具有线性电压调节器及内部切换模式电压调节器的集成电路装置.

具有线性电压调节器及内部切换模式电压调节器的集成电路装置

Номер патента: CN104054246A
Опубликовано: 17-09-2014
Автор(ы): 克拉克·J·罗格斯, 布赖恩·克里斯, 彼得·席克, 约瑟夫·W·特里斯
Принадлежит: Microchip Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power management integrated circuit with a field programmable array of voltage regulators

Номер патента: EP4285201A1. Автор: Peng Zou,Gang Ren,Syrus Ziai,Curtis Roger MCALLISTER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Voltage regulators for an integrated circuit chip

Номер патента: WO2019040510A1. Автор: Thomas J. Gibney,Larry D. Hewitt,Daniel L. Bouvier. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2019-02-28.

Voltage regulator circuitry including module for switching frequency self-optimization

Номер патента: US20190103801A1. Автор: Ankush Varma,Narayanan Natarajan,Jonathan P. Douglas,Srikrishnan Venkataraman,Sreedhar Narayanaswamy,Chih-Chung Jonathan Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Efficient integrated switching voltage regulator

Номер патента: US09477291B2. Автор: Efraim Rotem,Eyal Fayneh,Gregory Sizikov,Michael Zelikson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Voltage regulation techniques for electronic devices

Номер патента: US20190064917A1. Автор: Viktor D. Vogman,Brian J. Griffith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Voltage regulation techniques for electronic devices

Номер патента: US20170285711A1. Автор: Viktor D. Vogman,Brian J. Griffith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Voltage regulation techniques for electronic devices

Номер патента: WO2017173135A1. Автор: Viktor D. Vogman,Brian J. Griffith. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

System and apparatus for improving the utility of regulators and associated methods

Номер патента: US09742209B2. Автор: Kenneth W. Fernald. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Hybrid parallel regulator and power supply combination for improved efficiency and droop response with direct current driven output stage attached directly to the load

Номер патента: US09785222B2. Автор: Zhengming FU,James Thomas DOYLE,Nazanin Darbanian,Farsheed Mahmoudi,Amirali Shayan Arani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Hybrid parallel regulator and power supply combination for improved efficiency and droop response with direct current driven output stage attached directly to the load

Номер патента: WO2016105723A1. Автор: Zhengming FU,James Thomas DOYLE,Nazanin Darbanian,Farsheed Mahmoudi,Amirali Shayan Arani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-30.

Power management integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: US12061514B2. Автор: Younghoon Lee,Younghun Kim,Min Sang Park,Kyungrae Kim,Junhyun Bae,Junchul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit and method for powering an integrated circuit having first and second power regulators respectively configured and arranged to provide regulated power at main and standby power levels

Номер патента: US09444456B2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti,Peter Robertson. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Providing multiple power paths in an integrated circuit

Номер патента: US09983643B2. Автор: Matthew R. Powell. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Digitally calibrated voltage regulators for power management

Номер патента: US09684745B2. Автор: Eric Yang,Michael Hsing. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Digitally calibrated voltage regulators for power management

Номер патента: US09541973B2. Автор: Eric Yang,Michael Hsing. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device, signal processing system, electronic device and method for configuring a signal processing operating mode

Номер патента: US09462556B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated Circuit Devices Having Clock Gating Circuits Therein

Номер патента: US09806695B2. Автор: Byung-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor integrated circuit deciding a power-supply voltage based on a delay test

Номер патента: US8598944B2. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

A power distribution system with a dedicated power structure and a high performance voltage regulator

Номер патента: WO2002037248A2. Автор: Istvàn Novak,Michael C. Freda,Larry D. Smith. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-05-10.

Workload-Aware Voltage Regulator Tuning

Номер патента: US20240118740A1. Автор: Shuai Jiang,Rammohan Padmanabhan,Mohamed Elgebaly,Houle Gan,Sanjay Nilamboor. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Workload-aware voltage regulator tuning

Номер патента: EP4350479A1. Автор: Shuai Jiang,Rammohan Padmanabhan,Mohamed Elgebaly,Houle Gan,Sanjay Nilamboor. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Smart Device With An Integrated Radar System

Номер патента: US20200408876A1. Автор: Jian Wang,David J. Weber,Maryam TABESH,Abhijit Aroon Shah,Camille Ann Lesko,Alexis K. Salazar. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Power Management Integrated Circuit with Bleed Circuit Control

Номер патента: US20190280602A1. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Power management integrated circuit with bleed circuit control

Номер патента: US12081113B2. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09548086B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Dual frequency HF-UHF identification integrated circuit

Номер патента: US11321599B2. Автор: Thomas Coulot. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2022-05-03.

Dual frequency hf-uhf identification integrated circuit

Номер патента: US20200349407A1. Автор: Thomas Coulot. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2020-11-05.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Voltage regulator circuit systems and methods

Номер патента: EP4105763A1. Автор: Scott Weber,Mahesh Iyer,Aravind Dasu,Eriko Nurvitadhi,Ravi Gutala,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Voltage regulator circuit including one or more thin-film transistors

Номер патента: US20240128269A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US09645598B2. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Supply Voltage Control Systems And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20210311537A1. Автор: Scott Weber,Mahesh Iyer,Aravind Dasu,Eriko Nurvitadhi,Ravi Gutala,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Systems and methods for integrating power and thermal management in an integrated circuit

Номер патента: US20190041923A1. Автор: Sean R. Atsatt,Scott J. Weber,Ravi Prakash Gutala,Aravind Raghavendra Dasu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Microelectromechanical sensor device with improved management of a power-down condition

Номер патента: EP4390623A1. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-26.

Microelectromechanical sensor device with improved management of a power-down condition

Номер патента: EP4390623A9. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Microelectromechanical sensor device with improved management of a power-down condition

Номер патента: US20240200980A1. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-20.

Controlling power consumption of a voltage regulator in a computer system

Номер патента: US09933828B2. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and system for an integrated circuit card interface device with multiple modes of operation

Номер патента: WO2001029762A3. Автор: Paul W Chau,Kerry R Matthew,Gerry W Vandenengel. Владелец: Spyrus Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Voltage regulator error detection and correction

Номер патента: EP3650977A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-05-13.

Voltage regulator error detection and correction

Номер патента: US20200150704A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-05-14.

Device, system and method to determine an operational mode of a continuous capacitive voltage regulator

Номер патента: US20230318448A1. Автор: Arvind Raghavan,Tamir Salus,Harish Krishnamurthy,Nicolas BUTZEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Device, system and method to determine an operational mode of a switched capacitor voltage regulator

Номер патента: EP4254752A1. Автор: Arvind Raghavan,Tamir Salus,Harish Krishnamurthy,Nicolas BUTZEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Voltage regulation system and method for providing power to a load

Номер патента: US09870017B2. Автор: Scott Southwell,Benjamim Tang,Tim Ng,Richard Pierson,Jinghong Guo,Amir Babazadeh,Nick Steffen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Voltage regulator disable circuit

Номер патента: US5627413A. Автор: Taha Mughir,Tom Rampone,Dave Landolf,Hal Massie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Voltage regulator disable circuit

Номер патента: CA2216274C. Автор: Taha Mughir,Tom Rampone,Dave Landolf,Hal Massie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Circuit and method for pass transistor sharing in voltage regulators

Номер патента: US20200161958A1. Автор: He Hu,Mohamed Mostafa Saber Aboudina,Moises Emanuel Robinson,Sameh Assem Ibrahim,Faisal Abdellatif Elseddeek HUSSIEN. Владелец: Vidatronic Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Circuits for impedance adjustment having multiple termination devices with switchable resistances and methods of adjusting impedance

Номер патента: US09621160B2. Автор: Qiang Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device with selectable processor core

Номер патента: WO2017035048A1. Автор: Sean STEEDMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Sensor matching device with electronic equipment

Номер патента: RU2719427C1. Автор: Михаил Викторович Чиркин,Алексей Владимирович Молчанов,Георгий Витальевич Давыдов,Владимир Владимирович Климаков,Андрей Евгеньевич Серебряков,Валерий Юрьевич Мишин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-04-17.

Integrated circuit device with protection against malicious attacks

Номер патента: EP4179446A1. Автор: Pascal Aubry,Sylvain PELISSIER. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-05-17.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09634667B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Bruce E. Byrkett,Hans Van Antwerpen,Mark E. Hastings,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit device with improved layout

Номер патента: US20240203997A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chung-Te Lin,Jerry Chang Jui Kao,Chun-Chen Chen,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated device with auto configuration

Номер патента: US09602101B2. Автор: Atish Ghosh. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: US09589612B1. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit device die with wafer/package detection circuit

Номер патента: US11842934B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: GB2609650A. Автор: Das Shidhartha,Edward Myers James. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Secure voltage regulator

Номер патента: US09941880B1. Автор: Stephen M. Trimberger,Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods, apparatus, and system for using filler cells in design of integrated circuit devices

Номер патента: US09547741B2. Автор: Uwe Paul Schroeder,Sushama Davar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and system for extending the lifetime of multi-core integrated circuit devices

Номер патента: US09488998B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Rinze Ida Mechtildis Peter Meijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Side-Channel Attack Mitigation For Secure Devices With Embedded Sensors

Номер патента: US20210150068A1. Автор: Javier Elenes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Programmable logic devices with function-specific blocks

Номер патента: EP1191696A3. Автор: Martin Langhammer,Nitin Prasad. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20150033198A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated circuit device with well tap cells

Номер патента: EP3945576A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Wun-Jie Lin,Chien Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Devices with improved integrity of digital signals

Номер патента: US20240267035A1. Автор: Preeti S. MULAGE,Venu Chandaka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Devices with improved integrity of digital signals

Номер патента: EP4411585A1. Автор: Preeti S. MULAGE,Venu Chandaka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Combined integrated injection logic and transistor-transistor logic microprocessor integrated circuit design

Номер патента: US4396980A. Автор: Hemraj K. Hingarh. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Cmos process-dependent near-threshold voltage regulation

Номер патента: US20180144985A1. Автор: Shuza Binzaid,Avadhoot Herlekar. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit device and integrated circuit layout

Номер патента: US20240363615A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method, apparatus, and system for energy efficiency and energy conservation by mitigating performance variations between integrated circuit devices

Номер патента: US09753516B2. Автор: Efraim Rotem,Avinash N. Ananthakrishnan,Doron Rajwan,Ryan D. Wells,Gary A. Andrew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and method for placing stressors on interconnects within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US09455220B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Power management integrated circuit with dual power feed

Номер патента: US20200411068A1. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

An integrated circuit device having at least one bond pad with a selectable plurality of input-output functionalities

Номер патента: EP2050134A2. Автор: Bryan Kris,J. Clark Rogers. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Power Management Integrated Circuit with Dual Power Feed

Номер патента: US20200075062A1. Автор: Matthew David Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit layout and method for manufacturing integrated circuit device using the integrated circuit layout

Номер патента: US20240370619A1. Автор: Hyung Keun Park,Bong Keun KIM,Hee JEONG,Myung Soo NOH,Yun Kyoung SONG,Da Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit package having voltage regulation circuitry

Номер патента: US09847323B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Hinged portable electronic device with display circuitry located in base

Номер патента: US09804639B2. Автор: Jun Qi,Victor H. Yin,Bryan W. Posner,Robert Y. Cao,Dinesh C. Mathew,Christiaan A. Ligtenberg,Wey-Jiun Lin,Jason N. Gomez,Eric L. Benson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-port integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09489326B1. Автор: Dinesh Maheshwari,Anuj Chakrapani. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Timing/power risk optimized selective voltage binning using non-linear voltage slope

Номер патента: US20170287756A1. Автор: Igor Arsovski,Jeanne P. Bickford,Mark W. Kuemerle,Susan K. Lichtensteiger,Jeanne H. RAYMOND. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Horizontal infrastructure handling for integrated circuit devices

Номер патента: US09989585B2. Автор: Dan Littlejohn. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Timing/power risk optimized selective voltage binning using non-linear voltage slope

Номер патента: US09865486B2. Автор: Igor Arsovski,Jeanne P. Bickford,Mark W. Kuemerle,Susan K. Lichtensteiger,Jeanne H. RAYMOND. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Configuring programmable integrated circuit device resources as processing elements

Номер патента: US09553590B1. Автор: David Lewis,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Integrated circuit devices with capacitors

Номер патента: WO2021041490A1. Автор: Clive Bittlestone,Abhijit Kumar Das,Suman BELLARY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Voltage regulator circuit and method therefor

Номер патента: US09588530B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Alexandre Pujol,Mohammed Mansri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus for bypassing a load current going through an ac-ac series voltage regulator under overcurrent condition

Номер патента: WO2018220592A1. Автор: Gordon Currie,Neal George Stewart,Jian Carlo Decena Zapata. Владелец: Edge Electrons Limited. Дата публикации: 2018-12-06.

Apparatus for bypassing a load current going through an ac-ac series voltage regulator under overcurrent condition

Номер патента: EP3631965A1. Автор: Gordon Currie,Neal George Stewart,Jian Carlo Decena Zapata. Владелец: Edge Electrons Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for measuring quiescent current in a switching voltage regulator

Номер патента: US11927624B2. Автор: Harsh PATEL,Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Aalok Dyuti SAHA,Subrato Roy,Gaurav Kumar Mittal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for measuring quiescent current in a switching voltage regulator

Номер патента: US20230417829A1. Автор: Harsh PATEL,Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Aalok Dyuti SAHA,Subrato Roy,Gaurav Kumar Mittal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for measuring quiescent current in a switching voltage regulator

Номер патента: US20240219459A1. Автор: Harsh PATEL,Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Aalok Dyuti SAHA,Subrato Roy,Gaurav Kumar Mittal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Adaptive low-power zero-cross comparator for discontinuous current mode operated switching mode power supply

Номер патента: US09473029B2. Автор: Martin Faerber,Jindrich Svorc. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for supply voltage glitch detection in a monolithic integrated circuit device

Номер патента: US09523722B2. Автор: Nir Tasher,Valery Teper,Koying Huang,Dennis Chin Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit power management verification method

Номер патента: US20130275936A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Stefano Pietri,Sunny Gupta,Benjamin J. Ehlers. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-10-17.

Increment/decrement, chip select and selectable write to non-volatile memory using a two signal control protocol for an integrated circuit device

Номер патента: WO2006014860A1. Автор: James Simons. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-09.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: US09438036B2. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-09-06.

Voltage regulator with feed-forward circuit

Номер патента: US20190220049A1. Автор: Liang Qiu,Meng Wang,John Pigott. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit device and electronic apparatus

Номер патента: US09406102B2. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US11005478B2. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device, resonator device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20190238139A1. Автор: Hideo Haneda,Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Data storage apparatus, and internal voltage trimming circuit and trimming method therefor

Номер патента: US20210050065A1. Автор: Young Jin Moon,Young Sub Yuk. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Multi-level power-domain voltage regulation

Номер патента: US20180241305A1. Автор: Vikas Vijay,Yi Cheng Chang,Miguel Mendez Villegas. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Integrated circuit voltage regulator with adaptive current bleeder circuit

Номер патента: US09917513B1. Автор: Ping-Chen Liu,Thien Le. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Distributing on chip inductors for monolithic voltage regulation

Номер патента: US12094841B2. Автор: David Hopkins,Anatoly YAKOVLEV,Hesam Fathi Moghadam,Ji Eun Jang,Michael Henry Soltau Dayringer. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Scaling voltage regulators to achieve optimized performance

Номер патента: US09557757B2. Автор: Elena Potanina,Vladislav Potanin,George Mclean,Pavel Biryulin. Владелец: Vivid Engineering Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic devices with multi-layer heat reduction components

Номер патента: US09753506B2. Автор: Robert C. Brooks,Kent E. Biggs,Robin T. Castell,Shaheen SAROOR. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-09-05.

Single-pin command technique for mode selection and internal data access

Номер патента: US09645621B2. Автор: Russell B. Fredrickson,Martin Pechanec,Jeffery A. Battles. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Configuration of Voltage Regulation Circuitry

Номер патента: US20190101946A1. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Voltage regulator and image forming apparatus that equalize required voltage of a plurality of cores included in integrated circuit

Номер патента: US09964912B2. Автор: Tetsuo Tomimatsu. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Simultaneous multi-voltage rail voltage regulation messages

Номер патента: US20130015715A1. Автор: Alon Naveh,Edward R. Stanford,II Joseph T. DiBene,Hung-Piao Ma,Kosta Luria,Annabelle Pratt,Gil Schwarzband,Jorge Pedro Rodriguez,Sean M. WeIch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Integrated circuit with reduced clock skew and divided power supply lines

Номер патента: US5376842A. Автор: Toyohiko Yoshida,Yukihiko Shimazu,Nobuhiko Honoa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Integrated circuit device and method for authenticating the hardware design of such integrated circuit device

Номер патента: WO2024079017A1. Автор: Herve Pelletier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit for controlling switchable current paths

Номер патента: US20240283237A1. Автор: Michael Robinson,Ross C. MORGAN,Neil WHYTE,Graham G. MACKAY. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit device

Номер патента: US20040044921A1. Автор: Yasutaka Sakaino,Kosuke Funabori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Evaluating on-chip voltage regulation

Номер патента: US09607118B1. Автор: Raju Balasubramanian,Erich C. Schanzenbach,Howard H. Smith,Anurag P. Umbarkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

System and Method for Determining a Guard Band for an Operating Voltage of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20080189090A1. Автор: Iwao Takiguchi,Yoichi Nishino,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,Yaping Zhou,Brian Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

High voltage high current vacuum integrated circuit

Номер патента: US09711287B2. Автор: Curtis A Birnbach. Владелец: ADVANCED FUSION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Bus control system for integrated circuit device with improved bus access efficiency

Номер патента: US20010010063A1. Автор: Yoshio Hirose,Hiroyuki Utsumi,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Automatic generation of sub-cells for an analog integrated circuit

Номер патента: US12118287B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Control block size reduction through IP migration in an integrated circuit device

Номер патента: US09619610B1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Techniques for compiling and generating a performance analysis for an integrated circuit design

Номер патента: US09489480B1. Автор: Benjamin Gamsa,Gordon Raymond Chiu,Paul Mark Leventis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Control block size reduction through ip migration in an integrated circuit device

Номер патента: US20170098026A1. Автор: Chee Yong Ew. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Display device with common voltage compensation

Номер патента: US09952717B2. Автор: Seungpyo Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Post-layout thermal-aware integrated circuit performance modeling

Номер патента: US09721059B1. Автор: Tamilmani Ethirajan,Janakiraman VIRARAGHAVAN,Ananth Sundaram,Ashwin SRINIVAS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers

Номер патента: US09824254B1. Автор: Giovanni Gozzini,Mohammad YEKE YAZDANDOOST,Jean-Marie Bussat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Reconfigurable integrated circuit device

Номер патента: US09552328B2. Автор: Takashi Hanai,Hayato Higuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Computer security device with protectively mounted lcd

Номер патента: WO2008021423A2. Автор: Noah L. Anglin. Владелец: Aladdin Knowledge Systems. Дата публикации: 2008-02-21.

Detection Method for Identifying Unintentionally Forward-Biased Diode Devices in an Integrated Circuit Device Design

Номер патента: US20090089724A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Arnold E. Baizley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of unlocking an operation of a device with a tiny rfid tag embedded on an integrated circuit

Номер патента: US20230289539A1. Автор: Scott Robert Hansen,Louisa Marie Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-14.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: EP1010111A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Reusable modules for complex integrated circuit devices

Номер патента: WO1999012112A1. Автор: Son Ngoc Nguyen. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1999-03-11.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Target system, debugging system, integrated circuit device, microcomputer and electronic apparatus

Номер патента: US20060190787A1. Автор: Makoto Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Method and Apparatus for Host Adaptation to a Change of Persona of a Configurable Integrated Circuit Die

Номер патента: US20190146943A1. Автор: Utkarsh Y. Kakaiya,Joshua David Fender. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Electronic Device With Protected Light Sources

Номер патента: US20240192488A1. Автор: Fletcher R. Rothkopf,James W. VanDyke. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US10474778B2. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Systems and methods for top level integrated circuit design

Номер патента: US20190171783A1. Автор: Alexander Martfeld. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Short circuit current ratcheting in switch mode dc/dc voltage regulators

Номер патента: US20100157487A1. Автор: Andrew Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Short circuit current ratcheting in switch mode dc/dc voltage regulators

Номер патента: US20110128654A1. Автор: Andrew Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Integrated circuit comprising a device with a vertical mobile element integrated in a supporting substrate and method for manufacturing the device with a mobile element

Номер патента: EP2428487A1. Автор: Perceval Coudrain,Alexis Farcy,Fabrice Casset,Pascal Ancey,Laurent-Luc Chapelon,Lionel Cadix,Yacine 29 Felk. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-03-14.

Switch-mode power supply voltage regulator and methodology

Номер патента: US20060097705A1. Автор: Eugene Cheung,Talbott Houk. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2006-05-11.

Integrated circuit (ic) testing device with conduction interface

Номер патента: US20070272924A1. Автор: Chu Yung-Sing. Владелец: Tangerine System Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Pseudo fixed frequency switch-mode DC/DC voltage regulator control method

Номер патента: US8446136B2. Автор: Matt Schindler. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Switching voltage regulator with bi-polar load regulation

Номер патента: US20240055987A1. Автор: Daibashish Gangopadhyay,Terry J. Groom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Voltage regulation circuit and control method thereof

Номер патента: WO2023197208A1. Автор: PENG Guo. Владелец: PENG Guo. Дата публикации: 2023-10-19.

Circuit for limiting duty ratio in a switched-mode regulator, and method for operating a switched-mode regulator

Номер патента: WO2015032529A1. Автор: Carsten Hermann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-03-12.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same

Номер патента: US09425319B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated circuit of driving device with different operating voltages

Номер патента: US9368570B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-06-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Switching mode N-order circuit

Номер патента: US20040000943A1. Автор: Chen-Yu Hsiao,Ming-Hsiang Chiou. Владелец: Frontend Analog and Digital Tech Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

An integrated circuit device suitable for use in a financial transaction processing system

Номер патента: WO2017149425A1. Автор: Renato VALENCIA,Jonathan BORJA,Apolinar CUEVA,Hilary DE LEON,Leah MARQUEZ,Francisco RONDILLA. Владелец: VALENCIA RENATO. Дата публикации: 2017-09-08.

Neuron learning type integrated circuit device using a plurality of synapses, a soma, transistors, a zener diode, and condensers

Номер патента: US09501739B2. Автор: Hiroshi Nomura,Yasuo Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US09969355B2. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for controlling the operating modes of the transformer voltage regulator under load

Номер патента: RU2761174C1. Автор: Дмитрий Иванович Панфилов,Михаил Георгиевич Асташев,Александр Николаевич Рожков,Павел Ахматович Рашитов,Михаил Игоревич Петров,Александр Владимирович Горчаков. Владелец: Акционерное общество высоковольтного оборудования "Электроаппарат" (АО ВО "Электроаппарат"). Дата публикации: 2021-12-06.

Switching pulse-width modulated voltage regulator and method of controlling a switching pulse-width modulated voltage regulator

Номер патента: US8963519B2. Автор: Osvaldo Enrico Zambetti,Daniele Giorgetti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-02-24.

CIRCUIT FOR PULSE DUTY FACTOR LIMITATION IN A SWITCH MODE REGULATOR, AND METHOD FOR OPERATING A SWITCH MODE REGULATOR

Номер патента: US20160207405A1. Автор: Hermann Carsten. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20240219943A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated switch-mode power supply and linear regulator

Номер патента: CA2603699C. Автор: Dusan Veselic. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Monitoring copper corrosion in an integrated circuit device

Номер патента: US12130241B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Integrated circuit device with tamper detection input and having real time clock calendar logging thereof

Номер патента: US09602895B2. Автор: Michael Simmons,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: US20240345229A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked filter assembly for optical integrated circuit package with an optical filter mounted to an optical integrated circuit device by a discrete semiconductor spacer block

Номер патента: EP4447472A1. Автор: Colin Campbell,Marco Antonelli,Bhagya Prakash Bandusena,Calum RITCHIE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including a voltage regulator and an integrated circuit module

Номер патента: US11940822B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor Device Including a Voltage Regulator and an Integrated Circuit Module

Номер патента: US20220413527A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method and apparatuses for regulating the output voltage of a voltage regulator

Номер патента: US11968755B2. Автор: Christian Schmitz,Carsten Leitner,Thomas Geistert,Andre′ Krieger. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US20170219520A1. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Tunable integrated voltage regulator

Номер патента: WO2023154415A1. Автор: Mudit Sunilkumar Khasgiwala,Meghna Maheshkumar Patel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit device with adaptations for multiplexed biosensing

Номер патента: US09709524B2. Автор: Yi-Shao LIU,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication

Номер патента: WO2008157779A3. Автор: Yong Du,Terrence Caskey,Scott McGrath,Simon J S Mcelrea,Lawrence Douglas Andrews. Владелец: Lawrence Douglas Andrews. Дата публикации: 2009-04-16.

Authentication in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US20180309367A1. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Control techniques in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US20180375431A1. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Control techniques in voltage regulation systems, and related methods and circuits

Номер патента: US10855180B2. Автор: Timothy Phillips,Gene Sheridan,David Lidsky. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Voltage Regulation Using Local Feedback

Номер патента: US20220066490A1. Автор: Victor Zyuban,Shawn Searles,Mohamed Abu-Rahma. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Voltage Regulation Using Local Feedback

Номер патента: US20220300022A1. Автор: Victor Zyuban,Shawn Searles,Mohamed Abu-Rahma. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Voltage regulation using local feedback

Номер патента: US11675380B2. Автор: Victor Zyuban,Shawn Searles,Mohamed Abu-Rahma. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Voltage regulation for increased robustness in indirect time-of-flight sensors

Номер патента: US20230147085A1. Автор: ZHENG Yang,Andreas Suess,Qi NIU. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Packaged integrated circuit device with built-in baluns

Номер патента: EP4071807A1. Автор: Antonius Johannes Matheus De Graauw,Cicero Silveira Vaucher,Waqas Hassan Sayed. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

A light emitting diode, led, driver arranged for driving at least one led, as well as a corresponding led based lighting device, integrated circuit, ic, and method

Номер патента: EP4190128A1. Автор: Bertrand Johan Edward Hontele,Theo Gerrit Zijlman,Henricus Marius Joseph Maria Kahlman. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-06-07.

A light emitting diode, led, driver arranged for driving at least one led, as well as a corresponding led based lighting device, integrated circuit, ic, and method

Номер патента: WO2022023088A1. Автор: Bertrand Johan Edward Hontele,Theo Gerrit Zijlman,Henricus Marius Joseph Maria Kahlman. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit device structures and double-sided electrical testing

Номер патента: US20240194533A1. Автор: Paul Fischer,Kevin O'Brien,Patrick Morrow,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Bruce Block,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

3d semiconductor package with die-mounted voltage regulator

Номер патента: EP4454014A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

A light emitting diode, led, driver arranged for driving at least one led, as well as a corresponding led based lighting device, integrated circuit, ic, and method

Номер патента: US20230319961A1. Автор: Bertrand Johan Edward Hontele,Theo Gerrit Zijlman,Henricus Marius Joseph Maria Kahlman. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-10-05.

MRAM embedded smart power integrated circuits

Номер патента: US20070002609A1. Автор: Young Chung,Mark Durlam,Robert Baird,Eric Salter,Gregory Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Digital low-dropout voltage regulator

Номер патента: US11733724B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Po-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Digital low-dropout voltage regulator

Номер патента: US12093065B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Po-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Optical integrated circuit package

Номер патента: US09939596B2. Автор: Ho-Chul Ji,In-sung Joe,Keun-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Active matrix using hybrid integrated circuit and bipolar transistor

Номер патента: US09472607B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Switched-Mode Power Supply with Loop Gain Reduction

Номер патента: US20230396166A1. Автор: Salvador Carreon-Bautista. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Switched-mode power supply with loop gain reduction

Номер патента: WO2023235510A1. Автор: Salvador Carreon-Bautista. Владелец: AyDeeKay LLC dba Indie Semiconductor. Дата публикации: 2023-12-07.

Gate Drivers and Voltage Regulators for Gallium Nitride Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20200007091A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Trim/test interface for devices with low pin count or analog or no-connect pins

Номер патента: US11705169B2. Автор: Rajat Chauhan,Divya Kaur,Rishav Gupta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333128A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit capable of providing a stable reference current and an electronic device with the same

Номер патента: US09710007B2. Автор: Hsu-Che Nee,Yi-Hsien Cheng,Liang-Hsin Chen. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Intergrated circuit devices including an interfacial dipole layer

Номер патента: US09620612B2. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Improvements in or relating to ferroresonant voltage regulator devices

Номер патента: GB1255239A. Автор: . Владелец: North Electric Co. Дата публикации: 1971-12-01.

Selectively adjustable voltage detection integrated circuit

Номер патента: US4377781A. Автор: Asakawa Tatsushi,Morozumi Shinji. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1983-03-22.

Selectively adjustable voltage detection integrated circuit

Номер патента: US4258310A. Автор: Shinji Morozumi,Tatsushi Asakawa. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-03-24.

High performance integrated circuit regulator with substrate transient suppression

Номер патента: US20030050026A1. Автор: Daniel Mccarthy,Lawrence Connell,Michael Bushman,Neal Hollenbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Low leakage circuits, devices, and techniques

Номер патента: US20130257500A1. Автор: Mark Alan Lemkin. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Interconnection structure for integrated circuit package

Номер патента: US20240266278A1. Автор: Yi Sun,Heng Yang,Deming Xiao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device, memory cell and method

Номер патента: US20240312492A1. Автор: Chia-Che Chung,Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chun-Tse CHOU,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chia-Chi HUNG,Pei-Yuan LI,Chien Hui Huang,Yung-Ning Tu,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanoprobing an integrated circuit device structure

Номер патента: WO2010076136A1. Автор: Mark Eliot Masters,Paul Davis Bell,David Stuart Patrick. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-08.

Ophthalmic device with thin film nanocrystal integrated circuits

Номер патента: US09429769B2. Автор: Frederick A. Flitsch,Randall B. Pugh. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit device with an internal voltage-down converter

Номер патента: US5451896A. Автор: Shigeru Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Method of fabricating a device with ESD and I/O protection

Номер патента: US7883947B1. Автор: Shiann-Ming Liou,Chuan-Cheng Cheng,Choy Hing Li. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Efficiency-optimizing, calibrated sensorless power/energy conversion in a switch-mode power supply

Номер патента: EP2647115A2. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Clifford Ellison,Keith Pazul. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Efficiency-optimizing, calibrated sensorless power/energy conversion in a switch-mode power supply

Номер патента: WO2012074806A3. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Clifford Ellison,Keith Pazul. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-12-27.

U-turn circuitry to convert inter-layer connections of an integrated circuit device to intra-layer connections

Номер патента: US20240194645A1. Автор: Brian C. Gaide,Jay T. Young,Sundeep Ram Gopal Agarwal,Davis Boyd MOORE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-pixel display device with light-guiding structures and light-emitting semicondutor chips disposed on interated circuit

Номер патента: US11984435B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Hybrid voltage regulator using bandwidth suppressed series regulator and associated voltage regulating method

Номер патента: EP3650978A1. Автор: Chun-Wei Chang,Song-Yu Yang,Ang-Sheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit device, voltage regulation circuitry and method for regulating a voltage supply signal

Номер патента: US09429966B2. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit with determinate power source control

Номер патента: US5847552A. Автор: Alan E. Brown. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1998-12-08.

Voltage converter integrated circuit with an integrated bootstrap capacitor

Номер патента: US09917584B2. Автор: Jian Jiang,Yike Li,Changjiang Chen,Junyong Gong. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Controller IC device for a switched mode power converter and method for operating a controller IC device of a switched mode power converter

Номер патента: US09941803B1. Автор: Hans Halberstadt,Peter Theodorus Johannes Degen,Jacobus Peeters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-04-10.

Linear voltage regulator with isolated supply current

Номер патента: US11960311B2. Автор: Adam S. Trock,Seth N. Kazarians,Jalal Elidrissi,Fatemeh Delijani. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: WO2014160014A1. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Cooper Technologies Company. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods for bypassing a voltage regulator

Номер патента: CA2903063C. Автор: Daniel Joseph Daley,Richard John Kaluzny. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Voltage regulator with frequency response correction

Номер патента: US6841978B2. Автор: Bernhard Schaffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Permanent insulation monitor verifying device, has printed circuit board connecting components including integrated circuit and display device with green LED and red LED for indicating functioning of electric assembly

Номер патента: FR2929014A1. Автор: Serge Fiolleau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-25.

Voltage regulator and methods of regulating a voltage, including examples of compensation networks

Номер патента: US11940829B2. Автор: Nguyen Trieu Luan Le,Lionel Guiraud. Владелец: Scalinx. Дата публикации: 2024-03-26.

Voltage Regulator Circuit

Номер патента: US20130271094A1. Автор: Zhen Yang,Kaihua Zheng,Amanda Sun. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-10-17.

Voltage regulator with frequency response correction

Номер патента: US20040207374A1. Автор: Bernhard Schaffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Voltage regulators with current reduction mode

Номер патента: US09946276B2. Автор: Frank Kronmueller,Ambreesh Bhattad,Hande Kurnaz. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fast settling low dropout voltage regulator

Номер патента: US09939831B2. Автор: Sridhar Yadala,Saurabh Verma,Subodh Taigor. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Low-power voltage regulator with fast transient response

Номер патента: EP4281840A1. Автор: Masoud Roham,Xiaopeng ZHONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Voltage regulator

Номер патента: US20050242794A1. Автор: Wen-Cheng Yen,Cheng-Chung Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Electronic circuit for voltage regulation

Номер патента: US20210240212A1. Автор: Hiroyuki Kimura. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Protection circuit for a voltage regulator

Номер патента: US4161759A. Автор: Manfred Stein. Владелец: Mannesmann VDO AG. Дата публикации: 1979-07-17.

Voltage regulator circuit with current limiter

Номер патента: WO2022066237A1. Автор: Kenneth Colin Dyer. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Voltage regulator circuit with current limiter

Номер патента: EP4217816A1. Автор: Kenneth Colin Dyer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Voltage regulator with adjustable feedback

Номер патента: US09874887B2. Автор: Shouli Yan,Alan Westwick. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Power management integrated circuit and display device with it

Номер патента: KR102539255B1. Автор: 김동규,장원용,조대명,한상수,강병수. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2023-06-02.

Voltage regulator with performance compensation

Номер патента: US20190138041A1. Автор: Arvind Sherigar,Shishir Goyal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-05-09.

Voltage regulation system

Номер патента: US20240036596A1. Автор: Leonid Minz,Ekram H. Bhuiyan,Leon Zlotnik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Voltage Regulator that Can Operate with or without an External Power Transistor

Номер патента: US20120161733A1. Автор: Jun Hua,Gary L. Stirk. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Voltage regulator circuit with current limiter stage

Номер патента: US20220091623A1. Автор: Kenneth Colin Dyer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Voltage regulators with sliced pole tracking and method

Номер патента: EP4354248A1. Автор: Frederic Darthenay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-17.

Voltage regulators with sliced pole tracking

Номер патента: US20240126311A1. Автор: Frederic Darthenay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-18.

Voltage regulator based on punch-through sensor

Номер патента: US4736154A. Автор: Grigory Kogan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1988-04-05.

Voltage regulator circuit with adaptive current limit and method for operating the voltage regulator circuit

Номер патента: US20130320942A1. Автор: Madan Mohan Reddy Vemula. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-12-05.

Voltage regulator with welded lead frame connectors and method of making

Номер патента: WO2007106201A3. Автор: Ray Smith,Mario Cespedes,Terry Haskin,An Huu Nguyen,John Lasek. Владелец: Wetherill Associates Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Voltage regulator with welded lead frame connectors and method of making

Номер патента: WO2007106201A2. Автор: Ray Smith,Mario Cespedes,Terry Haskin,An Huu Nguyen,John Lasek. Владелец: Wetherill Associates, Inc.. Дата публикации: 2007-09-20.

Gate Drivers and Voltage Regulators for Gallium Nitride Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20200007119A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Switched-mode electronic power device

Номер патента: US7782637B2. Автор: Luigi Arcuri,Leonardo Fragapane,Lorenzo Maurizio Selgi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-08-24.

Switched-mode electronic power device

Номер патента: US20080002446A1. Автор: Luigi Arcuri,Leonardo Fragapane,Lorenzo Selgi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-03.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US09573367B2. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Pulse width modulation integrated circuit chip

Номер патента: US20030034853A1. Автор: Chin-Kuo Chou. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Complementary converter for switch mode power supply

Номер патента: US09699842B2. Автор: Andrew Davis,Brent Dae Hermsmeier,Matthew Whitlock,James A. Allen, JR.. Владелец: Licon Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

User-configurable, efficiency-optimizing, calibrated sensorless power/energy conversion switch-mode power supply with a serial communications interface

Номер патента: WO2012075225A3. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Clifford Ellison,Keith Pazul. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-07-26.

User-configurable, efficiency-optimizing, calibrated sensorless power/energy conversion switch-mode power supply with a serial communications interface

Номер патента: WO2012075225A2. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Clifford Ellison,Keith Pazul. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-06-07.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US10818632B1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US09935076B1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20240243012A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US11967528B2. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20230335440A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: WO2016048649A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: EP3198634A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Microelectromechanical system (MEMS) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3D IC) integration

Номер патента: US09922956B2. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply

Номер патента: EP2671320A1. Автор: Paul Fowers,Patrick Stanley Riehl. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply

Номер патента: WO2012104038A1. Автор: Paul Fowers,Patrick Stanley Riehl. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator module

Номер патента: US8716855B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

With the LED light engine of Alternating Current Power Supply and integrated circuit and lighting device with the LED light engine

Номер патента: CN104902614B. Автор: 王志良,陈光辉,余金生. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-23.

Heterogeneous integration structure with voltage regulation

Номер патента: US20240215270A1. Автор: Arvind Kumar,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150102422A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH LOWER CONTACT RESISTANCE AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140217517A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH SOURCE/DRAIN-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193652A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH CHANNEL-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193836A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING FINFET DEVICES WITH SHALLOW TRENCH ISOLATION THAT INCLUDES A THERMAL OXIDE LAYER AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140353795A1. Автор: Liu Huang,KIM Seung,Shen Hongliang,Liu Jin Ping,TONG Wei Hua. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH UNIFIED TRANSISTOR STRUCTURE AND VOLTAGE REGULATOR DIODE

Номер патента: US20220069119A1. Автор: NASU Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated voltage regulating circuit useful in high voltage electronic encoders

Номер патента: WO1997033354A1. Автор: Kent Hewitt. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1997-09-12.

Power safety circuit, integrated circuit device and safety critical system

Номер патента: US09620992B2. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Ground fault circuit interrupting device with improved coordination of electronic circuit operation

Номер патента: CA1183251A. Автор: Edward K. Howell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-02-26.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Microcontroller with integral switch mode power supply controller

Номер патента: US6456044B1. Автор: Hartono Darmawaskita. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Device comprising chip and integrated circuit

Номер патента: US20160204602A1. Автор: Wolfgang Horn,Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Multipurpose, internally configurable integrated circuit for driving a switching mode external inductive loads according to a selectable connection scheme

Номер патента: USRE35806E. Автор: Domenico Rossi,Andrea Cuomo,Giovanni Pietrobon. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor integrated circuit with surge-protected output MISFET's

Номер патента: US5608594A. Автор: Yasuhiro Fukuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Integrated circuit electrostatic discharge protection

Номер патента: US20170302066A1. Автор: Wei Gao,Yi Lu,Handoko Linewih. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Embedded battery overtemperature protection and voltage regulator circuitry

Номер патента: US5731686A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Voltage regulating device

Номер патента: EP1020988A4. Автор: Shiro Iwatani,Tsuneji Goda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-08.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Low drop-out voltage regulator and a method of providing a regulated voltage

Номер патента: US09529374B2. Автор: Jerome Enjalbert,Marianne Maleyran,Jalal Ouaddah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Reducing voltage regulator transistor operating temperatures

Номер патента: US09791880B2. Автор: Mahesh Madhavan Kumbaranthodiyil,Jeremy R. Gorbold. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-17.

Voltage regulator, application-specific integrated circuit and method for providing a load with a regulated voltage

Номер патента: US09841777B2. Автор: Jerome Enjalbert,Jalal Ouaddah,Joachim Kruecken. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Voltage regulator with extended minimum to maximum load current ratio

Номер патента: US09588531B2. Автор: Marcos M. Pelicia,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US09804223B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit for generating an internal power source voltage with reduced potential changes

Номер патента: US5592421A. Автор: Tetsuya Kaneko,Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Testing an integrated circuit device with multiple testing protocols

Номер патента: US20130218507A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-08-22.

Data retention secondary voltage regulator

Номер патента: EP2440985A1. Автор: Douglas C. SESSIONS. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Memory devices with low pin count interfaces, and corresponding methods and systems

Номер патента: US11562781B1. Автор: Stephan Rosner,Clifford Zitlaw,Avi Avanindra. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-24.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20100034036A1. Автор: Sun Hwa Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Post-package trimming of analog integrated circuits

Номер патента: US20030038649A1. Автор: Kevin D'Angelo. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

High unity gain bandwidth voltage regulation for integrated circuits

Номер патента: US09588533B2. Автор: Raed Moughabghab. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Voltage regulation system for integrated circuit

Номер патента: US09436191B2. Автор: Nishant Singh Thakur. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Structured lighting microscopy with linear scanning

Номер патента: RU2736104C1. Автор: Минхао ГО. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-11-11.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Reduced cost, high speed integrated circuit test arrangement

Номер патента: US20020109523A1. Автор: Wilbur Vogley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Source driver integrated circuit and display driving device

Номер патента: US11721293B2. Автор: Seung Hwan Ji,Jung Bae YUN,Ho Sung Hong,Ye Ji Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Circuit to improve load transient behavior of voltage regulators and load switches

Номер патента: US09891643B2. Автор: Faisal Abdellatif Elseddeek Ali Hussien,Mohamed Mostafa Saber Aboudina,Moises Emanuel Robinson,Mohamed Ahmed Mohamed El-Nozahi,Sameh Ahmed Assem Mostafa Ibrahim. Владелец: Vidatronic Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and apparatus for automatically controlling integrated circuit supply voltages

Номер патента: US5939868A. Автор: Jerald Nevin Hall,Thomas A. Rampone,Kirk Tyler Byers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

System and apparatus for trusted and secure test ports of integrated circuit devices

Номер патента: US09810736B2. Автор: Rodrick Cottrell,Dee C. Neuenschwander. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for conforming device testers to integrated circuit device with pressure relief valve

Номер патента: US09383406B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120161807A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20110043215A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US9075109B2. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Single level of metal test structure for differential timing and variability measurements of integrated circuits

Номер патента: US20120166898A1. Автор: Mark B. Ketchen,Manjul Bhushan,Chin Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Stable center wavelength performance in non-rectilinearly shaped optical integrated circuit chip

Номер патента: WO2008076573A2. Автор: Liang Zhao,Calvin Ho,Thomas S. Tarter,Brian McGinnis,Wilson Long,Ed Fontecha,David J. Quirke,Sam Seto. Владелец: NEOPHOTONICS CORPORATION. Дата публикации: 2008-06-26.

Stable center wavelength performance in non-rectilinearly shaped optical integrated circuit chip

Номер патента: EP2074453B1. Автор: Liang Zhao,Calvin Ho,Thomas S. Tarter,Brian McGinnis,Wilson Long,Ed Fontecha,David J. Quirke,Sam Seto. Владелец: Neophotonics Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

Stable center wavelength performance in non-rectilinearly shaped optical integrated circuit chip

Номер патента: WO2008076573A3. Автор: Liang Zhao,Calvin Ho,Brian McGinnis,Wilson Long,Ed Fontecha,Sam Seto,David J Quirke,Thomas S Tarter. Владелец: Thomas S Tarter. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit testing architecture

Номер патента: US09506980B2. Автор: JIN Pan,John M. Peterson,Abram M. Detofsky,Brett D. Grossman,Ronald K. Minemier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Scalable voltage regulator to increase stability and minimize output voltage fluctuations

Номер патента: US09454167B2. Автор: Elena Potanina,Vladislav Potanin. Владелец: Vivid Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Voltage regulator with enhanced transient regulation and low-power sub regulator

Номер патента: US11899480B2. Автор: James Lin,Colin Tse. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit devices for driving conductors to target voltage levels

Номер патента: US20210134368A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8493290B2. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Interactive electronic device with digital and analog data links

Номер патента: EP1905178A2. Автор: Kyle R. Bleyle,Ray J. Cappello,Donald W. Stucke. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor device with phase comparator comparing phases between internal signal and external signal

Номер патента: US6833723B2. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Linear voltage regulator

Номер патента: EP4238209A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Optical fiber mounts for printed circuit boards and integrated circuit device packages

Номер патента: US20240345324A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Benjamin DUONG,Marcel SAID,Soham Agarwal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for testing a multi-die integrated circuit device

Номер патента: US20200103464A1. Автор: Michael Fridburg,Erez Menahem,Peter Brokhman. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Placing integrated circuit devices using perturbation

Номер патента: US09638747B2. Автор: Christopher R. Schroeder,Paul J. Diglio,Nader N. Abazarnia,Morten S. Jensen,Rene J. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

System and method for multi-mode low power voltage regulator

Номер патента: US6084385A. Автор: Raj Nair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Memory Device with Internal Combination Logic

Номер патента: US20160307611A1. Автор: Mark Alan McClain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: EP1966654A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Multimode electronic device with calibrating/setting mechanism

Номер патента: WO2007074146A1. Автор: MARTIN Dietrich,Hans Schnell,Wolfgang Burkhardt,Gerhard Stotz,Michel Plancon,Ulrich Kalmbach. Владелец: Timex Group B.V.. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Electronic device and modulating device with short frame time length

Номер патента: EP4239622A1. Автор: Yi-Hung Lin,Cheng-Hung Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Reconfigurable topology for switching and linear voltage regulators

Номер патента: US20090033309A9. Автор: Fredrick Trafton,Sujanto Gunawan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for regulating a voltage using a linear voltage regulator

Номер патента: US20090059628A1. Автор: Seongwon Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

A reconfigurable topology for switching and linear voltage regulators

Номер патента: WO2004063865A2. Автор: Fredrick W. Trafton,Sujanto Gunawan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2004-07-29.

Electronic device and modulating device with short frame time length

Номер патента: US12112719B2. Автор: Yi-Hung Lin,Cheng-Hung Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic devices with displays and interposer structures

Номер патента: US12112681B2. Автор: Baris CAGDASER,Michael Slootsky,Alejandro X Levander,Patrick B Bennett,Steven M Scardato,Henry C Jen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device with internal combination logic

Номер патента: US09646661B2. Автор: Mark Alan McClain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Locking device with integrated circuit board

Номер патента: US09528295B2. Автор: Scott B. Lowder,Todd C. Zimmer,Jeff P. Tonon. Владелец: Sargent Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Locking device with integrated circuit board

Номер патента: US09512645B2. Автор: Scott B. Lowder,Todd C. Zimmer,Jeff P. Tonon. Владелец: Sargent Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Monolithic integrated voltage regulator

Номер патента: US3946303A. Автор: Klaus Streit,Karl Staiger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1976-03-23.

Voltage regulation

Номер патента: US11869603B2. Автор: June Lee,Shuai Xu,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit device, electronic apparatus and method for manufacturing of electronic apparatus

Номер патента: US20110029115A1. Автор: Hideki Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Test head structure for integrated circuit tester

Номер патента: EP1051751A2. Автор: Charles A. Miller,John C. Hanners. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US12085587B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Hybrid shielding sockets with impedance tuning for integrated circuit device test tooling

Номер патента: US20240345132A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Hin Lum Lee. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Single event effects immune linear voltage regulator

Номер патента: US09946284B1. Автор: Lance Leroy Sundstrom. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of detecting irregular current flow in an integrated circuit device and apparatus therefor

Номер патента: US09606064B2. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Fleshel,Yoav Weizman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit device and method therefor

Номер патента: US09435862B2. Автор: Heiko Ahrens,Vladimir Litovchenko,Andreas Roland Stahl. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A9. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Integrated Circuit Devices Having Selectively Enabled Scan Paths With Power Saving Circuitry

Номер патента: US20110320896A1. Автор: Hoijin Lee,Seok-Il KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Architecture and method for testing of an integrated circuit device

Номер патента: WO2007024656A3. Автор: Adrian E Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-22.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

SOC with integrated voltage regulator using preformed MIM capacitor wafer

Номер патента: US09691701B2. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Voltage regulating device

Номер патента: US20220028844A1. Автор: Claire Laporte,David Auchere,Deborah COGONI,Laurent Schwartz. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2022-01-27.

Voltage regulating device

Номер патента: US12051681B2. Автор: Claire Laporte,David Auchere,Deborah COGONI,Laurent Schwartz. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

An integrated circuit substrate containing photoimageable dielectric material and method of producing thereof

Номер патента: MY182410A. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Co-integrated iii-n voltage regulator and rf power amplifier for envelope tracking systems

Номер патента: US20180331082A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit device with field programmable optical array

Номер патента: US09608728B1. Автор: Jon Long,Sergey Yuryevich Shumarayev,Weiqi Ding,Mike Peng Li,Joel Martinez. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof

Номер патента: US20180209046A1. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit devices with source/drain regions including multiple segments

Номер патента: US09443852B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Bok-Young LEE,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical meander inductor for small core voltage regulators

Номер патента: US09490313B2. Автор: Kevin P. O'brien,Christopher J. Jezewski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09437701B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit device with embedded programmable logic

Номер патента: EP4366171A3. Автор: Arifur Rahman,Bernhard Friebe. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Reducing jitter in mixed-signal integrated circuit devices

Номер патента: US20020163456A1. Автор: Ian Dedic. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Method and apparatus for active voltage regulation in optical modules

Номер патента: US20140185637A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-03.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Switch flow module on an integrated circuit for aggregation in data center network switching

Номер патента: US20220321499A1. Автор: Stephen Diferdinando. Владелец: Brightways Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Protective barrier for integrated circuit packages housing a voltage regulator and a load

Номер патента: US09966345B1. Автор: Gregory Sizikov,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and apparatus for active voltage regulation in optical modules

Номер патента: US09431792B2. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated circuit devices with hybrid metal lines

Номер патента: US20240203869A1. Автор: Leonard P. GULER,Charles Henry Wallace,Sukru Yemenicioglu,Nikhil Jasvant Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190206995A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Integrated digital- and radio-frequency system-on-chip devices with integral passive devices in package substrates, and methods of making same

Номер патента: EP2656385A1. Автор: Valluri Rao,Telesphor Kamgaing. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US12132049B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit device with programmable analog subsystem

Номер патента: US09960773B2. Автор: Dennis R. Seguine,Eashwar Thiagarajan,Mark Hastings,Hans Klein,Jean-Paul Vanitegem,Jaskarn Singh Johal,Harold M. Kutz,Onur Ozbek,Kendall V. Castor-Perry,Amsby D. Richardson, JR.,Anasuya Pai Maroor,Ata Khan,Carl Ferdinand Liepold. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US09627337B2. Автор: Tai-Hung Lin,Chang-Tien Tsai,Jung-Fu Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Interposer including voltage regulator and method therefor

Номер патента: US8193799B2. Автор: Stephen V. Kosonocky,Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Device with multi-channel bonding

Номер патента: US12028168B2. Автор: Ingo Volkening,Amos Klimker,Rafi Abraham. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20200153438A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Systems and methods for routing data across regions of an integrated circuit

Номер патента: US20190165789A1. Автор: Sean R. Atsatt,Herman Henry Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Integrated circuit (ic) module comprising an integrated circuit (ic) package and an interposer with embedded passive components

Номер патента: WO2017040714A1. Автор: Yue Li,Ruey Kae Zang,Ryan David Lane,Charles David Paynter. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Compound semiconductor monolithic integrated circuit device with transistors and diodes

Номер патента: US20200013774A1. Автор: Hsi-Tsung Lin,Yan-Cheng Lin,Sheng-Hsien LIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit devices including fin shapes

Номер патента: US09899393B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607938B2. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Voltage regulation and latch-up protection circuits

Номер патента: US5212616A. Автор: Robert L. Franch,Sang H. Dhong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-05-18.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

IrDA modulation/demodulation integrated circuit device

Номер патента: US6526270B1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device

Номер патента: WO2009134199A1. Автор: Peter Lindberg,Christian Braun,Andrei Kaikkonen,Stefen LÖFGREN. Владелец: LAIRD TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device with printed circuit board noise reduction using elastomeric damming and damping structures

Номер патента: US09596756B2. Автор: Michael Eng,Connor R. Duke,Kieran Poulain,Sung Woo Yoo,Mingzhe Li,Jeffrey M. Thoma,James W. Bilanski,Amanda R. Rainer,Miguel Alejandro Lara-Pena,Weng Choy Foo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Soc with integrated voltage regulator using preformed mim capacitor wafer

Номер патента: US20170256489A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Soc with integrated voltage regulator using preformed mim capacitor wafer

Номер патента: US20170018497A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Image processing device, image processing system, image processing method, image processing program, and integrated circuit device

Номер патента: EP1722327A9. Автор: Yasuhiro c/o Mat.Elec.Ind.Co. Ltd. KUWAHARA,Akio c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. KOJIMA,Haruo c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. YAMASHITA,Takeshi c/o Mat. Elec. Ind. Co. Ltd. ITO. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Modulator module in an integrated circuit device

Номер патента: EP2389724A1. Автор: Keith Curtis,Vivien Delport,Sean STEEDMAN,Jerrold S. Zdenek,Zeke R. Lundstrum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Integrated circuit device with interconnects made of layered topological materials

Номер патента: WO2024115987A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd Gotsmann,Bogdan ZOTA,Alan Molinari,Lorenzo Rocchino. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit system with contact distribution film

Номер патента: US8685861B2. Автор: Ranbir Singh,Peter Chew,Nace Rossi,Jovin Lim,Chih Ping Yong,Chuin Boon Yeap,Hoon Lian Yap. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit including at least one nano-ridge transistor

Номер патента: US20200075750A1. Автор: Robert Langer,Niamh Waldron,Bernardette Kunert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for bonding an integrated circuit device to a glass substrate

Номер патента: US20030019573A1. Автор: SAKAE Tanaka,Ta-Ko Chuang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Integrated circuit, analog-digital converter and cmos image sensor with the same

Номер патента: US20140346320A1. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: US20240284686A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit pulse generators

Номер патента: US20120319753A1. Автор: Min-Su Kim,Yong-jin Yoon,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US20230197690A1. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

High performance integrated radio frequency circuit devices

Номер патента: US20010048340A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: US20020144161A1. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: EP4432807A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US12087738B2. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: EP1246457A3. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-19.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: US6907536B2. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-14.

Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos field-effect transistors

Номер патента: WO2000067325A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars Henrik Mucke,Lars G. Jansson. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: US20240332299A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: US20240363605A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked integrated circuit device including integrated capacitor device

Номер патента: WO2024226151A1. Автор: Yue Li,Irfan Khan,Durodami Lisk,Miguel Miranda Corbalan,Darko Popovic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device with heterogenous transistors

Номер патента: WO2024205658A1. Автор: Van Le,Abhishek Anil Sharma,Sudipto NASKAR,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit device and repair method thereof

Номер патента: US09508717B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit device substrates having packaged inductors thereon

Номер патента: US09478599B1. Автор: Viresh Piyush Patel,Robert A. Gubser,Ajay Kumar Ghai. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Process of fabrication of electronic devices and electronic device with a double encapsulation ring

Номер патента: US09472692B2. Автор: Karine Saxod,Marika Sorrieul. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2016-10-18.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device including vertical memory device

Номер патента: US20240224533A1. Автор: Dongseog EUN,Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

RF integrated circuit device

Номер патента: EP1939940A3. Автор: Yujen Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit device, controller area network driver module and method therefor

Номер патента: EP2769531A1. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Murielle Delage,Stephanie Creveau-Boury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-08-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091081A1. Автор: Heung-Sik Park,In-Keun Lee,Do-Haing Lee,Ha-Young CHOI,Hong-sik Shin,Seung-Ho Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US20090010454A1. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

RF transmitter, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor

Номер патента: US09647866B2. Автор: Hua Wang,Chao Lu,Sang Won Son,Chun-Hsien Peng,Paul Cheng Po Liang,Julia Liu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US09530945B2. Автор: Avner Badehi. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit device and method of manufacturing a circuit device for controlling a transmission of a vehicle

Номер патента: US09472486B2. Автор: Thomas Maier. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US09443843B2. Автор: Sheng-Yuan Lee,Yin-Ku CHANG. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit device and method of making said device

Номер патента: RU2419179C2. Автор: Пол РИД,Брайан БЛЭК. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2011-05-20.

Bus communication system for stacked high density integrated circuit packages

Номер патента: US5552963A. Автор: Carmen D. Burns. Владелец: Staktek Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Bus communication system for stacked high density integrated circuit packages having an intermediate lead frame

Номер патента: US5541812A. Автор: Carmen D. Burns. Владелец: Staktek Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Fully differential switched capacitor integrator circuit

Номер патента: GB2598121A. Автор: Rovere Giovanni,Awqati Faisal,Gomez Saiz Alberto. Владелец: Crypto Quantique Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Process-tolerant integrated circuit design

Номер патента: US6496056B1. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-17.

Backside integrated voltage regulator for integrated circuits

Номер патента: US11830855B2. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Backside Integrated Voltage Regulator For Integrated Circuits

Номер патента: US20230402430A1. Автор: Namhoon Kim,Woon-Seong Kwon,Mikhail Popovich,Teckgyu Kang,Houle Gan,Yujeong Shim. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit e-fuse having an e-fuse element providing a diffusion barrier for underlying e-fuse terminals

Номер патента: US20220270968A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20190312130A1. Автор: Kyoung-hwan Yeo,Jae-Yup Chung,Il-Ryong Kim,Min-seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US20160300814A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Multi level radio frequency (RF) integrated circuit components including passive devices

Номер патента: US12074123B2. Автор: Richard Wilson,Madhu Chidurala. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Esd protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US20160163691A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit device with ferroelectric capacitor

Номер патента: US20240349510A1. Автор: Haowen Bu,Matthew Richards,Roger C. McDermott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US09754930B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit chip packaging

Номер патента: US09713258B2. Автор: Young Hoon Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09698102B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device

Номер патента: US09667227B2. Автор: Tero Tapio Ranta. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09601606B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US09496252B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Electronic package that includes a plurality of integrated circuit devices bonded in a three-dimensional stack arrangement

Номер патента: US09461017B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Power and ground routing of integrated circuit devices with improved IR drop and chip performance

Номер патента: US09379059B2. Автор: Tao Cheng,Ching-Chung Ko,Ling-Wei Ke,Tien-Yueh Liu,Peng-Cheng Kao,Ta-Hsi Chou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Build-up package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09355994B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Gallium nitride (gan) devices with through-silicon vias

Номер патента: US20240213118A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Paul NORDEEN,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240234250A9. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang,Junchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Techniques for revealing a backside of an integrated circuit device, and associated configurations

Номер патента: US20210104435A1. Автор: Paul B. Fischer,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son,Colin T. CARVER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240243064A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Sungwoo Kang,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

ESD protection device with improved bipolar gain using cutout in the body well

Номер патента: US9496252B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit device including a through-via structure

Номер патента: US12062594B2. Автор: BongJin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321992A1. Автор: Seungpyo Hong,Junggil YANG,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240321873A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4435848A1. Автор: Heonjong Shin,Jaeran Jang,Doohyun Lee,Juneyoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and electronic device including the same

Номер патента: EP4181190A1. Автор: Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Wonsik Yu,Dokyung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240363558A1. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit device assembly

Номер патента: US09913361B2. Автор: Mark K. Hoffmeyer,Jason R. Eagle,David Barron,Roger D. Hamilton,Christopher W. Mann,Matthew T. Richardson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US09764548B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Electronic device with redistribution layer and stiffeners and related methods

Номер патента: US09698105B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Transceiver integrated circuit device and method of operation thereof

Номер патента: US09515906B2. Автор: Hee Jun Lee,Sang Hyun Jang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Circuit device

Номер патента: US09363894B2. Автор: Masanori Shimizu,Hidefumi Saito,Daisuke Sasaki,Takahisa Makino,Takashi Shibasaki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same

Номер патента: US5497014A. Автор: Takayuki Momose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Power transistor having large electric current capacity and semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: US6303973B1. Автор: Seiichi Yamamoto,Eiji Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

I/o pad structures for integrated circuit devices

Номер патента: US20090091016A1. Автор: Felix C. Li. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Thermal management of three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20240213221A1. Автор: Kambiz Vafai,Andisheh Tavakoli,Mohammad Reza Salimpour. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Architectures for memory on integrated circuit device packages

Номер патента: US20240222346A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258399A1. Автор: Donghyun Roh,Dahye Kim,Chaeho Na,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Package on package (pop) device comprising solder connections between integrated circuit device packages

Номер патента: EP3286782A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,David Fraser Rae. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US12046682B2. Автор: DongSuk Shin,Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Topology-independent switching regulator circuit, switch mode driver, and luminaire

Номер патента: WO2023143946A1. Автор: Stefan Stark,Lukas Saccavini,Hans Auer,Fabio Romano,Clemens KUCERA. Владелец: TRIDONIC GMBH & CO KG. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Pneumatic integrated circuit bar cutting device with adjustable shearing size

Номер патента: CN113617973A. Автор: 李金龙,李双江,尹超,陶怀亮,张文烽,倪乾峰. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-11-09.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components

Номер патента: WO2001056921A2. Автор: Roland W. Gooch,Thomas R. Schimert. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2001-08-09.

Micro-electromechanical integrated circuit device for fluid ejection

Номер патента: US20050270326A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Switch-mode step-up voltage regulator

Номер патента: RU2241299C1. Автор: В.М. Боровиков,Ю.И. Красников. Владелец: ООО "Силовая электроника". Дата публикации: 2004-11-27.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Heating element warning device incorporating voltage regulator

Номер патента: RU2036514C1. Автор: Владислав Григорьевич Вохмянин. Владелец: Владислав Григорьевич Вохмянин. Дата публикации: 1995-05-27.

Method of using an integrated circuit to set the operation voltage of vehicle alternator voltage regulator and integrated circuit thereof

Номер патента: TW200812831A. Автор: Jan-Pang Yu,Hsi-Chin Cheng. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Method of using an integrated circuit to set the operation voltage of vehicle alternator voltage regulator and integrated circuit thereof

Номер патента: TWI338428B. Автор: Hsi Chin Cheng,Jan Pang Yu. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A DEVICE WITH A VERTICAL MOBILE ELEMENT INTEGRATED IN A SUPPORT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE WITH A MOBILE ELEMENT

Номер патента: US20120074527A1. Автор: Chapelon Laurent-Luc,Farcy Alexis,CASSET Fabrice,Cadix Lionel,Coudrain Perceval,Felk Yacine,Ancey Pascal. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Switching mode direct current voltage regulator witha potential-independent connection between the discriminating member andthe adjusting member

Номер патента: AU419265B2. Автор: Korn Joel. Владелец: . Дата публикации: 1969-01-30.

Switching mode direct current voltage regulator witha potential-independent connection between the discriminating member andthe adjusting member

Номер патента: AU2519767A. Автор: Korn Joel. Владелец: . Дата публикации: 1969-01-30.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001U1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Integrated circuit device for implementing a distributed, ledger-based processing and recording of an electronic financial transaction

Номер патента: PH22016050001Y1. Автор: Renato C Valencia. Владелец: Renato C Valencia. Дата публикации: 2017-06-02.

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.