Method for controlling the dishing problem associated with chemical-mechanical planarization (cmp) during manufacture of copper multilayer interconnection structures in ultra large-scale integrated circuits (ulsi)
Номер патента: US20080032606A1
Опубликовано: 07-02-2008
Автор(ы): BO LIU, Bomei TAN, Xihui ZHANG, Xinhuan NIU, Yahong WU, Yuling Liu
Принадлежит: BO LIU, NIU Xinhuan, Tan Bomei, Wu Yahong, Yuling Liu, Zhang Xihui
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2008
Автор(ы): BO LIU, Bomei TAN, Xihui ZHANG, Xinhuan NIU, Yahong WU, Yuling Liu
Принадлежит: BO LIU, NIU Xinhuan, Tan Bomei, Wu Yahong, Yuling Liu, Zhang Xihui
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High oxide film removal rate shallow trench (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing
Номер патента: US12091581B2. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Mark Leonard O'Neill,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-17.