Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

樹脂封止半導体装置

Номер патента: JPS6236829A
Опубликовано: 17-02-1987
Автор(ы): Takashi Kondo, 隆 近藤
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: US20020084523A1. Автор: Masayoshi Kikuchi,Kazuaki Sorimachi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4130620B2. Автор: 憲幸 戒能,毅 川端,和彦 松村,隆幸 吉田,克良 松本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Resin-sealed semiconductor device having intermediate silicon thermal dissipation means and embedded heat sink

Номер патента: US5317194A. Автор: Shigeki Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Resin sealed semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPH11135546A. Автор: Tomoichi Oku,倶一 奥,Sumio Kuwabara,純夫 桑原. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-21.

Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2003218145A. Автор: Kiyoshi Higashihara,清 東原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2860945B2. Автор: 伸仁 大内. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-24.

Lead frames for semiconductor devices, their manufacturing methods, and resin-sealed semiconductor devices

Номер патента: JP6852358B2. Автор: 健司 松村,孝夫 池澤,陽一 長井,長井　陽一. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2021-03-31.

Resin composition and resin-sealed semiconductor device made by using the same

Номер патента: JPH1135800A. Автор: Kazutaka Matsumoto,Tetsuo Okuyama,Akira Takayama,哲生 奥山,一高 松本,暁 高山,Hiromichi Takami,博道 高見. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-09.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6365655A. Автор: Seiichi Nishino,西野　誠一. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-03-24.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6060740A. Автор: Shinji Mitsui,三井　真司. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-04-08.

Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3405202B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-05-12.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3461720B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-10-27.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6185846A. Автор: Takahiro Kuroiwa,黒岩　隆弘. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-05-01.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2890841B2. Автор: 忠利 浅田,浩司 柴田,憲治 山田. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-05-17.

Resin-sealed semiconductor device and its packaging method

Номер патента: JPS54128278A. Автор: Hiroshi Momona. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-04.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2601033B2. Автор: 和浩 山田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-16.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63108761A. Автор: Tamakazu Suzuki,鈴木　瑞一. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-13.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1167983A. Автор: Hideo Watanabe,英雄 渡辺. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1065062A. Автор: 茂之 清田,Shigeyuki Kiyota. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-06.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5910243A. Автор: Yukio Hayashi,幸雄 林. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-01-19.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS58101445A. Автор: Toshiyuki Fujii,藤井　利之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-06-16.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH0739241Y2. Автор: 晃 長谷川,定雄 吉田. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-06.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6077445A. Автор: Takashi Shibata,隆 柴田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-05-02.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3687347B2. Автор: 伸一 広瀬. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-08-24.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3913228B2. Автор: 忠良 中塚,勝司 多良,匡紀 南尾,敏行 福田,秀一 尾方,文彦 川合,登 竹内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-09.

Method of testing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62211933A. Автор: Michiyo Nakane,中根　道代. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1987-09-17.

Resin-sealed semiconductor device package

Номер патента: JP3335967B2. Автор: 博之 小路,昌男 千田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2921800B2. Автор: 利夫 塩原,亮 新帯,誠司 片山,浩二 二ッ森,浩司 柴田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-19.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2809675B2. Автор: 浩 山田,雅之 斉藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-15.

Resin-sealed semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPH1167800A. Автор: Takashi Miwa,Hitoshi Horiuchi,Toshihiro Tsuboi,Hiroshi Tate,宏 舘,孝志 三輪,敏宏 坪井,整 堀内. Владелец: Hitachi Microcomputer System Ltd. Дата публикации: 1999-03-09.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62154764A. Автор: Makoto Kitano,Hideo Miura,Hajime Murakami,Kanji Otsuka,Sueo Kawai,寛治 大塚,Asao Nishimura,Akihiro Tatemichi,英生 三浦,誠 北野,末男 河合,元 村上,西村　朝雄,立道　昭弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-07-09.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH066509Y2. Автор: 孝太郎 佐藤. Владелец: 日本インター株式会社. Дата публикации: 1994-02-16.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3077901B2. Автор: 隆昭 横山,茂雄 吉崎. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-21.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6442825A. Автор: Sadao Yoshida,Masami Minami. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Lead frame and PGA type resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3465098B2. Автор: 淳一 山田,賢 佐々木. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2003-11-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2786047B2. Автор: 孝 ▲薄▼衣. Владелец: YAMAGATA NIPPON DENKI KK. Дата публикации: 1998-08-13.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62261161A. Автор: Osamu Nakagawa,Shunichi Kamimura,治 中川,上村　俊一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-11-13.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2888183B2. Автор: 隆志 佐藤. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-05-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2644773B2. Автор: 英生 三浦,朝雄 西村,誠 北野,昭弘 矢口,末男 河合. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-08-25.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6379353A. Автор: Hajime Terakado,Hideo Tanbara,Hideaki Nakagome,英明 中込,寺門　肇,丹原　日出夫. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-04-09.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2905609B2. Автор: 健一 日下. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-14.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS55105354A. Автор: Hisaharu Sakurai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-12.

Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3430976B2. Автор: 匡紀 南尾,雅尚 荒木,栄一 中澤,秀次 高崎. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-07-28.

Resin sealed semiconductor device with heat sink

Номер патента: JPH1187573A. Автор: Yukio Tamura,幸男 田村. Владелец: Goto Seisakusho KK. Дата публикации: 1999-03-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2506429B2. Автор: 一美 蛯原,正則 吉本,雄三 濱中. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1996-06-12.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3134445B2. Автор: 欣志 加来. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Resin sealed semiconductor device utilizing a clad material heat sink

Номер патента: US6469380B2. Автор: Masayoshi Kikuchi,Kazuaki Sorimachi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63268261A. Автор: Katsutoshi Mine,勝利 峰,君男 山川,Kimio Yamakawa,Akiyoshi Kogo,向後　明美. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-04.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS57164549A. Автор: Seiichi Iwamatsu. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-10-09.

Resin sealed semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPS6414942A. Автор: Isamu Yamamoto,Yuji Sawamori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-19.

Manufacture of insulating type resin-sealed semiconductor element

Номер патента: JPS6113636A. Автор: Tadayoshi Saito,斉藤　忠義. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-21.

Resin Sealed Semiconductor Device And Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20130143365A1. Автор: Junji Yamada,Tatsuya Iwasa,Masafumi Matsumoto,Masaru Furukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2670408B2. Автор: 俊哉 渡辺. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-29.

Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS63239967A. Автор: Kazuichi Yonenaka,米中　一市. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-05.

Production of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS54126468A. Автор: Kenji Miyajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-01.

Resin-sealed semiconductor device and circuit used in device thereof

Номер патента: JPH1174411A. Автор: Makoto Nakamura,Yutaka Yagi,誠 中村,裕 八木,Shuichi Yamada,修一 山田,Takeshi Takeshita,毅志 竹下. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1999-03-16.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4705614B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Resin-sealed semiconductor device and lead frame used for manufacturing the same

Номер патента: JP3336328B2. Автор: 正親 増田,昭彦 岩谷. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6352451A. Автор: Atsushi Honda,Takashi Miwa,厚 本多,Tadaaki Oota,孝志 三輪,太田　忠明. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1988-03-05.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS60165745A. Автор: Yoshimasa Kudo,工藤　好正. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-08-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6298753A. Автор: Yasuhisa Hagiwara,Michio Okamoto,正親 増田,Masachika Masuda,道夫 岡本,Asao Matsuzawa,靖久 萩原,松沢　朝夫. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-05-08.

Resin-sealed semiconductor device and circuit member used therein, and manufacture of circuit member

Номер патента: JPH1154663A. Автор: Makoto Nakamura,Yutaka Yagi,誠 中村,裕 八木,Shuichi Yamada,修一 山田,Takeshi Takeshita,毅志 竹下. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4021115B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3212127B2. Автор: 泰弘 山地,英男 太田,知章 田窪,衛 佐々木,秀子 向田,正生 望月. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for forming protective cover of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH0834279B2. Автор: 勝次 小松. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-29.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5513913A. Автор: Kenji Miyajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-31.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6240750A. Автор: Shigemi Wakamatsu,若松　茂美. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-02-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2531817B2. Автор: 和人 小林. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-04.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1070213A. Автор: Hiroyuki Kaneko,Masayuki Oi,政幸 大井,博幸 金子,Isao Yabe,功 矢部. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS61253841A. Автор: Yasumasa Saito,斉藤　安正. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-11.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR950021455A. Автор: 나오히사 오꾸무라. Владелец: 가부시기가이샤 도시바. Дата публикации: 1995-07-26.

Method for manufacturing resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH10178030A. Автор: 亮 新帯,Akira Niiobi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2745887B2. Автор: 達也 大高,佐藤　　巧,隆志 鈴村,敏雄 川村. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP5281797B2. Автор: 保良 本多,剛史 北野. Владелец: Asmo Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2770947B2. Автор: 芳弘 石田,勝次 小松,佳宏 島田. Владелец: SHICHIZUN TOKEI KK. Дата публикации: 1998-07-02.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3226244B2. Автор: 尚久 奥村. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-05.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2927081B2. Автор: 豊 福田,量一 成田. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-07-28.

Method of resin-sealing semiconductor devices

Номер патента: EP0688650A1. Автор: Hiroaki Shimizu,Isao Yabe,Masahiko Yoneyama,Teruo Nayuki,Katsuhiko Ikai,Kazuhiko Asaumi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-27.

Mold release film for manufacturing process, applications thereof and method of manufacturing resin-sealed semiconductor using the same

Номер патента: TW201726385A. Автор: 清水勝,志摩健二. Владелец: 三井化學東賽璐股份有限公司. Дата публикации: 2017-08-01.

METHOD FOR RESIN SEALING SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: DE69519259T2. Автор: Hiroaki Shimizu,Isao Yabe,Masahiko Yoneyama,Teruo Nayuki,Katsuhiko Ikai,Kazuhiko Asaumi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-17.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Manufacture of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS642328A. Автор: Toshio Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-01-06.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960019676A. Автор: 테츄야 오오츄키. Владелец: 야스까와 히데아키. Дата публикации: 1996-06-17.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3367299B2. Автор: 哲也 大槻. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2673764B2. Автор: 州志 江口,利昭 石井,裕之 宝蔵寺,正次 尾形,輝夫 北村,政則 瀬川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-11-05.

Resin-sealed semiconductor device with heat sink and manufacturing method thereof

Номер патента: KR980006155A. Автор: 노리나가 와타나베,신이치 니시. Владелец: 가부시키가이샤 고토 세이사쿠쇼. Дата публикации: 1998-03-30.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS57202761A. Автор: Kiyoshi Miwa. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-12-11.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4002235B2. Автор: 邦彦 西,美典 宮木,一成 鈴木,博通 鈴木,隆文 西田,富士夫 伊藤,邦宏 坪崎,昭彦 亀岡. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5779653A. Автор: Mitsuru Imai. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-18.

Surface-mount type resin-sealed semiconductor device enclosed in a bag

Номер патента: JP3187399B2. Автор: 村上　　元,和平 北村. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-11.

Manufacture of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6041247A. Автор: Yuji Sano,Hajime Murakami,元 村上,佐野　雄次. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3145892B2. Автор: 昌孝 西川. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-03-12.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2982182B2. Автор: 敦 高橋,賢治 大谷内. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-22.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS60193346A. Автор: Yukito Ikeda,幸仁 池田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-01.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS61198658A. Автор: Hiroshi Matsumoto,博 松本,Takao Emoto,江本　孝朗. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-09-03.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62166553A. Автор: Osamu Nakagawa,治 中川,Sunao Kato,直 加藤. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-07-23.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3078526B2. Автор: 裕明 末吉. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-21.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS57155752A. Автор: Satoru Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-09-25.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63119556A. Автор: Akira Sato,Kaoru Imamura,亮 佐藤,今村　薫. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-24.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5745960A. Автор: Shinichi Akashi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-03-16.

Resin sealed semiconductor device and manufacture therefor

Номер патента: JPH1064933A. Автор: Kei YAJIMA,圭 矢島. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-06.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS57145346A. Автор: Toshiyuki Murakami,Yoshiyuki Kishi. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1982-09-08.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH07101698B2. Автор: 聡 五味. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of resin sealing a semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and forming die for resin sealing the semiconductor device

Номер патента: KR20040087924A. Автор: 하마사키사토시. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2004-10-15.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2732767B2. Автор: 浩由樹 小園. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-03-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3406073B2. Автор: 正次 尾形,博起 幸島,孝三 広川,淳一 千浜. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, and mold

Номер патента: JP4039298B2. Автор: 智 浜崎. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-01-30.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH0691172B2. Автор: 尚士 秋口,喜文 北山,正人 平野,建夫 中島,和洋 山根. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-14.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN105938802B. Автор: 木村纪幸. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-09-25.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5757080A. Автор: Yoshiki Sota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6151949A. Автор: Hideaki Arima,Junichi Mihashi,三橋　順一,有馬　秀明. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-03-14.

Manufacture of resin-seal semiconductor device

Номер патента: JPS6065555A. Автор: Toshihiro Kato,Mitsugi Miyamoto,Yoshimasa Kudo,宮本　貢,工藤　好正,加藤　俊博. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-04-15.

Resin-sealed semiconductor device, method of manufacturing the same, and lead frame

Номер патента: JP3535760B2. Автор: 雄一郎 山田,匡紀 南尾,史人 伊藤,隆弘 松尾,邦和 竹村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-06-07.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63175454A. Автор: Shigeru Suzuki,茂 鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-07-19.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2726555B2. Автор: 亘 高橋,信幸 佐藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2530056B2. Автор: 新悦 藤枝,章夫 勝又,宏 下澤,誠一 平田. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4965393B2. Автор: 充裕 高田. Владелец: Asmo Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09484282B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020000676A1. Автор: Shinji Ohuchi,Noritaka Anzai. Владелец: Noritaka Anzai. Дата публикации: 2002-01-03.

Resin for sealing semiconductor device, resin-sealed semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US7704801B2. Автор: Yasuo Tanaka,Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-27.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS54128280A. Автор: Hajime Murakami,Koji Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2956617B2. Автор: 武博 齊藤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4454357B2. Автор: 雄司 森永,義政 小林,高弘 大西. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: TW465051B. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-21.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3362530B2. Автор: 哲也 大槻. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3944913B2. Автор: 哲也 大槻,健三 吉森. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-18.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950021435A. Автор: 테츠야 오츠키. Владелец: 야스카와 히데아키. Дата публикации: 1995-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member used for the device, and method of manufacturing the circuit member

Номер патента: WO2001069678A1. Автор: Hiroshi Yagi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2001-09-20.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5431276A. Автор: Takahiko Ichimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-03-08.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH069518Y2. Автор: 昭雄 佐藤. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-09.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR0172020B1. Автор: 요우이찌 쯔노다. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-02-01.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2972096B2. Автор: 義樹 曽田. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1999-11-08.

Resin-sealed semiconductor device, lead frame with die pads, and manufacturing method for lead frame with die pads

Номер патента: CN1790687A. Автор: 福田敏行,山田雄一郎,河崎知树,尾方秀一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-21.

Resin-sealed semiconductor device, leadframe with die pads, and manufacturing method for leadframe with die pads

Номер патента: CN101383330B. Автор: 福田敏行,山田雄一郎,河崎知树,尾方秀一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2806168B2. Автор: 薫 園部. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS61140157A. Автор: 保 佐藤,Tamotsu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-06-27.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63293963A. Автор: Koji Kaneda,好司 金田,Tetsuji Obara,哲治 小原. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1988-11-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3175979B2. Автор: 健 内田,清昭 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-06-11.

Lead frame and resin sealed semiconductor device using the same

Номер патента: EP0503769A1. Автор: Sachiyuki Nose. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-09-16.

Lead frames and resin sealed semiconductor device therefor

Номер патента: DE69227937D1. Автор: Sachiyuki Nose. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-02-04.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100382965B1. Автор: 신지 오우찌,노리따까 안자이. Владелец: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-08-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2551354B2. Автор: 尊浩 江口. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5694650A. Автор: Akira Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-07-31.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR950009988A. Автор: 하루히꼬 마끼노,아끼라 고지마,게지 오사와. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-04-26.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH10107182A. Автор: Atsushi Saito,淳 斎藤. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1998-04-24.

Resin-sealed semiconductor device and liquid crystal display module using the same

Номер патента: JP3441412B2. Автор: 誠一 山本,幹 藤▲吉▼. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Resin-sealed semiconductor device and liquid crystal display module containing the same

Номер патента: DE60037383T2. Автор: Seiichi Kashihara-shi Yamamoto,Miki Takatsuki-shi Fujiyoshi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4357728B2. Автор: 裕 八木. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-11-04.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JP2014090206A. Автор: Hiroshi Yagi,木 裕 八. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3230348B2. Автор: 明 小島,健治 大沢,晴彦 牧野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-19.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6028252A. Автор: Hiroshi Matsumoto,博 松本,Takao Emoto,江本　孝朗. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-02-13.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5778157A. Автор: Tatsuo Yamazaki,Yoichi Nakajima,Toshiki Kurosu,Makoto Okazaki,Noritoshi Kotsuji. Владелец: Hitachi Haramachi Electronics Ltd. Дата публикации: 1982-05-15.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Resin-sealed semiconductor device and lead frame used in a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5648682A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5202753A. Автор: Akira Shintai. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-13.

Resin-sealed semiconductor device containing porous fluorocarbon resin

Номер патента: US5446315A. Автор: Sunao Fukutake,Minoru Hatakeyama,Akira Urakami,Yoshito Hazaki. Владелец: Japan Gore Tex Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20030045018A1. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Toshiaki Kanenari. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455231B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Resin sealed semiconductor device with stress-reducing layer

Номер патента: EP1275148A1. Автор: John R. Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof

Номер патента: US5597422A. Автор: Satoru Yamada,Ayako Komori,Takahiro Mori,Ichiro Kataoka,Hidenori Shiotsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: GB9024722D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-02.

Composition for resin sealing a semiconductor device, resin sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1006575A3. Автор: Masaki Adachi,Megumi Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same

Номер патента: US20150104657A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same

Номер патента: US09960325B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Epoxy-resin composition to seal semiconductors and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: SG63803A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yumiko Tsurumi. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 1999-03-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR970053627A. Автор: 도시카즈 세이,도모히로 후지사키,다께히또 이나바. Владелец: 니시무로 타이조. Дата публикации: 1997-07-31.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130228908A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490224B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Process for producing a semiconductor device

Номер патента: US7169648B2. Автор: Takashi Sugino,Osamu Yamazaki,Akinori Sato,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TW200305983A. Автор: Hideki Ishii,Koji Bando. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Semiconductor device and process for producing the same, and lead frame used in said process

Номер патента: US5234866A. Автор: Kanji Otsuka,Hiroshi Ozaki,Michiaki Furukawa,Takayuki Okinaga,Hiroshi Tachi,Yasuyuki Yamasaki. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

A resin sealed semiconductor device, a circuit member usedthereto and a method for fabricating a resin sealedsemiconductor device

Номер патента: KR100297464B1. Автор: 마코토 나카무라,히로시 야기,마사토 사사키,요이치 히토미. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2001-08-07.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member and resin manufacturing method thereof

Номер патента: KR19980081036A. Автор: 사사키마사토,야기히로시,히토미요이치,나카무라마코토. Владелец: 다이닛폰인사츠가부시키가이샤. Дата публикации: 1998-11-25.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2582013B2. Автор: 博道 沢谷. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-19.

Resin Sealed Semiconductor Device

Номер патента: KR910007117A. Автор: 요시마사 구도,신지로 고지마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1991-04-30.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3309686B2. Автор: 哲也 大槻,忠美 伊藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-07-29.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: KR930004255B1. Автор: 요시마사 구도,신지로 고지마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1993-05-22.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3281994B2. Автор: 則人 梅原. Владелец: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社. Дата публикации: 2002-05-13.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: KR930002804B1. Автор: 도시오 이시가미. Владелец: 가부시키 가이샤 도시바. Дата публикации: 1993-04-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3789443B2. Автор: 幸徳 田平. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3436253B2. Автор: 徹 野村,匡紀 南尾,文彦 川合. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: DE4133623C2. Автор: Akira Shintai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1998-10-29.

Resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN1122304C. Автор: 山口幸雄,老田成志,末松伸浩. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-24.

Resin-sealed semiconductor device, method of manufacturing the same, and mold structure thereof

Номер патента: JP3026426B2. Автор: 伸仁 大内. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-27.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3170182B2. Автор: 守彦 池水,章人 吉田,信人 鈴谷,晃成 高野,謙司 上原. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: US6700189B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Resin-sealed semiconductor device and associated wiring and support structure

Номер патента: US9324636B2. Автор: Hiromichi Suzuki,Susumu Baba,Masachika Masuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-04-26.

Resin sealing semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPH11340249A. Автор: Yasuki Fukui,義樹 曽田,Yoshiki Soda,Yasuhisa Yamaji,泰久 山地,靖樹 福井. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-12-10.

Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6642082B2. Автор: Yoshinori Sato,Yukio Yamaguchi,Fumihiko Kawai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Methods of manufacture of a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP0357802A1. Автор: Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa,Akemi Kogo. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-14.

Manufacturing method of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US8114710B2. Автор: Akira Muto,Katsuo Arai,Atsushi Fujiki,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Resin-sealed semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: EP0655782A2. Автор: Kazuichi C/O Intell.Prop.Div. Komenaka,Kazuhito C/O Intell.Prop.Div. Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-05-31.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP5588150B2. Автор: 紀幸 木村. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR940008059A. Автор: 미치야 히가시,민 타이 카오. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1994-04-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP0035331A2. Автор: Toshio Aoki,Kouji Suzuki,Sachie Kusanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1981-09-09.

Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20030003627A1. Автор: Yoshinori Sato,Yukio Yamaguchi,Fumihiko Kawai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20040108602A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Dai Nakajima,Taketoshi Shikano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: CN1149766A. Автор: 森隆一郎,阿部俊一,秋山龙彦,木村通孝. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-05-14.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: DE102008064789B3. Автор: Tetsuya Ueda,Takaaki Shirasawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Terminal land frame and method for manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100564006B1. Автор: 미나미오마사노리,노무라도루,아다치오사무. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-23.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100411156C. Автор: 臼井良辅,山口健,渡辺裕之,加藤敦史,成瀬俊道,今冈俊一. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS61230344A. Автор: Kazumi Nakayoshi,和己 中吉,Katsutoshi Mine,勝利 峰. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-14.

Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US7772709B2. Автор: Tetsuya Ueda,Takaaki Shirasawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-08-10.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960036007A. Автор: 데츠야 오오츠키,다다미 이토. Владелец: 세코에푸손 주식회사. Дата публикации: 1996-10-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP4615506B2. Автор: 泰 中島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-19.

Structure of Resin Sealed Semiconductor Device

Номер патента: KR100366111B1. Автор: 시라이시야스시,오오우찌신지,가와노히로시,야마다에쓰오,나스히데까즈. Владелец: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-03-06.

Resin-sealed semiconductor package and manufacturing method and manufacturing device thereof

Номер патента: TW200534984A. Автор: Hideo Ito,Yoshitaka Hirose,Tamaya Ubukata. Владелец: Tsukuba Seiko Ltd. Дата публикации: 2005-11-01.

Resin-sealed semiconductor device, mold for resin seal, method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame

Номер патента: TW201230257A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20140225240A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TW201214586A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-04-01.

Mold for resin sealing a semiconductor chip, and semiconductor device having resin-sealed semiconductor chip

Номер патента: US10850334B2. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5821610A. Автор: Hideyuki Nishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed semiconductor device, and production method for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TW201442166A. Автор: Eiji Toyoda,Hiroyuki Mori,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-11-01.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed semiconductor device, and production method for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: SG11201505837RA. Автор: Eiji Toyoda,Hiroyuki Mori,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Resin-sealed semiconductor device, its manufacturing method, base material for semiconductor device, and laminated resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR101058986B1. Автор: 마사찌까 마스다,지까오 이께나가,고지 도미따. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-08-23.

Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090140411A1. Автор: Koji Tomita,Chikao Ikenaga,Masachika Masuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TWI433775B. Автор: Shoichi Osada. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2014-04-11.

Resin sealing semiconductor device and electronic device using resin sealing semiconductor device

Номер патента: US20090201651A1. Автор: Kazuo Hara,Hidetoshi Suzuki,Tomoyuki Sato,Shuichi Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140361416A1. Автор: Ito Koji,Ito Kazuhiko,Ogasawara Atsushi,Muyari Koya. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US9570408B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: CN103975422A. Автор: 六鎗広野,伊东浩二,小笠原淳. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Resin-sealed semiconductor device and production method for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: WO2013168236A1. Автор: 小笠原　淳,伊藤　一彦,広野 六鎗,浩二 伊東. Владелец: 新電元工業株式会社. Дата публикации: 2013-11-14.

LIQUID EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160314992A1. Автор: SUMITA Kazuaki,UEHARA Tatsuya,KUSHIHARA Naoyuki. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-27.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR101904509B1. Автор: 카즈아키 스미타,타츠야 우에하라,나오유키 쿠시하라. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-10-04.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP3064521A1. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140299995A1. Автор: Suzuki Hiromichi,BABA Susumu,MASUDA Masachika. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-09.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device sealed with the composition

Номер патента: KR940014608A. Автор: 이상선,배경철,이인호,정호성,진일교. Владелец: 김충세. Дата публикации: 1994-07-19.

Epoxy resin composition for sealing discrete elements and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3356398B2. Автор: 貴之 市川,孝則 櫛田,貴志 外山,竜三 原,雅樹 水本. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2002-12-16.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device sealed with the composition

Номер патента: KR940014607A. Автор: 이상선,배경철,이인호,정호성,진일교. Владелец: 김충세. Дата публикации: 1994-07-19.

Epoxy resin composition for sealing discrete element and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH11269248A. Автор: 貴之 市川,Takanori Kushida,孝則 櫛田,貴志 外山,Takashi Toyama,Ryuzo Hara,竜三 原,雅樹 水本,Takayuki Ichikawa,Masaki Mizumoto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Resin-sealed semiconductor device and electronic device using such semiconductor device

Номер патента: WO2007138681A1. Автор: Kazuo Hara,Hidetoshi Suzuki,Tomoyuki Sato,Shuichi Muramatsu. Владелец: KOKUSAN DENKI CO., LTD.. Дата публикации: 2007-12-06.

LEAD, WIRING MEMBER, PACKAGE PART, METAL PART PROVIDED WITH RESIN AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20150104657A1. Автор: Fukunaga Takahiro,IMANISHI Yasuko. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Resin-sealed Semiconductor Device, and Die Bonding Material and Sealing Material for Use Therein

Номер патента: KR100535848B1. Автор: 나오야 스즈끼,마사아끼 야스다,가즈히꼬 구라후찌,다쯔오 가와따,히로유끼 사까이,마사오 가와스미. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-12-12.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: KR910004645B1. Автор: 신에츠 후지에다,겐 우치다,아키라 요시즈미,가즈다카 마츠모토. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1991-07-09.

Epoxy resin composition, method of manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device

Номер патента: DE19526417A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Noriaki Saito,Yutaka Shiomi,Noriyuki Arai. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-25.

Fast curing epoxy resin composition for resin-sealed semiconductor devices

Номер патента: KR960022791A. Автор: 이주상,이인호,서범수,정호성,안계민. Владелец: 김충세. Дата публикации: 1996-07-18.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63245426A. Автор: Takeshi Uchida,Shinetsu Fujieda,Kazutaka Matsumoto,新悦 藤枝,Akira Yoshizumi,健 内田,松本　一高,善積　章. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-12.

Polyphenylene sulfide resin composition and resin-sealed semiconductor device produced by using the same

Номер патента: JPH10226753A. Автор: Shinetsu Fujieda,Yasuyuki Hotta,新悦 藤枝,康之 堀田,Tetsuo Okuyama,哲生 奥山. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Sealing resin, resin-sealed semiconductor and system-in-package

Номер патента: US20030025214A1. Автор: Tsumoru Takado. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Connector and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20130181334A1. Автор: Atsushi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

CONNECTOR AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181334A1. Автор: Maruyama Atsushi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140361446A1. Автор: Ito Koji,Ito Kazuhiko,Ogasawara Atsushi,Muyari Koya. Владелец: SHINDENGEEN MANUFACTURING CO., LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5752155A. Автор: Kunihito Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-03-27.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2002076228A. Автор: Koji Tomita,Chikao Ikenaga,知加雄 池永,幸治 冨田,Takeshi Tsunoda,剛 角田. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-03-15.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5875856A. Автор: Hirotoshi Iketani,Akiko Hatanaka,池谷　裕俊,畑中　章子. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-07.

Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPS6065551A. Автор: Michitoshi Sera,Mitsugi Miyamoto,Yoshimasa Kudo,世良　通利,宮本　貢,工藤　好正. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-04-15.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member used therefor and method of manufacturing circuit member

Номер патента: KR100300666B1. Автор: 마코토 나카무라,히로시 야기,슈이치 야마다,다카유키 다케시타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2001-10-27.

Insulating wiring board and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3506211B2. Автор: 義樹 曽田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-15.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2504194B2. Автор: 俊秀 安井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-05.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2712618B2. Автор: 裕至 肥塚,隆光 藤本,アツコ 野田,修市 喜多. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-16.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6017940A. Автор: Osamu Nakagawa,Jiro Fukushima,IKUO Sasaki,治 中川,二郎 福島,佐々木　育夫. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-29.

Resin-sealed semiconductor device and grid flame

Номер патента: KR940018957A. Автор: 이윤수,고준영,채수태. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-08-19.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62261164A. Автор: Tatsuya Hirai,達也 平井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-11-13.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS582048A. Автор: Sei Ishikawa,石川　聖. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-07.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62210656A. Автор: 達志 伊藤,Tatsushi Ito,Haruo Tabata,Akiko Kitayama,Takatoshi Hamada,田畑　晴夫,北山　彰子,濱田　孝利. Владелец: Nitto Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-16.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62229961A. Автор: Toshihiro Kato,Shinjiro Kojima,Takao Emoto,小島　伸次郎,江本　孝朗,加藤　俊博. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-08.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS60183754A. Автор: Hiromichi Sawatani,沢谷　博道. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-09-19.

Resin sealing semiconductor device

Номер патента: JPS5645058A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Komei Yatsuno,Teruyuki Kagami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-04-24.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2581937B1. Автор: Masanori Minamio,Shinichi Ijima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP3534397B1. Автор: Masaki Kato,Takao Mitsui,Teruo Miyamoto,Toshiaki Kashihara,Yuji Shirakata,Kenta Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: CN102473700B. Автор: 南尾匡纪,井岛新一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6038847A. Автор: Masahiro Kitamura,Takae Ikeda,池田　孝栄,北村　允宏. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-02-28.

Lead frame, resin sealed semiconductor device and its mfg. method

Номер патента: CN100382296C. Автор: 南尾匡纪,堀木厚,西尾哲史. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing circuit member

Номер патента: US20020029894A1. Автор: Makoto Nakamura,Hiroshi Yagi,Takayuki Takeshita,Syuichi Yamada. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6010645A. Автор: Seiichi Hirata,Hisaharu Sakurai,誠一 平田,桜井　寿春. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-01-19.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6248052A. Автор: Takehiro Saito,Takayuki Uno,齋藤　武博,宇野　隆行. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-03-02.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP6660278B2. Автор: 照雄 宮本,貴夫 三井,利昭 柏原,政紀 加藤,雄二 白形,健太 藤井,柏原　利昭,宮本　照雄. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100306937B1. Автор: 노보루 사카구치,요시노리 미야지마,토루 히주메. Владелец: 모기 준이치. Дата публикации: 2001-12-17.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP0749159A3. Автор: Koichi Haraguchi,Yuji Ichimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-02.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6265354A. Автор: Takao Senda,仙田　孝雄. Владелец: International Rectifier Corp Japan Ltd. Дата публикации: 1987-03-24.

Lead cutting method for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2526846B2. Автор: 正則 川内. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH0648710B2. Автор: 正則 瀬川,重雄 鈴木,英俊 阿部,正次 尾形,達男 河田. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-22.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3910598B2. Автор: 博昭 藤本,匡紀 南尾,健一 伊東,隆一 佐原,敏行 福田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-04-25.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6437044A. Автор: Shigeo Suzuki,Masanori Segawa,Masaji Ogata,Hidetoshi Abe,Tatsuo Kawada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-07.

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101665721B1. Автор: 마사유키 사토,고시 마에무라. Владелец: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-10-12.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS57115853A. Автор: Hiroshi Suzuki,Kosuke Nakamura,Masahiro Kitamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-07-19.

Translucent Resin Sealed Semiconductor

Номер патента: KR950030322A. Автор: 사또루 야마다,이찌로 가따오까,다까히로 모리,아야꼬 고모리,히데노리 시오쯔까. Владелец: 미따라이 하지메. Дата публикации: 1995-11-24.

Resin-sealed semiconductor and process for its manufacture

Номер патента: FR1528320A. Автор: Koichi Suzuki,Shintaro Ito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1968-06-07.

Light-transmissive resin sealed semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100228973B1. Автор: 야마다사또루,모리다까히로,가따오까이찌로,시오쯔가히데노리,고모리아야꼬. Владелец: 미다라이 후지오. Дата публикации: 1999-11-01.

Forming device for resin-sealing semiconductor

Номер патента: JPS61292329A. Автор: Hisanobu Takahama,高浜　久延. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-12-23.

Light-transmissive resin sealed semiconductor

Номер патента: AU679620B2. Автор: Satoru Yamada,Ayako Komori,Takahiro Mori,Ichiro Kataoka,Hidenori Shiotsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-07-03.

Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof

Номер патента: AU692522B2. Автор: Satoru Yamada,Ayako Komori,Takahiro Mori,Ichiro Kataoka,Hidenori Shiotsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-06-11.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20140315352A1. Автор: Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Bumpless semiconductor device

Номер патента: US20040217460A1. Автор: Yukio Yamada,Masayuki Nakamura,Hiroyuki Hishinuma. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186968A1. Автор: Takeshi Kishida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240257751A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kouhei Toyotaka,Yuto Yakubo,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices with flexibility in capacitor design for power noise reduction

Номер патента: EP4084065A1. Автор: Chang Liang,Jinghao Chen,Yung-Ching Chen,Zhigang Duan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240266238A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249368A1. Автор: Meng-Wei Hsieh,Kuo-Chang KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20240258182A1. Автор: Jae Yun Kim,Min Hwa Chang,Byoung Woo Cho,Ju Hyung Lee,Dong Joo Park,Jin Young Khim,Shaun Bowers,Seul Bee Lee,Won Bae Bang,Se Hwan Hong,Gyu Wan Han,Gi Tae LIM,Myung Jea Choi,Seung Jae Yu,Sang Goo Kang,Kyung Rok Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180190543A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220301939A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220068718A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US20220238356A1. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device including low-voltage device and middle-voltage device, display driving device including the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266368A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240334671A1. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US12106975B2. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09905468B2. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09875972B1. Автор: Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Shou-Zen Chang,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Chi-Ming Huang,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09564524B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

AlxGayIn1-x-yN CRYSTALLINE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAID DEVICE

Номер патента: RU2401481C2. Автор: Томоки УЕМУРА,Син ХАСИМОТО,Такудзи ОКАХИСА,Мунейюки НИСИОКА,Синсуке ФУДЗИВАРА,Кодзи УЕМАЦУ,Манабу ОКУИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Thin semiconductor device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20160284628A1. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20150061001A1. Автор: Masahiro Ikeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070066043A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20050282386A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including a solid state imaging device

Номер патента: US9437642B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20210028131A1. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Via structures including etch-delay structures and semiconductor devices having via plugs

Номер патента: US9728572B2. Автор: Byung-Jun Park,Chang-Rok Moon,Seong-Ho Oh,Tae-Seok Oh,Seung-Hun Shin,June-Taeg Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301080A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230010438A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device package and light irradiation device comprising the same

Номер патента: US12021167B2. Автор: Ki Cheol Kim,Jung Hun Oh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20210091217A1. Автор: Mutsuhiro Mori,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240274512A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12100672B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: CA3232416A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: AU2022344995A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: EP4402722A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: WO2023043687A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device package for press fit assembly

Номер патента: US20240332141A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim,Woochan Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Increasing response of the quantum semiconductor device by employing metamaterial structure

Номер патента: EP4451345A1. Автор: Vladislovas ČIŽAS,MINKEVIČIUS Linas,Karolis Redeckas,Vytautas Jakstas,Grigelionis Ignas. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: US12074226B2. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device on hybrid substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991262B1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, display device and electronic device

Номер патента: US09984640B2. Автор: Yasunori Yoshida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

High-voltage semiconductor devices

Номер патента: US09947653B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Hsiao-Ling Chiang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240347635A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893060B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and information reading method

Номер патента: US09870819B2. Автор: Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices having expanded recess for bit line contact

Номер патента: US09831172B2. Автор: Daeik Kim,Yoosang Hwang,Jemin PARK,Sunghee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09786688B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device package with mirror mode

Номер патента: US09786332B2. Автор: Scott R. Cyr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including contact structures that partially overlap silicide layers

Номер патента: US09768255B2. Автор: Shigenobu Maeda,Chul-Sung Kim,Sang-Jin Hyun,Do-Sun LEE,Chang-Woo SOHN,Young-Moon Choi,Hyo-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, and method for manufacturing organic semiconductor film for non-light emitting organic semiconductor device

Номер патента: US09705096B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI,Katsuyuki Youfu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin semiconductor device packages

Номер патента: US09685398B2. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09679818B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09673204B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having through-substrate vias

Номер патента: US09646930B2. Автор: Eric Beyne,Bart Swinnen,Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Yann Civale. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09640624B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

System for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US09640425B2. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620495B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09583356B1. Автор: Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yi-Jie Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for coupling a semiconductor device of an automation device to a heat sink

Номер патента: US09570374B2. Автор: RUI Zhou,Paul Jerome Grosskreuz,Jeremiah John Kopiness,Kelly James Bronk. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09542977B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices including a channel pad, and methods of manufacturing semiconductor devices including a channel pad

Номер патента: US09525065B1. Автор: Woong Seop Lee,Dong Min Kyeon,Jin Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490243B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09478531B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09425153B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor arrangement having first semiconductor device over first shallow well having first conductivity type and second semiconductor device over second shallow well having second conductivity type and formation thereof

Номер патента: US09401361B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device, display device and electronic device

Номер патента: US09396676B2. Автор: Yasunori Yoshida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2584273C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет). Дата публикации: 2016-05-20.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2501117C2. Автор: Хироюки МОРИВАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: RU2702405C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Рёта ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352545A1. Автор: Keiji Wada,Naoki Izumi,Daisuke Ichikawa,Bungo Tanaka,Mitsuhide Kori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, and electronic device

Номер патента: US20230275001A1. Автор: Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Junya Yaita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device package

Номер патента: US20070096343A1. Автор: Dong Kim,Jin Park,Young Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device structure with silicide layer

Номер патента: US20230260793A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Chiang,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Photonic semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11853870B2. Автор: Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Nanjing Guangzhiyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6469038A. Автор: Yuki Maeda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1989-03-15.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3061177B2. Автор: 秀樹 水野,文明 浦邉. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-10.

Resin-sealed semiconductor device and its manufacture

Номер патента: JPH1126654A. Автор: Masahiro Yamamoto,昌弘 山本,Etsushi Toyoda,悦嗣 豊田,Shinobu Kasuya,忍 粕谷. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-01-29.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244834A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Control of semiconductor devices

Номер патента: GB2600049A. Автор: Laurence Pennock John,Paul Lesso John. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US11831311B2. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Control of semiconductor devices

Номер патента: WO2021014146A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US20220085814A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, electronic device module and network system

Номер патента: US20160191752A1. Автор: Kazunori Masaki,Motoshige Ikeda,Yuichi Takitsune. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device, display device, photoelectric conversion device, electronic apparatus, illumination device, moving body, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240334769A1. Автор: Kentaro Suzuki,Toshihiro Shoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Impedance calibration device for semiconductor device

Номер патента: US09998123B2. Автор: Hae Kang Jung,Yong Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and display device

Номер патента: RU2458460C2. Автор: Ясуси САСАКИ,Юхитирох МУРАКАМИ,Сиге ФУРУТА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Curing catalyst, resin composition, resin-sealed semiconductor device and coating material

Номер патента: US6437090B1. Автор: Shuji Hayase,Shinji Murai,Shinetsu Fujieda,Rumiko Hayase,Yasuyuki Hotta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01135055A. Автор: 浩一 高松,Koichi Takamatsu. Владелец: Shibazaki Seisakusho Ltd. Дата публикации: 1989-05-26.

Manufacture of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS56107559A. Автор: Hiroshi Saikai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-08-26.

Unit for resin sealing semiconductor device

Номер патента: JPS5834928A. Автор: Hiromichi Yamada,弘道 山田,Koji Yanagiya,柳谷　孝二. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-03-01.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US20200143048A1. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US7109740B2. Автор: Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Cheng Chieh Lee,Kuei Lin Huang,Yong Liang Chen,Jui Liang Wang,Pao Ta Chien,Hsiang-Han Kung,Chao Hsiung Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US20060022697A1. Автор: Yong Chen,Cheng Lee,Jui Wang,Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Hsiang-Han Kung,Kuei Huang,Pao Chien,Chao Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Heating and cooling unit with semiconductor device and heat pipe

Номер патента: US09416995B2. Автор: Ping Wu,Francis Thomas Brija. Владелец: Spring (U S A) Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

System for reference current tracking in a semiconductor device

Номер патента: US20030016556A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for placing semiconductor devices in consideration of distance information from macro device

Номер патента: US20240249060A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Estimating a property of a semiconductor device using a quantum computing device

Номер патента: WO2024096767A1. Автор: Rui Hou,Ahsan Javed AWAN,Anders WINKA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-05-10.

Method of operating semiconductor device including variable resistance device

Номер патента: US20130051125A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Seong-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09830281B2. Автор: Seiichi Saito,Ryohei Yoshida,Takanobu Naruse,Kenichiro Omura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US09630832B2. Автор: Hsin-Ting HUANG,Chia-Ming Hung,Hsiang-Fu Chen,Wen-Chuan Tai,Chin-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and mobile terminal device

Номер патента: US09471530B2. Автор: Satoshi Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, portable terminal device, and operation detecting method

Номер патента: US20160139169A1. Автор: Kosuke Yasuda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device, method of manufacturing the same, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2666696B2. Автор: 恒充 國府田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120175759A1. Автор: Suzuki Hiromichi,BABA Susumu,MASUDA Masachika. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device sealed therewith

Номер патента: JPS6069130A. Автор: Hirotoshi Iketani,Michiya Azuma,池谷　裕俊,東　道也. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-04-19.

Resin-sealing method for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6328042A. Автор: Atsushi Takahashi,敦 高橋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-02-05.

Surface mount type semiconductor device, mounting method and surface mount type resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1065068A. Автор: Masanori Segawa,Masaji Ogata,正則 瀬川,正次 尾形,Hiroyuki Hozoji,宝蔵寺裕之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH10279782A. Автор: Noriyuki Arai,Kazuki Takemura,規之 新井,一樹 竹村. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Device and method for opening resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2573806B2. Автор: 秀樹 狩野. Владелец: NEC Yamagata Ltd. Дата публикации: 1997-01-22.

RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120112332A1. Автор: Minamio Masanori,IJIMA Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2816290B2. Автор: 州志 江口,利昭 石井,博義 小角,正次 尾形,和弘 鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Manufacture of resin-sealed semiconductor device for vehicle

Номер патента: JPS6247138A. Автор: Toshinobu Sekiba,関場　利信. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-28.

Marking method of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6414941A. Автор: Tetsuya Hirose,Hiroyuki Ishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-19.

Heat-resistant resin seal semiconductor device

Номер патента: JPS63187652A. Автор: Toru Yoshida,Masaaki Muto,Aizo Kaneda,邦彦 西,Kunihiko Nishi,Masakazu Sakimoto,亨 吉田,金田　愛三,武藤　雅彰,崎元　正教. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-08-03.

Resin seal semiconductor device

Номер патента: JPS5516439A. Автор: Takehisa Hamano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-02-05.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01119033A. Автор: Kazuhiro Abe,Osamu Toyama,Shigeo Maeda,修 遠山,重雄 前田,一博 阿部. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1989-05-11.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6437043A. Автор: Sukeyuki Kami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-07.

Test equipment for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5572855A. Автор: Kazuhide Sato,Hideo Iwasaki,Yasumasa Noda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-06-02.

Manufacture of resin-sealing semiconductor device

Номер патента: JPS52119072A. Автор: Kiyoshi Ishibashi,Masahiro Yamane,Yutaka Morita,Isamu Yamamoto,Toshimi Watanabe,Keiji Itoga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-10-06.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01150346A. Автор: Michinori Higuchi,徹憲 樋口,宏恵 横井,満 福岡,Hiroe Yokoi,Mitsuru Fukuoka. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1989-06-13.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01145841A. Автор: 信治 宇多村,Shinji Utamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-06-07.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6327040A. Автор: Hirofumi Nakajima,中島　宏文. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-02-04.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63288050A. Автор: Hideto Suzuki,達志 伊藤,秀人 鈴木,Tatsushi Ito,Akiko Kitayama,Takatoshi Hamada,北山　彰子,濱田　孝利. Владелец: Nitto Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-25.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2532490B2. Автор: 裕 居相,年国 宮本,重樹 犬丸. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1996-09-11.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6411355A. Автор: Shigeo Suzuki,Masanori Segawa,Masaji Ogata,Hidetoshi Abe,Hiroyuki Hozoji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-01-13.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01179439A. Автор: Hiroshi Sugiyama,浩 杉山. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-07-17.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01143243A. Автор: Takahiro Ito,貴博 伊藤. Владелец: Showa Aluminum Corp. Дата публикации: 1989-06-05.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01161732A. Автор: Haruo Yamada,春夫 山田,Hideji Mochizuki,Masujiro Arita,益二郎 有田,Fumiaki Tokuoka,文明 徳岡,Makoto Fukutomi,眞 福富,秀次 望月. Владелец: Tomen Construction Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-26.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3226229B2. Автор: 修二 早瀬,健 内田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-05.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62149140A. Автор: Sunao Kato,直 加藤. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-07-03.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62193264A. Автор: Hideo Kikuchi,Tadashi Asai,正 浅井,Yoji Hino,菊池　秀夫,日野　陽司. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Resin-sealed semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2702401B2. Автор: 正則 瀬川,正次 尾形,宝蔵寺裕之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-01-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP3119243B2. Автор: 幸二郎 渋谷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-18.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH1050894A. Автор: Yoriyoshi Fukui,自由 福井. Владелец: NEC Yamagata Ltd. Дата публикации: 1998-02-20.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5617037A. Автор: Minoru Nakajima,Shiro Takeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-02-18.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6352454A. Автор: 光一 金本,Ichiro Anjo,Koichi Kanemoto,Taisei Jin,安生　一郎,神　大成. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-05.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2620243B2. Автор: 昭弘 窪田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-06-11.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63160251A. Автор: Takashi Ono,隆 小野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-04.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63296256A. Автор: Yoshiharu Koizumi,祥治 小泉. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-02.

Method of resin-sealing semiconductor device

Номер патента: JPS6354733A. Автор: Tomohisa Kamogawa,Toyokazu Inaba,加茂川　友久,稲葉　豊和. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-09.

Resin seal semiconductor device

Номер патента: JPS54579A. Автор: Eiji Oi,Tadayasu Nakajima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-01-05.

Evaluating method of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS6425045A. Автор: Masakazu Nakabayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-27.

Manufacture of resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPS5591150A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Komei Yatsuno,Teruyuki Kagami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-07-10.

Manufacturing method of resin sealing semiconductor device

Номер патента: JPS5522873A. Автор: Hideyoshi Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-02-18.

Manufacture of resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH01119032A. Автор: 輝雄 大内,Teruo Ouchi. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-11.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS63153850A. Автор: Satoshi Konishi,聡 小西. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1988-06-27.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS54159177A. Автор: Kazuo Shimizu,Fumihito Inoue,Kazuo Hoya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-12-15.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3127146B2. Автор: 正則 瀬川,裕之 宝蔵寺,正次 尾形. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-01-22.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2604885B2. Автор: 芳典 鹿子島. Владелец: 松下電子工業株式会社. Дата публикации: 1997-04-30.

Metallic mold for resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS62152131A. Автор: Susumu Ueno,Tetsuo Yoshida,Shinichi Shimizu,進 上野,Masaru Kaneda,哲夫 吉田,清水　真一,優 金田. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-07.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPS55113346A. Автор: Hajime Murakami,Minoru Mizuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-01.

Manufacture of lead type resin-sealed semiconductor element

Номер патента: JPH01173730A. Автор: Yoshio Matsumoto,Hiroshi Kuriki,吉生 松本,Masanao Owaki,正直 大脇,弘 栗城. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-07-10.

Resin-sealed semiconductor package

Номер патента: JP4390317B2. Автор: 康仁 鈴木. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Resin-sealed semiconductor package

Номер патента: JP2599473B2. Автор: 聡 小西. Владелец: 松下電子工業株式会社. Дата публикации: 1997-04-09.

Surface mount type resin sealed semiconductor package package

Номер патента: JP3115565B2. Автор: 村上　　元,和平 北村. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-11.

Method for screening resin sealed semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPS63179534A. Автор: Shinichi Mori,森　真一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-23.

A mold release film for a process that has an excellent appearance of a molded product, its application, and a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor using the same.

Номер патента: JP6767763B2. Автор: 清水　勝,勝 清水,健二 志摩. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Resin-sealed semiconductor element opening apparatus and opening method

Номер патента: JP2606681B2. Автор: 寛 榊原. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-07.

Resin sealed semiconductor unit manufacturing process

Номер патента: JPS51126764A. Автор: Hiroshi Moriguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-11-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2303314C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Metal semiconductor device

Номер патента: RU2559161C1. Автор: Василий Иванович Юркин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-08-10.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2278448C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов. Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2280915C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Адиль Мухадинович Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Integrated multifunctional magneto-semiconductor device

Номер патента: RU2280917C1. Автор: Александр Анатольевич Игнатьев,Александр Викторович Ляшенко,шенко Александр Викторович Л. Владелец: ОАО "Тантал". Дата публикации: 2006-07-27.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Thermoelectric semiconductor device for local thermal action on human arm

Номер патента: RU2299711C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Олег Викторович Евдулов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Гарун Ильясович Аминов,Гарун Иль сович Аминов. Владелец: Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ). Дата публикации: 2007-05-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Thermoelectric semiconductor device for local carvenous hypothermia

Номер патента: RU2343883C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Гарун Ильясович Аминов,Гарун Иль сович Аминов,Тамила Арслановна Рагимова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-01-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2303316C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов,Валерий Семенович Матвеев. Владелец: Томский политехнический университет - государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: RU2279736C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов,Валерий Моисеевич Иоффе (RU),Асхат Ибрагимович Максутов (RU). Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device to control speed of single-phase double-winding induction motor

Номер патента: RU2420857C1. Автор: Майя Ивановна Стальная,Павел Сергеевич Черемисин,Антон Александрович Скорняков,Денис Юрьевич Гончаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2011-06-10.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.