Semiconductor device having a Isolations and method for forming thereof
Номер патента: KR100865853B1
Опубликовано: 29-10-2008
Автор(ы): 김남경
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-10-2008
Автор(ы): 김남경
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same
Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.