Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Manufacturing method of compound semiconductor substrate having pn junction

Manufacturing method of compound semiconductor substrate having pn junction

Номер патента: TW200605193A
Опубликовано: 01-02-2006
Автор(ы): Kazumasa Ueda, Kenji Kohiro, Masahiko Hata
Принадлежит: Sumitomo Chemical Co

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for producing compound semiconductor epitaxial substrate having PN junction

Номер патента: US20090031944A1. Автор: Kazumasa Ueda,Masahiko Hata,Kenji Kohiro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Compound Semiconductor Substrate and Method of Forming a Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170365464A1. Автор: Simone Lavanga,Uttiya Chowdhury. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the compound semiconductor device

Номер патента: US10134889B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element

Номер патента: US20030119239A1. Автор: Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Crystal growth method of III - V compound semiconductor

Номер патента: US5294565A. Автор: Yasushi Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Method of epitaxially growing compound semiconductor materials

Номер патента: US4891091A. Автор: Shambhu K. Shastry. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Method of forming silicon film on substrate having fine pattern

Номер патента: US20220005690A1. Автор: Takashi Masuda,Hiroyuki Hashimoto,Yuki Tanaka,Mayuko Nakamura,Hideyuki TAKAGISHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190245045A1. Автор: NARITA Tetsuo,KATAOKA Keita. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-08.

Group III nitride semiconductor device and method of manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11101351B2. Автор: Tetsuo Narita,Keita KATAOKA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US10685867B2. Автор: De-Wei YU,Ziwei Fang,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor substrate having low defects and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1881522A3. Автор: Ho-sun c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Paek,Youn-joon c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Sung,Kyoung-ho c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Ha,Joong-kon Samsung Adv. Inst. of Techn. Son,Sung-nam c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-20.

Method of making a compound semiconductor device

Номер патента: US5346581A. Автор: Won-Tien Tsang. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-09-13.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1275138A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2001078122A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Compound Semiconductor Substrate and Method of Forming a Compound Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170365464A1. Автор: Lavanga Simone,Chowdhury Uttiya. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230163192A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4254508A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US10615032B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190237324A1. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20130252411A1. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US8999855B2. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180277375A1. Автор: Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9653590B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997612B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20150171103A1. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of strip-shaped conductive structures and non-volatile memory cell

Номер патента: US09390931B1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of manufacturing a cmos transistor

Номер патента: US20180025948A1. Автор: Myeong Seok KIM,Min Kuck Cho,In Chul Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing a cmos transistor

Номер патента: US20180350696A1. Автор: Myeong Seok KIM,Min Kuck Cho,In Chul Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Device manufacturing method of processing cut portions of semiconductor substrate using carbon dioxide particles

Номер патента: US09633903B2. Автор: Masamune TAKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US9330932B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20100170531A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of Removing Particles from Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20150128992A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Joseph Neil Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods Of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120266913A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of fabricating a compound semiconductor having a plurality of layers using a flow compensation technique

Номер патента: US5866198A. Автор: Mitsuo Sato,Tomio Minohoshi,Kiyoshi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: AU2001236076A1. Автор: Seiji Nagai,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-12.

Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element

Номер патента: TW518767B. Автор: Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2003-01-21.

Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it

Номер патента: US6844246B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masahito Kodama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-18.

Crystal growth method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190237323A1. Автор: Takehiro Nishimura,Chiaki DOUMOTO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of growing n-type III-V semiconductor materials on a substrate using SiI4

Номер патента: US5821155A. Автор: Shigekazu Izumi,Yutaka Uneme. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method for semiconductor substrate

Номер патента: US09761479B2. Автор: Naoki Hatta,Takamitsu Kawahara,Tomoatsu Makino,Motoki Kobayashi,Hideki Takagi,Kuniaki Yagi,Hidetsugu Uchida,Ko Imaoka,Toyokazu Sakata,Akiyuki Minami,Yuuichi KURASHIMA. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with protective films and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437734B2. Автор: Kiyotaka Yonekawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20230266661A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US12055850B2. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US5466303A. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Tadashi Hattori,Seiji Fujino. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-14.

Iii-v compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US20160049477A1. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

III-V compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US09685514B2. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Compound semiconductor substrate manufacturing method and compound semiconductor substrate

Номер патента: EP3544045A1. Автор: Hiroki Suzuki,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170358489A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160365278A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method of Manufacturing a Vertical Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20160064534A1. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a vertical junction field effect transistor

Номер патента: US09666696B2. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Antiphase domain boundary-free III-V compound semiconductor material on semiconductor substrate and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9218964B2. Автор: Gang Wang,Matty Caymax,Niamh Waldron,Wei-E Wang,Maarten Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-12-22.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: US20230178369A1. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: WO2021234462A2. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of increasing embedded 3d metal-insulator-metal (mim) capacitor capacitance density for wafer level packaging

Номер патента: WO2019032789A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-14.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING A COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST AND METHODS OF REMOVING PHOTORESIST FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160315019A1. Автор: Kim Sang-tae,KIM Seong-min,Oh Jung-min,Lee Hyo-san,PARK Mi-Hyun,JEONG Ji-Hoon,KO YONG-SUN,LEE Kyong-Ho,KIM In-Gi,KIM Na-Rim. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming insulation film on semiconductor substrate

Номер патента: KR20050035883A. Автор: 도시아키 혼고. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming separate pattern in semiconductor substrate

Номер патента: JPS6113641A. Автор: ビクター・ジヨセフ・シルヴエスター,デイ・デユアン―リー・タン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-01-21.

Method of forming insulating region on semiconductor substrate

Номер патента: JPS598351A. Автор: リンダ・メロ・エプラス,ヴイクタ−・ジヨセフ・シルベストリ,デニイ・デユアン−リ−・タング. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of forming insulation film on semiconductor substrate

Номер патента: WO2004017396A1. Автор: Toshiaki Hongoh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of fabricating a compound semiconductor layer

Номер патента: US20050020036A1. Автор: Hironobu Sai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2011099772A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2534705A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor substrate, and semiconductor substrate manufacturing apparatus

Номер патента: US20240312779A1. Автор: Akihiro Hashimoto,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Nor flash device manufacturing method

Номер патента: US20140154878A1. Автор: Yawei Chen,Zhihon Jian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019115A1. Автор: Chih-Yuan Chuang,Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Chun-I Fan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Selective crystal growth method of compound semiconductor

Номер патента: US5704975A. Автор: Ryuji Kobayashi,Hitoshi Hotta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344149A1. Автор: Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for manufacturing compound semiconductor junction substrate, and compound semiconductor junction substrate

Номер патента: EP4350738A1. Автор: Tomohiro Akiyama,Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor substrate having magnetic core inductor

Номер патента: US11791094B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20090029297A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming crystalline compound semiconductor film

Номер патента: AU623086B2. Автор: Isamu Shimizu,Junichi Hanna,Hiroyuki Tokunaga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-05-07.

Method of filling a trench in a substrate

Номер патента: US20090137094A1. Автор: Ki-Sub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-28.

Method of chemical-vapor deposition on semiconductor substrates

Номер патента: CA1027024A. Автор: Arun K. Gaind,Robert L. Bratter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-02-28.

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND BULK CRYSTAL

Номер патента: US20200024770A1. Автор: Sasaki Hitoshi,KOBAYASHI Tomohiro,Goto Hiroki,ISHIHARA Yujiro,FUDA Shoichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW201840882A. Автор: 住田行常,藤山泰治. Владелец: 日商古河機械金屬股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-16.

Nitride-based compound semiconductor, method of cleaning a compound semiconductor, method of producing the same, and substrate

Номер патента: US20090291567A1. Автор: Takayuki Nishiura,Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-11-26.

Method of using a vaporizing spray system to perform a trimming process

Номер патента: US9595440B2. Автор: Ching-Yu Chang,Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of using a vaporizing spray system to perform a trimming process

Номер патента: US20150187564A1. Автор: Ching-Yu Chang,Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

METHOD OF CONDITIONING VACUUM CHAMBER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20160035542A1. Автор: Hausmann Dennis Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom

Номер патента: US11581183B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mei-Yee Shek,Bhargav S. CITLA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

Methods Of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120266913A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods of Removing Particles from Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20190047025A1. Автор: Millward Dan,Huang Wayne,Greeley Joseph Neil. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190057877A1. Автор: Tsai Wei-Wen,Lee Cheng-Ping,Wang Jiun-Fang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Methods of Removing Particles from Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20150128992A1. Автор: Millward Dan,Huang Wayne,Greeley Joseph Neil. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method of chemical mechanical polishing a semiconductor substrate

Номер патента: WO2017147891A1. Автор: Jiun-Fang Wang,Wei-Wen Tsai,Cheng-Ping Lee. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-09-08.

Method of Forming Organic Layer on Semiconductor Substrate

Номер патента: US20080113520A1. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: TW201705206A. Автор: 史考特Ｅ 西利士,高提傑Ｓ 珊得胡. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Polishing method of semiconductor structure

Номер патента: US8901003B1. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Improved Heat Treatment Chamber and Method of Substrate, and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same

Номер патента: KR20140079279A. Автор: 차경용,이장혁,성노영,노성호. Владелец: 주식회사 나래나노텍. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09773940B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Compound semiconductor layered structure and process for preparing the same

Номер патента: CA3210208A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09634021B2. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425347B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230326748A1. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Ryuji Sugiura,Daisuke Kawaguchi,Toshiki Yui,Jun Kojima,Keisuke Hara,Chiaki Sasaoka,Shosuke Nakabayashi,Tomomi Aratani. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Wafer and manufacturing method of wafer

Номер патента: US20230011749A1. Автор: Han-Zong Wu,Chenghan Tsao. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Wafer and manufacturing method of wafer

Номер патента: US12046474B2. Автор: Han-Zong Wu,Chenghan Tsao. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films

Номер патента: US09752252B1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-09-05.

Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films

Номер патента: US09461112B1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2016-10-04.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US20170062269A1. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US09735046B2. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for fabricating P-type semiconductor substrate, solar cell and method for fabricating the same

Номер патента: US09461194B2. Автор: Chia-Gee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Compound semiconductor layered structures and processes for making the same

Номер патента: US20240258105A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240234518A9. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: EP4362068A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: EP3167491A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: US11527666B2. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates

Номер патента: US09418833B2. Автор: Timothy Peter Mollart. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing a hybrid substrate

Номер патента: WO2017082825A1. Автор: Kwang Hong LEE,Eugene A. Fitzgerald,Chuan Seng Tan,David Kohen,Eng Kian Kenneth LEE,Shuyu BAO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-18.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI20225935A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-15.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI130838B1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-16.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: WO2024079394A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142485B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920427B2. Автор: Ryota Fujitsuka,Hajime Nagano,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of producing composite substrate sic and method of making a semiconductor substrate

Номер патента: RU2720397C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-04-29.

Composite substrate manufacturing method, and composite substrate

Номер патента: US09613849B2. Автор: Shigeru Konishi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920425B2. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060166410A1. Автор: Tomokazu Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Preparation of compound semiconductor substrate for epitaxial growth via non-destructive epitaxial lift-off

Номер патента: US20200111667A1. Автор: Stephen R. Forrest,Kyusang Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES

Номер патента: WO2000033388A9. Автор: Eugene A Fitzgerald,Andrew Y Kim. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2001-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US09442370B2. Автор: Hiroshi Sato,Mitsuru Hiura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20180082832A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Seed substrate for epitaxial growth and method for producing same, and semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4424888A1. Автор: Koichi Higuchi,Yoshihiro Kubota,Shigeru Konishi,Hiroshi Mogi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US09991111B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20110124160A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods of forming a compound semiconductor device including a diffusion region

Номер патента: US20100144123A1. Автор: Yong-Hwan Kwon,Mi-Ran Park,Dae Kon Oh,Bongki Mheen,Jae-Sik SIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: US5326717A. Автор: Osamu Oda,Toyoaki Imaizumi,Hironobu Sawatari. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Auxiliary precursor, thin-film precursor composition, method of forming thin film, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240136175A1. Автор: Seung Hyun Lee,Sung Woo Cho,Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240136411A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09548188B2. Автор: Dennis Michael Hausmann. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244194A1. Автор: Mitsuo Horie,Atsuya MASADA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

High-frequency power diode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2684921C2. Автор: Ярослав ГОМОЛА,Иржи ПОДЗЕМСКИ,Ладислав РАДВАН,Илья МУЛЛЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: US20210028277A1. Автор: Yusuke Nonaka,Atsushi Kasahara,Shin Takizawa,Shogo IKEURA,Shinichirou YANAGI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Igbt manufacturing method

Номер патента: US20160380071A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

IGBT manufacturing method

Номер патента: US09620615B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of producing compound semiconductor device

Номер патента: EP1363167A3. Автор: Hiroshi Kobayashi,Takanori Matsumoto,Akiyoshi Kudo. Владелец: EKC Technology KK. Дата публикации: 2007-06-06.

Methods Of Forming Doped Regions In Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120108042A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Jennifer Lequn Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Methods of Forming Doped Regions in Semiconductor Substrates

Номер патента: US20130288466A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Lequn Jennifer Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Methods of forming doped regions in semiconductor substrates

Номер патента: US8329567B2. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Jennifer Lequn Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of removing heavy metal in semiconductor substrate

Номер патента: US8173523B2. Автор: Kiyoshi Nagai,Shuichi Samata,Noritomo Mitsugi,Kei Matsumoto,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor chip and power module, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190157412A1. Автор: Toshiaki Morita,Kan Yasui,Takahiro Morikawa,Masakazu Sagawa,Motoyuki Miyata. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of etching a semiconductor element

Номер патента: US3923569A. Автор: Masafumi Hashimoto,Takuhiro Ono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-02.

Igbt with built-in diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160240528A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Wafer, Fabricating Method Of The Same, And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120056304A1. Автор: Young-soo Park,Joon-Young Choi,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786763B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Bipolar semiconductor switch and a manufacturing method therefor

Номер патента: US09627517B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of diffusing zinc into article and method of heating article

Номер патента: US20030186520A1. Автор: Takashi Ishizuka,Yasuhiro Iguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device manufacturing method to reduce process induced stress and crystalline defects

Номер патента: US6514885B1. Автор: Hideki Takada,Yoshinori Asahi,Robert W. Dutton,Hiroshi Ohtani,Kyeongjae Cho,Sinji Onga,Takako K. Okada. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2003-02-04.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197163A1. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US09496370B2. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Methods of forming structures supported by semiconductor substrates

Номер патента: WO2009142869A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-11-26.

Methods of forming structures supported by semiconductor substrates

Номер патента: TW201005801A. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Techniques for increased dopant activation in compound semiconductors

Номер патента: US09576819B2. Автор: Kevin Jones,Christopher R. HATEM,Benjamin Colombeau,Aaron Lind. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming patterns, and apparatuses comprising FinFETs

Номер патента: US09853027B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Forming method of impurity doped region in semiconductor substrate

Номер патента: JPS56110226A. Автор: Yoshihiko Mizushima,Masashi Yamaguchi,Kiyoshi Kudo,Akitsu Takeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1981-09-01.

Method of electrolytic deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP0387143B1. Автор: Gilles Poupon,Patrice Deroux-Dauphin,Thierry Braisaz. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1994-06-29.

Method of depositing conductive material on semiconductor substrate selectively

Номер патента: JPS6439041A. Автор: Eichi Tein Chiyuu,Paunobitsuku Miran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-02-09.

Method of transferring fine wire against semiconductor substrates

Номер патента: JPS5285464A. Автор: Erisu Kurain Haabei,Richiyaado Ansonii Toomasu,Yuujin Hausuton Dagurasu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-07-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096944A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09570440B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and driver circuit with drain and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09502304B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09627530B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472648B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US09842855B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170221752A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230253456A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935125B2. Автор: Masaaki Shinohara,Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hidekazu Oda,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140070287A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Imaging apparatus, imaging system and manufacturing method of imaging apparatus

Номер патента: US09577004B2. Автор: Masahiro Kobayashi,Mahito Shinohara,Masatsugu Itahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09640631B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Gregory Avenier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical compound semiconductor field effect transistor on a group IV semiconductor substrate

Номер патента: US09343569B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240170540A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4376056A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210496A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230134265A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220320120A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11849589B2. Автор: Zhiqiang Wu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method Of Forming A Device With FINFET Split Gate Non-volatile Memory Cells And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210272973A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: EP4111500A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: EP3248220A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Diode having Schottky junction and PN junction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230405A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Takashi Katsuno,Masayasu Ishiko,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230107554A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-04-06.

Print head substrate and method of manufacturing the same, and semiconductor substrate

Номер патента: US20180326725A1. Автор: Koichi Ishida,Masataka Sakurai,Ryo Kasai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Manufacturing method of self-aligned silicide load for static random access memory

Номер патента: US5854103A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Compound semiconductor manufacturing device, compound semiconductor manufacturing method, and jig for manufacturing compound semiconductor

Номер патента: KR101253423B1. Автор: 테츠오 사쿠라이. Владелец: 도요타 고세이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232480A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US9514982B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure and corresponding integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070015325A1. Автор: Dongping Wu,Matthias Goldbach. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160111366A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of fabricating buried contact

Номер патента: US20020058367A1. Автор: Shih-Ying Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Support device for supporting a substrate, method of processing a substrate and semiconductor substrate

Номер патента: TWI790557B. Автор: 佐吉歐 瑟立爾,丹尼耶雷 安德瑞歐拉,艾爾菲瑟 費奇歐,法倫帝那 富林,安里柯 帕斯奎勒托,艾勒西歐 贊恩切汀,馬可 卡立亞魯. Владелец: 義大利商應用材料意大利有限公司. Дата публикации: 2023-01-21.

Method of influencing minority carrier lifetime in the semiconductor body of a pn junction device

Номер патента: US3195218A. Автор: William H Miller,Thomas K Worthington,Arthur J Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1965-07-20.

Methods Of Treating Semiconductor Substrates, Methods Of Forming Openings During Semiconductor Fabrication, And Methods Of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20130302995A1. Автор: Hanson Robert J.,Sabde Gundu M.,Fucsko Janos,Raghu Prashant,Rana Niraj B.,Yates Donald L.,Tagg Sandra,Flynn Patrick M.,Grant Kyle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of manufacture of material for semiconductor substrate, material for semiconductor substrate, and package for semiconductor

Номер патента: EP0784341A1. Автор: Toho Kinzoku Co. Ltd. Neyagawa Branch AKIYOSHI. Владелец: Toho Kinzoku Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-16.

PRINT HEAD SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180326725A1. Автор: Sakurai Masataka,Kasai Ryo,Ishida Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Method of fabricating a node contact window of DRAM

Номер патента: US6074955A. Автор: Chia-Wen Liang,Kevin Lin,Kun-Chi Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Device and method of the chemical treatment with semiconductor substrate being formed by sawing or by the molding surface texture of semiconductor melt

Номер патента: CN108735594A. Автор: I.梅尔尼克,P.法思,W.约斯. Владелец: Rct Solutions LLC. Дата публикации: 2018-11-02.

Method of forming narrow trenches in semiconductor substrates and method of forming a trench mosfet

Номер патента: KR100956558B1. Автор: 군 종 소,존 이. 아마토,푸-이안 시에,브라이언 디. 프라트. Владелец: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2010-05-07.

Method of fabricating conductive lines

Номер патента: US20060166497A1. Автор: Min-San Huang,Hann-Jye Hsu,Su-Yuan Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-27.

Methods of Fabricating Features Associated With Semiconductor Substrates

Номер патента: US20160293433A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Sills Scott E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method of removing material from a semiconductor substrate

Номер патента: US6635574B2. Автор: Michael A. Walker,Guy F. Hudson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-21.

The grinding method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor substrate

Номер патента: CN109420938A. Автор: 歳川清彦,马场裕之. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Methods of removing material from a semiconductor substrate

Номер патента: US20040219786A1. Автор: Kevin Torek,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8114772B2. Автор: Nam-Seog Kim,Keum-Hee Ma,Min-Seung Yoon,Kyu-Ha Lee,Ui-Hyoung Lee,Ju-Ii Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Method of manufacturing a compound semiconductor light emitting device

Номер патента: EP0342656A2. Автор: Kiyoshi Ichimura,Hideo Kawanishi,Akihito Tsushi. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1989-11-23.

Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus

Номер патента: MY194264A. Автор: M Grivna Gordon,Nion Chan Hou. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2022-11-25.

Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus

Номер патента: PH12018050190A1. Автор: Gordon M Grivna,Hou Nion CHAN. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2019-10-07.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US11984352B2. Автор: Jun Xia,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming contact layer

Номер патента: US20150179518A1. Автор: Seishi Murakami,Satoshi Wakabayashi,Takaya Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of dividing light compound semiconductor wafer

Номер патента: JPS55138855A. Автор: Masaharu Watanabe,Masahiro Nakajima,Kiyoshi Hisatomi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-10-30.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US9536818B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming through electrode on substrate and substrate having through electrode

Номер патента: JP3599325B2. Автор: 功 滝沢,倬暢 佐藤,龍夫 末益,和久 糸井. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor-substrate manufacturing method and semiconductor-device manufacturing method in which germanium layer is heat-treated

Номер патента: US09647074B2. Автор: Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

III-V compound semiconductor device having metal contacts and method of making the same

Номер патента: US09391153B2. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method

Номер патента: EP1326288A3. Автор: Takayuki c/o Seiko Epson Corporation Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display module

Номер патента: US20200335527A1. Автор: Wei Wang,Qing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Surge protective semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1215734A3. Автор: Minoru Shindengen Electric Manufacturing Suzuki,Susumu Shindengen Electric Manufacturing Yoshida. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074562A1. Автор: Susumu Yoshida,Minoru Suzuki. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050040497A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kazuhiro Mochizuki,Hiroyuki Uchiyama,Hiroji Yamada,Tomonori Tanoue,Chisaki Takubo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US7122448B2. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8895407B2. Автор: Yoji Nagano,Hidekazu Miyairi,Akihisa Shimomura,Eiji Higa,Tatsuya Mizoi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of Manufacturing Composite Substrate

Номер патента: US20130040437A1. Автор: Fumitaka Sato,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yoko MAEDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905589B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Satoru Idojiri,Koichi Takeshima,Masakatsu Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of manufacturing self aligned buried contact electrodes for vertical channel transistors

Номер патента: US20120149184A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongchul Park,Sangsup Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated circuit including a passive component in an interconnection part, and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240178053A1. Автор: Houssein EL DIRANI,Marouane Mastari,Mohamed Ali Nsibi. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method of nickel wiring

Номер патента: US20180090446A1. Автор: Takashi Matsumoto,Hiroyuki Nagai,Hiroaki Kawasaki,Ryota IFUKU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240102171A1. Автор: Yuya Takahashi,Shunsuke Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230116208A1. Автор: Masatake Nagaya,Takashi Ushijima,Daisuke Kawaguchi,Kozo Kato,Keisuke Hara,Shinichi Hoshi,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4024456A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200032418A1. Автор: Goto Hiroki,ISHIHARA Yujiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Thin-film semiconductor substrate, light-emitting panel, and method of manufacturing the thin-film semiconductor substrate

Номер патента: US20150069391A1. Автор: Kiyoyuki Morita,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Thin-film semiconductor substrate, light-emitting panel, and method of manufacturing the thin-film semiconductor substrate

Номер патента: CN104350533A. Автор: 森田清之,钟之江有宣. Владелец: 松下电器产业株式会社. Дата публикации: 2015-02-11.

METHOD OF APPLYING PHOTORESIST TO A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20140210057A1. Автор: Chang Ching-Hsin,CHU Chia-Hung,Hsu Chih-Hsien,Chou Hong-Hsing,Lin Hu-Wei,Lin Yen-Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Manufacturing method of compound semiconductor device

Номер патента: EP2575177A3. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130126897A1. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Superjunction ldmos and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130082326A1. Автор: Shushu TANG. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09515063B2. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Microwave-oscillating device and the method of making same

Номер патента: US3553539A. Автор: Masumi Takeshima,Yukio Miyai,Shinichi Nakashima. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1971-01-05.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098832A1. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Ldmos component, manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20200220010A1. Автор: Guipeng Sun,Huajun JIN,Hongfeng JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355894A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US12119227B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Misaki Uchida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

IGBT and IGBT manufacturing method

Номер патента: US09608071B2. Автор: Takehiro Kato,Toru Onishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor and manufacturing method

Номер патента: US20190386047A1. Автор: Ken Sawada,Akiko Honjo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090189199A1. Автор: Naoharu Sugiyama,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180309017A1. Автор: Wonseok Choi,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Gallium nitride group compound semiconductor laser diode

Номер патента: US5247533A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040356A1. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4290589A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240204117A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Structures and methods for high efficiency compound semiconductor solar cells

Номер патента: KR20140138817A. Автор: 파완 카프르,메드다드 엠. 모슬레히. Владелец: 솔렉셀, 인크.. Дата публикации: 2014-12-04.

Light emitting diode and manufacturing method thereof, integrated light emitting diode and manufacturing method thereof, nitride-based ⅲ-v compound semiconductor deposition method, light source cell unit, light emitting diode backlight, light emitting diode display, and electronic device

Номер патента: KR101237198B1. Автор: 다까아끼 아미,다까오 미야지마,아쯔시 야스다,아끼라 오마에,시게따께 도미야,유끼 마에다,미찌노리 시오미,가쯔노리 야나시마,다까시 단게. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2013-02-25.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US10840202B2. Автор: Hiroyuki Mori,Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of forming a solder bump structure

Номер патента: US20200152590A1. Автор: Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of producing self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20180068849A1. Автор: Takashi Matsuoka. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of forming pattern and pattern

Номер патента: US09738807B2. Автор: Masahiko Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US11079641B2. Автор: Zesheng CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Metal insulator metal (mim) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210594A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Chi On Chui,Chun-Yen Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of producing sulfide compound semiconductor by use of solvothermal method and rod-like crystal of sulfide compound semiconductor

Номер патента: US20140110640A1. Автор: Kazumichi Yanagisawa,Sumio Kamiya,Keisuke Kishita,Haijun Tao. Владелец: Kochi University NUC. Дата публикации: 2014-04-24.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

A stacked body for fabricating a compound semiconductor solar battery, compound semiconductor solar battery, and a method of manufacturing a compound semiconductor battery

Номер патента: DE112012004059T5. Автор: Sharp K.K. Takahashi Naoki,c/o Sharp K.K. Juso Hiroyuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Method of forming nitrogen compound semiconductor film and nitrogen compound semiconductor element

Номер патента: JP4005701B2. Автор: 貴之 湯浅,吉裕 上田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconducting element, organic light emitting display including the same, and method of manufacturing the semiconducting element

Номер патента: US8981348B2. Автор: Arthur Mathea,Joerg Fischer,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US10833035B2. Автор: Hiroyuki Mori,Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US20180076164A1. Автор: Hiroyuki Mori,Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US20180374812A1. Автор: Hiroyuki Mori,Eiji Nakamura,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

METHOD OF PRODUCING SELF-SUPPORTING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180068849A1. Автор: Matsuoka Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor substrate

Номер патента: CN101404270A. Автор: 赤星年隆. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

In-line monitoring method of shallow pit existed in semiconductor substrate

Номер патента: KR100301040B1. Автор: 김덕용,황춘하,강효천,김양형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Method of providing vlsi-quality crystalline semiconductor substrates

Номер патента: EP0650641A1. Автор: Carlos Jorge Ramiro Proenca Augusto. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-05-03.

Method of forming a compound semiconductor film

Номер патента: EP0810307B1. Автор: Stewart Edward Hooper,Timothy David Bestwick,Geoffrey Duggan,Tin Sun Cheng,Charles Thomas Bayley Foxon. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-03-05.

Method of forming a compound semiconductor film

Номер патента: EP0810307A3. Автор: Stewart Edward Hooper,Timothy David Bestwick,Geoffrey Duggan,Tin Sun Cheng,Charles Thomas Bayley Foxon. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-28.

A method of producing a two-dimensional material

Номер патента: GB2577412A. Автор: Charles Stewart Thomas Simon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Application and method of integrated bar patterns in detector structures

Номер патента: US20230032232A1. Автор: Jamal I. Mustafa,Richard J. Peralta. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing board on chip semiconductor package substrate having ring-shaped plating line

Номер патента: KR100866532B1. Автор: 차상석,오영진,박영배,오춘환,정창보. Владелец: 주식회사 심텍. Дата публикации: 2008-11-03.

Semiconductor processing method of forming hemispherical grain polysilicon and a substrate having a hemispherical grain polysilicon layer

Номер патента: US6187628B1. Автор: Randhir P. S. Thakur,John K. Zahurak,Michael Nuttall,John P. Friedenreich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Method of cleaning a reaction chamber with a substrate having a catalyst layer

Номер патента: KR20050078609A. Автор: 송민우,원석준,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274520A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-15.

Electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240312983A1. Автор: Chung-Kuang Wei,Chin-Lung Ting,Yi Hung Lin,Ker-Yih Kao,I-Yin Li,Chih-Yung Hsieh,Hao Jung Huang,Cheng-Hsu Chou,Chia-Ping TSENG,Chia-Chi Ho,Tong-Jung Wang,Tang Chin Hung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for preventing image sensor from undercut

Номер патента: US20080064218A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Solid state image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10566373B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Hidenori Sato,Yotaro Goto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100159702A1. Автор: Masaru Yamada,Akihiko Tsudumitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Etchant composition for semiconductor substrates

Номер патента: US20220348825A1. Автор: Myung Ho Lee,Hak Soo Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Solid-state imaging element, electronic device, and manufacturing method of solid-state imaging element

Номер патента: US12120897B2. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Photoelectric conversion device manufacturing method, photoelectric conversion device, and imaging system

Номер патента: US20150001377A1. Автор: Akira Okita,Yasuharu Ota,Kazuki Ohshitanai,Yu Arishima,Koichi Tazoe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20160218137A1. Автор: Koji Kikuchi,Kentaro Akiyama,Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus

Номер патента: US8947566B2. Автор: Masahiro Kobayashi,Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US9105580B2. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110115080A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140287555A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20200075391A1. Автор: Takuo Ohashi,Daisuke Nishida,Motoki Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Package carrier and manufacturing method thereof

Номер патента: US09668351B2. Автор: Chao-Min Wang. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09525004B2. Автор: Koji Kikuchi,Kentaro Akiyama,Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method of solid-state imaging apparatus

Номер патента: US09508775B2. Автор: Masahiro Kobayashi,Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate

Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11756793B2. Автор: Yohei Ishii,Kathryn Maier,Medhat Khalil. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Imaging device and manufacturing method for imaging device

Номер патента: US20240170507A1. Автор: Suguru Saito,Jun YOSHIGIWA,Tomoki Hirano,Rikiichi Oono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Imaging device, manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20240321927A1. Автор: Yukio Tagawa,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240379569A1. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Film manufacturing method

Номер патента: RU2346359C2. Автор: Хайнрих ВИЛЬД,Людвиг БРЕМ,Ахим ХАНЗЕН. Владелец: Леонхард Курц Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021073B2. Автор: Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120190186A1. Автор: Fuminobu NAKASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09673147B2. Автор: Kenro Nakamura,Hirokazu Ezawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Electronic die manufacturing method

Номер патента: US20230021534A1. Автор: Olivier Ory,Philippe Rabier. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2023-01-26.

Integrated circuit, package structure, and manufacturing method of package structure

Номер патента: US12132023B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US12087764B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US7902007B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20090212364A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080173873A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220392888A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220122963A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20240222366A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone

Номер патента: US09906205B2. Автор: Atsushi Isobe,Kengo Asai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device manufacturing method comprising first conductive layer with increased roughness in array region

Номер патента: US12108594B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Flexible substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190088908A1. Автор: Chin-Chih Lin,Yu-Hung Chen,Meng-Hung Hsin. Владелец: Immortal Industrial Co ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Solar cell manufacturing method

Номер патента: US09614117B2. Автор: Hiroyuki Otsuka,Takashi Murakami,Takenori Watabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Method of producing solar cell

Номер патента: RU2636405C2. Автор: Такаси МУРАКАМИ,Хироюки ОЦУКА,Такенори ВАТАБЕ. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-23.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью &#34;Детектор Фотонный Аналоговый&#34; (Ооо &#34;Дефан&#34;). Дата публикации: 2020-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Image sensor, manufacturing method and hand-held device of the same

Номер патента: US20210036042A1. Автор: Meng-Ta Yang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Quantum dot ensemble and manufacturing method thereof, quantum dot ensemble layer, and imaging device

Номер патента: US20230240089A1. Автор: Mamoru Tanabe,Michinori Shiomi,Syuuiti TAKIZAWA,Shunsuke Yamashita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Solid picture element manufacturing method

Номер патента: US20010054724A1. Автор: Satoshi Suzuki,Atsushi Kamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Interposer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120305977A1. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Manufacturing method memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240006471A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US11751411B2. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230041048A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4125138A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor photodetecting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060011930A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Seiichiro Tamai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Manufacturing method of image sensor

Номер патента: US20090170236A1. Автор: Chung-Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic equipment

Номер патента: US20240321912A1. Автор: Kaito Yokochi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09812481B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of solar cell

Номер патента: US09685581B2. Автор: Hayato Kohata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653416B2. Автор: Yoshiaki Takemoto,Hisashi Ishida,Chihiro Migita. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09368532B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Optical semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098567A1. Автор: Takehiko Kikuchi,Nobuhiko Nishiyama,Morihiro Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

II-III-N semiconductor nanoparticles and method of making same

Номер патента: US09985173B2. Автор: Tim Michael Smeeton,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Peter Neil Taylor. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09461085B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Photovoltaic cell and photovoltaic cell manufacturing method

Номер патента: US09450138B2. Автор: Shunichi Sato,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US20130210187A1. Автор: Hiroyuki Mori,Tsuyoshi Takahama,Kei Tamoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: WO2020042521A1. Автор: Guoqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4372829A2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4372829A3. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20180204875A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20190355780A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332159A1. Автор: Ji Hyun Kim,Min Chul Shin,Chang Hun Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Eunnara Cho,Dong Hyun Bang,Wook Choi,KooWoong Jeong,Byong Jin Kim,Ho Jeong Lim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of diamond porous grinding block based on 3D printing and application thereof

Номер патента: US12053823B2. Автор: Yangli Xu,Guoqin HUANG,Jinquan Wei,Zhongwei Hu,Yuanqiang Tan,Peihui Luo. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US09842879B2. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Organic electro-luminescence display device and manufacturing method of an organic electro-luminescence display device

Номер патента: US20180294445A1. Автор: Toshihiko Itoga,Hiroki NAKAIE. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12080636B2. Автор: Koichi Igarashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of display device

Номер патента: US20150147838A1. Автор: Takeshi Ookawara. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20230170265A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chandra LIUS,Jen-Hai Chi. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Solar cell and manufacturing method of the same

Номер патента: US09570637B2. Автор: Naoteru Matsubara,Taiki Hashiguchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

High-efficiency AlGaInP light-emitting diode grown directly on transparent substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466766B2. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Mach-zehnder electrooptic modulator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170168371A1. Автор: Dong Young Kim,Won Seok Han,Duk Jun Kim,Jong Hoi Kim,Yong Hwan Kwon,Young Ho Ko,Byung Seok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US20110027922A1. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US8043879B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US6743647B2. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Semiconductor light device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20160181761A1. Автор: Yutaka Ohki,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor light device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20140027809A1. Автор: Yutaka Ohki,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200357758A1. Автор: Katsuyuki Tsuchida,Takuto Watanabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Radiation detection element, radiation detection apparatus, x-ray ct apparatus, and manufacturing method of radiation detection element

Номер патента: US20240304744A1. Автор: Takanori Yamashita,Tatsuya Ryoki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor light device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09627849B2. Автор: Yutaka Ohki,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Micromechanical component and method of its manufacturing

Номер патента: RU2371378C2. Автор: Вольфрам ГАЙГЕР,Уве БРЕНГ. Владелец: Литеф ГмбХ. Дата публикации: 2009-10-27.

Manufacturing method of integrated capacitor, and integrated capacitor

Номер патента: US20050146834A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hiroki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Manufacturing method of flexible display panel and base substrate for manufacturing flexible display panel

Номер патента: US20210359233A1. Автор: Woosung Jang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230079799A1. Автор: Jingsheng Jin,Linan Zhang,Jiahua Qu. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Solid-state imaging apparatus and driving method thereof, manufacturing method of solid-state imaging apparatus, and electronic information device

Номер патента: EP2737532A1. Автор: Takefumi Konishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Light-emitting diode and method of manufacturing same

Номер патента: US09741913B2. Автор: Atsushi Matsumura,Yu Tokunaga. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-08-22.

Precursor derived semiconductor devices having pn junctions

Номер патента: US20230117290A1. Автор: Pawel Czubarow,Anthony Nicholas Czubarow,Philip Abraham Premysler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-20.

Multilayer substrate manufacturing method

Номер патента: US20090197369A1. Автор: Hee-Soo Yoon,Dong-Hwan Lee,Don C. Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Method of manufacturing a hetero-junction solar cell

Номер патента: EP4404282A2. Автор: Damien LACHENAL,Pierre Papet. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079505A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone (fujian) Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of head

Номер патента: US20160263894A1. Автор: Yoichi Naganuma,Toshiaki Hamaguchi,Eiju Hirai,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US8440493B2. Автор: Takehiro Toyoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Manufacturing method for non-active electrically structures in order to optimize the definition of active electrically structures in an electronic circuit integrated on a semiconductor substrate and corresponding circuit

Номер патента: US20050032278A1. Автор: Alfonso Maurelli,Paolo Cappelletti,Paola Zabberoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Solid-state imaging apparatus, manufacturing method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: US09564465B2. Автор: Hiroshi Tayanaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Photoconverter manufacturing method

Номер патента: RU2730050C1. Автор: Андрей Александрович Лебедев,Татьяна Владимировна Николаева,Анастасия Александровна Наумова,Наргиза Тухтамышевна Вагапова,Марлен Борисович Каган,Борис Викторович Жалнин,Елена Владимировна Обручева,Сергей Константинович Шаров,Марина Александровна Генали,Сергей Вячеславович Пушко. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Квант&#34;. Дата публикации: 2020-08-14.

Mosaic photodetector with limiting efficiency of image conversion: structures and methods of its manufacturing (versions)

Номер патента: RU2731460C1. Автор: Александр Иванович Козлов,Михаил Алексеевич Демьяненко,Виктор Николаевич Овсюк,Андрей Рудольфович Новоселов. Владелец: Андрей Рудольфович Новоселов. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of the three-dimensional multi-crystal module on flexible board manufacturing

Номер патента: RU2657092C1. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Анатолий Иванович Погалов,Евгений Юрьевич Чугунов. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт микроприборов-технология&#34; (ЗАО &#34;НИИМП-Т&#34;). Дата публикации: 2018-06-08.

Multispectral light-sensitive device and method of making said device

Номер патента: RU2512074C1. Автор: Сяопин ХУ. Владелец: БОЛИ МЕДИА КОММУНИКЕЙШНЗ (ШЭНЬЧЖЭНЬ) КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11581342B2. Автор: Guoqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Solid-state image capturing device and manufacturing method, as well as electronic device

Номер патента: US20240297192A1. Автор: Shigehiro Ikehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US12132138B2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor substrate-on-semiconductor substrate package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799579B2. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

TFT flat sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09735183B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Image capturing apparatus, manufacturing method thereof, and camera

Номер патента: US09659991B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Wiring substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09480142B2. Автор: Minoru Kubota,Mototatsu Matsunaga,Yasuhiro Sugiura,Akira HARAO. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237368A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Manufacturing method of flip chip package structure

Номер патента: US20240203914A1. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for high capacitance capacitor structure

Номер патента: US8557673B1. Автор: Chung-Lin Huang,Shin-Bin Huang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for manufacturing compound semiconductor solar cell

Номер патента: US20170110620A1. Автор: Mitsuru Ichikawa,Masashi Hino,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Substrate for optical device, optical device package, manufacturing method of substrate for optical device, and manufacturing method of optical device package

Номер патента: US20190296195A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021467183A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method for high capacitance capacitor structure

Номер патента: US20130252397A1. Автор: Chung-Lin Huang,Shin-Bin Huang,Cheng-Yeh Hsu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411837A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8653620B2. Автор: Maki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: EP2149157A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: WO2008147421A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Mask manufacturing apparatus and, manufacturing method of mask and, mask for lithography

Номер патента: US20180348651A1. Автор: In Ki Kim,Jun Suk RHO,Heon Yeong JEONG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2018-12-06.

Solid state imaging device, solid state imaging device manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US12119366B2. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Touch device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140224635A1. Автор: Heng-Yao Chang,Lixian Chen,Chen-Hsin Chang,Mengh-Sueh Wu,Che-I Wu. Владелец: TPK Touch Systems Xiamen Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Electrolytic capacitor manufacturing method

Номер патента: US20240145177A1. Автор: Tatsuji Aoyama,Tomoyuki Tashiro,Shumpei Matsushita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

MEMS phase shifter and manufacturing method thereof

Номер патента: US11855327B2. Автор: YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Xue CAO,Haocheng JIA,Cuiwei TANG. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Method of manufacturing a composite electrode and apparatus for manufacturing a composite electrode

Номер патента: US20220270829A1. Автор: Kenichi Ooshiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of Selective Metal Deposition Using Separated Reactant Activation and Plasma Discharging Zone

Номер патента: US20240191354A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method for semi-finished part for electric contacts, semi-finished part and electric contact part

Номер патента: RU2501133C2. Автор: Андреас КРАУС,Хельмут ХАЙНЦЕЛЬ,Эвелин МАЛЕ-МЁСНЕР,Йоханн ВЕНЦ. Владелец: Додуко Гмбх. Дата публикации: 2013-12-10.

Light emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210151955A1. Автор: Susumu Sato,Hiroshi Nakajima,Masamichi Ito,Tatsushi Hamaguchi,Jugo Mitomo,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Electron discharging apparatus and method of manufacturing this

Номер патента: US20010007787A1. Автор: Junichi Sato,Nobuyuki Saotome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Manufacturing method of anisotropic conductive film and apparatus thereof

Номер патента: US11735333B2. Автор: Zihao GUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing a transparent substrate

Номер патента: US09775236B2. Автор: Sang-Choll Han,Sung-Hak BAE,Byong-Mook Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Aluminum alloy wire rod, aluminum alloy stranded wire, coated wire, wire harness and manufacturing method of aluminum alloy wire rod

Номер патента: US09773580B2. Автор: Shigeki Sekiya,Sho Yoshida,Kengo Mitose,Kyota Susai. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Optical semiconductor device having diffraction grating disposed on both sides of waveguide and its manufacture method

Номер патента: US20110027926A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2011-02-03.

Resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US09620267B2. Автор: Seiji Tsuda,Shoji Hoshitoku,Takeshi Iseki,Kazutosi Matumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Wide tape out of amorphous alloy based on iron and method of its manufacturing

Номер патента: RU2569327C1. Автор: Цзянь ВАН,Пэй ЧЖАО,Цюань ЛИ,Шаосюн ЧЖОУ,Годун ЛЮ,Вэньчжи ЧЭНЬ,Лидун ДИН,Чжиин ЧЖАН. Владелец: Эдванст Текнолоджи Энд Матириалз Ко., Лтд. Дата публикации: 2015-11-20.

Battery and battery manufacturing method

Номер патента: RU2693575C1. Автор: Томотака ХАГИНО,Юта НЕМОТО,Томохиро ОНО,Еити НАРУСЕ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-03.

Cooling module and manufacturing method

Номер патента: RU2559214C2. Автор: БОРК Феликс ФОН,Бьерн ЭБЕРЛЕ. Владелец: Акасол Гмбх. Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of high purity manganese sulphate from the waste liquid of battery recycling process

Номер патента: US09954258B2. Автор: Young Jun Song. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of metal catalyst-supporting carrier, metal catalyst-supporting carrier, manufacturing method of fuel cell and catalyst supporting device

Номер патента: US09692059B2. Автор: Ryoichi Nanba. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Superconductive wire and method of its manufacturing

Номер патента: RU2332737C2. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ,Косо ФУДЗИНО,Маса КОНИСИ,Масая КОНИСИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-08-27.

Manufacturing method of thin band from magnetically soft alloy and band obtained by this method

Номер патента: RU2630737C2. Автор: Тьери ВЭКЕРЛЬ,Реми БАТОННЕ. Владелец: Аперам. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of ignitor manufacture and ignitor

Номер патента: RU2406196C2. Автор: Орельен ЖАНКОВИАК,Филипп БЛАНШАР,Франсуа КОЛЛАРДЭ. Владелец: Вибро Метер Франс. Дата публикации: 2010-12-10.

Manufacturing method of electrode plate, manufacturing method of secondary battery, electrode plate, and secondary battery

Номер патента: US20230042958A1. Автор: Kentaro Tsukamoto,Yoshifumi Magari. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Manufacturing method of dielectric waveguide radio-frequency device

Номер патента: US20240304977A1. Автор: Bin Lin,Hetian Hou,Haoji Wang,Tianyi Sui. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Stretchable display panel and device and manufacturing method of the same

Номер патента: US12033544B2. Автор: Hyunju Jung,Eunah Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Stretchable display panel and device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200111390A1. Автор: Hyunju Jung,Eunah Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing resonator element, resonator element, and resonator device

Номер патента: US20240333243A1. Автор: Yusuke Yamamoto,Keiichi Yamaguchi,Ryuta NISHIZAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11818966B2. Автор: Chun-Hao Wang,Yu-Ru Yang,Chung Yi Chiu,Yi Yu Lin,Po Kai Hsu,Ju Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Laminated structure with pads and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230319991A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Chien-Hsun Chen,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

Method of making patterns

Номер патента: CA1332721C. Автор: Edward Irving,Christopher Paul Banks. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of making patterns

Номер патента: CA2072530A1. Автор: Christopher P. Banks. Владелец: Ciba-Geigy Ag. Дата публикации: 1992-12-30.

Apparatus and method of digital imaging on a semiconductor substrate

Номер патента: US20060027733A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Fabrication method of flash memory

Номер патента: US20070032006A1. Автор: Houng-Chi Wei,Szu-Hsien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming thin film onto semiconductor substrate

Номер патента: US20010037769A1. Автор: Hiroki ARAI,Hideaki Fukuda. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2001-11-08.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Acoustic sensor and manufacturing method of the same

Номер патента: US09674618B2. Автор: Koji Momotani,Yuki Uchida,Takashi Kasai. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Display substrate having auxiliary electrodes, display panel having auxiliary electrodes, and manufacturing method of said display panel and display device having auxiliary electrodes

Номер патента: US12082436B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Wei Quan,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Integral frame structure from the layered polymer composite material, method of its manufacturing and tooling for the method implementation

Номер патента: RU2664043C2. Автор: Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Владимир Владимирович Агапов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Сергей Александрович Гордеев,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро &#34;Пластик&#34;. Дата публикации: 2018-08-14.

Manufacturing method of circuit board

Номер патента: US09510464B2. Автор: Tzyy-Jang Tseng,Tsung-Yuan Chen,Shu-Sheng Chiang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Trench-capacitor dram device and manufacture method thereof

Номер патента: US20080048232A1. Автор: Yung-Chang Lin,Yi-Nan Su,Jun-Chi Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Trench-capacitor dram device and manufacture method thereof

Номер патента: US20070275523A1. Автор: Yung-Chang Lin,Yi-Nan Su,Jun-Chi Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Method of the heating unit manufacturing intended for use with the liquid filled cartridge

Номер патента: RU2655184C2. Автор: Флавьен ДЮБЬЕФ,Мишель Торанс,Алексис Луве,Иван Дегумуа. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-05-24.

Betatron structure and betatron structure manufacturing method

Номер патента: RU2434369C2. Автор: Феликс К. ЧЕН,Джойс ВОНГ,Гари В. КОРРИС,Стефен С. БАЛКУНАС,Цзылу ЧЖОУ,Джеймс ХОГ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2011-11-20.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Touch-sensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09456493B2. Автор: JING Yu,Pingping Huang,Qiong Yuan,Hongyan Lian. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Current lead (versions), current lead section (versions), coupling for connection of current lead sections and manufacturing method of current lead section and coupling

Номер патента: RU2439764C1. Автор: Николай Даниелян,Фатыма Ферхатовна Яшина. Владелец: Фатыма Ферхатовна Яшина. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing crystal element and crystal resonator manufactured thereby

Номер патента: US20100327987A1. Автор: Takehiro Takahashi. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Surface acoustic wave resonator device and method of manufacturing the same, filter

Номер патента: US20240195385A1. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electromechanical transducer and fabrication method of electromechanical transducing apparatus

Номер патента: US20090313809A1. Автор: Ayako Kato,Chienliu Chang. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Display device and manufacturing method

Номер патента: WO2013119009A1. Автор: Jong Won Lee,Chang Ho Cho,Sung Ki Min,Dong Hee Shim,Sang Yoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Manufacturing method of a display device

Номер патента: US10999931B2. Автор: Wen-Cheng Huang,Chin-Cheng Kuo,Chia-Chun YANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Surface acoustic wave resonator device and method of manufacturing the same, filter

Номер патента: US12101081B2. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Device for guiding cell migration and method of guiding cell migration using said device

Номер патента: RU2603083C2. Автор: БЕРР Маэль ЛЕ,Матьё ПЕЛЬ,Йон ЧЕНЬ,Яньцзунь ЛИУ. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик-Снрс. Дата публикации: 2016-11-20.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Wet friction material and its manufacturing method

Номер патента: US20030079653A1. Автор: Masato Suzuki,Hiroki Okamura,Yoshihito Fujimaki. Владелец: Aisin Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Crucible for preparing compound semiconductor crystal

Номер патента: US5656077A. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of producing microfluidic device

Номер патента: WO2009035126A1. Автор: Toshinobu Tokita. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-03-19.

Manufacturing method and use of compound of protein degradation agent

Номер патента: TW202128662A. Автор: 彭建彪,海兵 郭,陸洪福,邢唯強,齊保建. Владелец: 大陸商江西濟民可信集團有限公司. Дата публикации: 2021-08-01.

Processing method of pressurizing and heating for semiconductor substrate

Номер патента: JPS54138375A. Автор: Mikio Takagi,Akira Fujinuma,Mamoru Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-10-26.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

High precision mirror and a method of making it

Номер патента: IL167673A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-12-24.

High precision mirror, and a method of making it

Номер патента: EP1597614A1. Автор: John P. Schaefer. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2005-11-23.

High precision mirror, and a method of making it

Номер патента: WO2004077114A1. Автор: John P. Schaefer. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2004-09-10.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

Method of forming monolithic lens on semiconductor substrate

Номер патента: JP2989996B2. Автор: 雅子 山本. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-13.

Apparatus and method of inspecting a defect on semiconductor substrate using scattered light occurred from white light

Номер патента: KR101196708B1. Автор: 김종수,이창환,조재흥,신용화,위해성,한순수. Владелец: 나노전광 주식회사. Дата публикации: 2012-11-07.

A sealable material and method of forming a dielectric weld

Номер патента: AU2010266136A1. Автор: Mark W. Simon,Sridhar Krishnamurthi Siddhamalli,Michael E. Cahill. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of preparing a compound semiconductor crystal

Номер патента: US6273947B1. Автор: Shinichi Sawada,Masami Tatsumi,Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-08-14.

A sealable material and method of forming a dielectric weld

Номер патента: CA2766840C. Автор: Mark W. Simon,Sridhar Krishnamurthi Siddhamalli,Michael E. Cahill. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Method of preparing a compound semiconductor crystal

Номер патента: US6485563B2. Автор: Shinichi Sawada,Masami Tatsumi,Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of pulling up compound semiconductor crystal and device therefor

Номер патента: JPS60204693A. Автор: Masakatsu Kojima,児島　正勝. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-10-16.

Fabricating method of display panel

Номер патента: US20070296910A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of esterifying the surface of a silica substrate having a reactive silanol surface

Номер патента: US2680696A. Автор: Edward C Broge. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1954-06-08.

DEPOSITION APPARATUS FOR COATING A FLEXIBLE SUBSTRATE, METHOD OF COATING A FLEXIBLE SUBSTRATE AND FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING A COATING

Номер патента: US20210222288A1. Автор: Hein Stefan,Lorenz Stefan,Kurthen Christof,DEPPISCH Thomas,Morrison Neil,KUKLA Reiner,HABERKORN Edgar. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF COATING A FLEXIBLE SUBSTRATE AND FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING A COATING

Номер патента: US20200318233A1. Автор: Hein Stefan,Lorenz Stefan,Kurthen Christof,DEPPISCH Thomas,Morrison Neil,KUKLA Reiner,HABERKORN Edgar. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Method of depositing diamond-like film onto a substrate having a low melting temperature

Номер патента: EP0440326B1. Автор: Michael J. Cumbo. Владелец: Bausch and Lomb Inc. Дата публикации: 1994-12-14.

Deposition apparatus, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating

Номер патента: WO2019105534A1. Автор: NEIL Morrison,Stefan Lorenz,Stefan Hein,Reiner Kukla,Edgar Haberkorn,Thomas Deppisch,Christof Kurthen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-06-06.

Fixing agents, method of fixing substance with the same, and substrate having substance fixed thereto with the same

Номер патента: WO2004088319A1. Автор: Kazuhiko Ishihara,Yoshihiro Ito,Tetsuya Yamauchi,Tomohiro Konno,Hirokazu Hasuda. Владелец: Taiko-Denki Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-10-14.

Manufacturing method of shaped composite materials, and composite washer

Номер патента: RU2395729C2. Автор: Мэтью А. КОРДИВАРИ,Василий ГОЦКО,Тимоти Дж. ХАГЭН,Фрэнк Дж. КАРПОВИЧ. Владелец: Сэнт-Гобэн Перформанс Пластикс Корпорейшн. Дата публикации: 2010-07-27.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of manufacturing color filter, color filter, image display device and electronic apparatus

Номер патента: US20090136653A1. Автор: Junichi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor substrate for epitaxial growth and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269271A1. Автор: Kenji Suzuki,Ryuichi Hirano,Hideki Kurita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor die manufacture method to limit a voltage drop on a power plane thereof by noninvasively measuring voltages on a power plane

Номер патента: US20020073386A1. Автор: Stefan Rusu,Gary Woods,Dean Grannes,Travis Eiles,Steven Seidel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Phase-shift photomask manufacturing method and phase-shift photomask

Номер патента: US20010044056A1. Автор: Haruo Kokubo. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Vegetable oil-based product manufacture method

Номер патента: RU2528201C2. Автор: Кости МОККИЛА. Владелец: Несте Ойл Оий. Дата публикации: 2014-09-10.

Anti-shock pad and related manufacturing method

Номер патента: US20190308348A1. Автор: Teh-Long Lai,Shyh-Chi Wu,Chun-Wei Chiu. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-10-10.

Manufacturing method of zinc oxide nanorod arrays and nanorod arrays made by the same and semiconductor device using the same

Номер патента: WO2014182129A1. Автор: Jong Lam Lee,Sung Joo Kim,Buem Joon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing laminate

Номер патента: US20230294979A1. Автор: Ken Kitamoto,Ryoya NAKAMURA. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit with CO2 sensor, composition and manufacturing method of such an IC

Номер патента: US09683099B2. Автор: Rafael Sablong,Aurelie Humbert,Cornelis Bastiaansen,Dimitri Soccol,Jan KOLIJN,Dirk Gravesteijn,Bjorn Tuerlings. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing laminate

Номер патента: US12122669B2. Автор: Ken Kitamoto,Ryoya NAKAMURA. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Module of transmitting and receiving optical signal based on optical fiber having slanted surface and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2005085926A1. Автор: Jung-Ho Choi,Seung-Bae Park,Sang-Gil Shin,Gi-Han Ryu. Владелец: LS CABLE LTD.. Дата публикации: 2005-09-15.

Transparent conductive layer and CF substrate having same and manufacturing method thereof

Номер патента: US09557460B2. Автор: Kuancheng Lee,Yewen Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Components with multi-layered cooling features and methods of manufacture

Номер патента: US09476306B2. Автор: Ronald Scott Bunker. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of ink jet head

Номер патента: EP1184179A3. Автор: Norio Ohkuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Touch screen, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09996208B2. Автор: Yang Liu,Lei Zhang,Taofeng Xie,Lingyan Wu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of liquid crystal panel

Номер патента: US09846333B2. Автор: Xiang Li,Yanjun SONG,Yongchao Zhao,Chungching Hsieh. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of sliding bearing manufacturing

Номер патента: RU2741972C2. Автор: Владимир Васильевич Быков,Вениамин Семенович Найман,Виктор Юрьевич Прохоров,Никита Владиславович Синюков,Сергей Васильевич Тащилов. Владелец: Виктор Юрьевич Прохоров. Дата публикации: 2021-02-01.

Aircraft with intermittent braces and manufacturing method

Номер патента: RU2435701C1. Автор: Лоран ГОТИ,Филипп БЕРНАДЕТ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С). Дата публикации: 2011-12-10.

Touch substrate having layers with varying refractive index, touch displaying device, and manufacturing method of touch substrate

Номер патента: US20240329779A1. Автор: Jie Han,Jian Zhao,Yuanhui Guo,Peipei Zhang,Yujie Gao,Xia Shi. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09868630B2. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Granule manufacturing method, granule, catalyst loading

Номер патента: RU2747993C2. Автор: Бёнквон ЧХВЭ,Чонкван КИМ,Чонсок ПЭ,Андреас ТИЛЬМАНН,Ларс ТОРКУЛЬ,Дидье БЕТОН,Робин КОЛЬВЕНБАХ. Владелец: Алантум Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-05-18.

Manufacturing method of the component with abradable coating

Номер патента: RU2646656C2. Автор: Лоран ФЕРРЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2018-03-06.

Sealing device manufacturing method (versions)

Номер патента: RU2256114C2. Автор: Джон В. КОСТИ,Джон М. ЛЕНЕР,Майкл А. МАКИСААК. Владелец: Сен Гобен Перформанс Плэстикс Корпорейшн. Дата публикации: 2005-07-10.

Manufacturing method of arched blade of clippers, blade of clippers, and clippers manufactured with this method

Номер патента: RU2381728C1. Автор: Дзеонг Сик ХАН,Гиоунг Хее КИМ. Владелец: Гиоунг Хее КИМ. Дата публикации: 2010-02-20.

Manufacturing method of stator component (versions)

Номер патента: RU2362886C2. Автор: Ян ЛУНДГРЕН,Матс ХАЛЛЬКВИСТ. Владелец: Вольво Аэро Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of consumable electrode

Номер патента: RU2382826C1. Автор: Петр Семенович Альтман,Анатолий Егорович Гончаров. Владелец: Открытое Акционерное Общество &#34;Корпорация Всмпо-Ависма&#34;. Дата публикации: 2010-02-27.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Liquid-permeable device, refrigerator and method of manufacture of such device

Номер патента: RU2644593C1. Автор: Минь Ли,Эньвэй ДИН,Госинь ЮЙ,Вэйин ЧЖАН,Айминь ВАН,Юншэн СУНЬ,Жуйтао ТАО. Владелец: Циндао Хайер Джойнт Сток Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated biosensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230266266A1. Автор: Kun Lung Chen. Владелец: Bioup Labs Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20210239904A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Liquid crystal panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US09927563B2. Автор: Chikaaki MIZOKUCHI,Tomomi Miyake. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: US09454048B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa,Daisuke Kubota,Tetsuji Ishitani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество &#34;Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова&#34; (АО &#34;НИФХИ им. Л.Я. Карпова&#34;). Дата публикации: 2018-08-29.

Method of manufacturing sterilised and calibrated medical device based on biosensor (versions)

Номер патента: RU2357759C2. Автор: Мария ТЕОДОРЧИК. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of constructional element for aircraft industry, which includes differential cold hammering

Номер патента: RU2440438C2. Автор: Фабрис ЭЙМЕ,Армель ДАНИЕЛУ,Филипп ЛЕКЕ. Владелец: Алкан Реналю. Дата публикации: 2012-01-20.

Manufacturing method of shoe for brake lining

Номер патента: RU2557124C2. Автор: Томас ЯНСЕР. Владелец: Рм Белагтрегер Гмбх. Дата публикации: 2015-07-20.

Shoe insert for footwear and method of manufacturing it

Номер патента: RU2743545C1. Автор: Юрий Олегович Фомушкин. Владелец: Юрий Олегович Фомушкин. Дата публикации: 2021-02-19.

Manufacturing method of knitted berets

Номер патента: RU2715878C1. Автор: Юлия Геннадиевна Фомина,Владимир Михайлович Апарин. Владелец: Владимир Михайлович Апарин. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of manufacturing supporting substrate and led display device

Номер патента: RU2591771C1. Автор: Ся ЛАНЬ. Владелец: Бейджин Глукс Криэйтив Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Paper with high extent of counterfeit protection and method of its manufacturing

Номер патента: RU2409473C2. Автор: Шилпан Правинчандра ПАТЕЛ. Владелец: Эрроу Коутид Продактс Лтд. Дата публикации: 2011-01-20.

Light guide plate and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240053540A1. Автор: Makoto Matsui,Kunihisa Takahashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of refrigerant fabric and refrigerant fabric manufactured by the method

Номер патента: US20180100265A1. Автор: Seok Man GANG. Владелец: Sejong Tf Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Sub-wavelength extreme ultraviolet metal transmission grating and manufacturing method thereof

Номер патента: US09442230B2. Автор: Ming Liu,Xiaoli Zhu,Dongmei Li,Changqing Xie,Hailiang Li,Lina Shi. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing methods of products from aluminium alloys of aa2000 series

Номер патента: RU2443798C2. Автор: Эндрю НОРМАН,Сунил КХОСЛА,СХОНЕВЕЛТ Хуго ВАН. Владелец: Алерис Алюминум Кобленц Гмбх. Дата публикации: 2012-02-27.

Nanocomposite electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2518150C2. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Laminated sheet and fixed laminated sheet and their manufacture method and method of use

Номер патента: RU2684368C2. Автор: Йосиаки Нецу. Владелец: Дай Ниппон Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-08.

Manufacturing method of combustible heat source with barrier

Номер патента: RU2632280C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2017-10-03.

Probe for scanning probe microscopy and method of its manufacturing (embodiments)

Номер патента: RU2660418C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Иван Сергеевич Мухин,Иван Сергеевич Синев,Антон Кириллович Самусев,Филипп Эдуардович Комиссаренко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики&#34; (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-07-06.

Manufacturing method of rotors of ball gyroscopes

Номер патента: RU2713033C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Даниил Павлович Елисеев,Сергей Николаевич Федорович,Татьяна Георгиевна Леонова. Владелец: Акционерное общество &#34;Концерн &#34;Центральный научно-исследовательский институт &#34;Электроприбор&#34;. Дата публикации: 2020-02-03.

Manufacturing method of briquettes with direct usage of coal with wide particle distribution by dimensions, method and facility with usage of this method

Номер патента: RU2353660C2. Автор: Чанг-О КАНГ,Гьюн Донг ПАРК,Ху Гьюн ЛИ,Джин Чан БАЕ,Хо Сик АН,Нам Хван ХЕО,Чанг Ил СОН,Джин Хо РЬЮ. Владелец: Поско. Дата публикации: 2009-04-27.

Tubular part with threaded element on each end and method of its manufacture

Номер патента: RU2334076C2. Автор: Жан-Люк КУЛОН,Жан-Клод МИКМАНД,Жан-Люк КУЛОН (FR),Жан-Клод МИКМАНД (FR). Владелец: Валлурек Маннесманн Ойл Энд Гэс Франс. Дата публикации: 2008-09-20.

Gear transmission with arched engagement and manufacturing method of gear wheel with internal teeth of arched form

Номер патента: RU2700221C2. Автор: Евгений Николаевич Захаров. Владелец: Евгений Николаевич Захаров. Дата публикации: 2019-09-13.

Polymer end cap, method of its manufacture, method of protection of hollow cylindrical product and product with an installed cap

Номер патента: RU2659010C1. Автор: Денис Николаевич Сницарь,Дмитрий Викторович Чернусский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Мехсервис&#34;. Дата публикации: 2018-06-26.

Multilayer composite products and their manufacturing methods

Номер патента: RU2752490C2. Автор: Джеймс БЁРНС,Том ОДУМ,Джей ВЕКСИ,Джин БРАЙЕР,Дерек БАСС. Владелец: Шо Индестриз Груп, Инк.. Дата публикации: 2021-07-28.

Method and device for control over manufacturing mode of pipe manufactured by electric welding by resistance method, and manufacturing method of such pipe

Номер патента: RU2682511C1. Автор: Такатоси ОКАБЕ,Тосифуми КОДАМА,Суити САТО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-03-19.

Bionic implants and their manufacturing methods

Номер патента: RU2747014C2. Автор: Артур Фрыдрыхевич. Владелец: Аф Практыка Стоматологична Артур Фрыдрыхевич. Дата публикации: 2021-04-23.

Closure device for container neck (versions) and manufacturing method of closure device (versions)

Номер патента: RU2701615C1. Автор: Александер Дональд Мейклем МАКФЕРСОН,Дэвид Конуэй РИЧАРДСОН. Владелец: Обрист Кложерс Свитселэнд Гмбх. Дата публикации: 2019-09-30.

Bimetallic current-conducting rail and method of its manufacturing

Номер патента: RU2714470C1. Автор: Игорь Венедиктович Данилов,Иосиф Сергеевич Гершман,Андрей Владимирович Сазанов. Владелец: Игорь Венедиктович Данилов. Дата публикации: 2020-02-17.

Heat exchanger and method of its manufacture, heat exchanger module, heat exchanger and heat source block

Номер патента: RU2642932C1. Автор: Ян Сюй,Цзин Ян,Мустафа К. ЯНИК. Владелец: Данфосс Майкро Ченл Хит Иксчейнджер (Цзясин) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-29.

Manufacturing method of photorefrective lights

Номер патента: RU2657323C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Игорь Касьянович Мешковский,Сергей Викторович Буреев,Марина Константиновна Цибиногина,Александр Валентинович Комаров,Егише Вавикович Тер-Нерсесянц. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова&#34; (АО &#34;НПО ГОИ им. С.И. Вавилова&#34;). Дата публикации: 2018-06-13.

Manufacturing Method of Black Vinegar and Black Vinegar Manufactured by the Method

Номер патента: US20090047383A1. Автор: Yasushi Ogasawara,Hirofumi Akano,Yoshiaki Otsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing of forged aluminum wheel

Номер патента: US12115575B2. Автор: Sung Yoon,Gwan Muk KIM. Владелец: St Enter Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of organic zinc catalyst and manufacturing method of polyalkylene carbonate resin

Номер патента: US09751981B2. Автор: Seung Young Park,Hyun Ju Cho,Sung-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacture method of samples for linking tribotechnical tests of "shaft-insert" type

Номер патента: RU2627397C1. Автор: Алексей Михайлович Мезрин,Борис Ярославович Сачек. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (ИПМех РАН). Дата публикации: 2017-08-08.

Sound absorption material having excellent absorption characteristics and the method of its manufacture

Номер патента: RU2641875C2. Автор: Дзунг Воок ЛИ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК,Хио Сеок КИМ,До Хиун КИМ,Чи Хун КИМ. Владелец: Торэй Кемикал Корея Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Bioresorable biological matrix for substitution of bone tissue defects and method of its obtaining

Номер патента: RU2665962C1. Автор: Владимир Георгиевич Нестеренко,Алексей Владимирович Веремеев,Роман Николаевич Болгарин,Антон Геннадиевич КУТИХИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Матрифлекс&#34;. Дата публикации: 2018-09-05.

Pipe and pipe manufacturing method

Номер патента: RU2732395C2. Автор: Кристер ВИКМАН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-09-16.

Manufacturing method of piston pin and piston pin, manufactured by this method

Номер патента: RU2356680C1. Автор: Роберт ВЕЙСС,Стивен БЭНГЗ,Джеймс ИНГДЭЛ,Пол ФЕКТО. Владелец: Бургесс-Нортон Мфг. Ко.. Дата публикации: 2009-05-27.

Absorbing product manufacturing method

Номер патента: RU2692922C1. Автор: Хироми ХАГИТА. Владелец: ЮНИЧАРМ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-06-28.

High strength antifriction composite based on polyetheretherketone for medicine and method of its production

Номер патента: RU2729653C1. Автор: Сергей Викторович Панин,Людмила Александровна Корниенко,Владислав Олегович Алексенко,Дмитрий Геннадьевич Буслович,Дык Ань Нгуен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2020-08-11.

Candle, giving flame colour and method of making same

Номер патента: RU2591851C2. Автор: Синь ЛВ. Владелец: Цзяньдэ Цзясюань Артиклз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-20.

Uv curable polymer composition, sliding coupling and manufacturing method of sliding coupling

Номер патента: RU2586217C1. Автор: Тадахико КАРАКИ,Кунихиро МАЦУМОТО,Коитиро САГИЯМА. Владелец: Минебеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-06-10.

Electrochemical manufacture method of tungsten silicide powder

Номер патента: RU2629190C2. Автор: Хасби Билялович Кушхов,Марина Нургалиевна Адамокова,Рузана Мухамедовна Мамхегова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2017-08-25.

Manufacturing method of comb of lip screen and a comb manufactured by this method

Номер патента: RU2683372C1. Автор: Леонид Александрович Клаузер. Владелец: Леонид Александрович Клаузер. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of electrochemical energy converter, and electrochemical energy converter

Номер патента: RU2502158C2. Автор: Збигнев МАГОНСКИ,Барбара ДЖЮРДЖЯ. Владелец: АГХ Научно-технический университет. Дата публикации: 2013-12-20.

Sample for the reinforcing threads and polymer binder adhesion connection strength determining and its manufacturing method

Номер патента: RU2683106C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Юрий Валентинович Антипов,Павел Михайлович Хавалкин. Владелец: Акционерное общество &#34;Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения&#34; (АО &#34;ЦНИИСМ&#34;). Дата публикации: 2019-03-26.

Manufacturing method of metal rod reinforced with fibres, and obtained rod

Номер патента: RU2495286C1. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛЕАВИ,Жан-Мишель ФРАНШЭ,Жиль КЛЕН. Владелец: Мессье - Бюгатти - Довти. Дата публикации: 2013-10-10.

Shoe and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2370191C2. Автор: Айнер ТРУЭЛСЕН,Айнер ТРУЭЛСЕН (DK). Владелец: Экко Ско А/С. Дата публикации: 2009-10-20.

Treatment technique of tobacco extract solution for removing of magnesium ions, manufacturing method of tobacco recycling material and restored tobacco material

Номер патента: RU2342059C2. Автор: Хиромити МУТО,Кодзи ТОРИКАИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing method of nanometre, monodisperse and stable metallic silver and products obtained from it

Номер патента: RU2430169C2. Автор: ПЕРЕС Рикардо БЕНАВИДЕС,РОХАС Хосе Гертрудис БОКАНЕГРА,МАРТИНЕС Хесус Мануэль МАРТИНЕС,Факундо РУИС,ДУРАН Алма Гвадалупе ВАСКЕС,КАСТАНЬОН Габриэль Алехандро МАРТИНЕС. Владелец: Сервисьос Административос Пеньолес С.А. Де К.В.. Дата публикации: 2011-09-27.

Printing material with protection against forgery with thermally transferred pattern, special foil for thermal transfer and manufacturing method of such material

Номер патента: RU2539342C1. Автор: Фэй ЧЭНЬ,Минфа ЧЭНЬ. Владелец: Ханьнань Ппк Нетворк Текнолоджи Ко. Лтд. Дата публикации: 2015-01-20.

Fuel assembly manufacturing method

Номер патента: RU2732730C1. Автор: Николай Михайлович Лебедев,Михаил Григорьевич Зарубин,Александр Владимирович Струков,Александр Николаевич Грот,Илья Владимирович Мокшин,Дмитрий Александрович Красильников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Александра-Плюс&#34;. Дата публикации: 2020-09-22.

Manufacture method of quantum dots printing ink and quantum dots printing ink manufactured with the manufacture method

Номер патента: US20180100079A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Systems and methods of on demand manufacturing of customized products

Номер патента: WO2011140568A3. Автор: Darrin G. HEGEMIER,Darryl R. Kuhn,Frank M. Tyneski,David M. Peace. Владелец: Skinit, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing panel, panel and furniture comprising panel

Номер патента: AU2021374545B2. Автор: Luhao Leng. Владелец: New Tec Integration Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Large microfluidic bioreactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210129151A1. Автор: Shekhar Bhansali,Betiana Lerner,Maximiliano S. PEREZ,Natalia Bourguignon. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2021-05-06.

Liquid ejection head, liquid ejection apparatus, and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US20090056768A1. Автор: Atsushi Nakamura,Atsushi Nakayama,Yuji Yakura,Yuichiro Ikemoto,Takeo Eguchi,Shigeyoshi Hirashima,Shogo Ono,Manabu Matsuda,Shota Nishi,Kazuyasu Takenaka,Shigeyoshi Fujiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Manufacturing method of tire having sensor container and tire manufactured by the same

Номер патента: US20230036044A1. Автор: Byung Lip Kim,Kwang Yong Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Chemical liquid, chemical liquid storage body, manufacturing method of chemical liquid, and manufacturing method of chemical liquid storage body

Номер патента: US10884338B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing color filter, color filter, image display device and electronic apparatus

Номер патента: US20090128937A1. Автор: Junichi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Liquid ejection head, liquid ejection apparatus, and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US8210641B2. Автор: Atsushi Nakamura,Atsushi Nakayama,Yuji Yakura,Yuichiro Ikemoto,Takeo Eguchi,Shigeyoshi Hirashima,Shogo Ono,Manabu Matsuda,Shota Nishi,Kazuyasu Takenaka,Shigeyoshi Fujiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Composition for interfacial polymerization of polyamide and manufacturing method for water treatment separation membrane using same

Номер патента: US11718712B2. Автор: Chong Kyu Shin,Youngju LEE,Eunkyoung BYUN,Lakwon CHOI. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of additive manufacturing for manufacturing molds an additive manufacturing system for manufacturing molds

Номер патента: EP4400243A1. Автор: Jose Antonio DIESTE MARCIAL,Alberto LAGUIA PEREZ,Iván MONZON CATALAN,Berta GONZALVO BAS,Pascual Gracia Aranega,Alejandro MARQUÉS PAOLA. Владелец: Fundacion AITIIP. Дата публикации: 2024-07-17.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Large microfluidic bioreactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210078005A1. Автор: Shekhar Bhansali,Betiana Lerner,Maximiliano S. PEREZ,Natalia Bourguignon. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2021-03-18.

Manufacturing method of liquid discharging head

Номер патента: US9168750B2. Автор: Keiji Matsumoto,Koji Sasaki,Shuji Koyama,Seiichiro Yaginuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Manufacturing method, manufacturing apparatus, data processing method, data processing apparatus, data carrier

Номер патента: EP3221127A1. Автор: Hans Kimblad,Cornelia OLSÉRIUS,Ralf CARLSTRÖM,Bo ROSENQUIST. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-09-27.

Manufacturing method of optical devices

Номер патента: US20050170084A1. Автор: Kazumasa Adachi,Motoo Takada. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Methods of manufacturing articles utilizing foam particles

Номер патента: US20240253300A1. Автор: Denis Schiller,Krissy Yetman,Jay CONSTANTINOU,Harleigh Doremus,Luis FOLGAR,Brandon KVAMME. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230125400A1. Автор: Chin-Lung Ting,Cheng-Yang Tsai,Yu-Chun FU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Manufacturing method of liquid discharging head

Номер патента: US20140151336A1. Автор: Keiji Matsumoto,Koji Sasaki,Shuji Koyama,Seiichiro Yaginuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of manufacturing rust-preventing cover

Номер патента: US6053998A. Автор: Haruyuki Yamazaki,Makoto Nitta. Владелец: Nihon Sekiso Kogyo Ltd. Дата публикации: 2000-04-25.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Epitaxy structure and manufacturing method of GaN-based compound semiconductor

Номер патента: TW200418109A. Автор: Jiung-Yu Jang,Mu-Ren Lai,Jia-cheng LIU. Владелец: Vtera Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, electronic apparatus, and semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: JP4797453B2. Автор: 明宏 小川,勧 上土居. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

(III) Manufacturing method of group V compound semiconductor device

Номер патента: JP2600702B2. Автор: 俊治 鈴木,二郎 笠原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-04-16.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明 小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

The growing method of the nitride semiconductor, nitride semiconductor substrate and the nitride semiconductor device

Номер патента: TW406445B. Автор: Shuji Nakamura,Hiroyuki Kiyohisa,Naruhito Iwasa,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Kagaku Kogyo Kk. Дата публикации: 2000-09-21.

Crystal growth method of nitride based compound semiconductor and semiconductor light emitting element

Номер патента: JPH10256666A. Автор: Kenji Uchida,憲治 内田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-25.

Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it

Номер патента: AU2002238984A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masahito Kodama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

METHOD OF ETCHING TRENCHES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE UTILIZING PULSED AND FLUOROCARBON-FREE PLASMA

Номер патента: US20120289050A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

Methods of Forming Doped Regions in Semiconductor Substrates

Номер патента: US20130072006A1. Автор: Qin Shu,Liu Lequn Jennifer,McTeer Allen,Hu Yongjun Jeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Through Silicon Via Structure, Method of Formation, and Integration in Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130087893A1. Автор: Howard David J.,Jebory Hadi. Владелец: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2013-04-11.

Forming method of photo resist film onto semiconductor substrate

Номер патента: JPS53144266A. Автор: Kazuo Watanabe,Kenichi Goto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-12-15.

Method of manufacturing ⅲ-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: KR100983820B1. Автор: 전수근. Владелец: 주식회사 에피밸리. Дата публикации: 2010-09-27.

Method of growing added compound semiconductor crystal

Номер патента: JPS62229823A. Автор: Naoto Kondo,直人 近藤,Yasuyuki Nanishi,▲やす▼之 名西. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1987-10-08.

Vapor phase growth method of III-V compound semiconductor

Номер патента: JP3221318B2. Автор: 真佐知 柴田,恒弘 海野,貴士 古屋. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2001-10-22.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023278001B2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heat-exchanger manufacturing method, heat exchanger heat exchange block manufacturing method (versions), manufacturing method of intermediate and/or upper heat exchange blocks of heat exchanger, and manufacturing method of lower heat exchange block of heat exchanger

Номер патента: RU2342239C2. Автор: Сергей Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов,Игорь Сергеевич Кузнецов,Андрей Владимирович Федосеев. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2008-12-27.

PLATE, HEAT EXCHANGER AND METHOD OF MANUFACTURING A HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120000637A1. Автор: NOËL-BARON Olivier,Vännman Erik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of large-sized thick-walled composite polymeric parts by using rtm (resin transfer moulding) method (versions)

Номер патента: RU2376140C1. Автор: Александр Николаевич Козловский,Йордан Стоянов Яламов,Стефан Йорданов Яламов,Еленка Тончева Яламова. Владелец: Еленка Тончева Яламова. Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacture method of blood serum standard positive panel for quality control of immunoenzymometric test systems designed for detection of virus-specific antibodies to viral respiratory infections in biological liquids of bovine animals

Номер патента: RU2392331C2. Автор: Дмитрий Александрович Салов,Наталья Анатольевна Бондарева,Ирина Николаевна Матвеева,Иван Иванович Кочиш,Наталья Киреевна Еремец,Светлана Владимировна Кузнецова,Лариса Сергеевна Люлькова,Иван Александрович Бараковский,Екатерина Владимировна Рахманина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и технологический институт биологической промышленности РАСХН. Дата публикации: 2010-06-20.

MANUFACTURING METHOD OF BOTTLES, AND FAMILY OF BOTTLES OPERATING UNDER PRESSURE OF 100 TO 200 kgf/cm2

Номер патента: RU2480666C2. Автор: Сергей Алексеевич Федулов,Владимир Иванович Алексеенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;РИФ&#34; технологии&#34;. Дата публикации: 2013-04-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова&#34;. Дата публикации: 2016-04-20.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing bar of variable section from composite material

Номер патента: RU2339773C2. Автор: Лев Валентинович Фурсов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Композит-Сервис&#34;. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Исток&#34; (ФГУП НПП &#34;Исток&#34;). Дата публикации: 2011-05-20.

Screen vacuum heat insulation of cryogenic tank of rocket space upper stage and method of fabrication thereof

Номер патента: RU2384492C2. Автор: Евгений Николаевич Туманин,Михаил Викторович Рожков. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Ракетно-космическая корпорация &#34;Энергия&#34; имени С.П. Королева&#34;. Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of structural decorative sheet panel (versions)

Номер патента: RU2580115C2. Автор: Александр Витольдович Малицкий. Владелец: Александр Витольдович Малицкий. Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of heat-insulating ceramic material

Номер патента: RU2355665C1. Автор: Василий Михайлович Кнатько,Михаил Васильевич Кнатько,Елена Васильевна Щербакова,Сергей Анатольевич Бегоулев. Владелец: Сергей Анатольевич Бегоулев. Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of composite magnesium-silicate proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2476477C1. Автор: Виктор Георгиевич Пейчев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью &#34;Форэс&#34;. Дата публикации: 2013-02-27.

Manufacturing method of reinforcement cage for reinforced-concrete members

Номер патента: RU2388876C2. Автор: Николай Алексеевич Ильин,Александр Петрович Шепелев,Павел Николаевич Славкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Самарский государственный архитектурно-строительный университет&#34; (СГАСУ). Дата публикации: 2010-05-10.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Floor covering manufacturing method

Номер патента: RU2380465C1. Автор: Анатолий Константинович Нуждин,Владимир Александрович Ильин,Лариса Вениаминовна Александрова. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Таркетт&#34; (ЗАО &#34;Таркетт&#34;). Дата публикации: 2010-01-27.

Manufacturing method of decorative ceramic products

Номер патента: RU2349561C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases of internal combustion engine, and application method of substrate onto honeycomb ceramic unit for catalytic neutraliser of exhaust gases

Номер патента: RU2553004C1. Автор: Рудольф Юрьевич Соловьев,Елизавета Юрьевна Кудряшова,Ксения Сергеевна Поджарая. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский технологический институт ремонта и эксплуатации машинно-тракторного парка Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ГОСНИТИ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2015-06-10.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Manufacturing method of multi-layer ice cover for figure-skating

Номер патента: RU2364804C1. Автор: Борис Алексеевич Кузнецов,Галина Юрьевна Гончарова,Михаил Владимирович Загайнов,Надежда Николаевна Калуцких. Владелец: Михаил Владимирович Загайнов. Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of items in form of discs or rolls of gas-turbine engines from pelletised heat-resistant nickel alloys

Номер патента: RU2433204C1. Автор: Василий Иванович Еременко,Олег Хикметович Фаткуллин,Алексей Сергеевич Фурашов,Станислав Игоревич Фаткуллин,Анатолий Константинович Щукарев. Владелец: Олег Хикметович Фаткуллин. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of natural clayey suspension manufacturing for electrode material production

Номер патента: RU2337895C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Сергей Геннадьевич Ионов,Анатолий Николаевич Селезнев,Алексей Валерьевич Кепман,Василий Андреевич Крюковский,Иван Михайлович Афанасов,Владимир Анатольевич Морозов,Станислав Николаевич Саввин. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Институт новых углеродных материалов и технологий&#34; (ЗАО &#34;ИНУМиТ&#34;). Дата публикации: 2008-11-10.

Manufacturing method of ultra-wideband antenna system with controlled directivity pattern

Номер патента: RU2552232C2. Автор: Борис Иосифович Суховецкий,Светлана Борисовна Суховецкая. Владелец: Борис Иосифович Суховецкий. Дата публикации: 2015-06-10.

Manufacturing method of ultralight gage sheets from high-strength titanium alloys

Номер патента: RU2381297C1. Автор: Александр Николаевич Козлов,Андрей Владимирович Зайцев,Виталий Анатольевич Михайлов. Владелец: Открытое Акционерное Общество &#34;Корпорация Всмпо-Ависма&#34;. Дата публикации: 2010-02-10.

Manufacturing method of gear wheels and mandrel for realisation thereof

Номер патента: RU2376122C1. Автор: Ремир Борисович Марголит,Ольга Александровна Терехова,Евгений Васильевич Близняков. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Станкон&#34;. Дата публикации: 2009-12-20.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of metal high pressure vessels

Номер патента: RU2343341C2. Автор: Владимир Александрович Воробьев,Вадим Юрьевич Травин,Виктор Иванович Трегубов,Николай Александрович Макаровец,Виктор Алексеевич Корольков,Валерий Владимирович Гаевский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие &#34;Государственное научно-производственное предприятие &#34;Сплав&#34;. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of brick fuel manufacturing

Номер патента: RU2375414C1. Автор: Павел Иванович Шашмурин,Владимир Семёнович Загайнов,Михаил Иванович Стуков,Евгений Иосифович Андрейков,Яков Борисович Куколев,Михаил Юрьевич Посохов. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственное объединение &#34;Восточный научно-исследовательский углехимический институт&#34; (ЗАО &#34;НПО &#34;ВУХИН&#34;). Дата публикации: 2009-12-10.

Manufacturing method of variable cross-section waveguide

Номер патента: RU2395139C1. Автор: Георгий Георгиевич Гаврилов,Елена Вячеславовна Каламзина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики&#34; (ФГУП &#34;РФЯЦ-ВНИИЭФ&#34;). Дата публикации: 2010-07-20.

Manufacturing method of inner thermal protective coating of rocket engine housing

Номер патента: RU2415289C1. Автор: Владислав Закирович Каримов,Борис Анатольевич Нестеров,Марина Ефимовна Волк. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение &#34;Искра&#34;. Дата публикации: 2011-03-27.

Method of manufacturing dial of bracket or wall or long-case analogue clock, manufacturing method of dial marker of bracket or wall or long-case analogue clock

Номер патента: RU2370803C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2009-10-20.

Hollow items manufacturing method

Номер патента: RU2469121C1. Автор: Анатолий Семенович Митин,Андрей Анатольевич Митин. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Завод им. В.А. Дегтярева&#34;. Дата публикации: 2012-12-10.

Chip resistor manufacturing method

Номер патента: RU2551905C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Научно-производственное объединение &#34;ЭРКОН&#34; (ОАО &#34;НПО &#34;ЭРКОН&#34;). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing of high reactivity metals and alloys ingots and vacuum-arc-refining furnace for manufacturing of reactivity metals and alloys ingots

Номер патента: RU2355791C2. Автор: Владислав Валентинович Тетюхин,Игорь Юрьевич Пузаков,Михаил Хаимович Спивак,Олег Германович Федотов. Владелец: Открытое Акционерное Общество &#34;Корпорация Всмпо-Ависма&#34;. Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of friction bearing

Номер патента: RU2382248C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Сергей Петрович Захарычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34; Тихоокеанский государственный университет&#34;. Дата публикации: 2010-02-20.

Orthopedic bedding and related manufacture method

Номер патента: RU2357638C2. Автор: Игорь Олегович Борисов. Владелец: Игорь Олегович Борисов. Дата публикации: 2009-06-10.

Manufacturing method of high-pressure cylinder from polymer composite materials, and high-pressure cylinder from polymer composite materials

Номер патента: RU2395749C1. Автор: Вячеслав Петрович Яиков. Владелец: Вячеслав Петрович Яиков. Дата публикации: 2010-07-27.

Manufacturing method of flexible relief printed-circuit boards for electronic and electrotechnical equipment

Номер патента: RU2496286C1. Автор: Юрий Дмитриевич Сасов,Вадим Александрович Усачев,Николай Александрович Голов,Наталья Валерьевна Кудрявцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2013-10-20.

Manufacturing method of vacuum arc-extinguishing chambers (vec)

Номер патента: RU2532627C2. Автор: Герман Сергеевич Белкин,Людмила Николаевна Васецова,Вера Григорьевна Горохова,Юрий Геннадиевич Ромочкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Вакуумные технологии&#34;. Дата публикации: 2014-11-10.

Manufacturing method of charge from ballistic solid propellant

Номер патента: RU2384555C2. Автор: Геннадий Васильевич Куценко,Наиль Гумерович Ибрагимов,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,Лидия Алексеевна Журавлева,Валентина Ивановна Вшивкова,Марат Наилевич Ибрагимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Научно-исследовательский институт полимерных материалов&#34;. Дата публикации: 2010-03-20.

Manufacturing method of polymer high-voltage insulator

Номер патента: RU2395128C1. Автор: Виталий Васильевич Власов,Александр Васильевич Сухар,Геннадий Александрович Данилов,Василий Михайлович Сухар. Владелец: Закрытое Акционерное Общество - ЗАО &#34;ФЕНИКС-88&#34;. Дата публикации: 2010-07-20.

Microprofile of structure of vacuum integral microwave circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2404481C1. Автор: Виталий Яковлевич Подвигалкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Саратовский государственный технический университет&#34; (СГТУ). Дата публикации: 2010-11-20.

Manufacturing method of cold-rolled titanium-bearing steel

Номер патента: RU2356948C1. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Клавдия Андреевна Лисичкина,Татьяна Михайловна Кочнева,Нина Ивановна Малова,Андрей Викторович Горбунов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Магнитогорский металлургический комбинат&#34;. Дата публикации: 2009-05-27.

Manufacturing method of ceramic proppant, and proppant itself

Номер патента: RU2459852C1. Автор: Сергей Федорович Шмотьев,Брандау Торстен. Владелец: Брэйс ГмбХ. Дата публикации: 2012-08-27.

Manufacturing method of inclined pile with controlled widening

Номер патента: RU2522358C1. Автор: Михаил Александрович Самохвалов,Яков Александрович Пронозин,Юрий Владимирович Зазуля. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Тюменский государственный архитектурно-строительный университет&#34; (ФГБОУ ВПО &#34;ТюмГАСУ&#34;). Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.