Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLD HAVING RESIN DAM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLD HAVING RESIN DAM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130256851A1
Опубликовано: 03-10-2013
Автор(ы): Noda Takamitsu
Принадлежит: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Structure and method for diminishing delamination of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09627299B1. Автор: Kyle Mitchell Flessner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160189978A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077011A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09870983B2. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543169B2. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160189978A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140319663A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Surface-mount semiconductor device having exposed solder material

Номер патента: US09824956B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

COF tape carrier, semiconductor element, COF semiconductor device, and method for manufacturing of COF semiconductor device

Номер патента: US20040070057A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200135710A1. Автор: Dong-Kwan Kim,Won-Keun Kim,Jae-choon Kim,Yeong-seok KIM,Hwa-Il Jin,Kyung-suk OH,Seung-Tae HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230215841A1. Автор: Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20220068881A1. Автор: Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US11810898B2. Автор: Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140319663A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device, apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425547A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077011A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of manufacturing semiconductor products, corresponding semiconductor product and device

Номер патента: US20180190572A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260952A1. Автор: Hideki Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180191337A1. Автор: ISHIDA Hiroshi,Masuda Shinichi,Yoshida Kenichi,Yoshiwatari Shinichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US12068260B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363551A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3D integrated circuits

Номер патента: US12074125B2. Автор: Chewn-Pu Jou,William Wu Shen,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Lan-Chou Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Laminate, method for manufacturing the laminate, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: PH12018550032A1. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-09-24.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JPWO2017199580A1. Автор: 吉田　健一,健一 吉田,裕司 石田,晋一 増田,増田　晋一,石田　裕司,新一 吉渡. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: CN108028646B. Автор: 吉田健一,石田裕司,增田晋一,吉渡新一. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Systems and methods for coupling a semiconductor device of an automation device to a heat sink

Номер патента: US09570374B2. Автор: RUI Zhou,Paul Jerome Grosskreuz,Jeremiah John Kopiness,Kelly James Bronk. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11837558B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-05.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Process and system for manufacturing an encapsulated semiconductor device

Номер патента: US20090011549A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-01-08.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047230A1. Автор: Hiroshi Yokota,Naoki Furukawa,Yutaka Okada,Naoki Maruyama,Tomohiko Kotake,Tomoko Higashiuchi,Nozomi Matsubara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing apparatus comprising semiconductor device, semiconductor device, and apparatus comprising semiconductor device

Номер патента: WO2022024369A1. Автор: 徹 田中,誉史 福島,久志 木野,祐樹 煤孫. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device assemblies with an encapsulant material having enhanced thermal conductivity, and methods for making the same

Номер патента: WO2024129492A1. Автор: Chong Leong Gan,Min Hua Chung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210057386A1. Автор: Kenji Takeo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3897478B2. Автор: 勝喜 内海,隆広 松尾,弘 日高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

And a method for manufacturing a laminated semiconductor device and a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI416689B. Автор: Kenichi Takeda,Kazuyuki Hozawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing such power semiconductor devices

Номер патента: JP6873865B2. Автор: ムナフ・ラヒモ,シャラランポス・パパドポウロス. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI545723B. Автор: Takao Sato,Masatoshi Fukuda. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for manufacturing contact holes in CMOS device using gate-last process

Номер патента: US8759208B2. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for manufacturing in a semiconductor device a low resistance via without a bottom liner

Номер патента: US09559051B1. Автор: Zhigang Song,Junjing Bao,Yunsheng Song,Yongchun Xin,Jang H. Sim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing mosfet on semiconductor device

Номер патента: US20070161212A1. Автор: Young Seong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102016112779B4. Автор: Patrick Graschl. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-02-24.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR BASE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180019307A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,FUKADA Yusuke. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (BTI) in silicon carbide devices

Номер патента: US09576868B2. Автор: Joseph Darryl Michael,Stephen Daley Arthur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and system for manufacturing a semiconductor package structure

Номер патента: US20230138460A1. Автор: Che-Ting Liu,Chih-Hsiang Hsu,Jheng-Yu HONG,Yu-Ting LU,Po-Chun LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Method and system for manufacturing a semiconductor package structure

Номер патента: US20220139872A1. Автор: Che-Ting Liu,Chih-Hsiang Hsu,Jheng-Yu HONG,Yu-Ting LU,Po-Chun LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Substrate for epitaxial growth, method for manufacturing the same, semiconductor device including the same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11978627B2. Автор: Binbin Li,Jiahao Zhang,Mingxin Chen,Bohsiang TSENG,Juiping LI,Yao Huo. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for laminating glass panels and vacuum lamination device using same

Номер патента: US09892943B2. Автор: Ming Liu,Tao Song,Tao MA,Guodong Zhao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Structure in a substrate for the manufacturing of a semiconductor device and process for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: US20080009139A1. Автор: Thomas Hecht,Henry Bernhardt,Steffen Mueller,Kristin Schupke,Kevin Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431281B2. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing an SGT-including semiconductor device

Номер патента: US09514944B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170012109A1. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20100248462A1. Автор: Munaf Rahimo,Jan Vobecky. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for fabricating side contact in semiconductor device using double trench process

Номер патента: US20110129975A1. Автор: Sang-Oh Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240188272A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: US20230042772A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for fabricating side contact in semiconductor device

Номер патента: US20120149205A1. Автор: Sung-Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating a thin film semiconductor device

Номер патента: US5637512A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Thomas W. Little. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Optoelectronic semiconductor device comprising a filling material and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024227522A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jochen BRENDT,Peter Deutscher,Joern KAMPMEIER,Thomas FILZ. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Piezoelectricity ceramic, sinter, method for manufacturing same, and piezoelectricity ceramic device using same

Номер патента: US09412932B2. Автор: Shaohua Su. Владелец: AAC Acoustic Technologies Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Yellow afterglow material, method for production thereof and light-emitting diode device using said material

Номер патента: RU2500716C1. Автор: Хао Чжан,Мин ЧЖАН,Кунь ЧЖАО,Хунцзе ЧЖАН,Чэнюй ЛИ. Владелец: Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-12-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Triptycene derivative useful as material for forming self-assembled film, method for manufacturing said triptycene derivative, film using same, method for manufacturing said film, and electronic device using said method

Номер патента: US20170279058A1. Автор: Yoshiaki Shoji,Takanori Fukushima,Takao Someya,Fumitaka ISHIWARI,Tsuyoshi Sekitani. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-09-28.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220199868A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Solar cell, method for manufacturing solar cell, and heating device used therein

Номер патента: US20180019366A1. Автор: Shoji Sato,Shigeharu Taira,Yuta Seki,Naohiro HITACHI,Yayoi NAKATSUKA,Azumi Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11804579B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Optoelectronic semiconductor device, optoelectronic semiconductor apparatus and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon carbide semiconductor device, inverter circuit using the same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230378292A1. Автор: Junichi Uehara,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210091187A1. Автор: Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Method for preparing graphene and said graphene, electronic device using said graphene

Номер патента: US20150266740A1. Автор: Jinsan Moon,Kyungho JUNG,Eunseck Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Flexible transparent electrode structure having superior light transmittance, water permeation resistance and oxygen permeation resistance, method for preparing the same, and organic optoelectronic device using the same

Номер патента: US20230099482A1. Автор: Won-Kook Choi,Keun Yong LIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for evaluating compatibility of thermosetting resin composition, thermosetting resin composition, prepreg, resin film, laminated plate, multilayer printed wiring board, and semiconductor package

Номер патента: US20230392002A1. Автор: Tomohiko Kotake,Shuichi Ishibashi,Daisuke Fujimoto. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359269A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US11764103B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US12107001B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240371681A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230377945A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230268305A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang,Shih-Peng Tai,I-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313292A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang,Shih-Peng Tai,I-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150372094A1. Автор: Horii Taku,Kijima Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Electronic device and method for coping with electrostatic discharge

Номер патента: US20100052158A1. Автор: Takashi Yajima,Masayuki GAMOU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same

Номер патента: US20210313240A1. Автор: Michimoto Kaminaga,Takahiro Tanamachi,Shuya HATAO,Hidetoshi Nakamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device including semiconductor element mounted on another semiconductor element

Номер патента: US20050167834A1. Автор: Shigeru Yamada,Yasushi Shiraishi,Shinji Ohuchi. Владелец: Shinji Ohuchi. Дата публикации: 2005-08-04.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09748140B1. Автор: Carsten Von Koblinski,Thomas Grille,Ursula Hedenig,Markus Ottowitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194788A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chien-Wei Lee,Chien-Chang Su,Yan-Ting Lin,Bang-Ting Yan,Chih Teng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888020B2. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220130948A1. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660073B1. Автор: Chih-Wei Lin,Pi-Kuang Chuang,Chao-Wei Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Optical semiconductor device and method for making the device

Номер патента: US09634185B2. Автор: Yang Qiu,Hugo Bender. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display device, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element

Номер патента: EP2079105A4. Автор: Yasumori Fukushima,Michiko Takei,Masao Moriguchi,Yutaka Takafuji,Kazuhide Tomiyasu,Steven Roy Droes. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Methods for Manufacturing a MOSFET

Номер патента: US20190081158A1. Автор: Maik Stegemann,Manfred Pippan,Andreas Riegler,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

MOS-driven semiconductor device and method for manufacturing MOS-driven semiconductor device

Номер патента: US09818845B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hitoshi Sumida,Takeyoshi Nishimura,Kin-On Sin,Chun-Wai Ng,Yoshiaki Toyada,Akihiko Ohi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09935232B2. Автор: Susumu Yamamoto,Gen Toyota,Takamitsu Yoshida,Takamasa Tanaka,Kazumasa Tanida,Shouta Inoue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing nand type flash memory device using the same

Номер патента: KR100815188B1. Автор: 김영준,한경식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-19.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US12146092B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Composite substrate, method for manufacturing composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20230004728A. Автор: 히로유키 기노시타. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-06.

Composite substrate, method for manufacturing composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN115668443A. Автор: 木下博之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-31.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11967648B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230050036A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420568A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420569A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140065800A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100351241B1. Автор: Nam Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210320005A1. Автор: Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A4. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US09974191B2. Автор: Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09806167B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09704743B2. Автор: Shunsuke Yamada,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490258B2. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Rework method for wafers of manufacturing semiconductor devices using the same, and method of manufacturing semiconductor devices thereby

Номер патента: TW392231B. Автор: Chun-deuk Lee,Bo-yong Lee,Mi-sook Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for fabricating nanometer gate in semiconductor device using thermally reflowed resist technology

Номер патента: TW200424759A. Автор: Edward Y Chang,Huang-Ming Lee. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2004-11-16.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for etching a hardmask layer for an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09653320B2. Автор: Sumit Agarwal,Chiu-Pien KUO,Shang-Ting HSIEH,Guochuan HONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Systems and methods for tuning porous bandgaps to reduce thermal donor effects

Номер патента: GB2625286A. Автор: Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of grinding substrate and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same

Номер патента: US20140235000A1. Автор: Seung Jae Lee,Jae Yoon Kim,Seong Deok HWANG,Jin Gi HONG,Ha Yeong Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Wet cleaning method for cleaning small pitch features

Номер патента: US09558927B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure and method for effective device width adjustment in finFET devices using gate workfunction shift

Номер патента: US09418903B2. Автор: Carl Radens,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit devices using a conductive layer to prevent peeling between a bonding pad and an underlying insulating film

Номер патента: US6696357B2. Автор: HIROSHI Ashihara,Tsuyoshi Fujiwara,Toshinori Imai,Masaaki Yoshida,Tomohiro Shiraishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09601632B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09508799B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for manufacturing a CMOS device having twin wells and an alignment key region

Номер патента: US5252510A. Автор: Dai H. Lee,Hyung L. Ji. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-12.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20180082851A. Автор: 이일형,김종규,김상국,공유철,윤혜지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-19.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Matsumoto Naoki,Okita Kyoko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing display, method for manufacturing thin film transistor, and method for forming semiconductor thin film

Номер патента: WO2000004572A1. Автор: Hisao Hayashi,Yasushi Shimogaichi,Masahiro Minegishi,Makoto Takatoku. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2000-01-27.

Strained semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: GB2418533A. Автор: Zoran Krivokapic,Daniel R Collopy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing power conversion device

Номер патента: WO2018163593A1. Автор: 亘平 足立,裕 福井,梨菜 田中,勝俊 菅原,英之 八田. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2018-09-13.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220102502A1. Автор: Shingo Ota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420445A1. Автор: Makoto Ueno,Kazuhiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8846488B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093041A1. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-18.

High frequency semiconductor device and producing the same

Номер патента: WO2004036650A1. Автор: Choong-Mo Nam. Владелец: Telephus Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180096854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru,NISHIGUCHI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Wada Keiji,Doi Hideyuki,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Keiji Wada,Hideyuki Doi,Hironori Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11038019B2. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11942550B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chien-Wei Lee,Chien-Chang Su,Yan-Ting Lin,Bang-Ting Yan,Chih Teng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and methods for forming semiconductor cutting/trimming blades

Номер патента: US20200206869A1. Автор: Jonathan S. Hacker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170534A1. Автор: Chien-Hung Lin,Zhi-Chang Lin,Chien-Ning YAO,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237544A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2023052355A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144366A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130295314A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013907A1. Автор: Tanaka Takanori,Kuroiwa Takeharu,UJIHARA Toru,Furusho Tomoaki,HARADA Shunta,MURAYAMA Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210166941A1. Автор: Wada Keiji,MIYASE Takaya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163545A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2016-06-09.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140252376A1. Автор: Itoh Satomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181375A1. Автор: Kubota Ryosuke,Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160189955A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210313175A1. Автор: Keiji Wada,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2584594A4. Автор: Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Satomi Itoh,Hiromu Shiomi,Mitsuru Shimazu,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Adhesive Sheet and Method for Manufacturing the Same, Semiconductor Device Manufacturing Method and Semiconductor Device

Номер патента: US20080261039A1. Автор: Maiko Tanaka,Michio Uruno,Takayuki Matsuzaki,Ryoji Furutani,Michio Mashino,Teiichi Inada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR100915491B1. Автор: 마이코 다나카,미치오 우루노,타카유키 마츠자키,료지 후루타니,미치오 마시노,테이이치 이나다. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-09-03.

Thin film semiconductor and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6291275B1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-18.

Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8465615B2. Автор: Maiko Tanaka,Michio Uruno,Takayuki Matsuzaki,Ryoji Furutani,Michio Mashino,Teiichi Inada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100675896B1. Автор: 김현정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Thin film semiconductor and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6458637B1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2584594A1. Автор: Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Satomi Itoh,Hiromu Shiomi,Mitsuru Shimazu,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN102959690A. Автор: 增田健良,盐见弘,玉祖秀人,宫崎富仁. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104885197B. Автор: 玄番润. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Method for manufacturing a nitride semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: EP2051308A3. Автор: Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Atsushi Watanebe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-04-14.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226495A1. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020927B2. Автор: Keiji Wada,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method for fabricating contact plug in semiconductor device

Номер патента: US20080003798A1. Автор: Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating fine pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100363703B1. Автор: Min Kyung Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Process for producing bipolar semiconductor device utilizing predeposition of dopant and a polycrystalline silicon-gold film followed by simultaneous diffusion

Номер патента: US4290188A. Автор: Takeshi Fukuda,Naoaki Kobayashi,Yoshito Ichinose. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-09-22.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

A method for fabricating isolation regions in semiconductor devices

Номер патента: DE3379700D1. Автор: Hiroshi C O Fujitsu Limit Goto,Akira C O Fujitsu Limit Tabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-24.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for fabricating metal plug of semiconductor device

Номер патента: TWI281725B. Автор: Jung-Geun Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming fine patterns of semiconductor devices, and method for forming semiconductor devices using the same, and semiconductor devices formed by using the same

Номер патента: KR102257038B1. Автор: 이철,신석호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-05-28.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: TW201613092A. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2016-04-01.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3200236A4. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US20150334849A1. Автор: Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device or display device including the same

Номер патента: US20170338107A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor memory device using electroplating method

Номер патента: KR100331570B1. Автор: 호리이히데끼. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-04-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor memory device using electroplating method

Номер патента: KR20010111744A. Автор: 호리이히데끼. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-20.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device and substrate for semiconductor device

Номер патента: JP3984014B2. Автор: 島 一 郎 水,松 尚 人 親,野 元 永,田 敬 山,藤 力 佐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-26.

Arrangement for data transmission between an equipment for manufacturing of a semiconductor device and a communicating device and method for operating the arrangement

Номер патента: WO2002017029A1. Автор: Eckhard Marx,Ricco Walter. Владелец: Abakus Software Gmbh. Дата публикации: 2002-02-28.

Multiple-Gate Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20150079753A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin,Li-Wen Weng,Hsien-Chin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130075745A1. Автор: KANEGAE Arinobu,HOTTA Sadayoshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-28.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THICK TOP-METAL-DESIGN AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180012773A1. Автор: Kopta Arnost,Matthias Sven,Papadopoulos Charalampos,Corvasce Chiara. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170032968A1. Автор: SUGAHARA Kazuyuki,OKABE Hiroaki,YOSHIDA Motoru,Nakanishi Yosuke,TOMINAGA Takaaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-02-02.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US20210062088A1. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

ETCHING COMPOSITION, METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210062089A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Cheol Woo,LEE Kwang Kuk,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,SHIN Jung Ha,JO Jin Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064490A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210066288A1. Автор: Rahimo Munaf. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Nakanishi Yosuke,NOGUCHI Tomoaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for Manufacturing a Vertical Semiconductor Device and Vertical Semiconductor Device

Номер патента: US20150115356A1. Автор: Brandl Peter,Peri Matthias Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180108730A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170121850A1. Автор: Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190131388A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shiro Hino,Tomokatsu Watanabe,Yusuke Yamashiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170281A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SOLID STATE IMAGE PICKUP APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150214263A1. Автор: YOSHIOKA HIROTAKA,NOJIMA KENTA,IKEDA Kenta,KOTOO Kengo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

DOPING SYSTEM, DOPING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190228971A1. Автор: NAKAZAWA Haruo,IGUCHI Kenichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170243948A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada,So Tanaka,Takahiro Matsui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PN JUNCTION INTERFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237558A1. Автор: Imaizumi Masayuki,Hamada Kenji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE USING SAME

Номер патента: US20180277619A1. Автор: MURASE Seiichiro,SHIMIZU Hiroji,Wakita Junji. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US20180286963A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350602A1. Автор: Rahimo Munaf,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Mihaila Andrei,Bartolf Holger. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100489657B1. Автор: 이수웅,안주진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-17.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: KR101851821B1. Автор: 아르스 크리슈토프 폰. Владелец: 에이비비 슈바이쯔 아게. Дата публикации: 2018-06-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7182850B2. Автор: 誠 内海,泰彦 大西,直之 大瀬. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796886B. Автор: 和田圭司,西口太郎,日吉透,堀井拓,内田光亮. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-01.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107532327B. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6780414B2. Автор: 光央 岡本,憲司 福田,岳志 堤,幹 荒岡,巻渕　陽一,陽一 巻渕,堤　岳志,岡本　光央,福田　憲司. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Field effect semiconductor device and method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: JP4907929B2. Автор: 景一 松下. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3336879A1. Автор: Yusuke Fukuda,Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor devices and method for forming semiconductor devices using the same

Номер патента: KR102192350B1. Автор: 김경섭,김명철,김성봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-18.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6773198B1. Автор: 泰之 河田,誠 内海,内海　誠,河田　泰之,亜樹 瀧川. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107039268B. Автор: 胁本节子,岩谷将伸. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Method for manufacturing a repairable semiconductor device and repairable semiconductor device with a redundancy circuit

Номер патента: DE3937504C2. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2020250612A1. Автор: 増田　健良. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2020-12-17.

Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7211456B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,透 日吉. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP7001364B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN108604552B. Автор: A.米海拉,H.巴托夫,M.拉伊莫,L.诺尔,R.米纳米萨瓦. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-22.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN103597602A. Автор: T·克劳森,M·拉希莫,A·科普塔,M·安登纳. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-02-19.

Method for manufacturing display device and display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: KR20200105843A. Автор: 문성현,전지나,위경태. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2020-09-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6472776B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110176497B. Автор: R.鲁普,A.迈泽. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-06.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202111093A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-16.

MOS-driven semiconductor device and method for manufacturing MOS-driven semiconductor device

Номер патента: US9553185B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hitoshi Sumida,Takeyoshi Nishimura,Kin-On Sin,Chun-Wai Ng,Yoshiaki Toyada,Akihiko Ohi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP7087280B2. Автор: 祐一 原田,伸一 仲俣,保幸 星,崇 椎木. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2016114057A1. Автор: 光央 岡本,直樹 熊谷,卓巳 藤本,泰彦 大西,憲司 福田,岳志 堤,信介 原田,善行 酒井,原田　信介,大西　泰彦,堤　岳志,岡本　光央,福田　憲司,熊谷　直樹. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device

Номер патента: EP3021353A4. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9627487B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP2359404A1. Автор: Munaf Rahimo,Arnost Kopta,Ulrich Schlapbach. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-08-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN115004342A. Автор: 田中贵规,岩松俊明,永久雄一,川畑直之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-02.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN103518252A. Автор: C.冯阿尔斯. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-01-15.

Method for manufacturing transistor and image display device using the same

Номер патента: US7199406B2. Автор: Keum-Nam Kim,UI-Ho Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-03.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019044922A1. Автор: 龍太 鈴木,竹内　有一,侑佑 山下,周平 箕谷,愛子 梶. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2019-03-07.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US11186772B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Methods for manufacturing silicon carbide semiconductor device and power conversion device

Номер патента: WO2021161436A1. Автор: 史郎 日野,康史 貞松. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2021-08-19.

System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor

Номер патента: KR101457230B1. Автор: 아제이쿠말 알. 제인. Владелец: 베르사틸리스 엘엘씨. Дата публикации: 2014-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2017092940A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-08.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202108747A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

Porous separator with water-based organic/inorganic complex coating, a method for preparing the same, and an electrochemical device using the same

Номер патента: US09711772B2. Автор: Do Hoon LEE,Chang Hyun CHOI,Jae Yong Hyun,Ji Na Yoo. Владелец: Hanwha Total Petrochemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for powering and communicating with wireless sensor devices using building electrical wiring

Номер патента: US09935605B2. Автор: Pavel Nikitin,Stephen J. Kelly. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device using an internal void

Номер патента: US20060096947A1. Автор: Richard Harris,Robert Kretschmann,Mark Lucak,Michael Knieser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for light emitting diode device and intermediate therefor

Номер патента: WO2010098553A3. Автор: Hyun Woo Shin,Kee Yong Park,Kyo Sun Ku,Byung Du Oh. Владелец: HANBEAM CO., LTD.. Дата публикации: 2010-11-25.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: US09423690B2. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634095B2. Автор: Masahiro Ogino,Yutaka Tomatsu,Seigo Oosawa,Tomomi Oobayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130063329A1. Автор: Naoki Makita,Hajime Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Resin-sealed semiconductor device, mold for resin seal, method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame

Номер патента: TW201230257A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-07-16.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Thin film semiconductor device, display, and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: TW200830555A. Автор: Kaoru Abe,Shinji Kubota,Hiroaki Morita,Tomohiro Shiotani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

MOLDED BODY FOR ELECTRONIC FUNCTION, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND OPERATION DEVICE USING MOLDED BODY FOR ELECTRONIC FUNCTION

Номер патента: US20210157427A1. Автор: Morimoto Takashi,ETO Hideaki,Morioka Hiroshi,AGEMIZU WAHEI,MORIURA TOMOYA. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Heat-conductive adhesive sheet, manufacturing method for same, and electronic device using same

Номер патента: US09944831B2. Автор: Kunihisa Kato,Tsuyoshi MUTOU,Wataru Morita. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods for manufacturing non-planar semiconductor devices having germanium-based active regions with a combined release-etch passivation step.

Номер патента: EP2901488B1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, IMAGE DISPLAY DEVICE USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE IMAGE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Suzuki Takeshi,Hirano Koichi,Masuda Shinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US10354715B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating capacitor in a semiconductor device

Номер патента: TWI274381B. Автор: Wu-An Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09806201B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Yoshinori Yamada,Takashi Hamada,Masashi Oota,Yuji EGI,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, IMAGE DISPLAY DEVICE USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE IMAGE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20130161628A1. Автор: Suzuki Takeshi,Hirano Koichi,Masuda Shinobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230018480A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

TRIPTYCENE DERIVATIVE USEFUL AS MATERIAL FOR FORMING SELF-ASSEMBLED FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAID TRIPTYCENE DERIVATIVE, FILM USING SAME, METHOD FOR MANUFACTURING SAID FILM, AND ELECTRONIC DEVICE USING SAID METHOD

Номер патента: US20170279058A1. Автор: SEKITANI Tsuyoshi,SOMEYA Takao,Fukushima Takanori,Shoji Yoshiaki,Ishiwari Fumitaka. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Metal substrate with insulation layer and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same, and solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110192451A1. Автор: Ryuichi Nakayama,Shinya Suzuki,Keigo Sato,Shigenori Yuya,Shuji Kanayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8749063B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for light emitting diode device and intermediate therefor

Номер патента: WO2010098553A2. Автор: Hyun Woo Shin,Kee Yong Park,Kyo Sun Ku,Byung Du Oh. Владелец: HANBEAM CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Preparing method for conductive composite, conductive composite and piezoresistive device using the same

Номер патента: US20230212371A1. Автор: Kyong Hwa Song,Min Jae Lee,Deok Woo Yun,Gwan Sik Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: US09575410B2. Автор: Takahiro Sasaki,Tatsuya Hirata,Satoshi Shibui,Taisuke Yamada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Capacitor, Method for manufacturing the capacitor, Semiconductor device including the capacitor, and Method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100553839B1. Автор: 박제민,박진준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-24.

Flexible semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2312620A1. Автор: Seiichi Nakatani,Takashi Ichiryu,Koichi Hirano,Tatsuo Ogawa,Takeshi SAZUKI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2010046794A1. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: WO2014030723A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11588049B2. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3832733A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20210234041A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Systems and methods of testing semiconductor devices using simultaneously scanning of a plurality of regions therein and methods of forming semiconductor devices using the same

Номер патента: US20180356349A1. Автор: Chung Sam Jun,Yun Jung Jee,Yu Sin YANG,Min Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130302570A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

A deposition mask, a method for manufacturing an organic semiconductor device, and a method for manufacturing an organic EL display

Номер патента: KR102366019B1. Автор: 히로시 가와사키,야스코 소네,구미코 호카리. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-23.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3843654B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達,哲正 丸尾. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3915337B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for fabricating crown-type of semiconductor device

Номер патента: TW437012B. Автор: Yong-Sun Sohn,Seung-Woo Shin. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-28.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Methods for forming chalcogenide semiconductor film and photovoltaic device using the same

Номер патента: TW201246381A. Автор: Ching Ting,Feng-Yu Yang,Yueh-Chun Liao. Владелец: Delsolar Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-16.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device and capacitor of semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: KR101626954B1. Автор: 김진용,이종철,권오성,김범석,조규호,김완돈,탁용석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-03.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for controlling silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6711100B2. Автор: 山田　隆二,隆二 山田,学 武井. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3203528B1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for forming semiconductor device comprising metal oxide

Номер патента: US5474945A. Автор: Shunpei Yamazaki,Akira Mase,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-12.

Semiconductor device having channel structure with 2D material

Номер патента: US11942536B2. Автор: Robert D. Clark,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, EL DISPLAY PANEL, AND EL DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20130075711A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-28.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, EL DISPLAY PANEL, AND EL DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20130082271A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING TEMPLATE FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150091047A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kwak Woo Chul,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan,Jang Sam Seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: US20150168834A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa,Wataru Nihashi,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170335489A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD FOR FORMING PASSIVATION AREA ON SEMICONDUCTOR DEVICE, INFRARED RADIATION SENSITIVE PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR PASSIVATING SURFACE OF BODY

Номер патента: FR2872345A1. Автор: Charles Cockrum,David R Rhiger,Eric F Schulte. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 2005-12-30.

Method for manufacturing silicon film for solar devices using plasma spray and annealing process

Номер патента: KR101455290B1. Автор: 박영구,곽찬원. Владелец: (주)세원하드페이싱. Дата публикации: 2014-11-03.

Silicon carbide substrate, method for producing same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016084561A1. Автор: 恭子 沖田,翼 本家. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TW201214586A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-04-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130214290A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130341648A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu,Shimazu Mitsuru,Kanbara Kenji,Tanaka Sou. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE AND SYSTEM EACH INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140015034A1. Автор: RYU Seong Wan,YOO Min Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

BIPOLAR PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140034997A1. Автор: Kopta Arnost,Rahimo Munaf,Andenna Maxi,CLAUSEN Thomas. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-02-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061675A1. Автор: Miura Naruhisa,Hino Shiro,Furuhashi Masayuki,Watanabe Tomokatsu,Tanioka Toshikazu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2014-03-06.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE AND SYSTEM EACH INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150017769A1. Автор: RYU Seong Wan,YOO Min Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND HEATING DEVICE USED THEREIN

Номер патента: US20180019366A1. Автор: Seki Yuta,Taira Shigeharu,SATO Shoji,UMEDA Azumi,HITACHI Naohiro,NAKATSUKA Yayoi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033703A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-02-01.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PORTIONS OF A CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220077368A1. Автор: EBERHARD Franz. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210091187A1. Автор: ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Hoeppel Lutz,Molnar Attila. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SURFACE LIGHT SOURCE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE USING THE SURFACE LIGHT SOURCE

Номер патента: US20200105990A1. Автор: YANG Yong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-02.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY PANEL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20200152901A1. Автор: Yuan Bo,Xu Lin,LIU Rusheng,HUANG Genmao,SHENG Cuicui. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

PIEZOELECTRICITY CERAMIC, SINTER, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND PIEZOELECTRICITY CERAMIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20140285062A1. Автор: Su Shaohua. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

INTEGRATED CIRCUIT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND RADIO COMMUNICATION DEVICE USING SAME

Номер патента: US20200244182A1. Автор: MURASE Seiichiro,SHIMIZU Hiroji. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2020-07-30.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Von Malm Norwin,Göötz Britta. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM INCLUDING LIQUID METAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20220367524A1. Автор: Park Jang-Ung,PARK Younggeun,JI Kwanghwan,KIM Harkjin,KIM Hyobeom. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Organic Laser induced thermal imaging apparatus and method for manufacturing organic light emitting display device using the same

Номер патента: KR101156437B1. Автор: 노석원,선진원. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor memory device using amorphous carbon

Номер патента: KR100780611B1. Автор: 정재창,공근규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-29.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106536793A. Автор: 宫崎正行. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: DE102017115181A1. Автор: Luca Haiberger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-01-10.

Aligned Carbon nanotube struscture having wall form, method for manufacturing the same and electric device using the same

Номер патента: KR101977436B1. Автор: 이해원,오은결,송충길,진서. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-08-28.

Method of designing/manufacturing semiconductor integrated circuit device using combined exposure pattern and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6604234B2. Автор: Toshio Suzuki,Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-05.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: CN103038887A. Автор: 林宏,河内玄士朗,川岛孝启. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Methods for Manufacturing Multiple Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: JP6824172B2. Автор: ヘッペル ルッツ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-02-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017149580A1. Автор: 広行 吉元,渊 卜,島　明生. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2017-09-08.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4169072B2. Автор: 暁夫 町田,敏夫 藤野,正洋 河野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Method of designing/manufacturing semiconductor integrated circuit device using combined exposure pattern and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR100857634B1. Автор: 스즈키토시오,우사미미츠오. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2008-09-08.

Optoelectronic semiconductor device comprising a dielectric layer and a transparent conductive layer and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220190222A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-06-16.

Micro led device and method for manufacturing the same, and display device using the same

Номер патента: KR102442664B1. Автор: 김재균,진정근. Владелец: 주식회사 어드밴스트뷰테크널러지. Дата публикации: 2022-09-13.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6988175B2. Автор: 民雅 呂,武志 俵,將昭 宮島,真樹 宮里. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016125404A1. Автор: 正行 宮崎. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor devices and method for manufacturing the same, semiconductor device modules, circuit substrates and electronic apparatuses

Номер патента: US20050263759A1. Автор: Masakuni Shiozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Wide-gap semiconductor device and method for manufacturing wide-gap semiconductor device

Номер патента: EP3159933A1. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

A method for manufacturing a power semiconductor device, a sheet for hot pressing and a thermosetting resin composition for hot pressing.

Номер патента: JPWO2019044798A1. Автор: 一尊 本田,裕太 小関. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

Resin composition, resin sheet, cured film, method for manufacturing cured film, semiconductor device and display device

Номер патента: JPWO2020026937A1. Автор: 有希 増田,啓華 橋本,祐貴 竹山. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2021-08-02.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR19980071494A. Автор: 헤르베르트 섀퍼,폴커 레만,한스 라이징어,헤르만 벤트,라인하르트 슈텡글,마르틴 프라노쉬,게릿 랑에. Владелец: 로더리히 네테부쉬. Дата публикации: 1998-10-26.

Vertical semiconductor device, module and system each including the same, and method for manufacturing the vertical semiconductor device

Номер патента: US9177958B2. Автор: Min Soo Yoo,Seong Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Fluorescent body, method for manufacturing same, and light-emitting device using same

Номер патента: US20220243126A1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2022-08-04.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP7259215B2. Автор: 舜基 成田. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: WO2013021416A1. Автор: 玄士朗 河内,林　宏,孝啓 川島. Владелец: パナソニック液晶ディスプレイ株式会社. Дата публикации: 2013-02-14.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the nitride semiconductor device

Номер патента: KR20230061401A. Автор: 료따 후나꼬시. Владелец: 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-05-08.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: CN103975422A. Автор: 六鎗広野,伊东浩二,小笠原淳. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Power semiconductor device and method for manufacturing the power semiconductor device

Номер патента: US8629498B2. Автор: Shuhei Nakata,Naruhisa Miura,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US20080054266A1. Автор: Akio Machida,Tadahiro Kono,Toshio Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Field effect transistor, method for manufacturing the same and electronic device using the field effect transistor

Номер патента: CN1950950A. Автор: 斋藤彻,北冈康夫,竹内孝之,川岛孝启,奥泽智宏. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-18.

Fluorescent body, method for manufacturing same, and light-emitting device using same

Номер патента: EP3992264B1. Автор: Takashi Takeda,Naoto Hirosaki,Shiro Funahashi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for manufacturing a trench channel for vacuum transistor device and vacuum transistor device

Номер патента: US10102996B2. Автор: Antonino FIUMARA,Marcello Frazzica,Giuseppe Digrazia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Electrode and method of producing the same, and electrochemical device using the same

Номер патента: CA3197001A1. Автор: Masatsugu Morimitsu. Владелец: Doshisha Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

POSITIVE ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE BATTERY

Номер патента: US20200365894A1. Автор: Hida Masaharu,Homma Kenji,KURITA Tomochika,Iwata Jiyunichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Connection structure for waveguide converter, method for manufacturing the same, and antenna device using the connection structure

Номер патента: JP5383796B2. Автор: 実 橋本,重雄 宇田川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

Magnetic field shielding sheet for digitizer, method for manufacturing same, and portable terminal device using same

Номер патента: CN104412728A. Автор: 李东勋,张吉在,李炳璂. Владелец: A Moxian Grace Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

MULTILAYER CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160027586A1. Автор: KIM Sung Woo. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

MULTILAYER CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME

Номер патента: US20180226195A1. Автор: KIM Sung Woo. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

GRAPHENE-CONTAINING ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER STORAGE DEVICE USING SAME

Номер патента: US20200220161A1. Автор: Zhang Kun,TANG JIE,Qin Luchang. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-07-09.

Microheater unit, microheater array, method for manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: KR101318291B1. Автор: 최준희,안드레이 줄카니브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-10-16.

Photoelectrode and method for manufacturing same, and photoelectrochemical reaction device using same

Номер патента: WO2016088286A1. Автор: 良太 北川,栄史 堤,昭彦 小野,御子柴　智,由紀 工藤,田村　淳,正和 山際,義経 菅野. Владелец: 株式会社 東芝. Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICES FOR CURRENT STOP LAYERS

Номер патента: FR2736211A1. Автор: Manabu Kato,Seiji Ochi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-03.

Multilayer capacitor, method for manufacturing the same, and electronic device using same

Номер патента: US10109425B2. Автор: Sung Woo Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Anode pole piece and method for manufacturing same, battery and electronic device using the pole piece

Номер патента: KR20220130825A. Автор: 펑 두,마오후아 첸,위안센 시에. Владелец: 닝더 엠프렉스 테크놀로지 리미티드. Дата публикации: 2022-09-27.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102020123854A1. Автор: Christian Lauer,Alexander Behres,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-17.

Housing, method for manufacturing the same and electornic device using the housing

Номер патента: US20140078651A1. Автор: Shu-Xiang Zhou,He-Xian Lin. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US20230072351A1. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US12093191B2. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for communicating between wireless devices and wireless device using same

Номер патента: US09565545B2. Автор: Dong Guk Lim,Han Gyu Cho,Seung Hyun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Load ratio based scheduling method for multiple file transfer tasks and storage device using same

Номер патента: US11463506B2. Автор: Chi-Lung Lin,Chia-Hao Chen,Xiao-Wei HUANG. Владелец: QNAP Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Method for producing a hologram and a display device using the same

Номер патента: US20010001579A1. Автор: Kenichiro Takada,Tomoyuki Kanda. Владелец: DENSO Corp AND NIPPON SOKEN Inc. Дата публикации: 2001-05-24.

Method for producing a hologram and a display device using the same

Номер патента: US20020097457A1. Автор: Kenichiro Takada,Masahiro Shiozawa,Tomoyuki Kanda,Kazutoshi Koie,Atsuo Ishizuka,Katsuyoshi Nishii,Katsumi Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for inducing a merge candidate block and device using same

Номер патента: US09930359B2. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus and method for determining the location of a mobile device using multiple wireless access points

Номер патента: US09804256B2. Автор: Jie Xiong,Kyle Andrew Jamieson. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for inducing a merge candidate block and device using same

Номер патента: US09578348B2. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for inducing a merge candidate block and device using same

Номер патента: US09554144B2. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for inducing a merge candidate block and device using same

Номер патента: US09357225B2. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for transmitting HARQ ACK/NACK and wireless device using same

Номер патента: US09838182B2. Автор: Hanbyul Seo,Hakseong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for launching remote applications from a mobile device using cloud cache

Номер патента: US09823819B1. Автор: Serguei M. Beloussov,Stanislav S. Protassov,Alexander Aplemakh,Ruslan Pashkov,Andrey Pokrovsky,Pavel Gashev. Владелец: PARALLELS IP HOLDINGS GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for launching remote applications from a mobile device using cloud cache

Номер патента: US09426257B1. Автор: Serguei M. Beloussov,Stanislav S. Protassov,Alexander Aplemakh,Ruslan Pashkov,Andrey Pokrovsky,Pavel Gashev. Владелец: PARALLELS IP HOLDINGS GMBH. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for generating a location of a mobile device using base stations locations

Номер патента: WO2011019569A1. Автор: Chand Mehta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Calibration method for merging object coordinates and calibration board device using the same

Номер патента: US09784576B2. Автор: Kuo-Ching Chang,Hsuan-Yu Huang. Владелец: Automotive Research and Testing Center. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: US20060002460A1. Автор: Thomas Maucksch,Uwe Baeder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: EP1502377A1. Автор: Uwe Bader,Thomas Maucksch. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-02-02.

Method for controlling uplink transmission power and wireless device using same

Номер патента: US09848395B2. Автор: Su Hwan Lim,Dong Youn Seo,Suck Chel Yang,Joon Kui Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for ensuring the accessibility of mobile radio devices using an optimized paging mechanism

Номер патента: US20100210261A1. Автор: Karl-Heinz Nenner,Sebastian Speicher. Владелец: T Mobile International AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Method for displaying dialing information and mobile communication device using the method

Номер патента: US20090124293A1. Автор: Yuan-Mao TSUEI. Владелец: High Tech Computer Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for preventing misdirection of pictures and electronic device using the same

Номер патента: US09998884B2. Автор: How-Wen CHIEN. Владелец: Chiun Mai Communication Systems Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for short-range wireless communication and electronic device using the same

Номер патента: US09743226B2. Автор: Namjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for controlling uplink transmission power and wireless device using same

Номер патента: US09716575B2. Автор: Dong Youn Seo,Suck Chel Yang,Joon Kui Ahn,Yun Jung YI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method For Measuring Coordinate Position And Portable Electronic Device Using The Same

Номер патента: AU2022263592A1. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method For Measuring Coordinate Position And Portable Electronic Device Using The Same

Номер патента: AU2022263592B2. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for disabling secure access to an electronic device using detection of a predetermined device orientation

Номер патента: US09519769B2. Автор: Cyrus Azar,George Brostoff. Владелец: SENSIBLE VISION Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Systems And Methods For Determining A Location Of An Electronic Device Using Bilateration

Номер патента: US20210176602A1. Автор: Neal C. Fairbanks,Frederick R. Nader,Collin M. Rusk. Владелец: Kenmar Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Signalling method for broadcasting video content, recording method and device using signalling

Номер патента: RU2547624C2. Автор: Франсуа-Луи ТАРЬОЛЛЕ,Эрик ГОТЬЕ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for deriving a merge candidate block and device using same

Номер патента: CA2968598C. Автор: Bae Keun Lee,Jae Cheol Kwon,Joo Young Kim. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Resource allocation method for performing transmission in unlicensed band, and device using same

Номер патента: EP4301078A2. Автор: Kyungjun CHOI,Minseok Noh,Jinsam Kwak. Владелец: Wilus Institute of Standards and Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for providing quantitative information of targets and device using the same

Номер патента: EP4184149A1. Автор: Seok Jae LEE,Tae Jae Lee,Yoo Min Park,Kyoung Gyun Lee,Nam Ho Bae,Dong Gee Rho,Moon Keun Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for configuring resource of iab node, and device using method

Номер патента: US20240015705A1. Автор: Hyunsoo Ko,Hyangsun YOU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Resource allocation method for performing transmission in unlicensed band, and device using same

Номер патента: EP4301078A3. Автор: Kyungjun CHOI,Minseok Noh,Jinsam Kwak. Владелец: Wilus Institute of Standards and Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for performing self-interference cancellation by communication device using fdr mode

Номер патента: US20180152329A1. Автор: Dongkyu Kim,Hyunsoo Ko,Sangrim LEE,Hojae Lee,Kwangseok Noh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for providing quantitative information of targets and device using the same

Номер патента: US20230153993A1. Автор: Seok Jae LEE,Tae Jae Lee,Yoo Min Park,Kyoung Gyun Lee,Nam Ho Bae,Dong Gee Rho,Moon Keun Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-18.

Superconductive conjugate photoconductive substances of the Bi-SrCa (laY)-Cu-O system, a method for producing the same and superconductive optoelectronic devices using the same

Номер патента: US5654259A. Автор: Taizo Masumi. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 1997-08-05.

Method for detecting proximity of object and electronic device using the same

Номер патента: US20180246206A1. Автор: Gihoon Lee,Seunggoo KANG,Jaehwan LEE,Yongjun PARK,Dongil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for testing the error ratio of a device using a preliminary probability

Номер патента: WO2003096601A8. Автор: Thomas Maucksch,Uwe Baeder. Владелец: Uwe Baeder. Дата публикации: 2004-03-18.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for measuring coordinate position and portable electronic device using the same

Номер патента: US11953614B2. Автор: Chia-Chang Chiu,wei-rong Chen. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

System and methods for automatic power management or remote electronic devices using a mobile device

Номер патента: EP2616894A1. Автор: Mark Davidson,Josef Brunner,Rene Seeber. Владелец: JouleX LLC. Дата публикации: 2013-07-24.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

System and method for reliable geolocation computation of communicating endpoint devices using leo satellite assistance

Номер патента: US20240137843A1. Автор: Kenneth Stanwood,Rashad RAMZAN,Muddassar Farooq,Arslan Mumtaz,Zain Noman. Владелец: Wi Lan Research Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

System and method for reliable geolocation computation of communicating endpoint devices using leo satellite assistance

Номер патента: CA3200867A1. Автор: Kenneth Stanwood,Rashad RAMZAN,Muddassar Farooq,Arslan Mumtaz,Zain Noman. Владелец: Wi Lan Research Inc. Дата публикации: 2024-04-12.

System and method for controlling access to data using API for users with disabilities

Номер патента: US09536101B1. Автор: Konstantin M. Filatov,Victor V. Yablokov,Alexey A. Demov. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2017-01-03.

Calibration method for fingerprint sensor and display device using the same

Номер патента: US20220230427A1. Автор: Kee Yong Kim,Han Su Cho,Jung Hun Sin,Mun Su KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

System and method for detection of malware on a user device using corrected antivirus records

Номер патента: US09614867B2. Автор: Anton S. Lapushkin,Alexander A. Romanenko,Oleg A. Ishanov. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for offering suggestion during conversation, electronic device using the same, and non-transitory storage medium

Номер патента: US09685160B2. Автор: Yuan-Mao TSUI,Yu-Cheng Lee,Gabriel Jesse Webster. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for monitoring physical downlink control channel, and device using same

Номер патента: US12022487B2. Автор: Joonkui Ahn,Inkwon Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for monitoring physical downlink control channel, and device using same

Номер патента: US20240306162A1. Автор: Joonkui Ahn,Inkwon Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for controlling stream of electron in cold cathode fluorescent tube lamp and method for driving cold cathode fluorescent type illumination device using the same and driving device for performing the same and liquid crystal display device

Номер патента: TW494370B. Автор: In-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Copper plating solution and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: JP3967879B2. Автор: 晴夫 赤星,武之 板橋,晋一 深田,登志雄 端場. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method for encoding and decoding image information and device using same

Номер патента: US09918101B2. Автор: Hendry Hendry,Jaehyun LIM,Jungsun Kim,Joonyoung Park,Byeongmoon Jeon,Jaewon Sung,Yongjoon Jeon,Seungwook Park,Younghee CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-13.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for displaying dialing information and mobile communication device using the method

Номер патента: TW200922263A. Автор: Yuan-Mao TSUI. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2009-05-16.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US09438242B2. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor module including piezoelectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11758815B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Electric copper plating liquid and process for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same

Номер патента: US20050087447A1. Автор: Haruo Akahoshi,Takeyuki Itabashi,Shinichi Fukada,Toshio Haba. Владелец: Toshio Haba. Дата публикации: 2005-04-28.

Substrate for the deposition of a deposition apparatus, film-forming method, and method for manufacturing an organic electroluminescence display device using the substrate for deposition

Номер патента: WO2011005008A3. Автор: 노재상,홍원의. Владелец: 주식회사 엔씰텍. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for forming organic semiconductor thin film and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4552160B2. Автор: 章裕 野元. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Transfer Film For Attaching Protection Film To Flat Panel Display Device And Method For Manufacturing The Flat Panel Display Device Using The Same

Номер патента: KR101931336B1. Автор: 이찬우,김종무. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2018-12-20.

Filler for sealing organic light emmiting device and method for manufacturing the organic light emmiting device using the same

Номер патента: US20110057172A1. Автор: Seung-Yong Song,Young-seo Choi,Oh-june Kwon,Young-Cheol Joo,Sun-young Jung,Ji-hun Ryu. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200947779A. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

FOAM ASSEMBLY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE FOAM ASSEMBLY

Номер патента: US20140055921A1. Автор: CHANG CHIH-WEI. Владелец: FIH (HONG KONG) LIMITED. Дата публикации: 2014-02-27.

HOUSING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ELECTORNIC DEVICE USING THE HOUSING

Номер патента: US20140078651A1. Автор: LIN He-Xian,ZHOU Shu-Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

Stretchable Touchscreen, Method for Manufacturing the Same, and Display Device Using the Same

Номер патента: US20180188851A1. Автор: Suk Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Casing with shielding function, method for manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: US8115116B2. Автор: Chih-Pin Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Foam assembly and method for manufacturing the same, and electronic device using the foam assembly

Номер патента: TW201408491A. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2014-03-01.

Micro-heaters, micro-heater arrays, methods for manufacturing the same and electronic devices using the same

Номер патента: US20090139974A1. Автор: Junhee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for manufacturing fermentation products, and sensor device used for same

Номер патента: US20220315966A1. Автор: Masaaki Fujie,Motohiro Takenaka,Yohei KODAMA. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

System and methods for mitigating write emulation on a disk device using cache memory

Номер патента: US09727278B2. Автор: Joseph R. Blount. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for coordination of ground-based mobile automated devices using single centralized control system

Номер патента: RU2691788C2. Автор: Олег Юрьевич Купервассер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТРАНЗИСТ ВИДЕО". Дата публикации: 2019-06-18.

Solvent refining method for isocyanate prepared by phosgene method and devices used in same

Номер патента: US09840462B2. Автор: Yu Yao,Yang Wang,Bin Chen,Dan Xu,Weiqi Hua,Hongke Zhang,Dongke ZHAO,Qinglong Chen,Qile Shi,Dekai Shi. Владелец: Wanhua Chemical Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for monitoring operations of an infusion delivery device using a pressure sensor

Номер патента: US12121699B1. Автор: Mark D. Wood,Muzaffer Y. Ozsecen,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366868A1. Автор: Scott Stewart,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366866A1. Автор: Stephen T. BORNHOFT,Muzaffer Y. Ozsecen,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366867A1. Автор: Alexander J. SEGIT,Muzaffer Y. Ozsecen,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366865A1. Автор: Scott Stewart,Nicholas P. ANDERSON,Muzaffer Y. Ozsecen,Abigail H. Kruegle,Mark O. Wood. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and Methods for Monitoring Operations of an Infusion Delivery Device Using a Pressure Sensor

Номер патента: US20240366870A1. Автор: Mark D. Wood,Muzaffer Y. Ozsecen,Abigail H. Kruegle. Владелец: Embecta Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Driving method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US20170269781A1. Автор: Ho-Nien Yang,Shen-Chia HUANG. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for adaptive distribution of cnns on heterogeneous devices using parallelization

Номер патента: EP4405856A1. Автор: Patrick Fontaine,Alexey Ozerov,Anne Lambert. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2024-07-31.

Pressure detection method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US09983752B2. Автор: Po-Sheng Shih,Chien-Yung Cheng,Cheng-Tai Huang. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Detachment apparatus having arched drum pad and method for fabricating lightweight, thin liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09645419B2. Автор: Jaewon Lee,Jeongjoon Lee,JinKyoung Kim,DaeHoon LEE,KiBok KANG,Byongll Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Sensor and method for measuring forces on an object or device used during physical activity

Номер патента: US09696228B1. Автор: Matthew D. Tarler. Владелец: Great Lakes Neurotechnologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Discrimination method for mutation-induced unicellular organism and microfluidic device used therefor

Номер патента: US09650659B2. Автор: Sang Jun Sim,Young Hwan Kim,Ho Seok Kwak. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for managing chart using speech recognition and device using same

Номер патента: US20240071581A1. Автор: Byung Joon Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method for managing service requests of a restoring device using a digital twin

Номер патента: US20240289161A1. Автор: Parminder Singh Sethi,Atishay Jain,Nithish Kn. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for operating application program and mobile electronic device using the same

Номер патента: US09740321B2. Автор: Yu-Chuan Chen,Hung-I Weng. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for suturing 3D coordinate information and the device using the same

Номер патента: US09613465B1. Автор: Yu-Ting Lin,Keng-Hao Chang,Ya-Hui Tsai,Wei-Yao Chiu,Chin-Kuei Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-04-04.

Fingerprint sensing system and method for providing user input on an electronic device using a fingerprint sensor

Номер патента: WO2019212402A1. Автор: Klaus S. ANDERSEN,Troels BJERRE. Владелец: Fingerprint Cards AB. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing visual communication panels and device used thereby

Номер патента: US20060249879A1. Автор: Leo Gypen. Владелец: Polyvision NV. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for manufacturing visual communication panels and device used thereby

Номер патента: EP1625015A1. Автор: Leo Gypen. Владелец: Polyvision NV. Дата публикации: 2006-02-15.

Curable resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, semiconductor device, and polymer precursor

Номер патента: US20220002488A1. Автор: Atsuyasu Nozaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Plating pretreatment solution and method for producing aluminum substrate for hard disk devices using same

Номер патента: MY162728A. Автор: Takahiro Yoshida,Nobuaki Mukai. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Detachment Apparatus Having Arched Drum Pad and Method for Fabricating Lightweight, Thin Liquid Crystal Display Device Using the Same

Номер патента: US20160246082A1. Автор: Jaewon Lee,Jeongjoon Lee,JinKyoung Kim,DaeHoon LEE,Byongil Lee,KiBok KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Detachment Apparatus Having Arched Drum Pad and Method for Fabricating Lightweight, Thin Liquid Crystal Display Device Using the Same

Номер патента: US20140179190A1. Автор: Jaewon Lee,Jeongjoon Lee,JinKyoung Kim,DaeHoon LEE,Byongil Lee,KiBok KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Driving method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US20190346963A1. Автор: Ho-Nien Yang,Shen-Chia HUANG. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Drive circuit and method for screen horizontal scroll and an electronic device using the same

Номер патента: US20070182854A1. Автор: Chih-Heng Chu,Tian-Hau Chen,Zc-Chen Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for classifying fundus image of subject and device using same

Номер патента: US12008748B2. Автор: Hyun-Jun Kim,Kyuhwan JUNG,Jae Min SON,Sang Keun KIM. Владелец: Vuno Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for generating neural network model and control device using neural network model

Номер патента: US20210390412A1. Автор: Masatoshi Ogawa,Noriyasu Aso. Владелец: TRANSTRON INC. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for detecting the disconnection of an extracorporeal device using a patient's endogenous electrical voltages

Номер патента: US20070000847A1. Автор: Edward Ross,Rosalind Sadleir. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Sensing device and sensing processing method for moving object and virtual golf simulation device using the same

Номер патента: WO2012002733A2. Автор: Shin Kang,Seung Woo Lee,Yong Woo Kim,Young Chan Kim,Min Soo Hahn,Chang Heon Woo,Jae Wook Jung,Myung Sun Choi,Won Il Kim,Tae Wha Lee,Han Bit Park,Myung Woo Kim,Seong Kook Heo. Владелец: GOLFZON CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing a 3d shaped article, and device using a sieve plate

Номер патента: US20230321723A1. Автор: Ingo Ederer,Alfred Grießer,David Deck. Владелец: Exentis Group Ag. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US11010524B2. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-18.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US20180293342A1. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-10-11.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for intelligent control of an elevator and device using the same

Номер патента: US11772931B2. Автор: Shiaw-Herng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Touch Control Module and Tracking Method For Touch Point and Touch Sensitive Electronic Device Using Same

Номер патента: US20170357377A1. Автор: Shang-Li LEE,hong-lun Su. Владелец: Imagination Broadway Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US9135979B2. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US20140104970A1. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device managing address mapping of a semiconductor memory device and data storage device including the semiconductor device

Номер патента: US10747684B2. Автор: Yeong Jae Woo,Sang Lyul MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Sealant forming apparatus, sealant forming method, and method of manufacturing liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09433965B2. Автор: Hae Joon Son,In Kyu Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US8809981B2. Автор: Toru Kita,Masanobu Ando,Toru Gotoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Method for producing a mechanical stress detecting device

Номер патента: US3737994A. Автор: K Nishimura. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1973-06-12.

Displaying search results on a user device using a layout file

Номер патента: US09684729B2. Автор: Chee Wong,Shravan Sogani,Leigh Klotz. Владелец: Quixey Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for sensing touch pressure and digital device using the same

Номер патента: US09489123B2. Автор: Seung Il Kim. Владелец: Wilus Institute of Standards and Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

System and method for thermal management in a portable computing device using thermal resistance values to predict optimum power levels

Номер патента: US09465423B2. Автор: Ankur Jain,Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu,Paras S. DOSHI,Vinay MITTER,Richard A. Stewart. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Roller, method for manufacturing same and image forming device using same

Номер патента: EP2966508A4. Автор: Shogo Imai,Yusuke Kamijo,Yusuke Fujisawa. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Touch module, method for manufacturing the same, and electronic device using the same

Номер патента: US20200326791A1. Автор: Jin-Li Wang. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

System and method for protection of memory pages using a hypervisor

Номер патента: US20170132412A1. Автор: Nikolay N. Igotti,Mikhail A. Ershov. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material

Номер патента: US20040102021A1. Автор: Jeffrey Borenstein,William Sawyer. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for detecting defect in products and electronic device using method

Номер патента: US12125193B2. Автор: Chin-Pin Kuo,Tung-Tso Tsai,Tzu-Chen Lin,I-Hua Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

System and a method for facilitating testing of plurality of devices using a drone

Номер патента: US09646205B2. Автор: Vishal Chaudhary,Siva Sakthivel Sadasivam,Murali Krishnaan G. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for power reduction for wearable biometric monitoring devices using signal quality metrics

Номер патента: US12042256B2. Автор: Di Xue,Foroohar FOROOZAN,Wei Ken FANG,Giuseppe SCELSI,Yih Yi WU. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for enhancing quality of audio data, and device using the same

Номер патента: US20230274754A1. Автор: Sungwon Kim,Kanghun AHN. Владелец: Deephearing Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for detecting and measuring impacts in handheld devices using an acoustic transducer

Номер патента: US20140046622A1. Автор: Sheldon Terry Schwandt,Denis Lahaie. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Smoke abatement system for and method for smoke abatement by removal of particulate matter and volatile organic compounds from cooking emissions stream and method for in-situ cleaning of a rotary device useful for smoke abatement of restaurant emissions

Номер патента: TW200300003A. Автор: James M Chen,James C Fu. Владелец: Engelhard Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

System and method for protecting memory pages

Номер патента: US20190080086A1. Автор: Nikolay N. Igotti,Mikhail A. Ershov. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2019-03-14.

Systems and methods for wiped storage devices

Номер патента: US09454493B1. Автор: Eden G. Adogla. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

System and method for indication of fuse defects based upon analysis of fuse test data

Номер патента: US20050049811A1. Автор: Elias Gedamu,Denise Man. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-03.

Computing device and method for analyzing acquisition values

Номер патента: US09436657B2. Автор: Jian Huang,Chung-I Lee,Kuan-Chiao Peng,Yi-Guo Wang,Yi-Ming Lu. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Remote programming of serialised semiconductor devices using web or internet protocols

Номер патента: EP1343081A3. Автор: David Watson,Francis Zhu. Владелец: Mitel Knowledge Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Systems and methods for assigning domain identifiers to remote peripheral devices using a hypervisor

Номер патента: US11755355B2. Автор: Daniel Mckenna,David McDaid,Steven Bruce Mcaslan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for portion reclamation of molding sand

Номер патента: RU2061573C1. Автор: Затмер Франц,Вильхельм Людвиг. Владелец: Георг Фишер АГ. Дата публикации: 1996-06-10.

Control method for eliminating deficient display and a display device using the same and driving circuit using the same

Номер патента: TW200842810A. Автор: Che-Li Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-11-01.

Particle aggregate, manufacturing method for particle aggregate, fluorescence enhancing element, and device using photochemical reactions

Номер патента: US09447316B2. Автор: Takashi Nishio,Naoki Iyo,Kuniharu Ijiro,Kenichi Niikura. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20100112812A1. Автор: Tadahito Fujisawa,Shoji Mimotogi,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Micro electro mechanical device, method for manufacturing the same, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090127590A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

SYSTEM FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2850466A1. Автор: Young Sang Byun,Kyung Su Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-30.

Fingerprint sensing system and method for providing user input on an electronic device using a fingerprint sensor

Номер патента: EP3788463A4. Автор: Klaus S. ANDERSEN,Troels BJERRE. Владелец: Fingerprint Cards AB. Дата публикации: 2021-06-30.

A drive circuit and method for screen horizontal scroll and an electronic device using the same

Номер патента: TW200731217A. Автор: Chih-Heng Chu,Tian-Hau Chen,Zc-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Computer-readable storage medium, information processing system, and information processing method for displaying an image on a display device using attitude data of a display device

Номер патента: US09925464B2. Автор: Yugo Hayashi,Kazuya SUMAKI. Владелец: Nintendo Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing disposable worn article and welding device used in same

Номер патента: US09855172B2. Автор: Takahiro Shimada. Владелец: Zuiko Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for simulating digital watercolor image and electronic device using the same

Номер патента: US09846501B2. Автор: Ievgenii IAKISHYN,Andrey KARAZHOV,Andrii GRYGORIEV,Mykhailo TKACH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

METHOD OF DETERMINING AN OVERLAY ERROR, METHOD FOR MANUFACTURING A MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE, ATOMIC FORCE MICROSCOPY DEVICE, LITHOGRAPHIC SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,VAN ES Maarten Hubertus. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device using the same

Номер патента: WO2014017618A1. Автор: Kei Yamamoto,Shuhei Yamaguchi,Kousuke Koshijima. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device using the same

Номер патента: TW201411284A. Автор: Kei Yamamoto,Shuhei Yamaguchi,Kousuke Koshijima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-03-16.

Anti-glare film, method for manufacturing, the same, and display device using the same

Номер патента: US20090290220A1. Автор: Hitoshi Watanabe,Shinichi Matsumura,Yumi Haga,Tsutomu Nagahama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Adhesive resin for encapsulating an organic light emitting display device and method for manufacturing organic light emitting display device using the same

Номер патента: KR102245276B1. Автор: 안성진. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-04-26.

Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device using the same

Номер патента: TWI645253B. Автор: 土村智孝,川端健志,平野修史. Владелец: 富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-21.

Microneedle patch, method of manufacturing microneedle patch, and apparatus for manufacturing microneedle patch

Номер патента: EP4338783A1. Автор: Jae Joon Lee,Yi Seul JEON. Владелец: Feroka Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

METHODS FOR MANUFACTURING AND PACKAGING FLOOR PANELS, DEVICES USED THEREBY, AS WELL AS FLOOR PANEL AND PACKED SET OF FLOOR PANELS

Номер патента: US20130133281A1. Автор: CAPPELLE Mark,DE BOE Lode. Владелец: FLOORING INDUSTRIES LIMITED, SARL. Дата публикации: 2013-05-30.

PLASTIC LENS, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130176633A1. Автор: SUN Yihong. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-07-11.

Roller, method for manufacturing same and image forming device using same

Номер патента: US20160018751A1. Автор: Shogo Imai,Yusuke Kamijo,Yusuke Fujisawa. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Methods for Manufacturing and Packaging Floor Panels, Devices Used Thereby, as well as Floor Panel and Packed Set of Floor Panels

Номер патента: US20140250810A1. Автор: Mark Cappelle,Lode De Boe. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2014-09-11.

Touch module, method for manufacturing the same, and electronic device using the same

Номер патента: US20200326791A1. Автор: Jin-Li Wang. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Liquid crystal spraying apparatus and method for manufacturing of liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20060164589A1. Автор: Kang Kim,Tae Song. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Liquid crystal spraying apparatus with ultrasonic converter within nozzle and method for manufacturing of liquid crystal display device using the same

Номер патента: US8368867B2. Автор: Kang Suk Kim,Tae Joon Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING LIGHT-EMITTING RADIATION

Номер патента: FR2743155A1. Автор: Jong Hyun Kim,Yoo Jin Choi,Ki Hyuk Yoon,Mi Sook Nam,Young Won Woo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING RESIN SEALING FEEDSTOCKS AND DEVICES USING THE SAME

Номер патента: FR2650215B1. Автор: Jean Tessier,Andre Delforge. Владелец: TITANITE EXPLOSIFS. Дата публикации: 1991-11-08.

Method for making antiqued concrete cored bricks and capping bricks

Номер патента: US5183616A. Автор: Thomas W. Hedrick. Владелец: Hedrick Concrete Products Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Carbon-comprising underlayer-forming composition and methods for manufacturing carbon-comprising underlayer and device using the same

Номер патента: WO2018099835A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Go Noya,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura,Kazunori Kurosawa. Владелец: AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L.. Дата публикации: 2018-06-07.

Double-sided adhesive sheet with strippable sheet and method for manufacturing built-in image display device using the same

Номер патента: TWI562893B. Автор: Kahoru Niimi,Makoto Inenaga. Владелец: MITSUBISHI PLASTICS INC. Дата публикации: 2016-12-21.

Diaphragm-type semiconductor device and method for manufacturing diaphragm-type semiconductor device

Номер патента: US20020171114A1. Автор: Yasutoshi Suzuki,Keiichi Shimaoka,Seiichiro Ishio,Hirofumi Funahashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING LIGHT RADIATION

Номер патента: FR2743155B1. Автор: Jong Hyun Kim,Yoo Jin Choi,Ki Hyuk Yoon,Mi Sook Nam,Young Won Woo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-06.

Electrophotographic-photosensitive element and method for manufacturing the element, and electrophotographic device using the same

Номер патента: CN101981513A. Автор: 中村洋一,田中靖,北川清三,江森弘,一柳洋幸. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Anti-glare film, method for manufacturing the same, and display device using the same

Номер патента: CN101354454B. Автор: 松村伸一,长浜勉,芳贺友美,渡边仁. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

Methods for manufacturing and packaging floor panels, devices used thereby, as well as floor panel and packed set of floor panels

Номер патента: US8161701B2. Автор: Mark Cappelle,Lode De Boe. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2012-04-24.

SEAL PRODUCT DISPENSER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2894039A1. Автор: Seung Beum Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Methods for manufacturing and packaging floor panels, devices used thereby, as well as floor panel and packed set of floor panels

Номер патента: US9212493B2. Автор: Mark Cappelle,Lode De Boe. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2015-12-15.

Roller, method for manufacturing same and image forming device using same

Номер патента: WO2014136829A1. Автор: 将吾 今井,雄介 上條,祐輔 藤沢. Владелец: 株式会社ブリヂストン. Дата публикации: 2014-09-12.

Anti-glare film, method for manufacturing the same, and display device using the same

Номер патента: US20100232023A1. Автор: Hitoshi Watanabe,Shinichi Matsumura,Yumi Haga,Tsutomu Nagahama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Training method for video stabilization and image processing device using the same

Номер патента: US11790501B2. Автор: Wei-Ting Chen,Shih-Hsiang Lin,Jen-Huan HU,Yu-Che Hsiao,Po-Chin Hu,Yu-Tsung Hu,Pei-Yin Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120298998A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

Metal joints, methods for manufacturing metal joints, semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: JP6918311B2. Автор: 須賀　唯知,唯知 須賀,正剛 赤池,下田　将義,将義 下田,慶人 木下,木下　慶人,カトレエン イェルチェル,然 赫,赤池　正剛. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Mold for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP2855787B2. Автор: 明稔 原. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130045592A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Shiomi Hiromu,Miyazaki Tomihito,Tamaso Hideto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Hori Tsutomu,ISHIBASHI Keiji,Saitoh Yu,Uchida Kosuke,UETA Shunsaku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120068312A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120073743A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120135176A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Method for manufacturing barrier layer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI543262B. Автор: 董寰乾,黃宏勝. Владелец: 中國鋼鐵股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7143769B2. Автор: 丈晴 黒岩,泰広 木村,健一 ▲濱▼野,茂久 山本. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Method for calculating energy consumption and portable electric device using the same

Номер патента: TW201247172A. Автор: Ya-Ting Hsu,Yuan-Hsiang LIN. Владелец: Univ Nat Taiwan Science Tech. Дата публикации: 2012-12-01.

Protecting panel, method for making the protecting panel and display device using the protecting panel

Номер патента: TWI349783B. Автор: Jun Dai,Jue-Hui Hong,Zi-Li Wu,Lone Wen Tai,Ai-Jun Xu. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-01.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Negative electrode active material for electric device and method for manufacturing the same, and electric device using this active material

Номер патента: MY177785A. Автор: Manabu Watanabe,Masaya Arai,Nobutaka Chiba,Youichi YOSHIOKA. Владелец: Nissan Motor. Дата публикации: 2020-09-23.

TRANSPARENT PANEL FOR MOBILE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND MOBILE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130163801A1. Автор: Ha Chung Soo,Oh Byung Chul. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Etching method and method for manufacturing substrate for semiconductor device

Номер патента: JP4978548B2. Автор: 誠 石川,範之 斉藤,隆伸 香月. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Method and apparatus for manufacturing alloyed junction semiconductor devices

Номер патента: CA625724A. Автор: C. Ingraham Robert. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1961-08-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120056189A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,Lee Kil-Won,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong,JEONG Min-Jae,Jung Jae-Wan,SON Yong-Duck,SO Byung-Soo,PARK Seung-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120061688A1. Автор: Miura Naruhisa,Nakata Shuhei,Watanabe Shoyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for Manufacturing Contact Holes in CMOS Device Using Gate-Last Process

Номер патента: US20120196432A1. Автор: Yan Jiang. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120261677A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

BIPOLAR PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319227A1. Автор: Matthias Sven. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-12-20.

MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130001681A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5187118B2. Автор: 一洋 藤川. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for manufacturing structure of semiconductor device for forming structure of dual damascene

Номер патента: CN102386126A. Автор: 洪中山. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP4649098B2. Автор: 正徳 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP4400035B2. Автор: 克行 鳥居,良治 高橋. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Method for manufacturing phase-change semiconductor device and phase-change semiconductor device

Номер патента: CN101728482B. Автор: 蒋莉,黎铭琦,邵颖. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor light emitting device using surfactant

Номер патента: KR100809221B1. Автор: 김동준,김제원,박일규,박성주,김자연,김선운,권민기. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2008-02-29.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6823614B2. Автор: 憲司 福田,憲幸 岩室,崇 辻,福田　憲司. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-03.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.