Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions

Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions

Номер патента: TW200940706A
Опубликовано: 01-10-2009
Автор(ы): Wai Mun Lee
Принадлежит: EKC Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11822250B2. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200301283A1. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Precursor composition, photosensitive resin composition, method of producing precursor composition, cured film, method of manufacturing cured film and semiconductor device

Номер патента: KR20180012308A. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,유 이와이,이치로 코야마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-02-05.

Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same

Номер патента: US20210181636A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Photomask for forming small contact hole array and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20060110684A1. Автор: In-sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Cleaning liquid for semiconductor device and method of cleaning substrate for semiconductor devices

Номер патента: TWI585198B. Автор: 原田憲,伊藤篤史,鈴木敏之. Владелец: 三菱化學股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Cleaning liquid for semiconductor device and method of cleaning substrate for semiconductor devices

Номер патента: TW201343904A. Автор: Toshiyuki Suzuki,Atsushi Ito,Ken Harada. Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2013-11-01.

Method of forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: TW201140651A. Автор: Chong-Kwang Chang,Young-Mook Oh,Seo-Woo Nam,Myung-Joo Lee,Woo-Cheol Jeon,Ju-Beom Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of cleaning in a semiconductor device

Номер патента: KR100474856B1. Автор: 우선웅. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-08.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210043722A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

PHOTORESIST COMPOSITIONS, INTERMEDIATE PRODUCTS, AND METHODS OF MANUFACTURING PATTERNED DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190179227A1. Автор: Park Jin,Han Jin-Kyu,KIM Hyun-woo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for preparing electrode for semiconductor device

Номер патента: US5290664A. Автор: Nobuyuki Matsumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

PHOTORESIST COMPOSITIONS, INTERMEDIATE PRODUCTS, AND METHODS OF MANUFACTURING PATTERNED DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170168389A1. Автор: Park Jin,Han Jin-Kyu,KIM Hyun-woo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

P-type oxide, producing p-type oxide composition, method of producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image reproducing apparatus and system

Номер патента: RU2556102C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Микико ТАКАДА. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-07-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: US09382641B2. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11995391B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190386023A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Overlay key, method of forming the overlay key, semiconductor device including the overlay key and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070063317A1. Автор: Dae-Joung Kim,Dae-Youp Lee,Ji-Yong You,Chun-Suk Suh,Do-yul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

MATERIAL LAYERS, SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF FABRICATING MATERIAL LAYERS AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170133219A1. Автор: Koo Bon-Young,Park Ki-yeon,Lee Tae-Jong,TAK Yong-Suk,Kim Jin-Bum,PARK Gi-gwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Method of manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: DE102017201744B4. Автор: Takashi Kanazawa,Kenichi Hamano,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device, and method of inspecting and evaluating semiconductor substrate

Номер патента: EP0468213A2. Автор: Hachiro Hiratsuka,Moriya Miyashita,Shuichi Samata,Atsuko Kubota,Masanori Numano,Hiroyki Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-01-29.

Semiconductor device, liquid crystal display device, EL display device, and manufacturing methods of semiconductor thin film and semiconductor device

Номер патента: TW515103B. Автор: Makoto Yamamoto,Yoshinao Taketomi,Hikaru Nishitani. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-21.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN105981140B. Автор: 赤江尚德,高木康祐,森田慎也,山崎惠信. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-08-31.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN106449469B. Автор: 西堂周平,谷山智志,吉田秀成,中田高行,山口天和. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-07-02.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09646923B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20040192014A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090253251A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of manufacturing at least one semiconductor device on or in a base semiconductor material disposed in a containment structure including a buried layer

Номер патента: US11710632B2. Автор: Chia-Wei Liu,Hung-Chih Yu,Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a reverse blocking semiconductor device

Номер патента: US09679892B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of forming a through-silicon via utilizing a metal contact pad in a back-end-of-line wiring level to fill the through-silicon via

Номер патента: US20140342552A1. Автор: Mukta G. Farooq,Troy L. Graves-Abe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming a through-silicon via utilizing a metal contact pad in a back-end-of-line wiring level to fill the through-silicon via

Номер патента: US20140227870A1. Автор: Mukta G. Farooq,Troy L. Graves-Abe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor electrode and semiconductor device provided with electrodes manufactured by the method

Номер патента: US20040033683A1. Автор: Kenji Tanaka,Hirofumi Koike,Kazuya Suzuki,Kouichi Asai,Kazutoshi Sakai,Shunji Yoshikane. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Chip-on-lead semiconductor device, and corresponding method of manufacturing chip-on-lead semiconductor devices

Номер патента: US11887959B2. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-30.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855070B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096865A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3102084A. Автор: Thomas J Manns. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-08-27.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20180211922A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Silica film forming material, silica film and method of manufacturing the same, multilayer wiring structure and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100155121A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Ei Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Silica film forming material, silica film and method of manufacturing the same, multilayer wiring structure and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070026689A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Ei Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN105274497B. Автор: 山本哲夫,佐佐木隆史. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-08-07.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB1014990A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-12-31.

Thermoelectric element, method of manufacturing the same and semiconductor device including the same

Номер патента: US09917240B2. Автор: Ho-jin Park,Kwang-Ho Kim,Jun-Hyeok Yang,Hyung-Jong Ko,Se-Ki Kim,Se-Ra An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Three-dimensional mounting semiconductor device and method of manufacturing three-dimensional mounting semiconductor device

Номер патента: US20140027895A1. Автор: Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20120176835A1. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device comprising a stacked die configuration including an integrated peltier element

Номер патента: US09490189B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: TW201243300A. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and apparatus for testing semiconductor devices using the back side of a circuit board

Номер патента: US20010033181A1. Автор: Jong-Hyun Kim,Sang-Jun Park,Sun-Ju Kim,Chang-Nyun Kim,Chung-Koo Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-25.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: US09601215B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: US11940489B2. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD OF CONTROLLING PERFORMANCE BOOSTING OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20210057420A1. Автор: KIM Jungwook,KIM Sangkyu,Park Jonglae,KANG Hyunju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-25.

Ferroelectric structure, Method of forming the ferroelectric structure, Semiconductor device having the ferroelectric structure and Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100718267B1. Автор: 김명곤,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-14.

Semiconductor film composition, manufacturing method of semiconductor film composition, manufacturing method of semiconductor member, manufacturing method of semiconductor processing material and semiconductor device

Номер патента: KR102075905B1. Автор: 야스히사 가야바,히로후미 다나카,쇼코 오노,히로코 와치. Владелец: 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of forming conductive line of semiconductor device using carbon nanotube and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: KR100982419B1. Автор: 배은주,호리이히데끼,최원봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-09-15.

Semiconductor film composition, manufacturing method of semiconductor film composition, manufacturing method of semiconductor member, manufacturing method of semiconductor process material and semiconductor device

Номер патента: KR102059759B1. Автор: 야스히사 가야바,히로후미 다나카,고지 이노우에. Владелец: 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device capable of externally and readily identifying set bonding optional function and method of identifying internal function of semiconductor device

Номер патента: KR100235284B1. Автор: 시게키 오바야시,마사유키 이케타니. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor device defect analysis method

Номер патента: US20220236314A1. Автор: Hakgyun KIM,Bumsuk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Hall sensor semiconductor device and method of operating the Hall sensor semiconductor device

Номер патента: DE102011017096A1. Автор: Georg Röhrer. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods of improving bump allocation for semiconductor devices and semiconductor devices with improved bump allocation

Номер патента: US9557370B2. Автор: Yung-Hsin Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of detecting defects in a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US8952716B2. Автор: Yong Min Cho,Dong-ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Method of fabricating recess channel in semiconductor device

Номер патента: TWI324368B. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Deposition method, semiconductor device and method of favricating the same

Номер патента: US20210098458A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi-On CHUI,Ming-Ho Lin,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157448A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170047447A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20090170033A1. Автор: Woo Yung Jung,Guee Hwang Sim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11315944B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11729981B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230395655A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230369502A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Cheng-Yen Wen,Shao-Yang Ma,Chil-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210265462A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395372A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200083325A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150214321A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402568A1. Автор: Min Ji JO,Duk Kyu Bae. Владелец: HEXASOLUTION Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: GB1334494A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-17.

Method of forming conductive line of semiconductor device using carbon nanotube and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: KR101015507B1. Автор: 히데끼 호리이,배은주,최원봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: US3765970A. Автор: T Athanas,A Anastasio. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of etching substrate

Номер патента: US20190109010A1. Автор: Jongwoo SUN,Eunwoo LEE,Sangrok OH,Jungmo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Self-aligned chamferless interconnect structures of semiconductor devices

Номер патента: US20200098688A1. Автор: Ruilong Xie,Chun Yu Wong,Yongjun Shi,Nan FU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150349122A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160049512A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160218214A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200212183A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180211962A1. Автор: Won Chul Lee,Ye Ram KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of forming a single-crystal nanowire finFET

Номер патента: US9871102B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having plug and metal line

Номер патента: US11038014B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US7915177B2. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120403A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190074359A1. Автор: Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-03-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190103271A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi,MIYAZAWA Tetsuya. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-04.

SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115321A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,YANG Moon-seung,Mohammad Rakib Uddin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES USING A REPLACEMENT GATE TECHNIQUE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150221749A1. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212183A1. Автор: UTSUMI Makoto,ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-02.

METHODS OF FORMING CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20160300842A1. Автор: Mueller Wolfgang,Tang Sanh D.,Dhir Sourabh,Macmaster Dylan R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor substrate, manufacturing method of the semiconductor substrate, and semiconductor device and electronic device using the same

Номер патента: KR101484296B1. Автор: 사토시 무라카미,히로미치 고도,아츠오 이소베. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-01-19.

Method of forming contact hole of semiconductor device using spacer made of undoped polysilicon layer

Номер патента: KR100436063B1. Автор: 인성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-16.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN106558516B. Автор: 高崎唯史,大桥直史,菊池俊之,松井俊. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

METHOD OF FORMING METAL LINE OF SEMICONDUCTOR DEVICE FOR FORMING Si LAYER ON METAL CONTACT BEFORE DEPOSITION OF CVD-Ti LAYER

Номер патента: KR100445412B1. Автор: 김정태,채무성,유상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-03.

Method of forming side dielectric insulated semiconductor device and MOS semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: JP2002506579A. Автор: アマンド，ロジャー セント,マ，ロバート,デュッチャー，ネイル. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2002-02-26.

The manufacture method of Method of processing a substrate and semiconductor device

Номер патента: CN100561687C. Автор: 佐佐木胜,松山征嗣,菅原卓也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus for processing plasma and method of processing plasma and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240128055A1. Автор: Jihwan Kim,Juho Lee,SeungBo SHIM,Hyunjae Lee,Sangki NAM,Hyunbae Kim,Daeun Son,Hyunhak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Depth-activated sensor switch and method of switching it off

Номер патента: RU2645427C2. Автор: Пауль ВЕНТЦЛЕР. Владелец: Серсель Инк. Дата публикации: 2018-02-21.

Sheet from electrotechnical steel with oriented grain structure and method of its fabrication

Номер патента: RU2562182C2. Автор: Суити НАКАМУРА,Йосиюки УСИГАМИ,Норикадзу ФУДЗИИ,Норихиро ЯМАМОТО,Фумиаки ТАКАХАСИ,Кадзуми МИДЗУКАМИ,Масахиде УРАГО. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2015-09-10.

Closed-loop tubular lamp envelope and method of manufacture

Номер патента: CA2205707C. Автор: Gregory Zaslavsky,Joseph V. Lima,David C. Wentzel. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-01-10.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Jaeger Christian,Laven Johannes Georg,Baburske Roman. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190165102A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto,FUKUDA Kenji,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180248002A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,Koketsu Hidenori,MOCHIZUKI Kazuhiro,Kosugi Ryoji,Ji Shiyang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200295129A1. Автор: Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-17.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200312966A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,HARADA Shinsuke,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE112015000352T5. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Yoshiyuki Sugahara,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Metal-insulator-semiconductor device manufacture

Номер патента: CA1120605A. Автор: William A. Pliskin,Joseph F. Shepard,Martin Revitz,James R. Gardiner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Method and apparatus for back end of line semiconductor device processing

Номер патента: US09627250B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20200006120A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Middle of line cobalt interconnection

Номер патента: US09741609B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US20240203882A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12136657B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Soi substrate, method of manufacturing the soi substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120193714A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of forming fins for finFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09337050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359436A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170352632A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176358A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a through-silicon via utilizing a metal contact pad in a back-end-of-line wiring level to fill the through-silicon via

Номер патента: US20140227870A1. Автор: Mukta G. Farooq,Troy L. Graves-Abe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

METHOD OF FORMING A THROUGH-SILICON VIA UTILIZING A METAL CONTACT PAD IN A BACK-END-OF-LINE WIRING LEVEL TO FILL THE THROUGH-SILICON VIA

Номер патента: US20140342552A1. Автор: Farooq Mukta G.,Graves-Abe Troy L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US20150027616A1. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3034970A. Автор: George L Schnable,John G Javes. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1962-05-15.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014281A1. Автор: Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11784147B2. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240006355A1. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Lead frame, method of manufacturing the same, and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: TW200405488A. Автор: Tetsuichiro Kasahara,Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of forming gate structures or semiconductor devices

Номер патента: TW201025430A. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Donald Y Chao,Shun-Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of fixing connecting wire to semiconductor device

Номер патента: JPS55154742A. Автор: Hatsuke Hansuyurugen,Pentsuru Rainhoruto,Raushiyaa Geruharuto,Shiyuraa Rotaaru,Uirupuzaa Osukaaru. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-12-02.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Method of manufacturing self aligned electrode with field insulation

Номер патента: US6987065B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190252366A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and method for stacking semiconductor devices

Номер патента: US20200135688A1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Chip Package, Method of Forming a Chip Package, Semiconductor Device, Semiconductor Arrangement, Three-Phase-System, Method of Forming a Semiconductor Device, and Method of Forming a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200328141A1. Автор: Otremba Ralf,Scharf Thorsten,Dinkel Markus,Gruber Martin,Kahrimanovic Elvir,Naeve Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Multiple-patterned semiconductor device channels

Номер патента: US9111935B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen,Douglas M Dewanz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: US7982281B2. Автор: Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-19.

Process of packaging a semiconductor device with reduced stress forces

Номер патента: US4874722A. Автор: Gretchen W. Roeding,Howard R. Test,George A. Bednarz,Reginald W. Smith. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-10-17.

A method of manufacturing a semiconductor device, a method of manufacturing an SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: DE102008034789B4. Автор: K. Gabriel Dr. Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150255396A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Testing, Manufacturing, and Packaging Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170345726A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220238518A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170098576A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20180277429A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US9984924B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9337121B2. Автор: Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Seok-Hwan Moon,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE,Je Ho NA. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150235956A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device having active regions of different dimensions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030290A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262790A1. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11823999B2. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230343849A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Depletion mode semiconductor device with trench gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US8680609B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor device packaging extendable lead and method therefor

Номер патента: US11869837B2. Автор: Mei Yeut Lim. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161219A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160314979A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024092689A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178230A1. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210035971A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210028105A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Depletion mode trench semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120139037A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES (as amended)

Номер патента: US20140027824A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jung-Ho Yoo,Keum-seok Park,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Interconnection structures for semiconductor devices and fabrication methods of forming interconnection structures for semiconductor devices utilizing to-be-etched layer made of porous low-K dielectric material and a first hard mask layer made of nitrogen-doped silicon oxycarbide (SiOC(N))

Номер патента: US20150035152A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International ( Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2015-02-05.

Isolation structure, method of forming the isolation structure, semiconductor device having the isolation structure and method of manufacturing the semiconductor device having the isolation structure

Номер патента: KR100823703B1. Автор: 최종완,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of forming a light emitting diode

Номер патента: US5270245A. Автор: Chan-Long Shieh,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-12-14.

Method of forming gete electrode in semiconductor device and method of forming cell gete electrode in non-volatile memory device by using the same

Номер патента: KR100425666B1. Автор: 김봉현,강만석,이재덕,안재영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-04-03.

A tungsten layer, methods of forming the same, a semiconductor device including the same, and methods of forming the semiconductor device including the same

Номер патента: KR100830590B1. Автор: 이상우,최길현,박진호,이호기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-21.

Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US6727108B2. Автор: Takayuki Yamada,Masanori Okuyama,Koji Eriguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Methods of forming SOI insulator layers, methods of forming transistor devices, and semiconductor devices and assemblies

Номер патента: US6281056B2. Автор: H. Montgomery Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-28.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Interconnection structure having increased conductive features and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375750A1. Автор: CHEN Chu,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of fabricating vertical semiconductor device utilizing phase changes in semiconductor materials

Номер патента: US20110217828A1. Автор: Vladimir Urazaev,Jung-Ho Kim,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang,Sung-Woo Hyun,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10283591B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a plurality of semiconductor devices and carrier substrate

Номер патента: EP1949433A1. Автор: Greja J. A. M. Verheijden,Ronald Dekker,Cornelis A. H. A. Mutsaers,Carolus J. Van Der Poel,Theodorus M. Michielsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20150041892A1. Автор: Francois Hebert,Youngbae Kim,I-Shan Sun,Kwangil Kim,Youngju Kim,Intaek OH,Jinwoo MOON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US7235830B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150311150A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040259319A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20060054944A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027467B2. Автор: Shao-Lun YANG,Chun-Hung Yeh,Wei-Chih CHO,Tsung-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

LEAD FRAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130193567A1. Автор: MIYAO Hitoshi. Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-01.

JOINED BODY, POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS OF JOINED BODY AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130221502A1. Автор: Minamio Masanori,SASAOKA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device, wafer assembly and methods of manufacturing wafer assemblies and semiconductor devices

Номер патента: US20130234297A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-12.

WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130256879A1. Автор: Takemoto Yoshiaki,Kikuchi Hiroshi,Migita Chihiro,Tadaki Yoshitaka. Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

PATTERN STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING PATTERN STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140065820A1. Автор: SIM Jaehwang,MIN Jaeho,LEE Jaehan,KIM Keonsoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Weber Hans. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160049332A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

GAP-FILL LAYERS, METHODS OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICES MANUFACTURED BY THE METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Kim Hyo-Jung,LIM Geunwon,MIN Chungki,KIM Sanghyeok,KIM Gihwan,SHIN Miso. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20140167253A1. Автор: Lii Mirng-Ji,Chen Chen-Shien,Lin Yen-Liang,Tseng Yu-Jen,Kuo Tin-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

GAP-FILL LAYERS, METHODS OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICES MANUFACTURED BY THE METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Kim Hyo-Jung,LIM Geunwon,MIN Chungki,KIM Sanghyeok,KIM Gihwan,SHIN Miso. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERNS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173029A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150145146A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210183697A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES USING A REPLACEMENT GATE TECHNIQUE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150187905A1. Автор: Pham Daniel T.,Cai Xiuyu,Prindle Christopher M.,JACOB Ajey Poovannummoottil,Raymond Mark V.,Jang Linus,Labelle Catherine B.,Teagle Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

MEMORY DEVICE AND METHODS OF FORMING MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150194434A1. Автор: Hsu Te-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

METHODS OF MANUFACTURING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE, AND WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20160204086A1. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

METHODS OF REINFORCING INTEGRATED CIRCUITRY OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES AND PACKAGES

Номер патента: US20190393110A1. Автор: Kumar Ajay,Yeom Hyunsoo,HOUSE John. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method of forming copper interconnection in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050263892A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: WO2001047660A1. Автор: Takeshi Hosomi,Ryouichi Okada,Kensuke Nakamura,Toyosei Takahashi. Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and formation method of metal line in the semiconductor device

Номер патента: KR100529629B1. Автор: 한재원. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-17.

Metal thin film and method of manufacturing the same, dielectric capacitor and method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US7425738B2. Автор: Tatsuo Sawasaki,Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,Teruo Tagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor device and method of forming contact plug in semiconductor device

Номер патента: KR100965030B1. Автор: 김은수,조휘원,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

The manufacture method of chip attachment device and semiconductor devices

Номер патента: CN107180772A. Автор: 冈本直树. Владелец: Jie Jin Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a fully silicided semiconductor device with independent gate and source/drain doping and related device

Номер патента: US20080265420A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and method of forming patterns for the semiconductor device

Номер патента: US20100155906A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Young-Seop Rah. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and formation method of metal line in the semiconductor device

Номер патента: KR100562311B1. Автор: 김경록. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-22.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: TWI545691B. Автор: 金建秀,沈載煌,李宰翰,閔在豪. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Functional macro and method of designing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100329951B1. Автор: 미모또겐이찌로,호조다께히꼬. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-03-27.

Method of forming openings in a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2009016438A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: EP1252966B1. Автор: Takeshi Sumitomo Bakelite Company Ltd. HOSOMI,Ryouichi Sumitomo Bakelite Company Ltd. OKADA,Kensuke Sumitomo Bakelite Company Ltd. NAKAMURA,Toyosei Sumitomo Bakelite Company Ltd. TAKAHASHI. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Photovoltaic module having transparent conducting electrode having variable thickness and methods of making said module

Номер патента: RU2519594C2. Автор: Эрик В. ДЖОНСОН,И КАБАРОКАС Пере РОКА. Владелец: Эколь Политекник. Дата публикации: 2014-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High speed, high voltage schottky semiconductor device

Номер патента: US5075740A. Автор: Masahiro Sato,Koji Ohtsuka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-24.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: EP1754261A1. Автор: Josine c/o Philips Intellectual Pty & Stds LOO,Youri c/o Philips Int. Pty& Stds PONOMAREV. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: WO2005117132A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU3497371A. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-05-03.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU454608B2. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1974-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100044839A1. Автор: Kikuo Okada,Kojiro Kameyama. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230402506A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yu-wei LU,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040773A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Mingqin Shangguan,Changfu Ye,Xiqin Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130168734A1. Автор: MIYOSHI Makoto,ICHIMURA Mikiya,TANAKA Mitsuhiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

Memory device and method of production and method of use of same and semiconductor device and method of production of same

Номер патента: EP1355356A2. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-22.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (soc) applications

Номер патента: WO2015047281A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9893281B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and method of production and method of use of same and semiconductor device and method of production of same

Номер патента: TW200411903A. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Memory device and method of production and method of use of same and semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US7009208B2. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-07.

Memory device and method of production and method of use of same and semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US20030234449A1. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190393242A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10438967B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxial structure

Номер патента: US11735661B2. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210280717A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804459B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Flexible and stretchable semiconductor devices with reduced footprints and methods therefor

Номер патента: US20220293859A1. Автор: Yuxin Liu,Zhenan Bao,Yuqing ZHENG. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123151A1. Автор: YUAN Li. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device including high electron mobility transistor or high hole mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830940B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of forming transistors of different configurations

Номер патента: US20230369513A1. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361121A1. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190057975A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device having light-receiving elements and amplifying elements incorporated in the same chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040262619A1. Автор: Kenichiro Takahashi,Jea-Shik Shin,Kyeong-Ik Min. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11935924B2. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230352587A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device and Method of Formation

Номер патента: US20200058751A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: US20240107758A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190074357A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Ming-Chang Lu,Kuo-Chih Lai,Yi-Ting Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230361190A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285401A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180190783A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200227419A1. Автор: Inho Kim,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Inseak Hwang,Hyesung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US9461002B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395541A1. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Carrier injection control fast recovery diode structures and methods of fabrication

Номер патента: US20200105866A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422481A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4355049A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240130123A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204054A1. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10461165B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190206816A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200343204A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9548297B2. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: WO2024072502A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

WIRING STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130113113A1. Автор: BAE Ki-Soon,Choi Sei-Ryung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-09.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130285066A1. Автор: UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Sumitomo Takamichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING HYDROPHOBIC SURFACES ON SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150084187A1. Автор: Raghu Prashant,Laboriante Ian C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD OF FORMING MICROPATTERN, METHOD OF FORMING DAMASCENE METALLIZATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FABRICATED USING THE SAME

Номер патента: US20140210055A1. Автор: Choi Gil-heyun,Lee Jong-Myeong,Park In-Sun,Park Ji-Soon,Hong Jong-Won,Kim Hei-seung. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE PILLARS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF FORMING ELECTRICAL INTERCONNECTS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160225731A1. Автор: Chandolu Anilkumar,Hagen Kenneth N.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Apparatus for packaging semiconductor devices, packaged semiconductor components, methods of manufacturing apparatus for packaging semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor components

Номер патента: KR101407773B1. Автор: 데이비드 제이. 코리스,제이. 마이클 브룩스,춘 권 리,친 휘 종. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2014-07-02.

Apparatus for packaging semiconductor devices, packaged semiconductor components, methods of manufacturing apparatus for packaging semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor com

Номер патента: CN101632175A. Автор: 戴维·J·科里西斯,J·迈克尔·布鲁克斯,李俊光,张振辉. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-20.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Method of inspecting process for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6743645B2. Автор: Atsushi Shigeta,Takeo Kubota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Substrate structure having a buried wiring, method of forming the substrate structure, semiconductor device including the substrate structure, and method of forming the semiconductor device including the substrate structure

Номер патента: KR101650018B1. Автор: 김현기,김희중,김강욱,정현우,오용철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus for packaging semiconductor devices, packaged semiconductor components, methods of manufacturing apparatus for packaging semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor components

Номер патента: WO2008112643A2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,J. Michael Brooks. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-18.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Sealed structure and method of fabricating sealed structure and semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070177360A1. Автор: Masahiro Sunohara,Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Naoyuki Koizumi,Yuichi Taguchi,Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Film substrate, semiconductor device, method of manufacturing film substrate, and method of manufacturing circuit board having semiconductor device

Номер патента: KR100550171B1. Автор: 요꼬이데쯔야. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-02-10.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190393312A1. Автор: Koji Nakayama,Koichi Murata,Takeshi Tawara,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20200185510A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100164537A1. Автор: Bong-Il Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device having a capacitor and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060186453A1. Автор: Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164091A1. Автор: Jungho Lee,Choasub KIM,Chung Jin Kim,Hyungang Kim,Soyeon Seok,Yunkyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device manufacture using a sidewall spacer etchback

Номер патента: WO2006096749A2. Автор: Amitava Chatterjee,Brian E. Goodlin,Jong Shik Yoon,Shirin Siddiqui,Karen H. R. Kirmse. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-09-14.

METHODS OF FORMING CAP LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150035086A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Zhao Larry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE ELEMENTS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND OF FORMING MEMORY CELLS

Номер патента: US20170092855A1. Автор: Sinha Nishant,Sills Scott E.,Tang Sanh D.,West Whitney L.,Goodwin Rob B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD OF WAFER-SCALE INTEGRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129999A1. Автор: Schrank Franz,Siegert Joerg,Cassidy Cathal. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

METHODS OF FORMING GATE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES USING A REPLACEMENT GATE TECHNIQUE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150137271A1. Автор: Zhang Xunyuan,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Brockmeier Andre. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225075A1. Автор: ZHAN Zhi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

METHODS OF FORMING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DUAL STRESS CHANNEL AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140225168A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert,Juengling Werner,Taylor,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUPERJUNCTION SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210183995A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Takei Manabu,HARADA Shinsuke,KYOGOKU Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Thin Film Semiconductor Device, Organic Light-Emitting Display Apparatus, and Method of Manufacturing the Thin Film Semiconductor Device

Номер патента: US20140239267A1. Автор: Byun Ki-Yeol. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,HARADA Shinsuke,Kojima Takahito. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160190274A1. Автор: Taylor William J.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170229421A1. Автор: Lii Mirng-Ji,Chen Chen-Shien,Lin Yen-Liang,Tseng Yu-Jen,Kuo Tin-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

WIRING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150311146A1. Автор: Takemoto Yoshiaki,Kikuchi Hiroshi,Migita Chihiro,Tadaki Yoshitaka. Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-29.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Okawa Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20180337155A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo,Yu-Ren Chen,Yi-Yang Lei,Szu-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358444A1. Автор: TAWARA Takeshi,Miyazato Masaki,Ryo Mina,Miyajima Masaaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190393312A1. Автор: Koji Nakayama,Koichi Murata,Takeshi Tawara,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Ferroelectric structure, method of forming the ferroelectric structure, semiconductor device including the ferroelectric structure, and method of manufacturing the ferroelectric structure

Номер патента: KR100729231B1. Автор: 김석필,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Semiconductor device and method of fabricating pad in the semiconductor device

Номер патента: KR100683387B1. Автор: 이용근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP3216314B2. Автор: 英雄 山中. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10418445B2. Автор: Takeshi Tawara,Masaaki Miyajima,Mina RYO,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

A method of fabricating a metal gate semiconductor device and semiconductor resistors made on the basis of an exchange gate method

Номер патента: DE102010064466B3. Автор: Klaus Hempel,Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow,Andy Wei,Andreas Kurz,Roland Stejskal. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2016-08-11.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: CN102005471A. Автор: 仓冈义孝,角谷茂明,田中光浩,三好実人,市村干也,杉山智彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US10790252B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo,Yu-Ren Chen,Yi-Yang Lei,Szu-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: US8410552B2. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Shigeaki Sumiya,Makoto Miyoshi,Tomohiko Sugiyama,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100553625B1. Автор: 다까하시히데끼,가네다미쯔루. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-02-22.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of removing and localising toxic evaporation of process baths made in two-level assemblage of surgical modules of lines of galvanic chemical treatment

Номер патента: RU2684131C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Systems and methods of presenting diagnostic information of an electronic device at diagnostic equipment

Номер патента: US20210141680A1. Автор: Jarrod B. Johnson,Ross Lee Mickens,Matthew Allen Steele,Andrew Hamilton Wray. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Chip antenna and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160372830A1. Автор: Sung Jun Park,Ju Hyoung PARK,Sung Eun Cho,Dae Kyu Lee,Ha Ryong HONG,Seung Hun Ryu. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of manufacturing low-resistance chip-resistor

Номер патента: RU2639313C2. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Акционерное общество "Финансово-промышленная компания "Энергия". Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing wire harness for automobile use

Номер патента: US5970609A. Автор: Ryosuke Shioda. Владелец: Harness System Technologies Research Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing female terminal

Номер патента: US20220085561A1. Автор: Hiroshi Fujita,Hideki Mizuno. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Methods and apparatuses for threshold voltage measurement and related semiconductor devices and systems

Номер патента: US10914780B2. Автор: Rajesh N. Gupta,Binoy Jose Panakkal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

The manufacture method of deposition mask, deposition mask manufacture device, the manufacture method of laser mask and organic semiconductor device

Номер патента: CN107109622A. Автор: 武田利彦,二连木隆佳,宫寺仁子. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

METHOD OF GENERATING CLOCK OUTPUT TO SEMICONDUCTOR DEVICE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CLOCK CONVERTER AND TEST SYSTEM PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20200150711A1. Автор: JANG Seong-Gwon,KIM Yong-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Single-wall carbon nanotube heterojunction and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080102017A1. Автор: Kenichi Kurihara,Toshinori Iwai,Hisashi Kajiura,Koji Kadono,Ryuchiro Maruyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of producing hollow magnesium fluoride particles, and antireflection coating, optical device, and imaging optical system having the particles

Номер патента: EP2625140A1. Автор: Masanobu Ogane,Yoji Teramoto,Yu Kameno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template

Номер патента: US20110237086A1. Автор: Ikuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

CLEANING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATES AND METHOD OF CLEANING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130174867A1. Автор: Ito Atsushi,SUZUKI Toshiyuki,HARADA Ken. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Structure and method of signal enhancement for alignment patterns

Номер патента: US20240053673A1. Автор: Cheng-Che Chung,Hsin-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of OPC Model Building, Information-Processing Apparatus, and Method of Determining Process Conditions of Semiconductor Device

Номер патента: US20080250380A1. Автор: Shigeki SUKEGAWA,Takumichi Sutani,Mihoko Kijima,Kyoungmo Yang. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of control of the position of support-guide rings at the pipeline section

Номер патента: RU2675176C1. Автор: Василий Степанович Безбородников,Валерий Анатольевич Котрухов,Мухаметнур Талгатович Садыков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Самара". Дата публикации: 2018-12-17.

Method of protecting glass of laser optical head from splashing at the beginning of welding

Номер патента: RU2686699C1. Автор: Александр Игоревич Романцов,Михаил Александрович Федоров,Антон Александрович Черняев,Александр Олегович Котлов,Алексей Александрович Булыгин. Владелец: Публичное акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод" (ПАО "ЧТПЗ"). Дата публикации: 2019-04-30.

Method of automatedly heating, press molding and replacing multiple molds at the same time for insole material

Номер патента: US20240116223A1. Автор: Fu-Han Wei,Sian-De Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of minimally invasive stabilization of the spinal motion segment at the level of the lumbar spine

Номер патента: RU2645418C1. Автор: Андрей Евгеньевич Боков,Сергей Геннадьевич Млявых,Александр Яковлевич Алейник,Анатолий Алексеевич Булкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Приволжский федеральный медицинский исследовательский центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-21.

Harvesting method of grain crops by direct combining with grain unloading at the field edge

Номер патента: RU2695452C1. Автор: Виктор Иосифович Скорляков,Андрей Николаевич Назаров,Дмитрий Анатольевич Петухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Российский научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований по инженерно-техническому обеспечению агропромышленного комплекса" (ФГБНУ "Росинформагротех"). Дата публикации: 2019-07-23.

Method of wireless communication line setup

Номер патента: RU2364042C2. Автор: Андреа КАМУФФО,Даниела РАДДИНО. Владелец: Сони Эрикссон Мобайл Коммьюникейшнз Аб. Дата публикации: 2009-08-10.

Method of determining predistortion coefficients and transmission path

Номер патента: RU2564680C2. Автор: Дориан ДЭВИС. Владелец: Блэкберри Лимитед. Дата публикации: 2015-10-10.

Semiconducor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240049476A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Unit cell structure, method of manufacturing the same, non-volatile semiconductor device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile semiconductor device

Номер патента: US20070018219A1. Автор: Sung-Ho Park,Jung-hyun Lee,Han-jin Lim,Kyu-Ho Cho,Jin-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Switching method of visible light communication device and terminal device at access point

Номер патента: CN103973365A. Автор: 田晓光,陈霖,禹忠,支周. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: TW202243204A. Автор: 林毓超,邱榮標. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of determining an additional signal attenuation coefficient in a radio communication channel with an aircraft

Номер патента: RU2701212C1. Автор: Максим Владимирович Ковалев,Алексей Романович Вохмин,Сергей Анатольевич Шрамко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-09-25.

Method of metalation of bulky blanks in the reactor of the plant for volumetric metalation, the design of the reactor and the method of its manufacturing

Номер патента: RU2665860C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Павел Аркадьевич Киселёв,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Павел Аркадьевич Киселёв. Дата публикации: 2018-09-04.

Cutting segment of a tool, a tool for processing baked carbon anodes and a method of processing with the tool

Номер патента: RU2652679C9. Автор: Алексей Сергеевич Жердев,Виталий Валерьевич Пингин,Александр Михайлович Петров,Александр Николаевич Савина,Константин Яковлевич Кунстман. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of producing methylene-bridged polyphenyl polyamines

Номер патента: RU2478610C2. Автор: Роберт Генри КАРР,Кристофер Джон МИТЧЕЛЛ,Канос Авелино Корма,АСУНСЬОН Пабло БОТЕЛЛА. Владелец: Хантсмэн Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2013-04-10.

Backing up and recovering method of file system and communication device thereof

Номер патента: US12079093B2. Автор: Yu-Lin Huang,Hongsen ZHANG,JianYun Kong,Chih-Yuan Tang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of removing contaminants from water streams by injecting oxygen into floatation basin

Номер патента: RU2563486C9. Автор: ДЕ ОЛИВЕЙРА Хоао Карлос ГОМЕС,ДЕ ОЛИВЕЙРА НЕТТО Прокопио ГОМЕС,ДЕ ОЛИВЕЙРА Фелипе ГОМЕС. Владелец: ДЕ ОЛИВЕЙРА Фелипе ГОМЕС. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of electric discharge detection and classification on electric equipment

Номер патента: RU2723155C1. Автор: Игорь Сергеевич Костромин,Игорь Александрович Погибельский,Игорь Геннадьевич Мищенко,Андрей Александрович Васильев,Рубен Левонович Пальян,Олег Николаевич Дьяков,Александр Анатольевич Зверьков. Владелец: Акционерное общество "ПКК МИЛАНДР". Дата публикации: 2020-06-09.

Method of providing a MEMS device comprising a pyramidal protrusion, and a mold

Номер патента: US12013415B2. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: SmartTip BV. Дата публикации: 2024-06-18.

A method of providing a mems device comprising a pyramidal protrusion, and a mold

Номер патента: WO2020209716A1. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: SmartTip BV. Дата публикации: 2020-10-15.

A method of providing a mems device comprising a pyramidal protrusion, and a mold

Номер патента: EP3953716A1. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: SmartTip BV. Дата публикации: 2022-02-16.

Modified lantibiotics and methods of making and using the modified lantibiotics

Номер патента: US20180118791A1. Автор: James L. Smith,Jerome Escano. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2018-05-03.

Modified lantibiotics and methods of making and using the modified lantibiotics

Номер патента: US20200199182A1. Автор: James L. Smith,Jerome Escano. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2020-06-25.

Variant human alpha7 acetylcholine receptor subunit, and methods of production and use thereof

Номер патента: US20040203033A1. Автор: Murali Gopalakrishnan,Jean-Marc Roch,Edward Touma,James Sullivan,Clark Briggs,David Mc Kenna,Lisa Monteggia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device including page buffer

Номер патента: US20210241835A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Backing up and recovering method of file system and communication device thereof

Номер патента: US20230297479A1. Автор: Yu-Lin Huang,Hongsen ZHANG,JianYun Kong,Chih-Yuan Tang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of tape attachment to a tape cartridge reel

Номер патента: US6322015B1. Автор: Steven G. Trabert. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of manufacturing insulating layer and semiconductor device including insulating layer, and semiconductor device formed thereby

Номер патента: GB2376243B. Автор: Jeon-Sig Lim,Jin-Ho Jeon,Jong-Seung Yi,Woo-chan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-09.

Method of investigating adhesive joints of a multilayer helicopter rotor hub

Номер патента: RU2742540C1. Автор: Владимир Александрович Шувалов,Татьяна Александровна Зайцева,Виктор Иванович Митряйкин,Екатерина Викторовна Кротова,Рустем Хайдарович Закиров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический универитет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2021-02-08.

Transdermal therapeutic system with an adhesive layer, method of siliconizing a backing layer of the system, and use of the backing layer

Номер патента: TW200621319A. Автор: Walter Müller,Johannes Leonhard. Владелец: Lohmann Therapie Syst Lts. Дата публикации: 2006-07-01.

Method of refining chemical for manufacturing semiconductor devices and apparatus for its reuse

Номер патента: TW396055B. Автор: Sang-Mun Chon,June-ing Gil,Yong-Kyun Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-01.

Card, assembly, method of assembling card and method of outputting information

Номер патента: RU2671308C2. Автор: Финн Нильсен,Финн СПЕИЭРМАНН. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2018-10-30.

Improved method of control with ultrasound

Номер патента: RU2639585C2. Автор: Жереми ДЮВАЛЬ,Никола БРУССЕ-КОЛЕЛЛА,Жан-Ив ШАТЕЛЬЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of operation of gas turbine engine

Номер патента: RU2656083C1. Автор: Виктор Викторович Куприк,Андрей Леонидович Киселёв,Сергей Андреевич Перепелица. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК - Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2018-05-30.

Method of producing base oil

Номер патента: RU2427564C2. Автор: Эйя КОЙВУСАЛМИ. Владелец: Несте Ойл Ойй. Дата публикации: 2011-08-27.

Electrolytic production method of aluminum

Номер патента: RU2686408C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Ольга Юрьевна Ткачева,Александр Александрович Катаев,Александр Александрович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of producing carbonates of rare-earth elements

Номер патента: RU2693176C1. Автор: Борис Александрович Быданов,Дмитрий Валерьевич Дронов,Владимир Олегович Геря,Александр Вениаминович Алдушкин,Василина Олеговна Ухорская,Алексей Витальевич Долгов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Инновационных Технологий". Дата публикации: 2019-07-01.

Method of measuring bending of an extended vertically directed channel

Номер патента: CA3225722A1. Автор: Artyom Nikolaevich FEDOROV,Alexandr Alexandrovich PODOSINNIKOV,Maksim Alekseevich STEPANOV. Владелец: Obschestvo S Ogranichennoy Otvetstvennost'yu "prolog". Дата публикации: 2023-04-06.

Method of preparing oil sample for gas chromatographic analysis of low-volatile polar substances

Номер патента: RU2688513C1. Автор: Сергей Александрович Нечаев,Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КимТэк". Дата публикации: 2019-05-21.

Double-walled tube, method of manufacturing double-walled tube, and steam generator

Номер патента: CA2787558A1. Автор: Katsuhiko Sato,Toru Sakamoto,Yoshimi Tanaka,Takehisa Hino,Masataka Tamura,Wataru Kono,Toshinori Terashima,Noboru Jimbo,Shigeki Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of making thin-walled hollow polymeric article or polymeric coating on the backing

Номер патента: RU2045542C1. Автор: Дункан Поттер Уильям,Дэвид Уайт Николас. Владелец: ЛРС Продактс Лимитед. Дата публикации: 1995-10-10.

Modified lantibiotics and methods of making and using the modified lantibiotics

Номер патента: US11225510B2. Автор: James L. Smith,Jerome Escano. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device related to performance of a program operation and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240161832A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Micropipette and method of operation

Номер патента: GB2211111A. Автор: Jeffrey Slater. Владелец: SAXON MICRO Ltd. Дата публикации: 1989-06-28.

Optical fiber attenuator and method of fabrication

Номер патента: US4639078A. Автор: Sang K. Sheem. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1987-01-27.

A method of and an apparatus for determining the speed of sound in a material

Номер патента: CA2428384C. Автор: Martin Sauerland. Владелец: SMS MEER GMBH. Дата публикации: 2006-09-05.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US10424349B2. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Communication system, semiconductor device, and data communication method

Номер патента: US20140189033A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Curable compositions for use as adhesives having properties capable of being altered based on external stimuli and methods of making and using the same

Номер патента: US11993712B2. Автор: Jeffrey A. Klang,Jon Scholte,Mahendra Christopher Orilall. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

SYSTEMS AND METHODS OF PRESENTING DIAGNOSTIC INFORMATION OF AN ELECTRONIC DEVICE AT DIAGNOSTIC EQUIPMENT

Номер патента: US20210141680A1. Автор: JOHNSON JARROD B.,Mickens Ross Lee,Steele Matthew Allen,Wray Andrew Hamilton. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

COMPUTING DEVICE EXECUTING PROGRAM PERFORMING METHOD OF ANALYZING POWER NOISE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM

Номер патента: US20160161546A1. Автор: CHEON YOUNG HOE,HWANG CHAN SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

COMPUTING DEVICE EXECUTING PROGRAM PERFORMING METHOD OF ANALYZING POWER NOISE IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM

Номер патента: US20180224497A1. Автор: CHEON YOUNG HOE,HWANG CHAN SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

INSTALLATION AND METHOD OF REMOTE MEASUREMENT OF GEOMETRIC PARAMETERS OF THE PIPELINE AT THE STAGE OF THE REMOVAL BY MEANS OF SOUND WAVES IN THE MODE OF REAL TIME

Номер патента: RU2017139770A. Автор: Адриано КАЛЬЗАВАРА,Джанкарло Бернаскони,Массимо СИНЬОРИ. Владелец: САЙПЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2019-05-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING AND CONTROLLING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180053539A1. Автор: OH TAE YOUNG,SHIN SEUNGJUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

METHOD OF USE TIME MANAGEMENT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING USE TIME MANAGING CIRCUIT

Номер патента: US20160104522A1. Автор: PARK Chul-woo,SOHN Young-Soo,SON Jong-Pil. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

System and method of monitoring railway track

Номер патента: RU2385446C2. Автор: Джон Энтони II НЭГЛ,Стивен С. ОРРЕЛЛ,Кристофер М. ВИЛЛАР. Владелец: Джорджтаун Рэйл Эквипмент Компани. Дата публикации: 2010-03-27.

Semiconductor device and method of sensing data of the semiconductor device

Номер патента: US8503220B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Hyung-Su Jeong,Ho-Jung Kim,Hyun-Sik Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-06.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

Method of cleaning of air-cooling apparatus at compressor station

Номер патента: RU2653630C1. Автор: Игорь Равильевич Байков,Артур Рифович Галикеев,Сергей Владимирович Китаев,Аида Рубэновна Гадельшина,Ильдар Магзумович Исламов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2018-05-11.

Operating method of gear pump and gear pump

Номер патента: RU2699859C2. Автор: Симон БУХЕР. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of constructing a curve of soil deformation

Номер патента: RU2728739C1. Автор: Вадим Григорьевич Офрихтер,Вадим Валерьевич Антипов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2020-07-30.

Plant and method of thermal neutralisation and recovery of heat of smoke gases discharged from fuel-burning units, and system to control their operation

Номер патента: RU2507234C1. Автор: Евгений Алексеевич Данилин,Александр Александрович Лобов. Владелец: Евгений Алексеевич Данилин. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of obtaining of complex of antimicrobic peptides of insect

Номер патента: RU2552157C1. Автор: Андрей Юрьевич Яковлев,Сергей Иванович Черныш,Наталья Александровна Гордя. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of constructing walls and wall partitions

Номер патента: RU2678340C1. Автор: Петр Алексеевич Ефимов,Алексей Владимирович Гагулаев,Сергей Николаевич Полещиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью фирма "ВЕФТ". Дата публикации: 2019-01-28.

Method of constructing network priority gas migration paths, as well as gas discharge and extraction

Номер патента: RU2685359C1. Автор: Вэй Ян,Байцюань ЛИНЬ,Жуй ВАН,Чжэн ВАН,Тин ЛЮ,Хэ ЛИ,Тун ЛЮ. Владелец: Китайский Университет Горного Дела И Технологии. Дата публикации: 2019-04-17.

Xenon concentration block and method of its operation

Номер патента: RU2670635C1. Автор: Владимир Николаевич Потапов,Александр Владимирович Потапов,Сергей Владимирович Потапов,Андрей Вячеславович Школин. Владелец: ООО "КсеМед". Дата публикации: 2018-10-24.

Method of mini access for constant two-chamber epicardial electrocardiostimulation in infants

Номер патента: RU2721830C9. Автор: Евгений Владимирович Кривощеков,Андрей Юрьевич Подоксенов,Глеб Викторович Павличев,Евгений Александрович Связов,Ирина Владимировна Плотникова,Ольга Юрьевна Джаффарова,Лилия Ивановна Свинцова,Баир Намсараевич Дамбаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Томский национальный исследовательский медицинский центр Российской академии наук" (Томский НИМЦ). Дата публикации: 2020-07-22.

Method of optimizing temperature stress at repair of main pipelines

Номер патента: RU2692185C1. Автор: Рустем Ринатович Усманов,Михаил Владимирович Чучкалов,Шамиль Гусманович Шарипов,Роберт Марагимович Аскаров,Ильдар Магзумович Исламов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Уфа". Дата публикации: 2019-06-21.

Method of program control over flat deep grinding by wheel periphery

Номер патента: RU2604088C2. Автор: Дмитрий Иванович Волков,Надежда Владимировна Полуглазкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П.А. Соловьева". Дата публикации: 2016-12-10.

Method of mini access for constant two-chamber epicardial electrocardiostimulation in infants

Номер патента: RU2721830C1. Автор: Евгений Владимирович Кривощеков,Андрей Юрьевич Подоксенов,Глеб Викторович Павличев,Евгений Александрович Связов,Ирина Владимировна Плотникова,Ольга Юрьевна Джаффарова,Баир Намсараевич Дамбаев,Лидия Ивановна Свинцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Томский национальный исследовательский медицинский центр Российской академии наук" (Томский НИМЦ). Дата публикации: 2020-05-22.

Method of operative delivery of patients with ingrown placenta in uterus scar

Номер патента: RU2706368C1. Автор: Андрей Евгеньевич Петров,Елена Николаевна Плахотина,Ильяс Александрович Куликов,Тамара Николаевна Белоусова,Николай Иванович Соваев,Карина Михайловна Павлютина,Самира Вагиф кызы Мусаева. Владелец: Ильяс Александрович Куликов. Дата публикации: 2019-11-18.

Method of reforestation on mountainside

Номер патента: RU2643245C2. Автор: Юрий Васильевич Полюшкин,Владимир Иванович Шастин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2018-01-31.

Method of operative delivery of patients with ingrowth of placenta into tripe on uterus with tourniquet hemostasis

Номер патента: RU2708369C1. Автор: Елена Николаевна Плахотина,Ильяс Александрович Куликов,Тамара Николаевна Белоусова,Николай Иванович Соваев,Екатерина Романовна Милютина,Карина Михайловна Павлютина,Роман Вячеславович Латышев. Владелец: Ильяс Александрович Куликов. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of forming a mucosal flap with surgical approach to the maxillary sinus through a lower nasal passage

Номер патента: RU2714260C1. Автор: Сергей Анатольевич Карпищенко,Светлана Валерьевна Баранская. Владелец: Сергей Анатольевич Карпищенко. Дата публикации: 2020-02-14.

Method of heating polymeric pipe in coil

Номер патента: RU2672210C2. Автор: Савва Николаевич Попов,Александр Иннокентьевич Герасимов,Николай Павлович Старостин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем нефти и газа Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-11-12.

Method of thermal effect on the product, transported through pipeline at the oil heating points and device for its implementation

Номер патента: RU2619222C2. Автор: Мухаббат Шарифовна Гарифуллина,Герман Викторович Демидов,Леонард Шамсиевич Хаиров,Светлана Валентиновна Юдина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2017-05-12.

Method of supporting an unloading conveyor bridge

Номер патента: US20100074724A1. Автор: Arvo Jonkka,Ilkka Saari. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2010-03-25.

Film capacity for the delivering device and method of manufacture of film capacity

Номер патента: RU2649511C2. Автор: Саша ДИРКЕР,Филип ПОГГЕНДОРФ. Владелец: Хильти Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of mechanical connection of rubber-fabric conveyor belts

Номер патента: RU2608993C2. Автор: Владимир Викторович Рысятов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Спк-Стык". Дата публикации: 2017-01-30.

Method of performing a decompressive craniectomy

Номер патента: WO2007146541A9. Автор: Kathryn Ko. Владелец: Gyrus Productions. Дата публикации: 2008-08-14.

Lateral arm awning system and method of operation

Номер патента: US09469997B2. Автор: Scott P. Thompson,Mark Lyle Goth. Владелец: Carefree Scott Fetzer Co. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of welding pipelines with internal anticorrosion coating

Номер патента: RU2722582C1. Автор: Андрей Анатольевич Филатов. Владелец: Андрей Анатольевич Филатов. Дата публикации: 2020-06-01.

Method of cleaning apparatus for semiconductor device fabrication

Номер патента: KR100708963B1. Автор: 권대혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-18.

Frame method of laparotomic wound suturing and device for its implementation

Номер патента: RU2743411C1. Автор: Сергей Николаевич Лебедев,Андрей Владимирович Федосеев,Александр Сергееевич Инютин,Максим Васильевич Курчаткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of fixing product on technological equipment for avoiding longitudinal displacement and limiting mechanism for its implementation

Номер патента: RU2672733C1. Автор: Николай Николаевич Сойко. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение". Дата публикации: 2018-11-19.

Method of transfer of gas and gas condensate wells, including flooded ones, for operation along two lifting columns, method of such wells operation and device for implementation of such methods

Номер патента: RU2739273C2. Автор: Михаил Александрович Донченко,Дмитрий Владимирович Дикамов,Павел Николаевич Мальцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научное инновационное предприятие "Дельта-Т". Дата публикации: 2020-12-22.

Control method of technical condition of gas turbine engine fuel regulating system pump

Номер патента: RU2725919C1. Автор: Виктор Павлович Нестеренко,Николай Иванович Федосеев. Владелец: Акционерное общество "Омское машиностроительное конструкторское бюро". Дата публикации: 2020-07-07.

Method of liquefying natural gas

Номер патента: RU2406949C2. Автор: Моузес МИНТА,Рональд Р. БОУЭН,Джон Б. СТОУН,Кевин Н. СТЭНЛИ,Линда Дж. КОУТ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2010-12-20.

Design of wall flower bed and method of its manufacturing

Номер патента: RU2576058C1. Автор: Таками ИТО,Эрика МИЯДЗАКИ,Мицуйо ООКАВА. Владелец: Мицуйо ООКАВА. Дата публикации: 2016-02-27.

Method of pelleting flax seeds

Номер патента: RU2633540C1. Автор: Мария Анатольевна Выгузова,Владимир Вениаминович Касаткин,Анатолий Борисович Спиридонов,Николай Владимирович Овсянников,Татьяна Сергеевна Копысова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2017-10-13.

Method of die casting

Номер патента: CA1223428A. Автор: Isao Miki,Tsutomu Nagi,Haruyasu Kattoh. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-30.

Method and apparatus for end-to-end welding of lined pipe

Номер патента: WO2002070236A3. Автор: Krist J Mudge Jr,Joseph William Randazzo Jr. Владелец: Weldshield Dev N V. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of manufacturing a structural portion of a construction machine

Номер патента: US5746861A. Автор: Stephane L. Mandon. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Composite heavy-duty bushing and method of making the same

Номер патента: US3770332A. Автор: W Dunn. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 1973-11-06.

Gas injector for a burner in a gas cooking stove and method of manufacture

Номер патента: CA2133029A1. Автор: Jose Antonio Amaya-Orozco,Victor Esquivel-Guerrero. Владелец: Whirlpool Mexico, S.A. De C.V.. Дата публикации: 1995-03-28.

Method of manufacturing catheter for measuring intrauterine pressure or the like

Номер патента: US4356610A. Автор: Edward H. Hon,Carmelo Dali. Владелец: American Home Products Corp. Дата публикации: 1982-11-02.

Method of and apparatus for forming element-free spaces in continuous slide fastener chain with fly strips

Номер патента: CA1251022A. Автор: Shinichi Kojima,Kiichiro Ishikawa. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1989-03-14.

Method of stapling tubular body organs

Номер патента: US4893622A. Автор: David T. Green,Herbert W. Korthoff. Владелец: United States Surgical Corp. Дата публикации: 1990-01-16.

Equipment for a drill pipe string including a side entry sub, a safety member for anchoring a cable on a support, and a method of using the equipment

Номер патента: US4913227A. Автор: Christian Wittrisch. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1990-04-03.

Internal combustion engine block having a cylinder liner shunt flow cooling system and method of cooling same

Номер патента: CA2139106C. Автор: Lawrence C. Kennedy. Владелец: Detroit Diesel Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Streltsov’s method of enhancing the occurrence of the phenomenon of sonoluminescence at the geometric centers of symmetry of the cylindrical or spherical cavity of the emitter

Номер патента: RU2002122072A. Автор: Александр Яковлевич Стрельцов. Владелец: Александр Яковлевич Стрельцов. Дата публикации: 2004-02-20.

A construction machine and method of controlling a construction machine

Номер патента: EP4265842A1. Автор: FRITZ Matthias,René Müller,Manuel Rossa. Владелец: WIRTGEN GMBH. Дата публикации: 2023-10-25.

A construction machine and method of controlling a construction machine

Номер патента: EP4265843A1. Автор: FRITZ Matthias,René Müller,Manuel Rossa. Владелец: WIRTGEN GMBH. Дата публикации: 2023-10-25.

Device for lubrication of control equipment valves at the wellhead

Номер патента: RU2752201C1. Автор: Владимир Борисович Соломахин,Виктор Генадьевич Кузнецов,Виктор Михайлович Матвеев,Олег Вячеславович Сесёлкин,Алексей Николаевич Бескровный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром газобезопасность". Дата публикации: 2021-07-23.

Orientation device for use at the recovery of mitral valve

Номер патента: RU2654001C2. Автор: Джереми Дуглас ДЖАРМЕН,Петер Паул ЗИЛЛА,Томас ГЕРХАРД,Майкл Алан КУЗИНС,Петер Руди ХАУ,Едвард Чарлис МАДЖ,Хизер Маделайн КУМБС,Деон БЕЗУЙДЕНХАУТ. Владелец: Стрэйт Эксесс Текнолоджиз Холдингс (Пти) Лтд. Дата публикации: 2018-05-15.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of treatment of arterial ischemia of the lower extremities at the distal by type of laparoscopic retroperitoneal lumbar sympathectomy

Номер патента: RU2576794C1. Автор: Юрий Владимирович Белов,Владислав Владимирович Комаров,Олег Александрович Виноградов,Андрей Николаевич Дзюндзя,Дмитрий Александрович Ульянов,Амро Зухайр Салах Салех,Анатолий Георгиевич Евдокимов. Владелец: Анатолий Георгиевич Евдокимов. Дата публикации: 2016-03-10.

An Improved Method of and Apparatus for Regulating the Difference of Potential at the Terminals of Dynamo-electric and like Machines.

Номер патента: GB189826257A. Автор: Leon De Coincy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-10-14.

Method of putting into operation of productive reservoirs in wells at the late stage of development

Номер патента: RU2559985C2. Автор: Георгий Николаевич Филиди,Юлий Андреевич Гуторов,Снежанна Николаевна Якунина. Владелец: Юлий Андреевич Гуторов. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of position determination of electronic devices installed without authorization at the facility

Номер патента: RU2558333C1. Автор: Юрий Иванович Стародубцев,Юлия Евгеньевна Савченко,Нина Владимировна Панкова,Елена Валерьевна Сухорукова,Павел Владимирович Закалкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный торгово-экономический университет". Дата публикации: 2015-07-27.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of setting working bodies of self-propelled grain harvesting combine

Номер патента: RU2566052C1. Автор: Юрий Александрович Царев,Денис Владимирович Симон,Елена Юрьевна Адамчукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Донской государственный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

An Improved Method of Keeping Cool the Tuyeres of Blast and like Furnaces and Forges and of Heating the Air or Blast used.

Номер патента: GB190100510A. Автор: William James Foster. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-23.

Catheter for Use in Revascularization Procedures and Method of Using Same

Номер патента: US20120004596A1. Автор: Thomas Jeffrey E.. Владелец: Neurodynamics, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING TRAFFIC INFORMATION WITH TURNING INFORMATION AT INTERSECTIONS

Номер патента: US20120001770A1. Автор: Oh Chi Nam,Kim Tae Soo,Park Sung Hwan,Ma Young Eon,Kim Min Suk. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of creation of oil-free vacuum

Номер патента: RU2099598C1. Автор: В.А. Мальцев. Владелец: Акционерное общество "Нижнетагильский металлургический комбинат". Дата публикации: 1997-12-20.

METHOD FOR PREPARING CONCENTRATED BRUCELLA CELL CULTURE FROM Brucella abortus 19 STRAIN TO PREPARE BRUCELLOUS ANTIGENS, BRUCELLOUS ANTIGENS (THREE VERSIONS), METHOD OF MAKING BRUCELLOSIS DIAGNOSTIC SERUM AND TEST SYSTEM FOR DIAGNOSING BRUCELLOSIS IN ANIMALS (THREE VERSIONS)

Номер патента: RU2593712C2. Автор: Николай Васильевич Мельник,Николай Иванович Зенов,Анатолий Серафимович Тройнин,Аркадий Иванович Климанов,Ирина Юрьевна Литенкова,Елена Николаевна Крюкова,Василий Викторович Ельников,Олег Дмитриевич Скляров,Татьяна Сергеевна Галкина,Дмитрий Сергеевич Сурнев,Вера Федоровна Голдина. Владелец: Федеральное Казенное Предприятие "Щелковский Биокомбинат". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of obtaining fire-extinguishing powder composition

Номер патента: RU2523468C1. Автор: Алексей Владимирович Кунин,Дмитрий Николаевич Лапшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Method of separation of gas-liquid mediums

Номер патента: RU2319533C1. Автор: Талгат Магсумович Магсумов,нов Шамиль Халикович Ахметз,Шамиль Халикович Ахметзянов,Али Адхамовна Акмаева,Алия Адхамовна Акмаева. Владелец: Шамиль Халикович Ахметзянов. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of martensite-aging steels dressing

Номер патента: RU2256709C1. Автор: ев Д.А. Шир,Д.А. Ширяев,Н.П. Глухов,А.К. Калитеевский,Б.В. Афонин,П.В. Воронин,А.Е. Горбачёв,П.И. Пастернак. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Производственное объединение "Электрохимический завод". Дата публикации: 2005-07-20.

Method of protecting power transmission line

Номер патента: RU2585005C1. Автор: Геннадий Васильевич Чирков,Юрий Геннадьевич Чирков,Алексей Геннадьевич Чирков. Владелец: Алексей Геннадьевич Чирков. Дата публикации: 2016-05-27.

Method of wireless transmission of electric energy of high frequency

Номер патента: RU2704602C1. Автор: Игорь Борисович Широков. Владелец: Игорь Борисович Широков. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of selection of cattle in kalmyk breed according to meat productivity

Номер патента: RU2498569C2. Автор: Людмила Гучаевна Моисейкина,Ольга Бекяевна Генджиева,Надежда Васильевна Буваева,Эрдни Александрович Киришов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калмыцкий государственный университет". Дата публикации: 2013-11-20.

METHOD OF CULTIVATING ATHEROSCLEROTIC PLAQUE EXPLANTS ex vivo

Номер патента: RU2515371C1. Автор: Анна Михайловна Лебедева,Оксана Ивановна Иванова,Елена Юрьевна Васильева,Галина Сергеевна Шагиева,Александр Вадимович Шпектор. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный медико-стоматологический университет имени А.И. Евдокимова" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации. Дата публикации: 2014-05-10.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

Method of preparing applied catalysts by method of pulse surface thermal synthesis

Номер патента: RU2549906C1. Автор: Юлия Сергеевна Котолевич,Павел Григорьевич Цырульников,Андрей Николаевич Загоруйко,Сергей Алексеевич Лопатин,Светлана Сергеевна Сигаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of gas cooling

Номер патента: RU2466335C1. Автор: Александр Владимирович Гурьянов. Владелец: Тюкульмин Сергей Николаевич. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of machine milking of cows

Номер патента: RU2423046C2. Автор: Юрий Алексеевич Цой,Анатолий Иванович Зеленцов,Алексей Михайлович Седов,Анна Казимировна Гиллих,Равза Анвяровна Мамедова,Юрий Алексеевич Цой (RU),Анатолий Иванович Зеленцов (RU),Алексей Михайлович Седов (RU),Анна Казимировна Гиллих (RU),Равза Анвяровна Мамедова (RU). Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2011-07-10.

Immunocorrecting agent and method of immunocorrection

Номер патента: RU2138271C1. Автор: Ю.А. Новицкий,Владимир Владимирович Плетнёв,А.Ф. Лаптев,В.Ф. Лаптев. Владелец: Владимир Владимирович Плетнёв. Дата публикации: 1999-09-27.

Method of obtaining medicine with hypoglycemic effect

Номер патента: RU2332225C2. Автор: Иван Сергеевич Иванов,Ефим Авраамович Краснов,Тать на Витальевна Якимова,Татьяна Витальевна Якимова,Марина Григорьевна Винокурова. Владелец: Марина Григорьевна Винокурова. Дата публикации: 2008-08-27.

Method of decametric radio communication with high-speed data transmission

Номер патента: RU2608567C2. Автор: Борис Григорьевич Шадрин. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2017-01-23.

Method of cast iron and anthracite oxide materials cupola heat

Номер патента: RU2350659C1. Автор: Иван Филиппович Селянин,нин Иван Филиппович Сел,Виктор Иванович Клопов,Сергей Александрович Бедарев,Андрей Владимирович Феоктистов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2009-03-27.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

METHOD OF ONE-SINGED DERMATO-TENOPLASTY IN THE SKIN-TENOSIS DEFECTS OF THE BACK SURFACE OF THE BRUSH

Номер патента: RU2004114563A. Автор: Николай Михайлович Александров,Сергей Александрович Петров,Николай Вадимович Митрофанов,Сергей Георгиевич Загрядский,Сергей Александрович Петров (RU),Николай Михайлович Александров (RU),дский Сергей Георгиевич Загр (RU),Николай Вадимович Митрофанов (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Нижегородский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии Федерального агенства по здравоохранению и социальному развитию" (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

Method of and system for getting semiconductor devices of improved properties and preliminary selection of avalanche devices

Номер патента: PL131247B1. Автор: Henryk Rzepa,Jerzy Kuchta. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1984-10-31.

METHOD OF FORMING A THROUGH-SILICON VIA UTILIZING A METAL CONTACT PAD IN A BACK-END-OF-LINE WIRING LEVEL TO FILL THE THROUGH-SILICON VIA

Номер патента: US20120315753A1. Автор: Farooq Mukta G.,Graves-Abe Troy Lawrence. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

The method of cleaning the concrete from the concrete mix at the time of the break in the concrete pump

Номер патента: SU80113A1. Автор: Т.И. Шаповалов. Владелец: Т.И. Шаповалов. Дата публикации: 1948-11-30.

Liquid resin composition, semiconductor chip with an adhesive layer, method of producing such materials, and semiconductor devices

Номер патента: SG182978A1. Автор: Masuda Takeshi,Kagimoto Tomohiro,Shuey Seng LOW,Ohkubo Hikaru. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-30.

Improvements in or relating to methods of and devices for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: AU4298064A. Автор: Bernardus Maria Spaapen Joseph. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-10-14.

Method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices employing a cadmium impurity metal jet-plating solution

Номер патента: AU251530B2. Автор: Luther Schradle and John George Janes George. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-04-26.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU250167B2. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices employing a cadmium impurity metal jet-plating solution

Номер патента: AU355961A. Автор: Luther Schradle and John George Janes George. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-04-26.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA661914A. Автор: L. Schnable George,G. Javes John. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-04-23.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU516561A. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA731334A. Автор: J. Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-03-29.

Method of preventing from discharging two pieces of paper money at the same time

Номер патента: TWI284292B. Автор: Hung-Yi Chang,Chih-Ching Liao,Ting-Kuo Lin. Владелец: Int Currency Tech. Дата публикации: 2007-07-21.

Method of diminishing deformation of roof supports in areas of at-the-longwall galleries being influenced by phenomena occuring at headings

Номер патента: PL254901A1. Автор: Zygmunt Nowak,Romuald Student,Zygmunt Jogoda,Erwin Zmuda,Aleksander Cwieczek. Владелец: Zabrzanskie Gwarectwo Weglowe. Дата публикации: 1987-02-23.

Method of preventing from discharging two pieces of paper money at the same time

Номер патента: TW200701118A. Автор: Hung-Yi Chang,Chih-Ching Liao,Ting-Kuo Lin. Владелец: Int Currency Tech. Дата публикации: 2007-01-01.

Method of reclaiming noble metals from semiconductor devices

Номер патента: PL246816A1. Автор: Urszula Wnuk,Zdzislaw Albinowski,Zbigniew Lukawski,Alina Sabisz,Wieslaw Boule. Владелец: Naukowo Prod Ct Polprzewodniko. Дата публикации: 1985-09-24.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU210578B2. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU251798B2. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU878361A. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Method of manufacturing gate electrode in semiconductor device

Номер патента: TW379373B. Автор: Jia-Shuen Shiau. Владелец: Maodeh Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU1052355A. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Method of manufacturing SOI substrate and semiconductor device

Номер патента: TW492048B. Автор: Nobuyoshi Hattori. Владелец: Yamakawa Satosh. Дата публикации: 2002-06-21.

Method of treatment of the carbonic nanotubes

Номер патента: RU2296046C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Николай Николаевич Колесников,Виталий Владимирович Кведер. Владелец: ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН. Дата публикации: 2007-03-27.

Method of recovery of vanadium from titanium-vanadium slag

Номер патента: RU2365649C1. Автор: Юрий Витальевич Макаров,Гусейнгулу Бахлул оглы Садыхов,Галина Григорьевна Самойлова,Владимир Григорьевич Мизин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ариком". Дата публикации: 2009-08-27.

Stuffing tool at the front and back end of the installation pipe of telecommunication cable and power distribution

Номер патента: TW435889U. Автор: Kai-Feng Ye. Владелец: Ye Kai Feng. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of reservoirs calibration

Номер патента: RU2327118C2. Автор: Владимир Иванович Кабанов,Олег Владиславович Молчанов,Виктор Константинович Науменко,Максим Славкович Бобак,Сергей Васильевич Сорока,Сергей Викторович Старый. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "25 Государственный научно-исследовательский институт Министерства обороны Российской Федерации (по применению топлив, масел, смазок и специальных жидкостей - ГосНИИ по химмотологии)". Дата публикации: 2008-06-20.

Method of processing in oxygen converter of low-siliceous vanadium-bearing molten metal

Номер патента: RU2566230C2. Автор: Леонид Андреевич Смирнов,Виктор Аркадьевич Ровнушкин,Андрей Леонидович Смирнов. Владелец: Андрей Леонидович Смирнов. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of regulating output voltage of controlled rectifier at basis of transformer with rotating magnetic field

Номер патента: RU2641662C2. Автор: Илья Юрьевич Кузьмин,Михаил Михайлович Музыка,Сергей Владимирович Платоненков,Игорь Александрович Сакович,Александр Иванович Черевко. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова" (САФУ). Дата публикации: 2018-01-19.

Method of diversion device protection against icing

Номер патента: RU2421581C1. Автор: Евгений Александрович Оленев. Владелец: Евгений Александрович Оленев. Дата публикации: 2011-06-20.

Method of isolation of the water influx in the hole

Номер патента: RU2325507C2. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Фанзат Завдатович Исмагилов,Раис Салихович Хисамов,Руслан Владимирович Крючков,Владимир Иванович Крючков,Александр Максимович Зотов,Александр Леонидович Маркелов,Вячеслав Иванович Гордеев,Анатолий Николаевич Правдюк,Анатолий Филиппович Харланов,Галлия Исхаковна Губеева,Наиль Габдулбариевич Ибрагимов (RU),Раис Салихович Хисамов (RU),Александр Максимович Зотов (RU),Фанзат Завдатович Исмагилов (RU),Владимир Иванович Крючков (RU),Анатолий Николаевич Правдюк (RU),Александр Леонидович Маркелов (RU),Анатолий Филиппович Харланов (RU),В чеслав Иванович Гордеев (RU),Руслан Владимирович Крючков (RU),Галли Исхаковна Губеева (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-05-27.

Method of copying data in cache memory and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2504000C1. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Наталья Владимировна Николина,Михаил Евгеньевич Барских. Владелец: Открытое акционерное общество "КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "КОРУНД-М" (ОАО КБ "КОРУНД-М"). Дата публикации: 2014-01-10.

Method of granular materials treatment

Номер патента: RU2333036C1. Автор: Виктор Иванович Пахомов,Олег Александрович Морозов,Анатолий Васильевич Смоленский,Петр Алексеевич Чапский,Михаил Филиппович Воскобойник,Владимир Дмитриевич Каун. Владелец: Государственное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-технологический институт механизации и электрификации сельского хозяйства" (ГНУ "ВНИПТИМЭСХ"). Дата публикации: 2008-09-10.

Method of producing nanocapsules of gibberellic acid in agar agar

Номер патента: RU2598260C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2016-09-20.

High-speed railroad and method of its operation (versions)

Номер патента: RU2363801C2. Автор: Александр Тихонович Зиньковский. Владелец: Александр Тихонович Зиньковский. Дата публикации: 2009-08-10.

Method of gas thermal spraying of polymer coating on metal products and structures

Номер патента: RU2545301C1. Автор: Александр Сергеевич Денисов,Анатолий Петрович Пичугин,Максим Олегович Батин,Владимир Федорович Хританков,Виктор Владимирович Банул. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2015-03-27.

Method of making a helically corrugated tube

Номер патента: CA1112031A. Автор: Mario L. D'onofrio. Владелец: SPIRAL TUBING CORP. Дата публикации: 1981-11-10.

TEMPERATURE SENSOR, METHOD OF MANUFACTURING THE TEMPERATURE SENSOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120176835A1. Автор: TANAKA Yoshitsugu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-07-12.

The method of determining the phase angle of the voltage vectors at the terminals and the electromotive force of the idling of synchronous machines

Номер патента: SU51761A1. Автор: Л.И. Гутепмахер. Владелец: Л.И. Гутепмахер. Дата публикации: 1936-11-30.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120049171A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

SOI SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120193714A1. Автор: . Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD OF FORMING MICROPATTERN, METHOD OF FORMING DAMASCENE METALLIZATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FABRICATED USING THE SAME

Номер патента: US20130012023A1. Автор: Choi Gil-heyun,Lee Jong-Myeong,Park In-Sun,Park Ji-Soon,Hong Jong-Won,Kim Hei-seung. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

METHODS OF FORMING HYDROPHOBIC SURFACES ON SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Raghu Prashant,Laboriante Ian C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

Vertical type semiconductor device and method of manufacturing a vertical type semiconductor device

Номер патента: US20120028428A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120086015A1. Автор: Akita Katsushi,UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Kyono Takashi,Sumitomo Takamichi,Nakamura Takao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120106246A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF SENSING DATA OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120140545A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120268159A1. Автор: Cho Yong Min,Lee Dong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE PHASE CHANGE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120273745A1. Автор: . Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF FABRICATING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Akita Katsushi,UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Kyono Takashi,Sumitomo Takamichi,Nakamura Takao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

CONDUCTION PATH, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTION PATH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299166A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD OF THE TRANSISTOR AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319108A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130009202A1. Автор: Nakajima Hiroshi,UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Kyono Takashi,Sumitomo Takamichi,YANASHIMA Katsunori,TASAI Kunihiko. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20140117533A1. Автор: Liu Chung-Shi,Kuo Hung-Jui,Lei Yi-Yang,CHEN Yu-Ren,Yeh Szu-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Radio-wave method of detecting objects

Номер патента: RU2557467C2. Автор: Евгений Юрьевич Андрианов. Владелец: Евгений Юрьевич Андрианов. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of treatment of injure of tendons of fingre bender at the level of middle phalanx

Номер патента: SU1512578A1. Автор: Михаил Григорьевич Диваков. Владелец: Витебский медицинский институт. Дата публикации: 1989-10-07.

Method of munufacturing semiconductor substrate and semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: JP2007227605A. Автор: Teruo Takizawa,照夫 瀧澤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-06.

Manufacturing method of semiconductor mixed crystal layer, semiconductor device and semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4048695B2. Автор: 雅芳 角野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

Ion beam microfabrication method of inorganic multilayer resist and semiconductor device, quantum device, micromachine component and microstructure by this method

Номер патента: JP4052430B2. Автор: 康 浅岡,直克 佐野,忠昭 金子. Владелец: New Industry Research Organization NIRO. Дата публикации: 2008-02-27.

Method of forming contact electrode of semiconductor device and method of forming contact electrode of phototransistor

Номер патента: JP3377727B2. Автор: 幹雄 毛利. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.