Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High-density power MOSFET with planarized metalization

High-density power MOSFET with planarized metalization

Номер патента: US9437729B2
Опубликовано: 06-09-2016
Автор(ы): JIAN Li
Принадлежит: Vishay Siliconix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of Fabricating a Mosfet With an Undoped Channel

Номер патента: US20170084695A1. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Power MOSFET and Method of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20160020319A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-21.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating a mosfet with an undoped channel

Номер патента: US20150303278A1. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

The Schottky diode being integrated in super junction power MOSFET

Номер патента: CN109935634A. Автор: 苏毅,马督儿·博德. Владелец: NATIONS SEMICONDUCTOR (CAYMAN) Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

SCHOTTKY DIODE INTEGRATED INTO SUPERJUNCTION POWER MOSFETS

Номер патента: US20210020773A1. Автор: Bobde Madhur,Su Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SCHOTTKY DIODE INTEGRATED INTO SUPERJUNCTION POWER MOSFETS

Номер патента: US20190189796A1. Автор: Bobde Madhur,Su Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Schottky diode integrated into superjunction power mosfets

Номер патента: US20230045954A1. Автор: YI Su,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Topographic pattern delineated power MOSFET with profile tailored recessed source

Номер патента: US5045903A. Автор: Douglas A. Pike, Jr.,Theodore G. Hollinger,Theodore O. Meyer,II John W. Mosier,Dah W. Tsang. Владелец: Advanced Power Technology Inc. Дата публикации: 1991-09-03.

Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures

Номер патента: US5404040A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Dorman C. Pitzer,Mike Chang,Jun W. Chen,Jan V. D. Linde. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

High density trench-based power MOSFETs with self-aligned active contacts and method for making such devices

Номер патента: US9450088B2. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Vertical power mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI515893B. Автор: 伍震威,周學良,柳瑞興,蘇柏智. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-01.

Vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US09673297B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20170271480A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Vertical power MOSFET and method of making the same

Номер патента: DE102012109921B4. Автор: Ruey-Hsin Liu,Chung-Wai Ng,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US9130035B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Trench power mosfet and manufacutring method thereof

Номер патента: US20150200294A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Trench power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302303A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Structure and method for manufacturing a trench power MOSFET

Номер патента: US12062717B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Super-high density power trench mosfet

Номер патента: EP2491581A4. Автор: Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,Robert Q Xu,Karl Lichtenberger. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Super-high density power trench MOSFET

Номер патента: CN102770947B. Автор: Q.陈,R.Q.许,K-I.陈,K.里克滕伯格,S.史,K.特里尔. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Super-high density power trench mosfet

Номер патента: WO2011050116A3. Автор: Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,Karl Lichtenberger,Robert Q. Xu. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-04.

Fabrication method of trenched power MOSFET

Номер патента: US8426275B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Kou-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20140342518A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20130299898A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-14.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8932928B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-01-13.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8759909B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-24.

Termination trench for power MOSFET applications

Номер патента: CN104009083A. Автор: 常虹,王晓彬,李亦衡,马督儿·博德,哈姆扎·依玛兹,金钟五,潘继,高立德. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Power MOSFET and Method of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20160020319A1. Автор: Hutzler Michael,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,OUVRARD Cedric,Yip Li Juin,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Termination trench for power mosfet applications

Номер патента: US20140239388A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of making a low-Rdson vertical power MOSFET device

Номер патента: US8709893B2. Автор: YI Su,Jun Lu,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-29.

Manufacturing method of power mosfet using a hard mask as a stop layer between sequential cmp steps

Номер патента: US20140206162A1. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuke Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TERMINATION STRUCTURE FOR POWER MOSFET APPLICATIONS

Номер патента: US20150333174A1. Автор: Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Pan Ji. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Termination trench for power MOSFET applications

Номер патента: US9105494B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim,Madhur Bodbe. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device with termination structure for power MOSFET applications

Номер патента: US9356022B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Vertical power MOSFET

Номер патента: US09536943B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Trench-gate mosfet with electric field shielding region

Номер патента: US20230039141A1. Автор: Kuang Sheng,Na Ren. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-02-09.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170567B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180061953A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170568B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047817A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET With Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180012966A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047816A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Power mosfet and methods of making same

Номер патента: WO2005057664A2. Автор: Paul R. Davies,Kin On Johnny Sin,Mau Lai. Владелец: Chau, Duc Quang. Дата публикации: 2005-06-23.

Power MOSFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09601616B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20230420557A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-28.

Trench MOSFET with resurf stepped oxide and diffused drift region

Номер патента: US8587054B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-19.

High Density Power Device with Selectively Shielded Recessed Field Plate

Номер патента: US20210083061A1. Автор: Zeng Jun,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: EP3405978A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: US20180076320A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Power MOSFET with metal filled deep source contact

Номер патента: US09853144B2. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Power mosfet device

Номер патента: WO2024083312A1. Автор: Gilberto Curatola,Mo Huai Chang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Power MOSFET having improved manufacturability, low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US09837529B1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Manufacturing method of trench power MOSFET

Номер патента: US09837508B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536972B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Power mosfet devices including embedded schottky diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150091084A1. Автор: Jung-Ho Lee,Suk-Kyun Lee,Heon-Bok Lee,In-Ho YEO,Sae-Choon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Termination ballast resistor in power mosfets with trench field plate

Номер патента: EP4099392A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Power mosfet and method for producing a power mosfet

Номер патента: US20180315847A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-01.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-17.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A3. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-07.

Power mosfet device with isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240014286A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a P-channel power MOSFET

Номер патента: US09825167B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Trench power mosfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20130292761A1. Автор: Chun Ying Yeh,Yuan Ming Lee. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Self-aligned contact for trench power mosfet

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-13.

Self-aligned contact for trench power MOSFET

Номер патента: US09691863B2. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Termination ballast to suppress hotspot formation in trench field plate power mosfets

Номер патента: US20220393004A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods for forming planar metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US20220238674A1. Автор: Lei Zhong,Qintao Zhang,Samphy Hong,David Jon Lee,Felix Levitov,Carlos CABALLERO,Durgaprasad Chaturvedula. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Shielded gate trench mosfets with improved performance structures

Номер патента: US20230327013A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Trench mosfet with trench contact holes and method for fabricating the same

Номер патента: US20120091523A1. Автор: Gang Ji,Jianping Gu,Kaibin Ni,Tianbing Zhong. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Trench MOSFET with shielded gate and diffused drift region

Номер патента: US09530882B1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Trench mosfet with self-aligned body contact with spacer

Номер патента: EP3365919A1. Автор: Kyle Terrill,Lingpeng Guan,Seokjin Jo. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Shielded gate trench mosfets with improved trench terminations and shielded gate trench contacts

Номер патента: US20230343867A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Shielded gate trench mosfets with improved termination structures

Номер патента: US20240128369A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Shielded gate trench mosfets with improved trench terminations and shielded gate trench contacts

Номер патента: US20230343866A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: EP3465756A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: US20170352651A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Bulk cross-coupled high density power supply decoupling capacitor

Номер патента: WO2017209834A1. Автор: Sreeker Dundigal,Albert KUMAR,Vasisht Vadi,Hai Dang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-12-07.

BULK CROSS-COUPLED HIGH DENSITY POWER SUPPLY DECOUPLING CAPACITOR

Номер патента: US20170352651A1. Автор: Dundigal Sreeker,Kumar Albert,DANG Hai,VADI Vasisht. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Self-aligned power mosfet with integral source-base short and methods of making

Номер патента: CA1197023A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-19.

Methods of making self-aligned power MOSFET with integral source-base short

Номер патента: US4598461A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Method of manufacturing vertical planar power MOSFET and method of manufacturing trench-gate power MOSFET

Номер патента: US8647948B2. Автор: Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO,Junichi KOGURE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Power mosfet array

Номер патента: US20090096038A1. Автор: Ting-Shing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Structure for silicon carbide integrated power MOSFETs on a single substrate

Номер патента: US11798938B2. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Super junction trench power MOSFET device fabrication

Номер патента: US09443974B2. Автор: Yang Gao,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: WO2003071585A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20240363752A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20210066498A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

MOSFET with reduced leakage current

Номер патента: US5801424A. Автор: Thomas Luich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140342520A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150325485A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150056770A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON FIELD PLATE FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20200335589A1. Автор: Li Peng,Yang Hong,Liu Rui,Chen Ya ping,Liu Yunlong,Sridhar Seetharaman. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Power MOSFET with seperate gate and field plate trenches

Номер патента: US09680004B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Dense trench MOSFET with decreased etch sensitivity to deposition and etch processing

Номер патента: US20030096482A1. Автор: Gary Dolny,Rodney Ridley,Jifa Hao. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

High density trench-gated power MOSFET

Номер патента: US6348712B1. Автор: Jacek Korec,Mohamed N. Darwish,Dorman C. Pitzer. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2002-02-19.

Power MOSFET

Номер патента: US09941357B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating power MOSFET

Номер патента: US09653560B1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excellence Mos Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Trench-gate power mosfet with optimized layout

Номер патента: US20230078222A1. Автор: Hu Chen,Kuang Sheng,Na Ren,Zhengyun ZHU. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-16.

Trench gate power mosfet

Номер патента: EP1947699A4. Автор: Yuji Watanabe,Kunihiko Oshima,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Power mosfet and fabricating method thereof

Номер патента: US20100155840A1. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Power MOSFET, an IGBT, and a power diode

Номер патента: US09825163B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Power MOSFET and fabricating method thereof

Номер патента: US8247868B2. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Multiple gated power mosfet device

Номер патента: US20200091337A1. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power MOSFET

Номер патента: US20050040459A1. Автор: Ali Salih,John Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul Khan. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A3. Автор: Ali Salih,John E Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A Khan. Владелец: Shamsul A Khan. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A2. Автор: John E. Amato,Ali Salih,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A. Khan. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of forming power mosfet

Номер патента: US20110171799A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Power MOSFET having lateral channel, vertical current path, and P-region under gate for increasing breakdown voltage

Номер патента: US09947779B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Power MOSFET having planar channel, vertical current path, and top drain electrode

Номер патента: US09761702B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical power MOSFET having planar channel and its method of fabrication

Номер патента: US09461127B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SINKER CONTACT FOR CSP

Номер патента: US20180006145A1. Автор: Yang Hong,Liu Yunlong,Xiong Yufei,LIN HO,LV Tian Ping,ZOU Sheng,JIA Qiu Ling. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Power MOSFET With Metal Filled Deep Sinker Contact For CSP

Номер патента: US20180102424A1. Автор: Yang Hong,Liu Yunlong,Xiong Yufei,LIN HO,LV Tian Ping,ZOU Sheng,JIA Qiu Ling. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode

Номер патента: US09324807B1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

POWER MOSFETS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180138314A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lin Yi-Chun,Wu Kuo-Ming,CHEN SHIANG-YU. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220302303A1. Автор: SHIN Hyun Kwang. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide mosfet with integrated mos diode

Номер патента: WO2017011036A1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACUTRING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150200294A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170222050A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lin Yi-Chun,Wu Kuo-Ming,CHEN SHIANG-YU. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US9892974B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Trench-gated power MOSFET with protective diode having adjustable breakdown voltage

Номер патента: US5998837A. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Power mosfet having current detection means

Номер патента: US5767545A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5338961A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-08-16.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5598018A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-01-28.

Long channel trench-gated power mosfet having fully depleted body region

Номер патента: WO1997044828A1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Mike F. Chang,Wayne Grabowski,Brian H. Floyd. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 1997-11-27.

Ultra-low drain-source resistance power MOSFET

Номер патента: US09887266B2. Автор: Martin Hernandez,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Bidirectional, high-speed power MOSFET devices with deep level recombination centers in base region

Номер патента: US4656493A. Автор: Michael S. Adler,Peter V. Gray. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-04-07.

Power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322032A1. Автор: Yu-Hsiang Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Dual oxide trench gate power MOSFET using oxide filled trench

Номер патента: US09673289B2. Автор: Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor high-power mosfet device

Номер патента: US4974059A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-11-27.

High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application

Номер патента: US4866495A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1989-09-12.

Power MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US10109731B2. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Power mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125576A1. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Mosfet with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: GB201316653D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Mosfet with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: US20120326232A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Mosfet with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: US20140042521A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Mosfet with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: US20140042542A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

MOSFET with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: US9041108B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

MOSFET with recessed channel film and abrupt junctions

Номер патента: US8629502B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Trench gate silicon carbide mosfet with high reliability

Номер патента: US20230072827A1. Автор: Kuang Sheng,Na Ren,Chaobiao LIN. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-09.

Power MOSFET with overcurrent and over-temperature protection and control circuit decoupled from body diode

Номер патента: US5550701A. Автор: Bruno C. Nadd,Talbott M. Houk. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-08-27.

Bidirectional blocking lateral MOSFET with improved on-resistance

Номер патента: US5451533A. Автор: Richard K. Williams,Kevin Jew,Jun W. Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-09-19.

Vertical silicon carbide power MOSFET and IGBT and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11967616B2. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

A Vertical Silicon Carbide Power MOSFET and IGBT and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220028976A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-27.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-12-30.

A semiconductor component incorporated a power-mosfet and a control circuit

Номер патента: MY102712A. Автор: Einzinger Josef,Leipold Ludwig,Tihanyi Jeno,Weber Roland. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-30.

Process for making a power MOSFET device and structure

Номер патента: US5460986A. Автор: Gordon Tam,Pak M. Tam. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Process for manufacture of radiation resistant power MOSFET and radiation resistant power MOSFET

Номер патента: US5475252A. Автор: Perry Merrill,Kyle A. Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1995-12-12.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Modulated super junction power MOSFET devices

Номер патента: US09887259B2. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for fabricating high voltage power MOSFET

Номер патента: US09431532B1. Автор: Tao Wei. Владелец: Powerwyse Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Sic mosfet with built-in schottky diode

Номер патента: US20230055024A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Sic mosfet with built-in schottky diode

Номер патента: US20220131015A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-04-28.

Power mosfet having enhanced breakdown voltage

Номер патента: WO2002099909A8. Автор: XIN YANG,Ganesh Shankar Samudra,Yung Chii Liang,Kian Paau Gan. Владелец: Kian Paau Gan. Дата публикации: 2004-04-08.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20170069751A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Process for enhancement of voltage endurance and reduction of parasitic capacitance for a trench power MOSFET

Номер патента: US6800509B1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

High-density power supply

Номер патента: US20230261567A1. Автор: Kunpeng Wang,Kai Dong,Shuailin Du,Mingjuan Zhang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Split-gate trench power MOSFET with self-aligned poly-to-poly isolation

Номер патента: US11848378B2. Автор: Maurizio Gabriele Castorina,Voon Cheng NGWAN,Ditto ADNAN,Fadhillawati TAHIR. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Trench lateral power MOSFET and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7012301B2. Автор: Naoto Fujishima,Katsuya Tabuchi,Akio Sugi,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Power MOSFET having a strained channel in a semiconductor heterostructure on metal substrate

Номер патента: TW201023363A. Автор: Qi Wang,Tat Ngai,Joelle Sharp. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-06-16.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Manufacturing Method of Power MOSFET Using a Hard Mask as a CMP Stop Layer Between Sequential CMP Steps

Номер патента: US20160079079A1. Автор: EGUCHI Satoshi,Taniguchi Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD FOR PRODUCING A POWER MOSFET

Номер патента: DE60132994T2. Автор: Richard A. Los Altos BLANCHARD. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: WO2003058722A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-07-17.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and ion implantation

Номер патента: TWI263282B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING EPITAXIAL LAYER WITH PLANAR SURFACE AND PROTRUSIONS

Номер патента: US20170200824A1. Автор: Wang Yu-Ren,Ting Hsu,Chen Kuang-Hsiu,Yu Chun-Wei,Liu Chueh-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH SELF-ALIGNED POLY-TO-POLY ISOLATION

Номер патента: US20220052194A1. Автор: ADNAN Ditto,CASTORINA Maurizio Gabriele,NGWAN Voon Cheng,TAHIR Fadhillawati. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20160351691A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON FIELD PLATE FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20190296115A1. Автор: Li Peng,Yang Hong,Liu Rui,Chen Ya ping,Liu Yunlong,Sridhar Seetharaman. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

HEATING PLATE WITH PLANAR HEATER ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20140004702A1. Автор: Singh Harmeet. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

HEATING PLATE WITH PLANAR HEATER ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20140045337A1. Автор: Comendant Keith,Benjamin Neil,Singh Harmeet,Gaff Keith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

Lateral power MOSFET

Номер патента: US09583478B1. Автор: Marcelo A. Martinez. Владелец: Silego Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Enhancement-Mode GaN MOSFET with Low Leakage Current and Improved Reliability

Номер патента: US20140094005A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: CN103137697A. Автор: 段孝勤,郑志昌,朱馥钰,柳瑞兴. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103137697B. Автор: 段孝勤,郑志昌,朱馥钰,柳瑞兴. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Manufacturing method of split gate power MOSFET device

Номер патента: CN113078066A. Автор: 张波,马涛,乔明,王正康. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-07-06.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: CN105047697A. Автор: 常虹,哈姆扎·耶尔马兹,李亦衡,马督儿·博德,管灵鹏,金钟五,雷燮光. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-11.

Up-diffusion suppression in a power mosfet

Номер патента: US20220020851A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Up-diffusion suppression in a power MOSFET

Номер патента: US11990515B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20140175536A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Liu Sik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Power mosfet with embedded recessed field plate and methods of fabrication

Номер патента: WO2011133481A3. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

Power mosfet with embedded recessed field plate and methods of fabrication

Номер патента: WO2011133481A2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: WO2023172279A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150162442A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

SPLIT POLY CONNECTION VIA THROUGH-POLY-CONTACT (TPC) IN SPLIT-GATE BASED POWER MOSFETS

Номер патента: US20160329426A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHOD OF MANUFACTURING LV/MV SUPER JUNCTION TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20180358433A1. Автор: Su Yi,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Power mosfets and methods for forming the same

Номер патента: KR101381038B1. Автор: 치 창 청,푸 유 추,류에이 신 리우,시아오 친 투안. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-04.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20210151599A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-20.

Up-diffusion suppression in a power mosfet

Номер патента: US20230106080A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-04-06.

DESIGN AND MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED POWER MOSFETs

Номер патента: US20240128348A1. Автор: Ranbir Singh,Siddarth Sundaresan,JaeHoon PARK. Владелец: GeneSIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Power mosfet and methods of making same

Номер патента: TW200531276A. Автор: Mau-Lam Tommy Lai,Kin-On Johnny Sin,Duc-Quang Chan. Владелец: Kin-On Johnny Sin. Дата публикации: 2005-09-16.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09818829B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-11-14.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09595587B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Trench power MOSFET

Номер патента: US09412844B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

UP-DIFFUSION SUPPRESSION IN A POWER MOSFET

Номер патента: US20220020851A1. Автор: Venkatraman Prasad. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160247914A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

SPLIT POLY CONNECTION VIA THROUGH-POLY-CONTACT (TPC) IN SPLIT-GATE BASED POWER MOSFETS

Номер патента: US20150311295A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-10-29.

Power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US9178041B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-03.

Split poly connection via through-poly-contact (tpc) in split-gate based power mosfets

Номер патента: US20160329426A1. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-10.

Power MOSFET with improved safe operating area

Номер патента: US11888060B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Shield gate power MOSFET device and process for making

Номер патента: CN109148584A. Автор: 颜树范. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-01-04.

Power MOSFET and method of forming and operating same

Номер патента: CN1211863C. Автор: B·J·巴利加. Владелец: Silicon Wireless Corp. Дата публикации: 2005-07-20.

Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Номер патента: WO2012064543A1. Автор: Harmeet Singh. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-18.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20200373426A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

POWER MOSFET AND METHOD FOR PRODUCING A POWER MOSFET

Номер патента: US20180315847A1. Автор: Goerlach Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20210226054A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Current sensing device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: EP3742499A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH PROTECTED SHIELD OXIDE

Номер патента: US20170133473A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,GU YIMING,Xiang Yang,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Ramamoorthy Sekar,Thorup Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SILLICON CARBIDE POWER MOSFET WITH ENHANCED BODY DIODE

Номер патента: US20210305422A1. Автор: Guo Qing,REN NA,SHENG Kuang,ZHU Zhengyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Trench power MOSFET with reduced on-resistance

Номер патента: KR101900843B1. Автор: 크리스토퍼 엘. 렉서,리투 소디. Владелец: 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of forming a power MOSFET with interconnect structure to achieve lower RDSON

Номер патента: US9640638B2. Автор: Samuel J. Anderson,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Gate contact structure for a trench power mosfet with a split gate configuration

Номер патента: US20220320332A1. Автор: Yean Ching Yong,Maurizio Gabriele Castorina,Voon Cheng NGWAN,Ditto ADNAN,Fadhillawati TAHIR,Churn Weng YIM. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Short channel trench power mosfet with low threshold voltage

Номер патента: WO2003094204A3. Автор: Jianjun Cao,Kyle Spring,Devana Cohen. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Short channel trench power mosfet with low threshold voltage

Номер патента: AU2003241353A8. Автор: Jianjun Cao,Kyle Spring,Devana Cohen. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-11-17.

SHORT CHANNEL TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20190035928A1. Автор: Knoll Lars,Minamisawa Renato. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Power MOSFET Having Improved Manufacturability, Low On-Resistance and High Breakdown Voltage

Номер патента: US20180097101A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Trench power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160190264A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

MIRROR DEVICE STRUCTURE FOR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210226054A1. Автор: Li Feng,Qin Ganming,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,KHEMKA VISHNU. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Power mosfet device

Номер патента: US20200203524A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20170288028A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20200373426A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for manufacturing power mosfet

Номер патента: KR101099559B1. Автор: 백기주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-12-28.

Power mosfet and method for forming same using a self-aligned body implant

Номер патента: US20020008284A1. Автор: Jun Zeng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertical normally-on type power MOSFET having a trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3383377B2. Автор: 昇 松田,嘉朗 馬場,諭 柳谷,明彦 大澤,政信 土谷. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Arrangement in a power mosfet

Номер патента: US20020047140A1. Автор: Thomas Moller,Jan Johansson,Nils Ekenstam,Timothy Ballard,Gary Lopes,Michael Peternel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Power MOSFET

Номер патента: US6459142B1. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-01.

Depletion implant for power MOSFET

Номер патента: US20020117687A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-08-29.

Power MOSFET

Номер патента: US8664714B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201624706A. Автор: 許修文. Владелец: 帥群微電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-01.

Manafacturing method for power MOSFET semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US11824113B2. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Power MOSFETs structure

Номер патента: US11967645B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Notch shape of trench gate bottom cornor for better breakdown voltage of power mosfet and igbt with good trade off to ron and ox reliability

Номер патента: US20220320303A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Vertical Power MOSFET and IGBT Fabrication Process with Two Fewer Photomasks

Номер патента: US20110312137A1. Автор: Kyoung Wook SEOK,Vladimir Tsukanov,Jae Yong Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Power MOSFET and method of fabricating the same

Номер патента: TW201027745A. Автор: Hsiu-wen Hsu,Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-16.

Semiconductor process for trench power MOSFET

Номер патента: TW200910466A. Автор: Wei-Chieh Lin,Jen-Hao Yeh,Ming-Jang Lin,Hsin-Yen Chiu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-01.

Method for manufacturing a bond pad arrangement for a vertical power mosfet

Номер патента: EP2965352B1. Автор: Daniel Namishia,Brett Hull,Sarah Kay Haney. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Power mosfet semiconductor

Номер патента: US20160233331A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Walter Rieger,Joachim Krumrey. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-11.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09871134B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Power MOSFET semiconductor

Номер патента: US09793391B2. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Walter Rieger,Joachim Krumrey. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

TRENCH GATE POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190035903A1. Автор: YAN Shufan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

MANUFACTURING METHOD OF TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20170047430A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20190051745A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150270384A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170373180A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Short-channel silicon carbide power mosfet

Номер патента: US8133789B1. Автор: James A. Cooper,Maherin Matin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-03-13.

Power MOSFET

Номер патента: DE19801095B4. Автор: Tihanyi Dr. Jenö. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10269954B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2002001644A2. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2002-01-03.

Power MOSFET device

Номер патента: JP6995187B2. Автор: ▲劉▼磊,▲劉▼▲偉▼,袁▲願▼林,毛振▲東▼,▲きょう▼▲軼▼. Владелец: 蘇州東微半導体股▲ふん▼有限公司. Дата публикации: 2022-01-14.

Multi-level options for power mosfets

Номер патента: CN102760767A. Автор: 托马斯·E·格雷布斯,J·S·普瑞斯. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Termination design for trench superjunction power MOSFET

Номер патента: US10103257B1. Автор: Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Bernhard Grote,Ljubo Radic,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Depletion implant for power MOSFET

Номер патента: US7091080B2. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-15.

Power MOSFET structure and manufacturing method for the same

Номер патента: TW200903806A. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Integrated planar-trench gate power MOSFET

Номер патента: CN115241283A. Автор: 王健,李文军,管灵鹏,陈凌兵. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Short channel trench power mosfet

Номер патента: WO2018002048A1. Автор: Lars Knoll,Renato Minamisawa. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Zheng John Shen,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Distributed power MOSFET

Номер патента: US20040256669A1. Автор: John Lin,Sameer Pendharkar,Steven Merchant,Philip Hower. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

The semiconductor apparatus with planarization surface and its producing method

Номер патента: TW332319B. Автор: Yoshio Hayashide. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-21.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing a substrate provided with different active areas and with planar and three-dimensional transistors

Номер патента: US09558957B2. Автор: François Andrieu,Sebastien Barnola,Jerome Belledent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING A SUBSTRATE PROVIDED WITH DIFFERENT ACTIVE AREAS AND WITH PLANAR AND THREE-DIMENSIONAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130309854A1. Автор: ANDRIEU Francois,BARNOLA Sebastien,BELLEDENT Jerome. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

METHOD OF FORMING A DEVICE WITH PLANAR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS, HIGH VOLTAGE DEVICES AND FINFET LOGIC DEVICES

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO,SUN JACK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A2. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-04-20.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A3. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-07-06.

High density power module

Номер патента: US20220095493A1. Автор: Benoit BLANCHARD ST-JACQUES,Francois Dube,Marc-Antoine Beaupre. Владелец: Dana TM4 Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Packaged Assembly for High Density Power Applications

Номер патента: US20160126177A1. Автор: Ergas Franck. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Packaged assembly for high density power applications

Номер патента: EP3016138A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Cooling of electronics and high density power dissipation systems by fine-mist flooding

Номер патента: US20040250562A1. Автор: Rajani Adiga,Kayyani Adiga,Robert Hatcher. Владелец: Hatcher Robert F.. Дата публикации: 2004-12-16.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Lateral power MOSFET with improved gate design

Номер патента: US6084277A. Автор: Alex B. Djenguerian,Donald R. Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of manufacturing vertical planar power MOSFET and method of manufacturing trench-gate power MOSFET

Номер патента: CN103227113A. Автор: 江口聪司,安孙子雄哉,小暮淳一. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Oxide field trench power mosfet with a multi epitaxial layer substrate configuration

Номер патента: US20230135000A1. Автор: Jianhua JIN,Yean Ching Yong,Voon Cheng NGWAN,Weiyang YAP. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Oxide field trench power mosfet with a multi epitaxial layer substrate configuration

Номер патента: EP4174954A1. Автор: Jianhua JIN,Yean Ching Yong,Voon Cheng NGWAN,Weiyang YAP. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Silicon carbide power MOSFETS having shorting channel and methods of fabrication them

Номер патента: CN1478302A. Автор: ,,M·K·达斯,J·W·帕尔穆尔,A·阿加瓦尔,R·辛,L·A·利普金,柳世衡,�����ս�. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Power mosfet with reduced current leakage and method of fabricating the power mosfet

Номер патента: US20210376061A1. Автор: Yean Ching Yong. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Split gate power MOSFET and split gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: US11862695B2. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20240088247A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Power MOSFET with metal filled deep sinker contact for CSP

Номер патента: US09865718B1. Автор: HONG Yang,Yunlong Liu,Yufei Xiong,Ho Lin,Sheng Zou,Tian Ping LV,Qiu Ling JIA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Power MOSFET, power MOSFET packaged device, and method of manufacturing power MOSFET

Номер патента: TW200427038A. Автор: Kazuya Fukuhara. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Quasi-vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US09818859B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Kun-Hsuan Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

RF power MOSFET device with extended linear region of transconductance characteristic at low drain current

Номер патента: US6064088A. Автор: Pablo Eugenio D'Anna. Владелец: Xemod Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

A power mosfet, a method of forming a power mosfet, and another power mosfet made by the method

Номер патента: KR100773380B1. Автор: 리차드 에이. 블랑차드. Владелец: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-11-06.

High voltage power MOSFET having low on-resistance

Номер патента: CN100463122C. Автор: 理查德·A·布朗夏尔. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

Split-gate trench power mosfet with protected shield oxide

Номер патента: US09865694B2. Автор: Yang Xiang,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Paul Thorup,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Hongyong Xue,Yiming Gu,Lingpeng Guan,Terence Huang,Sekar Ramamoorthy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Split-gate trench power MOSFET with protected shield oxide

Номер патента: US09741808B2. Автор: Yang Xiang,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Paul Thorup,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Hongyong Xue,Yiming Gu,Lingpeng Guan,Terence Huang,Sekar Ramamoorthy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Mosfet isolation structure with planar surface

Номер патента: US5874769A. Автор: Tsiu Chiu Chan,Frank Randolph Bryant. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-02-23.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure Silicide Layer and Low Profile Bump

Номер патента: US20120313147A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103456788B. Автор: 周学良,柳瑞兴,苏柏智,伍震威. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Power MOSFET and method of making same

Номер патента: CN1171318C. Автор: ��¡�A���׶���,理查德·A·布兰查德. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-13.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20220393011A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Split-gate trench power mosfets with protected shield oxide

Номер патента: TWI593108B. Автор: 李亦衡,虹 常,管靈鵬,宏勇 薛,一鳴 顧,向泱,士彰 黃,拉瑪莫西 謝卡爾,李文軍,博德 馬督兒,托魯普 保羅,依瑪茲 哈姆紥. Владелец: 萬國半導體股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-21.

Power MOSFET with improved avalanche stability

Номер патента: EP0586716B1. Автор: Helmut Dipl.-Phys. Hertrich. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-10-22.

High voltage power MOSFET with low on-resistance

Номер патента: JP4511190B2. Автор: ブランチャード、リチャード・エー. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Power mosfet with metal filled deep sinker contact for csp

Номер патента: WO2018000357A1. Автор: HONG Yang,Yunlong Liu,Yufei Xiong,Ho Lin,Tianping Lv,Sheng Zou,Qiuling Jia. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-01-04.

Power MOSFET Having Improved Manufacturability, Low On-Resistance and High Breakdown Voltage

Номер патента: US20180342608A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Split Gate Power MOSFET and Method for Manufacturing The Same

Номер патента: KR102500888B1. Автор: 신현광. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2023-02-17.

High voltage power mosfet having a voltage sustaining region and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: WO2003058684A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: US20020014658A1. Автор: Richard Blanchard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Schottky power MOSFET

Номер патента: US10629723B2. Автор: Jacek Korec,Shuming Xu,Haian Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Bottom-drain LDMOS power MOSFET structure having a top drain strap

Номер патента: US7829947B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-09.

Power MOSFETs manufacturing method

Номер патента: US10269960B2. Автор: Yi-Chun Lin,Alexander Kalnitsky,Shiang-Yu CHEN,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: EP1476895B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-12.

Integration of a sense FET into a discrete power MOSFET

Номер патента: TW200943529A. Автор: YI Su,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-16.

Power MOSFET and method of making same

Номер патента: CN1443372A. Автор: 理查德·A·布兰查德. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-17.

Lateral power MOSFET

Номер патента: EP1306905A3. Автор: Donald Ray Disney,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

The structure of bottom drain LDMOS power MOSFET and preparation method

Номер патента: CN101840934A. Автор: 弗朗索瓦·赫伯特. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Bottom-drain ldmos power mosfet structure having a top drain strap

Номер патента: US20100237416A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-23.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW201729425A. Автор: 林怡君,吳國銘,亞歷山大 克爾尼斯基,陳翔裕. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-08-16.

Low cost dielectric isolation method for integration of vertical power MOSFET and lateral driver devices

Номер патента: US20050161764A1. Автор: Ali Salih,Badredin Fatemizadeh. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Novel structure of power MOSFET

Номер патента: TW200917480A. Автор: Ting-Shing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Vertical power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US09905674B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09793265B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Switching Field Plate Power MOSFET

Номер патента: US20180090490A1. Автор: BAIOCCHI Frank,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Termination Design For Trench Superjunction Power MOSFET

Номер патента: US20190148541A1. Автор: Qin Ganming,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,Grote Bernhard,Radic Ljubo,KHEMKA VISHNU. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20180175168A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SCHOTTKY POWER MOSFET

Номер патента: US20200220007A1. Автор: Korec Jacek,Xu Shuming,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of making power MOSFET and IGBT with optimized on-resistance and breakdown voltage

Номер патента: US6190970B1. Автор: Chungpin Liao,Dar-Chang Juang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2001-02-20.

Silicon carbide power mosfets having a shorting channel and methods of fabricating them

Номер патента: EP1325522B1. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9853148B2. Автор: Yi-Chun Lin,Alexander Kalnitsky,Shiang-Yu CHEN,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: WO2001095398A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-12-13.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: AU5458400A. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-12-28.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: US7224027B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-29.

High voltage power MOSFET having low on-resistance

Номер патента: TWI265633B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: TWI270208B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Process for forming power MOSFET device in float zone, non-epitaxial silicon

Номер патента: US6426248B2. Автор: Richard Francis,Chiu Ng. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-07-30.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US9461163B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

True csp power mosfet based on bottom-source ldmos

Номер патента: US20100163979A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Vertical power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US10170589B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Power MOSFET

Номер патента: JPH0614547B2. Автор: 秀史 伊藤,健明 岡部. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-23.

Power mosfets and methods for manufacturing the same

Номер патента: TWI633670B. Автор: 林怡君,吳國銘,亞歷山大 克爾尼斯基,陳翔裕. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-21.

Power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761464B2. Автор: Yi-Chi Chang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Blanket well counter doping process for high speed/low power MOSFETs

Номер патента: US5963799A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Trench power MOSFET with planarized gate bus

Номер патента: US20040173844A1. Автор: WAI CHAN,Richard Williams,Michael Cornell. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Deep Trench Surrounded MOSFET with Planar MOS Gate

Номер патента: US20200373438A1. Автор: Ho-Yuan Yu,Haiping Dun,Hung-Chen Lin. Владелец: Champion Microelectronic Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Split-gate trench power mosfet with thick poly-to-poly isolation

Номер патента: EP4425567A1. Автор: Vincenzo Enea,Voon Cheng NGWAN,Churn Weng YIM. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Split-gate trench power mosfet with thick poly-to-poly isolation

Номер патента: US20240297240A1. Автор: Vincenzo Enea,Voon Cheng NGWAN,Churn Weng YIM. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: EP4430669A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

POWER MOSFET WITH AN INTEGRATED PSEUDO-SCHOTTKY DIODE IN SOURCE CONTACT TRENCH

Номер патента: US20200020798A1. Автор: DENG Shengling. Владелец: Renesas Electronics America Inc.. Дата публикации: 2020-01-16.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20180076320A1. Автор: Liu Yunlong,Lin Peter,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIU Lark,LV TIANPING,LIN HO. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20170207335A1. Автор: Liu Yunlong,Lin Peter,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIU Lark,LV TIANPING,LIN HO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Trench power MOSFET with reduced gate resistance

Номер патента: US7368353B2. Автор: Robert Montgomery,Jianjun Cao,Paul Harvey,Dave Kent,Hugo Burke,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-06.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: WO2023154636A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Optimized trench power mosfet with integrated schottky diode

Номер патента: TW200531292A. Автор: Christopher L Rexer,Daniel Calafut. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2005-09-16.

DUAL OXIDE TRENCH GATE POWER MOSFET USING OXIDE FILLED TRENCH

Номер патента: US20160099325A1. Автор: Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

VERTICAL POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL AND ITS METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150221731A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

VERTICAL POWER MOSFET INCLUDING PLANAR CHANNEL AND VERTICAL FIELD

Номер патента: US20150221765A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Methods of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20170236910A1. Автор: Hutzler Michael,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,OUVRARD Cedric,Yip Li Juin,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

POWER MOSFET

Номер патента: US20170338309A1. Автор: Liu Chu-Kuang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

P-CHANNEL POWER MOSFET

Номер патента: US20160351703A1. Автор: NAKAZAWA Yoshito,MATSUURA Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL, VERTICAL CURRENT PATH, AND TOP DRAIN ELECTRODE

Номер патента: US20160359029A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Trench power MOSFET

Номер патента: EP2624302A1. Автор: Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: AU2001269878A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Power mosfet and method of forming the same

Номер патента: US20110169076A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Power MOSFET having a trench gate electrode

Номер патента: EP1113501B1. Автор: Anup Bhalla,Jacek Dr. Korec. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

High speed power mosfet

Номер патента: US7459749B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Superjunction power MOSFET

Номер патента: TW200746418A. Автор: Robert W Baird,Fresart Edouard D De,Gan-Ming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-12-16.

Low resistance gate for power MOSFET applications and method of manufacture

Номер патента: TW200739695A. Автор: Fred Session,James Kent Naylor,Sreevatsa Sreekantham,I-Hsiu Ho. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2007-10-16.

Vertical power MOSFET device

Номер патента: US09954055B2. Автор: Masatoshi Arai,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20160035880A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FORMING SHIELD CONTACTS IN A SHIELDED-GATE TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20220310813A1. Автор: Hossain Zia,Padmanabhan Balaji,Chowdhury Sauvik. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20160233331A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-11.

POWER MOSFET DEVICE STRUCTURE FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20160247899A1. Автор: Bhalla Anup,Ng Daniel,LI Tiesheng,Lui Sik K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: KR100850689B1. Автор: 퓨-이완 히시히,군 종 소,얀 맨 츄이. Владелец: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-07.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: WO2001099198A2. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20170236910A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Trench power MOSFET structure with high cell density and fabrication method thereof

Номер патента: TW201241882A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Shield contact layout for power mosfets

Номер патента: EP4295408A1. Автор: Peter A. Burke,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan,Emily M. Linehan,Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor Device with Planar Field Effect Transistor Cell

Номер патента: US20190189742A1. Автор: Andreas Meiser,Christian Kampen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-20.

Power mosfet device with protection against the contaminants and related manufacturing process

Номер патента: US20240258422A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Trench vertical power MOSFET with channel including regions with different concentrations

Номер патента: US11626514B2. Автор: Hiroyuki Kishimoto,Hiroaki Katou. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-11.

Iii-n device with planarized topological structure

Номер патента: US20240213333A1. Автор: Fuchao Wang,Ebenezer Eshun,Jungwoo Joh,Bill Wofford,Jonathan R Garrett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Device Structure and Methods of Forming Superjunction Lateral Power MOSFET with Surrounding LDD

Номер патента: US20150021686A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.,Shea Patrick M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20150145037A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH PROTECTED SHIELD OXIDE

Номер патента: US20160190265A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,GU YIMING,Xiang Yang,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Ramamoorthy Sekar,Thorup Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Power MOSFET with a Deep Source Contact

Номер патента: US20180204917A1. Автор: Song Wei,Liu Yunlong,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIN Haian,LIU Lark,ZHAO ZiQiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Lateral power mosfet with non-horizontal resurf structure

Номер патента: WO2017048541A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hamza Yilmaz,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-03-23.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180130904A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING HIGH VOLTAGE POWER MOSFET

Номер патента: US20160240669A1. Автор: Wei Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL, VERTICAL CURRENT PATH, AND TOP DRAIN ELECTRODE

Номер патента: US20170330962A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

SUPER-JUNCTION POWER MOSFET DEVICE WITH IMPROVED RUGGEDNESS, AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200357918A1. Автор: GRIMALDI Antonio Giuseppe,"CINA Giuseppe",ARCURI Luigi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

SHORT CHANNEL TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20190363166A1. Автор: Knoll Lars,Minamisawa Renato. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Trench power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20220074529A. Автор: 김기현,박현,양창헌,정은식,윤승복. Владелец: 주식회사 예스파워테크닉스. Дата публикации: 2022-06-03.

Power mosfet

Номер патента: JPS6180858A. Автор: Yasuo Maruyama,Tetsuo Iijima,Shigeo Otaka,哲郎 飯島,成雄 大高,丸山　泰男. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-04-24.

High density trench power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TW200418128A. Автор: Lin-Chung Huang,Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Vertical power MOSFET including planar channel

Номер патента: TWM516231U. Автор: 蒲奎,軍 曾,恩達維希 穆罕默德,蘇世宗. Владелец: 馬克斯半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-21.

Trench gate power MOSFET

Номер патента: JPWO2007034547A1. Автор: 俊之 竹森,正人 糸井,祐司 渡辺,一茂 松山,竹森　俊之,渡辺　祐司,史典 笹岡,松山　一茂,邦仁 大島,糸井　正人. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A2. Автор: Anup Bhalla. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

Self-aligned shield structure for realizing high frequency power mosfet devices with improved reliability

Номер патента: WO2000049663A1. Автор: Francois Hebert,Szehim Daniel Ng. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2000-08-24.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: HK1134715A1. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2010-05-07.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: TW200711128A. Автор: Anup Bhalla,Sik K Lui,Daniel S Ng,tie-sheng Li. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-03-16.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: US09806175B2. Автор: Anup Bhalla,Tiesheng Li,Sik K. Lui,Daniel Ng.. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical power mosfet having planar channel and its method of fabrication

Номер патента: US20160027880A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20180047843A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170179280A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170186865A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190252545A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

POWER MOSFETS STRUCTURE

Номер патента: US20210359129A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

POWER MOSFETS STRUCTURE

Номер патента: US20200279948A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Trench power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102413641B1. Автор: 김기현,박현,양창헌,정은식,윤승복. Владелец: 주식회사 예스파워테크닉스. Дата публикации: 2022-06-27.

Power MOSFET device with a gate conductor surrounding source and drain pillars

Номер патента: US8816445B2. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for fabricating a radio frequency power MOSFET device having improved performance characteristics

Номер патента: US6207508B1. Автор: Viren C. Patel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-03-27.

Power mosfet

Номер патента: JPH1074939A. Автор: 崇史 奥戸,Takashi Okuto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Trench gate power mosfet

Номер патента: US20090250750A1. Автор: Yuji Watanabe,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi,Kunihito Oshima. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Power MOSFET and fabricating method thereof

Номер патента: TW201025602A. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A3. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2009-04-16.

Lateral power MOSFET structure and method of manufacture

Номер патента: TW201123445A. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-01.

Field plate trench semiconductor device with planar gate

Номер патента: US09818827B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

METHODS OF FORMING VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELFALIGNED CONTACTS FOR MEMORY DEVICES WITH PLANAR PERIPHERY/ARRAY AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20170243921A1. Автор: Liu Jun,Wells David H.,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Field Plate Trench Semiconductor Device with Planar Gate

Номер патента: US20160300913A1. Автор: Hirler Franz,Siemieniec Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Super junction power MOSFET with two conductive carriers

Номер патента: CN108288649B. Автор: 周喜川,林�智,袁琦,周建林,韩姝,唐枋,胡盛东. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-05.

Power MOSFET with integrated pseudo-Schottky diode in source contact trench

Номер патента: CN110718546A. Автор: 邓盛凌. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide power MOSFET element of arc chord angle U-shaped slot grid structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106910774A. Автор: 袁俊,张敬伟,倪炜江,李明山,牛喜平,徐妙玲,孙安信. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Groove power MOSFET and manufacture method

Номер патента: CN106129105A. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-11-16.

Trench gate power MOSFET and manufacturing method

Номер патента: CN106129105B. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-10.

Process method of groove type power MOSFET device

Номер патента: CN113782589A. Автор: 张雷,郑小东. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-10.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Eric Huang,Ruey-Hsin Liu,Puo-Yu Chiang,Fu-Hsin Chen,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Chyi-Chyuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Bottom source substrateless power mosfet

Номер патента: US20140319601A1. Автор: Ping Huang,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-30.

Trench gate power MOSFET (metal oxide semiconductor filed-effect transistor) device

Номер патента: CN105633137A. Автор: 吴俊峰,张彦辉,马达,尹超,罗小蓉,阮新亮,葛薇薇,吕孟山. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-06-01.

Shielded gate power MOSFET device and method of making same

Номер патента: CN111129157B. Автор: 张子敏,王宇澄. Владелец: Wuxi Xianpupil Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20160064551A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Power MOSFETs with Superior High Frequency Figure-of-Merit and Methods of Forming Same

Номер патента: US20180269322A1. Автор: Baliga Bantval Jayant. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Trench power MOSFET with bidirectional current blocking function

Номер патента: JP2987328B2. Автор: リチャード・ケイ・ウィリアムズ. Владелец: SHIRIKONITSUKUSU Inc. Дата публикации: 1999-12-06.

Bottom source power MOSFET with substrateless and manufacturing method thereof

Номер патента: US8569169B2. Автор: Ping Huang,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-10-29.

Trench-gated power MOSFET with protective diode

Номер патента: TW410479B. Автор: Richard K Williams,Mohamed N Darwish,Wayne B Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2000-11-01.

Deep Trench Surrounded MOSFET with Planar MOS Gate

Номер патента: US20200373438A1. Автор: Yu Ho-Yuan,Dun Haiping,Lin Hung-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power mosfets

Номер патента: US20170069750A9. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

MULTIPLE GATED POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20200091337A1. Автор: TANG Ming,CHIAO Shih Ping. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

POWER MOSFET DEVICE WITH A GATE CONDUCTOR SURROUNDING SOURCE AND DRAIN PILLARS

Номер патента: US20140197475A1. Автор: TANG Ming,CHIAO Shih Ping. Владелец: PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

POWER MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170125576A1. Автор: Lee Yong Won,Hwang Ho Seok,Ahn Sang Hoon,KIM Seung Hyun,Kang Soo Chang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

DUAL OXIDE TRENCH GATE POWER MOSFET USING OXIDE FILLED TRENCH

Номер патента: US20150179750A1. Автор: Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Bidirectional power mosfet structure with a cathode short structure

Номер патента: US20190237571A1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Vishnu K. Khemka,Tanuj SAXENA,Raghu Gupta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

HIGH POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: AR219006A1. Автор: . Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Power mosfet in silicon carbide

Номер патента: KR100271106B1. Автор: 존더블유.팔머. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2000-11-01.

Power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2668887B2. Автор: 輝儀 三原,行雄 平本. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-27.

POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2739493B1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-28.

Dual oxide trench gate power mosfet using oxide filled trench

Номер патента: TWI538063B. Автор: 李亦衡,虹 常,立德 高,馬督兒 博德. Владелец: 萬國半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-11.

Short gate high power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20090140326A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Jan-Olov Svederg. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Process for manufacture of high power mosfet laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide

Номер патента: US4593302B1. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1998-02-03.

Heterojunction power MOSFET and method of making the same

Номер патента: DE19739547B4. Автор: Masakatsu Yokohama Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device for use in a power supply circuit and having a power MOSFET and Schottky barrier diode

Номер патента: US8426910B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

HIGH POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: BR7906338A. Автор: T Herman,A Lidow,V Rumennik. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Power MOSFET

Номер патента: JP3346076B2. Автор: 星　　正勝. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-18.

Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density

Номер патента: US6204533B1. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density

Номер патента: TW486728B. Автор: Richard K Williams,Wayne B Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2002-05-11.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20140197486A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20150145036A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Bidirectional power mosfet structure

Номер патента: EP3462500B1. Автор: Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA,Raghuveer Vankayala Gupta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Termination of super junction power MOSFET

Номер патента: US09698256B2. Автор: Shen-Ping Wang,Jheng-Sheng You,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Che-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power MOSFETs

Номер патента: US09627526B2. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrating schottky diode into power mosfet

Номер патента: US20120280307A1. Автор: YI Su,John Chen,Hong Chang,Daniel Ng,Anup Bhalla,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-11-08.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130228858A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

INTEGRATING SCHOTTKY DIODE INTO POWER MOSFET

Номер патента: US20160005853A1. Автор: Chen John,Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2016-01-07.

BIDIRECTIONAL POWER MOSFET STRUCTURE WITH A CATHODE SHORT STRUCTURE

Номер патента: US20190103484A1. Автор: Qin Ganming,Khemka Vishnu K.,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,Gupta Raghu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140197489A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-17.

POWER INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SERIES-CONNECTED SOURCE SUBSTRATE AND DRAIN SUBSTRATE POWER MOSFETS

Номер патента: US20150145036A1. Автор: Denison Marie,KOCON Christopher Boguslaw,Efland Taylor. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

ASSYMETRIC POLY GATE FOR OPTIMUM TERMINATION DESIGN IN TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20150270383A1. Автор: Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Dong Yongping. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220416079A1. Автор: SHIMOMURA Akihiro,SATO Machiko. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method of fabricating trench gate power MOSFET using sidewall spacer

Номер патента: KR100331032B1. Автор: 조경익,김상기,구진근,남기수. Владелец: 오길록. Дата публикации: 2002-04-06.

Vertical power mosfet having reduced sensitivity to variations in thickness of epitaxial layer

Номер патента: EP0956596A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-11-17.

Semiconductor component, e.g. power MOSFET

Номер патента: DE19640443A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-03.

Integrating Schottky diode into power MOSFET

Номер патента: US8502302B2. Автор: YI Su,John Chen,Hong Chang,Daniel Ng,Anup Bhalla,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-08-06.

High power mosfet type device

Номер патента: PL123961B1. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow,Viadimir Rumennik. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1982-12-31.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power mosfets

Номер патента: US20150270383A1. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Dong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-24.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607B. Автор: 于浩. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607A. Автор: 于浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Power MOSFET circuit including short circuiting means for detecting the potential of the source terminal

Номер патента: US5357157A. Автор: Kraisorn Throngnumchai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-18.

Gate-source protective circuit for a power mosfet

Номер патента: US5172290A. Автор: Ludwig Leipold,Rainald Sander,Jenoe Tihanyi,Roland Weber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Mems chip waveguide technology with planar rf transmission line access

Номер патента: SE1530028A1. Автор: Bauer Tomas. Владелец: Trxmems Ab. Дата публикации: 2016-08-20.

Mems chip waveguide technology with planar rf transmission line access

Номер патента: EP3259229A1. Автор: Tomas Bauer. Владелец: Trxmems Ab. Дата публикации: 2017-12-27.

METHOD FOR FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES AND LIGHT EMITTING DIODE (LED) USING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE (GaN)PILLAR STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES

Номер патента: WO2013099249A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-07-04.

Non-planar metal-insulator-metal tunneling device for sensing and/or generation of elecromagnetic radiation at terahertz, infrared, and optical frequencies and technology of its preparation

Номер патента: WO2010144127A2. Автор: Nikolai Kislov. Владелец: Nikolai Kislov. Дата публикации: 2010-12-16.

Variable threshold voltage complementary MOSFET with SOI structure

Номер патента: US20040262647A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Bidirectional blocking accumulation-mode trench power mosfet

Номер патента: WO1996038862A1. Автор: Richard K. Williams,Shekar S. Mallikarjunaswamy. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 1996-12-05.

Power mosfet device, structures employing the same and methods of fabrication

Номер патента: US20020117716A1. Автор: Prabjit Singh,Steven Mazzuca,Frank Bosco,George Galyon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device having four power MOSFETs constituting H bridge circuit

Номер патента: US5703390A. Автор: Yukio Itoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-30.

Dual channel lateral power MOSFET device with high dielectric constant passivation layer

Номер патента: CN111106178B. Автор: 陈为真,程骏骥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-12-03.

Fin-shaped transverse power MOSFET device with high dielectric constant film

Номер патента: CN111211173B. Автор: 陈为真,林靖杰,程骏骥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-06-01.

Power mosfet with a deep source contact

Номер патента: US20190004201A1. Автор: Wei Song,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Haian Lin,Ziqiang ZHAO,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Power mosfet, semiconductor device including the power mosfet, and method for making the power mosfet

Номер патента: TW200818504A. Автор: Hiroki Maeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Power MOSFET device with enhanced cell design

Номер патента: CN112234095A. Автор: 任娜. Владелец: Jinan Xinghuo Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-01-15.

Low cost power mosfet with current monitoring

Номер патента: WO2006050449A2. Автор: Anup Bhalla,Sik K. Lui. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2006-05-11.

Low cost power mosfet with current monitoring

Номер патента: WO2006050449A9. Автор: Anup Bhalla,Sik K Lui. Владелец: Sik K Lui. Дата публикации: 2006-08-17.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20140284705A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

A kind of shield grid groove power MOSFET structure and preparation method thereof reducing conducting resistance

Номер патента: CN110223919A. Автор: 姜帆,陈利,刘玉山,张军亮,陈译. Владелец: Fujian Jin Xing Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Power MOSFET device and forming method thereof

Номер патента: CN111883494B. Автор: 杨帆,吴罚,唐昭焕,朱克宝. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

LATERAL POWER MOSFET WITH NON-HORIZONTAL RESURF STRUCTURE

Номер патента: US20170077221A1. Автор: Yilmaz Hamza,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20160142018A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Lateral Power MOSFET With Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120205740A9. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada,Gary Dashney,David A. Shumate. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of co-integration of strained-Si and relaxed Si or strained SiGe FETs on insulator with planar and non-planar architectures

Номер патента: US8895381B1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

INTEGRATING SCHOTTKY DIODE INTO POWER MOSFET

Номер патента: US20130309823A1. Автор: Chen John,Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-11-21.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20140110779A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20140191309A1. Автор: TAMAKI Tomohiro,NAKAZAWA Yoshito,EGUCHI Satoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

POWER MOSFET DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20190109225A1. Автор: Stella Cristiano Gianluca,RUSSO Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

BOTTOM SOURCE SUBSTRATELESS POWER MOSFET

Номер патента: US20140319601A1. Автор: Huang Ping,Xue Yan Xun,Ho Yueh-Se. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING HIGH VOLTAGE POWER MOSFET

Номер патента: US20160329396A1. Автор: Wei Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

MODULATED SUPER JUNCTION POWER MOSFET DEVICES

Номер патента: US20150372078A1. Автор: Pattanayak Deva,TORNBLAD Olof. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Power MOSFET

Номер патента: DE4309764C2. Автор: Jenoe Dr Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-01-30.

Power mosfet

Номер патента: JPH1074938A. Автор: 崇史 奥戸,Takashi Okuto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Power mosfet transistor circuit with active clamp

Номер патента: CA2054675A1. Автор: John Manning Savidge Neilson,Frederick Peter Jones,Joseph Andrew Yedinak,Paul Joseph Wodarczyk. Владелец: Paul Joseph Wodarczyk. Дата публикации: 1992-05-07.

Power MOSFET package

Номер патента: US8766431B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Wei-Ming Chen,Yun-Ji Hsieh. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

TAPERED VOLTAGE POLYSILICON DIODE ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT FOR POWER MOSFETS AND ICs

Номер патента: US20080087963A1. Автор: Hamza Yilmaz,Steven Sapp,Daniel Calafut. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Power MOSFET

Номер патента: US5095343A. Автор: Carl F. Wheatley, Jr.,John M. S. Neilson,Stanley J. Klodzinski,Harold R. Ronan, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-03-10.

Modulated super junction power mosfet devices

Номер патента: WO2015199949A1. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2015-12-30.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: WO2003058683A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

전력용 모스전계효과트랜지스터(power mosfet)

Номер патента: KR970054411A. Автор: 김현철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method, IC and display system for power MOSFET integration

Номер патента: TW200824121A. Автор: Jung Kao. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Method for fabricating a high voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: TW200301526A. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: AU2002358312A8. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: AU2002358312A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Bidirectional blocking accumulation-mode trench power mosfet

Номер патента: AU5928196A. Автор: Richard K. Williams,Shekar S. Mallikarjunaswamy. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1996-12-18.

Rugged and fast power mosfet and IGBT

Номер патента: US20030067034A1. Автор: Nathan Zommer,Vladimir Tsukanov. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-04-10.

POWER MOSFET DEVICE STRUCTURE FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20130093001A1. Автор: Bhalla Anup,Ng Daniel,LI Tiesheng,Lui Sik K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

POWER MOSFET PACKAGE

Номер патента: US20130193520A1. Автор: CHEN Wei-Ming,CHANG Shu-Ming,Cheng Chia-Ming,Tsai Chia-Lun,WEN Ying-Nan,NI Ching-Yu,PERNG Baw-Ching,HSIEH Yun-Jui. Владелец: XINTEC INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

POWER MOSFET DEVICES INCLUDING EMBEDDED SCHOTTKY DIODES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150091084A1. Автор: Lee Jung-Ho,Lee Suk-Kyun,YEO In-Ho,Lee Heon-Bok,Oh Sae-Choon. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

SCHOTTKY POWER MOSFET

Номер патента: US20140183622A1. Автор: Korec Jacek,Xu Shuming,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

POWER INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SERIES-CONNECTED SOURCE SUBSTRATE AND DRAIN SUBSTRATE POWER MOSFETS

Номер патента: US20140197486A1. Автор: Denison Marie,KOCON Christopher Boguslaw,Efland Taylor. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-17.

METHOD OF MAKING A LOW-RDSON VERTICAL POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20140225185A1. Автор: Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Lu Jun. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2014-08-14.

MODULATED SUPER JUNCTION POWER MOSFET DEVICES

Номер патента: US20180240869A1. Автор: Pattanayak Deva,TORNBLAD Olof. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

POWER MOSFET HAVING A CONTROL CIRCUIT AND PROTECTION AGAINST CURRENT OVERCURRENTS AND OVER-TEMPERATURES OF THE DIODE BODY

Номер патента: FR2725306A1. Автор: Bruno C Nadd,Talbott M Houk. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-04-05.

Dual epitaxial layer for high voltage vertical conduction power mosfet devices

Номер патента: AU5475100A. Автор: Zhijun Qu,Kenneth Wagers. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2000-12-28.

Vertical power MOSFET having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US6066877A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Power MOSFET and method for fabricating the same

Номер патента: EP0967660A2. Автор: Yuji Ueno,Yoshihiro Mori,Yuji Yamanishi,Seiki Yamaguchi,Satoru Takahashi,Ryuma Hirano,Yoshiaki Hachiya,Seiji Sogo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-12-29.

Power MOSFET

Номер патента: DE4309764A1. Автор: Jenoe Dr Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-09-29.

Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer

Номер патента: US6239463B1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Michael E. Cornell,Wayne Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Power MOSFET package

Номер патента: US8410599B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Yun-Jui Hsieh,Wei-Ming Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Power MOSFET package

Номер патента: TW201041089A. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Yun-Jui Hsieh,Wei-Ming Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2010-11-16.

High power mosfet semiconductor device

Номер патента: CA2441912A1. Автор: Abdul M. ElHatem. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-03-27.

3-terminal power MOSFET switch for synchronous rectifier or voltage clamp

Номер патента: JP5484508B2. Автор: ウィリアムズ、リチャード・ケイ. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Modulated super junction power mosfet devices

Номер патента: EP3158590A1. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Horizontal power MOSFET

Номер патента: JP3301271B2. Автор: 星　　正勝,泰明 早見. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-15.

Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US5665996A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Three-terminal power mosfet switch for use as synchronous rectifier or voltage clamp

Номер патента: KR100334691B1. Автор: 리차드 케이. 윌리암스. Владелец: 실리코닉스 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2002-06-20.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225B1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-04-28.

Power converter for high density power

Номер патента: KR102295096B1. Автор: 최정식,김수용,신덕식,박병철,송성근,오승열,이상택,조주희,차대석,정규창. Владелец: 한국전자기술연구원. Дата публикации: 2021-08-31.

Method and apparatus for high-density power distribution unit with integrated cable management

Номер патента: CA2722504A1. Автор: David Wang,Edward Behrens,Tho Tu. Владелец: Epicenter Inc. Дата публикации: 2009-12-30.

Durable high density power supply

Номер патента: WO2001037353A1. Автор: Neil Oliver,David D. Baggaley,E. Lee Huston,Alexander Jacobs, Iii. Владелец: EVEREADY BATTERY COMPANY, INC.. Дата публикации: 2001-05-25.

Method and apparatus for high-density power distribution unit with integrated cable management

Номер патента: CA2722504C. Автор: David Wang,Edward Behrens,Tho Tu. Владелец: CHATSWORT PRODUCTS Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Packaging techniques for a high-density power converter

Номер патента: US20030174037A1. Автор: Roger Hooey,Drue Nicholson. Владелец: NETPOWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method of etching for integrated circuits with planarized dielectric

Номер патента: US5022958A. Автор: Daniel J. Vitkavage,David P. Favreau,Jane A. Swiderski. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-11.

Power mosfet having superjunction trench and fabrication method thereof

Номер патента: KR101315699B1. Автор: 강동주,윤기창. Владелец: 주식회사 원코아에이. Дата публикации: 2013-10-08.

Method for providing a semiconductor device with planarized contacts

Номер патента: US4708767A. Автор: Thijs W. Bril. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20160027900A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Nvram cell with planar control gate

Номер патента: US20020003254A1. Автор: Randy W. Mann,Joyce E. Molinelli Acocella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20140342518A1. Автор: Wang Peilin,de Fresart Edouard D.,Li Wenyi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-11-20.

Power MOSFET

Номер патента: US20050017299A1. Автор: ZHENG Shen. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20140120669A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

SiC power MOSFET device structure

Номер патента: US5393999A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure to Achieve Lower RDSON

Номер патента: US20130134598A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.,Shea Patrick M.. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

POWER MOSFET EQUIPPED WITH AN ANODIC REGION.

Номер патента: IT8120225D0. Автор: Carl Franklin Wheatley Jr,Hans Werner Becke. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-03-09.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20150044837A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

TERMINATION OF SUPER JUNCTION POWER MOSFET

Номер патента: US20160087034A1. Автор: Lin Che-Yi,YOU Jheng-Sheng,CHEN Lieh-Chuan,CHU Po-Tao,WANG Shen-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

POWER MOSFET EQUIPPED WITH AN ANODIC REGION

Номер патента: IT1194027B. Автор: Carl Franklin Wheatley Jr,Hans Werner Becke. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-08-31.

Fabrication method of self-aligned power mosfet

Номер патента: KR101063924B1. Автор: 김상철,김남균,강인호,주성재,욱 방. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2011-09-14.

Non-volatile logic circuit employing low-power mosfet enabled by non-volatile latched outputs

Номер патента: WO2019005057A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Wide-aperture accelerator with planar electron-optical system

Номер патента: RU2648241C2. Автор: Олег Викторович Комаров,Николай Ильич Казаченко,Сергей Леонидович Косогоров,Владимир Федорович Павлюченков,Николай Александрович Успенский,Валерий Яковлевич Шведюк. Владелец: Акционерное Общество "Нииэфа Им. Д.В. Ефремова". Дата публикации: 2018-03-23.

Keyboards with planar translation mechanism formed from laminated substrates

Номер патента: US09543090B2. Автор: Doug Krumpelman. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Shielding gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: CN106024607A. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Low resistance gate for power mosfet applications and method of manufacture

Номер патента: US20070190728A1. Автор: Fred Session,Ihsiu Ho,James Kent Naylor,Sreevatsa Sreekantham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

SHIELD CONTACT LAYOUT FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20220310802A1. Автор: Burke Peter,Padmanabhan Balaji,Venkatraman Prasad,LINEHAN Emily M.,Loechelt Gary Horst. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having a vertical power MOSFET fabricated in an isolated form on a semiconductor substrate

Номер патента: US5045900A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Semiconductor device fabrication with planar gate interconnect surface

Номер патента: US5563096A. Автор: Andre I. Nasr. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-10-08.

Passivation structure with planar top surfaces

Номер патента: US11817361B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Passivation Structure with Planar Top Surfaces

Номер патента: US20230360992A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103681850A. Автор: 周学良,柳瑞兴,苏柏智,伍震威. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

POWER MOSFET

Номер патента: US20170323800A1. Автор: Chang Yi-Chi. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of producing planar metal-to-metal capacitor for use in integrated circuits

Номер патента: US6069051A. Автор: Hazara S. Rathore,Du B. Nguyen,Richard A. Wachnik,Craig R. Gruszecki,George S. Prokop. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Power MOSFET having trench gate and method for fabricating therefor

Номер патента: KR100524884B1. Автор: 김성한. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160307835A1. Автор: Chang Yi-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Farbrication of a localized thick box with planar oxide/soi interface on bulk silicon substrate for silicon photonics integration

Номер патента: US20130277795A1. Автор: Solomon Assefa,Marwan H. Khater,Yurii A. Vlasov,William M. J. Green. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Multi-component electronic package with planarized embedded-components substrate

Номер патента: WO2008057896A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-05-15.

Integrated circuit packaging system with planarity control and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130099367A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto,Emmanuel Espiritu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

THERMAL PLATE WITH PLANAR THERMAL ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20130269368A1. Автор: Comendant Keith,Gaff Keith William,Ricci Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

MULTIPLE PATTERNING SCHEME INTEGRATION WITH PLANARIZED CUT PATTERNING

Номер патента: US20200066525A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,Peethala Cornelius Brown,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

MULTIPLE PATTERNING SCHEME INTEGRATION WITH PLANARIZED CUT PATTERNING

Номер патента: US20200066526A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,Peethala Cornelius Brown,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Micro-Assembly With Planarized Embedded Microelectronic Dies

Номер патента: US20150228508A1. Автор: Whiting Gregory L.,Lujan Rene A.. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-13.

MULTIPLE PATTERNING SCHEME INTEGRATION WITH PLANARIZED CUT PATTERNING

Номер патента: US20190378718A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,Peethala Cornelius Brown,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

GLASS PACKAGE CORE WITH PLANAR STRUCTURES

Номер патента: US20220406725A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,Kamgaing Telesphor,DOGIAMIS Georgios C.,Strong Veronica,Prabhu Gaunkar Neelam. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20130189819A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

TRENCHED POWER MOSFET WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140120670A1. Автор: YEH Chun-Ying. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-05-01.

Power MOSFET With Enhanced Cell Design

Номер патента: US20220181443A1. Автор: ZUO ZHENG,LI RUIGANG,Yu Xiaotian. Владелец: AZ Power, Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150104917A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140349456A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,LEE Yuan-Ming. Владелец: SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for fabricating power mosfet

Номер патента: TW200614421A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

Vertical Power MOSFET And IGBT Fabrication Process With Two Fewer Photomasks

Номер патента: US20140273357A1. Автор: Seok Kyoung Wook,CHOI Jae Yong,Tsukanov Vladimir. Владелец: IXYS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Layout of power MOSFET

Номер патента: TW201209997A. Автор: Kuo-Chiang Chen,Yen-Yi Chen,Chien-Ping Chou. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Power mosfet with overcurrent and over-temperature protection

Номер патента: GB2291742A. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-01-31.

A kind of power MOSFET inverter modules of high integration

Номер патента: CN107946272A. Автор: 于今,李彦莹,车湖深. Владелец: China Aviation Chongqing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

Power MOSFET wafer level chip-scale package

Номер патента: CN101221915A. Автор: 冯涛,孙明. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-07-16.

CMOS power fet driver including multiple power MOSFET transistors connected in parallel, each carrying an equivalent portion of the total driver current

Номер патента: US5442218A. Автор: Donald M. Bartlett,Ricky F. Bitting,Durbin L. Seidel,James F. Patella. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1995-08-15.

Junction temperature measurement of a power MOSFET

Номер патента: CN103368412A. Автор: S·沃尔兹,C·欧路. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2013-10-23.

Power MOSFET module with gate electrode resistance distribution

Номер патента: CN101582394A. Автор: 刘志宏,沈华,朱翔,胡少华,金晓行,李冯. Владелец: JIAXING STARPOWER MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Display panel with planarization layer and sidewalls

Номер патента: US11527492B2. Автор: Shu-Ting Chang,Pang-Ho JAI,Wen-Chieh Chou. Владелец: AU Optronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Double-chip power MOSFET packaging structure

Номер патента: CN212517178U. Автор: 张开航,马云洋. Владелец: Suzhou Qinlv Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

MOS-gated power semiconductor device having overcurrent and over-temperature protection - has MOSFET which turns off to isolate gate from input voltage and limit current sunk by gate pin, and MOSFET to short power MOSFET gate to its source

Номер патента: DE4429903A1. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1995-03-16.

Planar patterned transparent contact, devices with planar patterned transparent contacts, and/or methods of making the same

Номер патента: EP2727162A1. Автор: Alexey Krasnov,Muhammad Imran,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Planar patterned transparent contact, devices with planar patterned transparent contacts, and/or methods of making the same

Номер патента: EP2727163A1. Автор: Alexey Krasnov,Muhammad Imran,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Design of device layout for integration with power mosfet packaging to achieve better lead wire connections and lower on resistance

Номер патента: US5767567A. Автор: Yung-Chang Hu,Tsuo-Hsin Ma. Владелец: Magemos Corp Taiwan. Дата публикации: 1998-06-16.

Light-emitting semiconductor device with planar structure

Номер патента: US6054726A. Автор: Hiroshi Hamano,Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Power MOSFET with overcurrent and overheating protection.

Номер патента: FR2710191B1. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-12-19.

Power mosfet with overcurrent and over-temperature protection

Номер патента: GB9418179D0. Автор: . Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-10-26.

The manufacture method of the module with planar coil and the module with planar coil

Номер патента: CN102308349B. Автор: 畑濑稔. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-29.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A2. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-07-16.

Power MOSFET Having Selectively Silvered Pads for Clip and Bond Wire Attach

Номер патента: US20140042624A1. Автор: Nathan Zommer. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2014-02-13.

Anti-aging architecture for power mosfet device

Номер патента: US20210074835A1. Автор: Alberto Cattani,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-11.

Surge Protection Circuit for Power MOSFETs used as Active Bypass Diodes in Photovoltaic Solar Power Systems

Номер патента: US20140291721A1. Автор: Robbins Steven Andrew. Владелец: SUNFIELD SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

PROCEDURE TO CONTROL A POWER MOSFET.

Номер патента: ES2349496T3. Автор: Rolf Falliano,Wolfram Breitling,Reinhold Weible,Walter Hersel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-01-04.

Over-voltage protection circuit with Zener diodes for power MOSFET

Номер патента: DE19629056C1. Автор: Gerold Schrittesser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-18.

Anti-aging architecture for power mosfet device

Номер патента: US20210074835A1. Автор: Alberto Cattani,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-11.

JUNCTION TEMPERATURE MEASUREMENT OF A POWER MOSFET

Номер патента: US20130257329A1. Автор: OROU Christoph,Walz Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Power mosfet having voltage-clamped gate

Номер патента: KR100625916B1. Автор: 윌리엄스리차드케이.. Владелец: 실리코닉스 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2006-09-20.

Hybrid power MOSFET

Номер патента: DE19902520B4. Автор: Manfred Bruckmann,Heinz Dr. Mitlehner,Eric Dr. Baudelot,Dietrich Dr. Stephani,Benno Dipl.-Ing. Weis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-10-06.

A stacked-die electronics package with planar and three-dimensional inductor elements

Номер патента: WO2008008587A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-17.

Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Номер патента: US20140047705A1. Автор: Harmeet Singh,Neil Benjamin,Keith Comendant,Keith Gaff. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Номер патента: US20140096909A1. Автор: Harmeet Singh,Neil Benjamin,Keith Comendant,Keith Gaff. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH PLANAR CURRENT BLOCK STRUCTURE

Номер патента: US20140186976A1. Автор: YANG Tsung-Hsien. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SELF-CONTAINED DEVICE WITH PLANAR OVERLAPPING COILS

Номер патента: US20200111605A1. Автор: Chayat Naftali,MAZOR Nadav,WIZENBERG Reut. Владелец: VAYYAR IMAGING LTD.. Дата публикации: 2020-04-09.

ACOUSTIC RESONATOR WITH PLANARIZATION LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150280679A1. Автор: NIKKEL Phil,BADER Stefan,Thalhammer Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Light-emitting diode with planar omni-directional reflector

Номер патента: KR100984887B1. Автор: 이.프레드 슈베르트. Владелец: 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트. Дата публикации: 2010-10-01.

Light-emitting diode with planar omni-directional reflector

Номер патента: US6784462B2. Автор: E. Fred Schubert. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2004-08-31.

Multi-layer high-frequency device with planar antenna and manufacturing process

Номер патента: DE602004003191T2. Автор: Eriko c/o TDK Corporation Ajioka,Hitoyoshi c/o TDK Corporation Kurata,Hideaki c/o TDK Corporation Shimoda,Shigeru C/O Tdk Corporation Asami. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Method and apparatus to form solar cell absorber layers with planar surface

Номер патента: US8323735B2. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Circuit with low DC bias storage capacitors for high density power conversion

Номер патента: US09893604B2. Автор: Robert W. Horst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

High density power converter architecture for localized regulation of power plane

Номер патента: US20230280811A1. Автор: Artin Der Minassians,Gerhard Schrom,David Lidsky,Timothy Alan Phillips,Trey Roessig,Yali Xiong. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Aircraft hybrid propulsion system including cold plate for a high density power converter

Номер патента: US11807381B2. Автор: Krishnamoorthi Sivalingam,Chandana J. GAJANAYAKE,Jeyaraman Kumaravel,Palanisamy Mohan Kumar,Govind PANDEY,Yunzhe Zhai,Divya Bharathi Perumal. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High-Frequency, High Density Power Factor Correction Conversion For Universal Input Grid Interface

Номер патента: US20160006365A1. Автор: Perreault David J.,Afridi Khurram K.,Santiago-Gonzalez Juan A.,Otten David M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

CIRCUIT WITH LOW DC BIAS STORAGE CAPACITORS FOR HIGH DENSITY POWER CONVERSION

Номер патента: US20170025970A1. Автор: Horst Robert Whiting. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

CIRCUIT WITH LOW DC BIAS STORAGE CAPACITORS FOR HIGH DENSITY POWER CONVERSION

Номер патента: US20180109175A1. Автор: Horst Robert W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

CIRCUIT WITH LOW DC BIAS STORAGE CAPACITORS FOR HIGH DENSITY POWER CONVERSION

Номер патента: US20190109533A1. Автор: Horst Robert W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

High density power/lighting panelboard

Номер патента: CA2801073A1. Автор: Steven W. Dozier. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

High-density power supply device for wafer-level processor

Номер патента: CN114980504B. Автор: 张坤,李顺斌,邓庆文,胡守雷. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-11-08.

Heat blanket at high density power

Номер патента: CN103384418A. Автор: 摩根迪·阿图罗,卡西亚·乔治奥. Владелец: Tenacta Group SpA. Дата публикации: 2013-11-06.

High density power distribution unit

Номер патента: US20080266759A1. Автор: John H. Kelly,Naufel C. Naufel,Irena Borucki,Eugene R. Pilat,Markus Tegethoff. Владелец: Emerson Network Power Embedded Computing Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

High density power distribution unit

Номер патента: GB0720732D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

High density power/lighting panelboard

Номер патента: GB2494804B. Автор: Steven W Dozier. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

High density power distribution unit

Номер патента: WO2006107443A2. Автор: John H. Kelly,Naufel C. Naufel,Irena Borucki,Eugene R. Pilat,Markus Tegethoff. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

GaN-BASED SWITCHED-MODE POWER SUPPLY WITH PLANAR TRANSFORMER

Номер патента: WO2024077528A1. Автор: Chao Tang,Yulin Chen,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-18.

GaN-BASED SWITCHED-MODE POWER SUPPLY WITH PLANAR TRANSFORMER

Номер патента: WO2023141976A1. Автор: Chao Tang,Wenjie Lin,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

GaN-BASED SWITCHED-MODE POWER SUPPLY WITH PLANAR TRANSFORMER

Номер патента: US20230246553A1. Автор: Chao Tang,Wenjie Lin,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

GaN-BASED SWITCHED-MODE POWER SUPPLY WITH PLANAR TRANSFORMER

Номер патента: US20240203634A1. Автор: Chao Tang,Wenjie Lin,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Antenna system with planar antenna and directors and methods for use therewith

Номер патента: US20200185837A1. Автор: Giovanni Vannucci,Thomas M. Willis, III,Paul Shala Henry. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2020-06-11.

Electromagnetic components with planar and non-planar conductors

Номер патента: US20240242873A1. Автор: Charles R. Sullivan,Aaron Stein,Phyo Aung Kyaw. Владелец: Resonant Link Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Internal multi-band antenna with planar strip elements

Номер патента: EP1856764A1. Автор: Marko Autti. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-11-21.

Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith

Номер патента: US10312567B2. Автор: Robert Bennett,Farhad Barzegar,Irwin Gerszberg,Donald J. Barnickel,Thomas M. Willis, III,Paul Shala Henry. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-06-04.

Device with planar structure to generate magnetic field

Номер патента: KR20150006762A. Автор: 김기영,송금수,니콜라이 엔. 올리유닌,미하일 엔. 마쿠린. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-01-19.

Multifunction compact planar antenna with planar graded index superstrate lens

Номер патента: WO1999062137A1. Автор: Kamal Sarabandi,Linda P. B. Katehi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 1999-12-02.

Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith.

Номер патента: MX2019004798A. Автор: Bennett Robert,BARZEGAR FARHAD,Gerszberg Irwin,J Barnickel Donald,Shala Henry Paul,M Willis Thomas Iii. Владелец: At & T Ip I Lp. Дата публикации: 2019-12-16.

Internal multi-band antenna with planar strip elements

Номер патента: CA2592522C. Автор: Marko Autti. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-02-21.

Planar coil, and transformer, wireless transmitter, and electromagnet provided with planar coil

Номер патента: EP4030446A4. Автор: Takeshi Muneishi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Devices with planarized connections to coin cell battery

Номер патента: WO2023228056A1. Автор: Mikhail L. Pekurovsky,Shawn C. DODDS,Kevin T. REDDY,Lyudmila A. Pekurovsky,Nicholas T. GABRIEL,Kara A. MEYERS,Saagar A. SHAH,Kayla C. Niccum,Ronald P. Swanson,Joseph B. FARLEY. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2023-11-30.

Electromagnetic components with planar and non-planar conductors

Номер патента: EP4378053A1. Автор: Charles R. Sullivan,Aaron Stein,Phyo Aung Kyaw. Владелец: Resonant Link Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Solid state power amplifier with planar structure

Номер патента: US5838201A. Автор: Franco Nicola Sechi. Владелец: Microwave Power Inc. Дата публикации: 1998-11-17.

WIDE-ACERTURE ACCELERATOR WITH PLANAR ELECTRON-OPTICAL SYSTEM

Номер патента: RU2016135585A. Автор: Олег Викторович Комаров,Николай Ильич Казаченко,Сергей Леонидович Косогоров,Владимир Федорович Павлюченков,Николай Александрович Успенский,Валерий Яковлевич Шведюк. Владелец: Акционерное Общество "Нииэфа Им. Д.В. Ефремова". Дата публикации: 2018-03-02.

Process of manufacture of systems of display with planar screen and of their components

Номер патента: RU2141698C1. Автор: Нэлин Кьюмар,Ченгганг Ксай. Владелец: Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 1999-11-20.

High-speed data link with planar near-field probe

Номер патента: IL246166A0. Автор: . Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2016-07-31.

High-speed data link with planar near-field probe

Номер патента: EP3066715A1. Автор: Donnie S. Coleman. Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

High-speed data link with planar near-field probe

Номер патента: IL246166B. Автор: . Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

High-speed data link with planar near-field probe

Номер патента: US20160336630A1. Автор: Donnie S. Coleman. Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Antenna system with planar dipole antennas and electronic apparatus having the same

Номер патента: US20120062437A1. Автор: Saou-Wen Su,Tzu-Chieh Hung. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

COMPACT FRAMELESS BIPOLAR STACK FOR A MULTICELL ELECTROCHEMICAL REACTOR WITH PLANAR BIPOLAR ELECTRICAL INTERCONNECTS AND INTERNAL DUCTING OF CIRCULATION OF ELECTROLYTE SOLUTIONS THROUGH ALL RESPECTIVE CELL COMPARTMENTS

Номер патента: US20130157097A1. Автор: Kampanatsanyakorn Krisada,Holasut Suradit. Владелец: SQUIRREL HOLDINGS LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

TRANSFORMER WITH PLANAR PRIMARY WINDING

Номер патента: US20130328655A1. Автор: Catalano Robert J.,Stevens David. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

PLUG-THROUGH POWER METER WITH PLANAR PROFILE

Номер патента: US20180003739A1. Автор: Dutta Prabal,DEBRUIN Samuel,GHENA Branden. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VACUUM ELECTRON TUBE WITH PLANAR CATHODE BASED ON NANOTUBES OR NANOWIRES

Номер патента: US20180012723A1. Автор: MAZELLIER Jean-Paul,SABAUT Lucie. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

LAUNCHER WITH PLANAR STRIP ANTENNA AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20180115060A1. Автор: Bennett Robert,BARZEGAR FARHAD,Gerszberg Irwin,Willis,Henry Paul Shala,Barnickel Donald J.,III Thomas M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

ANTENNA SYSTEM WITH PLANAR ANTENNA AND DIRECTORS AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20190131717A1. Автор: Willis,Henry Paul Shala,III Thomas M.,Vannucci Giovanni. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2019-05-02.

ANTENNA SYSTEM WITH PLANAR ANTENNA AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20190131718A1. Автор: Willis,Henry Paul Shala,III Thomas M.,Vannucci Giovanni. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2019-05-02.

ANTENNA SYSTEM WITH PLANAR ANTENNA AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20200144732A1. Автор: Willis,Henry Paul Shala,III Thomas M.,Vannucci Giovanni. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2020-05-07.

ANTENNA SYSTEM WITH PLANAR ANTENNA AND DIRECTORS AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20200185837A1. Автор: Willis,Henry Paul Shala,III Thomas M.,Vannucci Giovanni. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2020-06-11.

KEYBOARDS WITH PLANAR TRANSLATION MECHANISM FORMED FROM LAMINATED SUBSTRATES

Номер патента: US20140311881A1. Автор: Krumpelman Doug. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

ANTENNA WITH PLANAR LOOP ELEMENT

Номер патента: US20140320368A1. Автор: Hubbard Jeffrey Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

LAUNCHER WITH PLANAR STRIP ANTENNA AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20190245267A1. Автор: Bennett Robert,BARZEGAR FARHAD,Gerszberg Irwin,Willis,Henry Paul Shala,Barnickel Donald J.,III Thomas M.. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2019-08-08.

Device with planar structure to generate magnetic field

Номер патента: KR102161308B1. Автор: 김기영,송금수,니콜라이 엔. 올리유닌,미하일 엔. 마쿠린. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-10-05.

Intrinsic element sensing integrated SOA protection for power MOSFET switches

Номер патента: US5737169A. Автор: Jeff C. Sellers. Владелец: ENI Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Transformer coupled gate drive circuit for power MOSFETS

Номер патента: US5019719A. Автор: Ray King. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1991-05-28.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A4. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-10-13.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A3. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Boris S Jacobson. Дата публикации: 2007-12-21.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-01-14.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2007-11-08.

Power distribution unit with planar busbars

Номер патента: US20240208442A1. Автор: Martin Houle,Sylvain Castonguay. Владелец: Dana Heavy Vehicle Systems Group LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Improved intra-frame prediction encoding with planar prediction

Номер патента: RU2696318C1. Автор: Франк Ян БОССЕН,Сандип КАНУМУРИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2019-08-01.

Power MOSFET

Номер патента: US5801572A. Автор: Hidetake Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

COLD PLATE FOR HIGH DENSITY POWER CONVERTER

Номер патента: US20220297848A1. Автор: Sivalingam Krishnamoorthi,GAJANAYAKE Chandana J.,PANDEY Govind,Mohan Kumar Palanisamy,Kumaravel Jeyaraman,Zhai Yunzhe,Bharathi Perumal Divya. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

High density power supply

Номер патента: CN216959666U. Автор: 杜帅林,董慨,郭跃森,孙玮伯. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

System for welding at least two metal parts using a high density power beam

Номер патента: CA2275948C. Автор: Philippe Bezivin,Serge Fanjat,Gauthier Dujardin,Jean-Jacques Tanguy. Владелец: Renault Automation SA. Дата публикации: 2002-02-05.

High-density power source (HDPS) utilizing decay heat and method thereof

Номер патента: US20030179844A1. Автор: Claudio Filippone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Correcting for load resistance when making i-v measurements with constant drain voltage on power mosfets

Номер патента: US20240036101A1. Автор: Alexander N. Pronin,Mary Anne Tupta,Andrew Alan Shetler. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Determination of power mosfet leakage currents

Номер патента: US20200200815A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method and apparatus for calculating the junction temperature of an rf power mosfet

Номер патента: EP3114446A1. Автор: Tao Wang,Keqiu Zeng,Kailas SENAN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-11.

Current sensing for power MOSFETs

Номер патента: US7365559B2. Автор: Roger Colbeck. Владелец: Potentia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Systems and methods for determining parameters of a power MOSFET model

Номер патента: US09984190B1. Автор: Joachim Aurich,Sameer Kher,Shimeng Huang,Torsten Fichtner. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Servo pattern compatible with planarization constraints of patterned media and use of a single master template

Номер патента: US20130010385A1. Автор: Masahito Kobayashi,Keiichiro Nonaka,Kei Yasuna. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-01-10.

Servo pattern compatible with planarization constraints of patterned media and use of a single master template

Номер патента: US20130010384A1. Автор: Masahito Kobayashi,Keiichiro Nonaka,Kei Yasuna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Optical systems and methods using coupling fixtures for aligning optical elements with planar waveguides

Номер патента: EP1387195A3. Автор: Brian Lemoff,William Gong,Richard Paul Tella. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-06-22.

Lithium battery protection chip and control circuit of integrated power MOSFET

Номер патента: CN113162189A. Автор: 朱士强. Владелец: Shenzhen Zhuolang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Organic light-emitting diode displays with planarization layers

Номер патента: EP4192218A3. Автор: HAN Liu,Chia-Hao Chang,Prashant Mandlik,Bhadrinarayana Lalgudi Visweswaran,Hui Lu,Shih Chang Chang,Jean-Pierre Guillou,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Shang-Chih Lin,Tsung-Ting Tsai,David Wei,Jae Won Choi,Ankit Mahajan,Asli Sirman,Takahide Ishii,Ko-Wei CHEN,Cheng-Chih Hsieh,Themistoklis AFENTAKIS,Christopher Glazowski. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Two stage protection circuit for a power MOSFET driving an inductive load

Номер патента: US4860152A. Автор: Douglas B. Osborn. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1989-08-22.

Power MOSFET gate protection circuit for self synchronized rectifier, has MOSFETs with low voltage conduction thresholds that are controlled by their gate-source wiring

Номер патента: FR2826522A1. Автор: Almadidi Diallo,Patrick Ceunebrock. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-12-27.

Planar light circuit and arrangement with planar light circuit

Номер патента: WO2022223414A1. Автор: Jörg Erich SORG,Hubert Halbritter,Ann Russel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-27.

Drop feed line device with planar circuit boards having emitters and receivers

Номер патента: US20210400911A1. Автор: Timothy Glenn King. Владелец: Hog Slat Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Organic light-emitting diode displays with planarization layers

Номер патента: EP4192218A2. Автор: HAN Liu,Chia-Hao Chang,Prashant Mandlik,Bhadrinarayana Lalgudi Visweswaran,Hui Lu,Shih Chang Chang,Jean-Pierre Guillou,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Shang-Chih Lin,Tsung-Ting Tsai,David Wei,Jae Won Choi,Ankit Mahajan,Asli Sirman,Takahide Ishii,Ko-Wei CHEN,Cheng-Chih Hsieh,Themistoklis AFENTAKIS,Christopher Glazowski. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Multi-channel class-d audio amplifier with planar inductors

Номер патента: WO2013028462A1. Автор: Remco Terwal. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2013-02-28.

Planar light circuit and arrangement with planar light circuit

Номер патента: US11825244B2. Автор: Jörg Erich SORG,Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-11-21.

ELECTRONIC DRIVER CIRCUIT FOR AT LEAST ONE POWER MOSFET AND METHOD OPERATING AT LEAST ONE POWER MOSFET

Номер патента: US20200304108A1. Автор: Bondar Henri. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Multi-channel class-d audio amplifier with planar inductors

Номер патента: US20130044895A1. Автор: Remco Terwal. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Wireless power receiver arrangement with planar inductor arrangement and reconfigurable switching network

Номер патента: WO2023222205A1. Автор: Fralett SUAREZ SANDOVAL,Sarai Malinal TORRES DELGADO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate with planarizing coating and method of making same

Номер патента: EP2382054A2. Автор: Brant U. Kolb,Joseph W. V Woody,William B. Kolb. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-11-02.

Multi-channel class-d audio amplifier with planar inductors

Номер патента: EP2745398A1. Автор: Remco Terwal. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

System and method for calibrating variable focal length lens system using calibration object with planar tilted pattern surface

Номер патента: US20200209519A1. Автор: Paul Gerard Gladnick,Vahan Senekerimyan,Dawn Keehnel. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Optical communication device with planar optical waveguide

Номер патента: US20140255043A1. Автор: Kuo-Fong Tseng. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Hybrid pcb with planar antenna

Номер патента: WO2024033240A1. Автор: Henricus Mathijs Maria Creemers. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20130200952A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-08.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20140203870A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-24.

Control circuit for a power mosfet with a load connected to its source

Номер патента: EP0239862B1. Автор: Ludwig Dipl.-Ing. Leipold,Jenö Dr. Tihanyi,Josef Dipl.-Ing. Einzinger,Christine Fellinger,Roland Dipl.-Ing. Weber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-02-07.

Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage

Номер патента: USRE41232E1. Автор: W. Thomas Novak,Andrew J. Hazelton,Akimitsu Ebihara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Improved methods for wire-scribing filament circuit patterns with planar and non-planar portions; improved wire-scribed boards, interconnection cards, and smart cards made by these methods

Номер патента: IL143654A0. Автор: . Владелец: Advanced Interconnection Tech. Дата публикации: 2002-04-21.

Improved methods for wire-scribing flament circuit patterns with planar and non-planar portions, improved wire-scribed boards, interconnection cards, and smart cards made by these methods

Номер патента: CN1330857A. Автор: 雷蒙德·S·克格. Владелец: Advanced Interconnections Corp. Дата публикации: 2002-01-09.

Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode

Номер патента: US20120142169A1. Автор: Yang Dong,WEI Tian,DeXin Wang,Ming Sun,Dimitar V. Dimitrov,Venugopalan Vaithyanathan,Muralikrishnan Balakrishnan,Ivan Petrov Ivanov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Improved methods for wire-scribing filament circuit patterns with planar and non-planar portions; improved wire-scribed boards, interconnection cards, and smart cards made by these methods

Номер патента: WO2000036891A1. Автор: Raymond S. Keogh. Владелец: Advanced Interconnection Technology. Дата публикации: 2000-06-22.

Control circuit of power mosfet

Номер патента: KR200150912Y1. Автор: 허동영. Владелец: 대우전자주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

PROTECTION OF POWER MOSFETS

Номер патента: FR3065340A1. Автор: Julien Berthelot,David Bonneau,William Lapierre,Lucien Le Curieux-Belfond. Владелец: Valeo Systemes Thermiques SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

Auto bias circuit of power amplifier using power MOSFET

Номер патента: KR200247980Y1. Автор: 정귀성. Владелец: 정귀성. Дата публикации: 2001-10-31.

Electronic contactless load switching device esp. for optical proximity switch - uses DC=DC converter controlled by output of switching amplifier and coupled to control electrode of power MOSFET

Номер патента: DE4209396A1. Автор: Reinhard Teichmann,Gerhard Dipl Ing Heilig. Владелец: IFM ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 1993-09-30.

Protection circuit for a power mosfet driving an inductive load

Номер патента: EP0380881A3. Автор: Douglas Bruce Osborn. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1991-06-12.

Circuit arrangement for load current limitation of a power MOSFET

Номер патента: DE59304709D1. Автор: Ludwig Dipl Ing Leipold,Rainald Dipl Ing Sander,Jenoe Dr Dipl Ing Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-01-23.

Gate driving circuit for power mosfet

Номер патента: KR102284186B1. Автор: 이경호,김기현,김형우. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2021-08-02.

Lightning protection for power mosfets

Номер патента: EP4322352A1. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Power mosfet driver and method therefor

Номер патента: HK1092955A1. Автор: Paul J Harriman. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-02-16.

Gate control circuit for prevention of turn-off avalanche of power MOSFETs

Номер патента: US20030169088A1. Автор: Ajit Dubhashi,Shahin Maloyan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-09-11.

Power mosfet driving circuit with transfer curve gate driver and ground shift compensation

Номер патента: US20240348248A1. Автор: Boripann Srivongse. Владелец: Curtis Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Lightning protection for power MOSFETs

Номер патента: US12132471B2. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Power mosfet driving circuit with transfer curve gate driver and ground shift compensation

Номер патента: EP4447309A2. Автор: Boripann Srivongse. Владелец: Curtis Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Transformer coupled power MOSFET switching circuitry - has capacitance-discharge FET coupled via diode to power FET for turn off

Номер патента: DE4035969A1. Автор: Robert Ronft. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-08-01.

Bidirectional current sensing for power mosfets

Номер патента: KR0170404B1. Автор: 이자디니아 만소어. Владелец: 존 지.웨브. Дата публикации: 1999-03-30.

Gate Driving Circuit for Power MOSFETs applied to the higher voltage of power than the Gate Controller

Номер патента: KR100489870B1. Автор: 류태하,장병탁. Владелец: 주식회사 디엠비테크놀로지. Дата публикации: 2005-05-17.

Protection circuit for a power MOSFET

Номер патента: EP0384937A1. Автор: Jenö Dr. Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-09-05.

Protection circuit for a power mosfet driving an inductive load

Номер патента: KR920000681B1. Автор: 브루스 오스본 더글라스. Владелец: 델코 엘렉트로닉스 코오포레이션. Дата публикации: 1992-01-20.

Lightning protection for power mosfets

Номер патента: US20240056069A1. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode

Номер патента: US20120142169A1. Автор: Yang Dong,WEI Tian,DeXin Wang,Ming Sun,Dimitar V. Dimitrov,Venugopalan Vaithyanathan,Muralikrishnan Balakrishnan,Ivan Petrov Ivanov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

FLEXIBLE CIRCUIT BOARD WITH PLANARIZED COVER LAYER STRUCTURE

Номер патента: US20150027751A1. Автор: LIN GWUN-JIN,SU KUO-FU. Владелец: ADVANCED FLEXIBLE CIRCUITS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

OPTICAL COMMUNICATION DEVICE WITH PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20140255043A1. Автор: TSENG KUO-FONG. Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

HANDHELD PIPELINE INSPECTION TOOL WITH PLANAR EXCITATION COIL

Номер патента: US20190219542A1. Автор: Ji Yuan,Lott Paul. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

ACTIVE NOISE CONTROL WITH PLANAR TRANSDUCERS

Номер патента: US20180255394A1. Автор: Colich Dragoslav. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

THREE-PIECE ELECTRONIC VAPING DEVICE WITH PLANAR HEATER

Номер патента: US20180255831A1. Автор: Lipowicz Peter J.,Janardhan Srinivasan,GARTHAFFNER Travis. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Autostereoscopic display with planar pass-through

Номер патента: US20060284974A1. Автор: Mark Feldman,Lenny Lipton,Robert Akka,Jerilynn Schisser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Methods of measuring real-time junction temperature in silicon carbide power mosfet devices using turn-on delay, related circuits, and computer program products

Номер патента: US20210396596A1. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Bhanu Vankayalapati. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of determining operating conditions of silicon carbide power MOSFET devices associated with aging, related circuits and computer program products

Номер патента: US11474145B2. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Enes Ugur. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-10-18.

Fault prediction and health processing method and test system of power MOSFET

Номер патента: CN107315138B. Автор: 吴楷龙,欧东,林成熙. Владелец: Shenzhen Smartind Automation Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-02.

Aerosol-generating device with planar heater

Номер патента: US12075830B2. Автор: Pieter Van Lancker,Louis-Philippe VANCRAEYNEST,Simon DESNERCK. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-09-03.

Radio frequency high-power MOSFET grid drive circuit

Номер патента: CN217643164U. Автор: 周山,唐逸,邵隆标. Владелец: Jiangxi Jiabaile Business Management Group Co ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

Compressible fit earplug with planar insert

Номер патента: EP3840704A1. Автор: Howard S. Leight. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-30.

Lighting fixture with planar-type reflecting structure

Номер патента: US20100309663A1. Автор: Ming-Hong Liao. Владелец: Eiko Pacific Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Automatic storage and retrieval system with planar motion mechanism

Номер патента: US09643782B1. Автор: David R. Hall,Joseph Blanch,Andrew Priddis,Kevin Cheatham,Eimi Priddis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-09.

Container base and lid with planar area for flat application of adhesive membrane

Номер патента: US11858704B2. Автор: Maurice Joseph Paul Tabone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-02.

Container base and lid with planar area for flat application of adhesive membrane

Номер патента: US20240132263A1. Автор: Maurice Joseph Paul Tabone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Turbine nozzle with planar surface adjacent side slash face

Номер патента: US11852018B1. Автор: Jacob John Kittleson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Turbine nozzle with planar surface adjacent side slash face

Номер патента: EP4321732A1. Автор: Jacob John Kittleson. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2024-02-14.

Enhanced defect detection with planar macrocycle dyes in liquid-crystal films

Номер патента: WO2024047398A1. Автор: Nungavaram S. Viswanathan,Jason Reid,Karla G. Gutierrez Cuevas. Владелец: ORBOTECH LTD.. Дата публикации: 2024-03-07.

Enhanced defect detection with planar macrocycle dyes in liquid-crystal films

Номер патента: US12055810B2. Автор: Jason Reid,Karla G. Gutierrez Cuevas,Nungavaram Viswanathan. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Translation device with planar microphone array

Номер патента: EP1464048A4. Автор: Robert Palmquist. Владелец: Speechgear Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Translation device with planar microphone array

Номер патента: EP1464048A1. Автор: Robert Palmquist. Владелец: Speechgear Inc. Дата публикации: 2004-10-06.

Translation device with planar microphone array

Номер патента: AU2002360663A1. Автор: Robert Palmquist. Владелец: Speechgear Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Z magnetic field sensors with planar calibration coils

Номер патента: US12099099B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-24.

Laundry treating appliance door with planar window element and baffle for controlling laundry movement

Номер патента: US09903059B2. Автор: Colin T. Anderson,Michael K. Lindquist,Shannon F. Pipik. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated computational elements with planar waveguide

Номер патента: US09851340B2. Автор: Michael T. Pelletier,Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Nagaraja PAI. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Laundry treating appliance door with planar window element and baffle for controlling laundry movement

Номер патента: US09469931B2. Автор: Colin T. Anderson,Michael K. Lindquist,Shannon F. Pipik. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Coating liquid for forming planarization film and metal foil coil with planarization film

Номер патента: CA2967278A1. Автор: Noriko Yamada,Koichi Nose,Sawako Yamaguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Probes with Planar Unbiased Spring Elements for Electronic Component Contact, Methods for Making Such Probes, and Methods for Using Such Probes

Номер патента: US20240094258A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Probes with Planar Unbiased Spring Elements for Electronic Component Contact, Methods for Making Such Probes, and Methods for Using Such Probes

Номер патента: US20240094257A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact

Номер патента: WO2024086546A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Translation device with planar microphone array

Номер патента: EP1464048B1. Автор: Robert Palmquist. Владелец: Speechgear Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Headlamp assembly with planar heat sink structure

Номер патента: CA2861948C. Автор: Ryan Smith,Timothy Dipenti,Michael Marley,Todd Kolstee. Владелец: Truck Lite Co LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Optically transparent cell cultivation dish with planar electrode

Номер патента: CA1341049C. Автор: Richard Casnig,Leda Raptis. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2000-07-11.

Planarized film-forming application liquid, method for producing planarized film-forming application liquid, metallic foil provided with planarized film, method for producing metallic foil provided with planarized film

Номер патента: WO2020067467A1. Автор: 左和子 山口,裕 関口,山田　紀子. Владелец: 日本製鉄株式会社. Дата публикации: 2020-04-02.

Headlamp assembly with planar heat sink structure

Номер патента: WO2012145056A1. Автор: Ryan Smith,Timothy Dipenti,Michael Marley,Todd Kolstee. Владелец: Truck-Lite Co. Llc. Дата публикации: 2012-10-26.

Aerosol-generating device with planar heating assemblies

Номер патента: WO2024110318A1. Автор: Cristina Ferraz Rigo,Valerio OLIANA,Rui Nuno Rodrigues Alves BATISTA,Semen GURALEVYCH. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2024-05-30.

Probes with Planar Unbiased Spring Elements for Electronic Component Contact, Methods for Making Such Probes, and Methods for Using Such Probes

Номер патента: US20240094256A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact

Номер патента: WO2024086507A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Engine piston assembly with planar pin mounting surface

Номер патента: US5092290A. Автор: Michael D. Bartkowicz. Владелец: Navistar International Transportation Corp. Дата публикации: 1992-03-03.

A radio frequency (rf) assembly with planar resonator

Номер патента: EP4253981A1. Автор: Christian Findeklee,Peter Vernickel,Christoph Günther Leussler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-10-04.

A radio frequency (rf) assembly with planar resonator

Номер патента: WO2023186611A1. Автор: Christian Findeklee,Peter Vernickel,Christoph Günther Leussler. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2023-10-05.

Optical transceiver interface with planar alignment and securing

Номер патента: US20130266261A1. Автор: Jamyuen Ko,Chun Chit LAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Laundry treating appliance door with planar window element and baffle for controlling laundry movement

Номер патента: US20170030001A1. Автор: Colin T. Anderson,Michael K. Lindquist,Shannon F. Pipik. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Integrated computational elements with planar waveguide

Номер патента: EP3194931A1. Автор: Christopher M. Jones,Michael T. Pelletier,David L. Perkins,Nagaraja PAI. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Integrated computational elements with planar waveguide

Номер патента: US20160238585A1. Автор: Michael T. Pelletier,Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Nagaraja PAI. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Enhanced defect detection with planar macrocycle dyes in liquid-crystal films

Номер патента: US20240094576A1. Автор: Jason Reid,Karla G. Gutierrez Cuevas,Nungavaram Viswanathan. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Probes with Planar Unbiased Spring Elements for Electronic Component Contact, Methods for Making Such Probes, and Methods for Using Such Probes

Номер патента: US20240103042A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Wall-Mountable Rack with Planar Plate for Receiving Indicia

Номер патента: US20220047100A1. Автор: Jesse Lee Jaques, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-17.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact

Номер патента: WO2024086505A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Accessory gearbox cover with planar linking member

Номер патента: US20240240592A1. Автор: Louis Brillon,Mateusz KESEK. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Accessory gearbox cover with planar linking member

Номер патента: EP4400705A1. Автор: Louis Brillon,Mateusz KESEK. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact and methods for making such probes

Номер патента: US12066462B2. Автор: Dennis R. Smalley,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Capacitor with planarized bonding for CMOS-MEMS integration

Номер патента: US09493346B2. Автор: Chun-Wen Cheng,Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Yi Heng Tsai,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

POWER MOSFET WITH A DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20190004201A1. Автор: Song Wei,Liu Yunlong,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIN Haian,LIU Lark,ZHAO ZiQiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Coating liquid for forming planarization film and metal foil coil with planarization film

Номер патента: US20170313903A1. Автор: Noriko Yamada,Koichi Nose,Sawako Yamaguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Planar Bidirectional Tape Head With Planar Read And Write Elements

Номер патента: US20080068752A1. Автор: Robert G. Biskeborn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Optical sensor with planar wall

Номер патента: CA2358709C. Автор: Vitold Khvostov. Владелец: Cashcode Co Inc. Дата публикации: 2005-08-02.

Floorcoverings with planarly variable properties

Номер патента: US11851890B2. Автор: Dimitri Zafiroglu,Stephen Tsiarkezos,John Joseph Matthews Rees. Владелец: Engineered Floors LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact

Номер патента: WO2024086506A1. Автор: Dennis R. Smalley,Ming Ting Wu,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Probes with Planar Unbiased Spring Elements for Electronic Component Contact and Methods for Making Such Probes

Номер патента: US20240094255A1. Автор: Dennis R. Smalley,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact

Номер патента: WO2024085933A1. Автор: Dennis R. Smalley,Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Optical sensor with planar wall

Номер патента: US6163034A. Автор: Vitold Khvostov. Владелец: Cashcode Co Inc. Дата публикации: 2000-12-19.

Determination of power mosfet leakage currents

Номер патента: US20200200815A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF MEASURING REAL-TIME JUNCTION TEMPERATURE IN SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES USING TURN-ON DELAY, RELATED CIRCUITS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20210396596A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Vankayalapati Bhanu. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Multiplier and neural network synapse using current mirror having low-power mosfets

Номер патента: US5914868A. Автор: Dae Hwan Kim,Il Song Han,Young Jae Choi. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

METHOD AND APPARATUS FOR CALCULATING THE JUNCTION TEMPERATURE OF AN RF POWER MOSFET

Номер патента: US20170030778A1. Автор: WANG TAO,ZENG KEQIU,SENAN KAILAS. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METHODS OF MONITORING CONDITIONS ASSOCIATED WITH AGING OF SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES IN-SITU, RELATED CIRCUITS AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20200400738A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Ugur Enes,Vankayalapati Bhanu Teja. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

METHODS OF DETERMINING OPERATING CONDITIONS OF SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES ASSOCIATED WITH AGING, RELATED CIRCUITS AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20200408829A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Ugur Enes. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Injection molded prosthetic component with planarized bone-contacting surfaces

Номер патента: US20240207059A1. Автор: Jeffrey A. Rybolt,Rajendra K. Kasinath,David A.B. Smith. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Camera viewer with planar ellipsoidal element

Номер патента: CA998867A. Автор: William T. Plummer. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1976-10-26.

Compact adjustable reclining mechanism for a theater seating unit with planar back drop

Номер патента: US20210353065A1. Автор: Gregory Mark Lawson,Cheston Brett Crawford. Владелец: L&P Property Management Co. Дата публикации: 2021-11-18.

Educational apparatus with planar elements

Номер патента: GB2279487B. Автор: Charles Peter Townsend. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-16.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Leveling rail joints with planar surface oblique support

Номер патента: US09469943B2. Автор: Arturo A. Ortiz Rivas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-18.

Planar metal element and profile element

Номер патента: CA2510755A1. Автор: Kilian Krettenauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

AUTOSTEREOSCOPIC DISPLAY WITH PLANAR PASS-THROUGH

Номер патента: US20130088487A1. Автор: Lipton Lenny,Akka Robert,Schisser Jerilynn,Feldman Mark H.. Владелец: REALD INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Laundry treating appliance door with planar window element and baffle for controlling laundry movement

Номер патента: US20130160501A1. Автор: Colin T. Anderson,Michael K. Lindquist,Shannon F. Pipik. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Optical transceiver interface with planar alignment and securing

Номер патента: US20130266261A1. Автор: Jamyuen Ko,Chun Chit LAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

CAPACITOR WITH PLANARIZED BONDING FOR CMOS-MEMS INTEGRATION

Номер патента: US20160031704A1. Автор: Cheng Chun-Wen,Cheng Chun-Ren,Tsai Yi Heng,CHANG Yi-Hsien,Wu Tzu-Heng,Shen Wei-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Wall-Mountable Rack with Planar Plate for Receiving Indicia

Номер патента: US20220047100A1. Автор: Jr. Jesse Lee,Jaques. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

LAUNDRY TREATING APPLIANCE DOOR WITH PLANAR WINDOW ELEMENT AND BAFFLE FOR CONTROLLING LAUNDRY MOVEMENT

Номер патента: US20170030001A1. Автор: ANDERSON COLIN T.,LINDQUIST MICHAEL K.,PIPIK SHANNON F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

CONFIGURABLE, LOCALIZED BACKLIGHTING WITH PLANAR EMISSION DEVICES

Номер патента: US20160063929A1. Автор: Huang Jiandong,Bathiche Steven Nabil,Zheng Ying,Bell Cynthia Sue,Rao Linghui,Woo Kevin Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Container Base and Lid with Planar Area for Flat Application of Adhesive Membrane

Номер патента: US20220135298A1. Автор: Tabone Maurice Joseph Paul. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

COMPACT ADJUSTABLE RECLINING MECHANISM FOR A THEATER SEATING UNIT WITH PLANAR BACK DROP

Номер патента: US20220175139A1. Автор: LAWSON GREGORY MARK,Crawford Cheston Brett. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

ELECTROPHORESIS APPARATUS WITH PLANAR ELECTRODE CONTACT SURFACES

Номер патента: US20200158686A1. Автор: SPENCER Jeffrey Allen,GARSEE Henry Alfred. Владелец: HELENA LABORATORIES CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-21.

Slotted tube with planar steering

Номер патента: US20170203076A1. Автор: Joel T. Eggert,Brian J. Hanson,Jonathan P. FETTIG,David D. Groneberg,Andrew Thomas Marecki. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

AEROSOL-GENERATING DEVICE WITH PLANAR HEATER

Номер патента: US20210251289A1. Автор: DESNERCK Simon,VANCRAEYNEST Louis-Philippe,VAN LANCKER Pieter. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2021-08-19.

Container base and lid with planar area for flat application of adhesive membrane

Номер патента: US20190218003A1. Автор: Maurice Joseph Paul Tabone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-18.

INTEGRATED COMPUTATIONAL ELEMENTS WITH PLANAR WAVEGUIDE

Номер патента: US20160238585A1. Автор: Pelletier Michael T.,Jones Christopher Michael,Perkins David L.,PAI Nagaraja. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

LEVELING RAIL JOINTS WITH PLANAR SURFACE OBLIQUE SUPPORT

Номер патента: US20140326799A1. Автор: Ortiz Rivas Arturo A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

ULTRAVIOLET REACTOR WITH PLANAR LIGHT SOURCE

Номер патента: US20170240437A1. Автор: Krause Norbert,Stewart Matthew,Flynn Christopher,Duvall Steven,Hiscocks Mark. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

SEALED FLUID CHAMBER WITH PLANARIZATION FOR BIOMOLECULAR SENSORS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200249225A1. Автор: Mohanty Pritiraj. Владелец: FemtoDx. Дата публикации: 2020-08-06.

Compressible Fit Earplug With Planar Insert

Номер патента: US20210386591A1. Автор: Leight Howard S.. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Compressible Fit Earplug With Planar Insert

Номер патента: US20200276054A1. Автор: Leight Howard S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

CLAMPING DEVICE WITH PLANAR CONTACT

Номер патента: US20200316755A1. Автор: Weber Jurgen. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

CONTAINER BASE AND LID WITH PLANAR AREA FOR FLAT APPLICATION OF ADHESIVE MEMBRANE

Номер патента: US20170341833A1. Автор: Tabone Maurice Joseph Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

VERTICAL SELECTOR FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY WITH PLANAR MEMORY CELLS

Номер патента: US20180366171A1. Автор: Li Shaoping. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Micro-electromechanical die module with planarized thick film layer

Номер патента: US5665249A. Автор: Cathie J. Burke,William G. Hawkins,Herman A. Hermanson,Michael C. Ferringer,Almon P. Fisher,Diane Atkinson. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Autostereoscopic lens sheet with planar areas

Номер патента: US7088515B2. Автор: Lenny Lipton. Владелец: Stereographics Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Autostereoscopic lens sheet with planar areas

Номер патента: US20050286133A1. Автор: Lenny Lipton. Владелец: STEREOGRAPHICS ENTERTAINMENT Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Extrusion Head With Planarized Edge Surface

Номер патента: US20080099952A1. Автор: David K. Fork,Thomas S. Zimmermann. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Autostereoscopic lens sheet with planar areas

Номер патента: KR101290839B1. Автор: 레니 립튼. Владелец: 스테레오그래픽스 코포레이션. Дата публикации: 2013-07-29.

Curved tomography X-ray equipment with planar tomography function

Номер патента: JP3149268B2. Автор: 恵介 森,健司 楠,正則 大塚,克三 中野,英一 新井,隆弘 吉村. Владелец: J Morita Manufaturing Corp. Дата публикации: 2001-03-26.

Joint with planar connector member

Номер патента: US3469873A. Автор: Emanuel Michael Glaros. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-09-30.

Extrusion head with planarized edge surface

Номер патента: US7780812B2. Автор: David K. Fork,Thomas S. Zimmerman. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Fluidic device with planar coupling member

Номер патента: GB2470678B. Автор: Martin Baeuerle,Jochen Mueller,Konstantin Choikhet,Klaus Witt. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-07-10.

Fluidic device with planar coupling member

Номер патента: CN101990466B. Автор: 马丁·博伊尔勒,约亨·穆勒尔,康斯坦丁·乔伊海特,克劳斯·威特. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2015-04-29.

Fluidic device with planar coupling member

Номер патента: US20110023976A1. Автор: Martin Baeuerle,Jochen Mueller,Konstantin Choikhet,Klaus Witt. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Fluidic device with planar coupling member

Номер патента: CN101990466A. Автор: 马丁·博伊尔勒,约亨·穆勒尔,康斯坦丁·乔伊海特,克劳斯·威特. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2011-03-23.

High density power transistor with punch through prevention, reduced JEFT resistance and high switching speed manufactured by simplified process

Номер патента: TW418536B. Автор: Yan-Man Tsui,Fwu-Iuan Shieh. Владелец: Magepower Taiwan Corp. Дата публикации: 2001-01-11.

POWER DISTRIBUTION UNIT AND METHOD OF DISTRIBUTING HIGH DENSITY POWER

Номер патента: US20120235496A1. Автор: Wavering Jeffrey T.,Krenz Michael,Seger Mark J.,Zwiefelhofer Donald A.,Vaziri Massoud. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

COOLING SYSTEM FOR A HIGH DENSITY POWER MOTOR, IN PARTICULAR AN AXIAL-FLUX MOTOR

Номер патента: US20120161554A1. Автор: Parenti Riccardo,Ghelardi Gian Paolo,Costa Giancarlo,Canepa Giuseppe,Mazzieri Claudio,Martino Adolfo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

High-density power module device

Номер патента: CN202522995U. Автор: 罗嗣恒,滕学军. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2012-11-07.

Dual cabinet high density power distribution unit

Номер патента: USD1028914S1. Автор: Christopher Alan Belcastro,Gilbert Taylor Miller. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-05-28.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power MOSFET and MOSFET driver combined IC package

Номер патента: CN218939682U. Автор: 张海峰. Владелец: Shanghai Haixin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Method for implanting intraocular lens with planar haptic part

Номер патента: RU2408339C1. Автор: Сергей Леонидович Кузнецов,Христо Периклович Тахчиди. Владелец: Сергей Леонидович Кузнецов. Дата публикации: 2011-01-10.

一种改善Power MOSFET Split Gate产品漏电的方法及SGT Power MOSFET

Номер патента: CN118824854A. Автор: 吴栋华,郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of making prismatic containers with planar gable surfaces without lateral ears

Номер патента: CA1280310C. Автор: Franca Branchi. Владелец: Italpack SpA. Дата публикации: 1991-02-19.

Mosfet with reduced leakage current

Номер патента: WO1996025762A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-11-07.

High-power MOSFET driving circuit

Номер патента: CN103715871A. Автор: 李栋,王玉龙,孙小龙,冷宇. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-04-09.

Power MOSFET health state assessment and residual life prediction method

Номер патента: CN103675637A. Автор: 孙权,姜媛媛,吴祎,王友仁. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2014-03-26.

Avalanche energy tester of power MOSFET device

Номер патента: CN101750539A. Автор: 李志强. Владелец: XIAN TESEMI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Lithium battery protection circuit based on power MOSFET

Номер патента: CN212627252U. Автор: 谢凯凯. Владелец: Shenzhen Haolin Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

Power MOSFET device

Номер патента: CN107611124B. Автор: 王飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

High-low-junction-based majority-carrier conductivity-modulated power MOSFET device

Номер патента: CN203481241U. Автор: 王立模. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-12.

High-power MOSFET driver

Номер патента: CN202503492U. Автор: 淡博,李金录. Владелец: Harbin Zhimu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

The test device of power MOSFET device conducting resistance and output capacitance based on attenuation oscillasion impulse

Номер патента: CN109917192A. Автор: 吴建德,何湘宁,程泽乾,徐晓筱,胡兴懿. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-06-21.

Groove type high-power MOSFET device

Номер патента: CN218351450U. Автор: 王明明. Владелец: Jiangsu Donghai Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

A power MOSFET driving circuit

Номер патента: CN101056047A. Автор: 高峰,于芳,刘忠立,李春寄. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2007-10-17.

Power MOSFET device on-resistance and output capacitance testing device based on damped oscillation wave

Номер патента: CN109917192B. Автор: 吴建德,何湘宁,程泽乾,徐晓筱,胡兴懿. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-09-29.

POWER MOSFET WITH INTEGRATED GATE RESISTOR AND DIODE-CONNECTED MOSFET

Номер патента: US20130009253A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-10.

Power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) trench terminal structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103295911A. Автор: 王新. Владелец: CHENGDU PROMISING-CHIP ELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

A kind of small-power MOSFET overcurrent protection detection circuits

Номер патента: CN207706148U. Автор: 刘波,汤小平,聂天适. Владелец: Cleanergy Dechuang Electrical Technology (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

A method for manufacturing a trench power MOSFET with a low gate electrode capacitance

Номер патента: TW200511440A. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Method of producing high power MOSFET with low pinch-off resistance

Номер патента: TWI224853B. Автор: Lin-Chung Huang,Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2004-12-01.

Shielding grid power MOSFET

Номер патента: CN217903127U. Автор: 白羽. Владелец: Yangjie Technology Wuxi Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

High-voltage-resistant shielding grid power MOSFET chip

Номер патента: CN210467853U. Автор: 陆怀谷. Владелец: Shenzhen Goford Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Groove type power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) device

Номер патента: CN102184941A. Автор: 张波,李泽宏,邓小川,王元刚,罗小蓉,雷天飞,胡夏融,姚国亮. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-14.

A kind of power MOSFET Anti-shock test device

Номер патента: CN206523592U. Автор: 李福全. Владелец: XI'AN HOOYI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

BOTTOM SOURCE POWER MOSFET WITH SUBSTRATELESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120032259A1. Автор: Huang Ping,Xue Yan Xun,Ho Yueh-Se. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

Trench Power MOSFET With Reduced On-Resistance

Номер патента: US20120187474A1. Автор: Rexer Christopher L.,Sodhi Ritu. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

Lateral Power MOSFET With Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120205740A9. Автор: . Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure Silicide Layer and Low Profile Bump

Номер патента: US20120313147A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

TRENCHED POWER MOSFET WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140042534A1. Автор: YEH Chun-Ying. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-02-13.

Power MOSFET with overcurrent protection function

Номер патента: JPH07120221B2. Автор: トロンナムチャイ クライソン. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-20.

A method for manufacturing a trench power MOSFET with a low gate electrode capacitance

Номер патента: TWI239570B. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2005-09-11.

METHOD FOR MANUFACTURING MODULE WITH PLANAR COIL, AND MODULE WITH PLANAR COIL

Номер патента: US20130002042A1. Автор: HATASE Minoru. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

PLANAR PATTERNED TRANSPARENT CONTACT, DEVICES WITH PLANAR PATTERNED TRANSPARENT CONTACTS, AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20130005135A1. Автор: Imran Muhammad,KRASNOV Alexey,den Boer Willem. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2013-01-03.

CMOS STRUCTURE INCLUDING NON-PLANAR HYBRID ORIENTATION SUBSTRATE WITH PLANAR GATE ELECTRODES & METHOD FOR FABRICATION

Номер патента: US20120199910A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-09.

PLANAR PATTERNED TRANSPARENT CONTACT, DEVICES WITH PLANAR PATTERNED TRANSPARENT CONTACTS, AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20130004678A1. Автор: . Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2013-01-03.

Power MOSFET and Its Edge Termination

Номер патента: US20120043602A1. Автор: Zeng Jun,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

LAYOUT OF POWER MOSFET

Номер патента: US20120119305A1. Автор: . Владелец: FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

Power MOSFET Having a Strained Channel in a Semiconductor Heterostructure on Metal Substrate

Номер патента: US20120196414A1. Автор: WANG Qi,Sharp Joelle,Ngai Tat. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE WITH HIGH CELL DENSITY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120256258A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-10-11.

MULTI-LEVEL OPTIONS FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20120267711A1. Автор: Grebs Thomas E.,Preece Jayson S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

DOUBLE LAYER METAL (DLM) POWER MOSFET

Номер патента: US20120267714A1. Автор: Yedinak Joseph A.,Rexer Christopher L.,Kinzer Dan,Sodhi Ritu,RINEHIMER Mark L.,Session Fred,Dikshit Rohit,Gruenhagen Michael D.,Petersen Tracie. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE WITH HIGH SWITCHING SPEED AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120299109A1. Автор: . Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-11-29.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20130037852A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD OF MAKING A LOW-RDSON VERTICAL POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20130049100A1. Автор: Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Lu Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

METHOD OF FORMING AN ASSYMETRIC POLY GATE FOR OPTIMUM TERMINATION DESIGN IN TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20130228857A1. Автор: Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Ding Yongping. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-09-05.

POWER MOSFET

Номер патента: US20130248986A1. Автор: Liu Chu-Kuang. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

TRENCH POWER MOSFET AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292761A1. Автор: YEH CHUN YING,LEE YUAN MING. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2013-11-07.

POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130299898A1. Автор: Wang Peilin,de Fresart Edouard D.,Li Wenyi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Okada David N.,Shea Patrick M.,Shen Zheng John. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130320430A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130320431A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20130320435A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Novel Metal/Polysilicon Gate Trench Power Mosfet

Номер патента: US20140015037A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

POWER MOSFET CURRENT SENSE STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20140070313A1. Автор: Wang Peilin,Chen Jingjing,de Fresart Edouard D.,Ku Pon Sung,Li Wenyi,Qin Ganming. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Switching circuit using power MOSFET

Номер патента: JP3172261B2. Автор: 厚 大津,貞夫 篠原. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-04.

Method and apparatus for switching control of power MOSFET

Номер патента: JP5974989B2. Автор: 洋明 加藤,悟士 山本,卓矢 山本. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Power mosfet drive circuit

Номер патента: JPS6165523A. Автор: Jiyunichirou Kikunaga,喜久永　順一郎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-04.

Integration of sense FET into discrete power MOSFET

Номер патента: TW201209996A. Автор: Bhalla Anup,YI Su. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-03-01.

Power MOSFET and insulated gate bipolar transistor having optimal conducting resistance and breakdown voltage

Номер патента: TW441010B. Автор: Jung-Bin Liau,Da-Chang Juang,Technology Research Industrial. Владелец: Present Inv Describes A Power. Дата публикации: 2001-06-16.

Method of fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW584965B. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2004-04-21.

Power MOSFET diode

Номер патента: TW200840058A. Автор: Chao-Cheng Lu. Владелец: Chao-Cheng Lu. Дата публикации: 2008-10-01.

Method of fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW200418177A. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Power MOSFET on silicon-on-insulator and method thereof

Номер патента: TW554466B. Автор: Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2003-09-21.

Power MOSFET apparatus with trench type technology low conducting resistance value obtained by using planar type technology under the same device area and its manufacturing method

Номер патента: TW477072B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TWI268610B. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Tech Inc. Дата публикации: 2006-12-11.

Power mosfet diode

Номер патента: TWI371107B. Автор: Chao Cheng Lu. Владелец: Chao Cheng Lu. Дата публикации: 2012-08-21.

A power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TWI256080B. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2006-06-01.

Trench power MOSFET structure with high switch speed and fabrication method thereof

Номер патента: TW201241883A. Автор: Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: AU2001268174A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-08.

Dual epitaxial layer for high voltage vertical conduction power MOSFET devices

Номер патента: TW533511B. Автор: Zhijun Qu,Kenneth Wagers. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

The high switching speed of the power MOSFET by changing the poly structure

Номер патента: TW533487B. Автор: Feng-Tzuo Jian,Gau-Wei Tu,Shr-Tzung Su,Jeng-Huei Dung,Ming-Chin Li. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Power MOSFET apparatus with the capability of decreasing conduction resistance value as well as increasing anti-avalanche breakdown current and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW466766B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Power MOSFET apparatus with low conducting resistance value and its manufacturing method

Номер патента: TW477073B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW200638541A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Trench power MOSFET and method thereof

Номер патента: TW200419801A. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

A power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TW200512813A. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Trench power MOSFET array and fabrication method thereof

Номер патента: TW201234430A. Автор: Lin-Chung Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Power MOSFET device with mixing structure

Номер патента: TWI245420B. Автор: Lin-Chung Huang,Ko-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2005-12-11.

Improved structure of trench-type power MOSFET and its manufacturing method

Номер патента: TW462082B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Planar power MOSFET apparatus with super low resistance value and its manufacturing method

Номер патента: TW477071B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Power MOSFET device with mixing structure

Номер патента: TW200612555A. Автор: Lin-Chung Huang,Ko-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-16.

Power MOSFET Device with Self-Aligned Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120292692A1. Автор: Chen John,Lee Yeeheng,Ding Yongping. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

CLOSED CELL TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD TO FABRICATE THE SAME

Номер патента: US20120295411A1. Автор: HSU HSIU WEN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-11-22.

POWER MOSFET CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20130040457A1. Автор: TERRILL Kyle,Wong Ronald,Qi Jason,Chen Kuo-In. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2013-02-14.

Quasi-Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130049108A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Tien Kun-Hsuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-28.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130134512A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,TUAN Hsiao-Chin,CHU Fu-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet

Номер патента: US20130313640A1. Автор: Okada David N.,Shea Patrick M.,Shen Zheng John. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130320432A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130320437A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Thermionic electricity generating assembly with planar-cylindrical configuration of electrode

Номер патента: RU2074453C1. Автор: В.В. Синявский. Владелец: Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева. Дата публикации: 1997-02-27.

Power MOSFET driver circuit

Номер патента: JP2605181B2. Автор: 俊哉 中野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-30.

A process for manufacturing a vertical power MOSFET

Номер патента: TWI237331B. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Trench type power MOSFET device with reduced epitaxy layer resistance value and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW480720B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

A process for manufacturing a vertical power MOSFET

Номер патента: TW200607022A. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Assembly apparatus with planar and three-dimensional display interface

Номер патента: TWM436576U. Автор: jia-hong Hou. Владелец: Ching Horng Printing Entpr Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-01.

Fabrication of the glucose microsensors with planar electrodes

Номер патента: TW200916777A. Автор: Jian-Yang Lin,Pai-Yu Chang. Владелец: Univ Nat Yunlin Sci & Tech. Дата публикации: 2009-04-16.

Refrigeration apparatus with planar type condenser having cooling airflow directed parallel to the condenser plane and then directed to door to alleviate condensation

Номер патента: NZ329931A. Автор: John Henry Orford. Владелец: ORFORD Pty Ltd. Дата публикации: 1999-08-30.

Lamp with planar reflection structure

Номер патента: TWM372425U. Автор: Ming-Hong Liao. Владелец: Eiko Pacific Ltd. Дата публикации: 2010-01-11.

Aerial system with planar intermediate reflector

Номер патента: CA785413A. Автор: Wales Michael. Владелец: Canadian Marconi Co. Дата публикации: 1968-05-14.

NON-CONTACT CHARGING STATION WITH PLANAR SPIRAL POWER TRANSMISSION COIL AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120098486A1. Автор: Jung Chun-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

HEATING PLATE WITH PLANAR HEATER ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20120115254A1. Автор: Singh Harmeet. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

PROGRAMMABLE METALLIZATION MEMORY CELL WITH PLANARIZED SILVER ELECTRODE

Номер патента: US20120138884A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC.. Дата публикации: 2012-06-07.

LEVELED TOUCHSURFACE WITH PLANAR TRANSLATIONAL RESPONSIVENESS TO VERTICAL TRAVEL

Номер патента: US20120169603A1. Автор: . Владелец: PACINIAN CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

METHODS OF FORMING VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS FOR MEMORY DEVICES WITH PLANAR PERIPHERY/ARRAY AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20120248529A1. Автор: Liu Jun,Wells David H.,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

LEVELED TOUCHSURFACE WITH PLANAR TRANSLATIONAL RESPONSIVENESS TO VERTICAL TRAVEL

Номер патента: US20120268384A1. Автор: Krumpelman Douglas M.,Peterson Cody G.. Владелец: PACINIAN CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

Moving-Magnet Electromagnetic Device with Planar Coil

Номер патента: US20120294474A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

SERVO PATTERN COMPATIBLE WITH PLANARIZATION CONSTRAINTS OF PATTERNED MEDIA AND USE OF A SINGLE MASTER TEMPLATE

Номер патента: US20130010385A1. Автор: Nonaka Keiichiro,Yasuna Kei,Kobayashi Masahito. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

MULTI-CHANNEL CLASS-D AUDIO AMPLIFIER WITH PLANAR INDUCTORS

Номер патента: US20130044895A1. Автор: Terwal Remco. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2013-02-21.

THERMAL PLATE WITH PLANAR THERMAL ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20130072035A1. Автор: Comendant Keith,Gaff Keith William,Ricci Anthony. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

LIQUID EJECTION DEVICE WITH PLANARIZED NOZZLE PLATE

Номер патента: US20130083126A1. Автор: Zhang Weibin,Lebens John Andrew,DOKYI EMMANUEL K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Method for Fabricating Three-Dimensional Gallium Nitride Structures with Planar Surfaces

Номер патента: US20130161643A1. Автор: Schuele Paul J.,Crowder Mark Albert,Zhan Changqing. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

LAUNDRY TREATING APPLIANCE DOOR WITH PLANAR WINDOW ELEMENT AND PROJECTION

Номер патента: US20130276322A1. Автор: ANDERSON COLIN T.,LINDQUIST MICHAEL K.,MESSERSMITH Robert J.. Владелец: WHIRLPOOL CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

FARBRICATION OF A LOCALIZED THICK BOX WITH PLANAR OXIDE/SOI INTERFACE ON BULK SILICON SUBSTRATE FOR SILICON PHOTONICS INTEGRATION

Номер патента: US20130277795A1. Автор: Vlasov Yurii A.,Assefa Solomon,Khater Marwan H.,Green William M. J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

Automatic machine for grinding and testing parts with planar surface

Номер патента: SU1281388A1. Автор: Юрий Иванович Артемов,Владимир Константинович Люкшин. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Сборочного Оборудования. Дата публикации: 1987-01-07.

Membrane apparatus with planar filtering elements

Номер патента: SU1745284A1. Автор: Виктор Иванович Коновалов,Сергей Иванович Лазарев,Виктор Борисович Коробов. Владелец: Тамбовский институт химического машиностроения. Дата публикации: 1992-07-07.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.