Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Bidirectional blocking accumulation-mode trench power mosfet

Bidirectional blocking accumulation-mode trench power mosfet

Номер патента: WO1996038862A1
Опубликовано: 05-12-1996
Автор(ы): Richard K. Williams, Shekar S. Mallikarjunaswamy
Принадлежит: SILICONIX INCORPORATED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bidirectional blocking accumulation-mode trench power mosfet

Номер патента: AU5928196A. Автор: Richard K. Williams,Shekar S. Mallikarjunaswamy. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1996-12-18.

Power MOSFET with overcurrent and over-temperature protection and control circuit decoupled from body diode

Номер патента: US5550701A. Автор: Bruno C. Nadd,Talbott M. Houk. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-08-27.

Trench-gated power MOSFET with protective diode having adjustable breakdown voltage

Номер патента: US5998837A. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Power MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US10109731B2. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Power mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125576A1. Автор: Seung Hyun Kim,Ho Seok HWANG,Soo Chang Kang,Sang Hoon AHN,Yong Won Lee. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2668887B2. Автор: 輝儀 三原,行雄 平本. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-27.

Power mosfet transistor circuit with active clamp

Номер патента: CA2054675A1. Автор: John Manning Savidge Neilson,Frederick Peter Jones,Joseph Andrew Yedinak,Paul Joseph Wodarczyk. Владелец: Paul Joseph Wodarczyk. Дата публикации: 1992-05-07.

TAPERED VOLTAGE POLYSILICON DIODE ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT FOR POWER MOSFETS AND ICs

Номер патента: US20080087963A1. Автор: Hamza Yilmaz,Steven Sapp,Daniel Calafut. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

POWER MOSFET HAVING A CONTROL CIRCUIT AND PROTECTION AGAINST CURRENT OVERCURRENTS AND OVER-TEMPERATURES OF THE DIODE BODY

Номер патента: FR2725306A1. Автор: Bruno C Nadd,Talbott M Houk. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-04-05.

3-terminal power MOSFET switch for synchronous rectifier or voltage clamp

Номер патента: JP5484508B2. Автор: ウィリアムズ、リチャード・ケイ. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Three-terminal power mosfet switch for use as synchronous rectifier or voltage clamp

Номер патента: KR100334691B1. Автор: 리차드 케이. 윌리암스. Владелец: 실리코닉스 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2002-06-20.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Power mosfet having current detection means

Номер патента: US5767545A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Power mosfet array

Номер патента: US20090096038A1. Автор: Ting-Shing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Structure for silicon carbide integrated power MOSFETs on a single substrate

Номер патента: US11798938B2. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Manufacturing method of trench power MOSFET

Номер патента: US09837508B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536972B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Power MOSFET and Method of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20160020319A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-21.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

System and method for fabricating high voltage power MOSFET

Номер патента: US09431532B1. Автор: Tao Wei. Владелец: Powerwyse Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US20230268405A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Power MOSFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09601616B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Dual oxide trench gate power MOSFET using oxide filled trench

Номер патента: US09673289B2. Автор: Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-06.

Multiple gated power mosfet device

Номер патента: US20200091337A1. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502512B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Trenched power semiconductor element

Номер патента: US09799743B1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure

Номер патента: US20150340494A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Bidirectional blocking lateral MOSFET with improved on-resistance

Номер патента: US5451533A. Автор: Richard K. Williams,Kevin Jew,Jun W. Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-09-19.

Ultra-low drain-source resistance power MOSFET

Номер патента: US09887266B2. Автор: Martin Hernandez,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US9130035B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Trench power mosfet and manufacutring method thereof

Номер патента: US20150200294A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Trench power mosfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20130292761A1. Автор: Chun Ying Yeh,Yuan Ming Lee. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A3. Автор: Ali Salih,John E Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A Khan. Владелец: Shamsul A Khan. Дата публикации: 2005-09-01.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power mosfet

Номер патента: WO2005024903A2. Автор: John E. Amato,Ali Salih,Badredin Fatemizadeh,Shamsul A. Khan. Владелец: Power-One Limited. Дата публикации: 2005-03-17.

Structure and method for manufacturing a trench power MOSFET

Номер патента: US12062717B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned contact for trench power MOSFET

Номер патента: US09691863B2. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Super junction trench power MOSFET device fabrication

Номер патента: US09443974B2. Автор: Yang Gao,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Fabrication method of trenched power MOSFET

Номер патента: US8426275B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Kou-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Trench power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302303A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Self-aligned contact for trench power mosfet

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-13.

Method and structure for improving the gate resistance of a closed cell trench power MOSFET

Номер патента: US20050040459A1. Автор: Ali Salih,John Amato,Badredin Fatemizadeh,Shamsul Khan. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Trench gate power mosfet

Номер патента: EP1947699A4. Автор: Yuji Watanabe,Kunihiko Oshima,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Self-aligned power mosfet with integral source-base short and methods of making

Номер патента: CA1197023A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-19.

Power mosfet device

Номер патента: WO2024083312A1. Автор: Gilberto Curatola,Mo Huai Chang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Power MOSFET having improved manufacturability, low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US09837529B1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of making self-aligned power MOSFET with integral source-base short

Номер патента: US4598461A. Автор: Robert P. Love. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Power MOSFET circuit including short circuiting means for detecting the potential of the source terminal

Номер патента: US5357157A. Автор: Kraisorn Throngnumchai. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-18.

Gate-source protective circuit for a power mosfet

Номер патента: US5172290A. Автор: Ludwig Leipold,Rainald Sander,Jenoe Tihanyi,Roland Weber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-15.

Short channel trench power mosfet

Номер патента: WO2018002048A1. Автор: Lars Knoll,Renato Minamisawa. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Long channel trench-gated power mosfet having fully depleted body region

Номер патента: WO1997044828A1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Mike F. Chang,Wayne Grabowski,Brian H. Floyd. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 1997-11-27.

Vertical power MOSFET

Номер патента: US09536943B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High density trench-gated power MOSFET

Номер патента: US6348712B1. Автор: Jacek Korec,Mohamed N. Darwish,Dorman C. Pitzer. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2002-02-19.

Method of manufacturing vertical planar power MOSFET and method of manufacturing trench-gate power MOSFET

Номер патента: US8647948B2. Автор: Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO,Junichi KOGURE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Power mosfet devices including embedded schottky diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150091084A1. Автор: Jung-Ho Lee,Suk-Kyun Lee,Heon-Bok Lee,In-Ho YEO,Sae-Choon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Bidirectional, high-speed power MOSFET devices with deep level recombination centers in base region

Номер патента: US4656493A. Автор: Michael S. Adler,Peter V. Gray. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-04-07.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Power mosfet and fabricating method thereof

Номер патента: US20100155840A1. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Power mosfet and method for producing a power mosfet

Номер патента: US20180315847A1. Автор: Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-01.

Power mosfet and methods of making same

Номер патента: WO2005057664A2. Автор: Paul R. Davies,Kin On Johnny Sin,Mau Lai. Владелец: Chau, Duc Quang. Дата публикации: 2005-06-23.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-17.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A3. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-07.

Power mosfet device with isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240014286A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322032A1. Автор: Yu-Hsiang Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a P-channel power MOSFET

Номер патента: US09825167B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Power MOSFET, an IGBT, and a power diode

Номер патента: US09825163B2. Автор: Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Power MOSFET with seperate gate and field plate trenches

Номер патента: US09680004B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

A semiconductor component incorporated a power-mosfet and a control circuit

Номер патента: MY102712A. Автор: Einzinger Josef,Leipold Ludwig,Tihanyi Jeno,Weber Roland. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-30.

Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures

Номер патента: US5404040A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Dorman C. Pitzer,Mike Chang,Jun W. Chen,Jan V. D. Linde. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

Process for making a power MOSFET device and structure

Номер патента: US5460986A. Автор: Gordon Tam,Pak M. Tam. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Process for manufacture of radiation resistant power MOSFET and radiation resistant power MOSFET

Номер патента: US5475252A. Автор: Perry Merrill,Kyle A. Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1995-12-12.

Power MOSFET and fabricating method thereof

Номер патента: US8247868B2. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5338961A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-08-16.

Semiconductor high-power mosfet device

Номер патента: US4974059A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-11-27.

High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application

Номер патента: US4866495A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1989-09-12.

High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage

Номер патента: US5598018A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-01-28.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20230420557A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Vertical silicon carbide power MOSFET and IGBT and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11967616B2. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20140342518A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Power mosfet structure and method

Номер патента: US20130299898A1. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-11-14.

A Vertical Silicon Carbide Power MOSFET and IGBT and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220028976A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-27.

Termination ballast resistor in power mosfets with trench field plate

Номер патента: EP4099392A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: EP3405978A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Power mosfet with metal filled deep source contact

Номер патента: US20180076320A1. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8932928B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-01-13.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of forming power mosfet

Номер патента: US20110171799A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Trench-gate power mosfet with optimized layout

Номер патента: US20230078222A1. Автор: Hu Chen,Kuang Sheng,Na Ren,Zhengyun ZHU. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-03-16.

Power MOSFET having lateral channel, vertical current path, and P-region under gate for increasing breakdown voltage

Номер патента: US09947779B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Power MOSFET

Номер патента: US09941357B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Modulated super junction power MOSFET devices

Номер патента: US09887259B2. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power MOSFET with metal filled deep source contact

Номер патента: US09853144B2. Автор: Peter Lin,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Ho Lin,Tianping Lv,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Power MOSFET having planar channel, vertical current path, and top drain electrode

Номер патента: US09761702B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical power MOSFET having planar channel and its method of fabrication

Номер патента: US09461127B2. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: WO2003071585A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Power MOSFET structure and method

Номер патента: US8759909B2. Автор: Wenyi Li,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-24.

Termination ballast to suppress hotspot formation in trench field plate power mosfets

Номер патента: US20220393004A1. Автор: Vishnu Khemka,Christian Torrent,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-12-30.

Shield gate trench power device and method for making the same

Номер патента: US20220045183A1. Автор: Lei Shi,Yafeng Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US09991378B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Trench power transistor

Номер патента: US09722071B1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Trench power seminconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11049950B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10516027B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US10680076B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US20200075739A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170033213A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Trench power transistor

Номер патента: US20170213906A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Po-Hsien Li,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Trench power transistor and method of producing the same

Номер патента: US20200227526A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Po-Hsien Li,Hsin-Yen Chiu. Владелец: Leadpower Semi Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density

Номер патента: US6204533B1. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Vertical trench-gated power MOSFET having stripe geometry and high cell density

Номер патента: TW486728B. Автор: Richard K Williams,Wayne B Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2002-05-11.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20160142018A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Power mosfet device, structures employing the same and methods of fabrication

Номер патента: US20020117716A1. Автор: Prabjit Singh,Steven Mazzuca,Frank Bosco,George Galyon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Gate driver circuit and method for a bidirectionally blocking lateral MOSFET

Номер патента: DE69416944D1. Автор: Richard K Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-04-15.

POWER MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170125576A1. Автор: Lee Yong Won,Hwang Ho Seok,Ahn Sang Hoon,KIM Seung Hyun,Kang Soo Chang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20150145037A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Novel structure of power MOSFET

Номер патента: TW200917480A. Автор: Ting-Shing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09793265B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20160064551A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US9461163B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Oxide field trench power mosfet with a multi epitaxial layer substrate configuration

Номер патента: US20230135000A1. Автор: Jianhua JIN,Yean Ching Yong,Voon Cheng NGWAN,Weiyang YAP. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Oxide field trench power mosfet with a multi epitaxial layer substrate configuration

Номер патента: EP4174954A1. Автор: Jianhua JIN,Yean Ching Yong,Voon Cheng NGWAN,Weiyang YAP. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Split-gate trench power mosfet with protected shield oxide

Номер патента: US09865694B2. Автор: Yang Xiang,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Paul Thorup,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Hongyong Xue,Yiming Gu,Lingpeng Guan,Terence Huang,Sekar Ramamoorthy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Split-gate trench power MOSFET with protected shield oxide

Номер патента: US09741808B2. Автор: Yang Xiang,Wenjun Li,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Paul Thorup,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Hongyong Xue,Yiming Gu,Lingpeng Guan,Terence Huang,Sekar Ramamoorthy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Power MOSFET with integrated pseudo-Schottky diode in source contact trench

Номер патента: CN110718546A. Автор: 邓盛凌. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Termination trench for power MOSFET applications

Номер патента: CN104009083A. Автор: 常虹,王晓彬,李亦衡,马督儿·博德,哈姆扎·依玛兹,金钟五,潘继,高立德. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Split-gate trench power mosfets with protected shield oxide

Номер патента: TWI593108B. Автор: 李亦衡,虹 常,管靈鵬,宏勇 薛,一鳴 顧,向泱,士彰 黃,拉瑪莫西 謝卡爾,李文軍,博德 馬督兒,托魯普 保羅,依瑪茲 哈姆紥. Владелец: 萬國半導體股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-21.

Termination trench for power mosfet applications

Номер патента: US20140239388A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device for use in a power supply circuit and having a power MOSFET and Schottky barrier diode

Номер патента: US8426910B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Nobuyoshi Matsuura,Nobuyuki Shirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

INTEGRATING SCHOTTKY DIODE INTO POWER MOSFET

Номер патента: US20160005853A1. Автор: Chen John,Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2016-01-07.

Switching Field Plate Power MOSFET

Номер патента: US20180090490A1. Автор: BAIOCCHI Frank,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Termination trench for power MOSFET applications

Номер патента: US9105494B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim,Madhur Bodbe. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device with termination structure for power MOSFET applications

Номер патента: US9356022B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Lateral power mosfet with non-horizontal resurf structure

Номер патента: WO2017048541A1. Автор: Richard A. Blanchard,Hamza Yilmaz,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-03-23.

Lateral power MOSFET

Номер патента: US09583478B1. Автор: Marcelo A. Martinez. Владелец: Silego Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having four power MOSFETs constituting H bridge circuit

Номер патента: US5703390A. Автор: Yukio Itoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-30.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power MOSFETs

Номер патента: US09627526B2. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Bidirectional blocking monolithic heterogeneous integrated Cascode structure field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111863806A. Автор: 郝跃,张春福,张家祺,武毅畅,陈大正,张进成,张苇杭,杨国放. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-10-30.

Power MOSFET, power MOSFET packaged device, and method of manufacturing power MOSFET

Номер патента: TW200427038A. Автор: Kazuya Fukuhara. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Power MOSFET and method of forming and operating same

Номер патента: CN1211863C. Автор: B·J·巴利加. Владелец: Silicon Wireless Corp. Дата публикации: 2005-07-20.

MANUFACTURING METHOD OF TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20170047430A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power mosfets

Номер патента: US20170069750A9. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH PROTECTED SHIELD OXIDE

Номер патента: US20170133473A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,GU YIMING,Xiang Yang,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Ramamoorthy Sekar,Thorup Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Trench power mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160190264A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH PROTECTED SHIELD OXIDE

Номер патента: US20160190265A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,GU YIMING,Xiang Yang,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Ramamoorthy Sekar,Thorup Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

ASSYMETRIC POLY GATE FOR OPTIMUM TERMINATION DESIGN IN TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20150270383A1. Автор: Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Dong Yongping. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-09-24.

Trench power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201624706A. Автор: 許修文. Владелец: 帥群微電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-01.

Assymetric poly gate for optimum termination design in trench power mosfets

Номер патента: US20150270383A1. Автор: Xiaobin Wang,Yeeheng Lee,Yongping Dong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device with bi-directional double-base trench power switches

Номер патента: US11881525B2. Автор: Jeffrey Knapp,Constantin Bulucea,Jiankang Bu,Alireza MOJAB,Robert Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

System and method for bi-directional trench power switches

Номер патента: EP4356430A1. Автор: Jeffrey Knapp,Constantin Bulucea,Jiankang Bu,Alireza MOJAB,Robert Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

System and method for bi-directional trench power switches

Номер патента: GB2623027A. Автор: Bulucea Constantin,Bu Jiankang,Knapp Jeffrey,MOJAB Alireza,Daniel Brdar Robert. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

System and method for bi-directional trench power switches

Номер патента: US20240113210A1. Автор: Jeffrey Knapp,Constantin Bulucea,Jiankang Bu,Alireza MOJAB,Robert Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103456788B. Автор: 周学良,柳瑞兴,苏柏智,伍震威. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20200373426A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Power MOSFET and Method of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20160020319A1. Автор: Hutzler Michael,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,OUVRARD Cedric,Yip Li Juin,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20210226054A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Current sensing device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: EP3742499A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

LATERAL POWER MOSFET WITH NON-HORIZONTAL RESURF STRUCTURE

Номер патента: US20170077221A1. Автор: Yilmaz Hamza,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

MIRROR DEVICE STRUCTURE FOR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210226054A1. Автор: Li Feng,Qin Ganming,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,KHEMKA VISHNU. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Power mosfet device

Номер патента: US20200203524A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhendong MAO,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING HIGH VOLTAGE POWER MOSFET

Номер патента: US20160240669A1. Автор: Wei Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING HIGH VOLTAGE POWER MOSFET

Номер патента: US20160329396A1. Автор: Wei Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Mirror device structure for power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20200373426A1. Автор: Feng Li,Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Arrangement in a power mosfet

Номер патента: US20020047140A1. Автор: Thomas Moller,Jan Johansson,Nils Ekenstam,Timothy Ballard,Gary Lopes,Michael Peternel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Trench lateral power MOSFET and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7012301B2. Автор: Naoto Fujishima,Katsuya Tabuchi,Akio Sugi,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Integration of a sense FET into a discrete power MOSFET

Номер патента: TW200943529A. Автор: YI Su,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-16.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20140197486A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Trench vertical power MOSFET with channel including regions with different concentrations

Номер патента: US11626514B2. Автор: Hiroyuki Kishimoto,Hiroaki Katou. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-11.

Power integrated circuit including series-connected source substrate and drain substrate power mosfets

Номер патента: US20150145036A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Marie Denison,Taylor Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Lateral Power MOSFET With Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120205740A9. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada,Gary Dashney,David A. Shumate. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method, IC and display system for power MOSFET integration

Номер патента: TW200824121A. Автор: Jung Kao. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Power mosfet semiconductor

Номер патента: US20160233331A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Walter Rieger,Joachim Krumrey. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-11.

Vertical power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US09905674B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power MOSFET semiconductor

Номер патента: US09793391B2. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Walter Rieger,Joachim Krumrey. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

POWER INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SERIES-CONNECTED SOURCE SUBSTRATE AND DRAIN SUBSTRATE POWER MOSFETS

Номер патента: US20140197486A1. Автор: Denison Marie,KOCON Christopher Boguslaw,Efland Taylor. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-17.

POWER INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SERIES-CONNECTED SOURCE SUBSTRATE AND DRAIN SUBSTRATE POWER MOSFETS

Номер патента: US20150145036A1. Автор: Denison Marie,KOCON Christopher Boguslaw,Efland Taylor. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20180175168A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Power MOSFET with a Deep Source Contact

Номер патента: US20180204917A1. Автор: Song Wei,Liu Yunlong,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIN Haian,LIU Lark,ZHAO ZiQiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20160233331A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TERMINATION STRUCTURE FOR POWER MOSFET APPLICATIONS

Номер патента: US20150333174A1. Автор: Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Pan Ji. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170373180A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2002001644A2. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2002-01-03.

Power MOSFET device

Номер патента: JP6995187B2. Автор: ▲劉▼磊,▲劉▼▲偉▼,袁▲願▼林,毛振▲東▼,▲きょう▼▲軼▼. Владелец: 蘇州東微半導体股▲ふん▼有限公司. Дата публикации: 2022-01-14.

Vertical power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US10170589B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A4. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: US9178041B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-03.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon carbide power MOSFETS having shorting channel and methods of fabrication them

Номер патента: CN1478302A. Автор: ,,M·K·达斯,J·W·帕尔穆尔,A·阿加瓦尔,R·辛,L·A·利普金,柳世衡,�����ս�. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Super junction power MOSFET with two conductive carriers

Номер патента: CN108288649B. Автор: 周喜川,林�智,袁琦,周建林,韩姝,唐枋,胡盛东. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-05.

Shield gate power MOSFET device and process for making

Номер патента: CN109148584A. Автор: 颜树范. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-01-04.

Power MOSFET device with enhanced cell design

Номер патента: CN112234095A. Автор: 任娜. Владелец: Jinan Xinghuo Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-01-15.

Groove power MOSFET and manufacture method

Номер патента: CN106129105A. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-11-16.

Trench gate power MOSFET and manufacturing method

Номер патента: CN106129105B. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-10.

Gate contact structure for a trench power mosfet with a split gate configuration

Номер патента: US20220320332A1. Автор: Yean Ching Yong,Maurizio Gabriele Castorina,Voon Cheng NGWAN,Ditto ADNAN,Fadhillawati TAHIR,Churn Weng YIM. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

A kind of shield grid groove power MOSFET structure and preparation method thereof reducing conducting resistance

Номер патента: CN110223919A. Автор: 姜帆,陈利,刘玉山,张军亮,陈译. Владелец: Fujian Jin Xing Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: CN105047697A. Автор: 常虹,哈姆扎·耶尔马兹,李亦衡,马督儿·博德,管灵鹏,金钟五,雷燮光. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-11.

Bottom source substrateless power mosfet

Номер патента: US20140319601A1. Автор: Ping Huang,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-30.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SINKER CONTACT FOR CSP

Номер патента: US20180006145A1. Автор: Yang Hong,Liu Yunlong,Xiong Yufei,LIN HO,LV Tian Ping,ZOU Sheng,JIA Qiu Ling. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20140110779A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

Power MOSFET With Metal Filled Deep Sinker Contact For CSP

Номер патента: US20180102424A1. Автор: Yang Hong,Liu Yunlong,Xiong Yufei,LIN HO,LV Tian Ping,ZOU Sheng,JIA Qiu Ling. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180130904A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150162442A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

DUAL OXIDE TRENCH GATE POWER MOSFET USING OXIDE FILLED TRENCH

Номер патента: US20150179750A1. Автор: Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

BOTTOM SOURCE SUBSTRATELESS POWER MOSFET

Номер патента: US20140319601A1. Автор: Huang Ping,Xue Yan Xun,Ho Yueh-Se. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Power MOSFETs with Superior High Frequency Figure-of-Merit and Methods of Forming Same

Номер патента: US20180269322A1. Автор: Baliga Bantval Jayant. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

SPLIT POLY CONNECTION VIA THROUGH-POLY-CONTACT (TPC) IN SPLIT-GATE BASED POWER MOSFETS

Номер патента: US20160329426A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Dual oxide trench gate power mosfet using oxide filled trench

Номер патента: TWI538063B. Автор: 李亦衡,虹 常,立德 高,馬督兒 博德. Владелец: 萬國半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-11.

Semiconductor device and method of forming a power MOSFET with interconnect structure to achieve lower RDSON

Номер патента: US9640638B2. Автор: Samuel J. Anderson,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical power mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI515893B. Автор: 伍震威,周學良,柳瑞興,蘇柏智. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-01.

Short gate high power mosfet and method of manufacture

Номер патента: US20090140326A1. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris,Jan-Olov Svederg. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of making a low-Rdson vertical power MOSFET device

Номер патента: US8709893B2. Автор: YI Su,Jun Lu,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-29.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A2. Автор: Anup Bhalla. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

Power MOSFETs structure

Номер патента: US11967645B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: HK1134715A1. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2010-05-07.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: TW200711128A. Автор: Anup Bhalla,Sik K Lui,Daniel S Ng,tie-sheng Li. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-03-16.

Low cost dielectric isolation method for integration of vertical power MOSFET and lateral driver devices

Номер патента: US20050161764A1. Автор: Ali Salih,Badredin Fatemizadeh. Владелец: POWER-ONE Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09871134B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Power MOSFET with metal filled deep sinker contact for CSP

Номер патента: US09865718B1. Автор: HONG Yang,Yunlong Liu,Yufei Xiong,Ho Lin,Sheng Zou,Tian Ping LV,Qiu Ling JIA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09818829B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-11-14.

Power MOSFET device structure for high frequency applications

Номер патента: US09806175B2. Автор: Anup Bhalla,Tiesheng Li,Sik K. Lui,Daniel Ng.. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US09673297B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs

Номер патента: US09595587B2. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrating schottky diode into power mosfet

Номер патента: US20120280307A1. Автор: YI Su,John Chen,Hong Chang,Daniel Ng,Anup Bhalla,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-11-08.

POWER MOSFET DEVICE STRUCTURE FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20130093001A1. Автор: Bhalla Anup,Ng Daniel,LI Tiesheng,Lui Sik K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

Device Structure and Methods of Forming Superjunction Lateral Power MOSFET with Surrounding LDD

Номер патента: US20150021686A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.,Shea Patrick M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF MAKING A LOW-RDSON VERTICAL POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20140225185A1. Автор: Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Lu Jun. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2014-08-14.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170179280A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170186865A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160247914A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190252545A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20170271480A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

POWER MOSFETS STRUCTURE

Номер патента: US20210359129A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

POWER MOSFETS STRUCTURE

Номер патента: US20200279948A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Yao Chih-Wen,YADAV YOGENDRA. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

SPLIT POLY CONNECTION VIA THROUGH-POLY-CONTACT (TPC) IN SPLIT-GATE BASED POWER MOSFETS

Номер патента: US20150311295A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Guan Lingpeng,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Lui Sik. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon carbide power mosfets having a shorting channel and methods of fabricating them

Номер патента: EP1325522B1. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Vertical power mosfet having reduced sensitivity to variations in thickness of epitaxial layer

Номер патента: EP0956596A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-11-17.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10269954B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Chih-Wen Yao,Yogendra Yadav. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer

Номер патента: US6239463B1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Michael E. Cornell,Wayne Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Vertical power MOSFET and method of making the same

Номер патента: DE102012109921B4. Автор: Ruey-Hsin Liu,Chung-Wai Ng,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrating Schottky diode into power MOSFET

Номер патента: US8502302B2. Автор: YI Su,John Chen,Hong Chang,Daniel Ng,Anup Bhalla,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-08-06.

Power mosfet with metal filled deep sinker contact for csp

Номер патента: WO2018000357A1. Автор: HONG Yang,Yunlong Liu,Yufei Xiong,Ho Lin,Tianping Lv,Sheng Zou,Qiuling Jia. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-01-04.

Trench-gated power MOSFET with protective diode

Номер патента: TW410479B. Автор: Richard K Williams,Mohamed N Darwish,Wayne B Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2000-11-01.

Split poly connection via through-poly-contact (tpc) in split-gate based power mosfets

Номер патента: US20160329426A1. Автор: Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Jongoh Kim,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-10.

Power mosfet device structure for high frequency applications

Номер патента: WO2006122130A3. Автор: Anup Bhalla. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2009-04-16.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A4. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

TRENCH POWER METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND EDGE TERMINAL STRUCTURE

Номер патента: US20150340494A1. Автор: Liu Chu-Kuang. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2022100412A1. Автор: 石亮,杨笠. Владелец: 重庆万国半导体科技有限公司. Дата публикации: 2022-05-19.

Vertical Trench Power Devices with Oxygen Inserted Si-Layers

Номер патента: US20200127135A1. Автор: Bernhard Goller,Thomas Feil,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Oxygen doped si-layers in vertical trench power device

Номер патента: EP3608967B1. Автор: Bernhard Goller,Thomas Feil,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-03-30.

Oxygen Inserted Si-Layers in Vertical Trench Power Devices

Номер патента: US20200052110A1. Автор: Bernhard Goller,Thomas Feil,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing vertical planar power MOSFET and method of manufacturing trench-gate power MOSFET

Номер патента: CN103227113A. Автор: 江口聪司,安孙子雄哉,小暮淳一. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Dual channel lateral power MOSFET device with high dielectric constant passivation layer

Номер патента: CN111106178B. Автор: 陈为真,程骏骥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-12-03.

Split gate power MOSFET and split gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: US11862695B2. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20240088247A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor process for trench power MOSFET

Номер патента: TW200910466A. Автор: Wei-Chieh Lin,Jen-Hao Yeh,Ming-Jang Lin,Hsin-Yen Chiu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-01.

Power mosfet device with protection against the contaminants and related manufacturing process

Номер патента: US20240258422A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Split-gate trench power mosfet with thick poly-to-poly isolation

Номер патента: EP4425567A1. Автор: Vincenzo Enea,Voon Cheng NGWAN,Churn Weng YIM. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Split-gate trench power mosfet with thick poly-to-poly isolation

Номер патента: US20240297240A1. Автор: Vincenzo Enea,Voon Cheng NGWAN,Churn Weng YIM. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: EP4430669A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Trench power MOSFET

Номер патента: US09412844B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Fin-shaped transverse power MOSFET device with high dielectric constant film

Номер патента: CN111211173B. Автор: 陈为真,林靖杰,程骏骥. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-06-01.

Lateral power MOSFET with improved gate design

Номер патента: US6084277A. Автор: Alex B. Djenguerian,Donald R. Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Silicon carbide power MOSFET element of arc chord angle U-shaped slot grid structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106910774A. Автор: 袁俊,张敬伟,倪炜江,李明山,牛喜平,徐妙玲,孙安信. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Super-junction type bidirectional blocking MOS device based on groove process and preparation method

Номер патента: CN109244135B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,高巍,欧阳钢,胡汶金. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-03-30.

Power mosfet, semiconductor device including the power mosfet, and method for making the power mosfet

Номер патента: TW200818504A. Автор: Hiroki Maeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Quasi-vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US09818859B2. Автор: Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Kun-Hsuan Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

RF power MOSFET device with extended linear region of transconductance characteristic at low drain current

Номер патента: US6064088A. Автор: Pablo Eugenio D'Anna. Владелец: Xemod Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

A power mosfet, a method of forming a power mosfet, and another power mosfet made by the method

Номер патента: KR100773380B1. Автор: 리차드 에이. 블랑차드. Владелец: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-11-06.

Power MOSFET and methods for forming the same

Номер патента: CN103137697A. Автор: 段孝勤,郑志昌,朱馥钰,柳瑞兴. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103137697B. Автор: 段孝勤,郑志昌,朱馥钰,柳瑞兴. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Power mosfet with overcurrent and over-temperature protection

Номер патента: GB2291742A. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-01-31.

High voltage power MOSFET having low on-resistance

Номер патента: CN100463122C. Автор: 理查德·A·布朗夏尔. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

MOS-gated power semiconductor device having overcurrent and over-temperature protection - has MOSFET which turns off to isolate gate from input voltage and limit current sunk by gate pin, and MOSFET to short power MOSFET gate to its source

Номер патента: DE4429903A1. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1995-03-16.

The Schottky diode being integrated in super junction power MOSFET

Номер патента: CN109935634A. Автор: 苏毅,马督儿·博德. Владелец: NATIONS SEMICONDUCTOR (CAYMAN) Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

SPLIT-GATE TRENCH POWER MOSFET WITH SELF-ALIGNED POLY-TO-POLY ISOLATION

Номер патента: US20220052194A1. Автор: ADNAN Ditto,CASTORINA Maurizio Gabriele,NGWAN Voon Cheng,TAHIR Fadhillawati. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

SHORT CHANNEL TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20190035928A1. Автор: Knoll Lars,Minamisawa Renato. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20190051745A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220302303A1. Автор: SHIN Hyun Kwang. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-22.

FORMING SHIELD CONTACTS IN A SHIELDED-GATE TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20220310813A1. Автор: Hossain Zia,Padmanabhan Balaji,Chowdhury Sauvik. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACUTRING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150200294A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150270384A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20170288028A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20160351691A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

METHOD OF MANUFACTURING LV/MV SUPER JUNCTION TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20180358433A1. Автор: Su Yi,Lui Sik. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

SHORT CHANNEL TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20190363166A1. Автор: Knoll Lars,Minamisawa Renato. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Trench power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20220074529A. Автор: 김기현,박현,양창헌,정은식,윤승복. Владелец: 주식회사 예스파워테크닉스. Дата публикации: 2022-06-03.

Trench power MOSFET and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102413641B1. Автор: 김기현,박현,양창헌,정은식,윤승복. Владелец: 주식회사 예스파워테크닉스. Дата публикации: 2022-06-27.

Trench power MOSFET with reduced on-resistance

Номер патента: KR101900843B1. Автор: 크리스토퍼 엘. 렉서,리투 소디. Владелец: 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 2018-11-08.

Trench power MOSFET with planarized gate bus

Номер патента: US20040173844A1. Автор: WAI CHAN,Richard Williams,Michael Cornell. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Trench power MOSFET

Номер патента: EP2624302A1. Автор: Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Trench power MOSFET with bidirectional current blocking function

Номер патента: JP2987328B2. Автор: リチャード・ケイ・ウィリアムズ. Владелец: SHIRIKONITSUKUSU Inc. Дата публикации: 1999-12-06.

High density trench power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TW200418128A. Автор: Lin-Chung Huang,Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Trench power MOSFET with reduced gate resistance

Номер патента: US7368353B2. Автор: Robert Montgomery,Jianjun Cao,Paul Harvey,Dave Kent,Hugo Burke,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-06.

Process for enhancement of voltage endurance and reduction of parasitic capacitance for a trench power MOSFET

Номер патента: US6800509B1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Short channel trench power mosfet with low threshold voltage

Номер патента: WO2003094204A3. Автор: Jianjun Cao,Kyle Spring,Devana Cohen. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Split-gate trench power MOSFET with self-aligned poly-to-poly isolation

Номер патента: US11848378B2. Автор: Maurizio Gabriele Castorina,Voon Cheng NGWAN,Ditto ADNAN,Fadhillawati TAHIR. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Zheng John Shen,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Shielded gate trench power mosfet with high-k shield dielectric

Номер патента: WO2023154636A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Christopher Lawrence Rexer,Balaji Padmanabhan,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Short channel trench power mosfet with low threshold voltage

Номер патента: AU2003241353A8. Автор: Jianjun Cao,Kyle Spring,Devana Cohen. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-11-17.

Trench power MOSFET structure with high cell density and fabrication method thereof

Номер патента: TW201241882A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Optimized trench power mosfet with integrated schottky diode

Номер патента: TW200531292A. Автор: Christopher L Rexer,Daniel Calafut. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2005-09-16.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20140284705A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Power MOSFET and method of making same

Номер патента: CN1171318C. Автор: ��¡�A���׶���,理查德·A·布兰查德. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-13.

Power MOSFET device and forming method thereof

Номер патента: CN111883494B. Автор: 杨帆,吴罚,唐昭焕,朱克宝. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Process method of groove type power MOSFET device

Номер патента: CN113782589A. Автор: 张雷,郑小东. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-10.

Manufacturing method of split gate power MOSFET device

Номер патента: CN113078066A. Автор: 张波,马涛,乔明,王正康. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-07-06.

Power mosfet with reduced current leakage and method of fabricating the power mosfet

Номер патента: US20210376061A1. Автор: Yean Ching Yong. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Up-diffusion suppression in a power mosfet

Номер патента: US20220020851A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Up-diffusion suppression in a power MOSFET

Номер патента: US11990515B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of fabricating power MOSFET

Номер патента: US09653560B1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excellence Mos Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

POWER MOSFET AND METHOD FOR PRODUCING A POWER MOSFET

Номер патента: US20180315847A1. Автор: Goerlach Alfred. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Trench gate power MOSFET (metal oxide semiconductor filed-effect transistor) device

Номер патента: CN105633137A. Автор: 吴俊峰,张彦辉,马达,尹超,罗小蓉,阮新亮,葛薇薇,吕孟山. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-06-01.

Shielded gate power MOSFET device and method of making same

Номер патента: CN111129157B. Автор: 张子敏,王宇澄. Владелец: Wuxi Xianpupil Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Split gate power mosfet and split gate power mosfet manufacturing method

Номер патента: US20220393011A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Power MOSFET with improved safe operating area

Номер патента: US11888060B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US12074109B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

INTEGRATING SCHOTTKY DIODE INTO POWER MOSFET

Номер патента: US20130309823A1. Автор: Chen John,Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-11-21.

POWER MOSFET WITH AN INTEGRATED PSEUDO-SCHOTTKY DIODE IN SOURCE CONTACT TRENCH

Номер патента: US20200020798A1. Автор: DENG Shengling. Владелец: Renesas Electronics America Inc.. Дата публикации: 2020-01-16.

SCHOTTKY DIODE INTEGRATED INTO SUPERJUNCTION POWER MOSFETS

Номер патента: US20210020773A1. Автор: Bobde Madhur,Su Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

Номер патента: US20140175536A1. Автор: Chen John,Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Liu Sik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

DUAL OXIDE TRENCH GATE POWER MOSFET USING OXIDE FILLED TRENCH

Номер патента: US20160099325A1. Автор: Calafut Daniel,Bobde Madhur,Lee Yeeheng,Chang Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

MULTIPLE GATED POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20200091337A1. Автор: TANG Ming,CHIAO Shih Ping. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Power MOSFET Having Improved Manufacturability, Low On-Resistance and High Breakdown Voltage

Номер патента: US20180097101A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20140191309A1. Автор: TAMAKI Tomohiro,NAKAZAWA Yoshito,EGUCHI Satoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

POWER MOSFET DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20190109225A1. Автор: Stella Cristiano Gianluca,RUSSO Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

POWER MOSFET DEVICE WITH A GATE CONDUCTOR SURROUNDING SOURCE AND DRAIN PILLARS

Номер патента: US20140197475A1. Автор: TANG Ming,CHIAO Shih Ping. Владелец: PTEK TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

POWER MOSFETS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180138314A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lin Yi-Chun,Wu Kuo-Ming,CHEN SHIANG-YU. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SCHOTTKY DIODE INTEGRATED INTO SUPERJUNCTION POWER MOSFETS

Номер патента: US20190189796A1. Автор: Bobde Madhur,Su Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20170207335A1. Автор: Liu Yunlong,Lin Peter,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIU Lark,LV TIANPING,LIN HO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

VERTICAL POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL AND ITS METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150221731A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

VERTICAL POWER MOSFET INCLUDING PLANAR CHANNEL AND VERTICAL FIELD

Номер патента: US20150221765A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Methods of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20170236910A1. Автор: Hutzler Michael,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,OUVRARD Cedric,Yip Li Juin,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Bidirectional power mosfet structure with a cathode short structure

Номер патента: US20190237571A1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Vishnu K. Khemka,Tanuj SAXENA,Raghu Gupta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL, VERTICAL CURRENT PATH, AND TOP DRAIN ELECTRODE

Номер патента: US20170330962A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

POWER MOSFET

Номер патента: US20170338309A1. Автор: Liu Chu-Kuang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

P-CHANNEL POWER MOSFET

Номер патента: US20160351703A1. Автор: NAKAZAWA Yoshito,MATSUURA Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Power MOSFET Having Improved Manufacturability, Low On-Resistance and High Breakdown Voltage

Номер патента: US20180342608A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

POWER MOSFET HAVING PLANAR CHANNEL, VERTICAL CURRENT PATH, AND TOP DRAIN ELECTRODE

Номер патента: US20160359029A1. Автор: Zeng Jun,Darwish Mohamed N.,Su Shih-Tzung,Pu Kui. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

MODULATED SUPER JUNCTION POWER MOSFET DEVICES

Номер патента: US20150372078A1. Автор: Pattanayak Deva,TORNBLAD Olof. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

SUPER-JUNCTION POWER MOSFET DEVICE WITH IMPROVED RUGGEDNESS, AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200357918A1. Автор: GRIMALDI Antonio Giuseppe,"CINA Giuseppe",ARCURI Luigi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Power MOSFET

Номер патента: DE4309764C2. Автор: Jenoe Dr Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-01-30.

HIGH POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: AR219006A1. Автор: . Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Power mosfet

Номер патента: JPH1074938A. Автор: 崇史 奥戸,Takashi Okuto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Power mosfet in silicon carbide

Номер патента: KR100271106B1. Автор: 존더블유.팔머. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2000-11-01.

Method for manufacturing power mosfet

Номер патента: KR101099559B1. Автор: 백기주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-12-28.

POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2739493B1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-28.

Split Gate Power MOSFET and Method for Manufacturing The Same

Номер патента: KR102500888B1. Автор: 신현광. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2023-02-17.

Power mosfets and methods for forming the same

Номер патента: KR101381038B1. Автор: 치 창 청,푸 유 추,류에이 신 리우,시아오 친 투안. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-04.

Power mosfet and method for forming same using a self-aligned body implant

Номер патента: US20020008284A1. Автор: Jun Zeng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

High voltage power mosfet having a voltage sustaining region and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: WO2003058684A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Power mosfet

Номер патента: JPS6180858A. Автор: Yasuo Maruyama,Tetsuo Iijima,Shigeo Otaka,哲郎 飯島,成雄 大高,丸山　泰男. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-04-24.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: US20020014658A1. Автор: Richard Blanchard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Power MOSFET with improved avalanche stability

Номер патента: EP0586716B1. Автор: Helmut Dipl.-Phys. Hertrich. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-10-22.

Topographic pattern delineated power MOSFET with profile tailored recessed source

Номер патента: US5045903A. Автор: Douglas A. Pike, Jr.,Theodore G. Hollinger,Theodore O. Meyer,II John W. Mosier,Dah W. Tsang. Владелец: Advanced Power Technology Inc. Дата публикации: 1991-09-03.

Process for manufacture of high power mosfet laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide

Номер патента: US4593302B1. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1998-02-03.

Schottky power MOSFET

Номер патента: US10629723B2. Автор: Jacek Korec,Shuming Xu,Haian Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Bottom-drain LDMOS power MOSFET structure having a top drain strap

Номер патента: US7829947B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-09.

Vertical normally-on type power MOSFET having a trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3383377B2. Автор: 昇 松田,嘉朗 馬場,諭 柳谷,明彦 大澤,政信 土谷. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Heterojunction power MOSFET and method of making the same

Номер патента: DE19739547B4. Автор: Masakatsu Yokohama Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Power MOSFETs manufacturing method

Номер патента: US10269960B2. Автор: Yi-Chun Lin,Alexander Kalnitsky,Shiang-Yu CHEN,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Power MOSFET with overcurrent and overheating protection.

Номер патента: FR2710191B1. Автор: Bruno C Nadd. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-12-19.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: AU2001269878A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Power MOSFET

Номер патента: US6459142B1. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-01.

High voltage power MOSFET with low on-resistance

Номер патента: JP4511190B2. Автор: ブランチャード、リチャード・エー. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Schottky diode integrated into superjunction power mosfets

Номер патента: US20230045954A1. Автор: YI Su,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Power mosfet and method of forming the same

Номер патента: US20110169076A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Power MOSFET package

Номер патента: US8766431B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Wei-Ming Chen,Yun-Ji Hsieh. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: EP1476895B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-12.

HIGH POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: BR7906338A. Автор: T Herman,A Lidow,V Rumennik. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Vertical power MOSFET including planar channel

Номер патента: TWM516231U. Автор: 蒲奎,軍 曾,恩達維希 穆罕默德,蘇世宗. Владелец: 馬克斯半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-21.

Trench gate power MOSFET

Номер патента: JPWO2007034547A1. Автор: 俊之 竹森,正人 糸井,祐司 渡辺,一茂 松山,竹森　俊之,渡辺　祐司,史典 笹岡,松山　一茂,邦仁 大島,糸井　正人. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Power MOSFET

Номер патента: US5095343A. Автор: Carl F. Wheatley, Jr.,John M. S. Neilson,Stanley J. Klodzinski,Harold R. Ronan, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-03-10.

Depletion implant for power MOSFET

Номер патента: US20020117687A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-08-29.

Power MOSFET having a trench gate electrode

Номер патента: EP1113501B1. Автор: Anup Bhalla,Jacek Dr. Korec. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Power MOSFET

Номер патента: JP3346076B2. Автор: 星　　正勝. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-18.

Power mosfet device having improved safe-operating area and on resistance, manufacturing process thereof and operating method thereof

Номер патента: US20210151599A1. Автор: Angelo Magri',Stefania Fortuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-20.

Power mosfet having enhanced breakdown voltage

Номер патента: WO2002099909A8. Автор: XIN YANG,Ganesh Shankar Samudra,Yung Chii Liang,Kian Paau Gan. Владелец: Kian Paau Gan. Дата публикации: 2004-04-08.

Power MOSFET and method of making same

Номер патента: CN1443372A. Автор: 理查德·A·布兰查德. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-17.

Lateral power MOSFET

Номер патента: EP1306905A3. Автор: Donald Ray Disney,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Power MOSFET

Номер патента: US8664714B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

The structure of bottom drain LDMOS power MOSFET and preparation method

Номер патента: CN101840934A. Автор: 弗朗索瓦·赫伯特. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Modulated super junction power mosfet devices

Номер патента: WO2015199949A1. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2015-12-30.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: WO2003058683A3. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Power MOSFET having a strained channel in a semiconductor heterostructure on metal substrate

Номер патента: TW201023363A. Автор: Qi Wang,Tat Ngai,Joelle Sharp. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-06-16.

Bottom-drain ldmos power mosfet structure having a top drain strap

Номер патента: US20100237416A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-23.

Up-diffusion suppression in a power mosfet

Номер патента: US20230106080A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-04-06.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW201729425A. Автор: 林怡君,吳國銘,亞歷山大 克爾尼斯基,陳翔裕. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-08-16.

Manafacturing method for power MOSFET semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US11824113B2. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Eric Huang,Ruey-Hsin Liu,Puo-Yu Chiang,Fu-Hsin Chen,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Chyi-Chyuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGN AND MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED POWER MOSFETs

Номер патента: US20240128348A1. Автор: Ranbir Singh,Siddarth Sundaresan,JaeHoon PARK. Владелец: GeneSIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure Silicide Layer and Low Profile Bump

Номер патента: US20120313147A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Self-aligned shield structure for realizing high frequency power mosfet devices with improved reliability

Номер патента: WO2000049663A1. Автор: Francois Hebert,Szehim Daniel Ng. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2000-08-24.

Notch shape of trench gate bottom cornor for better breakdown voltage of power mosfet and igbt with good trade off to ron and ox reliability

Номер патента: US20220320303A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

High speed power mosfet

Номер патента: US7459749B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Power mosfet and methods of making same

Номер патента: TW200531276A. Автор: Mau-Lam Tommy Lai,Kin-On Johnny Sin,Duc-Quang Chan. Владелец: Kin-On Johnny Sin. Дата публикации: 2005-09-16.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Superjunction power MOSFET

Номер патента: TW200746418A. Автор: Robert W Baird,Fresart Edouard D De,Gan-Ming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-12-16.

Vertical Power MOSFET and IGBT Fabrication Process with Two Fewer Photomasks

Номер патента: US20110312137A1. Автор: Kyoung Wook SEOK,Vladimir Tsukanov,Jae Yong Choi. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Power mosfet with a deep source contact

Номер патента: US20190004201A1. Автор: Wei Song,Yunlong Liu,Frank Baiocchi,Haian Lin,Ziqiang ZHAO,Furen Lin,Lark Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Low resistance gate for power MOSFET applications and method of manufacture

Номер патента: TW200739695A. Автор: Fred Session,James Kent Naylor,Sreevatsa Sreekantham,I-Hsiu Ho. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for fabricating a high voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: TW200301526A. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: AU2002358312A8. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: AU2002358312A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Power MOSFET and method of fabricating the same

Номер патента: TW201027745A. Автор: Hsiu-wen Hsu,Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-16.

Rugged and fast power mosfet and IGBT

Номер патента: US20030067034A1. Автор: Nathan Zommer,Vladimir Tsukanov. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-04-10.

Low cost power mosfet with current monitoring

Номер патента: WO2006050449A2. Автор: Anup Bhalla,Sik K. Lui. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2006-05-11.

Bidirectional power mosfet structure

Номер патента: EP3462500B1. Автор: Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Tanuj SAXENA,Raghuveer Vankayala Gupta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Low cost power mosfet with current monitoring

Номер патента: WO2006050449A9. Автор: Anup Bhalla,Sik K Lui. Владелец: Sik K Lui. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for manufacturing a bond pad arrangement for a vertical power mosfet

Номер патента: EP2965352B1. Автор: Daniel Namishia,Brett Hull,Sarah Kay Haney. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Vertical power MOSFET device

Номер патента: US09954055B2. Автор: Masatoshi Arai,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Termination of super junction power MOSFET

Номер патента: US09698256B2. Автор: Shen-Ping Wang,Jheng-Sheng You,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Che-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

POWER MOSFET PACKAGE

Номер патента: US20130193520A1. Автор: CHEN Wei-Ming,CHANG Shu-Ming,Cheng Chia-Ming,Tsai Chia-Lun,WEN Ying-Nan,NI Ching-Yu,PERNG Baw-Ching,HSIEH Yun-Jui. Владелец: XINTEC INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

POWER MOSFET SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130228858A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Haeberlen Oliver,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

UP-DIFFUSION SUPPRESSION IN A POWER MOSFET

Номер патента: US20220020851A1. Автор: Venkatraman Prasad. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-01-20.

Vertical power mosfet having planar channel and its method of fabrication

Номер патента: US20160027880A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su,Kui Pu. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20160035880A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

TRENCH GATE POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190035903A1. Автор: YAN Shufan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2019-01-31.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20180047843A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

VERTICAL POWER MOSFET

Номер патента: US20170069751A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

POWER MOSFET WITH METAL FILLED DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20180076320A1. Автор: Liu Yunlong,Lin Peter,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIU Lark,LV TIANPING,LIN HO. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

POWER MOSFET DEVICES INCLUDING EMBEDDED SCHOTTKY DIODES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150091084A1. Автор: Lee Jung-Ho,Lee Suk-Kyun,YEO In-Ho,Lee Heon-Bok,Oh Sae-Choon. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

SCHOTTKY POWER MOSFET

Номер патента: US20140183622A1. Автор: Korec Jacek,Xu Shuming,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

BIDIRECTIONAL POWER MOSFET STRUCTURE WITH A CATHODE SHORT STRUCTURE

Номер патента: US20190103484A1. Автор: Qin Ganming,Khemka Vishnu K.,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,Gupta Raghu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140197489A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu,LIN Tung-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-17.

Manufacturing method of power mosfet using a hard mask as a stop layer between sequential cmp steps

Номер патента: US20140206162A1. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuke Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Termination Design For Trench Superjunction Power MOSFET

Номер патента: US20190148541A1. Автор: Qin Ganming,Zitouni Moaniss,SAXENA Tanuj,Grote Bernhard,Radic Ljubo,KHEMKA VISHNU. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

POWER MOSFETS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170222050A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lin Yi-Chun,Wu Kuo-Ming,CHEN SHIANG-YU. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

SCHOTTKY POWER MOSFET

Номер патента: US20200220007A1. Автор: Korec Jacek,Xu Shuming,LIN Haian. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

MODULATED SUPER JUNCTION POWER MOSFET DEVICES

Номер патента: US20180240869A1. Автор: Pattanayak Deva,TORNBLAD Olof. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

SILLICON CARBIDE POWER MOSFET WITH ENHANCED BODY DIODE

Номер патента: US20210305422A1. Автор: Guo Qing,REN NA,SHENG Kuang,ZHU Zhengyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON FIELD PLATE FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20190296115A1. Автор: Li Peng,Yang Hong,Liu Rui,Chen Ya ping,Liu Yunlong,Sridhar Seetharaman. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON FIELD PLATE FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20200335589A1. Автор: Li Peng,Yang Hong,Liu Rui,Chen Ya ping,Liu Yunlong,Sridhar Seetharaman. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220416079A1. Автор: SHIMOMURA Akihiro,SATO Machiko. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: KR100850689B1. Автор: 퓨-이완 히시히,군 종 소,얀 맨 츄이. Владелец: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-07.

Power mosfet having voltage-clamped gate

Номер патента: KR100625916B1. Автор: 윌리엄스리차드케이.. Владелец: 실리코닉스 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of making power MOSFET and IGBT with optimized on-resistance and breakdown voltage

Номер патента: US6190970B1. Автор: Chungpin Liao,Dar-Chang Juang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2001-02-20.

Dual epitaxial layer for high voltage vertical conduction power mosfet devices

Номер патента: AU5475100A. Автор: Zhijun Qu,Kenneth Wagers. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2000-12-28.

Short-channel silicon carbide power mosfet

Номер патента: US8133789B1. Автор: James A. Cooper,Maherin Matin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-03-13.

Power MOSFET

Номер патента: DE19801095B4. Автор: Tihanyi Dr. Jenö. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Vertical power MOSFET having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US6066877A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Power MOSFETs and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9853148B2. Автор: Yi-Chun Lin,Alexander Kalnitsky,Shiang-Yu CHEN,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating trench gate power MOSFET using sidewall spacer

Номер патента: KR100331032B1. Автор: 조경익,김상기,구진근,남기수. Владелец: 오길록. Дата публикации: 2002-04-06.

Power MOSFET device with a gate conductor surrounding source and drain pillars

Номер патента: US8816445B2. Автор: Ming Tang,Shih Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: WO2001095398A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-12-13.

High voltage power mosfet having low on-resistance

Номер патента: AU5458400A. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-12-28.

High-density power MOSFET with planarized metalization

Номер патента: US9437729B2. Автор: JIAN Li. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor component, e.g. power MOSFET

Номер патента: DE19640443A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-03.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: US7224027B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-29.

Power MOSFET and method for fabricating the same

Номер патента: EP0967660A2. Автор: Yuji Ueno,Yoshihiro Mori,Yuji Yamanishi,Seiki Yamaguchi,Satoru Takahashi,Ryuma Hirano,Yoshiaki Hachiya,Seiji Sogo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-12-29.

High voltage power MOSFET having low on-resistance

Номер патента: TWI265633B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Power mosfet with embedded recessed field plate and methods of fabrication

Номер патента: WO2011133481A3. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

Power MOSFET

Номер патента: DE4309764A1. Автор: Jenoe Dr Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-09-29.

Power MOSFET package

Номер патента: US8410599B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Yun-Jui Hsieh,Wei-Ming Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Power MOSFET package

Номер патента: TW201041089A. Автор: Chia-Lun Tsai,Shu-Ming Chang,Baw-Ching Perng,Ying-Nan Wen,Chia-Ming Cheng,Ching-Yu Ni,Yun-Jui Hsieh,Wei-Ming Chen. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2010-11-16.

High power mosfet semiconductor device

Номер патента: CA2441912A1. Автор: Abdul M. ElHatem. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-03-27.

High density trench-based power MOSFETs with self-aligned active contacts and method for making such devices

Номер патента: US9450088B2. Автор: John Chen,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Sik Lui,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Multi-level options for power mosfets

Номер патента: CN102760767A. Автор: 托马斯·E·格雷布斯,J·S·普瑞斯. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and diffusion from regions of oppositely doped polysilicon

Номер патента: TWI270208B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Process for forming power MOSFET device in float zone, non-epitaxial silicon

Номер патента: US6426248B2. Автор: Richard Francis,Chiu Ng. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-07-30.

Power mosfet with overcurrent and over-temperature protection

Номер патента: GB9418179D0. Автор: . Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1994-10-26.

Termination design for trench superjunction power MOSFET

Номер патента: US10103257B1. Автор: Vishnu Khemka,Moaniss Zitouni,Ganming Qin,Bernhard Grote,Ljubo Radic,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Depletion implant for power MOSFET

Номер патента: US7091080B2. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-15.

METHOD FOR PRODUCING A POWER MOSFET

Номер патента: DE60132994T2. Автор: Richard A. Los Altos BLANCHARD. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

True csp power mosfet based on bottom-source ldmos

Номер патента: US20100163979A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

High power mosfet type device

Номер патента: PL123961B1. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow,Viadimir Rumennik. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1982-12-31.

Modulated super junction power mosfet devices

Номер патента: EP3158590A1. Автор: Deva Pattanayak,Olof Tornblad. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Horizontal power MOSFET

Номер патента: JP3301271B2. Автор: 星　　正勝,泰明 早見. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-15.

Power MOSFET structure and manufacturing method for the same

Номер патента: TW200903806A. Автор: Ting-Sing Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Integrated planar-trench gate power MOSFET

Номер патента: CN115241283A. Автор: 王健,李文军,管灵鹏,陈凌兵. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Power MOSFET

Номер патента: JPH0614547B2. Автор: 秀史 伊藤,健明 岡部. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-23.

Power mosfet and method of making the same

Номер патента: WO2001099198A2. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-12-27.

Bottom source power MOSFET with substrateless and manufacturing method thereof

Номер патента: US8569169B2. Автор: Ping Huang,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-10-29.

Power mosfet with embedded recessed field plate and methods of fabrication

Номер патента: WO2011133481A2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish,Shih-Tzung Su. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2011-10-27.

Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance

Номер патента: US5665996A. Автор: Richard K. Williams,Mohammad Kasem. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Method for fabricating a radio frequency power MOSFET device having improved performance characteristics

Номер патента: US6207508B1. Автор: Viren C. Patel. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-03-27.

Power mosfet

Номер патента: JPH1074939A. Автор: 崇史 奥戸,Takashi Okuto. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Trench gate power mosfet

Номер патента: US20090250750A1. Автор: Yuji Watanabe,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi,Kunihito Oshima. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Power mosfets and methods for manufacturing the same

Номер патента: TWI633670B. Автор: 林怡君,吳國銘,亞歷山大 克爾尼斯基,陳翔裕. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-21.

Methods of Manufacturing a Power MOSFET

Номер патента: US20170236910A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-17.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: WO2003058722A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-07-17.

Shield contact layout for power mosfets

Номер патента: EP4295408A1. Автор: Peter A. Burke,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan,Emily M. Linehan,Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Power MOSFET and fabricating method thereof

Номер патента: TW201025602A. Автор: Kou-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Distributed power MOSFET

Номер патента: US20040256669A1. Автор: John Lin,Sameer Pendharkar,Steven Merchant,Philip Hower. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225B1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-04-28.

Lateral power MOSFET structure and method of manufacture

Номер патента: TW201123445A. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-01.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

High voltage power MOSFET having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by trench etching and ion implantation

Номер патента: TWI263282B. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

High voltage power mosfet includes doped columns

Номер патента: EP1468452B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Trenched power device with improved reliability and conduction

Номер патента: EP4241310A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: US20230238325A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Trench power rail in cell circuits to reduce resistance and related power distribution networks and fabrication methods

Номер патента: WO2023146696A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-03.

Trench power transistor e.g. lamellar trench power transistor, manufacturing method, involves selecting implantation energy and dose so that principal part of dose is placed below source electrode, and pinch resistance of contact is reduced

Номер патента: DE102006011283B3. Автор: Markus Dr. Zundel,Hermann Dr. Peri,Dietmar Kotz,Norbert Krischke,Sven Dr. Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2007-09-27.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11837657B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Silicon carbide trench power device

Номер патента: US20230378273A1. Автор: Youngho Seo,Martin Domeij,Kyeongseok Park,Kwangwon Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US20230369486A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabricating process and structure of trench power semiconductor device

Номер патента: TW200809982A. Автор: Ming-Chuan Chen,Kou-Liang Jaw,Tien-Min Yuan,Tsung-Chih Yeh,Teck-Wei Chen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

Method for manufacturing a trench power transistor

Номер патента: TW200921798A. Автор: Wei-Chieh Lin,Jen-Hao Yeh,Ming-Jang Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-16.

Trenched power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130056821A1. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

TRENCH POWER SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20190006479A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,LEE Yuan-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

MANUFACTURING METHOD OF A TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006489A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,LEE Yuan-Ming,NI CHUN-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

SHIELD GATE TRENCH POWER DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20220045183A1. Автор: Shi Lei,YANG Yafeng. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2022-02-10.

TRENCH POWER TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170033213A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SILICON CARBIDE TRENCH POWER DEVICE

Номер патента: US20210050420A1. Автор: Domeij Martin,LEE Kwangwon,SEO Youngho,PARK Kyeongseok. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Oxygen Inserted Si-Layers in Vertical Trench Power Devices

Номер патента: US20200052110A1. Автор: Poelzl Martin,Roesch Maximilian,Joshi Ravi Keshav,Goller Bernhard,Haase Robert,Leomant Sylvain,Feil Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

TRENCH POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20140151788A1. Автор: Venkatraman Prasad,Burke Peter A.,Suwhanov Agajan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

TRENCH POWER SEMINCONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180076297A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Trench power semiconductor and method of making the same

Номер патента: US20200075739A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

SAWTOOH ELECTRIC FIELD DRIFT REGION STRUCTURE FOR PLANAR AND TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190088761A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Bhalla Anup,Guann Lingpeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

TRENCH POWER TRANSISTOR

Номер патента: US20210098619A1. Автор: Liu Wei,LIU Lei,Wang Rui,GONG Yi,YUAN Yuanlin,MAO Zhendong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

GATE TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED DEEP SHIELD CONNECTION PATTERNS

Номер патента: US20220149196A1. Автор: Ryu Sei-Hyung,Lichtenwalner Daniel Jenner,Islam Naeem,Kim Woongsun. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

TRENCH POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190103489A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Vertical Trench Power Devices with Oxygen Inserted Si-Layers

Номер патента: US20200127135A1. Автор: Poelzl Martin,Roesch Maximilian,Joshi Ravi Keshav,Goller Bernhard,Haase Robert,Leomant Sylvain,Feil Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

DOUBLE GATE TRENCH POWER TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170200822A1. Автор: Lin Wei-Chieh,CHEN Chia-Cheng,LI PO-HSIEN,LIN JIA-FU. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

TRENCH POWER TRANSISTOR

Номер патента: US20170213906A1. Автор: Lin Wei-Chieh,LI PO-HSIEN,LIN JIA-FU,YANG GUO-LIANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

TRENCH POWER TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200227526A1. Автор: YEH Jen-Hao,LI PO-HSIEN,Chiu Hsin-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

TRENCH POWER TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200227537A1. Автор: YEH Jen-Hao,LI PO-HSIEN,Chiu Hsin-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

SAWTOOH ELECTRIC FIELD DRIFT REGION STRUCTURE FOR PLANAR AND TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210305406A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Bhalla Anup,Guan Lingpeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

SAWTOOH ELECTRIC FIELD DRIFT REGION STRUCTURE FOR PLANAR AND TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200303513A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur,Bhalla Anup,Guan Lingpeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

TRENCH POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200343369A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170365708A1. Автор: Lin Wei-Chieh,LI PO-HSIEN,LIN JIA-FU,YANG GUO-LIANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Trench power field effect transistor device and method

Номер патента: US8648412B1. Автор: Peter A. Burke,Agajan Suwhanov,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-11.

Trench power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI704606B. Автор: 許修文. Владелец: 帥群微電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-09-11.

Trench power device with segmented trench and shield

Номер патента: CN115699328A. Автор: D·J·里施顿瓦尔纳. Владелец: Wofu Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Split electrode gate trench power device

Номер патента: US20070023829A1. Автор: David Jones,Robert Montgomery,Ling Ma,Hugo Burke. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-02-01.

Fabrication method of trenched power semiconductor device with source trench

Номер патента: TWI421923B. Автор: Chun Ying Yeh,Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-01-01.

Fabrication method of trenched power semiconductor structure with low gate charge

Номер патента: TW201207950A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Split electrode gate trench power device

Номер патента: WO2007014321A2. Автор: Robert Montgomery,Ling Ma,David Paul Jones,Hugo R.G. Burke. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-02-01.

Trenched power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US8916930B2. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-23.

Trench power transistor and method of producing the same

Номер патента: US11069794B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Po-Hsien Li,Hsin-Yen Chiu. Владелец: Leadpower Semi Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Fabrication method of trenched power semiconductor structure with low gate charge

Номер патента: TWI458022B. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Shield gate trench power device and method for making the same

Номер патента: US11522063B2. Автор: Lei Shi,Yafeng Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Trench power device with segmented trench and shield

Номер патента: JP2023524028A. Автор: リヒテンヴァルナー、ダニエル、ジェンナー. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US20220130997A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Split electrode gate trench power device

Номер патента: TW200711270A. Автор: Robert Montgomery,Ling Ma,David Paul Jones,Hugo R G Burke. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2007-03-16.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201705300A. Автор: 許修文. Владелец: 帥群微電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Gate trench power semiconductor devices having trench shielding patterns formed during the well implant and related methods

Номер патента: WO2023249847A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate trench power semiconductor devices having improved breakdown performance and methods of forming such devices

Номер патента: US20230420527A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate trench power semiconductor devices having trench shielding patterns formed during the well implant and related methods

Номер патента: US20230411446A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Gate trench power semiconductor devices having improved breakdown performance and methods of forming such devices

Номер патента: WO2023249845A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: WO2024147894A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: US20240234495A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

CMOS power fet driver including multiple power MOSFET transistors connected in parallel, each carrying an equivalent portion of the total driver current

Номер патента: US5442218A. Автор: Donald M. Bartlett,Ricky F. Bitting,Durbin L. Seidel,James F. Patella. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1995-08-15.

Non-volatile logic circuit employing low-power mosfet enabled by non-volatile latched outputs

Номер патента: WO2019005057A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607B. Автор: 于浩. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

一种增强散热的Power MOSFET及其设计方法

Номер патента: CN108288607A. Автор: 于浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Power MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761464B2. Автор: Yi-Chi Chang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Blanket well counter doping process for high speed/low power MOSFETs

Номер патента: US5963799A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Trench power device of integrated inductor, and manufacturing method for trench power device

Номер патента: EP4386824A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Trench power device integrated with inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222420A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

BIDIRECTIONAL BLOCKING MONOLITHIC HETEROGENEOUS INTEGRATED CASCODE-STRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220037515A1. Автор: Zhang Jiaqi,Zhang Jincheng,Hao Yue,ZHANG Chunfu,ZHANG Weihang,YANG Guofang,WU Yichang,CHEN Dazheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

POWER MOSFET EQUIPPED WITH AN ANODIC REGION.

Номер патента: IT8120225D0. Автор: Carl Franklin Wheatley Jr,Hans Werner Becke. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-03-09.

전력용 모스전계효과트랜지스터(power mosfet)

Номер патента: KR970054411A. Автор: 김현철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

POWER MOSFET EQUIPPED WITH AN ANODIC REGION

Номер патента: IT1194027B. Автор: Carl Franklin Wheatley Jr,Hans Werner Becke. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-08-31.

System and method for bi-directional trench power switches

Номер патента: GB2623027B. Автор: Bulucea Constantin,Bu Jiankang,Knapp Jeffrey,MOJAB Alireza,Daniel Brdar Robert. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

System and method for bi-directional trench power switches

Номер патента: GB202400589D0. Автор: . Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A4. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-10-13.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A3. Автор: Boris S Jacobson. Владелец: Boris S Jacobson. Дата публикации: 2007-12-21.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: EP2013956A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-01-14.

Regenerative gate drive circuit for a power mosfet

Номер патента: WO2007127378A2. Автор: Boris S. Jacobson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2007-11-08.

A kind of power MOSFET inverter modules of high integration

Номер патента: CN107946272A. Автор: 于今,李彦莹,车湖深. Владелец: China Aviation Chongqing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

Semiconductor device having a vertical power MOSFET fabricated in an isolated form on a semiconductor substrate

Номер патента: US5045900A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Anti-aging architecture for power mosfet device

Номер патента: US20210074835A1. Автор: Alberto Cattani,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-11.

Surge Protection Circuit for Power MOSFETs used as Active Bypass Diodes in Photovoltaic Solar Power Systems

Номер патента: US20140291721A1. Автор: Robbins Steven Andrew. Владелец: SUNFIELD SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Over-voltage protection circuit with Zener diodes for power MOSFET

Номер патента: DE19629056C1. Автор: Gerold Schrittesser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-18.

Anti-aging architecture for power mosfet device

Номер патента: US20210074835A1. Автор: Alberto Cattani,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-11.

TERMINATION OF SUPER JUNCTION POWER MOSFET

Номер патента: US20160087034A1. Автор: Lin Che-Yi,YOU Jheng-Sheng,CHEN Lieh-Chuan,CHU Po-Tao,WANG Shen-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Hybrid power MOSFET

Номер патента: DE19902520B4. Автор: Manfred Bruckmann,Heinz Dr. Mitlehner,Eric Dr. Baudelot,Dietrich Dr. Stephani,Benno Dipl.-Ing. Weis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Junction temperature measurement of a power MOSFET

Номер патента: CN103368412A. Автор: S·沃尔兹,C·欧路. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2013-10-23.

Bidirectionally blocking semiconductor switch and associated power switching stage in a vehicle

Номер патента: DE102012223833A1. Автор: Martin Neuburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

JUNCTION TEMPERATURE MEASUREMENT OF A POWER MOSFET

Номер патента: US20130257329A1. Автор: OROU Christoph,Walz Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Power mosfet having superjunction trench and fabrication method thereof

Номер патента: KR101315699B1. Автор: 강동주,윤기창. Владелец: 주식회사 원코아에이. Дата публикации: 2013-10-08.

Vertical power MOSFET and methods of forming the same

Номер патента: US9892974B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating a bidirectionally blocking power semiconductor

Номер патента: EP0933819A1. Автор: Hans-Joachim Dr. Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-04.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20160027900A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

TRENCHED POWER MOSFET WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140120670A1. Автор: YEH Chun-Ying. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-05-01.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20150044837A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140349456A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,LEE Yuan-Ming. Владелец: SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-27.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20140120669A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Shielding gate power MOSFET manufacturing method

Номер патента: CN106024607A. Автор: 柯行飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

SiC power MOSFET device structure

Номер патента: US5393999A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET

Номер патента: US20130189819A1. Автор: EGUCHI Satoshi,ABIKO Yuya,KOGURE Junichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

Power mosfet and forming method thereof

Номер патента: CN103681850A. Автор: 周学良,柳瑞兴,苏柏智,伍震威. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure to Achieve Lower RDSON

Номер патента: US20130134598A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.,Shea Patrick M.. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150104917A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20140342518A1. Автор: Wang Peilin,de Fresart Edouard D.,Li Wenyi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-11-20.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140342520A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150325485A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Power MOSFET having trench gate and method for fabricating therefor

Номер патента: KR100524884B1. Автор: 김성한. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-21.

Low resistance gate for power mosfet applications and method of manufacture

Номер патента: US20070190728A1. Автор: Fred Session,Ihsiu Ho,James Kent Naylor,Sreevatsa Sreekantham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for fabricating power mosfet

Номер патента: TW200614421A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20150056770A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Manufacturing Method of Power MOSFET Using a Hard Mask as a CMP Stop Layer Between Sequential CMP Steps

Номер патента: US20160079079A1. Автор: EGUCHI Satoshi,Taniguchi Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Power MOSFET With Enhanced Cell Design

Номер патента: US20220181443A1. Автор: ZUO ZHENG,LI RUIGANG,Yu Xiaotian. Владелец: AZ Power, Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

SHIELD CONTACT LAYOUT FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20220310802A1. Автор: Burke Peter,Padmanabhan Balaji,Venkatraman Prasad,LINEHAN Emily M.,Loechelt Gary Horst. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Vertical Power MOSFET And IGBT Fabrication Process With Two Fewer Photomasks

Номер патента: US20140273357A1. Автор: Seok Kyoung Wook,CHOI Jae Yong,Tsukanov Vladimir. Владелец: IXYS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

POWER MOSFET DEVICE STRUCTURE FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20160247899A1. Автор: Bhalla Anup,Ng Daniel,LI Tiesheng,Lui Sik K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Fabrication method of self-aligned power mosfet

Номер патента: KR101063924B1. Автор: 김상철,김남균,강인호,주성재,욱 방. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2011-09-14.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: US20110306194A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for preparing a trench power transistor

Номер патента: TW200849584A. Автор: Wu-Hsiung Chen,Neo Chen,Ta-Ching Chang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

TRENCH POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180337236A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,NI CHUN-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Method of reducing boron outgassing at trench power IC's oxidation process for sacrificial oxide layer

Номер патента: US6680261B2. Автор: Jen-Te Chen,Kou-Liang Jaw,Mao-Song Tseng,Kou-Wei Yang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Intrinsic element sensing integrated SOA protection for power MOSFET switches

Номер патента: US5737169A. Автор: Jeff C. Sellers. Владелец: ENI Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Transformer coupled gate drive circuit for power MOSFETS

Номер патента: US5019719A. Автор: Ray King. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1991-05-28.

Power MOSFET

Номер патента: US5801572A. Автор: Hidetake Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Bidirectionally blocking electronic switch arrangement

Номер патента: US20160189887A1. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Power MOSFET wafer level chip-scale package

Номер патента: CN101221915A. Автор: 冯涛,孙明. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-07-16.

Power MOSFET module with gate electrode resistance distribution

Номер патента: CN101582394A. Автор: 刘志宏,沈华,朱翔,胡少华,金晓行,李冯. Владелец: JIAXING STARPOWER MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Double-chip power MOSFET packaging structure

Номер патента: CN212517178U. Автор: 张开航,马云洋. Владелец: Suzhou Qinlv Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Design of device layout for integration with power mosfet packaging to achieve better lead wire connections and lower on resistance

Номер патента: US5767567A. Автор: Yung-Chang Hu,Tsuo-Hsin Ma. Владелец: Magemos Corp Taiwan. Дата публикации: 1998-06-16.

Power MOSFET Having Selectively Silvered Pads for Clip and Bond Wire Attach

Номер патента: US20140042624A1. Автор: Nathan Zommer. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2014-02-13.

POWER MOSFET

Номер патента: US20170323800A1. Автор: Chang Yi-Chi. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-09.

PROCEDURE TO CONTROL A POWER MOSFET.

Номер патента: ES2349496T3. Автор: Rolf Falliano,Wolfram Breitling,Reinhold Weible,Walter Hersel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-01-04.

Power MOSFET

Номер патента: US20050017299A1. Автор: ZHENG Shen. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Layout of power MOSFET

Номер патента: TW201209997A. Автор: Kuo-Chiang Chen,Yen-Yi Chen,Chien-Ping Chou. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160307835A1. Автор: Chang Yi-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Control circuit of power mosfet

Номер патента: KR200150912Y1. Автор: 허동영. Владелец: 대우전자주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

PROTECTION OF POWER MOSFETS

Номер патента: FR3065340A1. Автор: Julien Berthelot,David Bonneau,William Lapierre,Lucien Le Curieux-Belfond. Владелец: Valeo Systemes Thermiques SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

Power mosfet driver and method therefor

Номер патента: HK1092955A1. Автор: Paul J Harriman. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-02-16.

Power mosfet driving circuit with transfer curve gate driver and ground shift compensation

Номер патента: US20240348248A1. Автор: Boripann Srivongse. Владелец: Curtis Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Power mosfet driving circuit with transfer curve gate driver and ground shift compensation

Номер патента: EP4447309A2. Автор: Boripann Srivongse. Владелец: Curtis Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Two stage protection circuit for a power MOSFET driving an inductive load

Номер патента: US4860152A. Автор: Douglas B. Osborn. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1989-08-22.

Protection circuit for a power mosfet driving an inductive load

Номер патента: EP0380881A3. Автор: Douglas Bruce Osborn. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1991-06-12.

Lightning protection for power mosfets

Номер патента: EP4322352A1. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Lightning protection for power MOSFETs

Номер патента: US12132471B2. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Bidirectional current sensing for power mosfets

Номер патента: KR0170404B1. Автор: 이자디니아 만소어. Владелец: 존 지.웨브. Дата публикации: 1999-03-30.

Protection circuit for a power mosfet driving an inductive load

Номер патента: KR920000681B1. Автор: 브루스 오스본 더글라스. Владелец: 델코 엘렉트로닉스 코오포레이션. Дата публикации: 1992-01-20.

Lightning protection for power mosfets

Номер патента: US20240056069A1. Автор: John Dickey. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

ELECTRONIC DRIVER CIRCUIT FOR AT LEAST ONE POWER MOSFET AND METHOD OPERATING AT LEAST ONE POWER MOSFET

Номер патента: US20200304108A1. Автор: Bondar Henri. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Power MOSFET gate protection circuit for self synchronized rectifier, has MOSFETs with low voltage conduction thresholds that are controlled by their gate-source wiring

Номер патента: FR2826522A1. Автор: Almadidi Diallo,Patrick Ceunebrock. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-12-27.

Electronic contactless load switching device esp. for optical proximity switch - uses DC=DC converter controlled by output of switching amplifier and coupled to control electrode of power MOSFET

Номер патента: DE4209396A1. Автор: Reinhard Teichmann,Gerhard Dipl Ing Heilig. Владелец: IFM ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 1993-09-30.

Control circuit for a power mosfet with a load connected to its source

Номер патента: EP0239862B1. Автор: Ludwig Dipl.-Ing. Leipold,Jenö Dr. Tihanyi,Josef Dipl.-Ing. Einzinger,Christine Fellinger,Roland Dipl.-Ing. Weber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-02-07.

Circuit arrangement for load current limitation of a power MOSFET

Номер патента: DE59304709D1. Автор: Ludwig Dipl Ing Leipold,Rainald Dipl Ing Sander,Jenoe Dr Dipl Ing Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-01-23.

Gate driving circuit for power mosfet

Номер патента: KR102284186B1. Автор: 이경호,김기현,김형우. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2021-08-02.

Gate control circuit for prevention of turn-off avalanche of power MOSFETs

Номер патента: US20030169088A1. Автор: Ajit Dubhashi,Shahin Maloyan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-09-11.

Transformer coupled power MOSFET switching circuitry - has capacitance-discharge FET coupled via diode to power FET for turn off

Номер патента: DE4035969A1. Автор: Robert Ronft. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-08-01.

Gate Driving Circuit for Power MOSFETs applied to the higher voltage of power than the Gate Controller

Номер патента: KR100489870B1. Автор: 류태하,장병탁. Владелец: 주식회사 디엠비테크놀로지. Дата публикации: 2005-05-17.

Protection circuit for a power MOSFET

Номер патента: EP0384937A1. Автор: Jenö Dr. Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-09-05.

Lithium battery protection chip and control circuit of integrated power MOSFET

Номер патента: CN113162189A. Автор: 朱士强. Владелец: Shenzhen Zhuolang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20130200952A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-08.

POWER MOSFETS WITH IMPROVED EFFICIENCY FOR MULTI-CHANNEL CLASS D AUDIO AMPLIFIERS AND PACKAGING THEREFOR

Номер патента: US20140203870A1. Автор: Williams Richard K.. Владелец: ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-24.

Auto bias circuit of power amplifier using power MOSFET

Номер патента: KR200247980Y1. Автор: 정귀성. Владелец: 정귀성. Дата публикации: 2001-10-31.

Cable trench power transmission line monitoring system based on wireless sensor network

Номер патента: CN106101645B. Автор: 黄旭红. Владелец: Fujian University of Technology. Дата публикации: 2022-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09418986B2. Автор: Ryotaro Kudo,Hirokazu Kato,Tomoaki Uno,Yoshitaka Onaya,Koji Saikusa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Multi-bits storage in power mos (and igbt) and simultaneous read methods

Номер патента: US20220208765A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Bidirectional block chain

Номер патента: CN112219371A. Автор: J·D·兰姆金斯,H·J·金. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Method of current monitoring with temperature compensation

Номер патента: US12092666B1. Автор: Haiyin LI. Владелец: Innovision Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Determination of power mosfet leakage currents

Номер патента: US20200200815A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method and apparatus for calculating the junction temperature of an rf power mosfet

Номер патента: EP3114446A1. Автор: Tao Wang,Keqiu Zeng,Kailas SENAN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-11.

Current sensing for power MOSFETs

Номер патента: US7365559B2. Автор: Roger Colbeck. Владелец: Potentia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Systems and methods for determining parameters of a power MOSFET model

Номер патента: US09984190B1. Автор: Joachim Aurich,Sameer Kher,Shimeng Huang,Torsten Fichtner. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Finfet thyristors for protecting high-speed communication interfaces

Номер патента: EP4143881A1. Автор: Javier Alejandro Salcedo,Jonathan Glen Pfeifer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Finfet thyristors for protecting high-speed communication interfaces

Номер патента: WO2021221840A1. Автор: Javier Alejandro Salcedo,Jonathan Glen Pfeifer. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2021-11-04.

Finfet thyristors for protecting high-speed communication interfaces

Номер патента: US20210344336A1. Автор: Javier A. Salcedo,Jonathan G. Pfeifer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

RF controlled switch box without using neutral wire and a power harvesting switch circuit thereof

Номер патента: US09961749B1. Автор: Pin-Chia Lee,Ku-Fang Wang,Yu-Ling Chou,Lung-Shu Liu. Владелец: Climax Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having a large sense voltage

Номер патента: US5563437A. Автор: Robert B. Davies,Warren J. Schultz. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-10-08.

Structure and method of new power mos and igbt with built-in multiple vt's

Номер патента: US20220209005A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Silicon carbide mosfet with integrated mos diode

Номер патента: WO2017011036A1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode

Номер патента: US09324807B1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160365294A1. Автор: Kazuhisa MORl. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246025A1. Автор: Taro Moriya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Contact expose etch stop

Номер патента: WO2017172897A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Contact expose etch stop

Номер патента: EP3437139A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM,Rodney Schroeder. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110254087A1. Автор: Masatoshi Morikawa,Tomoyuki Miyake,Yutaka Hoshino,Makoto Hatori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Power superjunction MOSFET device with resurf regions

Номер патента: US09660070B2. Автор: Satoshi Eguchi,Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352521A1. Автор: Akihiro Shimomura,Yuta NABUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and control system

Номер патента: US20220115306A1. Автор: Yusuke OJIMA,Yoshimasa Uchinuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543217B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA,Takatoshi OOE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor struture and method of forming the same

Номер патента: US20110037113A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Power silicon carbide based mosfet transistors with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: US20190198656A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: EP3729513A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Lateral drift vertical metal-insulator semiconductors

Номер патента: WO2005122398A3. Автор: Ranbir Singh. Владелец: GeneSIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: WO2019125600A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080135927A1. Автор: Naoto Fujishima,Masaharu Yamaji,Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and a method for manufacturing same

Номер патента: US20040147078A1. Автор: Naoto Fujishima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Power silicon carbide based mosfet transistors with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: US20190371931A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411512A1. Автор: Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Insulated gate field effect transistors

Номер патента: WO2006059300A3. Автор: Adam Brown. Владелец: Adam Brown. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20150035004A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

Field-effect semiconductor devices

Номер патента: WO2000033353A3. Автор: Eddie Huang. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Field-effect semiconductor devices

Номер патента: WO2000033353A2. Автор: Eddie Huang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-08.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20160172447A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210359086A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210005716A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20130221488A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-29.

Self-Aligned Dual Trench Device

Номер патента: US20170018619A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,Cheng-Chin Huang,Yun-Pu Ku. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit with fault reporting structure

Номер патента: US11916064B2. Автор: Tao Zhao,Chiahsin Chang,Xintong Lyu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Power semiconductor device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: WO2001082380A2. Автор: Jun Zeng,Linda Brush. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2001-11-01.

Trench type mosfet device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100155838A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Integration of a Schottky diode with a MOSFET

Номер патента: US11984497B2. Автор: Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

MOSFET structure and fabrication process for decreasing threshold voltage

Номер патента: US5729037A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,True-Lon Lin,Danny Chi Nim. Владелец: MegaMOS Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11967624B2. Автор: Naoki Tega,Digh Hisamoto,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A3. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20050151186A1. Автор: Katsuo Ishizaka,Tetsuo Iijima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20040155258A1. Автор: Katsuo Ishizaka,Tetsuo Iijima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Low loss sic mosfet

Номер патента: US20140065778A1. Автор: Dumitru Sdrulla,Bruce Odekirk,Marc H. Vandenberg. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570601B2. Автор: Hiroshi Miki,Yuki Mori,Toshiyuki Mine,Mieko Matsumura,Hirotaka Hamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: US20120129305A1. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A2. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Process for forming gate oxide layer

Номер патента: US20020006704A1. Автор: Chien-Ping Chang,Chiao-Shun Chuang,Mao-Song Tseng,Su-wen Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semi-conductor component with contact hole

Номер патента: US4785344A. Автор: Guenther Franz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-11-15.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: EP1130653A2. Автор: Mizue Kitada,Shinji Kunori,Toshiyuki Takemori. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20120034742A1. Автор: Hiroshi Sato,Osamu Ikeda,Hiroi Oka,Toshiyuki Hata,Kuniharu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068201A2. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Super-Junction MOSFET/IGBT with MEMS Layer Transfer and WBG Drain

Номер патента: US20230065348A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Cathal Duffy,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Top drain MOSFET

Номер патента: US20050194636A1. Автор: Daniel Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20020008282A1. Автор: Hirotoshi Kubo,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20100105174A1. Автор: Hiroshi Sato,Osamu Ikeda,Hiroi Oka,Toshiyuki Hata,Kuniharu Muto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

Varying mesa dimensions in high cell density trench mosfet

Номер патента: WO2007089489A3. Автор: Qi Wang,Gordon George Sim. Владелец: Gordon George Sim. Дата публикации: 2008-06-26.

Varying mesa dimensions in high cell density trench mosfet

Номер патента: WO2007089489A2. Автор: Qi Wang,Gordon George Sim. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2007-08-09.

Dense trench MOSFET with decreased etch sensitivity to deposition and etch processing

Номер патента: US20030096482A1. Автор: Gary Dolny,Rodney Ridley,Jifa Hao. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

半导体结构及其制造方法

Номер патента: CN118116972. Автор: 陈盈佐,蒋光浩. Владелец: Hongyang Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-05-31.

Plural polygon source pattern for mosfet

Номер патента: CA1123119A. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow,Vladimir Rumennik. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1982-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230420556A1. Автор: Takahiro Maruyama,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Mos field -effect transistor and method of making the same

Номер патента: WO2012068201A3. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Power semiconductor devices

Номер патента: GB2080616A. Автор: . Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1982-02-03.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US7521306B2. Автор: Hirotoshi Kubo,Hiroaki Saito,Masanao Kitagawa,Masahito Onda,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-21.

Trench DMOS power transistor with field-shaping body profile and three-dimensional geometry

Номер патента: US5298442A. Автор: Constantin Bulucea,Rebecca Rossen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Manufacture of semiconductor devices with schottky barriers

Номер патента: EP1415334A1. Автор: Steven T. Peake,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-06.

오목한 셀 구조를 갖는 파워 모스펫 및 그 제조방법

Номер патента: KR20140132526A. Автор: 윤기창. Владелец: 주식회사 원코아에이. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor Device and Method of Providing Rad Hard Power Transistor with 1200v Breakdown Voltage

Номер патента: US20230061775A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Cathal Duffy,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2023052355A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US7400007B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Kiyotaka Arai,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono,Hirobumi Matsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070138550A1. Автор: Hitoshi Ninomiya,Yoshinao Miura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Trench-gate semiconductor devices, and their manufacture

Номер патента: WO2003010827A3. Автор: Mark A Gajda. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20060157778A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Kiyotaka Arai,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono,Hirobumi Matsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Mos-gated semiconductor device having alternating conductivity type semiconductor regions and method of making the same

Номер патента: EP1256133A2. Автор: Christopher Kocon. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-11-13.

Mos-gated semiconductor device having alternating conductivity type semiconductor regions and methods of making the same

Номер патента: WO2001059848A2. Автор: Christopher Kocon. Владелец: INTERSIL CORPORATION. Дата публикации: 2001-08-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

半導體裝置之製造方法及半導體裝置

Номер патента: TWI625794B. Автор: 新井耕一,久田賢一,濱正樹,籠利康明. Владелец: 瑞薩電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9997621B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230039359A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

High voltage junction solid-state switch

Номер патента: US4586073A. Автор: Peter W. Shackle,Adrian R. Hartman,Terence J. Riley,Bernard T. Murphy. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Methods of measuring real-time junction temperature in silicon carbide power mosfet devices using turn-on delay, related circuits, and computer program products

Номер патента: US20210396596A1. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Bhanu Vankayalapati. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of determining operating conditions of silicon carbide power MOSFET devices associated with aging, related circuits and computer program products

Номер патента: US11474145B2. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Enes Ugur. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-10-18.

Fault prediction and health processing method and test system of power MOSFET

Номер патента: CN107315138B. Автор: 吴楷龙,欧东,林成熙. Владелец: Shenzhen Smartind Automation Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-02.

Correcting for load resistance when making i-v measurements with constant drain voltage on power mosfets

Номер патента: US20240036101A1. Автор: Alexander N. Pronin,Mary Anne Tupta,Andrew Alan Shetler. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Radio frequency high-power MOSFET grid drive circuit

Номер патента: CN217643164U. Автор: 周山,唐逸,邵隆标. Владелец: Jiangxi Jiabaile Business Management Group Co ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

Determination of power mosfet leakage currents

Номер патента: US20200200815A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF MEASURING REAL-TIME JUNCTION TEMPERATURE IN SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES USING TURN-ON DELAY, RELATED CIRCUITS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20210396596A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Vankayalapati Bhanu. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Multiplier and neural network synapse using current mirror having low-power mosfets

Номер патента: US5914868A. Автор: Dae Hwan Kim,Il Song Han,Young Jae Choi. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

POWER MOSFET WITH A DEEP SOURCE CONTACT

Номер патента: US20190004201A1. Автор: Song Wei,Liu Yunlong,LIN Furen,BAIOCCHI Frank,LIN Haian,LIU Lark,ZHAO ZiQiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

METHOD AND APPARATUS FOR CALCULATING THE JUNCTION TEMPERATURE OF AN RF POWER MOSFET

Номер патента: US20170030778A1. Автор: WANG TAO,ZENG KEQIU,SENAN KAILAS. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METHODS OF MONITORING CONDITIONS ASSOCIATED WITH AGING OF SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES IN-SITU, RELATED CIRCUITS AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20200400738A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Ugur Enes,Vankayalapati Bhanu Teja. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

METHODS OF DETERMINING OPERATING CONDITIONS OF SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES ASSOCIATED WITH AGING, RELATED CIRCUITS AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20200408829A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Ugur Enes. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US9190502B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20200127095A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

High voltage dielectrically isolated remote gate solid-state switch

Номер патента: US4587545A. Автор: Peter W. Shackle,Adrian R. Hartman,Terence J. Riley,Joseph E. Berthold. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

High voltage solid-state switch

Номер патента: US4587656A. Автор: Peter W. Shackle,Adrian R. Hartman,Terence J. Riley. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

Systems and methods integrating trench-gated thyristor with trench-gated rectifier

Номер патента: US8569117B2. Автор: Richard A. Blanchard,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Systems and Methods Integrating Trench-Gated Thyristor With Trench-Gated Rectifier

Номер патента: US20130115739A1. Автор: Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo,Richard Blanchard. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Stacked synchronous buck converter

Номер патента: WO2009039082A3. Автор: Yong Liu,Qiuxiao Qian,Honorio T Granada. Владелец: Honorio T Granada. Дата публикации: 2009-07-09.

Stacked synchronous buck converter

Номер патента: WO2009039082A2. Автор: Yong Liu,Qiuxiao Qian,Honorio T. Granada. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-03-26.

Gate driver multi-chip module

Номер патента: US20020021560A1. Автор: David Jauregui. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2002-02-21.

Stacked synchronous buck converter

Номер патента: US20090072359A1. Автор: Yong Liu,Qiuxiao Qian,Honorio T. Granada, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Avalanche stress protected semiconductor device having variable input impedance

Номер патента: US5115369A. Автор: Stephen P. Robb,John P. Phipps,Michael D. Gadberry. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-05-19.

Switching power capable of avoiding coupling effects

Номер патента: US20130300492A1. Автор: DONG Chen,Yu Zhao,Fei Wang,Xiang Sun. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Rotated channel field effect transistor

Номер патента: US20150123124A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

On chip power supply

Номер патента: CA2517152A1. Автор: Richard A. Metzler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-10.

Output control device, and AC/DC power source device, circuit device, LED backlight circuit device, and switching DC/DC converter device each using output control device

Номер патента: US20090033300A1. Автор: Masaru Kubo,Shinji Kamiya,Toshio Naka,Shohhei Ohsawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Smart solid state relay

Номер патента: CA2418576A1. Автор: Lyle Stanley Bryan. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-08.

고주파 전력 발생장치

Номер патента: KR101176339B1. Автор: 강삼옥,강신갑. Владелец: (주)부영코리아. Дата публикации: 2012-08-22.

고주파 전력 발생장치

Номер патента: KR20110088217A. Автор: 강삼옥,강신갑. Владелец: (주)부영코리아. Дата публикации: 2011-08-03.

Time-of-flight mass spectrometer

Номер патента: US20210233762A1. Автор: Shiro Mizutani. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

High Performance Multi-Component Electronics Power Module

Номер патента: US20190311977A1. Автор: Man Kit Lam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Smart solid state relay

Номер патента: CA2614973C. Автор: Lyle Stanley Bryan. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Battery monitoring units for monitoring battery packs

Номер патента: WO2023158744A1. Автор: Ankur Gupta,Sachin Ramesh Chandra,Eunbit CHO. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Electronic devices

Номер патента: EP1460689A2. Автор: Johnny Kin-On c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Sin,Ming c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Liu,Tommy Mau-Lam c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Electronic devices

Номер патента: WO2004084302A1. Автор: Ming Liu,Johnny Kinon Sin,Tommy Maulau Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Limited. Дата публикации: 2004-09-30.

Electronic devices

Номер патента: EP1460689A3. Автор: Johnny Kin-On c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Sin,Ming c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Liu,Tommy Mau-Lam c/o Analog Power Int.Prop.Ltd. Lai. Владелец: Analog Power Intellectual Properties Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

具线圈驱动功能的半导体封装结构

Номер патента: CN204011419U. Автор: 黄建屏. Владелец: JINGZHI SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

功率金氧半场效应晶体管的布局结构

Номер патента: CN102386228A. Автор: 周建平,陈国强,陈宴毅. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

Power device and preparation method thereof

Номер патента: US9431328B1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Systems and methods for efficient and scalable design of battery packs

Номер патента: US20230261269A1. Автор: Ankur Gupta,Sachin Ramesh Chandra,Eunbit CHO. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Mosfet driver with pulse timing pattern fault detection and adaptive safe operating area mode of operation

Номер патента: WO2015191146A1. Автор: Arthur B. Odell,Leif Lund,Sujit Banerjee. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2015-12-17.

MOSFET driver with pulse timing pattern fault detection and adaptive safe operating area mode of operation

Номер патента: US09543821B2. Автор: Arthur B. Odell,Leif Lund,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for reducing magnetic field emission for heated seats and other applications

Номер патента: EP4008045A1. Автор: Debabrato Kumar MONDAL. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2022-06-08.

Excitation pulse generator

Номер патента: RU2716289C1. Автор: Максим Викторович Тригуб,Павел Павлович Гугин,Василий Васильевич Власов,Николай Александрович Васнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева Сибирского отделения Российской академии наук (ИОА СО РАН). Дата публикации: 2020-03-11.

Lus semiconductor and application circuit

Номер патента: CN101390280B. Автор: 卢昭正. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-16.

Circuit for supplying current to a coil

Номер патента: CA1210804A. Автор: Heinz-Helmut Voigt,Adolf Groepl,Ingward J. Lindbeck. Владелец: Vickers Systems GmbH. Дата публикации: 1986-09-02.

Short circuit protection device

Номер патента: RU2760360C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Борис Сергеевич Редькин,Андрей Анатольевич Жохов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-24.

Active oring controller for redundant power systems

Номер патента: WO2005020286A3. Автор: Goran Stojcic,Daniel Yum,Weidong Fan. Владелец: Weidong Fan. Дата публикации: 2005-10-20.

Solid state power controller

Номер патента: US5723915A. Автор: Keith W. Kawate,Thomas R. Maher,Norman E. LeComte. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Sparse and ultra-sparse partial resonant converters

Номер патента: US09543853B2. Автор: Mahshid Amirabadi,Hamid A. Tollyat. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-01-10.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: AU2022234677B2. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Partial-resonant converters for PV applications

Номер патента: US12132319B2. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Circuit configuration for triggering a power enhancement MOSFET

Номер патента: US5798666A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-08-25.

Efficiently managing multiple power supplies

Номер патента: US20180183435A1. Автор: Seth Spiel. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Programmable switching converter

Номер патента: US20190267903A1. Автор: Ananthakrishnan Viswanathan,Philomena Cleopha Brady,Shanguang Xu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Programmable switching converter

Номер патента: US20190207521A1. Автор: Ananthakrishnan Viswanathan,Philomena Cleopha Brady,Shanguang Xu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Bidirectional motor drive circuit

Номер патента: CA1284348C. Автор: David L. Juzswik. Владелец: Lear Corp EEDS and Interiors. Дата публикации: 1991-05-21.

Controlling Power Chain with Same Controller in Either of Two Different Applications

Номер патента: US20120086479A1. Автор: Tetsuo Tateishi,Brian Ashley Carpenter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Solid state relay circuit employing MOSFET power switching devices

Номер патента: US4438356A. Автор: Kenneth H. Fleischer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1984-03-20.

Power supply switching circuit for a compact portable telephone set

Номер патента: GB2258121A. Автор: Akihiko Sekiguchi,Naoshi Tsunehiro,Asako Nakamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-27.

Charge recycling circuit and method for dc-dc converters

Номер патента: US20240030800A1. Автор: Patrick Mercier,Abdullah Abdulslam. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated and distributed over temperature protection for power management switches

Номер патента: US20200287530A1. Автор: Javier A. Salcedo,Chiong Yew Lai. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-09-10.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: ZA202309353B. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: CA3211624A1. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: EP4305743A1. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: US20220294228A1. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: AU2022234677A1. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Partial-resonant converters for pv applications

Номер патента: WO2022192167A1. Автор: Fernando Rodriguez,Khalegh MOZAFFARI,Patrick Lyle CHAPMAN. Владелец: Enphase Energy, Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Synchronous rectifier and method of operation

Номер патента: WO2000060730A1. Автор: Alan Richard Ball. Владелец: Semiconductor Components Industries, L.L.C.. Дата публикации: 2000-10-12.

Solid-state relay and regulator

Номер патента: US4419586A. Автор: John P. Phipps. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-12-06.

Smart junction box for photovoltaic solar power modules with safe mode and related method of operation

Номер патента: US09812868B2. Автор: Steven Andrew Robbins. Владелец: SUNFIELD SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Optically isolated bias control circuit

Номер патента: US6844779B2. Автор: Thomas A. McEwen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2005-01-18.

Pulse modulator

Номер патента: EP3202039A1. Автор: Paul Anthony James Garner. Владелец: Teledyne e2v UK Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Ultra-short pulse generator

Номер патента: US5274271A. Автор: Thomas E. Mcewan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1993-12-28.

Input transient protection and reverse protection for inverters

Номер патента: US20240171064A1. Автор: James Jin Xiong Zeng,David S. C. Liu,Raymond W. Lei. Владелец: HDM Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Bidirectional isolated high voltage dc-dc converter

Номер патента: WO2023205550A1. Автор: Shengming LI,Patrick C. TOOPS,Mark Y. LI. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20020114116A1. Автор: Richard Barker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor devices

Номер патента: EP1366569A1. Автор: Richard J. Barker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor devices

Номер патента: EP1366569B1. Автор: Richard J. Barker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor devices

Номер патента: WO2002067426A1. Автор: Richard J. Barker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-08-29.

Drive apparatus for rotating electric machine

Номер патента: US11228270B2. Автор: Yuji Ito,Makoto Taniguchi,Hirofumi Kinjo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Drive apparatus for rotating electric machine

Номер патента: US20200366232A1. Автор: Yuji Ito,Makoto Taniguchi,Hirofumi Kinjo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Current sensing circuit for use with a current controlling device in a power delivery circuit

Номер патента: US5032774A. Автор: David L. Juzswik. Владелец: Lear Corp EEDS and Interiors. Дата публикации: 1991-07-16.

Stepping motor drive device

Номер патента: US20140375244A1. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Direct current power control circuit

Номер патента: CA2071976C. Автор: James C. Nelson, Iii. Владелец: Dax Industries Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Overcurrent interrupting device

Номер патента: US20020014943A1. Автор: Keiichi Ito,Kazuto Sugiyama,Kazuyuki Shiraki,Isao Yoneyama. Владелец: YAZAKI Corp AND TOYOTA JIDOSHA KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Module of high-voltage key amplifier

Номер патента: RU2716041C1. Автор: Владимир Александрович Александров,Юрий Витальевич Казаков,Андрей Валентинович Чурсанов. Владелец: Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт "Бриз". Дата публикации: 2020-03-05.

Enhancement of the efficiency of energy recovery during spindle motor step-up phases for parking the R/W head of a disk storage device upon external supply failure

Номер патента: US7705548B2. Автор: Ezio Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of controlling operation of an electric drive based on a double-winding step motor operating in a full-step mode, and a device for realizing said method

Номер патента: RU2738348C1. Автор: Сергей Михайлович Иванов,Алексей Васильевич Разумов,Александр Федорович Сонин,Илья Владимирович Черепов. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Московский институт теплотехники" (АО "Корпорация "МИТ"). Дата публикации: 2020-12-11.

Externally programmable solid state power controller with power switch protection apparatus and method for making

Номер патента: US6125024A. Автор: Eric K. Larson,Thomas R. Maher,Norman E. LeComte. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

БЛОК УПРАВЛЕНИЯ ПУСКОМ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЯ И НАГРУЗКИ

Номер патента: RU0000025661U1. Автор: Коньков В.В.. Владелец: Открытое акционерное общество "МЭЛ". Дата публикации: 2002-10-10.

Two-battery system

Номер патента: DE19842657A1. Автор: Uwe Dierker. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2000-03-23.

Vaporizer system

Номер патента: US20230248060A1. Автор: Alexander Huf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-10.

MOS gate driver for ballast circuits

Номер патента: US5559394A. Автор: Peter N. Wood. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1996-09-24.

Soft start solid state switch

Номер патента: CA1314070C. Автор: Peter John Carlson,Robert George Hodgins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-03-02.

Circuit for driving a heater at a constant power

Номер патента: US20010050279A1. Автор: Hiroshi Nishida,Takashi Takizawa. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Power efficient ADSL central office downstream Class G power switch

Номер патента: US20040013263A1. Автор: Marco Corsi,Kenneth Maclean. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Current sense circuit for motor drive

Номер патента: US20030067317A1. Автор: Ajit Dubhashi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-04-10.

Electric golf car with low-speed regenerative braking

Номер патента: US6686719B2. Автор: John Cochoy,Carlton W. Hearn. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

Electric golf car with low-speed regenerative braking

Номер патента: US20030030410A1. Автор: John Cochoy,Carlton Hearn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

开关组件保护电路

Номер патента: CN111225478. Автор: 张志乾. Владелец: MEAN WELL (GUANGZHOU) ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Ic engine multi-spark ignition system

Номер патента: GB2256456A. Автор: Mark Cyril Vincent Vaughan,Simon Peter Vaughan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-09.

Switch module protection circuit

Номер патента: CN111225478B. Автор: 张志乾. Владелец: MEAN WELL (GUANGZHOU) ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Low voltage detecting circuit

Номер патента: US5402020A. Автор: Isao Yamakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Linear discrete rdson temperature vgs compensation

Номер патента: US20240175901A1. Автор: Gilbert S. Z. Lee. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Linear discrete Rdson temperature VGS compensation

Номер патента: US12055565B2. Автор: Gilbert S. Z. Lee. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and apparatus for current limit test for high power switching regulator

Номер патента: US20140282349A1. Автор: Bin Shao,Roger Feng,Junxiao Chen. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for evaluating of the digital electronics elements stability to the effects of failures from the single particles influence

Номер патента: RU2657327C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Сергей Владимирович Оболенский,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method for determining an electromagnet anchor position and a device for its implementation

Номер патента: RU2747003C1. Автор: Сергей Михайлович Иванов,Александр Федорович Сонин,Ирина Александровна Сонина. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Московский институт теплотехники" (АО "Корпорация "МИТ"). Дата публикации: 2021-04-23.

Device and method

Номер патента: RU2674084C2. Автор: Гельмут БУХБЕРГЕР. Владелец: Батмарк Лимитед. Дата публикации: 2018-12-04.

Aerosol-forming member

Номер патента: RU2657177C2. Автор: Рори ФРЕЙЗЕР,Гельмут БУХБЕРГЕР,Колин Джон ДИКЕНС. Владелец: Батмарк Лимитед. Дата публикации: 2018-06-08.

Aerosol-forming member

Номер патента: RU2670039C2. Автор: Рори ФРЕЙЗЕР,Гельмут БУХБЕРГЕР,Колин Джон ДИКЕНС. Владелец: Батмарк Лимитед. Дата публикации: 2018-10-17.

Controlling magnetic levitation equipment

Номер патента: US20230213061A1. Автор: Alexander Smirnov,Nikita UZHEGOV. Владелец: Spindrive Oy. Дата публикации: 2023-07-06.

Controlling magnetic levitation equipment

Номер патента: EP3957875A1. Автор: Alexander Smirnov,Nikita UZHEGOV. Владелец: Spindrive Oy. Дата публикации: 2022-02-23.

Lateral Power MOSFET with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

Номер патента: US20120003803A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiang Puo-Yu,Liu Ruey-Hsin,Hsu Shun-Liang,Huang Chyi-Chyuan,Chen Fu-Hsin,Huang Eric. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power MOSFET and MOSFET driver combined IC package

Номер патента: CN218939682U. Автор: 张海峰. Владелец: Shanghai Haixin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

一种改善Power MOSFET Split Gate产品漏电的方法及SGT Power MOSFET

Номер патента: CN118824854A. Автор: 吴栋华,郑远程,石新欢. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

High-power MOSFET driving circuit

Номер патента: CN103715871A. Автор: 李栋,王玉龙,孙小龙,冷宇. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-04-09.

Power MOSFET health state assessment and residual life prediction method

Номер патента: CN103675637A. Автор: 孙权,姜媛媛,吴祎,王友仁. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2014-03-26.

Avalanche energy tester of power MOSFET device

Номер патента: CN101750539A. Автор: 李志强. Владелец: XIAN TESEMI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Lithium battery protection circuit based on power MOSFET

Номер патента: CN212627252U. Автор: 谢凯凯. Владелец: Shenzhen Haolin Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

Power MOSFET device

Номер патента: CN107611124B. Автор: 王飞. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

High-low-junction-based majority-carrier conductivity-modulated power MOSFET device

Номер патента: CN203481241U. Автор: 王立模. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-12.

High-power MOSFET driver

Номер патента: CN202503492U. Автор: 淡博,李金录. Владелец: Harbin Zhimu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

The test device of power MOSFET device conducting resistance and output capacitance based on attenuation oscillasion impulse

Номер патента: CN109917192A. Автор: 吴建德,何湘宁,程泽乾,徐晓筱,胡兴懿. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-06-21.

Groove type high-power MOSFET device

Номер патента: CN218351450U. Автор: 王明明. Владелец: Jiangsu Donghai Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

A power MOSFET driving circuit

Номер патента: CN101056047A. Автор: 高峰,于芳,刘忠立,李春寄. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2007-10-17.

Power MOSFET device on-resistance and output capacitance testing device based on damped oscillation wave

Номер патента: CN109917192B. Автор: 吴建德,何湘宁,程泽乾,徐晓筱,胡兴懿. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-09-29.

Method of fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW200418177A. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

A method for manufacturing a trench power MOSFET with a low gate electrode capacitance

Номер патента: TW200511440A. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Method for fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TWI268610B. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Tech Inc. Дата публикации: 2006-12-11.

Trench power MOSFET structure with high switch speed and fabrication method thereof

Номер патента: TW201241883A. Автор: Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Method for fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW200638541A. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Trench power MOSFET and method thereof

Номер патента: TW200419801A. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Trench power MOSFET array and fabrication method thereof

Номер патента: TW201234430A. Автор: Lin-Chung Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Direct current breaker topology with bidirectional blocking function

Номер патента: CN105281288A. Автор: 朱晋,刘单华,尹靖元,韦统振. Владелец: Institute of Electrical Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-01-27.

Power direction judgment based bidirectional blocking protection method for distributing line

Номер патента: CN104201657A. Автор: 李克文,李珊,吴丽芳,高立克,祝文姬,欧世锋,韦杏秋,梁朔,周杨珺,俞小勇,吴剑豪,黎玉庭,袁彦. Владелец: Electric Power Research Institute of Guangxi Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

Power distribution network bidirectional blocking scheduling method for distributed resources of power system

Номер патента: CN109948954B. Автор: 李阳,胡俊杰,胡春凤,周华嫣然. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-13.

Power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) trench terminal structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103295911A. Автор: 王新. Владелец: CHENGDU PROMISING-CHIP ELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

A kind of small-power MOSFET overcurrent protection detection circuits

Номер патента: CN207706148U. Автор: 刘波,汤小平,聂天适. Владелец: Cleanergy Dechuang Electrical Technology (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Trench Power MOSFET With Reduced On-Resistance

Номер патента: US20120187474A1. Автор: Rexer Christopher L.,Sodhi Ritu. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE WITH HIGH CELL DENSITY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120256258A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-10-11.

CLOSED CELL TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD TO FABRICATE THE SAME

Номер патента: US20120295411A1. Автор: HSU HSIU WEN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-11-22.

TRENCH POWER MOSFET STRUCTURE WITH HIGH SWITCHING SPEED AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120299109A1. Автор: . Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF FORMING AN ASSYMETRIC POLY GATE FOR OPTIMUM TERMINATION DESIGN IN TRENCH POWER MOSFETS

Номер патента: US20130228857A1. Автор: Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Ding Yongping. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-09-05.

TRENCH POWER MOSFET AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292761A1. Автор: YEH CHUN YING,LEE YUAN MING. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Okada David N.,Shea Patrick M.,Shen Zheng John. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet

Номер патента: US20130313640A1. Автор: Okada David N.,Shea Patrick M.,Shen Zheng John. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Trench Power MOSFET

Номер патента: US20130320435A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Novel Metal/Polysilicon Gate Trench Power Mosfet

Номер патента: US20140015037A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

TRENCHED POWER MOSFET WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140042534A1. Автор: YEH Chun-Ying. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of fabricating trench power MOSFET

Номер патента: TW584965B. Автор: Keh-Yuh Yu,Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2004-04-21.

A method for manufacturing a trench power MOSFET with a low gate electrode capacitance

Номер патента: TWI239570B. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2005-09-11.

POWER MOSFET WITH INTEGRATED GATE RESISTOR AND DIODE-CONNECTED MOSFET

Номер патента: US20130009253A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-10.

Shielding grid power MOSFET

Номер патента: CN217903127U. Автор: 白羽. Владелец: Yangjie Technology Wuxi Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

High-voltage-resistant shielding grid power MOSFET chip

Номер патента: CN210467853U. Автор: 陆怀谷. Владелец: Shenzhen Goford Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Groove type power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) device

Номер патента: CN102184941A. Автор: 张波,李泽宏,邓小川,王元刚,罗小蓉,雷天飞,胡夏融,姚国亮. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-14.

A kind of power MOSFET Anti-shock test device

Номер патента: CN206523592U. Автор: 李福全. Владелец: XI'AN HOOYI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power MOSFET and Its Edge Termination

Номер патента: US20120043602A1. Автор: Zeng Jun,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

LAYOUT OF POWER MOSFET

Номер патента: US20120119305A1. Автор: . Владелец: FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

Power MOSFET Having a Strained Channel in a Semiconductor Heterostructure on Metal Substrate

Номер патента: US20120196414A1. Автор: WANG Qi,Sharp Joelle,Ngai Tat. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

MULTI-LEVEL OPTIONS FOR POWER MOSFETS

Номер патента: US20120267711A1. Автор: Grebs Thomas E.,Preece Jayson S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

DOUBLE LAYER METAL (DLM) POWER MOSFET

Номер патента: US20120267714A1. Автор: Yedinak Joseph A.,Rexer Christopher L.,Kinzer Dan,Sodhi Ritu,RINEHIMER Mark L.,Session Fred,Dikshit Rohit,Gruenhagen Michael D.,Petersen Tracie. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

POWER MOSFET, AN IGBT, AND A POWER DIODE

Номер патента: US20130037852A1. Автор: TAMAKI Tomohiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD OF MAKING A LOW-RDSON VERTICAL POWER MOSFET DEVICE

Номер патента: US20130049100A1. Автор: Bhalla Anup,Su Yi,Ng Daniel,Lu Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

POWER MOSFET

Номер патента: US20130248986A1. Автор: Liu Chu-Kuang. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

POWER MOSFET STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130299898A1. Автор: Wang Peilin,de Fresart Edouard D.,Li Wenyi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2013-11-14.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130320430A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Vertical Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130320431A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

POWER MOSFET CURRENT SENSE STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20140070313A1. Автор: Wang Peilin,Chen Jingjing,de Fresart Edouard D.,Ku Pon Sung,Li Wenyi,Qin Ganming. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Switching circuit using power MOSFET

Номер патента: JP3172261B2. Автор: 厚 大津,貞夫 篠原. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-04.

Method and apparatus for switching control of power MOSFET

Номер патента: JP5974989B2. Автор: 洋明 加藤,悟士 山本,卓矢 山本. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Power mosfet drive circuit

Номер патента: JPS6165523A. Автор: Jiyunichirou Kikunaga,喜久永　順一郎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-04.

Integration of sense FET into discrete power MOSFET

Номер патента: TW201209996A. Автор: Bhalla Anup,YI Su. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-03-01.

Power MOSFET and insulated gate bipolar transistor having optimal conducting resistance and breakdown voltage

Номер патента: TW441010B. Автор: Jung-Bin Liau,Da-Chang Juang,Technology Research Industrial. Владелец: Present Inv Describes A Power. Дата публикации: 2001-06-16.

Power MOSFET diode

Номер патента: TW200840058A. Автор: Chao-Cheng Lu. Владелец: Chao-Cheng Lu. Дата публикации: 2008-10-01.

Power MOSFET on silicon-on-insulator and method thereof

Номер патента: TW554466B. Автор: Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2003-09-21.

Power MOSFET apparatus with trench type technology low conducting resistance value obtained by using planar type technology under the same device area and its manufacturing method

Номер патента: TW477072B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Power mosfet diode

Номер патента: TWI371107B. Автор: Chao Cheng Lu. Владелец: Chao Cheng Lu. Дата публикации: 2012-08-21.

A power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TWI256080B. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2006-06-01.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: AU2001268174A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-08.

Dual epitaxial layer for high voltage vertical conduction power MOSFET devices

Номер патента: TW533511B. Автор: Zhijun Qu,Kenneth Wagers. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

The high switching speed of the power MOSFET by changing the poly structure

Номер патента: TW533487B. Автор: Feng-Tzuo Jian,Gau-Wei Tu,Shr-Tzung Su,Jeng-Huei Dung,Ming-Chin Li. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Power MOSFET apparatus with the capability of decreasing conduction resistance value as well as increasing anti-avalanche breakdown current and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW466766B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Power MOSFET apparatus with low conducting resistance value and its manufacturing method

Номер патента: TW477073B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

A power MOSFET structure and method thereof

Номер патента: TW200512813A. Автор: Yen-Yuan Huang. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Power MOSFET device with mixing structure

Номер патента: TWI245420B. Автор: Lin-Chung Huang,Ko-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2005-12-11.

Improved structure of trench-type power MOSFET and its manufacturing method

Номер патента: TW462082B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Planar power MOSFET apparatus with super low resistance value and its manufacturing method

Номер патента: TW477071B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Power MOSFET device with mixing structure

Номер патента: TW200612555A. Автор: Lin-Chung Huang,Ko-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-16.

Method of producing high power MOSFET with low pinch-off resistance

Номер патента: TWI224853B. Автор: Lin-Chung Huang,Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2004-12-01.

BOTTOM SOURCE POWER MOSFET WITH SUBSTRATELESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120032259A1. Автор: Huang Ping,Xue Yan Xun,Ho Yueh-Se. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

Lateral Power MOSFET With Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120205740A9. Автор: . Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Power MOSFET Device with Self-Aligned Integrated Schottky Diode

Номер патента: US20120292692A1. Автор: Chen John,Lee Yeeheng,Ding Yongping. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor Device and Method of Forming a Power MOSFET With Interconnect Structure Silicide Layer and Low Profile Bump

Номер патента: US20120313147A1. Автор: Anderson Samuel J.,Okada David N.. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

POWER MOSFET CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20130040457A1. Автор: TERRILL Kyle,Wong Ronald,Qi Jason,Chen Kuo-In. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2013-02-14.

Quasi-Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130049108A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chen Chi-Chih,Tien Kun-Hsuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-28.

Power MOSFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130134512A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,TUAN Hsiao-Chin,CHU Fu-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

Vertical Power MOSFET and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20130320432A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Power MOSFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130320437A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Power MOSFET with overcurrent protection function

Номер патента: JPH07120221B2. Автор: トロンナムチャイ クライソン. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-20.

Power MOSFET driver circuit

Номер патента: JP2605181B2. Автор: 俊哉 中野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-30.

A process for manufacturing a vertical power MOSFET

Номер патента: TWI237331B. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Trench type power MOSFET device with reduced epitaxy layer resistance value and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW480720B. Автор: Feng-Tzuo Jian. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

A process for manufacturing a vertical power MOSFET

Номер патента: TW200607022A. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Gallium based trenched power semiconductor device

Номер патента: TWM423910U. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

A method for improving the termination low breakdown voltage in the trench power semiconductor device

Номер патента: TW201612959A. Автор: Madhur Bobde,Yongping Ding,Yee-Heng Lee,xiao-bin Wang. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2016-04-01.

TRENCHED POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120299091A1. Автор: CHANG YUAN-SHUN,TU KAO-WAY,TSAI YI-YUN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-11-29.

TRENCHED POWER SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH REDUCED GATE IMPEDANCE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120309177A1. Автор: HSU HSIU WEN. Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-12-06.

FABRICATION METHOD OF TRENCHED POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SOURCE TRENCH

Номер патента: US20120322217A1. Автор: . Владелец: GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-12-20.

CLOSED CELL TRENCHED POWER SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221435A1. Автор: CHANG YUAN-SHUN,TU KAO-WAY,TSAI YI-YUN. Владелец: SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

FABRICATION METHOD OF TRENCH POWER SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130295736A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-07.

TRENCH POWER

Номер патента: SU374419A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-03-20.

Split-gate trench power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device integrating schottky

Номер патента: CN103247538A. Автор: 王颖,刘云涛,邵雷,胡海帆. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2013-08-14.

Low-gate charge low-on resistance deep trench power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) device and manufacturing method

Номер патента: CN102263133A. Автор: 丁磊,叶鹏,朱袁正,秦旭光. Владелец: NCE POWER SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Ultrahigh cell density deep trench power metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102420252A. Автор: 丁磊,朱袁正,秦旭光. Владелец: NCE POWER SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Trenched power semiconductor structure with schottky diode and fabrication method thereof

Номер патента: TWI397154B. Автор: Chun Ying Yeh,Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for manufacturing trench power device structure

Номер патента: CN102496568B. Автор: 永福,陈雪萌. Владелец: Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

Trench power semiconductor device

Номер патента: CN213150783U. Автор: 朱袁正,周锦程. Владелец: Wuxi NCE Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-07.

Trench power metal-oxide semiconductor field-effect transistor and its manufacturing method

Номер патента: CN104934471B. Автор: 许修文. Владелец: SHUAIQUN MICROELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

Trenched power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: TW201304139A. Автор: Kao-Way Tu,Yi-Yun Tsai,Yuan-Shun Chang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Fabrication method of self-aligned trenched power semiconductor structure

Номер патента: TW201137982A. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20120001569A1. Автор: Jacobs Joseph Hendrik Anna Maria,Hente Dirk,Christoph Martin Paul. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DC/DC CONVERTER

Номер патента: US20120001609A1. Автор: HASHIMOTO Takayuki,Shiraishi Masaki,AKIYAMA Noboru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR ON/OFF CONTROL OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002448A1. Автор: Djenguerian Alex B.,Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh,Bircan Erdem. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Package for High Power Devices

Номер патента: US20120001316A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semi-bridge self-maintained inverter

Номер патента: RU2573647C1. Автор: Сергей Павлович Ловчиков. Владелец: Сергей Павлович Ловчиков. Дата публикации: 2016-01-27.

ETCH DEPTH DETERMINATION STRUCTURE

Номер патента: US20120001176A1. Автор: . Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Shf ldmos-transistor

Номер патента: RU2338297C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Тать на Николаевна Пекарчук (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Александр Константинович Бельков (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2008-11-10.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

Method for emulation device for converter module

Номер патента: CN102945003B. Автор: 李小文. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

PLASMA DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001836A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

半导体结构及其制造方法

Номер патента: CN118116972A. Автор: 陈盈佐,蒋光浩. Владелец: Hongyang Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-05-31.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.