Inductive plasma reactor .

Inductive plasma reactor

Номер патента: WO1996015545A1
Опубликовано: 23-05-1996
Автор(ы): Brad S. Mattson, Martin L. Hammond, Stephen E. Savas, Steven C. Selbrede
Принадлежит: MATTSON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Inductive plasma reactor

Номер патента: US5811022A. Автор: Stephen E. Savas,Brad S. Mattson. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor

Номер патента: US5779849A. Автор: Guy Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor

Номер патента: US5514246A. Автор: Guy Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-07.

Center gas feed apparatus for a high density plasma reactor

Номер патента: US6027606A. Автор: Mei Chang,Kenneth Collins,Raymond Hung,John Mohn,Ru-Liang Julian Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Method of manufacturing an electrode for a plasma reactor and such electrode

Номер патента: EP1240660A1. Автор: Marcel Maria Michorius,Sjoerd Van Den Cruijsem,Robertus Jacobus Van Leeuwen. Владелец: Xycarb Ceramics BV. Дата публикации: 2002-09-18.

Method and device for the reduction of contaminants in a plasma reactor, especially contamination by lubricants

Номер патента: US20210183640A1. Автор: Edward Reszke,Grzegorz Binkiewicz,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and device for the reduction of contaminants in a plasma reactor, especially contamination by lubricants

Номер патента: EP3841604A1. Автор: Edward Reszke,Grzegorz Binkiewicz,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor

Номер патента: SG144098A1. Автор: Daniel J Hoffman,Roger Alan Lindley,Scott A Hogenson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-29.

Inductively coupled plasma reactor and wire structure for antenna coil of inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20230136312A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Improvements in plasma reactors

Номер патента: US20220044915A1. Автор: John Lionel Brauer. Владелец: OZONE 1 PTY LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Plasma reactors

Номер патента: US11961717B2. Автор: John Lionel Brauer. Владелец: OZONE 1 PTY LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Improvements in plasma reactors

Номер патента: EP3900087A1. Автор: John Lionel Brauer. Владелец: OZONE 1 PTY LTD. Дата публикации: 2021-10-27.

Plasma reactor

Номер патента: US6290806B1. Автор: Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Plasma reactor with a deposition shield

Номер патента: CA2312777A1. Автор: Stephen P. Deornellas,Robert A. Ditizio. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-17.

Plasma reactor with high productivity

Номер патента: EP1587131A2. Автор: Hans-Peter VÖLK,Harald Dr. Wanka,Johann Georg Reichart. Владелец: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG. Дата публикации: 2005-10-19.

Plasma reactor with a deposition shield

Номер патента: EP1038046A1. Автор: Stephen P. Deornellas,Robert A. Ditizio. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Plasma reactor with high productivity

Номер патента: US20050279456A1. Автор: Hans-Peter Voelk,Harald Wanka,Johann Reichart. Владелец: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS GMHH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-22.

Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output

Номер патента: US7359177B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Daniel J. Hoffman,Douglas H. Burns,Jang Gyoo Yang,Steven C. Shannon,Wonseok Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Plasma reactor

Номер патента: EP2399274A1. Автор: Philip John Risby. Владелец: GASPLAS AS. Дата публикации: 2011-12-28.

Thin film electrostatic shield for inductive plasma processing

Номер патента: US6312555B1. Автор: Jean-François Daviet. Владелец: CTP Inc. Дата публикации: 2001-11-06.

Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil

Номер патента: EP1374277A1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil

Номер патента: EP1374277B1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

Hybrid plasma reactor

Номер патента: US09451686B2. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates

Номер патента: WO2001045135A2. Автор: Evans Lee,Hongching Shan,Michael Welch,Hamid Noorbakhsh,Kaushik Vaidya,Paul Luscher,Jim Carducci,Saimak Salimian. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2001-06-21.

Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates

Номер патента: WO2001045135A9. Автор: Evans Lee,Hongching Shan,Michael Welch,Hamid Noorbakhsh,Kaushik Vaidya,Paul Luscher,Jim Carducci,Saimak Salimian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

A microwave plasma reactor with a plurality of emitters and absorbers and a method for plasma processing a workpiece using such a microwave plasma reactor

Номер патента: WO2024088791A1. Автор: Jürgen WEICHART,Luca Marcaccioli,Jörg PATSCHEIDER,Kevin Hug,Fabio ISA,Marco CAPODURI,Hamza EL GHANNUDI,Günter RATZ. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Cooling mechanism utlized in a plasma reactor with enhanced temperature regulation

Номер патента: US20150279634A1. Автор: Aniruddha Pal,Valentin N. Todorow,Martin Jeffrey Salinas,Victor Calderon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Plasma reactor with non-power-absorbing dielectric gas shower plate assembly

Номер патента: US09905400B2. Автор: Qiwei Liang,Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

High density plasma reactor with multiple top coils

Номер патента: US09607809B2. Автор: Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Chi-Ching Lo,Tzu-Chun Lin,Jen-Chi Chang,Ho-Ta CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Plasma reactor and plasma generating device (alternatives)

Номер патента: RU2196395C1. Автор: Г.Э. Бугров,К.В. Вавилин,С.Г. Кондранин,Е.А. Кралькина,В.Б. Павлов,А.Ф. Александров,А.А. Рухадзе. Владелец: Рухадзе Анри Амвросиевич. Дата публикации: 2003-01-10.

Plasma reactor with voltage transformer

Номер патента: CA1241128A. Автор: Perry A. Diederich. Владелец: PSI Star Inc. Дата публикации: 1988-08-23.

Microwave plasma reactor for production of synthetic diamond material

Номер патента: RU2540399C1. Автор: Джон Роберт БРЭНДОН,Александр Лэмб КАЛЛЕН,Стивен Дэвид УИЛЛЬЯМС,Джозеф Майкл ДОДСОН,Джонатан Джеймс УИЛМАН,Кристофер Джон Ховард УОРТ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-02-10.

Plasma reactor with rf generator and automatic impedance match with minimum reflected power-seeking control

Номер патента: WO2011008595A3. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Chunlei Zhang,Lawrence Wong,James P. Cruse. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2011-04-14.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: WO2012084660A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2012-06-28.

Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna

Номер патента: US6409933B1. Автор: Michael Barnes,John Holland,Valentin N. Todorow. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-06-25.

Plasma reactor with inductie excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil

Номер патента: US20080050292A1. Автор: Valery Godyak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US10403477B2. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Plasma reactor with reduced reaction chamber

Номер патента: WO2002033729A3. Автор: Steven T Fink. Владелец: Steven T Fink. Дата публикации: 2002-08-01.

Plasma Reactor Having Multiple Antenna Structure

Номер патента: US20080210378A1. Автор: Weon-Mook Lee. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Plasma reactor with high selectivity and reduced damage

Номер патента: US6413359B1. Автор: John H. Keller. Владелец: K2 Keller Consulting LLC. Дата публикации: 2002-07-02.

Plasma reactor with reduced reaction chamber

Номер патента: US20030209324A1. Автор: Steven Fink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Plasma reactor

Номер патента: US20030000646A1. Автор: Satoshi Ogino,Takahiro Maruyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion

Номер патента: WO2016153757A1. Автор: Dmitry Lubomirsky,Kartik Ramaswamy,Satoru Kobayashi,Hideo Sugai,Soonam Park. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-29.

Measurement of plural rf sensor devices in a pulsed rf plasma reactor

Номер патента: US20140232374A1. Автор: Gary Leray. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion

Номер патента: US20190108981A1. Автор: Dmitry Lubomirsky,Kartik Ramaswamy,Satoru Kobayashi,Hideo Sugai,Soonam Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination

Номер патента: US7220937B2. Автор: YAN Ye,Daniel J. Hofman,Jennifer Y. Sun,Senh Thach. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Microwave plasma reactor

Номер патента: GB0516695D0. Автор: . Владелец: BOC Group Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Gas-flow-engineered plasma reactor for efficiently producing fixed nitrogen products

Номер патента: US20240234098A1. Автор: Joshua M. McEnaney,John A. SCHWALBE,Sreekumar CHOCKALINGAM,Sami KILANI. Владелец: Nitricity Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A gas-flow-engineered plasma reactor for efficiently producing fixed nitrogen products

Номер патента: WO2024151883A1. Автор: Joshua M. McEnaney,John A. SCHWALBE,Sreekumar CHOCKALINGAM,Sami KILANI. Владелец: Nitricity Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods

Номер патента: US20130164941A1. Автор: Daniel Harrington. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Catalytic nanofiber membrane assembly and reduced pressure plasma reactor for fluid, vapor and gas processing

Номер патента: US20240128059A1. Автор: Andrei V. Stanishevsky,Riley YAGER. Владелец: UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma reactor

Номер патента: US12087548B2. Автор: Kuan YANG,Leyi Tu,Rubin Ye. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Oxygen scavenging in a plasma reactor

Номер патента: US5254216A. Автор: Gabriel G. Barna,James G. Frank. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-19.

Non-thermal plasma reactor of barrier discharge for disinfection and/or sterilization of organic products

Номер патента: EP3709337A2. Автор: Piotr Domanowski,Slawomir BUJNOWSKI,Jan Mućko,Dariusz Pańka. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2020-09-16.

Non-thermal plasma reactor of barrier discharge for disinfection and/or sterilization of organic products

Номер патента: EP3709337A3. Автор: Piotr Domanowski,Slawomir BUJNOWSKI,Jan Mućko,Dariusz Pańka. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2020-11-25.

Plasma reactor vessel having improved plasma uniformity comprised of a first electrode, a second electrode opposed to the first electrode, and a third electrode between a substrate carrier and the second electrode

Номер патента: US10658159B2. Автор: Jacques Schmitt,Fabrice Jeanneret,Omid Reza Shojaei. Владелец: INDEOtec SA. Дата публикации: 2020-05-19.

Plasma reactor magnet with independently controllable parallel axial current-carrying elements

Номер патента: US6015476A. Автор: Ross D. Schlueter,Steve Marks. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Focalized microwave plasma reactor

Номер патента: US11183369B2. Автор: Chih-Chen Chang,Kun-Ping Huang,Yu-Wen Chi. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-11-23.

Plasma reactor apparatus

Номер патента: US4209357A. Автор: Georges J. Gorin,Josef T. Hoog. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1980-06-24.

Voltage non-uniformity compensation method for high frequency plasma reactor for the treatment of rectangular large area substrates

Номер патента: WO2005024891A3. Автор: Jacques Schmitt,Michael Irzyk,Mustapha Elyaakoubi,Laurent Sansonnens. Владелец: Laurent Sansonnens. Дата публикации: 2005-06-09.

Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing

Номер патента: US5540800A. Автор: Xueyu Qian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-07-30.

Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements

Номер патента: SG149790A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Kenneth S Collins,Satoru Kobayashi,Andrew Nguyen,Lawrence Wong,Kallol Bera,Steven C Shannon,James P Cruse,Troy S Detrick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Magnetron plasma reactor

Номер патента: US4623417A. Автор: John E. Spencer,Duane Carter,Dave Autery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-11-18.

Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions

Номер патента: US5279669A. Автор: Young H. Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor

Номер патента: WO2018144374A1. Автор: Philip Allan Kraus,Leonid Dorf,Travis Koh,Prabu GOPALRAJA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of differential counter electrode tuning in an rf plasma reactor

Номер патента: US20140034612A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Douglas A. Buchberger, Jr.,Nipun Misra,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor

Номер патента: US20210134561A1. Автор: Philip Allan Kraus,Leonid Dorf,Travis Koh,Prabu GOPALRAJA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Electrostatic chuck assembly for plasma reactor

Номер патента: US20100110605A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Electrode structure of plasma reactor and plasma reactor for treating harmful gas having the same

Номер патента: KR102040823B1. Автор: 김형준,이유진,배진호,주원홍. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2019-11-05.

Plasma reactor with a device for reducing contamination by lubricants, and corresponding method for reducing contamination

Номер патента: EP3841604B1. Автор: Edward Reszke,Grzegorz Binkiewicz,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2023-07-19.

Plasma reactor

Номер патента: KR20100037609A. Автор: 게리 피터 나이트,앤드류 챔버스. Владелец: 에드워즈 리미티드. Дата публикации: 2010-04-09.

Plasma reactor for purifying exhaust gas of the process facility

Номер патента: KR101611955B1. Автор: 강경두,노명근,고경오. Владелец: 주식회사 클린팩터스. Дата публикации: 2016-04-12.

Plasma reactor

Номер патента: TWI433718B. Автор: Gary Peter Knight,Andrew Chambers. Владелец: Edwards Ltd. Дата публикации: 2014-04-11.

Microwave plasma reactor for treating harmful gas and apparatus for treating harmful gas with the same

Номер патента: KR101946936B1. Автор: 김민재,이상현,강경두. Владелец: (주)클린팩터스. Дата публикации: 2019-05-08.

Plasma reactor

Номер патента: CN103021779B. Автор: G.P.奈特,A.钱伯斯. Владелец: BOC Group Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Induction plasma chamber with multiple discharge tube bridges

Номер патента: JP4460940B2. Автор: 淳任魏. Владелец: 株式会社ニューパワープラズマ. Дата публикации: 2010-05-12.

Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof

Номер патента: TW200501834A. Автор: Mark Charles Hakey,Siddhartha Panda,Richard Wise,Bomy-A Chen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-01-01.

Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof

Номер патента: TWI306363B. Автор: Mark Charles Hakey,Siddhartha Panda,Richard Wise,Bomy A Chen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-11.

Improved Structure of Downstream Plasma Reactor

Номер патента: KR200375234Y1. Автор: 첸칭안,유겐히라야마,첸프레드잉이,라이친성,루밍추안. Владелец: 나노 아키텍트 리서치 코포레이션. Дата публикации: 2005-02-07.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367B1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367A1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Slow-wave induction plasma transport

Номер патента: US6897616B2. Автор: Raphael A. Dandl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-24.

Slow-wave induction plasma transport

Номер патента: US20030234616A1. Автор: Raphael Dandl. Владелец: Dandl Raphael A.. Дата публикации: 2003-12-25.

Plasma reactor

Номер патента: US20120034135A1. Автор: Philip John Risby. Владелец: GASPLAS AS. Дата публикации: 2012-02-09.

Dual-Zone, Atmospheric-Pressure Plasma Reactor for Materials Processing

Номер патента: US20140178604A1. Автор: Selwyn Gary S.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Plasma reactor

Номер патента: JP2012518263A. Автор: フィリップジョンリズビー，. Владелец: GASPLAS AS. Дата публикации: 2012-08-09.

Plasma reactor having remote plasma generator and supportor

Номер патента: KR101097386B1. Автор: 허노현. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2011-12-23.

High frequency induction plasma source device for plasma processing

Номер патента: JP3987545B2. Автор: ピー．パランジプアジト. Владелец: テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド. Дата публикации: 2007-10-10.

RF induction plasma source for plasma processing

Номер патента: EP0648069A1. Автор: Ajit P. Paranjpe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-04-12.

Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling

Номер патента: US20050103445A1. Автор: Jozef Brcka,Rodney Robison. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Method and apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing

Номер патента: CA2279229A1. Автор: Roland Ernst,Jean-François Daviet,Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: François Rossi. Дата публикации: 1999-04-22.

Inductive plasma proesson having coil with plural windings and method of controlling plasma density

Номер патента: CN1507646A. Автор: ,��˹��Ѷ��,Jj,J·J·陈,R·G·费尔托普,T·E·威克. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Locally-efficient inductive plasma coupling for plasma processing system

Номер патента: US7673583B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density

Номер патента: KR100938784B1. Автор: 지안 제이 첸,로버트 지 벨트롭,토마스 이 웍커. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2010-01-27.

Plasma uniformity control for an inductive plasma source

Номер патента: TW345677B. Автор: Hiroji Hanawa,Gerald Zheyao Yin,Peter K Loewenhardt,Timothy D Driscoll. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-11-21.

PASSIVE POWER DISTRIBUTION FOR MULTIPLE ELECTRODE INDUCTIVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20130320853A1. Автор: Brouk Victor,Carter Daniel. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

INTER-PERIOD CONTROL FOR PASSIVE POWER DISTRIBUTION OF MULTIPLE ELECTRODE INDUCTIVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20210166917A1. Автор: Van Zyl Gideon. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

INDUCTIVE PLASMA SOURCE WITH METALLIC SHOWER HEAD USING B-FIELD CONCENTRATOR

Номер патента: US20170194128A1. Автор: PORSHNEV PETER I.,LAI CANFENG,TOBIN JEFFREY,MARIN JOSE ANTONIO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Electrostatic Shield for Inductive Plasma Sources

Номер патента: US20200227239A1. Автор: Savas Stephen Edward,Chen Chen-An,Ma Shawming. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Inductive Plasma Source with High Coupling Efficiency

Номер патента: US20150303032A1. Автор: Godyak Valery. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Inductive Plasma Source

Номер патента: US20170372870A1. Автор: Nagorny Vladimir,Godyak Valery A.,Crapuchettes Charles. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SUBSTRATE BY INDUCTIVE PLASMA WITH VERY HIGH POWER

Номер патента: FR2842388B1. Автор: Michel Puech. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2004-09-24.

METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SUBSTRATE BY INDUCTIVE PLASMA WITH VERY HIGH POWER

Номер патента: FR2842388A1. Автор: Michel Puech. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2004-01-16.

Stacked RF excitation coil for inductive plasma processor

Номер патента: US6527912B2. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Induction plasma loop enhances magnetron sputtering

Номер патента: JP2004501277A. Автор: チェン，　フセン,パン，　シャオハー，　エックス．,ハナワ，　ヒロジ,フォスター，　ジョン，　シー．. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Inductive plasma applicator

Номер патента: CN102439685A. Автор: 塞巴斯蒂恩·迪内. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2012-05-02.

Inductive plasma source with high coupling efficiency

Номер патента: US10037867B2. Автор: Valery Godyak. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering

Номер патента: WO2001086697A2. Автор: Hiroji Hanawa,Fusen Chen,Shaoher X. Pan,John C. Forster. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge

Номер патента: KR100980291B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-09-06.

Thin film electrostatic shield for inductive plasma processing

Номер патента: EP0925600A1. Автор: Jean-François Daviet. Владелец: CTP Inc. Дата публикации: 1999-06-30.

Inductive plasma applicator

Номер патента: EP2411999A1. Автор: Sebastien Dine. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2012-02-01.

Inductive plasma system with sidewall magnet

Номер патента: TW200629984A. Автор: Qiwei Liang,Canfeng Lai,SIQING Lu,Ellie Y Yieh,Jason Bloking. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering

Номер патента: WO2001086697A3. Автор: Hiroji Hanawa,Fusen Chen,Shaoher X Pan,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Stacked RF excitation coil for inductive plasma processor

Номер патента: CN1509493A. Автор: J·J·陈,R·G·费尔托普,T·E·威克,J・J・陈,费尔托普,威克. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-06-30.

Plasma reactor apparatus

Номер патента: US4579618A. Автор: Salvatore A. Celestino,Georges J. Gorin,Stephen E. Hilliker,Gary B. Powell. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1986-04-01.

Microwave plasma reactor and deposition apparatus incorporating such a reactor.

Номер патента: FR2694474B1. Автор: Jacques Bernard. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 1994-10-14.

Plasma reactor and method of using plasma reactor

Номер патента: JP4970434B2. Автор: ジスーキム,デ−ハンチョ,エス．エム．レザサジャディ. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources

Номер патента: TW200811313A. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Valentin N Todorow,Alexander Matyushkin,Alexander M Paterson,Brian K Hatcher,John P Holland,Edward P Hammond Iv. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-03-01.

RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or dI/dt control

Номер патента: TW462209B. Автор: Viktor Shel,Kenneth Collins,Douglas Buchberger,John Trow,Craig Roderick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution

Номер патента: TW200826185A. Автор: AJAY Kumar,Richard Lewington,Alexander Paterson,Michael N Grimbergen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-06-16.

Rf plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling

Номер патента: TW310444B. Автор: HANAWA Hiroji,Zhao Allen,Zheyao Yin Gerald,Xiaobing Ma Diana,M Salzman Philip,K Loewenhardt Peter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-07-11.

Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor

Номер патента: EP1399944A1. Автор: Andreas Fischer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-03-24.

An RF plasma reactor

Номер патента: TW473808B. Автор: Peter Loewenhardt,Gerald Zheyao Yin,Philip Salzman,Allen Zhao,Diana Xiabing Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

Symmetric VHF source for a plasma reactor

Номер патента: US09824862B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Nipun Misra,James D. Carducci,Zhigang Chen,Leonid Dorf,Zheng John Ye,Igor Markovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Plasma reactor with coil antenna of plural helical conductors with equally spaced ends

Номер патента: US20010001201A1. Автор: Arthur Sato,Xue-Yu Qian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-17.

Rf plasma reactor with hybrid conductor and multi- radius dome ceiling

Номер патента: SG94700A1. Автор: Yin Gerald,HANAWA Hiroji,Zhao Allen,Loewenhardt Peter,Xiaobing Ma Diana,Salzman Philip. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Plasma reactor with tiltable overhead RF inductive source

Номер патента: US09330887B2. Автор: Ming Xu,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Martin Jeffrey Salinas,Imad Yousif. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Multi discharging tube plasma reactor

Номер патента: US20130278135A1. Автор: Dai-Kyu CHOI. Владелец: Dai-Kyu CHOI. Дата публикации: 2013-10-24.

PLASMA REACTOR HAVING A FUNCTION OF TUNING LOW FREQUENCY RF POWER DISTRIBUTION

Номер патента: US20190006155A1. Автор: Ni Tuqiang,Zhao Kui,LIU Shenjian. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

PLASMA REACTOR HAVING AN ARRAY OF PLURAL INDIVIDUALLY CONTROLLED GAS INJECTORS ARRANGED ALONG A CIRCULAR SIDE WALL

Номер патента: US20160042917A1. Автор: Kumar Ajay,Grimbergen Michael N.,NGUYEN Khiem K.,Chandrachood Madhavi R.,Lewington Richard,Ibrahim Ibrahim M.,Panayil Sheeba J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Symmetric VHF Source for a Plasma Reactor

Номер патента: US20180053630A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Misra Nipun,Carducci James D.,YE Zheng John,MARKOVSKY Igor,Chen Zhijang. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Symmetric vhf source for a plasma reactor

Номер патента: US20150075719A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Nipun Misra,James D. Carducci,Zhigang Chen,Leonid Dorf,Zheng John Ye,Igor Markovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of matching two or more plasma reactors

Номер патента: US20150096959A1. Автор: Xiawan Yang,Gaurav SARAF,Farid Abooameri,Anisul H Khan,Wen Teh Chang,Bradley Scott Hersch. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

PLASMA REACTOR FOR PROCESSING A WORKPIECE WITH AN ARRAY OF PLASMA POINT SOURCES

Номер патента: US20170092470A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Ramaswamy Kartik,GOPALRAJA Praburam,Lane Steven,Yang Yang,Wong Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

LOW-COST PLASMA REACTOR

Номер патента: US20150099069A1. Автор: Taylor Rupert Anthony,Pulsipher Daniel John Verdell. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

PLASMA REACTOR HAVING DIGITAL CONTROL OVER ROTATION FREQUENCY OF A MICROWAVE FIELD WITH DIRECT UP-CONVERSION

Номер патента: US20190108981A1. Автор: Kobayashi Satoru,LUBOMIRSKY DMITRY,Ramaswamy Kartik,Park Soonam,Sugai Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140230729A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Williams Stephen David,Brandon John Robert,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-08-21.

DIGITAL PHASE CONTROLLER FOR TWO-PHASE OPERATION OF A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140265910A1. Автор: Kobayashi Satoru,Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Rauf Shahid. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods for reducing etch nonuniformity in the presence of a weak magnetic field in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20140273304A1. Автор: Alvaro Garcia de Gorordo,Samer Banna,Waheb Bishara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

PLASMA REACTOR WITH NON-POWER-ABSORBING DIELECTRIC GAS SHOWER PLATE ASSEMBLY

Номер патента: US20180182599A1. Автор: Liang Qiwei,Stowell Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Plasma Reactor with Inductive Excitation of Plasma and Efficient Removal of Heat from the Excitation Coil

Номер патента: US20150200075A1. Автор: Godyak Valery. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

COOLING MECHANISM UTLIZED IN A PLASMA REACTOR WITH ENHANCED TEMPERATURE REGULATION

Номер патента: US20190198295A1. Автор: SALINAS MARTIN JEFFREY,TODOROW Valentin N.,Pal Aniruddha,Calderon Victor. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

COOLING MECHANISM UTLIZED IN A PLASMA REACTOR WITH ENHANCED TEMPERATURE REGULATION

Номер патента: US20150279634A1. Автор: SALINAS MARTIN JEFFREY,TODOROW Valentin N.,Pal Aniruddha,Calderon Victor. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

PLASMA REACTOR HAVING DIGITAL CONTROL OVER ROTATION FREQUENCY OF A MICROWAVE FIELD WITH DIRECT UP-CONVERSION

Номер патента: US20160284519A1. Автор: Kobayashi Satoru,LUBOMIRSKY DMITRY,Ramaswamy Kartik,Park Soonam,Sugai Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

PLASMA REACTOR WITH ELECTRON BEAM OF SECONDARY ELECTRONS

Номер патента: US20180277340A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Lane Steven,Yang Yang,Venkatasubramanian Eswaranand,Monroy Gonzalo Antonio,Chen Lucy. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

PLASMA REACTOR AND PLASMA IGNITION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20150303031A1. Автор: CHOI Sang-Don. Владелец: NEW POWER PLASMA., LTD.. Дата публикации: 2015-10-22.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20190318917A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Williams Stephen David,Brandon John Robert,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb,WILMAN HELEN. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2019-10-17.

Plasma reactor with multi-arrayed discharging chamber and plasma processing system using the same

Номер патента: KR100862685B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2008-10-10.

Plasma reactor with multi arrayed discharging chamber and atmospheric pressure plasma processing system using the same

Номер патента: KR100761688B1. Автор: 최대규,위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2007-09-28.

Inductive coupled plasma reactor with improved vertical etching efficiency

Номер патента: KR100777841B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-21.

Plasma reactor using multi-frequency

Номер патента: KR20100129368A. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2010-12-09.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100772452B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-02.

Inductively coupled plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR101434145B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-08-26.

Plasma reactor apparatus and method

Номер патента: DE3479769D1. Автор: Georges J Gorin. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1989-10-19.

Inductively coupled plasma reactor having a built-in radio frequency antenna

Номер патента: KR101283645B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-09.

capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: KR101507390B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2015-03-31.

Plasma reactor

Номер патента: DE19802971C2. Автор: Christof Wild,Peter Koidl. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1999-12-02.

PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2631199B1. Автор: Patrick Chollet,Philippe Leprince,Serge Saada. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1991-03-15.

IMPROVED PLASMA REACTOR PROVIDED WITH ELECTROMAGNETIC WAVE COUPLING MEANS

Номер патента: FR2647293B1. Автор: . Владелец: Defitech SA. Дата публикации: 1996-06-28.

MICROWAVE APPLICATION DEVICE AND PLASMA REACTOR USING THE SAME.

Номер патента: FR2689717B1. Автор: Barbara Charlet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1994-05-13.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: GB201021865D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression

Номер патента: US7030335B2. Автор: YAN Ye,Matthew L. Miller,Daniel J. Hoffman,Xiaoye Zhao,Gerald Zheyao Yin,Dan Katz,Douglas A. Buchberger, Jr.,Kang-Lie Chiang,Robert B. Hagen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-04-18.

Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression

Номер патента: US6894245B2. Автор: YAN Ye,Matthew L. Miller,Daniel J. Hoffman,Xiaoye Zhao,Dan Katz,Douglas A. Buchberger, Jr.,Kang-Lie Chiang,Robert B. Hagen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent

Номер патента: US7141757B2. Автор: Douglas A. Buchberger, Jr.,Daniel Hoffman,Jang Gyoo Yang,Douglas Burns. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-28.

Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface

Номер патента: US7196283B2. Автор: Keiji Horioka,Daniel J. Hoffman,Douglas A. Buchberger, Jr.,Jang Gyoo Yang,Olga Regelman,James Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-27.

Plasma reactor control by translating desired values of M plasma parameters to values of N chamber parameters

Номер патента: US7901952B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Ezra Robert Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Plasma reactor having multi discharging tube

Номер патента: KR101475502B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-12-23.

Plasma reactor having multi-core plasma generation plate

Номер патента: KR101358779B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-02-04.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CN103339707A. Автор: J·R·布莱顿,A·L·卡伦,S·D·威廉斯,J·M·多德森,J·J·威尔曼,C·J·H·沃特. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-10-02.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100806522B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-02-21.

Inductively coupled plasma reactor capable

Номер патента: KR101281191B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome

Номер патента: US6308654B1. Автор: Gerhard Schneider,Andrew Nguyen,Viktor Shel,Robert W. Wu,Gerald Z. Yin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-10-30.

A plasma reactor control by translating desired values of m plasma parameters to values of n chamber parameters

Номер патента: KR100942621B1. Автор: 다니엘 제이. 호프만,에즈라 로버트 골드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2010-02-17.

Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor

Номер патента: KR101322361B1. Автор: 다니엘 제이. 호프만,존 피 홀랜드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-11-05.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269A. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR101281188B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Capacitively coupled plasma reactor and plasma processing method using the same and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: KR101429263B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-09-23.

Microwave application device and plasma reactor using this device.

Номер патента: FR2689717A1. Автор: Charlet Barbara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1993-10-08.

Plasma reactor for a deposition or etching process.

Номер патента: FR2707449B1. Автор: Pearson David. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1995-08-11.

PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2639171B1. Автор: UEHARA Akira,Hijikata Isamu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-15.

A plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna

Номер патента: WO2002005308A3. Автор: Michael Barnes,John Holland,Valentin N Todorow. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of generating rotating microwaves of mode temnl or tmmnl in a cylindrical microwave cavity in a plasma reactor

Номер патента: TWI753449B. Автор: 小林悟,菅井英夫,托恩崔恩,壽南朴,迪米奇路柏曼斯基. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-21.

Hybride plasma reactor

Номер патента: KR101314669B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-10-04.

Capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100979186B1. Автор: 위순임. Владелец: 다이나믹솔라디자인 주식회사. Дата публикации: 2010-08-31.

Plasma reactors for semiconductor wafer treatment

Номер патента: DE69510427T2. Автор: Xue-Yu Qian,Arthur H Sato. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-30.

High density plasma reactor

Номер патента: KR20010112958A. Автор: 정순빈,정보신. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-12-24.

Plasma reactor with apparatus for dynamically adjusting the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another

Номер патента: US20070256784A1. Автор: IBRAHIM Ibrahim,AJAY Kumar,Madhavi Chandrachood,Michael Grimbergen,Richard Lewington,Darin Bivens,Renee Koch,Sheeba Panayil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

High magnetic field plasma reactor

Номер патента: KR930008976A. Автор: 엠. 쿠크 조얼,알. 트로우 존. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1993-05-22.

Plasma reactors for processing semiconductor wafers

Номер патента: DE69628903D1. Автор: Gerald Zheyao Yin,Philip M Salzman,Peter K Loewenhardt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100980287B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-09-06.

PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2631199A1. Автор: Patrick Chollet,Philippe Leprince,Serge Saada. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1989-11-10.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: CN101064986A. Автор: 崔大圭. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor

Номер патента: KR20070042460A. Автор: 다니엘 제이. 호프만,존 피 홀랜드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-04-23.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: EP2656372A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: KR101200743B1. Автор: 남창우,박성민,최대규,김규동,허노현. Владелец: (주)젠. Дата публикации: 2012-11-13.

Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma

Номер патента: US20010004920A1. Автор: Peter Loewenhardt,Gerald Yin,Philip Salzman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Plasma reactor

Номер патента: KR20140102798A. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-08-25.

Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution

Номер патента: TWI365496B. Автор: AJAY Kumar,Madhavi R Chandrachood,Richard Lewington,Sheeba J Panayil,Michael N Grimbergen,Khiem K Nguyen,Ibrahim M Ibrahim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-01.

Plasma reactor overhead source power electrode

Номер патента: CN1812684A. Автор: 道格拉斯·A·小布什伯格,堀冈启治,丹尼尔·J·霍夫曼,欧加·莱格拉曼,詹姆斯·卡达希,蒋国杨. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-02.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: SG191217A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Hybrid plasma reactor

Номер патента: US9035553B2. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Dae-Kyu Choi. Дата публикации: 2015-05-19.

Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor

Номер патента: KR100779444B1. Автор: 니일벤자민,스코트발드윈,세예드제이.야파리안-테라니. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2007-11-26.

Impedance matching of a capacitively coupled rf plasma reactor suitable for large area substrates

Номер патента: WO2006050632A2. Автор: Andy Belinger. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Plasma reactor and plasma ignition method using the same

Номер патента: KR101468404B1. Автор: 최상돈. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-12-03.

Inductive antenna for a plasma reactor producing reduced fluorine dissociation

Номер патента: US6652712B2. Автор: YAN Ye,Matthew L. Miller,Gerardo Delgadino,Daniel J. Hoffman,Douglas A. Buchberger, Jr.,Steven C. Shannon,Shiang-Bau Wang,Chunshi Cui,David McParland. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-25.

A method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity

Номер патента: KR20080071491A. Автор: 제니퍼 와이. 선,매튜 엘. 밀러,제임스 피. 크루즈,칼롤 베라,앤드류 뉴옌,샤히드 라우프,히로지 하나와,스티븐 씨. 샤논,제임스 카두치,케네쓰 에스. 콜린즈,칼티크 라마스와미,더글러스 에이. 주니어. 부치버거,로렌스 웅,왈터 알. 메리,트로이 에스. 데트릭,수브하시 데쉬무크. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-04.

Capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: TW200920192A. Автор: Soon-Im Wi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Methodology and device to confine plasma and to reduce flow resistance in a plasma reactor

Номер патента: KR100807861B1. Автор: 다니엘제이. 호프만,캐롤 베라,얀. 예,제임스디. 카두치,스티븐시. 샤논,주니어 더글라스에이. 부츠버거. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-02-27.

Plasma reactor with overhead rf electrode tuned to the plasma

Номер патента: KR100797926B1. Автор: 다니엘 제이. 호프만,제랄드 차이야오 인. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-24.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2821624A1. Автор: Stephen David Williams,Joseph Michael Dodson,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Alexander Lamb CULLEN. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Plasma reactor

Номер патента: KR101468726B1. Автор: 최상돈. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-12-08.

Plasma reactor having plasma chamber coupled with magnetic flux channel

Номер патента: TWI398926B. Автор: Dae-Kyu Choi,Joung-Ho Lee. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Plasma reactor

Номер патента: EP0727807A1. Автор: Hiroji Hanawa,Peter K. Loewenhardt,Gerald Zheyao Yin,Philip M. Salzman,Diana Xiaobing Ma,Allen Zhao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-08-21.

Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency

Номер патента: US20070247073A1. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,John Holland,Alexander Paterson,Alexander Matyushkin,Edward Hammond,Valentin Todorow,Brian Hatcher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-25.

Plasma reactor control by translating desired values of m plasma parameters to values of n chamber parameters

Номер патента: US20070080140A1. Автор: Daniel Hoffman,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power rf generator

Номер патента: US20090294061A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Matthew L. Miller,Kenneth S. Collins,Daniel J. Hoffman,Steven C. Shannon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Low pressure inductively coupled high density plasma reactor

Номер патента: JP3650332B2. Автор: ブラロック，ガイ，ティー,ドノホー，ケビン，ジー. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-18.

Enhanced plasma source for a plasma reactor

Номер патента: TWI637438B. Автор: 威沃斯麥克Ｄ,托多羅瓦倫汀Ｎ,李瑞蓋瑞,姜力升. Владелец: 美商應用材料公司. Дата публикации: 2018-10-01.

Microwave-excited plasma procwssing apparatus using linear microwave plasma source excited by ridged wave-guide plasma reactors

Номер патента: TW200926908A. Автор: Ching-Huei Wu,Tean-Mu Shen,Chih-Chen Chang,Tung-Chuan Wu,Chan-Hsing Lo,Muh-Wang Liang,Fu-Ching Tung,Jung-Chen Chien,Jung-Chen Ho. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-06-16.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: US20110204023A1. Автор: Dae-Kyu Choi,Sung-Min Park,No-Hyun Huh,Gyoo-Dong Kim,Chang-Woo Nam. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Plasma reactor with inductive excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil

Номер патента: US10090134B2. Автор: Valery Godyak. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

Plasma reactors for processing semiconductor wafers

Номер патента: EP1071113A2. Автор: Peter K. Loewenhardt,Gerald Zheyao Yin,Philip M. Salzman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-24.

Plasma reactors for processing semiconductor wafers

Номер патента: EP0715334B1. Автор: Jun Zhao,Stefan Wolff,Kenneth Smyth,Gerald Mcnutt,William Nixon Taylor, Jr.. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-04-14.

Plasma reactor having multiple antenna structure

Номер патента: WO2007011121A1. Автор: Weon-Mook Lee. Владелец: DMS CO., LTD.. Дата публикации: 2007-01-25.

PLASMA REACTOR CASE AND METHOD.

Номер патента: DE3578562D1. Автор: Ian Paul Llewellyn,Sureshchandra Mishrilal Ojha,Rudolf August Heinecke. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1990-08-09.

Compound plasma reactor

Номер патента: KR20100120602A. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2010-11-16.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269B. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Plasma reactor and method for using the same

Номер патента: TWI397100B. Автор: S M Reza Sadjadi,Dae-Han Choi,Jisoo Kim. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode

Номер патента: KR20120030720A. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2012-03-29.

Enhanced plasma source for a plasma reactor

Номер патента: CN105340059A. Автор: M·D·威尔沃斯,V·N·托多罗,G·勒雷,L-S·蒋. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-17.

Multifrequency plasma reactor and method of etching

Номер патента: US20060054596A1. Автор: Bradley Howard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Low frequency induction type high frequency plasma reactor

Номер патента: JP3381916B2. Автор: エドワードサバススティーブン. Владелец: マトソンテクノロジー，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2003-03-04.

A microwave-excited plasma processing apparatus using a linear microwave plasma source excited by toothed waveguide plasma reactors

Номер патента: DE102008001514A1. Автор: Ching-Huei Wu,Tean-Mu Shen,Chih-Chen Chang,Tung-Chuan Wu,Chan-Hsing Lo,Muh-Wang Liang,Fu-Ching Tung,Jung-Chen Chien,Jung-Chen Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-07-02.

Capacitively coupled RF-plasma reactor

Номер патента: TW200625396A. Автор: Andy Belinger. Владелец: Unaxis Balzers AG. Дата публикации: 2006-07-16.

Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved rf ground return path

Номер патента: US20110005685A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Andrew Nguyen,Valentin N. Todorow,Samer Banna,Anchel Sheyner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof

Номер патента: TW201103086A. Автор: Valentin N Todorow,Samer Banna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-16.

To reduce capacitive coupling, an inductively coupled RF plasma reactor with a floating coil antenna

Номер патента: KR100417453B1. Автор: 퀴안 슈-유,에이취. 사토 아서. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-05-24.

Plasma reactors for processing semi-conductor wafers

Номер патента: EP0710055B1. Автор: Xue-Yu Qian,Arthur H. Sato. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-06-23.

Symmetric vhf source for a plasma reactor

Номер патента: US20230197406A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Nipun Misra,James D. Carducci,Zhigang Chen,Leonid Dorf,Zheng John Ye,Igor Markovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma reactor having vacuum process chamber coupled with magnetic flux channel

Номер патента: KR100883561B1. Автор: 이정호,최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2009-02-27.

Plasma reactor for generating large size plasma

Номер патента: KR101139824B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2012-04-30.

Low pressure inductively coupled high density plasma reactor

Номер патента: KR100373662B1. Автор: 가이 티. 블래로크,케빈 지. 도너호우. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2003-02-26.

Plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural vhf sources

Номер патента: US20080178803A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Subhash Deshmukh,Matthew L. Miller,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Jennifer Y. Sun,James Carducci,Steven C. Shannon,Lawrence Wong,Kallol Bera,Douglas A. Buchberger,Walter R. Merry,James P. Cruse,Troy S. Detrick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Thermal management of inductively coupled plasma reactors

Номер патента: WO2007021522A1. Автор: Qiwei Liang,SIQING Lu,Ellie Y. Yieh,Young S. Lee,Muhammad M. Rasheed,Steven H. Kim,Irene Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved rf ground return path

Номер патента: WO2011008596A3. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Andrew Nguyen,Valentin N. Todorow,Samer Banna,Anchel Sheyner. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-14.

Plasma reactor.

Номер патента: DE68911390D1. Автор: Patrick Chollet,Philippe Leprince,Serge Saada. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1994-01-27.

Plasma reactor for a deposition or etching process.

Номер патента: FR2709397A1. Автор: Pearson David. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1995-03-03.

Control of a plasma reactor by converting desired values of M plasma parameters into values of N chamber parameters

Номер патента: JP5279250B2. Автор: ジェイホフマンダニエル,ロバートゴールドエズラ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly

Номер патента: CN102054648A. Автор: 陈志刚,王泽江,肯尼思·S·柯林斯,瓦伦丁·N·托多罗夫,安德鲁·阮,萨姆尔·班纳,马丁·杰夫·萨利纳斯,安库尔·阿加瓦尔,阿尼茹达·帕. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

MERIE plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression

Номер патента: US20030136766A1. Автор: YAN Ye,Matthew Miller,Xiaoye Zhao,Dan Katz,Kang-Lie Chiang,Daniel Hoffman,Douglas Buchberger,Robert Hagen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

Plasma reactor

Номер патента: KR20140086389A. Автор: 최상돈. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-07-08.

Utilize the plasma reactor of the ARRAY PROCESSING workpiece of plasma point source

Номер патента: CN206546813U. Автор: Y·杨,L·王,K·拉马斯瓦米,S·D·耐马尼,S·莱恩,P·戈帕尔拉迦. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Microwave plasma reactor

Номер патента: JP3483147B2. Автор: エム．ビーセン，マシュー,セヴィラノ，エベリオ,ケー．スミス，ドナルド. Владелец: アプライドサイエンスアンドテクノロジーインコーポレーテッド. Дата публикации: 2004-01-06.

Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources

Номер патента: US20070246163A1. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,John Holland,Alexander Paterson,Alexander Matyushkin,Edward Hammond,Valentin Todorow,Brian Hatcher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-25.

Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source

Номер патента: WO2010088677A1. Автор: Daniel C. Carter,Victor L. Brouk. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator

Номер патента: US20200144027A1. Автор: Canfeng Lai,Jose Antonio Marin,Jeffrey Tobin,Peter I. Porshnev. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator

Номер патента: CN102893705A. Автор: 杰弗里·托宾,坎芬·莱,彼得·I·波尔施内,乔斯·安东尼奥·马林. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-23.

Plasma reactor having segmented electrodes

Номер патента: US4885074A. Автор: Robin A. Susko,James W. Wilson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-12-05.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: AU2020245199A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: EP3948928A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: US20200314994A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: AU2020245199B2. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma reactor apparatus and process for the plasma etching of a workpiece in such a reactor apparatus

Номер патента: EP0019370A1. Автор: Josef T. Hoog,Georges J. Dr. Gorin. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1980-11-26.

Plasma reactor electrode, method of forming a plasma reactor electrode, and plasma reaction chamber

Номер патента: TW583898B. Автор: Michael Barnes,David Palagashvili. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-11.

Methods and apparatus for passivating a substrate in a plasma reactor

Номер патента: TW436914B. Автор: Changhun Lee,Vikram Singh,Yun-Yen Jack Yang. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

Plasma reactor for passivating a substrate

Номер патента: EP1016134B1. Автор: Changhun Lee,Vikram Singh,Yun-Yen Jack Yang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-02-08.

Plasma reactor with chamber wall temperature control

Номер патента: WO2013062834A1. Автор: Dmitry Lubomirsky,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Kallol Bera,Samer Banna,Martin Jeffrey Salinas,Imad Yousif,Valentin Todorow. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

PLASMA REACTOR WITH TILTABLE OVERHEAD RF INDUCTIVE SOURCE

Номер патента: US20130206594A1. Автор: Collins Kenneth S.,YOUSIF IMAD,SALINAS MARTIN JEFFREY,NGUYEN ANDREW,Xu Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

HYBRID PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130307414A1. Автор: CHOI Dae-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

ADJUSTABLE GAP CAPACITIVELY COUPLED RF PLASMA REACTOR INCLUDING LATERAL BELLOWS AND NON-CONTACT PARTICLE SEAL

Номер патента: US20130340938A1. Автор: Tappan James E.,Stevenot Scott Jeffery. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-26.

METHOD OF DIFFERENTIAL COUNTER ELECTRODE TUNING IN AN RF PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140034612A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Misra Nipun,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,Wong Lawrence. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

PLASMA REACTOR WITH ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE HAVING A UNIFORM MAGNETIC FIELD

Номер патента: US20140035458A1. Автор: Collins Kenneth S.,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Misra Nipun,WU MING-FENG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

IMPROVEMENTS IN PLASMA REACTORS

Номер патента: US20220044915A1. Автор: BRAUER John Lionel. Владелец: OZONE 1 PTY LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

PLASMA REACTOR WITH NON-POWER-ABSORBING DIELECTRIC GAS SHOWER PLATE ASSEMBLY

Номер патента: US20160111256A1. Автор: Liang Qiwei,Stowell Michael W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Cascaded plasma reactor

Номер патента: US20140205769A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Veeco ALD Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Plasma Reactor with Highly Symmetrical Four-Fold Gas Injection

Номер патента: US20190122861A1. Автор: YOUSIF IMAD,BANNA SAMER,KNYAZIK VLADIMIR,TANTIWONG KYLE,Rozenzon Yan,Keating Bojenna. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

MICROWAVE PLASMA REACTORS

Номер патента: US20140220261A1. Автор: Asmussen Jes,Gu Yajun,Grotjohn Timothy A.. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

INSTALLATION AND PROCESS FOR THE TREATMENT OF METALLIC PIECES BY A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20160151809A1. Автор: BINDER Cristiano,KLEIN Aloisio Nelmo,BINDER Roberto,HAMMES Gisele. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD AND DEVICE FOR THE REDUCTION OF CONTAMINANTS IN A PLASMA REACTOR, ESPECIALLY CONTAMINATION BY LUBRICANTS

Номер патента: US20210183640A1. Автор: RESZKE Edward,YELKIN Ihar,BINKIEWICZ Grzegorz. Владелец: Plasma Investment Sp. z o.o. Дата публикации: 2021-06-17.

CERAMIC SHOWERHEAD WITH EMBEDDED RF ELECTRODE FOR CAPACITIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140238608A1. Автор: Leeser Karl,Sabri Mohamed,Lingampalli Ramkishan Rao,Augustyniak Edward,Keil Douglas L.,Barnett Cody. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

PLASMA REACTOR VESSEL AND ASSEMBLY, AND A METHOD OF PERFORMING PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20160196959A1. Автор: SHOJAEI Omid Reza,SCHMITT Jacques,JEANNERET Fabrice. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

CLEANING DEVICE AND CLEANING PROCESS FOR A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140305467A1. Автор: Lacoste Ana,Pelletier Jacques Henri,Bes Alexandre,Bechu Stephane Jean Louis,Sirou Jerome. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

COMPACT PORTABLE PLASMA REACTOR

Номер патента: US20190206658A1. Автор: Roy Subrata,PORTUGAL ATENCIO SHERLIE EILEEN. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

PLASMA REACTOR HAVING A FUNCTION OF TUNING LOW FREQUENCY RF POWER DISTRIBUTION

Номер патента: US20190206703A1. Автор: Iizuka Hiroshi,Zhao Kui. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140308461A1. Автор: Williams Stephen David,Brandon John Robert,DODSON JOSEPH MICHAEL,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-10-16.

FOCALIZED MICROWAVE PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200211825A1. Автор: Chang Chih-Chen,Huang Kun-Ping,Chi Yu-Wen. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma Reactor and Heating Apparatus Therefor

Номер патента: US20200214087A1. Автор: Ni Tuqiang,Wu Dee,Zhao Kui. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

SYSTEM FOR TUNABLE WORKPIECE BIASING IN A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20180226225A1. Автор: Dorf Leonid,Gopalraja Prabu,KRAUS Philip Allan,Koh Travis. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Plasma reactor for ultra-high aspect ratio etching and etching method thereof

Номер патента: US20200251345A1. Автор: Jie Liang,Gerald Zheyao Yin,Tuqiang Ni,Xingcai Su,Yichuan Zhang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

DEPOSITION OR TREATMENT OF DIAMOND-LIKE CARBON IN A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20180274089A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Lane Steven,Yang Yang,Monroy Gonzalo Antonio,Chen Lucy. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

PLASMA REACTOR WITH ELECTRODE FILAMENTS

Номер патента: US20180308661A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Carducci James D.,RICE MICHAEL R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Plasma reactor for processing gas

Номер патента: US20200312627A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,George Stephen Leonard, III,Jae Mo Koo. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

CONTROLLING EXHAUST GAS PRESSURE OF A PLASMA REACTOR FOR PLASMA STABILITY

Номер патента: US20200312629A1. Автор: Li Wei,XIE Fei,LEONARD,III George Stephen,McClelland Stefan Andrew,Koo Jae Mo,Tom Curtis Peter. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

PLASMA REACTORS HAVING RECUPERATORS

Номер патента: US20200312638A1. Автор: LEONARD,III George Stephen,McClelland Stefan Andrew,Koo Jae Mo. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: US20200314994A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

METHODS AND APPARATUS FOR MATERIAL PROCESSING USING ATMOSPHERIC THERMAL PLASMA REACTOR

Номер патента: US20160347641A1. Автор: Boughton Daniel Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

ROTARY PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200335311A1. Автор: FAN Qi Hua,TOOMAJIAN Martin E.. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-22.

PLASMA REACTOR WITH HIGHLY SYMMETRICAL FOUR-FOLD GAS INJECTION

Номер патента: US20150371826A1. Автор: YOUSIF IMAD,BANNA SAMER,KNYAZIK VLADIMIR,TANTIWONG KYLE,Rozenzon Yan,Keating Bojenna. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

SYSTEM FOR TUNABLE WORKPIECE BIASING IN A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20190348258A1. Автор: Dorf Leonid,Gopalraja Prabu,KRAUS Philip Allan,Koh Travis. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

PLASMA REACTOR WITH ELECTRODE ASSEMBLY FOR MOVING SUBSTRATE

Номер патента: US20180374686A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Carducci James D.,RICE MICHAEL R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Plasma reactor for abatement of hazardous material and driving method thereof

Номер патента: KR101065013B1. Автор: 허민,송영훈,이재옥,이대훈,김관태,차민석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2011-09-15.

Plasma reactor for abatement of hazardous material

Номер патента: KR101063515B1. Автор: 허민,송영훈,이재옥,이대훈,김관태,차민석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2011-09-07.

Method for diagnosing inner wall of plasma reactor

Номер патента: KR101939634B1. Автор: 유상원,장윤창,노현준,김곤호. Владелец: 서울대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-01-17.

Plasma reactor having multi-plasma area

Номер патента: KR101173643B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2012-08-13.

Plasma reactor, its use and process for producing monocrystalline diamond films

Номер патента: DE102007028293B4. Автор: Martin Fischer,Matthias Dr. Schreck,Stefan Gsell. Владелец: UNIVERSITAET AUGSBURG. Дата публикации: 2009-09-03.

System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing

Номер патента: US9177762B2. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-11-03.

Vacuum pump with plasma reactor

Номер патента: KR102023704B1. Автор: 김대웅,허민,이재옥,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2019-09-20.

Hollow anode plasma reactor and method

Номер патента: CN100401450C. Автор: 大卫·W·本辛,巴巴克·卡德霍达扬. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-07-09.

Pulsed plasma reactor With Cooling Heat Exchanger

Номер патента: KR101300194B1. Автор: 김학준,김용진,한방우. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2013-08-26.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: US6853141B2. Автор: YAN Ye,Michael Barnes,Tetsuya Ishikawa,Matthew L. Miller,Daniel J. Hoffman,Jang Gyoo Yang,Heeyeop Chae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-08.

Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction

Номер патента: US8617351B2. Автор: Keiji Horioka,Michael C. Kutney,Daniel J. Hoffman,Douglas A. Buchberger, Jr.,Roger A. Lindley,Martin J. Salinas,Hamid F. Tavassoli. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: TWI283899B. Автор: Michael Barnes,Daniel J Hoffman,Matthew L Miller,Jang-Gyoo Yang,Hee-Yeop Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-07-11.

Electrical Floating Shield in Plasma Reactor

Номер патента: KR100517474B1. Автор: 페이준 딩,젱 수,지안밍 푸. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-12-07.

Inductively Connected High Density Plasma Reactor

Номер патента: KR960002528A. Автор: 키안 주에유. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1996-01-26.

Gas distribution plate assembly for plasma reactors

Номер патента: US7892357B2. Автор: Aseem K. Srivastava. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

High AC current high RF power ac-rf decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck

Номер патента: CN101090259A. Автор: 瓦伦丁·N·托多罗夫,迈克尔·D·威尔沃思,亚历山大·M·帕特森,布赖恩·K·哈彻,詹姆斯·E·萨蒙斯三世,约翰·P·荷文. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Plasma Reactor Vessel and Assembly, and a Method of Performing Plasma Processing

Номер патента: KR102100315B1. Автор: 오미드 레자 쇼자에이,자크 슈미트,파브리스 잔느레. Владелец: 인데오테크 에스아. Дата публикации: 2020-04-14.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: KR100883875B1. Автор: 장규 양,얀 예,다니엘제이. 호프만,매튜엘. 밀러,희엽 채,마이클 반즈,이시카와데츠야. Владелец: 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-02-17.

Inline Plasma Reactor

Номер патента: KR101589612B1. Автор: 김정섭,최상철. Владелец: (주)이피엔. Дата публикации: 2016-01-29.

Gas distribution plate assembly for plasma reactors

Номер патента: CN1910726A. Автор: A·史利伐斯塔伐. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-02-07.

Arc plasma reactor for decomposition of inert gas

Номер патента: KR101450807B1. Автор: 김영일,김세현,김인명. Владелец: 주식회사 에너콘스테크. Дата публикации: 2014-10-15.

Gas distribution plate assembly for plasma reactors

Номер патента: KR101258287B1. Автор: 아셈 스리바스타바. Владелец: 액셀리스 테크놀로지스, 인크.. Дата публикации: 2013-04-25.

Plasma reactor for process monitoring

Номер патента: KR102023705B1. Автор: 이진영,김대웅,허민,이재옥,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2019-09-20.

Hollow anode plasma reactor and method

Номер патента: CN101290873B. Автор: 大卫·W·本辛,巴巴克·卡德霍达扬. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal

Номер патента: KR101659095B1. Автор: 제임스 이 테판,스코트 제프리 스티브노트. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2016-09-22.

System, method and apparatus of a wdege-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing

Номер патента: KR20140116849A. Автор: 에릭 허드슨. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2014-10-06.

Method of processing a workpiece in a plasma reactor employing a dynamically adjustable plasma source power applicator

Номер патента: US20070257009A1. Автор: IBRAHIM Ibrahim,AJAY Kumar,Madhavi Chandrachood,Michael Grimbergen,Richard Lewington,Darin Bivens,Renee Koch,Sheeba Panayil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Plasma reactor for process monitoring

Номер патента: KR102080237B1. Автор: 이진영,김대웅,허민,이재옥,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2020-02-21.

Plasma reactor

Номер патента: CN101577216B. Автор: 金起铉,朴根周,高诚庸,蔡焕国,李元默. Владелец: Display Manufacturing Services Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of RF power to a process kit ring

Номер патента: CN102106191A. Автор: 肯尼思·S·柯林斯,安德鲁·源,道格拉斯·A·小布什伯格,沙希德·劳夫,卡尔蒂克·拉马斯瓦米,塙广二,詹尼弗·Y·孙,托尔斯特恩·B·莱尔,梅华·沈. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Voltage non-uniformity compensation method for high frequency plasma reactor for the treatment of rectangular large area substrates

Номер патента: US7487740B2. Автор: Jacques Schmitt,Michael Irzyk,Mustapha Elyaakoubi,Laurent Sanonnens. Владелец: Oerlikon Trading AG Truebbach. Дата публикации: 2009-02-10.

Mask etch plasma reactor with cathode lift pin assembly

Номер патента: KR200461690Y1. Автор: 아제이 쿠마르,리차드 레윙턴,마이클 엔. 그림베르겐,키엠 케이. 엔구옌,다린 비벤즈,마드하비 알. 찬드라추드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-07-30.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: US20080023143A1. Автор: YAN Ye,Matthew Miller,Michael Barnes,Tetsuya Ishikawa,Daniel Hoffman,Heeyeop Chae,Jang Yang. Владелец: Yang Jang G. Дата публикации: 2008-01-31.

Non-thermal plasma reactor

Номер патента: KR101030575B1. Автор: 김민호,이형원. Владелец: 주식회사 포스코아이씨티. Дата публикации: 2011-04-21.

Plasma reactor for treating exhaust gas generated from processing facility

Номер патента: WO2015160058A1. Автор: 강경두,노명근,고경오. Владелец: 주식회사 클린팩터스. Дата публикации: 2015-10-22.

Plasma reactor for the treatment of semiconductors

Номер патента: DE3102174C2. Автор: Shigeji Itami Hyogo Kinoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-03-31.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: KR101454569B1. Автор: 존 로버트 브랜든,알렉산더 램 컬렌,조셉 마이클 더슨,스테픈 데이빗 윌리엄스. Владелец: 엘리멘트 식스 리미티드. Дата публикации: 2014-10-23.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: CN100431086C. Автор: 石川哲也,叶洋,马修·L·米勒,丹尼尔·J·后曼,杨姜久,蔡希晔,麦可·巴尼斯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Apparatus for adjusting electrode gap in capacitively coupled high-frequency plasma reactor

Номер патента: JP5090468B2. Автор: ルミンリ，,ラジンダ− ディンジャ，,エリック，エイチ．レンツ，,アンディ，ダブリュ．デズート，. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Номер патента: CN1669108A. Автор: 石川哲也,叶洋,马修·L·米勒,丹尼尔·J·后曼,杨姜久,蔡希晔,麦可·巴尼斯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Gas distribution plate electrode for a plasma reactor

Номер патента: WO2003054913A2. Автор: YAN Ye,Ananda H. Kumar,Xiaoye Zhao,Dan Katz,Douglas A. Buchberger, Jr.,Kang-Lie Chiang,Robert B. Hagen,Hamid Noorbakhsh,Shiang-Bau Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-03.

Plasma reactor for ultra-aspect-ratio etching and etching method thereof

Номер патента: CN111524780A. Автор: 张一川,倪图强,梁洁,苏兴才,尹志尧. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2020-08-11.

Parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density

Номер патента: US6524432B1. Автор: Michael Rice,David Groechel,Kenneth Collins,Douglas Buchberger,John Trow,Eric Askarinam,Joshua Tsui,Raymond Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-25.

Plasma reactor have a variable capacitively coupled plasma

Номер патента: KR101112745B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2012-02-24.

Cooling for plasma reactor

Номер патента: EP1378929A1. Автор: Siegfried Dr. Strämke. Владелец: Siegfried Dr. Strämke. Дата публикации: 2004-01-07.

Plasma reactor and purification equipment

Номер патента: US7042159B2. Автор: Toshio Tanaka,Kanji Motegi,Kenkichi Kagawa,Toshikazu Ohkubo. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2006-05-09.

Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring

Номер патента: TWI494028B. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Kenneth S Collins,Andrew Nguyen,Meihua Shen,Jennifer Y Sun,Jr Doglas A Buchberger,Thorsten B Lill. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

The plasma reactors reflect the side of the gas chamber

Номер патента: TWI441255B. Автор: Sung-Yong Ko,Min-Shik Kim,Hwan-Kook Chae,Kee-Hyun Kim,Weon-Mook Lee,Kun-Joo Park. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Adjustable dc bias control in a plasma reactor

Номер патента: US5605637A. Автор: Evans Lee,Robert Wu,Hongching Shan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-02-25.

Plasma reactor with minimal d.c. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction

Номер патента: KR100853577B1. Автор: 다니엘 제이. 호프만,로저 에이. 린드리,마이클 씨. 쿠트니,마틴 제이. 사리나스,하미드 에프. 타바소리,케이지 호리오카,더글라스 에이. 주니어. 부치버거. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-21.

PLASMA REACTOR FOR THE SPRAYING OF METAL AND DIELECTRIC FILMS

Номер патента: FR2784906B1. Автор: Mark Feldman,Tamarak Pandhumsoporn. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-02-24.

Method of fabricating plasma reactor parts

Номер патента: US7942965B2. Автор: Jie Yuan,Elmira Ryabova,Jennifer Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Plasma reactor gas distribution plate with path splitting manifold

Номер патента: TWI474869B. Автор: Shahid Rauf,Kallol Bera. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-01.

Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: US9449795B2. Автор: Karl Leeser,Edward Augustyniak,Mohamed Sabri,Douglas L. Keil,Ramkishan Rao Lingampalli,Cody Barnett. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for heating a semiconductor wafer plasma reactor vacuum chamber

Номер патента: US6759624B2. Автор: Ananda H. Kumar,Tetsuya Ishikawa,Kwok Manus Wong,Farahmand E. Askarinam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-06.

Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias

Номер патента: US20090272492A1. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Valentin N. Todorow,Edward P. Hammond, IV,David Palagashvili,Brain K. Hatcher,Alexander M. Paterson,Rodolfo P. Belen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-11-05.

Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids

Номер патента: US7695590B2. Автор: Tsutomu Tanaka,Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Amir Al-Bayati,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Dielectric barrier discharge plasma reactor

Номер патента: KR101503906B1. Автор: 유재현,박선순,이해룡,최한수. Владелец: 주식회사 다원시스. Дата публикации: 2015-03-19.

Multi-part electrode for a semiconductor processing plasma reactor and method of replacing a portion of a multi-part electrode

Номер патента: KR101075046B1. Автор: 케네디윌리암에스.,피셔안드레아스,로웬하드트피터,트러셀데이비드. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2011-10-19.

Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection

Номер патента: KR102130061B1. Автор: 얀 로젠존,카일 탄티웅,이매드 유지프,블라디미르 크냐지크,사머 밴나. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-07-03.

Radiofrequency plasma reactor and method for manufacturing vacuum process treated substrates

Номер патента: US20110217806A1. Автор: Stephan Jost. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2011-09-08.

Plasma reactor apparatus and method for treating a substrate

Номер патента: CA2008926C. Автор: Jes Asmussen,Donnie K. Reinhard. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 1994-03-29.

Plasma generating electrode and plasma reactor

Номер патента: US20060222577A1. Автор: Takeshi Sakuma,Kazuhiro Kondo,Masaaki Masuda,Kenji Dosaka,Yasumasa Fujioka,Atsuo Kondou. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Hollow anode plasma reactor and method

Номер патента: CN101290873A. Автор: 大卫·W·本辛,巴巴克·卡德霍达扬. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Plasma reactor and heating device thereof

Номер патента: CN111385915B. Автор: 倪图强,吴狄,赵馗. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2022-04-26.

Plasma reactor with a magnet to protect the electrostatic holder against the plasma

Номер патента: DE69402941T2. Автор: Robert A Chapman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

An electrically floating shield in a plasma reactor.

Номер патента: JP4233618B2. Автор: フジアンミン,ディングペイジュン,シュチェン. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Plasma Reactor, and Method for the Production of Monocrystalline Diamond Layers

Номер патента: US20110005454A1. Автор: Martin Fischer,Stefan Gsell,Matthias Schreck. Владелец: UNIVERSITAET AUGSBURG. Дата публикации: 2011-01-13.

PLASMA REACTOR APPARATUS AND METHOD OF TREATMENT OF A SUBSTRATE.

Номер патента: ES2018129T3. Автор: Jes Asmussen,Donnie K Reinhard. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 1997-05-01.

Spiral gas flow plasma reactor

Номер патента: US20050000429A1. Автор: Wolfgang Neuberger,Alexei Solomatine. Владелец: Ceramoptec Industries Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Monitoring quality of plasma in plasma reactor or gas discharge laser - using test phase superimposed over excitation voltage to change frequency which is then used to determine electron density and temp. in plasma

Номер патента: DE4138691A1. Автор: Eberhard Dipl Phys Dr Raeuchle,Robert Dipl Phys Dr Seeboeck,Walter Dipl Phys Dr Koehler,Rudolf Dipl Phys Dr Deutsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-05-27.

Ceramic showerhead with embedded rf electrode for capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: KR102218724B1. Автор: 람키샨 라오 링엄팰리,칼 리저,사브리 모하메드,에드워드 오거스티니아크,더글라스 엘. 케일,코디 바네트. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-02-22.

Plasma reactor for manufacturing electronic components

Номер патента: US20040163765A1. Автор: Kyung-Bin Bae,Hee-Kook Park. Владелец: ANS Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Plasma reactor for reducing particles

Номер патента: KR102452084B1. Автор: 최대규. Владелец: (주) 엔피홀딩스. Дата публикации: 2022-10-11.

Plasma generating electrode and plasma reactor

Номер патента: US7608796B2. Автор: Takeshi Sakuma,Kazuhiro Kondo,Masaaki Masuda,Kenji Dosaka,Yasumasa Fujioka,Atsuo Kondou. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Plasma reactor

Номер патента: KR101184298B1. Автор: 이상윤,오흥식,노명근. Владелец: (주)엘오티베큠. Дата публикации: 2012-09-21.

Dielectric barrier discharge plasma reactor

Номер патента: KR102458877B1. Автор: 김대웅,허민,이대훈,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor

Номер патента: CN101222813A. Автор: 丹尼尔·J·霍夫曼,斯科特·A·霍根逊,罗杰·艾伦·林迪. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Plasma reactor removeable insert

Номер патента: EP0095200B1. Автор: Josef T. Hoog,James W. Mitzel. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1989-03-15.

Multi-station plasma reactor having cooling block and isolation valve

Номер патента: KR102267834B1. Автор: 이철규. Владелец: 이철규. Дата публикации: 2021-06-22.

Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor

Номер патента: US20020039625A1. Автор: Ronald Powell,Simon Selitser,Gabriel Font-Rodriguez,Emerson Settles. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Plasma reactor

Номер патента: US20090280040A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Plasma reactor

Номер патента: PL361073A1. Автор: Siegfried Stramke. Владелец: Siegfried Stramke. Дата публикации: 2004-01-12.

Use of pulsed voltage in a plasma reactor

Номер патента: WO2002015222A3. Автор: Kevin G Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-13.

Bonded silicon carbide parts in a plasma reactor

Номер патента: US5910221A. Автор: Robert W. Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Process for the beneficiation of titaniferous ores utilizing hot wall continuous plasma reactor

Номер патента: US3856918A. Автор: J Skrivan,J Chase. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1974-12-24.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacturing

Номер патента: RU2543986C2. Автор: Джеффри Алан СКАРСБРУК,Джон Роберт БРЭНДОН,Александр Лэмб КАЛЛЕН,Джозеф Майкл ДОДСОН,Кристофер Джон Ховард УОРТ,Карлтон Найджел ДОДЖ,Пол Николас ИНГЛИС,Тимоти Питер МОЛЛАРТ,Чарлз Саймон Джеймс ПИКЛЕС,Стивен Эдвард КОЭ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-03-10.

Multi-zone temperature control plasma reactor

Номер патента: US12094695B2. Автор: Mei Rui,Zhou Xiaofeng,Steven Lee,Tuqiang Ni,Sha Rin. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US12062528B2. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US20230134862A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Plasma reactor chuck assembly

Номер патента: US4547247A. Автор: Ninko T. Mirkovich,Douglas H. Warenback,Thomas M. Rathmann. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Automated single slice cassette load lock plasma reactor

Номер патента: US4659413A. Автор: John E. Spencer,Cecil J. Davis,Rhett B. Jucha,Randall E. Johnson,Frederick W. Brown,Stanford P. Kohan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-21.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: WO1998000874A1. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-01-08.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: AU2020245142B2. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: EP3948927A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: AU2020245142A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: CA3134268A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability

Номер патента: WO2020197702A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom,Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Induction plasma torch

Номер патента: US5676863A. Автор: Bernard Jouvenel,Pierre Ripoche. Владелец: Alcatel Fibres Optiques SA. Дата публикации: 1997-10-14.

Gliding arc plasma reactor, and method for converting methane by means of plasma

Номер патента: EP4446003A1. Автор: Wei Xu,Feng Sun,Jing Zhang,Zhe Yang,Jie Jiang,Bing Sun,Tie Zhang,Mingchuan ZHOU,Junpeng REN. Владелец: Sinopec Research Institute of Safety Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Microwave plasma reactor for synthetic diamond material

Номер патента: RU2666135C2. Автор: Джеффри Алан СКАРСБРУК,Джон Роберт БРЭНДОН,Айан ФРАЙЕЛ,Майкл Эндрю КУПЕР,Бен Льюлин ГРИН. Владелец: Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед. Дата публикации: 2018-09-06.

Installation and process for the treatment of metallic pieces by a plasma reactor

Номер патента: US09676010B2. Автор: Cristiano Binder,Gisele Hammes,Aloisio Nelmo Klein,Roberto Binder. Владелец: Universidade Federal de Santa Catarina. Дата публикации: 2017-06-13.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US09410242B2. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,Jonathan James Wilman,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma reactor having a variable coupling of low frequency RF power to an annular electrode

Номер патента: US12062524B2. Автор: Tuqiang Ni,Shenjian Liu,Kui Zhao. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma reactor having array of coaxial multiple pins and processing low temperature plasma at high efficiency

Номер патента: US20240006162A1. Автор: Pengfei Wang,Qi Qiu,Xingliang Liu,Jiahong Fu,Zhaozhe Deng. Владелец: Hangzhou City University. Дата публикации: 2024-01-04.

Single dielectric barrier non-thermal plasma reactor and method-planar and swept shapes

Номер патента: US20020076366A1. Автор: David Nelson,Bob Li,Blaine Danley. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Installation and process for the treatment of metallic pieces by a plasma reactor

Номер патента: EP3022761A1. Автор: Cristiano Binder,Gisele Hammes,Aloisio Nelmo Klein,Roberto Binder. Владелец: Universidade Federal de Santa Catarina. Дата публикации: 2016-05-25.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: US20110155694A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM,KwangMin Lee,Hyeokjin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Low ceiling temperature process for a plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material

Номер патента: WO1999036931A2. Автор: Jian Ding. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-07-22.

Plasma reactor and method for removing photoresist

Номер патента: CA1281439C. Автор: James F. Battey,Perry A. Diederich. Владелец: PSI Star Inc. Дата публикации: 1991-03-12.

Method and an installation for treatment of a solid powder fluoropolymer and a used in them sonde for a plasma reactor switching off

Номер патента: RU2262501C2. Автор: Клаус ХИНТЦЕР,ДЕР ВАЛЬТ Айзек Якобус ВАН,Гернот ЛЁХР. Владелец: Сауф Эфрикан Нуклеа Энерджи Корпорейшн Лимитед. Дата публикации: 2005-10-20.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2946433A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-12-23.

Plasma reactor having a function of tuning low frequency RF power distribution

Номер патента: US11830747B2. Автор: Hiroshi Iizuka,Kui Zhao. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Plasma reactor having RF power applicator and a dual-purpose window

Номер патента: US6790311B2. Автор: Michael Rice,Kenneth S Collins,Craig A Roderick,Farahmand E Askarinam,Douglas A Buchberger, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-14.

Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode

Номер патента: US6077384A. Автор: Michael Rice,David W. Groechel,Kenneth S. Collins,Douglas Buchberger,John Trow,Eric Askarinam,Raymond Hung,Joshua Chiu-Wing Tsui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: CA2946433C. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

High pressure microwave plasma reactors

Номер патента: WO2024015294A1. Автор: Leslie Bromberg,Kim-Chinh Tran,Jorj Ian OWEN,Jonathan Whitlow. Владелец: Maat Energy Company. Дата публикации: 2024-01-18.

Inductively coupled plasma reactor with top electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: US5685941A. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Plasma reactor for etching and coating substrates

Номер патента: US4461237A. Автор: Georg Kraus,Gerhard Kaus,Holger Hinkel,Ulrich Kunzel,Reinhold Muehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-07-24.

Plasma reactor with electrode filaments

Номер патента: WO2018200404A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Michael R. Rice,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-01.

High density plasma reactor with multiple top coils

Номер патента: US20140273537A1. Автор: Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Chi-Ching Lo,Tzu-Chun Lin,Jen-Chi Chang,Ho-Ta CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Inductive plasma chemical vapor deposition method and amorphous silicon thin film transistor produced using the same

Номер патента: KR100469134B1. Автор: 진 장,조세일,김재각. Владелец: 진 장. Дата публикации: 2005-09-02.

Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same

Номер патента: US5744049A. Автор: Yuh-Jia Su,Graham W. Hills. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-04-28.

Multi-electrode plasma reactor power distribution device

Номер патента: JP2673571B2. Автор: ローズ，ピーター・ダブリユ,ラフ，ジユニア，カークウツド・エイチ. Владелец: プラズマ・サイエンス・インコーポレーテツド. Дата публикации: 1997-11-05.

Silicon Carbide Compounds Useful for Plasma Reactors

Номер патента: KR980011810A. Автор: 하오 에이. 루. Владелец: 조셉 제이. 스위니. Дата публикации: 1998-04-30.

Plasma reactor with perforated plasma confinement ring

Номер патента: EP1149403B1. Автор: Lumin Li,George Mueller. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-06-29.

Multiple electrode plasma reactor power distribution system

Номер патента: KR970002282B1. Автор: 피터 더블유 로제,제이. 커크우드 에이취 러프. Владелец: 스테펜 엘. 카플랜. Дата публикации: 1997-02-27.

Inductively coupled plasma reactor and method

Номер патента: JP3959145B2. Автор: マイケル・ジェイ・ハーティング,ジョン・シー・アーノルド. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: US20150061191A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Focus ring replacement method for a plasma reactor, and associated systems and methods

Номер патента: US20150340209A1. Автор: Michael E. Koltonski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: US9738970B2. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: KR101454568B1. Автор: 존 로버트 브랜든,티모시 피터 몰라트,알렉산더 램 컬렌,조셉 마이클 더슨,칼톤 니젤 다지,폴 니콜라스 잉글리스,제프리 앨런 스카스브룩,찰스 시몬 제임스 피클스,스티븐 에드워드 코에,크리스토퍼 존 하워드 워트. Владелец: 엘리멘트 식스 리미티드. Дата публикации: 2014-10-23.

Method and apparatus for fabricating plasma reactor parts

Номер патента: TWI500592B. Автор: Jie Yuan,Elmira Ryabova,Amitabh Sabharwal,Madhavi R Chandrachood,Richard Lewington,Darin Bivens,Jeffifer Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-21.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Номер патента: GB2486784B. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Joseph Michael Dodson,Steven Edward Coe,John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort,Carlton Nigel Dodge,Charles Simon James Pickles,Timothy Peter Mollart,Alexander Lamb CULLEN,Paul Nicolas Inglis. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor

Номер патента: EP1016130A1. Автор: Ching-Hwa Chen,Yun-Yen Jack Yang,Yea-Jer Arthur Chen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control

Номер патента: US20070081294A1. Автор: Daniel Hoffman,Douglas Burns,Paul Brillhart,Richard Fovell,Kallol Bera,Hamid Tavassoli,Douglas Buchberger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Removal of polymer residues on carbon@ basis, useful for cleaning plasma reactors - by excitation of plasma contg. ozone in reactor and evacuating obtd. volatile end prods.

Номер патента: DE4319683A1. Автор: Erfinder Wird Nachtraeglich Benannt Der. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-12-16.

Plasma reactor for abating hazardous material

Номер патента: CN105013419A. Автор: 许民,姜宇石,李载玉. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2015-11-04.

Plasma reactor for eliminating waste gases and gas scrubber using the same

Номер патента: KR100951631B1. Автор: 김홍진,김익년. Владелец: 김익년. Дата публикации: 2010-04-09.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR102329032B1. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-19.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR20210141910A. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-23.

For the plasma reactor of the removing of pollutant

Номер патента: CN103028357B. Автор: 许民,姜宇石,李载玉,李大勋,金冠泰,宋永焄. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2015-12-16.

Plasma reactor for eliminating waste gases and gas scrubber using the same

Номер патента: KR20100005334A. Автор: 김홍진,김익년. Владелец: 김익년. Дата публикации: 2010-01-15.

Methods and apparatus for material processing using dual source cyclonic plasma reactor

Номер патента: US9284210B2. Автор: Daniel Robert Boughton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Electromagnetic radiation activated plasma reactor

Номер патента: JP2004527727A. Автор: ステファンシェハネ、エイチ,バーナードスピエルマン、リック,ピーレオン、ジャン−フランセ,マイクフレイム. Владелец: シーアールティホールディングス、インク. Дата публикации: 2004-09-09.

Plasma reactor for abatement of hazardous material

Номер патента: US9472381B2. Автор: Min Hur,Woo Seok Kang,Jae Ok Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2016-10-18.

An electromagnetic radiation-initiated plasma reactor

Номер патента: EP1312247A2. Автор: H. Stephen Shehane,Rick Bernard Spielman,Jean-Francais P. Leon,Mike Fraim. Владелец: CRT Holdings Inc. Дата публикации: 2003-05-21.

Method and device for thermal destruction of organic compounds by an induction plasma

Номер патента: US09759423B2. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-12.

Dielectric barrier discharge plasma reactor for non-oxidative coupling of methane having a controlled gap distance between dielectric particles and regeneration method of deactivated bed in the same

Номер патента: US11633708B2. Автор: Jinwon Lee,Kyoung-Su Ha,Juchan Kim,Jaekwon Jeoung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2023-04-25.

Dielectric barrier discharge plasma reactor for non-oxidative coupling of methane having a controlled gap distance between dielectric particles and regeneration method of deactivated bed in the same

Номер патента: US20200129952A1. Автор: Jinwon Lee,Kyoung-Su Ha,Juchan Kim,Jaekwon Jeoung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2020-04-30.

A plasma reactor

Номер патента: US20240010363A1. Автор: Scott Hughan Rennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-11.

A plasma reactor

Номер патента: EP4248090A1. Автор: Scott Hughan Rennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Plasma reactor with a honeycomb electrode

Номер патента: EP2092977A3. Автор: Hiroshi Mizuno,Michio Takahashi,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Plasma reformer for e.g. electricity generator of motor vehicle, has catalytic burner heating reactants in sealed duct before introducing reactants in plasma reactor and extending around plasma reactor

Номер патента: FR2891951A1. Автор: Laurent Fulcheri,Brunel Emmanuelle Duval,Fabien Boudjemaa,Nicolas Huon,Thierry Planas,Jean Damien Rollier. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2007-04-13.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: AU3509997A. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-21.

Plasma reactors having recuperators

Номер патента: EP3948929A4. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases

Номер патента: AU2003251444A1. Автор: Ralf Spitzl,Arno Behr,Thorsten Oberreuther,Christian Wolff. Владелец: Iplas GmbH. Дата публикации: 2004-02-09.

Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases

Номер патента: US8636960B2. Автор: Ralf Spitzl,Arno Behr,Thorsten Oberreuther,Christian Wolff. Владелец: Iplas GmbH. Дата публикации: 2014-01-28.

Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases

Номер патента: EP1523755B1. Автор: Ralf Spitzl,Arno Behr,Thorsten Oberreuther,Christian Wolff. Владелец: Iplas GmbH. Дата публикации: 2006-06-14.

Plasma reactor

Номер патента: CN102743784A. Автор: 罗炳灿. Владелец: Zhejiang Peijieer Medical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Method of modifying particles using a cascade plasma reactor

Номер патента: US20240198312A1. Автор: Zineb Matouk. Владелец: Technology Innovation Institute Sole Proprietorship LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of modifying particles using a cascade plasma reactor

Номер патента: WO2024134509A1. Автор: Zineb Matouk. Владелец: Technology Innovation Institute - Sole Proprietorship Llc. Дата публикации: 2024-06-27.

Microwave plasma reactors

Номер патента: US09890457B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen,Yajun Gu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-02-13.

MAGNETIC INDUCTION PLASMA SOURCE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSES AND EQUIPMENT

Номер патента: US20190272999A1. Автор: Kobayashi Satoru,LUBOMIRSKY DMITRY,KIM Junghoon,Park Soonam,Schatz Kenneth D.,Jung Soonwook,Cho Tae Seung. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-05.

Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment

Номер патента: KR102494482B1. Автор: 수남 박,드미트리 루보미르스키,태승 조,순욱 정,중훈 김,사또루 고바야시,케네스 디. 슈아츠. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-02-06.

Inductive plasma source with external discharge bridge

Номер патента: KR100686212B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2007-03-02.

Induction plasma gun

Номер патента: CA2154431A1. Автор: Bernard Jouvenel,Pierre Ripoche. Владелец: Alcatel Fibres Optiques SA. Дата публикации: 1996-01-23.

Inductive plasma source

Номер патента: WO2011022612A3. Автор: Charles Crapuchettes,Valery A. Godyak,Vladimir Nagorny. Владелец: MATTSON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-05-26.

Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source

Номер патента: TW202304259A. Автор: 吉狄翁封扎爾. Владелец: 新加坡商Aes 全球公司. Дата публикации: 2023-01-16.

Plasma reactor and deposition or treatment of diamond-like carbon in a plasma reactor

Номер патента: WO2018175182A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,Yue Guo,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Lucy Chen,Gonzalo Antonio Monroy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing

Номер патента: US5656123A. Автор: Siamak Salimian,Lumin Li,Carol M. Heller. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

RF plasma reactor having a function of tuning low frequency RF power distribution and a method applied to the plasma reactor

Номер патента: TW201907760A. Автор: 圖強倪,趙馗,身健劉. Владелец: 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司. Дата публикации: 2019-02-16.

Endpoint detection device for realizing real-time control of a plasma reactor and the plasma reactor comprising the endpoint detection device and the endpoint detection method

Номер патента: KR100892248B1. Автор: 김기현,박근주,채희엽,한광훈,한경훈,이원묵. Владелец: 주식회사 디엠에스. Дата публикации: 2009-04-09.

Endpoint detection device for realizing real-time control of plasma reactor, plasma reactor with endpoint detection device, and endpoint detection method

Номер патента: TWI371065B. Автор: Heeyeop Chae,Kyounghoon Han,Kun Joo Park,Gwang Hoon Han,Kee Hyun Kim,Weon Mook Lee. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: TW201133610A. Автор: Kwang-Min Lee,Sung-Yong Ko,Min-Shik Kim,Hwan-Kook Chae,Weon-Mook Lee,Kun-Joo Park,Keehyun KIM,Hyeok-Jin Jang. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-01.

Showerhead configurations for plasma reactors

Номер патента: TW201230193A. Автор: Zhao Li,Ilia Kalinovski,Ivelin A Angelov,James E Caron. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Methods and apparatus for the production of group iv nanoparticles in a flow-through plasma reactor

Номер патента: EP2178631A1. Автор: Xuegeng Li,Karel Vanheusden,Maxim Kelman,Mason Terry,Eric Schiff,Elena Rogojina,Chistopher Alcantara. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2010-04-28.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: GB201121486D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Spinning disk plasma reactor for treatment of water

Номер патента: US20230254963A1. Автор: Thomas M. Holsen,Selma Mededovic-Thagard. Владелец: CLARKSON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor

Номер патента: US09908804B2. Автор: Daniel Robert Boughton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor

Номер патента: US09533909B2. Автор: Daniel Robert Boughton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Microwave plasma reactors

Номер патента: US20130069531A1. Автор: Michael Becker,David King,Jing Lu,Jes Asmussen,Thomas Schuelke,Timothy Grotjohn,M. Kagan Yaran,Donnie K. Reinhard,Kadek W. Hemawan,Yajun Gu. Владелец: Fraunhofer USA Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Microwave power delivery system for plasma reactors

Номер патента: US20130334964A1. Автор: John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

RECURSIVE PUMPING FOR SYMMETRICAL GAS EXHAUST TO CONTROL CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN PLASMA REACTORS

Номер патента: US20150041061A1. Автор: BALAKRISHNA AJIT,Kim Jong Mun,NOORBAKHSH HAMID,Shoji Sergio Fukuda,ROSA Jason Della. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Номер патента: US20170040145A1. Автор: Geoffrey Alan Scarsbrook,Ian Friel,John Robert Brandon,Michael Andrew Cooper,Ben Llewlyn Green. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Plasma Reactor Having Radial Struts for Substrate Support

Номер патента: US20190085467A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

REMOTE PLASMA AND ELECTRON BEAM GENERATION SYSTEM FOR A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20170092467A1. Автор: Dhindsa Rajinder. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

RECURSIVE PUMPING FOR SYMMETRICAL GAS EXHAUST TO CONTROL CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN PLASMA REACTORS

Номер патента: US20180142354A1. Автор: BALAKRISHNA AJIT,Kim Jong Mun,NOORBAKHSH HAMID,DELLA ROSA JASON,Shoji Sergio Fukuda. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Multi-station plasma reactor with rf balancing

Номер патента: US20160168701A1. Автор: Adrien Lavoie,Karl F. Leeser,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Multi-station plasma reactor with rf balancing

Номер патента: US20180163302A1. Автор: Adrien Lavoie,Karl F. Leeser,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

MULTI-ZONE TEMPERATURE CONTROL PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200161104A1. Автор: Ni Tuqiang,Lee Steven,Rin Sha,Xiaofeng Zhou,Rui Mei. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Enhanced plasma source for a plasma reactor

Номер патента: US20140367046A1. Автор: Michael D. Willwerth,Gary Leray,Valentin N. Todorow,Li-Sheng CHIANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

PLASMA REACTOR HAVING DIVIDED ELECTRODES

Номер патента: US20170314132A1. Автор: KIM Dong-Soo,Joo Min-Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

PLASMA REACTOR HAVING DIVIDED ELECTRODES

Номер патента: US20170314133A1. Автор: KIM Dong-Soo,Joo Min-Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

PLASMA REACTOR WITH PHASE SHIFT APPLIED ACROSS ELECTRODE ARRAY

Номер патента: US20180308663A1. Автор: Collins Kenneth S.,BERA KALLOL,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Rauf Shahid,Carducci James D.,RICE MICHAEL R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

PLASMA REACTOR WITH FILAMENTS AND RF POWER APPLIED AT MULTIPLE FREQUENCIES

Номер патента: US20180308664A1. Автор: Collins Kenneth S.,BERA KALLOL,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Rauf Shahid,Carducci James D.,RICE MICHAEL R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Plasma reactor with electrode filaments extending from ceiling

Номер патента: US20180308666A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Michael R. Rice,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

PLASMA REACTOR WITH GROUPS OF ELECTRODES

Номер патента: US20180308667A1. Автор: Collins Kenneth S.,BERA KALLOL,Ramaswamy Kartik,Guo Yue,Rauf Shahid,Carducci James D.,RICE MICHAEL R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

THERMAL MANAGEMENT OF PLASMA REACTORS

Номер патента: US20200312628A1. Автор: McClelland Stefan Andrew,Koo Jae Mo,Leonard III George Stephen. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

MULTI-STATION PLASMA REACTOR WITH RF BALANCING

Номер патента: US20150348854A1. Автор: LaVoie Adrien,Leeser Karl F.,Kapoor Sunil,Rangineni Yaswanth. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Plasma reactor with electrode array in ceiling

Номер патента: US20180374685A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Michael R. Rice,James D. Carducci,Kallol Bera. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors

Номер патента: US5507874A. Автор: Yuh-Jia Su,Richard Muh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor

Номер патента: KR100523365B1. Автор: 수산씨. 아브라함. Владелец: 램 리서치 코포레이션. Дата публикации: 2005-10-20.

Plasma Reactor with Split Electrode

Номер патента: KR20190003972A. Автор: 김동수,주민수. Владелец: 레트로-세미 테크놀로지스, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-01-10.

Plasma reactor having plasma chamber coupled with magnetic flux channel

Номер патента: KR100743842B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-08-01.

Inductively coupled dual plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR101413761B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-07-01.

Plasma reactor for treating exhaust gas

Номер патента: KR20220142064A. Автор: 김민재,강경두,고경준. Владелец: 주식회사 퓨어플라텍. Дата публикации: 2022-10-21.

Inductively-coupled plasma reactor for plasma uniformity and efficiency enhancement and method for manufacturing semiconductor substrate using the device

Номер патента: KR101488243B1. Автор: 투치앙 니,송린 쉬,강 스. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이. Дата публикации: 2015-01-30.

How to clean electrostatic chuck in plasma reactor

Номер патента: KR960002537A. Автор: 수 유-지아,머 리차드. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1996-01-26.

Plasma reactor having multi discharging chamber

Номер патента: KR100793457B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-01-14.

Capacitively coupled plasma reactor and plasma processing method using the same and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: KR101497413B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2015-03-02.

Plasma reactor having multi-core plasma generator

Номер патента: KR100983556B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-09-24.

Thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor

Номер патента: KR101030935B1. Автор: 오도넬로버트제이.,도어티존이.. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2011-04-28.

Flat type Plasma Reactor

Номер патента: KR100776616B1. Автор: 김석준,송영훈,이재옥,이대훈,김관태,차민석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2007-11-15.

Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors

Номер патента: US9909213B2. Автор: Ajit Balakrishna,Sergio Fukuda Shoji,Hamid Noorbakhsh,Jong Mun Kim,Jason Della ROSA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor

Номер патента: US6502530B1. Автор: Jacques Schmitt,Emmanuel Turlot,Jean-Baptiste Chevrier,Jean Barreiro. Владелец: Unaxis Balzers AG. Дата публикации: 2003-01-07.

Multi-station plasma reactor with rf balancing

Номер патента: KR102460602B1. Автор: 애드리언 라보이,썬닐 카푸어,칼 에프. 리저,야스완쓰 란지네니. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-10-27.

Inductively coupled dual plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR20090071040A. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2009-07-01.

Plasma reactor

Номер патента: JP5271874B2. Автор: エマニュエル・ティーロ,ジャン−バティーステ・シェブリエール,ジャーク・シュミート,ジャン・バーレイロウ. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Hybrid coupled plasma reactor with icp and ccp functions

Номер патента: KR100777151B1. Автор: 이원묵. Владелец: 주식회사 디엠에스. Дата публикации: 2007-11-16.

Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond materials

Номер патента: JP6763785B2. Автор: ジェフリーアランスカーズブルック,ジェフリーアランスカーズブルック,ジョンロバートブランドン,ジョンロバートブランドン,イアンフリエル,マイケルアンドリュークーパー,マイケルアンドリュークーパー,ベンリュウリングリーン,ベンリュウリングリーン. Владелец: エレメントシックステクノロジーズリミテッド. Дата публикации: 2020-09-30.

Multi-zone temperature control plasma reactor

Номер патента: KR102195760B1. Автор: 투치앙 니,샤 린,스티븐 리,시아오펑 조우,메이 루이. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나. Дата публикации: 2020-12-29.

Apparatus and method for handling metal parts by plasma reactor

Номер патента: CN105393332B. Автор: C·宾德,G·海姆斯,A·N·克雷恩,R·宾德. Владелец: Whirlpool SA. Дата публикации: 2017-09-29.

Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor

Номер патента: TW200412827A. Автор: John E Daugherty,Donnell Robert J O'. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2004-07-16.

Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes

Номер патента: US6545420B1. Автор: Tetsuya Ishikawa,David W. Groechel,Jeffrey Marks,Jerry Yuen-Kui Wong,Peter R. Keswick,Chan-Lon Yang,Kenneth S. Collins,Craig A. Roderick,John R. Trow,II Jay D. Pinson,Lawrence Chang-Lai Lei,Masato M. Toshima. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

DEVICE AND METHOD FOR CLEANING A PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2902029B1. Автор: Jacques Henri Pelletier,Ana Lacoste,Alexandre Bes,Stephane Jean Louis Bechu,Jerome Sirou. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2009-01-23.

Multi-station plasma reactor with RF balancing

Номер патента: CN105321792A. Автор: 阿德里安·拉瓦伊,卡尔·F·利泽,苏尼尔·卡普尔,亚斯万斯·兰吉尼. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Enhanced inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100311234B1. Автор: 오범환,김철호,정재성,박세근. Владелец: 학교법인 인하학원. Дата публикации: 2001-11-02.

Cleaning device and cleaning process for a plasma reactor

Номер патента: US9812298B2. Автор: Jacques Henri Pelletier,Ana Lacoste,Alexandre Bes,Stephane Jean Louis Bechu,Jerome Sirou. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2017-11-07.

Controlled polymerization on plasma reactor wall

Номер патента: US20040084409A1. Автор: Shashank Deshmukh,Thorsten Lill. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor

Номер патента: US20050150866A1. Автор: John Daugherty,Robert O'Donnell. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

DEVICE AND METHOD FOR CLEANING A PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2902029A1. Автор: Jacques Henri Pelletier,Ana Lacoste,Alexandre Bes,Stephane Jean Louis Bechu,Jerome Sirou. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2007-12-14.

Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors

Номер патента: US9218944B2. Автор: AJAY Kumar,Michael N. Grimbergen,Khiem K. Nguyen,Richard Lewington,Madhavi R. Chandrachood,Ibrahim M. Ibrahim,Sheeba J. Panayil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

HF PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2808224A1. Автор: Jean Baptiste Chevrier,Jacques Schmitt,Emmanuel Turlot,Jean Barreiro. Владелец: Unaxis Balzers AG. Дата публикации: 2001-11-02.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR960002626A. Автор: 포스터 존,엠. 코헨 바니,오. 스팀슨 브래들리,플록쓰 조지. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1996-01-26.

Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus

Номер патента: US8980044B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Douglas H. Burns,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Kallol Bera,Kenneth W. Cowans,Paul Lukas Brillhart,Hamid Tavassoli,William W. Cowans,Glenn W. Zubillaga,Isaac Millan. Владелец: BE Aerospace Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Multi loop core dual plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR101555844B1. Автор: 위순임. Владелец: 에프원소프트 주식회사. Дата публикации: 2015-09-25.

Rotary plasma reactor

Номер патента: WO2020219316A1. Автор: Qi Hua Fan,Martin E. Toomajian. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

Plasma reactor with tiltable overhead rf inductive source

Номер патента: US20110048644A1. Автор: Ming Xu,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Martin Jeffrey Salinas,Imad Yousif. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Plasma sheath control for RF plasma reactor

Номер патента: JP7038901B2. Автор: ミラー，ケネス,ジエンバ，ティモシー,スロボドヴ，イリア,プレガー，ジェームス. Владелец: Eagle Harbor Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-18.

Optical monitoring and control system and method for plasma reactor

Номер патента: JP2003529946A. Автор: ジョンソン、ウェイン・エル,リウ、リァンジュン. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-10-07.

Workpiece de-chucking device of plasma reactor for dry-cleaning the inside of chamber and electro static chuck during de-chucking workpiece, and workpiece de-chucking method of the same

Номер патента: KR101125430B1. Автор: 이병일,김민식,장혁진,고성용. Владелец: 주식회사 디엠에스. Дата публикации: 2012-03-28.

Plasma-reactor and its use in etching and coating substrates

Номер патента: EP0089382A1. Автор: Reinhold Mühl,Georg Kraus,Holger Dr. Dipl.-Phys. Hinkel,Gerhard Dr. Dipl.-Min. Kaus,Ulrich Dr. Dipl.-Chem. Kuenzel. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 1983-09-28.

Use of pulsed grounding source in a plasma reactor

Номер патента: US7297637B2. Автор: Kevin G. Donohoe,Chuck E. Hedberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Plasma reactor with low-frequency radio frequency power distribution adjusting function

Номер патента: CN109216144B. Автор: 倪图强,刘身健,赵馗. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2021-08-06.

Plasma reactor with conductive member in reaction chamber for shielding substrate from undesirable irradiation

Номер патента: US9558963B2. Автор: Sang In LEE,Ilsong Lee,Hyo Seok Yang. Владелец: Veeco ALD Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Microwave power delivery system for plasma reactors

Номер патента: US9142389B2. Автор: John Robert Brandon,Christopher John Howard Wort. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Optical monitoring and control system and method for plasma reactors

Номер патента: US20030201162A1. Автор: Wayne Johnson,Lianjun Liu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Rotary plasma reactor

Номер патента: US11545343B2. Автор: Qi Hua Fan,Martin E. Toomajian. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-01-03.

Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate

Номер патента: CN101174096A. Автор: 理查德·莱温顿,迈克尔·N·格林博金,吉姆·K·尼古恩,马德哈唯·R·钱德拉乔德,阿杰伊·库玛,达林·比文斯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-07.

Processes used in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20020004309A1. Автор: Tetsuya Ishikawa,David W. Groechel,Jeffrey Marks,Jerry Yuen-Kui Wong,Peter R. Keswick,Chan-Lon Yang,Kenneth S. Collins,Craig A. Roderick,John R. Trow,Lawrence Chang-Lai Lei,Masato M. Toshima,Jay D. Pinson. Владелец: Jay D. Pinson. Дата публикации: 2002-01-10.

High-speed method for depositing diamond films from gas phase in plasma of shf-discharge and plasma reactor for performing the same

Номер патента: RU2215061C1. Автор: О.А. Иванов,Г.Г. Денисов,А.Л. Вихарев,Ю.В. Быков,А.Г. Литвак,А.М. Горбачёв,В.А. Колданов. Владелец: Институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 2003-10-27.

Plasma-reactor and its use in etching and coating substrates

Номер патента: EP0089382B1. Автор: Reinhold Mühl,Georg Kraus,Holger Dr. Dipl.-Phys. Hinkel,Gerhard Dr. Dipl.-Min. Kaus,Ulrich Dr. Dipl.-Chem. Kuenzel. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 1986-08-20.

Method for manufacturing electronic device using plasma reactor processing system

Номер патента: EP2073253A1. Автор: Yoshinori c/o OMRON CORPORATION INOUE,Sadaharu c/o OMRON CORPORATION MORISHITA,Tadahiro c/o Tohoku University OHMI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-06-24.

A method of processing a semiconductor workpiece in a plasma reactor chamber

Номер патента: KR100498585B1. Автор: 마이클 라이스,데이비드 그로이첼,레이몬드 헝,제럴드 제야오 인,케네쓰 콜린스,쟝 딩,천시 키. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-09-09.

Inductively coupled RF plasma reactor having an antenna adjacent a window electrode

Номер патента: US6444085B1. Автор: Michael Rice,Kenneth S. Collins,Craig A. Roderick,Douglas Buchberger,John Trow. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-03.

RF plasma reactor

Номер патента: CN1607889A. Автор: J·施米特,E·图尔洛特,J·-B·彻夫里尔,J·巴雷罗. Владелец: UNACSSES BARTSES CORP. Дата публикации: 2005-04-20.

The multi-station plasma reactor according balanced using RF

Номер патента: CN105321792B. Автор: 阿德里安·拉瓦伊,卡尔·F·利泽,苏尼尔·卡普尔,亚斯万斯·兰吉尼. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma processor, manufacturing method of plasma reactor, and processing method of plasma

Номер патента: TW200501215A. Автор: Keiichi Yamazaki,Yasushi Sawada,Noriyuki Taguchi,Tetsuji Shibata. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

Plasma reactor for treating substrates having large surfaces

Номер патента: EP2075822A3. Автор: Jacques Schmitt. Владелец: Oerlikon Trading AG Truebbach. Дата публикации: 2009-08-05.

Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone

Номер патента: US20070251642A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

A kind of plasma reactor with low frequency RF power profile adjustment function

Номер патента: CN109994355A. Автор: 赵馗,饭塚浩. Владелец: Medium And Micro Semiconductor Equipment (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor

Номер патента: WO2011037757A3. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Jon C. Farr,Sharma V. Pamarthy,Roy C. Nangoy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-06-23.

Plasma reactor with feed forward thermal control system using a thermal model for accommodating rf power changes or wafer temperature changes

Номер патента: US20100319851A1. Автор: Daniel J. Hoffman,Douglas H. Burns,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Kallol Bera,Paul Lukas Brillhart,Hamid Tavassoli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Method for cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor

Номер патента: JP4520967B2. Автор: エイチ．バーンズダグラス,ジェー．ホフマンダニエル,ルーカスブリルハートポール,フォヴェルリチャード,タヴァッソリハミッド,エー．ブックバーガージュニアダグラス,ベラキャロル. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-11.

Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor

Номер патента: US20040002221A1. Автор: John Daugherty,Robert O'Donnell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Plasma reactor with a dynamically adjustable plasma source power applicator

Номер патента: CN101375377B. Автор: A·库玛,R·库克,M·R·钱德拉霍德,R·莱纹顿,D·毕凡斯,I·M·易伯拉欣,M·N·格芮姆比戈安,S·J·帕那伊尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-01.

Highly efficient compact capacitance coupled plasma reactor/generator and method

Номер патента: US6998027B2. Автор: Kin-Chung Ray Chiu. Владелец: DryScrub ETC. Дата публикации: 2006-02-14.

Shield usable in a sputtering plasma reactor

Номер патента: CN101924006B. Автор: 丁培军,唐先民,龚则敬,约翰·福斯特,马克·施韦策,基斯·A·米勒,伊利娅·拉维斯凯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Inductively coupled plasma reactor with an electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: EP0685873B1. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-12-16.

Highly efficient compact capacitance coupled plasma reactor/generator and method

Номер патента: US6576202B1. Автор: Kin-Chung Ray Chiu. Владелец: DRYSCRUB ETC A CALIFORNIA Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

High-velocity method for depositing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method

Номер патента: KR100838384B1. Автор: 아나톨리 레온티이비치 비카로프,알렉세이 마카엘로비치 고르바쵸프,알렉산드라 그리고리비치 리트바크,쥬리이 블라디미로비치 비코프,그리고리 겐나디에비치 데니소프,올렉 안드리이비치 이바노프,블라디미르 알렉산드로비치 콜다노프. Владелец: 인스티튜트 오브 어플라이드 피직스 라스. Дата публикации: 2008-06-13.

Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material

Номер патента: US6440866B1. Автор: Michael Rice,David W. Groechel,Jeffrey Marks,Chan-Lon Yang,Kenneth S. Collins,Gerald Zheyao Yin,Peter Keswick,Craig A. Roderick,Jon Mohn,Douglas Buchberger,Yuen-Kui Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-27.

OXYGEN-FREE PASSIVATION CLEANING PROCESS IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2805185B1. Автор: Wolfgang Helle,Jean Francois Christaud. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-09-20.

PLASMA REACTOR AND METHOD FOR REMOVING PHOTOGRAPHIC RESERVE MATERIAL

Номер патента: FR2579059A1. Автор: James F Battey,Perry A Diederich. Владелец: PSI Star Inc. Дата публикации: 1986-09-19.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR100328135B1. Автор: 존포스터,바니엠.코헨,브래들리오.스팀슨,조지플록쓰. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-08-14.

Multi-coil induction plasma burner with solid-bodied power source

Номер патента: RU2295206C2. Автор: Ежи В. ЮРЕВИЧ,Маэр И. БУЛО. Владелец: Текна Плазма Системз,Инк.Канада. Дата публикации: 2007-03-10.

Multi-coil induction plasma burner with solid-bodied power source

Номер патента: RU2295206C9. Автор: Ежи В. ЮРЕВИЧ,Маэр И. БУЛО. Владелец: Текна Плазма Системз,Инк.Канада. Дата публикации: 2007-10-27.

High performance induction plasma torch

Номер патента: CA2826474C. Автор: Alexandre AUGER,Jerzy Jurewicz,Maher Boulos,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2020-06-09.

High performance induction plasma torch

Номер патента: EP2671430A1. Автор: Maher I. Boulos,Alexandre AUGER,Jerzy Jurewicz,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-11.

High performance induction plasma torch with a water-cooled ceramic confinement tube

Номер патента: AU1640192A. Автор: Jerzy Jurewicz,Maher I Boulos. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 1992-11-17.

Microwave plasma reactor

Номер патента: RU2694432C1. Автор: Игорь Анатольевич Леонтьев,Юрий Михайлович ЯШНОВ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн". Дата публикации: 2019-07-15.

Vertically oriented plasma reactor

Номер патента: US12048910B2. Автор: Qi Hua Fan,Martin E. Toomajian,Thomas Schuelke. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2024-07-30.

Device for generating crown discharge plasma and plasma reactor

Номер патента: RU2763742C2. Автор: Пьер ДЕ ЛИНАЖ,Стефан ЛЮНЕЛЬ. Владелец: Эйринспейс С.Е. Дата публикации: 2021-12-30.

Atmospheric plasma reactor for the large-scale production of carbon nanotubes and amorphous carbon

Номер патента: US20240010496A1. Автор: Aurelio REIS DA COSTA LABANCA,Cláudio Fernandes Da Silva. Владелец: Servico Nacional De Aprendizagem Industrial Senai Dr/rn. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma reactor for the synthesis of nanopowders and materials processing

Номер патента: US9516734B2. Автор: Jiayin Guo,Maher I. Boulos,Jerzy Jurewicz. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Plasma reactor

Номер патента: WO2024061656A1. Автор: Nils Myklebust. Владелец: Caphenia GmbH. Дата публикации: 2024-03-28.

Air purifiers including a plasma reactor capable of producing one or more reaction products from ambient air

Номер патента: AU2021236734A1. Автор: Pravansu S. Mohanty,Tejasvi CHUNDURI,Volodymyr GOLOTA,Raj Siman SWAMY NAIDU UGAPATHY,Ruslan Joseph MENEZES,Sujeet Shyamsunder SHINDE,Abhishek Nagesh KUMBHAR. Владелец: Somnio Global Holdings LLC. Дата публикации: 2022-10-13.

Plasma reactor for the synthesis of nanopowders and materials processing

Номер патента: CA2756143C. Автор: Jiayin Guo,Jerzy Jurewicz,Maher Boulos. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Plasma reactor for plasma-based gas conversion comprising an effusion nozzle

Номер патента: US20240216887A1. Автор: Annemie BOGAERTS,James CREEL,Hamid AHMADI ESHTEHARDI. Владелец: UNIVERSITEIT ANTWERPEN. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma reactor and electrode plate used in the same

Номер патента: EP1578524A1. Автор: Dong Hoon Jeong,Kyung Woon Kim,Kwang Min Chun,Kyo Seung Lee,Seong Do SON,Woo Chan Sim,Young Sik Jyoung. Владелец: Blue Planet Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-28.

Transferred-arc plasma reactor for chemical and metallurgical applications

Номер патента: US4466824A. Автор: William H. Gauvin,George R. Kubanek. Владелец: Noranda Inc. Дата публикации: 1984-08-21.

Transferred-arc plasma reactor for chemical and metallurgical applications

Номер патента: CA1173784A. Автор: William H. Gauvin,George R. Kubanek. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 1984-09-04.

Dielectric assembly for non-thermal plasma reactor

Номер патента: EP4271143A2. Автор: Walter Riley Buchanan,John Peter Shaughnessy. Владелец: Milton Roy LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Dielectric assembly for non-thermal plasma reactor

Номер патента: CA3195113A1. Автор: Walter Riley Buchanan,John Peter Shaughnessy. Владелец: Milton Roy LLC. Дата публикации: 2023-10-07.

Dielectric Assembly For Non-Thermal Plasma Reactor

Номер патента: AU2023202103A1. Автор: Walter Riley Buchanan,John Peter Shaughnessy. Владелец: Milton Roy LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Dielectric assembly for non-thermal plasma reactor

Номер патента: EP4271143A3. Автор: Walter Riley Buchanan,John Peter Shaughnessy. Владелец: Milton Roy LLC. Дата публикации: 2024-02-14.

Dielectric assembly for electrode of non-thermal plasma reactor

Номер патента: US20230328869A1. Автор: Walter Riley Buchanan,John Peter Shaughnessy. Владелец: Milton Roy LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Low temperature plasma reactor having adaptive rotating electrode

Номер патента: US11786863B1. Автор: Pengfei Wang,Qi Qiu,Xingliang Liu,Jiahong Fu,Zhaozhe Deng. Владелец: Hangzhou City University. Дата публикации: 2023-10-17.

Plasma reactor for plasma-based gas conversion comprising an effusion nozzle

Номер патента: EP4334247A1. Автор: Annemie BOGAERTS,James CREEL,Hamid AHMADI ESHTEHARDI. Владелец: UNIVERSITEIT ANTWERPEN. Дата публикации: 2024-03-13.

Modular plasma reactor with local atmosphere

Номер патента: US4539062A. Автор: John P. Zajac. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1985-09-03.

Electrode for plasma reactor and plasma reactor

Номер патента: JPWO2007139020A1. Автор: 裕久田中,孝小川,功丹,田中　裕久,一哉内藤,允護金,充啓涌田,丹　功. Владелец: Daihatsu Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for plasma reactor

Номер патента: WO2006116577A2. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Amir Al-Bayati,Biagio Gallo,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2006-11-02.

A high density plasma reactor

Номер патента: EP1627413A2. Автор: Eric Chevalier,Philippe Guittienne. Владелец: Helyssen Sarl. Дата публикации: 2006-02-22.

In situ deposition and integration of silicon nitride in a high density plasma reactor

Номер патента: SG93911A1. Автор: Khazeni Kasra,Qiang Hua Zhong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

PLASMA REACTOR WITH CHAMBER WALL TEMPERATURE CONTROL

Номер патента: US20130105085A1. Автор: Agarwal Ankur,YOUSIF IMAD,SALINAS MARTIN JEFFREY,BANNA SAMER,NGUYEN ANDREW,TODOROW VALENTIN,LUBOMIRSKY DMITRY,BERA KALLOL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

Hybrid plasma reactor

Номер патента: US20130154480A1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Dae-Kyu Choi. Дата публикации: 2013-06-20.

PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PLASMA ELECTRODES AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20130164941A1. Автор: Harrington Daniel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

PLASMA REACTOR WITH CONDUCTIVE MEMBER IN REACTION CHAMBER FOR SHIELDING SUBSTRATE FROM UNDESIRABLE IRRADIATION

Номер патента: US20130237065A1. Автор: LEE Sang In,Lee Ilsong,Yang Hyo Seok. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

DIFFERENTIAL COUNTER ELECTRODE TUNING IN A PLASMA REACTOR WITH AN RF-DRIVEN WORKPIECE SUPPORT ELECTRODE

Номер патента: US20140034239A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Misra Nipun,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,Wong Lawrence. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

DIFFERENTIAL COUNTER ELECTRODE TUNING IN A PLASMA REACTOR WITH AN RF-DRIVEN CEILING ELECTRODE

Номер патента: US20140069584A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Misra Nipun,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,Wong Lawrence. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

PLASMA REACTOR WITH CONDUCTIVE MEMBER IN REACTION CHAMBER FOR SHIELDING SUBSTRATE FROM UNDESIRABLE IRRADIATION

Номер патента: US20160020116A1. Автор: LEE Sang In,Lee Ilsong,Yang Hyo Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

PREDICTIVE METHOD OF MATCHING TWO PLASMA REACTORS

Номер патента: US20150099314A1. Автор: KHAN ANISUL H.,Saraf Gaurav,Yang Xiawan,Abooameri Farid,Chang Wen Teh,Hersch Bradley Scott. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD AND APPARATUS FOR HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVE COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140256148A1. Автор: Kumar Ajay,NANGOY Roy C.,Singh Saravjeet,FARR Jon C.,PAMARTHY Sharma V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

EXTREME EDGE AND SKEW CONTROL IN ICP PLASMA REACTOR

Номер патента: US20150181684A1. Автор: BANNA SAMER,KNYAZIK VLADIMIR,TANTIWONG KYLE. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

HIGH DENSITY PLASMA REACTOR WITH MULTIPLE TOP COILS

Номер патента: US20140273537A1. Автор: Liu Ding-I,Leu Po-Hsiung,CHANG JEN-CHI,LO Chi-Ching,LIN Tzu-Chun,CHUANG Ho-Ta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Compound plasma reactor

Номер патента: KR101615492B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2016-04-26.

Low pressure plasma reactor for exhaust gas treatment

Номер патента: KR101557880B1. Автор: 노명근,문경순,고경오. Владелец: (주)클린팩터스. Дата публикации: 2015-10-13.

Magnetic field channel coupled plasma reactor

Номер патента: KR101314667B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-10-04.

Plasma reactor using multi-frequency

Номер патента: KR101572100B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2015-11-26.

Plasma reactor and control method thereof

Номер патента: KR101568722B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2015-11-12.

Dual plasma reactor having multi-frequency drive capacitively coupled electrode assembly

Номер патента: KR101533710B1. Автор: 위순임. Владелец: 에프원소프트 주식회사. Дата публикации: 2015-07-06.

Capacitively coupled plasma reactor having multi-frequency drive capacitively coupled electrode assembly and plasma processing method using the same and device manufactured thereby

Номер патента: KR101534815B1. Автор: 위순임. Владелец: 에프원소프트 주식회사. Дата публикации: 2015-07-06.

Plasma reactor for eco-friendly processing

Номер патента: KR101589624B1. Автор: 허민,이재옥,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2016-01-28.

Plasma reactor

Номер патента: JP4619976B2. Автор: 健佐久間,道夫高橋,昌明桝田. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Magnetically enhanced plasma reactor

Номер патента: KR101585894B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2016-01-15.

Plasma reactor

Номер патента: JP5379482B2. Автор: アンドリュージェイムズシーリー,マリレナラドイウ. Владелец: エドワーズリミテッド. Дата публикации: 2013-12-25.

Workpiece rotation apparatus for a plasma reactor system

Номер патента: EP1918977A2. Автор: AJAY Kumar,Khiem K. Nguyen,Richard Lewington,Madhavi R. Chandrachood,Ibrahim M. Ibrahim,Scott Alan Anderson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-07.

Inductively coupled plasma reactor with core cover

Номер патента: KR101349195B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-01-09.

Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber

Номер патента: KR101437522B1. Автор: 단 카츠,데이비드 파라가시빌리,마이클 디. 윌워쓰,발렌틴 엔. 토도로우,알렉산더 엠. 패터슨. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-09-03.

Physical vapor deposition plasma reactor with multi source target assembly

Номер патента: KR101583667B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2016-01-08.

Facility for purifying exhaust gas which is generated in processing plasma reactor

Номер патента: KR101541854B1. Автор: 강경두,노명근,고경오. Владелец: (주)클린팩터스. Дата публикации: 2015-08-05.

Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for plasma reactor

Номер патента: KR101300689B1. Автор: 카르틱 라마스와미,아미르 알-바야티,히로지 한아와,앤드류 니구옌,케니쓰 에스. 콜린스,비아지오 갈로. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-08-26.

Plasma reactor

Номер патента: EP1937870B1. Автор: Andrew James Seeley,Marilena Radoiu. Владелец: Edwards Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Plasma reactor

Номер патента: GB0521830D0. Автор: . Владелец: BOC Group Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Compound plasma reactor

Номер патента: KR101585891B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2016-01-15.

Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops

Номер патента: US7988872B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Douglas H. Burns,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Kallol Bera,Kenneth W. Cowans,Paul Lukas Brillhart,William W. Cowans,Glenn W. Zubillaga,Isaac Millan. Владелец: Advanced Thermal Sciences Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Hybride plasma reactor

Номер патента: KR101364578B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-02-18.

Workpiece rotation apparatus for a plasma reactor system

Номер патента: KR101457342B1. Автор: 리챠드 레윙톤,키엠 케이. 응옌,에제이 쿠말,이브라힘 엠. 이브라힘,메드헤비 알. 챤드라츄드,스콧 알랜 앤더슨. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-11-03.

Plasma generating electrode and plasma reactor

Номер патента: EP1675156A1. Автор: Yasumasa c/o Legal Affairs & I.P. Dept. Fujioka,Atsuo c/o Legal Affairs & I.P. Dept. Kondo,Masaaki c/o Legal Affairs & I.P. Dept. Masuda,Kenji c/o K K Honda Gijutsu Kenkyusho Dosaka,Masanobu c/o K K Honda Gijutsu Kenkyusho Miki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed

Номер патента: KR101494593B1. Автор: 더글라스 에이. 주니어 부치버거,마이클 디. 윌워쓰,알렉산더 엠. 패터슨,데이비드 팔라가쉬빌리,브라이언 케이. 햇처. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-02-24.

Plasma reactor with magnetic system

Номер патента: RU2483501C2. Автор: Вадим Александрович Сологуб,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Игорь Васильевич Короташ,Валерий Федорович Семенюк,Эдуард Михайлович Руденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЕМПОН-2". Дата публикации: 2013-05-27.

Micro plasma reactor

Номер патента: WO2008113393A2. Автор: Mehran Tavakoli Keshe. Владелец: Mehran Tavakoli Keshe. Дата публикации: 2008-09-25.

Thermal destruction method and device for organic compounds by an induction plasma.

Номер патента: CA2781968C. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

METHOD AND DEVICE FOR THERMALLY DESTRUCTING ORGANIC COMPOUNDS BY INDUCTION PLASMA.

Номер патента: FR2953278A1. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-06-03.

Inductive plasma source and plasma containment

Номер патента: US09564248B2. Автор: Michael Anderson,Eusebio Garate,Yuanxu Song,Vitaly Bystriskii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-07.

Inductive plasma source and plasma containment

Номер патента: US20120027151A1. Автор: Michael Anderson,Yuanxu Song,Vitaly Bystriskii,Euseblo Garate. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-02-02.

DEVICE FOR THERMAL DESTRUCTION OF ORGANIC COMPOUNDS BY AN INDUCTION PLASMA

Номер патента: US20170370578A1. Автор: Lemont Florent,Poizot Karine. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

DEVICE AND METHOD FOR DESTRUCTION OF LIQUID, PULVERULENT OR GASEOUS WASTE BY INDUCTIVE PLASMA

Номер патента: FR2866414B1. Автор: Erick Meillot,David Guenadou. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-03-17.

METHOD AND DEVICE FOR THERMALLY DESTRUCTING ORGANIC COMPOUNDS BY INDUCTION PLASMA.

Номер патента: FR2953278B1. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2012-01-27.

Method and device for the thermal destruction of organic compounds by means of an induction plasma

Номер патента: EP2504624A1. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-10-03.

Thermal destruction method and device for organic compounds by an induction plasma.

Номер патента: CA2781968A1. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-06-03.

Device for thermal destruction of organic compounds by an induction plasma

Номер патента: US10962222B2. Автор: Florent Lemont,Karine Poizot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for meltin metal in an induction plasma furnace

Номер патента: EP0271578A1. Автор: Nikolai Ivanovich Fomin,Vladimir Sergeevich Malinovsky,Viktor Vasilievich Dolgov,Viktor Matveevich Bobylev,Alexandr Viktorovich Svido. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY PROEKTNO-KONSTRUKTORSKY I TEKHNOLOGICHESKY INST ELEKTROTERMICHESKOGO OBORUDOVANIA VNIIETO. Дата публикации: 1988-06-22.

Dielectric barrier discharge plasma reactor for non-oxidative coupling of methane having a controlled gap distance between dielectric particles and regeneration method of deactivated bed in the same

Plasma reactor and method for decomposing a hydrocarbon fluid

Номер патента: US20160296905A1. Автор: Olaf Kühl. Владелец: Ccp Technology GmbH. Дата публикации: 2016-10-13.

PLASMA REACTOR AND PFCs REDUCTION SCRUBBER

Номер патента: KR102377982B1. Автор: 김유나,송호현,송영훈,이대훈,김관태,이희수,강홍재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2022-03-23.

Plasma reactor for decomposing a hydrocarbon fluid, method of operating the same and plant for production of synthetic hydrocarbon

Номер патента: TW201545809A. Автор: Olaf Kuehl. Владелец: Ccp Technology GmbH. Дата публикации: 2015-12-16.

Plasma generating electrode, plasma reactor, and exhaust gas purifying device

Номер патента: EP1647681A4. Автор: Yukio Miyairi,Takeshi Sakuma,Keizo Iwama,Masaaki Masuda,Tatsuhiko Hatano,Kenji Dosaka,Yasumasa Fujioka,Yuuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Desulfurization and Denitrification Method Using Low Temperature Plasma Reactor with Condenser

Номер патента: KR19980072869A. Автор: 김석준,송영훈,신완호,장길홍. Владелец: 한국중공업 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

A plasma reactor

Номер патента: WO2022104408A1. Автор: Scott Rennie. Владелец: Non Linear Plasma Pty Ltd As Trustee Of The Non Linear Plasma Discretionary Trust. Дата публикации: 2022-05-27.

Plasma generating electrode, plasma reactor, and exhaust gas cleaner

Номер патента: WO2005001249A1. Автор: Yukio Miyairi,Takeshi Sakuma,Keizo Iwama,Masaaki Masuda,Tatsuhiko Hatano,Kenji Dosaka,Yasumasa Fujioka,Yuuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2005-01-06.

Plasma generating electrode, electrode panel, and plasma reactor

Номер патента: EP3318735A1. Автор: Hirohisa Tanaka,Mari Uenishi,Kazuya Naito,Norihiko Nadanami,Shigehito Sakai,Kazuhiko Madokoro. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-09.

Plasma reactor and method for decomposing a hydrocarbon fluid

Номер патента: EP3077099B1. Автор: Olaf Kühl. Владелец: Caphenia GmbH. Дата публикации: 2022-10-26.

Plasma generating electrode, plasma reactor, and exhaust gas purifying device

Номер патента: EP1647681A1. Автор: Yukio c/o NGK Insulators Ltd. MIYAIRI,Yasumasa c/o NGK INSULATORS LTD. FUJIOKA,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Takeshi c/o NGK INSULATORS LTD. Sakuma,Tatsuhiko c/o NGK INSULATORS LTD. HATANO,Yuuichiro c/o NGK INSULATORS LTD. IMANISHI,Keizo c/o K.K. HONDA GIJUTSU KENKYUSHO IWAMA,Kenji c/o K.K. HONDA GIJUTSU KENKYUSHO DOSAKA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of producing metallic nanopowders by decomposition of metal carbonyl in using induction plasma burner

Номер патента: RU2457925C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Владимир ПАСЕРИН,Ричард С. АДАМС,Ежи ЮРЕВИЧ,Цзяинь ГО. Владелец: СиВиАрДи ИНКО ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2012-08-10.

Method for producing metal nanopowders by decomposition of metal carbonyl using an induction plasma torch

Номер патента: CA2654013C. Автор: Jiayin Guo,Maher I. Boulos,Jerzy Jurewicz,Vladimir Paserin,Richard S. Adams. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Inductive plasma acceleration apparatus and method

Номер патента: US11933282B2. Автор: JIANJUN WU,XIONG Yang,Dawei Guo,Xiaokang LI,Mousen CHENG,Bixuan CHE,Moge WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-19.

Plasma reactor - separator

Номер патента: RU2277598C1. Автор: Иван Юрьевич БУРЛОВ,Юрий Александрович Бурлов,Александр Юрьевич Бурлов. Владелец: Юрий Александрович Бурлов. Дата публикации: 2006-06-10.

Pulse shaping burst mode gas/liquid/plasma reactor

Номер патента: US20240207807A1. Автор: Bruce R. Locke,Robert J. Wandell,Radha Krishna Bulusu Raja. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Low pressure generating plasma reactor closed loop process and system

Номер патента: CA3117377A1. Автор: Rune Ingels. Владелец: N2 APPLIED AS. Дата публикации: 2020-04-30.

Low pressure generating plasma reactor closed loop process and system

Номер патента: EP3870355A1. Автор: Rune Ingels. Владелец: N2 APPLIED AS. Дата публикации: 2021-09-01.

Low pressure generating plasma reactor closed loop process and system

Номер патента: US20210402362A1. Автор: Rune Ingels. Владелец: N2 APPLIED AS. Дата публикации: 2021-12-30.

Dielectric barrier discharge plasma reactor

Номер патента: US20240226843A1. Автор: Paul-Quentin ELIAS,Radoslaw DEBEK,Maria Elena GALVEZ. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 2024-07-11.

Radial discharge plasma reactor for the treatment of contaminated liquids

Номер патента: WO2022058806A1. Автор: Mubbshir Saleem,Ester Marotta,Cristina Paradisi. Владелец: Universita' Degli Studi Di Padova. Дата публикации: 2022-03-24.

Centrifugal fluid ring plasma reactor

Номер патента: US09475996B2. Автор: Richard Max MANDLE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma reactor for conversion of gas to liquid fuel

Номер патента: RU2530110C2. Автор: Юрий Николаевич Новосёлов,Алексей Иннокентьевич Суслов,Олег Петрович Кутенков. Владелец: Эвоэнерджи, Ллс. Дата публикации: 2014-10-10.

Enhanced contact electrical discharge plasma reactor for liquid and gas processing

Номер патента: AU2020203982A1. Автор: Christopher Bellona,Thomas Holsen,Selma Mededovic,Gunnar Stratton. Владелец: CLARKSON UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-02.

Microwave plasma reactor for obtaining a homogeneous nanocrystalline diamond film

Номер патента: RU2644216C2. Автор: Евгений Евсеевич Ашкинази,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Андрей Петрович Большаков,Вадим Станиславович Седов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2018-02-08.

Enhanced contact electrical discharge plasma reactor for liquid and gas processing

Номер патента: AU2021286268B2. Автор: Christopher Bellona,Thomas Holsen,Selma Mededovic,Gunnar Stratton. Владелец: CLARKSON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-01.

Compound annular non-thermal plasma reactor core

Номер патента: EP4017624A2. Автор: Herek L. Clack,Kevin D. Melotti. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2022-06-29.

Compound annular non-thermal plasma reactor core

Номер патента: WO2021071594A2. Автор: Herek L. Clack,Kevin D. Melotti. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-04-15.

Plasma reactor and exhaust gas reduction apparatus of a vehicle including the same

Номер патента: US20070134139A1. Автор: Yone Seung Kim,Hyung Jei Cho,Tae Han Jee,Kwang Ok Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Dual-mode plasma reactor

Номер патента: US20110020189A1. Автор: Yung-Chih Chen,Jyh-Ming Yan,Shiaw-Huei Chen,Ming-Song Yang,Men-Han Huang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2011-01-27.

Laminated co-fired sandwiched element for non-thermal plasma reactor

Номер патента: WO2002087880A8. Автор: David Chen,Bob Xiaobin Li,David Emil Nelson,Joachim Kupe. Владелец: Delphi Tech Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Uhf plasma reactor with regulation of temperature of indirect substrate heating

Номер патента: RU2762222C1. Автор: Евгений Евсеевич Ашкинази,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Андрей Петрович Большаков,Станислав Геннадиевич Рыжков,Вадим Станиславович Седов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2021-12-16.

Apparatus and method for retention of non-thermal plasma reactor

Номер патента: US20020192127A1. Автор: Robert Li,David Nelson,Michael Foster,Alan Turek. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Plasma reactor for greenhouse gas conversion

Номер патента: WO2023217695A1. Автор: Georgi TRENCHEV,Annemie BOGAERTS. Владелец: UNIVERSITEIT ANTWERPEN. Дата публикации: 2023-11-16.

A plasma reactor

Номер патента: US20180312413A1. Автор: Robert BARCZYK. Владелец: Slupski Waldemar Bernard. Дата публикации: 2018-11-01.

Integrated non-thermal plasma reactor-diesel particulate filter

Номер патента: WO2003082426A2. Автор: David Alexander Goulette,Joseph V. Bonadies. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

A plasma reactor

Номер патента: EP3365103A1. Автор: Robert BARCZYK. Владелец: Bartczak Pawel Dawid. Дата публикации: 2018-08-29.

Compound annular non-thermal plasma reactor core

Номер патента: CA3150763A1. Автор: Herek L. Clack,Kevin D. Melotti. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-04-15.

Induction plasma reactor

Номер патента: US6855906B2. Автор: Adam Alexander Brailove. Владелец: Adam Alexander Brailove. Дата публикации: 2005-02-15.

INDUCTIVE PLASMA SOURCE AND PLASMA CONTAINMENT

Номер патента: US20170236599A1. Автор: Anderson Michael,Garate Eusebio,Song Yuanxu,Bystriskii Vitaly. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INDUCTION PLASMA TORCH WITH HIGHER PLASMA ENERGY DENSITY

Номер патента: US20160381777A1. Автор: Boulos Maher I.,JUREWICZ Jerzy W.,DIGNARD Nicolas,AUGER Alexandre,THELLEND Sébastien. Владелец: TEKNA PLASMA SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2016-12-29.

Induction plasma torch with higher plasma energy density and component replacement method thereof

Номер патента: EP3314989B1. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz,Alexandre AUGER,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Induction plasma torch with higher plasma energy density

Номер патента: AU2016288266B2. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz,Alexandre AUGER,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source

Номер патента: US20140062285A1. Автор: Chen Xing. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2014-03-06.

INDUCTIVE PLASMA TORCH

Номер патента: US20140319106A1. Автор: Lecomte Guillaume,Montagnat Rentier Henri,Lafleur Jean-François,Reboud Loïc,Bardaine Anthony,Baret Serge. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

HIGH PERFORMANCE INDUCTION PLASMA TORCH

Номер патента: US20160323987A1. Автор: Boulos Maher I.,Jurewicz Jerzy,DIGNARD Nicolas,AUGER Alexandre,THELLEND Sébastien. Владелец: TEKNA PLASMA SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2016-11-03.

Induction plasma generator including cooling means, gas flow means, and operating means therefor

Номер патента: US3401302A. Автор: Merle L Thorpe,Kent W Harrington. Владелец: Humphreys Corp. Дата публикации: 1968-09-10.

Multi-coil induction plasma torch for solid state power supply

Номер патента: KR100890630B1. Автор: 블로마에이.,쥐레윅제르지두블르베.. Владелец: 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-03-27.

Induction plasma synthesis of nanopowders

Номер патента: KR101129610B1. Автор: 마허 아이 불로,저지 주레윅,지아인 구오. Владелец: 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-05-15.

METHOD AND DEVICE FOR DECOMPOSING HALOGEN ORGANIC COMPOUND AND INDUCTION PLASMA GENERATOR FOR USE THEREOF

Номер патента: FR2640148A1. Автор: Koichi Mizuno,Satoru Kobayashi,Reiji Aizawa,Hisashi Komaki,Toyonobu Yoshida,Takeshige Wakabayashi,Takanobu Amano,Satoshi Kushiyama,Yutaka Koinuma,Hideo Ohuchi,Yoshiro Kubota,Shoji Hirakawa. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 1990-06-15.

INDUCTIVE PLASMA TORCH WITH REAGENT INJECTOR

Номер патента: FR2764163B1. Автор: Christian Trassy. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1999-08-13.

Induction plasma synthesis of nanopowders

Номер патента: CA2595872A1. Автор: Jiayin Guo,Maher I. Boulos,Jerzy Jurewicz. Владелец: Jerzy Jurewicz. Дата публикации: 2006-08-03.

Induction plasma furnace

Номер патента: WO1988000426A1. Автор: Nikolai Ivanovich Fomin,Mikhail Petrovich Chaikin,Vladimir Sergeevich Malinovsky. Владелец: Vsesojuzny Nauchno-Issledovatelsky, Proektno-Konst. Дата публикации: 1988-01-14.

High performance induction plasma torch

Номер патента: CA2826474A1. Автор: Alexandre AUGER,Jerzy Jurewicz,Maher Boulos,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Multi-coil induction plasma torch for solid-state power supply

Номер патента: JP4317451B2. Автор: マハー・アイ・ブーロス,ジェージー・ダブリュ・ジュレウィックズ. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Induction plasma torch with reactive injector

Номер патента: JP2002501661A. Автор: クリスティアントラッシー. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2002-01-15.

INDUCTIVE PLASMA TORCH WITH REAGENT INJECTOR

Номер патента: FR2764163A1. Автор: Christian Trassy. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1998-12-04.

Induction plasma torch liquid waste injector

Номер патента: US6410880B1. Автор: Tihiro Ohkawa,Sergei Putvinski,Stephen F. Agnew,Leigh Sevier. Владелец: Archimedes Technology Group Inc. Дата публикации: 2002-06-25.

Induction plasma torch device

Номер патента: DE10231739B4. Автор: Gottfried Schneider,Walter Prof. Dr. Peschka. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2004-10-28.

Induction plasma synthesis of nanopowders

Номер патента: EP1843834A4. Автор: Jiayin Guo,Jerzy Jurewicz,Maher I Boulos. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2008-02-27.

High performance induction plasma torch with water-cooled ceramic confinement tube

Номер патента: JP3169962B2. Автор: アイ．ブーロス，メイハー,ジャーウィック，ジャージィ. Владелец: ユニベルシテドゥシエルブルーク. Дата публикации: 2001-05-28.

High performance induction plasma torch with water-cooled ceramic confinement tube

Номер патента: CN1068697A. Автор: 马尔·I·布尔罗斯,杰泽·朱尔维茨. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 1993-02-03.

Induction plasma torch with reactive injector and method of use thereof

Номер патента: JP4320790B2. Автор: クリスティアントラッシー. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2009-08-26.

Multi-coil induction plasma torch for solid state power supply

Номер патента: US20050017646A1. Автор: Jerzy Jurewicz,Maher Boulos. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Versatile inductive plasma generator

Номер патента: FR1371963A. Автор: . Владелец: TRAITEMENTS ELECTROLYTIQUES ET ELECTROTHERMIQUES Ste. Дата публикации: 1964-09-11.

High performance induction plasma torch

Номер патента: EP2671430B1. Автор: Maher I. Boulos,Alexandre AUGER,Jerzy Jurewicz,Nicolas Dignard,Sebastien Thellend. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-16.

High performance induction plasma torch

Номер патента: KR102023354B1. Автор: 니콜라스 디그나드,알렉산더 오거,세바스찬 서런드,마허 아이 불로,저지 주레윅. Владелец: 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-09-20.

Multi-coil induction plasma torch for solid state power supply

Номер патента: WO2003032693A1. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 2003-04-17.

Gas/liquid plasma reactor with pulsed power supply and secondary direct current electrodes

Номер патента: US10988390B2. Автор: Bruce R. Locke,Youneng Tang,Robert J. Wandell. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Gas/liquid plasma reactor with pulsed power supply and secondary direct current electrodes

Номер патента: US20200102231A1. Автор: Bruce R. Locke,Youneng Tang,Robert J. Wandell. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Gas/liquid plasma reactor with pulsed power supply and secondary direct current electrodes

Номер патента: US11787709B2. Автор: Bruce R. Locke,Youneng Tang,Robert J. Wandell. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Electromagnetic energy-initiated plasma reactor systems and methods

Номер патента: CA2879342C. Автор: James Tranquilla. Владелец: Atlantic Hydrogen Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Plasma reactor, and waste processing system and method with such reactor

Номер патента: EP3420278A2. Автор: Péter Ferenc MÉSZÁROS,Rita Mária MÉSZÁROSNÉ DRIZNER,Péter Balázs MÉSZÁROS,Máté Zsolt MÉSZÁROS,Márk Imre MÉSZÁROS. Владелец: Meszarosne Drizner Rita Maria. Дата публикации: 2019-01-02.

Electric power supplying circuit for corona effect or dielectric barrier discharge type plasma reactor of motor vehicle, has switching circuit controlling discharge of storage unit towards reactor when switching circuit is in close state

Номер патента: FR2918816A1. Автор: Menouar Ameziani. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2009-01-16.

Plasma reactor and electrode plate used in the same

Номер патента: EP1578524A4. Автор: Dong Hoon Jeong,Kyung Woon Kim,Kwang Min Chun,Kyo Seung Lee,Seong Do SON,Woo Chan Sim,Young Sik Jyoung. Владелец: Blue Planet Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-28.

Electromagnetic energy-initiated plasma reactor systems and methods

Номер патента: US09908095B2. Автор: James Tranquilla. Владелец: Atlantic Hydrogen Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

CONCENTRIC FLOW-THROUGH PLASMA REACTOR AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20130092525A1. Автор: Li Xuegeng,Kelman Maxim,Terry Mason,Rogojina Elena,Schiff Eric,Vanheusden Karel. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

HYBRID PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130175928A1. Автор: CHOI Dae-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

INDEPENDENT CONTROL OF RF PHASES OF SEPARATE COILS OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130284370A1. Автор: Kobayashi Satoru,Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Yang Yang,Rauf Shahid,Wong Lawrence,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD TO PRODUCE LIGHT HYDROCARBONS BY COx HYDROGENATION IN A DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE PLASMA REACTOR SYSTEM

Номер патента: US20220070993A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Jaekwon Jeoung,Jong Hyun JEON. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-03-03.

PLASMA REACTOR

Номер патента: US20190055869A1. Автор: Nadanami Norihiko,ITOH Shinsuke,EBARA Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

CORONA EFFECT PLASMA DEVICE AND PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200060018A1. Автор: DE LINAGE Pierre,LUNEL Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

GAS/LIQUID PLASMA REACTOR WITH PULSED POWER SUPPLY AND SECONDARY DIRECT CURRENT ELECTRODES

Номер патента: US20200102231A1. Автор: LOCKE Bruce R.,Tang Youneng,Wandell Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Membrane Plasma Reactor

Номер патента: US20170165630A1. Автор: Buchanan Walter Riley. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING SHUNT CANCELLATION OF PARASITIC COMPONENTS IN A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20180175819A1. Автор: Augustyniak Edward,Sakiyama Yukinori,Kapoor Sunil,Rangineni Yaswanth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

GAS/LIQUID PLASMA REACTOR WITH PULSED POWER SUPPLY AND SECONDARY DIRECT CURRENT ELECTRODES

Номер патента: US20210206667A1. Автор: LOCKE Bruce R.,Tang Youneng,Wandell Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

DURABLE AUTO-IGNITION DEVICE FOR PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200306716A1. Автор: LEONARD,III George Stephen,McClelland Stefan Andrew,Tom Curtis Peter. Владелец: RECARBON, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

COMPACT PORTABLE PLASMA REACTOR

Номер патента: US20200325049A1. Автор: Roy Subrata,PORTUGAL ATENCIO SHERLIE EILEEN,SCHINDLER-TYKA ALEXANDER GUSTAW. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Low-pressure plasma reactor for the increase in abatement efficiency of pollutions

Номер патента: KR101980840B1. Автор: 김대웅,허민,이재옥,강우석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2019-05-21.

Plasma reactor

Номер патента: KR100675752B1. Автор: 양성진,안영근,민흥식. Владелец: (주) 씨엠테크. Дата публикации: 2007-01-30.

Double dielectric barrier discharge plasma reactor, purification apparatus including the same, and purification method using the same

Номер патента: KR101666621B1. Автор: 김형태,최현구,김효선,남영렬. Владелец: 주식회사 에코셋. Дата публикации: 2016-10-17.

PROBE OF MEASUREMENT OF CHARACTERISTICS OF A PLASMA EXCITATION CURRENT, AND ASSOCIATED PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2875304B1. Автор: Jacques Jolly,Sebastien Dine,Jean Bernard Pierre Larour. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2006-12-22.

PROBE OF MEASUREMENT OF CHARACTERISTICS OF A PLASMA EXCITATION CURRENT, AND ASSOCIATED PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2875304A1. Автор: Jacques Jolly,Sebastien Dine,Jean Bernard Pierre Larour. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2006-03-17.

PLASMA DEVICE WITH CORONA EFFECT AND PLASMA REACTOR

Номер патента: FR3065615A1. Автор: Pierre De Linage,Stephen LUNEL. Владелец: Airinspace SE. Дата публикации: 2018-10-26.

PLASMA REACTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE EMISSIONS OF A VEHICLE

Номер патента: FR2837660B1. Автор: Yone Seung Kim,Hyung Jei Cho,Eun Ki Hong,Chi Young Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2006-12-29.

Plasma reactor for emission control apparatus used in a diesel vehicle, includes first and second electrodes disposed on first and second dielectric members, respectively, for generating corona discharge

Номер патента: FR2837660A1. Автор: Yone Seung Kim,Hyung Jei Cho,Eun Ki Hong,Chi Young Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2003-09-26.

Method for the production of powders and a sealed microwave plasma reactor

Номер патента: FR2591412A1. Автор: Benoit D Armancourt. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1987-06-12.

Vertically oriented plasma reactor

Номер патента: US20210291138A1. Автор: Qi Hua Fan,Martin E. Toomajian,Thomas Schuelke. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2021-09-23.

Control system, method, device and medium of DBD plasma reactor

Номер патента: CN111459070B. Автор: 任现文,黄建芳,宋成胜,袁彦辉,伍英泉. Владелец: Shenzhen Invic Health Environmental Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Plasma reactor

Номер патента: JP6649754B2. Автор: 裕久田中,紀彦灘浪,田中　裕久,真里上西,一哉内藤,和彦間所,茂仁坂井,上西　真里,史和河尻,灘浪　紀彦. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Plasma reactor with internal transformer

Номер патента: KR100999182B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-12-08.

Plasma reactor

Номер патента: KR101515186B1. Автор: 최윤수. Владелец: 주식회사 에이피시스. Дата публикации: 2015-04-24.

HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY AND PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2893788A1. Автор: André AGNERAY,Nadim Malek. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2007-05-25.

Plasma generating electrode and plasma reactor

Номер патента: US20060153750A1. Автор: Yoshihiro Sato,Yukio Miyairi,Takeshi Sakuma,Junichi Suzuki,Masaaki Masuda,Tatsuhiko Hatano,Yasumasa Fujioka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Probe for measuring characteristics of an excitation current of a plasma, and associated plasma reactor

Номер патента: US7615985B2. Автор: Jacques Jolly,Sebastien Dine,Jean Bernard Pierre Larour. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2009-11-10.

Pulsed plasma reactor for polluted exhausted gas treatment

Номер патента: KR100383013B1. Автор: 최영욱,임근희. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2003-05-09.

Corona effect plasma device and plasma reactor

Номер патента: US11291102B2. Автор: Stéphane Chatenet,Pierre De Linage,Stephen LUNEL. Владелец: Airinspace SE. Дата публикации: 2022-03-29.

PLASMA DEVICE WITH CORONA EFFECT AND PLASMA REACTOR

Номер патента: FR3065615B1. Автор: Stephen LUNEL,Linage Pierre De. Владелец: Airinspace SE. Дата публикации: 2022-12-16.

Wire-Cylinder Type Plasma Reactor

Номер патента: KR101321113B1. Автор: 김학준,김용진,한방우. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2013-10-23.

Plasma reactor, method for manufacturing the same and installation for treating exhaust gas of combustion engines

Номер патента: EP1375851A1. Автор: Thomas Schulte,Ulrich Hasenkox,Susanne Lucas,Christoph Treutler,Sascha Henke,Andreas Hachtel,Martin Hruschka. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-01-02.

Process and plasma reactor for the production of synthesis gas

Номер патента: EP3889104A1. Автор: Aurelio REIS DA COSTA LABANCA,Alfredo GONÇALVES CUNHA. Владелец: Universidade Federal Do Espirito Santo Ufes. Дата публикации: 2021-10-06.

PROCESS FOR THE SYNTHESIS OF "OXO" PRODUCTS BY PLASMA AND INSTALLATION COMPRISING A PLASMA REACTOR USEFUL IN THE PROCESS

Номер патента: FR2647442B1. Автор: Jacques Amouroux,Avaly Doubla,Jean-Louis Brisset. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 1991-09-13.

Plasma generating electrode and plasma reactor

Номер патента: JPWO2005001250A1. Автор: 健佐久間,佐久間　健,由紀夫宮入,純一鈴木,達彦波多野,昌明桝田,鈴木　純一,靖昌藤岡,波多野　達彦,祥弘佐藤. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Plasma reactor for high-temperature treatment of materials

Номер патента: EP0415858B1. Автор: Michel G. Drouet,Hyun K. Choi. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 1995-01-25.

Plasma reactor

Номер патента: WO2017150414A1. Автор: 伸介伊藤,佑江原,紀彦灘波. Владелец: 東京濾器株式会社. Дата публикации: 2017-09-08.

Plasma reactor and plasma electrode plate

Номер патента: EP3389345A1. Автор: Norihiko Nadanami,Naoki NIWAYA,Shigehito Sakai. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-17.

Plasma reactor

Номер патента: EP2069047B1. Автор: Sung Jin Yang,Hung Sik Min,Young Geun An. Владелец: CMTech Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Detachable non-thermal plasma reactor

Номер патента: CN106686873A. Автор: 陈德毅. Владелец: Shangyu Shaoxing Art Randy Electric Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Plasma reactor for high temperature treatment of materials.

Номер патента: DE69016313D1. Автор: Michel G Drouet,Hyun K Choi. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 1995-03-09.

Discharge plasma reactor

Номер патента: US20090297409A1. Автор: Walter R. Buchanan,Christopher D. Hruska. Владелец: Eon Labs LLC. Дата публикации: 2009-12-03.

Method to produce mixture of heptanol-1, heptanal-1, and ethyllaurate and plasma reactor for its conduction

Номер патента: RU1834882C. Автор: Дубла Авали,Амуру Жак,Бриссэ Жан-Луи. Владелец: Электриситэ Де Франс. Дата публикации: 1993-08-15.

Plasma reactor

Номер патента: EP2069047A4. Автор: Sung Jin Yang,Hung Sik Min,Young Geun An. Владелец: CMTech Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-14.

Dielectric barrier discharge plasma reactor cell

Номер патента: US20030030374A1. Автор: Deepak Pai. Владелец: General Dynamics Information Systems Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Process for the synthesis of oxo compounds and apparatus comprising a plasma reactor for use in said process

Номер патента: CA2017368A1. Автор: Jacques Amouroux,Avaly Doubla,Jean-Louis Brisset. Владелец: Jean-Louis Brisset. Дата публикации: 1990-11-24.

Method to produce light hydrocarbons by COx hydrogenation in a dielectric barrier discharge plasma reactor system

Номер патента: KR102159158B1. Автор: 하경수,전종현,정재권. Владелец: 서강대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-09-23.

Thermal plasma reactor and wastewater treatment method

Номер патента: AU1090797A. Автор: Luc Fortin,Maher I Boulos,Gervais Soucy,Jean-Luc Bernier,Vijay Kasireddy,Frank M Kimmerle. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1997-07-14.

LOW PRESSURE HIGH FREQUENCY PULSED PLASMA REACTOR FOR PRODUCING NANOPARTICLES

Номер патента: US20130189446A1. Автор: Casey James A.,Shamamian Vasgen. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

Plasma reactor

Номер патента: EP1837067A2. Автор: Atsuo Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-09-26.

Heat Exchanger and Method for Treating Exhaust Gas from Combustion Engines (Combined EGR Cooler and Plasma Reactor)

Номер патента: DE112007001061T5. Автор: James Scott Burlington Cotton. Владелец: Dana Canada Corp. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of growing single crystal diamond in a plasma reactor

Номер патента: US20050109267A1. Автор: Robert Linares,Patrick Doering. Владелец: Apollo Diamond Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

High-frequency induction plasma device for preparing nano molybdenum powder

Номер патента: CN113634759A. Автор: 吕博,喻明浩,邱泽洋. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2021-11-12.

Method for preparing nano silicon powder by inductive plasma pyrolysis of silane

Номер патента: CN114031082A. Автор: 张振军,刘文平,肖乐银,秦海青,雷晓旭,卢安军,唐慧杰. Владелец: China Nonferrous Metal Guilin Geology and Mining Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

Method of sifting off valuable mineral substances from granular materials and plasma reactor

Номер патента: PL289214A1. Автор: Jerzy Romanowski,Juliusz Czaja. Владелец: Avny Ind Corp. Дата публикации: 1993-11-02.

Aneutronic fusion plasma reactor and electric power generator

Номер патента: US20240266076A1. Автор: Ryan S. Wood,Ken E. KOPP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species

Номер патента: EA200501614A2. Автор: Рэнделл Л. Миллс. Владелец: Блэклайт Пауэр, Инк.. Дата публикации: 2006-08-25.

Plasma reactor and method for treating water using the same

Номер патента: KR100223884B1. Автор: 심순용. Владелец: 엘지산전주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Plasma reactor, waste water treatment apparatus utilizing the same and waste water treatment method

Номер патента: JPH1170386A. Автор: Soon Yong Shim,スンヨンシム. Владелец: LG Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-16.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species

Номер патента: KR20060008888A. Автор: 란델 엘. 밀스. Владелец: 블랙라이트 파워 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-01-27.

Pm reduction method of dpf system using plasma reactor

Номер патента: KR100692948B1. Автор: 송영훈,이재옥,이대훈,김관태,차민석. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2007-03-12.

Plate type plasma reactor for hydrogen production through ammonia decomposition

Номер патента: CN101863455B. Автор: 王丽,郭洪臣,赵越,宫为民. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2012-01-25.

A Plasma Reactor and A Spraying Device for treating Steam Generator Chemical Cleaning Solutions in Nuclear Power Plants

Номер патента: KR100729039B1. Автор: 이병호,박상훈,황리호,강덕원,이두호,김진길. Владелец: 한국전력공사. Дата публикации: 2007-06-14.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species.

Номер патента: CN1798697A. Автор: 兰德尔·L·米尔斯. Владелец: Blacklight Power Inc. Дата публикации: 2006-07-05.

On-board high voltage radio frequency system for assisting post-treatment of emissions of internal combustion engine of car, has plasma reactor including central electrode partially immersed in exhaust gas and connected to resonator

Номер патента: FR2981861A3. Автор: André AGNERAY,Francois Fresnet,Alexis Leray. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2013-05-03.

Method for controlling nitrogen dioxide/nitrogen oxide ratio for selective catalytic reduction catalyst using non-thermal plasma reactor, involves sending operation instruction to electrical supply such that plasma is active or inactive

Номер патента: FR2981862A3. Автор: Francois Fresnet,Alexis Leray. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2013-05-03.

Nitrogen oxide generating procedure for producing ammonia as reducing agent in catalytic converter uses plasma reactor to assist process

Номер патента: FR2848471A1. Автор: Frank Duvinage,Christian Goerigk,Arno Nolte,Markus Paule,Thomas Hammer,Thomas Kappes. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2004-06-18.

Water treatment apparatus using plasma reactor

Номер патента: GB2328133B. Автор: Soon Yong Shim. Владелец: LG Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-15.

Plasma reactor for cracking ammonia and hydrogen-rich gases to hydrogen

Номер патента: US7037484B1. Автор: John E. Brandenburg. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2006-05-02.

Plasma reactor and electrode plate used in the same

Номер патента: KR100592507B1. Автор: 정동훈,정영식,김경운,심우찬. Владелец: 주식회사 블루플래닛. Дата публикации: 2006-06-23.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species

Номер патента: US20100209311A1. Автор: Randell L. Mills. Владелец: Blacklight Power Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Vortex plasma reactor for the abatement of pfcs emission

Номер патента: TWI455755B. Автор: Ron Hsin Chang. Владелец: Resi Corp. Дата публикации: 2014-10-11.

vacuum plasma reactor

Номер патента: KR102262868B1. Автор: 블라디미르 유리에비치 콜가노브,이반 이고레비치 포두브니이,세르게이 유리에비치 키릴로브,피오트르 드미트리에비치 트로피모비치. Владелец: 스테이트 에토믹 에너지 코퍼레이션 “로사톰”온 비핼프 오브 더 러시안 페더레이션. Дата публикации: 2021-06-08.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species

Номер патента: EA012529B1. Автор: Рэнделл Л. Миллс. Владелец: Блэклайт Пауэр, Инк.. Дата публикации: 2009-10-30.

A kind of full tungsten of high temperature resistant is towards plasma reactor

Номер патента: CN109585032A. Автор: 刘璐,刘东平. Владелец: DALIAN NATIONALITIES UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-05.

Plasma reactor and process for producing lower-energy hydrogen species

Номер патента: US20060233699A1. Автор: Randell Mills. Владелец: Blacklight Power Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Plasma reactor

Номер патента: JP7044485B2. Автор: 紀彦灘浪,伸介伊藤,昌司谷口,一哉内藤,和彦間所,史和河尻,遼一島村. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Grating type high throughput plasma reactor

Номер патента: CN208561688U. Автор: 徐伟,张婧,李亚辉,石宁,张铁,张树才,任君朋. Владелец: Sinopec Qingdao Safety Engineering Institute. Дата публикации: 2019-03-01.

Exhaust system with emissions storage device and plasma reactor

Номер патента: WO1998000221A1. Автор: John W. Hoard. Владелец: Low Emissions Technologies Research and Development Partnership. Дата публикации: 1998-01-08.

Pulse density modulation for uniform barrier discharge in a nonthermal plasma reactor

Номер патента: US6423190B2. Автор: David Alexander Goulette,Eugene V. Ripley,Mark David Hemingway,Darrell R. Herling. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-23.

PROCESS FOR THE PURIFICATION OF METALLURGICAL SILICON BY INDUCTIVE PLASMA COUPLED TO DIRECTIONAL SOLIDIFICATION AND DIRECT OBTAINING OF SOLAR QUALITY SILICON

Номер патента: FR2831881B1. Автор: Hubert Lauvray. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-16.

A method and apparatus for depositing thin layers of insulating or slightly conductive materials by reactive sputtering in a high-frequency inductive plasma

Номер патента: IE41938B1. Автор: . Владелец: Euratom. Дата публикации: 1980-04-23.

Method for producing metal nanopowders by decomposition of metal carbonyl using an induction plasma torch

Номер патента: CA2654013A1. Автор: Jiayin Guo,Maher I. Boulos,Jerzy Jurewicz,Vladimir Paserin,Richard S. Adams. Владелец: Tekna Plasma Systems, Inc.. Дата публикации: 2007-12-06.

Inductive plasma source having external discharge bridge

Номер патента: KR100798515B1. Автор: 위순임. Владелец: 위순임. Дата публикации: 2008-01-28.

Process for purification of metallurgical silicon by stages of fusion, inductive plasma and directional crystallisation

Номер патента: FR2831881A1. Автор: Hubert Lauvray. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-09.

Spectrum measuring method, system, storage medium and high-frequency induction plasma

Номер патента: CN112013958A. Автор: 刘彦明,张佳,何宏伟,邓伟锋. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-12-01.

KIT AND APPARATUS FOR DEPOSITING THIN LAYERS OF INSULATING OR SOMEWHAT CONDUCTIVE MATERIAL BY REACTIVE SPRAYING A HIGH FREQUENCY INDUCTIVE PLASMA

Номер патента: SE7513124L. Автор: P Beucherie. Владелец: Euratom. Дата публикации: 1976-05-24.

Method for producing metal nanopowders by decomposition of metal carbonyl using an induction plasma torch

Номер патента: WO2007137431A1. Автор: Jiayin Guo,Maher I. Boulos,Jerzy Jurewicz,Vladimir Paserin,Richard S. Adams. Владелец: Cvrd Inco Limited. Дата публикации: 2007-12-06.

Plasma reactor

Номер патента: US09574086B2. Автор: Peter L. Johnson,Robert J. Hanson,Roscoe W. Taylor. Владелец: Monolith Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

A massive parallel plasma reactor array for gas conversion applications

Номер патента: WO2023170254A1. Автор: David Ziegler,Gill SCHELTJENS,Georgi TRENCHEV. Владелец: D-Crbn Bv. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma reactor gas processing

Номер патента: EP1341994A1. Автор: James Timothy Shawcross,Peter James Andrews,Stephen Ivor Hall,Michael Inman,David Michael Weeks,Christopher David John Manson-Whitton. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2003-09-10.

Plasma reactor gas processing

Номер патента: WO2002048515A1. Автор: James Timothy Shawcross,Peter James Andrews,Stephen Ivor Hall,Michael Inman,David Michael Weeks,Christopher David John Manson-Whitton. Владелец: Accentus Plc. Дата публикации: 2002-06-20.

Plasma reactor and method of operating a plasma reactor

Номер патента: US20190381475A1. Автор: Olaf Kühl. Владелец: Ccp Technology GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Plasma reactor for cleaning silicon tetrachloride or germanium tetrachloride, comprises reactor housing, micro unit for plasma treatment, metallic heat exchanger, dielectric, perforated plate, lattice or network and high voltage electrode

Номер патента: DE102005041137A1. Автор: Hartwig Dipl.-Chem. Dr. Rauleder,Jürgen Dipl.-Ing. Dr. Lang,Rainer Dipl.-Ing. Dr. Nicolai. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2007-03-01.

NON-THERMAL PLASMA REACTOR AND AUTOMOTIVE VEHICLE EXHAUST LINE COMPRISING THIS REACTOR

Номер патента: FR2863656B1. Автор: Stephane Eymerie,Yvane Lendresse,Lionel Robin,Sabine Calvo,Jean Marie Cormier,Frederic Dionnet,Olivier Motret,Jean Michel Pouvesle. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2006-09-01.

Non-thermal plasma reactor and automotive vehicle exhaust line with such a reactor

Номер патента: EP1541821A1. Автор: Stephane Eymerie,Yvane Lendresse,Lionel Robin,Sabine Calvo,Frederic Dionnet,Olivier Motret,Jean-Michel Pouvesle,Jean-Marie Cormier. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2005-06-15.

METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE IMPEDANCE OF A DISCHARGE IN A PLASMA REACTOR ASSOCIATED WITH A BOX AND APPLICATION TO THE REGULATION OF IMPEDANCE OR ION FLOW IN THIS REACTOR

Номер патента: FR2633399A1. Автор: Louise Peccoud,Bernard Bouyer,Bernard Andries,Guillaume Ravel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1989-12-29.

METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE IMPEDANCE OF A DISCHARGE IN A PLASMA REACTOR ASSOCIATED WITH A TUNING BOX AND APPLICATION TO CONTROLLING THE IMPEDANCE OR ION FLOW IN THIS REACTOR

Номер патента: FR2633399B1. Автор: Louise Peccoud,Bernard Bouyer,Bernard Andries,Guillaume Ravel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1990-08-31.

Plasma reactor and method of operating a plasma reactor

Номер патента: EP3548426A1. Автор: Olaf Kühl. Владелец: Ccp Technology GmbH. Дата публикации: 2019-10-09.

Non-thermal plasma reactor and automotive vehicle exhaust line with such a reactor

Номер патента: EP1541821B1. Автор: Stephane Eymerie,Yvane Lendresse,Lionel Robin,Sabine Calvo,Frederic Dionnet,Olivier Motret,Jean-Michel Pouvesle,Jean-Marie Cormier. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2007-02-14.

Compound annular non-thermal plasma reactor core

Номер патента: EP4017624A4. Автор: Herek L. Clack,Kevin D. Melotti. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-07-05.

Low pressure generating plasma reactor closed loop process and system

Номер патента: ZA202102744B. Автор: Ingels Rune. Владелец: N2 APPLIED AS. Дата публикации: 2022-10-26.

Diphasic gas/liquid plasma reactor

Номер патента: EP3386626A1. Автор: Stephanie OGNIER,Michael Tatoulian,Mengxue Zhang. Владелец: Paris Sciences et Lettres Quartier Latin. Дата публикации: 2018-10-17.

Low pressure generating plasma reactor closed loop process and system

Номер патента: EP3870355A4. Автор: Rune Ingels. Владелец: N2 APPLIED AS. Дата публикации: 2022-08-10.

MICROWAVE PLASMA REACTORS

Номер патента: US20130101730A1. Автор: Becker Michael,KING David,Lu Jing,Asmussen Jes,Grotjohn Timothy,Reinhard Donnie K.,Schuelke Thomas,Yaran M. Kagan,Hemawan Kadek W.,Gu Yajun. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

MAGNETIC FLUX CHANNEL COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130171038A1. Автор: CHOI Dae-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

Gas Dispersion Plate for Plasma Reactor Having Extended Lifetime

Номер патента: US20130200170A1. Автор: Marx Curtis,Gonzalez Jose Luis,Foggiato Giovanni,Kitazumi Barry. Владелец: Greene, Tweed of Delaware, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD FOR SCALING PLASMA REACTORS FOR GAS TREATMENT AND DEVICES THEREFROM

Номер патента: US20130284588A1. Автор: SCHOENBACH Karl H.,Heller Richard,Malik Muhammad Arif. Владелец: Old Dominion University Research Foundation. Дата публикации: 2013-10-31.

PLASMA REACTOR GAS DISTRIBUTION PLATE WITH RADIALLY DISTRIBUTED PATH SPLITTING MANIFOLD

Номер патента: US20130315795A1. Автор: BERA KALLOL,Rauf Shahid. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-11-28.

IN-SITU VHF CURRENT SENSOR FOR A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130320998A1. Автор: Kobayashi Satoru,Ramaswamy Kartik,Rauf Shahid,HANAWA Hiroji. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-12-05.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20140048016A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Brandon John Robert,Coe Steven Edward,Wilman Jonathan James,DODSON JOSEPH MICHAEL. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL

Номер патента: US20150030786A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Twitchen Daniel James,Brandon John Robert,Coe Steven Edward,Wilman Jonathan James. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2015-01-29.

Centrifugal fluid ring plasma reactor

Номер патента: US20140113980A1. Автор: Richard Max MANDLE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-24.

MULTI-STAGE PLASMA REACTOR SYSTEM WITH HOLLOW CATHODES FOR CRACKING CARBONACEOUS MATERIAL

Номер патента: US20150044106A1. Автор: Guo Yi,Cheng Yi,Li Xuan,Yan Binhang,Wu Changning. Владелец: National Institute of Clean-and-Low-Carbon Energy. Дата публикации: 2015-02-12.

PLASMA REACTOR FOR LIQUID AND GAS

Номер патента: US20170095788A1. Автор: Buchanan Walter Riley. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

ANEUTRONIC FUSION PLASMA REACTOR AND ELECTRIC POWER GENERATOR

Номер патента: US20220148743A1. Автор: Wood Ryan S.,Kopp Ken E.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

HYBRID PHOTOCHEMICAL/PLASMA REACTOR DEVICES

Номер патента: US20180099257A1. Автор: Park Sung-Jin,Eden James Gary,Mironov Andrey,Shin Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

PLASMA REACTOR FOR CARRYING OUT GAS REACTIONS AND METHOD FOR THE PLASMA-SUPPORTED REACTION OF GASES

Номер патента: US20140183033A1. Автор: Behr Arno,Wolff Christian,Spitzl Ralf,Oberreuther Thorsten. Владелец: Iplas GmbH. Дата публикации: 2014-07-03.

SUBSTRATE HOLDER, PLASMA REACTOR AND METHOD FOR DEPOSITING DIAMOND

Номер патента: US20160138189A1. Автор: Nebel Christoph E.,MÜLLER-SEBERT Wolfgang,WIDMANN Claudia,HEIDRICH Nicola,SCHREYVOGEL Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

COMPOUND ANNULAR NON-THERMAL PLASMA REACTOR CORE

Номер патента: US20220288552A1. Автор: CLACK Herek L.,MELOTTI Kevin D.. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2022-09-15.

MEASUREMENT OF PLURAL RF SENSOR DEVICES IN A PULSED RF PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140232374A1. Автор: Leray Gary. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

MICROWAVE PLASMA REACTORS AND SUBSTRATES FOR SYNTHETIC DIAMOND MANUFACTURE

Номер патента: US20140234556A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Scarsbrook Geoffrey Alan,Pickles Charles Simon James,Mollart Timothy Peter,Brandon John Robert,Dodge Carlton Nigel,Coe Steven Edward,DODSON JOSEPH MICHAEL,Inglis Paul Nicolas,Cullen Alexander Lamb. Владелец: ELEMENT SIX LIMITED. Дата публикации: 2014-08-21.

ELECTROMAGNETIC ENERGY-INITIATED PLASMA REACTOR SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150174550A1. Автор: Tranquilla James. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

FORMATION OF ALCOHOLS AND CARBONYL COMPOUNDS FROM HEXANE AND CYCLOHEXANE WITH WATER IN A LIQUID FILM PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140262744A1. Автор: Alabugin Igor,Hsieh Kevin,Bresch Stefan,LOCKE Bruce R.,WANDELL Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

GAS DELIVERY AND DISTRIBUTION FOR UNIFORM PROCESS IN LINEAR-TYPE LARGE-AREA PLASMA REACTOR

Номер патента: US20160208380A1. Автор: WON Tae Kyung,CHO Seon-Mee,CHOI Soo Young,PARK Beom Soo,WHITE John M.,ANWAR Suhail,KUDELA Jozef,SORENSEN Carl A.,Johnston Benjamin M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

PLASMA REACTOR

Номер патента: US20150218383A1. Автор: Hanson Robert J.,TAYLOR Roscoe W.,JOHNSON Peter L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ENHANCED CONTACT ELECTRICAL DISCHARGE PLASMA REACTOR FOR LIQUID AND GAS PROCESSING

Номер патента: US20160228844A1. Автор: Mededovic Selma,Stratton Gunnar,Holsen Thomas,Bellona Christopher. Владелец: CLARKSON UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-11.

DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE PLASMA REACTOR COMPRISING MACROPOROUS SILICA AS DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20210260558A1. Автор: LEE Jinwoo,LEE Namheon,Ha Kyoung-Su,Kim Juchan,Kim Seongseop,Bae Yeongkwang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

METHODS AND APPARATUS FOR MATERIAL PROCESSING USING ATMOSPHERIC THERMAL PLASMA REACTOR

Номер патента: US20150274566A1. Автор: Boughton Daniel Robert. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

VACUUM PLASMA REACTOR

Номер патента: US20190259502A1. Автор: KOLGANOV Vladimir Yuryevich,PODDUBNYY Ivan Igorevich,KIRILLOV Sergey Yuryevich,TROFIMOVICH Pyotr Dmitryevich. Владелец: STATE ATOMIC ENERGY CORPORATION "ROSATOM" ON BEHALF OF THE RUSSIAN FEDERATION. Дата публикации: 2019-08-22.

PLASMA REACTOR FOR ABATING HAZARDOUS MATERIAL

Номер патента: US20150306540A1. Автор: Lee Jae Ok,Kang Woo Seok,HUR Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

PLASMA REACTOR FOR ABATEMENT OF HAZARDOUS MATERIAL

Номер патента: US20150314233A1. Автор: Lee Jae Ok,Kang Woo Seok,HUR Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

PLASMA REACTOR FOR LIQUID AND GAS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20180311639A1. Автор: Buchanan Walter Riley,Forsee Grant William. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20180312413A1. Автор: BARCZYK Robert. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

PLASMA REACTOR

Номер патента: US20170349758A1. Автор: Hanson Robert J.,TAYLOR Roscoe W.,JOHNSON Peter L.. Владелец: MONOLITH MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Diphasic Gas/Liquid Plasma Reactor

Номер патента: US20180369778A1. Автор: Tatoulian Michael,Ognier Stéphanie,Zhang Mengxue. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

COAL TO ACETYLENE PLASMA REACTOR HAVING COKING INHIBITION AND ONLINE DECOKING FUNCTIONS

Номер патента: US20220401911A1. Автор: Zhang Ming,Wu Jianhua,YANG QIWEI,REN QILONG,Chen Xinzhi,WU Zhongbiao,LI Rulong,WEN GUANGDONG,CHEN FENGQIU,HE CHAOHONG. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Plasma reactor structure for decreasing exhaust gas from vehicles

Номер патента: KR100488690B1. Автор: 김연승,정치영,조형제,홍은기. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2005-05-11.

Plasma reactor and plasma scrubber using the same

Номер патента: KR100945038B1. Автор: 홍용철,심경섭,권순창. Владелец: 주식회사 아론. Дата публикации: 2010-03-05.

Plasma reactor where gas is injected

Номер патента: KR102052281B1. Автор: 김대승,서광하,고경오. Владелец: (주)이큐글로벌. Дата публикации: 2019-12-04.

Fuel oxygen reduction unit with plasma reactor

Номер патента: US10914274B1. Автор: Ethan Patrick O'Connor,Christian Xavier Stevenson,Timothy John Sommerer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-02-09.

A kind of sliding arc plasma reactor with high operation stability

Номер патента: CN109569474A. Автор: 李晓东,张�浩,岑可法,严建华,孔相植. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-04-05.

Plasma reactor and decreasing device of exhaust gas having it

Номер патента: KR100828157B1. Автор: 최민호,윤성식,허성준,홍순철. Владелец: (주)템스. Дата публикации: 2008-05-08.

Plasma reactor

Номер патента: JPS6328883A. Автор: Kazuaki Omi,Masao Sugata,Kuniji Osabe,透田,Toru Den,Kenji Ando,Hiroyuki Sugata,Noriko Kurihara,Nobuyuki Okamura,信行岡村,裕之菅田,謙二安藤,長部　国志,菅田　正夫,近江　和明,栗原　紀子. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1988-02-06.

DIELECTRIC BARRIER TYPE PLASMA REACTOR

Номер патента: FR3123228A1. Автор: Paul-Quentin ELIAS,Radoslaw DEBEK,Maria Elena GALVEZ. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 2022-12-02.

Plasma reactor-separator

Номер патента: WO2006052165A3. Автор: Jury Aleksandrovich Burlov,Ivan Jurievich Burlov,Aleksandr Jurievich Burlov. Владелец: Aleksandr Jurievich Burlov. Дата публикации: 2006-08-24.

Plasma reactor for gas to liquid fuel conversion

Номер патента: US20110190565A1. Автор: Yury N. Novoselov,Alexey I. Suslov,Oleg P. Kutenkov. Владелец: EVOenergy LLC. Дата публикации: 2011-08-04.

Plasma reactor

Номер патента: EP0958859A1. Автор: David A. Goulette,Charles Scott Nelson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 1999-11-24.

The plasma reactor which is built in the exhaust air passage

Номер патента: KR100815601B1. Автор: 이희영,임혁,문희중. Владелец: (주)씨맥스. Дата публикации: 2008-03-20.

Non-thermal plasma reactor

Номер патента: KR20060132929A. Автор: 필립 마이클 비치,크레이그 스테펜 가이,스테펜 아이버 홀,데이비드 마이클 윅스,제임스 티모씨 샤우크로스,토마스 마크 리델. Владелец: 액센투스 피엘씨. Дата публикации: 2006-12-22.

Method for disinfecting a dense fluid medium in a dense medium plasma reactor

Номер патента: US20040007539A1. Автор: Ferencz Denes,Sorin Manolache,Amy Lee Wong,Eileen Somers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Titanium product collection in a plasma reactor

Номер патента: US4356029A. Автор: Joachim V. R. Heberlein,Thomas N. Meyer,Michael G. Down. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

High Voltage Plug for Plasma Reactor

Номер патента: KR100611141B1. Автор: 김현중. Владелец: 주식회사 세림테크. Дата публикации: 2006-08-09.

Thermal plasma reactor for production of electrically conductive carbon material and method therefor

Номер патента: KR100684933B1. Автор: 최신일,홍상희. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2007-02-20.

Non-equilibrium plasma reactor for natural gas processing

Номер патента: CA921128A. Автор: H. Shair Fredrick,L. Ravimohan Arakali. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1973-02-13.

Combined discharging type low-temperature plasma reactor and air purification device

Номер патента: CN106334420A. Автор: 徐和平. Владелец: Wuxi Lunbao Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Method of depositing uniform films of Six Ny or Six Oy in a plasma reactor

Номер патента: US4289797A. Автор: Aline Akselrad. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-09-15.

Plasma reactor and and gas scrubber using the same

Номер патента: KR101382003B1. Автор: 김성락,김익년,엄민흠,지영연. Владелец: (주)트리플코어스코리아. Дата публикации: 2014-04-21.

Nonequilibrium plasma reactor for natural gas processing

Номер патента: AU3369471A. Автор: H. SHAFE and ARAKAKI L. RAVIMOHAN FREDRICK. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1973-03-29.

Plasma reactor applicable plural plasma process

Номер патента: KR102145690B1. Автор: 김대승,서광하,고경오. Владелец: (주)이큐글로벌. Дата публикации: 2020-08-19.

plasma reactor for gas to liquid fuel conversion.

Номер патента: BR112012018815A2. Автор: Alexey Innokentyevich Suslov,Oleg Petrovich Kutenkov,Yury Nikolaevich Novoselov. Владелец: EVOenergy LLC. Дата публикации: 2016-04-12.

Non-thermal plasma reactor

Номер патента: EP1419002A1. Автор: David Leslie Segal,David Raybone,James Timothy Shawcross,Stephen Ivor Hall,Michael Inman,Keith Morris,Roy Mcadams,John Stedman. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2004-05-19.

Multi-electrode dielectric barrier discharge low-temperature plasma reactor

Номер патента: CN113893799A. Автор: 刘卓. Владелец: Hubei University for Nationalities. Дата публикации: 2022-01-07.

Plasma reactor-separator

Номер патента: WO2006052165B1. Автор: Jury Aleksandrovich Burlov,Ivan Jurievich Burlov,Aleksandr Jurievich Burlov. Владелец: Aleksandr Jurievich Burlov. Дата публикации: 2006-10-26.

Non-thermal plasma reactor

Номер патента: WO2005087348A1. Автор: James Timothy Shawcross,Philip Michael Beech,Stephen Ivor Hall,David Michael Weeks,Craig Stephen Guy,Thomas Mark Liddell. Владелец: Accentus Plc. Дата публикации: 2005-09-22.

Coal-to-acetylene plasma reactor with coking inhibition and on-line coke cleaning functions

Номер патента: CN110918026B. Автор: 张铭,陈丰秋,陈新志,吴忠标,任其龙,何潮洪,杨启炜,闻光东,吴剑骅,李如龙. Владелец: Xinjiang Guangdong Hetai Chemical Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-26.

Dispersed mineral raw material processing method and plasma reactor for performing the same

Номер патента: RU2291211C2. Автор: Анатолий Константинович Кычкин,Афанасий Михайлович Иванов,Владимир Егорович Михайлов,Василий Петрович Винокуров. Владелец: Институт физико-технических проблем Севера СО РАН. Дата публикации: 2007-01-10.

Hydrocarbon-bearing fluid processing plant and plasma reactor incorporated therewith

Номер патента: RU2465303C1. Автор: Юрий Павлович Скакунов,Александр Юрьевич Скакунов,Алла Юрьевна Скакунова,Евгений Валерьевич Федичкин,Олег Валерьевич Федичкин,Валерий Николаевич Федичкин. Владелец: Валерий Николаевич Федичкин. Дата публикации: 2012-10-27.

Plasma reactor for reprocessing refractory materials

Номер патента: RU2035128C1. Автор: Владимир Павлович Шевцов. Владелец: Владимир Павлович Шевцов. Дата публикации: 1995-05-10.

Uhf plasma reactor

Номер патента: RU2299929C2. Автор: Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Константин Федорович Сергейчев,Владимир Васильевич Атежев,Сергей Каренович Вартапетов,Валерий Борисович Хаваев,Владимир Васильевич Атежев (RU),Сергей Каренович Вартапетов (RU),Виталий Иванович Конов (RU),Виктор Григорьевич Ральченко (RU),Константин Федорович Сергейчев (RU),Валерий Борисович Хаваев (RU). Владелец: ООО "Оптосистемы". Дата публикации: 2007-05-27.

Method of gasifying coals and electroarc plasma reactor for coal gasification

Номер патента: RU2087525C1. Автор: С.Л. Буянтуев,Д.Б. Цыдыпов,Е.И. Карпенко,Ш.Ш. Ибраев. Владелец: Гусиноозерская ГРЭС. Дата публикации: 1997-08-20.

Procedure for hydrocarbon cracking and plasma reactor for its implementation

Номер патента: RU2422493C1. Автор: Евгений Александрович Беленов,Дмитрий Владимирович Гончаров,Владимир Николаевич Житков,Александр Евгеньевич Токарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КарбЭко". Дата публикации: 2011-06-27.

Plasma reactor and method therefor

Номер патента: CA1167175A. Автор: Frank W. Engle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-05-08.

Shf plasma reactor

Номер патента: RU2403318C2. Автор: Виктор Григорьевич Ральченко,Константин Федорович Сергейчев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2010-11-10.

Catalytic plasma reactor system

Номер патента: MY151058A. Автор: Noraishah Saidina Amin,Istadi. Владелец: Univ Malaysia Tech. Дата публикации: 2014-03-31.

Microwave plasma reactor for gas-phase deposition of diamond films in gas flow (versions)

Номер патента: RU2595156C2. Автор: Анатолий Леонтьевич Вихарев,Михаил Александрович Лобаев,Алексей Михайлович Горбачёв,Джеймс Ехрич Батлер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-08-20.

Plasma reactor for desulphurization and denitrification of the flue gas using direct and indirect methods combined in one device for the purpose of fertilizer production

Номер патента: RS1365U. Автор: Bratislav M. Prof. Dr. Obradović,Milorad M. Prof. Dr. Kuraica. Владелец: Milorad M. Prof. Dr. Kuraica. Дата публикации: 2014-04-30.

Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil

Номер патента: AU2002250465A1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Stacked rf excitation coil for inductive plasma processor

Номер патента: AU2002250464A1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Induction plasma torch

Номер патента: CA838286A. Автор: J. Burggraaf Anthonie. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-03-31.

Induction plasma generator

Номер патента: AU447137B2. Автор: LEE THORPE and KENT WILLIAM HARRINGTON MERLE. Владелец: Humphreys Corp. Дата публикации: 1971-07-29.

Induction plasma generator

Номер патента: CA886728A. Автор: L. Thorpe Merle,W. Harrington Kent. Владелец: Humphreys Corp. Дата публикации: 1971-11-23.

Induction plasma generator

Номер патента: CA868568A. Автор: L. Thorpe Merle,W. Harrington Kent. Владелец: Humphreys Corp. Дата публикации: 1971-04-13.

Induction plasma generator

Номер патента: AU1063770A. Автор: LEE THORPE and KENT WILLIAM HARRINGTON MERLE. Владелец: Humphreys Corp. Дата публикации: 1971-07-29.

INDUCTIVE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20120160806A1. Автор: Nagorny Vladimir,Godyak Valery A.,Crapuchettes Charles. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

High Performance Induction Plasma Torch

Номер патента: US20120261390A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

METHOD AND DEVICE FOR THERMAL DESTRUCTION OF ORGANIC COMPOUNDS BY AN INDUCTION PLASMA

Номер патента: US20120277515A1. Автор: . Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-11-01.

INDUCTIVE PLASMA SOURCES FOR WAFER PROCESSING AND CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20130034666A1. Автор: Liang Qiwei. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-07.

High frequency induction plasma deposition equipment

Номер патента: JP3152548B2. Автор: 久小牧. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2001-04-03.

Method of polishing glass products using high-frequency induction plasma

Номер патента: SU1712325A1. Автор: Сергей Владимирович Никитин,Евгений Федорович Солинов,Александр Борисович Мостовой,Валентина Николаевна Захарова,Сергей Иванович Лелеков,Евгений Анатольевич Малышев,Георгий Михайлович Бражник,Вячеслав Константинович Кистенев. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Электровакуумного Стекла. Дата публикации: 1992-02-15.

A kind of design of use for laboratory induction plasma treatment facility

Номер патента: CN103874316B. Автор: 马伯江. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2016-05-11.

High-frequency induction plasma torch

Номер патента: JPS63289798A. Автор: Koichi Yokoyama,公一横山,Takaharu Kurumachi,車地　隆治. Владелец: Babcock Hitachi KK. Дата публикации: 1988-11-28.

Induction plasma device

Номер патента: JPH0658838B2. Автор: 邦夫四方,藤原エミリオ,勉新川. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-03.

Method for increasing collection efficiency in preparing nanometer copper-silver alloy powder by using inductive plasmas

Номер патента: CN102489710B. Автор: 黄伟,刘勇,王振明,田开文,尚福军,邹敏明,史洪刚. Владелец: No 52 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

Induction plasma injector

Номер патента: RU2294064C2. Автор: Алексей Григорьевич Олейник,Алексей Григорьевич Олейник (RU). Владелец: Федеральное госудаственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований" (ФГУП "ГНЦ РФ ТРИНИТИ"). Дата публикации: 2007-02-20.

Induction plasma torch for decompression

Номер патента: JP2592025B2. Автор: 信幸山地,秀久橘,裕康村田,順岡田,邦夫四方,藤原エミリオ. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Induction Plasma Melting Plant

Номер патента: SU462320A1. Автор: Владимир Сергеевич Малиновский,Николай Иванович Фомин,Александр Александрович Простяков,Герман Дмитриевич Зайцев. Владелец: Предприятие П/Я Г-4696. Дата публикации: 1975-02-28.

Induction plasma generator

Номер патента: JP2530356B2. Автор: 久小牧,高伸天野,祥治平川. Владелец: Nihon Denshi KK. Дата публикации: 1996-09-04.

High-frequency inductance plasma generator

Номер патента: RU2136125C1. Автор: В.М. Кондаков,А.А. Чернышов,Н.В. Дедов,Э.М. Кутявин,В.А. Матюха,вин Э.М. Кут,Ю.Н. Сенников,О.И. Составкин,Е.Н. Малый,Г.П. Хандорин,А.Н. Верхотуров. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 1999-08-27.

High-frequency induction plasma generator

Номер патента: RU2142679C1. Автор: В.И. Маленко,В.И. Шамин,Е.А. Буденков. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 1999-12-10.

Induction Plasma Injector

Номер патента: RU2005111266A. Автор: Алексей Григорьевич Олейник,Алексей Григорьевич Олейник (RU). Владелец: Федеральное госудаственное унитарное предпри тие "Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термо дерных исследований" (ФГУП "ГНЦ РФ ТРИНИТИ") (RU). Дата публикации: 2006-10-27.

Earlier stage treatment process of raw material powder for preparing induction plasma capacitor level nano tantalum powder

Номер патента: CN101439403A. Автор: 黄伟,刘勇,梁栋,田开文,尚福军,王有祁,史洪刚. Владелец: No 52 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Induction plasma processing chamber

Номер патента: TW451342B. Автор: David Guang-Kai Jeng,Fred Ying-Yi Chen,Tsung-Nane Kuo,Hung-Jr Li. Владелец: Nano Architect Res Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Systems for controlling plasma reactors

Номер патента: CA3134433A1. Автор: Wei Li,Fei Xie,Curtis Peter Tom. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

ENDPOINT DETECTION DEVICE FOR REALIZING REAL-TIME CONTROL OF PLASMA REACTOR, PLASMA REACTOR WITH ENDPOINT DETECTION DEVICE, AND ENDPOINT DETECTION METHOD

Номер патента: US20120041584A1. Автор: HAN Kwang Hoon,CHAE Heeyeop,HAN KYOUNGHOON,PARK Kun Joo,KIM Kee Hyun,LEE Weon Mook. Владелец: DMS CO. LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

Microwave Plasma Reactor

Номер патента: RU2008147517A. Автор: Виктор Григорьевич Ральченко,Константин Федорович Сергейчев,Виктор Григорьевич Ральченко (RU),Константин Федорович Сергейчев (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" (RU). Дата публикации: 2010-06-10.

Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus

Номер патента: TW523786B. Автор: Hamid Noorbakhsh,Efrain Quiles,James D Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-11.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: AU2002231067A1. Автор: Valery Godyak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-08.

Plasma reactor with a tri-magnet plasma confinement apparatus

Номер патента: TW502294B. Автор: Hamid Noorbakhsh,Efrain Quiles,James D Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Continuous transformation process for waste products and plasma reactor suitable for carrying out such process

Номер патента: AU2002314521A1. Автор: Medardo Pinti,Giuseppe Faslivi,Renato D'angelo. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2002-12-09.

A gas supply device and a plasma reactor thereof

Номер патента: TWI590291B. Автор: xu-sheng Zhou,hong-qing Wang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-01.

Plasma reactor with porous filtration materials

Номер патента: AU2002307860A1. Автор: David Leslie Segal,James Timothy Shawcross,Michael Inman,Suzanne Elizabeth Truss. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2002-12-16.

PLASMA REACTOR

Номер патента: US20120034137A1. Автор: Risby Philip John. Владелец: GASPLAS AS. Дата публикации: 2012-02-09.

SYMMETRIC VHF SOURCE FOR A PLASMA REACTOR

Номер патента: US20120043023A1. Автор: Collins Kenneth S.,Chen Zhigang,Ramaswamy Kartik,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Misra Nipun,Carducci James D.,YE Zheng John,MARKOVSKY Igor. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Номер патента: US20140113453A1. Автор: Taylor Travis,Dhindsa Rajinder,Shih Hong,Fang Yan,Outka Duane,Xu Lin,Kerns John Michael,Ronne Allan,Amadio Anthony,"ONeil Robert G.". Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-24.

Plasma reactor

Номер патента: RU2038145C1. Автор: Николай Александрович Антонов,Юрий Владимирович Забелин,Виталий Леонидович Метте,Анатолий Андреевич Кучковский,Борис Валентинович Рязанов,Виталий Григорьевич Хадеев. Владелец: Производственное объединение "Ульбинский металлургический завод". Дата публикации: 1995-06-27.

Method of using plasma reactor, plasma processing method of substrate, and method of manufacturing semiconductor device using the processing method

Номер патента: JP3234321B2. Автор: 伸夫藤原. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Номер патента: RU2004115368A. Автор: Анатолий Константинович Кычкин,Афанасий Михайлович Иванов,Владимир Егорович Михайлов,Василий Петрович Винокуров,Анатолий Константинович Кычкин (RU),Афанасий Михайлович Иванов (RU),Владимир Егорович Михайлов (RU),Василий Петрович Винокуров (RU). Владелец: Институт физико-технических проблем Севера СО РАН (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

Номер патента: RU2416677C1. Автор: Анатолий Леонтьевич Вихарев,Алексей Михайлович Горбачёв,Григорий Геннадьевич Денисов,Дмитрий Игоревич Соболев. Владелец: Учреждение Российской академии наук институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 2011-04-20.

Номер патента: RU2006130723A. Автор: Артур Дмитриевич Андросов,Владимир Егорович Михайлов,Николай Викторович Матус,Василий Петрович Винокуров,Артур Дмитриевич Андросов (RU),Владимир Егорович Михайлов (RU),Василий Петрович Винокуров (RU),Николай Викторович Матус (RU). Владелец: Институт физико-технических проблем Севера Сибирского отделени Российской Академии наук (RU). Дата публикации: 2008-03-10.

Inductive plasma reactor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты