Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Dry etching by alternately etching and depositing

Номер патента: US4985114A
Опубликовано: 15-01-1991
Автор(ы): Hiroshi Kawakami, Kazunori Tsujimoto, Sadayuki Okudaira, Shinichi Tachi, Tokuo Kure
Принадлежит: HITACHI LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method and apparatus for dry etching

Номер патента: US5474650A. Автор: Shinichi Tachi,Kazunori Tsujimoto,Takao Kumihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-12-12.

Method for Dry Etching Compound Materials

Номер патента: US20210296132A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for dry etching compound materials

Номер патента: US11605542B2. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Dry etching process for semiconductor

Номер патента: US5522966A. Автор: Kenji Kondo,Yoshikazu Sakano,Atsushi Komura,Shoji Miura,Keiichi Kon,Tetsuhiko Sanbei. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Dry etching of silicon carbide

Номер патента: CA1329167C. Автор: John W. Palmour. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-05-03.

Equipment for cleaning, etching and drying semiconductor wafer and its using method

Номер патента: US5896875A. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Anisotropic dry etching technique for deep bulk silicon etching

Номер патента: US20040018734A1. Автор: Jeffrey Fortin,Matthew Nielsen,Richard Saia,James Schermerhorn. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Dry etching method

Номер патента: US5880035A. Автор: Seiichi Fukuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Controlled dry etch of a film

Номер патента: US7288476B2. Автор: Ronnie P. Varghese. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Method for the removal of matter from a substrate by selective dry etching and application of this method to the manufacture of conductive patterns

Номер патента: DE2861271D1. Автор: Laura Beth Rothman,Paul Martin Schaible,Geraldine Cogin Schwartz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-07.

How to Clean the Etching Chamber of Dry Etching Equipment

Номер патента: KR950021173A. Автор: 히데아끼 가와모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Dry etching method for patterning high melting point metal layers with improved etch rate, anisotropy, and selectivity to silicon oxide

Номер патента: KR970063521A. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-09-12.

Method of dry etching for patterning refractory metal layer improved in etching rate, anisotropy and selectivity to silicon oxide

Номер патента: KR100270249B1. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-10-16.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR100258984B1. Автор: 이영우,김태룡,김학필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-01.

Dry etching device

Номер патента: JPH11195645A. Автор: Gakuhitsu Kin,學弼 金,Tae-Ryong Kim,太龍 金,Eiu Ri,映雨 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-21.

Dry etching chamber cleaning method

Номер патента: KR0145645B1. Автор: 히데아끼 가와모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-11-02.

METHOD OF SELECTIVE DRY ETCHING OF LAYERS OF III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS, AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2598256A1. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier,Vatus Et Jean Chevrier Jean. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-11-06.

METHOD OF SELECTIVE DRY ETCHING OF III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS, AND TRANSISTOR OBTAINED BY THIS PROCESS.

Номер патента: FR2598256B1. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-07-08.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Procedure for fabricating devices involving dry etching

Номер патента: CA1287556C. Автор: Ronald Joseph Schutz. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-08-13.

Dry-etching method

Номер патента: US10192749B2. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Dry-etching method

Номер патента: US20170162397A1. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: US20230343888A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of cyclic dry etching using etchant film

Номер патента: US09793135B1. Автор: Masaru Zaitsu,Akiko Kobayashi,Nobuyoshi Kobayashi,Masaru Hori,Takayoshi Tsutsumi,Hiroki Kondo. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Dry etching method using potential control of grid and substrate

Номер патента: US20220375761A1. Автор: Ki Hyun Kim,Hee Ju Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Dry Etching Method

Номер патента: US20210358762A1. Автор: Hiroyuki Oomori,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Dry etching method

Номер патента: US09905431B2. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Dry etching method

Номер патента: US5366590A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-11-22.

System and method of determining process completion of post heat treatment of a dry etch process

Номер патента: WO2017136306A1. Автор: Aelan Mosden,Jacob Theisen. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11814561B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135881A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Dry etching gas composition including sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond, and dry etching method using same

Номер патента: EP3872841A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11795396B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dry etching

Номер патента: GB2317494A. Автор: Hideyuki Shoji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-25.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20010005632A1. Автор: Hideo Ichinose,Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Edge ring, dry etching apparatus having the same, and operation method of etching apparatus

Номер патента: US20240071732A1. Автор: Sungil Cho,Jinyoung Bang,Hyun-Sik HWANG,JungHwan UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054286A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054285A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054284A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20200263087A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054281A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Composition for etching and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20210054282A1. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Dry etching gases and method of dry etching

Номер патента: EP1760769A4. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto,A Sekiya,Takanobu Mase. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2009-05-13.

Dry etching apparatus in the form of two parallel plate electrodes

Номер патента: KR940010220A. Автор: 다께시 아끼모또. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Dry etching method and dry etching agent

Номер патента: US9929021B2. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US11795397B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135882A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of fabricating memory devices using wet etching and dry etching

Номер патента: US09484219B2. Автор: Dong-Chan Kim,Han-jin Lim,Young-Geun Park,Sang-Yeol Kang,Bong-Hyun Kim,Wook-Yeol Yi,Chang-Mu AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

A process for dry-etching a semiconductor wafer surface

Номер патента: WO2002025714A8. Автор: Bernhard Poschenrieder,Thomas Morgenstern,Virinder Grewal,Jens Stolze,Gabriele Fichtl,Peter Kirchhof. Владелец: Peter Kirchhof. Дата публикации: 2002-06-06.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for removing residual polymer after the dry etching process and reducing oxide loss

Номер патента: US20020177309A1. Автор: Chung-Tai Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Dry etching method

Номер патента: US09728422B2. Автор: Hiroyuki Oomori,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using patterning and dry etching

Номер патента: US09627319B2. Автор: Yasuhiro Kawabata,Satoshi Ogawa,Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Junya Tamaki,Norihiko Nakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

SiARC removal with plasma etch and fluorinated wet chemical solution combination

Номер патента: US09508560B1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Dry etching with etch byproduct self-cleaning

Номер патента: US20240128091A1. Автор: Yang Yang,David Knapp,Qian Fu,Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,ZhongHua Yao,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for dry etching of silicon substrate

Номер патента: GB2316805A. Автор: Hideyuki Shoji,Takakazu Kusuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-04.

Method of fabricating semiconductor device using dry etching

Номер патента: US20170301569A1. Автор: Youngjae Kim,Chanmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Dry etching with etch byproduct self-cleaning

Номер патента: WO2024081194A1. Автор: Yang Yang,David Knapp,Qian Fu,Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,ZhongHua Yao,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

High-throughput dry etching of films containing silicon-oxygen components or silicon-nitrogen components by proton-mediated catalyst formation

Номер патента: US11804380B2. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: US20240055269A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry etching method

Номер патента: US9330888B2. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: WO2024036276A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: US5409562A. Автор: Shinichi Tachi,Kazunori Tsujimoto,Takao Kumihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-04-25.

Dry etching device and method for controlling same

Номер патента: US11348810B2. Автор: Sang Jun Choi,Ji Sung Kang. Владелец: Vault Creation Co ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Dry etching device and method for controlling same

Номер патента: US20190318942A1. Автор: Sang Jun Choi,Ji Sung Kang. Владелец: Vault Creation Co ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device that includes dividing semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: US09633902B2. Автор: Mie Matsuo,Satoshi Matsui,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Dry etching method

Номер патента: US5338399A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Dry etching apparatus using reactive ions

Номер патента: US4526643A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike,Hiromichi Horie. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-02.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US9164374B2. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for tapered dry etching

Номер патента: US4522681A. Автор: Richard J. Saia,Bernard Gorowitz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-06-11.

Methods and systems for dry etching

Номер патента: US20240071803A1. Автор: Chou-Feng Lee,Chih-Hsien Hsu,Fu-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for establishing mapping relation in STI etch and controlling critical dimension of STI

Номер патента: US09666472B2. Автор: JIN Xu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for semiconductor etching and stripping

Номер патента: WO1997004476A3. Автор: Richard L Bersin. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 1997-03-06.

Method for establishing mapping relation in sti etch and controlling critical dimension of sti

Номер патента: US20170025304A1. Автор: JIN Xu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-26.

Oxidation to mitigate dry etch and/or wet etch fluorine residue

Номер патента: US12068385B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Shin Wang,Chun-Neng LIN,Chun-Cheng CHOU,U-Ting Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Removing or preventing dry etch-induced damage in Al/In/GaN films by photoelectrochemical etching

Номер патента: US11177126B2. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2021-11-16.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A3. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: EP1719160A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Silicon (si) dry etch for die-to-wafer thinning

Номер патента: WO2024137957A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Cheng Sun,ChangBum YONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for performing spin dry etching

Номер патента: US11854861B2. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Local dry etching method

Номер патента: US6649528B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Dry etching method

Номер патента: US20010055886A1. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Dry etching method for film layer structure and film layer structure

Номер патента: US20210010140A1. Автор: Chong HU,Xianwang WEI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Plasma etching and stealth dicing laser process

Номер патента: US09601437B2. Автор: Guido Albermann,Sascha Moeller,Hartmut BUENNING,Thomas Rohleder,Martin Lapke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Dry etching apparatus with diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator

Номер патента: US5100495A. Автор: Tadahiro Ohmi,Masahiro Miki,Matagoro Maeno,Hirohisa Kikuyama. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-31.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Silicon dry etching method

Номер патента: US9524877B2. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Dry etching method

Номер патента: US20100255612A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Toru Ito,Yoshiharu Inoue,Toshiaki Nishida,Hiroaki Ishimura,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20200161126A1. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2020-05-21.

Removing or preventing dry etch-induced damage in Al/In/GaN films by photoelectrochemical etching

Номер патента: US11715635B2. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2023-08-01.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Dry etching method

Номер патента: US4406733A. Автор: Shinichi Tachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-27.

Multi-step local dry etching method for SOI wafer

Номер патента: US20040063329A1. Автор: Yasuhiro Horiike,Kazuyuki Tsuruoka,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Silicon (Si) Dry Etch for Die-to-Wafer Thinning

Номер патента: US20240213028A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Cheng Sun,ChangBum YONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching

Номер патента: US09676193B2. Автор: Masataka Kato,Hiroshi Higuchi,Toshiyasu Sakai,Masaya Uyama,Seiko Minami,Yoshinao Ogata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Dry etching Method

Номер патента: US5635021A. Автор: Kenji Harafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Parallel plate dry etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20140273494A1. Автор: Shingo Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Dry etching apparatus

Номер патента: US6165334A. Автор: Koji Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Dry-etching process simulator

Номер патента: US5421934A. Автор: Noboru Nomura,Akio Misaka,Kenji Harafugi,Masafumi Kubbota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-06.

Electrode for dry etching a wafer

Номер патента: US20050178505A1. Автор: Young Yul Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Dry etching apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US6350698B1. Автор: Yukihiro Kamide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-26.

Device for dry etching a wafer and appertaining method

Номер патента: US20010008804A1. Автор: Franz Sumnitsch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20240087907A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US12100598B2. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for cleaning and passivating gallium arsenide surface autologous oxide and depositing AL203 dielectric

Номер патента: US8455372B2. Автор: Wei Zhang,Wen Yang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Runchen Fang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-04.

Selective wet etching and textured surface planarization processes

Номер патента: US09558954B2. Автор: Hong Lu,Scott W. Duncan. Владелец: Luminus Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma processing apparatus for vapor phase etching and cleaning

Номер патента: US20150059979A1. Автор: Sung Yong Kang,Gyoo Dong KIM,Woo Gon SHIN. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Dry Etching Agent, Dry Etching Method and Method for Producing Semiconductor Device

Номер патента: US20190345385A1. Автор: Yao Akifumi,Kashiwaba Takashi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device, process for producing the same, method of dry etching, and process for fabricating wiring material

Номер патента: WO2007116515A1. Автор: Toshio Hayashi,Yuji Furumura,Michio Ishikawa,Naomi Mura,Yasuhiro Morikawa. Владелец: PHILTECH INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

HIGH DRY ETCH RATE MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR PATTERNING APPLICATIONS

Номер патента: US20180061650A1. Автор: Swaminathan Shankar,LaVoie Adrien,Karim Ishtak,KUMAR Purushottam,Mahorowala Arpan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Method of texturing semiconductor substrate for solar cell using dry etching

Номер патента: KR100970118B1. Автор: 한용필,김병준,배이태. Владелец: (주)제스솔라. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: US5017511A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for dry etching openings in integrated circuit layers

Номер патента: US5157000A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-10-20.

Gas composition for dry etching and process of dry etching

Номер патента: US6322715B1. Автор: Toshiro Yamada,Akira Sekiya,Tetsuya Takagaki,Kuniaki Goto. Владелец: Electronics Industries Association of Japan. Дата публикации: 2001-11-27.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20240194490A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A4. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION COMPRISING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20220135882A1. Автор: KATO Korehito,SHIMIZU Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: JP5407101B2. Автор: 新吾 中村,博一 青山,充司 板野,全孝 廣瀬. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Dry etching composition and dry etching method

Номер патента: JP6323540B1. Автор: 勇 毛利,章史 八尾,啓之 大森. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-16.

Dry-etching process, dry-etching gas and process for producing perfluoro-2-pentyne

Номер патента: TWI288442B. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Dry etching gas composition including sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond, and dry etching method using same

Номер патента: EP3872841A4. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Dry-etching process, dry-etching gas and process for producing perfluoro-2-pentyne

Номер патента: TW200405461A. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: US20240186147A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Dry etching method, method for producing semiconductor device, and etching device

Номер патента: EP4047636A4. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Dry etching method

Номер патента: AU2008239010A1. Автор: Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Dry etching method of insulating film

Номер патента: TW200818301A. Автор: Masatoshi Oyama,Nobuyuki Negishi,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Dry etching and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11219942A. Автор: Shinichi Imai,Hideo Nikawa,秀夫 二河,伸一 今井,信浩 地割,Nobuhiro Jiwari. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Controlling Method for Apparatus for Dry Etching

Номер патента: KR101938306B1. Автор: 최상준,이경진. Владелец: 최상준. Дата публикации: 2019-01-14.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: US20120196447A1. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20220172956A1. Автор: Yao Akifumi,SUZUKI Shoi. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190122893A1. Автор: LEE Kyung Jin,KANG Ji Sung,CHOI Sang Jun. Владелец: VAULT CREATION CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-25.

Method and equipment for removing photoresist residue after dry etch

Номер патента: US20140256138A1. Автор: Chia-I Shen,Mu-Chen Chen,Yi-Tse Huang,Wei-Fan LIAO,Han-Ti Hsiaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

System and method of determining process completion of post heat treatment of a dry etch process

Номер патента: US20170221781A1. Автор: Aelan Mosden,Jacob Theisen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Dry Etching Method

Номер патента: US20200365411A1. Автор: Yao Akifumi,SUZUKI Shoi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Dry etching method using hbr or br

Номер патента: KR930001500B1. Автор: 모리다까 나까무라,다까시 구리모또,가쯔히꼬 이이즈까. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1993-03-02.

Dry etching method

Номер патента: JP4865361B2. Автор: 謙一 桑原,聡 宇根,朋祥 市丸,正道 坂口. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: KR101021665B1. Автор: 노부유키 네기시,마사루 이자와,마사츠구 아라이. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2011-03-17.

Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films

Номер патента: KR101509033B1. Автор: 안추안 왕,니틴 케이. 잉글,징춘 창,윤유 왕,용 에스. 이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-04-07.

Dry etching method

Номер патента: KR100894300B1. Автор: 사토시 우네,마사미치 사카구치,겐이치 구와바라,도모요시 이치마루. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2009-04-24.

Method of dry etching using selective polymer mask formed by CO gas

Номер патента: KR100621562B1. Автор: 박완재,오영묵,장호선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-14.

Dry etching process

Номер патента: KR970067691A. Автор: 게이찌 하라시마. Владелец: 닛폰덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-10-13.

Dry etching method

Номер патента: KR100225552B1. Автор: 다쓰미데쓰야. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1999-10-15.

Method and apparatus for dry etching of silicon nitride film

Номер патента: JPS6399533A. Автор: Nobuo Hayasaka,伸夫 早坂,Haruo Okano,晴雄 岡野,Sayaka Sudou,須藤　さやか. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-04-30.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: US8741778B2. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Dry etch process

Номер патента: US8765574B2. Автор: Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Dry etching method

Номер патента: KR100274080B1. Автор: 가도무라신고. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for removing adhering matter and dry etching method

Номер патента: KR101955829B1. Автор: 야스토시 츠보타,켄지 카메다,신 히야마,아키오우 기쿠치,마사노리 와타리. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for Dry Etching of Copper Thin Films

Номер патента: KR102081614B1. Автор: 정지원,임은택,류진수. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-02-26.

Dry etching method for interlayer insulating film

Номер патента: TWI437633B. Автор: Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-05-11.

Uniform dry etch in two stages

Номер патента: TWI541889B. Автор: 楊東青,湯靜,茵可尼汀. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Dry etching method and apparatus for use in the LCD device

Номер патента: US20010020517A1. Автор: Byung-Young Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Dry etching gas composition containing sulfur-containing fluorocarbon compound, and dry etching method using said dry etching gas composition

Номер патента: EP3872842A4. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Dry etching composition and dry etching composition-filled container

Номер патента: US20190055469A1. Автор: Munehiro HYAKUTAKE. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method Using the Same

Номер патента: US20140242803A1. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Dry etching system for patterning target layer at high reproducibility and method of dry etching used therein

Номер патента: KR20010098731A. Автор: 산고도시아끼. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-11-08.

Dry etching agent and dry etching method using the same

Номер патента: WO2011093263A1. Автор: 勇 毛利,亜紀応 菊池,覚 岡本,智典 梅崎,日比野　泰雄. Владелец: セントラル硝子株式会社. Дата публикации: 2011-08-04.

Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus

Номер патента: US20060258117A1. Автор: Takeshi Yamashita,Takao Yamaguchi,Hideo Niko. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Dry etching agent and dry etching method using the same

Номер патента: TW201137088A. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Dry-etching composition and container filled with dry-etching composition

Номер патента: EP3432347A4. Автор: Munehiro HYAKUTAKE. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Dry Etching Method

Номер патента: US20180204728A1. Автор: Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Dry etching method

Номер патента: JP2023001302A. Автор: Akifumi YAO,章史 八尾,聖唯 鈴木,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Dry etching method

Номер патента: KR102419013B1. Автор: 아키후미 야오,쇼이 스즈키. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-07-08.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Dry etching method

Номер патента: US20020119667A1. Автор: Mitsuhiro Okuni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Dry etching method, microfabrication process and dry etching mask

Номер патента: US20020028359A1. Автор: Kenji Uchiyama,Kazuhiro Hattori. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Sloped photoresist edges for defect reduction for metal dry etch processes

Номер патента: US20150221524A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Elizabeth Costner Stewart,Neng Jiang,Yung Shan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Sloped photoresist edges for defect reduction for metal dry etch processes

Номер патента: US09716013B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Elizabeth Costner Stewart,Neng Jiang,Yung Shan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Dry etching method

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Dry etching method

Номер патента: US10468271B2. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Anisotropic dry etching of cu-containing layers

Номер патента: WO2004003256A1. Автор: Lee Chen,Audunn Ludviksson. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-01-08.

Methods and systems for dry etching

Номер патента: US20240006157A1. Автор: Chien-Liang Chen,Meng-Chang Wu,Shao-Chien Hsu,Jung-Wang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method and structure of pattern mask for dry etching

Номер патента: SG143176A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chi-Chen Lee. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2008-06-27.

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US09701044B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US09597822B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US9623590B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140305590A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Yasushi Taniguchi,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates

Номер патента: EP2580303A1. Автор: Berthold Ferstl,Achim Fessenbecker,Simon Braun. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-04-17.

Dry etching gas and dry etching method using the same

Номер патента: TW200948934A. Автор: Shingo Nakamura. Владелец: Daikin Ind Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Gas composition for dry etching and dry etching method

Номер патента: US20190057878A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Tetsuya FUKASAWA,Yoshihiko IKETANI. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

GAS COMPOSITION FOR DRY ETCHING AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20180108537A1. Автор: TAKAHASHI Yoshinao,KATO Korehito,FUKASAWA Tetsuya,IKETANI Yoshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Gas composition for dry etching and dry etching method

Номер патента: US10431472B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Tetsuya FUKASAWA,Yoshihiko IKETANI. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Polysilicon plannerizing method using dry etching and chemical mechanical polishing process

Номер патента: KR960016826B1. Автор: Soo-Min Lee,Oh-Joon Kwon,Duk-Ho Cho,Tae-hyun Han,Byung-Ryul Yeum. Владелец: Korea Electronics Telecomm. Дата публикации: 1996-12-21.

Selective dry etch for directed self assembly of block copolymers

Номер патента: US09941121B1. Автор: Sebastian U. Engelmann,Hiroyuki Miyazoe,Hsinyu Tsai,Ashish V. Jagtiani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

FILTER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190105588A1. Автор: HIRANO Takaaki,HYAKUTAKE Munehiro. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

DRY ETCHING APPARATUS AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20210335625A1. Автор: Kofuji Naoyuki,KUWAHARA Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Dry Etching Agent Composition and Dry Etching Method

Номер патента: US20190287812A1. Автор: Mori Isamu,Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

A dry-etching method and an equipment for dry-etching

Номер патента: EP1063691A2. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2000-12-27.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: CN100362632C. Автор: 及川弘太. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Dry etching method and dry etching device

Номер патента: KR940006216A. Автор: 신이찌 이마이,노리히코 타마키. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

Dry etching process and a fabrication process of a semiconductor device using such a dry etching process

Номер патента: TW580733B. Автор: Kunihiko Nagase. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-21.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: US20220076960A1. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: WO2022055712A1. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Plasma chemical dry etching of silicon nitride layers - includes using cpds. contg. fluorine, chlorine bromine and iodine as etching gases

Номер патента: DE4232475A1. Автор: Wolfgang E Dipl Ing Frank,Christian Dr Diekmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-03-31.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: WO2024145170A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-07-04.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: US20240242971A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

DRY ETCH PROCESS LANDING ON METAL OXIDE ETCH STOP LAYER OVER METAL LAYER AND STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20200303202A1. Автор: MEIER Sebastian,Enzelberger-Heim Michael Hans,Port Reiner. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

DRY ETCH PROCESS LANDING ON METAL OXIDE ETCH STOP LAYER OVER METAL LAYER AND STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20190304796A1. Автор: MEIER Sebastian,Enzelberger-Heim Michael Hans,Port Reiner. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2019-10-03.

REACTION CHAMBER, DRY ETCHING MACHINE AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200381220A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

High-temperature selective dry etch having reduced post-etch solid residue

Номер патента: US8475674B2. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Method for increasing etch rate during deep silicon dry etch

Номер патента: US20090215263A1. Автор: Kyle Kirby,Swarnal Borthakur. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide

Номер патента: US4807016A. Автор: Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-02-21.

Reaction chamber, dry etching machine, and etching method

Номер патента: WO2020056890A1. Автор: 何怀亮. Владелец: 惠科股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-26.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: US11942330B2. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon nitride film dry etching method

Номер патента: TW200901316A. Автор: Hisao Tosaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and composition for dry etching in semiconductor fabrication

Номер патента: TW494492B. Автор: Changhun Lee,Yun-Yen Jack Yang. Владелец: Lam Res Corppration. Дата публикации: 2002-07-11.

Dry etch of boron-containing material

Номер патента: WO2024155468A1. Автор: Qian Fu,Jeong Hwan Kim,Hang Yu,Srinivas Guggilla,Siyu ZHU,Yeonju Kwak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Dry etch of boron-containing material

Номер патента: US20240249953A1. Автор: Qian Fu,Jeong Hwan Kim,Hang Yu,Srinivas Guggilla,Siyu ZHU,Yeonju Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

A process for dry-etching a semiconductor wafer surface

Номер патента: TW499714B. Автор: Bernhard Poschenrieder,Thomas Morgenstern,Virinder Grewal,Gabriele Fichtl,Peter Kirchhof. Владелец: Infineon Technologies Sc300. Дата публикации: 2002-08-21.

Process and apparatus for dry-etching a semiconductor layer

Номер патента: TW445542B. Автор: Kyun-Su Shin,Kien-Koo Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A4. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of dry-etching a multi-layer film material

Номер патента: TW200425330A. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of dry-etching a multi-layer film material

Номер патента: TWI245342B. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-12-11.

System and method for providing a dry-wet-dry etch procedure to create a sidewall profile of a via

Номер патента: US7115500B1. Автор: Victor M. Torres. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Dry etch and epitaxial deposition process and apparatus

Номер патента: WO2007092130A3. Автор: Chien-Teh Kao,Yihwan Kim,Satheesh Kuppurao,See-Eng Phan,Andrew Lam,Xinliang Lu. Владелец: Xinliang Lu. Дата публикации: 2007-09-27.

Dry etch and epitaxial deposition process and apparatus

Номер патента: WO2007092130A2. Автор: Chien-Teh Kao,Yihwan Kim,Satheesh Kuppurao,See-Eng Phan,Andrew Lam,Xinliang Lu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-08-16.

Dry etching and device thereof

Номер патента: JPS5852827A. Автор: Yoshimichi Hirobe,広部　嘉道. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-03-29.

DRY-ETCHING METHOD

Номер патента: US20170162397A1. Автор: KUWAHARA Kenichi,ENOKIDA Syuji. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Method and system for dry etching a hafnium containing material

Номер патента: WO2008033886A3. Автор: Luis Isidro Fernandez,Masafumi Urakawa. Владелец: Masafumi Urakawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US20130034806A1. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20180025915A1. Автор: ZUO Yueping,MA Yinghai,LI Liangjian. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-25.

Silicon dry etching method

Номер патента: US20220044938A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Toshiyuki SAKUISHI. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

DRY ETCH PROCESS

Номер патента: US20140134842A1. Автор: Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

METHODS FOR SELECTIVE DRY ETCHING GALLIUM OXIDE

Номер патента: US20220076960A1. Автор: Saly Mark J.,Kalutarage Lakmal C.,Enman Lisa J.,Liu Feng Q.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

DRY-ETCH SELECTIVITY

Номер патента: US20140141621A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Baek Jonghoon,Ren He,Yang Jang-Gyoo,Chen Xinglong,Garg Saurabh,Park Soonam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-05-22.

Silicon Oxide Selective Dry Etch Process

Номер патента: US20210066088A1. Автор: ZHANG Qi,Lu Xinliang,Chung Hua,Yang Haichun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

DRY-ETCH FOR SELECTIVE OXIDATION REMOVAL

Номер патента: US20140199850A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Lee Young S.,Kim Sang Hyuk,Yang Dongqing,KIM Sang-Jin,Jung Weon Young,Hsu Ching-Mei. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

DRY-ETCH SELECTIVITY

Номер патента: US20150132968A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Baek Jonghoon,Ren He,Yang Jang-Gyoo,Chen Xinglong,Garg Saurabh,Park Soonam. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Highly Selective Dry Etch Process for Vertical FET STI Recess

Номер патента: US20200126805A1. Автор: Sankarapandian Muthumanickam,Belyansky Michael P.,Bi Zhenxing,Conti Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180145086A1. Автор: HAYASHI Hisataka,SATO Yosuke,UI AKIO,KIKUTANI Keisuke,NARUMIYA Kaori. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-05-24.

METHODS FOR SELECTIVE DRY ETCHING GALLIUM OXIDE

Номер патента: US20220301883A1. Автор: Saly Mark J.,Kalutarage Lakmal C.,Enman Lisa J.,Liu Feng Q.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

METHOD FOR MATERIAL REMOVAL IN DRY ETCH REACTOR

Номер патента: US20150214066A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Kang Sean S.,LUERE Olivier. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-30.

HIGH-THROUGHPUT DRY ETCHING OF SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE MATERIALS BY IN-SITU AUTOCATALYST FORMATION

Номер патента: US20210233775A1. Автор: IWATA Manabu,SAKAMOTO Wataru,Wang Mingmei,KIHARA Yoshihide,YOKOYAMA Takahiro,Zhang Du,Tsai Yu-Hao,Shi Yanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Dry Etching Method

Номер патента: US20160218015A1. Автор: OOMORI Hiroyuki,KIKUCHI Akiou. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SELECTIVE DRY ETCH FOR DIRECTED SELF ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS

Номер патента: US20180211831A1. Автор: Engelmann Sebastian U.,Miyazoe Hiroyuki,Tsai Hsinyu,Jagtiani Ashish V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

CONFORMAL OXIDE DRY ETCH

Номер патента: US20140308818A1. Автор: Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Methods And Apparatus For Selective Dry Etch

Номер патента: US20170263438A1. Автор: Xia Li-Qun,Wang Anchuan,LI NING,Yang Dongqing,Balseanu Mihaela. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

RESIN COMPOSITION, DRY-ETCHING RESIST MASK, AND PATTERNING METHOD

Номер патента: US20160272737A1. Автор: Ibe Takeshi,Yada Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Dry Etching Method

Номер патента: US20150311039A1. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

DRY-ETCH FOR SELECTIVE OXIDATION REMOVAL

Номер патента: US20150311089A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Lee Young S.,Kim Sang Hyuk,Yang Dongqing,KIM Sang-Jin,Jung Weon Young,Hsu Ching-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

DRY ETCHING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SAME

Номер патента: US20190318942A1. Автор: KANG Ji Sung,CHOI Sang Jun. Владелец: VAULT CREATION CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-17.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150357200A1. Автор: INUI Hirotoshi. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-10.

Dry etching method for metallization pattern profiling

Номер патента: KR102279612B1. Автор: 야닉 페르쁘리에. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-19.

Non-plasma dry etching method

Номер патента: CN108847391B. Автор: 王晓娟,王春,郑波,马振国,吴鑫. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6697372B2. Автор: 明生 宇井,陽介 佐藤,香織 成宮,久貴 林,圭介 菊谷. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-05-20.

Plasma dry etching method

Номер патента: KR0171070B1. Автор: 이병하. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for dry etching

Номер патента: KR100752186B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-08-24.

Dry etching method of layered structure oxide thin film

Номер патента: JP3114916B2. Автор: ビー． デスー セシュ,パン ウェイ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-12-04.

Dry etching method

Номер патента: JP2956602B2. Автор: 秀行 庄司,隆一 楠木. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Silicon dry etching method

Номер патента: KR20220017837A. Автор: 토시유키 나카무라,켄타 도이,토시유키 사쿠이시,야스히로 모리카와. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2022-02-14.

Dry etching method using plasma

Номер патента: KR100866495B1. Автор: 안효준,이규홍,심규환,문성훈,이진효,신희천,양전욱. Владелец: (주) 알에프세미. Дата публикации: 2008-11-03.

Dry etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: TW202100805A. Автор: 古谷俊太,大森啓之. Владелец: 日商中央硝子股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-01.

Reactor and associated method for the stabilisation processing of resins used in particular in dry etching

Номер патента: FR2534040A1. Автор: Barbara Charlet,Louise Peccoud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1984-04-06.

Dry etch method for silicon oxide

Номер патента: KR100870914B1. Автор: 이상선. Владелец: 주식회사 테스. Дата публикации: 2008-11-28.

REACTOR AND ASSOCIATED METHOD FOR TREATING STABILIZATION OF RESINS USED IN PARTICULAR IN DRY ETCHING

Номер патента: FR2534040B1. Автор: Barbara Charlet,Louise Peccoud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1988-05-13.

Dry etching method for semiconductor

Номер патента: JP3078821B2. Автор: 雅文 橋本,勝英 真部,正樹 森,正宏 小滝. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2000-08-21.

Method for dry etching in semiconductor processing

Номер патента: KR100685733B1. Автор: 윤석훈,정민제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-23.

Manufacturing method of semiconductor devices by using dry etching technology

Номер патента: KR100401040B1. Автор: 세타쇼지,세키네마코토,나카무라나오후미. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-10-10.

Dry etching method

Номер патента: JPWO2003007357A1. Автор: 昭貴 清水,隆 榎本,明輝 高,清水　昭貴,敬 鶴田,榎本　隆,広実 岡. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Initial plasma treatment for vertical dry etching of sio2

Номер патента: CA2349033A1. Автор: Boris Lamontagne,William Render. Владелец: OPTENIA, INC.. Дата публикации: 2002-11-28.

method for dry-etching of silicon substrate

Номер патента: GB2316805B. Автор: Hideyuki Shoji,Takakazu Kusuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: TW201217500A. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Dry-etch for selective tungsten removal

Номер патента: US09412608B2. Автор: Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li,Ching-Mei Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming metal silicide layer of semiconductor device combining just dry etching and chemical dry etching

Номер патента: KR101566922B1. Автор: 김현영,나규태,박제헌,김민,허원구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-09.

Dry etching process using plasma

Номер патента: IE48784B1. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1985-05-15.

Dry etchant and dry etching method

Номер патента: TWI444456B. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-11.

Dry Etching Gas and Dry Etching Method

Номер патента: US20180066187A1. Автор: Yao Akifumi,FUJIWARA Masaki,NAKAMURA Yosuke,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION COMPRISING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND HAVING UNSATURATED BOND AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20220135881A1. Автор: KATO Korehito,SHIMIZU Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20200234962A1. Автор: KATO Korehito,IKETANI Yoshihiko,SHIMIZU Hisashi,SHIBUSAWA Yukinobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP5808697B2. Автор: 勝 伊澤,政士 森,森　政士,伊澤　勝,勝嗣 八木. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JPWO2008140012A1. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川,紅コウ 鄒,森川　泰宏,鄒　紅コウ,林　俊雄. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW201800139A. Автор: 百武宗洋,平野孝明. Владелец: 日本瑞翁股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-01.

Dry etching apparatus dry etching methodand diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator for use therein

Номер патента: KR950013065B1. Автор: 다다히로 오오미,히로히사 기꾸야마,마사히로 미끼,마다고로오 마에노. Владелец: 하시모또 미찌노스께. Дата публикации: 1995-10-24.

Dry etching method, dry etching agent and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6788177B2. Автор: 章史 八尾,啓之 大森,辰徳 上田. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW200903632A. Автор: Toshio Hayashi,Yasuhiro Morikawa,Kou-Kou Suu. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: WO2017169809A1. Автор: 孝明 平野,宗洋 百武. Владелец: 日本ゼオン株式会社. Дата публикации: 2017-10-05.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: EP2595179A1. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: US9017571B2. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Plasma processing apparatus for dry etching of semiconductor wafers

Номер патента: US5735993A. Автор: Kazuyoshi Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Dry etching of semiconductor structures with fluorine-containing gases

Номер патента: US20230064393A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

DRY ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Yao Akifumi,TAKEDA Yuuta,YAMAUCHI Kunihiro. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2022-02-24.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20220068632A1. Автор: Feezell Daniel,MONAVARIAN Morteza,MISHKAT-UL-MASABIH Saadat,Armstrong Andrew,ARAGON Andrew,ALLERMAN Andrew,CRAWFORD Mary. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20200161126A1. Автор: Feezell Daniel,MONAVARIAN Morteza,MISHKAT-UL-MASABIH Saadat,Armstrong Andrew,ARAGON Andrew,ALLERMAN Andrew,CRAWFORD Mary. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Dry etching method

Номер патента: US5733820A. Автор: Kazuo Sugimoto,Satoshi Morishita,Kouichiro Adachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Dry etching apparatus and etching method organic light emitting display device using the same

Номер патента: KR100759684B1. Автор: 김종윤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-09-17.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Dry-etching of indium and tin oxydes

Номер патента: WO1998059381A1. Автор: Jie Chen,Yuen-Kui Wong. Владелец: Applied Komatsu Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-12-30.

Device for dry etching a wafer and appertaining method

Номер патента: GB9903653D0. Автор: . Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 1999-04-07.

A method for dry etching a wafer

Номер патента: GB2334620B. Автор: Franz Sumnitsch. Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 2002-12-24.

Wiring layer dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW541579B. Автор: Kenji Kawai,Atsunori Nishiura,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-11.

Dry etching method

Номер патента: TW527441B. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-11.

Dry etching using plasma

Номер патента: AU4923579A. Автор: Cyril Joseph Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-02-07.

Dry etching process using plasma

Номер патента: GB2026396A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-02-06.

Dry etching method

Номер патента: TW364168B. Автор: Kazunori Tsujimoto,Naoyuki Kofuji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-11.

SELECTIVE SUPPRESSION OF DRY-ETCH RATE OF MATERIALS CONTAINING BOTH SILICON AND NITROGEN

Номер патента: US20130130506A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Dry Etching Method

Номер патента: US20140206196A1. Автор: Mori Isamu,Umezaki Tomonori. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-07-24.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR910009321B1. Автор: 야스오 다나까,가즈유끼 도미다,마스오 탄노. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1991-11-09.

Semiconductor wafer dry etching electrode

Номер патента: JP4152895B2. Автор: キム，ヨンユル. Владелец: シーアイ サイエンス，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2008-09-17.

Dry etching method

Номер патента: EP0516043A2. Автор: Masaru C/O Intellectual Property Division Hori,Keiji c/o Intellectual Property Division Horioka,Haruo c/o Intellectual Property Division Okano,Masao c/o Intellectual Property Division Ito,Masahito c/o Operat. Head Office Tokyo Hiratsuka,Yoshio c/o Operat. Head Office Tokyo Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1992-12-02.

DRY-ETCH FOR SILICON-AND-NITROGEN-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20130130507A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Mori Isamu,KIKUCHI Akiou,Watari Masanori. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2016-01-07.

SELECTIVE CYCLIC DRY ETCHING PROCESS OF DIELECTRIC MATERIALS USING PLASMA MODIFICATION

Номер патента: US20200027740A1. Автор: Hori Masaru,Vervuurt Rene Henricus Jozef,Kobayashi Nobuyoshi,Tsutsumi Takayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FOR DETECTING END POINT OF DRY ETCHING

Номер патента: US20170062288A1. Автор: Yamada Kentaro,HANAWA Toshikazu,FUKAYA Kazuhide. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-02.

DRY-ETCH FOR SELECTIVE TUNGSTEN REMOVAL

Номер патента: US20140154889A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Wang Xikun,Hsu Ching-Mei,Li Zihui. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-06-05.

V TRENCH DRY ETCH

Номер патента: US20160079072A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Wang Xikun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150099368A1. Автор: ONO Tetsuo,SHEN Ze,YASUNAMI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20160141183A1. Автор: Izawa Masaru,MORI Masahito,Yagi Katsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

DRY-ETCH FOR SELECTIVE TUNGSTEN REMOVAL

Номер патента: US20150179464A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,Wang Xikun,Hsu Ching-Mei,Li Zihui. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

DRY-ETCH FOR SILICON-AND-CARBON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20140273491A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

PARALLEL PLATE DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер патента: US20140273494A1. Автор: Honda Shingo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR REMOVING ADHERING MATTER AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20170200602A1. Автор: Tsubota Yasutoshi,Kameda Kenji,HIYAMA Shin,KIKUCHI Akiou,Watari Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

DRY ETCHING AGENT

Номер патента: US20140302683A1. Автор: Mori Isamu,Umezaki Tomonori,Hibino Yasuo,OKAMOTO Satoru,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-10-09.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150221518A1. Автор: MORI Masahito,ARASE Takao,TERAKURA Satoshi,Machida Ryuta. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method of dry etching copper thin film

Номер патента: US20200211860A1. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

System and Method for Performing Spin Dry Etching

Номер патента: US20190252237A1. Автор: Tu Chih-Chiang,Chen Chun-Lang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD OF DRY ETCHING COPPER THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210391187A1. Автор: CHUNG Cheewon,CHOI Jaesang. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MAINTENANCE METHOD OF DRY ETCHING EQUIPMENT

Номер патента: US20170287722A1. Автор: HANAWA Toshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FOR DETECTING END POINT OF DRY ETCHING

Номер патента: US20170287794A1. Автор: Yamada Kentaro,HANAWA Toshikazu,FUKAYA Kazuhide. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-05.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20160307765A1. Автор: ONO Tetsuo,SHEN Ze,YASUNAMI Hisao. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-20.

System and Method for Performing Spin Dry Etching

Номер патента: US20170345703A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Selective Dry Etching of Metal Films Comprising Multiple Metal Oxides

Номер патента: US20180342403A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis,Benjamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Dry Etching Method and Beta-Diketone-Filled Container

Номер патента: US20190348307A1. Автор: Akifumi YAO,Takashi Masuda,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for Dry Etching Compound Materials

Номер патента: US20200381261A1. Автор: RANJAN ALOK,Ventzek Peter. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Dry etching method

Номер патента: JP4865373B2. Автор: 謙一 桑原,聡 宇根,朋祥 市丸,正道 坂口,尚輝 安井. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Dry etching equipment

Номер патента: JPH0618182B2. Автор: 靖夫 田中,和之 富田,益男 丹野. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-09.

Method for preparing oxide thin film transistor using dry etching process

Номер патента: KR100814901B1. Автор: 박상희,윤성민,조경익,추혜용,황치선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2008-03-19.

Nitride film ashing method using dry etching process

Номер патента: KR930000875B1. Автор: 한봉석. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-02-08.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS60234324A. Автор: Yoshihiko Nio,仁尾　吉彦. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-21.

Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen

Номер патента: KR101508994B1. Автор: 안추안 왕,영 에스. 이,니틴 케이. 잉글,징춘 창,윤유 왕. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-04-07.

Parallel and flat type dry etching apparatus

Номер патента: JPS61174721A. Автор: Toru Watanabe,徹 渡辺,Yasuo Naruge,成毛　康雄. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-08-06.

Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen

Номер патента: CN103765562A. Автор: Y·王,J·张,N·K·英格尔,A·王,Y·S·李. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Dry etching method

Номер патента: KR100677039B1. Автор: 김상권. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-31.

Dry etching method

Номер патента: KR950009963A. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-04-26.

Dry etching method of mgo thin film

Номер патента: KR101394651B1. Автор: 정지원,이일훈. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-05-12.

Dry etching method

Номер патента: KR100272644B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-12-01.

Exhaust ring of dry etch device

Номер патента: KR100422446B1. Автор: 이준택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-03-12.

Dry etching method

Номер патента: KR100238691B1. Автор: 신고 가도무라,데쓰야 다쓰미,데쓰지 나가야마. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-01-15.

Dry etching method

Номер патента: CN103871847A. Автор: 黄海,洪齐元. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Dry etching method

Номер патента: JPS60169140A. Автор: Norio Nakazato,Makoto Nawata,Ryoji Fukuyama,良次 福山,Masaharu Saikai,誠 縄田,西海　正治,仲里　則男. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-09-02.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for dry etching of silicon oxide using the same

Номер патента: KR101001870B1. Автор: 김종학,이상선,이일환,임민돈. Владелец: 주식회사 테스. Дата публикации: 2010-12-17.

Dry etching method of wafer backside using remote plasma generator

Номер патента: KR101131740B1. Автор: 김승기,장덕현,서정혁. Владелец: 주식회사 테라텍. Дата публикации: 2012-04-05.

Capacitor and manufacturing method thereof by dry etching

Номер патента: KR102262273B1. Автор: 이종한,금창민,강병구,구황섭,윤기상,방호섭. Владелец: (주)위드멤스. Дата публикации: 2021-06-09.

Dry etching method

Номер патента: JPS5928341A. Автор: Yasuhiro Horiike,靖浩 堀池,Masahiro Shibagaki,柴垣　正弘. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-15.

Dry etching control and end-point detection method

Номер патента: JPS593925A. Автор: Masashi Kikuchi,正志 菊池,Yasuaki Hayashi,林　康明. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1984-01-10.

Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen

Номер патента: KR101509010B1. Автор: 안추안 왕,영 에스. 이,니틴 케이. 잉글,징춘 창,윤유 왕. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for Dry Etching of Copper Thin Films

Номер патента: KR101977132B1. Автор: 정지원,최재상. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-05-10.

Dry etching method

Номер патента: JP3298161B2. Автор: 淳一 佐藤,新吾 門村. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Dry etching method of platinum thin film

Номер патента: KR970072162A. Автор: 정지원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Dry etching method

Номер патента: KR0176715B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Pumping line apparatus of dry etching equipment

Номер патента: KR100778871B1. Автор: 김재승. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-11-22.

Detection of passivation dry etching termination point

Номер патента: JPS6022323A. Автор: Kazuo Fujishiro,藤城　一穂. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1985-02-04.

PROCESS FOR PRODUCING A LASER HAVING A Buried Ribbon Semiconductor, Using Dry Etching To Form This Ribbon, And LASER OBTAINED BY THIS PROCESS.

Номер патента: FR2673330B1. Автор: Nouredine Bouadma. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-06-20.

METHOD OF MAKING A BURIED RIBBON SEMICONDUCTOR LASER USING DRY ETCHING TO FORM THE RIBBON, AND LASER OBTAINED BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2673330A1. Автор: Bouadma Nouredine. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1992-08-28.

Dry-etching process

Номер патента: JPS61236125A. Автор: Ichiro Sasaki,一郎 佐々木,Fumikazu Ito,伊藤　文和. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-10-21.

Dry etching

Номер патента: JPS56129326A. Автор: Masao Kato,Junichi Nishizawa,Yukihisa Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-10-09.

Dry Etching Apparatus for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: KR100431660B1. Автор: 안재수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-17.

Manufacturing device for focus ring of dry etching apparatus

Номер патента: KR101631796B1. Автор: 임재석. Владелец: 주식회사 티씨케이. Дата публикации: 2016-06-20.

Selective dry etching of metal films comprising multiple metal oxides

Номер патента: CN110832625A. Автор: 大卫·汤普森,杰弗里·W·安西斯,本杰明·施密格. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-21.

Dry etching method and apparatus

Номер патента: US20030066817A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Tomohiro Okumura,Hiroshi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Dry etching apparatus

Номер патента: TW469533B. Автор: Masashi Mori,Katanobu Yokogawa,Kazunori Tsujimoto,Naoyuki Koto,Naoshi Itabashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-12-21.

Method for detecting finishing time of dry etching reaction

Номер патента: JPS5759332A. Автор: Minoru Inoue,Kazuo Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-04-09.

Selective dry etching of metal films containing multiple metal oxides

Номер патента: KR102507313B1. Автор: 제프리 더블유. 안디스,데이비드 톰프슨,벤자민 슈미게. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-03-06.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for dry etching of silicon oxide using the same

Номер патента: KR101007534B1. Автор: 김종학. Владелец: 주식회사 테스. Дата публикации: 2011-01-14.

Dry etching method for metal film

Номер патента: US8961805B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Process for dry-etching an aluminum alloy

Номер патента: EP0076860B1. Автор: Tatsumi Mizutani,Hideo Komatsu,Toshihide Ohgata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-30.

Dry etching method

Номер патента: KR101087514B1. Автор: 야스히로 모리카와,커우커우 쑤우. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2011-11-28.

Crystal plane anisotropic dry etching method

Номер патента: JP3184988B2. Автор: 健二 山本,潤一 西澤. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2001-07-09.

Dry etching method of high melting point metal film

Номер патента: KR950015619A. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-17.

Semiconductor wafer dry etching method

Номер патента: JP4387801B2. Автор: カン，ヒョサン. Владелец: カン，ヒョサン. Дата публикации: 2009-12-24.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof

Номер патента: KR100620293B1. Автор: 사사끼다까에이,하라시마노리유끼,아오야마사또시,사까모또슈이찌. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-09-07.

Dry etching method

Номер патента: KR950021175A. Автор: 쥰이찌 사또. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Stripping solution for dry etching and removal of photoresist residue from a semiconductor substrate, and a method of forming a wiring pattern using the stripping solution

Номер патента: KR950034568A. Автор: 데쯔오 아오야마,리에꼬 나까노,아끼라 이시하마,고이찌로 아다찌. Владелец: 쓰지하루오. Дата публикации: 1995-12-28.

Stripping and cleaning agent for removing dry-etching residue and metalizing method thereby

Номер патента: KR100242144B1. Автор: 데쯔오 아오야마,리에꼬 나까노,아끼라 이시하마,고이찌로 아다찌. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2000-02-01.

System, method and apparatus for self-cleaning dry etch

Номер патента: KR101160101B1. Автор: 윤상 김,앤드류 디 3세 베일리,시리칸트 피 로호카레,아서 엠 하월드. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2012-06-26.

System, method and apparatus for self-cleaning dry etch

Номер патента: SG132675A1. Автор: Yunsang Kim,Arthur M Howald,Andrew D Bailey Iii,Shrikant P Lohokare. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

System, method and apparatus for self-cleaning dry etch

Номер патента: US7140374B2. Автор: Yunsang Kim,Andrew D. Bailey, III,Shrikant P. Lohokare,Arthur M. Howald. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-11-28.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: WO1998000874A1. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-01-08.

Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor

Номер патента: US11732364B2. Автор: Dong Mug Seong,Su Hyeon Cho,Hae Sik Kim,Sang Beum Lee,Tae Hoon Han,Hyo Won Son,Sang Yu Lee,Jong Min YUN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for preventing damage of a substrate while performing a dry etching and apparatus the same

Номер патента: KR100503897B1. Автор: 안병용. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-07-25.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: WO2001056063A9. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Tru Si Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: EP1266399A2. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2002-12-18.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: EP1266399A4. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: US12100600B2. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Detecting method for dry etching machine

Номер патента: US20040110384A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Highly Selective Dry Etch Process for Vertical FET STI Recess

Номер патента: US20200126805A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Richard A. Conti,Zhenxing Bi,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170062288A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9711423B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170287794A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US12018387B2. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Electrode fixing assembly and dry etching device

Номер патента: US20240186120A1. Автор: Zhiyuan Li,Xianfu Zeng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for separating sapphire wafer into chips using dry-etching

Номер патента: US7151045B2. Автор: Ju Hyun Kim,Bang Won Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-19.

Dry etching of metal film

Номер патента: CA1136525A. Автор: Kazuo Tokitomo,Hitoshi Hoshino,Tadakazu Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-30.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9935023B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus for detecting dry etch end point of semiconductor device manufacturing process

Номер патента: KR20040032410A. Автор: 김백원,신중욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-04-17.

Dry etching apparatus and clamp therefor

Номер патента: US20140224427A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Dry-etch device and a lower electrode thereof

Номер патента: US20180047546A1. Автор: Wei Li,Kai Yu,Guangming Zhang,Hongming QU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Local dry etching apparatus

Номер патента: US20200135429A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: US09673042B2. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: WO2017040722A1. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated-circuit module collection and deposition

Номер патента: EP4385066A1. Автор: Ronald S. Cok,Christian Schulz,Michael Scharfenberg,Gabriele ROITHMEIER,António José TRINDADE. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents

Номер патента: WO2008094494A1. Автор: Mark Ian Wagner. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated-circuit module collection and deposition

Номер патента: US20240347367A1. Автор: Ronald S. Cok,Christian Schulz,Michael Scharfenberg,António José Marques Trindade,Gabriele ROITHMEIER. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate Contact Over Active Enabled by Alternative Spacer Scheme and Claw-Shaped Cap

Номер патента: US20200135886A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Andrew Greene,Junli Wang,Kisik Choi,Su Chen Fan,Gangadhara Raja MUTHINTI,Victor W.C. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Fin etch and fin replacement for finfet integration

Номер патента: US20140117419A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US20160372450A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US09633985B2. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in- package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: WO2015018174A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US11894368B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US20240120335A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Dry etching method, dry etching apparatus, etchied metal film performed etching by the method and device having the etchied metal film

Номер патента: KR101551095B1. Автор: 아키오우 기쿠치,유타 다케다. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-09-07.

Method for forming a polysilicon gate in two dry-etching steps

Номер патента: WO2004012255A1. Автор: Meihua Shen,Nicolas Gani,Shashank C. Deshmukh,Thorsten B. Lill,Farid Aboameri,Stephanie S. Cheng. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: WO2001020655A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-03-22.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming dense dry etched multi-level metallurgy with non-overlapped vias

Номер патента: US4172004A. Автор: Raymond W. Hamaker,Geoffrey B. Stephens,George E. Alcorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-10-23.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: TW478065B. Автор: Martin Gutsche,Satish Athavale. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

DRY ETCHING METHOD, DRY ETCHING APPARATUS, METAL FILM, AND DEVICE INCLUDING THE METAL FILM

Номер патента: US20140352716A1. Автор: Takeda Yuta,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for etching polysilicon with high etch selectivity through isotropic dry etch

Номер патента: KR100945226B1. Автор: 정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-03.

Tungsten hard mask for dry etching aluminum-containing layers

Номер патента: WO2001009937A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-02-08.

Process for low temperature, dry etching, and dry planarization of copper

Номер патента: WO2003038153A8. Автор: Nagraj Kulkarni. Владелец: Nagraj Kulkarni. Дата публикации: 2003-10-30.

TRANSITION METAL DRY ETCH BY ATOMIC LAYER REMOVAL OF OXIDE LAYERS FOR DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Romero Patricio E.,PLOMBON John J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: TW201712749A. Автор: Patricio E Romero,John J Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-01.

Gate trim process using either wet etch or dry etch approach to target CD for selected transistors

Номер патента: US8409994B2. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi,Bradley M. Davis. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-04-02.

Dry etch process for titanium-tungsten films

Номер патента: SG38942A1. Автор: Liu Lianjun. Владелец: Liu Lianjun. Дата публикации: 1997-04-17.

Method for forming mask for using dry-etching and method for forming fine structure pattern

Номер патента: US20080190890A1. Автор: Akifumi Kamijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Pattern formation method by dry etching

Номер патента: JPH0695502B2. Автор: 和裕 田中,弥一郎 渡壁,淑希 鈴木. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-24.

Dry etching method and method for manufacturing device

Номер патента: WO2012161026A1. Автор: 高橋　秀治. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2012-11-29.

Dry etching method and device manufacturing method

Номер патента: US20140076842A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

CLEANING SOLUTION FOR REMOVING DRY ETCHING RESIDUE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING SAME

Номер патента: US20210047594A1. Автор: KIKUNAGA Takahiro,HORIE Hiroaki,AOYAMA Kimihiro,TAJIMA Nobuo. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Zhao Lei,Wang Jiushi,Liu Qingzhao. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

CONTROL METHOD OF DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190103286A1. Автор: LEE Kyung Jin,KANG Ji Sung,CHOI Sang Jun. Владелец: VAULT CREATION CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-04.

METHODS FOR DRY ETCHING COBALT METAL USING FLUORINE RADICALS

Номер патента: US20150140812A1. Автор: GELATOS AVGERINOS V.,ZOPE Bhushan N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

DRY ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160148851A1. Автор: Okamoto Keiji,OZEKI Kazuyuki,ARAI Hiromasa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-05-26.

SLOPED PHOTORESIST EDGES FOR DEFECT REDUCTION FOR METAL DRY ETCH PROCESSES

Номер патента: US20150221524A1. Автор: STEWART ELIZABETH COSTNER,Jackson Ricky Alan,Jiang Neng,CHANG YUNG SHAN. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD FOR ANISOTROPIC DRY ETCHING OF TITANIUM-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20180294168A1. Автор: RANJAN ALOK,Tapily Kandabara N.,Rastogi Vinayak. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of formation of metallization film for anti-corrosion in dry etching of al and alcu film

Номер патента: KR100238438B1. Автор: 백규하,김상기,권광호,구진근,남기수. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2000-01-15.

Dry etching method

Номер патента: JPS6053025A. Автор: Takeshi Kimura,剛 木村,Kozo Mochiji,Akihiko Kishimoto,Hidehito Obayashi,広造 持地,大林　秀仁,岸本　晃彦. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-26.

Dry etching method of iridium electrode

Номер патента: KR100338808B1. Автор: 정지원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-31.

Method of dry etching

Номер патента: JPS615523A. Автор: Masaru Miyazaki,勝 宮崎,Takeshi Yasuda,Tetsukazu Hashimoto,武 安田,Jiyunji Masuki,哲一 橋本,舛木　順二. Владелец: Hitachi Iruma Electronic Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-11.

Dry etching method

Номер патента: JPS63238288A. Автор: Takashi Kurimoto,孝志 栗本,守孝 中村,Moritaka Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Dry etching method

Номер патента: JPS6065533A. Автор: Tatsumi Mizutani,Kazunori Tsujimoto,和典 辻本,Sadayuki Okudaira,水谷　巽,奥平　定之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-15.

Drying etching method

Номер патента: KR100188455B1. Автор: 후미히코 히구치,요시오 후카자와. Владелец: 도오교오 에레구토론 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming lower electrode of capacitor using dry etching of platinum group metal film

Номер патента: KR100319879B1. Автор: 김현우,문주태,강창진,남병윤,주병선. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-08-24.

Dry etching method

Номер патента: JPS6043829A. Автор: Hideki Takahashi,勉 塚田,Tsutomu Tsukada,高橋　秀輝. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1985-03-08.

Dry etching process to form a conductive layer within an opening without use of a mask during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US20070049038A1. Автор: Alex Schrinksy,Mark Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Dry etching method

Номер патента: KR0181513B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 오오가 노리오. Дата публикации: 1999-04-15.

Dry etching process to form a conductive layer within an opening without use of a mask during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US7326647B2. Автор: Mark E. Jost,Alex J. Schrinksy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-05.

Dry etching method

Номер патента: KR900004872B1. Автор: 히유다까 가께,사또 구리오 나까,요시 마사 후꾸시마,후미오 사바다,네 쓰네 히꼬 쓰보,이 노리오 가나. Владелец: 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1990-07-08.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US9276254B2. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for reducing agglomeration of silver etching by-products

Номер патента: EP4282507A1. Автор: Jiahe LI,Zhiyuan ZHENG,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Post-dry etching photoresist and metal containing residue removal formulation

Номер патента: EP4388069A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Chung-Yi Chang,Jhih-Kuei Ge. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Resin composition, dry-etching resist mask, and patterning method

Номер патента: US09777079B2. Автор: Makoto Yada,Takeshi Ibe. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for dry etching a photodetector array

Номер патента: US20140367822A1. Автор: Pierre-Yves Delaunay. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Dry-etching gas for semiconductor process

Номер патента: US20080203353A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jong Yeol Yang,Young Hoon Ahn,Bong Suk Kim,Hae Seok Ji,Ook Jae Cho,Jae Gug Ryu. Владелец: Ulsan Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Electrical test structure to quantify microloading after plasma dry etching of metal film

Номер патента: US5693178A. Автор: Lap Chan,Simon Chooi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Plasma-immersion ion treatment and deposition of coatings from vapour phase with help of low-pressure arc discharge

Номер патента: RU2695685C2. Автор: Владимир ГОРОХОВСКИЙ,Вильям ГРАНТ,Дэвид ХЬЮМЕНИК,Эдвард ТЕЙЛОР. Владелец: Вейпор Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2019-07-25.

Interconnect structure fabricated using lithographic and deposition processes

Номер патента: WO2020118558A1. Автор: Yong She,Bin Liu,Zhijun Xu,Zhicheng DING. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

Dry etching method for magnetic material

Номер патента: TW200508418A. Автор: Yoshimitsu Kodaira,Taichi Hiromi. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Process for producing photovoltaic device and deposition apparatus

Номер патента: US20110201145A1. Автор: Kengo Yamaguchi,Hiroomi Miyahara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Methods of detecting an etch by-product and methods of manufacturing a magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US09318697B2. Автор: Won-Jun Lee,Jin-Hye Bae,Taek-Dong Chung,Sung-Yoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Methods of and apparatus for electrochemically fabricating structures via interlaced layers or via selective etching and filling of voids

Номер патента: US09512532B2. Автор: Dennis R. Smalley. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabrication and design methods using selective etching and dual-material self-aligned multiple patterning processes to reduce the cut-hole patterning yield loss

Номер патента: US09679771B1. Автор: Yijian Chen. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140166206A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Ichiro Nakayama,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140305590A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Yasushi Taniguchi,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Oxide semiconductor film dry etching method

Номер патента: JP5028033B2. Автор: 建六 張. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for fabricating interconnection and capacitors of a DRAM using a simple geometry active area, self-aligned etching, and polysilicon plugs

Номер патента: US6080620A. Автор: Erik S. Jeng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Selective and precise etching and plating of conductive substrates

Номер патента: US5202222A. Автор: Martin J. Harris,Ivan K. Ho. Владелец: Shipley Co Inc. Дата публикации: 1993-04-13.

Apparatus for electrochemical etching and apparatus for electroplating

Номер патента: US20170121842A1. Автор: Teng-Yu Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of and Apparatus for Electrochemically Fabricating Structures Via Interlaced Layers or Via Selective Etching and Filling of Voids

Номер патента: US20120261267A1. Автор: Dennis R. Smalley. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Dry etching method

Номер патента: US20060108323A1. Автор: Shuichi Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for manufacturing touch screen panels using a dry etching apparatus

Номер патента: US09552122B2. Автор: Bong-Sub Song,Soung-Chang Ku. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus

Номер патента: US4780169A. Автор: Mark M. Stark,Douglas H. Warenback,David J. Drage. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1988-10-25.

Flow guide plate, lower electrode assembly for dry etching apparatus, and dry etching apparatus

Номер патента: US20190043696A1. Автор: ZHONG YANG,Kai Jiang,Xiaofeng Yang,Shihong Chen,Zelin Chen,Mingzhi Chai. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Dry etching methods for reducing fluorocarbon-containing gas emissions

Номер патента: US20240212988A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Ceramic structure, lower electrode, and dry etching machine

Номер патента: US20210335575A1. Автор: YI Meng. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method and apparatus for ion etching and deposition

Номер патента: CA1331866C. Автор: John R. McNeil,Scott R. Wilson. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 1994-09-06.

Device for synthesis and deposition of metal coatings on current-conducting articles

Номер патента: RU2649904C1. Автор: Сергей Николаевич Григорьев,Марина Александровна Волосова,Александр Сергеевич Метель,Юрий Андреевич Мельник,Павел Станиславович Краснов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2018-04-05.

Parallel concentration, desalting and deposition onto maldi targets

Номер патента: WO2003044526A9. Автор: Daniel Wall,Jeffrey Finch,Robert Karol. Владелец: Robert Karol. Дата публикации: 2004-06-03.

Parallel concentration, desalting and deposition onto maldi targets

Номер патента: EP1442294A1. Автор: Daniel Wall,Jeffrey Finch,Robert Karol. Владелец: Waters Investments Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Device and method for sputtering and depositing metal on surface of magnetic powder materials

Номер патента: US20230317429A1. Автор: Ning Xia,Bin Zhang,Junyan Zhang,Haijun Jia,Kaixiong Gao,Zhongliang CHANG,Yongping Bao. Владелец: Lanzhou Institute Of Chemical Physics, Cas. Дата публикации: 2023-10-05.

Plasma-Generating Structures, Display Devices, Plasma-Enhanced Treatments, Methods Of Forming Plasma-Generating Structures; Methods Of Plasma-Assisted Etching, And Methods Of Plasma-Assisted Deposition

Номер патента: US20090015160A1. Автор: Stephen J. Kramer,Neal Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Methods of forming plasma-generating structures; methods of plasma-assisted etching, and methods of plasma-assisted deposition

Номер патента: US8033884B2. Автор: Stephen J. Kramer,Neal R. Rueger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Method and apparatus for low energy electron enhanced etching and cleaning of substrates

Номер патента: CA2353479C. Автор: Kevin P. Martin,Harry P. Gillis,Dimitri A. Choutov. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2008-02-12.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: AU3509997A. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-21.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Dry etching method of surface texture formation on silicon wafer

Номер патента: EP2635513A4. Автор: Young Kyu Cho. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: EP4033518B1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-06.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: SG11202107622UA. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-30.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US11814726B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dry-etch for selective oxidation removal

Номер патента: US20150311089A1. Автор: Nitin K. Ingle,Sang-Jin Kim,Anchuan Wang,Young S. Lee,Ching-Mei Hsu,Dongqing Yang,Sang Hyuk Kim,Weon Young Jung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein

Номер патента: DE3171924D1. Автор: Naomichi Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-09-26.

Gases for plasma reaction, method of dry etching, and film-forming method of fluorocarbon film

Номер патента: TW200839031A. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source

Номер патента: KR100419033B1. Автор: 김준태,석창길,손상현,강순석. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2004-02-21.

Dry etching device and dry etching method

Номер патента: WO2014024216A1. Автор: 満 小荒井,甲二 埴原,敏夫 横内. Владелец: パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社. Дата публикации: 2014-02-13.

Dry etch back substrate interconnections

Номер патента: US20220108918A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Jialing Tong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Dry-etching method and plasma

Номер патента: US4948461A. Автор: Dilip K. Chatterjee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-08-14.

The detective method for the dry-etching machine

Номер патента: TW200410302A. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Dry etching using electrostatic chucking device

Номер патента: IE812268L. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-03-30.

High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications

Номер патента: SG10201706963VA. Автор: Ishtak Karim,Purushottam Kumar,Arpan Mahorowala. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2018-03-28.

Deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US09724725B2. Автор: Jeong Won Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: JP6952766B2. Автор: 高橋　至直,至直 高橋,深江　功也,功也 深江,惟人 加藤. Владелец: Kanto Denka Kyogyo Co.,Ltd.. Дата публикации: 2021-10-20.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US20210108311A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Deposition apparatus and deposition method using deposition apparatus

Номер патента: US20190226084A1. Автор: Junha PARK,Myungsoo Huh,Sangjin Han,Eugene Kang,Seongho Jeong,Jiyoung Choung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Device for dry etching and the method for reducing gap between its inner shield ring and absorption platform

Номер патента: CN105789094B. Автор: 苏彦荧,庄荀凯. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

METHOD OF FORMING AN INTEGRATED INDUCTOR BY DRY ETCHING AND METAL FILLING

Номер патента: US20140377892A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Sun Qingqing. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-25.

Cleaning liquid composition after dry etching, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP2005347587A. Автор: 典夫 石川,Masafumi Muramatsu,Kazumi Asada,Yukino Hagino,Atsushi Okuyama,Takahito Nakajima,Kazuhiko Takase,Norio Ishikawa,拓央 大和田,奥山　　敦,Takeshi Matsumura,剛 松村,和己 浅田,和彦 高瀬,宜弘 魚住,崇人 中嶋,Hirohisa Owada,真文 村松,友紀乃 萩野,Nobuhiro Uozumi. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2005-12-15.

Deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US09713818B2. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Detoxification device, deposit removal means, and deposit removal method

Номер патента: EP4403828A1. Автор: Masahiro Tanaka,Katsunori Takahashi,Jinquan Guan. Владелец: Edwards Japan Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Apparatus for depositing a substrate and deposition system having the same

Номер патента: US20210102285A1. Автор: Jeong-Heon Park,Junho Jeong,Whankyun Kim,Sukhoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

FET mfg. process esp. with sub-micron quantum wire channel - using two-level electron beam resist system, with different electron exposure sensitivities in resist layers, and forming gate recess in gallium arsenide layer with holes dry etched in aluminium gallium arsenide channel layer

Номер патента: FR2693030A1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Poul Erik,Adam Didier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-12-31.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR950014076B1. Автор: 타다시 키무라,요시노브 나가노,카즈유끼 토미타,테쯔 이께다. Владелец: 마쯔시다 덴기산교 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-11-21.

an apparatus for dry etching

Номер патента: KR100688229B1. Автор: 신상윤. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Cleaning solution for removing dry etching residue and method for manufacturing semiconductor substrate using same

Номер патента: EP3767666B1. Автор: Nobuo Tajima,Hiroaki Horie,Takahiro Kikunaga,Kimihiro AOYAMA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Deposition apparatus and deposition method

Номер патента: US20240263298A1. Автор: Cheng-wei LIU,Liang-Cheng Ma. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Deposition apparatus and deposition method

Номер патента: EP4424866A2. Автор: Cheng-wei LIU,Liang-Cheng Ma. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170032987A1. Автор: Lee Hyung-Joo,Kim Kwang-Nam,Baek Kye-hyun,Hong Jong-Seo,TOMOYASU Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

DRY-ETCH DEVICE AND A LOWER ELECTRODE THEREOF

Номер патента: US20180047546A1. Автор: YU Kai,Li Wei,Zhang Guangming,QU Hongming. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

DRY ETCHING APPARATUS AND CLAMP THEREFOR

Номер патента: US20140224427A1. Автор: Takahashi Shuji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200135429A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

DRY ETCH RATE REDUCTION OF SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20190157077A1. Автор: GUNG TZA-JING,Padhi Deenesh,TSIANG Michael Wenyoung,Yu Hang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Dry etching apparatus

Номер патента: US20170186588A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD AND EQUIPMENT FOR REMOVING PHOTORESIST RESIDUE AFER DRY ETCH

Номер патента: US20150249024A1. Автор: Shen Chia-I,Hsiaw Han-Ti,CHEN Mu-Chen,HUANG Yi-Tse,LIAO Wei-Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-09-03.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170278674A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: SPEEDFAM Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-09-28.

Post-dry etching cleaning liquid composition and process for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8513140B2. Автор: Masafumi Muramatsu,Kazumi Asada,Yukino Hagino,Atsushi Okuyama,Takahito Nakajima,Kazuhiko Takase,Yoshihiro Uozumi,Tsuyoshi Matsumura,Takuo Ohwada,Norio Ishikawa. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Dry etching method for semiconductor device

Номер патента: JP2005197475A. Автор: Masahiro Takahashi,昌弘 ▲高▼橋. Владелец: Miyagi Oki Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Dry etching equipment of semiconductor device manufacturing equipment

Номер патента: KR100489638B1. Автор: 차훈,채승기,양윤식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-31.

Direct cooling type electrostatic chuck for dry etching equipment

Номер патента: KR102199738B1. Автор: 이정진,이나경,이석건,성현석,이인근. Владелец: (주)코리아스타텍. Дата публикации: 2021-01-08.

Wafer carrier elevator for sensing a wafer incongruent loading after dry etching process

Номер патента: KR100246850B1. Автор: 이경수,오재영,박진호,박동수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Dry etching equipment

Номер патента: JPH0758708B2. Автор: 哲也 上田,航作 矢野. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-21.

Dry etch method of zinc oxide

Номер патента: KR20020014202A. Автор: 박성주,최원국,김경국,이지면. Владелец: 김효근. Дата публикации: 2002-02-25.

dry etching apparatus for liquid crystal display device

Номер патента: KR101147103B1. Автор: 유광종. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-05-17.

Dry Etching Apparatus

Номер патента: KR100626279B1. Автор: 정창성. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-09-22.

Quartz Disc Structure of Dry Etching Equipment

Номер патента: KR200211254Y1. Автор: 김한수. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-06-01.

Dry etching apparatus

Номер патента: KR20060013987A. Автор: 김광옥. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-14.

Reaction cavity and dry etching machine

Номер патента: CN106158708B. Автор: 程志浩. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Tary and dry etching apparatus using the same

Номер патента: KR20100004194A. Автор: 최종용. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2010-01-13.

Dry etching equipment

Номер патента: JP3037597B2. Автор: 敬治 山田,顕弘 北畠. Владелец: Sanyo Vacuum Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-24.

Dry etching apparatus

Номер патента: CN108565231A. Автор: 王帆. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-21.

Post-dry etching cleaning liquid composition and process for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110014793A1. Автор: Masafumi Muramatsu,Kazumi Asada,Yukino Hagino,Atsushi Okuyama,Takahito Nakajima,Kazuhiko Takase,Yoshihiro Uozumi,Tsuyoshi Matsumura,Takuo Ohwada,Norio Ishikawa. Владелец: Norio Ishikawa. Дата публикации: 2011-01-20.

Upper electrode for electrode assembly of semiconductor dry etching equipment

Номер патента: KR19980067038U. Автор: 김상경. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Dry etching process method improving mask line width deviation of groove and dielectric layer

Номер патента: CN104064512A. Автор: 王春,吴智勇. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

Apparatus for supply of gas in dry etching process of semiconductor

Номер патента: KR100338955B1. Автор: 정연우,성용규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-31.

Dry etching process method improving mask line width deviation of groove and dielectric layer

Номер патента: CN104064512B. Автор: 王春,吴智勇. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-04-12.

A kind of method that silicon carbide substrates are obtained using dry etching method

Номер патента: CN105632901B. Автор: 王锡铭. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-25.

Dry etching semiconductor ventilation cavity and preparation method thereof

Номер патента: CN111584400A. Автор: 姚力军,潘杰,王学泽,边逸军,占卫君. Владелец: Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Etching amount measurement apparatus for dry etching apparatus

Номер патента: US09612205B2. Автор: Munenori Iwami,Ganachev IvanPetrov. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Highly heat-resistant plasma etching electrode and dry etching device including the same

Номер патента: TW552638B. Автор: Akira Yamaguchi,Shuji Tomita. Владелец: Nisshin Spinning. Дата публикации: 2003-09-11.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US09741895B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-08-22.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: KR101969517B1. Автор: 아키후미 야오,요스케 나카무라,마사키 후지와라,히로유키 오모리. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-04-16.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: WO2016163184A1. Автор: 昌生 藤原,章史 八尾,陽介 中村,啓之 大森. Владелец: セントラル硝子株式会社. Дата публикации: 2016-10-13.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: TW201700443A. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Yosuke Nakamura,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-01.

Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy

Номер патента: US11273469B2. Автор: Brian J. Coppa,Deepak Vedhachalam,Francois C. Dassapa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Dry etching apparatus, etching method, and method of forming a wiring

Номер патента: US20060048894A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Manufacturing method of array substrate using dry etching processing and wet etching processing, array substrate and display device

Номер патента: US11469253B2. Автор: Yinhu HUANG,Binbin CAO,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US9368672B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-14.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20170282223A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20170287791A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20200406315A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-12-31.

Controlling Dry Etching Process Characteristics Using Waferless Dry Cleaning Light Emission Spectroscopy

Номер патента: KR102304823B1. Автор: 브라이언 제이 콥파,디팩 베다차람,프랑수아 씨 다싸파. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-09-23.

Dry etching treatment feature control using optical emission spectroscopy of waferless dry cleaning

Номер патента: TWI656573B. Автор: 布萊恩 Ｊ 科帕,迪帕克 維大卡蘭姆,弗朗索瓦 Ｃ 達薩帕. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Dry etch process feature is controlled using non-wafer dry clean emission spectrum

Номер патента: CN109075066A. Автор: 布赖恩·J·科帕,迪帕克·韦德哈查拉姆,弗朗索瓦·C·达萨帕. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-21.

Method for manufacturing light-emitting element and deposition apparatus

Номер патента: US09578718B2. Автор: Hisao Ikeda,Yasuhiro Jinbo,Kohei Yokoyama,Shinichi HIRASA,Natsuko TAKASE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

MONITORING DRY-ETCHING OF POLYMER LAYER FOR TRANSFERRING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200006108A1. Автор: Brodoceanu Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Wavelength Determination Method for EDP in Semiconductor Dry Etching Process

Номер патента: KR100475459B1. Автор: 이재봉,이휘건. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-27.

Deposition mask package and deposition mask packaging method

Номер патента: US20240316902A1. Автор: Chikao Ikenaga,Takeru Watanabe,Takumi OIKE,Tsukasa Mukaida. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Deposition mask package and deposition mask packaging method

Номер патента: US12109778B2. Автор: Chikao Ikenaga,Takeru Watanabe,Takumi OIKE,Tsukasa Mukaida. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130233491A1. Автор: CHOI Jong Yong. Владелец: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHODS FOR RESISTIVE RAM (ReRAM) PERFORMANCE STABILIZATION VIA DRY ETCH CLEAN TREATMENT

Номер патента: US20220059765A1. Автор: WANG Qi,Cady Nathaniel,Voronin Sergey,Sridhar Shyam,Beckmann Karsten,Rodgers Martin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD OF MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE WITH CONCAVE-CONVEX FLIM USING DRY ETCHING, GLASS SUBSTRATE WITH CONCAVE-CONVEX FILM, SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL

Номер патента: US20140170799A1. Автор: Suzuki Atsushi,KONDO Toshiyuki,Teramae Fumiharu,Kitano Tsukasa,MORI Midori,Maniwae Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

Mram dry etching residue removal composition, method of producing magnetoresistive random access memory, and cobalt removal composition

Номер патента: US20170229308A1. Автор: Atsushi Mizutani,Keeyoung Park. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

REMOVAL OF 3D SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY DRY ETCHING

Номер патента: US20160260864A1. Автор: THOMPSON Daniel Bryce,Lemay Cynthia. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DRY ETCHING A PHOTODETECTOR ARRAY

Номер патента: US20140367822A1. Автор: Delaunay Pierre-Yves. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

REMOVAL OF 3D SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY DRY ETCHING

Номер патента: US20140370631A1. Автор: THOMPSON Daniel Bryce,Lemay Cynthia. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

DRY ETCH METHOD FOR TEXTURING SILICON AND DEVICE

Номер патента: US20160351733A1. Автор: Kim Jeehwan,GERSHON TALIA S.,LEE YUN SEOG,Haight Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

DRY ETCH METHOD FOR TEXTURING SILICON AND DEVICE

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Kim Jeehwan,GERSHON TALIA S.,LEE YUN SEOG,Haight Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Anisotropic Dry Etching of ZnO for Optical and Electronic Devices Using BCl3 Based Plasmas

Номер патента: KR100484502B1. Автор: 김한기,성태연,김경국. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2005-04-20.

Monitoring dry-etching of polymer layer for transferring semiconductor devices

Номер патента: US10998215B2. Автор: Daniel Brodoceanu. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-04.

Deposition device and deposition method

Номер патента: US20240207891A1. Автор: Atsushi Takeda,Takanobu Takenaka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Deposition device and deposition method

Номер патента: US20230219114A1. Автор: Atsushi Takeda,Takanobu Takenaka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Deposition device and deposition method

Номер патента: US11958073B2. Автор: Atsushi Takeda,Takanobu Takenaka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Control method of dual three-phase permanent magnet synchronous motor by alternately performing sampling and control procedures

Номер патента: US12095392B2. Автор: Zheng Wang,Minrui GU. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-17.

Digital file recognition and deposit system

Номер патента: US11743216B2. Автор: Anuj Shah,Ashwin Roongta,Sayan Banerjee. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Digital file recognition and deposit system

Номер патента: US20220083503A1. Автор: Anuj Shah,Ashwin Roongta,Sayan Banerjee. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Digital file recognition and deposit system

Номер патента: US20200183880A1. Автор: Anuj Shah,Ashwin Roongta,Sayan Banerjee. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

System for automatic management and depositing of documents (images) hash in block-chain technology

Номер патента: US11893055B2. Автор: Sava Zivanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-06.

Improvements in or relating to methods of etching and apparatus therefor

Номер патента: GB1145522A. Автор: . Владелец: Chemcut Corp. Дата публикации: 1969-03-19.

Etching and thinning for the fabrication of lithographically patterned diamond nanostructures

Номер патента: US20210399708A1. Автор: Hailin Wang,Ignas Lekavicius. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2021-12-23.

End point judging method of dry etching and dry etching equipment

Номер патента: JPH11176815A. Автор: Masato Kijima,正人 貴島. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-02.

Process optimization in gas phase dry etching

Номер патента: US5711849A. Автор: Daniel L. Flamm,John P. Verboncoeur. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-27.

FLOW GUIDE PLATE, LOWER ELECTRODE ASSEMBLY FOR DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190043696A1. Автор: Yang Zhong,Yang Xiaofeng,JIANG Kai,Chai Mingzhi,Chen Shihong,Chen Zelin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DRY ETCHING DEVICE AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20160260586A1. Автор: CHAI Li. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Dry etching equipment and dry etching method

Номер патента: JP3385528B2. Автор: 英樹 原野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-10.

Method and apparatus for dry etching

Номер патента: JPS57200571A. Автор: Sumio Yamamoto,Seiichi Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-08.

Dry etching device provided with monitor

Номер патента: JPS56160042A. Автор: Nobuo Hayasaka,Junichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-12-09.

A kind of dry etching machine and lithographic method thereof

Номер патента: CN103745904B. Автор: 刘思洋. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

High-entropy ultra-high temperature ceramic (he-uhtc) coatings and deposition methods thereof

Номер патента: US20230406776A1. Автор: Cheng Zhang,Arvind Agarwal,Ambreen Nisar. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2023-12-21.

Deposition device and deposition method

Номер патента: US09758857B2. Автор: Hiroshi Tamagaki,Asuka NAGAMINE. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

DRY ETCHING DEVICE AND ELECTRODE THEREOF

Номер патента: US20200006040A1. Автор: WEN Chun-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

APPARATUS AND METHODS FOR DRY ETCH WITH EDGE, SIDE AND BACK PROTECTION

Номер патента: US20190096634A1. Автор: Sabharwal Amitabh,Kumar Ajay,Singh Saravjeet,SCOTT Graeme Jamieson. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

LOCAL DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160104601A1. Автор: OBARA Yasushi. Владелец: SPEEDFAM Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-14.

LOWER ELECTRODE AND DRY ETCHING MACHINE

Номер патента: US20200144033A1. Автор: JI Liming. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

DRY ETCHING DEVICE AND ELECTRODE THEREOF

Номер патента: US20150179410A1. Автор: Yang Dong,GUO Xiaolong,Ji Yunlong,Hua Zitong. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

ANODE PREPARATION SYSTEM APPLYING DRY ETCHING TREATMENT TO THE ANODES

Номер патента: US20200243845A1. Автор: ARONOV Daniel,Sella Eran. Владелец: StoreDot Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SCREEN PANELS USING A DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150340205A1. Автор: SONG Bong-Sub,KU Soung-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Method for manufacturing a touch screen panel using the dry etching apparatus

Номер патента: KR101082134B1. Автор: 구성창,송봉섭. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-11-09.

Dry etching device

Номер патента: JPS5817618A. Автор: Haruo Okano,晴雄 岡野,Yasuharu Horiike,堀池　靖治. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-02-01.

Method for dry etching

Номер патента: JPS577935A. Автор: Masanao Itoga,Naomichi Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-01-16.

Dry etching device

Номер патента: JPS6053026A. Автор: Shinpei Iijima,飯島　晋平. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-26.

Dry etching device

Номер патента: JPS5810830A. Автор: Mitsuo Yoneuchi,米内　光雄. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1983-01-21.

The top electrode and its manufacturing method of dry etching equipment

Номер патента: CN109360779A. Автор: 温彦跃. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-19.

Plasma CVD Apparatus and Method and Dry Etching Apparatus and Method

Номер патента: KR970021370A. Автор: 료키 도베,마사오 사사키,아츠시 세키구치,겐이치 다카기. Владелец: 아네루바 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-05-28.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5732637A. Автор: Shigeji Kinoshita,Yaichiro Watakabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-02-22.

Method and apparatus for monitoring dry etching of a dielectric film to a given thickness

Номер патента: DE69510032T2. Автор: Philippe Coronel,Jean Canteloup,Bernard Auda. Владелец: SOFIE INSTR ARPAJON. Дата публикации: 2000-01-27.

Dry etching method

Номер патента: JPS5953684A. Автор: 守孝 中村,Moritaka Nakamura,Takashi Maruyama,隆司 丸山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-03-28.

Dry etching device

Номер патента: JPS5978534A. Автор: Tetsukazu Hashimoto,Hideo Sunami,英夫 角南,哲一 橋本,Hirohei Iijima,飯島　普平. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-05-07.

Method For Detecting An End Point In A Dry Etching Process

Номер патента: KR100473857B1. Автор: 이순종,이동석,우봉주. Владелец: (주)쎄미시스코. Дата публикации: 2005-03-10.

Manufacturing method for surface bumps of electrostatic adsorption plate in dry etching device

Номер патента: CN103855068A. Автор: 金东熙,刘芳钰. Владелец: Global Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Methods and materials for functional polyionic species and deposition thereof

Номер патента: US09393589B2. Автор: J. Wallace Parce,Benjamin Wang,Kevin Krogman,David Olmeijer. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Device for removing and depositing loads between two supports in repeated relative vertical movement

Номер патента: US4324385A. Автор: Jean-Paul Colin,Maurice Cojean. Владелец: Ateliers et Chantiers de Bretagne ACB SA. Дата публикации: 1982-04-13.

Method and arrangement for continuous etching and anodizing of aluminum

Номер патента: US3632486A. Автор: Helmut F Herrmann,Rolando M Dizon. Владелец: Metalloxyd GmbH. Дата публикации: 1972-01-04.

Method of etching and cleaning objects

Номер патента: US7419614B2. Автор: Jeong-Jin Kim,Il-Ryong Park,Hae-Joo Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Powder and deposition control in throttle valve

Номер патента: EP3066369A1. Автор: Youfan Gu,Matthew C. Grout. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Powder and deposition control in throttle valve

Номер патента: WO2015069848A1. Автор: Youfan Gu,Matthew C. Grout. Владелец: MKS Instruments, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

Lifting and depositing device for portable containers, e.g., containers, shelters, superstructure replacement parts or the like

Номер патента: CA1212375A. Автор: Jörg Wenzel. Владелец: HAACON HEBETECHNIK GMBH. Дата публикации: 1986-10-07.

Process and apparatus for cutting of discrete components of a multi-component workpiece and depositing them with registration on a moving web of material

Номер патента: WO1999062801A3. Автор: Gregory John Rajala. Владелец: Kimberly Clark Co. Дата публикации: 2000-02-10.

Process and apparatus for cutting of discrete components of a multi-component workpiece and depositing them with registration on a moving web of material

Номер патента: EP1102716A2. Автор: Gregory John Rajala. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2001-05-30.

再生pecvd设备或dry etch设备腔体中的构件的方法

Номер патента: CN114535186. Автор: 刘超,刘晓刚,朱勇,李仁杰,蔡广云,黄来国. Владелец: Hefei Weirui Optoelectronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Multilayer parameter-varying fusion and deposition strategies for additive manufacturing

Номер патента: US12115716B2. Автор: Salvatore Torquato,Adam Bayne Hopkins,Brandon BEBERWYCK. Владелец: Heavy Metal LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for accelerated build-up and recovery of capacity for nickel-cadmium accumulators by alternating asymmetric current

Номер патента: RU2521607C1. Автор: Николай Ефимович Галушкин,Наталья Николаевна Язвинская,Дмитрий Николаевич Галушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-07-10.

A method for reducing agglomeration, sintering and deposit formation in gasification and combustion of biomass

Номер патента: EP1222240A2. Автор: Ulrik Henriksen,Jan Fjellerup,Lasse Holst S Rensen. Владелец: Readdit Aps. Дата публикации: 2002-07-17.

A method for reducing agglomeration, sintering and deposit formation in gasification and combustion of biomass

Номер патента: AU5966700A. Автор: Ulrik Henriksen,Jan Fjellerup,Lasse Holst Sorensen. Владелец: Reatech. Дата публикации: 2001-02-05.

A method for reducing agglomeration, sintering and deposit formation in gasification and combustion of biomass

Номер патента: EP1222240B1. Автор: Ulrik Henriksen,Jan Fjellerup,Lasse Holst S Rensen. Владелец: Readdit Aps. Дата публикации: 2004-05-12.

A method for reducing agglomeration, sintering and deposit formation

Номер патента: WO2001005911A3. Автор: Ulrik Henriksen,Lasse Holst Soerensen,Jan Fjellerup. Владелец: Reatech. Дата публикации: 2001-08-09.

Fuel supply system for boats fuelled by alternative fuels and relative boats

Номер патента: EP2503128A1. Автор: Chris Albert Lea Van Oevelen. Владелец: CVO TECHNOLOGIES Srl. Дата публикации: 2012-09-26.

Gas distribution system for feeding gas contained in different tanks to an engine of vehicle powered by alternative gas fuel

Номер патента: EP3914849A1. Автор: Luigi TENNERIELLO. Владелец: CNH Industrial Italia SpA. Дата публикации: 2021-12-01.

Gas distribution system for feeding gas contained in different tanks to an engine of vehicle powered by alternative gas fuel

Номер патента: WO2020152195A1. Автор: Luigi TENNERIELLO. Владелец: Cnh Industrial Italia S.P.A.. Дата публикации: 2020-07-30.

Device for electrolytic etching and dissolution and a method for extracting particles of a metallic compound

Номер патента: RU2698004C1. Автор: Кадзуми МИДЗУКАМИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2019-08-21.

Regeneration of hydrochloric copper-chloride solution of copper etching by membrane electrolytic cells

Номер патента: RU2709305C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Тураев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Тураев. Дата публикации: 2019-12-17.

Selective uv-ozone dry etching of anti-stiction coatings for mems device fabrication

Номер патента: WO2010147796A3. Автор: Mehmet Hancer. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-04-14.

Photosensitive resin composition for dry etching, and method for producing resist pattern for dry etching

Номер патента: US10061195B2. Автор: Teruhiro Uematsu,Kiminori Oshio. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Photosensitive resin composition for dry etching, and method for producing resist pattern for dry etching

Номер патента: US20160291475A1. Автор: Teruhiro Uematsu,Kiminori Oshio. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Photosensitive resin composition and method of improving dry etching resistance of photosensitive resin composition

Номер патента: EP1126319A1. Автор: Shuichi Takahashi. Владелец: CLARIANT INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2001-08-22.

Dry etching composition, kit, pattern formation method, and method of manufacturing optical filter

Номер патента: US20190154891A1. Автор: Keisuke Arimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Process of and system for facilitating cash collections deposits and deposit tracking

Номер патента: US09495705B2. Автор: Aaron Baker,Frederick Purches,Paul BLACHOWICZ. Владелец: Brinks Network Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Gripper for gripping, moving and depositing pallets

Номер патента: RU2683216C2. Автор: Даниель ШЕЕР. Владелец: Лор Электромеканик. Дата публикации: 2019-03-26.

Dyeing method and apparatus for dyeing resin body by vaporization and deposition

Номер патента: US09988708B2. Автор: Yasuo Ota,Minoru Inuzuka,Atsushi Yano,Motoshi Tanaka. Владелец: Nidek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method reducing corrosion and deposition of corrosion products in crude oil refining unit

Номер патента: RU2533820C2. Автор: Сэм ФЕРГЮСОН,Гленн Л. СКЕТТЕРГУД. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2014-11-20.

Compositions for applying coatings with decorative effect, preparation and deposition methods thereof

Номер патента: RU2423402C2. Автор: Роберт Г. НЕГРИ,Рафаэль БЕРИ. Владелец: Юнайтед Стэйтс Джипсам Компани. Дата публикации: 2011-07-10.

Systems, methods, and apparatuses for loading, securing, transporting, and depositing objects

Номер патента: CA3215321A1. Автор: Julio Gil,Julian Leland Bell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-10.

Experimental study method of integration of physical simulation and deposition numerical simulation based on source-sink system

Номер патента: NL2034192A. Автор: Jiang Zaixing,Xue Xinyu,Wei Siyuan,Hu Guangming,Liu Zhongbao. Владелец: Univ China Geosciences Beijing. Дата публикации: 2024-07-12.

Concrete ingredient delivery truck having a mixing means and a fiber strand chopping device for mixing concrete ingredients and short fiber strand lenghts at a job site and depositing the mixture

Номер патента: US20060071026A1. Автор: Darrell Knepp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

A device for picking up and depositing loads, for example loaded pallets.

Номер патента: NL2034440B1. Автор: Servaas Matti Robert. Владелец: Rogama B V. Дата публикации: 2024-10-02.

A device for picking up and depositing loads, for example loaded pallets

Номер патента: WO2024205401A1. Автор: Robert Servaas Matti. Владелец: ROGAMA B.V.. Дата публикации: 2024-10-03.

Gripper for gripping, moving and depositing a pallet

Номер патента: US09850104B2. Автор: Daniel Scheer. Владелец: Lohr Electromecanique SAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of water content determination in oil-containing emulsions and deposits

Номер патента: RU2650079C1. Автор: Святослав Валерьевич Суховерхов,Вера Богдановна Логвинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2018-04-06.

Trailer-type vehicle for lifting, transporting, and depositing loads

Номер патента: US4049143A. Автор: Jussi Sarvela,Vesa Hatakka. Владелец: Innovation Services Co Oy. Дата публикации: 1977-09-20.

Design and deposition of sensing layers for surface acoustic wave chemical sensors based on supra-molecular chemistry

Номер патента: WO2008118740A2. Автор: Ion Georgescu,Cornel P. Cobianu,Bogdan Catalin Serban,Nicolae Varachiu,Viorel V. Avramescu. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for making a customizable apparatus for transporting and depositing fluids

Номер патента: US9937704B2. Автор: Michael Scott Prodoehl,Kevin Benson Mcneil,Thomas Timothy Byrne,Haibin (NMN) Chen. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Surface preparation and deposition method for titanium nitride onto carbonaceous

Номер патента: CA2121266C. Автор: Simon K. Nieh,Jesse N. Matossian,Frans G. Krajenbrink,Robert W. Schumacher. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-06-09.

Recognizing pathological images captured by alternate image capturing devices

Номер патента: US20210097686A1. Автор: Hiroki Nakano,Yusuke Takeuchi,Sho Yonezawa,Yoshinori Kabeya,Issei OZAWA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Bipolar exfoliation and deposition of phosphorene onto negative feeding electrode

Номер патента: US11034584B1. Автор: Vadym Drozd,Chunlei Wang,Anis Allagui,Iman Khakpour,Amin Rabiei Baboukani. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for preparing bars comprising use of separate bar adjuvant compositions comprising benefit agent and deposition polymer

Номер патента: US5858939A. Автор: Liang Sheng Tsaur. Владелец: Lever Brothers Co. Дата публикации: 1999-01-12.

Systems, methods, and apparatuses for loading, securing, transporting, and depositing objects

Номер патента: US20220348427A1. Автор: Julio Gil,Julian Leland Bell. Владелец: United Parcel Service of America Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of gas production by alternate use of multi-stage cracking of coal massif during combustion with formation of shock wave and heat-carrier injection

Номер патента: RU2731428C1. Автор: Вэй Ян,Байцюань ЛИНЬ,Ян ЧЖАО. Владелец: Сюйчжоу Боань Сайенз Энд Технолоджи Девелопмент Ко., Лтд. Дата публикации: 2020-09-02.

A device for selectively picking and depositing articles to an automatic warehouse

Номер патента: EP3442888A1. Автор: Franco Stefani. Владелец: Modula SpA. Дата публикации: 2019-02-20.

A device for selectively picking and depositing articles to an automatic warehouse

Номер патента: WO2017178940A1. Автор: Franco Stefani. Владелец: Modula S.P.A. Con Socio Unico. Дата публикации: 2017-10-19.

A device for selectively picking and depositing articles to an automatic warehouse

Номер патента: EP3442889A1. Автор: Franco Stefani. Владелец: Modula SpA. Дата публикации: 2019-02-20.

A device for selectively picking and depositing articles to an automatic warehouse

Номер патента: WO2017178939A1. Автор: Franco Stefani. Владелец: Modula S.P.A. Con Socio Unico. Дата публикации: 2017-10-19.

Well tool and method for heating and depositing first and second charges of selective temperature melting metal alloyw for repairing failure spots along a section of a tubular conduit in a subterranean well

Номер патента: MY135597A. Автор: J Wardlaw P Louis. Владелец: J Wardlaw P Louis. Дата публикации: 2008-05-30.

Method for inhibiting the formation and deposition of silica scale in aqueous systems

Номер патента: EP2655270A2. Автор: Jasbir S. Gill,Martin R. Godfrey,Cheryl Williams,Nathaniel T. GREENE. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2013-10-30.

Method for inhibiting the formation and deposition of silica scale in aqueous systems

Номер патента: SG191311A1. Автор: Jasbir S Gill,Cheryl Williams,Martin R Godfrey,Nathaniel T Greene. Владелец: Nalco Co. Дата публикации: 2013-07-31.

Robotic payload for extracting and depositing lightweight materials

Номер патента: US20240173850A1. Автор: Avideh Zakhor,Emily Lathrop. Владелец: Signetron Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus for receiving and depositing plant pots which stand in rows

Номер патента: US20230240202A1. Автор: Michael Pokriefke,Florian Lücking,Malte Hamann,Dennis Pülscher. Владелец: Seed2soil & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2023-08-03.

Process and grasping device for picking up, transporting, and depositing flat parts made of textile material, etc.

Номер патента: US5161844A. Автор: Herr D. Zimmer,Gunther Weichhard,Jens Hensel. Владелец: KUKA Schweissanlagen und Roboter GmbH. Дата публикации: 1992-11-10.

Method of purifying and depositing group iiia and group va compounds to produce epitaxial films

Номер патента: CA1318261C. Автор: Thomas M. Potts. Владелец: Eagle Picher Industries Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Simultaneous development of underground caverns and deposition of materials

Номер патента: CA2536763C. Автор: David Charles Landry,Roger Jacques Maduell,David Brian Singleton. Владелец: Freeport Mcmoran Energy LLC. Дата публикации: 2009-03-31.

Ori-inhibited and deposit-resistant motor fuel composition

Номер патента: CA2003322A1. Автор: Rodney Lu-Dai Sung. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1990-07-27.

Formation and deposition of sputtered nanoscale particles in cigarette manufacture

Номер патента: US20120012122A1. Автор: Firooz Rasouli,Mohammad Hajaligol,Khaled Saoud,Ramkuber Yadav. Владелец: PHILIP MORRIS USA INC. Дата публикации: 2012-01-19.

Manual crank assembly for winches, especially for rack and pinion jacks of a lifting and depositing device for portable box-like articles, e.g. large containers

Номер патента: US4706936A. Автор: Reinhold Riedl. Владелец: HAACON HEBETECHNIK GMBH. Дата публикации: 1987-11-17.

Stirring-free scalable electrosynthesis enabled by alternating current

Номер патента: US20240167176A1. Автор: Sergey N. SEMENOV,Evgenil BORTNIKOV. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for planting and deposition of fertilizers during grapes growing in chestnut soils

Номер патента: RU2688425C1. Автор: Лариса Анатольевна Титова,Григорий Павлович Малых,Павел Григорьевич Малых,Елена Владимировна Солодовник,Татьяна Александровна Майстренко,Ваха Сайханович Керимов,Абуза Абдулхамидович Батукаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2019-05-21.

Device for injection agents into development well to inhibit corrosion and deposits

Номер патента: RU2066366C1. Автор: Юнжема Пьер,Тюрон Ролан,Люсэ Раймон. Владелец: Люсэ Раймон. Дата публикации: 1996-09-10.

Inhibitor of corrosion and deposits (versions)

Номер патента: RU2655530C1. Автор: Евгений Александрович Курко. Владелец: Евгений Александрович Курко. Дата публикации: 2018-05-28.

Method for controlling scale formation and deposition in aqueous systems

Номер патента: CA2440435C. Автор: Fu Chen,Roger C. May,Stephen M. Kessler,Natalie A. Kolson,Kristin E. Buentello,Julie A. Kaechelin. Владелец: GE Betz Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for inhibiting the formation and deposition of silica scale in aqueous systems

Номер патента: CA2724621C. Автор: Jasbir S. Gill,John D. Morris,Srikanth S. Kidmabi,Frank Fun-Yuee Lu. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Forming, filling and sealing bags and depositing them in cartons

Номер патента: CA1296988C. Автор: Lloyd Kovacs,Matthew R. Lind. Владелец: Hayssen Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for inhibiting the formation and deposition of silica scale in water systems

Номер патента: US6461518B1. Автор: David P. Workman,Mingli Wei,Douglas G. Kelley,Konstantinos Demadis. Владелец: Nalco Chemical Co. Дата публикации: 2002-10-08.

Method for inhibiting the formation and deposition of silica scale in aqueous systems

Номер патента: NZ612313A. Автор: Jasbir S Gill,Cheryl Williams,Martin R Godfrey,Nathaniel T Greene. Владелец: Nalco Co. Дата публикации: 2015-05-29.

Apparatus for assembling and depositing signatures

Номер патента: CA1290509C. Автор: Kurt L. Lindblom,Seppo J. Kanervo,Jussi J. Simila. Владелец: Miller Johannisberg Druckmaschinen GmbH. Дата публикации: 1991-10-15.

Systems and methods for collecting and depositing particulate matter onto tissue samples

Номер патента: EP2529194A2. Автор: Glenn Walters,David Leith,Kenneth Sexton,Harvey Jeffries,Ilona Jaspers,Melanie Doyle-Eisele,Kim M. Lichtveld,Sandra Lake,James Jetter,Seth Ebersviller,William Vizuete,Jose Zavala Mendez. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 2012-12-05.

Lifting and depositing device for portable containers, compartments, containers, shelters or the like

Номер патента: US4619439A. Автор: Reinhold Riedl,Conrad Lazarus. Владелец: HAACON HEBETECHNIK GMBH. Дата публикации: 1986-10-28.

An apparatus and a method for collecting, relocating and depositing a layer unit to a pallet-loaded unit

Номер патента: WO2000071450A1. Автор: Roger Sjobeck,Joakim Nordell,Anders Aldin. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE SA. Дата публикации: 2000-11-30.

Method for continuously extruding and depositing an unbroken layer of mortar on a work surface or substrate

Номер патента: US20190024395A9. Автор: Douglas S. Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-24.

Systems and methods for collecting and depositing particulate matter onto tissue samples

Номер патента: WO2011094692A2. Автор: Glenn Walters,David Leith,Kenneth Sexton,Harvey Jeffries,Ilona Jaspers,Melanie Doyle-Eisele,Kim M. Lichtveld,Sandra Lake,James Jetter,Seth Ebersviller,William Vizuete,Jose Zavala Mendez. Владелец: The University Of North Caroline At Chapel Hill. Дата публикации: 2011-08-04.

A device for selectively picking and depositing articles to an automatic warehouse

Номер патента: US20190071251A1. Автор: Franco Stefani. Владелец: Modula SpA. Дата публикации: 2019-03-07.

Systems and methods for collecting and depositing particulate matter onto tissue samples

Номер патента: WO2011094692A3. Автор: Glenn Walters,David Leith,Kenneth Sexton,Harvey Jeffries,Ilona Jaspers,Melanie Doyle-Eisele,Kim M. Lichtveld,Sandra Lake,James Jetter,Seth Ebersviller,William Vizuete,Jose Zavala Mendez. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2011-12-29.

Systems and methods for collecting and depositing particulate matter onto tissue samples

Номер патента: WO2011094692A8. Автор: Glenn Walters,David Leith,Kenneth Sexton,Harvey Jeffries,Ilona Jaspers,Melanie Doyle-Eisele,Kim M. Lichtveld,Sandra Lake,James Jetter,Seth Ebersviller,William Vizuete,Jose Zavala Mendez. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for inhibiting scale formation and deposition in membrane systems via the use of an aa - amps copolymer

Номер патента: NZ591459A. Автор: Deepak A Musale. Владелец: Nalco Co. Дата публикации: 2012-05-25.

Method for inhibiting scale formation and deposition in membrane systems via the use of an aa - amps copolymer

Номер патента: EP2331471A1. Автор: Deepak A. Musale. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2011-06-15.

Pump to drain wells by alternating aspitation and repulsion cycles that operates on pneumatic principle

Номер патента: RU2405891C2. Автор: РОДРИГЕС Хорхе ЛОПЕС. Владелец: РОДРИГЕС Хорхе ЛОПЕС. Дата публикации: 2010-12-10.

Toy movable by alternately relocating individual members of a pair of body parts

Номер патента: CA1193100A. Автор: Gorden W. Spring. Владелец: Tomy Corp. Дата публикации: 1985-09-10.

Method of removing organo-lead compounds from aqueous media by alternating current electrolysis

Номер патента: US3799851A. Автор: J Milam. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1974-03-26.

Processing device and processing method for etching and phosphating of metal parts

Номер патента: RU2691443C2. Автор: Йоахим ШЕНБЕРГ. Владелец: Рио Фервальтунгс Аг. Дата публикации: 2019-06-13.

Combined installation of etching and rolling of strip metal

Номер патента: RU2664075C1. Автор: Лучиано ВИНЬОЛО,Клаудио СЕПУЛВЕРЕС,Андреа ЧЕРЕТТИ. Владелец: ДАНИЕЛИ И К° ОФФИЧИНЕ МЕККАНИКЕ С.п.А.. Дата публикации: 2018-08-14.

Laser-etching and machine-vision positioning system

Номер патента: AU2020204074A1. Автор: Tyler Emerson Berkey,John Eric Miller,James Alan Aske. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-03-25.

SUPERHYDROPHILIC THICK-FILM pH SENSOR BASED ON CHEMICAL ETCHING, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20240264108A1. Автор: CHENG Chen,Xiliang Zhang,Yalei Zhang,Tianyu MAO,Xiaoqing SU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-08-08.

Preparation tray for improved etching and bonding of a tooth surface prior to the placement of a tooth attachment or a bracket

Номер патента: US20240252287A1. Автор: Carl J. Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Superhydrophilic thick-film pH sensor based on chemical etching, and preparation method thereof

Номер патента: US12099029B2. Автор: CHENG Chen,Xiliang Zhang,Yalei Zhang,Tianyu MAO,Xiaoqing SU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-09-24.

Dental material compositions for cleansing, etching, and identifying residual caries & their methods of use

Номер патента: US20240139075A1. Автор: Scott Lamerand,Alexander D. Johnson. Владелец: Inter Med Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of making a printing plate for etching and etching solution for its implementation

Номер патента: RU2699750C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-09-09.

Preparation tray for improved etching and bonding of a tooth surface prior to the placement of a tooth attachment or a bracket

Номер патента: US11957535B1. Автор: Carl J. Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-16.

Glass etching and breaking apparatus and methods of using the same

Номер патента: US20220250963A1. Автор: Ray Nicholas,Ryan Nicholas,Jordan Anderson. Владелец: Creator's Stained Glass Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Laser-etching and machine-vision positioning system

Номер патента: US20210069825A1. Автор: Tyler Emerson Berkey,John Eric Miller,James Alan Aske. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-03-11.

Machine for etching and rinsing printing plates

Номер патента: US3604438A. Автор: Kurt Fries. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-09-14.

Preparation tray for improved etching and bonding of a tooth surface prior to the placement of a tooth attachment or a bracket

Номер патента: US20240115354A1. Автор: Carl J. Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Electroless Nickel Etch Chemistry, Method Of Etching And Pretreatment

Номер патента: US20220127729A1. Автор: Douglas P. Riemer,Matthew J. Horner,Gowtham V. Vangara. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Electroless nickel etch chemistry, method of etching and pretreatment

Номер патента: US11932948B2. Автор: Douglas P. Riemer,Matthew J. Horner,Gowtham V. Vangara. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of Correcting Etch and Lithographic Processes

Номер патента: US20090300572A1. Автор: Joerg Thiele,Christof Bodendorf,Martin Keck,Robert Wildfeuer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

Dry etching equipment and dry etching cathode and O ring and vacuum system

Номер патента: TW200525581A. Автор: Ming-Hung Tseng,Chin-Chih Chen,Tzu-Chan Wang,Wei-Shin Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-01.

Dry etching equipment and dry etching cathode and o-ring and vacuum system

Номер патента: TWI240299B. Автор: Tzu-Chan Weng,Ming-Hung Tseng,Chin-Chih Chen,Wei-Shin Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-21.

Anti-hacking printed circuit board having high-molecular material deposited thereon and deposition method for the same

Номер патента: US20050283794A1. Автор: Eun-lai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Donor plate, deposition device and deposition method

Номер патента: US20240314935A1. Автор: Rob Jacob Hendriks. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-19.

Process for producing large-area membrane masks by dry etching

Номер патента: DE10131139B4. Автор: Albrecht Ehrmann,Reinhard Springer,Florian Letzkus,Christian Reuter,Jörg BUTSCHKE,Karl Kragler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-25.

Photosensitive resin composition, method for producing pattern, mems structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, mems shutter device, and image display apparatus

Номер патента: KR101863644B1. Автор: 가츠히로 시모노,히로유키 요네자와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-06-04.

Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method

Номер патента: US20090017259A1. Автор: Tomoyasu Murakami,Masaru Sasago,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Micromachined structures made by combined wet and dry etching

Номер патента: US20030059622A1. Автор: Dan Steinberg,David Sherrer,Jasean Rasnake. Владелец: Steinberg Dan A.. Дата публикации: 2003-03-27.

Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method

Номер патента: US7919005B2. Автор: Tomoyasu Murakami,Masaru Sasago,Hideo Nakagawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Dry etching apparatus

Номер патента: TWI405261B. Автор: Jong Yong Choi. Владелец: Jusung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-11.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: US20020148813A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-10-17.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: WO2002066700A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-08-29.

ORGANOMETALLIC COMPOUNDS FOR THE DEPOSITION OF HIGH PURITY TIN OXIDE AND DRY ETCHING OF THE TIN OXIDE FILMS AND DEPOSITION REACTORS

Номер патента: US20220306657A1. Автор: Odedra Rajesh,FABULYAK Diana,GRAFF Wesley Phillip,CEMBELLA Shaun,CONOVER Cassidy. Владелец: SEASTAR CHEMICALS ULC. Дата публикации: 2022-09-29.

Organometallic compounds for the deposition of high purity tin oxide and dry etching of the tin oxide films and deposition reactors

Номер патента: WO2021038523A1. Автор: Rajesh Odedra,Diana Fabulyak,Wesley Phillip Graff,Shaun CEMBELLA,Cassidy CONOVER. Владелец: SEASTAR CHEMICALS ULC. Дата публикации: 2021-03-04.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR DRY ETCHING, AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN FOR DRY ETCHING

Номер патента: US20160291475A1. Автор: UEMATSU Teruhiro,OSHIO Kiminori. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Chemical amplification-type positive-working or negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching and method for photoresist pattern formation using the same

Номер патента: TW200836009A. Автор: Koji Saito,Koichi Misumi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method

Номер патента: US20130105728A1. Автор: Mori Isamu,Umezaki Tomonori,Hibino Yasuo,OKAMOTO Satoru,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2013-05-02.

Dry etching apparatus and etching method using light and microwave

Номер патента: KR950019926A. Автор: 김동석,김경진,이병석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-24.

Mask material for reactive ion etching, mask and dry etching method

Номер патента: JP4170165B2. Автор: 秀一 大川,一博 服部. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Etching method for processing substrate, dry etching method for polyetheramide resin layer, production method of ink-jet printing head, ink-jet head and ink-jet printing apparatus

Номер патента: EP0964440A3. Автор: Norio Ohkuma,Tamaki Sato,Junichi Kobayashi,Keiichi Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US9309588B2. Автор: Jong Woo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Method For Optimizing A Deposition Process, Method For Setting A Deposition System and Deposition System

Номер патента: US20160017496A1. Автор: Michael Huth,Christian Schwalb,Marcel Winhold,Paul Martin Weirich. Владелец: Goethe Universitaet Frankfurt am Main. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of micromachining using deep dry etching and mems device manufactured by the same

Номер патента: KR101539198B1. Автор: 이성호,이종성,박종삼,우종창. Владелец: 주식회사 스탠딩에그. Дата публикации: 2015-07-24.

Method of fabricating a device, device, and deposition apparatus

Номер патента: WO2024132142A1. Автор: Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim,Alexander Everardus Maria SMINK. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Deposition source and deposition apparatus including the same

Номер патента: US20240141489A1. Автор: Jonghyun Choi,Jaewan Seol,Intaek YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and apparatus for stacking of timber and depositing laths and a method for using a lath

Номер патента: EP2780269A1. Автор: Jan Johansson,Gunnar Marklund,Peter Jonsson. Владелец: Renholmen AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Dry etching method of conductive high polymerized membrane using microwave source

Номер патента: KR100865485B1. Автор: 박영환,강정원. Владелец: 단국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-10-27.

Hydrophobic crosslinkable pinning underlayers with improved dry etch capabilities for patterning directed self-assembly of ps-b-pmma type block copolymers

Номер патента: US20240219829A1. Автор: Zhong Li,Durairaj Baskaran,Victor Monreal,Ashley MOORE. Владелец: Merck Electronics KGaA. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma deposition apparatus and deposition method utilizing same

Номер патента: US7923076B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chin-Jyi Wu,Shin-Chih Liaw. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-12.

Deposition device having contact structure and deposition system having same

Номер патента: US20230340659A1. Автор: Sang Bin Lee,Min Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Deposition apparatus and deposition method

Номер патента: US20240263295A1. Автор: Woo Yong Sung,Hye Min Lee,Jae Sik KIM,Hyoung Sub LEE,Seung Ho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Doped amorphous optical device films and deposition via incorporation of dopant atoms

Номер патента: US12077860B2. Автор: Ludovic Godet,Rami HOURANI,Karl J. ARMSTRONG,Andrew Ceballos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Sakai Toshiyasu,Abo Hiroyuki,Abe Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

DRY ETCHING METHOD FOR FILM LAYER STRUCTURE AND FILM LAYER STRUCTURE

Номер патента: US20210010140A1. Автор: HU Chong,WEI Xianwang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

FINE CONCAVO-CONVEX STRUCTURE PRODUCT, HEAT-REACTIVE RESIST MATERIAL FOR DRY ETCHING, MOLD MANUFACTURING METHOD AND MOLD

Номер патента: US20150017275A1. Автор: MITAMURA Yoshimichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Dry etching composition, kit, pattern formation method, and method of manufacturing optical filter

Номер патента: US20190154891A1. Автор: Keisuke Arimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

FINE CONCAVO-CONVEX STRUCTURE PRODUCT, HEAT-REACTIVE RESIST MATERIAL FOR DRY ETCHING, MOLD MANUFACTURING METHOD AND MOLD

Номер патента: US20150183136A1. Автор: MITAMURA Yoshimichi. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-02.

FINE CONCAVO-CONVEX STRUCTURE PRODUCT, HEAT-REACTIVE RESIST MATERIAL FOR DRY ETCHING, MOLD MANUFACTURING METHOD AND MOLD

Номер патента: US20150183152A1. Автор: MITAMURA Yoshimichi. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for producing dry etching gas

Номер патента: US20150299088A1. Автор: Shingo Nakamura,Kanako FUKUMOTO,Masato NAITOU,Yuusuke ETOU,Tatsuya Ohtsuka. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD FOR PRODUCING INTERNAL MEMBER OF DRY ETCHING CHAMBER

Номер патента: US20160298223A1. Автор: SAKODA Nobuaki,ZENG Zhensu,SAKO Sayaka. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Deep groove cleaning solution after 3D NAND structure piece dry etching

Номер патента: CN112592777B. Автор: 张庭,冯凯,李鑫,万杨阳,贺兆波,尹印,王书萍,钟昌东,倪高国. Владелец: Hubei Sinophorus Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Cleaning and regenerating method of quartz component for semiconductor dry etching equipment

Номер патента: CN115591850A. Автор: 杨炜,贺贤汉,许俊,蒋立峰. Владелец: Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Material of mask for dry etching

Номер патента: JPS6033555A. Автор: Takayuki Kato,Takashi Hatano,Mayumi Okasato,孝行 加藤,秦野　高志,岡里　麻由美. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 1985-02-20.

Method and apparatus for detecting ending point of dry etching

Номер патента: JPH01111335A. Автор: 栄樹 野呂,良信 向,Yoshinobu Mukai,Eiki Noro. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-28.

Dry Etching Method for Magnetic Tunnel Junction(MTJ) stack

Номер патента: KR101222190B1. Автор: 김은호,정지원. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-01-14.

Dry etching of plastic

Номер патента: JPS6153335A. Автор: Takayoshi Kudo,工藤　隆義. Владелец: Tohoku Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-17.

Method for producing dry etching gas

Номер патента: KR102000371B1. Автор: 신고 나카무라,유우스케 에토,다츠야 오츠카,가나코 후쿠모토,마사토 나이토. Владелец: 다이킨 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-15.

Dry etching method for metal having high fusion point

Номер патента: JPS6148924A. Автор: Sadao Adachi,Nobuhiko Susa,定雄 安達,須佐　信彦. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1986-03-10.

Dry etching gas

Номер патента: WO2001027987A1. Автор: Hirokazu Aoyama. Владелец: DAIKIN INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2001-04-19.

Effective dry etching process of actinide oxides and their mixed oxides in CF4/O2/N2 plasma

Номер патента: US6699398B1. Автор: Yong-Soo Kim. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for dry etching of Al2O3 film

Номер патента: JP4861947B2. Автор: 幸太郎 藤本,健太郎 山田,剛 島田. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Manufacturing method of chamber member for dry etching

Номер патента: JP5623619B1. Автор: 宜明 峪田,珍素 曽,さや香 佐古. Владелец: KURASHIKI BORING KIKO CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-12.

Dry etching method

Номер патента: JP3202466B2. Автор: 秀行 庄司. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-27.

Method for Manufacturing a Carbon Nanotube Multilayer Pattern Using Photolithography and Dry Etching

Номер патента: KR100533316B1. Автор: 김도현,이재신,최도환,정희태,정대환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2005-12-02.

Composition for dry etching of silicon dioxide films in photolithographic process

Номер патента: RU2524344C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

Silicon surface preparation for dry etching texturing process.

Номер патента: IE20200018A2. Автор: Clochard Laurent,Sai Narayana Barimar Prabhava. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Silicon surface preparation for dry etching texturing process.

Номер патента: IE87467B1. Автор: Clochard Laurent,Sai Narayana Barimar Prabhava. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Plasmo-chemical low-pressure reactor for etching and depositing materials

Номер патента: RU2293796C2. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Олег Валентинович Морозов,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: Институт микроэлектроники и информатики РАН. Дата публикации: 2007-02-20.

CANISTER FOR DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION APPARATUS USING SAME

Номер патента: US20120000986A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Kil-Won,Chang Seok-Rak,PARK Byoung-Keon,YANG Tae-Hoon,Na Heung-Yeol,LEE Ki-Yong,CHOI Bo-Kyung,JEONG Min-Jae,Hong Jong-Won,Kang Eu-Gene,Soo Byung-Soo,Baek Won-Bong,Maidanchuk Ivan,Jung Jae-Wan. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOFORMS OF HUMAN SOMATOSTATIN RECEPTOR TYPE 5 PRODUCED BY ALTERNATIVE PROCESSING AND OLIGO-NUCLEOTIDE PAIRS FOR DETECTION THEREOF BY PCR

Номер патента: US20120003252A1. Автор: Durán Prado Mario,Fuentes Antonio Jesús Martínez,Martínez Rafael Vazquez,Navarro Socorro García,Poyato María del Mar Malagón,Fuentes Justo Pastor Castaño,Garcia-Navarro Francisco. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for ion-plasma etching and depositing thin films

Номер патента: RU2540318C2. Автор: Алексей Алексеевич Исаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-02-10.

Composition for inhibition of corrosion and deposits in water- return system

Номер патента: RU2255054C1. Автор: Н.Б. Гаврилов. Владелец: Гаврилов Наум Беньяминович. Дата публикации: 2005-06-27.

Composition for protecting metals against corrosion and deposits

Номер патента: RU2254399C1. Автор: Н.Б. Гаврилов. Владелец: Гаврилов Наум Беньяминович. Дата публикации: 2005-06-20.

Composition for protection of water supply and water disposal systems against corrosion and deposit of salts

Номер патента: RU2303084C1. Автор: Борис Александрович Никифоров,Зинаида Ивановна Костина,Виталий Федорович Костин,Светлана Александровна Крылова,Ирина Витальевна Понурко,Геннадий Степанович Слобожанкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова". Дата публикации: 2007-07-20.

Improvements relating to the Distribution of Electric Energy to Apparatus capable of being Operated by Direct and also by Alternating Currents.

Номер патента: GB190508711A. Автор: Benjamin Garver Lamme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-06-08.

Composition for removal of scale and deposit

Номер патента: RU2324661C2. Автор: Евгений Викентьевич Лифанов,Олег Анатольевич Колотыгин. Владелец: Олег Анатольевич Колотыгин. Дата публикации: 2008-05-20.

Plastisol composition for sealing and depositing coatings

Номер патента: RU2382805C1. Автор: Валерий Яковлевич Киселев,Александр Павлович Пилясов,Максим Валерьевич Киселев,Олег Владимирович Степечев,Андрей Юрьевич Тупов. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НижПласт". Дата публикации: 2010-02-27.

Overhead contact system insulating coupler and neutral insert for high-speed railway trunk lines powered by alternating current

Номер патента: RU2533768C1. Автор: Елена Юрьевна Семенова,Юрий Вячеславович Иодко,Дарья Владимировна Семенова,Вячеслав Иванович Карпенко. Владелец: Вячеслав Иванович Карпенко. Дата публикации: 2014-11-20.

Method and set for immunoenzyme assay of functional activity of component c3 of human complement by alternative pathway of activation

Номер патента: RU2380707C1. Автор: Леонид Васильевич Козлов,Наталья Вадимовна Гора. Владелец: Федеральное Государственное учреждение науки "Московский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии им. Г.Н. Габричевского" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2010-01-27.

Method to protect inner surface of well tubing strings with couplings of threaded connection against corrosion and deposits (versions)

Номер патента: RU2447352C1. Автор: Юрий Яковлевич Мещеряков,Виктор Георгиевич Мельников,Евгений Юрьевич Летов,Юрий Яковлевич Мещеряков (RU),Виктор Георгиевич Мельников (RU),Евгений Юрьевич Летов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Алгоритм". Дата публикации: 2012-04-10.

Improvements in Rolling Mill Plant for Collecting and Depositing the Crop Ends of Girders and the like.

Номер патента: GB190719115A. Автор: Thomas Lewis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-07-09.

Improvements in and relating to Aerial Suspension Cableways for Lifting, Moving and Depositing Materials.

Номер патента: GB190607117A. Автор: John Macdonald Henderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-03-23.

Orientation and deposition of fibers in the manufacture of fiberboard

Номер патента: CA1145108A. Автор: Thomas E. Peters,Joseph S. Bleymaier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-04-26.

Method for controlling indicator gas panel powered by alternating current

Номер патента: RU2268502C1. Автор: Алексей Николаевич Ивлюшкин,Владислав Георгиевич Самородов,Виктор Маркусович Гутман,Юрий Константинович Карпунин,Юрий Николаевич Алымов,Алексей Николаевич Ивлюшкин (RU),Владислав Георгиевич Самородов (RU),Юрий Николаевич Алымов (RU),Виктор Маркусович Гутман (RU),Юрий Константинович Карпунин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" (ОАО "Плазма"). Дата публикации: 2006-01-20.

Ceramic flux for automatic welding and deposit welding

Номер патента: RU2493945C1. Автор: Евгений Григорьевич Старченко,Юрий Сергеевич Волобуев,Владимир Петрович Рогов,Олег Сергеевич Волобуев. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "ЦНИИТМАШ". Дата публикации: 2013-09-27.

Method and device for hydraulic cavitational scale and deposit erosion, as well as rock breakage in water

Номер патента: RU2315848C2. Автор: Виктор Петрович Родионов,Пётр Петрович Решетников,Владимир Борисович Грачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭкоПром". Дата публикации: 2008-01-27.

Improvements in Apparatus for Producing and Depositing Fumes from Ores.

Номер патента: GB190113115A. Автор: William Walker Fyfe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-09-27.

Electronic relay with overload protection by alternating current

Номер патента: RU2395898C1. Автор: Дмитрий Моисеевич Барановский,Яков Львович Горецкий. Владелец: Яков Львович Горецкий. Дата публикации: 2010-07-27.

Composition for inhibiting corrosion and deposits in closed heating systems

Номер патента: RU2423416C1. Автор: Михаил Аркадьевич Ершов. Владелец: Михаил Аркадьевич Ершов. Дата публикации: 2011-07-10.

A New or Improved Method of Lifting, Moving and Depositing Materials, and Appliances therefor.

Номер патента: GB190425538A. Автор: John Macdonald Henderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-08-31.

Anticorrosive protection method for inner and outer surfaces of metal pipelines by alternating current applying

Номер патента: RU2533467C2. Автор: Сергей Иванович Бойко,Алексей Владимирович Петров. Владелец: Алексей Владимирович Петров. Дата публикации: 2014-11-20.

Franking machine with sealer, scale and depositer

Номер патента: CA108951S. Автор: . Владелец: Francotyp Postalia GmbH. Дата публикации: 2006-08-14.

Apparatus for storing and depositing liquid preparations

Номер патента: RU2526679C1. Автор: Владимир Николаевич Денисов. Владелец: Владимир Николаевич Денисов. Дата публикации: 2014-08-27.

DRY ETCHING METHOD AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120094500A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki,OKUNE Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method Using the Same

Номер патента: US20120298911A1. Автор: . Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2012-11-29.

Dry etching apparatus and dry etching method using it

Номер патента: JPH1041277A. Автор: 英規 乾,Hidenori Inui. Владелец: Miyazaki Oki Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-13.

Sample dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4068986B2. Автор: 大本　　豊,良次 福山,守 薬師寺. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP3339136B2. Автор: 哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4595431B2. Автор: 典仁 福上. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP2794963B2. Автор: 徳彦 玉置,正文 久保田,登 野村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-10.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP4713851B2. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川,紅コウ 鄒. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Dry etching device top cover and dry etching device

Номер патента: CN107633994B. Автор: 崔珠峰. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Method for determining dry etching time and dry etching method

Номер патента: JP5163894B2. Автор: 慎一 五十嵐. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Photosensitive resin composition for etching resist, method of manufacturing pattern, mems structure and method of manufacturing the same, dry etching method, wet etching method, mems shutter device, and image display device

Номер патента: JP2012181488A. Автор: Katsuhiro Shimono,Hiroyuki Yonezawa,裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Photosensitive resin composition for etching resist, pattern manufacturing method, MEMS structure and manufacturing method thereof, dry etching method, wet etching method, MEMS shutter device, and image display device

Номер патента: JP5291744B2. Автор: 裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Etching cavity of dry-etching hard inorganic material substrate inductively coupled plasma (ICP) etching machine

Номер патента: CN202259153U. Автор: 陈波,李超波,汪明刚,黄成强. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-30.

Method for preparing semicylindrical superfine slot by combining twice membranous layer deposition, dry etching and wet etching

Номер патента: CN102153046A. Автор: 刘玲,罗先刚,方亮,王长涛,刘凯鹏,邢卉,冯沁. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842B. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842A. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Gas dispersion device for improving dry etching uniformity, reaction chamber and etching machine

Номер патента: CN216413002U. Автор: 李彬彬,李瑞评,乔新宇,霍曜. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

Surface treatment method for increasing fused silica element threshold value through wet etching-dry etching combination

Номер патента: CN103922601A. Автор: 向霞,祖小涛,晏中华. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-07-16.

GATE TRIM PROCESS USING EITHER WET ETCH OR DRY ETCH APPROACH TO TARGET CD FOR SELECTED TRANSISTORS

Номер патента: US20120032308A1. Автор: Hui Angela T.,Choi Jihwan,Davis Bradley M.. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, METHOD FOR DRY ETCHING, METHOD FOR WET ETCHING, MEMS SHUTTER DEVICE, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120107563A1. Автор: YONEZAWA Hiroyuki,SHIMONO Katsuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-05-03.

Etching mask and dry etching method

Номер патента: JP4654811B2. Автор: 浩 杉村. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Monitoring method of etching in dry etching

Номер патента: JP3261660B2. Автор: 昭彦 悳. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-03-04.

Method of dry etching of interlayer insulation film and etching device

Номер патента: TW200735206A. Автор: Toshio Hayashi. Владелец: Philtech Inc. Дата публикации: 2007-09-16.

Process of etching a silicon nitride layer by a multi-step dry etching procedure

Номер патента: TW343361B. Автор: Shiang-Yuan Jeng,Shiuh-Lii Jeng,Tzyy-Shy Yan. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1998-10-21.

Si3N4 dry etching for preventing by-products accumulated in the etching machine

Номер патента: TW333661B. Автор: Jenn-Perng Fann,Jeng-Guu Chen,Lih-Miin Hwang,Wenn-Jeng Chyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Cleaning solution and method for removal of post dry etching residue

Номер патента: TWI222994B. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2004-11-01.

Dry etching method

Номер патента: JPS54123875A. Автор: Hiroshi Takeuchi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-09-26.

Method of dry etching

Номер патента: JPS54126471A. Автор: Hiroshi Takeuchi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-10-01.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TW200303051A. Автор: Shinji Nakagami,Hiramoto Michihiko,Furuto Nobusuke,Hiroyuki Ogiya. Владелец: Shamk Internat Inst Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TWI267136B. Автор: Shinji Nakagami,Hiromichi Ogiya,Michihiro Hiramoto,Shinsuke Furuto. Владелец: Samco Internat Inc. Дата публикации: 2006-11-21.

Method for discharging wafer after dry etching metal layer

Номер патента: TW200509245A. Автор: Ming-Shuo Yen,YJ Yang,Ym Wang,Yp Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Solution for removal of post dry etching residue

Номер патента: TWI247038B. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2006-01-11.

Exhausting means in a dry etching apparatus

Номер патента: TWI247823B. Автор: Rung-Fu Ju. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-21.

Method for discharging wafer after dry etching metal layer

Номер патента: TWI223351B. Автор: Yi-Ming Wang,Ming-Shuo Yen,Yi-Ping Pan,Yau-Rung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-11-01.

Plasma reaction chamber and process of dry etching

Номер патента: TW200428514A. Автор: Chun-Wei Chen,Yi-Hsiung Lin,Hong-Long Chang,Shih-Kun Kuo. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Solution for removal of post dry etching residue

Номер патента: TW200512287A. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2005-04-01.

Method for increasing rounding corner by pull-backed silicon nitride using dry etching in shallow trench isolation processing

Номер патента: TW480655B. Автор: Chun-Hung Lee,Chia-Chi Chung,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Dry etching and apparatus therefor

Номер патента: JPH104085A. Автор: Hiroshi Yamada,博 山田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Gas for dry etching and processing method of semiconductor device

Номер патента: JP4722243B2. Автор: 勲 雨宮. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Method for dry-etching and semiconductor device

Номер патента: JPH11340194A. Автор: Junji Shigeta,淳二 重田,Hiroyuki Uchiyama,和典 篠田,博幸 内山,Kazunori Shinoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-12-10.

Improvements in Methods of Exciting Electro-magnets by Alternating Electric Currents

Номер патента: GB190422631A. Автор: Marius Latour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-19.

DRY-ETCH FOR SILICON-AND-CARBON-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20130034968A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-07.

DRY-ETCH FOR SILICON-AND-NITROGEN-CONTAINING FILMS

Номер патента: US20130045605A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-21.

Dry etching method

Номер патента: JPS5789477A. Автор: Tsunetoshi Arikado. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-03.

Dry etching method

Номер патента: JPS6224627A. Автор: Junichi Sato,淳一 佐藤. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-02.

The method of dry etching microelectromechanical-systems sacrifice layer

Номер патента: CN104261345B. Автор: 雷述宇,史晔. Владелец: NORTH GUANGWEI TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Dry etching method

Номер патента: JPH11162941A. Автор: Takeshi Tokashiki,健 渡嘉敷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-18.

Dry etching system

Номер патента: JPS63164431A. Автор: Yasuo Tanaka,靖夫 田中,和之 富田,Kazuyuki Tomita,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-07-07.

Dry etching method and plasma ashing method

Номер патента: JP4425370B2. Автор: 悟 岡本. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20120129278A1. Автор: Watanabe Kazuhiro,Yoshii Manabu. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

DRY ETCHING METHOD OF SURFACE TEXTURE FORMATION ON SILICON WAFER

Номер патента: US20120138139A1. Автор: . Владелец: INTEVAC, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

APPARATUS AND METHODS FOR DRY ETCH WITH EDGE, SIDE AND BACK PROTECTION

Номер патента: US20120305185A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20130015158A1. Автор: Saito Go,KUWABARA Kenichi,ICHIMARU Tomoyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

DRY-ETCHING METHOD

Номер патента: US20130025789A1. Автор: IIJIMA Etsuo,Yamada Norikazu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-01-31.

METHODS OF FORMING FINE PATTERNS USING DRY ETCH-BACK PROCESSES

Номер патента: US20130034965A1. Автор: Kim Young-Ho,KIM Hyoung-Hee,Kang Yool,Yi Song-Se,Kim Jae-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

SELECTIVE SUPPRESSION OF DRY-ETCH RATE OF MATERIALS CONTAINING BOTH SILICON AND OXYGEN

Номер патента: US20130052827A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

SELECTIVE SUPPRESSION OF DRY-ETCH RATE OF MATERIALS CONTAINING BOTH SILICON AND NITROGEN

Номер патента: US20130059440A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Lee Young S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

DRY ETCHING METHOD FOR METAL FILM

Номер патента: US20130098868A1. Автор: Nishimura Eiichi,SONE Takashi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-04-25.

SELECTIVE DRY ETCHING OF N-FACE (Al,In,Ga)N HETEROSTRUCTURES

Номер патента: US20130099277A1. Автор: Speck James S.,Iza Michael,CHOI Yong Seok,Hu Evelyn L.,Weisbuch Claude C.A.,Koblmuller Gregor,Hurni Christophe. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-04-25.

Dry Etch Processes

Номер патента: US20130115778A1. Автор: Liu Jie,Xue Jun,Chen Yongmei,Michaelson Timothy,Deaton Paul,Weidman Timothy W.,Ngai Christopher S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-09.

DRY ETCH POLYSILICON REMOVAL FOR REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20130217221A1. Автор: PRINDLE Chris M.,Hempel Klaus,Wei Andy C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130228550A1. Автор: Izawa Masaru,MORI Masahito,Yagi Katsushi. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

PATTERNING OF HARD-TO-DRY-ETCH SUBSTRATES

Номер патента: US20140037920A1. Автор: Kobrin Boris. Владелец: Rolith, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Dry etching residue remover for semiconductor manufacturing process

Номер патента: JP4104109B2. Автор: 建 大串,重政 須賀,茂 加門,紀男 金子,博正 山本,勝大 平塚. Владелец: Kisco Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Dry etching method

Номер патента: JPS5430781A. Автор: Shinya Iida,Hisayuki Higuchi,Tatsumi Mizutani,Seitaro Matsuo,Hideo Komatsu,Makoto Asakawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-03-07.

Dry etching method

Номер патента: JP2824584B2. Автор: 誠太郎 松尾,蕃 中島,美佐雄 関本,千春 高橋. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1998-11-11.

Dry etching

Номер патента: JPS6459819A. Автор: Hiroyuki Hara. Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Dry etching method

Номер патента: JP4546667B2. Автор: 克典 平井,昭貴 清水. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-15.

Method for evaluating dry etching process

Номер патента: JPS637386A. Автор: Mitsuru Okikawa,満 沖川. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-13.

Dry etching method

Номер патента: JP2804037B2. Автор: 伸夫 早坂,晴雄 岡野,弘剛 西野,啓治 堀岡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-09-24.

Dry etching method

Номер патента: JPS6474727A. Автор: Hiroyuki Miyashita. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1989-03-20.

Plasma apparatus and dry etching method using the same

Номер патента: JP3263852B2. Автор: 哲治 長山. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

Detector for end point of dry etching

Номер патента: JPS6381929A. Автор: Isao Asaishi,浅石　勲. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1988-04-12.

Dry etching method

Номер патента: JPS58113375A. Автор: Toshio Oshima,利雄 大島. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-07-06.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3816494B2. Автор: 武志 山下,秀樹 堂下,光一 川嶋. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS6285431A. Автор: Toru Otsubo,徹 大坪,Kazuhiro Ohara,大原　和博. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-04-18.

Dry etching device

Номер патента: JPH01160018A. Автор: Masanori Yamanaka,正徳 山中. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-22.

Dry etching method

Номер патента: JP3291889B2. Автор: 敏治 柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-06-17.

Metal gate dry etching method

Номер патента: JP4994161B2. Автор: 譲 山本,昭人 河内,敏明 西田. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-08-08.

Dry-etching device

Номер патента: JPS6251223A. Автор: Yoshikazu Minegishi,Naohisa Asaka,峰岸　美一,浅香　尚久. Владелец: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-05.

Dry etching equipment

Номер патента: JP3236928B2. Автор: 房男 下川,正博 伊藤,岱二郎 内田. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2001-12-10.

Dry etching device

Номер патента: JPS5590228A. Автор: Seitaro Matsuo,Makoto Asakawa,Munenori Kanai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-08.

Device for performing dry etching on hard inorganic material substrate

Номер патента: CN202259195U. Автор: 陈波,李超波,黄成强,饶志鹏. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-30.

Dry etching method

Номер патента: JPS5623276A. Автор: Kazuo Tokitomo,Hitoshi Hoshino,Chuichi Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-03-05.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3295172B2. Автор: 加津雄 高野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-06-24.

Dry etching device

Номер патента: JPH01133322A. Автор: Yoshio Nakamura,好男 中村,Hiroyuki Ichikawa,Yukifumi Imaizumi,幸文 今泉,浩行 市川. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-25.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS63138737A. Автор: Hideyuki Hirose,Hidehiko Ishizu,石津　英彦,廣瀬　秀幸. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-06-10.

Dry etching device

Номер патента: JPS6240728A. Автор: Tsunemasa Tokura,Shigeki Hazamano,戸倉　常正,硲野　重喜. Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-21.

Dry etching device

Номер патента: JPS6292322A. Автор: Yukio Kurosawa,Yoshimi Hakamata,Kunio Hirasawa,袴田　好美,黒沢　幸夫,平沢　邦夫. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-04-27.

Dry etching method

Номер патента: JP3154128B2. Автор: 敏治 柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-04-09.

Dry etching process

Номер патента: JPS62286229A. Автор: 隆三 宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎 中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-12.

Dry etching

Номер патента: JPS6320832A. Автор: 隆三 宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎 中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-28.

Silicon Oxide Dry Etching Method

Номер патента: KR940012059A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-06-22.

Dry etching method

Номер патента: JP3111640B2. Автор: 哲治 長山,敏治 柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-27.

Treatment of dry etching exhaust gas

Номер патента: JPS62136230A. Автор: Osamu Watanabe,幹男 野中,修 渡辺,Kunio Kashiwada,Toshiharu Hasumoto,Hiroshi Masumoto,Mikio Nonaka,柏田　邦夫,蓮本　寿治,増本　浩. Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-19.

Wafer state for dry etching

Номер патента: JPS639120A. Автор: Yoshimasa Okamura,好真 岡村. Владелец: Canon Hanbai KK. Дата публикации: 1988-01-14.

Dry etching method

Номер патента: JP3104388B2. Автор: 新吾 門村. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-30.

Dry etching method

Номер патента: JP3830560B2. Автор: 米一 小河原. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Dry etching method of aluminum

Номер патента: JPS6033367A. Автор: Naoki Kasai,直記 笠井. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-20.

Dry etching device

Номер патента: JPS6481224A. Автор: Toru Otsubo,Ichiro Sasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-03-27.

Method for preparing all-dry etching dissolved silicon chip for microstructure manufacturing

Номер патента: CN101817497B. Автор: 刘娟,王亚军,张茜梅,施志贵,席仕伟. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2011-09-28.

Multi-chamber dry etching apparatus

Номер патента: JPS5964779A. Автор: Wataru Ogawa,渉 小川. Владелец: Nippon Victor KK. Дата публикации: 1984-04-12.

Low-temperature dry etching device

Номер патента: JPS63197338A. Автор: Kazunori Tsujimoto,和典 辻本,Shinichi Taji,新一 田地,Sadayuki Okudaira,奥平　定之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-08-16.

Method and device for dry etching

Номер патента: JPS62281423A. Автор: Makoto Nawata,Ryoji Fukuyama,良次 福山,誠 縄田,義親 福島,Yoshichika Fukushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-12-07.

Manufacture of semiconductor device and reaction room environment control method for dry etching device

Номер патента: JPH11135482A. Автор: Shinichi Imai,伸一 今井,Nobuhiro Chiwari,信浩 地割. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-05-21.

Dry etching method and X-ray mask manufacturing method

Номер патента: JP3995784B2. Автор: 明典 栗川,勉 笑喜,亮 大久保. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-10-24.

Dry etching method

Номер патента: JPS6039175A. Автор: Tatsumi Mizutani,Kazunori Tsujimoto,和典 辻本,Sadayuki Okudaira,水谷　巽,奥平　定之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-02-28.

Dry etching device

Номер патента: JPS58130281A. Автор: Hitoshi Kudo,均 工藤. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-03.

Selective dry etching method for copper thin film

Номер патента: JP3077178B2. Автор: 啓二 篠原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-08-14.

Method of measuring particle on surface of wafer in chamber of dry etching device

Номер патента: JPH11219933A. Автор: Junichi Matsuda,順一 松田,Yoshimitsu Katou,悦充 加藤,Chieko Shinpo,千栄子 新保. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS62154626A. Автор: 隆三 宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎 中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-09.

Dry etching method

Номер патента: JPS5923875A. Автор: Yoshitsugu Nishimoto,新吾 門村,Shingo Kadomura,西本　佳嗣. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Dry etching method

Номер патента: JP3108929B2. Автор: 哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-13.

Dry etching method

Номер патента: JP4060450B2. Автор: 仁 松尾,大輔 田島,孝則 西澤,宏樹 笹野. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor dry etching method

Номер патента: KR970077314A. Автор: 이선훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Dry etching

Номер патента: JPH1161448A. Автор: 新吾 門村,Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-05.

Dry etching method

Номер патента: JPH10209124A. Автор: Kenji Tawara,賢治 田原. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

Dry etching

Номер патента: JPS61289634A. Автор: 隆三 宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎 中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-19.

Method for detecting an end point in a dry etching process

Номер патента: TWI240325B. Автор: Soon-Jong Lee,Bong-Joo Woo,Dong-Seok Lee. Владелец: Semi Sysco Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Dry etching method

Номер патента: JP3079656B2. Автор: 新吾 門村. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-08-21.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS63233532A. Автор: Kenichi Hatasako,Yukio Sonobe,Shuji Kiriyama,桐山　修司,園部　幸夫,畑迫　健一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-29.

Dry etching method

Номер патента: JP2713903B2. Автор: 博宣 川原,豊 掛樋,良次 福山,勝義 工藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-16.

Dry etching method

Номер патента: JPS5511167A. Автор: Takehisa Nitta,Yoshinori Kureishi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1980-01-25.

Dry etching method

Номер патента: JP3208596B2. Автор: 敏治 柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-17.

Dry etching device

Номер патента: JPS6394628A. Автор: Yoshikazu Maegaki,嘉一 前垣. Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-25.

Dry etching unit

Номер патента: JPS62169418A. Автор: Haruo Okano,晴雄 岡野,Tsunetoshi Arikado,経敏 有門,Yasuharu Horiike,堀池　靖治. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-07-25.

Dry etching equipment

Номер патента: JP2826409B2. Автор: 康夫 宮崎. Владелец: YAMAGUCHI NIPPON DENKI KK. Дата публикации: 1998-11-18.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5980779A. Автор: Tsunetoshi Arikado,経敏 有門. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-05-10.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS632324A. Автор: 守孝 中村,Moritaka Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-01-07.

Low Temperature Dry Etching Method of Semiconductor Devices

Номер патента: KR940027080A. Автор: 최봉호,강효상. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-12-10.

Dry etching method of compound semiconductor maultilayer film

Номер патента: JP2003234342A. Автор: 真也 布上,Tsutomu Tezuka,勉 手塚,Shinya Nunogami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-22.

Dry etching equipment

Номер патента: JPH0834203B2. Автор: 裕介 矢島,精一 村山,完次 辻井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-03-29.

Dry etching equipment for pyroelectric materials

Номер патента: JP2705117B2. Автор: 敏道 石田,真一郎 豊田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-26.

Dry etching method and apparatus

Номер патента: JP4056316B2. Автор: 宏之 鈴木,浩 田辺,宏 今井,裕也 原田,佳則 中川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-03-05.

Dry etching method

Номер патента: JPH11111682A. Автор: 新吾 門村,Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-23.

Dry etching method for refractory metal film

Номер патента: JP3164789B2. Автор: 雅人 伊藤,世烈 朴. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-08.

Dry etching process

Номер патента: JPS6459917A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Method of detecting completion of dry etching

Номер патента: JPS5587437A. Автор: Toshihiko Osada,Takeari Uema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-07-02.

Dry etching

Номер патента: JPS6489519A. Автор: Haruo Okano,Tsunetoshi Arikado,Makoto Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Dry etching equipment

Номер патента: CN210325711U. Автор: 朱进,刘家桦,薛荣华,叶日铨. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Dry etching device

Номер патента: JPS63237529A. Автор: Tsunetoshi Arikado,経敏 有門. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-04.

Dry etching method for oxide film

Номер патента: JP2950785B2. Автор: 洋司 齋藤. Владелец: SENTORARU GARASU KK. Дата публикации: 1999-09-20.

Dry etching substrate surface treatment method and apparatus

Номер патента: JP3413098B2. Автор: 崇 佐藤,久雄 越智,和樹 小林. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-03.

Device for detecting dry etching damage and method of diagnosing semiconductor device

Номер патента: JPH1079407A. Автор: Takayuki Yamada,隆順 山田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor wafer dry etching post-cleaning process

Номер патента: CN114273320A. Автор: 王磊,承明忠,符佳立. Владелец: JIANGYIN JIANGHUA MICROELECTRONICS MATERIALS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Unfilled corner detection apparatus for glass substrate, dry etching machine table with the apparatus, and unfilled corner detection method

Номер патента: CN104103481A. Автор: 林志明,曾瑞轩,刘峻承. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Dry etching method

Номер патента: JP3296392B2. Автор: 哲 奥. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-06-24.

Dry etching

Номер патента: JPS63274147A. Автор: Katsuyoshi Kudo,Hironori Kawahara,Yutaka Kakehi,Ryoji Fukuyama,良次 福山,勝義 工藤,掛樋　豊,川原　博宣. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-11-11.

Dry etching method

Номер патента: JP3418045B2. Автор: 浩一郎 足立,敏 森下,和雄 杉本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-16.

End point detection method for plasma dry etching

Номер патента: JP2771387B2. Автор: 豊 長谷部,俊幸 太田. Владелец: NIPPON DENKI FUAKUTORI ENJINIARINGU KK. Дата публикации: 1998-07-02.

Dry etching method for low dielectric constant interlayer insulating film

Номер патента: JP4500029B2. Автор: 泰宏 森川,紅コウ 鄒. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-07-14.

Dry etching apparatus and gas flow control inspection method

Номер патента: JP3372840B2. Автор: 浩一 芹川. Владелец: 九州日本電気株式会社. Дата публикации: 2003-02-04.

Method for manufacturing sloped sidewall silicon dioxide structure by adopting photoetching and dry etching

Номер патента: CN101863447B. Автор: 李艳,杨富华,唐龙娟,解婧,杨晋玲. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2011-10-05.

Dry-etching device

Номер патента: JPS63219129A. Автор: 陽一 藤山,Yoichi Fujiyama. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1988-09-12.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS634614A. Автор: Hirobumi Yoshida,吉田　寛文. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-09.

Dry etching equipment

Номер патента: JPH0620060B2. Автор: 明寿 前田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-16.

Dry etching method

Номер патента: JPS62192589A. Автор: Yoshiaki Kageura,Yasuo Hashino,Eigo Terada,能章 影浦,橋野　康雄,寺田　栄吾. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-24.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS6059078A. Автор: Seiji Sagawa,誠二 寒川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-05.

Dry etching method

Номер патента: JP2650970B2. Автор: 喜一郎 向,和典 辻本,新一 田地,定之 奥平. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-10.

Dry etching device

Номер патента: JPH1174254A. Автор: Tsutomu Hamaguchi,勉 濱口. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1999-03-16.

Dry etching method

Номер патента: JPS58150429A. Автор: Sadao Okano,貞夫 岡野,Noboru Akiyama,登 秋山. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-07.

Dry etching apparatus

Номер патента: JPS5396938A. Автор: Keizo Suzuki,Sadayuki Okudaira,Ichiro Shikamata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-08-24.

Method for dry etching

Номер патента: JPS61274326A. Автор: Toshiro Mihashi,敏郎 三橋. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-04.

Flattening method by dry etching

Номер патента: JPH10209117A. Автор: Koji Akiyama,浩二 秋山,Hiroshi Tsutsui,博司 筒井,Shinichi Mizuguchi,信一 水口,Toru Kawase,Akio Takimoto,昭雄 滝本,透 川瀬. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-07.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.