040000922A1. Автор: Jeffrey Witte. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-01.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Functional circuit block harvesting in integrated circuits

Номер патента: US12061855B2. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: WO2012009294A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: ALGOTOCHIP CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-19.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: US20120017196A1. Автор: Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala,Plus Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Connection method of metal linear element and connection device of metal linear element

Номер патента: US20090205741A1. Автор: Kenichi Okamoto,Hitoshi Wakahara,Masayoshi Nishida,Yuichi Sano. Владелец: Sumitomo Electric Tochigi Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Integrated circuit, testing system, and operating method thereof

Номер патента: US20240219458A1. Автор: Cheng Jun Yeh,Yi-Te Chen,Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit workload, temperature, and/or sub-threshold leakage sensor

Номер патента: US12092684B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit (IC) having IC floorplan silhouette-like power supply net, and sea of supply (SoS) electronic design automation (EDA) tool for designing same

Номер патента: US20080178138A1. Автор: Anatoli Shindler,Yuri Miroshnik,Svetlana Yurin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Integrated circuit (IC) having IC floorplan silhouette-like power supply net, and sea of supply (SoS) electronic design automation (EDA) tool for designing same

Номер патента: US20040199893A1. Автор: Anatoli Shindler,Yuri Miroshnik,Svetlana Yurin. Владелец: Silicon Design Systems Ltd. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuit (ic) module, multi-interface ic card, and methods of forming same

Номер патента: WO2024131394A1. Автор: Lan DENG,Shek Tong LAM. Владелец: Act Identity Technology Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for n-variant integrated circuit (ic) design, and ic having n-variant circuits implemented therein

Номер патента: US20100318945A1. Автор: Farinaz Koushanfar. Владелец: Technology Currents LLC. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated circuit

Номер патента: US7203883B2. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel von Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

Integrated circuit design vertfication

Номер патента: US20230186004A1. Автор: Jiahua Zhu. Владелец: Xepic Corp Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method and System for Defect Prediction of Integrated Circuits

Номер патента: US20180218096A1. Автор: Jie Lin,Zhaoli Zhang,Zongchang Yu. Владелец: Dongfang Jingyuan Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Zero-pin test solution for integrated circuits

Номер патента: US11041904B2. Автор: Tapan Jyoti Chakraborty,Umesh Srikantiah,Rachana ROUT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Integrated circuit card and corresponding programming process

Номер патента: US8550363B2. Автор: Giovanni Fontana,Giovanni Di Sirio. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-10-08.

Optimizing an integrated circuit (ic) design comprising at least one wide-gate or wide-bus

Номер патента: US20180107777A1. Автор: Jovanka Ciric Vujkovic,Eyal Odiz,Janet L. Olson,Van E. Morgan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US9910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Skewed placement grid for very large scale integrated circuits

Номер патента: US8341585B2. Автор: Robert P. Masleid. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10366191B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10242140B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10417366B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10235487B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Integrated circuit with transition control circuitry for limiting scan test signal transitions during scan testing

Номер патента: US20130067290A1. Автор: Ramesh C. Tekumalla,Prakash Krishnamoorthy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Unifying multiple audio bus interfaces in an audio system

Номер патента: US20240296009A1. Автор: Syed Naseef,David Belz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Skewed placement grid for very large scale integrated circuits

Номер патента: US20120200347A1. Автор: Robert P. Masleid. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Unifying multiple audio bus interfaces in an audio system

Номер патента: WO2024186399A1. Автор: Syed Naseef,David Belz. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for testing an integrated circuit in an oven during burn-in

Номер патента: US5966021A. Автор: Victor M. Eliashberg,Kombupalayam M. Prakash. Владелец: Pycon Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Integrated circuit design method, system and computer program product

Номер патента: US20230376660A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Interconnect flow graph for integrated circuit design

Номер патента: US11768990B1. Автор: Guy Nakibly,Uri Leder,Ori Ariel,Max Chvalevsky,Benzi Denkberg. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Resource estimation for implementing circuit designs within an integrated circuit

Номер патента: US20230144285A1. Автор: Jaipal Reddy Nareddy,Adithya Balaji Boda,Suman Kumar Timmireddy,Rahul Kunwar. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Securing a driving element in an instrument interface of a robotic surgical instrument

Номер патента: WO2024069141A4. Автор: Benjamin DUDGEON. Владелец: CMR SURGICAL LIMITED. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method and apparatus synchronizing integrated circuit clocks

Номер патента: US8443225B2. Автор: Warren Fritz Kruger,Xiaoling Xu,Shadi Barakat,Aaron Nygren,Ming-Ju Edward Lee,Toan Duc Pham,Michael Litt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A2. Автор: C. Trevor Bowen. Владелец: ADTRAN, INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated circuit chip testing interface with reduced signal wires

Номер патента: US20230366929A1. Автор: Amitava Majumdar,Albert Shih-Huai Lin,Niravkumar Patel,Jane Wang SOWARDS. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit (ic) chip test socket assemblies with spring probes that scrub ic package electrical contact pads

Номер патента: WO2024073421A3. Автор: Jiachun Zhou,Zhixia ZHU. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit (ic) chip test socket assemblies with spring probes that scrub ic package electrical contact pads

Номер патента: WO2024073421A2. Автор: Jiachun Zhou,Zhixia ZHU. Владелец: SMITHS INTERCONNECT AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Electronic apparatus and layout method for integrated circuit

Номер патента: US20200125692A1. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Connecting random variables to coverage targets using an ensemble of static analysis, dynamic analysis and machine learning and guided constraint solving of the random variables during simulation of an integrated circuit

Номер патента: US11983474B1. Автор: Jiang Chen,YING Chen,Parijat Biswas,Badri Gopalan,Enzhi Ni,Danish Jawed. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit that mitigates inductive-induced voltage droop

Номер патента: US20240085965A1. Автор: Gregory Frederick Grohoski,Darshan Gandhi,Raghu Prabhakar,Manish K. Shah,Youngmoon Choi,Jinuk Shin. Владелец: SambaNova Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and apparatus synchronizing integrated circuit clocks

Номер патента: US20120303995A1. Автор: Warren Fritz Kruger,Xiaoling Xu,Shadi Barakat,Aaron Nygren,Ming-Ju Edward Lee,Toan Duc Pham,Michael Litt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A3. Автор: C Trevor Bowen. Владелец: C Trevor Bowen. Дата публикации: 2008-09-04.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20020135391A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Integrated circuit testing device with dual purpose analog and digital channels

Номер патента: WO2000058741A1. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-10-05.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit including constant-0 flip flops reconfigured to provide observable and controllable test points

Номер патента: US20240248136A1. Автор: Paul Policke,Shwetha SHIVASHANKAR MURTHY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit configurable to perform adaptive thermal ceiling control in per-functional-block manner, associated main circuit, associated electronic device and associated thermal control method

Номер патента: US20230185280A1. Автор: Tai-Yu Chen,Yu-Chia Chang,Bo-Jiun Yang,Jia-Wei Fang,Chih-Fu Tsai,Ta-Chang Liao,Yen-Hwei Hsieh,Shun-Yao Yang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit design method, system and computer program product

Номер патента: US12093625B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Battery circuit for an integrated circuit (IC) memory card

Номер патента: US5058075A. Автор: Masaharu Mizuta. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Provisioning a reference voltage based on an evaluation of a pseudo-precision resistor of an ic die

Номер патента: US20230367725A1. Автор: Mingming Xu,Dror Lazar,Vijayalakshmi Ramachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method, apparatus and system for configuring a protocol stack of an integrated circuit chip

Номер патента: US20150269108A1. Автор: Robert J. Hayes,Avinash N. Ananthakrishnan,Brent R. Boswell,Bryan L. Spry,Marcus W. Song,Aimee D. Wood,Deepak M. Rangaraj,Adam E. Letendre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

System and method for verification and validation of integrated circuit

Номер патента: US20240169512A1. Автор: Adam KIMURA,Adam R. Waite,Vince A. McKinsey. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Integrated circuit design verification with module swapping

Номер патента: WO2023158530A1. Автор: Adam Moshe IZRAELEVITZ,Albert Pengju CHEN. Владелец: SiFive, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Mapping variations in local temperature and local power supply voltage that are present during operation of an integrated circuit

Номер патента: US20050258838A1. Автор: Arun Krishnamoorthy,Abram DETOFSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit chip with repeater flops and method for automated design of same

Номер патента: WO2008021489A3. Автор: Bharat Patel,Stuart A Taylor,Victor Ma. Владелец: Victor Ma. Дата публикации: 2008-05-29.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Enabling testing of an integrated circuit at a single temperature

Номер патента: US20180017615A1. Автор: Alejandro G. Milesi,Kristann L. Moody,Sam Tran. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Integrated circuit tester probe contact liner

Номер патента: US20190353702A1. Автор: Charles L. Arvin,Brian M. ERWIN,David M. Audette,Grant Wagner,Dennis R. Conti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Synthesis and Verification of an Integrated Circuit (IC)

Номер патента: US20240220690A1. Автор: Thierry BESSON. Владелец: Rapidsilicon Us Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-cycle power analysis of integrated circuit designs

Номер патента: US12093620B1. Автор: Solaiman Rahim,George Guangqiu Chen. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit marginality validation test for an integrated circuit

Номер патента: US9229720B2. Автор: Antonio Castro,Mohammad Al-Aqrabawi,Brad A. Kelly,Rehan Sheikh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Testing of integrated circuit devices on loaded printed circuit

Номер патента: US5289117A. Автор: Mark A. Swart,Charles J. Johnston,David R. Van Loan. Владелец: Everett Charles Technologies Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Method and system for characterizing interconnect data within an integrated circuit for facilitating parasitic capacitance estimation

Номер патента: US5831870A. Автор: Sharad Mehrotra,Paul Gerard Villarrubia,Alan Charles Folta,Parsotam Trikam Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Integrated circuit with test signal buses and test control circuits

Номер патента: US5541935A. Автор: Kent B. Waterson. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Activity smoothener circuit controlling rates of change of localized processing activity in an integrated circuit (ic), and related methods

Номер патента: EP4298514A1. Автор: Xiaoling Xu,Derek E. Gladding,Smitha L. Rapaka. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Power profiling in an integrated circuit having a current sensing circuit

Номер патента: US11808804B2. Автор: Felipe Ricardo Clayton,Antonio Mauricio Brochi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Activity smoothener circuit controlling rates of change of localized processing activity in an integrated circuit (IC), and related methods

Номер патента: US11960338B2. Автор: Xiaoling Xu,Derek E. Gladding,Smitha L. Rapaka. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Activity smoothener circuit controlling rates of change of localized processing activity in an integrated circuit (ic), and related methods

Номер патента: WO2022182455A1. Автор: Xiaoling Xu,Derek E. Gladding,Smitha L. Rapaka. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated circuit chip to selectively provide tag array functionality or cache array functionality

Номер патента: US20240202120A1. Автор: Julius Mandelblat,Israel Diamand. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20210224193A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Identification and implementation of clock gating in the design of integrated circuits

Номер патента: US20050028118A1. Автор: Joy Banerjee,Bhanu Kapoor,Sanjay Churiwala. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit for air bag system

Номер патента: US20040084882A1. Автор: Shingo Oda,Mitsuyasu Okamoto. Владелец: Daicel Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US7636905B2. Автор: Craig Marshall Darsow,Todd Edward Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Method and device for monitoring an integrated circuit

Номер патента: US20050102435A1. Автор: Chao-Lung Tsai,Hui-Hsiang Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20180150398A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit design with non-preferred direction curvilinear wiring

Номер патента: US20230274069A1. Автор: Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Generating routes for an integrated circuit design with non-preferred direction curvilinear wiring

Номер патента: US20230274070A1. Автор: Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Generating routes for an integrated circuit design with non-preferred direction curvilinear wiring

Номер патента: US20230274071A1. Автор: Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit chip and method for testing an integrated circuit chip

Номер патента: US20080238468A1. Автор: Marc Walter,Thomas Vogelsang,Andre Sturm. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Integrated circuit and method for buffering to optimize burst length in networks on chips

Номер патента: WO2005111823A1. Автор: Andrei Radulescu,Kees G. W. Goossens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20200065248A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US10977178B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method and apparatus for providing non-compute unit power control in integrated circuits

Номер патента: US12056535B2. Автор: Indrani Paul,Sonu Arora,Leonardo de Paula Rosa Piga,Mahesh Subramony,Adam N C Clark,Donald Cherepacha. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-08-06.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Controlling an analog signal in an integrated circuit

Номер патента: US20090195258A1. Автор: Andreas Jakobs. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-08-06.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Integrated circuit testing interface on automatic test equipment

Номер патента: US9435863B2. Автор: Chun-Chi Chen,Hung-Wei Lai,Tsung-Jun Lee. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Integrated circuit designing device, integrated circuit designing method, and integrated circuit designing program

Номер патента: US20080184179A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Iterative synthesis of an integrated circuit design for attaining power closure while maintaining existing design constraints

Номер патента: US20080307383A1. Автор: Manikandan Viswanath,John J. Reilly,Paul D. Kartschoke,Steven E. Charlebois. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits

Номер патента: US20020060577A1. Автор: Malcolm Smith,John Carelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Architecture and Testing for an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20230341463A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Mahesh K. Kumashikar,Kalyana Ravindra Kantipudi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Data check by using validation in an enclave

Номер патента: RU2666273C2. Автор: Нед СМИТ,Эстебан ГУТИЕРЕС,Эндрю ВУДРАФФ,Адитя КАПУР. Владелец: Макафи, Инк.. Дата публикации: 2018-09-06.

An apparatus for and method of interfacing between integrated circuits having differing voltage tolerances

Номер патента: GB2371691A. Автор: Mark D Montierth,Richard D Taylor. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Techniques for electromigration stress determination in interconnects of an integrated circuit

Номер патента: US8793632B2. Автор: Mehul D. Shroff,Ertugrul Demircan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-07-29.

An integrated circuit including a programmable logic analyzer with enhanced analyzing and debugging capabilities and a method therefor

Номер патента: CA2807125C. Автор: James Ray Bailey. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit with blocking pin to coordinate entry into test mode

Номер патента: US7657805B2. Автор: Kevin D. Woodling,Robert F. Molyneaux,Thomas Alan Ziaja. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2010-02-02.

Protection of data in memory of an integrated circuit using a secret token

Номер патента: US20210103528A1. Автор: Blake D. Pelton,Haohai Yu,Chirag Varde. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Protection of data in memory of an integrated circuit using a secret token

Номер патента: EP4038509A1. Автор: Blake D. Pelton,Haohai Yu,Chirag Varde. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-08-10.

Initial operational mode for integrated circuit

Номер патента: US20160231806A1. Автор: Jing Cui,Shayan Zhang,Wen Gu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-11.

Integrated circuit test socket with integrated device picking mechanism

Номер патента: US20230417796A1. Автор: Shailesh R. Nayak,Joe Paul Moolanmoozha,Yalaj Goyal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-die transistor characterization in an ic

Номер патента: EP3201639A1. Автор: Nui Chong,Ping-Chin Yeh,Daniel Y. Chung,John K. Jennings,Rhesa NATHANAEL,Cheng-Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-08-09.

System for testing real and simulated versions of an integrated circuit

Номер патента: EP1151311A1. Автор: Gary J. Lesmeister,John Matthew Long. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-07.

Test system for integrated circuits with serdes ports

Номер патента: WO2005083622A1. Автор: Gordon Edward Chenoweth,Marc P. Loranger,Steven Robert Payne,James Kaylor Larson,Patricia Renee Justice. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2005-09-09.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US20170101075A1. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-13.

Detecting anomalous latent communications in an integrated circuit chip

Номер патента: US11983087B2. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory systems having controllers embedded in packages of integrated circuit memory

Номер патента: EP3750046A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Gurpreet Anand,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Software defined subsystem creation for heterogeneous integrated circuits

Номер патента: US20210150072A1. Автор: Gangadhar Budde,Siddharth Rele,Shreegopal S. Agrawal,Subhojit Deb. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Integrated circuits (ic) employing subsystem shared cache memory for facilitating extension of low-power island (lpi) memory and related methods

Номер патента: EP4377765A1. Автор: Girish Bhat,Vipul Gandhi,George PATSILARAS,Subbarao Palacharla,Jeffrey Shabel,Isaac BERK,Kedar Bhole,Sparsh SINGHAI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: EP3317440A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2018-05-09.

Method for surface treatment of metal pipes

Номер патента: US7244471B2. Автор: Takahiro Takano,Mituo Watanabe. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2007-07-17.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Apparatus and method for demounting and mounting an integrated circuit

Номер патента: US20060005378A1. Автор: Yeh Chan. Владелец: Arima Display Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

High speed functional test vectors in low power test conditions of a digital integrated circuit

Номер патента: US20170091059A1. Автор: Ali Vahidsafa. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit

Номер патента: EP4027346A1. Автор: Weibing SHANG,Fengqin Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-13.

An integrated circuit including a programmable logic analyzer with enhanced analyzing and debugging capabilities and a method therefor

Номер патента: WO2011022480A1. Автор: James Alan Ward,James Ray Bailey. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2011-02-24.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Technology migration for integrated circuits with radical design restrictions

Номер патента: US20060101357A1. Автор: Xin Yuan,Robert Allen,Robert Walker,Fook-Luen Heng,Jason Hibbeler,Kevin McCullen,Rani Narayan,Cam Endicott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Interweaved integrated circuit interconnects

Номер патента: US20020112220A1. Автор: Brian Miller. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit and a method for recovering from a low-power period

Номер патента: US20100019836A1. Автор: Sergey Sofer,Avi Elazary,Moshe Lavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated Circuit, Memory Cell Array, Memory Module, and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090273966A1. Автор: Rainer Leuschner,Ulrich Klostermann,Dietmar Gogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

System for providing large rc time constants in integrated circuits

Номер патента: US20100052734A1. Автор: Zhihao Lao,Llchong Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Dynamic scan chain reconfiguration in an integrated circuit

Номер патента: US10317464B2. Автор: Partho Tapan Chaudhuri. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Apparatus and methods for optimization of integrated circuits

Номер патента: US9600622B2. Автор: Ryan Fung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit degradation estimation and time-of-failure prediction using workload and margin sensing

Номер патента: WO2023084529A1. Автор: Eyal Fayneh,Edi Shmueli,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER,Alexander Burlak. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Integrated circuit workload, temperature, and/or sub-threshold leakage sensor

Номер патента: US20230341460A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Identifying causes of anomalies observed in an integrated circuit chip

Номер патента: US11816016B2. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US20210110095A1. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Optimization of integrated circuits for a reticle transmission process window using multiple fill cells

Номер патента: US20150363532A1. Автор: Pavan Bashaboina,Osamu S. Nakagawa. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Circuit for monitoring metal degradation on integrated circuit

Номер патента: US20160216318A1. Автор: John M. Pigott,Qilin Zhang,Chuanzheng Wang,Zhichen Zhang,Michael J. Zunino. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-28.

Scan test control decoder with storage elements for use within integrated circuit (IC) devices having limited test interface

Номер патента: US11747399B2. Автор: Mudasir Shafat Kawoosa,Vishal Diwan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: EP2593864A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: Algotochip Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

System, apparatus and method for identifying functionality of integrated circuit via clock signal superpositioning

Номер патента: US20230133848A1. Автор: Eugenio Carey. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

System and method to customize bond programs compensating integrated circuit bonder variability

Номер патента: US20010044660A1. Автор: Sreenivasan Koduri,David Bon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-11-22.

Functional Circuit Block Harvesting in Integrated Circuits

Номер патента: US20240104280A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Identifying causes of anomalies observed in an integrated circuit chip

Номер патента: EP4070194A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Identifying causes of anomalies observed in an integrated circuit chip

Номер патента: WO2021110530A1. Автор: Marcin Hlond,Gajinder Panesar. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Integrated circuit applicable to performing system protection through dynamic voltage change

Номер патента: US20220222385A1. Автор: Chang-Hsien Tai,Chia-Chu Cho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

In-die transistor characterization in an ic

Номер патента: US20160097805A1. Автор: Nui Chong,Ping-Chin Yeh,Cheang-Whang CHANG,Daniel Y. Chung,John K. Jennings,Rhesa NATHANAEL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Analysis of Events in an Integrated Circuit Using Cause Tree and Buffer

Номер патента: US20240152438A1. Автор: Liron Mula,Alon Singer,Ziv Battat. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Analysis of events in an integrated circuit using cause tree and buffer

Номер патента: US11966310B1. Автор: Liron Mula,Alon Singer,Ziv Battat. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

System, apparatus and method for identifying functionality of integrated circuit via clock signal superpositioning

Номер патента: US11982710B2. Автор: Eugenio Carey. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit design method, system and computer program product

Номер патента: US20210182467A1. Автор: Jui-Feng Kuan,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Scan test control decoder with storage elements for use within integrated circuit (IC) devices having limited test interface

Номер патента: US11402432B2. Автор: Mudasir Shafat Kawoosa,Vishal Diwan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Integrated circuit device with multiple direct memory access (DMA) data paths

Номер патента: US11907145B2. Автор: Charles Lance FUOCO,Samuel Paul Visalli,Brian Jason Karguth,Michael Anthony DENIO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Scan test control decoder with storage elements for use within integrated circuit (ic) devices having limited test interface

Номер патента: US20210041497A1. Автор: Mudasir Shafat Kawoosa,Vishal Diwan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method and apparatus for estimating aging of integrated circuit

Номер патента: US11972185B2. Автор: Ken Machida,Uihui KWON,Yonghee PARK,Udit MONGA,Jaehee Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Functional circuit block harvesting in integrated circuit

Номер патента: WO2024064263A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-destructive verification of integrated circuits

Номер патента: US20230377127A1. Автор: Jeffrey A. Simon,Thomas F. Kent,Adam G. Kimura,Anthony F. George,Katie T. Liszewski,Brian P. Dupaix. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Enhancing speed of simulation of an ic design while testing scan circuitry

Номер патента: US20090106612A1. Автор: Manish Jain,Yogesh Pandey,Vijay Anand Sankar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Device for measuring integrated circuit current and method of measuring integrated circuit current using the device

Номер патента: US20140222360A1. Автор: Sang-Ho Lee,Sang-Ho LIM,Jeong-nam CHEON,Chea-Ok KO,Jong-Wan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Method and device for detecting a malicious circuit on an integrated circuit

Номер патента: US20190318083A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-17.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240134269A1. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Enhanced mask pattern-aware heuristics for optical proximity corrections for integrated circuits

Номер патента: US20240231217A9. Автор: Talha KHAN,Seongtae Jeong,Anjan RAGHUNATHAN,Timothy C. Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Software defined subsystem creation for heterogeneous integrated circuits

Номер патента: WO2021096710A1. Автор: Gangadhar Budde,Siddharth Rele,Shreegopal S. Agrawal,Subhojit Deb. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Improvements relating to Apparatus for the Electro-deposition of Metals.

Номер патента: GB190727385A. Автор: Sherard Osborn Cowper-Coles. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-05-14.

Production of metals from pulverulent materials by flash smelting in an electrically heated furnace

Номер патента: CA755014A. Автор: O. A. Sundstrom Erik,I. Elvander Hans. Владелец: Boliden Ab. Дата публикации: 1967-03-21.

Integrated circuit (ic) package with an improved power or ground plane structure

Номер патента: MY165688A. Автор: Teik Tiong Toong,Chong Poh Lim. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-20.

Method for determination of heat-transfer resistance for digital integrated circuits

Номер патента: RU2490657C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Владимир Александрович Ламзин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-08-20.

Front panel with an integrated upper window for a vehicle canopy

Номер патента: CA194197S. Автор: . Владелец: Rock Solid Industries International Pty Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.