Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 본딩패드옵션을 구비한 집적회로장치와 본딩패드옵션의 실행방법

본딩패드옵션을 구비한 집적회로장치와 본딩패드옵션의 실행방법

Номер патента: KR960043146A
Опубликовано: 23-12-1996
Автор(ы): 브이. 콜도바 미카엘, 시. 파리스 미카엘
Принадлежит: 닛데쯔 세미콘닥타 가부시끼가이샤, 로버트 엘. 고워, 유나이티드 메모리즈 인코포레이티드, 이와자끼 에이히꼬
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit for external bus interface having programmable mode select by selectively bonding one of the bond pads to a reset terminal via a conductive wire

Номер патента: US5754879A. Автор: Thomas Kevin Johnston. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-05-19.

Bonding pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20050230847A1. Автор: Pao-Kang Niu,Jian-Hsing Lee,Ko-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Methods and apparatus for integrated circuit device power distribution via internal wire bonds

Номер патента: US20050109525A1. Автор: Yehuda Smooha,Kerry Davison,Donald Hawk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Integrated circuit with multiple relative offset bond pad array

Номер патента: GB9411399D0. Автор: . Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-07-27.

Integrated circuit package with bond wires at the corners of an integrated circuit

Номер патента: US20020050379A1. Автор: Michael Barrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Progressive staggered bonding pads

Номер патента: US5796171A. Автор: Sanjay Dandia,Aydin Koc,Michael J. Steidl. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Method for preparing semiconductor device with wire bond

Номер патента: US20240063175A1. Автор: Wei-Zhong Li,Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu,Yi-Ting Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for preparing semiconductor device with wire bond

Номер патента: US12113046B2. Автор: Wei-Zhong Li,Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu,Yi-Ting Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and methods for bonding pad redistribution layers in integrated circuits

Номер патента: US20240096826A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacture for an integrated circuit having a BIST circuit and bond pads incorporated therein

Номер патента: US6136620A. Автор: Sailesh Chittipeddi,Yehuda Smooha,William T. Cochran. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for preparing semiconductor device with wire bond

Номер патента: US11876072B2. Автор: Wei-Zhong Li,Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu,Yi-Ting Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Electronic elements and devices with trench under bond pad feature

Номер патента: US20110266687A1. Автор: Mark A. Bennett,Colin Kerr,Margaret A. Szymanowski,Xiaowei Ren,Jeffrey K. Jones,Wayne R. Burger,Michele L. Miera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-11-03.

Bond pad monitoring structure and related method of detecting significant alterations

Номер патента: US20130048982A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Manuela Larosa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20210134743A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor integrated circuit device having protective split at peripheral area of bonding pad and method of manufacturing same

Номер патента: US09536821B2. Автор: Takashi Moriyama,Katsuhiko Hotta,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for locating active support circuitry on an integrated circuit fabrication die

Номер патента: US6137181A. Автор: Dzung Nguyen,Youssef Yassine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-24.

Integrated circuit semiconductor device formed on a wafer

Номер патента: US4721995A. Автор: Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-01-26.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Arrangement of bond pads on an integrated circuit chip

Номер патента: US20210167028A1. Автор: Chia-Chi Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Bond pad array for complex ic

Номер патента: US20100117207A1. Автор: Chuan-Cheng Hsiao,Hung-Sung Li,I-Cheng Lin,Che-Yuan Jao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device including bonding pad

Номер патента: US20240178169A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Bond-pads mit umgebenden füllleitungen

Номер патента: DE102019200152A1. Автор: David Stone,Kristina Young-Fisher,Scott Pozder,Thiagarajan Raman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A3. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Hyungki Huh. Дата публикации: 2005-08-04.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: GCT Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: EP1665383A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: US20050045986A1. Автор: Kang Lee,Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Separate probe and bond regions of an integrated circuit

Номер патента: US8115321B2. Автор: Anwar Ali,Kalyan Doddapaneni,Gokulnath Sulur,Wilson Leung,Tauman T Lau. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Structures, architectures, systems, methods, algorithms and software for configuring an integrated circuit for multiple packaging types

Номер патента: US8455347B1. Автор: Huahung Kao,Tyson Leistiko. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Supply voltage or ground connections including bond pad interconnects for integrated circuit device

Номер патента: US20140009218A1. Автор: Mostafa Naguib Abdulla,Steven Eskildsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods for receiving and transmitting voltage through the use of supply voltage or ground connections including bond pad interconnects for integrated circuit devices

Номер патента: US8860496B2. Автор: Mostafa Naguib Abdulla,Steven Eskildsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120241931A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Jairus Legaspi Pisigan,Rachel Layda Abinan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Arrangement and method of arrangement of stacked dice in an integrated electronic device

Номер патента: WO2002084737A2. Автор: Joseph Fernandez,Anucha Phongsantichai,Ekgachai Kenganatanon,Anucha Suwanpanang. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2002-10-24.

Passivation layer for packaged integrated circuits

Номер патента: US20020022305A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Amplifier devices with impedance matching networks that incorporate a capacitor integrated with a bond pad

Номер патента: US09800213B1. Автор: Ibrahim Khalil,Ebrahim M. Al Seragi,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device

Номер патента: US20010026022A1. Автор: Aaron Schoenfeld. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit device having capacitor formed under bonding pad

Номер патента: KR20000008644A. Автор: 이상헌,김장홍. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-07.

Semiconductive chip having a bond pad located on an active device

Номер патента: EP1214742A1. Автор: Lars Tilly. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-06-19.

Integrated circuit mounting for thermal stress relief useable in a multi-chip module

Номер патента: EP1938383A1. Автор: Juergen Broszeit,Iyad Alhayek,Gerry Bianco,Gregory R. Gayowsky,Ilko Schmadlak,George Sotiropoulos. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: EP2283517A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-16.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit

Номер патента: EP1451869A2. Автор: Jacob Wijdenes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for forming a top interconnection level and bonding pads on an integrated circuit chip

Номер патента: US20020055248A1. Автор: Meng-Chang Liu,Yuan-Lung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: US20120126408A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5715127A. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Integrated circuit device having C4 and wire bond connections

Номер патента: US20020109240A1. Автор: Gregory Taylor,George Geannopoulos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Environmental hardening integrated circuit method and apparatus

Номер патента: US09966319B1. Автор: Erick Merle Spory. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

An integrated circuit wire bonded to a multi-layer substrate having an open area that exposes wire bond pads at a surface of the inner layer

Номер патента: WO2021231636A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuit wire bonded to a multi-layer substrate having an open area that exposes wire bond pads at a surface of the inner layer

Номер патента: US20210358888A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuit wire bonded to a multi-layer substrate having an open area that exposes wire bond pads at a surface of the inner layer

Номер патента: US11929351B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US09627337B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US09881892B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit having structural support for a flip-chip interconnect pad and method therefor

Номер патента: WO2006076083A2. Автор: Kevin J. Hess,Scott K. Pozder,Edward O. Travis,Pak K. Leung,Jie-Hua Zhao,David G. Wontor,Brett P. Wilkerson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-07-20.

Bonding pad on a semiconductor chip

Номер патента: US20010009297A1. Автор: Yimin Huang,Hermen Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Semiconductor Device with Bond Pad Extensions Formed on Molded Appendage

Номер патента: US20200343205A1. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Schiess,Wei Han Koo,Chan Lam Cha,Guan Choon Matthew Nelson TEE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device

Номер патента: US20020031873A1. Автор: Aaron Schoenfeld. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device

Номер патента: US20020024128A1. Автор: Aaron Schoenfeld. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Multisided integrated circuit assembly

Номер патента: US20240112966A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit having structural support for a flip-chip interconnect pad and method therefor

Номер патента: WO2006076083A3. Автор: Kevin J Hess,Jie-Hua Zhao,David G Wontor,Scott K Pozder,Edward O Travis,Pak K Leung,Brett P Wilkerson. Владелец: Brett P Wilkerson. Дата публикации: 2007-06-28.

CMOS image sensor big via bonding pad application for AlCu Process

Номер патента: US8502335B2. Автор: Lin-June Wu,Yu-Ting Lin,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240379601A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Packaged multichip device with stacked die having a metal die attach

Номер патента: US20200357726A1. Автор: Nazila Dadvand,Benjamin Stassen Cook,Sreenivasan Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20240170350A1. Автор: Shih-Wei Liang,Jiun-Yi Wu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Textured bond pads

Номер патента: US11600583B2. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara,Ray Fredric Solis de ASIS,Aniceto Tabangcura RABILAS, JR.,Sylvester Tigno Sanchez,Alvin Lopez Andaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Textured bond pads

Номер патента: US20210066220A1. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara,Ray Fredric Solis de ASIS,Aniceto Tabangcura RABILAS, JR.,Sylvester Tigno Sanchez,Alvin Lopez Andaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Textured bond pads

Номер патента: US11081456B2. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara,Ray Fredric Solis de ASIS,Aniceto Tabangcura RABILAS, JR.,Sylvester Tigno Sanchez,Alvin Lopez Andaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Textured Bond Pads

Номер патента: US20210320074A1. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara,Ray Fredric Solis de ASIS,Aniceto Tabangcura RABILAS, JR.,Sylvester Tigno Sanchez,Alvin Lopez Andaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for testing semiconductor wafers using temporary sacrificial bond pads

Номер патента: PH12016501263A1. Автор: Howard H Roberts Jr. Владелец: Celerint LLC. Дата публикации: 2016-08-15.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Integrated circuit package including a direct connect pad, a blind via, and a bond pad electrically coupled to the direct connect pad

Номер патента: US20130026642A1. Автор: Peter R. Harper,Kenneth Robert Rhyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Method of Forming an Integrated Circuit Package Including a Direct Connect Pad, A Blind Via, and a Bond Pad Electrically Coupled to the Direct Connect Pad

Номер патента: US20130295722A1. Автор: Peter R. Harper,Kenneth Robert Rhyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US12125812B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device including optimized driver layout for integrated circuit with staggered bond pads

Номер патента: WO2005008773A1. Автор: Michael Jassowski. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-01-27.

Integrated circuit die connection methods and apparatus

Номер патента: GB2422483B. Автор: Stephen Ellwood. Владелец: Artimi Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: EP2529325A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A2. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit package and method of assembling an integrated circuit package

Номер патента: US20130175709A1. Автор: Inderjit Singh,Shin S. Low. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20230025094A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Flip chip die bond pads, die bond pad placement and routing optimization

Номер патента: WO2003065451A9. Автор: Eric Stephen Carlsgaard. Владелец: Eric Stephen Carlsgaard. Дата публикации: 2004-02-26.

Bonded assembly containing different size opposing bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US12125814B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20230361063A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Miwa Muto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Bonded assembly containing different size opposing bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: WO2023154079A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

INTEGRATED CIRCUIT WIRE BONDED TO A MULTI-LAYER SUBSTRATE HAVING AN OPEN AREA THAT EXPOSES WIRE BOND PADS AT A SURFACE OF THE INNER LAYER

Номер патента: US20220181307A1. Автор: Takiar Hem P.,Ng Hong Wan,Ye Seng Kim,Boo Kelvin Tam Aik,Chong Chin-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure for wafer level bonding and bonded semiconductor structure

Номер патента: US20240178171A1. Автор: Chien-Ming Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Bonded semiconductor die assembly with metal alloy bonding pads for and methods of forming the same

Номер патента: WO2022169475A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Bonded semiconductor die assembly with metal alloy bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20220246562A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for fabricating electrical bonding pads on a wafer

Номер патента: WO2009027132A1. Автор: Romain Coffy,Jacky Seiller,Gil Provent. Владелец: STMicroelectronics (Grenoble) SAS. Дата публикации: 2009-03-05.

Manufacturing method of bonding pads for decreasing the resistance of the bonding pad

Номер патента: TW426925B. Автор: Mu-Jiun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-21.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Bonding pads over input circuits

Номер патента: US20040084742A1. Автор: Edwin Fulcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: WO1998008250A1. Автор: Jeffrey C. Kalb. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 1998-02-26.

High frequency integrated circuit and packaging for same

Номер патента: US20160190075A1. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez,Andrew Pye. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

High frequency integrated circuit and packaging for same

Номер патента: US09437558B2. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez,Andrew Pye. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Integrated circuit

Номер патента: US09941220B2. Автор: Yen-Chuan Chen,Chih-Hao Cheng,Tien-SHang Kuo,Yung-Tai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit chip package that does not utilize a leadframe

Номер патента: US20230245992A1. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal bond pad with cobalt interconnect layer and solder thereon

Номер патента: US09960135B2. Автор: Michael Otte,Helmut Rinck,Gernot BAUER,Robert ZRILE,Kai-Alexander SCHACHTSCHNEIDER,Harald Wiesner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Stress shield for integrated circuit package

Номер патента: US09786609B2. Автор: Padraig L FITZGERALD,Michael J Cusack,Patrick Elebert,Frank Poucher,Oliver J Kierse. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Input protection arrangement for vlsi intergrated circuit devices

Номер патента: CA1242532A. Автор: Chong M. Lin. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1988-09-27.

Semiconductor device with bond pad and test pad

Номер патента: EP1145302A1. Автор: Harvey F. Dickinson. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

Intergrated Circuits Device Having a Reinforcement Structure

Номер патента: US20080128892A1. Автор: Hsiao Che Wu,Wen Li Tsai,Yu Min Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Termination ring for integrated circuit

Номер патента: US20040124521A1. Автор: Bo Shen,Prasad Subbarao,Radoslav Ratchkov,Maad Al-Dabagh,Thomas Antisseril. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor manufacturing for forming bond pads and seal rings

Номер патента: US09601354B2. Автор: Sergio A. Ajuria,Douglas M. Reber,Phuc M. Nguyen. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375790A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Interlocking conductor method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits

Номер патента: US20040048459A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Integrated circuit chip including a passivation nitride layer in contact with a high voltage bonding pad and method of making

Номер патента: US11887948B2. Автор: Simone Dario Mariani,Elisabetta Pizzi,Daria Doria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit chip including a passivation nitride layer in contact with a high voltage bonding pad and method of making

Номер патента: US20230032635A1. Автор: Simone Dario Mariani,Elisabetta Pizzi,Daria Doria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Integrated circuit

Номер патента: US20170179044A1. Автор: Yen-Chuan Chen,Chih-Hao Cheng,Tien-SHang Kuo,Yung-Tai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Integrated circuit chip including a passivation nitride layer in contact with a high voltage bonding pad and method of making

Номер патента: EP4131364A2. Автор: Simone Dario Mariani,Elisabetta Pizzi,Daria Doria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-08.

Integrated circuit chip including a passivation nitride layer in contact with a high voltage bonding pad and method of making

Номер патента: US20240120301A1. Автор: Simone Dario Mariani,Elisabetta Pizzi,Daria Doria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit chip including a passivation nitride layer in contact with a high voltage bonding pad and method of making

Номер патента: EP4131364A3. Автор: Simone Dario Mariani,Elisabetta Pizzi,Daria Doria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-14.

Carbon nanotube bond pad srtucture and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006103620A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-10-05.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Carbon nanotube bond pad structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1866962A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-12-19.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same

Номер патента: US09425319B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated circuit of driving device with different operating voltages

Номер патента: US9368570B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-06-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit (ic) device including a force mitigation system for reducing under-pad damage caused by wire bond

Номер патента: WO2019178035A1. Автор: Bomy Chen,Andrew Taylor,Justin Sato. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090240A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Bonding pads in dielectric layer

Номер патента: EP4331014A1. Автор: Stephan Lutgen,Shenghui LEI,Sharon Nannette Farrens. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Bond pad structure with reduced step height and increased electrical isolation

Номер патента: US20210066225A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Assembly of an integrated circuit in a chip scale ball grid array

Номер патента: US20240113062A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Structures, architectures, systems, methods, algorithms and software for configuring an integrated circuit for multiple packaging types

Номер патента: US9524927B1. Автор: Wayne A. Loeb,Huahung Kao,Tyson Leistiko. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20220044987A9. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11854946B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20210074609A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Structure of a thermally and electrically enhanced plastic pin grid array (ppga) package for high performance devices with wire bond interconnect

Номер патента: MY137608A. Автор: Siva Natarajan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-02-27.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09698102B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09379059B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Molded ring integrated circuit package

Номер патента: US5177669A. Автор: Anthony B. Suppelsa,Frank J. Juskey,Linda K. Berrian. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-01-05.

Method of identifying and/or programming an integrated circuit

Номер патента: US8890338B2. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-11-18.

Method and apparatus to eliminate galvanic corrosion on copper doped aluminum bond pads on integrated circuits

Номер патента: US20050266669A1. Автор: Philip Rochette. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Copper interconnect for an integrated circuit and methods for its fabrication

Номер патента: US20020090804A1. Автор: Allen Mcteer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Process of packaging a semiconductor device with reduced stress forces

Номер патента: US4874722A. Автор: Gretchen W. Roeding,Howard R. Test,George A. Bednarz,Reginald W. Smith. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-10-17.

Integrated-circuit package configuration for packaging an integrated-circuit die and method of packaging an integrated-circuit die

Номер патента: WO1993017455A3. Автор: Young Il Kwon,Louis H Liang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-11-25.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: TW200818433A. Автор: Bryan Kris,Clark J Rogers. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134B1. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

Bond pad structure for bonding improvement

Номер патента: US20200357762A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Exposed bonding pad of chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411261A1. Автор: Guangyao Zhang. Владелец: Hefei Smat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: WO2024226151A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device substrates having packaged inductors thereon

Номер патента: US09478599B1. Автор: Viresh Piyush Patel,Robert A. Gubser,Ajay Kumar Ghai. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit packaging system with interposer support structure mechanism and method of manufacture thereof

Номер патента: US09859200B2. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,KyuSang Kim,YeoChan Ko,SooSan Park,KeoChang Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20170207195A1. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20210351164A1. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: TWI636539B. Автор: 那森 J 席洛卡,崔麥達偉 塔納迪,安德魯 D 波斯修德. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2018-09-21.

Electroless and immersion plating of integrated circuits using an activation plate

Номер патента: WO2005006423A1. Автор: Timothy B. Dean,William H. Lytle. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-01-20.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor storage device with bonding electrodes

Номер патента: US12080666B2. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: US20240363605A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit package having inductance loop formed from same-pin-to-same-bonding-pad structure

Номер патента: WO2005022599A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: GCT Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-10.

Mixed analog and digital integrated circuits.

Номер патента: MY122792A. Автор: Haitao Zhang,Sanjay Jha,Qiuzhen Zou,Seyfollah Bazarjani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Mixed analog and digital integrated circuits

Номер патента: EP1407491A2. Автор: Haitao Zhang,Sanjay Jha,Seyfollah Bazarjani,Quizhen Zou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2004-04-14.

Build-up package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09355994B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated Circuit Device, Electronic Device, Electronic Apparatus, and Base Station

Номер патента: US20170126234A1. Автор: Takayuki Kikuchi,Kensaku ISOHATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Thermoelectric bonding for integrated circuits

Номер патента: MY198129A. Автор: Chwee lin CHOONG,Pooi Kit Lam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-05.

Method of fabricating a device with ESD and I/O protection

Номер патента: US7883947B1. Автор: Shiann-Ming Liou,Chuan-Cheng Cheng,Choy Hing Li. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Semiconductor chip with bond area

Номер патента: US7947978B2. Автор: Mou-Shiung Lin,Hsin-Jung Lo,Chiu-Ming Chou,Ke-Hung Chen,Huei-Mei Yen. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Testing bonding pads for chiplet systems

Номер патента: US11749572B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

3D INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND STRUCTURE WITH BONDING

Номер патента: US20210104517A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2021-04-08.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: WO2016048649A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: EP3198634A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Microelectromechanical system (MEMS) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3D IC) integration

Номер патента: US09922956B2. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Support elements for semiconductor devices with peripherally located bond pads

Номер патента: US7285850B2. Автор: Chia Yong Poo,Boon Suan Jeung,Chua Swee Kwang,Neo Yong Loo,Chan Min Yu,Low Siu Waf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Support elements for semiconductor devices with peripherally located bond pads

Номер патента: US20060208350A1. Автор: Chia Poo,Boon Jeung,Chua Kwang,Low Waf,Chan Yu,Neo Loo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-21.

Methods of packaging an integrated circuit and methods of forming an integrated circuit package

Номер патента: USRE42457E1. Автор: Dexin Liang,Lily Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming integrated circuit device with bonding structure

Номер патента: US11764148B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit device and method of manufacturing a circuit device for controlling a transmission of a vehicle

Номер патента: US09472486B2. Автор: Thomas Maier. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Gallium nitride (gan) devices with through-silicon vias

Номер патента: US20240213118A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Paul NORDEEN,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240363558A1. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258228A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418311A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods and apparatus for determining pad height for a wire-bonding operation in an integrated circuit

Номер патента: US20050067678A1. Автор: Vivian Ryan,Sean Lian,Debra Yencho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit device and electronic system including same

Номер патента: US20220181284A1. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Schottky Diode Device with Aluminum Pickup of Backside Cathode

Номер патента: US20070138648A1. Автор: Chuck Vinn,Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Connectivity between integrated circuit dice in a multi-chip package

Номер патента: US11610856B2. Автор: Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Robert Sankman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Integrated circuit package and method of making

Номер патента: CA2290587A1. Автор: Thomas P. Glenn,Roy D. Hollaway,Anthony E. Panczak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-10-07.

Metal bond pad for integrated circuits allowing improved probing ability of small pads

Номер патента: US20060022225A1. Автор: Vincent Chen,Liming Tsau,Tzu Huang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: US20240284686A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: EP4432807A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Means including a spark gap for protecting an integrated circuit from electrical discharge

Номер патента: US3676742A. Автор: Lewis K Russell,James L Banks. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Integrated circuit package with voltage distributor

Номер патента: US20120025401A1. Автор: Kevin J. Hess,Chu-Chung Lee,Patrick Johnston,Tu-Anh N. Tran,Heng Keong Yip,Kian Leong Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Packaging an integrated circuit die using compression molding

Номер патента: WO2009111109A1. Автор: Jianwen Xu. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-09-11.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit devices with electrical contacts on multiple surfaces

Номер патента: US20230395549A1. Автор: Jarrid WITTKOPF,Kristopher J. ERICKSON,David Wayne George. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Structure and process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US4977440A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-12-11.

Process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US5070036A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Quality Microcircuits Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Integrated circuit die having a split solder pad

Номер патента: US20180053699A1. Автор: Christoph Kuratli,Yves Dupraz. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-02-22.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit suitable for use in radio receivers

Номер патента: WO2005034179A3. Автор: Charles D Thompson,Andrew W Dornbusch. Владелец: Silicon Lab Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit die having a split solder pad

Номер патента: US20180053738A1. Автор: Christoph Kuratli,Yves Dupraz. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of making an integrated circuit package including an integrated circuit die soldered to a bond pad of a redistribution structure

Номер патента: US11842955B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240290720A1. Автор: Kyungsuk Oh,Jaechoon Kim,Seunggeol Ryu,Keungbeum Kim,Eonsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device package

Номер патента: US20220109091A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Grimmett Dale Jacky. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Tapeless leadframe package with exposed integrated circuit die

Номер патента: US11916090B2. Автор: Ela Mia Cadag,Aaron CADAG,Rohn Kenneth SERAPIO. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-02-27.

Face-to-face (f2f) hybrid structure for an integrated circuit

Номер патента: WO2010069077A1. Автор: Liane Martinez,Yip Seng Low,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2010-06-24.

Face-to-face (f2f) hybrid structure for an integrated circuit

Номер патента: EP2380194A1. Автор: Liane Martinez,Yip Seng Low,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2011-10-26.

Face-to-face (f2f) hybrid structure for an integrated circuit

Номер патента: EP2380194A4. Автор: Liane Martinez,Yip Seng Low,Roden R Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2013-10-02.

Integrated circuit device having active region coupled to metal layers on opposite sides of substrate, and method

Номер патента: US12021033B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: US12068266B2. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid coating for integrated circuit device

Номер патента: WO2023122273A1. Автор: William J. Davis,Jarrod N. Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240332196A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US8476630B2. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US20130337587A1. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US20120156811A1. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Circuit apparatus including removable bond pad extensions

Номер патента: SG166712A1. Автор: Roger A Fratti. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2010-12-29.

Interconnecting structure for electrically connecting a first electronic device with a second electronic device

Номер патента: US20150068024A1. Автор: Chun-Hsing Li,Chien-Nan Kuo,Chun-Lin Ko. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-03-12.

Interconnecting structure for electrically connecting a first electronic device with a second electronic device

Номер патента: US09577308B2. Автор: Chun-Hsing Li,Chien-Nan Kuo,Chun-Lin Ko. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit apparatus including removable bond pad extension

Номер патента: EP2251703B1. Автор: Roger A. Fratti. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

How to optimize and reduce cycle times for integrated circuits, package design and verification

Номер патента: JP6174488B2. Автор: ライアン・ディー・レーン,ルエイ・カエ・ザン. Владелец: クアルコム，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2017-08-02.

Semiconductor bond pad structure and increased bond pad count per die

Номер патента: US5565385A. Автор: Michael D. Rostoker,Dorothy A. Heim. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-10-15.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH DUPLICATED DIE BOND PADS AND ASSOCIATED DEVICE PACKAGES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20180082983A1. Автор: Tanadi Trismardawi,Sirocka Nathan J.,Proescholdt Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH DUPLICATED DIE BOND PADS AND ASSOCIATED DEVICE PACKAGES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20190319013A1. Автор: Tanadi Trismardawi,Sirocka Nathan J.,Proescholdt Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated circuit comprising a device with a vertical mobile element integrated in a supporting substrate and method for manufacturing the device with a mobile element

Номер патента: EP2428487A1. Автор: Perceval Coudrain,Alexis Farcy,Fabrice Casset,Pascal Ancey,Laurent-Luc Chapelon,Lionel Cadix,Yacine 29 Felk. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-14.

Protection device against the breakdown of bipolar transistors in an integrated driving circuit for power device with resonant load on the collector

Номер патента: CA2014901A1. Автор: Sergio Palara,Salvatore Raciti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1990-11-02.

Protection device against the breakdown of bipolar transistors in an integrated driving circuit for power device with resonant load on the collector

Номер патента: CA2014901C. Автор: Sergio Palara,Salvatore Raciti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-01-06.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102422A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140217517A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH SOURCE/DRAIN-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193652A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH CHANNEL-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193836A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH SHALLOW TRENCH ISOLATION THAT INCLUDES A THERMAL OXIDE LAYER AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140353795A1. Автор: Liu Huang,KIM Seung,Shen Hongliang,Liu Jin Ping,TONG Wei Hua. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional device with bonded structures including a support die and methods of making the same

Номер патента: US20200286905A1. Автор: James Kai,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Electronic device with redistribution layer and stiffeners and related methods

Номер патента: US09698105B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit packaging system with joint assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748157B1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin,Kyung Moon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit (IC) with reconstituted die interposer for improved connectivity, and related methods of fabrication

Номер патента: US11769732B2. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US6184067B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Memory device with multiple input/output connections

Номер патента: US20010005049A1. Автор: Stephen Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Testing bonding pads for chiplet systems

Номер патента: US20230343657A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Testing bonding pads for chiplet systems

Номер патента: US11984371B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Stress relieved thermal base for integrated circuit packaging

Номер патента: US09917040B1. Автор: Craig J. Rotay. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Three-dimensional device with bonded structures including a support die and methods of making the same

Номер патента: US20200286875A1. Автор: Akio Nishida,Zhixin Cui,Mitsuteru Mushiga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit including wire structure, related method and design structure

Номер патента: US09831122B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward C. Cooney, III,Zhong-Xiang He,Robert K. Leidy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US12132049B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Bulk metallic glass solders, foamed bulk metallic glass solders, foamed- solder bond pads in chip packages, methods of assembling same and systems containing same

Номер патента: WO2007149737A2. Автор: Yongki Min,Daewoong Suh. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-12-27.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607938B2. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US09406102B2. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuit (IC) card having an IC module and reduced bond wire stress and method of forming

Номер патента: US09449912B1. Автор: Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit package and method to manufacture the integrated circuit package to reduce bond wire defects in the integrated circuit package

Номер патента: US11784112B2. Автор: Jun Li,Jian Song,Xuesong Xu,Jinzhong Yao,Xingshou Pang,Mingchuan Han. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated circuit device with interconnects made of layered topological materials

Номер патента: WO2024115987A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd Gotsmann,Bogdan ZOTA,Alan Molinari,Lorenzo Rocchino. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Printed circuit board and integrated circuit package

Номер патента: US10716207B2. Автор: Yongming Xiong. Владелец: Innovium Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and integrated circuit layout

Номер патента: US20240363615A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method for placing stressors on interconnects within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US09455220B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US09443843B2. Автор: Sheng-Yuan Lee,Yin-Ku CHANG. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region

Номер патента: EP3545547A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region

Номер патента: WO2018098360A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Esd protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US20160163691A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US09754930B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit chip packaging

Номер патента: US09713258B2. Автор: Young Hoon Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09601606B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US09496252B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with thermal dissipation lead frame

Номер патента: US20140117521A1. Автор: Chetan Verma,Piyush Kumar Mishra,Cheong Chiang Ng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device with thermal dissipation lead frame

Номер патента: US20140345117A1. Автор: Chetan Verma,Piyush Kumar Mishra,Cheong Chiang Ng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US9496252B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321873A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435848A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device and electronic device including the same

Номер патента: EP4181190A1. Автор: Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Wonsik Yu,Dokyung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Methods of manufacturing an integrated circuit having stress tuning layer

Номер патента: US09633954B2. Автор: Shin-puu Jeng,Szu Wei Lu,Clinton Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Connection between an I/O region and the core region of an integrated circuit

Номер патента: US20080164615A1. Автор: Brian Cheung,Paul Lassa,Paul Paternoster. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Integrated circuit including wire structure and related method

Номер патента: US20150056799A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward C. Cooney, III,Zhong-Xiang He,Robert K. Leidy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Integrated circuit including wire structure, related method and design structure

Номер патента: US20130320536A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward C. Cooney, III,Zhong-Xiang He,Robert K. Leidy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Integrated circuit devices with capacitors

Номер патента: WO2021041490A1. Автор: Clive Bittlestone,Abhijit Kumar Das,Suman BELLARY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4407669A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09761514B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: US09686861B2. Автор: Qing Ma,Robert L. Sankman,Valluri R. Rao,Johanna M. Swan,Quan A. Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09420707B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Inductor element and integrated circuit device

Номер патента: US20110309907A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A2. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4343849A3. Автор: Seunghyun Song,Minsuk KIM,Ahyoung KIM,Yoonsuk Kim,Takeshi Okagaki,Pilkwang Kim,Geunmyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: CA3120703A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240250135A1. Автор: Youbin Kim,Sangyong Kim,Hyunho Noh,IIgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258205A1. Автор: Seungyong YOO,Hoyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090200A1. Автор: Jungmin Park,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: US20200203245A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: EP3871253A1. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Superconducting device with multiple thermal sinks

Номер патента: CA3120703C. Автор: John X. Przybysz,Aaron Ashley Hathaway,Gregory R. Boyd. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for making integrated circuit device using copper metallization on 1-3 pzt composite

Номер патента: WO2011137450A1. Автор: Yakub Aliyu,Deda Diatezua. Владелец: Sonavation, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230275080A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Electrically alterable circuit for use in an integrated circuit device

Номер патента: WO2010114739A3. Автор: Mark E. Schlarmann. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274679A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271056A1. Автор: Jinsoo Lim,Byunggon PARK,SangJun HONG,Jisung Cheon,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US12068306B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US11769769B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20170271255A1. Автор: Hiroki Okamoto,Kiyoshi Okuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230207662A1. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Jung-Hwan Chun,Ji -ye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240213249A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Inchan HWANG,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240128161A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Sangcheol NA,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321726A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaeyoung Park,Hyunjae KANG,Sutae Kim,Yubo Qian,Gyeongseop Kim,Jeonwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Methods of fabricating integrated circuit devices having raised via contacts

Номер патента: US20210082821A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418327A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114475B2. Автор: Huijung Kim,Sunghee Han,Inwoo Kim,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422527A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit chip to substrate interconnection

Номер патента: US6163463A. Автор: Robert C. Marrs. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-19.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US09709524B2. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit layout and method for manufacturing integrated circuit device using the integrated circuit layout

Номер патента: US20240370619A1. Автор: Hyung Keun Park,Bong Keun KIM,Hee JEONG,Myung Soo NOH,Yun Kyoung SONG,Da Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer

Номер патента: EP1070351A1. Автор: James Intrater,Joshi Kailash. Владелец: Oryx Tech Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit (ic) device

Номер патента: US20230171949A1. Автор: Nayoung Kim,Seongho KIM,Hoonmin Kim,Hongkyu Hwang,Hyelim Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of bonding integrated circuit chip to display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3701775A1. Автор: Hongwei Ma,YoungYik Ko,Xiangdan Dong,Jinsan PARK,Tairong KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: EP2532027A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-12.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Computer-implemented method and computer program for generating a layout of a circuit block of an integrated circuit

Номер патента: US09811625B2. Автор: James Edward Myers. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit device including means for facilitating connection of antenna lead wires to an integrated circuit die

Номер патента: US5281855A. Автор: Leonard D. Hadden,Glen L. Zirbes. Владелец: Trovan Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Device and method for testing integrated circuit dice in an integrated circuit module

Номер патента: US20010009029A1. Автор: Warren Farnworth,Eric Nelson,James Wark,Kevin Duesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Device and method for testing integrated circuit dice in an integrated circuit module

Номер патента: US20030191997A1. Автор: Warren Farnworth,Eric Nelson,James Wark,Kevin Duesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: US09589612B1. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

An integrated circuit provided with esd protection means

Номер патента: EP1046193A1. Автор: Hans U. SCHRÖDER. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods

Номер патента: US5591992A. Автор: Jerald G. Leach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Integrated circuit chip, display apparatus, and method of fabricating integrated circuit chip

Номер патента: US20210212212A1. Автор: Liqiang Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Side-Channel Attack Mitigation For Secure Devices With Embedded Sensors

Номер патента: US20210150068A1. Автор: Javier Elenes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Electronic device with printed circuit board noise reduction using elastomeric damming and damping structures

Номер патента: US09596756B2. Автор: Michael Eng,Connor R. Duke,Kieran Poulain,Sung Woo Yoo,Mingzhe Li,Jeffrey M. Thoma,James W. Bilanski,Amanda R. Rainer,Miguel Alejandro Lara-Pena,Weng Choy Foo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods, apparatus, and system for using filler cells in design of integrated circuit devices

Номер патента: US09547741B2. Автор: Uwe Paul Schroeder,Sushama Davar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos field-effect transistors

Номер патента: WO2000067325A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars Henrik Mucke,Lars G. Jansson. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: US20240332299A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: WO2024205658A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Process of fabrication of electronic devices and electronic device with a double encapsulation ring

Номер патента: US09472692B2. Автор: Karine Saxod,Marika Sorrieul. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US09530945B2. Автор: Avner Badehi. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit chip and configuration adjustment method for the same

Номер патента: US20200312809A1. Автор: Chung-Chang Lin,Ching-Kuang Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit chip and configuration adjustment method for the same

Номер патента: US11133280B2. Автор: Chung-Chang Lin,Ching-Kuang Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device with ferroelectric capacitor

Номер патента: US20240349510A1. Автор: Haowen Bu,Matthew Richards,Roger C. McDermott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Intergrated circuit devices including an interfacial dipole layer

Номер патента: US09620612B2. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit with improved overvoltage protection

Номер патента: US5917220A. Автор: Charles D. Waggoner. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-06-29.

Integrated circuit device having a plurality of stacked dies and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2021011115A1. Автор: QI Lin. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device assembly

Номер патента: US09913361B2. Автор: Mark K. Hoffmeyer,Jason R. Eagle,David Barron,Roger D. Hamilton,Christopher W. Mann,Matthew T. Richardson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09548086B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5712753A. Автор: Ta-Lee Yu,Yang-Sen Yeh,Kow-Liang Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Open bond detector for an integrated circuit

Номер патента: US5101154A. Автор: Roger L. Hollstein,M. Nghiem Phan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-03-31.

Integrated circuit device having a plurality of stacked dies and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3981027A1. Автор: QI Lin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Multi-pixel display device with light-guiding structures and light-emitting semicondutor chips disposed on interated circuit

Номер патента: US11984435B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Boc bga package for die with i-shaped bond pad layout

Номер патента: SG141242A1. Автор: Lee Teck Kheng,Tan Kwang Hong,Lim Thiam Chye,Tan Kay Kit,Lee Kian Chai,Tan Cher Khng Victor,Lim Chong Pei Andrew,Tan Yong Kian,Khoo Sian Yong,Tang Yoke Kuin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-28.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for forming integrated circuit having monos device and mixed-signal circuit

Номер патента: US20030036275A1. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321874A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Junyoup LEE,Taeho Cha,Yeonghan GWON,Hakjong Lee,Hanyoung SONG,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US12087766B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for forming narrow vertical pillars and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US09627611B2. Автор: Jun Liu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods for fabricating high-density integrated circuit devices

Номер патента: US09547740B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Flexible interrupt system for an integrated circuit

Номер патента: US5860013A. Автор: Stephen H. Chan. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device, method, and system

Номер патента: US12027525B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US12027221B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using an oxide cap layer as a tfr etch hardmask

Номер патента: US20210273037A1. Автор: Paul Fest,Greg Dix,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Apparatus, method and nontransitory computer readable medium for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20170018469A1. Автор: Hiroyuki Yazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240196602A1. Автор: Wonhee Choi,Sunguk JANG,Daejin NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220173002A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20180269333A1. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240072106A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US11929389B2. Автор: Youn-Joung Cho,Seung-Min Ryu,Kyu-Ho Cho,Hyung-Suk Jung,Youn-Soo Kim,Chang-Su WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20210098260A1. Автор: Jihee KIM,Hyunchul YOON,Joonghee KIM,Yeongshin PARK,Mincheol KWAK,Jungheun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of fabricating integrated circuit device

Номер патента: US20200105540A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Integrated circuit device

Номер патента: US11961832B2. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230290768A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220085007A1. Автор: Jina LEE,Hyungjoo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240243125A1. Автор: Changhyeon Lee,Seongyul Park,Myoungho Kang,Yeazi HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230261003A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit devices

Номер патента: EP4421875A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240274664A1. Автор: Junghoon Han,Weonhong Kim,Chansic Yoon,Gyuhyun Kil,Jungmin Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10256237B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung-Hun Lee,Jeong-Yun Lee,Myung-Il Kang,Sun-Wook Kim,Sun-Ghil Lee,Jung-han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150295021A1. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer

Номер патента: US20030034509A1. Автор: Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuit having second epitaxial layer

Номер патента: US20080017898A1. Автор: Oliver Haeberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit device including gate line

Номер патента: US20210408232A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of manufacturing integrated circuit devices using carbonyl compounds

Номер патента: US20230215723A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Jiyu CHOI,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim,Eunhyea Ko. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240282773A1. Автор: Seunghun LEE,Junyoung Park,Woocheol SHIN,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321956A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Woosuk CHOI,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321991A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435847A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Taehyung LEE,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2013016140A2. Автор: Victor Moroz,Lars Bomholt. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321961A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Yujin Jeon,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Photoresist composition including photosensitive polymer and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240302742A1. Автор: Songse YI,Yoonhyun Kwak,Sung Hwan Park,Juhyeon Park,Sungwon Choi,Jeong Ho MUN,Hogeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304704A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Hyunjun Lim,Subin LEE,Taeho Cha,Hakjong Lee,Seunghyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12107122B2. Автор: SunKi Min,Donghyun Roh,Chaeho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304623A1. Автор: Jiwon Park,Minseok Jo,Hanyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US12113108B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Kihyun Hwang,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing integrated circuit device using a metal-containing photoresist composition

Номер патента: US12112948B2. Автор: Kumagai Tomoya,Tsunehiro Nishi,Brian Cardineau,SooYoung CHOI,Chawon KOH,Soyeon Yoo,Kwangsub Yoon. Владелец: Inpria Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321983A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355879A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240355622A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit (ic) testing device with conduction interface

Номер патента: US20070272924A1. Автор: Chu Yung-Sing. Владелец: Tangerine System Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Nanoprobing an integrated circuit device structure

Номер патента: WO2010076136A1. Автор: Mark Eliot Masters,Paul Davis Bell,David Stuart Patrick. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-08.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Systems and methods for scan test access using bond pad test access circuits

Номер патента: US20050039097A1. Автор: Amar Guettaf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Specialized integrated circuit for aerosol delivery device

Номер патента: RU2711465C9. Автор: Родни Оуэн УИЛЬЯМС,Реймонд Чарльз Мл. ГЕНРИ,Уилсон Кристофер ЛЭМБ,Фредерик Филипп ЭМПОЛИНИ. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2020-11-24.

How to guide the absence of an integrated information network exchange

Номер патента: KR970068428A. Автор: 조승환. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

Inter-Integrated Circuit Slave Interface and Method of Operating an Integrated Integrated Circuit Slave Interface

Номер патента: DE102012222357A1. Автор: Dorde CVEJANOVIC. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-05.

Bond pad connector for securing an electronic component thereon

Номер патента: EP4344361A1. Автор: Lun Hao Tung,Lai Ming Lim,Zambri SAMSUDIN. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Method and system for an integrated circuit card interface device with multiple modes of operation

Номер патента: WO2001029762A3. Автор: Paul W Chau,Kerry R Matthew,Gerry W Vandenengel. Владелец: Spyrus Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Disk drive head gimbal assembly having a flexure tail with folded bond pads

Номер патента: US8467153B1. Автор: Tzong-Shii Pan,Fernando A. Magsombol. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

With the LED light engine of Alternating Current Power Supply and integrated circuit and lighting device with the LED light engine

Номер патента: CN104902614B. Автор: 王志良,陈光辉,余金生. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-23.

Tamper resistant device implementing an embedded Universal Integrated Circuit Card and corresponding electronic device, process and IT product

Номер патента: IT201800009917A1. Автор: Amedeo Veneroso,Luca Dicosmo. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2020-04-30.

Tamper resistant device implementing an embedded universal integrated circuit card and corresponding electronic device, method and computer program product

Номер патента: EP3647975A1. Автор: Amedeo Veneroso,Luca Di Cosmo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-06.

Optical circuit element and an integrated type optical circuit device

Номер патента: US5825952A. Автор: Hidenori Kawanishi,Atsushi Shimonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for coupling integrated circuit packages to bonding pads having vias

Номер патента: US20020108777A1. Автор: Stephen Joy,Dan Shier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09634667B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Bruce E. Byrkett,Hans Van Antwerpen,Mark E. Hastings,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Power safety circuit, integrated circuit device and safety critical system

Номер патента: US09620992B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with tamper detection input and having real time clock calendar logging thereof

Номер патента: US09602895B2. Автор: Michael Simmons,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated device with auto configuration

Номер патента: US09602101B2. Автор: Atish Ghosh. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Sensor matching device with electronic equipment

Номер патента: RU2719427C1. Автор: Михаил Викторович Чиркин,Алексей Владимирович Молчанов,Георгий Витальевич Давыдов,Владимир Владимирович Климаков,Андрей Евгеньевич Серебряков,Валерий Юрьевич Мишин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-04-17.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device

Номер патента: WO2009134199A1. Автор: Peter Lindberg,Christian Braun,Andrei Kaikkonen,Stefen LÖFGREN. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2009-11-05.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US09573367B2. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit capable of preventing current backflow to power line

Номер патента: US20150214947A1. Автор: Chun-Wen Yeh,Shuo-Ting Kao. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20150033198A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device, signal processing system, electronic device and method for configuring a signal processing operating mode

Номер патента: US09462556B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20080189663A1. Автор: Christophe Robert Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Smart Device With An Integrated Radar System

Номер патента: US20200408876A1. Автор: Jian Wang,David J. Weber,Maryam TABESH,Abhijit Aroon Shah,Camille Ann Lesko,Alexis K. Salazar. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit capable of providing a stable reference current and an electronic device with the same

Номер патента: US09710007B2. Автор: Hsu-Che Nee,Yi-Hsien Cheng,Liang-Hsin Chen. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-port integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09489326B1. Автор: Dinesh Maheshwari,Anuj Chakrapani. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US09764548B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems and methods for implementing an intelligence processing computing architecture

Номер патента: US20240303217A1. Автор: Erik Schlanger,Paul Toth,David Fick,Raul Garibay,Bryant Sorensen,Sergio Schuler,Malav Parikh,Vimal Reddy,Adam Caughron,Zainab Nasreen ZAIDI,Alex Dang-Tran. Владелец: Mythic Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Techniques For Reducing Uneven Aging In Integrated Circuits

Номер патента: US20190097635A1. Автор: Herman Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit device and chip device

Номер патента: EP4220960A1. Автор: Jen-Hang Yang,Bo-Ren LUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20240348435A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Multiplexing connection between a key board and an integrated circuit device

Номер патента: US3834616A. Автор: I Washizuka,M Kaumae. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1974-09-10.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: EP3170261A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1. Автор: Takeshi Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Signal processing method, storage medium, integrated circuit, device and terminal

Номер патента: US20240235590A9. Автор: Yan Zhu,Jiashu Chen,Xiaolong Zhang,Qiyong Zhao. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240324183A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240324219A1. Автор: Jungho Lee,Youngho KWON,Choasub KIM,Chungjin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Radio device with inter-processor communication circuitry

Номер патента: US12086660B2. Автор: Joni Jäntti,Hannu TALVITIE,Hubert Miś,Nikita Fomin. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4436329A1. Автор: Sohyun Park,Woohyun LEE,Chanhoon Park,Jongkyu Kim,Seunghoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Radio device with inter-processor communication circuitry

Номер патента: GB2602517A. Автор: Talvitie Hannu,Jäntti Joni,Fomin Nikita,Mis Hubert. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-07-06.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit arrangement

Номер патента: WO1996028781A1. Автор: Krzysztof Kaminski. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1996-09-19.

Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components

Номер патента: WO2001056921A2. Автор: Roland W. Gooch,Thomas R. Schimert. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2001-08-09.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US12014129B2. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device

Номер патента: WO2006014860A1. Автор: James Simons. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-09.

How to repair a disk with an integrated blade, test piece at the start and end of work

Номер патента: JP5322371B2. Автор: ベルナール・ブエ,クロード・アンドレ・シヤルル・パニヨン,エリツク・クリスチヤン・ジヤン・パント,ステフアン・ミシエル・ケルネ,ジエラール・ドウリアン. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2013-10-23.

Capacitive MEMS-sensor element having bond pads for the electrical contacting of the measuring capacitor electrodes

Номер патента: US09725300B2. Автор: Rolf Scheben,Heiko Stahl,Benedikt STEIN,Arnim Hoechst,Bernhard Gehl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-08.

Bond pad sharing for powering a multiplicity of electrical components of a recording head

Номер патента: US09607640B2. Автор: Declan Macken,Narayanan Ramakrishnan,Jason Bryce Gadbois,Timothy William Stoebe. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Bond pad sharing between a temporary contact sensor and a multiplicity of readers of a recording head

Номер патента: US09812159B1. Автор: Declan Macken. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Fluidic die with high aspect ratio power bond pads

Номер патента: US11951739B2. Автор: Gary G. Lutnesky,James R. Przybyla,Rogelio Cicili,Eric Thomas Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-09.

Disk drive flexure assembly with a plurality of support bond pad apertures with a bond pad disposed over a bond pad support and part of each support bond pad aperture

Номер патента: US7403357B1. Автор: Stephen P. Williams. Владелец: Maxtor Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

METHOD OF ATTACHING GALVANIC CONTACTS OF AN IDENTIFICATION DOCUMENT COMPRISING AN INTEGRATED INTEGRATED CIRCUIT MODULE

Номер патента: FR2483102B1. Автор: Werner Obrecht. Владелец: GAO Gesellschaft fuer Automation und Organisation mbH. Дата публикации: 1986-02-14.

Permanent insulation monitor verifying device, has printed circuit board connecting components including integrated circuit and display device with green LED and red LED for indicating functioning of electric assembly

Номер патента: FR2929014A1. Автор: Serge Fiolleau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-25.

Pneumatic integrated circuit bar cutting device with adjustable shearing size

Номер патента: CN113617973A. Автор: 李金龙,李双江,尹超,陶怀亮,张文烽,倪乾峰. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-11-09.

Power management integrated circuit and display device with it

Номер патента: KR102539255B1. Автор: 김동규,장원용,조대명,한상수,강병수. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2023-06-02.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Parallel scan paths with three bond pads, distributors and collectors

Номер патента: US8941400B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-27.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US09804223B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-08-22.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Determining whether and/or how to implement request to prevent provision of search result(s)

Номер патента: US12045302B2. Автор: Wei Chen,Sean Jordan,Maryam Garrett,Bryan Christopher Horling,Onur Ozdemir,Divya SHARMA,Angel Rodriguez,Ron Eden,Molly Murphy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Test mode control circuit of an integrated circuit device

Номер патента: US5982188A. Автор: Mark Alan Lysinger. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-11-09.

Memory devices with low pin count interfaces, and corresponding methods and systems

Номер патента: US11562781B1. Автор: Stephan Rosner,Clifford Zitlaw,Avi Avanindra. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-24.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods for reducing delay on integrated circuits

Номер патента: EP3343413A3. Автор: Mahesh A. Iyer,Saurabh Adya,Shounak Dhar,Love Singhal,Nikolay Rubanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and system for extending the lifetime of multi-core integrated circuit devices

Номер патента: US09488998B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Rinze Ida Mechtildis Peter Meijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Centralized and autonomous waste gas treatment system for multiple work processes and how to manage it

Номер патента: RU2753521C1. Автор: Хэнди Е,Цзиньчао ВЭЙ,Чанци ЛЮ. Владелец: Чжуне Чантянь Интернешнал Энджиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-08-17.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: EP2681670A1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: US09454498B1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device with pressure relief valve

Номер патента: US09383406B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and apparatus to implement an integrated circuit to operate based on data access characteristics

Номер патента: US20230317145A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Integrated circuit testing architecture

Номер патента: US09506980B2. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,Abram M. Detofsky,Brett D. Grossman,Ronald K. Minemier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Techniques for compiling and generating a performance analysis for an integrated circuit design

Номер патента: US09489480B1. Автор: Benjamin Gamsa,Gordon Raymond Chiu,Paul Mark Leventis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit, in particular integrated memory, and methods for operating an integrated circuit

Номер патента: US20040240262A1. Автор: Stephan Schroder,Koen Van Der Zanden,Evangelos Stavrou,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

An integrated circuit and method for executing a security task

Номер патента: WO2008122839A1. Автор: Jafar Faroughi-Esfahani,Patrick Mcandrew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Methodology for selectively testing portions of an integrated circuit

Номер патента: US20040210807A1. Автор: Amar Guettaf,James Sweet. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor device with phase comparator comparing phases between internal signal and external signal

Номер патента: US6833723B2. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Optical fiber mounts for printed circuit boards and integrated circuit device packages

Номер патента: US20240345324A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Benjamin DUONG,Marcel SAID,Soham Agarwal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, apparatus, and system for energy efficiency and energy conservation by mitigating performance variations between integrated circuit devices

Номер патента: US09753516B2. Автор: Efraim Rotem,Avinash N. Ananthakrishnan,Doron Rajwan,Ryan D. Wells,Gary A. Andrew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Placing integrated circuit devices using perturbation

Номер патента: US09638747B2. Автор: Christopher R. Schroeder,Paul J. Diglio,Nader N. Abazarnia,Morten S. Jensen,Rene J. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Control block size reduction through IP migration in an integrated circuit device

Номер патента: US09619610B1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods, systems, and computer program product for an integrated circuit package design estimator

Номер патента: US09454634B1. Автор: Taranjit Singh Kukal,Avinash Singh,Surender Singh. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Determining whether and/or how to implement request to prevent provision of search result(s)

Номер патента: US20230367835A1. Автор: Wei Chen,Sean Jordan,Maryam Garrett,Bryan Christopher Horling,Onur Ozdemir,Divya SHARMA,Angel Rodriguez,Ron Eden,Molly Murphy. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: EP1966654A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: WO2007074146A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group B.V.. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Display device with common voltage compensation

Номер патента: US09952717B2. Автор: Seungpyo Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Locking device with integrated circuit board

Номер патента: US09528295B2. Автор: Scott B. Lowder,Todd C. Zimmer,Jeff P. Tonon. Владелец: Sargent Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Locking device with integrated circuit board

Номер патента: US09512645B2. Автор: Scott B. Lowder,Todd C. Zimmer,Jeff P. Tonon. Владелец: Sargent Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Target system, debugging system, integrated circuit device, microcomputer and electronic apparatus

Номер патента: US20060190787A1. Автор: Makoto Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Design of an integrated circuit using multiple and different process corners

Номер патента: US20230334214A1. Автор: Alexander W. Schaefer,Robin Andrew Joyce,Shaun M. Kittle,Scott Eugene Swanstrom,Josef Alexander Czaban. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Computer security device with protectively mounted lcd

Номер патента: WO2008021423A2. Автор: Noah L. Anglin. Владелец: Aladdin Knowledge Systems. Дата публикации: 2008-02-21.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of unlocking an operation of a device with a tiny rfid tag embedded on an integrated circuit

Номер патента: US20230289539A1. Автор: Scott Robert Hansen,Louisa Marie Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US20240345132A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US09969355B2. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of detecting irregular current flow in an integrated circuit device and apparatus therefor

Номер патента: US09606064B2. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Fleshel,Yoav Weizman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit device and method therefor

Номер патента: US09435862B2. Автор: Heiko Ahrens,Vladimir Litovchenko,Andreas Roland Stahl. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit device, voltage regulation circuitry and method for regulating a voltage supply signal

Номер патента: US09429966B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and apparatus for power management of an integrated circuit

Номер патента: US5696953A. Автор: Jeffrey E. Smith,Keng L. Wong,Kelly J. Fitzpatrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-12-09.

Technique for modifying an integrated circuit layout

Номер патента: US5231590A. Автор: Jean P. Meunier,Niraj Kumar. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1993-07-27.

Resource estimation for implementing circuit designs within an integrated circuit

Номер патента: US20230144285A1. Автор: Jaipal Reddy Nareddy,Adithya Balaji Boda,Suman Kumar Timmireddy,Rahul Kunwar. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Electronic Device With Protected Light Sources

Номер патента: US20240192488A1. Автор: Fletcher R. Rothkopf,James W. VanDyke. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Device with integrated SRAM memory and method of testing such a device

Номер патента: US20010053102A1. Автор: Roelof Salters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US20190171783A1. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Bow Hand Training Device for Teaching Orchestral Student how to Pronate the Bow Towards the Strings While Playing

Номер патента: US20240274029A1. Автор: Toby John Weston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-15.

Printhead with bond pad surrounded by dam

Номер патента: US09919524B2. Автор: Michael W. Cumbie,Chien-Hua Chen,Devin A. Mourey. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-03-20.

Techniques and circuits for testing a virtual power supply at an integrated circuit device

Номер патента: US09891271B2. Автор: Carl Dietz,Russell Schreiber,Sudha Thiruvengadam,Joel Irby. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

A method and structure for performing integrated circuit wafer testing and assembly

Номер патента: CA2268572A1. Автор: Ralph Dickson Mason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-12.

System and method to customize bond programs compensating integrated circuit bonder variability

Номер патента: US20010044660A1. Автор: Sreenivasan Koduri,David Bon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-11-22.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit device and method for calculating a predicate value

Номер патента: EP2666082A1. Автор: Itzhak Barak,Yuval Peled,Idan Rozenberg,Doron Schupper,Lev Vaskevich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-27.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated circuit device for receiving differential and single-ended signals

Номер патента: US20090033364A1. Автор: Claudio Andreotti,Maurizio Skerlj. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-05.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Dynamic random access memory (dram) device with write error protection

Номер патента: US20240311219A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US20120050242A1. Автор: Keisuke Hashimoto,Shigeaki Kawano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor memory device with normal / test bonding pad

Номер патента: KR970012784A. Автор: 강경우. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A DEVICE WITH A VERTICAL MOBILE ELEMENT INTEGRATED IN A SUPPORT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE WITH A MOBILE ELEMENT

Номер патента: US20120074527A1. Автор: Chapelon Laurent-Luc,Farcy Alexis,CASSET Fabrice,Cadix Lionel,Coudrain Perceval,Felk Yacine,Ancey Pascal. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

BASE CELL FOR IMPLEMENTING AN ENGINEERING CHANGE ORDER (ECO)

Номер патента: US20120001655A1. Автор: . Владелец: STMicroelectronics S.r.I.. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS POWER TRANSFER SYSTEM AND POWER TRANSMITTING/RECEIVING DEVICE WITH HEAT DISSIPATION STRUCTURE

Номер патента: US20120001496A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,Kanno Hiroshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR ENCODING/DECODING VIDEO DATA TO IMPLEMENT LOCAL THREE-DIMENSIONAL VIDEO

Номер патента: US20120002006A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE WITH HEAT DISSIPATION APPARATUS

Номер патента: US20120002371A1. Автор: . Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001Y1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DEVICE WITH LENTICULAR ARRAYS, EDGE-TYPE BACKLIGHT MODULE AND DIRECT-TYPE BACKLIGHT MODULE

Номер патента: US20120002440A1. Автор: . Владелец: ENTIRE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

How to use vacuum cleaner (variant)

Номер патента: RU2328203C1. Автор: Гун Хо ХА,Дзин Воок СЕО,Чанг Хо ЮН,Дзин Йоунг КИМ,Чанг Хоон ЛИ,Юн Хее ПАРК. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2008-07-10.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Integrated circuit case

Номер патента: RU2331138C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько,Вячеслав Леонидович Троицкий,В чеслав Леонидович Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.