Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Etching apparatus

Номер патента: US09691643B2
Опубликовано: 27-06-2017
Автор(ы): Eiichi Nishimura, Fumiko Yamashita, Tadashi Kotsugi
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20130196511A1. Автор: Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Tadashi Kotsugi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Etching apparatus and method of operating the same

Номер патента: CN111276424A. Автор: 董学儒,蔡奉儒. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-12.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Etching apparatus and method for fabricating alternating phase shift mask using the same

Номер патента: US20110159415A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Etching method, etching apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of template

Номер патента: US20230307233A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: CN102102211A. Автор: 平林英明,小林信雄,速水直哉,田家真纪子,加藤昌明,土门宏纪,黑川祯明,佐藤伸良,米仓由里. Владелец: Chlorine Engineers Corp Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102424479B1. Автор: 슌이치 미카미,šœ이치 미카미. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-22.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: TW201137175A. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoya Hayamizu,Nobuyoshi Sato,Nobuo Kobayashi,Masaaki Kato,Yuri Yonekura,Yoshiaki Kurokawa,Hiroki Domon,Makiko Tange. Владелец: Chlorine Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US8062538B2. Автор: Doug Yong SUNG,Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-22.

Dry etching apparatus having particle removing device and method of fabricating phase shift mask using the same

Номер патента: US20060148263A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Yo-han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus

Номер патента: US10818479B2. Автор: Shih-Tsung Chen,Li-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Etching apparatus for use in manufacture of flat panel display device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20070151950A1. Автор: Chun Il Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Etching apparatus for use in manufacture of flat panel display device and manufacturing method using the same

Номер патента: US7807018B2. Автор: Chun Il Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-05.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916A1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Substrate etching apparatus and substrate etching method

Номер патента: US20090020503A1. Автор: Seung-lyong Bok,Jung-Sub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Etching method and bevel etching apparatus

Номер патента: US09623516B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of monitoring output intensity of laser beam in bevel etching apparatus

Номер патента: US09905485B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20240355635A1. Автор: Kazuhiko Tonari. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Dry etching apparatus with diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator

Номер патента: US5100495A. Автор: Tadahiro Ohmi,Masahiro Miki,Matagoro Maeno,Hirohisa Kikuyama. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11139169B2. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200402800A1. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20220208554A1. Автор: Kazuhiko Tonari. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Etching apparatus

Номер патента: US09852915B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Single Wafer Etching Apparatus and Single Wafer Etching Method

Номер патента: US20070175863A1. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Substrate etching apparatus and substrate etching method

Номер патента: US20240242980A1. Автор: Yonghyun KIM,Kyu-Bum Kim,Jungwoo CHOI,Yeongmin Kim,Seung Ho MYOUNG,Ju Yeong YUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US8283254B2. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Etching apparatus

Номер патента: US6843069B2. Автор: Hideki Harano,Hirofumi Seo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-01-18.

Method for detecting etching endpoint, and etching apparatus and etching system using the method thereof

Номер патента: US6669810B1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Toshiyuki Nakamura,Toshiya Miyazaki,Toshihiro Hayami,Tadao Nakatsuka. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2003-12-30.

Plasma etching apparatus component for manufacturing semiconductor comprising composite sintered body and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240055266A1. Автор: Young Jo Park,Jae Woong Ko,Ha Neul Kim,Mi Ju KIM,Hyeon Myeong OH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-02-15.

Etching apparatus and methods

Номер патента: US09640370B2. Автор: Oliver James Ansell. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Wet etching apparatus

Номер патента: US20200075359A1. Автор: Jin Woo Lee,Seung Min Shin,Yong Jun Choi,Seok Hoon Kim,Ji Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Method and etching apparatus for etching a large lcd glass

Номер патента: TWI322196B. Автор: Seung-Min Noh. Владелец: Systems Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-21.

Cassette for Etching Apparatus

Номер патента: KR100843983B1. Автор: 노승민. Владелец: (주)에스티아이. Дата публикации: 2008-07-07.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Local etching apparatus

Номер патента: US6302995B1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: SpeedFam-IPEC Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US12080582B2. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US20240355663A1. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Ion beam etching apparatus

Номер патента: US11120975B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Geun Young Yeom,Kyung Chae YANG,Da In SUNG,Doo San KIM,You Jin JI,Jong Sik OH,Won Oh Lee,Mu Kyeom MUN,Ji Soo OH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-09-14.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100133234A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Tetsuo Yoshida,Ryoichi Yoshida,Michishige Saito,Akira Obi,Toshikatsu Wakaki,Hayato Aoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Component for film formation apparatus or etching apparatus

Номер патента: US20230223241A1. Автор: Koji Kawahara,Tomonori Ogawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

High capacity etching apparatus

Номер патента: CA1144517A. Автор: Martin P. Lepselter. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-04-12.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Operation method of etching apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230307217A1. Автор: Soonam Park,Myungsun Choi,Janggyoo Yang,Dooyoung Gwak,Jaemin Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Etching apparatus

Номер патента: US20210111056A1. Автор: Jewoo HAN,Jaehak LEE,Jongkeun LEE,Yunhwan Kim,Kuihyun YOON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Plasma etching apparatus and method for operating the same

Номер патента: US12046451B2. Автор: Ju Ho Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Nam Kyun Kim,Seung Han BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US09653357B2. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230386793A1. Автор: Kenji Maeda,Yosuke Kurosaki,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20190333739A1. Автор: Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Cooling of a plasma electrode system for an etching apparatus

Номер патента: US4963713A. Автор: Takao Horiuchi,Izumi Arai,Yoshifumi Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1990-10-16.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: EP4322200A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Dry etching apparatus using reactive ions

Номер патента: US4526643A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike,Hiromichi Horie. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-02.

Parallel plate dry etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20140273494A1. Автор: Shingo Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: US20240055238A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050061447A1. Автор: Yong-Dae Kim,Do-hyeong Kim,Doo-Won Lee,Soon-Ho Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Edge ring, dry etching apparatus having the same, and operation method of etching apparatus

Номер патента: US20240071732A1. Автор: Sungil Cho,Jinyoung Bang,Hyun-Sik HWANG,JungHwan UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Dry etching apparatus

Номер патента: US6165334A. Автор: Koji Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus

Номер патента: US5746928A. Автор: Po-Tao Chu,Kuang-Hui Chang,Shih Kuei Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Anisotropic etch apparatus with local etch direction adjustment capability and methods for operating the same

Номер патента: US20210391154A1. Автор: Shigehiro Fujino,Shoichi Murakami,Yusuke Osawa,Masaaki Higashitani,Syo FUKATA,Shigeru NAKATSUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US12020892B2. Автор: Yusuke Goki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20030203640A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor etching apparatus

Номер патента: US20240021460A1. Автор: Faming Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Local dry etching apparatus

Номер патента: US20200135429A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Dry etching apparatus and clamp therefor

Номер патента: US20140224427A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Plasma etching apparatus component and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130251949A1. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Takashi Rokutanda,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Etching apparatus, analysis apparatus, etching treatment method, and etching treatment program

Номер патента: WO2010106712A1. Автор: 智己 井上,大輔 白石,利浩 森澤. Владелец: 株式会社日立ハイテクノロジーズ. Дата публикации: 2010-09-23.

Maskless Etching Apparatus By Condensing Behavior of Etching Gas, And Etching Method For Fabricating Nano or Micro Scale Pattern Using The Same

Номер патента: KR101470306B1. Автор: 이지영,김윤환,나종주,이상로,서재형,김명근,박명점,악흔. Владелец: (주)에스이피. Дата публикации: 2014-12-09.

Etching amount detection method, etching method, and etching apparatus

Номер патента: JP4500510B2. Автор: 秀二 野沢,克洋 西牧. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD AND DETECTING APPARATUS OF FILM THICKNESS

Номер патента: US20210225674A1. Автор: Minemura Hiroyuki,Eto Soichiro,Usui Tatehito. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Power supply system, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JPWO2013125523A1. Автор: 太一 平野,史記 熊谷. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for measuring the etch endpoint of a wet etch apparatus having a container

Номер патента: KR970052177A. Автор: 허윤준. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

dry etching apparatus for liquid crystal display device

Номер патента: KR101147103B1. Автор: 유광종. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-05-17.

Dry etching apparatus and methods of forming an electric device using the same

Номер патента: EP1812960B1. Автор: Soon-Jong Lee,Bong-Joo Woo,Dong-Seok Lee. Владелец: Semisysco Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Substrate etching apparatus and substrate analysis method

Номер патента: US9741627B2. Автор: Takuma Hayashi,Katsuhiko Kawabata,Mitsumasa IKEUCHI,Sungjae Lee,Jin Kunika. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Scanned Angular Etch Apparatus and Technique to Provide Distinct Collinear Radicals and Ions

Номер патента: JP7236542B2. Автор: ピーター エフ． クルンチ，,モーガン エヴァンズ，,ジョセフ シー． オルソン，,クリストファー エー． ローランド，,ジェームズ ブオノドノ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Single wafer etching apparatus

Номер патента: MY148161A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-03-15.

Single-wafer etching method for wafer and etching apparatus thereof

Номер патента: MY147183A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Suction-extraction apparatus for treatment fluid and etching apparatus containing the same

Номер патента: MY188634A. Автор: Jürgen Haungs,Stefan Rapp. Владелец: Gebr Schmid GmbH. Дата публикации: 2021-12-22.

Carrying device, wet etching apparatus and usage method thereof

Номер патента: US20170202091A1. Автор: Zhiyuan Lin,Yinhu HUANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Wafer etching apparatus and method for controlling etch bath of wafer

Номер патента: US20150380323A1. Автор: Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Chih-shen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Wet etching apparatus

Номер патента: US20200365423A1. Автор: Jianfeng Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for etching etch layer and wafer etching apparatus

Номер патента: US20160314994A1. Автор: Ping-Jung Huang,Bo-Wei Chou,Manish Kumar Singh,Wen-Yu Ku,Jui-Ming SHIH,Pi-Chun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Wet etch apparatus

Номер патента: US20210391189A1. Автор: Han-Wen LIAO,Hong-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7776756B1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Soichi Nadahara,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Hiroyasu Iimori,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100210110A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Soichi Nadahara,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Hiroyasu Iimori,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Etching Apparatus and Methods

Номер патента: EP2592646A3. Автор: OliverJames Ansell. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Etching apparatus and method of controlling same

Номер патента: US20230011890A1. Автор: Sung Won Mo,Seung Hoon Lee,Yang Ho LEE,Jeong Hyun BAE,Heung Soo Han. Владелец: Zeus Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Etching apparatus and method

Номер патента: US20080017611A1. Автор: Yong-Woo Kim,Ho-Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Etching apparatus

Номер патента: US6051116A. Автор: Hirofumi Ichinose,Satoshi Shinkura,Akio Hasebe,Tsutomu Murakami,Yukie Ueno,Ippei Sawayama,Masaya Hisamatsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140305590A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Yasushi Taniguchi,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Process fluid extracting apparatus and etching apparatus including the same

Номер патента: KR20180079397A. Автор: 위르겐 하웅스,슈테판 라프. Владелец: 게부르. 쉬미트 게엠베하. Дата публикации: 2018-07-10.

Reactive ion etching apparatus

Номер патента: US5681419A. Автор: Hak-Soon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-28.

Dry etching apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US6350698B1. Автор: Yukihiro Kamide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-26.

Etching apparatus and etching method and detecting apparatus of film thickness

Номер патента: US20210225674A1. Автор: Hiroyuki Minemura,Soichiro Eto,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Power supply system, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US09922802B2. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4486217B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-06-23.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916B1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-05-21.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: WO2001084620A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2001-11-08.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1296367A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2003-03-26.

SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS AND ANALYZING APPARATUS

Номер патента: US20140262029A1. Автор: TAMAKI Kenji,SHIRAISHI Daisuke,ASAKURA Ryoji,KAGOSHIMA Akira. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Etching Apparatus

Номер патента: US20170053809A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,Lee Wan-Yu,Kuo Ying-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

ANALYSIS METHOD AND SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150083328A1. Автор: TAMAKI Kenji,SHIRAISHI Daisuke,ASAKURA Ryoji,KAGOSHIMA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

A method for manufacturing a semiconductor device, and an etching apparatus

Номер патента: KR101414125B1. Автор: 코이치로 타나카,마사푸미 모리수에. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2014-07-01.

A kind of gas flow control device and plasma etch apparatus

Номер патента: CN106653660B. Автор: 王志强,刘浩,吕俊君,常维,常新园,高才勇,崔镕各. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Plasma etching apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240128056A1. Автор: SeungBo SHIM,Changho Kim,Kyungsun Kim,Minyoung HUR,Yoonbum Nam,Hyeontae Kim,Juneeok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050211380A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US09934941B2. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20020014308A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Etching amount measurement apparatus for dry etching apparatus

Номер патента: US09612205B2. Автор: Munenori Iwami,Ganachev IvanPetrov. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Plasma etching apparatus and semiconductor processing system

Номер патента: US20230078095A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Byeongsang KIM,Youngdo Kim,Sungho Jang,Yunhwan Kim,Jungmo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus

Номер патента: US4780169A. Автор: Mark M. Stark,Douglas H. Warenback,David J. Drage. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1988-10-25.

Flow guide plate, lower electrode assembly for dry etching apparatus, and dry etching apparatus

Номер патента: US20190043696A1. Автор: ZHONG YANG,Kai Jiang,Xiaofeng Yang,Shihong Chen,Zelin Chen,Mingzhi Chai. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Magnetron sputtering etching apparatus

Номер патента: US4761219A. Автор: Fumihiko Sato,Naoto Sasaki. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus

Номер патента: US5401351A. Автор: Seiji Samukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

High density plasma deposition and etching apparatus

Номер патента: US5421891A. Автор: N. William Parker,Dan Katz,Gregor A. Campbell,Robert W. Conn,David I. C. Pearson. Владелец: Plasma and Materials Technologies Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US9156307B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20150102011A1. Автор: Maxime Varvara. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Portable electrolysis etching apparatus

Номер патента: KR200496814Y1. Автор: 장영진,김천국. Владелец: 두산에너빌리티 (주). Дата публикации: 2023-05-02.

Analysis method and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6173851B2. Автор: 昭 鹿子嶋,研二 玉置,大輔 白石,玉置　研二,涼次 朝倉,鹿子嶋　昭,白石　大輔. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Anti-shock etching apparatus for glass wafer

Номер патента: KR101371159B1. Автор: 정재규,곽선표. Владелец: (주) 청심이엔지. Дата публикации: 2014-03-06.

Analysis method and semiconductor etching apparatus

Номер патента: US11410836B2. Автор: Kenji Tamaki,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Ryoji ASAKURA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Analysis method and semiconductor etching apparatus

Номер патента: US20220328286A1. Автор: Kenji Tamaki,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Ryoji ASAKURA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Symmetrical shaper for an ion beam deposition and etching apparatus

Номер патента: US20080179535A1. Автор: Cherngye Hwang,Jorge A. Goitia,Peter M. Dang,Eduardo T. Mireles. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-07-31.

Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions

Номер патента: US12106936B2. Автор: Christopher A. Rowland,Joseph C. Olson,Morgan Evans,Peter F. Kurunczi,James Buonodono. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

POWER SUPPLY SYSTEM, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20150000842A1. Автор: Hirano Taichi,Kumagai Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

ION BEAM ETCHING METHOD AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170098458A1. Автор: KAMIYA Yasushi,Sakamoto Kiyotaka,Akasaka Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Etching processing method and bevel etching apparatus

Номер патента: US20160172257A1. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Etching Method and Etching Apparatus

Номер патента: US20190221440A1. Автор: Orii Takehiko,Suzuki Kento,ASADA Yasuo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Etching apparatus and method, flexible film etched by the method

Номер патента: KR101783882B1. Автор: 김기수,정재윤,조승민. Владелец: 정재윤. Дата публикации: 2017-11-06.

Etching processing method, and bevel etching apparatus

Номер патента: KR102469856B1. Автор: 마사키 곤도. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-22.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8425786B2. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Tsutomu Tetsuka,Makoto Satake,Ryoji Nishio,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: TW201724092A. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-07-01.

Method for manufacturing a touch screen panel using the dry etching apparatus

Номер патента: KR101082134B1. Автор: 구성창,송봉섭. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-11-09.

Wafer etching apparatus and wafer processing method using same

Номер патента: KR100931190B1. Автор: 구영수. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2009-12-10.

Scanned Angular Etch Apparatus and Technique to Provide Distinct Collinear Radicals and Ions

Номер патента: JP2023078157A. Автор: Evans Morgan,Buonodono James,ピーター エフ． クルンチ，,モーガン エヴァンズ，,ジョセフ シー． オルソン，,クリストファー エー． ローランド，,ジェームズ ブオノドノ，,F Kurunczi Peter,C Olson Joseph,A Rowland Christopher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions

Номер патента: US20230335375A1. Автор: Christopher A. Rowland,Joseph C. Olson,Morgan Evans,Peter F. Kurunczi,James Buonodono. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09659789B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210082709A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11495468B2. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210066089A1. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11380555B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Etching method and etching apparatus can enhance the controllability of an etching amount in every portion of a substrate when an oxygen-containing silicon film embedded in a plurality of recessed portions with varied opening widths in the substrate is etched

Номер патента: TW202213495A. Автор: 竹谷考司,楊元,李楨燦,称田聡,羽田敬子. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-01.

Photoplasma etching apparatus having improved plasma-resistant and manufacturing method therefor using a thermal diffusion phenomenon of a rare-earth metal thin film

Номер патента: US11827975B2. Автор: Hyunchul Ko,Suntae Kim,Donghun Jeong. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-contact type and dipping type developing apparatus, etching apparatus, developing-etching apparatus

Номер патента: KR102540482B1. Автор: 김윤곤. Владелец: 주식회사 지씨이. Дата публикации: 2023-06-07.

Etching apparatus and method

Номер патента: US09688569B2. Автор: Karl Pilch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180076051A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Masaru Izawa,Satoshi Sakai,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150140821A1. Автор: Kubota Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210175090A1. Автор: Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210202261A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150235861A1. Автор: YAMAZAKI Kumiko,MIZUNO Hideki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-08-20.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20180286691A1. Автор: MURAKAMI Hiroki,MIYAHARA Takahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200312622A1. Автор: Tanaka Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR102436237B1. Автор: 마사히로 오가사와라,가쿠 시모다,호타카 마루야마,타카노리 사토,마사후미 우라카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-08-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN114639602A. Автор: 清水昭贵,细野真树,佐藤枢. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-17.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101772701B1. Автор: 이성태,마사히로 오가사와라,준이치 사사키,나오히토 야나기다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-29.

Etching apparatus and etching method for substrate bevel

Номер патента: TW200746295A. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP7133975B2. Автор: 忠大 石坂,雅人 坂本,剛司 板谷. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP4502198B2. Автор: 和彦 上野,充郎 稲田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR102033979B1. Автор: 료헤이 타케다,류이치 타카시마,요시노부 오오야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-10-18.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: US20100224587A1. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Dry etching apparatus dry etching methodand diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator for use therein

Номер патента: KR950013065B1. Автор: 다다히로 오오미,히로히사 기꾸야마,마사히로 미끼,마다고로오 마에노. Владелец: 하시모또 미찌노스께. Дата публикации: 1995-10-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US9865471B2. Автор: Takanori Sato,Hotaka Maruyama,Masahiro Ogasawara,Masafumi Urakawa,Gaku SHIMODA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP2011192718A. Автор: 正宏 小笠原,Junichi Sasaki,淳一 佐々木,Masahiro Ogasawara,誠泰 李,Masayasu Ri,Naoto Yanagida,直人 柳田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11024514B2. Автор: Hidenori Miyoshi,Akitaka Shimizu,Takuya Abe,Koichi Nagakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN104471686A. Автор: 吉田亮一,石井孝幸,小林宪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Method of supplying etching gas and etching apparatus

Номер патента: TW201214558A. Автор: Yoshiyuki Kato,Yoshinobu Hayakawa,Hideki Mizuno,Masahiro Ogasawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN110783188A. Автор: 三好秀典,清水昭贵,长仓幸一,阿部拓也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-11.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and substrate mounting table

Номер патента: KR102049146B1. Автор: 요시히코 사사키,하지메 우가진,마사토 미나미,다카후미 감베,쥰 야마와쿠,모토키 후지나가. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-26.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20160189975A1. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus

Номер патента: US20060258117A1. Автор: Takeshi Yamashita,Takao Yamaguchi,Hideo Niko. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150270148A1. Автор: SHINODA Kazunori,MAEDA Kenji,TETSUKA Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Plasma etching apparatus and method

Номер патента: EP0445981A2. Автор: Richard Alan Gottscho,Konstantinos Petros Giapis,Geoffrey Robert Scheller. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1991-09-11.

Diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator for use in dry etching apparatus.

Номер патента: EP0604393A3. Автор: Ohmi Tadahiro,Miki Masahiro,Kikuyama Hirohisa,Maeno Matagoro. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-10.

Diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator for use in dry etching apparatus

Номер патента: EP0604393A2. Автор: Ohmi Tadahiro,Miki Masahiro,Kikuyama Hirohisa,Maeno Matagoro. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-29.

Wafer edge etching apparatus and method thereof

Номер патента: KR101027452B1. Автор: 노길식. Владелец: (주)케이에스텍. Дата публикации: 2011-04-06.

Etching apparatus having a confinement and guide object for gas flow of plasma and method for using same

Номер патента: WO2002009198A9. Автор: Dave Johnson,Kenneth Mackenzie,Mike Devre,Jewon Lee,Jay Sasserath. Владелец: Jay Sasserath. Дата публикации: 2003-02-06.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR102498132B1. Автор: 히로유키 다카하시,요시오 와타나베,시리 밀란,다케시 세키. Владелец: 가부시기가이샤 디스코. Дата публикации: 2023-02-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09991138B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290644A1. Автор: Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290653A1. Автор: Masaki Inaba,Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11791175B2. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230395400A1. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006187A1. Автор: Hiroyuki Abe,Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Seungmin Kim,Toshinori Debari,Woonghyun JEUNG,Kenshiro ASAHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

ETCHING APPARATUS AND METHOD, AND FLEXIBLE FILM ETCHED BY THE ETCHING METHOD

Номер патента: US20170236726A1. Автор: KIM Kisoo,CHO SeungMin,Jeong Jaeyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Wafer processing method, wafer processing apparatus, etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4077699B2. Автор: 幹夫 高木,勝 基 蔡,光 銘 李,在 赫 安,在 旭 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-16.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140073113A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190198349A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,Orii Takehiko,YAMAGUCHI Tatsuya,ASADA Yasuo,Irie Shinji,HAGIWARA Ayano. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Etching Method and Etching Apparatus

Номер патента: US20200234974A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,Orii Takehiko,YAMAGUCHI Tatsuya,ASADA Yasuo,Irie Shinji,HAGIWARA Ayano. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210305056A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Takehiko Orii. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Mikami Shunichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-09-15.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Etching method, storage medium, and etching apparatus

Номер патента: KR101869198B1. Автор: 고이치 사토,겐사쿠 나루시마,모토코 나카고미,에이이치 고모리,다이키 가토우. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-06-19.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP7204348B2. Автор: 聡 戸田,悟 菊島,健 中込,淑恵 小澤,軍 林. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-16.

Wafer etching apparatus and etching method

Номер патента: KR100799069B1. Автор: 송재환. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR102282188B1. Автор: 준 린,사토시 도다,사토루 기쿠시마,겐 나카고미,요시에 오자와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-26.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20190079543A. Автор: 노부히로 다카하시,다케히코 오리이,다츠야 야마구치,아야노 하기와라,야스오 아사다,신지 이리에. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20230004665A. Автор: 노부히로 다카하시,다케히코 오리이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-06.

Wafer Etching Apparatus and Wafer Etching Method using the same

Номер патента: KR101093950B1. Автор: 김봉우,이재환,최은석,안진우,유환수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2011-12-13.

Single wafer etching apparatus and single wafer etching method

Номер патента: KR100948286B1. Автор: 타케오 카토,토모히로 하시이,카츠히코 무라야마,사카에 코야타,카즈시게 타카이시. Владелец: 가부시키가이샤 섬코. Дата публикации: 2010-03-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20230040358A. Автор: 나오키 신도,다쿠야 세이노,노리아키 오카베,겐 요오. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-03-22.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: KR101716535B1. Автор: 슈지 모리야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-14.

Gas phase etching apparatus and gas phase etching equipment

Номер патента: WO2018064983A1. Автор: 胡云龙,张军,马振国,吴鑫,文莉辉,张鹤南,储芾坪. Владелец: 北京北方华创微电子装备有限公司. Дата публикации: 2018-04-12.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2945188B1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-12.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20160005621A1. Автор: Takahashi Hiroyuki,NARUSHIMA Kensaku,TODA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Etching Method, Etching Apparatus, and Storage Medium

Номер патента: US20200098575A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,ASADA Yasuo. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: KR101837800B1. Автор: 히데아키 사토,유지 가미카와,츠카사 히라야마,후미히로 가미무라,히로미 하라,히로노부 햐쿠타케,슈우헤이 다카하시. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-03-12.

Etching method, storage medium and etching apparatus

Номер патента: US9390933B2. Автор: Kohichi Satoh,Kensaku Narushima,Motoko NAKAGOMI,Eiichi Komori,Taiki KATOU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP5997555B2. Автор: 修司 守谷,守谷　修司. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Silicon oxide etching method and etching apparatus

Номер патента: KR102352038B1. Автор: 아키후미 야오,쇼이 스즈키. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-01-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20230058504A. Автор: 김승민,히로유키 아베,토시노리 데바리,겐시로 아사히,레이코 사사하라,데페이 오쿠무라,정웅현. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-05-03.

ULTRA HIGH-SPEED WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130244442A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Ohashi Tomotsugu,Yoshikawa Kazuhiro,Yoshida Tetsuro,Uchimura Teppei,Soeda Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Etching apparatus

Номер патента: US20220181162A1. Автор: Masanobu Honda,Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

SUBSTRATE SUPPORT UNIT AND PLASMA ETCHING APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20140224426A1. Автор: KIM Tae Gon,HAN Kyung Hyun,JEON Yun Kwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

Particle collecting module and laser etching apparatus having the same

Номер патента: KR101712483B1. Автор: 김준형,이동훈,김우현,최교원,유우종,남동현,한승수,강병식,염성철,정성채. Владелец: 주식회사 에스에프에이. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of selectively removing silicon nitride and single wafer etching apparatus thereof

Номер патента: KR101994041B1. Автор: 창 치엔 잉-수에,리 유-밍,양 치-밍. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-06-27.

Pressurized etching apparatus and controlling method thereof

Номер патента: KR102391244B1. Автор: 박성환,조현동. Владелец: 주식회사 제우스이엔피. Дата публикации: 2022-04-28.

Manufacturing device for focus ring of dry etching apparatus

Номер патента: KR101631796B1. Автор: 임재석. Владелец: 주식회사 티씨케이. Дата публикации: 2016-06-20.

Etching apparatus

Номер патента: GB2207890B. Автор: Ronald Carl Stern. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1991-05-01.

A kind of etching apparatus and lithographic method

Номер патента: CN108538710A. Автор: 韦显旺. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-14.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956A. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US20150206763A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US8945413B2. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US20130186858A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US9441292B2. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006152A1. Автор: Yoshihide Kihara,Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20230294209A1. Автор: HeungYeol Na,Jungwoo CHOI,Yoonchul KIM,Seong Jin YEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Electrostatic chuck, etching apparatus, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20240274458A1. Автор: Tae Hun Kim,Do Hwan Kim,Jae Han Kim,Seung Ho MYOUNG,Gyeong Hee HAN,Hee Sun JANG,Dae Young OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrostatic chuck, etching apparatus, and method of manufacturing display device

Номер патента: US11990361B2. Автор: Tae Hun Kim,Do Hwan Kim,Jae Han Kim,Seung Ho MYOUNG,Gyeong Hee HAN,Hee Sun JANG,Dae Young OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrostatic chuck, etching apparatus, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20220037186A1. Автор: Tae Hun Kim,Do Hwan Kim,Jae Han Kim,Seung Ho MYOUNG,Gyeong Hee HAN,Hee Sun JANG,Dae Young OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

FILTER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190105588A1. Автор: HIRANO Takaaki,HYAKUTAKE Munehiro. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190237332A1. Автор: Tanaka Katsunori,Maruyama Hotaka. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

ETCHING METHOD AND BEVEL ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150352669A1. Автор: Kondo Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Laser etching apparatus and method of laser etching using the same

Номер патента: KR20170120225A. Автор: 이동훈. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-10-31.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW201800139A. Автор: 百武宗洋,平野孝明. Владелец: 日本瑞翁股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-01.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20230031791A. Автор: 고키 다나카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-03-07.

A plasma etch method and a plasma etch apparatus and a memory medium

Номер патента: TWI496210B. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: TW200947548A. Автор: Yusuke Hirayama,Shuichiro Uda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: WO2017169809A1. Автор: 孝明 平野,宗洋 百武. Владелец: 日本ゼオン株式会社. Дата публикации: 2017-10-05.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101088254B1. Автор: 슈이치로 우다,유스케 히라야마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-30.

Etching apparatus using etching chamber

Номер патента: CN113574644A. Автор: 李昇勋,朴成焕,赵显东,牟圣元,李羊浩,裵祯贤. Владелец: Zeus Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: TW200947547A. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: TW201140689A. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa,Song-Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

ETCHING SOLUTION RECYCLING SYSTEM AND METHOD FOR WAFER ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190099694A1. Автор: FAN Che-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US20150206763A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: KR0137937Y1. Автор: 오동민. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-20.

Semiconductor hybrid etching apparatus and method

Номер патента: KR102386130B1. Автор: 김대희,윤용혁. Владелец: 주식회사 지티아이코리아. Дата публикации: 2022-04-13.

Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus

Номер патента: KR102076520B1. Автор: 로이 씨. 난고이,앤드류 와이. 엔구옌. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-02-12.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US11786990B2. Автор: Gyoowan Han,Yoongyeong Bae,Jooseob Ahn,Taekil OH,Yeonghwan KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20200230740A1. Автор: Gyoowan Han,Yoongyeong Bae,Jooseob Ahn,Taekil OH,Yeonghwan KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200126770A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Etching method, etching apparatus and storage medium

Номер патента: US09646848B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Satoshi TODA,Kensaku Narushima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09728418B2. Автор: Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Masaru ISAGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240038494A1. Автор: Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180342401A1. Автор: Kosuke Koiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Electrode part deterioration preventing mechanism of etching apparatus, etching apparatus, electrode part deterioration preventing method and etching method of etching apparatus

Номер патента: JP3865695B2. Автор: 秀史 浜田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces

Номер патента: US6083412A. Автор: Michael Rice,Jeffrey Marks,David W Groechel,Nicolas J Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Etch apparatus for compensating shifted overlayers

Номер патента: US12094691B2. Автор: Chun-Yen Chang,Ya-Hui Chang,Chih-Kai Yang,Shih-Ming Chang,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: TW200823995A. Автор: Jeong-Beom Lee,Duck-Ho Kim,Myung-Gon Song,Sung-Min Na,Sung-Ho Cha,Dae-Sik Junn,Kyoung-Jin Lim. Владелец: Jusung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW201209914A. Автор: Seiji Ogata,Manabu Yoshii,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Etching apparatus and etching method technical field

Номер патента: WO2014010751A1. Автор: Isao Yamada,Koji Yamashita,Kenichi Hara,Koji Kasuga,Noriaki Toyoda. Владелец: University of Hyogo. Дата публикации: 2014-01-16.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200234963A1. Автор: Sho Kumakura,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor etching apparatus and etching method of semiconductor devices using the semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20020017447A. Автор: 지경구,정승필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-07.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20080110569A1. Автор: Junichi Tanaka,Hiroshi Akiyama,Naoshi Itabashi,Kouhei Satou,Go Miya,Seiichiro Kanno. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Etching method for etching a semiconductor substrate having a silicide layer and a polysilicon layer and etching apparatus for use in the etching method

Номер патента: GB9502363D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-29.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: US20230386788A1. Автор: Jiwon Jung,Chin-Wook Chung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus and method for high-speed etching of substrate using plasma etching apparatus, and apparatus and method for plasma ignition and plasma power pull-up control or pulsing

Номер патента: JP2003502861A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア,ベック トーマス. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-21.

Plasma etching apparatus, plasma etching system and method of etching a substrate using the same

Номер патента: KR101317160B1. Автор: 김근호,이중희,전선규. Владелец: (주)소슬. Дата публикации: 2013-10-11.

Capacitive coupled rf vacuum etching apparatus, workpiece or substrate processing plant and method of etching or of manufacturing etched workpieces or substrates

Номер патента: TWI767953B. Автор: 爵根 維查特,約翰尼斯 維查特. Владелец: 瑞士商艾維太克股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-21.

Etching apparatus adapted to etch process of semiconductor fabrication equipments

Номер патента: KR20010108609A. Автор: 문광일. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-08.

Etching apparatus

Номер патента: US20120160416A1. Автор: Masaru Nishino,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Plasma etching apparatus

Номер патента: TW422893B. Автор: Jong-Heui Song,Se-Hyeong Lee,Min-Woong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-02-21.

Ion beam etching apparatus and method

Номер патента: US12087558B2. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Etching apparatus for edges of substrate

Номер патента: TW200832541A. Автор: Jeong-Beom Lee,Duck-Ho Kim,Myung-Gon Song,Sung-Ho Cha,Dae-Sik Junn,Kyoung-Jin Lim. Владелец: Jusung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-01.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20120238040A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20140017900A1. Автор: Satoshi Yamada,Shigeki Doba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200006079A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki,Izawa Masaru,SHINODA Kazunori,KAWAMURA Kohei,MIYOSHI Nobuya,KOUZUMA Yutaka,OOKUMA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190006186A1. Автор: SATO Hiroki,HIROSE Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20160013065A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Tanaka Koki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160056021A1. Автор: TSUJIMOTO Hiroshi,Mizutani Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-02-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210057220A1. Автор: Yusuke Takino,Yusuke Yanagisawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20210066089A1. Автор: HONDA Masanobu,KIHARA Yoshihide,YOKOYAMA Takahiro,TOMURA Maju. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-03-04.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220084835A1. Автор: KUBOI Shuichi,Fukumizu Hiroyuki,IINO Daiki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190067031A1. Автор: Takahashi Masahiko,Shimizu Yusuke,Kitamura Akinori. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2019-02-28.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160079074A1. Автор: TSUJIMOTO Hiroshi,TOYODA Keigo,ISAGO Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20210082656A1. Автор: GOKI Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140162463A1. Автор: TAKASHIMA Ryuichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-06-12.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160086817A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220102160A1. Автор: Tahara Shigeru,MAEKAWA Kaoru,Faguet Jacques,Ono Kumiko,SATO Nagisa,DUSSART Remi,TILLOCHER Thomas,LEFAUCHEUX Philippe,ANTOUN Gaëlle. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190088497A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170133234A1. Автор: Yamada Satoshi,DOBA Shigeki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220301881A1. Автор: KUMAKURA Sho,KIHARA Yoshihide,SASAGAWA Hironari,TOMURA Maju. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-09-22.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150255305A1. Автор: Nakagawa Akira. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-10.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200234963A1. Автор: KUMAKURA Sho,SUDA Ryutaro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-07-23.

DRY ETCHING APPARATUS AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20210335625A1. Автор: Kofuji Naoyuki,KUWAHARA Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

LASER ETCHING APPARATUS AND A METHOD OF LASER ETCHING USING THE SAME

Номер патента: US20170304951A1. Автор: Lee Dong-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200294812A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160322230A1. Автор: OGASAWARA Masahiro,Sato Takanori,Maruyama Hotaka,SHIMODA Gaku,URAKAWA Masafumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20190333739A1. Автор: Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200357658A1. Автор: NAGASEKI Kazuya,NAGAMI Koichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-11-12.

METHOD OF ETCHING AT LOW TEMPERATURE AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190385860A1. Автор: Kim Moonseok,SONG Changwoo,JEONG Seongha,LEE CHEONKYU,Byun Iksu,Han Dongseok. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200402800A1. Автор: KUMAKURA Sho,TOMURA Maju,Ohuchida Satoshi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-12-24.

Wafer edge etch apparatus and method of wafer edge etch using the same

Номер патента: KR100905845B1. Автор: 김도형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102046193B1. Автор: 아키노리 기타무라,겐타 야스다,?스케 이시다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-18.

Layer-by-layer etching apparatus using neutral beam and method of etching using the same

Номер патента: KR100408137B1. Автор: 조성민,이도행,정민재,염근영,정세훈. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2003-12-06.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4128365B2. Автор: 隆幸 勝沼. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20210027232A. Автор: 히로시 츠지모토,부디만 모드 페어루즈 빈. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-03-10.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR100924853B1. Автор: 요시미츠 곤,요시노부 하야카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-11-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101604630B. Автор: 佐佐木胜. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR100967458B1. Автор: 토시히사 노자와,테츠야 니시즈카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-07-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus capable of detecting end point

Номер патента: JP4101280B2. Автор: 雅彦 田中,孝 山本,善幸 野沢,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source

Номер патента: KR100419033B1. Автор: 김준태,석창길,손상현,강순석. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2004-02-21.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20070138134A1. Автор: Chuan-Han Hsieh,Yu-Ming Liu,Chiu-Liang Li,Hui-Chin Hsu,Kuo-Chih Yeh,Hung-Te Cheng,Chien-En Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Etching Method and Etching Apparatus

Номер патента: KR20200019983A. Автор: 다케시 사이토,아키타카 시미즈,슈이치로 우다,다이키 가토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-02-25.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101126741B1. Автор: 다카시 야마모토,마사히코 다나카,요시유키 노자와,쇼이치 무라카미. Владелец: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2012-03-29.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: KR101025323B1. Автор: 채승기,김명진,박성욱,장경호,김우석,김일경,안재혁,김재욱,윤기영,이광명,허노현,켄고 츠츠미,세이이치 타카하시,신지 야나기사와. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2011-03-29.

Anode anti-etching apparatus of plasma etching machine

Номер патента: KR950006636Y1. Автор: 박치균. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-08-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method thereof

Номер патента: KR100951475B1. Автор: 박종호,김남진,김광태,조호용,김정태,김하종. Владелец: (주)타이닉스. Дата публикации: 2010-04-07.

Silicon substrate etching method and etching apparatus

Номер патента: WO2003030239A1. Автор: Kazuo Kasai,Yoshiyuki Nozawa,Hiroaki Kouno. Владелец: Sumitomo Precision Products Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20220119358A. Автор: 겐지 마에다,히로토 오타케,요스케 구로사키. Владелец: 주식회사 히타치하이테크. Дата публикации: 2022-08-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN110809817A. Автор: 清水昭贵,斋藤刚,宇田秀一郎,加藤大辉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Electron cyclotron resonance (ecr) plasma etching process and ecr plasma etching apparatus

Номер патента: EP0407169A3. Автор: Satoru Mihara,Takushi Motoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-09-11.

Plasma-etching method and plasma-etching apparatus

Номер патента: CN110164764A. Автор: 后平拓,箕浦佑也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20070056929A1. Автор: Junichi Tanaka,Masahito Mori,Naoshi Itabashi,Go Miya,Naoyuki Kofuji,Seiichiro Kanno,Motohiko Yoshigai,Go Saito. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101346807A. Автор: 山本孝,田中雅彦,野泽善幸,村上彰一. Владелец: SUMITOMO PRECISION INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR100910681B1. Автор: 데쓰야 니시즈카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-08-04.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20050011612A1. Автор: Katsuya Watanabe,Mamoru Yakushiji,Yutaka Ohmoto,Ryooji Fukuyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: TW202209480A. Автор: 戸村幕樹,須田隆太郎. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-01.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: CN100362632C. Автор: 及川弘太. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer storage medium

Номер патента: CN101241859B. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Method of supplying etching gas and etching apparatus

Номер патента: US8815106B2. Автор: Yoshiyuki Kato,Yoshinobu Hayakawa,Hideki Mizuno,Masahiro Ogasawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN110660663B. Автор: 小林浩之,篠田和典,川村刚平,伊泽胜,三好信哉,大隈一畅,高妻丰. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-16.

Plasma etching apparatus capable of in-situ monitoring, its in-situ monitoring method and in-situ cleaning method for removing residues in plasma etching chamber

Номер патента: KR100257903B1. Автор: 조성범,신은희,최백순,김학필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-01.

Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method

Номер патента: US6726799B2. Автор: Osamu Koike. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220262646A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN115885368A. Автор: 户村幕树,须田隆太郎,福井信志. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956B. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

Wet etching method and wet etching apparatus

Номер патента: TW200731396A. Автор: Ryuji Sotoaka,Keiichi Tanaka,Tomoyuki Azuma. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2007-08-16.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US9105452B2. Автор: Tae-Gon Kim,Kyung-Sun Kim,Jeong-Yun Lee,Kyung-yub Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: JP5065787B2. Автор: 秋広 菊池,乾司 出原. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4593402B2. Автор: 和男 高田,豊 工藤,聡 谷,英司 石川,有二 加藤. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN110010439B. Автор: 广瀬润,上田雄大. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: CN101241859A. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP6001529B2. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: TW200913055A. Автор: Akihiro Kikuchi,Kenji Idehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR101276482B1. Автор: 마사오 이노우에,에이지 미야모토. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-06-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20220022101A. Автор: 마주 도무라,류타로 스다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-24.

Material film etching method on semiconductor wafer using surface wave plasma etching apparatus

Номер патента: JP3782647B2. Автор: 哲 圭 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-07.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP5192209B2. Автор: 勝 杉本,公 輿石,典之 小林,滋 米田,慈 田原,健一 花輪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Silicon substrate etching method and etching apparatus

Номер патента: JPWO2003030239A1. Автор: 善幸 野沢,一夫 笠井,野沢　善幸,広明 河野,河野　広明. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW200903632A. Автор: Toshio Hayashi,Yasuhiro Morikawa,Kou-Kou Suu. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Etching method, etching apparatus and storage medium

Номер патента: JP6435667B2. Автор: 高橋　宏幸,宏幸 高橋,聡 戸田,健索 成嶋,戸田　聡. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN103069547A. Автор: 原谦一,早川崇. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN100337312C. Автор: 胜沼隆幸. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Semiconductor etching apparatus, end point detection system, and method of implementing the same with improved etching non-uniformities

Номер патента: TW201327659A. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chien-An Chen,Ying Xiao,Yen-Shuo Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2013-07-01.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20020142615A1. Автор: Masahiro Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TWI498965B. Автор: Daisuke Matsushima. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JPWO2011115008A1. Автор: 泰宏 森川,森川　泰宏,直樹 水谷,貴英 村山,学 吉居. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20020005252A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Mitsuru Suehiro. Дата публикации: 2002-01-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: TW202318507A. Автор: 篠田和典,濱村浩孝,石川健治,堀勝,氏翠兒 阮. Владелец: 日商日立全球先端科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-05-01.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20210343503A1. Автор: Takayuki Suzuki,Koichi Nagami,Natsumi TORII,Noriiki Masuda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Etching method, etching apparatus, computer program and storage medium

Номер патента: US20100243605A1. Автор: Tetsuya Nishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Pulse-plasma etching method and pulse-plasma etching apparatus

Номер патента: TW201248713A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201234474A. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200301521A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi,Ichiya Nagaseki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TWI263276B. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Kouichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200402792A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-02-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240222138A1. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120064726A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220051899A1. Автор: TOMURA Maju,SUDA Ryutaro. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20190198298A1. Автор: Hirose Jun,UEDA Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190214267A1. Автор: TERASHIMA Ryo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210265169A1. Автор: Kentaro Yamaguchi,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Etching Method and Etching Apparatus

Номер патента: US20190348299A1. Автор: ISHIZAKA Tadahiro,ITATANI Takeshi,SAKAMOTO Masato. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP5808697B2. Автор: 勝 伊澤,政士 森,森　政士,伊澤　勝,勝嗣 八木. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JPWO2008140012A1. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川,紅コウ 鄒,森川　泰宏,鄒　紅コウ,林　俊雄. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: CN102420089A. Автор: 长山将之,佐藤直行,长久保启一. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Focus ring heating method, plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP5203986B2. Автор: 宏 辻本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP3388228B2. Автор: 理 小池. Владелец: 株式会社半導体先端テクノロジーズ. Дата публикации: 2003-03-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN113966546A. Автор: 田原慈,雅各·法盖,前川薫,大野久美子,佐藤渚,雷米·杜萨特,托马斯·蒂洛彻,菲利普·勒福舍,盖尔·安托万. Владелец: Universite dOrleans. Дата публикации: 2022-01-21.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TW201935558A. Автор: 上田雄大,廣瀨潤. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2048703B1. Автор: Takashi Yamamoto,Masahiko Tanaka,Shoichi Murakami,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-04.

Plasma generating apparatus, etching apparatus and ion physical vapor deposition apparatus having the same, RF coil for inductively coupling energy to plasma, and plasma generating method

Номер патента: JP4025193B2. Автор: ブルカ、ジョーゼフ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and etching apparatus

Номер патента: JP4421609B2. Автор: 実 鈴木,勇一 立野,陽一 置田,恒治 揖斐. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-02-24.

Etching apparatus and method

Номер патента: US20230317530A1. Автор: Chih-Teng Liao,Yung-Chang Jen,Tsung-yi Tseng,Hsi Chung CHEN,Bo-Ting Liao,Shao Yong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150013908A1. Автор: Nishimura Eiichi,Kotsugi Tadashi,Yamashita Fumiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20150020973A1. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170032987A1. Автор: Lee Hyung-Joo,Kim Kwang-Nam,Baek Kye-hyun,Hong Jong-Seo,TOMOYASU Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Plasma Etching Apparatus and Method

Номер патента: US20220051881A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190035610A1. Автор: KIM Ki Hyun,KIM Ki Seok,LEE Won Oh,Park Jin Woo,YEOM Geun Young,KIM Doo San,JI You Jin,YANG Kyung Chae,SUNG Da In,OH Jong Sik,MUN Mu Kyeom,OH Ji Soo. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180053661A1. Автор: LEE Jae-hyun,PARK MIN-JOON,KIM TAE-HWA,KWON SANG-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

CONTROL METHOD OF DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190103286A1. Автор: LEE Kyung Jin,KANG Ji Sung,CHOI Sang Jun. Владелец: VAULT CREATION CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-04.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20190115192A1. Автор: KOBAYASHI Noriyuki,Tahara Shigeru,Koshiishi Akira,YONEDA Shigeru,Hanawa Kenichi,Sugimoto Masaru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH TEMPERATURE COATINGS FOR A PRECLEAN AND ETCH APPARATUS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200131634A1. Автор: Lin Xing,Wang Wentao,Gao Peipei,Nagaraj Prajwal,Ma Mingyang,Demos Alexandros,WEI Chuang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

DRY ETCHING APPARATUS AND CLAMP THEREFOR

Номер патента: US20140224427A1. Автор: Takahashi Shuji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

Plasma Etching Apparatus Component for Manufacturing Semiconductor Comprising Composite Sintered Body and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20220285164A1. Автор: Kim Ha Neul,Park Young Jo,KO Jae Woong,KIM Mi Ju,OH Hyeon Myeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200135429A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

FOCUS RING HEIGHT ADJUSTING DEVICE AND WAFER ETCHING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200168442A1. Автор: KIM Byung Kyu,Son Duk Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Dry etching apparatus

Номер патента: US20170186588A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

ANALYSIS METHOD AND SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190189397A1. Автор: TAMAKI Kenji,SHIRAISHI Daisuke,ASAKURA Ryoji,KAGOSHIMA Akira. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Capacitively Coupled Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20200194230A1. Автор: Huang Yunwen,Zhao Jinlong,Ni Tuqiang,Wu Lei,LIANG Jie. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Capacitively Coupled Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20200194275A1. Автор: Huang Yunwen,Zhao Jinlong,Ni Tuqiang,Wu Lei,LIANG Jie. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Capacitively Coupled Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20200194276A1. Автор: Huang Yunwen,Zhao Jinlong,Ni Tuqiang,LIANG Jie. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

ETCHING APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20190221437A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Lane Steven,Yang Yang,MONROY Gonzalo,CHEN Lucy Zhiping. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Reactive Ion Etching Apparatus

Номер патента: US20200219729A1. Автор: Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170278674A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: SPEEDFAM Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-09-28.

PLASMA FOCUS RING OF SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200312635A1. Автор: KIM Ki Sang,LEE Weon Gyu,JUN Jae Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

JIG AND PLASMA ETCHING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150357162A1. Автор: KIM Sang-won,Shin In-Sup. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160379807A1. Автор: BURGESS STEPHEN R.,MONCRIEFF IAN,Rich Paul,Thomas Adrian,WILBY ANTHONY PAUL,DENSLEY PAUL,WIDDICKS CLIVE L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190393053A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Lane Steven,Yang Yang,MONROY Gonzalo,CHEN Lucy Zhiping. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

SENSOR DEVICE AND ETCHING APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20200411390A1. Автор: SUN Jongwoo,MUN Jeongil,KIM Kyeonghun,YANG Seeyub,LEE Hyungjoo,Kim Kyoungsuk. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Surface wave coupled etching apparatus

Номер патента: KR100263902B1. Автор: 이철규. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-09-01.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR101500995B1. Автор: 성덕용. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2015-03-18.

An etching apparatus for semiconductor process

Номер патента: KR100223851B1. Автор: 문성열. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Wafer chuck for an etching apparatus

Номер патента: KR0125237Y1. Автор: 백인기. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-18.

Surface wave plasma etching apparatus

Номер патента: JPH11340212A. Автор: Chol-Kyu Lee,哲 圭 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-10.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR100258984B1. Автор: 이영우,김태룡,김학필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-01.

Etching Apparatus

Номер патента: KR100526928B1. Автор: 김동철,이진석,이재봉,최인호,김정욱,백동석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR100558929B1. Автор: 이승훈,김영철,윤석문,정병국,문종. Владелец: 주식회사 리드시스템. Дата публикации: 2006-03-10.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR100646318B1. Автор: 김태훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Etching apparatus

Номер патента: KR100236099B1. Автор: 안경호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR910009321B1. Автор: 야스오 다나까,가즈유끼 도미다,마스오 탄노. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1991-11-09.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR20070114949A. Автор: 이병삼,장경호,강태우,임장빈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-05.

Wafer edge etching apparatus

Номер патента: KR101039587B1. Автор: 노길식. Владелец: (주)케이에스텍. Дата публикации: 2011-06-09.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR20010109771A. Автор: 구도서. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-12.

Temperature controller and etching apparatus having the same

Номер патента: KR100508754B1. Автор: 최승혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Plasma etching apparatus for semiconductor

Номер патента: KR100266668B1. Автор: 황보영범. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Deep-trench silicon etching apparatus and gas inlet system thereof

Номер патента: KR101322545B1. Автор: 양 저우. Владелец: 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2013-10-28.

Anisotropic etching apparatus

Номер патента: KR100234661B1. Автор: 고지마마사유끼,이또요시가즈,도미다가즈시,도자와시게끼,이이무로순이찌,아라사와마사사,니시무라에이이찌. Владелец: 도꾜일렉트론야마나시 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-12-15.

Gas diffusion device for transformer coupled plasma etching apparatus

Номер патента: KR200181399Y1. Автор: 박신승,박선동. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Semiconductor etching apparatus for use in fabrication of semiconductor device, comprises electrostatic chuck, edge ring and ring-shaped spacer within process chamber

Номер патента: DE102005033443A1. Автор: Sung-Sok Suwon Choi,Jin-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Capacitively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: KR102195744B1. Автор: 투치앙 니,지에 리앙,진롱 자오,윈웬 황. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나. Дата публикации: 2020-12-29.

Dry Etching Apparatus for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: KR100431660B1. Автор: 안재수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-17.

Plasma etching apparatus

Номер патента: TWI704615B. Автор: 安東尼Ｐ 維爾拜,史帝芬Ｒ 柏吉斯,伊恩 蒙克里夫,保羅 丹斯賴,克里夫Ｌ 維迪克斯,保羅 瑞區,艾迪芮恩 湯瑪士. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2020-09-11.

Capacitively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: KR20200075767A. Автор: 투치앙 니,지에 리앙,진롱 자오,윈웬 황. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나. Дата публикации: 2020-06-26.

Chuck assembly of etching apparatus for preventing byproducts

Номер патента: US20030019584A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Chang-Won Choi,Jaung-Joo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Plasma etching apparatus and method

Номер патента: US8852385B2. Автор: Masaru Sugimoto,Akira Koshiishi,Noriyuki Kobayashi,Shigeru Yoneda,Shigeru Tahara,Kenichi Hanawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Plasma etching apparatus with heated scavenging surface

Номер патента: JP3426040B2. Автор: マークス ジェフリー,ライス マイケル,ダブリュー．グローシェル デイビッド,ジェイ． ブライト ニコラス. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-14.

Method of making shield and plasma etching apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination

Номер патента: KR100291898B1. Автор: 차훈,김진만,신은희,최백순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-06-01.

Semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR102031666B1. Автор: 이정훈,김경진,손수형. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2019-10-14.

Dry etching apparatus in the form of two parallel plate electrodes

Номер патента: KR940010220A. Автор: 다께시 아끼모또. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor plasma etching apparatus

Номер патента: KR100725342B1. Автор: 박래춘. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-07.

Plasma focus ring for semiconductor etching apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: KR101998202B1. Автор: 전재홍,이원규,김기상. Владелец: (주)원세미콘. Дата публикации: 2019-07-10.

Gas injector comprising block of ceramic material having gas injection holes extending therethrough, and etching apparatus incorporating the samme

Номер патента: GB2374454B. Автор: Tae Ryong Kim,Doo Won Lee,No Hyun Huh,Chang Won Choi,Byeung Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-17.

Plasma etching apparatus of semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: KR0155623B1. Автор: 권혁진. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-12-01.

Dry Etching Apparatus

Номер патента: KR100831292B1. Автор: 정창성. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2008-05-22.

Plasma etching apparatus and device for substrate transfer

Номер патента: KR101451736B1. Автор: 최준호,문희석,박찬중. Владелец: 주식회사 코디에스. Дата публикации: 2014-10-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP1143497A1. Автор: Kazunori Nagahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-10-10.

Plasma focus ring connection structure of semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR102363304B1. Автор: 전재홍,이원규,김기상. Владелец: (주)원세미콘. Дата публикации: 2022-02-16.

Wafer edge etching apparatus and method

Номер патента: CN1595618A. Автор: 金宗范,崔昶源,金太龙,徐廷宇,边昌柱. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US7951261B2. Автор: Bu-Il JEON. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Plasma etching apparatus and method

Номер патента: JP3257741B2. Автор: 誠 長谷川,誠 青木,吉夫 石川,弘光 神原,靖男 今村. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-02-18.

Plasma etching apparatus

Номер патента: CN1905135A. Автор: 全富一. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP1143497A4. Автор: Kazunori Nagahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Dry etching apparatus having double gas plates

Номер патента: KR100303156B1. Автор: 권혁주,박경호,장병수,이형재,정수홍. Владелец: 주식회사 피케이엘. Дата публикации: 2001-09-26.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR950014076B1. Автор: 타다시 키무라,요시노브 나가노,카즈유끼 토미타,테쯔 이께다. Владелец: 마쯔시다 덴기산교 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-11-21.

Gas distribution plate of dry etching apparatus for semiconductor

Номер патента: KR100230983B1. Автор: 김정식,고성훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-11-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: GB201511282D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP0488307A2. Автор: Keiji c/o Intellectual Property Div. Horioka,Isahiro C/O Intellectual Property Div. Hasegawa,Toshihisa c/o Intellectual Property Div. Nozawa,Junichi c/o Intellectual Property Div. Arami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1992-06-03.

Etching apparatus and method

Номер патента: US20050014382A1. Автор: Jin-Seok Lee,Jung-Wook Kim,Jae-Bong Kim,Dong-cheol Kim,In-Ho Choi,Dong-seok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-20.

Ion beam etching apparatus

Номер патента: CN115497802A. Автор: 林立德,张博钦,林斌彦,张容浩. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Gas injector comprising block of ceramic material having gas injection holes extending therethrough, and etching apparatus incorporating the same

Номер патента: US20020088545A1. Автор: Tae Kim,Chang Choi,Doo Lee,No Huh,Byeung-wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Electrode structure of etching apparatus

Номер патента: KR0179862B1. Автор: 박진한. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-04-15.

Dry etching apparatus and method using reactive gas

Номер патента: DE3475990D1. Автор: Makoto Sekine,Haruo C O Patent Div Tos Okano,Yasuhiro C O Patent Di Horiike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-02-09.

Semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20140059567A. Автор: 이정훈,김경진,손수형. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2014-05-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP3109890B1. Автор: Stephen Burgess,Adrian Thomas,Ian Moncrieff,Paul Rich,Anthony Wilby,Clive Widdicks,Paul DENSLEY. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-08-28.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR100286333B1. Автор: 김승호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-06-01.

Up-down holder for dry etching apparatus

Номер патента: KR100303155B1. Автор: 권혁주,박경호,장병수,이형재,정수홍. Владелец: 주식회사 피케이엘. Дата публикации: 2001-09-26.

Plasma etching apparatus, in-situ monitoring method and in-situ cleaning method

Номер патента: JP3636422B2. Автор: 聖範 趙,学弼 金,銀姫 辛,百洵 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-06.

Plasma etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: KR100258867B1. Автор: 송병성. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Dry Etching Apparatus

Номер патента: KR100756665B1. Автор: 신상윤. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2007-09-07.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US7879187B2. Автор: Bu-Il JEON. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Reactive ion etching apparatus

Номер патента: CN111052320B. Автор: 上村隆一郎,长田大和. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2023-04-14.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US20100140221A1. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US20210313212A1. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic field generator for magnetron plasma, and plasma etching apparatus and method comprising the magnetic field generator

Номер патента: AU2001280200A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Koji Miyata,Jun Hirose,Shigeki Tozawa,Yuki Chiba,Akira Kodashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-03-22.

Gas injector and etching apparatus having the same

Номер патента: TW521346B. Автор: Tae-Ryong Kim,Chang-Won Choi,No-Hyun Huh,Byeung-wook Choi,Doo-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-21.

Dry etching apparatus for fabricating semiconductor devices

Номер патента: KR100253088B1. Автор: 김건호,박용우,현종선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-04-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US8177992B2. Автор: Bu-Il JEON. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR101262904B1. Автор: 신유식. Владелец: 참엔지니어링(주). Дата публикации: 2013-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US9202726B2. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Dry etching apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20070036215A. Автор: 김영찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: CN1905135B. Автор: 全富一. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and etching apparatus

Номер патента: JP3819626B2. Автор: 正勝 土明. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Plasma Etching Apparatus

Номер патента: KR100510076B1. Автор: 김태훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-24.

Etching apparatus

Номер патента: KR100713200B1. Автор: 아쓰로 이나다,가즈히코 우에노. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-05-02.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR100596769B1. Автор: 윤종우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100096088A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Shogo Okita,Syouzou Watanabe,Ryuuzou Houtin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR101224143B1. Автор: 타카시 야마모토,나오야 이케모토. Владелец: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-01-21.

Etching apparatus

Номер патента: US20060086462A1. Автор: Kazuhiko Ueno,Atsuro Inada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Plasma focus ring of semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20220045439A. Автор: 전재홍,이원규,김기상. Владелец: (주)원세미콘. Дата публикации: 2022-04-12.

A shroud ring of semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20220090246A. Автор: 전재홍,이원규,김기상. Владелец: (주)원세미콘. Дата публикации: 2022-06-29.

Dry etching apparatus and method

Номер патента: TW377471B. Автор: Ken Wakahara. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 1999-12-21.

Ceramic component and plasma etching apparatus comprising same

Номер патента: EP4089065A4. Автор: Junrok Oh,Sungsic Hwang,Kyoungyeol Min,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Younguk Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US09887092B2. Автор: Hideaki Sato,Takahiro Furukawa,Hiromi Hara,Takami Satoh,Toshiyuki Shiokawa,Takahiro Kawazu,Yusuke FUTAMATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20220399204A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Ken NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A3. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Gil Hun Lee. Дата публикации: 2009-03-12.

Etching method, etching apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW200416859A. Автор: Shinji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-01.

Etching method, etching apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI238462B. Автор: Shinji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-21.

Wet etch apparatus and method for using the same

Номер патента: US20200168480A1. Автор: Han-Wen LIAO,Hong-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Etching method, etching apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: TW201250826A. Автор: Aki AKIBA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190304801A1. Автор: Susumu Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for etching etch layer and wafer etching apparatus

Номер патента: US20160314994A1. Автор: Ping-Jung Huang,Bo-Wei Chou,Manish Kumar Singh,Wen-Yu Ku,Jui-Ming SHIH,Pi-Chun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof

Номер патента: KR20120120105A. Автор: 임민기,최용석. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2012-11-01.

Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof

Номер патента: KR101410527B1. Автор: 임민기,최용석. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2014-06-30.

Wafer holder of the spray etching apparatus

Номер патента: KR970053303A. Автор: 이철수,조장연. Владелец: 광전자반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Dry etching method, dry etching apparatus, etchied metal film performed etching by the method and device having the etchied metal film

Номер патента: KR101551095B1. Автор: 아키오우 기쿠치,유타 다케다. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-09-07.

Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof

Номер патента: KR20080020140A. Автор: 임민기,최용석. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Etching apparatus, method for measuring self-bias voltage, and method for monitoring etching apparatus

Номер патента: US7330346B2. Автор: Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-02-12.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, plasma processing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: TW201535518A. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-09-16.

Etching apparatus

Номер патента: KR100225732B1. Автор: Hirohito Watanabe,Misusuge Kyogoku. Владелец: Asm Japan. Дата публикации: 1999-10-15.

SUBSTRATE ETCHING METHOD AND SUBSTRATE ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130078747A1. Автор: SHIRAISHI Masatoshi,IWATSU Haruo,KITAHARA Shigenori. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-03-28.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130203260A1. Автор: Hayakawa Takashi,Hara Kenichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND CHEMICAL SOLUTION

Номер патента: US20140073069A1. Автор: Uozumi Yoshihiro,Takami Nagisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20140076849A1. Автор: MORIYA Shuji. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-20.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150004795A1. Автор: Ishii Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20210005465A1. Автор: Fujita Akira. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Wet Etching Apparatus and the Etching Method Thereof

Номер патента: US20160027669A1. Автор: Li Jia. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2016-01-28.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200035504A1. Автор: Miyoshi Hidenori,ABE Takuya,Shimizu Akitaka,NAGAKURA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220068657A1. Автор: HADA Keiko,You Gen,TODA Satoshi,TAKEYA Koji,LEE Jeongchan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134847A1. Автор: SEYA Yuta. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

ETCHING METHOD, ARTICLE MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170062230A1. Автор: MATSUO Keiichiro,Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-02.

Etching Method, Etching Apparatus, and Storage Medium

Номер патента: US20150072533A1. Автор: SUZUKI Tomohiro,Kasai Shigeru,Muraki Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190067032A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki,Izawa Masaru,SHINODA Kazunori,Hori Masaru,Kofuji Naoyuki,KAWAMURA Kohei,Ishikawa Kenji,MIYOSHI Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20160087195A1. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20210090912A1. Автор: SHINDO Naoki,KUWAJIMA Ryo,TODA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160099161A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20190096687A1. Автор: Higuchi Kazuhito. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2019-03-28.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140193977A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-10.

Etching Apparatus Used for Photo Electrochemical Etching of Semiconductor Substrate

Номер патента: US20180112325A1. Автор: Nakashima Kenji,Akashi Teruhisa,ISHII Eiko,SAITO Yumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR ETCHING TARGET LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE IN ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150162206A1. Автор: Wang Wen-Sheng,LIN CHIH-YU,Liao Han-Wen,Tsuei Cherng-Chang,LU Chen-Hsiang,LIN Wei-Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

MECHANISMS FOR ETCHING APPARATUS AND ETCHING-DETECTION METHOD

Номер патента: US20150162227A1. Автор: CHANG Chi-Wei,FAN Ping-Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190164775A1. Автор: Fuse Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

ETCHING METHOD, STORAGE MEDIUM AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150187593A1. Автор: NARUSHIMA Kensaku,SATOH Kohichi,KATOU Taiki,KOMORI Eiichi,NAKAGOMI Motoko. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

SILICON-CONTAINING FILM ETCHING METHOD, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM, AND SILICON-CONTAINING FILM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190181056A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,TAKEYA Koji,TANOUCHI Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20160233106A1. Автор: Sato Hideaki,Furukawa Takahiro,Satoh Takami,Hara Hiromi,Kawazu Takahiro,Shiokawa Toshiyuki,Futamata Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

GAS PHASE ETCHING DEVICE AND GAS PHASE ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190228993A1. Автор: ZHANG JUN,Wu Xin,MA Zhenguo,ZHANG Henan,Wen Lihui,HU Yunlong,CHU Fuping. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

ETCHING METHOD OF GLASS SUBSTRATE AND WET ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20170243768A1. Автор: Li Jia. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-24.

WAFER ETCHING APPARATUS AND WAFER ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20140342571A1. Автор: OH Seung-Bae,Park Saeng-Man. Владелец: RORZE SYSTEMS CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-20.

DRY ETCHING METHOD, DRY ETCHING APPARATUS, METAL FILM, AND DEVICE INCLUDING THE METAL FILM

Номер патента: US20140352716A1. Автор: Takeda Yuta,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-12-04.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190252203A1. Автор: GOHIRA Taku,MINOURA Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190304801A1. Автор: LIN Jun,YAMAUCHI Susumu. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20180342401A1. Автор: KOIWA Kosuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-11-29.

WAFER ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ETCH BATH OF WAFER

Номер патента: US20150380323A1. Автор: Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,Yang Chih-Shen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190378724A1. Автор: LIN Jun,TODA Satoshi,OZAWA Yoshie,NAKAGOMI Ken,KIKUSHIMA Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: KR102197736B1. Автор: 권광호,이준명,임노민. Владелец: 고려대학교 세종산학협력단. Дата публикации: 2021-01-04.

Etching method, etching apparatus and storage medium

Номер патента: KR101774427B1. Автор: 나오키 신도,요스케 하치야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-04.

wet etching apparatus and wet etching method using the same

Номер патента: KR101197194B1. Автор: 이재홍,오민섭. Владелец: 주식회사 엔에스티. Дата публикации: 2012-11-02.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20220011081A. Автор: 나오키 신도,사토시 도다,하루나 스즈키,겐 유. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma etching apparatus using dual-etching

Номер патента: KR101751746B1. Автор: 이강석. Владелец: 주식회사 엘지에스. Дата публикации: 2017-06-29.

Anisotropic plasma etching apparatus, mixes reactive species produced from etching and passivation gases before action on substrate

Номер патента: FR2846471A1. Автор: Franz Laermer,Klaus Breitschwerdt,Bernd Kutsch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-30.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US10003017B2. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101067222B1. Автор: 후미오 이노우에,사토시 다나카,요시노부 오오야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-09-22.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP2023044128A. Автор: Kazuto Higuchi,和人 樋口,Naoyuki Tajima,進 小幡,光雄 佐野,Mitsuo Sano,尚之 田嶋,Susumu Obata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Etching apparatus of metal sheet and etching method of metal sheet

Номер патента: KR100469034B1. Автор: 이인석. Владелец: 엘지마이크론 주식회사. Дата публикации: 2005-10-14.

Etching apparatus, etching method and wiring board prepared by said method

Номер патента: KR100313632B1. Автор: 카쯔오 이와사키. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-01-17.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: CN107275520B. Автор: 郑淏丞,韩旼我. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

Etching method, article manufacturing method, and etching apparatus

Номер патента: JP6193321B2. Автор: 圭一郎 松尾,佑策 浅野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

Dry etching apparatus and etching method organic light emitting display device using the same

Номер патента: KR100759684B1. Автор: 김종윤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-09-17.

Method of etching and etching apparatus

Номер патента: WO2003077301A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Kenji Adachi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2003-09-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP7184252B2. Автор: 壮一 灘原,勝 堀,昭平 中村,茂 高辻,敦 谷出. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2022-12-06.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20060286806A1. Автор: Keiichi Matsunaga,Mitsuhiro Ohkuni. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Process Control Method in Spin Etching and Spin Etching Apparatus

Номер патента: US20080242101A1. Автор: Masato Tsuchiya,Syunichi Ogasawara. Владелец: Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Nozzle for updating chemical solution used for etching metal conductor and etching apparatus

Номер патента: JP6676637B2. Автор: 丈司 木内,健 大澤. Владелец: Toa Electronics Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Etching apparatus, etching method, manufacturing method of a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US6218196B1. Автор: Minoru Hanazaki,Hirotoshi Ise,Takayuki Ikushima,Nobuhiro Nishizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-17.

Method for etching carbon thin film and etching apparatus

Номер патента: KR100783261B1. Автор: 미네케이지,이즈미카쯔토시,오오바야시요시아키,죠오베후미히코. Владелец: 오오사카후. Дата публикации: 2007-12-06.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: WO2020100885A1. Автор: 壮一 灘原,勝 堀,昭平 中村,茂 高辻,敦 谷出. Владелец: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス. Дата публикации: 2020-05-22.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A2. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-01-15.

Etching method for semiconductor wafer and etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: TWI254368B. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Hiroyasu Iimori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-01.

Etching method and etching apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: TW201001522A. Автор: Kazuaki Kozasa,Tomonori Kawasaki. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-01-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150024603A1. Автор: Kitamura Akinori,Yasuda Kenta,Ishida Shunsuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-22.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170032990A1. Автор: Yao Akifumi,Miyazaki Tatsuo,TACHIBANA Mitsuhiro,LIN Jun,YAMAUCHI Kunihiro,TAKEYA Koji. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134848A1. Автор: HONDA Masanobu,HISAMATSU Toru,KIHARA Yoshihide. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20210082709A1. Автор: HONDA Masanobu,KIHARA Yoshihide,TOMURA Maju. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Etching apparatus for manufacturing semiconductor device and etching method using same

Номер патента: KR100292953B1. Автор: 임흥빈,허용우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-30.

Dry etching apparatus, etching method, and method of forming a wiring

Номер патента: US20060048894A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for etching target layer of semiconductor device in etching apparatus

Номер патента: US9087793B2. Автор: Chih-Yu Lin,Han-Wen LIAO,Wei-Tai Lin,Wen-Sheng Wang,Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Carbon thin film etching method and etching apparatus

Номер патента: EP1244138A3. Автор: Yoshiaki c/o Hosiden Corporation Ohbayashi,Keiji c/o Hosiden Corporation Mine,Fumihiko c/o Hosiden Corporation Jobe,Katsutoshi c/o Osaka Prefecture University Izumi. Владелец: Osaka Prefecture. Дата публикации: 2004-03-03.

Method of etching and etching apparatus

Номер патента: AU2003257618A1. Автор: Hiroshi Shinriki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-03-19.

Etching method for semiconductor wafer and etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: TW200423241A. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Hiroyasu Iimori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Laser etching apparatus and method of laser etching using the same

Номер патента: KR20170115155A. Автор: 한민아,정호승. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-10-17.

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140262025A1. Автор: Matsumoto Naoki,Tsukamoto Takashi,Ozu Toshihisa,TAKAI Kazuto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-18.

Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same

Номер патента: WO2008120946A1. Автор: Jung Hee Lee,Dong Wan Kim,Won Haeng Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Hyang Joo Lee. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-10-09.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130118688A1. Автор: NISHINO Masaru,Tahara Shigeru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-05-16.

SUBSTRATE MOUNTING TABLE AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130220545A1. Автор: UEDA Takehiro,Koizumi Katsuyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-29.

PLASMA ETCHING APPARATUS COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20130251949A1. Автор: HINO Takashi,SATO Michio,NAKATANI Masashi,Rokutanda Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

SEAL MEMBER, ETCHING APPARATUS, AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130330929A1. Автор: Saito Makoto,ETO Hideo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-12.

ELECTROSTATIC CHUCK, ETCHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20220037186A1. Автор: KIM Tae Hun,Kim Do Hwan,KIM Jae Han,JANG Hee Sun,MYOUNG Seung Ho,OH Dae Young,HAN Gyeong Hee. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200075359A1. Автор: Lee Jin Woo,CHOI Yong Jun,Kim Seok Hoon,Shin Seung Min,CHA Ji Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140166206A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Ichiro Nakayama,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

ETCHING APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20140174658A1. Автор: Ansell Oliver James. Владелец: SPTS TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD OF SELECTIVELY REMOVING SILICON NITRIDE AND ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20150111311A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lee Yu-Ming,CHANGCHIEN Ying-Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD OF SELECTIVELY REMOVING SILICON NITRIDE AND SINGLE WAFER ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20150111390A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lee Yu-Ming,CHANGCHIEN Ying-Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-23.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170110344A1. Автор: Xue Dapeng. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190122893A1. Автор: LEE Kyung Jin,KANG Ji Sung,CHOI Sang Jun. Владелец: VAULT CREATION CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-25.

DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20160141183A1. Автор: Izawa Masaru,MORI Masahito,Yagi Katsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140231017A1. Автор: Takahashi Masahiko,NISHIZUKA Tetsuya,Ozu Toshihisa. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-08-21.

WET ETCH APPARATUS AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20200168479A1. Автор: Liao Han-Wen,LU Hong-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-28.

WET ETCH APPARATUS AND METHOD FOR USING THE SAME

Номер патента: US20200168480A1. Автор: Liao Han-Wen,LU Hong-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-28.

PARALLEL PLATE DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер патента: US20140273494A1. Автор: Honda Shingo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140290859A1. Автор: KOBAYASHI Nobuo,HAMADA Koichi,KUROKAWA Yoshiaki. Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

SINGLE WAFER ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140311675A1. Автор: Yi Jaehwan,Choi Eunsuck. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2014-10-23.

Etching Apparatus and Method

Номер патента: US20150348852A1. Автор: Pilch Karl. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

SUBSTRATE ETCHING APPARATUS AND SUBSTRATE ANALYSIS METHOD

Номер патента: US20150357249A1. Автор: Kawabata Katsuhiko,Lee Sungjae,HAYASHI Takuma,Ikeuchi Mitsumasa,Kunika Jin. Владелец: IAS INC.. Дата публикации: 2015-12-10.

GAS PHASE ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150364348A1. Автор: Park Yong Sung,Kim Dong Yeul,Park Young-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

SAMPLE HOLDER AND PLASMA ETCHING APPARATUS USING SAME

Номер патента: US20150364355A1. Автор: KUCHIMACHI Kazuhiro. Владелец: KYOCERA CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-17.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200365423A1. Автор: Chen Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing

Номер патента: US5292399A. Автор: Fred C. Redeker,Robert J. Steger,Terrance Y. Lee,Petru N. Nitescu,David W. Groechel,Semyon Sherstinsky,Maya Shendon,Samuel Luong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS60234324A. Автор: Yoshihiko Nio,仁尾　吉彦. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-21.

Etching apparatus of semiconductor process

Номер патента: KR0129924Y1. Автор: 염용주. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Pattern etching apparatus

Номер патента: JPS614231A. Автор: Seiichi Iwamatsu,誠一 岩松. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1986-01-10.

Parallel and flat type dry etching apparatus

Номер патента: JPS61174721A. Автор: Toru Watanabe,徹 渡辺,Yasuo Naruge,成毛　康雄. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-08-06.

Substrate etching apparatus

Номер патента: KR102023897B1. Автор: 김상영. Владелец: 주식회사 탑 엔지니어링. Дата публикации: 2019-09-25.

Etching apparatus having fume blocking function

Номер патента: KR102068047B1. Автор: 인치성,남한우. Владелец: (주)한빛테크놀로지. Дата публикации: 2020-01-20.

Chamber assembly for etching apparatus

Номер патента: KR200169709Y1. Автор: 강종대. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Etching apparatus for manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10189538A. Автор: Kim Byong-Dong,キム ビョング−ドング,Rii Jung-Kyu,リー ジュング−キュー,Kim Sung-Iru,キム スング−イル. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR100340869B1. Автор: 조상호,성원호,정희식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Etching apparatus of wafer

Номер патента: KR930006786Y1. Автор: 한경섭. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-06.

ETCHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20230008074A1. Автор: LEE SEUNG HOON,MO Sung Won,LEE Yang Ho,HAN Heung Soo,BAE Jeong Hyun. Владелец: ZEUS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-01-12.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JPS60127731A. Автор: Kazutaka Ikeyama,Yutaka Kihara,池山　一孝,木原　裕. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1985-07-08.

Tary and dry etching apparatus using the same

Номер патента: KR20100004194A. Автор: 최종용. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2010-01-13.

Wet etching apparatus

Номер патента: KR102253286B1. Автор: 노부오 고바야시,요시아키 구로카와,고이치 하마다. Владелец: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-05-20.

Etching apparatus

Номер патента: JPS59231818A. Автор: Yasuyuki Harada,康之 原田. Владелец: PURETETSUKU KK. Дата публикации: 1984-12-26.

Semiconductor etching apparatus equipped with measuring device for distance electrodes

Номер патента: KR960009902Y1. Автор: 김영선,김종선,정철원,소순종. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-18.

Dry etching apparatus

Номер патента: CN108565231A. Автор: 王帆. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-21.

Plasma etching apparatus and mask device

Номер патента: KR101377996B1. Автор: 최준호,최용섭,김문기. Владелец: 주식회사 코디에스. Дата публикации: 2014-03-27.

Etching apparatus for substrates

Номер патента: US7807017B2. Автор: Seung-lyong Bok,Jung-Sub KIM,Dae-Soon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-05.

Cleaning and etching apparatus

Номер патента: CN114068344A. Автор: 林振衡. Владелец: Hoe Ie Enterprise Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: KR200168500Y1. Автор: 모종규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Etching apparatus and method of using the same

Номер патента: EP0368334A3. Автор: Mitsuo C/O Intellectual Property Div. K.K. Sato,Takashi C/O Intell. Prop. Div. K. K. Fujiwara,Kiyoshi C/O Intell. Prop. Div. K. K. Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-08.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20040074602A1. Автор: Shin-Sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Plasma etching apparatus and method

Номер патента: US20100144157A1. Автор: Koji Maruyama,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: KR102115038B1. Автор: 요시노부 나카다,후미타케 기쿠치. Владелец: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-05-25.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: CN103903952A. Автор: 中田嘉信,菊池文武. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Disk etching apparatus

Номер патента: DE69624889T2. Автор: Tatsuo Abe,Makoto Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device and etching apparatus

Номер патента: US8125069B2. Автор: Toshio Hayashi,Yuji Furumura,Michio Ishikawa,Naomi Mura,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Philtech Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Plasma etching apparatus and texturing method for solarcell using same

Номер патента: KR101222910B1. Автор: 이종현,조찬섭,석창길,공대영,서창택. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2013-01-16.

Etching apparatus

Номер патента: CN105405798A. Автор: 薛大鹏. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP0160220B2. Автор: George Frederick Cunningham, Jr.,John Wayne Lewis,Robert Bernard Mcclure,Daniel John Poindexter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-08-19.

Etching apparatus

Номер патента: KR102094943B1. Автор: 함윤식,전재광. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-03-31.

Particle riding device of etching apparatus for fabricating semiconductor

Номер патента: KR100269606B1. Автор: 박윤성. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Plasma etching apparatus silicon parts and its manufacture method

Номер патента: CN103903952B. Автор: 中田嘉信,菊池文武. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Plasma etching apparatus

Номер патента: DE3570805D1. Автор: John Wayne Lewis,Robert Bernard Mcclure,Daniel John Poindexter,George Frederick Cunningham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-07-06.

Reactive ion etching apparatus

Номер патента: JPS6362233A. Автор: Norimichi Mitomi,三富　至道. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-03-18.

Single wafer etching apparatus

Номер патента: WO2013089391A1. Автор: Jaehwan YI,Eunsuck CHOI. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Etching apparatus for semiconductor device

Номер патента: KR100234539B1. Автор: 박철규. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-15.

Wet etching apparatus for thin plate

Номер патента: KR101102518B1. Автор: 최광명. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-01-04.

Dry etching apparatus for manufacturing of solar cell

Номер патента: KR101013229B1. Автор: 김병준,유재안,배이태,마이클 류 지효. Владелец: (주)제스솔라. Дата публикации: 2011-02-10.

Wafer table for local dry etching apparatus

Номер патента: US7005032B2. Автор: Kazuyuki Tsuruoka,Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-28.

Sample holder and plasma etching apparatus using the same

Номер патента: JPWO2014119637A1. Автор: 和一 口町. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Etching apparatus

Номер патента: TW201618618A. Автор: Tsuyoshi Shibamoto,Kazunori Hashihara. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2016-05-16.

Semiconductor substrate surface etching apparatus and method of manufacturing a semiconductor substrate having an uneven surface formed using the same

Номер патента: JPWO2012117696A1. Автор: 浩 田辺,康司 新井,田辺　浩,泰士 谷口,谷口　泰士,新井　康司. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-07.

Substrate etching apparatus

Номер патента: JP2007324567A. Автор: 勝 龍 卜,Seung-lyong Bok,Teisho Kin,貞 燮 金,Dae Soon Yim,大 淳 任. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

a cooling-type glass transfer device and etching apparatus having the same

Номер патента: KR20200080678A. Автор: 박민호,박영순,이석희,최교원,조찬희. Владелец: 주식회사 에스에프에이. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor etch apparatus

Номер патента: KR100465905B1. Автор: 정상곤. Владелец: 주식회사 래디언테크. Дата публикации: 2005-01-13.

Substrate etching apparatus

Номер патента: TW200849373A. Автор: Young-Hwan Choi,Ho-Seon Cho. Владелец: Jungsan Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Etching depth detection method, etching monitor apparatus and etching apparatus

Номер патента: JP4444428B2. Автор: 陽平 山澤,義仁 大川. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

Electrode Etching Apparatus

Номер патента: US20240269777A1. Автор: Dong Hyeuk PARK,Sungjun JO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Roll-to-roll substrate transfer apparatus, wet etching apparatus comprising the same and apparatus for manufacturing printed circuit board

Номер патента: KR101204089B1. Автор: 김덕흥. Владелец: 삼성테크윈 주식회사. Дата публикации: 2012-11-22.

ETCHING APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20130137195A1. Автор: Ansell Oliver James. Владелец: SPTS TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2013-05-30.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130233491A1. Автор: CHOI Jong Yong. Владелец: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND CONTROL METHOD

Номер патента: US20140073066A1. Автор: TABUCHI Atsuhiko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of aging in dry etching apparatus

Номер патента: KR100705421B1. Автор: 이동복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-10.

Thin processing method of semiconductor chip and etching apparatus for thin processing

Номер патента: JP3427751B2. Автор: 浩 田中,敦資 坂井田,敏尚 谷口,▲よし▼次 阿部. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Electrode etching apparatus

Номер патента: EP4336578A1. Автор: Dong Hyeuk PARK,Sungjun JO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Electrolytic etching apparatus and method for marking metal tubes with sequential identification numbers

Номер патента: US4944856A. Автор: John A. Catanese,Susan R. Saunders. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1990-07-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240203694A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Masaki Hosono,Kyohei Noguchi,Takuji Sako,Julen AROZAMENA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Focused ion beam etching apparatus

Номер патента: US5518595A. Автор: Yasuhiro Yamakage. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Plasma etching apparatus, kit for retrofitting an existing plasma etching apparatus, and method of plasma etching a substrate

Номер патента: TWI692795B. Автор: 麥斯梅 瓦爾瓦拉. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2020-05-01.

FLOW GUIDE PLATE, LOWER ELECTRODE ASSEMBLY FOR DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190043696A1. Автор: Yang Zhong,Yang Xiaofeng,JIANG Kai,Chai Mingzhi,Chen Shihong,Chen Zelin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same

Номер патента: US5447595A. Автор: Satoshi Nakagawa. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source

Номер патента: CA2213771A1. Автор: Ebrahim Ghanbari. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-03.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US5983829A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof

Номер патента: TW200636853A. Автор: Cheng-Hung Chang,Chaung Lin,Keh-Chyang Leou,Kai-Mu Shiao. Владелец: Univ Nat Tsing Hua. Дата публикации: 2006-10-16.

Perforated anode for use in reactive ion etching apparatus

Номер патента: DE3274507D1. Автор: Linda Mero Ephrath. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-01-15.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US20120073753A1. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20160093469A1. Автор: Sonoda Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200126770A1. Автор: HIMORI Shinji,NAGASEKI Kazuya,Maruyama Koji,OHSHITA Tatsuro,NAGAMI Koichi,Dokan Takashi,Fujiwara Kazunobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

ION BEAM ETCHING METHOD OF MAGNETIC FILM AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140251790A1. Автор: KODAIRA Yoshimitsu,Toyosato Tomohiko. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20140251956A1. Автор: Kim Tae-Gon,Lee Jeong-Yun,Kim Kyung-Sun,JEON Kyung-yub. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140284308A1. Автор: Matsuyama Shoichiro,Yahashi Katsunori,Ohiwa Tokuhisa,Shimizu Akitaka,NOGAMI Susumu,ITO Kiyohito. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Kobayashi Ken,YOSHIDA Ryoichi,Ishii Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-07-23.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150294841A1. Автор: Katsunuma Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-10-15.

ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150348762A1. Автор: NAGAYAMA Nobuyuki,SATOH Naoyuki,NAGAKUBO Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection

Номер патента: US4307283A. Автор: John Zajac. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101783886B1. Автор: 노부유키 나가야마,나오유키 사토,케이이치 나가쿠보. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-10-10.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US9818583B2. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20090206053A1. Автор: Masanobu Honda,Akitaka Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

A plasma etch method, a plasma etch apparatus, and a memory medium

Номер патента: TWI549178B. Автор: Shin Okamoto,Yoshinobu Ooya,Koichi Yatsuda,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-11.

Method for manufacturing workpieces with ion-etched surface and ion etching apparatus

Номер патента: KR101558018B1. Автор: 지크프리트 크래스니처,올리버 그스퇴흘,마르쿠스 에쎌바흐. Владелец: 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐. Дата публикации: 2015-10-19.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus for magnetic film

Номер патента: JP5689980B2. Автор: 吉三 小平,智彦 豊里. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: JP5221403B2. Автор: 晋 岡本,浩一 八田,欣伸 大矢,宏政 持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Etching apparatus, etching method, and method for production of electronic device

Номер патента: TW200849376A. Автор: Tadahiro Ohmi,Takaaki Matsuoka,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2008-12-16.

Plasma etching apparatus and etching method

Номер патента: JPS5713743A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-23.

High density plasma deposition and etching apparatus

Номер патента: WO1992014258A1. Автор: Tatsuo Shoji,Gregor A. Campbell,Robert W. Conn,David C. Pearson,Alexis P. Dechambrier. Владелец: Plasma & Materials Technologies, Inc.. Дата публикации: 1992-08-20.

Plasma CVD Apparatus and Method and Dry Etching Apparatus and Method

Номер патента: KR970021370A. Автор: 료키 도베,마사오 사사키,아츠시 세키구치,겐이치 다카기. Владелец: 아네루바 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-05-28.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140069585A1. Автор: Hayashi Daisuke,AOTO Tadashi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20150000843A1. Автор: KOBAYASHI Noriyuki,Tahara Shigeru,Koshiishi Akira,YONEDA Shigeru,Hanawa Kenichi,Sugimoto Masaru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-01.

MANUFACTURING METHOD OF PLASMA FOCUS RING FOR SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220139661A1. Автор: KIM Ki Sang,LEE Weon Gyu,JUN Jae Hong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160104601A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: SPEEDFAM Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-14.

SILICON PART FOR PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140187409A1. Автор: Nakada Yoshinobu,Kikuchi Fumitake. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20160148787A1. Автор: Anthony Paul Wilby,Stephen R. Burgess. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Etching apparatus and method

Номер патента: US20150162169A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20150200078A1. Автор: Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

COOLING STRUCTURE AND PARALLEL PLATE ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160203955A1. Автор: SASAKI Ryo,KAMBARA Keita. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20180218888A9. Автор: Varvara Maxime. Владелец: SPTS TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2018-08-02.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140338836A1. Автор: SUZUKI Hidekazu,Shibagaki Masami,Sekiguchi Atsushi. Владелец: CANON ANELVA CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-20.

GRID ASSEMBLY AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150287567A1. Автор: Yasumatsu Yasushi,Tsujiyama Masashi,MOTOCHI KAORI. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190272980A1. Автор: BURGESS STEPHEN R.,WILBY ANTHONY PAUL. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SCREEN PANELS USING A DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150340205A1. Автор: SONG Bong-Sub,KU Soung-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160343544A1. Автор: Takahashi Hiroyuki,SEKI Takeshi,WATANABE Yoshio,Milan Siry. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

ION BEAM ETCHING APPARATUS AND ION BEAM GENERATOR

Номер патента: US20160351377A1. Автор: KODAIRA Yoshimitsu,Yasumatsu Yasushi,Okamoto Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Etching Apparatus Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20150359079A1. Автор: Jong-Woo Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of manufacturing cathode for plasma etching apparatus using chemical surface treatment with potassium hydroxide (KOH), and cathode manufactured thereby

Номер патента: US6150762A. Автор: Jin-Sung Kim,Young-gu Lee,Kyoung-man Shim,Kyue-sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-21.

Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion

Номер патента: US5085727A. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1992-02-04.

Plasma etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2941572B2. Автор: 伸夫 藤原,隆弘 丸山,健治 川井,高広 星子. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-25.

Reactive ion etching apparatus

Номер патента: JPS5878428A. Автор: Tatsuzo Kawaguchi,Yasuharu Suzuki,Masahiro Shibagaki,川口　達三,柴垣　正弘,鈴木　靖治. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-12.

Magnetic Enhanced Reactive Ion Etching Apparatus

Номер патента: KR100564554B1. Автор: 김병동,김기상,오승영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-29.

Corrosion Resistance System and Method of Plasma Etching Apparatus

Номер патента: KR100281950B1. Автор: 미치히코 야나기사와,신야 이이다,야스히로 호리이케. Владелец: 호리이케야스히로. Дата публикации: 2001-03-02.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5732637A. Автор: Shigeji Kinoshita,Yaichiro Watakabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-02-22.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JP2016103638A. Автор: WILBY ANTHONY PAUL,アール バーゲス スティーブン,Stephen R Burgess,アール バーゲス スティーブン,ポール ウィルビー アンソニー,ポール ウィルビー アンソニー. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Plasma etching apparatus with surface magnetic fields

Номер патента: EP0396398B1. Автор: Noah Hershkowitz (Nmi),Moo-Hyun Cho. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1995-02-22.

Plasma etching apparatus with surface magnetic fields

Номер патента: CA2015976A1. Автор: Moo-Hyun Cho,Noah Hershkowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-11-05.

Dry etching apparatus

Номер патента: CN110349828B. Автор: 钱浩. Владелец: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: EP2863411B1. Автор: Maxime Varvara. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

High capacity etching apparatus

Номер патента: WO1981000420A1. Автор: D Maydan,M Lepselter. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1981-02-19.

Dry etching apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5050830B2. Автор: 信行 久保井,哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Dry-etching apparatus

Номер патента: JPS59205719A. Автор: Hitoshi Kudo,均 工藤. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-21.

Plasma etching apparatus

Номер патента: TWI476829B. Автор: Takashi Yamamoto,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

High density plasma deposition and etching apparatus

Номер патента: EP0403418A3. Автор: Robert W. Conn,Gregor Campbell,Tatsuo Shoji. Владелец: Plasma and Materials Technologies Inc. Дата публикации: 1992-02-19.

Lid Assembly of plasma etching apparatus

Номер патента: KR101131898B1. Автор: 김현우,박경호,우범제,장봉석. Владелец: (주)에스에이치이씨. Дата публикации: 2012-04-03.

Plasma etching apparatus and particle removal method

Номер патента: US20070020941A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Tomoyuki Tamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Upper electrode for dry etching apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2020098187A1. Автор: 温彦跃. Владелец: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司. Дата публикации: 2020-05-22.

Etching apparatus

Номер патента: KR20010105644A. Автор: 강태균,원종성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source

Номер патента: GB9717174D0. Автор: . Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source

Номер патента: GB2316530B. Автор: Ebrahim Ghanbari. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-12-09.

Surface emission type semiconductor laser, manufacturing method thereof, film forming apparatus and etching apparatus (Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same)

Номер патента: KR960701496A. Автор: 이와노 히데아키,모리 가쯔미,곤도 다카유끼,아사카 타쯔야. Владелец: 세코 에푸손 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-02-24.

Dry etching apparatus and etching method using light and microwave

Номер патента: KR950019926A. Автор: 김동석,김경진,이병석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-24.

Photo-etching apparatus and calibration method

Номер патента: CN101504511A. Автор: M·W·M·范德维基斯特,G·安格利斯,R·G·克拉沃尔,M·R·汉姆尔斯,B·T·沃哈尔,P·霍埃克斯卓. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2009-08-12.

Spray type photomask etching apparatus

Номер патента: JPS55110248A. Автор: Nobuo Sato,Yoshiharu Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-08-25.

Discharge tube for a local etching apparatus and a local etching apparatus using the discharge tube

Номер патента: US6429399B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Discharge tube for a local etching apparatus and a local etching apparatus using the discharge tube

Номер патента: US20010019040A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Electrochemical etching apparatus

Номер патента: US20150191842A1. Автор: Shu-Jen Han,Xuesong Li,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Electrochemical etching apparatus

Номер патента: US09994968B2. Автор: Shu-Jen Han,Xuesong Li,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Electrochemical etching apparatus

Номер патента: US09738987B2. Автор: Shu-Jen Han,Xuesong Li,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Etching apparatus

Номер патента: US20210379702A1. Автор: Seong Ho Bae. Владелец: NPS Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Improvements in or relating to single-stage printing plate etching apparatus

Номер патента: GB985786A. Автор: Rudolf Keil,Hermann Stiehler. Владелец: INST fur GRAFISCHE TECHNIK. Дата публикации: 1965-03-10.

Laser etching apparatus for forming photographic images on metallic surfaces

Номер патента: US3920951A. Автор: Joseph L Chovan,Albert J Manoni. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1975-11-18.

Electrochemical etching apparatus

Номер патента: US20140076738A1. Автор: Shu-Jen Han,Xuesong Li,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Etching apparatus for cinematographic films

Номер патента: US1613303A. Автор: Jarvis M Andrews. Владелец: Technicolor Motion Picture Corp. Дата публикации: 1927-01-04.

Silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US9290391B2. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of recycling silicon component for plasma etching apparatus and silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US20110076221A1. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Etching apparatus for optical fiber, method of manufacturing etching apparatus for optical fiber and method of manufacturing long-period fiber grating

Номер патента: KR102231996B1. Автор: 이주한,이진호,김태윤,김윤택,강건규. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-03-25.

Glass cassette used in etching apparatus for glass of TFT LCD and etching apparatus including the same

Номер патента: TW200739664A. Автор: Seung-Min Noh. Владелец: Systems Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Glass cassette used in etching apparatus for glass of tft lcd and etching apparatus including the same

Номер патента: TWI310220B. Автор: Seung-Min Noh. Владелец: Systems Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TWI530237B. Автор: Makoto Kato,Mariko Ishida,Kengo Yamane. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2016-04-11.

FOCUS RING HEATING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20130299455A1. Автор: KOSHIMIZU Chishio,YAMAWAKU Jun,MATSUDO Tatsuo,Saito Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

CARRYING DEVICE, WET ETCHING APPARATUS AND USAGE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170202091A1. Автор: LIN ZHIYUAN,Huang Yinhu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Method of forming wiring pattern and etching apparatus for forming wiring pattern

Номер патента: US20160289840A1. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Hiroki Usui,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Wet etching apparatus and method thereof

Номер патента: CN102315092A. Автор: 郑文达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Etching apparatus

Номер патента: CN112289962A. Автор: 许明. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

Wet etching apparatus and method thereof

Номер патента: CN102315092B. Автор: 郑文达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Electromagnetic induction accelerator and dry etching apparatus

Номер патента: JP4647472B2. Автор: 源 澤 朴,ヴォリネツ ヴラディミール. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Automatic etching apparatus

Номер патента: US2534338A. Автор: Caroselli Frank. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1950-12-19.

A etching apparatus for a flat display

Номер патента: KR100726475B1. Автор: 홍재광. Владелец: 이미지테크 주식회사. Дата публикации: 2007-06-12.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130200042A1. Автор: Yokogawa Kenetsu,Nishio Ryoji,MAEDA Kenji,Satake Makoto,Usui Tatehito,TETSUKA Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

ETCHING APPARATUS FOR SUBSTRATE AND METHOD OF ETCHING USING THE SAME

Номер патента: US20140190936A1. Автор: YOO Hae-Young,PARK Pyoung-Kyu,PARK Woo-Youl,SHIN Min-Kyu,SHIN Jung-Kun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

Etching method for liquid crystal panel and etching apparatus for liquid crystal panel

Номер патента: WO2019172534A1. Автор: 이경찬. Владелец: (주)코텍. Дата публикации: 2019-09-12.

Manufacturing method of fine processed body and etching apparatus

Номер патента: JP4596072B2. Автор: 惣銘 遠藤,和弥 林部,浩一郎 清水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Plasma etching apparatus

Номер патента: KR200197657Y1. Автор: 이정기. Владелец: 주식회사기림세미텍. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of renewing chemical solution used in liquid crystal glass etching apparatus, nozzle for renewing chemical solution, and renewal chemical

Номер патента: JP5986223B2. Автор: 丈司 木内. Владелец: Toa Electronics Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND RING MEMBER

Номер патента: US20130186858A1. Автор: MORIYA Tsuyoshi,Suzuki Ayuta,Kang Songyun,Terasawa Nobutoshi,Okabe Yoshiaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-07-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140076848A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-20.

LASER ETCHING APPARATUS AND LASER ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20200230740A1. Автор: Han Gyoowan,BAE Yoongyeong,AHN JOOSEOB,OH Taekil,Ko Yeonghwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Method and apparatus for supplying tetrafluoroethylene gas to dry etching apparatus

Номер патента: TW569337B. Автор: Hirokazu Aoyama,Akinori Yamamoto,Tetsuhiro Kotani. Владелец: Daikin Ind Ltd. Дата публикации: 2004-01-01.

PROPORTIONAL AND UNIFORM CONTROLLED GAS FLOW DELIVERY FOR DRY PLASMA ETCH APPARATUS

Номер патента: US20130284700A1. Автор: NANGOY Roy C.,NGUYEN Andrew Y.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

RADICAL ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130306599A1. Автор: Inoue Hiroaki,Higuchi Yasushi,Ishikawa Michio. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

CYLINDER ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170120573A1. Автор: Shigeta Tatsuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140283993A1. Автор: Ham Yun-Sik,Jeon Jae-Kwang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Laser etching apparatus and method

Номер патента: KR101514208B1. Автор: 박민호,김준형,유현석,최교원. Владелец: 주식회사 에스에프에이. Дата публикации: 2015-04-22.

Electrochemical etching apparatus

Номер патента: CA2027366A1. Автор: Alexander Vishnitsky. Владелец: Bosch (Robert) Corporation. Дата публикации: 1991-04-19.

Precision etching apparatus for film winding core using laser

Номер патента: KR102052730B1. Автор: 박태진. Владелец: 박태진. Дата публикации: 2019-12-05.

Etching apparatus

Номер патента: KR101401782B1. Автор: 김찬수,김용완,최영종,홍성덕. Владелец: 한국수력원자력 주식회사. Дата публикации: 2014-05-30.

Etching apparatus.

Номер патента: US1001031A. Автор: Beverly C Hilliard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-08-22.

A method for regenerating a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon focusing ring, and a silicon electrode plate

Номер патента: TWI525695B. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-11.

Etching apparatus.

Номер патента: US979071A. Автор: Axel Holmstroem. Владелец: Individual. Дата публикации: 1910-12-20.

Etching apparatus.

Номер патента: US1152435A. Автор: Robert R Page. Владелец: Individual. Дата публикации: 1915-09-07.

Etching apparatus

Номер патента: US1340975A. Автор: Robert R Page. Владелец: Individual. Дата публикации: 1920-05-25.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20130075248A1. Автор: Hayakawa Takashi,Hara Kenichi,YAMADA Isao,TOYODA Noriaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

ETCHING METHOD OF GLASS SUBSTRATE AND WET ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20160236973A1. Автор: Li Jia. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-18.

Reactive ion etching apparatus and substrate etching method

Номер патента: JP5208020B2. Автор: 俊輔 佐々木,典一 中谷,憲一 黒部,剛司 谷垣,孝博 清水. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Glass plate surface etching method, glass plate etching apparatus, glass plate for flat panel display, and flat panel display

Номер патента: KR20050093669A. Автор: 니시야마도모히로. Владелец: 니시야마 스테인레스 케미컬 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-09-23.

Etching apparatus and etching method for glass

Номер патента: KR102286060B1. Автор: 박정우,박준형,김승호,김승,이회관,염종훈. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-08-06.

Etching apparatus for glass plate and method of glass etching using the same

Номер патента: CN101062837B. Автор: 金景满. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-05.

ELECTROCHEMICAL ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140076738A1. Автор: Han Shu-Jen,Li Xuesong,Guo Lian. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

ELECTROCHEMICAL ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170175288A1. Автор: Han Shu-Jen,Li Xuesong,Guo Lian. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ELECTROCHEMICAL ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150191842A1. Автор: Han Shu-Jen,Li Xuesong,Guo Lian. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

SILICON COMPONENT FOR PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140294712A1. Автор: Imafuku Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

ELECTROCHEMICAL ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150267317A1. Автор: Han Shu-Jen,Li Xuesong,Guo Lian. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Photo-etching apparatus

Номер патента: KR0150578B1. Автор: 이인석. Владелец: 엘지마이크론주식회사. Дата публикации: 1998-11-16.

Dry etching apparatus

Номер патента: TWI405261B. Автор: Jong Yong Choi. Владелец: Jusung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-11.

Solar Cell and method for manufacturing the same and etching apparatus for manufacturing the same

Номер патента: KR101649850B1. Автор: 양철훈. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2016-08-22.

Specimen holder and electrolytic etching apparatus including the same

Номер патента: KR101766282B1. Автор: 탁영준,정연대. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2017-08-24.

Etching apparatus using neutral beam

Номер патента: KR100610665B1. Автор: 이영희,김정욱,우샤코프 안드레이. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-09.

Wet-etching apparatus and wet-etching method

Номер патента: TW200623249A. Автор: Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou,Li-Feng Chiu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TW201112900A. Автор: Yao-Wen Bai,Pan Tang,Xiao-Ping Li. Владелец: Foxconn Advanced Tech Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: SG10201906930VA. Автор: Miyoshi Hidenori,ABE Takuya,Shimizu Akitaka,NAGAKURA Koichi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Wet etching apparatus and controlling method of etching rate of polycrystalline silicon

Номер патента: TWI284943B. Автор: Chien-Hsing Tu,Rui-Hui Wen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Wet etching apparatus and controlling method of etching rate of polycrystalline silicon

Номер патента: TW200717667A. Автор: Chien-Hsing Tu,Rui-Hui Wen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Substrate tray, etching apparatus and etching method used in plasma etching apparatus

Номер патента: JP5264403B2. Автор: 正幸 佐藤,光康 浅野,泰宏 森川,敏幸 中村. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Gas diversion apparatus in a plasma etching apparatus

Номер патента: TW448504B. Автор: Ming-Te Lin,Feng-Pin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Etching apparatus for semiconductor processing apparatus and method thereof for recycling etchant solutions

Номер патента: TWI330386B. Автор: I Yao Chen,Son Lung Chen,ying fang Chen,Kuo Chang Chu,Guo Qiang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-11.

Plasma etching apparatus simulation apparatus and plasma etching apparatus including the simulation apparatus

Номер патента: JP3984868B2. Автор: 尚人 田中,涼子 小林. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Deposition gas for forming etching protective film, plasma etching method, and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6438511B2. Автор: 孝 山本,隆一郎 伊崎,山本　孝,尚弥 池本,洋志 ▲高▼. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Etching solution regeneration processing apparatus and etching apparatus using the same

Номер патента: JP3928998B2. Автор: 章 米谷,範行 小林. Владелец: エム・エフエスアイ株式会社. Дата публикации: 2007-06-13.

Wet etching apparatus and etching residue detection method used in the apparatus

Номер патента: JP3772070B2. Автор: 和夫 吉田,美和 生田,進 河野,儀美 木之下,泰志 松井,勲 坂田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Base for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus provided with the same

Номер патента: JP4519576B2. Автор: 哲也 森,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Plasma processing method, etching method, plasma processing apparatus and etching apparatus

Номер патента: JP4680333B2. Автор: 貴一 浜. Владелец: 東京エレクトロンＡｔ株式会社. Дата публикации: 2011-05-11.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4347517B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-21.

Etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: TW200610050A. Автор: Masamitsu Miyazaki,Toshiya Fukunaga,Kazuya Hirayama. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 2006-03-16.

Sorting and etching apparatus and method

Номер патента: CA669366A. Автор: Wang Chih-Chung. Владелец: Clevite Corp. Дата публикации: 1963-08-27.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TWI380365B. Автор: Chinghua Chen,Chungyau Wu,Hsinchuan Chen,Horngdyi Shyu,Chinchien Wu,Tsungsheng Yang,Chungwei Yang,Shunyen Chiang,Chiaen Sung,Shengmeau Yang,Chingyi Tseng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-12-21.

Roller assembly with holes and etching apparatus using the same

Номер патента: TW201009926A. Автор: Chia-Ching Luo. Владелец: Big Sun Energy Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TW201112327A. Автор: Ching-Hua Chen,Hsin-Chuan Chen,Chung-Wei Yang,Chung-Yau Wu,Ching-Yi Tseng,Horng-Dyi Shyu,Chin-Chien Wu,Tsung-Sheng Yang,Shun-Yen Chiang,Chia-En Sung,Sheng-Meau Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-01.

Electron beam etching apparatus and its method

Номер патента: TW200805513A. Автор: zheng-yuan Zheng,de-feng Zhan,kui-wen Zheng. Владелец: Teco Elec & Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Wafer etching apparatus having roller with grooved structure

Номер патента: TW200935509A. Автор: Chia-Ching Luo. Владелец: Big Sun Energy Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Array-type electron beam etching apparatus and its method

Номер патента: TW200805484A. Автор: zheng-yuan Zheng,de-feng Zhan,kui-wen Zheng. Владелец: Teco Elec & Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

A drawing tube of a vacuum cassette elevator used for an etching apparatus

Номер патента: TW389931B. Автор: Shiu-Chin Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-11.

Single wafer chemical etching apparatus

Номер патента: TWM332262U. Автор: shu-hui Hong. Владелец: Able Print Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-11.

Roller assembly with holes and etching apparatus using the same

Номер патента: TWI366230B. Автор: Chia Ching Luo. Владелец: Big Sun Energy Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-11.

Etching apparatus

Номер патента: AU3252357A. Автор: Hirata Janik. Владелец: Individual. Дата публикации: 1958-05-01.

Exhausting means in a dry etching apparatus

Номер патента: TWI247823B. Автор: Rung-Fu Ju. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-21.

Etching apparatus and method of controlling the same

Номер патента: TW201224692A. Автор: Chin-Chung Lin,Chin-Liang Chang,Bo-Wen Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-06-16.

Wafer bevel etching apparatus and the related method of flatting a wafer

Номер патента: TW201001512A. Автор: Chih-Yueh Li,Tai-Heng Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-01-01.

Wafer etching apparatus having roller with grooved structure

Номер патента: TWI369730B. Автор: Chia Ching Luo. Владелец: Big Sun Energy Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120012556A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD OF SUPPLYING ETCHING GAS AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120037316A1. Автор: Kato Yoshiyuki,OGASAWARA Masahiro,Hayakawa Yoshinobu,MIZUNO Hideki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-02-16.

DRY ETCHING METHOD AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120094500A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki,OKUNE Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20120100641A1. Автор: Tachibana Katsuhiko,Yoshinaga Kenta. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-04-26.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120132617A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120264308A1. Автор: WATANABE Tsukasa,Egashira Keisuke,Kaneko Miyako,Orii Takehiko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-18.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS FOR PREPARING HIGH-ASPECT-RATIO STRUCTURES

Номер патента: US20120302031A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

PULSE-PLASMA ETCHING METHOD AND PULSE-PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120302065A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20120305187A1. Автор: . Владелец: SUMCO TECHXIV CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20140073138A1. Автор: HUANG Ming-Yu,Hwang Min-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Etching solution supply method and etching apparatus

Номер патента: JP5091931B2. Автор: 祐司 栗本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4512529B2. Автор: 善幸 野沢,彰一 村上,明光 大石. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-28.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP6081218B2. Автор: 耕三 阿部,順一 池野. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP7141892B2. Автор: 伸 佐々木,哲男 木下. Владелец: Pre Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-26.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP6681228B2. Автор: 真樹 鰍場,鰍場　真樹,勇哉 赤西. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-15.

Dry etching apparatus and dry etching method using it

Номер патента: JPH1041277A. Автор: 英規 乾,Hidenori Inui. Владелец: Miyazaki Oki Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-13.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: JP3461120B2. Автор: 和己 小鍛治,慎太郎 弘中. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-27.

Sample dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4068986B2. Автор: 大本　　豊,良次 福山,守 薬師寺. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

A kind of etching liquid liquid feed device and use the humidifying etching apparatus of this device

Номер патента: CN204946867U. Автор: 杨宝立,罗伟斌,郭峰成. Владелец: SHENZHEN S C NEW ENERGY EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

Plasma-etching apparatus and plasma-etching method

Номер патента: CN100561679C. Автор: 中谷理子,丸山幸儿. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP5762915B2. Автор: 政憲 秋山,達彦 松尾. Владелец: CHEMITRON INC.. Дата публикации: 2015-08-12.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP6516603B2. Автор: 正宏 小笠原,学 下田,穂高 丸山,理史 浦川,孝紀 佐藤,佐藤　孝紀,小笠原　正宏. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP2639158B2. Автор: 啓藏 木下. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-06.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP3339136B2. Автор: 哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4595431B2. Автор: 典仁 福上. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Semiconductor wafer etching method and etching apparatus

Номер патента: JP3794886B2. Автор: 浩 田中,敦資 坂井田,敏尚 谷口,吉次 阿部. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-07-12.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP2794963B2. Автор: 徳彦 玉置,正文 久保田,登 野村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-10.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6180824B2. Автор: 学 下田,弘樹 松丸,道拓 狩野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-16.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP4713851B2. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川,紅コウ 鄒. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4626068B2. Автор: 博久 尼子,直子 朝隈,喜夫 渡邉,博則 三穂野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-02.

Etching method and etching apparatus for glass substrate

Номер патента: JP5448031B2. Автор: 克美 小原,秀己 佐藤,健太 森本,岩夫 住母家,正治 板倉. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-19.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4578887B2. Автор: 雅彦 田中,善幸 野沢,充也 千竃. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Etching apparatus and etching system

Номер патента: JP2003073861A. Автор: Hideo Sato,英雄 佐藤. Владелец: Fuji Kiko Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-12.

Gas phase etching apparatus and gas phase etching method

Номер патента: TW201820452A. Автор: 王正全,呂春福. Владелец: 財團法人工業技術研究院. Дата публикации: 2018-06-01.

Wet-etching apparatus and wet-etching method

Номер патента: TWI257667B. Автор: Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou,Li-Feng Chiu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Plasma etching apparatus and etching method thereof

Номер патента: TWI553692B. Автор: Jie Liang,Zhao-Yang Xu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-11.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TW200725728A. Автор: Chuan-Han Hsieh,Yu-Ming Liu,Chiu-Liang Li,Hui-Chin Hsu,Kuo-Chih Yeh,Chien En Hsu,Hung Te Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TWI285402B. Автор: Chuan-Han Hsieh,Yu-Ming Liu,Chiu-Liang Li,Hui-Chin Hsu,Kuo-Chih Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TW200607018A. Автор: Ken Osada. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120238100A1. Автор: AKIBA Aki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor etching apparatus and semiconductor etching method

Номер патента: CN103035470B. Автор: 倪图强,梁洁,王兆祥,苏兴才. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2016-02-17.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP4684924B2. Автор: 亮一 吉田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-18.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: JP3428615B2. Автор: 智 前田,昌弘 森元,誠 猪垣,隆男 中嶋. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2003-07-22.

Substrate etching apparatus and etching method

Номер патента: JP4095478B2. Автор: 禎明 黒川,亮児 山本. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp . Дата публикации: 2008-06-04.

Plasma etching apparatus, plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4605940B2. Автор: 正和 滝,賢治 新谷,広樹 大寺. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4707178B2. Автор: 貴志 衣川,信夫 杉本. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

MONITORING APPARATUS AND METHOD FOR IN-SITU MEASUREMENT OF WAFER THICKNESSES FOR MONITORING THE THINNING OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND THINNING APPARATUS COMPRISING A WET ETCHING APPARATUS AND A MONITORING APPARATUS

Номер патента: US20130034918A1. Автор: Dusemund Claus,Schoenleber Martin,Michelt Berthold,Dietz Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Etching apparatus and processing apparatus

Номер патента: JPH11162924A. Автор: Harumichi Hirose,Akinori Iso,明典 磯,治道 廣瀬,Choichi Kimura,長市 木村. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 1999-06-18.

Manufacture of vacuum chamber in cvd apparatus and dry etching apparatus

Номер патента: JPS62103379A. Автор: 豊 加藤,Eizo Isoyama,Yutaka Kato,礒山　永三. Владелец: Showa Aluminum Corp. Дата публикации: 1987-05-13.

Etching apparatus for semiconductor processing apparatus and method thereof for recycling etchant solutions

Номер патента: TW200837826A. Автор: Guo-Qiang Wu,Ying-Fang Chen,Son-Lung Chen,I-Yao Chen,Kuo-Chang Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20120006490A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Precision Products Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-12.

Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20120085494A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

WET ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120111835A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE

Номер патента: US20120129318A1. Автор: Suzawa Hideomi,OHNUMA Hideto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120160416A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-06-28.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120186746A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

ETCHING APPARATUS, CONTROL SIMULATOR,AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120310403A1. Автор: INOUE Satomi,SHIRAISHI Daisuke,KAGOSHIMA Akira,Morisawa Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130017626A1. Автор: TOMIOKA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

WET ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130062015A1. Автор: Cheng Wen-Da. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130228550A1. Автор: Izawa Masaru,MORI Masahito,Yagi Katsushi. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Etching Apparatus and Method

Номер патента: US20140051257A1. Автор: Pilch Karl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-20.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JPS5916979A. Автор: Kiyoshi Takahashi,清 高橋. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 1984-01-28.

Ion etching apparatus

Номер патента: JPS56152969A. Автор: Osamu Tsukagoshi,Kenro Miyamura. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 1981-11-26.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS6285431A. Автор: Toru Otsubo,徹 大坪,Kazuhiro Ohara,大原　和博. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-04-18.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS63138737A. Автор: Hideyuki Hirose,Hidehiko Ishizu,石津　英彦,廣瀬　秀幸. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-06-10.

Reactive ion beam etching apparatus

Номер патента: JPS60251284A. Автор: Shuichi Matsuda,修一 松田,Yaichiro Watakabe,渡壁　弥一郎. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-12-11.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS62154626A. Автор: 隆三 宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎 中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-09.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JPS6420621A. Автор: Kotaro Hamashima,Masanobu Nakano,Naoyoshi Fujiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Etching apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: JPS6433933A. Автор: Asako Murai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-03.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JPS62279637A. Автор: Satoshi Nakagawa,聡 中川. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1987-12-04.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS63233532A. Автор: Kenichi Hatasako,Yukio Sonobe,Shuji Kiriyama,桐山　修司,園部　幸夫,畑迫　健一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-29.

Glass etching apparatus using controllable fluid fields

Номер патента: CN103043913A. Автор: 朱迈,罗清泉,谢庆强,陈秀玉. Владелец: SHANTOU TOPJET TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Double-groove macrostructure electrolysis etching apparatus

Номер патента: CN201220974Y. Автор: 章利球. Владелец: LAB TESTING TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-15.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5980779A. Автор: Tsunetoshi Arikado,経敏 有門. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-05-10.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS632324A. Автор: 守孝 中村,Moritaka Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-01-07.

Semiconductor etching apparatus

Номер патента: CN100456434C. Автор: 陈卓. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Bearing mechanism and metal etching apparatus

Номер патента: JP6402514B2. Автор: 進也 楠,憲一郎 白田,徹也 安本,康充 廣内. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Etching apparatus for wafer

Номер патента: JPS62147734A. Автор: Hiroshi Oshibe,Takayasu Omura,Motoki Isshiki,押部　弘,大村　孝泰,一色　源基. Владелец: TOYO SETSUBI KOGYO KK. Дата публикации: 1987-07-01.

Dry etching apparatus and gas flow control inspection method

Номер патента: JP3372840B2. Автор: 浩一 芹川. Владелец: 九州日本電気株式会社. Дата публикации: 2003-02-04.

A kind of carrier and etching apparatus

Номер патента: CN204651300U. Автор: 梅震,邱树添,汪琴,孙侠,张中玉,黄照明,李君杰,余学志. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS634614A. Автор: Hirobumi Yoshida,吉田　寛文. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-09.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS6059078A. Автор: Seiji Sagawa,誠二 寒川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-05.

Radio-frequency starting control method for etching apparatus

Номер патента: CN100377624C. Автор: 张秀川. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5396938A. Автор: Keizo Suzuki,Sadayuki Okudaira,Ichiro Shikamata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-08-24.

Plasma etching apparatus and its O-ring

Номер патента: JP3100897U. Автор: 俊雄 彭,清松 魏. Владелец: 世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司. Дата публикации: 2004-05-27.

Ion beam cleaning etching apparatus

Номер патента: CN104878392B. Автор: 郑杰,尹辉,张心凤. Владелец: Anhui Chun Yuan Plated Film Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Dry etching apparatus

Номер патента: JP2010263048A. Автор: Satoshi Ikeda,Minoru Suzuki,Tsutomu Ito,Kenji Mizuno,智 池田,実 鈴木,日出夫 竹井,Hideo Takei,Muneyuki Sato,宗之 佐藤,健二 水野,Toshihiro Kawai,努 伊藤,洋介 坂尾,俊宏 河合,Yosuke Sakao. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for producing aluminum electrode foil for electrolytic capacitor and etching apparatus used for the same

Номер патента: JP3398601B2. Автор: 浩一 小島,正和 棚橋,幹也 嶋田,泰彦 中田,克之 中村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

Dry etching apparatus and dielectric cover part used therefor

Номер патента: JP5487027B2. Автор: 満 廣島,浩海 朝倉,彰三 渡邉. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

A kind of fixed device and the etching apparatus using the fixation device

Номер патента: CN209515616U. Автор: 李长春. Владелец: Xinen (qingdao) Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-18.

Wafer etching apparatus

Номер патента: JPH01164040A. Автор: Teruhisa Kojima,輝久 小島. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1989-06-28.

Ion etching apparatus

Номер патента: JPS627879A. Автор: Saburo Suzuki,Osamu Hirai,Shunichiro Kuwazuka,Eisei Togawa,Hironobu Saitou,修 平井,三郎 鈴木,戸川　衛星,鍬塚　俊一郎,斉藤　洽信. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-01-14.

A kind of etching apparatus

Номер патента: CN207743209U. Автор: 黄雷. Владелец: Kunshan Success Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-17.

Radio-frequency starting control method for etching apparatus

Номер патента: CN1852628A. Автор: 张秀川. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-25.

Atomic layer deposition and etching apparatus

Номер патента: CN214736077U. Автор: 李裕安,陈柏州,丁肇诚. Владелец: Baopu Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Etching apparatus

Номер патента: CN211509455U. Автор: 陈德和. Владелец: Universal PCB Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

High-speed precision crystal silicon laser etching apparatus and method

Номер патента: CN102201493A. Автор: 周明. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-28.

Separate discharge chamber type dry etching apparatus

Номер патента: JPS6444020A. Автор: Naoki Inagaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-16.

Dry etching apparatus using plasma for semiconductor device manufacturing

Номер патента: KR970052738A. Автор: 서광하,박인영,허노현,이관성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

plasma etching apparatus

Номер патента: KR200269266Y1. Автор: 안희경. Владелец: 주식회사 싸일렌테크놀로지. Дата публикации: 2002-03-21.

Laser etching apparatus

Номер патента: TWM515921U. Автор: Yao-Zong Chen,yu-yang Zhang,Ding-Guo Ding. Владелец: Nano Bit Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of forming patterned conductive oxide layer and etching apparatus

Номер патента: TWI467653B. Автор: Ching Yu Chen,Kuang Tse Liu,Jiang Jin You,Yi Sheng Chiu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-01-01.

Crucible for producing hollow columnar silicon ingot, method for producing hollow columnar silicon ingot, method for producing member for plasma etching apparatus, device for producing hollow columnar silicon ingot, and hollow columnar silicon ingot

Номер патента: JP4118557B2. Автор: 三郎 脇田,博弥 石塚,芳光 栗林. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS63131521A. Автор: Hidetaka Jo,城　英孝. Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-03.

Reactive etching apparatus

Номер патента: JPS5687674A. Автор: Yasuhiro Horiike,Masahiro Shibagaki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-16.

A kind of plasma etch apparatus

Номер патента: CN103646841B. Автор: 冯翔,邵克坚. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-27.

Plasma etching apparatus and method

Номер патента: CN101030538A. Автор: 中谷理子,丸山幸儿. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Electrolytic etching apparatus

Номер патента: CN214327962U. Автор: 林刘恭. Владелец: K Laser Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-01.

Plasma etching apparatus

Номер патента: JPS5855571A. Автор: Shinjiro Katagiri,Akimitsu Okura,Yoshimasa Unno,片桐　信二郎,海野　義昌,大蔵　昭光. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-04-01.

Plasma etching apparatus and method for manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: JP5175519B2. Автор: 勝 伊澤,賢悦 横川,賢治 前田,真 佐竹. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-04-03.

Optical head and optical etching apparatus with optical head

Номер патента: TWI258759B. Автор: Yi-Chun Chen,Chih-Kung Lee,Ding-Zheng Lin,Kuang-Chong Wu,Chau-Shioung Yeh. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-07-21.

Etching apparatus

Номер патента: JPS51151075A. Автор: Shuji Kondo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1976-12-25.

Optical head and optical etching apparatus with optical head

Номер патента: TW200701215A. Автор: Yi-Chun Chen,Chih-Kung Lee,Ding-Zheng Lin,Kuang-Chong Wu,Pei Ting Chou,Yeong Feng Wang,Chau-Shioung Yeh,Jenn Wei Lee,Tung Lin Yang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-01-01.

Gas distribution electrode for plasma etching apparatus

Номер патента: TWI298357B. Автор: Liangwei Wang,Chien Hsiung Hung,Chunghao Tseng,Yingru Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.