• Главная
  • Cathodic sputtering of thin layers onto - eg semiconductor elements

Cathodic sputtering of thin layers onto - eg semiconductor elements

Реферат: Sputtering takes place under vacuum in the presence of reactive gases supplied through the cathode surface. Spec. the device includes at least one cathode placed opposite one or more carries to be coated. The cathode surface facing the carrier consists of gas-permeable, porous material.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of producing piezoelectric thin films by cathodic sputtering

Номер патента: US3766041A. Автор: K Wasa,S Hayakawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1973-10-16.

Magnetron cathode sputtering apparatus

Номер патента: US4422916A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1983-12-27.

Improvements in r.f. cathodic sputtering systems

Номер патента: GB1147318A. Автор: Peter Alan Birrell Toombs. Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1969-04-02.

Process and device for forming a coating on a substrate by cathode sputtering

Номер патента: AU5304898A. Автор: Pierre Vanden Brande,Alain Weymeersch. Владелец: Cockerill Sambre SA. Дата публикации: 1998-07-03.

Cathodic sputtering apparatus

Номер патента: CA1230079A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Method of and device for providing thin layers by cathode sputtering

Номер патента: US4049523A. Автор: Ralf-Dieter Boehnke,Waldemar Gotze. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-09-20.

Cathodic sputtering device

Номер патента: US6096180A. Автор: Eggo Sichmann. Владелец: Singulus Technologies AG. Дата публикации: 2000-08-01.

Target holder for cathodic sputtering

Номер патента: GB2173217A. Автор: Pius Grünenfelder,Urs Wegmann,Eduard Rille. Владелец: Balzers AG. Дата публикации: 1986-10-08.

Sputtering apparatus and method of thin film formation

Номер патента: US20100078313A1. Автор: Katsuya Yoshioka,Toshinobu Chiba. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Cathode sputtering

Номер патента: GB2154249A. Автор: Klaus Goerke,Michael Steeg,Dr Erich Hodes. Владелец: Glyco Metall Werke. Дата публикации: 1985-09-04.

Magnetron cathode sputtering system

Номер патента: CA1192318A. Автор: Jan Visser,Jacobus E. Crombeen,Petrus W.H.M. Crooymans. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-08-20.

Cathode sputtering system with axial gas distribution

Номер патента: US5228968A. Автор: Jaroslav Zejda. Владелец: Leybold AG. Дата публикации: 1993-07-20.

Thermally controlled sputtering of high anisotrophy magnetic material

Номер патента: CA1229066A. Автор: Ronald G. Pirich,David J. Larson, Jr.. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1987-11-10.

Plasma deposition of thin layers of substrated or the like

Номер патента: US3906892A. Автор: Cakenberghe Jean L Van. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1975-09-23.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US09915000B2. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US20150284850A1. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2015-10-08.

Improvements in and relating to the froduction of thin layers

Номер патента: GB771231A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-03-27.

Cathode sputtering method for the manufacture of etched structures

Номер патента: CA1071578A. Автор: Holger Luthje,Heinz Dimigen,Ursula Convertini. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-02-12.

Method and apparatus for the partial coating of a substrate by cathode sputtering

Номер патента: US4354910A. Автор: Horst Rordorf. Владелец: Berna AG Olten. Дата публикации: 1982-10-19.

Magnetron cathode sputtering apparatus

Номер патента: CA1225364A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Magnetron cathode sputtering

Номер патента: AU2515684A. Автор: Harold E Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1984-09-27.

Forming method of thin layer

Номер патента: US11780728B2. Автор: Yasushi Mizumachi,Kazunari Tada,Jinichi Kasuya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-10-10.

Process and apparatus for the deposition of thin electrochromic layers formed of materials with a stoichiometric composition

Номер патента: CA2148411A1. Автор: Mino Green. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-11-14.

Device for sputter deposition of thin layers on flat substrates

Номер патента: US5968328A. Автор: Joachim Szczyrbowski,Götz Teschner,Karl-Heinz Grosse. Владелец: Leybold Systems GmbH. Дата публикации: 1999-10-19.

Stabilizing laser energy density on a target during pulsed laser deposition of thin films

Номер патента: US20150093519A1. Автор: Quanxi Jia,Paul C. DOWDEN. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2015-04-02.

Process for the deposition of metals or oxides on a metallic support by cathodic sputtering and applications thereof

Номер патента: US3773639A. Автор: R Masotti. Владелец: Progil SARL. Дата публикации: 1973-11-20.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Thin layer deposition process

Номер патента: US20190337840A1. Автор: Nisita WANAKULE,Constance Magne,Clément BOTTOIS. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Precursors for the production of thin oxide layers and the use thereof

Номер патента: US20160208386A1. Автор: Joerg Schneider,Klaus Bonrad,Rudolf Hoffman,Mareiki Kaloumenos. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for depositing an aluminum-containing layer onto an article

Номер патента: US20070134418A1. Автор: Matthew Saylor,David Wortman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for electrolessly depositing a metal layer onto a substrate

Номер патента: US20230313383A1. Автор: Thorsten Teutsch,Vinith Bejugam. Владелец: Pac Tech Packaging Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Liquid-phase deposition of thin films

Номер патента: WO2024073518A1. Автор: Bonil Koo,Sourav Roger BASU,Jonathan Tan. Владелец: Coreshell Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Procedure and arrangement for coating a metal surface with a thin layer containing metal

Номер патента: EP1474540A1. Автор: Raimo Vartiainen. Владелец: Bondmet Oy. Дата публикации: 2004-11-10.

Copper alloy sputtering target, process for producing the same and semiconductor element wiring

Номер патента: US09765425B2. Автор: Takeo Okabe. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Procedure and arrangement for coating a metal surface with a thin layer containing metal

Номер патента: US20050129870A1. Автор: Raimo Vartiainen. Владелец: Bondmet Oy. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for producing a semiconductor element of a direct-converting x-ray detector

Номер патента: US9419169B2. Автор: Matthias Strassburg,Peter Hackenschmied,Fabrice Dierre. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for producing a semiconductor element of a direct-converting x-ray detector

Номер патента: US20140054734A1. Автор: Matthias Strassburg,Peter Hackenschmied,Fabrice Dierre. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190260178A1. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10686294B2. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20240292641A1. Автор: Yosuke Saito,Yasuharu Ujiie,Mari Ichimura,Yuki NEGISHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Aqueous, alkaline electrolyte for depositing zinc-containing layers onto surfaces of metal piece goods

Номер патента: US20200115814A1. Автор: Anders Skalsky,Patricia Preikschat. Владелец: Provexa Ab. Дата публикации: 2020-04-16.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Laminating process including cathode sputtering of carbon substrate

Номер патента: US3813282A. Автор: J Lehureau,R Masotti,J Rieux,P Borrel. Владелец: Progil SARL. Дата публикации: 1974-05-28.

Bronze colored glazing comprising a stack of thin layers having an absorber layer

Номер патента: WO2024150244A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-07-18.

Glasing having block of thin layers acting on solar radiation

Номер патента: RU2436744C2. Автор: Сильвэн БЕЛЛИО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2011-12-20.

Cannabis thin layer decarboxylation

Номер патента: US20200299216A1. Автор: Jonas A. Navickas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Transparent substrate coated with a stack of thin layers

Номер патента: US20240101469A1. Автор: Thomas Barres. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacture of thin layers of polyurethane elastomers

Номер патента: US4013806A. Автор: Otto Volkert,Manfred Zuerger,Peter Richter,August Wigger. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1977-03-22.

Large scale production of thinned graphite, graphene, and graphite-graphene composites

Номер патента: US09469542B2. Автор: Marie BOZALINA,Philippe Perret,Soroush NAZARPOUR. Владелец: Group Nanoxplore Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Large scale production of thinned graphite, graphene, and graphite-graphene composites

Номер патента: CA2947776C. Автор: Marie BOZALINA,Philippe Perret,Soroush NAZARPOUR. Владелец: Nanoxplore Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for extending the life of thin walled tubing and austempered weld stress relieved thin walled tubing

Номер патента: CA2580462A1. Автор: Dan Thomas Benson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Glass for covering semiconductor element and material for covering semiconductor element using the same

Номер патента: US20240279107A1. Автор: Masayuki Hirose. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method of cleaving thin layer from bulk material

Номер патента: US20160319462A1. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Adhesive sheet for semiconductor element fabrication

Номер патента: US20240287354A1. Автор: Keita Yoshida,Jun Akiyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for processing mft using ultra-thin-layer drying

Номер патента: US20180339926A1. Автор: Colin D. McLeod. Владелец: Dry Tailings Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for encapsulating large-area semiconductor element-mounted base material

Номер патента: US09972507B2. Автор: Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Production of thin, phosphorescent nylon yarn

Номер патента: CA2036226C. Автор: Marc Schloss. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-07-19.

Assembly process using liquid optically clear adhesive for support of thin components

Номер патента: US20240034910A1. Автор: Yong An Kho,Steven Mancewicz. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-02-01.

Glass sheet coated with a layer of mineral paint and with a thin layer stack

Номер патента: US11865812B2. Автор: Juliette JAMART. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-01-09.

Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor element

Номер патента: EP4029919A2. Автор: Shunpei Tanaka,Miki Hayashi,Kouji Mizuno,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor element

Номер патента: EP4029919A3. Автор: Shunpei Tanaka,Miki Hayashi,Kouji Mizuno,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Filling material for three-dimensional mounting of semiconductor element

Номер патента: US20160237201A1. Автор: Hiroki Tanaka,Katsuhiro NAKAGUCHI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of Analyzing Organic Semiconductor Element

Номер патента: US20210119126A1. Автор: Satoshi Seo,Sachiko Kawakami,Nozomi Komatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Thin-layer lignocellulose composites having increased resistance to moisture and methods of making the same

Номер патента: US20090114123A1. Автор: Kenneth D. Kiest,Randy Clark. Владелец: Jeld Wen Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Encapsulating sheet and optical semiconductor element device

Номер патента: EP2584619A3. Автор: Takashi Kondo,Hiroki Kono,Yuki EBE. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-12.

Methods for making thin layers of crystalline materials

Номер патента: US20130203236A1. Автор: Max G. Lagally,Deborah M. Paskiewicz,Boy Tanto. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor element

Номер патента: US20220228037A1. Автор: Shunpei Tanaka,Miki Hayashi,Kouji Mizuno,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements

Номер патента: SG44586A1. Автор: Osamu Kitamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-12-19.

Silicone adhesive for semiconductor element

Номер патента: US20130146939A1. Автор: Toshiyuki Ozai,Naoki Yamakawa,Yoshinori Ogawa,Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor element

Номер патента: EP4443520A1. Автор: Mitsuo Asai. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Formation of thin layer patterns on a substrate

Номер патента: GB1512029A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1978-05-24.

Magnetron cathode sputtering apparatus

Номер патента: US4356073A. Автор: Harold E. Mckelvey. Владелец: Shatterproof Glass Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

Cathode sputtering apparatus

Номер патента: US3878085A. Автор: John F Corbani. Владелец: Sloan Technology Corp. Дата публикации: 1975-04-15.

Method of structuring thin layers

Номер патента: CA1046648A. Автор: Holger Luthje,Hubertus Hübsch,Heinz Dimigen,Ursula Convertini. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-16.

Method of structuring thin layers

Номер патента: US4119483A. Автор: Holger Luthje,Hubertus Hübsch,Heinz Dimigen,Ursula Convertini. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Method of vacuum-tight closure of thin beryllium windows and x-ray tube provided with such a window

Номер патента: US3617788A. Автор: Pieter Van Der Werf,Jan Goorissen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Thin-layer laminates

Номер патента: RU2420407C2. Автор: Стефен В. ЦАИ,Казумаса КАВАБЕ. Владелец: Фукуи Префекчурал Гавенмент. Дата публикации: 2011-06-10.

Apparatus for simultaneous performing and visualization of thin layer chromatography

Номер патента: WO2021028951A3. Автор: Shiva KAZEMBIGI BARZI,Fatemeh SALIMI. Владелец: KORDI, Tahere. Дата публикации: 2021-04-15.

Apparatus for simulaneous performing and visualization of thin layer chromatography

Номер патента: WO2021028951A2. Автор: Shiva KAZEMBIGI BARZI,Fatemeh SALIMI. Владелец: KORDI, Tahere. Дата публикации: 2021-02-18.

Full automation high-performance thin layer chromatography

Номер патента: WO2019192664A2. Автор: Sohaib Ali MUBARAK. Владелец: Mubarak Sohaib Ali. Дата публикации: 2019-10-10.

Method and device for measuring the thickness of thin layers over large-area surfaces to be measured

Номер патента: US20110271750A1. Автор: HELMUT Fischer. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 2011-11-10.

Measuring probe for non-destructive measuring of the thickness of thin layers

Номер патента: US09857171B2. Автор: HELMUT Fischer. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 2018-01-02.

Measuring probe with shielding element for measuring the thickness of thin layers

Номер патента: US09435629B2. Автор: HELMUT Fischer. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 2016-09-06.

Automatically adjusting serial connections of thick and thin layers and method for the production thereof

Номер патента: AU2003226662A1. Автор: Volker Geyer. Владелец: Scheuten Glasgroep Bv. Дата публикации: 2003-09-29.

Methods and systems for material property profiling of thin films

Номер патента: US20190148248A1. Автор: Bulent M. Basol,Jalal Ashjaee,Abhijeet Joshi. Владелец: Active Layer Parametrics Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor element and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020052067A1. Автор: Takashi Kobayashi,Kazuo Yano,Tomoyuki Ishii,Koichi Seki,Toshiyuki Mine. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-02.

Production of thin layer complementary channel mos circuits

Номер патента: US3859716A. Автор: Jeno Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-01-14.

Method for analyzing quality of thin surface layer of PCB

Номер патента: US20230251216A1. Автор: Jian Zheng,Guojin LUO. Владелец: Guangzhou Termbray Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Device for measuring the thickness of thin layers

Номер патента: GB2319847A. Автор: HELMUT Fischer. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 1998-06-03.

Method of thin-ply polymer film heat treatment

Номер патента: RU2508989C2. Автор: Мирослав ПЛАНЕТА. Владелец: Макро Инжиниринг & Текнолоджи Инк.. Дата публикации: 2014-03-10.

Directional solid phase crystallization of thin amorphous silicon for solar cell applications

Номер патента: US7981778B2. Автор: Virendra V. Rana,Robert Z. Bachrach. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Thin layer laminate

Номер патента: CA2917245A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: RA Investment Management Sarl. Дата публикации: 2016-03-15.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of thin film laminated article

Номер патента: US6514372B1. Автор: Akio Yamazaki. Владелец: New Create Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Method for segmenting a part comprising a plurality of thin elements separated by interstices

Номер патента: US20240300131A1. Автор: Jean-Baptiste Mottin,Romain COURANT. Владелец: AddUp SAS. Дата публикации: 2024-09-12.

Matrix of thin-film controlled mirrors for usage in optical projection system

Номер патента: RU2166784C2. Автор: МИН Йонг-Ки. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-05-10.

Rigging of thin-walled products

Номер патента: RU2756146C1. Автор: Анатолий Иванович Калыш. Владелец: Анатолий Иванович Калыш. Дата публикации: 2021-09-28.

Centralized administration method for operating system of thin client and method thereof

Номер патента: US09740503B2. Автор: Zhi Nan Guo. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Unwinder for reels of thin web-like material

Номер патента: WO2024111009A1. Автор: Marco COMANDULLI. Владелец: Tecmes Srl. Дата публикации: 2024-05-30.

Improving stability of thin film transistors

Номер патента: US11139434B2. Автор: Guillaume Fichet. Владелец: Flexenble Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Improving stability of thin film transistors

Номер патента: US20190267549A1. Автор: Guillaume Fichet. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Improving stability of thin film transistors

Номер патента: WO2018073366A1. Автор: Guillaume Fichet. Владелец: FLEXENABLE LIMITED. Дата публикации: 2018-04-26.

Method and system for mass assembly of thin-film materials

Номер патента: US20210162727A1. Автор: Eugene M. Chow,Sourobh Raychaudhuri,JengPing Lu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Method and system for mass assembly of thin film materials

Номер патента: US20200207068A1. Автор: Eugene M. Chow,Sourobh Raychaudhuri,JengPing Lu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for synthesis of thin film composite membranes

Номер патента: US09808768B2. Автор: Ivo Vankelecom,Guy Koeckelberghs,Sanne Hermans,Ellen Dom. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven. Дата публикации: 2017-11-07.

Efficient deployment of thin client applications to end user

Номер патента: US09785429B2. Автор: Matthew William Fardig,Riley G. Branch,Travis Lee Ennis. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Unpleated tubular depth filter with filtering material of thin fibres

Номер патента: RU2563273C2. Автор: Джон А. КРОГ,Лей Ли,Томас Б. ГРИН. Владелец: Кларкор Инк.. Дата публикации: 2015-09-20.

Thin-film magnetic head wafer and manufacturing method of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020064890A1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Method and system of graphical simulation of thin shell objects

Номер патента: US20090228256A1. Автор: Min Gyu Choi,Hyeong-Seok Ko,Seung Yong Woo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-10.

Thin-film magnetic head wafer and manufacturing method of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020151118A1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Method and system for mass assembly of thin-film materials

Номер патента: US20220388295A1. Автор: Eugene M. Chow,Sourobh Raychaudhuri,JengPing Lu. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Magneto-impedance element made of thin film magnetic material

Номер патента: EP1041391A3. Автор: Kaneo Mouri,Kazuhiko c/o Stanley Electric Corporation Ueno. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-16.

Method for profiling strip of thin metallic sheet

Номер патента: RU2213638C2. Автор: Туомо ТОЙВАНЕН. Владелец: Суунниттелутоймисто Туомо Тойванен Ой. Дата публикации: 2003-10-10.

Matrix of thin-filmed excitable mirrors and method for its manufacture

Номер патента: RU2156487C2. Автор: Ки МИН Йонг. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-09-20.

Planar Micro Injector with Securing Lanyard and a Circumferential Flexible, Collapsible Ring Constructed of Thin Film

Номер патента: US20210128839A1. Автор: Robert Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Superstability of thin-walled structures

Номер патента: US20020132068A1. Автор: Herman Onanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Superstability of thin-walled structures

Номер патента: WO2002079593A1. Автор: Herman German George Onanov. Владелец: Herman German George Onanov. Дата публикации: 2002-10-10.

Thin film transistor and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09911863B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Monitoring and measurement of thin film layers

Номер патента: US8796048B1. Автор: Lance Scudder,Pushkar Ranade,Charles Stager,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Laminated structure formed of thin plates

Номер патента: US7332209B2. Автор: Tsutomu Yokouchi,Toshiya Kojima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-02-19.

Screw rotor comprising a plurality of thin plates

Номер патента: US5290150A. Автор: Tsutomu Takahashi,Shuhei Nakahama. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Method for preparing a thin layer of ferroelectric material

Номер патента: US20240072753A1. Автор: Morgane Logiou,Alexis Drouin,Isabelle Huyet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of continuous casting of thin strip

Номер патента: RU2673267C2. Автор: Марк ШЛИХТИНГ,Чарльз КРЭББ. Владелец: Ньюкор Корпорейшн. Дата публикации: 2018-11-23.

Process for cleaning a surface of thin film of oxide superconductor

Номер патента: US5607900A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Laminated bonding structure of thin plate members and inkjet printing head

Номер патента: US20050024445A1. Автор: Hidetoshi Watanabe,Tadanobu Chikamoto. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method and system for manufacturing electrical interface comprising array of thin pins

Номер патента: WO2023222110A1. Автор: zhi-wen Fan. Владелец: COMPTAKE TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2023-11-23.

Preparation of thin tissue sections for imaging mass spectrometry

Номер патента: US20150093780A1. Автор: Jochen Franzen,Martin Schürenberg,Eckhard Belau,Kai RÜCKRIEM. Владелец: Bruker Daltonik GmbH. Дата публикации: 2015-04-02.

Centralized administration method for operating system of thin client and method thereof

Номер патента: US20160162303A1. Автор: Zhi Nan Guo. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Preparation of thin tissue sections for imaging mass spectrometry

Номер патента: US9891146B2. Автор: Jochen Franzen,Martin Schürenberg,Eckhard Belau,Kai RÜCKRIEM. Владелец: Bruker Daltonik GmbH. Дата публикации: 2018-02-13.

Negative resistance element composed of a semiconductor element

Номер патента: US4023196A. Автор: Shoei Kataoka,Hiroshi Tateno. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-05-10.

Flexible thin layer open electrochemical cell

Номер патента: AU1085797A. Автор: Zvi Nitzan. Владелец: Power Paper Ltd. Дата публикации: 1997-07-14.

Coiler of thin metallic belt

Номер патента: RU2220801C2. Автор: Мартин БРАУН,Дитер ЛАДДА,Райнхард ИРЛЕ. Владелец: СМС Шлеманн-Зимаг АГ. Дата публикации: 2004-01-10.

Control of thin film switchable optical devices

Номер патента: RU2644085C2. Автор: Гордон ДЖЕК,Аншу ПРАДХАН,Диша МЕХТАНИ. Владелец: Вью, Инк.. Дата публикации: 2018-02-07.

Device for microwave drying of various materials in thin layer

Номер патента: RU2737381C1. Автор: Юрий Михайлович Егоров. Владелец: Юрий Михайлович Егоров. Дата публикации: 2020-11-27.

Design of fixture for mains switch of thin display unit

Номер патента: RU2447610C2. Автор: Нобухиро МАЦУТАНИ. Владелец: Фунай Электрик Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: WO2009055529A1. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety Krishna,Kurt Eisenbeiser,William J. Dauksher,Jon Candelaria. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for continuous casting of thin flat metallic ingots

Номер патента: RU2149074C1. Автор: Фритц-Петер ПЛЕШИУЧНИГГ. Владелец: Маннесманн Аг. Дата публикации: 2000-05-20.

X-ray-fluorescence measurement of thin film thicknesses

Номер патента: CA1086870A. Автор: Dan Maydan,Juan R. Maldonado. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-09-30.

Process for welding a stack of thin metal sheets

Номер патента: US5532453A. Автор: David T. Sheller. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 1996-07-02.

Temperature compensation of thin film diode voltage threshold in memory sensing circuit

Номер патента: WO2006102391A3. Автор: Wei Daisy Cai,Colin S Bill. Владелец: Colin S Bill. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for controlling the sheet resistance of thin film resistors

Номер патента: US20020117470A1. Автор: Michael Lammert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method and apparatus for measuring the composition and other properties of thin films

Номер патента: EP1257806A4. Автор: Peter A Rosenthal,Sylvie Charpenay,Victor A Yakovlev. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US7884463B2. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Process for deforming a piece of thin-walled metal tube

Номер патента: AU2831200A. Автор: Bernd Schulze,Hendrik Bart Van Veldhuizen. Владелец: Dr Meleghy GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-09-04.

Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US20220406641A1. Автор: Keiichiro Watanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Lighting device of thin, small light distribution angle and less power consumption

Номер патента: US20230314869A1. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Makoto Hasegawa,Masafumi Okada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for distributed administration of thin client architecture

Номер патента: WO2002077811A2. Автор: John F. Greenberg,Gene F. Lee,David C. Lopata. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-03.

Method and apparatus for distributed administration of thin client architecture

Номер патента: WO2002077811A3. Автор: Gene F Lee,David C Lopata,John F Greenberg. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20210327933A1. Автор: Susumu Tonegawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor element, and method of forming silicon-based film

Номер патента: EP2230685A3. Автор: Shotaro Okabe,Masafumi Sano,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Suigiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Diode having a plate-shaped semiconductor element

Номер патента: US20150380569A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for defect marking and analysis of thin film hard disks

Номер патента: MY123541A. Автор: Craig Cosci Michael,Marion Green Paul,Ann Oliver Lisa. Владелец: Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V. Дата публикации: 2006-05-31.

Laser scribing of thin-film solar cell panel

Номер патента: US10403782B2. Автор: Han Yong Lam,Kok Yeow Lim,Kim Mone Kwong,Teck Keong Boh. Владелец: Manufacturing Integration Technology Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor element package

Номер патента: EP4379828A3. Автор: Baek Jun KIM,Do Yub KIM,Keon Hwa Lee,Myung Sub Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for inspecting a semiconductor element and inspection apparatus for executing the same

Номер патента: US20220018789A1. Автор: Yueh-Heng Lee,Kuo-Ming Tseng. Владелец: V5 Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor element

Номер патента: US20140103395A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Metal pattern structure of restraining static damage of thin film transistor liquid crystal display

Номер патента: US20100253868A1. Автор: Han-Tung Hsu,Tsu-Te Zen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US12132142B2. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor element mounting board

Номер патента: US09984984B1. Автор: Makoto Shiroshita,Hisayoshi WADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Carrier module with bridging element for a semiconductor element

Номер патента: US09853421B2. Автор: Manuel Binder,Manuel Buchinger,Stephan Schartner. Владелец: F+S Vermoegensverwaltungs GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor element cooling structure and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US09829775B2. Автор: Naoki Masuda. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Production method for semiconductor element, and semiconductor element

Номер патента: US09721838B2. Автор: Fumiaki Matsuura,Tomotoshi Satoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor element inspection device and inspection method

Номер патента: US09632110B2. Автор: Hiroyuki Yamagishi,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Process for the production of thin semiconductor material films

Номер патента: US5374564A. Автор: Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1994-12-20.

Continuous casting method for defined shapes of thin sheet

Номер патента: CA1135473A. Автор: Mandayam C. Narasimhan. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Method for testing performance of thin-film encapsulation

Номер патента: US20210066602A1. Автор: Cunjun XIA,Rui Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Process of transferring of vcsel epi layer onto metal host substrate

Номер патента: US20230056416A1. Автор: Joerg Martini,Elif Karatay,Mark Teepe,Christopher Chua. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Pcb surface thin layer quality analysis method

Номер патента: EP4261531A1. Автор: Jian Zheng,Guojin LUO. Владелец: Guangzhou Termbray Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Component with a thin-layer covering and method for its production

Номер патента: US20190229703A1. Автор: Thomas Metzger,Akifumi Kamijima. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Component with a thin-layer covering and method for its production

Номер патента: EP3478629A1. Автор: Akifumi Kamijima,Thomas Dr. Metzger. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Drive device for voltage-controlled semiconductor element

Номер патента: US12047060B2. Автор: Hiroaki Ichikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020160589A1. Автор: Toshihiko Omi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for producing semiconductor element

Номер патента: US20210327722A1. Автор: Toshimasa Hara,Motohisa Kado,Katsunori Danno,Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Thin layered heating element for a fluid pump

Номер патента: US11719257B2. Автор: Jürgen Winkler. Владелец: Sanhua Aweco Appliance Systems GmbH. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor element drive circuit

Номер патента: US20080290853A1. Автор: Kenji Ito. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Substrate for mounting semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080217751A1. Автор: Shigeru Nonoyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor element drive apparatus

Номер патента: US09991797B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US09978797B2. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus for detecting temperature of semiconductor elements for power conversion

Номер патента: US09903765B2. Автор: Hiroshi Fujita,Osamu Daitoku. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Trenched power semiconductor element

Номер патента: US09799743B1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Drive circuit for power semiconductor element

Номер патента: US09712155B2. Автор: Masahiro Ozawa,Toshiki Tanaka,Yoshitomo Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor package

Номер патента: US09472623B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Norikazu Ito,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor element and its manufacturing process

Номер патента: RU2237949C2. Автор: Штефан ЛИНДЕР. Владелец: Абб Швайц Холдинг Аг. Дата публикации: 2004-10-10.

Thin layer p-n type heterojunction solar cells

Номер патента: CA1185347A. Автор: Reid A. Mickelsen,Wen S. Chen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1985-04-09.

Method and system for on-line measurement of thickness and birefringence of thin plastic films

Номер патента: US7298492B2. Автор: Sebastien Tixier. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Procedure for the production of thin-walled parts made of steel and parts produced after this procedure

Номер патента: CA2404361C. Автор: Hans-Toni Junius. Владелец: CD Waelzholz Brockhaus GmbH. Дата публикации: 2007-03-06.

SAW determination of surface area of thin films

Номер патента: US4947677A. Автор: Stephen J. Martin,Gregory C. Frye,Antonio J. Ricco. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-08-14.

Method for winding up a thin layer material having a broad width

Номер патента: US3677484A. Автор: Haruhisa Tani,Masahide Yazawa. Владелец: Polymer Processing Research Institute Ltd. Дата публикации: 1972-07-18.

Solution-phase deposition of thin films on conversion anodes in lithium-ion batteries

Номер патента: EP3931901A1. Автор: Sourav Roger BASU,Jonathan Tan. Владелец: Coreshell Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Thin-layer type common mode filter and method for preparing the same

Номер патента: US20150002253A1. Автор: Sang Hyun Shin,Yong Il Kwon,Eun Sil Kim,Keun Yong LEE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Solution-phase deposition of thin films on solid-state electrolytes

Номер патента: US11961991B2. Автор: Sourav Roger BASU,Jonathan Tan. Владелец: Coreshell Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Manufacturing method for a micromechanical component having a thin-layer capping

Номер патента: US20110018078A1. Автор: Ando Feyh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Process for the transfer of a thin layer formed in a substrate with vacancy clusters

Номер патента: US20110097871A1. Автор: Oleg Kononchuk,Eric Neyret. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2011-04-28.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US12020930B2. Автор: Kosuke Sato,Motoaki Iwaya. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Heat radiation structure of semiconductor element and heat sink

Номер патента: US20050174740A1. Автор: Makoto Hayakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Drive device for semiconductor element

Номер патента: US20190229723A1. Автор: Takaki NAKASHIMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor elements

Номер патента: US20170077433A1. Автор: Takeshi Gotanda,Akihiro Matsui,Shigehiko Mori,Haruhi Oooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and device for compensating drift in a semiconductor element

Номер патента: US5233236A. Автор: Jean P. Colinge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor element and production method therefor

Номер патента: US20240250215A1. Автор: Kosuke Tanaka,Susumu Taniguchi,Masato Sato,Kenta Ono. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20240297118A1. Автор: Hirofumi Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor element drive device and power conversion apparatus

Номер патента: US11757444B2. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Koichi Yahata. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Metal pad of a semiconductor element

Номер патента: US20030146483A1. Автор: Ray Chien. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240230724A9. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240133924A1. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor element drive device

Номер патента: EP2466752A3. Автор: Satoru Motohashi,Sachiaki Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-23.

Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element

Номер патента: US09966947B2. Автор: Kazuhiro Otsu,Junichiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09905530B2. Автор: Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09780065B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09779965B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Transfer film for application of series of decorative layers onto substrate

Номер патента: RU2221702C2. Автор: Клаус ВЕБЕР. Владелец: Леонхард Курц ГмбХ унд Ко. Дата публикации: 2004-01-20.

Semiconductor element module

Номер патента: CA2120964C. Автор: Osamu Akita,Ichiro Tonai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US4383886A. Автор: Akio Hori,Haruyuki Goto,Kisaku Nakamura,Eiji Jimi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer

Номер патента: WO2004006327A3. Автор: Bruno Ghyselen,Nicolas Daval,Cecile Aulnette,Benedite Osternaud. Владелец: Benedite Osternaud. Дата публикации: 2004-03-04.

Flexible thin layer open electrochemical cell

Номер патента: CA2241012C. Автор: Zvi Nitzan. Владелец: Power Paper Ltd. Дата публикации: 2005-11-15.

Semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US20120286288A1. Автор: Shoji Saito,Khalid Hassan Hussein. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US11942382B2. Автор: Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor element and method of manufacturing same

Номер патента: EP3869561A1. Автор: Ryosuke Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20020064904A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Arrangement of Optical Semiconductor Elements

Номер патента: US20140029637A1. Автор: Ingo Schmidt. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor element bonding apparatus and semiconductor element bonding method

Номер патента: US20200235071A1. Автор: Hideyuki Murayama,Satoru Takemoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US8994147B2. Автор: Shoji Saito,Khalid Hassan Hussein. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Automatically adjusting serial connections of thick and thin layers and method for the production thereof

Номер патента: US20050173238A1. Автор: Volker Geyer. Владелец: Scheuten Glasgroep Bv. Дата публикации: 2005-08-11.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20010019179A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027557B2. Автор: Ryosuke Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Thin-layer reinforcing material

Номер патента: CA2579722A1. Автор: Masataka Sugahara,Toshihide Sugahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20210036176A1. Автор: Kenji Fujimoto,Koshi HIMEDA,Toshihiro Tada,Tetsuro TORITSUKA,Shinji KABURAKI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Optical semiconductor element

Номер патента: US11515442B2. Автор: Kenji Fujimoto,Koshi HIMEDA,Toshihiro Tada,Tetsuro TORITSUKA,Shinji KABURAKI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor element and terahertz wave system

Номер патента: US20240120425A1. Автор: Takeshi Yoshioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Organic semiconductor element, production method therefor and organic semiconductor device

Номер патента: EP1532688A4. Автор: Akira Unno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-11-09.

Semiconductor element having high breakdown voltage

Номер патента: US20130240895A1. Автор: Jen-Inn Chyi,Geng-Yen Lee,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor element having high breakdown voltage

Номер патента: US8586995B2. Автор: Jen-Inn Chyi,Geng-Yen Lee,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-11-19.

Semiconductor apparatus including cooler for cooling semiconductor element

Номер патента: US20240258194A1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride compound semiconductor element and production method therefor

Номер патента: US20130122693A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Nitride compound semiconductor element and production method therefor

Номер патента: US20110304025A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20080197383A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Mounting arrangement for a semiconductor element

Номер патента: WO2000070671A1. Автор: Leif Bergstedt,Katarina Boustedt. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2000-11-23.

Semiconductor element

Номер патента: US20110156075A1. Автор: Yung-Chih Chen,Kuan-Yu Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US20010017421A1. Автор: Michael Rother. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US6417564B2. Автор: Michael Rother. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-09.

Semiconductor device comprising light-blocking region enclosing semiconductor element

Номер патента: US7728410B2. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing substrate for mounting semiconductor element

Номер патента: US09870930B2. Автор: Hiroki Nakayama,Kaoru HISHIKI,Shunichi Kidoguchi. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor element and method for producing the same

Номер патента: US09825137B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor element and organic light emitting display device having a semiconductor element

Номер патента: US09748402B2. Автор: Il-Jeong Lee,Kwang-Suk Kim,Jung-Hwa Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09711725B2. Автор: Masaru Kinoshita,Yoshihisa Usami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09653644B2. Автор: Hiroaki Tamemoto,Ryota TAOKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Device for making cuts in the direction of the advance of pieces of thin material

Номер патента: US5775194A. Автор: Valter Spada. Владелец: SASIB SpA. Дата публикации: 1998-07-07.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Process of manufacture of thin flat ingots and gear for its realization

Номер патента: RU2121903C1. Автор: Плешиучнигг Фритц-Петер. Владелец: Маннесманн Аг. Дата публикации: 1998-11-20.

Forming device for production of thin threads by splitting

Номер патента: RU2396378C2. Автор: Людер ГЕРКИНГ. Владелец: Людер ГЕРКИНГ. Дата публикации: 2010-08-10.

Pack made of thin cardboard, especially for cigarettes

Номер патента: CA2027044C. Автор: Heinz Focke. Владелец: Focke and Co GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for the continuous manufacture of thin-walled tubes of any length desired

Номер патента: GB1217507A. Автор: Herbert Witzenmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-12-31.

Apparatus for the roller stamping of thin sheets, especially starting sheets for electrolytic production of copper

Номер патента: US3886778A. Автор: Olov Carl Gustav Wennberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-06-03.

Thin-layer cell

Номер патента: CA2501403C. Автор: Ralf Masuch. Владелец: Micro Biolytics GmbH. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor element module

Номер патента: US5391922A. Автор: Noriyuki Matsui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-02-21.

System for handling the sterilization of thin-body flexible containers (pouch)

Номер патента: CA2990919C. Автор: Stefano Tamarindo. Владелец: Guala Pack SpA. Дата публикации: 2023-02-14.

Millimeter wave sensor for on-line inspection of thin sheet dielectrics

Номер патента: US5886534A. Автор: Apostolos C. Raptis,Sasan Bakhtiari,Nachappa Gopalsami. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1999-03-23.

Device for the continuous casting of thin metal products between rolls

Номер патента: US5092391A. Автор: Laurent Sosin. Владелец: USINOR Sacilor SA. Дата публикации: 1992-03-03.

Package structure of thin lead-frame

Номер патента: US20070158794A1. Автор: Chi-Jang Lo. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Control circuit for a semiconductor element with a control electrode

Номер патента: US4568838A. Автор: Yasuo Matsuda,Kazuo Honda,Shuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-02-04.

Device for unit distribution of thin stacked objects

Номер патента: US5429347A. Автор: Francois Leonard. Владелец: Bertin et Cie SA. Дата публикации: 1995-07-04.

Formation of thin-film resistors on silicon substrates

Номер патента: USH546H. Автор: George L. Schnable,Chung P. Wu. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-11-01.

Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate

Номер патента: US3844858A. Автор: K Bean. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-10-29.

Portable gauge for measuring thickness variations of thin plastic film

Номер патента: US5030918A. Автор: Jeffrey C. Thon. Владелец: Modern Controls Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Examination of physical properties of thin films

Номер патента: US5116121A. Автор: Wolfgang Knoll,Harald Knobloch. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1992-05-26.

Method for defect marking and analysis of thin film hard disks

Номер патента: US6281677B1. Автор: Paul Marion Green,Michael Craig Cosci,Lisa Ann Oliver. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Power semiconductor module comprising at least one power semiconductor element

Номер патента: US20230352362A1. Автор: Claus Florian Wagner,Michael Woiton,Christian Radüge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Cover for a thin-layer chromatography development chamber

Номер патента: US20230417716A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-12-28.

Diode having a plate-shaped semiconductor element

Номер патента: US20180247934A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-08-30.

Measuring probe for measuring the thickness of thin films

Номер патента: US20160076871A1. Автор: Werner Volz. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 2016-03-17.

Driving device for semiconductor elements

Номер патента: US20180175849A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20230378223A1. Автор: Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor element

Номер патента: US20120187451A1. Автор: Wataru Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Drive unit of semiconductor element

Номер патента: US10056894B2. Автор: Shogo Ogawa,Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor element inspection device and inspection method

Номер патента: US20140125373A1. Автор: Hiroyuki Yamagishi,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Lighting device of thin, small light distribution angle and less power consumption

Номер патента: US11703710B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Makoto Hasegawa,Masafumi Okada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method for evaluation of a thin-layer chromatography plate

Номер патента: EP4244616A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-20.

Electric working machine with semiconductor element that completes or interrupts current path to motor

Номер патента: US11777377B2. Автор: Akihiro Nakamoto. Владелец: Makita Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

A process for the manufacture of thin film solar cells

Номер патента: WO2013168135A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: Advanced Research On Pv-Tech S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-14.

Permittivity measurement of thin films

Номер патента: US20020118026A1. Автор: Yutaka Doi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Process and device for continuous production of thin polyurethane foam layers

Номер патента: IL44454A. Автор: . Владелец: SERPO NV. Дата публикации: 1977-02-28.

Driving device for semiconductor element, and power conversion device

Номер патента: US20240146179A1. Автор: Chihiro Kawahara,Koki Ochi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Cover for a thin-layer chromatography development chamber

Номер патента: CA3201798A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-05-19.

Cover for a thin-layer chromatography development chamber

Номер патента: EP4244615A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-20.

Device and method of thinning grape vine shoots

Номер патента: US20180160634A1. Автор: Jared Abate. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for evaluation of a thin-layer chromatography plate

Номер патента: US20240019409A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-01-18.

Nozzle device, in particular for use by adhesive edge-to-edge joining of thin veneer sheets

Номер патента: EP1368165A1. Автор: Hardy Vesterby Hansen,Per Vesterby Hansen. Владелец: SABY I/S. Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and package for containing semiconductor element

Номер патента: US20020074642A1. Автор: Emiko Sekimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for evaluation of a thin-layer chromatography plate

Номер патента: CA3201795A1. Автор: Robert Fischer,Michaela Oberle,Eric SCHUNDA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-05-19.

Conductive metal oxide film, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4089728A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Apparatuses and methods for sensing temperature along a wellbore using semiconductor elements

Номер патента: CA3024929C. Автор: Leslie JARVIS,Shaun Compton Ross. Владелец: Metrol Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Permeable structural interface for the construction of thin-walled balloon catheters

Номер патента: US20190167945A1. Автор: Alexis S. TURJMAN. Владелец: Cognition Medical Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor element package

Номер патента: EP4379828A2. Автор: Baek Jun KIM,Do Yub KIM,Keon Hwa Lee,Myung Sub Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatus for sensing temperature along a wellbore using semiconductor elements

Номер патента: AU2022231743B2. Автор: Leslie JARVIS,Shaun Compton Ross. Владелец: Metrol Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Drive circuit for power semiconductor element, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20230308086A1. Автор: Takashi Masuhara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US20100127370A1. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Assembly for rapid cutting of thin film into strips with undulated or smooth edges

Номер патента: EP1340601A3. Автор: Sauro Righi,Mirko Mazza. Владелец: Arcotronics Italia SpA. Дата публикации: 2004-09-29.

Thin layer ablation apparatus

Номер патента: US5575788A. Автор: James Baker,Chris Jones,Bruno Strul,Stuart D. Edwards,Kee S. Lee,Phillip Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-11-19.

Container package for semiconductor element

Номер патента: US5140109A. Автор: Hiroshi Matsumoto,Hiroaki Inokuchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Semiconductor element and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US6132585A. Автор: Hirofumi Ichinose,Tsutomu Murakami,Takahiro Mori,Takafumi Midorikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Stress sensitive semiconductor element having an n+pp+or p+nn+junction

Номер патента: US3665264A. Автор: Hiroshi Otani,Hideo Kurokawa,Noboru Yukami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1972-05-23.

Method of forming solder bump terminals on semiconductor elements

Номер патента: US4273859A. Автор: Arthur H. Mones,Jack A. Sartell,Vahram S. Kardashian. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1981-06-16.

Semiconductor element capable of withstanding high voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1111571A. Автор: Hiroyuki Taniguchi,Naohiro Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-27.

Package for housing semiconductor elements

Номер патента: US5512786A. Автор: Kazuhiro Kawabata,Nobuyuki Ito,Hitomi Imamura,Shin Matsuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Component with a thin-layer covering and method for its production

Номер патента: WO2018005337A1. Автор: Dr. Roland ROSEZIN,Dr. Ansgar SCHAUFELE. Владелец: Snaptrack, Incorporated. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor element having microcrystalline semiconductor material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010030321A1. Автор: Keishi Saito,Masafumi Sano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Display device using light-emitting semiconductor elements

Номер патента: US3886581A. Автор: Hiroshi Fujita,Hiroshi Katsumura,Kei Kaneda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-05-27.

Plurality of semiconductor elements mounted on common base

Номер патента: US3820153A. Автор: F Quinn. Владелец: Zyrotron Ind Inc. Дата публикации: 1974-06-25.

Thin layer chromatography device and method of making chromatography test

Номер патента: US4384958A. Автор: Paul L. White,Sandra M. Wisebaker. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1983-05-24.

Semiconductor element drive apparatus

Номер патента: US20170040896A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor module comprising at least one semiconductor element

Номер патента: US20240038618A1. Автор: Stefan Pfefferlein,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor element, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20150228642A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor element, semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20140152374A1. Автор: Koichi Hashimoto,Osamu Kusumoto,Kazuhiro Adachi,Masao Uchida,Shun Kazama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for manufacturing semiconductor element and method for forming mask pattern of the same

Номер патента: US20170256629A1. Автор: Masafumi Hamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US20090103585A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Takuya Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US20070228551A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Takuya Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US7338881B2. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Seed coated with thin layer having pigment

Номер патента: EP1089610A1. Автор: Taro Nakagawa,Ren Yamada,Atunobu Saotome. Владелец: Rontai Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-11.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US11854856B2. Автор: Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of forming semiconductor element, and semiconductor elements

Номер патента: US20020168794A1. Автор: Tadashi Hori,Masafumi Sano,Koichi Matsuda,Akira Sakai,Yuzo Koda,Takaharu Kondo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20140374690A1. Автор: Junichi Wada,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method, apparatus and program for processing a contrast picture image of a semiconductor element

Номер патента: EP2434453A3. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor element test device

Номер патента: US20210132144A1. Автор: Seong Han Park,Tae Yu AN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor element and method for producing the same

Номер патента: US20200144136A1. Автор: Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for testing semiconductor elements

Номер патента: US11756841B2. Автор: Shih Hung Lin. Владелец: Upper Elec Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US20210066150A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor element for oscillating or detecting terahertz wave and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20200111929A1. Автор: Yasushi Koyama,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor element, semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210242363A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Manabu Kiguchi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Manufacturing method and semiconductor element

Номер патента: US20210217851A1. Автор: Tomo TANAKA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20200020838A1. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

SiC SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20130285069A1. Автор: Hiroshi Yano,Yoshihiro Ueoka. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2013-10-31.

Preparative method and apparatus for a thin-layer chromatograph

Номер патента: US20200182839A1. Автор: Kihachiro Okura. Владелец: Yamazen Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Preparative method and apparatus for a thin-layer chromatograph

Номер патента: US11204345B2. Автор: Kihachiro Okura. Владелец: Yamazen Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US20220021383A1. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Operating a power semiconductor element

Номер патента: US11916545B2. Автор: Benno Weis,Fabian Diepold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor element envelope

Номер патента: US3890637A. Автор: Isamu Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1975-06-17.

Device for holding a disc-shaped semiconductor element

Номер патента: US4273185A. Автор: Kurt Thoma,Urban Ulrich. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1981-06-16.

Method for manufacturing device having optical semiconductor element

Номер патента: US20060292725A1. Автор: Masahiro Onishi,Tsutomu Fukai. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor element and power amplification device

Номер патента: US20200402932A1. Автор: Yuichi Saito,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Organic semiconductor element

Номер патента: US20190326522A1. Автор: Hiroyuki Matsui,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-10-24.

Optical semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098567A1. Автор: Takehiko Kikuchi,Nobuhiko Nishiyama,Morihiro Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20240222529A1. Автор: Daisuke Iida,Takahide YANAI,Asuka MISHIMA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9112113B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor element and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282779A1. Автор: Chun-Hui Huang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor element

Номер патента: US8878224B2. Автор: Yasuhiro Miki,Takashi Ichihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1213767A3. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Osamu Oda,Yuji Hori,Tomohiko Shibata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Method of manufacturing semiconductor elements

Номер патента: US20200279730A1. Автор: Yoshinori Miyamoto,Haruhiko Nishikage,Yasunobu Hosokawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Picoscale thin layer chromatography for analysis of single cells and microsamples

Номер патента: US20240157333A1. Автор: Yuli Wang,Nancy Allbritton. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor element

Номер патента: EP4191212A1. Автор: Yasushi Koyama,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor element

Номер патента: US11081573B2. Автор: Kazuya Kobayashi,Atsushi Kurokawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20130119551A1. Автор: Hung-Chang Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Optical semiconductor element and manufacturing method of the same

Номер патента: US8822247B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Method of manufacturing an optical semiconductor element

Номер патента: US20070099324A1. Автор: Naoya Hayamizu,Daiki Iino,Tadashi Shimmura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing an optical semiconductor element

Номер патента: US7541204B2. Автор: Naoya Hayamizu,Daiki Iino,Tadashi Shimmura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor arrangement comprising a semiconductor element, a substrate and bond connecting means

Номер патента: US20240266312A1. Автор: Bernd Kürten,Felix Zeyß. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20230120130A1. Автор: Daisuke Iida,Takahide YANAI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US20060286733A1. Автор: Masahiro Hayashi,Akihiro Shiraishi,Takahisa Akiba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

A semiconductor element

Номер патента: EP1192664A1. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-03.

A semiconductor element

Номер патента: WO2000067329A1. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: Eklund Klas Haakan. Дата публикации: 2000-11-09.

Semiconductor element for switching purposes

Номер патента: US3638080A. Автор: Elmar MÜLLER,Klaus Weimann. Владелец: BBC Brown Boveri France SA. Дата публикации: 1972-01-25.

Semiconductor element and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20160244326A1. Автор: DIRK Meinhold,Christian Bretthauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Controllable semiconductor element

Номер патента: US4059814A. Автор: Otto G. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-11-22.

Semiconductor Element

Номер патента: US20180254313A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor element

Номер патента: US20180040413A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Cheng-Wei Luo,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: EP4411804A1. Автор: Yoshimasa Sugimoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Structure of semiconductor element and its manufacturing process

Номер патента: US20050121780A1. Автор: Tsukasa Yajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Method for fabricating semiconductor element

Номер патента: US20080081435A1. Автор: Teruhisa Fukuda,Tetsumi Tominaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

System and method for optical detection and identification of pathogens in a thin layer of fluid

Номер патента: US20240273850A1. Автор: Micha Zimmermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-15.

Optical semiconductor element

Номер патента: US20240213747A1. Автор: Daisuke Inoue,Konosuke AOYAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing organic semiconductor element

Номер патента: US20240188408A1. Автор: Shigeo Hara,Kosuke HIRONAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-06.

Optical semiconductor element, method of controlling the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US9513530B2. Автор: Tomoyuki Akiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

System and method for high-throughput radio thin layer chromatography analysis

Номер патента: US12078625B2. Автор: Jia Wang,R. Michael Van Dam,Alejandra RIOS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: US20240332227A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: WO2024206337A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09938141B2. Автор: DIRK Meinhold,Christian Bretthauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved Process and Apparatus for the Production of Thin Sheets of Mirror Glass.

Номер патента: GB189905659A. Автор: Andre De Moriame. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-02-17.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Vibration damper for cutting of thin-wall parts

Номер патента: RU2572904C2. Автор: Глеб Анатольевич Губанов. Владелец: Глеб Анатольевич Губанов. Дата публикации: 2016-01-20.

An Improved Method of Forming Screw Threads at the Extremities of Thin Metal Tubes and the like

Номер патента: GB190306313A. Автор: Louis Jean Bizet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-05-07.

Vibration absorber for cutting of thin-wall parts

Номер патента: RU2578868C2. Автор: Глеб Анатольевич Губанов. Владелец: Глеб Анатольевич Губанов. Дата публикации: 2016-03-27.

Method for producing and electrical thin layer circuit

Номер патента: CA1128669A. Автор: Wolf-Dieter Münz,Siegfried Bock,Hans W. Potzlberger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-07-27.

Method and apparatus for folding and loading of thin, limp, sheet-type articles into a receptacle

Номер патента: CA1241032A. Автор: Fox J. Herrington, Jr.. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1988-08-23.

Thin-layered sump made as per cross circuit

Номер патента: RU2560582C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2015-08-20.

Pressurized air-chamber testing device for semiconductor elements and a method thereof

Номер патента: MY151795A. Автор: Moey Huey Chyan. Владелец: Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-07-14.