磁控溅射腔室及磁控溅射设备
Номер патента: CN104928635B
Опубликовано: 19-12-2017
Автор(ы): 杨玉杰, 王厚工, 邱国庆
Принадлежит: Beijing North Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-12-2017
Автор(ы): 杨玉杰, 王厚工, 邱国庆
Принадлежит: Beijing North Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Magnet structure for magnetron sputtering and cathode electrode unit and magnetron sputtering equipment
Номер патента: EP1930466A4. Автор: Takahiko Kondo,Nobuo Yoneyama,Yasukuni Iwasaki,Takahiko Hori. Владелец: Shinmaywa Industries Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.