• Главная
  • SUCTION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION METHOD

SUCTION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBSERVATION METHOD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Device and method for cutting bioprobes and cell observation methods

Номер патента: DE102013112604A1. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: Dastech Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Screening method, screening device and program

Номер патента: US8878561B2. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Detection devices and methods

Номер патента: US09851454B2. Автор: Lei Cao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Test mode circuit with serialized I/O and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09761328B2. Автор: Yong Suk Joo,Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09559028B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09599655B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: WO2022125495A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: EP4260362A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device, battery pack, method of controlling semiconductor device, and control programs

Номер патента: US20240044990A1. Автор: Gen NAGASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, test method for semiconductor device, and tester for semiconductor device

Номер патента: US6768133B2. Автор: Yasumasa Nishimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of determining whether a silicon-carbide semiconductor device is a conforming product

Номер патента: US20200292612A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Using pattern generators to control flow of data to and from a semiconductor device under test

Номер патента: US8269520B2. Автор: George W. Conner. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2012-09-18.

Power supply unit, testing device and method for semiconductor device

Номер патента: TW493081B. Автор: Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-07-01.

Method and apparatus for testing BGA-type semiconductor devices

Номер патента: US6924656B2. Автор: Chiaki Matsumoto. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20190301946A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20210010871A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20220307913A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device for driving current load device, and display device

Номер патента: US20050104819A1. Автор: Masamichi Shimoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20220114077A1. Автор: Yuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US20170263205A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Liquid crystal display device and electronic device

Номер патента: US20240201548A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Liquid crystal display device and electronic device

Номер патента: US09829761B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20240369761A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20230305226A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11703639B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US12092862B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Driver circuit comprising semiconductor device

Номер патента: US09947695B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and processor control method

Номер патента: US11086690B2. Автор: Masayuki Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Observation device, observation system, control device, and control program

Номер патента: JP5369720B2. Автор: 貴博 井上. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistance correction circuit, resistance correction method, and semiconductor device

Номер патента: US09829911B2. Автор: Takashi Nakamura,Kosuke YAYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Synchronized semiconductor device with phase adjustment circuit

Номер патента: US09768760B2. Автор: Hiroki Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11741209B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Liquid crystal display device and electronic device

Номер патента: US11860495B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019262A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240028680A1. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US20170069396A1. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180083043A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080048180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Yuji Iwaki,Yasuyuki Arai,Yoshitaka Moriya,Yasuko Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Liquid crystal display device and electronic appliance

Номер патента: US11960174B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230317125A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Display Device

Номер патента: US20230245599A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230337439A1. Автор: Kousuke Sasaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20220128759A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170555A1. Автор: Yukinori Shima,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor wiring device and method

Номер патента: US20240071425A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180299706A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Tetsuya Iida,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Data i/o circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180039532A1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and processor control method

Номер патента: US20190332445A1. Автор: Masayuki Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10809470B2. Автор: Motoo Suwa,Ryuichi Oikawa,Kazuaki TSUCHIYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Silicide transistor device and method

Номер патента: US20240064987A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Toshihiko Miyashita,Ronald Allen Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190377143A1. Автор: Motoo Suwa,Ryuichi Oikawa,Kazuaki TSUCHIYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device, liquid crystal device, electronic device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP4433404B2. Автор: 寛明 次六. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Semiconductor device, method of manufacturing the device, and liquid crystal display

Номер патента: US9224622B2. Автор: Hisao Nakamura,Seiichi Ichihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor device, method of manufacturing the device, and liquid crystal display

Номер патента: US20130120699A1. Автор: Hisao Nakamura,Seiichi Ichihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device, method of manufacturing the device, and liquid crystal display

Номер патента: US20160071769A1. Автор: Hisao Nakamura,Seiichi Ichihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180122336A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,KUNITAKE Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device for driving current load device and current load device equipped with the same

Номер патента: CN101165759A. Автор: 安部胜美. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-04-23.

Semiconductor device development information integrating system

Номер патента: US5933350A. Автор: Mitsuhiro Matsuura,Shinichi Fujimoto,Masaaki Kakihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor memory device and chip stacked semiconductor device

Номер патента: JP5310439B2. Автор: 真実 黒田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor device, relief-address-information writing device, and relief-address-information writing method

Номер патента: US8270237B2. Автор: Shuichi Kubouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor device for driving current load device and current load device having the same

Номер патента: JP4277934B2. Автор: 勝美 安部. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device for driving current load device and provided current load device

Номер патента: CN100440286C. Автор: 安部胜美. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-12-03.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US20170187379A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for inspecting semiconductor device

Номер патента: WO2006132485A1. Автор: Sang-yoon Lee,Hyun-Min Lee,Il-Nam Kim,Ssang-Gun Lim,Min-Gu Kang. Владелец: Intekplus Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-12-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200395536A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob,Park Jeong-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device, circuit board, electric optical device and electronic apparatus

Номер патента: KR100554763B1. Автор: 기무라무츠미. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-02-22.

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: CA2453695A1. Автор: Hisashi Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-27.

Optical pointing device and power supply semiconductor device therefor

Номер патента: US20080067998A1. Автор: Bang-Won Lee,Sung-Hyuk Hong. Владелец: Atlab Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: KR100604429B1. Автор: 이시카와히사시. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor device, relief address information writing device, and relief address information writing method

Номер патента: JP5528747B2. Автор: 修一 久保内. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-06-25.

Semiconductor device, semiconductor system having the device, and method of operating the system

Номер патента: JP2011146043A. Автор: Seikun Park,正勳 朴. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device for memory device

Номер патента: US20240055041A1. Автор: Shih-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240030905A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, electronic module, electronic apparatus, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220262737A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20210151568A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, semiconductor module, motor drive device, and vehicle

Номер патента: US20230411281A1. Автор: Keiji Wada,Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and ic including semiconductor device

Номер патента: CA1218470A. Автор: Hisao Hayashi,Chiaki Sakai,Hisayoshi Yamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor device for a volatile memory and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11244947B1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Devendra K Sadana,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20210320079A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240194627A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Heating and cooling unit with semiconductor device and heat pipe

Номер патента: US09416995B2. Автор: Ping Wu,Francis Thomas Brija. Владелец: Spring (U S A) Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US20240106429A1. Автор: Koichi Nishi,Shinya SONEDA,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Номер патента: US20180012821A1. Автор: Toyohide TAKAHASHI,Takuji YAMASHIRO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12119292B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4404258A1. Автор: Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and methods of forming patterns

Номер патента: US20240162225A1. Автор: Seungwook Choi,Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Juseong MIN,Taeyoon HONG,Taekkyu Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324185A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A2. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A3. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249367A1. Автор: Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer

Номер патента: US09984927B2. Автор: Mathias Vaupel,Kian Pin Queck,Kurt Gehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09935143B2. Автор: Yukio Maehashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881836B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device

Номер патента: US20230307282A1. Автор: Akira Goto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing device and method of semiconductor device

Номер патента: TW533452B. Автор: Ichiro Honma,Masaharu Nakamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for flipping semiconductor device for transferring the semiconductor device between substrates

Номер патента: US09754808B2. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device for protecting secondary battery, battery pack, and electronic device using same

Номер патента: US20090197156A1. Автор: Tomoyuki Goto. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices including gate contacts

Номер патента: US09768250B2. Автор: Changseop YOON,Min Choul Kim,Hyokki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US09620587B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US20240203988A1. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070284691A1. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296460A1. Автор: Sung Kil SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135021A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device including two-dimensional material

Номер патента: US20240162337A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yunseong LEE,Van Luan NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170018577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20180183411A1. Автор: Ryuichi Oikawa,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135003A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device for image sensor

Номер патента: US20080211046A1. Автор: Dong-bin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230018223A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuto Yakubo,Shoki Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235060A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi,Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Wire pad of semiconductor device

Номер патента: US20080073791A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Wire pad of semiconductor device

Номер патента: US7642659B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263775A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US8022409B2. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20120012978A1. Автор: Katsuo Ishizaka,Tetsuo Iijima,Akira Mishima,Takuro Kanazawa,Norio Kido,Kentaro Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with sense terminal

Номер патента: US12113041B2. Автор: Toshiyuki Hata,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US20160073872A1. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device layout structure

Номер патента: US09997510B2. Автор: Ching-Wen Wang,Karuna NIDHI,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09917110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection

Номер патента: US09917080B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US09687181B2. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including pellet-like particle or flat-plate-like particle

Номер патента: US09666721B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09640502B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09536776B2. Автор: Takahiro Maruyama,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09466615B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Conductive clip for semiconductor device package

Номер патента: US20090294934A1. Автор: Lei Shi,Ming Sun,Kai Liu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device with high-k/dual metal gate

Номер патента: US20090039433A1. Автор: Harry Chuang,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Chii-Horng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20180151431A1. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US20190035902A1. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411341A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9711627B2. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

High luminance light emitting device and method for creating a high luminance light emitting device

Номер патента: US11830723B2. Автор: Amil Ashok PATEL. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293745A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches

Номер патента: US20230327661A1. Автор: Nigel Springett. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US20180331088A1. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US10431574B2. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210384353A1. Автор: Hideomi Suzawa,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with c-shaped active area and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240164110A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor cleaning device and semiconductor cleaning method

Номер патента: US20130152965A1. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama,Takaya Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389306A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20190088570A1. Автор: Kazuhiro Hongo,Yusuke Mada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor Component and Semiconductor Package

Номер патента: US20200273788A1. Автор: Gerhard Noebauer,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

High Luminance Light Emitting Device And Method For Creating A High Luminance Light Emitting Device

Номер патента: US20220059732A1. Автор: Amil Ashok PATEL. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20200235155A1. Автор: Tomohiro Sugiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US11984427B2. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices

Номер патента: US5254501A. Автор: Richard K. Tung,Joel J. Camarda. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6884668B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020000676A1. Автор: Shinji Ohuchi,Noritaka Anzai. Владелец: Noritaka Anzai. Дата публикации: 2002-01-03.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Semiconductor device and transceiver apparatus

Номер патента: US20030183863A1. Автор: Akihiro Sasabata,Motoyasu Nakao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US20230335512A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210020556A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251420A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Nitride-based heterojuction semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20130026450A1. Автор: Jinhong Park,Taehoon Jang,Kwangchoong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11830797B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230386986A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and imaging element

Номер патента: US11742374B2. Автор: Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20130285698A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

High voltage semiconductor devices with Schottky diodes

Номер патента: US7838931B2. Автор: Shang-Hui Tu,Hung-Shern Tsai. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240063073A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki,Rui Konishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device and related chip and preparation method

Номер патента: EP4113624A1. Автор: Wentao Yang,Zhihua Liu,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170288043A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US20240186255A1. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor device and method for evaluating characteristics of the same

Номер патента: US7042007B2. Автор: Takatoshi Yasui,Atsuhiro Kajiya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor package having one or more die stacked on a prepackaged device and method therefor

Номер патента: US6946323B1. Автор: Young Wook Heo. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US5495124A. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: US20110294236A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Kayoko Kikuchi,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070141764A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device and related chip and preparation method

Номер патента: US20220416063A1. Автор: Wentao Yang,Zhihua Liu,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7754543B2. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Power Package Including Multiple Semiconductor Devices

Номер патента: US20120313232A1. Автор: Jiangyuan Zhang,Elite Lee,Dana Liu. Владелец: Shanghai Kaihong Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE, STORAGE DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130162305A1. Автор: Watanabe Kazunori. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150123063A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160155938A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160155939A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163976A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, INPUT/OUTPUT DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170222028A1. Автор: Koezuka Junichi,HIRAISHI Suzunosuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, INPUT/OUTPUT DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150372023A1. Автор: Koezuka Junichi,HIRAISHI Suzunosuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Weber Hans. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064490A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180108730A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170121850A1. Автор: Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-04.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20190122999A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER AND LOGIC DEVICES AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160141211A1. Автор: CHEN WEIZE,DE SOUZA RICHARD J.,PARRIS PATRICE M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225075A1. Автор: ZHAN Zhi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160163657A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ANTENNA SWITCH CIRCUIT, MODULE DEVICE, AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20210194532A1. Автор: KURANOUCHI Atsushi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180174835A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,Fukuda Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20180174984A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTCOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180182854A1. Автор: OZAKI Shirou. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170271517A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Kimura Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Devices and Packages for Semiconductor Devices

Номер патента: KR970077385A. Автор: 카츠노부 스즈키. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-12-12.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP7058239B2. Автор: 智 高野. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

And a method for manufacturing a laminated semiconductor device and a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI416689B. Автор: Kenichi Takeda,Kazuyuki Hozawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor manufacture device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: KR100186893B1. Автор: 까오루 우수이,쇼우 찌바. Владелец: 세끼자와 다다시. Дата публикации: 1999-04-15.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6979463B2. Автор: 有人 小川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor device module

Номер патента: AU2012227357A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device, antenna switch circuit, module device, and wireless communication device

Номер патента: US11211966B2. Автор: Atsushi KURANOUCHI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL2022613A. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor device and method manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070190708A1. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4243079A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20180190828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US20160149031A1. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Power Semiconductor Devices Including Multiple Layer Metallization

Номер патента: US20240213196A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,Thomas Edgar Harrington, III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PFC CIRCUIT, POWER SUPPLY DEVICE, AND AMPLIFIER

Номер патента: US20130240953A1. Автор: IMADA Tadahiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for Producing a Semiconductor Device and Field-Effect Semiconductor Device

Номер патента: US20140097488A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A LATERAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150001692A1. Автор: LEE Chia-Yen,TSAI Hsin-Chang,LEE Peng-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method for Producing a Radiation-Emitting Semiconductor Device and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20220028926A1. Автор: Katz Simeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

METHOD FOR PASSIVATING SILICON-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059718A1. Автор: Zhang Xinyu,YUAN Xueting. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINTED CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE, AND IMAGE PICKUP APPARATUS

Номер патента: US20200051887A1. Автор: AOKI Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY

Номер патента: US20160071769A1. Автор: ICHIHARA Seiichi,Nakamura Hisao. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A POWER TRANSISTOR DEVICE AND BYPASS DIODE

Номер патента: US20150084118A1. Автор: Cheng Lin,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRONIC DEVICE AND VEHICLE

Номер патента: US20140187005A1. Автор: FUKUI Yuki,KATOU Hiroaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY MODULE

Номер патента: US20160111548A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20140252634A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170281A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

ACTIVE DEVICE AND HIGH VOLTAGE-SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Lue Hang-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170222056A1. Автор: Shimomura Akihisa,SAWAI Hiromi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE AND BONDING WIRE

Номер патента: US20140327018A1. Автор: Yamada Takashi,Oda Daizo,Tatsumi Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190229217A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Kimura Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRONIC DEVICE AND VEHICLE

Номер патента: US20150270392A1. Автор: FUKUI Yuki,KATOU Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THE SAME

Номер патента: US20170263651A1. Автор: TOCHIBAYASHI Katsuaki,HODO Ryota. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device Having Semiconductor Mesas

Номер патента: US20150303298A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20170301835A1. Автор: Singer Frank,Sperl Matthias,Goeoetz Britta,Racz David. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Method for Forming a Power Semiconductor Device and a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170345892A1. Автор: Weis Rolf,Lemke Marko,Rudolf Ralf,Stahrenberg Knut. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6823709B2. Автор: 志有 廣地. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106536793A. Автор: 宫崎正行. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Substrate producing method for semiconductor device and substrate for semiconductor device

Номер патента: CN1229853C. Автор: 山田敬,永野元,佐藤力,親松尚人,水岛一郎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and recording medium

Номер патента: JPWO2020054299A1. Автор: 小川 有人,有人 小川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE, IN PARTICULAR CAPACITOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2654870A1. Автор: KIM Seong-Tae,Choi Su-Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-05-24.

Method for manufacturing compound semiconductor devices and a compound semiconductor device

Номер патента: CA2006597A1. Автор: Masanori Ishii,Kazuo Kogure. Владелец: Kazuo Kogure. Дата публикации: 1990-06-26.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US9287194B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and cooler for semiconductor device

Номер патента: JP5900610B2. Автор: 広道 郷原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Semiconductor device, solid imaging element, imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3435415A1. Автор: Minoru Ishida,Yoshiaki Masuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-30.

Thin profile power semiconductor device package having face-to-face mounted dice and no internal bond wires

Номер патента: US11296017B2. Автор: Nathan Zommer. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6857675B2. Автор: 菊池俊之,大橋直史. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Plasma processing method, plasma processing device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10312900A. Автор: Masashi Inoue,雅司 井上. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JPWO2020090161A1. Автор: 英樹 堀田,豪杰 康,理尚 長内. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JPWO2021053756A1. Автор: 宏朗 平松,清久 石橋,良太 片岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs

Номер патента: JP6854260B2. Автор: 勝吉 原田,樹 松岡,良知 橋本. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor component having a lateral semiconductor device and a vertical semiconductor device

Номер патента: CN104253156A. Автор: 李嘉炎,蔡欣昌,李芃昕. Владелец: Delta Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016125404A1. Автор: 正行 宮崎. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and field effect semiconductor device

Номер патента: DE102013111135A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs

Номер патента: JP6806719B2. Автор: 良知 橋本,貴史 新田,広樹 山下. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Semiconductor device and cooler for semiconductor device

Номер патента: EP2840604B1. Автор: Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

Wiring substrate, semiconductor device and package stack semiconductor device

Номер патента: US6731013B2. Автор: Yuji Yano,Yasuki Fukui,Hiroyuki Juso,Seiji Ishihara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Semiconductor device and chip-stack semiconductor device

Номер патента: US7276780B2. Автор: Toshio Kimura,Yoshihisa Dotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device and mold for semiconductor device

Номер патента: KR940022807A. Автор: 히데오 야마나까. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-10-21.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JP2001036037A. Автор: Nobuhisa Hamatake,伸寿 濱武. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6372571B2. Автор: Jae Kap Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9190445B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device manufacturing method, heat treatment device, and storage medium

Номер патента: TWI675416B. Автор: 岡田充弘. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-21.

Systems, devices, and methods for semiconductor device temperature management

Номер патента: WO2009149463A3. Автор: Bradley J. Winter. Владелец: COOLSILICON LLC. Дата публикации: 2010-03-11.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for producing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN105008598A. Автор: 河田泰之,米泽喜幸. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

A semiconductor device, a solid-state imaging device, and a camera system

Номер патента: TWI558210B. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US20240047583A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US20170125276A1. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11462615B2. Автор: Tetsuya Nitta,Ryu KAMIBABA,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128220A1. Автор: Akihiko MURASHIMA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional electrostatic discharge semiconductor device

Номер патента: US20160020204A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE AND ELECTRIC DEVICE

Номер патента: US20120205717A1. Автор: KURAHASHI Naoko. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for manufacturing and designing soi type semiconductor device, and soi type semiconductor device

Номер патента: JP2003218356A. Автор: Koichi Matsumoto,光市 松本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device mounting structure, electronic optical device and electronic printing device

Номер патента: JP3476844B2. Автор: 永至 村松. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND STACKED-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299183A1. Автор: Fujisawa Yoshitomo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRONIC DEVICE AND VEHICLE

Номер патента: US20120307508A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY

Номер патента: US20130120699A1. Автор: ICHIHARA Seiichi,Nakamura Hisao. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Pattern forming device and production of semiconductor device utilizing the same

Номер патента: JPS60262419A. Автор: Kazufumi Ogawa,一文 小川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-25.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10189964A. Автор: 康成 野口,康雄 北平,Yasuo Kitahira,Yasunari Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH1187540A. Автор: Moriyoshi Nakajima,Hiromi Makimoto,ひろみ 槙本,盛義 中島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.