半导体结构及其形成方法

18-07-2023 дата публикации

Номер:

CN116453962

Автор: 范增焰

Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/6 H01L21/60 H01L21/603 H01L22 H01L222 H01L2224 H01L2224/H01L2224/8 H01L2224/81 H01L2224/810 H01L2224/8100 H01L2224/81007 H01L2224/81009 H01L2224/812 H01L2224/8120 H01L2224/81203 H01L2224/818 H01L2224/8180 H01L2224/81801 H01L23 H01L23/H01L23/4 H01L23/49 H01L23/498 H01L23/4981 H01L23/49811 H01L23/4983 H01L23/49838 H01L24 H01L24/H01L24/8 H01L24/81

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L24 H01L24/H01L24/7 H01L24/78 H01L24/8 H01L24/81 H05 H05K H05K3 H05K3/H05K3/3 H05K3/34 H05K3/343 H05K3/3436

Получить PDF