Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 一种光‑光上转换钙钛矿薄膜太阳电池的制备方法

一种光‑光上转换钙钛矿薄膜太阳电池的制备方法

Номер патента: CN107093672A
Опубликовано: 25-08-2017
Автор(ы): 丁艳丽, 乔红贞, 尹乃强, 王莎莎, 王蒙
Принадлежит: Shangqiu Normal University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A kind of multithread drying air knife and the method for preparing perovskite thin film in perovskite solar cell using the air knife

Номер патента: CN106252520B. Автор: 杨冠军,李成新,李长久,高黎黎. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-10-30.

Preparation method of high-quality perovskite thin film and perovskite solar cell

Номер патента: CN111710782A. Автор: 章文峰,黄跃龙,林埔安. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-25.

Preparation method of high-quality perovskite thin film and perovskite solar cell

Номер патента: CN111710782B. Автор: 章文峰,黄跃龙,林埔安. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-17.

Preparation method for organic/inorganic hybrid perovskite thin film and solar cell

Номер патента: CN105489773A. Автор: 刘岩,杨松旺,曹启鹏,高潜潜. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2016-04-13.

Method of manufacturing a flexible organic thin film solar cell by ion beam treatment

Номер патента: DE102010038977B4. Автор: Won Jung Kim,Yong Gu Kim,Ki Chun Lee,Yong Jun Jang,Mi Yeon Song,Sang Hak Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2021-06-10.

Preparation method of 4-pyridylmethylamine bromine optimized tin-lead mixed perovskite solar cell

Номер патента: CN113437226A. Автор: 杨一凡,陈钦,古丽米娜,白璐云,张育靖. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-24.

Preparation method of perovskite thin film and perovskite solar cell

Номер патента: CN112151677A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Hangzhou Microquanta Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Methods for forming a perovskite solar cell

Номер патента: US20200127205A1. Автор: Gautam Gupta,Blake Martin,Thad Druffel,Brandon LAVERY,Krishnamraju Ankireddy,Amir Hossein Ghahremani. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2020-04-23.

Preparation method of perovskite thin film and perovskite solar cell device

Номер патента: CN108899420B. Автор: 王惠平,曾文进. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2022-03-08.

Method of fabricating perovskite solar cell

Номер патента: US09431613B2. Автор: Chang-Wen Chen,Hao-Wu Lin,Hao-Wei Kang,Sheng-Yi Hsiao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-30.

Perovskite solar cell, thin film composite electrode and preparation method, power generation apparatus, and electric apparatus

Номер патента: EP4432808A1. Автор: Guodong Chen,Yongsheng Guo,Wenming Guo,Bao TU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Double-layer electron transport layer, perovskite solar cell with double-layer electron transport layer, and preparation method and application of perovskite solar cell

Номер патента: CN115020596A. Автор: 黄维,张莎莎,陈永华,夏英东,张雪聪. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-06.

Preparation method of titanium dioxide thin film for perovskite solar cell

Номер патента: CN105322094A. Автор: 李娟�,张建军,于海龙,张德贤,蔡宏琨,朱景洁,倪牮,杜阳阳,孙小香. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2016-02-10.

Method of production of cis-based thin film solar cell

Номер патента: US20120258562A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yoshiyuki Chiba,Hideki Hakuma,Tetsuya Aramoto. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2012-10-11.

Apparatus for plasma activated vapour deposition and method of making multi-junction silicon thin-film modules and solar cell panels

Номер патента: RU2454751C1. Автор: Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА,Мохд АСЛАМИ. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

A tandem selective spectral absorbance and transmittance solar cell and methods thereof

Номер патента: WO2022234578A3. Автор: Shai Garty,Yuval Shamir,Axel Benichou,Michael Dovrat. Владелец: Doral Energy-Tech Ventures L.P.. Дата публикации: 2023-01-05.

Process of manufacturing of thin film perovskite based solar cells (pbsc) with laser shaping or patterning of one or more constituent layers

Номер патента: ITRM20130516A1. Автор: Fabio Matteocci,Carlo Aldo Di,Girolamo MINCUZZI,Simone Casaluci,Giacomo Francesco Di,Stefano Razza. Владелец: Stefano Razza. Дата публикации: 2015-03-17.

Organic electronic device, method of producing the same, and method of operating the same

Номер патента: EP1179863A3. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Preparation method of triggering agent used for thin-film battery texturing technology

Номер патента: CN105633179A. Автор: 钱根来. Владелец: Wuxi Yichen Mould Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Space solar cell

Номер патента: US20040231718A1. Автор: Masayoshi Umeno,Tetsuo Soga,Mitsuru Imaizumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A kind of preparation method without hole mobile material perovskite thin film hetero-junction solar cell

Номер патента: CN104600197B. Автор: 赵兴中,卜呈浩,余桢华. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2017-03-29.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

Space solar cell

Номер патента: US20020139417A1. Автор: Masayoshi Umeno,Tetsuo Soga,Mitsuru Imaizumi. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2002-10-03.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120325284A1. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2012-12-27.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2517267A2. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2012-10-31.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: CN102656707B. Автор: T.罗舍克,H.戈德巴赫. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2015-04-01.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2011076466A3. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2011-09-09.

Thin film strip structure, solar cell and manufacturing method of thin film strip structure

Номер патента: CN102832116B. Автор: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. Владелец: JURI (SUZHOU) TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-03-25.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226181A1. Автор: DongKyun Seo,Junho SIM,Heekyun Shin,Hyoungsik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Structure and manufacturing of silicon-based nanometer zinc oxide powder thin film hetero-junction solar cell

Номер патента: CN102185001B. Автор: 徐可为,商世广. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2013-04-17.

Production method of PERC (passivated emitter and rear cell) crystalline silicon solar cell with point contacts of rear aluminum foil

Номер патента: CN104201217A. Автор: 张斌,何锐,邢国强,钱亮,夏正月,高艳涛,崔会英. Владелец: HEFEI HAREON SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate

Номер патента: US5141918A. Автор: Shinichi Hirano. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-25.

On-chip all-solid-state supercapacitor and preparation method thereof

Номер патента: US20230021106A1. Автор: Wei Zhang,Bao Zhu,Rui Yin. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

Номер патента: KR101559102B1. Автор: 강진규,양기정,심준형,손대호. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2015-10-13.

Method of manufacturing thin-film photovoltaic module

Номер патента: US09431571B2. Автор: Hideo Tanaka,Ichiro Sakai,Hiroki Yamada,Tetsuo Miyano,Yoshiya Nishijima,Shigeaki Nakayama,Takuto Yamashita. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-08-30.

Plugged pinhole thin film and method of making same

Номер патента: CA1165016A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Monosolar Inc. Дата публикации: 1984-04-03.

Methods of manufacturing printed circuit board assembly

Номер патента: WO2008050191A2. Автор: Tsutomu Masaki,Jiro Takeda,Yasunori Goto. Владелец: Prad Research And Development N.V.. Дата публикации: 2008-05-02.

Methods of manufacturing printed circuit board assembly

Номер патента: WO2008050191A3. Автор: Tsutomu Masaki,Jiro Takeda,Yasunori Goto. Владелец: Yasunori Goto. Дата публикации: 2008-06-19.

A kind of epitaxial material and preparation method thereof going out light AlGaInP LED thin film chip for the face N

Номер патента: CN109360880A. Автор: 陈芳,李树强,江风益,刘军林,郭醒,王光绪. Владелец: Nanchang Huanglyu Lighting Co ltd. Дата публикации: 2019-02-19.

Quinoxaline compound, organic light emitting diode, organic thin film transistor and solar cell

Номер патента: DE102008058230B4. Автор: Michael Limmert,Carsten Rothe,Omrane Fadhel. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2021-01-07.

Flexible crystalline silicon thin film/perovskite laminated solar cell module

Номер патента: CN113225012A. Автор: 张群芳,任建强. Владелец: Zhejiang Hete Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Flexible crystalline silicon thin film/perovskite laminated solar cell module

Номер патента: CN113225012B. Автор: 张群芳,任建强. Владелец: Zhejiang Hete Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Improved method of producing two or more thin-film-based interconnected photovoltaic cells

Номер патента: KR20140105522A. Автор: 레베카 케이 파이스트,마이클 이 밀스. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2014-09-01.

Silicon/perovskite tandem solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240172459A1. Автор: YI Yu,Jianfeng Xue,Yongjie Wang,Shijie Su,Maoli ZHU. Владелец: Tongwei Solar Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Perovskite thin films having large crystalline grains

Номер патента: US09997707B2. Автор: Ning Wang,Xiaowei Sun. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming chalcopyrite light-absorbing layer

Номер патента: US09437761B2. Автор: Sang Hyun Park,Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park,Jin Su Yoo. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-09-06.

Preparation method and application of difunctional ionic salt passivated tin-based perovskite thin film and perovskite solar cell thereof

Номер патента: CN114284440A. Автор: 黄维,陈永华,夏英东,林越辛. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-05.

A perovskite solar cells based on barium titanate and its preparation method

Номер патента: ZA202306074B. Автор: Yunrong Luo. Владелец: Univ Hunan Normal. Дата публикации: 2024-01-31.

Using solar cells as bypass diode heat sinks

Номер патента: US09691926B2. Автор: Matthew A. Nubbe,Clinton L. Whetsel. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Chalcogenides/perovskite thin film double heterojunction solar cell

Номер патента: CN116056471A. Автор: 李卫,武莉莉,冯良桓,曾广根. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2023-05-02.

Solar cell and electronic device having the same

Номер патента: US12125927B2. Автор: Hirokazu Fujioka,Kouji Imazawa,Kouhei NAKANISHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a microcrystalline silicon thin film and method of fabricating a thin-film silicon solar cell using the same

Номер патента: KR100387982B1. Автор: 이창현,임굉수. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2003-06-18.

Method for manufacturing a solar cell

Номер патента: US8119441B2. Автор: Sang Ho Kim,Young Su Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Method for manufacturing a solar cell

Номер патента: US20120094427A1. Автор: Sang Ho Kim,Young Su Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing a solar cell

Номер патента: US20120094426A1. Автор: Sang Ho Kim,Young Su Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

A kind of preparation method of graphene-zinc oxide nano tube array dye-sensitized solar cell anode

Номер патента: CN107393722B. Автор: 万军民,胡智文,彭志勤,王秉,蒙均晶. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2019-04-02.

Apparatus for aligning a solar cell element, system for use in the manufacture of a solar cell arrangement, and method

Номер патента: US11888433B2. Автор: Luigi De Santi. Владелец: Applied Materials Italia Srl. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of making a CZTS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US10062792B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-08-28.

Solar cell and electronic device having the same

Номер патента: US20230275166A1. Автор: Hirokazu Fujioka,Kouji Imazawa,Kouhei NAKANISHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of making compound semiconductor films and making related electronic devices

Номер патента: US5985691A. Автор: Bulent M. Basol,Craig R. Leidholm,Vijay K. Kapur,Arvind T. Halani,Robert A. Roe. Владелец: International Solar Electric Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Online observation method of anode nitrogen concentration for proton exchange membrane fuel cell

Номер патента: US20220231313A1. Автор: Jian Chen,Zhiyang Liu,Chizhou YAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of forming ohmic contacts

Номер патента: CA1208372A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Sohio Commercial Development Co. Дата публикации: 1986-07-22.

A superconducting oxide thin film material, a superconducting oxide thin film wire, and a method of producing an oxide superconductor thin film

Номер патента: DE112017007199T5. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Genki Honda,Takanori Motoki,Jun-Ichi Shimoyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Metal oxide thin film, preparation method thereof, and solution for metal oxide thin film

Номер патента: WO2011108884A2. Автор: 정양호,정영민,김아름,전태환,문주호,송근규. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-09-09.

Metal oxide thin film, preparation method thereof, and solution for metal oxide thin film

Номер патента: WO2011108884A3. Автор: 정양호,정영민,김아름,전태환,문주호,송근규. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-22.

Preparation method of composite membrane counter electrode used for dye-sensitized solar cells

Номер патента: CN101630595B. Автор: 牛海军,罗俊,崔建伟. Владелец: Heilongjiang University. Дата публикации: 2011-03-23.

Preparation method of indoor weak light type copper indium gallium selenide solar cell

Номер патента: CN112510120B. Автор: 胡煜霖,刘宽菲,任宇航. Владелец: Still More Photoelectric Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-18.

Cadmium-free CuInGaSe thin film solar cell assembly and preparing method of zinc sulfide buffer layer thin film thereof

Номер патента: CN102254998A. Автор: 卢兰兰,刘壮,肖旭东,贺凡. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-23.

Full-non-vacuum process preparation method of copper-zinc-tin-sulfur thin film solar cell

Номер патента: CN103078010A. Автор: 向勇,张海涛,谢梦,张庶. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-05-01.

Preparing method of large-area perovskite thin film

Номер патента: US10840028B2. Автор: Nam Gyu Park,Dong Nyuk JUNG. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2020-11-17.

An integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: WO2015022109A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods of making pn CdTe/CdS thin film solar cells

Номер патента: US5304499A. Автор: Karlheinz Jager,Beate Henrichs,Hilmar Richter,Dieter Bonnet. Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1994-04-19.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Thin film solar cell module including series connected cells formed on a flexible substrate by using lithography

Номер патента: US20160079457A1. Автор: Salvatore Lombardo,Marina Foti,Sebastiano Ravesi,Noemi Graziana Sparta',Silvestra Dimarco,Cosimo Gerardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-03-17.

Thin film solar cell module including series-connected cells formed on a flexible substrate by using lithography

Номер патента: US20130032197A1. Автор: Salvatore Lombardo,Marina Foti,Sebastiano Ravesi,Noemi Graziana Sparta,Silvestra Dimarco,Cosimo Gerardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of preparing metal chalcogenide nanoparticles and method of producing light absorption layer thin film based thereon

Номер патента: US20190259889A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films

Номер патента: US5385862A. Автор: Theodore D. Moustakas. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Transparent conductive oxide thin film and heterojunction solar cell

Номер патента: EP4174958A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Zhongwei New Energy Chengdu Co ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Thin film inp-based solar cells using epitaxial lift-off

Номер патента: WO2013101317A3. Автор: Christopher Youtsey,Mark Wanlass,Noren Pan,Glen Hillier,Jessica Adams. Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of manufacturing pzt-based ferroelectric thin film

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US09514857B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming colloidal nanocrystal-based thin film devices

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Aaron T. Fafarman,Cherie R. Kagan,Christopher B. Murray,Yuming LAI,Sung-Hoon Hong,Sangameshwar Rao Saudari,Soong Ju Oh,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi,Weon-kyu Koh. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of fabricating an optical concent rator for a photovoltaic solar cell

Номер патента: US20050217721A1. Автор: Gary Stevens,Paul Sharrock,Frederic Rivollier,Aline Wullur,Milfred Hammerbacher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US11895920B2. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US20240164216A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Analogues of porphyrins, their method of preparation and use thereof especially in dye-sensitive solar cells

Номер патента: WO2015028669A1. Автор: Olivier Siri,Rose Haddoub,Fabrice Odobel,Zhongrui Chen. Владелец: Université D'aix-Marseille. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers

Номер патента: US4876219A. Автор: Fumitake Mieno,Takuya Watanabe,Yuji Furumura,Takashi Eshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Thin film crystalline Si solar cell

Номер патента: JP4903314B2. Автор: 浩一郎 新楽,浩文 千田,宏樹 奥井. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-03-28.

Design of five-layered structure of tandem thin-film amorphous silicon solar cell

Номер патента: CN102097509A. Автор: 吕思宇,屈晓升. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-06-15.

Method for manufacturing insulating substrate for thin film polycrystalline silicon solar cell

Номер патента: JP4526197B2. Автор: 淳 梶本,智訓 牧野,克全 阿波. Владелец: Nippon Steel Nisshin Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Dyes, method of making them, and their use in dye sensitized solar cells

Номер патента: TW201245344A. Автор: Max Josef Braun,Johannes Eicher,Dieter Woehrle. Владелец: Solvay. Дата публикации: 2012-11-16.

Method of producing a single-crystal thin film of an organic semiconductor compound

Номер патента: US20100213448A1. Автор: Takashi Kato,Tatsuya Igarashi,Toshihiro Shimada,Yui Ishii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Improving method of molybdenum electrode exfoliation for thin film solar cell

Номер патента: TW201248866A. Автор: Yi-Cheng Lin,Wang-Lin Liu,jia-huang Shen,Yan-Chao Wang,xiao-jun Zhu. Владелец: Prec Machinery Res & Dev Ct. Дата публикации: 2012-12-01.

Thin film forming method, thin film forming apparatus, solar cell panel manufacturing method, and solar cell panel manufacturing apparatus

Номер патента: JP5221234B2. Автор: 正樹 荒木,良 井崎. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-06-26.

A kind of scaling method of photoelectricity voltage-current characteristic parameter of back contacts solar cell

Номер патента: CN103344899B. Автор: 吴坚,章灵军,王栩生. Владелец: CSI Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Barrier type silicon-based thin film semi-laminated solar cell

Номер патента: CN102157596A. Автор: 祝俊,丁建宁,卢超,程广贵,郭立强,林爱国. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2011-08-17.

Preparation method of fluorescent film capable of improving conversion efficiency of solar cell

Номер патента: CN101699636B. Автор: 郑敏,洪礼清,熊兆贤,曹泽亮. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-29.

Thermoelectric module and method of assembling the thermoelectric module in a radiating member

Номер патента: US20020157698A1. Автор: Hirotsugu Sugiura,Shunji Sakai,Masato Itakura. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Process for preparing a thin film of bi-type oxide superconductor

Номер патента: US5244873A. Автор: Hideo Itozaki,Kenjiro Higaki,Hisao Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-09-14.

N-go@co-ni12p5-ni3p/ncf composite electrode material and preparation method thereof

Номер патента: NL2030278B1. Автор: Zhou Yanhong,WANG DEBAO,Song Caixia,Xing Miaomiao. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2023-08-08.

N-go@co-ni12p5-ni3p/ncf composite electrode material and preparation method thereof

Номер патента: NL2030278A. Автор: Zhou Yanhong,WANG DEBAO,Song Caixia,Xing Miaomiao. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2023-03-07.

The preparations and applicatio method of the coated manganese dioxide nanowire of a kind of nitrogen carbon material

Номер патента: CN104176783B. Автор: 李颖,梅园,刘松琴,陆慧佳. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-07.

Method of sealing nuclear reactor fuel elements

Номер патента: RU2355533C2. Автор: Александр Михайлович Лузин,Александр Антонович Кислицкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов". Дата публикации: 2009-05-20.

High temperature molten salts electrolyte and its preparing method, and preparing method applied the electrolyte to produce platinum thin film

Номер патента: TW200842208A. Автор: Chao-Chen Yang. Владелец: Univ Nat Yunlin Sci & Tech. Дата публикации: 2008-11-01.

Method of forming an article

Номер патента: US09789540B2. Автор: Trevor John Illston. Владелец: Materials Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Precursor for depositing zinc oxide-based thin film, method of fabicating thereof and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101366630B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박준형,박태정,백일희,유영조,윤근상,이현희,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-03-17.

Preparation method of molybdenum dioxide nanowire/nanosheet thin film array with good electrocatalytic hydrogen evolution performance

Номер патента: CN110359061B. Автор: 王岩,张勇,吴玉程,崔接武,舒霞,秦永强,刘志民,魏浩山. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US09437806B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing magnesium diboride superconducting thin film wire and magnesium diboride superconducting thin film wire

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Toshiaki Kusunoki,Ryoko Sugano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Biogradable material and preparation method and application

Номер патента: US20220185997A1. Автор: Yang Zhang,Shan He,Jingrong Gao. Владелец: Guangzhou University. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of compensation for interruption of torque transmission to wheel in case of change in ratio at braking

Номер патента: RU2729844C1. Автор: Седрик ШАНТРЕЛЬ,Марко МАРСИЛИА. Владелец: Рено С.А.С. Дата публикации: 2020-08-12.

Light-coloured fiber-cement items and methods of manufacture thereof

Номер патента: RU2749259C2. Автор: Рубен БОРДЕН,Дейв ВЕРЛЕНЕ,Ян КЕРСТЕНС. Владелец: Комптуар Дю Батман Нв. Дата публикации: 2021-06-07.

Method and apparatus for adjusting static attitude of thin film magnetic head

Номер патента: US20070064333A1. Автор: Osamu Shindo,Toru Mizuno,Takao Torii. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Heterojunction capable of dynamically adjusting photoluminescence of perovskite quantum dot thin film

Номер патента: CN115491199A. Автор: 罗浩,吴希军,许宝然,马仁琪. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-20.

A kind of preparation method and application of perovskite-metal complex composite material

Номер патента: CN110449187A. Автор: 江勇,董玉杰,陈洪燕,张泓泓,孔自成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-11-15.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structural arrangement and method of fabricating a composite trailing edge control surface

Номер патента: US09981735B2. Автор: David C. Reusch. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-29.

Preparation method and application of perovskite type high-entropy high-emissivity ceramic coating film coating liquid

Номер патента: CN114573345A. Автор: 张聪,张春辉,陈云翔,张宗涛,宋美璇,吴碧华,刘易斐,邵家硕,姚思羽,刘今霄. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-03.

Method of production of the raw material for manufacture of the glass

Номер патента: RU2302379C2. Автор: Пьер ЖАНВУАН,ВЕРЖ Арно ЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of removing surface protrusions from thin films

Номер патента: US20020058455A1. Автор: James Alwan,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of manufacturing a multiple track thin film recording head

Номер патента: US5546650A. Автор: Richard H. Dee. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: US09755099B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery, and a controller

Номер патента: US09941419B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl,Johann H. Bredel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Scribing apparatus for thin film solar cells

Номер патента: EP2352163A3. Автор: Masanobu Soyama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Thin refractory metal layer used as contact barrier to improve the performance of thin-film solar cells

Номер патента: US10103281B2. Автор: Salvatore Lombardo,Marina Foti,Cristina Tringali,Sebastiano Ravesi,Nicola COSTA,Stella Loverso,Cosimo Gerardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications

Номер патента: EP2206156A1. Автор: Soo Young Choi,Shuran Sheng,Yong Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-14.

Ligand exchange of perovskite quantum dots and solar cell devices manufactured using the same

Номер патента: US11802238B2. Автор: Younghoon Kim,Jigeon Kim. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-10-31.

Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery, and a controller

Номер патента: US20190214510A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl,Johann H. Bredel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery, and a controller

Номер патента: US20180166586A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl,Johann H. Bredel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Uv-curing of light receiving surfaces of solar cells

Номер патента: US20240290894A1. Автор: Yu-Chen Shen,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Perine JAFFRENOU,Gilles Olav Tanguy Sylvain Poulain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a hybrid emitter all back contact solar cell

Номер патента: US09564551B2. Автор: Paul LOSCUTOFF,Seung Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin film solar cell and method of forming same

Номер патента: US20140366935A1. Автор: Wen-Tsai Yen,Yung-Sheng Chiu,Chi-Yu CHIANG. Владелец: TSMC SOLAR LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502182B2. Автор: Hyun Suk Jung,Hyun Suk CHUNG,Gill Sang HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-11-22.

Buffer layer of CIGS (copper indium gallium selenide) thin-film solar cell chip, preparation method of buffer layer and CIGS thin-film solar cell chip

Номер патента: CN110752266A. Автор: 刘闯,曲铭浩,黄昭雄,蔡爱玲,汝小宁,蒋宗佑,袁渝. Владелец: Lingfan New Energy Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of fabricating see-through thin film solar cell

Номер патента: US20210135041A1. Автор: Won Mok Kim,Jong Keuk PARK,Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Emitters of a backside contact solar cell

Номер патента: US09893224B2. Автор: Gabriel Harley,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Ferroelectric thin film, method of manufacturing same and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US09705070B2. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Emitters of a backside contact solar cell

Номер патента: US09537041B2. Автор: Gabriel Harley,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

A kind of preparation method of CZTSSe absorption layer of thin film solar cell

Номер патента: CN105470113B. Автор: 张超,王赫,杨立,徐睿,乔在祥,赵彦民,杨亦桐,邓朝文. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2018-07-10.

Method of manufacturing high density CIS thin film for solar cell and method of manufacturing thin film solar cell using the same

Номер патента: US8569102B2. Автор: Ki-Bong Song,Ara Cho,Se-Jin Ahn,Jae-Ho Yun,Ji-hye Gwak,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,Seoung-Kyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2013-10-29.

Method for annealing a thin film photovoltaic cell device

Номер патента: US20150340544A1. Автор: Simon Hänni,Laura Ding. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Tandem solar cell module

Номер патента: US20220173137A1. Автор: Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu,Yoon Hee JANG,Gee Yeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-06-02.

Tandem solar cell module

Номер патента: US11764235B2. Автор: Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu,Yoon Hee JANG,Gee Yeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

CIGS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09859450B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin layer p-n type heterojunction solar cells

Номер патента: CA1185347A. Автор: Reid A. Mickelsen,Wen S. Chen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1985-04-09.

Deposition approaches for emitter layers of solar cells

Номер патента: US09997652B2. Автор: Staffan Westerberg,David D. Smith,Peter John Cousins,Taiqing Qiu,Michael C. Johnson. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Anthradithiophene derivatives, process for the preparation thereof and polymers that contain them

Номер патента: AU2019235432C1. Автор: Gabriele Bianchi,Andrea NITTI,Dario PASINI. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2024-06-20.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Solar cell module

Номер патента: US09978891B2. Автор: Tasuku Ishiguro,Atsushi Saita,Akimichi Maekawa,Yukako Sakuragi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Solar cell employing nanocrystalline superlattice material and amorphous structure and method of constructing the same

Номер патента: US09947824B1. Автор: Gopal G. Pethuraja,Roger E. Welser,Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Solar Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Uv-curing of light-receiving surfaces of solar cells

Номер патента: US20200111924A1. Автор: Périne Jaffrennou,Yu-Chen Shen,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Gilles Olav Tanguy Sylvain Poulain. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Anthradithiophene derivatives, process for the preparation thereof and polymers that contain them

Номер патента: AU2019235432B2. Автор: Gabriele Bianchi,Andrea NITTI,Dario PASINI. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2023-12-07.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09401440B2. Автор: Seung Heon Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Thin Film Solar Cell Module Including Series Connected Cells Formed on a Flexible Substrate by Using Lithography

Номер патента: US20190172961A1. Автор: FOTI MARINA,LOMBARDO SALVATORE,DIMARCO SILVESTRA,RAVESI SEBASTIANO,GERARDI COSIMO,"SPARTA NoemiGraziana". Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Method of fabricating ZnS(O,OH) thin film and thin film solar cell using the same

Номер патента: KR101575658B1. Автор: 이홍기,전호영,유성구,류시옥. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-08.

Solar cells with improved lifetime, passivation and/or efficiency

Номер патента: EP4398315A2. Автор: David D. Smith,Tim Dennis,Russelle De Jesus Tabajonda. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09966485B2. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Solar cells with improved lifetime, passivation and/or efficiency

Номер патента: US09899542B2. Автор: David D. Smith,Tim Dennis,Russelle De Jesus Tabajonda. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09795039B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09521752B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Solar cells with improved lifetime, passivation and/or efficiency

Номер патента: US09520507B2. Автор: David D. Smith,Tim Dennis,Russelle De Jesus Tabajonda. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Negative electrode material and preparation method therefor, negative electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4283724A1. Автор: HAN PENG,Jian Huang,Jianguo Ren,Jiajun Huang,Shuzhan YANG,Xianjie FENG,Baoxuan ZHANG. Владелец: BTR New Material Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09818892B2. Автор: Duck Hoon Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09559223B2. Автор: Chin Woo Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of the see-through type thin film solar cell

Номер патента: KR102383037B1. Автор: 김원목,박종극,정증현,유형근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2022-04-06.

Preparation method and preparation device for CIGS-based thin-film solar cell

Номер патента: CN105006501A. Автор: 李艺明,邓国云. Владелец: XIAMEN SHENKE SOLAR ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Solar cells for a solar cell array

Номер патента: US12100774B2. Автор: Eric Rehder,Philip Chiu,Tom Crocker,Daniel Law,Dale Waterman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-24.

Noble metal-polymer composites and flexible thin-film conductors prepared therefrom

Номер патента: US5178957A. Автор: Vasant V. Kolpe,Paul M. Williams. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-01-12.

Perovskite nano material, composite luminescent material containing perovskite nano material, and preparation method and application of perovskite nano material

Номер патента: CN112029494A. Автор: 李飞,王晶晶,钟海政. Владелец: Zhijing Technology Beijing Co ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Thin-film type solar cell and method of manufacturing the same, and thin-film type solar cell module and power generation system using the thin-film type solar cell

Номер патента: DE102009058794A1. Автор: Chang Kyun Seongnam-si Park,Hyung Dong Yongin-si Kang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Thin film forming device for solar cell and thin film forming method

Номер патента: US20130295751A1. Автор: Kenichi Hara,Masaki Narushima,Takamasa Kato. Владелец: University of Yamanashi NUC. Дата публикации: 2013-11-07.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: US20230402552A1. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: NL2033696B1. Автор: Yang Jie,WANG Zhao,Wang Lipeng,Shen Mengchao. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods of filling a set of interstitial spaces of a nanoparticle thin film with a dielectric material

Номер патента: WO2008073767A2. Автор: Maxim Kelman,Pingrong Yu,David Jurbergs,Francesco Lemmi,Homer Antoniadis,Elena V. Rogojina. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same

Номер патента: WO2008089043A2. Автор: Soo-Young Choi,Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-07-24.

Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same

Номер патента: EP2104955A2. Автор: Soo-Young Choi,Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-30.

Thin film common mode filter and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633773B2. Автор: Jeong Min Cho,Ju Hwan Yang,Young Seuck Yoo,Won Chul SIM,Ho Jin YUN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS WITH THIN FILMS, IN PARTICULAR SOLAR CELLS

Номер патента: FR2573249B1. Автор: Gerhard Winterling. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1991-11-08.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2036133A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-03-18.

Solar cell, and textured surface structure and method for preparing same

Номер патента: AU2022330960A9. Автор: LIN Zhang,TAO Yan,Lin Sun,DENG Pan,Xiuqing YANG,Junlin DU,Gongbing CHEN,Xiangfei Liu. Владелец: Tongwei Solar Jintang Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing photovoltaic solar cell and a multifunctional photovoltaic solar cell

Номер патента: WO2011062500A1. Автор: Renato Bugge. Владелец: Integrated Solar As. Дата публикации: 2011-05-26.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: AU2416784A. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1984-08-02.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: WO1984002804A1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals. Дата публикации: 1984-07-19.

Space solar cell

Номер патента: US20010011553A1. Автор: Tomoji Katsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Solar cell and solar-cell module

Номер патента: US09887312B2. Автор: Mitsuhito Takahashi,Hiroyuki Otsuka,Takashi Murakami,Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Yoko Endo,Ryo Mitta,Shintarou Tsukigata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Preparation method of ci(g)s-based thin film with decreased carbon layers, ci(g)s-based thin film prepared by the same, and solar cell including the same

Номер патента: KR101388451B1. Автор: 조아라,박주형,박상현,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-04-24.

Preparation method of a(c)igs-based thin film using core(se)-shell(ag2se) nanoparticles, a(c)igs-based thin film prepared by the same, and tandem solar cell containing the same

Номер патента: KR101352861B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-18.

Thin film apparatus, a manufacturing method of the thin film apparatus, an active matrix substrate, a manufacturing method of the active matrix substrate, and an electro-optical apparatus having the active matrix substrate

Номер патента: US20050156244A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Yoshikazu Akiyama. Дата публикации: 2005-07-21.

Thin film type Solar Cell and method of manufacturing the smae, and Thin film type solar cell module and Power generation system using the same

Номер патента: KR101031246B1. Автор: 박창균,강형동. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-04-29.

Methods and apparatus for forming thin-film heterojunction solar cells from 1-111-v1 chalcopyrite compounds and solar cells produced thereby

Номер патента: GB2106316B. Автор: Wen Shuh Chen,Reid A Mickelsen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1985-09-25.

Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell

Номер патента: US20240234602A1. Автор: Qijie Guo,Paul Douglas Vernooy. Владелец: Jiangsu Solamet Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell

Номер патента: EP4459638A1. Автор: Qijie Guo,Paul D Vernooy. Владелец: Solamet Electronic Materials Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Conductive paste composition, preparation method therefor and application thereof, and crystalline silicon solar cell

Номер патента: EP4456086A1. Автор: Qijie Guo,Paul D Vernooy. Владелец: Solamet Electronic Materials Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768342B2. Автор: Kyoungsoo Lee,Manhyo Ha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-19.

Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts

Номер патента: US09608131B2. Автор: Peter John Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts

Номер патента: US09548409B2. Автор: Peter John Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Transparent and conductive ultrathin film and method of producing same

Номер патента: US5786094A. Автор: Masato Kiuchi,Akiyoshi Chayahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-07-28.

Method of forming single-crystalline thin film

Номер патента: US5372089A. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1994-12-13.

The preparation method of p-type back side tunnel oxide passivation contact solar cell

Номер патента: CN110233180A. Автор: 李跃,杨智,魏青竹,倪志春,钱洪强,鲁科. Владелец: Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-13.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335654A1. Автор: Shulong Lu,Xuefei Li,Qiangjian Sun,Junhua LONG,Pan Dai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Deposition approaches for emitter layers of solar cells

Номер патента: US20180286995A1. Автор: Staffan Westerberg,David D. Smith,Peter John Cousins,Taiqing Qiu,Michael C. Johnson. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Perovskite solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20220122782A1. Автор: ZHU Jun,HAN Gill Sang,Dong Hoe Kim,Hyun Suk Jung,Taekyu AHN,Bonghyun JO,Jidong KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-21.

Perovskite solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US11676771B2. Автор: ZHU Jun,HAN Gill Sang,Dong Hoe Kim,Hyun Suk Jung,Taekyu AHN,Bonghyun JO,Jidong KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-06-13.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2668667A1. Автор: Dong Keun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Solar cell module with anti-glare film and method for manufacturing same, anti-glare film for solar cell modules and method for manufacturing same, and coating solution for forming anti-glare film

Номер патента: US09929286B2. Автор: Kazuhiro Shimizu,Takeyoshi Takahashi,Naoto Iitsuka. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Material composition for organic photoelectric conversion layer, organic photoelectric conversion element, method for producing organic photoelectric conversion element, and solar cell

Номер патента: US09660193B2. Автор: Hirohide Ito,Hiroshi Takagi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100051099A1. Автор: Junyong Ahn,Juhwa Cheong,Seongeun Lee,Hyunjung PARK,Jiweon Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-03-04.

Semitransparent Chalcogen Solar Cell

Номер патента: US20180233609A1. Автор: Saurabh Singh,Teodor K. Todorov,Yun Seog Lee,Douglas M. Bishop. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor electrode for dye-sensitized solar cell, method of manufacturing the same, and dye-sensitized solar cell having the same

Номер патента: US20120266959A1. Автор: Hyung Jin Kim,Ju Mi Kim,Minjae Shin,Byungyou Hong. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-10-25.

Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180248059A1. Автор: Hyun Lee,Soohyun KIM,Wonseok Choi,Younho HEO,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-08-30.

Semitransparent Chalcogen Solar Cell

Номер патента: US20200243707A1. Автор: Saurabh Singh,Teodor K. Todorov,Yun Seog Lee,Douglas M. Bishop. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method of preparing the gas barrier thin film

Номер патента: EP2200106B1. Автор: Xavier Bulliard,Jong-Jin Park,Kwang-Hee Lee,Yun-hyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-06.

A kind of preparation method of anti-aging binding type packaging adhesive film for solar cell

Номер патента: CN108018002A. Автор: 杨亚生,陈可,龙仕冬. Владелец: CHANGZHOU HAO LI LAI PHOTO-ELECTRICITY SCIENCE AND TECHNICAL Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Method of recording electrical signals

Номер патента: GB940096A. Автор: . Владелец: Gretag AG. Дата публикации: 1963-10-23.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: US11887844B2. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: AU2022206830B2. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275169A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: US20240105862A1. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: AU2022206830A1. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235813A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Solar cell

Номер патента: EP4290590A1. Автор: Jie Yang,Zhao Wang,Lipeng Wang,Mengchao SHEN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Flexible transparent thin film

Номер патента: US20180291498A1. Автор: Bin Zhang,Kwok Keung Paul Ho,Chien Chung,Chung Pui Chan,Wing Hong Choi,Lai Fan LAI,Chun Pong Lee. Владелец: New Asia Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Solar cell and production method thereof, photovoltaic module

Номер патента: NL2033696A. Автор: Yang Jie,WANG Zhao,Wang Lipeng,Shen Mengchao. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Solar cell panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190305162A1. Автор: Seiyoung Mun,Byongsu Kim,Juseok KIM,Sungho Chang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of creating alignment/centering guides for small diameter, high density through-wafer via die stacking

Номер патента: EP2281305A1. Автор: Dave Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-09.

Manufacturing method of circuit board

Номер патента: US20130212877A1. Автор: Chen-Chuan Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of creating alignment/centering guides for small diameter, high density through-wafer via die stacking

Номер патента: WO2009126412A1. Автор: Dave Pratt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of connecting a cable with a cable connector

Номер патента: US09583846B2. Автор: Junji Ohsaka. Владелец: Dai Ichi Seiko Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

A kind of graphene lithium titanate composite material and preparation method thereof, mend lithium graphene lithium titanate thin film, lithium battery

Номер патента: CN107785559A. Автор: 陈和平,徐军红. Владелец: 徐军红. Дата публикации: 2018-03-09.

Crack resistant solar cell modules

Номер патента: US9312425B2. Автор: Sung Dug Kim,Nicholas Boitnott. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Thin film gallium arsenide solar cell upper electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN112750915B. Автор: 高鹏,刘兴江,张璐,姜明序,吴致丞. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2022-11-11.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: EP0137043B1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1992-04-01.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US11705550B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US11677063B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-06-13.

Method of synthesizing conductive polymer and method of fabricating conductive polymer thin film

Номер патента: EP4015560A1. Автор: Yong Hyun Kim,Joo Won Han. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of making a component for a solid-state electrochemical cell

Номер патента: GB2613570A. Автор: James Chapman Samuel. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Radially stacked solar cells based on 2D atomic crystals and methods for their production

Номер патента: US10680129B1. Автор: Francesca Cavallo,Vijay Saradhi Mangu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2020-06-09.

Solar cell, and textured surface structure and method for preparing same

Номер патента: EP4270494A1. Автор: LIN Zhang,TAO Yan,Lin Sun,DENG Pan,Xiuqing YANG,Junlin DU,Gongbing CHEN,Xiangfei Liu. Владелец: Tongwei Solar Jintang Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Shunt treatment in inverted and wafer bonded solar cells

Номер патента: WO2014189626A1. Автор: Dimitri D. Krut,Philip Chiu,Shoghig Mesropian. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2014-11-27.

Fabrication of nanostructured palladium thin film for electrochemical detection of hydrazine

Номер патента: US20200274135A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US20220376221A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-24.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US20220367844A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-17.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A3. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Ming-Nung Lin. Дата публикации: 2007-12-06.

Mobile communication terminal which displays screen location information and method of controlling the mobile communication terminal

Номер патента: US20080132285A1. Автор: Jae Do Kwak,Hee Soo Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-06-05.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: EP1972016A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen Chung-Chin. Дата публикации: 2008-09-24.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing an electrochemical cell

Номер патента: US20170092995A1. Автор: Mamdouh Elsayed Abdelsalam,Emmanuel Imasuen Eweka,Fazlil Ahmode Coowar,Alex Madsen. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Ternary positive electrode material, preparation method therefor, and secondary battery

Номер патента: EP4447156A1. Автор: Zhiping Zhou,Xiaotong ZHAO,Lele JING. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing apparatus for harvesting and storing piezoelectric energy

Номер патента: US09862599B2. Автор: Sang Kyun Lee,Yil Suk Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin-film crystalline silicon solar cell using a nanoimprinted photonic-plasmonic back-reflector structure

Номер патента: US20220310870A1. Автор: David Keogh,Vikram Dalal. Владелец: LOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Thin film inp-based solar cells using epitaxial lift-off

Номер патента: US20150255668A1. Автор: Christopher Youtsey,Mark Wanlass,Noren Pan,Glen Hillier,Jessica Adams. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells

Номер патента: US8420435B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

METHOD OF OPERATION OF A GAS TURBINE ENGINE WITH POWER SUPPLY WITH LOW FUEL AND ELECTRIC GENERATOR BASED ON A GAS TURBINE

Номер патента: RU2014129254A. Автор: Ёсихиро ЯМАСАКИ,Синити КАДЗИТА,Кадзуя МАЦУО,Такэхиро ЁСИХАРА,Цуёси КОГА,Томоюки КОМАЙ. Владелец: Кавасаки Дзюкогё Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-02-20.

Process for preparing superconducting thin film formed of oxide superconductor material

Номер патента: CA2093729C. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-01-02.

Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells

Номер патента: US20100304522A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Device for thin film encapsulation and solar cell

Номер патента: WO2019232905A1. Автор: 张雨,张鹏举,李胜春,鱼志坚,谈笑天. Владелец: 汉能新材料科技有限公司. Дата публикации: 2019-12-12.

Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts

Номер патента: US8815631B2. Автор: Peter John Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Vertical multijunction solar cell

Номер патента: US3969746A. Автор: Don Leslie Kendall,Francois Antoine Padovani,Kenneth Elwood Bean,Walter Theodore Matzen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-07-13.

Transparent conductive oxide thin film and heterojunction solar cell

Номер патента: WO2023040120A1. Автор: 周华,周丹,袁强,石建华,刘正新,张海川,孟凡英,程琼,蒙春才. Владелец: 中威新能源(成都)有限公司. Дата публикации: 2023-03-23.

Transparent electrode for solar cell and method of manufacturing same

Номер патента: US20230084039A1. Автор: Sang Il Lee,Kyoung Han Ryu,In Sik YUN,Yeong Hee Lee,Ri Ra Kang,Byung Hong Lee,Jang Ung Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-03-16.

Conductive contacts for polycrystalline silicon features of solar cells

Номер патента: US11804558B2. Автор: Seung Bum Rim. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Conductive contacts for polycrystalline silicon features of solar cells

Номер патента: US20230420582A1. Автор: Seung Bum Rim. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Dye-sensitized solar cell with nitrogen-doped carbon nanotubes

Номер патента: US20140014174A1. Автор: Egbert Figgemeier. Владелец: Bayer Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2014-01-16.

Magnetoresistive thin film magnetic element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head including the magnetoresistive thin film magnetic element

Номер патента: JP3607850B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

N-type doped oxide microcrystalline silicon, heterojunction solar cell and preparation methods of N-type doped oxide microcrystalline silicon and heterojunction solar cell

Номер патента: CN114843175A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Suzhou Liannuo Solar Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Photovoltaic solar cells

Номер патента: WO2011154208A2. Автор: Jeffrey Hedrick,Xiaoyan Shao,Nicholas Fuller,Satyavolu Srinivas Papa Rao,Kathryn Clare Fisher. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-15.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US11817551B2. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Establishing a high phosphorus concentration in solar cells

Номер патента: WO2009111667A8. Автор: Atul Gupta,Christopher R. HATEM,George D. Papasouliotis,Helen L. Maynard,Nicholas P.T. Bateman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-11-04.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Lei Cheng,Aram Yang,Tim Holme,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: EP3004416A1. Автор: Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-13.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20230207868A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20240204245A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Preparation method for ci(g)s-based compound thin film using binary nano particle hydrid and ci(g)s-based compound thin film prepared by the same

Номер патента: KR101192289B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-10-17.

Preparation method for ci(g)s-based compound thin film using cu-se binary nano particle as flux and ci(g)s-based compound thin film prepared by the same

Номер патента: KR101193106B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-10-19.

Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery

Номер патента: US4292092A. Автор: Joseph J. Hanak. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-09-29.

Insulating material, substrate covered with an insulating film, method of producing the same, and thin-film device

Номер патента: KR100378276B1. Автор: 기지마다께시,마쯔나가히로노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-29.

Polysilicon thin film, method of fabricating the same and thin film transistor non-dependancy on active channel direction

Номер патента: KR100534579B1. Автор: 박지용,박혜향. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2005-12-07.

METHODS OF FORMING GROUP III PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA REMOVAL OF PORTIONS OF FIRST SPUTTERED MATERIAL

Номер патента: US20220352456A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Luminescent compounds and methods of making and using same

Номер патента: CA2278198C. Автор: Wang Liu,Suning Wang,Abdi Hassan. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of damage free doping for forming a dram memory cell

Номер патента: US5747378A. Автор: Der-Tsyr Fan,Chon-Shin Jou,Ting-S. Wang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of detecting degradation of membrane electrode assembly of fuel cell

Номер патента: US20210265646A1. Автор: Tomoyuki Inoue,Kazuhide Inoue,Osamu Ogami,Kuniaki Ojima. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Photovoltaic device and method of manufacture

Номер патента: GB201206388D0. Автор: . Владелец: Swansea University. Дата публикации: 2012-05-23.

Method of heterogeneous growth of SiC thin film on silicon substrate

Номер патента: TW201015621A. Автор: Jian-Cheng Chen,Wei-You Chen,zhi-fang Huang,Zhen-Chang Huang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-04-16.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device

Номер патента: KR20230057017A. Автор: 함석규,윤영준,정종원,야스타카 쿠즈모토. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-28.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of controlling structural quality of thin films for light-absorbing solar cell layers and device for its implementation

Номер патента: RU2631237C2. Автор: Вячеслав Николаевич Павловский,Илья Евгеньевич Свитенков,Евгений Викторович Луценко,Геннадий Петрович Яблонский,Александр Викторович Мудрый,Вадим Дмитриевич Живулько,Ольга Николаевна Бородавченко,Михаил Васильевич Якушев. Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению". Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200321213A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200295154A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898A3. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US09892844B2. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: EP4122001A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-01-25.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: WO2021187982A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-23.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US11763989B2. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus for and method of crystallizing active layer of thin film transistor

Номер патента: US09620361B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Joo-Woan Cho,Byoung-Ho Cheong,Sang-hoon Ahn,Byoung-Kwon Choo,Soo-Yeon Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing of amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device

Номер патента: US09454049B2. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of etching or depositing a thin film

Номер патента: EP4367707A1. Автор: Andrew Newton,Matthew LOVEDAY,Sean Cho,Andrew GOODYEAR. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: WO2007117909A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming improved interfaces and thin film by using high-density radical

Номер патента: US20240177989A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of depositing layers of a thin-film transistor on a substrate and sputter deposition apparatus

Номер патента: US20240102152A1. Автор: Jung Bae Kim,Marcus Bender,Jürgen Grillmayer,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI,Rodney Shunleong LIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming a polysilicon film, thin film transistor including a polysilicon film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139919A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: US11980083B2. Автор: Seung-Ha Choi,Kap Soo Yoon,Keum Hee LEE,Woo Geun Lee,Jiyun HONG,Joongeol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US11864463B2. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200350165A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US20230172067A1. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device

Номер патента: EP3588596A1. Автор: Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Joo Young Kim,Byong Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11881399B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-23.

Aluminum alloy film, method of producing the same, and thin film transistor

Номер патента: US11935936B2. Автор: Ryouta Nakamura,Yasuhiko Akamatsu,Tomohiro Nagata,Junichi Nitta,Motoshi Kobayashi,Yasuo Nakadai,Yuusuke UJIHARA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11342178B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20210043452A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-11.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US11682680B2. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-06-20.

Crystalline oxide semiconductor thin film, and method of forming the same and thin film transistor and method of manufacturing the same and display panel and electronic device

Номер патента: US20220208807A1. Автор: Soon Ho Choi,Suhui LEE,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11869768B2. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method of production of zinc oxide thin film using the solution

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Apparatus configured for alignment of a screen device with respect to a substrate used in the manufacture of a solar cell, system for deposition of a material on a substrate used in the manufacture of a solar cell, and method for aligning a screen device with respect to a substrate used in the manufacture of a solar cell

Номер патента: WO2017050391A1. Автор: Daniele Gislon,Daniele ANDREOLA. Владелец: Applied Materials Italia S.R.L.. Дата публикации: 2017-03-30.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Apparatus configured for alignment of a screen device with respect to a substrate used in the manufacture of a solar cell, system for deposition of a material on a substrate used in the manufacture of a solar cell, and method for aligning a screen device with respect to a substrate used in the manufacture of a solar cell

Номер патента: EP3352988A1. Автор: Daniele Gislon,Daniele ANDREOLA. Владелец: Applied Materials Italia Srl. Дата публикации: 2018-08-01.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US20210110975A1. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: US11856858B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film comprising zinc and nitrogen method of fabricating the same, and thin film transistor comprising the same

Номер патента: KR102071768B1. Автор: 박진성,이현모,정현준,옥경철. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-01-31.

Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Mao Minoura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Multi-layer wiring, method of manufacturing the same and thin film transistor having the same

Номер патента: US20060113670A1. Автор: Je-Hun Lee,Chang-Oh Jeong,Yang-Ho Bae,Beom-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US6624010B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

A method of and a device for generating a signal having a predetermined quality criterion for use in or on a communication system

Номер патента: CA2408809C. Автор: Robertus Franciscus Maria Van Den Brink,Bastiaan Matthijs Van Den Heuvel. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-09-11.

A method of and a device for generating a signal having a predetermined quality criterion for use in or on a communication system

Номер патента: CA2408809A1. Автор: Robertus Franciscus Maria Van Den Brink,Bastiaan Matthijs Van Den Heuvel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of fabricating a resonant cavity and distributed bragg reflector mirrors for a vertical cavity surface emitting laser on a wing of an epitaxial lateral overgrowth region

Номер патента: US20240079856A1. Автор: Masahiro Araki,Takeshi Kamikawa,Gandrothula Srinlvas. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-07.

Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US12041815B2. Автор: Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Organic light emitting display device having a reflective barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US11227903B2. Автор: Jeong-Oh Kim,Seong-Joo Lee,Jung-Sun Beak. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Method of reducing color breakup of reflection of ambient light in display panel, display panel, display apparatus, and method of fabricating display panel

Номер патента: US11895867B2. Автор: Chuanxiang XU,Chao Dong,Zhongyuan Sun,Yupeng Gao,Kai SUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20230301132A1. Автор: Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Display screen and method of prepare the same

Номер патента: US09640763B2. Автор: Song Song,KAZUYOSHI Nagayama. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Tandem solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4456156A1. Автор: Lambert Johan Geerligs,Siegfried Christiaan VEENSTRA,Den Bruele Van. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-10-30.

Display substrate comprising silicon organic glass layer, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US12075664B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Zhen Song,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Organic Light-Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120074412A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601556B2. Автор: Hyun Sik Seo,Hyo Jin Park,Yong Ho Choi,Jong Sik SHIM,Kyung Han SEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating an organic light emitting diode display device including a selective melting and drying process with an organic solvent

Номер патента: US09881980B2. Автор: Hyo-Dae Bae,Jeong-won Lee,Jong-Hoon Yeo,Seung-Han Paek,Young-Mu Oh,Heon-Il SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Display panel, display apparatus, light emitting element, and method of fabricating display panel

Номер патента: US20220005884A1. Автор: Qingyu Huang,Zhiqiang Jiao,Huajie YAN,Liangliang KANG,Fudong Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Thin film transistor, organic light emitting diode display, and method for manufacturing organic light emitting diode display

Номер патента: US09704934B2. Автор: Kyung Hoon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate, display panel having the same, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20200251540A1. Автор: Chunjing HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of fabricating display substrate, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US20210408508A1. Автор: Ziyu ZHANG,Chunyan Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20100264410A1. Автор: Akira Yumoto,Kazumasa Nomoto,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443917B2. Автор: Seong-Hyun Jin,Jae-Hwan Oh,Won-Kyu Lee,Jae-Beom Choi,Se-Hun Park,Yeoung-Jin CHANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Display panel, display device, and manufacturing method of the display panel

Номер патента: US20200035936A1. Автор: Qing Wang,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Qingchao ZHOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor film, oxide fine particle dispersion, method of manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: JP6275441B2. Автор: 真之 鈴木,淳 田中,田中　淳,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: EP3846231A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US20210143316A1. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US12063864B2. Автор: Takayuki Naono,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

A kind of preparation method of inorganic halogen perovskite thin film

Номер патента: CN108525963A. Автор: 白帆,苗晓亮,张树芳,邱婷,胡延强,张陈明. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2018-09-14.

Method and system for patterning material in a thin film device

Номер патента: US20050148196A1. Автор: Thomas Anthony,Manish Sharma,Hoon Lee. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-07-07.

Preparation method of large-grain perovskite thin film memristor storage unit

Номер патента: CN113948633A. Автор: 张树芳,常昊,刘岐,杨露露,王晨璐,焦蒙蒙,贾祥瑞. Владелец: Ludong University. Дата публикации: 2022-01-18.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Organic light emitting display with single crystalline silicon tft and method of fabricating the same

Номер патента: US20080272381A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device including a resistive memory layer and method of manufacturing the same including the cleaning of byproducts

Номер патента: US09748481B2. Автор: Gyu Hyun Kim,Dae Won Kim,Byoung ki Lee,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components

Номер патента: US20110008915A1. Автор: Jason Reid,Jean Pierre Nozieres. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-01-13.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US9105794B2. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-08-11.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090140321A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853087B2. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Ki-Seok SUH,Kil-Ho Lee,Yoon-Jong Song,Jae-chul Shim,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US10099476B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Novel preparation method of benzoporphyrin derivatives and organic thin-film transistor fabrication by printing method

Номер патента: KR101403482B1. Автор: 정석종,박보근,민복기,조성윤,임종선,전동주,정승두. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2014-06-05.

Polishing method of soft magnetic layer in thin-film magnetic head, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070230064A1. Автор: Hiroshi Kamiyama,Hiroshi Yamazaki,Makoto Hasegawa,Atsuhiro Nonaka,Teruhisa Shindo,Kazukiko Maejima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

10H-phenothiazine ferroptosis inhibitor and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: AU2019258078B2. Автор: Shengyong Yang,Linli Li. Владелец: Chengdu Henghao Investment Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

A 10h-phenothiazine ferroptosis inhibitor as well as the preparative method and the use thereof

Номер патента: CA3098219A1. Автор: Shengyong Yang,Linli Li. Владелец: Chengdu Henghao Investment Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

A 10h-phenothiazine ferroptosis inhibitor as well as the preparative method and the use thereof

Номер патента: CA3098219C. Автор: Shengyong Yang,Linli Li. Владелец: Chengdu Henghao Investment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

Process for the preparation of hydrocarbons

Номер патента: CA1247654A. Автор: Swan T. Sie,Martin F.M. Post. Владелец: Shell Canada Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Preparation method and application of perovskite/sludge carbon composite catalyst

Номер патента: CN115463658A. Автор: 李滨,庞一雄. Владелец: Aws Environment Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Selenium nanomaterials and methods of making and using same

Номер патента: US11850568B2. Автор: Abdennour Abbas,Snober AHMED. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-26.

Dissection tool and methods of use

Номер патента: US20140298665A1. Автор: Soojung Shin. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of making a knobbed glass or glass ceramic plate, knobbed plate made thereby and tool for making the plate

Номер патента: US20050095404A1. Автор: Horst Schillert,Detlef Mevers,Dirk Roessler. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2005-05-05.

Snow making tower and method of manufacture

Номер патента: US6056205A. Автор: Herman K. Dupre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-02.

Aluminum alloy resin composite and method of preparing the same

Номер патента: US09802388B2. Автор: LIANG Chen,Qiang Guo,Jian Sun,Yanqin Wu. Владелец: Shenzhen BYD Auto R&D Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Bird repeller and method of assembly

Номер патента: WO2008051685A3. Автор: Robert M Turkewitz,Arthur F Doty Iii,Erik S Olson,Paul D Spies. Владелец: Paul D Spies. Дата публикации: 2008-06-26.

Soft magnetic film, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head using the soft magnetic film

Номер патента: JP3396455B2. Автор: 光雄 川崎,久幸 矢澤,吉弘 金田,光博 後藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

Structure for thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head

Номер патента: JP5005274B2. Автор: 芳高 佐々木,浩幸 伊藤,和夫 石崎,雄大 堀中. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-08-22.

Frame plating method and method of forming magnetic pole of thin film magnetic head

Номер патента: JP3355175B2. Автор: 聡史 上島. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6641984B2. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of forming a MOCVD-TiN thin film

Номер патента: US20020022089A1. Автор: Hyung-Seok Kim,Byoung-Youp Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225555A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of laser ablation for uniform thin film deposition

Номер патента: US5411772A. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US20210172065A1. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-10.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US11753721B2. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: WO2024005635A1. Автор: Jakob van de Laar,Hamed Sadeghian Marnani,Arseniy KALININ,Niranjan SAIKUMAR. Владелец: Nearfield Instruments B.V.. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: NL2032315B1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,Van De Laar Jakob,Kalinin Arseniy,Saikumar Niranjan. Владелец: Nearfield Instr B V. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Fabrication method of blue light emitting ZnO thin film phosphor

Номер патента: US6699371B2. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of Fabricating Metal Nitrogen Oxide Thin Film Structure

Номер патента: US20100283179A1. Автор: Chih-Hung Wu,Zih-Sian Lu,Keng-Shen Liu,Wen-Biing Ou Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2010-11-11.

Use of agarose as a thickener of an aqueous solution of a platinoid compound when making a catalyst, a method of making a catalyst and an aqueous solution of a platinoid compound to obtain a catalytic layer on a substrate when preparing a catalyst

Номер патента: RU2737698C1. Автор: Павел Иванович Хальзов,Владимир Николаевич Звягин,Игорь Михайлович Тушканов,Виктор Викторович Кедров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Экострим". Дата публикации: 2020-12-02.

Methods of treating a subject suffering from rheumatoid arthritis with alternative to anti-TNF therapy based in part on a trained machine learning classifier

Номер патента: US11783913B2. Автор: Viatcheslav R. Akmaev,Nancy Schoenbrunner,Keith J. Johnson,Susan Ghiassian,Theodore R. Mellors,Marc Santolini,Asher Ameli. Владелец: Scipher Medicine Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties

Номер патента: EP1369501A3. Автор: Wei Pan,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang,Masayuki Tajiri. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Double-sided solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4369424A1. Автор: Guoqiang Xing,Yongjie Wang,Tanghui YANG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Transmission electron microscope high-resolution in-situ fluid freezing chip and preparation method therefor

Номер патента: GB2613733A. Автор: DENG JUNXIAN,Liao Honggang,Jiang Youhong. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-14.

Selective dissolution of thin film layers in series interconnection of thin film photovoltaic modules

Номер патента: WO2024151518A1. Автор: John Devin Mackenzie,William Heins,Tanka RANA. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-07-18.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Lead salt thin films, devices, and methods of manufacture

Номер патента: US20230087030A1. Автор: Binbin Weng. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2023-03-23.

Thin film transistor substrate, liquid crystal display having same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484420B2. Автор: Chong Sup Chang,Sangho Park,Jungkyu Lee,Su-Hyoung Kang,Yoonho Khang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for depositing thin film

Номер патента: US09891521B2. Автор: Dongseok Kang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842961B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Sulfur-containing thin films

Номер патента: US09721786B2. Автор: Michael E. Givens,Qi Xie,Jan Willem Maes,Fu Tang,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09608089B2. Автор: Junghyun Kim,Jongyun Kim,Kiwan Ahn,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Sulfur-containing thin films

Номер патента: US09478419B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Fu Tang,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon inks for thin film solar solar cell formation, corresponding methods and solar cell structures

Номер патента: WO2011035306A2. Автор: Shivkumar Chiruvolu,Uma Srinivasan,Guojun Liu,Clifford M. Morris,Igor Altman. Владелец: NanoGram Corporation. Дата публикации: 2011-03-24.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20150028331A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof

Номер патента: US09425223B1. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4425572A2. Автор: WEI Liu,Yifeng Chen,Dongyun LV,Daming Chen. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2024227401A1. Автор: WEI Liu,Yifeng Chen,Dongyun LV,Daming Chen. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

THIN FILM SOLAR CELL MODULE INCLUDING SERIES CONNECTED CELLS FORMED ON A FLEXIBLE SUBSTRATE BY USING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20160079457A1. Автор: FOTI MARINA,LOMBARDO SALVATORE,DIMARCO SILVESTRA,RAVESI SEBASTIANO,GERARDI COSIMO,"SPARTA NOEMI GRAZIANA". Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of analyzing strain of thin film by using stc method

Номер патента: US20210372869A1. Автор: Wonjae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: EP1872389A1. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: WO2006110871A8. Автор: Philipp Steinmann,Eric W Beach. Владелец: Eric W Beach. Дата публикации: 2007-04-12.

Control method of inspection apparatus and inspection apparatus

Номер патента: US12075537B2. Автор: Hiroaki Agawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US09634045B2. Автор: Haisheng ZHAO,Zhilian XIAO,Xiaoguang PEI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing thin film transistor (TFT) array substrate

Номер патента: US09548321B2. Автор: Seong-Hyun Jin,Jae-Hwan Oh,Jong-Hyun Choi,June-Woo Lee,Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Kwang-Hae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming perovskite thin film and light-emitting device including layer manufactured thereby

Номер патента: US11895903B2. Автор: Dongchan Kim,Jiyoung Moon,Yoonseok KA,Heechang YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for growing thin film

Номер патента: US20090324824A1. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-12-31.

Preparation method of patterned substrate

Номер патента: EP3665531A1. Автор: Sung Soo Yoon,Se Jin Ku,Hyung Ju Ryu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Providing high precision resistance in an integrated circuit using a thin film resistor of controlled dimension

Номер патента: US7005361B2. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach,Siang Ping Kwok. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Thin film magnet inductor structure for high quality (Q)-factor radio frequency (RF) applications

Номер патента: US09959964B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of producing bonded wafer with uniform thickness distribution

Номер патента: US09859149B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066354A1. Автор: Sheng-Yu Chen,Chang-Lin Yeh,Ming-Hung Chen,Yung I. Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: US20240258770A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure and method of fabricating high-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: WO2006110781A2. Автор: Herbert Ho,Jack Mandelman,Yoichi Otani,Tak Ning. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-19.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing a damascene thin-film resistor

Номер патента: US09679844B2. Автор: Yaojian Leng,Justin Hiroki Sato. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of manufacturing large-sized thin film transistor liquid crystal display panel

Номер патента: US5472889A. Автор: Dong G. Kim,Chul S. Park,Sin C. Park,Hyung M. Park,Gyeong L. Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-12-05.

The preparation method of low-temperature polysilicon film, thin-film transistor and display unit

Номер патента: CN103489788B. Автор: 王磊,田雪雁,任章淳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of manufacturing thin-film polymer multi-layer capacitor and thin-film polymer multi-layer capacitor

Номер патента: US9947477B2. Автор: Tomonao Kako,Shigeya Tomimoto. Владелец: Rubycon Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Low-cost passivated contact full-back electrode solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20230307573A1. Автор: Yang Yang,Haibo Li,Zhuojian YANG,Rulong Chen,Yanbin ZHU,Longzhong TAO. Владелец: Jiangsu Runergy Century Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Solid-state camera device and method of manufacturing the same, and method of making mask for manufacturing the device

Номер патента: US20050035377A1. Автор: Masashi Inoue,Shinya Kamimura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20210082885A1. Автор: Takashi Ishii,Hiroaki Kageyama,Dai WAKAMATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Low-cost passivated contact full-back electrode solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US11996494B2. Автор: Yang Yang,Haibo Li,Zhuojian YANG,Rulong Chen,Yanbin ZHU,Longzhong TAO. Владелец: Jiangsu Runergy Century Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Solid-state light emitter lighting apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20230392758A1. Автор: Norbert Ernst,Simon Canins. Владелец: Astera Lighting Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Solid-state light emitter lighting apparatus and method of operating the same

Номер патента: US11906116B2. Автор: Norbert Ernst,Simon Canins. Владелец: Astera Manufacturing Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of manufacturing epitaxy oxide thin film, and epitaxy oxide thin film of enhanced crystalline quality manufactured thereby

Номер патента: US20230145077A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Jung Ho Yoon,Seong Keun Kim,Ji-Soo Jang,Hyung-Jin Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Sung Hoon HUR,Seung Hyub BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-11.

Ink droplet volume measuring apparatus and ink droplet volume measuring method using the same, and thin film layer forming apparatus using the measuring apparatus, and manufacturing method of display apparatus using the thin film layer forming apparatus

Номер патента: US20240251648A1. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for Making Ferroelectric Material Thin Films

Номер патента: US20170236955A1. Автор: Peter K. Davies,Jonathan E. Spanier,Andrew M. Rappe,Ilya Grinberg,Liyan Wu,Andrei R. Akbasheu. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-08-17.

Metal alkoxide compound, thin film forming raw material, and thin film production method

Номер патента: US20240352044A1. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for making thin film transistor array

Номер патента: US09508760B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09355669B2. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-31.

PREPARING METHOD OF LARGE-AREA PEROVSKITE THIN FILM

Номер патента: US20190221371A1. Автор: Park Nam Gyu,JUNG Dong Nyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

The preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN107293493A. Автор: 李松杉. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Improvements in or relating to semi-conductive devices of variable resistance and to methods of making the same

Номер патента: GB769199A. Автор: . Владелец: APPLIC ELECTRONIQUES DES CAOUT. Дата публикации: 1957-02-27.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacturing method of metal mesh, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047863A1. Автор: Feng Wang,Jian Zhou,Feng Qu,YuJu CHEN. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170288086A1. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Device and method for determining ranks of light emitting devices each mounted on plurality of respective mounting points on substrate

Номер патента: US20240162202A1. Автор: Jong Eok BAN,Na Youn LEE,Jong ll Park. Владелец: Hanwha Precision Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of performing half-shutter function using optical object recognition and method of capturing image using the same

Номер патента: US20210173499A1. Автор: Seongwook SONG,Soongeun Jang,Moonkyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US11004659B2. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-11.

Unmanned aerial vehicle and method of safe landing of unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2712716C2. Автор: Манфред ХИБЛЬ. Владелец: Эйрбас Дефенс Энд Спэйс Гмбх. Дата публикации: 2020-01-30.

Sensor device for reading information on a golf throw and a measurement method using a system

Номер патента: RU2736259C1. Автор: Джи Хван КВОН,Донг Джин ХУР. Владелец: Голфзон Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ophthalmic device with self-contained energy source

Номер патента: RU2505405C2. Автор: Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2014-01-27.

Method of fabricating display device using plastic substrate

Номер патента: GB2479081B. Автор: Kyoung-Mook Lee,Hyun-Jin An. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: US20090029502A1. Автор: Soo Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

A kind of preparation method of IGZO active layers, oxide thin film transistor

Номер патента: CN108461391A. Автор: 吴伟,武岳. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

A kind of preparation method of p-type metal oxide thin-film transistor

Номер патента: CN106952828A. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱慧慧,孟优. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: TW200908363A. Автор: Soo-Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US20170018581A1. Автор: Haisheng ZHAO,Zhilian XIAO,Xiaoguang PEI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20160181292A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-06-23.

Image Sensor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20100117177A1. Автор: Young Je Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TW200403861A. Автор: Yoshio Kurosawa,Kazushige Hotta. Владелец: Fujitsu Display Tech. Дата публикации: 2004-03-01.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: EP4095886A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: AU2019477107A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09893239B2. Автор: Takaaki Tada,Takayoshi Wakaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

The preparation and application method of a kind of 3D printing with neodymium iron boron powder slurry

Номер патента: CN107195412B. Автор: 林涛,何新波,邵慧萍,何建壮,袁佳昀,田彤,田一彤. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2019-04-26.

Downhole tool with thin film thermoelectric cooling

Номер патента: GB2476178A. Автор: Rocco DiFoggio. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Novel silicon structure, used for solar cells or LCD TFTs, comprises a crystalline textured silicon thin film over a biaxially textured lattice-matched diffusion barrier buffer layer on a thermal expansion-matched inert substrate

Номер патента: DE10017137A1. Автор: Bernd Utz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-10-26.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US11827650B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120139045A1. Автор: Kitae Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20230317826A1. Автор: WEI Liu,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,ce Ning,Hongda Sun,Fengjuan LIU,Yuhang LU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20160005774A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US20170077307A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US20200339617A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Thin film magnet inductor structure for high quality (q)-factor radio frequency (rf) applications

Номер патента: US20170140862A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of forming carbon-containing thin film and method of manufacturing semiconductor device by using the method

Номер патента: US20150130027A1. Автор: Se Jun Park,Dohyung Kim,Jaihyung Won,Ho Jun Kim,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: EP1653494A3. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-22.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140038370A1. Автор: Kitae Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: WO2022232674A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Technologies for thin film resistors in vias

Номер патента: US20230402368A1. Автор: Yi Yang,Xing SUN,Kristof Darmawikarta,Darko Grujicic,Suddhasattwa NAD,Marcel A. Wall,Benjamin T. Duong,Brian P. Balch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20170005133A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film transistor and display apparatus

Номер патента: EP4057350A1. Автор: Hyun Jin Kim,Kum Mi Oh,Sun Wook KO,Seung Hyo KO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-14.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: US20060087716A1. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for growing thin film

Номер патента: US8247031B2. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-08-21.

Method of producing laminated substrate, method of producing semiconductor module, laminated substrate, and semiconductor module

Номер патента: US20200043872A1. Автор: Keisuke Yamashiro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Manufacturing method of circuitry including planar diode

Номер патента: US20240145574A1. Автор: Kazuo Uchida,Yuji Takeda,Shinji Nozaki,Minoru Furukawa. Владелец: Space Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Electronic assemblies and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4367986A1. Автор: Aydin Nabovati,Rishabh BHANDARI,William Chang,Vijaykumar Krithivasan,Yong Guo Li. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of determining a perceptual impact of reverberation on a perceived quality of a signal, as well as computer program product

Номер патента: EP4182921A1. Автор: John Gerard Beerends,Niels Martinus Philippe NEUMANN. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-05-24.

Method of determining a perceptual impact of reverberation on a perceived quality of a signal, as well as computer program product.

Номер патента: AU2021311310A1. Автор: John Gerard Beerends,Niels Martinus Philippe NEUMANN. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of determining a perceptual impact of reverberation on a perceived quality of a signal, as well as computer program product.

Номер патента: WO2022019757A1. Автор: John Gerard Beerends,Niels Martinus Philippe NEUMANN. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Method of manufacturing package component for light emitting diode and package structure thereof

Номер патента: US20150097206A1. Автор: Yun-Li Li,Cheng-Yen Chen,Chun-Chieh CHIN. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the device based on evaluation data of test transistors uniformly arranged on test wafer

Номер патента: US20060214164A1. Автор: Mikinori Oguni. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: WO2019029125A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of fabricating array substrate for liquid crystal display

Номер патента: WO2011021860A9. Автор: Woo-Ram Lee,Suk Lee,Hyun-Kyu Lee,Yong-Suk Choi,Young-Jin Yoon,Kyung-Sub Jung. Владелец: Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-11.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US20170162628A1. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of and apparatus for manufacturing a glazing with frequency selective coating

Номер патента: EP2640549A1. Автор: Peter Paulus. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

System and method of driving motor

Номер патента: US20210044226A1. Автор: Ming-Jung Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190311902A1. Автор: Jongchan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11664366B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of managing a network of clients

Номер патента: WO2013056919A1. Автор: Thomas Strauss,Alexander Schreiber,Christopher Foerster,Marc Kirchmann. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2013-04-25.

Layout method of semiconductor circuit structure

Номер патента: US20140089869A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Yuan Hsueh,Shih Chieh Hsu,Yao-Chang Wang,Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Processing method of workpiece

Номер патента: US20240266221A1. Автор: Shigenori Harada,Jinyan ZHAO. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A method of object selection

Номер патента: WO1997044906A1. Автор: Kristian Mats Lindskog. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1997-11-27.

Electronic assemblies and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240312863A1. Автор: Aydin Nabovati,Rishabh BHANDARI,William Chang,Vijaykumar Krithivasan,Yong Guo Li. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of processing workpiece and laser processing apparatus

Номер патента: US12121993B2. Автор: Satoshi Kumazawa,Masatoshi Nayuki,Keisuke NISHIMOTO. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332261A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module

Номер патента: US09978915B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Motor vehicle ice sensor assembly and method of operation

Номер патента: US09802545B1. Автор: Stuart C. Salter,James J. Surman,Annette Lynn Huebner,Paul Kenneth Dellock. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming patterned mask layer

Номер патента: US09779942B1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09761477B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of anticipating component failure in broadband network devices

Номер патента: US09712815B2. Автор: Gert BRONKHORST. Владелец: Technetix Bv. Дата публикации: 2017-07-18.

Conductive plug and method of forming the same

Номер патента: US09685373B2. Автор: Chin-Ta Su,Yung-Tai Hung,Meng-Tsung Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof

Номер патента: US09614036B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof

Номер патента: US09590020B2. Автор: Yuanjun Hsu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09478514B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

METHOD OF MAKING A CZTS/SILICON THIN-FILM TANDEM SOLAR CELL

Номер патента: US20160322532A1. Автор: Chaudhari Ashok. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Crystalline semiconductor and oxide semiconductor thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10615234B2. Автор: Junhyung LIM,Jihun Lim,Eoksu KIM,Kyoungseok SON,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8889496B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Method of manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: US8017507B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Solid-state thin film capacitor

Номер патента: WO2011011736A2. Автор: Hooman Hafezi. Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for forming region-selective thin film using selectivating agent

Номер патента: US20230366080A1. Автор: Ha Na Kim,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180166562A1. Автор: WEI YANG,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of displaying object image

Номер патента: US20080013139A1. Автор: Shuji Maruyama,Tomoyuki Hirota. Владелец: Hyundai Motor Japan R&D Center Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of forming and transferring thin film using soi wafer and heat treatment process

Номер патента: US20210005457A1. Автор: Chang Hwan Choi,Yu Rim JEON,Hoon Hee HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US10043869B2. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of manufacturing thin film transistor (tft) array substrate

Номер патента: US20150214252A1. Автор: Seong-Hyun Jin,Jae-Hwan Oh,Jong-Hyun Choi,June-Woo Lee,Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Kwang-Hae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Methods of manufacturing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US20050241931A1. Автор: Byung Ahn,Ji Eom. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US20200006660A1. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20080268581A1. Автор: Jong-Hyun Choung,Sang-Gab Kim,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Min-Seok Oh,Yu-gwang Jeong,Joo-Ae Youn,Joo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of manufacturing quantum-dot thin film, quantum-dot substrate, and display panel

Номер патента: US20230407512A1. Автор: Lixuan Chen,Jinyang ZHAO,Zhiqing Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Display module, display apparatus including the same and method of manufacturing display module

Номер патента: US20200152721A1. Автор: Kyungwoon Jang,Changjoon LEE,Gyun Heo,Soonmin HONG,Youngjun MOON,Changkyu CHUNG,Daesuck HWANG,Kwangrae JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US20170221997A1. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: US20100330785A1. Автор: Byoung-Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US10726966B2. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-07-28.

Display module, display apparatus including the same and method of manufacturing display module

Номер патента: EP3834231A1. Автор: Kyungwoon Jang,Changjoon LEE,Gyun Heo,Soonmin HONG,Youngjun MOON,Changkyu CHUNG,Daesuck HWANG,Kwangrae JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-16.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Module and method of a selective electronic-magnetic interference shielding

Номер патента: US20180294234A1. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Display panel and rework method of gate insulating layer of thin film transistor

Номер патента: TW201113955A. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsu Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of and device for converting landline signals to Wi-Fi signals and user verified emergency assistant dispatch

Номер патента: US11769392B2. Автор: Chih-Cheng Tai,Fong-Min Chang,Richard Allen Darling. Владелец: Instant Care Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods of solid phase recrystallization of thin film using pulse train annealing method

Номер патента: TW201112314A. Автор: Stephen Moffatt,Aaron Muir Hunter,Bruce E Adams. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: US20160381800A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Silicon controlled rectifiers (scr), methods of manufacture and design structures

Номер патента: WO2012094546A1. Автор: Kiran V. Chatty,Robert J. Gauthier,Junjun Li,Michael J. Abou-Khalil. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

Methods of patterning nickel silicide layers on a semiconductor device

Номер патента: WO2020086582A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,He REN,Jong Mun Kim,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

A method of manufacturing a component for a matrix-array force sensor and roll-to-roll apparatus to carry out the same

Номер патента: WO2024213866A1. Автор: Tom Mitchell-Williams,Benjamin BEDDARD. Владелец: Peratech Holdco Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966252B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966251B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Conductive external connector structure and method of forming

Номер патента: US09875979B2. Автор: Chi-Hung Lin,Chien-Ming Huang,Meng-Fu Shih,Chin-Yu Ku,Cheng-Lin Huang,Wei-Chih Huang,Wen-Ming Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Chun-Yen Lo,Yuan-Fu Liu,Yung-Chiuan Cheng,Chen-Hsun Liu,Chien-Pin Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09733750B2. Автор: Jae Neung Kim,Kyung Seop KIM,Cheol Kyu Kim,Sung Kyun Park,Sun Haeng Cho,Ki Hyun Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming multilayer hard mask with treatment for removing impurities and forming dangling bonds

Номер патента: US09613808B1. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09557599B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seong-Min Kim,Young-woo Song,Sang-Hoon Yim,Kwan-Hyun Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US09548430B2. Автор: Jung Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520297B2. Автор: Dong-Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Light-emitting diode package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09447932B2. Автор: Sang Hyuck Yoon,Seok Hyun Nam,Jae Sul An,Yeong Bae LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

THIN FILM INP-BASED SOLAR CELLS USING EPITAXIAL LIFT-OFF

Номер патента: US20130133730A1. Автор: YOUTSEY Christopher,Pan Noren,Wanlass Mark,Hillier Glen,Adams Jessica. Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

ION IMPLANTATION FABRICATION PROCESS FOR THIN-FILM CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS

Номер патента: US20130330872A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Rana Virendra V.. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE HAVING POROUS THIN FILM, DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20140124025A1. Автор: KWON Young-soo,SONG In Young,Park Taiho,LIM Jong Chul,Park Sung Hae. Владелец: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US20160086721A1. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

THIN FILM COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELLS

Номер патента: US20150349157A1. Автор: Chung Choong-Heui. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Precursor liquid of indium gallium zinc oxide thin film and preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: CN112018191A. Автор: 周航,孙荷静,邱恒达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203387A1. Автор: I-hun Song,Chang-Jung Kim,Dong-hun Kang,Young-soo Park,Stefanovich Genrikh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Preparation method of patterned metal film layer, thin film transistor and display substrate

Номер патента: CN109378271B. Автор: 刘军,李伟,王东方,张扬,方金钢,丁录科,程磊磊. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: AU2003269049A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-02.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070141767A1. Автор: Byoung-Keon Park,Keun-soo Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Preparation method of graphene conductive film and thin film transistor

Номер патента: CN110323270B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: CN100480420C. Автор: 郑宽旭,梁成勋,洪完植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-22.

Boron-doped polycrystalline silicon thin film with high piezoresistance characteristics and preparation method of boron-doped polycrystalline silicon thin film

Номер патента: CN105140105A. Автор: 王宙,董桂馥,付传起,雍帆,骆旭梁. Владелец: Dalian University. Дата публикации: 2015-12-09.

Thin film transistor, method of manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: KR101540127B1. Автор: 후미히코 모치즈키,유키 나라,겐이치 우메다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-28.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US20230387313A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US11923459B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Low leakage thin film capacitors using titanium oxide dielectric with conducting noble metal oxide electrodes

Номер патента: US20220102483A1. Автор: Henning Braunisch,Kaan OGUZ,Aleksandar Aleksov,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart,I-Cheng Tung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of depositing thin metal-organic films

Номер патента: WO2015038303A1. Автор: Ellie Yieh,Dmitry Lubomirsky,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Thin film transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: US20230223479A1. Автор: Jin Jang,Hae Su Hong. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2023-07-13.

Area-selective emthod for forming thin film by using nuclear growth retardation

Номер патента: US20240068091A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Ji Yeon Han,Jae Min Kim,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods of manufacturing semiconductor devices using alignment marks to align layers

Номер патента: US20160027739A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dong-Chan Kim,Jong-Su Kim,Ki-Hyun Park,Byoung-Ho Kwon,Choong-seob SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Compositions comprising aluminum and/or gallium oxide on a miscut substrate, and methods of making and use thereof

Номер патента: WO2024129581A1. Автор: Hongping Zhao,A F M Anhar Uddin Bhuiyan,Lingyu MENG. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2012117787A1. Автор: Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-07.

Method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component

Номер патента: US20200251627A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TW200501425A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-01.

Method of analyzing photolithography processes

Номер патента: US9165354B2. Автор: Jae-Kwan Park,Hyo-cheon Kang,Deok-yong Kim,Jeong-Ho Ahn,Soo-bok Chin,Woong-Kyu Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of analyzing photolithography processes

Номер патента: US20140037186A1. Автор: Jae-Kwan Park,Hyo-cheon Kang,Deok-yong Kim,Jeong-Ho Ahn,Soo-bok Chin,Woong-Kyu Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of heating a strip-shaped carrier in an oven and device for fastening at least one component on a strip-shaped carrier

Номер патента: US5582753A. Автор: Jan Vos. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-12-10.

Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus

Номер патента: US09966258B2. Автор: Kota Umezawa,Yosuke Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of augmenting a voice call with supplemental audio

Номер патента: US09954803B1. Автор: Jeremy Lawson Kominar. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of manufacturing semiconductor devices using alignment marks to align layers

Номер патента: US09831186B2. Автор: Bo-Un Yoon,Dong-Chan Kim,Jong-Su Kim,Ki-Hyun Park,Byoung-Ho Kwon,Choong-seob SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods of forming fine patterns and methods of manufacturing integrated circuit devices using the methods

Номер патента: US09653294B2. Автор: DAE-YONG KANG,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Seung-chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming image sensor integrated circuit packages

Номер патента: US09634059B2. Автор: Jui Yi Chiu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Display system with display adjustment mechanism for viewing aide and method of operation thereof

Номер патента: US09571822B2. Автор: LI Tao. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of providing non-native notifications and system thereof

Номер патента: US09445392B1. Автор: Suman Saraf,David P. Reese, JR.,Shashi Kant Sharma,Sharad Agrawal. Владелец: Bluestack Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140295197A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200358040A1. Автор: CHOI Seung-Ha,LEE Woo Geun,YOON Kap Soo,Kim Joongeol,Hong Jiyun,LEE Keum Hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

thin film deposition composition containing germanium derivative, the germanium-containing thin film prepared by using the same and the method of producing a germanium-containing thin film using the same

Номер патента: KR101745344B1. Автор: 이상익,김명운,이강용,전상용,장홍석,김민성,신형수,김도연,석장현. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming digital image using several ccd and device for implementation thereof

Номер патента: RU2769274C1. Автор: Александр Иванович Горбатюк. Владелец: Александр Иванович Горбатюк. Дата публикации: 2022-03-29.

Crystalline semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100384499B1. Автор: 스즈키고지,히라마츠마사토. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-05-22.

Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions

Номер патента: US20080022897A1. Автор: Klaus Kunze,James Cleeves,Vladimir Dioumaev,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Cleeves James M. Дата публикации: 2008-01-31.

Thin film coil and method of forming the same, and thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7319572B2. Автор: Fujimi Kimura,Daisuke Iitsuka. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-01-15.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: KR20200130778A. Автор: 최승하,이우근,윤갑수,홍지윤,김준걸,이금희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-20.

A composition for oxide semiconductor, preparation methods thereof, methods of forming the oxide semiconductor thin film, methods of fomring an electrical device and an electrical device formed thereby

Номер патента: KR101415748B1. Автор: 김현재,김동림,임현수,임유승. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-06.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030389A1. Автор: Jae Ho Choi,Tae Gyun Kim,Dae ho Song,Ki Beom Lee,Soo Chul Kim,So Young YEO,Jin Taek Park,Eok Yi LEE,Seong Won Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US20190122862A1. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-04-25.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210013435A1. Автор: Kim Joo Young,PARK Jeong II,JUNG Jiyoung,SONG Byong Gwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-14.

METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE AND MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Yamamoto Hiroyuki,KUSUNOKI Toshiaki,SUGANO Ryoko. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2018-03-08.

HIGH PURITY PIEZOELECTRIC THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING ELEMENT USING SAME THIN FILM

Номер патента: US20220149802A1. Автор: An Sang Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHODS OF FORMING DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS VIA MOCVD AND RELATED DOPED CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC THIN FILMS

Номер патента: US20200111949A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.,Geiss Arthur E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Fabrication Methods of Patterned Metal Film Layer, Thin Film Transistor and Display Substrate

Номер патента: US20200126809A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Zhang Yang,WANG Dongfang,DING Luke,FANG Jingang,CHENG Leilei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20150155475A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

LITHIUM-STUFFED GARNET THIN FILMS AND PELLETS HAVING AN OXYFLUORINATED AND/OR FLUORINATED SURFACE AND METHODS OF MAKING AND USING THE THIN FILMS AND PELLETS

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Holme Tim,Huang Tommy,Cheng Lei,Yang Aram,MEHROTRA Amal,CHAO Cheng-Chieh,DEKMEZIAN Christopher,HO Tiffany. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

ALUMINUM ALLOY FILM, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210226028A1. Автор: NAKAMURA Ryouta,Nagata Tomohiro,Nitta Junichi,NAKADAI Yasuo,AKAMATSU Yasuhiko,KOBAYASHI Motoshi,UJIHARA Yuusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Preparation methods of low temperature poly-silicon thin film and transistor and laser crystallization apparatus

Номер патента: US20170207086A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaowei Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Chung Jong Won,Bao Zhenan,Xu Jie,LEE Sangyoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20160339702A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

INK DROPLET VOLUME MEASURING APPARATUS AND INK DROPLET VOLUME MEASURING METHOD USING THE SAME, AND THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS USING THE MEASURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY APPARATUS USING THE THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200395543A1. Автор: Han Jeongwon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

MANUFACTURING METHOD OF LOW-k PLASMA POLYMERIZED THIN FILMS AND LOW-k THIN FILMS MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: KR100697669B1. Автор: 이성우,정동근,양재영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-03-20.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: KR100385194B1. Автор: 사또요시미,가와까미아쯔시,다께우찌요시유끼. Владелец: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-05-27.

Forming method of channel polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: KR100208447B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Low-temperature polycrystalline silicon thin film and preparation method thereof and low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: CN104362084A. Автор: 朱涛,葛泳,刘玉成,顾维杰. Владелец: Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Method of transferring layer-by-layer thin films using adhesion difference, and photoreflective transferred thin film manufactured by the same

Номер патента: KR102181145B1. Автор: 정아름,염봉준,하나리. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-20.

Preparation method of novel nano-silver conductive thin film

Номер патента: CN106683790A. Автор: 司荣美,潘中海,刘彩风. Владелец: Tianjin Baoxingwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Manufacturing method of indium gallium zinc oxide thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: CN110438472B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via mocvd and related doped crystalline piezoelectric thin films

Номер патента: WO2020232458A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich,Arthur E. Geiss. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Preparation method of flat blocking type TFT (thin film transistor) anodized aluminum insulating layer

Номер патента: CN108505051B. Автор: 陈文彬,陈赞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-12-10.

Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions

Номер патента: US20060144293A1. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,Yoshimi Sato. Владелец: Yoshimi Sato. Дата публикации: 2006-07-06.

Radiation-Emitting Thin-Film Semiconductor Chip and Method of Producing a Radiation-Emitting Thin Film Semiconductor Chip

Номер патента: US20110121322A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-26.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TWI315103B. Автор: Hotta Kazushige,Kurosawa Yoshio. Владелец: Sharp Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films by changing the shape, size, or laser beam

Номер патента: TW200939481A. Автор: James S Im. Владелец: Univ Columbia. Дата публикации: 2009-09-16.

CHALCOGENIDE-CONTAINING PRECURSORS, METHODS OF MAKING, AND METHODS OF USING THE SAME FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Gatineau Julien,ISHII Hana,Minoura Mao. Владелец: L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of manufacturing highly conductive polymer thin film including plurality of conductive treatments

Номер патента: US20210054217A1. Автор: Dae Hun Kim,Tae Whan Kim,Na Hyun PARK. Владелец: Industry University Cooperation Founddation Hanyang University. Дата публикации: 2021-02-25.

DIALKYLZINC PARTIAL HYDROLYSATE-CONTAINING SOLUTION AND METHOD OF PRODUCTION OF ZINC OXIDE THIN FILM USING THE SOLUTION

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Naka Toshio,Toyota Kouji,Inaba Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: KIM Dae Ho,SHEALY Jeffrey B.,Winters Mary,Moe Craig,Kochhar Abhay Saranswarup. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Organic display panel, organic display device, organic light emitting device, method of manufacture of these, and thin film formation method

Номер патента: US20140312336A1. Автор: Yuuki Abe,Kenichi NENDAI,Naoko Mizusaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20190259889A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20170288075A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

APPARATUS FOR AND METHOD OF CRYSTALLIZING ACTIVE LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150348782A1. Автор: Ahn Sang-hoon,CHEONG Byoung-Ho,CHO Joo-Woan,CHOO Byoung-Kwon,Cho Hyun-Jin,HAN Soo-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6235649B1. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Method of forming high dielectric constant thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6448191B2. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani,Takehiko Sato,Shigeru Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-10.

Method of making an array of thin film photodiodes

Номер патента: DE19838373C2. Автор: Reinhold Buchner,Melanie Sax. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-01-31.

METHOD OF ISOLATING PATTERNS FORMED IN THIN FILM OF OXYDABLE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2879020B1. Автор: Maud Vinet,Jean Charles Barbe,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-04.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CA1177582A. Автор: Michael J. Lee. Владелец: National Research Development Corp of India. Дата публикации: 1984-11-06.

Method of fabricating Micropatterns of Platinum Thin Films by Fluoride-Based Inductively Coupled Plasma Eching

Номер патента: KR101574250B1. Автор: 김남영,왕종,요소,이양. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same comprising thin film containing low concentration of hydrogen

Номер патента: US7045818B2. Автор: Tsutomu Yamada,Shiro Nakanishi,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda,Kyoko Hirai,Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: US20070235876A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of treatment for water repellency, thin film forming method and method of manufacturing organic EL device using this method, organic EL device, and electric device

Номер патента: TW589918B. Автор: Hidekazu Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20030054638A1. Автор: Masayuki Saito,Junichi Taniuchi,Hiroaki Suzuki,Koji Okamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-03-20.

Preparation method and application of nano-modified graphene-based thin-film sensor

Номер патента: LU503607B1. Автор: Haidan Lin. Владелец: Electric Power Res Institute Of Jilin Electric Power Co Ltd Jilin China. Дата публикации: 2023-09-12.

Garlic-flavor fermented bean curd with low bacillus cereus content and preparation method thereof

Номер патента: CA3092190A1. Автор: Li Li,Chaohui Zhou,Zekun Jin,Chuanyun Liu,Tieqiao Li,Liling LU. Владелец: GUANGDONG PRB BIO-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Garlic-flavor fermented bean curd with low bacillus cereus content and preparation method thereof

Номер патента: CA3092190C. Автор: Li Li,Chaohui Zhou,Zekun Jin,Chuanyun Liu,Tieqiao Li,Liling LU. Владелец: GUANGDONG PRB BIO-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of welding of thin-sheet materials

Номер патента: RU2638090C1. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Алексей Пантелеевич Коржавый,Геннадий Владимирович Орлик,Антон Геннадьевич Орлик. Владелец: Антон Геннадьевич Орлик. Дата публикации: 2017-12-11.

Method of processing organic wastes

Номер патента: RU2766454C1. Автор: Леонид Александрович Аминов,Владимир Кириллович Сафонов. Владелец: Владимир Кириллович Сафонов. Дата публикации: 2022-03-15.

Light modulating element array and method of driving the light modulating element array

Номер патента: US20020027536A1. Автор: Koichi Kimura. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Preparation method of high-content saflufenacil

Номер патента: AU2021221601A1. Автор: Hui Ming Zhang,Yi Xiang Zhang. Владелец: Leadfarm Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Angle-resolved spectroscopic ellipsometer using spatial light modulator and thickness measuring method for thin film

Номер патента: US20240369473A1. Автор: Min Gyu Kim,Heui Jae Pahk. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods of controlling devices to enable physical retail commerce embedded into non-retail applications

Номер патента: WO2024163895A1. Автор: Francisco J. Rodriguez,Jean Van Damme,Andrew P. GENUALDI. Владелец: Walmart Apollo, LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making thin-film humidity sensor

Номер патента: RU2682259C1. Автор: Иван Михайлович Филиппов,Павел Васильевич Винокуров,Айыысхан Иванович Алексеев,Альберт Николаевич Капитонов,Светлана Афанасьевна Смагулова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-03-18.

Electronic timepiece with solar cell

Номер патента: EP1586963A1. Автор: Takashi c/o CITIZEN WATCH CO. LTD. OSA,Tomomi c/o CITIZEN WATCH CO. LTD. MURAKAMI,Hitoshi c/o CITIZEN WATCH CO. LTD. FUJITA. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-19.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of producing drinking functional water

Номер патента: RU2699548C1. Автор: Юрий Арсеньевич Колесник. Владелец: Петренко Андрей Валериевич. Дата публикации: 2019-09-06.

Super-hydrophobic thin film and method for preparing the same

Номер патента: US09702040B2. Автор: Yoonseok Choi,Jeongeon HAN,Su Bong JIN,Jun Suck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacturing method of the reflector

Номер патента: US12145299B2. Автор: Yun Soo HEO. Владелец: Alto Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Wearable device including eye tracking apparatus and operation method of the wearable device

Номер патента: US20210191511A1. Автор: Bonkon KOO,Jaewoo Ko,Soonseob HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Acetal, ketal, and hemiaminal analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: WO2024081962A3. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Atai Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of determining at least position of mobile component of driving assembly, for example internal combustion engine, gearbox or similar

Номер патента: RU2399874C2. Автор: Детлеф КЛЕММЕР,Андреас ХУКК. Владелец: Тиссенкрупп Краузе Гмбх. Дата публикации: 2010-09-20.

A kind of preparation method of two-dimentional perovskite thin film

Номер патента: CN105331950B. Автор: 袁建,李绍娟,鲍桥梁,薛运周. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-10.

Thin film transistor array panel

Номер патента: US20100270555A1. Автор: In-Ho Park,Kweon-Sam Hong,Jang-Il KIM,Doo-Hwan You,Hyun-Duck Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Thin film polarizer having superior optical properties, manufacturing method thereof, and polarizing plate and display device including the same

Номер патента: US09684104B2. Автор: Sung-Hyun Nam,Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of manufacturing cell-nanoscale thin film composite

Номер патента: US20190127693A1. Автор: Toshiaki Abe,Nobuhiro Nagai,Jin Suzuki,Hirokazu Kaji. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-05-02.

Self-assembling peptides incorporating modifications and methods of use thereof

Номер патента: US9481713B2. Автор: Shuguang Zhang,Yoshiyuki Kumada. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Self-Assembling Peptides Incorporating Modifications and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20140322279A1. Автор: Shuguang Zhang,Yoshiyuki Kumada. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of manufacturing palladium thin film by using electroless-plating method

Номер патента: US09631280B2. Автор: Young Kwan CHO,Kuan Soo SHIN. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-assembling peptides incorporating modifications and methods of use thereof

Номер патента: US09481713B2. Автор: Shuguang Zhang,Yoshiyuki Kumada. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Open loop thin film laser gyro

Номер патента: US4674881A. Автор: Timothy Williams,Anthony W. Lawrence,John R. Haavisto. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1987-06-23.

Stable and efficient light-emitting all-inorganic calcium fluoride perovskite quantum dot, preparation method therefor, and application thereof

Номер патента: EP4261266A1. Автор: Zhaoyu Wang,Yongsheng Liu,Maochun Hong,Youchao WEI. Владелец: Mindu Innovation Laboratory. Дата публикации: 2023-10-18.

Preparation method of high content saflufenacil

Номер патента: AU2024201111A1. Автор: Hui Ming Zhang,Yi Xiang Zhang. Владелец: Leadfarm Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional folding self-driving flexible respiration monitoring sensor and preparing method thereof

Номер патента: US11234615B2. Автор: Qi Huang,Si Wang,Zhen Yuan,Huiling Tai,Yadong Jiang,Bohao Liu,Guangzhong Xie. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-02-01.

For the preparation method of the silver/titanium dioxide thin-film material of blue light Hologram Storage

Номер патента: CN104810031B. Автор: 韩强,刘益春,张昕彤,付申成. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Method for the preparation of kabardian potato with tomatoes

Номер патента: RU2670009C1. Автор: Мадина Замировна Ламердонова. Владелец: Мадина Замировна Ламердонова. Дата публикации: 2018-10-17.

Method of polycarbonate preparation

Номер патента: WO2003106533A1. Автор: Patrick Joseph Mccloskey,Warren William Reilly,Brian James Grimmond. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2003-12-24.

Thin film envelope

Номер патента: US09604215B2. Автор: Donato Pompa. Владелец: Premier Lab Supply Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Novel aryl-thiohydantoin derivatives, androgen receptor inhibitors, method of producing and using thereof

Номер патента: RU2708253C2. Автор: Александр Георгиевич Мажуга,Ян Андреевич Иваненков,Глеб Михайлович Аверочкин,Егор Алексеевич Длин,Александр Валериевич Финько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-12-05.

Method of measuring electroconductivity of thin metal films

Номер патента: RU2697473C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Сергей Федорович Дмитриев,Владимир Николаевич Маликов,Александр Олегович Катасонов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-14.

Method of measuring the cut-off frequency of electroluminescence of local regions of a light-emitting heterostructure

Номер патента: RU2725613C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-07-03.

A kind of preparation method of silicon carbide-containing nanoparticulate thin films material

Номер патента: CN106498364A. Автор: 向鹏,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of treating produced or flowback water with nucleophilic agent to deactivate breaker

Номер патента: RU2681326C1. Автор: Брэндон Марк ВИТТУР,Чарлз Дейвид АРМСТРОНГ,Маршалл Г. ОЛТ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-03-06.

Pallet for locating and fixating an automobile semi-trailer on a flat wagon

Номер патента: RU2743296C2. Автор: Максим Леонидович Столбун,Александр Владимирович Дмитриченко,Олеся Анатольевна Смолина,Александр Константинович Баранников. Владелец: Акционерное общество "Завод металлоконструкций". Дата публикации: 2021-02-16.

Method of determining state of readiness and quality of food

Номер патента: RU2767711C1. Автор: Владислав Андреевич Кондрашов,Федор Сергеевич Федоров,Якин Айнул,Георгий Викторович Овчинников,Альберт Галиевич Насибулин. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2022-03-18.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Rotation-percussion evaporator and method of vacuum transfer of complex liquids on its basis

Номер патента: RU2640198C1. Автор: Роман Иванович Якименко. Владелец: Роман Иванович Якименко. Дата публикации: 2017-12-27.

System and method of obtaining angiographic images with automatic regulation of shutter for obtaining reduced range of vision, including segmented target structure or pathological change for reduction of x-ray dose in minimally invasive interventions with radiographic control

Номер патента: RU2521692C2. Автор: Михаэль ГРАСС,Дирк ШЕФЕР,Герт А. Ф. СХОНЕНБЕРГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of improving accuracy of determining celestial orientation and prolonged maintenance of high accuracy of determining orientation and apparatus therefor

Номер патента: RU2585179C1. Автор: Олег Юрьевич Стекольщиков,Андрей Игоревич Захаров,Михаил Евгеньевич Прохоров,Марат Керимович Абубекеров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Азмерит", ООО "Азмерит". Дата публикации: 2016-05-27.

A kind of integrated device and preparation method of pliable pressure sensor and thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN105841849B. Автор: 周涛,全勇,陈志�,刘腾飞,魏雄邦,肖伦. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-15.

Scale production method of producing recombinant lentiviral vectors in cell culture system in serum-free suspension

Номер патента: RU2709678C2. Автор: Гуан ЦЮЙ,Джон Фрейзер РАЙТ. Владелец: Дзе Чилдрен'З Хоспитал Оф Филадельфия. Дата публикации: 2019-12-19.

A kind of GaFeO3The preparation method of ceramic target and nano thin-film

Номер патента: CN107056271A. Автор: 赵世峰,白玉龙,邬新,陈介煜,肖忠睿. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2017-08-18.

A kind of preparation method of nano combined polyvinyl fluoride thin film

Номер патента: CN106280143A. Автор: 吴迪,邹宇帆,许博伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Equipment and method of cleaning carpet

Номер патента: RU2495175C2. Автор: Ристо КУННАС,Арво ЛАХТИНЕН,Кари МАТУЛА. Владелец: Вест Хит Раума Ой. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of manufacturing of warm footwear from felt

Номер патента: RU2664236C1. Автор: Елена Александровна Кирсанова,Ирина Николаевна Леденёва,Богдан Петрович Зарицкий. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-08-15.

A kind of preparation method of chitosan-polyurethane anti-fog thin film

Номер патента: CN107987304A. Автор: 姚伯龙,谈敏,徐颖聪. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-04.

Apparatus for and method of reading printed and electronic codes

Номер патента: EP2756448A1. Автор: Mark Drzymala,Edward Barkan,Chinh Tan. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-23.

A kind of preparation method of two-dimentional tungsten sulfide thin-film material

Номер патента: CN107043922A. Автор: 冯奕钰,封伟,郑楠楠. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-15.

A kind of preparation method of Zr Cu metal glass thin film

Номер патента: CN104532190B. Автор: 张倩,张博. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2017-03-15.

Tdr-based system for detection of hand touch positionings on an object, particularly on a steering wheel for the purpose of hand gesture recognition

Номер патента: WO2021191401A1. Автор: Laurent Lamesch,Thomas Stifter,Thomas Faber,Baptiste Anti,Andreas Fox,Michael Puetz. Владелец: IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A.. Дата публикации: 2021-09-30.

Immobilization of an active agent on a substrate

Номер патента: US09642949B2. Автор: Ton That Hai,John-Bruce Devault Green,Timothy Michael Fulghum,Phillip Byron Messersmith,Tadas Stanislovas Sileika. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

The preparation facilities and method of a kind of three-dimensional micro-nano structure device

Номер патента: CN106801248A. Автор: 孟跃中,肖敏,王拴紧,任山,韩冬梅,洪澜,孟嘉欣. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-06-06.

The preparation facilities and method of a kind of high density OPE

Номер патента: CN107286274A. Автор: 张广辉. Владелец: Hengshui Yi New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

A kind of pvc pipe imitates the preparation and coating method of metal coating

Номер патента: CN110105818A. Автор: 王勇豪,高云方,於贻华. Владелец: Zhejiang Fengyuan New Material Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-09.

Display device and display method of display device

Номер патента: US20240219746A1. Автор: Guowei Zha,Fancheng LIU,Yunni CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of improving probability of Knowing through which slit in a double slit system a particle or photon passes while still forming an interference pattern

Номер патента: US20100243917A1. Автор: James D. Welch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of manufacturing optical element with lens-barrel

Номер патента: US6986267B2. Автор: Hiroaki Fujita,Katsunori Mukasa. Владелец: Fujinon Corp. Дата публикации: 2006-01-17.

Method of preparing surface membrane antigens from human carcinoma cells

Номер патента: WO1990000398A1. Автор: James Lloyd McCoy. Владелец: Immuquest Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1990-01-25.

Method of managing manufacturing line

Номер патента: US20240103500A1. Автор: Teruhiko TENNOJI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of generating 3d scan data through broadband lidar scan-based image interpolation and apparatus for providing platform

Номер патента: US20240212176A1. Автор: Youngwung Yu. Владелец: Luxpm Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of producing injection-molded article and mold for injection molding

Номер патента: US20110193266A1. Автор: Yasunori Fukuta. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of fabricating a bare aluminum conductor

Номер патента: US20040211588A1. Автор: Graham Stratford,Rosaire Begin,Danny Elder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Peeling method of cover member and manufacturing method of liquid ejecting head

Номер патента: US20180162131A1. Автор: Tatsuro Hotta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Peeling method of cover member and manufacturing method of liquid ejecting head

Номер патента: US10479083B2. Автор: Tatsuro Hotta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Method and device for controlling the orientation and alignment of individual sheets of paper passing on a conveyor

Номер патента: US20030146568A1. Автор: Christian Delfosse,Philippe Dumont. Владелец: C P Bourg SA. Дата публикации: 2003-08-07.

Method of producing microstructure and liquid ejection head

Номер патента: US20240310729A1. Автор: Satoshi Tsutsui,Isao Imamura,Hiroki Kihara,Haruka Yamaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Dandelion powder containing sanghuang culture medium and culture method of same

Номер патента: LU506610B1. Автор: Xiaoping Wu,Junli Zhang,Lei Gao,Xuefeng Zhu,Rong Xie,Junsheng Fu,Huijuan Sun,Danzeng Baima. Владелец: Inst Of Vegetable Tibet Academy Of Agricultural And Animal Husbandry Sciences. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of evaluating fatty liver related disease, fatty liver related disease-evaluating apparatus, fatty liver related disease-evaluating method, fatty liver related disease-evaluating program product, fatty liver related disease-evaluating system, information communication terminal apparatus, and method of searching for prophylactic/ameliorating substance for fatty liver related disease

Номер патента: US09971866B2. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuo Takahashi,Toshihiko Ando,Fumihiko Takatsuki,Minoru YAMAKADO. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Touch panel, method of producing the same, optical thin film substrate and method of producing the same

Номер патента: US09891731B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Toshihiro Suzuki,Makoto Arai,Manabu Harada,Masashi Kubo,Atsuhito Ihori,Hidenori Yanagitsubo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing flow path member, flow path member, and liquid ejecting head

Номер патента: US09873251B2. Автор: Isamu Togashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of processing input/output in storage device and storage device and non-volatile memory device using the method

Номер патента: US09836226B2. Автор: In-Sung Song,Chan-Ik Park,Young-Ho Park,Chul Lee,Nam-Wook Kang,In-Hwan Doh,Kwang-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of producing structure containing phase-separated structure and method of forming top coat film

Номер патента: US09644110B2. Автор: Takahiro Dazai,Takehiro Seshimo,Yoshiyuki Utsumi,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making semiconductor substrate using an etching mask and method of making liquid ejection head substrate using an etching mask

Номер патента: US09457559B2. Автор: Hiroshi Higuchi,Takayuki Kamimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Preventing unnecessary context switching by employing an indicator associated with a lock on a resource

Номер патента: US09384049B2. Автор: Andrew D. Rogers,Neill M. Clift. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Preparation method and application of perovskite type calcium zirconate composite material

Номер патента: CN112090421A. Автор: 马磊,刘伟军,高建军,周碧如,周汾涛,韩培威. Владелец: Shanxi Jinhuankeyuan Environment Resource Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-18.

A kind of preparation method and its usage of bismuth ferrite thin film

Номер патента: CN110066978A. Автор: 李冰,赵勇,孙柏,付国强,朱守辉. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2019-07-30.

Process for the preparation of an aromatic hydrocarbon mixture

Номер патента: CA1243977A. Автор: Eduard P. Kieffer. Владелец: Shell Canada Ltd. Дата публикации: 1988-11-01.

Preparation method and application of perovskite material

Номер патента: CN114671458B. Автор: 李贞�,吕扬,吕杨杨,仇洪波,孙道荣,赵松建,刘钰婷. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2023-06-23.

Method of operating light curtain with deactivated zone control

Номер патента: US5281809A. Автор: E. Peter Anderson,James A. Ashford,Richard Klass. Владелец: Scientific Technologies Inc. Дата публикации: 1994-01-25.

A kind of method of purifying carbon nano-tube thin film

Номер патента: CN106477550A. Автор: 方英,李红变,史济东. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2017-03-08.

Growth inhibitor for forming pellicle-protective thin film, method of forming pellicle-protective thin film using growth inhibitor, and mask fabricated by method

Номер патента: US20230251565A1. Автор: Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seung Chul DO,Ho Lim WANG. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Ester analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: WO2024081961A2. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Peter Martin DOVE,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Invyxis, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

A security device and method of making thereof

Номер патента: WO2019043366A1. Автор: John Godfrey,Rebecca LOCKE,Meagan DE LA BASTIDE. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2019-03-07.

Acetal, ketal, and hemiaminal analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: WO2024081962A2. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Invyxis, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Acetal, ketal, and hemiaminal analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: US20240182415A1. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Atai Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Ester analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: US20240158350A1. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Peter Martin DOVE,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Atai Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Ester analogs of psilocin, processes for the preparation thereof, and methods of use

Номер патента: WO2024081961A3. Автор: Harpreet Kaur,Jeffrey O'meara,Peter Martin DOVE,Ahmed Magdy ALI. Владелец: Atai Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

A security device and method of making thereof

Номер патента: EP3676103A1. Автор: John Godfrey,Rebecca LOCKE,Meagan DE LA BASTIDE. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

A security device and method of making thereof

Номер патента: AU2018322924A1. Автор: John Godfrey,Rebecca LOCKE,Meagan DE LA BASTIDE. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a carbon-based structure using laser radiation and corresponding device

Номер патента: EP3685147A1. Автор: Adam North Brunton,Sebastian NUFER. Владелец: M Solv Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Qpt gene engineered plant cell and using method of the same

Номер патента: US20240229053A1. Автор: Young Gi Lee,Kwang Chul Kim,Jeong Heon Lee,Hyo Seok Seo,Dong Sung Jang,Woong Hyun NA. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing growth of two-dimensional material

Номер патента: US10138543B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Method of forming pattern, photomask and nanoimprint mold master

Номер патента: WO2013147315A1. Автор: Toru Tsuchihashi,Toshihiro Usa,Tomokazu Seki,Ikuo Takano. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of making a film negative

Номер патента: EP4147092A1. Автор: John Maneira. Владелец: MacDermid Graphics Solutions LLC. Дата публикации: 2023-03-15.

Method of analyzing growth of two-dimensional material

Номер патента: US20160148369A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of manufacturing dichroic filter array

Номер патента: US20070264586A1. Автор: Yi-Tyng Wu,Fu-Kuo Ou. Владелец: United Microdisplay Optronics Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Manufacturing method of display panel and display device

Номер патента: US20210294150A1. Автор: Zhenhui CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

System and method of providing accessibility in use of digital ink

Номер патента: US20240273935A1. Автор: Mrinal Kumar Sharma. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

A method of producing a tin oxide coating

Номер патента: WO2003066931A8. Автор: Carolus Ida Maria Antoniu Spee,Mol Antonius Maria Bernard Van. Владелец: Mol Antonius Maria Bernard Van. Дата публикации: 2003-12-24.

System and method of providing accessibility in use of digital ink

Номер патента: WO2024167725A1. Автор: Mrinal Kumar Sharma. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of processing a grain product

Номер патента: EP2991506A1. Автор: James C. Breslin,Stephen J. Kalchik,Michael F. Raymond. Владелец: Process Partners Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

Method of processing a grain product

Номер патента: US20140308411A1. Автор: James C. Breslin,Stephen J. Kalchik,Michael F. Raymond. Владелец: Process Partners Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Method of manufacturing optical film

Номер патента: US09927653B2. Автор: Akio Yamashita,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of processing a grain product

Номер патента: US09648901B2. Автор: James C. Breslin,Stephen J. Kalchik,Michael F. Raymond. Владелец: Process Partners Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of depositing an atomic layer

Номер патента: US09556520B2. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of depositing low stress hafnium thin films

Номер патента: US4056457A. Автор: John Louis Vossen, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

Novel molybdenum compound, method of producing the same, and method of producing molybdenum-containing thin film including the same

Номер патента: WO2024019487A1. Автор: Young Jin Kim,Mi Jung Han,Kang Yong Lee,Jin Mook Lim,Han Sang Song. Владелец: M Chemicals Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Stents with drug reservoir layer and methods of making and using the same

Номер патента: EP2146757A2. Автор: Jan Weber,Liliana Atanasoska,Robert W Warner. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2010-01-27.

Adsorbent composition modified by a metal, its preparation method, method of adsorbing phosphorus or phosphate, composition comprising adsorbed phosphorus or phosphate, and its use as a fertilizer

Номер патента: WO2024213945A1. Автор: Manuel Fernando RIBEIRO PEREIRA,Olivia Salome Goncalves Pinto Soares,Ariana MACIEL ABRANCHES PINTOR,Cidália BOTELHO,Nuno FERNANDO RODRIGUES E SOUSA. Владелец: UNIVERSIDADE DO PORTO. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of producing retinal pigment epithelial cell sheet

Номер патента: US09902933B2. Автор: Satoshi Okamoto,Masayo Takahashi,Hiroyuki Kamao. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2018-02-27.

Device, system, and method of liveness detection utilizing voice biometrics

Номер патента: US09484037B2. Автор: Almog Aley-Raz,Nir Moshe Krause,Michael Itzhak Salmon,Ran Yehoshua Gazit. Владелец: Nuance Communications Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM-FORMING COMPOSITION, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140287251A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of assessing the phase state of hydrocarbon fluids in porous space of oil and gas condensate reservoirs by a complex of neural methods

Номер патента: RU2692088C1. Автор: Сергей Александрович Кирсанов,Сергей Алексеевич Егурцов,Юрий Владимирович Иванов,Анатолий Кузьмич Арабский,Игорь Александрович Зинченко,Олег Борисович Арно,Александр Иванович Лысенков,Анатолий Васильевич Меркулов,Евгений Иванович Филобоков,Азат Тагирьянович Нигматов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационные нефтегазовые технологии" (ООО "ИНГТ"). Дата публикации: 2019-06-21.

Controlling method of the thickness of a thin film when forming that film

Номер патента: EP0451329B1. Автор: Susumu Komoriya,Masataka Shiba,Yashuhiko Hachimanyama Apt. 233 Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-01-28.

Composition and method of tropicalizing chocolate

Номер патента: WO2015028656A1. Автор: Christopher Hughes. Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2015-03-05.

14-Amino steroid derivatives, a process for the preparation thereof and method of use thereof

Номер патента: US4552868A. Автор: Francois-Xavier Jarreau,Jean-Jacques Koenig. Владелец: Nativelle Ets Sarl. Дата публикации: 1985-11-12.

A method of preparing metal phthalocyanine monocrystal thin films in the grapheme modified substrate of copper film

Номер патента: CN107747130B. Автор: 窦卫东. Владелец: University of Shaoxing. Дата публикации: 2018-09-11.

Cover method of thin film recording head and method of providing bonding pad on thin film recording head

Номер патента: JPH11328618A. Автор: Wei Pan,ウェイ・パン,Ann Kang,アン・カン,Jerome Marcelino,ジェローム・マルセリノ. Владелец: MKE QUANTUM COMPONENTS LLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Swellable and structurally homogenous hydrogels and methods of use thereof

Номер патента: US11873374B2. Автор: Linyi GAO,Edward Stuart Boyden,Chih-Chieh YU,Ruixuan GAO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon-containing intermediates for the preparation of astaxanthin; methods of preparation

Номер патента: NZ240765A. Автор: Peter Moldt. Владелец: Neurosearch AS. Дата публикации: 1994-03-25.

Swellable and Structurally Homogenous Hydrogels and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20240174818A1. Автор: Linyi GAO,Edward Stuart Boyden,Chih-Chieh YU,Ruixuan GAO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-05-30.

Operation method of electronic device for sensing optical signal and electronic device

Номер патента: US11709569B2. Автор: Chin-Lung Ting,Ming-Chun Tseng,Li-Wei Mao,Ker-Yih Kao. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Operation method of electronic device for sensing optical signal and electronic device

Номер патента: US20230325036A1. Автор: Chin-Lung Ting,Ming-Chun Tseng,Li-Wei Mao,Ker-Yih Kao. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of obtaining compositions including heat shock proteins or alpha-2-macroglobulin, suitable for treatment of malignant tumour and infectious disease

Номер патента: RU2335295C2. Автор: Прамод К. СРИВАСТАВА. Владелец: Юниверсити Оф Коннектикут Хелт Сентер. Дата публикации: 2008-10-10.

Preparation method of composite inorganic-organic hybrid thin film based on ALD (atomic layer deposition) technology

Номер патента: CN103510074A. Автор: 吴迪,李爱东,曹燕强,曹正义. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-15.

Manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film and titanium oxide thin film manufactured by the method

Номер патента: KR20120069093A. Автор: 김진호,황종희,임태영,이미재,김세기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2012-06-28.

Manufacturing Method of Graphene Coated Carbon Ultra-Thin Film and Graphene Coated Carbon Ultra-Thin film by same the method

Номер патента: KR102219873B1. Автор: 박지웅,남준식,샴슈딘 모하메드. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of depositing a ruthenium metal thin film or ruthenium oxide thin film

Номер патента: US9347133B2. Автор: Jun Young Kim,Jung Woo Park,Kwang Deok Lee,Whee Won Jin. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Patterning method of transparent conductivity film and thin film transistor substrate for display device using the same and fabricating method thereof

Номер патента: KR100538326B1. Автор: 안병철. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-22.

CRUDE POTATO STICK FOR THE PREPARATION OF FRIES, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND APPARATUS FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: PT65975A. Автор: . Владелец: ARO SA. Дата публикации: 1977-01-01.

Supported heteropolyacid catalyst on a silica support formed by flame hydrolysis

Номер патента: US5714429A. Автор: Gordon John Haining. Владелец: BP Chemicals Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Low-temperature preparation method of metal nanowire transparent conducting thin film

Номер патента: CN106563632A. Автор: 吴欣凯,连璐,何谷峰,奚馨. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of manufacturing aluminum - carbon composite thin film and aluminum - carbon composite thin film

Номер патента: KR20230014414A. Автор: 최현주,심기동,오인종,김호장. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-01-30.

The preparation facilities and method of the silicon rubber of room for improvement electric charge rapid dispersion

Номер патента: CN107057355A. Автор: 杜伯学,李忠磊,杨卓然. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-18.

COATING LIQUID FOR DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD OF DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: JP2004339057A. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,善美 佐藤,Yoshimi Sato,敦史 川上,義行 竹内. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical thin film and preparation method thereof, the shell with the optical thin film

Номер патента: CN109471207A. Автор: 高育龙,杨广舟,王贵生,洪莘. Владелец: Shine Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-15.

TOUCH PANEL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, OPTICAL THIN FILM SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160109971A1. Автор: Suzuki Toshihiro,Kubo Masashi,Matsumoto Masahiro,HARADA Manabu,ARAI Makoto,IHORI Atsuhito,YANAGITSUBO Hidenori. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming by ALD a thin film of formula MYx

Номер патента: US20150211112A1. Автор: Martin François,THIEULEUX Chloe,CADOT Stéphane,QUADRELLI Elsje. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

The preparation facilities and method of self-supporting three-dimensional structure sub-micron fibers beading composite membrane

Номер патента: CN108588859A. Автор: 俞建勇,熊健,覃小红,吴媛媛. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-28.

The preparation facilities and method of lead dioxide electrode

Номер патента: CN106757248A. Автор: 陈述声,肖书军. Владелец: Shenzhen City Tachibanai Shu Quan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

A contact structure of a wires and a method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010105973A. Автор: 김상갑. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20090205538A1. Автор: David M. Thompson,Joan Geary,Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominquez. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

The preparing and purifying method of gallium three chloride

Номер патента: KR20060085383A. Автор: 홍진희. Владелец: 홍진희. Дата публикации: 2006-07-27.

The preparation and regeneration method of spherical activated charcoal

Номер патента: CN108970578A. Автор: 常明珠. Владелец: Shenzhen Global Green Space New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of frame plating and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US6558516B1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of determining properties of patterned thin film metal structures using transient thermal response

Номер патента: EP1573267A1. Автор: Michael Gostein,Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

The preparation and detection method of fluorescent composite nanoparticle for DNA detection

Номер патента: CN106770088B. Автор: 李立东,王晓瑜,刘录,朱书贤. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2019-06-11.

Method of accurately measuring compositions of thin film shape memory alloys

Номер патента: US6620634B2. Автор: A. David Johnson,Valery Martynov. Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2003-09-16.

The preparation facilities and method of refractory metal base gradient composite material

Номер патента: CN107962169A. Автор: 孟静. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-27.

Method of producing a poly-Si thin film transistor by using a layer of CeO2 and an A/R coating layer

Номер патента: KR100367638B1. Автор: 유진수,준 신 이,김도영,이인,안병재. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2003-01-10.

Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20090203917A1. Автор: David M. Thompson,Joan Geary,Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominquez. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20090136684A1. Автор: David M. Thompson,David Walter Peters. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Novel Organo-Tin Compounds, Preparation method thereof, and Method for deposition of thin film using the same

Номер патента: KR20230082832A. Автор: 박보근,정택모,김창균,임종선,신선영,신로사. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2023-06-09.

A storage method of human corneal endothelial cells and/or human corneal endothelial precursor cells

Номер патента: US20230380417A1. Автор: Shigeru Kinoshita,Morio Ueno,Chie Sotozono,Munetoyo Toda. Владелец: Kyoto Prefectural PUC. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of manufacture of high-temperature thin-film resistor

Номер патента: RU2326460C1. Автор: Игорь Валерь нович Волохов,Игорь Валерьянович Волохов,Евгений Владимирович Песков,Дмитрий Валентинович Попченков. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-06-10.

The method of production of devices with thin film superconducting junctions

Номер патента: RU2442246C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Леонид Сергеевич Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

3-phenyl-4-cyanopyrrole derivatives, the preparation thereof, and method of use thereof as microbicides

Номер патента: CA1225651A. Автор: Robert Nyfeler. Владелец: Ciba Geigy Investments Ltd. Дата публикации: 1987-08-18.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Preparation method of soya preserved product

Номер патента: RU2358455C1. Автор: Сергей Михайлович Доценко,Ольга Валерьевна Скрипко,Ольга Владимировна Филонова,Ольга Ивановна Любимова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт сои Россельхозакадемии. Дата публикации: 2009-06-20.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nano- and micro-electromechanical pressure sensor system and pressure sensor based on said system

Номер патента: RU2398195C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Павел Сергеевич Чернов. Владелец: Павел Сергеевич Чернов. Дата публикации: 2010-08-27.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY CIS THIN FILM FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20130045565A1. Автор: Yoon Kyung-Hoon,Shin Kee-Shik,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Ahn Se-Jin,Ahn Seoung-Kyu,SONG Ki-Bong,Gwak Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM LAMINATED BODY AND PRODUCTION METHOD OF SAME, AND SILICON-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120024381A1. Автор: Abe Yoshiyuki,Nakayama Tokuyuki. Владелец: Sumitomo Metal Mining., Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

THIN FILM SOLAR CELL MODULE INCLUDING SERIES-CONNECTED CELLS FORMED ON A FLEXIBLE SUBSTRATE BY USING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130032197A1. Автор: FOTI MARINA,SPARTA NOEMI GRAZIANA,LOMBARDO SALVATORE,DIMARCO SILVESTRA,RAVESI SEBASTIANO,GERARDI COSIMO. Владелец: STMicroelectronics S.r.I.. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD OF PRODUCTION OF CIS-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120258562A1. Автор: . Владелец: SHOWA SHELL SEKIYU K. K.. Дата публикации: 2012-10-11.

A New or Improved Process for the Manufacture of Light Sensitive Paper Cardboard and the like

Номер патента: GB190302697A. Автор: Paul Schoenecker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-02.

Method of jigging and jigging machine for realization of this method

Номер патента: RU2236301C2. Автор: А.И. Матвеев,А.А. Кормухин. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 2004-09-20.

A method of growing a silicon carbide thin film on a (111) silicon substrate

Номер патента: TW201042709A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Jui-Min Liu,Wei-Yu Chen,Wei-Cheng Lai,Chih-Fang Hwang,Shao-How Lu. Владелец: Prec Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hookah and preparation method thereof

Номер патента: RU2597579C2. Автор: Чжисюань ЧЖЭН,Цзюньсян ЧЖЭН. Владелец: Чаннин Дэкан Байотекнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-09-10.

Methods of Soldering to High Efficiency Thin Film Solar Panels

Номер патента: US20120088327A1. Автор: WANG FEI,Kress Markus,Brand Adam,Chang Inchu,Liu Kuo-Wei,Straub Axel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of missile command signal formation

Номер патента: RU2335730C2. Автор: Александр Викторович Богданов,Валентин Александрович Голубенко,Александр Александрович Кучин,Александр Иванович Пекарш,Юрий Иванович Белый,Андрей Александрович Филонов,Владимир Васильевич Киселёв,Андрей Викторович Синицын,шин Сергей Михайлович Ман,Сергей Михайлович Маняшин,Юрий Валентинович Нечаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОКБ Траверз". Дата публикации: 2008-10-10.

Method of decontaminating radioactive-contaminated metal and non-metal surfaces

Номер патента: RU2586967C1. Автор: Валерий Афанасьевич Доильницын,Леонид Васильевич Шмаков,Андрей Андреевич Акатов,Юрий Сергеевич Коряковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2016-06-10.

A kind of preparation method of chemical modification wood fibre thin-film material

Номер патента: CN105061789B. Автор: 施庆珊,陈铭杰. Владелец: Guangdong Institute of Microbiology. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of a ferric iron hydroxide hydrosol production

Номер патента: RU2250914C1. Автор: А.Д. Неклюдов,А.И. Поздняков,Г.Н. Федотов,Г.Н. Федотов (RU),А.Д. Неклюдов (RU),ков А.И. Поздн (RU). Владелец: Московский государственный университет леса (МГУЛ). Дата публикации: 2005-04-27.

A kind of preparation method of high tuning rate BMNT thin-film material

Номер патента: CN104087904B. Автор: 许丹,李玲霞,董和磊,金雨馨,于士辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of preparation method of Konjac Glucomannan and the thin-film evaporator adopted thereof

Номер патента: CN103193896B. Автор: 刘敏,李进伟,李云霄,张林峰,肖湘,罗立新,朱维维,罗天瑞. Владелец: WUHAN KONIFIBER BIOTECHNOLOGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of quality control of interference fit

Номер патента: RU2641613C2. Автор: Валерий Павлович Иванников,Анна Валерьевна Кабакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Удмуртский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

The preparation facilities and method of a kind of polyaniline nano fiber

Номер патента: CN104630917B. Автор: 李涛,秦宗益,曾凡鑫,梁浜雷,窦振军. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transducer/transformer assembly.

Номер патента: MY107619A. Автор: Zhu Shengbo,Lin Fong-Jei. Владелец: Magnex Corp. Дата публикации: 1996-05-15.

An Improved Method of Photographing Objects and Enlarging Negatives and Apparatus therefor.

Номер патента: GB190114510A. Автор: Louis Dreyfus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-10-19.

A kind of preparation method for light-catalysed Zinc oxide doped thin film of titanium oxide

Номер патента: CN103361631B. Автор: 何丹农,姜来新,尹桂林. Владелец: Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method of regulating resistance value of thin film resistance element

Номер патента: JPS5630705A. Автор: Yasuo Kitahata,Yuuzou Ozaki. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1981-03-27.

Method of forming aluminum gate of thin film transistor

Номер патента: TW410383B. Автор: Ding-Jang Jang,Bo-Sheng Shr,Du-Ren Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-01.

Method of forming pattern of hybrid thin film integrated circuit

Номер патента: JPS5544753A. Автор: Susumu Okamoto,Masao Kiyouno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Method of improving planarization of ITO thin film

Номер патента: TW200407459A. Автор: Tiau-Hung Shiau. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-05-16.

Method of conveying flow formation in main line

Номер патента: RU2537651C2. Автор: Валерий Вильгельмович Петрашкевич,Евгений Николаевич Беллендир,Александр Валерьевич Петрашкевич,Петр Федорович Собкалов,Федор Петрович Собкалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники имени Б.Е. Веденеева". Дата публикации: 2015-01-10.

Nano honeycomb titanium dioxide structure thin film with rough surface and preparation method of nanohoneycomb titanium dioxide structure thin film

Номер патента: CN102418133A. Автор: 何春年,赵乃勤,师春生,刘恩佐,李家俊,杜希文,初飞. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-18.

Ferroelectric thin film material, manufacturing method of ferroelectric thin film material, manufacturing method of dielectric bolometer using ferroelectric thin film material, dielectric bolometer, and infrared detection element using the same

Номер патента: JP3683095B2. Автор: 実 野田,和彦 橋本,雅則 奥山,久保　　竜一,華平 許. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Thin film structure of solar cell absorption layer

Номер патента: CN202917501U. Автор: 周德才,谢祥渊. Владелец: GUANGDONG GOLD PV ENERGY INVESTMENT CO Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Method of making low dielectric constant thin film

Номер патента: TWI231000B. Автор: Ming-Sheng Yang,Neng-Huei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-11.

Method of making ni-w-p thin-film resistors

Номер патента: PL288130A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of making ni-co-p thin-film resistors

Номер патента: PL288129A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin-film transistor.

Номер патента: SG19094G. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe. Владелец: Seikosha Co Limited. Дата публикации: 1994-06-10.

Method of fabricating low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TWI283070B. Автор: Shih-Lung Chen,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of manufacturing optical thin film and method of manufacturing substrate having optical thin film

Номер патента: JP3404346B2. Автор: 健 川俣. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

SOLAR CELL MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MOBILE APPARATUS WITH THE SOLAR CELL MODULE

Номер патента: US20120055531A1. Автор: Ryu Jin Mun,Oh Seung Yun,Song In Taek,Kim Tae Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD OF PRODUCING POROUS VALVE METAL THIN FILM AND THIN FILM PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20130017115A1. Автор: Komukai Tetsufumi,Osako Toshiyuki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Preparation method of Bi-based chalcogenide thermoelectric thin film

Номер патента: CN102337524B. Автор: 陈立东,陈喜红,刘付胜聪,孙正亮. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-17.

Preparation method of nitrogen-doped titanium oxide thin film

Номер патента: CN103160802A. Автор: 万军,陈波,李超波,夏洋,黄成强,饶志鹏,石莎莉,赵柯杰,吕树玲. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Preparation method of polymer-stabilized liquid crystal thin film material with wide wave reflection

Номер патента: CN103275736B. Автор: 王玲,陈兴武,宋平,阮云芳. Владелец: ZHEJIANG XINGXING OPTICS MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

A preparation method for a silver nanowire transparent conductive thin film having double protection films

Номер патента: CN105139924A. Автор: 李璐,陈善勇,刘碧桃,金容�,阮海波. Владелец: Chongqing University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2015-12-09.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287B. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564B. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2013-05-01.

Preparation method of rare earth red-light thin film with PMMA as substrate

Номер патента: CN104045954A. Автор: 李川,何健,杨朝龙,尚明勇,王国霞,刘少君,姜郭庆. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2014-09-17.

Preparation method of low-stress tantalum-nitrogen thin film

Номер патента: CN102361006A. Автор: 林宏. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Preparation method of top gate metal oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN102157564A. Автор: 董承远,施俊斐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2011-08-17.

Preparation method of hybridized hierarchical structure sensitive thin-film sensing device based on two-dimensional material

Номер патента: CN104597082A. Автор: 蒋亚东,谢丹,朱宏伟,王靖,李娴,朱淼,向兰,徐建龙,戴睿轩,赵远帆. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-06.

Preparation method of vanadium dioxide nano rodlike thin film

Номер патента: CN103556198A. Автор: 李永祥,刘志甫,孙大志,屈钰琦. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2014-02-05.

Preparation method of thorn-ball photochromic MoO3 thin film

Номер патента: CN103288138A. Автор: 李珍,沈毅,鄢鹏,胡凤萍,阳雅丽,肖伊琳. Владелец: China University of Geosciences. Дата публикации: 2013-09-11.

Preparation method of nano titanium dioxide photocatalyst thin film

Номер патента: CN104226287A. Автор: 童惠君,程黎放. Владелец: JIANGSU HENGZHI NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20120004322A1. Автор: . Владелец: MORINAGA & CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LOW ZIRCONIUM, HAFNIUM-CONTAINING COMPOSITIONS, PROCESSES FOR THE PREPARATION THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Meiere Scott Houston,Natwora,JR. James Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Method of x-ray diffractometry of thin films

Номер патента: SU1536284A1. Автор: Виталий Васильевич Аристов,Леонид Григорьевич Шабельников. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР. Дата публикации: 1990-01-15.

Method of electric-spark application of thin-film coatings

Номер патента: SU730522A1. Автор: Михаил Константинович Мицкевич,Алла Ивановна Бушик,Иван Алексеевич Бакуто,Владимир Анатольевич Шилов,Жорж Адамович Мрочек. Владелец: Физико-технический институт АН Белорусской ССР. Дата публикации: 1980-04-30.

Method of making magnetic cores of thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1683066A1. Автор: Сергей Викторович Павлов,Леонид Николаевич Герасимук,Василий Андреевич Сагайдак,Елена Андреевна Шейгас,Игорь Михайлович Брызгин. Владелец: Предприятие П/Я В-8071. Дата публикации: 1991-10-07.

Holographic method of determination of thermoplastic media thin film rheological characteristics

Номер патента: SU945846A1. Автор: Андрей Андреевич Козак,Николай Григорьевич Находкин,Святослав Иванович Сорока,Иван Иванович Ляшко,Юрий Маркович Барабаш,Николай Георгиевич КУВШИНСКИЙ. Владелец: Киевский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Т.Г.Шевченко. Дата публикации: 1982-07-23.

Method of measuring the thickness of thin films on substrates

Номер патента: SU684299A1. Автор: Владимир Афанасьевич Конев,Николай Николаевич Пунько,Николай Васильевич Любецкий. Владелец: Центральное Конструкторское Бюро С Опытным Производством. Дата публикации: 1979-09-05.

Sputtering target material, manufacturing method of sputtering target material, and manufacturing method of laminated substrate with piezoelectric thin film

Номер патента: JP7022853B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,文正 堀切. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Holographic method of determination of characteristics of thin films of thermoplastic media

Номер патента: SU1555696A1. Автор: Борис Николаевич Тюшкевич,Михаил Николаевич Нижник. Владелец: Институт электроники АН БССР. Дата публикации: 1990-04-07.

Method of measuring elastic modulus of thin film type optical path control device

Номер патента: KR19980069193A. Автор: 김성욱. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-10-26.

Preparation method of cadmium sulfide/ Co-doped cadmium selenide sensitizer for solar cell

Номер патента: CN104681280A. Автор: 何胜,赵川,邹小平,滕功清. Владелец: Beijing Information Science and Technology University. Дата публикации: 2015-06-03.

METHOD OF PREPARATION OF HIGH-CONDUCTIVE THIN FILMS BASED ON Cu6PS5I IODIDE-PENTATHYPHOSPHATE AS A MATERIAL FOR SOLID-ELECTROLYTIC GELGER

Номер патента: UA112612U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2016-12-26.

Low temperature molten salts electrolyte and its preparing method, and preparing method applied the electrolyte to produce platinum thin film

Номер патента: TW200846507A. Автор: Chen-Wei Chou,Chao-Chen Yang. Владелец: Univ Nat Yunlin Sci & Tech. Дата публикации: 2008-12-01.

METHOD OF FABRICATING CIS OR CIGS THIN FILM

Номер патента: US20120051998A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120052609A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacturing laterally coupled BAW thin films

Номер патента: US20120086523A1. Автор: . Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT. Дата публикации: 2012-04-12.

METHOD OF PREPARING A COUNTER ELECTRODE FOR A DYE-SENSITIZED SOLAR CELL

Номер патента: US20120097221A1. Автор: Ko Min-Jae,Kang Tae-Yeon,Kim Kyung-Kon,Lee Doh-Kwon,Kim Hong-Gon. Владелец: Korea Institute of Science and Tech. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD OF PRODUCING COMPOUND NANORODS AND THIN FILMS

Номер патента: US20120148756A1. Автор: . Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20120286389A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

METHODS OF AND HYBRID FACTORIES FOR THIN-FILM BATTERY MANUFACTURING

Номер патента: US20120312474A1. Автор: Haas Dieter,NALAMASU Omkaram,Kwak Byung-Sung,Bangert Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE SAME

Номер патента: US20120322187A1. Автор: Park Ji-Young,CHOI Shin Il,Kim Sanggab,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,SONG Jeanho,LEE Suckjun,PARK Youngchul,YU Inho,JIN Youngjun,KWON O byoung,JANG Sanghoon,LIM Minki. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.