레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
Номер патента: KR20110079195A
Опубликовано: 07-07-2011
Автор(ы): 고상란, 김미영, 김상균, 김종섭, 윤희찬, 정용진, 조현모
Принадлежит: 제일모직주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-07-2011
Автор(ы): 고상란, 김미영, 김상균, 김종섭, 윤희찬, 정용진, 조현모
Принадлежит: 제일모직주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Resist underlayer film forming composition and method of forming resist pattern using the same
Номер патента: US20100221657A1. Автор: Takafumi Endo,Rikimaru Sakamoto,Tomohisa Ishida,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2010-09-02.