Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of fabricating thin film transistor substrate and photoresist composition used therein

Method of fabricating thin film transistor substrate and photoresist composition used therein

Номер патента: KR101661695B1
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): 김동민, 김병욱, 신재호, 이원영, 이희국, 전우석, 정양호
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating thin film transistor substrate and negative photoresist composition used therein

Номер патента: US20100203449A1. Автор: Hi-Kuk Lee,Byung-Uk Kim,Hyoc-Min Youn,Ki-Hyuk Koo,Yeong-Beom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns

Номер патента: US09482945B2. Автор: Deyan Wang,Cecily Andes,Jong Keun Park,Christopher Nam LEE. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

A composition for oxide semiconductor, preparation methods thereof, methods of forming the oxide semiconductor thin film, methods of fomring an electrical device and an electrical device formed thereby

Номер патента: KR101415748B1. Автор: 김현재,김동림,임현수,임유승. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-06.

Gas permeable superstrate and methods of using the same

Номер патента: US20200286740A1. Автор: Weijun Liu,Fen Wan,James P. De Young. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of duplicating plastics information carriers,as well as a moulding resin,substrate and die used in said method

Номер патента: ZA775429B. Автор: A Veld,A Broek,G Lippits,R Dijkstra,J Jonge. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1979-04-25.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6641984B2. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Frame plating method and method of forming magnetic pole of thin film magnetic head

Номер патента: JP3355175B2. Автор: 聡史 上島. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of coplanar oxide semiconductor TFT (Thin Film Transistor) substrate

Номер патента: CN104112711B. Автор: 曾志远,李文辉,张合静,苏智昱,吕晓文,石龙强,胡宇彤. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-03.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20130130163A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: WO2009023479A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-02-19.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20110256644A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of forming photomasks and photomasks formed by the same

Номер патента: US20130122404A1. Автор: Sang Hyun Kim,Donggun Lee,Jongju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-16.

Manufacture methods of thin film transistor and array substrate, and mask

Номер патента: KR101344980B1. Автор: 웨이펑 죠우,지엔셔 쉬에. Владелец: 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-12-24.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858256B1. Автор: 양진석,이경호,김성훈. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR20130047331A. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2013-05-08.

a manufacturing method of a photo-mask for thin film transistor panels

Номер патента: KR100601174B1. Автор: 김동규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858257B1. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Growth inhibitor for forming pellicle-protective thin film, method of forming pellicle-protective thin film using growth inhibitor, and mask fabricated by method

Номер патента: US20230251565A1. Автор: Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seung Chul DO,Ho Lim WANG. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

EUVL reflection device, method of fabricating the same, and mask, projection optics system and EUVL apparatus using the EUVL reflection device

Номер патента: US20070031741A1. Автор: Hoon Kim,I-hun Song,Young-soo Park,Suk-pil Kim,Seung-hyuk Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-08.

Controlling method of the thickness of a thin film when forming that film

Номер патента: EP0451329B1. Автор: Susumu Komoriya,Masataka Shiba,Yashuhiko Hachimanyama Apt. 233 Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-01-28.

PHOTORESIST STRIPPING APPARATUS, AND METHODS OF STRIPPING PHOTORESIST AND FORMING THIN FILM PATTERN USING THE SAME

Номер патента: US20180203360A1. Автор: Kim Sung Chul,JEONG Beung Hwa,Choung Jong Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Mask and fabrication method thereof, and method of patterning by using mask

Номер патента: US9488917B2. Автор: HONGLIANG Liu,Dawei Shi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming patterns

Номер патента: US20210104409A1. Автор: You Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240282582A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chun-Wei Chang,Wei-Chao Chiu,Yong-Jin LIOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns

Номер патента: US09482948B2. Автор: Deyan Wang,Rosemary Bell,Young Cheol Bae,Thomas Cardolaccia,Seokho KANG. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09502444B2. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US20200006660A1. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of fabricating metal mask and metal mask

Номер патента: US20230067548A1. Автор: Yu-Wei Chang,Jen-Shun Lin,Yun-Pei Yang. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US10726966B2. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US6746942B2. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20050104125A1. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing of amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device

Номер патента: US09454049B2. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US10186616B2. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Thin film transitor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170194482A1. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Thin film solar cells on flexible substrates and methods of constructing the same

Номер патента: US09590133B1. Автор: Roger E. Welser,Ashok K. Sood. Владелец: Magnolia Solar Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Ink droplet volume measuring apparatus and ink droplet volume measuring method using the same, and thin film layer forming apparatus using the measuring apparatus, and manufacturing method of display apparatus using the thin film layer forming apparatus

Номер патента: US20240251648A1. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor (tft) array substrates and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180331132A1. Автор: Mian Zeng,Xiaodi LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of making device containing at least one electronic element associated with substrate and antenna

Номер патента: RU2685973C2. Автор: Франсуа ДРО. Владелец: Нид Са. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of allocating widths for target signal lines, wiring substrate, light-emitting substrate and display device

Номер патента: US20240243241A1. Автор: Jie Wang,Jiawei XU,Zouming Xu,Xintao Wu,Ningyu Luo,Tingwei Han. Владелец: Hefei BOE Ruisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film transistor (tft) array substrate and display panel

Номер патента: US20210335832A1. Автор: Chaode MO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of manufacturing air blown optical fiber unit for preventing of deterioration of characteristics in coating layer and gas chamber used therein

Номер патента: WO2006062282A1. Автор: Chan-Yong Park. Владелец: LS CABLE LTD.. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a multiple track thin film recording head

Номер патента: US5546650A. Автор: Richard H. Dee. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Metal chalcogenide thin film, thin-film transistor including the same, and method of manufacturing the thin-film transistor

Номер патента: US20240128421A1. Автор: Hyungjun Kim,Junhyung LIM,Ao LIU,Yongyoung NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

In-cell touch liquid crystal display apparatus, method of manufacturing the same, method of manufacturing thin film transistor array substrate, and method of manufacturing color filter array substrate

Номер патента: US09778529B2. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TW200403861A. Автор: Yoshio Kurosawa,Kazushige Hotta. Владелец: Fujitsu Display Tech. Дата публикации: 2004-03-01.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09423662B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09893205B2. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor

Номер патента: US09640556B2. Автор: Hiroshi Goto,Mototaka Ochi,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of pixel structure

Номер патента: US20140030831A1. Автор: Chih-Hung Lin,Wu-Liu Tsai,Chuan-Sheng Wei,Maw-Song Chen,Chau-Shiang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of pixel structure

Номер патента: US09356208B2. Автор: Chih-Hung Lin,Wu-Liu Tsai,Chuan-Sheng Wei,Maw-Song Chen,Chau-Shiang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-31.

Thin film transistor, array substrate and method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US09502436B2. Автор: ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multilayer film optical filter, method of producing the same, and optical component using the same

Номер патента: EP1333298A3. Автор: Hitoshi Alps Electric Co. Ltd. Kitagawa,Takashi Alps Electric Co. Ltd. Hatanai,Yuichi Alps Electric Co. Ltd. Umeda,Shigefumi Alps Electric Co. Ltd. Sakai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-13.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09905705B2. Автор: Qi Yao,Wei Zhang,Bin Zhang,Chuanxiang XU,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing large-sized thin film transistor liquid crystal display panel

Номер патента: US5472889A. Автор: Dong G. Kim,Chul S. Park,Sin C. Park,Hyung M. Park,Gyeong L. Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-12-05.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of analyzing strain of thin film by using stc method

Номер патента: US20210372869A1. Автор: Wonjae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754979B2. Автор: JING Yang,Xuehui Zhang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TWI315103B. Автор: Hotta Kazushige,Kurosawa Yoshio. Владелец: Sharp Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Ferroelectric thin film, method of manufacturing same and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US09705070B2. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing palladium thin film by using electroless-plating method

Номер патента: US09631280B2. Автор: Young Kwan CHO,Kuan Soo SHIN. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-04-25.

Lead salt thin films, devices, and methods of manufacture

Номер патента: US20230087030A1. Автор: Binbin Weng. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2023-03-23.

Preparation method and application of nano-modified graphene-based thin-film sensor

Номер патента: LU503607B1. Автор: Haidan Lin. Владелец: Electric Power Res Institute Of Jilin Electric Power Co Ltd Jilin China. Дата публикации: 2023-09-12.

Touch panel, method of producing the same, optical thin film substrate and method of producing the same

Номер патента: US09891731B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Toshihiro Suzuki,Makoto Arai,Manabu Harada,Masashi Kubo,Atsuhito Ihori,Hidenori Yanagitsubo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film polarizer having superior optical properties, manufacturing method thereof, and polarizing plate and display device including the same

Номер патента: US09684104B2. Автор: Sung-Hyun Nam,Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Fabrication method of polycrystalline silicon TFT

Номер патента: US20040248422A1. Автор: Sang Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20170133515A1. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20160033800A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

In-Cell Touch Liquid Crystal Display Apparatus, Method of Manufacturing the Same, Method of Manufacturing Thin Film Transistor Array Substrate, and Method of Manufacturing Color Filter Array Substrate

Номер патента: US20180004056A1. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Polishing method of soft magnetic layer in thin-film magnetic head, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070230064A1. Автор: Hiroshi Kamiyama,Hiroshi Yamazaki,Makoto Hasegawa,Atsuhiro Nonaka,Teruhisa Shindo,Kazukiko Maejima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Angle-resolved spectroscopic ellipsometer using spatial light modulator and thickness measuring method for thin film

Номер патента: US20240369473A1. Автор: Min Gyu Kim,Heui Jae Pahk. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-11-07.

Patterning method of transparent conductivity film and thin film transistor substrate for display device using the same and fabricating method thereof

Номер патента: KR100538326B1. Автор: 안병철. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device

Номер патента: US7400365B2. Автор: Eiji Shibata,Toshio Araki,Kazunori Inoue,Nobuaki Ishiga,Fumihiro Gotoh,Hiroyasu Itoh,Masanao Nabeshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Poly silicon thin film transistor and method of fabricating thereof in thin film transisor array panel

Номер патента: KR100900543B1. Автор: 정우석,황장원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-06-02.

A contact structure of a wires and a method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010105973A. Автор: 김상갑. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of fabricating of a thin film transistor

Номер патента: KR100541532B1. Автор: 황용섭,김진욱. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US11004659B2. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-11.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09355669B2. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of forming top gate type Thin Film Transistor substrate

Номер патента: KR100697262B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of fabricating substrate for thin film transistor

Номер патента: KR101626362B1. Автор: 서성모,조기술. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2016-06-02.

Thin film transistor and manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: US20210343875A1. Автор: Jun Wang,Yongliang Zhao,Seung Moo Rim,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Low-latency thin film transistor, array substrate, and display panel

Номер патента: US20220130874A1. Автор: Ilgon KIM,Bangyin PENG,Munan Lin. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20230141490A1. Автор: Zhou Rui,Li Tian,Peng Jiang,Chunxu ZHANG,Yuntian Zhang,Haipeng Yang,Ke Dai,Zhonghou WU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: US11837665B2. Автор: Jun Wang,Yongliang Zhao,Seung Moo Rim,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210013435A1. Автор: Kim Joo Young,PARK Jeong II,JUNG Jiyoung,SONG Byong Gwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of measuring electroconductivity of thin metal films

Номер патента: RU2697473C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Сергей Федорович Дмитриев,Владимир Николаевич Маликов,Александр Олегович Катасонов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-14.

Method of manufacturing a spectacle lens

Номер патента: EP4228878A1. Автор: Michel-Rene Christmann,Christian Lischer,Andreu Llobera Adan,Yujing Liu,Waiz Karim,Maximilian Kastner. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-08-23.

Thin film envelope

Номер патента: US09604215B2. Автор: Donato Pompa. Владелец: Premier Lab Supply Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and array substrate and display device using the same

Номер патента: US9905580B2. Автор: Fangzhen Zhang,Mingchao Li,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film circuit connections

Номер патента: WO2006136984A3. Автор: Martin J Edwards. Владелец: Martin J Edwards. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing a spectacle lens

Номер патента: US20230341706A1. Автор: Michel-Rene Christmann,Christian Lischer,Andreu Llobera Adan,Yujing Liu,Waiz Karim,Maximilian Kastner. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-10-26.

Optical thin film having metal layer containing silver and high standard electrode potential metal

Номер патента: US11747520B2. Автор: Yuichiro Itai,Seigo Nakamura,Kenichi Umeda,Tatsuya YOSHIHIRO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Imaging system and method of manufacturing a metalens array

Номер патента: US12050327B2. Автор: Wayne Mcmillan,Ludovic Godet,Jinxin FU,Tapashree Roy,Robert J Visser. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: AU2003269049A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-02.

Preparation method of graphene conductive film and thin film transistor

Номер патента: CN110323270B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Method of fabricating polycrystalline silicon thin film for improving crystallization characteristics and method of fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US8119469B2. Автор: Sang Hyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: CN100480420C. Автор: 郑宽旭,梁成勋,洪完植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-22.

Method of manufacturing air blown optical fiber unit for preventing of deterioration of characteristics in coating layer and gas chamber used therein

Номер патента: GB2434924B. Автор: Chan-Yong Park. Владелец: L S Cable Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

Method of forming a conductive pattern, method of manufacturing a display substrate using the method, and display substrate

Номер патента: US9318515B2. Автор: Yong-Su Lee,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Hyung-Bin CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Substrate-bonding device and method of the same

Номер патента: US09884452B2. Автор: Ching-Chih Chen,Lin-Huei Wang,Ying-Cheng Chen,Lai-Peng Lai. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09323081B2. Автор: Naoya Kubota. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Method of forming a conductive pattern, method of manufacturing a display substrate using the method, and display substrate

Номер патента: US09318515B2. Автор: Yong-Su Lee,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Hyung-Bin CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of making thin-film humidity sensor

Номер патента: RU2682259C1. Автор: Иван Михайлович Филиппов,Павел Васильевич Винокуров,Айыысхан Иванович Алексеев,Альберт Николаевич Капитонов,Светлана Афанасьевна Смагулова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-03-18.

Method of manufacturing quantum-dot thin film, quantum-dot substrate, and display panel

Номер патента: US20230407512A1. Автор: Lixuan Chen,Jinyang ZHAO,Zhiqing Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing electronic device, electronic apparatus, and mobile apparatus

Номер патента: US09660176B2. Автор: Hideo Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

A kind of integrated device and preparation method of pliable pressure sensor and thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN105841849B. Автор: 周涛,全勇,陈志�,刘腾飞,魏雄邦,肖伦. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-15.

Electrochromic thin film transistors using functionalized substrates and method of manufacturing same

Номер патента: EP2416390B1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato. Владелец: FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA. Дата публикации: 2015-07-15.

Multilayer film optical filter, method of producing the same, and optical component using the same

Номер патента: EP1333298A2. Автор: Hitoshi Alps Electric Co. Ltd. Kitagawa,Takashi Alps Electric Co. Ltd. Hatanai,Yuichi Alps Electric Co. Ltd. Umeda,Shigefumi Alps Electric Co. Ltd. Sakai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-06.

Method of fabricating optical nonlinear thin film waveguide and optical nonlinear thin film waveguide

Номер патента: AU740686B2. Автор: Akira Ikushima,Takumi Fujiwara,Osamu Komeda. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of fabricating optical nonlinear thin film waveguide and optical nonlinear thin film waveguide

Номер патента: EP1063557A4. Автор: Akira Ikushima,Takumi Fujiwara,Osamu Komeda. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of forming top gate type Thin Film Transistor

Номер патента: KR100697263B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-21.

Methods of manufacturing interferometric modulators with thin film transistors

Номер патента: US20070275491A1. Автор: Clarence Chui,Stephen Zee. Владелец: IDC LLC. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of recording electrical signals

Номер патента: GB940096A. Автор: . Владелец: Gretag AG. Дата публикации: 1963-10-23.

Method of forming Polycrystalline Silicon type Thin Film Transistor

Номер патента: KR100737910B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-10.

Thin film pretreatment for memory disks and associated methods

Номер патента: US5747135A. Автор: Dhruba J. Chakrabarti,Richard A. Hoffman,Craig L. Jensen. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of manufacturing low temperature poly-silicon array substrate, array substrate, and display panel

Номер патента: US20180182865A1. Автор: Wanting YIN,Xiaodan HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of fabricating an improved thin film device having a small element with well defined corners

Номер патента: US6178066B1. Автор: Ronald A. Barr. Владелец: Read Rite Corp. Дата публикации: 2001-01-23.

Method of fabricating a tubular thin-film memory device

Номер патента: US3407492A. Автор: William W Davis. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1968-10-29.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US11677063B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-06-13.

TFT array substrate and display panel

Номер патента: US11289514B2. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Fabrication of nanostructured palladium thin film for electrochemical detection of hydrazine

Номер патента: US20200274135A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US20220376221A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-24.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: WO2022232674A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Tft array substrate and display panel

Номер патента: US20210408071A1. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

THIN FILM TRANSISTOR (TFT) ARRAY SUBSTRATES AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180331132A1. Автор: LIU Xiaodi,Zeng Mian. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Thin film transistor (TFT), array substrate and preparation method thereof and display device

Номер патента: CN104979406B. Автор: 王磊,袁广才,彭俊彪,闫梁臣,徐晓光,兰林锋. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-25.

Thin film transistor (TFT) array substrate and making method thereof

Номер патента: CN102269900B. Автор: 薛建设,刘圣烈,刘翔. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Thin film transistor (TFT), array substrate and display device

Номер патента: CN207458949U. Автор: 赵永亮,王骏,林承武,黄中浩. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components

Номер патента: US20110008915A1. Автор: Jason Reid,Jean Pierre Nozieres. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-01-13.

Thin film transistor and array substrate, and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: EP3333900A4. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-04-10.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US11705550B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-07-18.

Medical apparatus and method of manufacturing medical apparatus

Номер патента: US11982846B2. Автор: Yuichi Yamada,Kohtaro Amano. Владелец: SONY OLYMPUS MEDICAL SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-05-14.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US20220367844A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-17.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US20190122862A1. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-04-25.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

Magnetoresistive thin film magnetic element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head including the magnetoresistive thin film magnetic element

Номер патента: JP3607850B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

Soft magnetic film, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head using the soft magnetic film

Номер патента: JP3396455B2. Автор: 光雄 川崎,久幸 矢澤,吉弘 金田,光博 後藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

Thin film coil and method of forming the same, and thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7319572B2. Автор: Fujimi Kimura,Daisuke Iitsuka. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-01-15.

Cover method of thin film recording head and method of providing bonding pad on thin film recording head

Номер патента: JPH11328618A. Автор: Wei Pan,ウェイ・パン,Ann Kang,アン・カン,Jerome Marcelino,ジェローム・マルセリノ. Владелец: MKE QUANTUM COMPONENTS LLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Implantable thin-film probes

Номер патента: US20200187862A1. Автор: Yuan Wang,Quan Qing,Xiangbing JIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device

Номер патента: US20040180602A1. Автор: Masaaki Hiroki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Ferroelectric thin-film element, sensor, and method for making the ferroelectric thin-film element

Номер патента: US20010042877A1. Автор: Katsuhiko Tanaka,Xiao-min Li. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

TOUCH PANEL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, OPTICAL THIN FILM SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160109971A1. Автор: Suzuki Toshihiro,Kubo Masashi,Matsumoto Masahiro,HARADA Manabu,ARAI Makoto,IHORI Atsuhito,YANAGITSUBO Hidenori. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Structure for thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head

Номер патента: JP5005274B2. Автор: 芳高 佐々木,浩幸 伊藤,和夫 石崎,雄大 堀中. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-08-22.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6558516B1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of determining properties of patterned thin film metal structures using transient thermal response

Номер патента: EP1573267A1. Автор: Michael Gostein,Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of accurately measuring compositions of thin film shape memory alloys

Номер патента: US6620634B2. Автор: A. David Johnson,Valery Martynov. Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2003-09-16.

For the preparation method of the silver/titanium dioxide thin-film material of blue light Hologram Storage

Номер патента: CN104810031B. Автор: 韩强,刘益春,张昕彤,付申成. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin-film platinum thermistor on glass substrate and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2736630C1. Автор: Игорь Иванович Гончар,Лариса Евгеньевна Кадина,Владимир Константинович Фюков. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2020-11-19.

NTC thermistor, chip type NTC thermistor, and method of manufacturing temperature-sensitive resistive thin-film element

Номер патента: JP3489000B2. Автор: 賢二良 三原,祐一 高岡. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-19.

Substrate, method of manufacturing the same, and thin film structure

Номер патента: JPWO2003012853A1. Автор: 牧夫 堀川,美香 奥村,清志 石橋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of manufacturing a combination type thin film magnetic head

Номер патента: US6296776B1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Rapid Deposition and Substrate Cleaning Apparatus and Method of High-Quality Amorphous Silicon Thin Films for TFT-LCD Using Pulsed ECR Plasma

Номер патента: KR970060411A. Автор: 박상국,이주현,정동근,심천만,박성,이강렬. Владелец: 박성. Дата публикации: 1997-08-12.

Optical data recording medium and method of manufacturing the same

Номер патента: US5085910A. Автор: Masahiro Suzuki,Seiichi Matsushima,Yasuyuki Mori,Masahide Yagi. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1992-02-04.

Patterned magnetic recording medium and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080144217A1. Автор: Jin-Seung Sohn,Chee-kheng Lim,Myung-bok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of manufacturing a spectacle lens

Номер патента: US11899287B2. Автор: Michel-Rene Christmann,Christian Lischer,Andreu Llobera Adan,Yujing Liu,Waiz Karim,Maximilian Kastner. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-02-13.

Imaging system and method of manufacturing a metalens array

Номер патента: WO2020247172A1. Автор: Wayne Mcmillan,Ludovic Godet,Jinxin FU,Robert J. Visser,Tapashree Roy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of repairing flat panel display device

Номер патента: US20070139607A1. Автор: Oh-Nam Kwon,Seung-hee Nam. Владелец: Zimmer Spine Austin Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Imaging system and method of manufacturing a metalens array

Номер патента: EP3980838A1. Автор: Wayne Mcmillan,Ludovic Godet,Jinxin FU,Robert J. Visser,Tapashree Roy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Method of manufacturing a diffractive grating

Номер патента: EP3631534A1. Автор: Juuso Olkkonen,Ismo Vartiainen,Jussi RAHOM KI. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2020-04-08.

Method of manufacturing a diffractive grating

Номер патента: WO2018220264A1. Автор: Juuso Olkkonen,Ismo Vartiainen,Jussi Rahomäki. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2018-12-06.

Flat Panel Display Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130270580A1. Автор: Hyo Dae Bae,Sang Kyu Lee,Chang Nam Kim,Joon Won Park,Kwang Su Lim,Bong Ki CHOI,Kyung Joon YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Sputtering method for forming magnetic thin film on both sides of substrate and mechanism for implementing the same

Номер патента: KR970030379A. Автор: 나오키 야마다,나오키 와타나베,다카키 구리타. Владелец: 아네루바 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-06-26.

Method of inspecting an electronic state of a surface of a semiconductor substrate and inspecting apparatus therefor

Номер патента: KR940010642B1. Автор: 아키라 우사미,카즈노리 마츠기,츠토푸 다케우치. Владелец: 다이닛뽕 스쿠린 세이소오 가부시키가이샤. Дата публикации: 1994-10-24.

The method of process soda lime silica glass baseplate surface, surface-treated glass substrate and use its device

Номер патента: CN103313950B. Автор: 斯科特·V·汤姆森. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2015-09-30.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Apparatus for and method of crystallizing active layer of thin film transistor

Номер патента: US09620361B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Joo-Woan Cho,Byoung-Ho Cheong,Sang-hoon Ahn,Byoung-Kwon Choo,Soo-Yeon Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: US11980083B2. Автор: Seung-Ha Choi,Kap Soo Yoon,Keum Hee LEE,Woo Geun Lee,Jiyun HONG,Joongeol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Thin-film transistor, transistor array substrate, and method of fabricating the transistor array substrate

Номер патента: US20240121998A1. Автор: Hyun Mo Lee,Jung Hoon Lee,Sun Hee Lee,Sang Woo Sohn,Eun Hye KO,Hyun Jun Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1697991A1. Автор: Ivoyl P. Koutsaroff,Andrew Cervin-Lawry,Atin J. Patel,Mark Vandermeulen. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2006-09-06.

Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1697991A4. Автор: Andrew Cervin-Lawry,Atin J Patel,Mark Vandermeulen,Ivoyl P Koutsaroff. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

Method of forming a polysilicon film, thin film transistor including a polysilicon film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139919A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2005053026A1. Автор: Ivoyl P. Koutsaroff,Andrew Cervin-Lawry,Atin J. Patel,Mark Vandermeulen. Владелец: GENNUM CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-09.

Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device

Номер патента: EP3588596A1. Автор: Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Joo Young Kim,Byong Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming a MOCVD-TiN thin film

Номер патента: US20020022089A1. Автор: Hyung-Seok Kim,Byoung-Youp Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of preparing metal chalcogenide nanoparticles and method of producing light absorption layer thin film based thereon

Номер патента: US20190259889A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US09892844B2. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of synthesizing conductive polymer and method of fabricating conductive polymer thin film

Номер патента: EP4015560A1. Автор: Yong Hyun Kim,Joo Won Han. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of depositing layers of a thin-film transistor on a substrate and sputter deposition apparatus

Номер патента: US20240102152A1. Автор: Jung Bae Kim,Marcus Bender,Jürgen Grillmayer,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI,Rodney Shunleong LIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Aluminum alloy film, method of producing the same, and thin film transistor

Номер патента: US11935936B2. Автор: Ryouta Nakamura,Yasuhiko Akamatsu,Tomohiro Nagata,Junichi Nitta,Motoshi Kobayashi,Yasuo Nakadai,Yuusuke UJIHARA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

A method of fabricating a nanocomposite thin film with metallic nanoparticles

Номер патента: WO2013006031A1. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Teh Aun Shih. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2013-01-10.

Thin film transistor assembly, array substrate and display panel

Номер патента: US20210091123A1. Автор: LEI Jia,Jingyi Xu,Yuelin Wang,Wulijibaier Tang,Xiaoguang Li,Yanan YU,Yanwei REN,Guolei ZHI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US11682680B2. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-06-20.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US20220208807A1. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2022-06-30.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: EP4122001A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-01-25.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: WO2021187982A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-23.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US11763989B2. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US09437806B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating see-through thin film solar cell

Номер патента: US20210135041A1. Автор: Won Mok Kim,Jong Keuk PARK,Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin film transistor array substrate, substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10418382B2. Автор: Zhe Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Thin film transistor, active matrix substrate, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187393A1. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film transistor array substrate, substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301471A1. Автор: Zhe Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Multi-layer wiring, method of manufacturing the same and thin film transistor having the same

Номер патента: US20060113670A1. Автор: Je-Hun Lee,Chang-Oh Jeong,Yang-Ho Bae,Beom-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200321213A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: WO2007117909A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US09514857B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200295154A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Thin film transistor, transistor array substrate, and method for fabricating the transistor array substrate

Номер патента: US20240120342A1. Автор: Dong Han Kang,Jee Hoon Kim,Woo Geun Lee,Shin Hyuk Yang,Seung Sok SON,Sung Gwon MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing ordered arrangement of graphene-carbon nano tube of metal substrate and composite coatings for carbon deposit

Номер патента: US20240150887A1. Автор: Shih-Pao Chien. Владелец: Trusval Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Production methods of pattern thin film, semiconductor element, and circuit substrate, and resist material, semiconductor element, and circuit substrate

Номер патента: US20110042674A1. Автор: Takeshi Hara,Yuichi Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Composite substrate, thin-film electroluminescent device using the substrate, and production process for the device

Номер патента: CA2334627C. Автор: Takeshi Nomura,Katsuto Nagano,Taku Takeishi,Yukie Nakano,Suguru Takayama,Daisuke Iwanaga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

Method of controlling structural quality of thin films for light-absorbing solar cell layers and device for its implementation

Номер патента: RU2631237C2. Автор: Вячеслав Николаевич Павловский,Илья Евгеньевич Свитенков,Евгений Викторович Луценко,Геннадий Петрович Яблонский,Александр Викторович Мудрый,Вадим Дмитриевич Живулько,Ольга Николаевна Бородавченко,Михаил Васильевич Якушев. Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению". Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of coating a coating region on a front surface of a substrate and apparatus for a thermal evaporation system

Номер патента: US20240327979A1. Автор: Wolfgang Braun. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming improved interfaces and thin film by using high-density radical

Номер патента: US20240177989A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing magnesium diboride superconducting thin film wire and magnesium diboride superconducting thin film wire

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Toshiaki Kusunoki,Ryoko Sugano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate

Номер патента: US5141918A. Автор: Shinichi Hirano. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-25.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US11895920B2. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20210043452A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11869768B2. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225555A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US20240164216A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of laser ablation for uniform thin film deposition

Номер патента: US5411772A. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method of production of zinc oxide thin film using the solution

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of manufacturing pzt-based ferroelectric thin film

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of producing a single-crystal thin film of an organic semiconductor compound

Номер патента: US20100213448A1. Автор: Takashi Kato,Tatsuya Igarashi,Toshihiro Shimada,Yui Ishii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US20210110975A1. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of forming colloidal nanocrystal-based thin film devices

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Aaron T. Fafarman,Cherie R. Kagan,Christopher B. Murray,Yuming LAI,Sung-Hoon Hong,Sangameshwar Rao Saudari,Soong Ju Oh,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi,Weon-kyu Koh. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-17.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

A method of manufacturing solar cells, particularly thin film solar cells, and solar cells obtained by using such a method

Номер патента: WO1999010932A1. Автор: Petrus Joseph Cornelis Van Der Vleuten. Владелец: Free Energy Europe B.V.. Дата публикации: 1999-03-04.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US11864463B2. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

Method of production of cis-based thin film solar cell

Номер патента: US20120258562A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yoshiyuki Chiba,Hideki Hakuma,Tetsuya Aramoto. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2012-10-11.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US20230172067A1. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Fabrication method of blue light emitting ZnO thin film phosphor

Номер патента: US6699371B2. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers

Номер патента: US4876219A. Автор: Fumitake Mieno,Takuya Watanabe,Yuji Furumura,Takashi Eshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Methods of making pn CdTe/CdS thin film solar cells

Номер патента: US5304499A. Автор: Karlheinz Jager,Beate Henrichs,Hilmar Richter,Dieter Bonnet. Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1994-04-19.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: US11856858B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Mao Minoura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200350165A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11881399B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-23.

Ti(N) thin-film resistor deposited on ALN substrate and attenuator using same

Номер патента: US7936248B2. Автор: Dong-Jin Kim,Soon-Gil Yoon,Duy Cuong Nguyen,Je-Cheon Ryu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2011-05-03.

Ti(N) thin-film resistor deposited on ALN substrate and attenuator using same

Номер патента: US20090002123A1. Автор: Dong-Jin Kim,Soon-Gil Yoon,Duy Cuong Nguyen,Je-Cheon Ryu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11342178B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method of etching or depositing a thin film

Номер патента: EP4367707A1. Автор: Andrew Newton,Matthew LOVEDAY,Sean Cho,Andrew GOODYEAR. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US6624010B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus

Номер патента: WO2010146130A1. Автор: Jérome Villette,Catherine Chaix,Valerick Cassagne. Владелец: RIBER. Дата публикации: 2010-12-23.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of deforming a biaxially textured buffer layer on a textured metallic substrate and articles therefrom

Номер патента: US6114287A. Автор: Amit Goyal,Donald M. Kroeger,Dominic F. Lee. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2000-09-05.

Method of coating a coating region on a front surface of a substrate and apparatus for a thermal evaporation system

Номер патента: EP4323561A1. Автор: Wolfgang Braun. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of forming a vdf oligomer or co-oligomer film on a substrate and an electrical device comprising the vdf oligomer or co-oligomer film on the substrate

Номер патента: US20120313482A1. Автор: Eng Hock Francis Tay,Kui Yao,Shuting Chen. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods of operating a wire bonding machine to improve clamping of a substrate, and wire bonding machines

Номер патента: US20180323167A1. Автор: Liu Yang,Wong Hing Kuong,Peter Peh,Kamal Gupta,Samuel Capistrano, III. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

A method of forming a vdf oligomer or co-oligomer film on a substrate and an electrical device comprising the vdf oligomer or co-oligomer film on the substrate

Номер патента: WO2011078791A8. Автор: Eng Hock Francis Tay,Kui Yao,Shuting Chen. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09755184B2. Автор: Sun Ho Kim,Tae Woong Kim,Pil Suk Lee,Bo Ik PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100148182A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film transistor substrate, method of inspecting the same, and display device including the same

Номер патента: US09508274B2. Автор: Jaehak LEE,Seunghyun PARK,Hyangyul Kim,Sungin RO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor substrate, display apparatus including thin film transistor substrate, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09893087B2. Автор: Moosoon Ko,Sangmok Hong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor substrate, liquid crystal display having same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484420B2. Автор: Chong Sup Chang,Sangho Park,Jungkyu Lee,Su-Hyoung Kang,Yoonho Khang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating thin film transistor substrate

Номер патента: GB2433836A. Автор: Hyun Seok Hong,Chang Deok Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304726A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating a thin film transistor substrate using a plurality of photo masks and liquid crystal display

Номер патента: US09536902B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US6940095B2. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20050032282A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20040104401A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Substrate for display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09865626B2. Автор: Seung-Ryong Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09768312B2. Автор: Liang Sun,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09748276B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming oxide thin film and method of fabricating oxide thin film transistor using hydrogen peroxide

Номер патента: US09558941B2. Автор: Hyun Jae Kim,Jeong Moo Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-31.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin film transistor, array substrate, display device and manufacturing method of the thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09711580B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20130078748A1. Автор: Beung-Hwa Jeong,Yun-Sik Ham,Kwang-Nam Kim,Young-Ro Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD OF FABRICATING ELECTRODES, METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20180337201A1. Автор: Wang Lei,YAN Liangchen,Peng Junbiao,XU Xiaoguang,LAN Linfeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US09583517B2. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film, and method of fabricating thin film

Номер патента: EP1493840A2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170062514A1. Автор: Sangil Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180269328A1. Автор: Sangil Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US10930789B2. Автор: Sangil Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

ZINC TARGET INCLUDING FLUORINE, METHOD OF FABRICATING ZINC NITRIDE THIN FILM BY USING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR BY USING THE SAME

Номер патента: US20140363932A1. Автор: PARK Young-Soo,KIM Hyun-Suk,KIM Tae-Sang,RYU Myung-kwan,PARK Joon-seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US10008610B2. Автор: Sangil Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Preparation method of poly-silicon TFT array substrate and array substrate thereof

Номер патента: US09653496B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Self-aligned metal oxide thin-film transistor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564536B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Thin film transistor including a vertical channel and display apparatus using the same

Номер патента: US20170330924A1. Автор: Doohyun Kim,Kwangsoo Lee,Jeehoon Kim,Inyoung JUNG,Shinhyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of fabricating conductive thin film

Номер патента: US09966168B1. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Han-Hsuan Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09620648B2. Автор: Meili Wang,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: EP1872389A1. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: WO2006110871A8. Автор: Philipp Steinmann,Eric W Beach. Владелец: Eric W Beach. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130248866A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9105733B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Thin film transistor

Номер патента: US20130256651A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US09911761B2. Автор: Iljeong Lee,Jungkyu Lee,Dohyun Kwon,Minjung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09793361B2. Автор: Seiji Fujino,Zhuo Zhang,Qinghui Zeng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Thin film transistor array substrate and a thin film transistor which comprise a conductive structure comprising a blocking layer and a diffusion prevention layer

Номер патента: US09553158B2. Автор: Qiuping Huang,Dongseob Kim,Zhengwei Chen,Chao-Huan Hsu,Jaemoon CHUNG,Jianshe XUE,Huawei Xu,Seong Sil Im. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor, display substrate and display device

Номер патента: US20240274674A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Niangi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: EP3488471B1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US09768240B2. Автор: Taehyun Kim,Jungkyu Lee,Seunghwan CHO,Dohyun Kwon,Suyeon Sim,Joongeol Lee,Jongmo Yeo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor and preparation method therefor, array substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP3621120A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411577A1. Автор: Sang Hyun Lee,Ju Won Yoon,Jung Hun NOH,Jae Gwang Um,Hyung Il Jeon,Ki Seong Seo,So Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US11695075B2. Автор: Xiaming ZHU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898A3. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09660033B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20220406820A1. Автор: Yang Lv. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Epitaxial structure and fabrication method of epitaxial structure

Номер патента: US20240304442A1. Автор: Po-Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display employing the same

Номер патента: US09559169B2. Автор: Joosun Yoon,Yongjae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200358040A1. Автор: CHOI Seung-Ha,LEE Woo Geun,YOON Kap Soo,Kim Joongeol,Hong Jiyun,LEE Keum Hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: KR20200130778A. Автор: 최승하,이우근,윤갑수,홍지윤,김준걸,이금희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-20.

Thin-Film Transistor And Method Of Manufacturing The Same, Array Substrate, And Display Apparatus

Номер патента: US20190131143A1. Автор: Wei Li,Yang Zhang,Jun Liu,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Tongshang Su,Qinghe Wang,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Array substrate, display panel, and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US20230197738A1. Автор: Chen DAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Selective dissolution of thin film layers in series interconnection of thin film photovoltaic modules

Номер патента: WO2024151518A1. Автор: John Devin Mackenzie,William Heins,Tanka RANA. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-07-18.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Transparent active layer, thin film transistor comprising the same, and method of fabricating of the thin film transistor

Номер патента: KR101814254B1. Автор: 한규석,성명모,윤관혁. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-01-31.

Transparent active layer, thin film transistor comprising the same, and method of fabricating of the thin film transistor

Номер патента: KR102010157B1. Автор: 한규석,성명모,윤관혁. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-08-12.

Method of fabricating semiconductor thin film and a Hall-effect device

Номер патента: US5385864A. Автор: Tetuo Kawasaki,Tetuhiro Koretika,Kitabatake,Takasi Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Thin Film Transistor Array, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Thin Film Transistor Array

Номер патента: US20230073848A1. Автор: Soyoung Noh,Kyeongju Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of producing bonded wafer with uniform thickness distribution

Номер патента: US09859149B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods of filling a set of interstitial spaces of a nanoparticle thin film with a dielectric material

Номер патента: WO2008073767A2. Автор: Maxim Kelman,Pingrong Yu,David Jurbergs,Francesco Lemmi,Homer Antoniadis,Elena V. Rogojina. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of manufacturing cell-nanoscale thin film composite

Номер патента: US20190127693A1. Автор: Toshiaki Abe,Nobuhiro Nagai,Jin Suzuki,Hirokazu Kaji. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-05-02.

Sulfur-containing thin films

Номер патента: US09721786B2. Автор: Michael E. Givens,Qi Xie,Jan Willem Maes,Fu Tang,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-01.

METHOD OF FABRICATING POLYSILICON LAYER, THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150255282A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Kil-Won,PARK Byoung-Keon,YANG Tae-Hoon,LEE Ki-Yong,CHOI Bo-Kyung,SO Byung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8889496B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US20170077307A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-03-16.

Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel

Номер патента: US20210126067A1. Автор: Hongyu Xu,Bin Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (cigs) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (cigs) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US20140326317A1. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: KOREA INSTITUTE OF NERGY RESEARCH. Дата публикации: 2014-11-06.

Display panel and rework method of gate insulating layer of thin film transistor

Номер патента: TW201113955A. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsu Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-16.

Sulfur-containing thin films

Номер патента: US09478419B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Fu Tang,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating of IGO thin film and IGO thin film transistor

Номер патента: KR102035899B1. Автор: 박진성,이정훈,성가진. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-11-26.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203387A1. Автор: I-hun Song,Chang-Jung Kim,Dong-hun Kang,Young-soo Park,Stefanovich Genrikh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US20230387313A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US11923459B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US7527822B2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Ferroelectric Thin Film Formation Composition, Ferroelectric Thin Film and Method of Fabricating Ferroelectric Thin Film

Номер патента: US20080217574A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US7553364B2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US20050100759A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Ferroelectric Thin Film Formation Composition, Ferroelectric Thin Film and Method of Fabricating Ferroelectric Thin Film

Номер патента: US20080090098A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of fabricating semiconductors

Номер патента: US20170148634A1. Автор: Ping Jiang,Brian K. Kirkpatrick,David Gerald Farber,Douglas T. Grider, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of fabricating semiconductors

Номер патента: US09881795B2. Автор: Ping Jiang,Brian K. Kirkpatrick,David Gerald Farber,Douglas T. Grider, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: US09755099B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Super-hydrophobic thin film and method for preparing the same

Номер патента: US09702040B2. Автор: Yoonseok Choi,Jeongeon HAN,Su Bong JIN,Jun Suck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film common mode filter and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633773B2. Автор: Jeong Min Cho,Ju Hwan Yang,Young Seuck Yoo,Won Chul SIM,Ho Jin YUN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating semiconductors

Номер патента: US09490143B1. Автор: Ping Jiang,Brian K. Kirkpatrick,David Gerald Farber,Douglas T. Grider, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating an organic thin film transistor and method of surface treatment for gate insulating layer

Номер патента: TWI394305B. Автор: Chung Hwa Wang,Jenn Chang Hwang,Hsiao Wen Zan,Cheng Wei Chou,Li Shiuan Tsai,Wen Chieh Wang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2013-04-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20140070217A1. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Pil Seok KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20190181271A1. Автор: Tao Jiang,Guanbao HUI,Ji Zhang,Jincheng GAO,Guanglong Guo. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for Making Ferroelectric Material Thin Films

Номер патента: US20170236955A1. Автор: Peter K. Davies,Jonathan E. Spanier,Andrew M. Rappe,Ilya Grinberg,Liyan Wu,Andrei R. Akbasheu. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-08-17.

Method and system for patterning material in a thin film device

Номер патента: US20050148196A1. Автор: Thomas Anthony,Manish Sharma,Hoon Lee. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of forming low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TW200501425A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-01.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

CIGS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09859450B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070187760A1. Автор: Hiroshi Furuta,Hiromitsu Ishii,Takashi Hirao,Motohiko Yoshida,Mamoru Furuta,Takahiro Hiramatsu,Hitoshi Hokari,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Kochi Ind Promotion Center. Дата публикации: 2007-08-16.

Thin film transistor, method of manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: KR101540127B1. Автор: 후미히코 모치즈키,유키 나라,겐이치 우메다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-28.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Preparing method of large-area perovskite thin film

Номер патента: US10840028B2. Автор: Nam Gyu Park,Dong Nyuk JUNG. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Metal alkoxide compound, thin film forming raw material, and thin film production method

Номер патента: US20240352044A1. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

ETCHANT, METHOD OF MANUFACTURING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE ETCHANT

Номер патента: US20150004758A1. Автор: PARK Hong-Sick,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,YOON Young-Jin,Kuk In-Seol,Nam Gi-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method of fabricating Poly Silicon Thin Film Transistor

Номер патента: KR100510732B1. Автор: 이상걸. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-08-30.

Method of fabricating an organic thin film transistor

Номер патента: US7919396B2. Автор: Min-chul Suh,Yeon-Gon Mo,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Method of fabricating poly silicon thin film transistor

Номер патента: KR100209586B1. Автор: 김대원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-15.

Method of fabricating Poly Silicon Thin Film Transistor

Номер патента: KR100493378B1. Автор: 이상걸. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of fabricating an organic thin film transistor

Номер патента: US20090170291A1. Автор: Min-chul Suh,Yeon-Gon Mo,Taek Ahn. Владелец: Taek Ahn. Дата публикации: 2009-07-02.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting diode display including the same

Номер патента: US20160181339A1. Автор: Iljeong Lee,Jungkyu Lee,Dohyun Kwon,Minjung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US8946701B2. Автор: Qi Yao,Seongyeol Yoo,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US9166059B2. Автор: Won Seok Kim,Pil Seok KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Thin film transistor

Номер патента: US20140175427A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device

Номер патента: KR20230057017A. Автор: 함석규,윤영준,정종원,야스타카 쿠즈모토. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-28.

Thin-film substrate and energy-sensitive electronic component including same

Номер патента: US20240234037A1. Автор: Soo Deok HAN. Владелец: Vanam Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containing this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C9. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ. Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2009-04-10.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containig this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C2. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ,Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ (DE),Манфред ХОСС (DE),Бернард КОЛЛЬ (DE). Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2008-05-27.

Thin film and method for manufacturing thin film

Номер патента: US20160056068A1. Автор: Wen Hu,Hui Hu. Владелец: Jinan Jingzheng Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200235132A1. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Organic electroluminescent element, method of manufacturing a substrate having a prism structure and an organic electroluminescent element using the substrate having a prism structure

Номер патента: US20060043880A1. Автор: Shun-ichi Ishikawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of removing surface protrusions from thin films

Номер патента: US20020058455A1. Автор: James Alwan,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Cutting elements, and related earth-boring tools, supporting substrates, and methods

Номер патента: US12098597B2. Автор: Wanjun Cao,Marc Bird. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Microphone and method of manufacturing a structure for delaying the phase of sound input

Номер патента: US09807531B2. Автор: Hyunsoo Kim,Ilseon Yoo,Yong Sung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-10-31.

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170040342A1. Автор: Li Mingchao,NING Ce,ZHANG Fangzhen. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD OF FABRICATING CATHODE FOR THIN FILM BATTERY USING LASER, CATHODE FABRICATED THEREBY, AND THIN FILM BATTERY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160133917A1. Автор: Yoon Seok Jin,KIM Jin Sang,KANG Chong Yun,Choi Ji-won,Baek Seung Hyub,KIM Seong Keun,KWON Beomjin,YIM Haena. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-12.

Crystalline semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100384499B1. Автор: 스즈키고지,히라마츠마사토. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for fabricating a thin film transistor and a substrate and thin film transistor manufactured using the same

Номер патента: US6265290B1. Автор: Kyu-Sun Moon,Byung-Hoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Method of racemization of optically pure or enriched piperazin-2-tert-butylcarboxamide substrate and racemic 2-tert-butylcarboxamide-4-(3-picolyl)piperazine

Номер патента: RU2135482C1. Автор: Дж.Варсолона Ричард,Россен Кай,Аскин Дэвид,Рейдер Пол,Воланте Ральф. Владелец: Мерк Энд Ко., Инк.. Дата публикации: 1999-08-27.

Method of fabricating a semiconductor thin film and semiconductor thin film fabrication apparatus

Номер патента: US20050272185A1. Автор: Tetsuya Inui,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of fabricating cathode for thin film battery using laser, cathode fabricated thereby, and thin film battery including the same

Номер патента: KR101637938B1. Автор: 김성근,윤석진,최지원,강종윤,백승협,김진상,권범진,임해나. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2016-07-08.

Method of fabricating a semiconductor thin film and semiconductor thin film fabrication apparatus

Номер патента: KR100713750B1. Автор: 마사노리 세끼,요시히로 다니구찌,데쯔야 이누이. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-05-04.

A Microwave Plasma CVD For Fabricating A Diamond Thin Film With Thickness Uniformity And A Method of Fabricating A Diamond Thin Film With Thickness Uniformity Using The Same

Номер патента: KR20220133431A. Автор: 유종현. Владелец: 알에프에이치아이씨 주식회사. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor film, oxide fine particle dispersion, method of manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: JP6275441B2. Автор: 真之 鈴木,淳 田中,田中　淳,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

Thin-film transistor and method for manufacturing same, array substrate, and display device

Номер патента: US11227881B2. Автор: Fan Zhang,Koji Suzuki,Jianhua Li,Yixian Zhang,Zhuo Chen,Junhai Su,Siyu REN. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display employing the same

Номер патента: US20160064462A1. Автор: Joosun Yoon,Yongjae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof

Номер патента: US20110197942A1. Автор: Ping Fan,Dongping Zhang,Guangxing Liang,Zhuangghao Zjemg. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-18.

Thin film transistor

Номер патента: US20140175425A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Durable, low loading oxygen evolution reaction catalysts and methods of forming such catalysts

Номер патента: US20240247386A1. Автор: Timothy J. Kucharski,Raffi M. Garabedian. Владелец: Electric Hydrogen Co. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of making aluminum oxynitride coated article

Номер патента: US20130302521A1. Автор: Volkmar Sottke,Hartmut Westphal,Hendrikus van den Berg,Zhigang Ban,Yixiong Liu,Mark S. Greenfield. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

MEMS device with enhanced membrane structure and method of forming the same

Номер патента: US11750980B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chun Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793458B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Yi Ming Chen,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09614127B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Yi Ming Chen,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Ion optics components and method of making the same

Номер патента: US09543136B2. Автор: Viatcheslav V. Kovtoun,Philip M. Remes,Andrew W. SCHIRMER,Syed F. RIZVI. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Ion optics components and method of making the same

Номер патента: US09524857B2. Автор: Viatcheslav V. Kovtoun,Philip M. Remes,Andrew W. SCHIRMER,Syed F. RIZVI. Владелец: Thermo Finnigan LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of packaging semiconductor devices and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09406650B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yu-Liang Lin,Shin-puu Jeng,Hung-Jung Tu,Tu-Hao Yu,Shih-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210050442A9. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200066901A1. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Fabrication Methods of Patterned Metal Film Layer, Thin Film Transistor and Display Substrate

Номер патента: US20200126809A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Zhang Yang,WANG Dongfang,DING Luke,FANG Jingang,CHENG Leilei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

ALUMINUM ALLOY FILM, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210226028A1. Автор: NAKAMURA Ryouta,Nagata Tomohiro,Nitta Junichi,NAKADAI Yasuo,AKAMATSU Yasuhiko,KOBAYASHI Motoshi,UJIHARA Yuusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Chung Jong Won,Bao Zhenan,Xu Jie,LEE Sangyoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Precursor liquid of indium gallium zinc oxide thin film and preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: CN112018191A. Автор: 周航,孙荷静,邱恒达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Forming method of channel polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: KR100208447B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Preparation method of patterned metal film layer, thin film transistor and display substrate

Номер патента: CN109378271B. Автор: 刘军,李伟,王东方,张扬,方金钢,丁录科,程磊磊. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Manufacturing method of indium gallium zinc oxide thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: CN110438472B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of forming a microcrystalline silicon thin film and method of fabricating a thin-film silicon solar cell using the same

Номер патента: KR100387982B1. Автор: 이창현,임굉수. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2003-06-18.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20180040802A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-08.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20150145377A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of manufacturing epitaxy oxide thin film, and epitaxy oxide thin film of enhanced crystalline quality manufactured thereby

Номер патента: US20230145077A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Jung Ho Yoon,Seong Keun Kim,Ji-Soo Jang,Hyung-Jin Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Sung Hoon HUR,Seung Hyub BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-11.

Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films by changing the shape, size, or laser beam

Номер патента: TW200939481A. Автор: James S Im. Владелец: Univ Columbia. Дата публикации: 2009-09-16.

Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom

Номер патента: US20020198112A1. Автор: Tolga Aytug,M. Paranthaman,David Christen. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods of solid phase recrystallization of thin film using pulse train annealing method

Номер патента: TW201112314A. Автор: Stephen Moffatt,Aaron Muir Hunter,Bruce E Adams. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Integrated digital- and radio-frequency system-on-chip devices with integral passive devices in package substrates, and methods of making same

Номер патента: EP2656385A1. Автор: Valluri Rao,Telesphor Kamgaing. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20040217365A1. Автор: Abdallah Ougazzaden,Charles Lentz,Padman Parayanthal,George Przybylek,Bettina Nechay. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-11-04.

Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method of preparing the gas barrier thin film

Номер патента: EP2200106B1. Автор: Xavier Bulliard,Jong-Jin Park,Kwang-Hee Lee,Yun-hyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-06.

LTPS TFT substrate structure and method of forming the same

Номер патента: US09947696B2. Автор: Gaiping LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic package, package carrier, and method of manufacturing package carrier

Номер патента: US09603246B2. Автор: En-Min Jow,Cheng-Yu Kang. Владелец: ADL Engineering Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nanostructure, precursor of nanostructure and method of forming nanostructure and precursor of nanostructure

Номер патента: RU2406689C2. Автор: Мохаммад Шафиквул КАБИР. Владелец: Смольтек Аб. Дата публикации: 2010-12-20.

The preparation method of low-temperature polysilicon film, thin-film transistor and display unit

Номер патента: CN103489788B. Автор: 王磊,田雪雁,任章淳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: US20100330785A1. Автор: Byoung-Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Ferroelectric thin-film laminated substrate, ferroelectric thin-film device, and manufacturing method of ferroelectric thin-film laminated substrate

Номер патента: US20180114896A1. Автор: Hiroyuki Endo,Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Thin film resistor

Номер патента: US12034003B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Solar cell and method of forming the same

Номер патента: US20240324258A1. Автор: Dong Hyun Lee,Kuk Hyeon RYU. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

MANUFACTURING METHOD OF POLYSILICON LAYER, AND POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Wang Zuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

THIN FILM TRANSITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, THIN FILM TRANSISTOR ASSEMBLY, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20170194482A1. Автор: Li Peng,HOU Zhi,Feng Zhong,LIU Zuhong,OH Daeoh,Zhou Qinggao,Meng Panpan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

APPARATUS FOR AND METHOD OF CRYSTALLIZING ACTIVE LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150348782A1. Автор: Ahn Sang-hoon,CHEONG Byoung-Ho,CHO Joo-Woan,CHOO Byoung-Kwon,Cho Hyun-Jin,HAN Soo-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Etchant for wire, method of manufacturing wire using etchant, thin film transistor array panel including wire and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200403743A. Автор: Hong-Sick Park,Sung-Chul Kang,Hong-Je Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-01.

Plugged pinhole thin film and method of making same

Номер патента: CA1165016A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Monosolar Inc. Дата публикации: 1984-04-03.

A kind of preparation method of IGZO active layers, oxide thin film transistor

Номер патента: CN108461391A. Автор: 吴伟,武岳. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

A kind of preparation method of p-type metal oxide thin-film transistor

Номер патента: CN106952828A. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱慧慧,孟优. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

Manufacturing method of thin film transistor (TFT) array substrate and TFT array substrate

Номер патента: CN102299104A. Автор: 覃事建. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Novel preparation method of benzoporphyrin derivatives and organic thin-film transistor fabrication by printing method

Номер патента: KR101403482B1. Автор: 정석종,박보근,민복기,조성윤,임종선,전동주,정승두. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of producing a poly-Si thin film transistor by using a layer of CeO2 and an A/R coating layer

Номер патента: KR100367638B1. Автор: 유진수,준 신 이,김도영,이인,안병재. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2003-01-10.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20160005774A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Methods of manufacturing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US20050241931A1. Автор: Byung Ahn,Ji Eom. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-11-03.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US9105794B2. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of forming carbon-containing thin film and method of manufacturing semiconductor device by using the method

Номер патента: US20150130027A1. Автор: Se Jun Park,Dohyung Kim,Jaihyung Won,Ho Jun Kim,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-03-20.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Hybrid pigments and methods of making same

Номер патента: US12043745B2. Автор: Liming Tang,Thomas DIPIETRO,Christopher NEWBACHER. Владелец: Day Glo Color Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR HAVING BARRIER LAYER DEPOSITED USING THE SAME

Номер патента: US20130341181A1. Автор: Kim Do-Hyun,PARK JaeWoo,LEE Yongjin,Sohn InSung,KIM Dongjo,JEON WOO-SEOK,PARK JUOK,YOON SANGWON,LEE GUNHYO,LEE YOONGYU. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD OF FORMING METAL WIRE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL USING THE SAME

Номер патента: US20140024206A1. Автор: PARK Hong-Sick,Kim Sang-tae,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,JIN Young-Jun,LEE Joon-Woo,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,JANG Sang-Hoon,LEE Wang Woo,KUK In Seol,SHIM Keyong Bo,YOON Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A BARRIER LAYER DEPOSITED BY THE ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20140239295A1. Автор: YOON Sang-Won,Park Jae-Woo,Kim Do-Hyun,KIM Dong-Jo,Lee Yong-Jin,JEON WOO-SEOK,LEE Yoon-Gyu,Park Ju-Ok,Sohn In-Sung,Lee Gun-Hyo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD OF MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150221496A1. Автор: TAI Chien-Pang,HUANG Jun-Yao,PENG Yu-Chin,HUANG Ke-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD OF FORMING METAL WIRE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL USING THE SAME

Номер патента: US20150259598A1. Автор: PARK Hong-Sick,Kim Sang-tae,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,JIN Young-Jun,LEE Joon-Woo,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,JANG Sang-Hoon,LEE Wang Woo,KUK In Seol,SHIM Keyong Bo,YOON Young-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES COMPRISING THIN FILM TRANSISTORS INCLUDING OXIDE SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Torek Kevin J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

The preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN107293493A. Автор: 李松杉. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing an amorphous silicon thin film transistor

Номер патента: KR910009039B1. Автор: 요시아끼 와다나베,사까에 다나까. Владелец: 요꼬야마 유우이찌. Дата публикации: 1991-10-28.

Method of maufacturing amorphous ZnO based Thin Film Transistor

Номер патента: KR101345377B1. Автор: 김창정,박영수,강동훈,송이헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of manufacturing a dual-gate thin film transistor

Номер патента: US9825176B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication methods of low-temperature CMOS polycrystalline thin film transistor

Номер патента: KR101500866B1. Автор: 장성근. Владелец: 청운대학교 인천캠퍼스 산학협력단. Дата публикации: 2015-03-10.

Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same

Номер патента: US20110086453A1. Автор: Dae Sung Kal,Dae Won Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

Method of manufacturing an amphorous-silicon thin film transistor

Номер патента: KR910009040B1. Автор: 요시아끼 와다나베,사까에 다나까. Владелец: 요꼬야마 유우이찌. Дата публикации: 1991-10-28.

Preparation method of flat blocking type TFT (thin film transistor) anodized aluminum insulating layer

Номер патента: CN108505051B. Автор: 陈文彬,陈赞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-12-10.

Method of manufacturing electronic device including thin film transistor

Номер патента: JPH11514152A. Автор: ナイジェル デヴィッド ヤング. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1999-11-30.

Fabrication method of low-temperature poly-silicon thin film transistor and product

Номер патента: CN105789052A. Автор: 段志勇,周茂清,魏朝刚. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin film transistor

Номер патента: GB8829344D0. Автор: . Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1989-02-01.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US11827650B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US20200339617A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Metal-Insulator-Metal Structure and Methods of Fabrication Thereof

Номер патента: US20200365683A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Hung-Chao Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of fabricating a metal plug of a semiconductor device using a novel tin barrier layer

Номер патента: US20020016063A1. Автор: Ming-Shing Chen,Bill Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Printheads and methods of fabricating a printhead

Номер патента: US20180222201A1. Автор: Garrett E. Clark,Michael W. Cumbie,Mark H. Mackenzie,Chien-Hua Chen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-08-09.

Multi-functional freestanding thin films produced using plastic waste and methods thereof

Номер патента: US11938658B1. Автор: Gordon McKay,Junaid Saleem,Safdar Hossain Sk,Zubair Khalid Baig Moghal. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-03-26.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20170005133A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898B1. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-05-13.

Organic photodetector and fabricating method of organic photodetector and organic thin film transistor

Номер патента: TW200845447A. Автор: Szu-Yuan Chen,Po-Tsung Lee,Tzu-Yueh Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-11-16.

Liquid ejection head and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20180154634A1. Автор: Toru Nakakubo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: AU2416784A. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1984-08-02.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: WO1984002804A1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals. Дата публикации: 1984-07-19.

METHOD OF FABRICATING ZINC OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20140144770A1. Автор: Yoo Young Zo,Kim Seo Hyun,Yoon Gun Sang,Lee Hyunhee. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-29.

FLEXIBLE SUBSTRATE MATERIAL AND METHOD OF FABRICATING AN ELECTRONIC THIN FILM DEVICE

Номер патента: US20170170418A1. Автор: Niggemann Michael,Winkel Jurjen Frederik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method of fabricating a metal thin film supported by a glass support

Номер патента: US20200407272A1. Автор: Kyung-Jin Lee,Yoon-Seuk Oh,Seo-Yeong Cho,Jun Ro Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of fabricating tin sulfide thin film

Номер патента: KR102061501B1. Автор: 김상태,김성근,최지원,강종윤,백승협,김진상,편정준,송현철. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of fabricating polycrystalline silicon thin film

Номер патента: CN101317249B. Автор: 严枰镕. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Method of fabricating zinc oxide thin film

Номер патента: KR20140068588A. Автор: 김서현,유영조,윤근상,이현희. Владелец: 코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-06-09.

Apparatus and method of fabricating wide area thin film using pulse laser

Номер патента: KR0153568B1. Автор: 김한,최정옥,정효수. Владелец: 임효빈. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of fabricating a lateral semiconductor structure including field plates for self-alignment

Номер патента: US4966858A. Автор: David N. Okada,Michael P. Masquelier. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

Method of fabricating a metal thin film supported by a glass support

Номер патента: KR102007428B1. Автор: 이경진,오윤석,윤준로,조서영. Владелец: 코닝 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-08-05.

Method of fabricating zinc oxide thin film

Номер патента: CN103849854A. Автор: 金序炫,刘泳祚,尹根尚,李铉熙. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Flexible substrate material and method of fabricating an electronic thin film device

Номер патента: EP3195371A1. Автор: Michael Niggemann,Jurjen Frederik Winkel. Владелец: EIGHT19 Ltd. Дата публикации: 2017-07-26.

Solid-state thin film capacitor

Номер патента: WO2011011736A2. Автор: Hooman Hafezi. Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacturing method of metal mesh, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047863A1. Автор: Feng Wang,Jian Zhou,Feng Qu,YuJu CHEN. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods of fabricating a semiconductor structure including capacitor structures

Номер патента: US20190074351A1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

An integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: WO2015022109A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of forming and transferring thin film using soi wafer and heat treatment process

Номер патента: US20210005457A1. Автор: Chang Hwan Choi,Yu Rim JEON,Hoon Hee HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US10043869B2. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of preparing radio frequency filter

Номер патента: US20230126725A1. Автор: Jiang Jiang,Wei Wang,Ping Li,Bin Jia,Nianchu Hu,Mingguo ZHU. Владелец: Epicmems Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US20170221997A1. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Organic electronic device, method of producing the same, and method of operating the same

Номер патента: EP1179863A3. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method of manufacturing fiber reinforced barrier coating

Номер патента: EP3068918A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-21.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US20160086721A1. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

THIN FILM TRANSISTOR ASSEMBLY, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL

Номер патента: US20210091123A1. Автор: Li Xiaoguang,Jia Lei,Wang Yuelin,Xu Jingyi,YU Yanan,REN Yanwei,TANG Wulijibaier,ZHI Guolei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

THIN FILM TRANSISTOR (TFT) ARRAY SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170263734A1. Автор: Xu Xianbin,YAN Liangchen,Wang Meili,ZHANG Xiaojin,Xie Dini. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160300899A1. Автор: Zhang Li. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-10-13.

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180301471A1. Автор: Liu Zhe. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-18.

THIN FILM TRANSISTOR OF ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160343738A1. Автор: Lee Chih-Lung,LIN HSIN-HUA,KAO YI-CHUN,Fang Kuo-Lung,SHIH PO-LI. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Thin film transistor, active matrix substrate, and imaging device

Номер патента: JP5602390B2. Автор: 真二 今井. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Method of forming single-crystalline thin film

Номер патента: US5372089A. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1994-12-13.

Method for manufacturing thin-film transistor, tft array substrate and flexible display screen

Номер патента: WO2018014248A1. Автор: 魏鹏,袁泽,余晓军,赵继刚. Владелец: 深圳市柔宇科技有限公司. Дата публикации: 2018-01-25.

Oxide thin-film transistor and array substrate, and manufacturing methods thereof, and display apparatus

Номер патента: CN104900531A. Автор: 王珂,宁策. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Thin film transistor, active matrix substrate, and image pickup device

Номер патента: EP2157615B1. Автор: Shinji Imai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Non- Sun-shading type thin film transistor (TFT), array substrate and display device

Номер патента: CN105655410B. Автор: 邸云萍. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Thin film transistor (TFT) array substrate and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: CN102709234A. Автор: 薛建设,刘翔. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Method of manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: US8017507B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Thin film transistor component, array substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: EP3200230A1. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-02.

Novel molybdenum compound, method of producing the same, and method of producing molybdenum-containing thin film including the same

Номер патента: WO2024019487A1. Автор: Young Jin Kim,Mi Jung Han,Kang Yong Lee,Jin Mook Lim,Han Sang Song. Владелец: M Chemicals Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming region-selective thin film using selectivating agent

Номер патента: US20230366080A1. Автор: Ha Na Kim,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of depositing thin metal-organic films

Номер патента: WO2015038303A1. Автор: Ellie Yieh,Dmitry Lubomirsky,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Area-selective emthod for forming thin film by using nuclear growth retardation

Номер патента: US20240068091A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Ji Yeon Han,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US20210172065A1. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-10.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US11753721B2. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for annealing a thin film photovoltaic cell device

Номер патента: US20150340544A1. Автор: Simon Hänni,Laura Ding. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: EP3004416A1. Автор: Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-13.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140287251A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140295197A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Precursor for depositing zinc oxide-based thin film, method of fabicating thereof and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101366630B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박준형,박태정,백일희,유영조,윤근상,이현희,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-03-17.

thin film deposition composition containing germanium derivative, the germanium-containing thin film prepared by using the same and the method of producing a germanium-containing thin film using the same

Номер патента: KR101745344B1. Автор: 이상익,김명운,이강용,전상용,장홍석,김민성,신형수,김도연,석장현. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of obtaining composition using alcohol as raw material

Номер патента: RU2467057C2. Автор: Сюдзи САКУМА,Такаси ЦУТИДА,Тэцуя ЙОСИОКА. Владелец: Кабусики Кайся Санги. Дата публикации: 2012-11-20.

Method of forming ohmic contacts

Номер патента: CA1208372A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Sohio Commercial Development Co. Дата публикации: 1986-07-22.

Method of manufacturing high density CIS thin film for solar cell and method of manufacturing thin film solar cell using the same

Номер патента: US8569102B2. Автор: Ki-Bong Song,Ara Cho,Se-Jin Ahn,Jae-Ho Yun,Ji-hye Gwak,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,Seoung-Kyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2013-10-29.

Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions

Номер патента: US20080022897A1. Автор: Klaus Kunze,James Cleeves,Vladimir Dioumaev,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Cleeves James M. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of fabricating well

Номер патента: US6297133B1. Автор: Jacob Chen,Tz-Guei Jung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Method of depositing low stress hafnium thin films

Номер патента: US4056457A. Автор: John Louis Vossen, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

Thin-film type solar cell and method of manufacturing the same, and thin-film type solar cell module and power generation system using the thin-film type solar cell

Номер патента: DE102009058794A1. Автор: Chang Kyun Seongnam-si Park,Hyung Dong Yongin-si Kang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

A superconducting oxide thin film material, a superconducting oxide thin film wire, and a method of producing an oxide superconductor thin film

Номер патента: DE112017007199T5. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Genki Honda,Takanori Motoki,Jun-Ichi Shimoyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Thin film processing apparatus

Номер патента: US20140130982A1. Автор: Sung-Cheng Hu,Chiung-Chieh Su,Meng-Chiuan Yu,Ming-June Lin,Chin-Horng Yau,Lin-Sheng Jin. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2014-05-15.

Rare earth sulfide thin films

Номер патента: EP2556544A2. Автор: Chin Li Cheung,Joseph R. Brewer. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2013-02-13.

INK DROPLET VOLUME MEASURING APPARATUS AND INK DROPLET VOLUME MEASURING METHOD USING THE SAME, AND THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS USING THE MEASURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY APPARATUS USING THE THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200395543A1. Автор: Han Jeongwon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Buffer layer of CIGS (copper indium gallium selenide) thin-film solar cell chip, preparation method of buffer layer and CIGS thin-film solar cell chip

Номер патента: CN110752266A. Автор: 刘闯,曲铭浩,黄昭雄,蔡爱玲,汝小宁,蒋宗佑,袁渝. Владелец: Lingfan New Energy Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

Номер патента: KR101559102B1. Автор: 강진규,양기정,심준형,손대호. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2015-10-13.

Manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film and titanium oxide thin film manufactured by the method

Номер патента: KR20120069093A. Автор: 김진호,황종희,임태영,이미재,김세기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2012-06-28.

Manufacturing Method of Graphene Coated Carbon Ultra-Thin Film and Graphene Coated Carbon Ultra-Thin film by same the method

Номер патента: KR102219873B1. Автор: 박지웅,남준식,샴슈딘 모하메드. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2021-02-25.

Luminescent compounds and methods of making and using same

Номер патента: CA2278198C. Автор: Wang Liu,Suning Wang,Abdi Hassan. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2005-07-26.

Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method

Номер патента: US20050264137A1. Автор: Tsutomu Miyashita,Takeshi Sakashita,Masanori Ueda,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama,Masafumi Iwaki. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of carrying substrates during the deposition of a thin film on the surface of substrates and a rotary table for carrying the substrates according to the method

Номер патента: WO2015127908A1. Автор: Stanislav Kadlec,Jiri Vyskocil,Petr PLĺHAL. Владелец: Hvm Plasma, Spol.S R.O.. Дата публикации: 2015-09-03.

A method of preparing metal phthalocyanine monocrystal thin films in the grapheme modified substrate of copper film

Номер патента: CN107747130B. Автор: 窦卫东. Владелец: University of Shaoxing. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of manufacturing a flexible display

Номер патента: US20060078671A1. Автор: Bo-Sung Kim,Yong-Uk Lee,Woo-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US11817551B2. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Lei Cheng,Aram Yang,Tim Holme,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20230207868A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20030054638A1. Автор: Masayuki Saito,Junichi Taniuchi,Hiroaki Suzuki,Koji Okamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-03-20.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20240204245A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin film permeation barrier system for substrates and devices and method of making the same

Номер патента: US20160056414A1. Автор: Harikrishna Mohan Siddharth,Quinn William E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE AND MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Yamamoto Hiroyuki,KUSUNOKI Toshiaki,SUGANO Ryoko. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2018-03-08.

HIGH PURITY PIEZOELECTRIC THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING ELEMENT USING SAME THIN FILM

Номер патента: US20220149802A1. Автор: An Sang Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHODS OF FORMING DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA MOCVD AND RELATED DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS

Номер патента: US20200111949A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.,Geiss Arthur E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20150155475A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

LITHIUM-STUFFED GARNET THIN FILMS AND PELLETS HAVING AN OXYFLUORINATED AND/OR FLUORINATED SURFACE AND METHODS OF MAKING AND USING THE THIN FILMS AND PELLETS

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Holme Tim,Huang Tommy,Cheng Lei,Yang Aram,MEHROTRA Amal,CHAO Cheng-Chieh,DEKMEZIAN Christopher,HO Tiffany. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20160339702A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

MANUFACTURING METHOD OF LOW-k PLASMA POLYMERIZED THIN FILMS AND LOW-k THIN FILMS MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: KR100697669B1. Автор: 이성우,정동근,양재영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-03-20.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: KR100385194B1. Автор: 사또요시미,가와까미아쯔시,다께우찌요시유끼. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-05-27.

Method of depositing a ruthenium metal thin film or ruthenium oxide thin film

Номер патента: US9347133B2. Автор: Jun Young Kim,Jung Woo Park,Kwang Deok Lee,Whee Won Jin. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Preparation method of ci(g)s-based thin film with decreased carbon layers, ci(g)s-based thin film prepared by the same, and solar cell including the same

Номер патента: KR101388451B1. Автор: 조아라,박주형,박상현,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-04-24.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CA1177582A. Автор: Michael J. Lee. Владелец: National Research Development Corp of India. Дата публикации: 1984-11-06.

Method of transferring layer-by-layer thin films using adhesion difference, and photoreflective transferred thin film manufactured by the same

Номер патента: KR102181145B1. Автор: 정아름,염봉준,하나리. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-20.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US10099476B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Preparation method of a(c)igs-based thin film using core(se)-shell(ag2se) nanoparticles, a(c)igs-based thin film prepared by the same, and tandem solar cell containing the same

Номер патента: KR101352861B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-18.

Method of transporting packagings, in particular bottles, and displaying the same for sale, as well as roll container and apparatus used therein

Номер патента: EP1183969A1. Автор: Evert Cornelis Antonie Versluis,Peter James Gramberg. Владелец: Van Egmond Technische Handelsonderneming BV. Дата публикации: 2002-03-06.

Method of producing flat panels for display of film transistor or plasma

Номер патента: CN100529168C. Автор: S·克拉斯尼策尔,W·哈尔格,P·格吕宁菲尔德,U·施文德纳,M·施勒格尔. Владелец: Austria Lovell Likang Trade Co Ltd (te Lui Bach). Дата публикации: 2009-08-19.

Thin film coating of a slotted substrate and method of making slit substrates

Номер патента: DE60229316D1. Автор: Mark H Mackenzie,Allen H Smith,Roberto A Pugliese Jr,Thomas E Pettit,Victorio A Chavarria,Steven P Storm. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2008-11-27.

Thin film type Solar Cell and method of manufacturing the smae, and Thin film type solar cell module and Power generation system using the same

Номер патента: KR101031246B1. Автор: 박창균,강형동. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-04-29.

Insulating material, substrate covered with an insulating film, method of producing the same, and thin-film device

Номер патента: KR100378276B1. Автор: 기지마다께시,마쯔나가히로노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-29.

Method of manufacturing aluminum - carbon composite thin film and aluminum - carbon composite thin film

Номер патента: KR20230014414A. Автор: 최현주,심기동,오인종,김호장. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-01-30.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via mocvd and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: WO2020232458A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: US20060144293A1. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,Yoshimi Sato. Владелец: Yoshimi Sato. Дата публикации: 2006-07-06.

Cadmium-free CuInGaSe thin film solar cell assembly and preparing method of zinc sulfide buffer layer thin film thereof

Номер патента: CN102254998A. Автор: 卢兰兰,刘壮,肖旭东,贺凡. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-23.

Efficient and stable perovskite thin film prepared at room temperature, solar cell and preparation method of efficient and stable perovskite thin film

Номер патента: CN111987218A. Автор: 李刚,陈志亮. Владелец: Shenzhen Research Institute HKPU. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of fabricating a semiconductor device by bonding together a silicon substrate and electrodes with aluminium

Номер патента: GB2022316A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-12-12.

COATING LIQUID FOR DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD OF DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: JP2004339057A. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,善美 佐藤,Yoshimi Sato,敦史 川上,義行 竹内. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Boron-doped polycrystalline silicon thin film with high piezoresistance characteristics and preparation method of boron-doped polycrystalline silicon thin film

Номер патента: CN105140105A. Автор: 王宙,董桂馥,付传起,雍帆,骆旭梁. Владелец: Dalian University. Дата публикации: 2015-12-09.

Improved method of producing two or more thin-film-based interconnected photovoltaic cells

Номер патента: KR20140105522A. Автор: 레베카 케이 파이스트,마이클 이 밀스. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2014-09-01.

Radiation-Emitting Thin-Film Semiconductor Chip and Method of Producing a Radiation-Emitting Thin Film Semiconductor Chip

Номер патента: US20110121322A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-26.

Method of treatment for water repellency, thin film forming method and method of manufacturing organic EL device using this method, organic EL device, and electric device

Номер патента: TW589918B. Автор: Hidekazu Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

High heat dissipating thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US11787157B2. Автор: Sang Ho Cho,Eui Hong Min,Buck Keun Choi. Владелец: SOLUETA. Дата публикации: 2023-10-17.

High heat dissipating thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US20200147929A1. Автор: Sang Ho Cho,Eui Hong Min,Buck Keun Choi. Владелец: SOLUETA. Дата публикации: 2020-05-14.

CHALCOGENIDE-CONTAINING PRECURSORS, METHODS OF MAKING, AND METHODS OF USING THE SAME FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Gatineau Julien,ISHII Hana,Minoura Mao. Владелец: L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

MULTI-LEVEL THIN FILM CAPACITOR ON A CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140037835A1. Автор: KOUTSAROFF Ivoyl P.,Patel Atin J.,Cervin Andrew Vladimir Claude,Vandermeulen Mark. Владелец: BlackBerry Limited. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of manufacturing highly conductive polymer thin film including plurality of conductive treatments

Номер патента: US20210054217A1. Автор: Dae Hun Kim,Tae Whan Kim,Na Hyun PARK. Владелец: Industry University Cooperation Founddation Hanyang University. Дата публикации: 2021-02-25.

MULTI-LEVEL THIN FILM CAPACITOR ON A CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150093497A1. Автор: Cervin-Lawry Andrew,Patel Atin J.,KOUTSAROFF Ivoyl,Vandermeulen Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

DIALKYLZINC PARTIAL HYDROLYSATE-CONTAINING SOLUTION AND METHOD OF PRODUCTION OF ZINC OXIDE THIN FILM USING THE SOLUTION

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Naka Toshio,Toyota Kouji,Inaba Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Method of forming by ALD a thin film of formula MYx

Номер патента: US20150211112A1. Автор: Martin François,THIEULEUX Chloe,CADOT Stéphane,QUADRELLI Elsje. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Organic display panel, organic display device, organic light emitting device, method of manufacture of these, and thin film formation method

Номер патента: US20140312336A1. Автор: Yuuki Abe,Kenichi NENDAI,Naoko Mizusaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20190259889A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20170288075A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

THIN FILM BATTERY DEVICE HAVING RECESSED SUBSTRATE AND METHOD OF FORMATION

Номер патента: US20170301956A1. Автор: Kwak Byung-Sung,YOUNG Michael Yu-tak. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

METHODS OF FORMING GROUP III PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA REMOVAL OF PORTIONS OF FIRST SPUTTERED MATERIAL

Номер патента: US20220352456A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6235649B1. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6448191B2. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-10.

Method of making an array of thin film photodiodes

Номер патента: DE19838373C2. Автор: Reinhold Buchner,Melanie Sax. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-01-31.

Light emitting device and method of manufacturing method thereof and thin film forming apparatus

Номер патента: US7744949B2. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

A kind of preparation method of silicon carbide-containing nanoparticulate thin films material

Номер патента: CN106498364A. Автор: 向鹏,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-03-15.

A kind of preparation method of CZTSSe absorption layer of thin film solar cell

Номер патента: CN105470113B. Автор: 张超,王赫,杨立,徐睿,乔在祥,赵彦民,杨亦桐,邓朝文. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2018-07-10.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110571155B. Автор: 陈明,钟国华,杨兵,李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,罗海林,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-12.

Method of forming preferentially oriented platinum thin film using oxygen and device manufactured by the method

Номер патента: JP2974006B2. Автор: 朴東衍,李東洙,禹賢廷,全東一,尹義▲俊▼. Владелец: TOYO SEMENTO KK. Дата публикации: 1999-11-08.

METHOD OF ISOLATING PATTERNS FORMED IN THIN FILM OF OXYDABLE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2879020B1. Автор: Maud Vinet,Jean Charles Barbe,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-04.

A kind of GaFeO3The preparation method of ceramic target and nano thin-film

Номер патента: CN107056271A. Автор: 赵世峰,白玉龙,邬新,陈介煜,肖忠睿. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2017-08-18.

A kind of preparation method of nano combined polyvinyl fluoride thin film

Номер патента: CN106280143A. Автор: 吴迪,邹宇帆,许博伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110957393B. Автор: 李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-19.

A kind of preparation method of big crystal grain perovskite thin film

Номер патента: CN108054284A. Автор: 蔡颖,王世荣,李祥高,肖殷. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-18.

A kind of preparation method of chitosan-polyurethane anti-fog thin film

Номер патента: CN107987304A. Автор: 姚伯龙,谈敏,徐颖聪. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-04.

A kind of preparation method of two-dimentional tungsten sulfide thin-film material

Номер патента: CN107043922A. Автор: 冯奕钰,封伟,郑楠楠. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin film battery device having recessed substrate and method of formation

Номер патента: TW201810768A. Автор: 裕德 楊,炳松 郭. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same comprising thin film containing low concentration of hydrogen

Номер патента: US7045818B2. Автор: Tsutomu Yamada,Shiro Nakanishi,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda,Kyoko Hirai,Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: US20070235876A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

A kind of method of purifying carbon nano-tube thin film

Номер патента: CN106477550A. Автор: 方英,李红变,史济东. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2017-03-08.

Thin film battery device having recessed substrate and method of formation

Номер патента: WO2017180962A3. Автор: Byung-Sung Kwak,Michael Yu-Tak Young. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-07-26.

A kind of preparation method of Zr Cu metal glass thin film

Номер патента: CN104532190B. Автор: 张倩,张博. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2017-03-15.

Semitransparent thin-film solar module

Номер патента: US20240088315A1. Автор: Robert Lechner,Andreas Heiss,Helmut Vogt,Joerg Palm. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semitransparent thin-film solar module

Номер патента: US11837675B2. Автор: Robert Lechner,Andreas Heiss,Helmut Vogt,Joerg Palm. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

A method of manufacturing solar cells, particularly thin film solar cells, and solar cells obtained by using such method

Номер патента: AU8889498A. Автор: Petrus Joseph Cornelis Van Der Vleuten. Владелец: Free Energy Europ Bv. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of heterogeneous growth of SiC thin film on silicon substrate

Номер патента: TW201015621A. Автор: Jian-Cheng Chen,Wei-You Chen,zhi-fang Huang,Zhen-Chang Huang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-04-16.

ZINC OXIDE PRECURSOR CONTAINING ALKYL ZINC HALIDE AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130129923A1. Автор: Yoo Young Zo,Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130171341A1. Автор: Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Yoo YoungZo,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Sakurai Hideaki,Watanabe Toshiaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of Making Metal/Semiconductor Compound Thin Film

Номер патента: US20140011355A1. Автор: ZHANG Wei,Wu Dongping,Zhu Zhiwei,Zhang Shili. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-09.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Lee Joo Young,Yoo Young Zo,Kim Seo Hyun,Yoon Gun Sang,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Myong Woon,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun,PARK Jongse. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering

Номер патента: US20200013948A1. Автор: SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD OF MANUFACTURING COIL UNIT IN THIN FILM TYPE FOR COMPACT ACTUATOR

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Kwon Joung Sek. Владелец: EneBrain Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF FORMING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20210020438A1. Автор: PARK Taejin,SHIN Hyeonjin,BYUN Kyung-eun,KIM Hyoungsub,KIM Hoijoon,AHN Wonsik,LEEM Mirine,CHO Yeonchoo. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD OF MANUFACTURING TRANSITION METAL CHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20160035568A1. Автор: Han Won Seok,CHUNG Yong-Duck,Lee Woo Jung,CHO Daehyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD OF FORMING TIN OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150064839A1. Автор: Mo Yeon-gon,KIM HYUN-JAE,Choi Chaun-Gi,LIM Hyun-Soo,KIM Si-Joon,JUNG Tae-Soo,RIM You-Seung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20210074831A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD OF MANUFACTURING MASK ASSEMBLY FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20140239049A1. Автор: KANG Taek-Kyo,Lee Sang-Shin,Ko Jung-Woo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140256085A1. Автор: LEE Sang-Yoon,Bao Zhenan,GIRI Gaurav,MANNSFELD Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

ELECTRIC OUTPUT PROMOTING AND FABRICATING METHOD OF PIEZOELECTRIC/CONDUCTIVE HYBRID POLYMER THIN FILM

Номер патента: US20150188032A1. Автор: Hong Chien-Chong,LIOU Tong-Miin,Lin Kai-Lun. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Preparation methods of low temperature poly-silicon thin film and transistor and laser crystallization apparatus

Номер патента: US20170207086A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaowei Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140345669A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140360554A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200295154A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHOD OF MAKING A CZTS/SILICON THIN-FILM TANDEM SOLAR CELL

Номер патента: US20160322532A1. Автор: Chaudhari Ashok. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

METHODS OF MODULATING RESIDUAL STRESS IN THIN FILMS

Номер патента: US20160329206A1. Автор: Qian Jun,Kang Hu,LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHODS OF FORMING COLLOIDAL NANOCRYSTAL-BASED THIN FILM DEVICES

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Murray Christopher B.,Hong Sung-Hoon,Kagan Cherie R.,Fafarman Aaron T.,KIM David K.,OH Soong Ju,CHOI JI-HYUK,KOH WEON-KYU,LAI YUMING,SAUDARI SANGAMESHWAR RAO. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200321213A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200350165A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200395469A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: US5932281A. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Yukoh Hochido, deceased,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 1999-08-03.

A Crystall ization method of lithium transition metal oxide thin films by plasma treatm ent

Номер патента: KR100341407B1. Автор: 박성철,이호,이재영,강윤선,강용묵. Владелец: 윤덕용. Дата публикации: 2002-06-22.

Crystallization method of lithium transition metal oxide thin film by plasma treatment

Номер патента: JP3486166B2. Автор: ジャイ・ヨン・リー,ヨゥン・ソン・カン,ホ・リー,スン・チュル・パク,ヨン・モーク・カン. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-01-13.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: US20060207503A1. Автор: Daniel Smith,Ali Shajii,Paul Meneghini,William Clark. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Alkyl zinc halide zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101357595B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박태정,유영조,윤근상,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Method of forming copper interconnections and thin films using chemical vapor deposition with catalyst

Номер патента: KR100465982B1. Автор: 고원용,이지화,박형상. Владелец: 지니텍 주식회사. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of manufacturing mask assembly for thin film deposition

Номер патента: KR102072679B1. Автор: 이상신,고정우,강택교. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-02-04.

Preparation method of composite inorganic-organic hybrid thin film based on ALD (atomic layer deposition) technology

Номер патента: CN103510074A. Автор: 吴迪,李爱东,曹燕强,曹正义. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-15.

High speed deposition method of amorphous and crystalline sige thin film by reactive atmospheric pressure chemical vapor deposition

Номер патента: KR101177057B1. Автор: 이석호,박주영,임철현,하나쥰이치,야스타케키요시,히로아키 카키우치. Владелец: 재단법인 서남권청정에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-08-24.

Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus

Номер патента: US7462372B2. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Preparation method of molybdenum dioxide nanowire/nanosheet thin film array with good electrocatalytic hydrogen evolution performance

Номер патента: CN110359061B. Автор: 王岩,张勇,吴玉程,崔接武,舒霞,秦永强,刘志民,魏浩山. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of manufacturing multi-crystallized silicon thin film

Номер патента: KR100270618B1. Автор: 이재원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-01.

Manufacturing method of citrus concentrate using centrifugal thin film evaporator and pulsed electric field, and citrus concentrate manufactured thereby

Номер патента: KR101978432B1. Автор: 남영주,최혁준,한복경. Владелец: 주식회사 비케이바이오. Дата публикации: 2019-05-14.

Process of fabricating low temperature curable polyester resin with non-toxic, high weather resistant and power coating composition using the polyester

Номер патента: KR101672886B1. Автор: 김규형,김지환,장영규,윤범식,추재영,노규석. Владелец: 주식회사 이노폴. Дата публикации: 2016-11-04.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: CN101171368A. Автор: A·沙吉,D·史密斯,W·克拉克,P·梅内吉尼. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

APPARATUS AND METHOD OF USE FOR PLASMA-ASSISTED THIN FILM FORMATION

Номер патента: FR2589168A1. Автор: Jacques Schmitt. Владелец: Solems SA. Дата публикации: 1987-04-30.

Method of depositing transition metal nitride thin films

Номер патента: EP1242647B1. Автор: Kai-Erik Elers,Suvi Päivikki HAUKKA,Ville Antero Saanila,Sari Johanna Kaipio,Pekka Juha Soininen. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-08-13.

Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays

Номер патента: CA2469500A1. Автор: Dave Lovell,Terry Hunt. Владелец: Terry Hunt. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming indium tin oxide thin film using magnetron negative ion sputter source

Номер патента: TW539752B. Автор: Steven Kim,Daeil Kim. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Method of manufacturing multi-level metal thin film and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: KR101334221B1. Автор: 박영훈,이정욱. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2013-11-29.

Manufacturing method of BI layer structure ferroelectric thin film

Номер патента: KR100295870B1. Автор: 마사미치 마츠모토,유코 호치도,히데키미 가도쿠라,고지 아리타,마사미치 아즈마,다츠오 오츠키. Владелец: 호치도 요코. Дата публикации: 2001-10-24.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: CA2205189A1. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki,Yukoh Hochido (Deceased). Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 1997-11-14.

Method of forming indium tin oxide thin film including a seed layer and a bulk layer utilizing an optimized sequential sputter deposition

Номер патента: KR100514952B1. Автор: 조준식,고석근,백영환,한영건. Владелец: 주식회사 피앤아이. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays

Номер патента: AU2002347164A1. Автор: Dave Lovell,Hunt Terry. Владелец: iFire Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus

Номер патента: US20020030443A1. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Manufacturing method of high-performance high-frequency thin-film mechanical wave resonator

Номер патента: CN115242214A. Автор: 陈立均,代文亮,赵佳豪,吴浩昱. Владелец: Shanghai Sinbo Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams

Номер патента: EP2431120A1. Автор: Gediminas Raciukaitis,Mindaugas Gedvilas,Bogdan Voisiat. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2012-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film resistor

Номер патента: JP2932940B2. Автор: 幹昌 鈴木,眞喜男 飯田,大川　　誠. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-08-09.

Preparation method of novel nano-silver conductive thin film

Номер патента: CN106683790A. Автор: 司荣美,潘中海,刘彩风. Владелец: Tianjin Baoxingwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

The method of manufacturing a cubic yba2cu3ox thin film

Номер патента: KR100248081B1. Автор: 서정대,성건용. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2000-04-01.

Manufacturing method of semiconductor sebstrate having flat thin film

Номер патента: KR950011015B1. Автор: 강진영,정귀상,안근영. Владелец: 재단법인한국전자통신연구소. Дата публикации: 1995-09-27.

Method of manufacturing a Silicon-based thin-film-photoelectric conversion device

Номер патента: EP1524703B1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Katsuhiko Nomoto,Yusuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams

Номер патента: EP2431120B1. Автор: Gediminas Raciukaitis,Mindaugas Gedvilas,Bogdan Voisiat. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2017-07-05.

Method of Preparing Ionic Crosslinked Polymer Thin Films Using Initiated Chemical Vapor Deposition

Номер патента: KR101746632B1. Автор: 오명석,임성갑,주문규. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2017-06-14.

Method of manufacturing glass sheet with thin film and the glass sheet

Номер патента: US20050144981A1. Автор: Toru Yamamoto,Masahiro Hirata,Masato Hyodo,Koichiro Kiyohara,Kiyotaka Ichiki. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Manufacturing method of the see-through type thin film solar cell

Номер патента: KR102383037B1. Автор: 김원목,박종극,정증현,유형근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2022-04-06.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: US11597198B2. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-07.

Low-temperature preparation method of metal nanowire transparent conducting thin film

Номер патента: CN106563632A. Автор: 吴欣凯,连璐,何谷峰,奚馨. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of forming at least one thin film device

Номер патента: US7202179B2. Автор: Ping Mei,Carl P. Taussig,Han-Jun Kim. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of manufacturing semiconductor single crystal thin film

Номер патента: KR19990087419A. Автор: 히토시 하부카. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-12-27.

Crystallization method of polycrystalline for Amorphous silicon thin film

Номер патента: KR101493600B1. Автор: 임재원,유영동,장명식. Владелец: 주식회사 에프에스티. Дата публикации: 2015-02-13.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: US20090029502A1. Автор: Soo Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Apparatus for plasma activated vapour deposition and method of making multi-junction silicon thin-film modules and solar cell panels

Номер патента: RU2454751C1. Автор: Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА,Мохд АСЛАМИ. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of forming silicon-contained crystal thin film

Номер патента: US20010019877A1. Автор: Kiyoshi Ogata,Koji Miyake. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of making a CZTS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US10062792B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-08-28.

Preparation method of triggering agent used for thin-film battery texturing technology

Номер патента: CN105633179A. Автор: 钱根来. Владелец: Wuxi Yichen Mould Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of producing at least one thin-film field-effect transistor , and transistor obtained

Номер патента: DE3568669D1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-04-13.

Method of manufacturing an oxide superconductor thin film

Номер патента: EP0567159A1. Автор: Kiyoshi c/o Superconductivity Res. Lab. Yamamoto,Nobuyuki c/o Superconductivity Res. Lab. Sugii,Koichi c/o Superconductivity Res. Lab. Kubo,Michiharu c/o Superconductivity Res.Lab Ichikawa,Hisao c/o Superconductivity Res.Lab Yamauchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-27.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: SG55315A1. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki,Yukoh Hochido. Владелец: Kojundo Chemical Lab Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-21.

Method of forming a aluminum oxide thin film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356473B1. Автор: 김경민,유용식,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

manufacturing method of low-k plasma polymerized thin films and semiconductor devices using them

Номер патента: KR100371691B1. Автор: 정동근. Владелец: 정동근. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of producing a microcrystal semiconductor thin film

Номер патента: AU756834B2. Автор: Jinsho Matsuyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of preparing nanocrystalline cobalt metal thin film using electrodeposition

Номер патента: KR100635302B1. Автор: 정광덕,민선기,주오심,하비브 엠. 파탄. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of depositing Ge-Sb-Te thin film

Номер патента: TW200709279A. Автор: Jung-Wook Lee,Ki-hoon Lee,Tae-Wook Seo,Byung-Chul Cho. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Manufacturing method of self-organized nano-structured thin films by using agglomeration phenomenon

Номер патента: KR101174321B1. Автор: 정우 구,재근 하,마사오 가미코,재민 김. Владелец: 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠. Дата публикации: 2012-08-16.

Manufacturing method of roll for winding metallic thin film and winding roll using the same

Номер патента: KR102275292B1. Автор: 황수일. Владелец: 주식회사 용진. Дата публикации: 2021-07-09.

Full-non-vacuum process preparation method of copper-zinc-tin-sulfur thin film solar cell

Номер патента: CN103078010A. Автор: 向勇,张海涛,谢梦,张庶. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-05-01.

Method of manufacturing a flexible organic thin film solar cell by ion beam treatment

Номер патента: DE102010038977B4. Автор: Won Jung Kim,Yong Gu Kim,Ki Chun Lee,Yong Jun Jang,Mi Yeon Song,Sang Hak Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: EP0137043B1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1992-04-01.

Method of manufacturing high resolution organic thin film pattern

Номер патента: EP2343749A3. Автор: Min-chul Suh,Sin-Doo Lee,Won-Suk Choi,Min-Hoi Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition

Номер патента: AU2002361557A1. Автор: Stephen R. Forrest,Max Shtein. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-06-10.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: TW200908363A. Автор: Soo-Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US20030113958A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of depositing Ge-Sb-Te thin film

Номер патента: US20070048977A1. Автор: Jung-Wook Lee,Ki-hoon Lee,Tae-Wook Seo,Byung-Chul Cho. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

The preparation method of organic inorganic hybridization perovskite thin film and perovskite solar battery

Номер патента: CN105470391B. Автор: 刘岩,雷磊,杨松旺,曹启鹏,解俊杰,高潜潜. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2019-01-08.

Method of synthesizing organometallic compound and thin film using thereof

Номер патента: KR20220145619A. Автор: 김형준,이유진,박정우,박미라,석장현,서진형,남태욱. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2022-10-31.

Method of producing compound nanorods and thin films

Номер патента: US20080292808A1. Автор: Bing Liu,Yong Che,Zhendong Hu. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: US20220105719A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via sputtering

Номер патента: US20220344576A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Improving method of molybdenum electrode exfoliation for thin film solar cell

Номер патента: TW201248866A. Автор: Yi-Cheng Lin,Wang-Lin Liu,jia-huang Shen,Yan-Chao Wang,xiao-jun Zhu. Владелец: Prec Machinery Res & Dev Ct. Дата публикации: 2012-12-01.

Process for the electroless application of metallizations of varying composition to substrates and aqueous refreshing solution which can be used therein

Номер патента: DE2718556B2. Автор: Michael Sherborn Gulla,Howard A. Quincy Mckay,Charles R. Newton Shipley Jun.. Владелец: Shipley Co Inc. Дата публикации: 1979-07-12.

High pressure decorative laminates containing an air- laid web of fibers and filler and method of producing same

Номер патента: CA1168145A. Автор: Theodore R. Clarke,John F. Hosler. Владелец: Formica Corp. Дата публикации: 1984-05-29.

Thin film capacitors on gallium arsenide substrate and process for making the same

Номер патента: CA2163130C. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma,Toshiyuki Ueda. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Cutting elements, and related earth-boring tools, supporting substrates, and methods

Номер патента: US20190368278A1. Автор: Marc W. Bird,Wanjun Cao. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Cutting elements, and related earth-boring tools, supporting substrates, and methods

Номер патента: US20220298867A1. Автор: Wanjun Cao,Marc Bird. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of forming cutting elements

Номер патента: US11885182B2. Автор: Marc W. Bird,Wanjun Cao. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of coating substrates with electrically charged conductive materials, electrically conductive coated substrates, and associated apparatuses

Номер патента: US20140106143A1. Автор: Shahnaz Shokri,Quynhgiao N. Le,Christopher Broadbent,Terrell Diane Riley,Alexandria Elena Corona. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-04-17.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US20210078857A1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Microstructure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070289945A1. Автор: Akio Uesugi,Yoshinori Hotta,Yusuke Hatanaka,Tadabumi Tomita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

AlN thin film growing on metal aluminum substrate and preparing method and application thereof

Номер патента: CN103996610B. Автор: 李国强. Владелец: Guangzhou Zhongtuo Optoelectrical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Nitride growth substrate, especially for hetero epitaxial deposition of gallium nitride useful in optoelectronic devices, produced by bonding compliant thin films of growth and support substrates and thinning the growth substrate

Номер патента: FR2787919A1. Автор: Didier Pribat,Jean Charles Garcia,Jean Louis Guyaux,Daniel Rondi. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2000-06-30.

Method of applying phosphate conversion coatings to Fe-R-B substrates, and Fe-R-B articles having a phosphate conversion coating thereon

Номер патента: US5067990A. Автор: Raymond Ribitch. Владелец: Hitachi Metals International Ltd. Дата публикации: 1991-11-26.

Method of producing at least one window opening in an elongate paper substrate, and apparatus

Номер патента: CA2662028C. Автор: Georg Kaluza,Reinwald Mitsam,Michael Gwosdz-Kaupmann. Владелец: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2013-09-10.

Thin film electronic components on flexible substrates and the apparatus and process for producing same

Номер патента: CA937683A. Автор: J. Page Derrick,P. Brody Thomas,O. Raygor Paul. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-11-27.

Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom

Номер патента: US6296701B1. Автор: Qing He,David K. Christen. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2001-10-02.

Composite separator including porous substrate with porous layer including polyacrylic acid metal salt binder and inorganic particles, lithium battery including the same, and method of preparing the same

Номер патента: US11862812B2. Автор: Byungmin LEE,Minho CHO,Kyoseon KOO,Esul JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

LTPS TFT Substrate Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20170110489A1. Автор: Gaiping LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of manufacturing micro light-emitting element array, transfer carrier, and micro light-emitting element array

Номер патента: US10991846B2. Автор: Tzu-Yu Ting,Yu-Hung Lai,Sheng-Chieh Liang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20170170375A1. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Yi Ming Chen,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Mems device with enhanced membrane structure and method of forming the same

Номер патента: US20230370783A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chun Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Hybrid pigments and methods of making same

Номер патента: EP4352166A1. Автор: Liming Tang,Thomas DIPIETRO,Christopher NEWBACHER. Владелец: Day Glo Color Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of selective photo-enhanced wet oxidation for nitride layer regrowth on substrates and associated structure

Номер патента: US20140252308A1. Автор: Po-Chun Yeh,Lung-Han Peng,Jeng-Wei Yu. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of selective photo-enhanced wet oxidation for nitride layer regrowth on substrates and associated structure

Номер патента: US20140131750A1. Автор: Po-Chun Yeh,Lung-Han Peng,Jeng-Wei Yu. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220293553A1. Автор: Takumi Shigemoto,Mana Nishino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Hybrid pigments and methods of making same

Номер патента: WO2022261439A1. Автор: Liming Tang,Thomas DIPIETRO,Christopher NEWBACHER. Владелец: Day-Glo Color Corp.. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210398932A1. Автор: Jun Chen,Tao Wang,Xinsheng Wang,Siping Hu,Weihua Cheng,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Jifeng Zhu,Jiawen Wang,Taotao DING,Shining Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Hybrid pigments and methods of making same

Номер патента: CA3221306A1. Автор: Liming Tang,Thomas DIPIETRO,Christopher NEWBACHER. Владелец: Day Glo Color Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180006206A1. Автор: Chien-Fu Huang,Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Radiation-Curable Coating Composition, Method of Coating a Substrate and Coated Substrate

Номер патента: US20230279236A1. Автор: Keimpe Jan Van Den Berg,Bernard Lucas Feringa,Rogier VAN GEMERT,Johannes George Hendrik HERMENS. Владелец: AKZO NOBEL COATINGS INTERNATIONAL BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Composite separator, lithium battery including the same, and method of preparing the composite separator

Номер патента: US20240136660A1. Автор: Byungmin LEE,Minho CHO,Kyoseon KOO,Esul JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Structure and formation method of chip package with lid

Номер патента: US20170358542A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Kuang-Chun Lee,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Ink feedhole of inkjet printhead and method of forming the same

Номер патента: US20100171793A1. Автор: Dong-sik Shim,Jong-Seok Kim,Moon-Chul Lee,Yong-seop Yoon,Yong-won Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Reduced-resistance finfets and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2007071555A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman,Haining Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Composite separator, lithium battery including the same, and method of preparing the composite separator

Номер патента: US20240234951A9. Автор: Byungmin LEE,Minho CHO,Kyoseon KOO,Esul JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

PROCESSING SYSTEM FOR PROCESSING A FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF MEASURING AT LEAST ONE OF A PROPERTY OF A FLEXIBLE SUBSTRATE AND A PROPERTY OF ONE OR MORE COATINGS ON THE FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20220056576A1. Автор: Bangert Stefan,DEPPISCH Thomas,RANGASAMY Ezhiylmurugan,ALLISON Mathew Dean. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Toyama Hiroshi,OYU Kiyonori,Park Jung Chul,SUGIOKA Shigeru,Bansal Raj K.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-16.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Toyama Hiroshi,OYU Kiyonori,Park Jung Chul,SUGIOKA Shigeru,Bansal Raj K.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus

Номер патента: PL2264224T3. Автор: Jérome Villette,Catherine Chaix,Valerick Cassagne. Владелец: RIBER. Дата публикации: 2012-09-28.

Apparatus for forming thin film on a tape-type substrate and method for forming the same

Номер патента: KR100276003B1. Автор: 구두훈,오상현,염도준. Владелец: 윤덕용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method of cleaning the surface of a material coated with an organic substrate and a generator and device for carrying out said method

Номер патента: CN1633524A. Автор: 帕特里克·肖凯,丹尼尔·沙莱,杰拉德·巴拉维恩,伯纳德·拉库尔,文森特·皮埃什. Владелец: USINOR SA. Дата публикации: 2005-06-29.

METHOD FOR FORMING NITRIDE THIN FILM ON m-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: KR101277365B1. Автор: 오동섭,이성남,신수진. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2013-06-20.

Interconnection structure through substrate and method of manufacturing the same, and device package having interconnection structure through substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101323894B1. Автор: 박재형,이주용,이승기. Владелец: 단국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-12-19.

Thin film manufacturing method on special substrate and its application

Номер патента: JP4384410B2. Автор: アスパール，ベルナール,クレール，ジヤン−フレデリツク. Владелец: コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク. Дата публикации: 2009-12-16.

Thin film coating of a slotted substrate and techniques for forming slotted substrates

Номер патента: US20040067319A1. Автор: Mark MacKenzie,Allen Smith,Victorio Chavarria,Thomas Pettit,Roberto Pugliese,Steven Storm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Composite substrate, thin-film electroluminescent device using the substrate, and production process for the device

Номер патента: US20010003614A1. Автор: Takeshi Nomura,Katsuto Nagano,Taku Takeishi,Yukie Nakano,Suguru Takayama,Daisuke Iwanaga. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-06-14.

Thin film capacitors on gallium arsenide substrate and process for making the same

Номер патента: CA2163130A1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma,Toshiyuki Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-21.

Processing system for processing a flexible substrate and method of measuring at least one of a property of a flexible substrate and a property of one or more coatings on the flexible substrate

Номер патента: US20230137506A1. Автор: Stefan Bangert,Thomas Deppisch,Mathew Dean ALLISON,Ezhiylmurugan Rangasamy. Владелец: Applied Materials GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210335742A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402521A1. Автор: Chen-Yu Tai,Chih-Chang Hung,Chun-Liang Lai,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Processing system for processing a flexible substrate and method of measuring at least one of a property of a flexible substrate and a property of one or more coatings on the flexible substrate

Номер патента: EP4200461A1. Автор: Stefan Bangert,Thomas Deppisch,Mathew Dean ALLISON,Ezhiylmurugan Rangasamy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Hybrid pigments and methods of making same

Номер патента: US20220396701A1. Автор: Liming Tang,Thomas DIPIETRO,Christopher NEWBACHER. Владелец: Day Glo Color Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

METHOD OF FORMING A PIGMENT LAYER AND A FOAM LAYER ON A SUBSTRATE AND A CONTAINER TREATED BY THE SAME

Номер патента: US20130149449A1. Автор: CHANG Ching-Wen,CHANG Sheng-Su. Владелец: RICH CUP BIO-CHEMICAL TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

METHODS OF COATING SUBSTRATES WITH ELECTRICALLY CHARGED CONDUCTIVE MATERIALS, ELECTRICALLY CONDUCTIVE COATED SUBSTRATES, AND ASSOCIATED APPARATUSES

Номер патента: US20140106143A1. Автор: Le Quynhgiao N.,SHOKRI Shahnaz,Broadbent Christopher,Corona Alexandria Elena,Riley Terrell Diane. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND BULK CRYSTAL

Номер патента: US20200024770A1. Автор: Sasaki Hitoshi,KOBAYASHI Tomohiro,Goto Hiroki,ISHIHARA Yujiro,FUDA Shoichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF SELECTIVE PHOTO-ENHANCED WET OXIDATION FOR NITRIDE LAYER REGROWTH ON SUBSTRATES AND ASSOCIATED STRUCTURE

Номер патента: US20140131750A1. Автор: PENG Lung-Han,Yu Jeng-Wei,YEH PO-CHUN. Владелец: OPTO TECH CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD OF SELECTIVE PHOTO-ENHANCED WET OXIDATION FOR NITRIDE LAYER REGROWTH ON SUBSTRATES AND ASSOCIATED STRUCTURE

Номер патента: US20140252308A1. Автор: PENG Lung-Han,Yu Jeng-Wei,YEH PO-CHUN. Владелец: OPTO TECH CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

METHODS OF OPERATING A WIRE BONDING MACHINE TO IMPROVE CLAMPING OF A SUBSTRATE, AND WIRE BONDING MACHINES

Номер патента: US20180323167A1. Автор: Yang Liu,Gupta Kamal,III Samuel,Capistrano,Kuong Wong Hing,Peh Peter. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

METHOD OF FORMING A PIGMENT LAYER AND A FOAM LAYER ON A SUBSTRATE AND A CONTAINER TREATED BY THE SAME

Номер патента: US20150375261A1. Автор: CHANG Ching-Wen,CHANG Sheng-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

METHOD OF FORMING AN ALUMINOSILICATE-ZEOLITE LAYER ON AN ALUMINIUM-CONTAINING METALLIC SUBSTRATE AND USE OF THE SUBSTRATE OBTAINED THEREBY

Номер патента: US20180371616A1. Автор: SCHWIEGER Wilhelm,Herrmann Ralph,Chandra Rajesh Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Manufacturing method of chalcogenide solar cell with double texture structure having a textured substrate and chalcogenide solar cell by the same

Номер патента: KR101326140B1. Автор: 조아라,박주형,박상현,조준식,안승규,유진수,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-11-06.

A method of forming an aluminosilicate zeolite layer on an aluminum-containing metallic substrate and using the subsequently obtained substrate

Номер патента: DE102015122301A1. Автор: Ralph Herrmann,Prof. Dr. Schwieger Wilhelm,Rajesh Kumar Chandra. Владелец: Sortech AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of forming an aluminosilicate-zeolite layer on an aluminium-containing metallic substrate and use of the substrate obtained thereby

Номер патента: WO2017102442A1. Автор: Wilhelm Schwieger,Ralph Herrmann,Rajesh Kumar Chandra. Владелец: Sortech AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom

Номер патента: US6555256B1. Автор: Qing He,David K. Christen. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2003-04-29.

Method of forming metal or metal compound coat on surface of glass substrate and device suitable for forming such coat

Номер патента: JPS52124427A. Автор: Buan Raetan Robeeru. Владелец: BFG Glassgroup GIE. Дата публикации: 1977-10-19.

METHOD OF DEPOSITING A POROUS METAL FILM ON A METAL OR PLASTIC SUBSTRATE AND APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF ELECTROLYTIC CAPACITORS

Номер патента: FR2463496B1. Автор: . Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1985-06-28.

SUBSTRATE, METHOD OF TREATING A SAMPLE UNDERSTANDING AT LEAST A BIOLOGICAL SUBSTANCE WITH SUBSTRATE AND METHOD TO SEPARATE AT LEAST ONE SUBSTANCE FROM A NET SAMPLE

Номер патента: BR102012018861A2. Автор: Samuel Nochumson,Hassan Ait-Haddou,Frank ONYEMAUWA,Jonathan HAIGH. Владелец: Pall Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Thin film transistor substrate and method fabricating the same

Номер патента: US20130105790A1. Автор: Yao-Chou Tsai,Fang-An Shu,Wen-Chung Tang,Ted-Hong Shinn. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09443886B2. Автор: Jung-Il Lee,Kum-Mi Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110294267A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: EP3676876A1. Автор: WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20010018240A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Thin film transistor substrate, organic light-emitting apparatus including the same, method of manufacturing the thin film transistor substrate, and method of manufacturing the organic light-emitting apparatus

Номер патента: US09595694B2. Автор: Dong-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09812579B2. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin-film transistor substrate, display apparatus, method of manufacturing thin-film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09721901B2. Автор: Jihyeon Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: EP3417485A1. Автор: Xu Wu,Jun Wang,Jianfei Shi,Yongliang Zhao,Zhonghao Huang,Baosheng HE,Yutong Yang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-26.

Thin-film transistor substrate, method of manufacturing same, and organic light-emitting display apparatus including thin-film transistor substrate

Номер патента: US09525047B2. Автор: Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Kwang-Hae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and pixel structure

Номер патента: US20120037908A1. Автор: Shine-Kai Tseng,Huang-Chun Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of manufacturing thin film transistor substrate, method of manufacturing display apparatus, thin film transistor substrate, and display apparatus

Номер патента: US09653292B2. Автор: Yoonho Khang,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin film transistor, organic EL light emitting device, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US09620731B2. Автор: Takaaki Ukeda,Akihito Miyamoto,Norishige Nanai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of manufacture of high-temperature thin-film resistor

Номер патента: RU2326460C1. Автор: Игорь Валерь нович Волохов,Игорь Валерьянович Волохов,Евгений Владимирович Песков,Дмитрий Валентинович Попченков. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-06-10.

The method of production of devices with thin film superconducting junctions

Номер патента: RU2442246C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Леонид Сергеевич Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming aluminum gate of thin film transistor

Номер патента: TW410383B. Автор: Ding-Jang Jang,Bo-Sheng Shr,Du-Ren Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-01.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin-film transistor.

Номер патента: SG19094G. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe. Владелец: Seikosha Co Limited. Дата публикации: 1994-06-10.

Method of producing super-thin silicon films on sapphire

Номер патента: RU2427941C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of fabricating polycrystalline silicon thin-film transistor

Номер патента: KR100788993B1. Автор: 김영훈,한정인,김원근. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2007-12-28.

Thin film transistor, active matrix substrate, and manufacturing method for thin film transistor and active matrix substrate

Номер патента: JP2012124194A. Автор: Kazunori Inoue,和式 井上,直樹 津村,顕祐 長山,Kensuke Nagayama,Naoki Tsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

MANUFACTURE METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE AND MASK

Номер патента: US20120309136A1. Автор: XUE Jianshe,Zhou Weifeng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-06.

Method of regulating resistance value of thin film resistance element

Номер патента: JPS5630705A. Автор: Yasuo Kitahata,Yuuzou Ozaki. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1981-03-27.

Method of forming pattern of hybrid thin film integrated circuit

Номер патента: JPS5544753A. Автор: Susumu Okamoto,Masao Kiyouno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Method of improving planarization of ITO thin film

Номер патента: TW200407459A. Автор: Tiau-Hung Shiau. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-05-16.

METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120052609A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564B. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2013-05-01.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564A. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2011-08-17.

Laser recrystallization method of low temperature polycrystalline silicon thin film transistor active layer

Номер патента: JP3942100B2. Автор: 葉清發,陳添富,羅正忠. Владелец: 國立交通大學. Дата публикации: 2007-07-11.

Method of forming top contact organic thin film transistor with passivation layer

Номер патента: TWI536627B. Автор: 林禹佐,范慶麟,李政頡,林暐鈞. Владелец: 國立臺灣科技大學. Дата публикации: 2016-06-01.

A method of growing a silicon carbide thin film on a (111) silicon substrate

Номер патента: TW201042709A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Jui-Min Liu,Wei-Yu Chen,Wei-Cheng Lai,Chih-Fang Hwang,Shao-How Lu. Владелец: Prec Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of making low dielectric constant thin film

Номер патента: TWI231000B. Автор: Ming-Sheng Yang,Neng-Huei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-11.

Method of making ni-w-p thin-film resistors

Номер патента: PL288130A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of making ni-co-p thin-film resistors

Номер патента: PL288129A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

METHOD OF FABRICATING POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM

Номер патента: US20120064702A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

THIN FILM TRANSISTOR, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120187393A1. Автор: IWASAKA Toshihiko,INOUE Kazunori,AOKI Masaru,NOGUCHI Reiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film transistor, active matrix substrate, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5667424B2. Автор: 和式 井上,井上　和式,津村　直樹,直樹 津村,顕祐 長山. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin film transistor (TFT) array substrate and liquid crystal panel thereof

Номер патента: CN103676370A. Автор: 岳明彦. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Thin film transistor (TFT) array substrate and manufacturing method thereof and detection method

Номер патента: CN102315227B. Автор: 秦纬. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

A kind of thin film transistor (TFT), array substrate and display device

Номер патента: CN207909882U. Автор: 陈红,张德强,周茂清. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Thin film transistor (TFT) array substrate and manufacturing method thereof and detection method

Номер патента: CN102315227A. Автор: 秦纬. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Ferroelectric thin film material, manufacturing method of ferroelectric thin film material, manufacturing method of dielectric bolometer using ferroelectric thin film material, dielectric bolometer, and infrared detection element using the same

Номер патента: JP3683095B2. Автор: 実 野田,和彦 橋本,雅則 奥山,久保　　竜一,華平 許. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Making method of nano structure forming on semiconductor pad or bond pad of substrate and nano structure thereof

Номер патента: TW200725853A. Автор: Syh-Yuh Cheng,Ren-Jay Lin,Su-Chung Chang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-01.

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM LAMINATED BODY AND PRODUCTION METHOD OF SAME, AND SILICON-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120024381A1. Автор: Abe Yoshiyuki,Nakayama Tokuyuki. Владелец: Sumitomo Metal Mining., Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY CIS THIN FILM FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20130045565A1. Автор: Yoon Kyung-Hoon,Shin Kee-Shik,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Ahn Se-Jin,Ahn Seoung-Kyu,SONG Ki-Bong,Gwak Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Method of manufacturing optical thin film and method of manufacturing substrate having optical thin film

Номер патента: JP3404346B2. Автор: 健 川俣. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Process of fabrication of tunable thin-film resistor

Номер патента: RU2231151C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов,В.В. Лугина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов". Дата публикации: 2004-06-20.

METHOD OF PRODUCING POROUS VALVE METAL THIN FILM AND THIN FILM PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20130017115A1. Автор: Komukai Tetsufumi,Osako Toshiyuki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Nano honeycomb titanium dioxide structure thin film with rough surface and preparation method of nanohoneycomb titanium dioxide structure thin film

Номер патента: CN102418133A. Автор: 何春年,赵乃勤,师春生,刘恩佐,李家俊,杜希文,初飞. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-18.

A kind of preparation method of bottom gate self alignment zino oxide film transistor

Номер патента: CN102593008B. Автор: 王薇,王亮亮,张盛东,王漪,康晋锋,刘晓彦,蔡剑,韩德栋,任奕成,耿友峰. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

METHOD OF PRODUCTION OF CIS-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120258562A1. Автор: . Владелец: SHOWA SHELL SEKIYU K. K.. Дата публикации: 2012-10-11.

Method of x-ray diffractometry of thin films

Номер патента: SU1536284A1. Автор: Виталий Васильевич Аристов,Леонид Григорьевич Шабельников. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР. Дата публикации: 1990-01-15.

A kind of preparation method of chemical modification wood fibre thin-film material

Номер патента: CN105061789B. Автор: 施庆珊,陈铭杰. Владелец: Guangdong Institute of Microbiology. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of electric-spark application of thin-film coatings

Номер патента: SU730522A1. Автор: Михаил Константинович Мицкевич,Алла Ивановна Бушик,Иван Алексеевич Бакуто,Владимир Анатольевич Шилов,Жорж Адамович Мрочек. Владелец: Физико-технический институт АН Белорусской ССР. Дата публикации: 1980-04-30.

Method of making magnetic cores of thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1683066A1. Автор: Сергей Викторович Павлов,Леонид Николаевич Герасимук,Василий Андреевич Сагайдак,Елена Андреевна Шейгас,Игорь Михайлович Брызгин. Владелец: Предприятие П/Я В-8071. Дата публикации: 1991-10-07.

Holographic method of determination of thermoplastic media thin film rheological characteristics

Номер патента: SU945846A1. Автор: Андрей Андреевич Козак,Николай Григорьевич Находкин,Святослав Иванович Сорока,Иван Иванович Ляшко,Юрий Маркович Барабаш,Николай Георгиевич КУВШИНСКИЙ. Владелец: Киевский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Т.Г.Шевченко. Дата публикации: 1982-07-23.

Method of measuring the thickness of thin films on substrates

Номер патента: SU684299A1. Автор: Владимир Афанасьевич Конев,Николай Николаевич Пунько,Николай Васильевич Любецкий. Владелец: Центральное Конструкторское Бюро С Опытным Производством. Дата публикации: 1979-09-05.

Sputtering target material, manufacturing method of sputtering target material, and manufacturing method of laminated substrate with piezoelectric thin film

Номер патента: JP7022853B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,文正 堀切. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Deposition method of gas barrier silicon oxide thin film by CVD method

Номер патента: JP4595487B2. Автор: 浩人 鹿島,敏明 掛村,功 森本. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Holographic method of determination of characteristics of thin films of thermoplastic media

Номер патента: SU1555696A1. Автор: Борис Николаевич Тюшкевич,Михаил Николаевич Нижник. Владелец: Институт электроники АН БССР. Дата публикации: 1990-04-07.

A kind of preparation method of high tuning rate BMNT thin-film material

Номер патента: CN104087904B. Автор: 许丹,李玲霞,董和磊,金雨馨,于士辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of preparation method of Konjac Glucomannan and the thin-film evaporator adopted thereof

Номер патента: CN103193896B. Автор: 刘敏,李进伟,李云霄,张林峰,肖湘,罗立新,朱维维,罗天瑞. Владелец: WUHAN KONIFIBER BIOTECHNOLOGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of measuring elastic modulus of thin film type optical path control device

Номер патента: KR19980069193A. Автор: 김성욱. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-10-26.

METHOD OF PREPARATION OF HIGH-CONDUCTIVE THIN FILMS BASED ON Cu6PS5I IODIDE-PENTATHYPHOSPHATE AS A MATERIAL FOR SOLID-ELECTROLYTIC GELGER

Номер патента: UA112612U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2016-12-26.

Method of manufacturing laterally coupled BAW thin films

Номер патента: US20120086523A1. Автор: . Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of Soldering to High Efficiency Thin Film Solar Panels

Номер патента: US20120088327A1. Автор: WANG FEI,Kress Markus,Brand Adam,Chang Inchu,Liu Kuo-Wei,Straub Axel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

METHOD OF PRODUCING COMPOUND NANORODS AND THIN FILMS

Номер патента: US20120148756A1. Автор: . Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

METHODS OF AND HYBRID FACTORIES FOR THIN-FILM BATTERY MANUFACTURING

Номер патента: US20120312474A1. Автор: Haas Dieter,NALAMASU Omkaram,Kwak Byung-Sung,Bangert Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140093997A1. Автор: LEE Sang-Yoon,JIN Yong-wan,Chung Jong Won,Bao Zhenan,KOO Bon Won,GIRI Gaurav. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Forming method of nitrogen-doped silicon carbide thin film

Номер патента: CN102097304B. Автор: 周鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Magnetic detection element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head using the magnetic detection element

Номер патента: JP3774375B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of manufacturing and structure for thin film infrared sensor

Номер патента: KR970005149B1. Автор: 이돈희. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 1997-04-12.

Preparation method of Bi-based chalcogenide thermoelectric thin film

Номер патента: CN102337524B. Автор: 陈立东,陈喜红,刘付胜聪,孙正亮. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-17.

Method of manufacturing pole pieces for thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1203580A1. Автор: Георгий Николаевич Розоринов,Сергей Николаевич Миронов,Андрей Александрович Снарский. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1986-01-07.

Method of producing stannic oxide transparent thin film fluorescent su bstance

Номер патента: JPS5271394A. Автор: Kiyotaka Wasa,Shigeru Hayakawa,Takao Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-14.

Preparation method of nitrogen-doped titanium oxide thin film

Номер патента: CN103160802A. Автор: 万军,陈波,李超波,夏洋,黄成强,饶志鹏,石莎莉,赵柯杰,吕树玲. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Manufacturing method of planar electric heater by thin film printing to prevent dust adhesion

Номер патента: JP3418124B2. Автор: 友康 石川,哲治郎 久保. Владелец: 東商開発株式会社. Дата публикации: 2003-06-16.

Preparation method of polymer-stabilized liquid crystal thin film material with wide wave reflection

Номер патента: CN103275736B. Автор: 王玲,陈兴武,宋平,阮云芳. Владелец: ZHEJIANG XINGXING OPTICS MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Production method of exposure light shield and thin film graphic pattern layer

Номер патента: CN101271267B. Автор: 王宇宁,周景瑜,陈健宏. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287B. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Method of preparing cyclotron targets and thin-film radioactive irradiation sources

Номер патента: SU878080A1. Автор: Б.Л. Жуйков,В.М. Плотко,И.И. Звара. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований. Дата публикации: 1983-10-15.

Preparation method of rare earth red-light thin film with PMMA as substrate

Номер патента: CN104045954A. Автор: 李川,何健,杨朝龙,尚明勇,王国霞,刘少君,姜郭庆. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2014-09-17.

Method of forming low stress metal thin film

Номер патента: JP2613646B2. Автор: 幸夫 飯村. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1997-05-28.

Preparation method of low-stress tantalum-nitrogen thin film

Номер патента: CN102361006A. Автор: 林宏. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Preparation method of hybridized hierarchical structure sensitive thin-film sensing device based on two-dimensional material

Номер патента: CN104597082A. Автор: 蒋亚东,谢丹,朱宏伟,王靖,李娴,朱淼,向兰,徐建龙,戴睿轩,赵远帆. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-06.

Method of transmitting electromagnetic signals through thin-film medium

Номер патента: SU1689925A1. Автор: Виктор Васильевич Сидоренков,Владимир Вениаминович Толмачев,Виталий Васильевич Савичев. Владелец: Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики МГТУ им.Н.Э.Баумана. Дата публикации: 1991-11-07.

Method of forming insulating layer on thin film multilayer substrate

Номер патента: JP2866180B2. Автор: 徳一 尾崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-03-08.

Preparation method of vanadium dioxide nano rodlike thin film

Номер патента: CN103556198A. Автор: 李永祥,刘志甫,孙大志,屈钰琦. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2014-02-05.

Preparation method of thorn-ball photochromic MoO3 thin film

Номер патента: CN103288138A. Автор: 李珍,沈毅,鄢鹏,胡凤萍,阳雅丽,肖伊琳. Владелец: China University of Geosciences. Дата публикации: 2013-09-11.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287A. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Method of and apparatus for producing thin films and products thereof

Номер патента: CA462302A. Автор: Alfred Chavannes March. Владелец: Individual. Дата публикации: 1950-01-10.

APPARATUS FOR DEPOSITING A THIN FILM OF MATERIAL ON A SUBSTRATE AND REGENERATION PROCESS FOR SUCH AN APPARATUS

Номер патента: US20120097102A1. Автор: . Владелец: RIBER. Дата публикации: 2012-04-26.

Capacitor thin film with homo-polypropylene as substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN103102587A. Автор: 杜其信. Владелец: Tongling Yihengda Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-15.

Growth GaN monocrystal thin films on metal A g substrate and preparation method thereof, application

Номер патента: CN102945899B. Автор: 李国强. Владелец: Guangzhou Zhongtuo Optoelectrical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Thin-film field effect transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102800668A. Автор: 刘旭,石天雷,杨玉清,朴承翊,辛燕霞. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-28.

METHOD OF FORMING A PIGMENT LAYER AND A FOAM LAYER ON A SUBSTRATE AND A CONTAINER TREATED BY THE SAME

Номер патента: US20120015121A1. Автор: CHANG Ching-Wen,CHANG Sheng-Su. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD OF FORMING A VDF OLIGOMER OR CO-OLIGOMER FILM ON A SUBSTRATE AND AN ELECTRICAL DEVICE COMPRISING THE VDF OLIGOMER OR CO-OLIGOMER FILM ON THE SUBSTRATE

Номер патента: US20120313482A1. Автор: Yao Kui,CHEN Shuting,Tay Eng Hock Francis. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN 3D INTEGRATION PROCESSES USING RECOVERABLE SUBSTRATES, AND BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20130037960A1. Автор: Sadaka Mariam,Nguyen Bich-Yen. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2013-02-14.

METHODS OF COATING SUBSTRATES WITH ELECTRICALLY CHARGED CONDUCTIVE MATERIALS, ELECTRICALLY CONDUCTIVE COATED SUBSTRATES, AND ASSOCIATED APPARATUSES

Номер патента: US20130344314A1. Автор: Corona Alexandra Elena,Le Quynhgiao N.,SHOKRI Shahnaz,Broadbent Christopher,Riley Terrell Diane. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-12-26.

Design method of array substrate having a plurality of light transmitting dots, array substrate, and laser beam scanning device

Номер патента: JP4009554B2. Автор: 小林　　実,聡 河田,收 中村,克昌 藤田. Владелец: Nanophoton Corp. Дата публикации: 2007-11-14.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DEVICE

Номер патента: US20120001837A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.